CN217641344U - 发光显示装置 - Google Patents

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CN217641344U CN202221192236.6U CN202221192236U CN217641344U CN 217641344 U CN217641344 U CN 217641344U CN 202221192236 U CN202221192236 U CN 202221192236U CN 217641344 U CN217641344 U CN 217641344U
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崔凡洛
禹俊赫
任忠烈
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Abstract

本公开提供发光显示装置。该发光显示装置包括：基底；有机层，所述有机层与所述基底重叠并且具有阳极连接开口；阳极，所述阳极位于所述有机层上并且部分地位于所述阳极连接开口内部；黑色像素限定层，所述黑色像素限定层具有暴露所述阳极的暴露部分的阳极暴露开口；以及阴极，所述阴极与所述黑色像素限定层和所述阳极两者重叠，其中，所述有机层具有半色调曝光部分和相邻部分，所述半色调曝光部分与所述阳极的所述暴露部分重叠，所述相邻部分与所述半色调曝光部分相邻，所述半色调曝光部分的面与所述基底间隔第一距离，所述相邻部分的面与所述基底间隔第二距离，并所述第一距离与所述第二距离之间的差等于或小于30nm。

Description

发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年8月4日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0102618号韩国专利申请的优先权；该韩国专利申请通过引用而并入。
技术领域
本公开涉及一种发光显示装置。
背景技术
显示装置可以响应于输入信号而显示图像。现代显示装置包括液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示器等。显示装置可以被包括在诸如移动电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏机以及终端的各种电子装置中。
实用新型内容
实施例是用于通过降低由于不对称反射的外部光所引起的反射色带来改善显示质量。
根据实施例的发光显示装置包括以下元件：基底；有机层，所述有机层与所述基底重叠并且具有阳极连接开口；阳极，所述阳极位于所述有机层上并且部分地位于所述阳极连接开口内部；黑色像素限定层，所述黑色像素限定层具有暴露所述阳极的暴露部分的阳极暴露开口；以及阴极，所述阴极与所述黑色像素限定层和所述阳极两者重叠，其中，所述有机层具有半色调曝光部分和相邻部分，所述半色调曝光部分与所述阳极的所述暴露部分重叠，所述相邻部分与所述半色调曝光部分相邻，所述半色调曝光部分的面与所述基底间隔第一距离，所述相邻部分的面与所述基底间隔第二距离，并且所述第一距离与所述第二距离之间的差等于或小于30nm。
所述有机层可以包括彼此重叠的第一有机层和第二有机层。
所述半色调曝光部分可以包括第一半色调曝光部分和第二半色调曝光部分，所述第一半色调曝光部分可以被包括在所述第一有机层中，并且所述第二半色调曝光部分可以被包括在所述第二有机层中并且与所述第一半色调曝光部分重叠。
所述阳极连接开口可以包括第一开口和第二开口，所述第一开口可以被包括在所述第一有机层中，所述第二开口可以被包括在所述第二有机层中，并且所述第一有机层可以包括由所述第二开口暴露的台阶结构。
所述半色调曝光部分可以被包括在所述第一有机层和所述第二有机层中的仅仅一者中。
所述发光显示装置还可以包括：导电层，所述导电层定位成比所述有机层更靠近所述基底；导电部分，所述导电部分定位成比所述导电层和/或所述有机层更靠近所述基底；以及封装层，所述封装层覆盖所述阴极，其中，所述半色调曝光部分可以与所述导电层或所述导电部分重叠，并且所述相邻部分可以与所述导电层或所述导电部分不重叠。
所述有机层的两个相对面可以由相同材料形成并且分别直接接触所述导电层和所述阳极。
所述发光显示装置还可以包括：阻光层，所述阻光层位于所述封装层上并具有滤色器开口；滤色器，所述滤色器填充所述滤色器开口；以及感测电极，所述感测电极被所述阻光层覆盖，其中，所述半色调曝光部分可以与所述滤色器重叠。
在所述发光显示装置的平面图中，所述半色调曝光部分的周边可以围绕所述阳极暴露开口的周边，并且在所述发光显示装置的所述平面图中，所述半色调曝光部分的所述周边可以被所述滤色器的周边围绕。
所述发光显示装置还可以包括：间隔件，所述间隔件位于所述黑色像素限定层与所述阴极之间，其中，所述间隔件可以包括第一部分和第二部分，所述第二部分可以在垂直于所述基底的方向上短于所述第一部分，并且与所述第一部分一体地形成。
根据实施例的发光显示装置包括以下元件：基底；有机层，所述有机层位于所述基底上并且具有阳极连接开口；阳极，所述阳极位于所述有机层上并且通过所述有机层的所述阳极连接开口电连接；黑色像素限定层，所述黑色像素限定层具有暴露所述阳极的阳极暴露开口；阴极，所述阴极位于所述黑色像素限定层与所述阳极之间；以及封装层，所述封装层覆盖所述阴极，其中，所述有机层具有半色调曝光区域，所述半色调曝光区域的台阶为30nm或更小，并且所述半色调曝光区域在平面图中与阳极暴露开口重叠。
还可以包括在所述基底与所述有机层之间的第二数据导电层，并且所述有机层可以包括下有机层和上有机层。
所述半色调曝光区域可以包括第一半色调曝光区域和第二半色调曝光区域，所述第一半色调曝光区域可以位于所述下有机层中，并且所述第二半色调曝光区域可以位于所述上有机层中。
像素可以包括红色像素、绿色像素以及蓝色像素，所述第一半色调曝光区域和所述第二半色调曝光区域可以位于所述红色像素和所述蓝色像素中，并且所述第一半色调曝光区域可以仅位于所述绿色像素中。
还可以包括位于所述基底与所述第二数据导电层之间的第一数据导电层，所述绿色像素的所述第一数据导电层可以包括在平面图中与所述阳极重叠的第一扩展部分，并且所述红色像素和所述蓝色像素的所述第二数据导电层可以包括在平面图中与所述阳极重叠的第二扩展部分。
所述下有机层和所述上有机层可以各自具有大于1μm且小于2μm的厚度。
所述阳极连接开口可以形成在所述下有机层和所述上有机层中，并且所述阳极连接开口可以具有台阶结构。
所述半色调曝光区域可以位于所述下有机层和所述上有机层中的仅仅一者中。
所述半色调曝光区域可以仅位于所述下有机层中。
还可以包括在所述基底与所述有机层之间的第二数据导电层，并且所述有机层可以是一个有机层。
还可以包括：阻光层，所述阻光层位于所述封装层上并且具有滤色器开口；滤色器，所述滤色器填充所述阻光层的所述滤色器开口；以及感测电极，所述感测电极在平面图中与所述阻光层重叠并被所述阻光层覆盖，并且所述半色调曝光区域在平面图中可以与所述阳极、所述滤色器开口以及所述滤色器重叠。
所述半色调曝光区域可以大于所述阳极暴露开口以便在平面图中与整个所述阳极暴露开口重叠，并且所述半色调曝光区域小于所述滤色器开口，从而所述滤色器开口在平面图中可以与整个所述半色调曝光区域重叠。
还可以包括在所述黑色像素限定层与所述阴极之间的间隔件，并且所述间隔件可以包括第一部分和第二部分，所述第二部分具有比所述第一部分低的高度并且与所述第一部分一体地形成。
根据实施例的发光显示装置的制造方法包括以下步骤：在包括第一像素和第二像素的基底上形成第二数据导电层；形成覆盖所述第二数据导电层的下有机层；形成覆盖所述下有机层的上有机层；在所述上有机层上形成阳极；形成黑色像素限定层，所述黑色像素限定层包括暴露所述阳极的至少一部分的阳极暴露开口；在所述黑色像素限定层和所述阳极上形成阴极；并且形成覆盖所述阴极的封装层，其中，通过使用狭缝掩模在所述第一像素和所述第二像素中的每一者中的所述下有机层中形成第一半色调曝光区域，并且通过使用狭缝掩模在所述第一像素的所述上有机层中形成第二半色调曝光区域。
所述半色调曝光区域可以不形成在所述第二像素的所述上有机层中。
所述第一像素可以是红色像素或蓝色像素，并且所述第二像素可以是绿色像素。
所述第一半色调曝光区域或所述第二半色调曝光区域的台阶可以是30nm或更小。
所述第一半色调曝光区域和所述第二半色调曝光区域在平面图中可以与所述黑色像素限定层的所述阳极暴露开口重叠。
所述下有机层和所述上有机层可以包括阳极连接开口，并且所述阳极连接开口可以由台阶结构形成。
用于曝光所述下有机层的曝光量可以小于用于曝光所述上有机层的曝光量。
实施例可以涉及一种发光显示装置。所述发光显示装置可以包括基底、有机层、导电层、导电部分、阳极、黑色像素限定层、阴极以及封装层。所述有机层可以与所述基底重叠并且可以具有阳极连接开口。所述导电层可以定位成比所述有机层更靠近所述基底。所述导电部分可以定位成比所述导电层和/或所述有机层更靠近所述基底。所述阳极可以位于所述有机层上并且可以部分地位于所述阳极连接开口内部。所述黑色像素限定层可以包括暴露所述阳极的暴露部分的阳极暴露开口。所述阴极可以与所述黑色像素限定层和所述阳极两者重叠。所述封装层可以覆盖所述阴极。所述有机层可以包括半色调曝光部分和相邻部分。所述半色调曝光部分可以与所述阳极的所述暴露部分重叠并且可以与所述导电层或所述导电部分重叠。所述相邻部分可以与所述半色调曝光部分相邻并且可以与所述导电层或所述导电部分不重叠。所述半色调曝光部分的面可以与所述基底间隔第一距离。所述相邻部分的面可以与所述基底间隔第二距离。所述第一距离与所述第二距离之间的差可以等于或小于30nm。
所述有机层可以包括彼此重叠的第一有机层和第二有机层。
所述半色调曝光部分可以包括第一半色调曝光部分和第二半色调曝光部分。所述第一半色调曝光部分可以被包括在所述第一有机层中。所述第二半色调曝光部分可以被包括在所述第二有机层中并且可以与所述第一半色调曝光部分重叠。
所述发光显示装置可以包括红色滤色器、绿色滤色器以及蓝色滤色器。所述第一半色调曝光部分和所述第二半色调曝光部分可以与所述红色滤色器和所述蓝色滤色器中的一者重叠。所述第一有机层可以包括与所述绿色滤色器重叠的绿色像素半色调曝光部分。
所述导电部分可以与所述绿色滤色器重叠。所述导电层可以与所述红色滤色器或所述蓝色滤色器重叠。
所述第一有机层的厚度可以大于1μm且小于2μm。所述第二有机层的厚度可以大于1μm且小于2μm。
所述阳极连接开口可以包括第一开口和第二开口。所述第一开口可以被包括在所述第一有机层中。所述第二开口可以被包括在所述第二有机层中。所述第一有机层可以包括由所述第二开口暴露的台阶结构。
所述半色调曝光部分可以被包括在所述第一有机层和所述第二有机层中的仅仅一者中。
所述半色调曝光部分可以被包括在仅所述第一有机层中。
所述有机层的两个相对面可以由相同材料形成并且可以分别直接接触所述导电层和所述阳极。
所述发光显示装置还可以包括以下元件：阻光层，所述阻光层位于所述封装层上并且包括滤色器开口；滤色器，所述滤色器填充所述滤色器开口；以及感测电极，所述感测电极被所述阻光层覆盖。所述半色调曝光部分可以与所述滤色器重叠。
在所述发光显示装置的平面图中，所述半色调曝光部分的周边可以围绕所述阳极暴露开口的周边。在所述发光显示装置的平面图中，所述半色调曝光部分的所述周边可以被所述滤色器的周边围绕。
所述发光显示装置还可以包括位于所述黑色像素限定层与所述阴极之间的间隔件。所述间隔件可以包括第一部分和第二部分，所述第二部分在垂直于所述基底的方向上短于所述第一部分，并且与所述第一部分一体地形成。
实施例可以涉及一种用于制造发光显示装置的方法。所述方法可以包括以下步骤：形成与基底重叠的导电部分；形成与所述基底重叠的导电层；形成覆盖所述导电层的第一有机层；形成覆盖所述第一有机层的第二有机层；在所述第二有机层上形成阳极；形成黑色像素限定层，所述黑色像素限定层包括暴露所述阳极的暴露部分的阳极暴露开口；在所述黑色像素限定层和所述阳极上形成阴极；形成覆盖所述阴极的封装层；使用可以包括狭缝的掩模在所述第一有机层中形成第一层曝光部分和绿色像素曝光部分；以及使用所述掩模在所述第二有机层中形成第二层曝光部分。所述第二层曝光部分可以与所述第一层曝光部分重叠。所述第一层曝光部分可以与所述导电层重叠。所述绿色像素曝光部分可以与所述导电部分重叠。
所述第二有机层的未曝光部分使用所述掩模形成，并且与所述绿色像素曝光部分重叠。
所述方法还可以包括：形成红色滤色器，形成绿色滤色器，以及形成蓝色滤色器。所述红色滤色器或所述蓝色滤色器可以与所述第二层曝光部分重叠。所述绿色滤色器可以与所述绿色像素曝光部分重叠。
所述第一有机层可以包括与所述第一层曝光部分相邻且与所述导电层不重叠的第一相邻部分。所述第二有机层可以包括与所述第二层曝光部分相邻且与所述导电层不重叠的第二相邻部分。所述第一层曝光部分的面可以与所述基底间隔第一距离。所述第一相邻部分的面可以与所述基底间隔第二距离。所述第二层曝光部分的面可以与所述基底间隔第三距离。所述第二相邻部分的面可以与所述基底间隔第四距离。所述第一距离与所述第二距离之间的差或者所述第三距离与所述第四距离之间的差可以等于或小于30nm。
所述第一层曝光部分和所述第二层曝光部分中的每一者可以与所述阳极的所述暴露部分重叠。
所述第一有机层可以包括第一开口。所述第二有机层可以包括第二开口。所述第一有机层可以包括由所述第二开口暴露的台阶结构。
用于曝光所述第一有机层以形成所述第一层曝光部分和所述绿色像素曝光部分的曝光量可以小于用于曝光所述第二有机层以形成所述第二层曝光部分的曝光量。
根据实施例，位于阳极下方的有机层的平坦度被改善，使得阳极足够平坦以防止反射光不对称地扩散。有利地，可以获得令人满意的图像显示质量。根据实施例，通过使发射层彼此分离的黑色像素限定层可以使外部光的反射率最小化，而无需偏振器。有利地，可以使发光显示装置的厚度最小化。
附图说明
图1是示出根据实施例的并由用户使用的发光显示装置的示意性透视图。
图2是根据实施例的发光显示装置的分解透视图。
图3是根据实施例的发光显示装置的框图。
图4是示意性地示出根据实施例的发光显示装置的透视图。
图5是示出根据实施例的发光显示装置的放大的部分区域的俯视平面图。
图6是包括在根据实施例的发光显示装置中的一个像素的电路图。
图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20和图21中的每一者是示意性地示出根据实施例的发光显示装置中的下面板层的一个或多个层的结构的平面图。
图22是根据实施例的发光显示装置的截面图。
图23是根据实施例的发光显示装置中的上面板层的一部分的俯视平面图。
图24的(A)、(B)、(C)和(D)中的每一者是示出根据实施例的在通过使用狭缝掩模使发光显示装置的有机层平坦化的工艺中形成的结构的截面图。
图25、图26、图27以及图28的(A)和(B)中的每一者是示出根据一个或多个实施例的发光显示装置中的平坦化特性和反射色带特性的视图。
图29的(A)、(B)和(C)以及图30中的每一者是示出根据实施例的形成在发光显示装置中的有机层中的开口的结构的截面图或平面图。
图31和图32是示出根据实施例的发光显示装置中用于通过狭缝掩模曝光有机层的区域的平面图。
图33是示出根据实施例的发光显示装置中用于通过狭缝掩模曝光有机层的区域的平面图。
图34是根据实施例的发光显示装置的截面图。
具体实施方式
参考附图描述实施例的示例。所描述的实施例可以以各种方式修改。相同的附图标记可以表示相同的元件。
在附图中，为了清晰起见，尺寸可能被夸大。
尽管术语“第一”、“第二”等可以用于描述各个元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。在不脱离一个或多个实施例的教导的情况下，可以将第一元件称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不需要或暗示存在第二元件或其它元件。术语“第一”、“第二”等可以用于区分不同类别或不同组的元件。为简明起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)、“第二类别(或第二组)”等。
当第一元件被称为“在”第二元件上时，第一元件可以直接在第二元件上，或者在第一元件与第二元件之间可以存在一个或多个居间元件。当第一元件被称为“直接在”第二元件上时，在第一元件与第二元件之间不存在居间元件(除了诸如空气的环境要素之外)。
除非明确描述为相反，否则“包括”一词以及诸如“含有”或“包含”的变型可以指示包括所述元件，但可以不暗示排除任何其它元件。
术语“连接”可以指“直接连接”或“间接连接”。术语“连接”可以指“机械连接”和/或“电连接”。术语“连接”可以指“电连接”或“不通过居间晶体管电连接”。术语“绝缘”可以指“电绝缘”或“电隔离”。术语“导电的”可以指“电传导的”。术语“驱动”可以指“操作”或“控制”。术语“包括”可以指“由……制成”。术语“相邻”可以指“紧邻”。元件在特定方向上延伸的表述可以指元件在特定方向上纵向延伸和/或指元件的纵向方向在特定方向上。术语“图案”可以指“构件”。术语“限定”可以指“形成”或“提供”。空间或开口与物体重叠的表述可以指空间或开口(其位置)与物体(其位置)重叠和/或指所述空间或开口暴露所述物体。术语“重叠”可以等同于“与……重叠”。在平面图中第一元件与第二元件重叠的表述可以指第一元件在垂直于基底的方向上与第二元件重叠。术语“区域”可以指“部”或“部分”。元件的高度可以指元件距基底的距离或基底距元件的距离。
图1是示出根据实施例的并由用户使用的发光显示装置1000的示意性透视图。图2是根据实施例的发光显示装置1000的分解透视图。图3是根据实施例的发光显示装置1000的框图。
发光显示装置1000可以显示运动图像和/或静态图像，并且可以是电子装置(或用作电子装置的显示屏幕)，该电子装置诸如为电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IOT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、超移动PC(UMPC)、智能手表、手表电话、眼镜显示器、头戴式显示器(HMD)、车辆的仪表面板、车辆的中央仪表板或设置在仪表盘上的中央信息显示器(CID)、后视镜显示器(而不是车辆的侧视镜)或者设置在前排座椅后表面处的显示器。发光显示装置1000可以是智能电话。
参考图1、图2和图3，发光显示装置1000可以在分别垂直于第一方向DR1和第二方向DR2的显示表面上朝向第三方向DR3显示图像。其上显示图像的显示表面可以对应于发光显示装置1000的前表面并且可以对应于盖窗WU的前表面。图像可以包括静态图像以及动态图像。
每个构件的前部(或顶部)和背部(或底部)是基于显示图像的方向来限定的。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此背对，且前表面和后表面的法线方向可以平行于第三方向DR3。前表面和后表面之间在第三方向DR3上的分离距离可以对应于发光显示面板DP的在第三方向DR3上的厚度。
根据实施例的发光显示装置1000可以检测从外部施加的用户的输入(参考图1中的手)。用户的输入可以包括诸如用户身体的一部分、光、热或压力的各种类型的外部输入。随着用户的手放在前部，用户的输入被显示。用户的输入可以以各种形式提供，并且发光显示装置1000可以根据发光显示装置1000的结构来感测施加到发光显示装置1000的侧面或后部的用户输入。
发光显示装置1000可以包括显示区域DA以及设置在显示区域DA周围的非显示区域PA。同时，显示区域DA可以大体上被划分为第一显示区域DA1和第一元件区域DA2(在下文中也被称为组件区域或第二显示区域)，并且第一显示区域DA1可以包括用于显示图像的多个像素PX，并且第一元件区域DA2可以包括透光区域，并且另外还可以包括显示图像的像素PX。第一元件区域DA2可以是与诸如相机或光学传感器的光学元件ES至少部分地重叠的区域。图1示出在发光显示装置1000的右上侧上以圆形形状提供第一元件区域DA2，但是本实用新型不局限于此。第一元件区域DA2可以根据光学元件ES的数量和形状以各种数量和形状提供。
发光显示装置1000可以通过第一元件区域DA2接收光学元件ES所需的外部信号，或者可以向外部提供从光学元件ES输出的信号。在实施例中，因为第一元件区域DA2被提供为与透射区域TA重叠，因此可以减小用于形成透射区域TA的阻挡区域BA的面积。阻挡区域BA是具有相对低的透光率的区域，并且可以包括边框区域。
发光显示装置1000可以包括盖窗WU、外壳HM、发光显示面板DP以及光学元件ES。盖窗WU和外壳HM可以被组合以构成发光显示装置1000的外观。
盖窗WU可以包括绝缘面板。例如，盖窗WU可以由玻璃、塑料或它们的组合制成。
盖窗WU的前表面可以限定发光显示装置1000的前表面。透射区域TA可以是光学透明区域。例如，透射区域TA可以是具有约90％或更高的可见光线透射率的区域。
阻挡区域BA可以限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可以与透射区域TA相邻并且可以围绕透射区域TA。阻挡区域BA可以是与透射区域TA相比具有相对低的透光率的区域。阻挡区域BA可以包括阻挡光的不透明材料。阻挡区域BA可以具有预定颜色。阻挡区域BA可以由限定透射区域TA的透明基底和单独提供的边框层来限定或者由通过插入到或着色到透明基底中所形成的油墨层来限定的。
发光显示面板DP可以包括用于显示图像的像素PX、用于检测外部输入的触摸传感器TS以及驱动单元50。发光显示面板DP可以包括包含显示区域DA和非显示区域PA的前表面。显示区域DA可以是其中像素PX根据电信号进行操作并发射光的区域。
显示区域DA是其中通过包括像素PX来显示图像的区域，并且同时可以是其中触摸传感器TS位于像素PX的在第三方向DR3上的上侧上且外部输入被感测的区域。
盖窗WU的透射区域TA可以与发光显示面板DP的显示区域DA至少部分地重叠。例如，透射区域TA可以与显示区域DA的整个表面重叠或者可以与显示区域DA的至少一部分重叠。因此，用户可以通过透射区域TA观看图像或者基于图像提供外部输入。例如，在显示区域DA中，其中显示图像的区域和其中检测外部输入的区域可以彼此分离。
发光显示面板DP的非显示区域PA可以至少部分地与盖窗WU的阻挡区域BA重叠。非显示区域PA可以是被阻挡区域BA覆盖的区域。非显示区域PA与显示区域DA相邻并且可以围绕显示区域DA。在非显示区域PA中不显示图像，并且可以在非显示区域PA中设置用于驱动显示区域DA的驱动电路或驱动布线。非显示区域PA可以包括位于显示区域DA外部的第一外围区域PA1以及包括驱动单元50、连接布线和弯曲区域的第二外围区域PA2。在图2的实施例中，第一外围区域PA1位于显示区域DA的三侧上，并且第二外围区域PA2位于显示区域DA的另外一侧上。
发光显示面板DP可以被组装成平坦状态，使得显示区域DA和非显示区域PA面向盖窗WU。发光显示面板DP的非显示区域PA的一部分可以弯曲。在这种情况下，非显示区域PA的一部分面向发光显示装置1000的后表面，从而可以减小在发光显示装置1000的前表面上所示的阻挡区域BA，并且如图2中所示，第二外围区域PA2弯曲以位于显示区域DA的背表面上并且然后被组装。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第一元件区域DA2。与第一显示区域DA1相比，第一元件区域DA2通过包括透光区域而可以具有相对高的透光率。第一元件区域DA2可以比第一显示区域DA1具有相对较小的面积。第一元件区域DA2可以被限定为发光显示面板DP之中的与其中光学元件ES设置在外壳HM内部的区域重叠的区域。第一元件区域DA2以圆形形状示出，但是本实用新型不局限于此，并且第一元件区域DA2可以具有诸如多边形、椭圆形以及具有至少一个曲线的图形的各种形状。
第一显示区域DA1可以与第一元件区域DA2相邻。第一显示区域DA1可以围绕整个第一元件区域DA2。第一显示区域DA1可以部分地围绕第一元件区域DA2。
参考图3，发光显示面板DP可以包括包含像素PX的显示区域DA和触摸传感器TS。由发光显示面板DP的像素PX产生的图像可以通过透射区域TA(参考图2)被用户从外部在视觉上识别。另外，触摸传感器TS可以位于像素PX的上部上，并且可以感测从外部施加的外部输入。触摸传感器TS可以检测提供给盖窗WU(参考图2)的外部输入。
再次参考图2，第二外围区域PA2可以包括弯曲部分。显示区域DA和第一外围区域PA1可以具有平坦状态，同时基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2所限定的平面，并且第二外围区域PA2的一侧从平坦状态延伸并且可以在通过弯曲部分之后再次具有平坦状态。结果是，第二外围区域PA2的至少一部分可以弯曲并被组装以位于显示区域DA的背侧上。在组装时，第二外围区域PA2的至少一部分在平面图中与显示区域DA重叠，从而可以减小发光显示装置1000的阻挡区域BA。例如，第二外围区域PA2可以不弯曲。
驱动单元50可以安装在第二外围区域PA2中、安装在弯曲部分上、或者位于弯曲部分的两侧之一上。驱动单元50可以以芯片形式提供。
驱动单元50可以电连接到显示区域DA以向显示区域DA传送电信号。例如，驱动单元50可以向设置在显示区域DA中的像素PX提供数据信号。或者，驱动单元50可以包括触摸驱动电路并且可以电连接到设置在显示区域DA中的触摸传感器TS。同时，驱动单元50可以包括除了上述电路之外的各种电路或者可以被设计为向显示区域DA提供各种电信号。
另一方面，焊盘部分可以位于第二外围区域PA2的端部上，并且发光显示装置1000可以通过焊盘部分电连接到包括驱动芯片的柔性印刷电路板(FPCB)。位于柔性印刷电路板上的驱动芯片可以包括用于驱动发光显示装置1000的各种驱动电路或者用于供应电力的连接器。根据实施例，代替柔性印刷电路板，可以使用刚性印刷电路板(PCB)。
光学元件ES可以设置在发光显示面板DP之下。光学元件ES可以接收通过第一元件区域DA2所传送的外部输入或者可以通过第一元件区域DA2输出信号。具有相对高的透射率的第一元件区域DA2提供在显示区域DA内部，从而光学元件ES可以被设置成与显示区域DA重叠并且因此，可以减小阻挡区域BA的面积(或大小)。
参考图3，发光显示装置1000可以包括发光显示面板DP、电源模块PM、第一电模块EM1以及第二电模块EM2。发光显示面板DP、电源模块PM、第一电模块EM1以及第二电模块EM2可以彼此电连接。在图3中，作为示例示出了在发光显示面板DP的配置之中的位于显示区域DA(参考图2)中的像素PX和触摸传感器TS。
电源模块PM可以供应发光显示装置1000的整体操作所需的电力。电源模块PM可以包括公共电池模块。
第一电模块EM1和第二电模块EM2可以包括用于操作发光显示装置1000的各种功能模块。第一电模块EM1可以直接安装在电连接到发光显示面板DP的主板上或者安装在通过连接器(未示出)电连接到主板的单独的基底上。
第一电模块EM1可以包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、声学输入模块AIM、存储器MM以及外部接口IF。一些模块未安装在主板上，但是可以通过与这些模块相连的柔性印刷电路板电连接到主板。
控制模块CM可以控制发光显示装置1000的整体操作。控制模块CM可以是微处理器。例如，控制模块CM激活或去激活发光显示面板DP。控制模块CM可以基于从发光显示面板DP接收的触摸信号来控制诸如图像输入模块IIM或声学输入模块AIM的其它模块。
无线通信模块TM可以通过使用蓝牙或Wi-Fi线路与另一终端传送/接收无线信号。无线通信模块TM可以使用通用通信线路传送/接收语音信号。无线通信模块TM包括对要传送的信号进行调制和传送的传送器TM2以及对所接收的信号进行解调的接收器TM1。
图像输入模块IIM可以对要转换成能够在发光显示面板DP上显示的图像数据的图像信号进行处理。声学输入模块AIM可以在录音模式、语音识别模式等下接收由麦克风输入的外部声音信号以将该外部声音信号转换为电语音数据。
外部接口IF可以用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口和卡(例如存储卡、SIM/UIM卡)插座等的接口。
第二电模块EM2可以包括声学输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM以及相机模块CMM，并且声学输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM以及相机模块CMM中的至少一些可以位于显示区域DA的背部上作为如图1和图2中所示的光学元件ES。光学元件ES可以包括发光模块LM、光接收模块LRM以及相机模块CMM。另外，第二电模块EM2可以直接安装在主板上或者安装在通过连接器(未示出)电连接到发光显示面板DP或电连接到第一电模块EM1的单独的基底上。
声学输出模块AOM可以对从无线通信模块TM接收的声学数据或存储在存储器MM中的声学数据进行转换以输出到外部。
发光模块LM可以产生并输出光。发光模块LM可以输出红外光。例如，发光模块LM可以包括发光二极管元件。例如，光接收模块LRM可以检测红外光。当检测到高于一定水平的红外光时，光接收模块LRM可以被激活。光接收模块LRM可以包括CMOS传感器。在由发光模块LM产生的红外光被输出之后，光可以被外部对象(例如，用户的手指或面部)反射，并且反射的红外光可以入射到光接收模块LRM上。相机模块CMM可以拍摄外部图像。
光学元件ES可以另外包括光学检测传感器或热检测传感器。光学元件ES可以检测通过前表面接收的外部物体或者可以通过前表面向外部提供声音信号(诸如声音)。光学元件ES可以包括多个配置，并且不局限于任何一个实施例。
再次参考图2，外壳HM可以与盖窗WU组合。盖窗WU可以设置在外壳HM的前部中。外壳HM可以与盖窗WU组合以提供预定的容纳空间。发光显示面板DP和光学元件ES可以容纳在提供于外壳HM与盖窗WU之间的预定容纳空间中。
外壳HM可以包括具有相对高的刚度的材料。例如，外壳HM可以包括由玻璃、塑料或金属或者它们组合制成的多个框架和/或板。外壳HM可以可靠地保护封装在内部空间中的发光显示装置1000的组件免受外部冲击。
图4是示意性地示出根据实施例的发光显示装置1000'的透视图。
图4的实施例示出一种发光显示装置1000'，其是通过折叠轴FAX折叠的可折叠发光显示装置。
在可折叠发光显示装置中，第一元件区域DA2(在下文中称为组件区域)可以设置在如图4中所示的一侧的边缘上。
诸如相机或光学传感器的光学元件位于图4的第一元件区域DA2的背部上，并且透光区域位于第一元件区域DA2中。透光区域可以具有随后所述的结构。
参考图4，发光显示装置1000'可以是可折叠发光显示装置。发光显示装置1000'可以基于折叠轴FAX而向外或向内折叠。当基于折叠轴FAX向外折叠时，发光显示装置1000'的显示表面分别位于第三方向DR3上的外部上，从而可以在两个方向上显示图像。当基于折叠轴FAX向内折叠时，可能无法在视觉上从外部识别显示表面。
发光显示装置1000'可以包括外壳、发光显示面板以及盖窗。
发光显示面板可以包括显示区域DA和非显示区域PA。显示区域DA是其中显示图像的区域并且可以同时是其中感测外部输入的区域。显示区域DA可以包括用于显示图像的像素。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第一元件区域DA2。第一显示区域DA1可以被划分为第1-1显示区域DA1-1、第1-2显示区域DA1-2以及折叠区域FA。第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可以分别相对于(或基于)折叠轴FAX位于左侧和右侧上，并且折叠区域FA可以位于第1-1显示区域DA1-1与第1-2显示区域DA1-2之间。此时，当基于折叠轴FAX向外折叠时，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2位于第三方向DR3上的两侧上，并且可以在两个方向上显示图像。另外，当基于折叠轴FAX向内折叠时，可能无法在视觉上从外部识别第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2。
参考图5，发光显示面板DP可以具有与显示区域DA的第一元件区域DA2相邻的第二元件区域OPS(在下文中也称为光学传感器区域)。
图5是示出根据实施例的发光显示装置的放大的部分区域的俯视平面图。
图5示出根据实施例的发光显示装置的发光显示面板DP的一部分，其中，发光显示面板DP可以是用于移动电话的显示面板。
在发光显示面板DP的整个表面中，显示区域DA被大体上被划分为第一显示区域DA1(在下文中称为主显示区域)和第一元件区域DA2(在下文中称为组件区域)。另外，参考图5，显示区域DA还包括设置在第一元件区域DA2附近的第二元件区域OPS。在图5的实施例中，第二元件区域OPS位于第一显示区域DA1中的与第一元件区域DA2相邻的位置中。在图5的实施例中，第二元件区域OPS位于第一元件区域DA2的左侧上。在图5中，第一元件区域DA2的对应光学元件可以是相机，并且第二元件区域OPS的对应光学元件可以是光学传感器。第二元件区域OPS可以仅由透光部分制成，并且可以不显示图像。第二元件区域OPS以及设置成与第二元件区域OPS相邻的像素可以一起称为第三显示区域。第二元件区域OPS的位置和数量可以根据实施例而变化。
第一显示区域DA1包括多个发光二极管LED(参考图6)和多个像素电路单元，所述多个像素电路单元产生要传送到多个发光二极管LED的发光电流。这里，一个发光二极管LED和一个像素电路单元被称为像素PX(参考图2)。在第一显示区域DA1中，一个像素电路单元和一个发光二极管LED一对一地形成。第一显示区域DA1在下文中也被称为“常规显示区域”。在图5中，未示出发光显示面板DP的在切割线之下的结构，但是第一显示区域DA1可以位于切割线之下。
第二元件区域OPS仅由用于允许光通过的透明层组成，并且没有导电层或半导体层，并且可以在如图22中所示的黑色像素限定层380、阻光层220以及滤色器230中的与第二元件区域OPS相对应的位置处形成开口(在下文中也称为附加开口)以具有不阻挡光的结构。
根据本实施例的发光显示装置的发光显示面板DP可以大体上被划分为下面板层和上面板层。下面板层是其中构成像素的发光二极管LED(参考图6)及像素电路单元所位于的部分，并且可以包括直到覆盖它们的封装层(参考图22的400)。下面板层从基底(参考图22的110)延伸到封装层400，并且还包括阳极(参考图22的Anode)、黑色像素限定层(参考图22的380)、发射层(参考图22的EML)、间隔件(参考图22的385)、功能层(参考图22的FL)以及阴极(参考图22的Cathode)，并且包括绝缘层、半导体层以及在基底110与阳极Anode之间的导电层。上面板层是位于封装层400上的部分，包括能够感测触摸的感测绝缘层(参考图22的501、510、511)和多个感测电极(参考图22的540、541)，并且可以包括阻光层(参考图22的220)、滤色器(参考图22的230)以及平坦化层(参考图22的550)等。
稍后将参考图11至图22描述第一显示区域DA1(参考图5)的下面板层的结构。
尽管在图5中未示出，但是外围区域还可以位于显示区域DA外部。此外，图5示出了用于移动电话的显示面板，但是如果它是其中光学元件可以位于显示面板的背部上的显示面板，则可以应用本实施例，并且它还可以是柔性显示装置。在发光显示装置之中的柔性显示装置的情况下，第一元件区域DA2和第二元件区域OPS的位置可以不同于图5中的位置。
在下文中，参考图5至图23对位于发光显示面板DP的下面板层中的像素结构进行详细地描述。在下文中，在图5至图23中的任何一幅图中示出的附图标记可以被参考图5至图23中的其他图来描述的实施例参考。
以下像素结构可以是第一显示区域DA1和/或第一元件区域DA2以及第二元件区域OPS的像素结构。
参考图6描述像素PX(参考图2)的电路结构。
图6是包括在根据实施例的发光显示装置中的一个像素PX(参考图2)的电路图。
图6中所示的电路结构是形成在第一显示区域DA1和第一元件区域DA2中的像素电路单元和发光二极管LED的电路结构。
根据实施例的一个像素PX(参考图2)包括连接到数条导线127、128、151、152、153、155、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cboost以及发光二极管LED。除发光二极管LED外的晶体管和电容器构成了像素电路单元。升压电容器Cboost可以被省略。
多条导线127、128、151、152、153、155、171、172和741连接到一个像素PX(参考图2)。多条导线127、128、151、152、153、155、171、172和741包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172以及公共电压线741。连接到第七晶体管T7的第一扫描线151还连接到第二晶体管T2，并且，与第二晶体管T2不同，第七晶体管T7可以通过单独的旁路控制线连接。
第一扫描线151连接到扫描驱动器(未示出)以将第一扫描信号GW(或GB)传送到第二晶体管T2和第七晶体管T7。与施加到第一扫描线151的电压极性相反的电压可以与第一扫描线151的信号在相同的时间被施加到第二扫描线152。例如，当向第一扫描线151施加负电压时，可以向第二扫描线152施加正电压。第二扫描线152将第二扫描信号GC传送到第三晶体管T3。初始化控制线153将初始化控制信号GI传送到第四晶体管T4。发光控制线155将发光控制信号EM传送到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
数据线171是传送从数据驱动器(未示出)产生的数据电压DATA的导线，并且发光二极管LED发射的光的亮度取决于传送到发光二极管LED的发光电流的大小的改变而改变。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传送第一初始化电压Vinit，并且第二初始化电压线128传送第二初始化电压AVinit。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可以分别是恒定电压。
驱动晶体管(也称为第一晶体管)T1是p型晶体管并且具有硅半导体作为半导体层。它是这样的晶体管，所述晶体管根据驱动晶体管T1的栅极电极的电压(即，存储在存储电容器Cst中的电压)的大小来调节输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的大小。因为发光二极管LED的亮度是根据输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的大小来调节的，因此可以根据施加到像素PX(参考图2)的数据电压DATA来调节发光二极管LED的发光亮度。为此目的，驱动晶体管T1的第一电极被设置成通过第五晶体管T5接收驱动电压ELVDD并且连接到驱动电压线172。同时，驱动晶体管T1的第二电极经由第六晶体管(在下文中称为输出控制晶体管)T6将发光电流输出到发光二极管LED并且连接到发光二极管LED的阳极。另外，驱动晶体管T1的第二电极还连接到第三晶体管T3，并且施加到第一电极的数据电压DATA被传输到第三晶体管T3。同时，驱动晶体管T1的栅极电极连接到存储电容器Cst的一个电极(在下文中称为第二存储电极)。驱动晶体管T1的栅极电极的电压根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，并且因此，由驱动晶体管T1输出的发光电流被改变。存储电容器Cst用于在一帧内保持驱动晶体管T1的栅极电极的电压恒定。同时，驱动晶体管T1的栅极电极还可以连接到第三晶体管T3，从而施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA可以通过第三晶体管T3被传送到驱动晶体管T1的栅极电极。同时，驱动晶体管T1的栅极电极还连接到第四晶体管T4，并且可以通过接收第一初始化电压Vinit而被初始化。
第二晶体管T2是p型晶体管并且具有硅半导体作为半导体层。第二晶体管T2是将数据电压DATA接收到像素PX(参考图2)中的晶体管。第二晶体管T2的栅极电极连接到第一扫描线151和升压电容器Cboost的一个电极(在下文中称为下升压电极)。第二晶体管T2的第一电极连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。当第二晶体管T2由通过第一扫描线151传送的第一扫描信号GW的负电压而导通时，将通过数据线171传输的数据电压DATA传送到驱动晶体管T1的第一电极，并且最终将数据电压DATA传送到驱动晶体管T1的栅极电极并存储在存储电容器Cst中。
第三晶体管T3是n型晶体管并且具有氧化物半导体作为半导体层。第三晶体管T3电连接驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅极电极。结果是，它是这样的晶体管，所述晶体管允许数据电压DATA被驱动晶体管T1的阈值电压补偿并且然后存储在存储电容器Cst的第二存储电极中。第三晶体管T3的栅极电极连接到第二扫描线152，并且第三晶体管T3的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极连接到存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅极电极以及升压电容器Cboost的另一个电极(在下文中称为上升压电极)。第三晶体管T3由通过第二扫描线152传送的第二扫描信号GC的正电压而导通以将驱动晶体管T1的栅极电极和驱动晶体管T1的第二电极连接并且将施加到驱动晶体管T1的栅极电极的电压传送到存储电容器Cst的第二存储电极以被存储到存储电容器Cst。此时，在存储当驱动晶体管T1断开时驱动晶体管T1的栅极电极的电压的状态下，存储在存储电容器Cst中的电压被存储，从而驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)被补偿。
第四晶体管T4是n型晶体管并且具有氧化物半导体作为半导体层。第四晶体管T4对驱动晶体管T1的栅极电极和存储电容器Cst的第二存储电极进行初始化。第四晶体管T4的栅极电极连接到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极连接到第一初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极连接到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅极电极以及升压电容器Cboost的上升压电极。第四晶体管T4由通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI的正电压而导通，并且在这种情况下，第一初始化电压Vinit被传送到要被初始化的驱动晶体管T1的栅极电极、存储电容器Cst的第二存储电极以及升压电容器Cboost的上升压电极。
第五晶体管T5和第六晶体管T6是p型晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。
第五晶体管T5用于将驱动电压ELVDD传送到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅极电极连接到发光控制线155，第五晶体管T5的第一电极连接到驱动电压线172，并且第五晶体管T5的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。
第六晶体管T6用于将从驱动晶体管T1输出的发光电流传送到发光二极管LED。第六晶体管T6的栅极电极连接到发光控制线155，第六晶体管T6的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极连接到发光二极管LED的阳极。
第七晶体管T7是p型或n型晶体管，并且第七晶体管T7的半导体层具有硅半导体或氧化物半导体。第七晶体管T7对发光二极管LED的阳极进行初始化。第七晶体管T7的栅极电极连接到第一扫描线151，第七晶体管T7的第一电极连接到发光二极管LED的阳极，并且第七晶体管T7的第二电极连接到第二初始化电压线128。当第七晶体管T7由第一扫描线151的负电压导通时，第二初始化电压AVinit被施加到发光二极管LED的要被初始化的阳极。第七晶体管T7的栅极电极可以连接到单独的旁路控制线并且可以由第一扫描线151和单独的布线来控制。此外，施加了第二初始化电压AVinit的第二初始化电压线128可以与施加了第一初始化电压Vinit的第一初始化电压线127相同。
尽管已经描述了一个像素PX(参考图2)包括七个晶体管T1至T7以及两个电容器(存储电容器Cst和升压电容器Cboost)，但是本实用新型不局限于此，并且根据实施例可以不包括升压电容器Cboost。此外，尽管描述了其中第三晶体管T3和第四晶体管T4是n型晶体管的实施例，但是它们中只有一个可以形成为n型晶体管，同时另一个晶体管可以形成为p型晶体管。此外，根据实施例，七个晶体管T1至T7可以全部形成为p型晶体管。
在上面，参考图6描述了形成在显示区域DA中的像素PX(参考图2)的电路结构。
在下文中，参考图5至图22描述形成在显示区域DA中的像素的详细的平面结构和堆叠结构，并且以下实施例的像素包括第二元件区域OPS。在下文中，在图5至图22中的任何一幅图中示出的附图标记可以被参考图5至图22中的其他图来描述的实施例参考，而没有任何限制。
首先，参考图5、图7至图22描述根据制造顺序的每层的平面结构。这里所示的像素结构可以是包括第二元件区域OPS的第一显示区域DA1和/或第一元件区域DA2的像素结构。
图7至图21中的每一者是示意性地示出根据实施例的发光显示装置中的下面板层的一个或多个层的结构的平面图。换言之，图7至图21是具体示出根据实施例的发光显示装置之中的下面板层的根据制造顺序的每层的结构的视图。图22是根据实施例的发光显示装置的截面图。
参考图7，金属层BML位于基底110上。
基底110可以包括由于刚性特性而不弯曲的材料(诸如玻璃)或者可以弯曲的柔性材料(诸如塑料或聚酰亚胺)。在柔性基底的情况下，如图22中所示，它可以具有聚酰亚胺与在其上由无机绝缘材料形成的屏障层的双层结构成双地形成的结构。
金属层BML包括多个扩展部分BML1以及使多个扩展部分BML1彼此连接的连接部分BML2。金属层BML的扩展部分BML1可以形成于在随后形成的第一半导体层130之中的在平面图中与驱动晶体管T1的沟道1132重叠的位置处。金属层BML也被称为下屏蔽层，可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等的金属或金属合金，并且可以另外包括非晶硅并且可以由单层或多层组成。
参考图22，覆盖基底110和金属层BML的缓冲层111设置在基底110和金属层BML上。缓冲层111用于阻止杂质元素渗入到第一半导体层130(即，第一半导体层ACT1)中，并且可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘层。
如图8中所示，由硅半导体(例如，多晶体半导体)形成的第一半导体层130位于缓冲层111上。第一半导体层130包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131以及第二区域1133。另外，第一半导体层130包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的沟道，并且具有通过在每个沟道的两侧上进行等离子体处理或掺杂以用作第一电极和第二电极而具有导电层特性的区域。
驱动晶体管T1的沟道1132在平面图中可以具有弯曲形状。然而，驱动晶体管T1的沟道1132的形状不局限于此，并且可以被不同地改变。例如，驱动晶体管T1的沟道1132可以弯曲成不同形状或者可以具有条形。驱动晶体管T1的第一区域1131和第二区域1133可以位于驱动晶体管T1的沟道1132的两侧上。位于第一半导体层130中的第一区域1131和第二区域1133用作驱动晶体管T1的第一电极和第二电极。
第二晶体管T2的沟道、第一区域以及第二区域位于第一半导体层130中的从驱动晶体管T1的第一区域1131向下延伸的部分1134中。第五晶体管T5的沟道、第一区域以及第二区域位于从驱动晶体管T1的第一区域1131向上延伸的部分1135中。第六晶体管T6的沟道、第一区域以及第二区域位于从驱动晶体管T1的第二区域1133向上延伸的部分1136中。第七晶体管T7的沟道、第一区域以及第二区域位于部分1137中，该部分1137在从第一半导体层130的部分1136弯曲的同时进一步延伸。
参考图22，第一栅极绝缘层141可以位于包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131以及第二区域1133的第一半导体层130上。第一栅极绝缘层141可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘层。
参考图9，包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层GAT1可以位于第一栅极绝缘层141上。第一栅极导电层GAT1包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及驱动晶体管T1中的每一者的栅极电极。驱动晶体管T1的栅极电极1151可以与驱动晶体管T1的沟道1132重叠。驱动晶体管T1的沟道1132被驱动晶体管T1的栅极电极1151覆盖。
第一栅极导电层GAT1还可以包括第一扫描线151和发光控制线155。第一扫描线151和发光控制线155可以在大致水平的方向(在下文中也称为第一方向DR1)上延伸。第一扫描线151可以连接到第二晶体管T2的栅极电极。第一扫描线151可以与第二晶体管T2的栅极电极一体地形成。第一扫描线151还连接到后级(rear stage)的像素的第七晶体管T7的栅极电极。
同时，发光控制线155可以连接到第五晶体管T5的栅极电极以及第六晶体管T6的栅极电极，并且发光控制线155以及第五晶体管T5和第六晶体管T6的栅极电极可以一体地形成。
第一栅极导电层GAT1可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)或金属合金的金属，并且可以被配置为单层或多层。
在形成包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层GAT1之后，执行等离子体处理或掺杂工艺以使第一半导体层130的暴露区域导电。被第一栅极导电层GAT1覆盖的第一半导体层130不导电，并且第一半导体层130的未被第一栅极导电层GAT1覆盖的部分可以与导电层具有相同的特性。结果是，包括导电部分的晶体管具有p型晶体管特性，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7可以是p型或n型晶体管。
参考图22，第二栅极绝缘层142可以位于包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层和第一栅极绝缘层141上。第二栅极绝缘层142可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘层。
参考图10，包括存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下屏蔽层3155以及第四晶体管T4的下屏蔽层4155的第二栅极导电层GAT2可以位于第二栅极绝缘层142上。下屏蔽层3155和4155分别位于第三晶体管T3的沟道和第四晶体管T4的沟道下方，并且可以用于屏蔽从下侧提供给对应沟道的光学或电磁干扰。
第一存储电极1153与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠以形成存储电容器Cst。在存储电容器Cst的第一存储电极1153中形成开口1152。存储电容器Cst的第一存储电极1153的开口1152可以与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠。第一存储电极1153在水平方向(第一方向DR1)上延伸并且连接到相邻的第一存储电极1153。
第三晶体管T3的下屏蔽层3155可以与第三晶体管T3的沟道3137和栅极电极3151重叠。第四晶体管T4的下屏蔽层4155可以与第四晶体管T4的沟道4137和栅极电极4151重叠。
第二栅极导电层GAT2还可以包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a以及第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a以及第一初始化电压线127可以大致在水平方向(第一方向DR1)上延伸。下第二扫描线152a可以连接到第三晶体管T3的下屏蔽层3155。下第二扫描线152a可以与第三晶体管T3的下屏蔽层3155一体地形成。下初始化控制线153a可以连接到第四晶体管T4的下屏蔽层4155。下初始化控制线153a可以与第四晶体管T4的下屏蔽层4155一体地形成。
第二栅极导电层GAT2可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或金属合金，并且可以是单层或多层。
参考图22，第一层间绝缘层161可以位于第二栅极导电层GAT2上，所述第二栅极导电层GAT2包括存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下屏蔽层3155以及第四晶体管T4的下屏蔽层4155。第一层间绝缘层161可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘层，并且可以根据实施例厚厚地形成无机绝缘材料。
参考图11，包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138的氧化物半导体层ACT2可以位于第一层间绝缘层161上。氧化物半导体层ACT2可以包括电容器Cboost的上升压电极3138t。
第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138可以彼此连接以一体地形成。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138位于第三晶体管T3的沟道3137的两侧上，并且第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138位于第四晶体管T4的沟道4137的两侧上。第三晶体管T3的第二区域3138连接到第四晶体管T4的第二区域4138。第三晶体管T3的沟道3137与下屏蔽层3155重叠，并且第四晶体管T4的沟道4137与下屏蔽层4155重叠。
升压电容器Cboost的上升压电极3138t位于第三晶体管T3的第二区域3138与第四晶体管T4的第二区域4138之间。升压电容器Cboost的上升压电极3138t与第一扫描线151(也称为升压电容器Cboost的下升压电极)的一部分重叠使得形成升压电容器Cboost。
参考图22，第三栅极绝缘层143可以位于包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的氧化物半导体层ACT2上。
第三栅极绝缘层143可以位于氧化物半导体层ACT2和第一层间绝缘层161的整个表面上。因此，第三栅极绝缘层143可以覆盖第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的上表面和侧面。然而，本实施例不局限于此，并且第三栅极绝缘层143可以不位于氧化物半导体层ACT2和第一层间绝缘层161的整个表面上。例如，第三栅极绝缘层143可以与第三晶体管T3的沟道3137重叠并且可以与第一区域3136和第二区域3138不重叠。第三栅极绝缘层143可以与第四晶体管T4的沟道4137重叠并且可以与第一区域4136和第二区域4138不重叠。
第三栅极绝缘层143可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘层。
参考图12，包括第三晶体管T3的栅极电极3151和第四晶体管T4的栅极电极4151的第三栅极导电层GAT3可以位于第三栅极绝缘层143上。
第三晶体管T3的栅极电极3151可以与第三晶体管T3的沟道3137重叠。第三晶体管T3的栅极电极3151可以与第三晶体管T3的下屏蔽层3155重叠。
第四晶体管T4的栅极电极4151可以与第四晶体管T4的沟道4137重叠。第四晶体管T4的栅极电极4151可以与第四晶体管T4的下屏蔽层4155重叠。
第三栅极导电层GAT3还可以包括上第二扫描线152b和上初始化控制线153b。
上第二扫描线152b和上初始化控制线153b可以在大致水平的方向(第一方向DR1)上延伸。上第二扫描线152b与下第二扫描线152a一起形成第二扫描线152。上第二扫描线152b可以连接到第三晶体管T3的栅极电极3151。上第二扫描线152b可以与第三晶体管T3的栅极电极3151一体地形成。上初始化控制线153b与下初始化控制线153a一起构成初始化控制线153。上初始化控制线153b可以连接到第四晶体管T4的栅极电极4151。上初始化控制线153b可以与第四晶体管T4的栅极电极4151一体地形成。
另外，第三栅极导电层GAT3还可以包括下第二初始化电压线128a。下第二初始化电压线128a可以在大致水平的方向(第一方向DR1)上延伸，并且第二初始化电压AVinit被施加。
第三栅极导电层GAT3可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或金属合金，并且可以由单层或多层组成。
在形成包括第三晶体管T3的栅极电极3151和第四晶体管T4的栅极电极4151的第三栅极导电层GAT3之后，氧化物半导体层ACT2的被第三栅极导电层GAT3覆盖的部分通过等离子体处理或掺杂工艺形成在沟道中，并且氧化物半导体层ACT2中的未被第三栅极导电层GAT3覆盖的部分变得导电。第三晶体管T3的沟道3137可以位于栅极电极3151下方以与栅极电极3151重叠。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138可以与栅极电极3151不重叠。第四晶体管T4的沟道4137可以位于栅极电极4151下方以与栅极电极4151重叠。第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138可以与栅极电极4151不重叠。上升压电极3138t可以与第三栅极导电层GAT3不重叠。包括氧化物半导体层ACT2的晶体管可以具有n型晶体管的特性。
参考图22，第二层间绝缘层162可以位于包括第三晶体管T3的栅极电极3151和第四晶体管T4的栅极电极4151的第三栅极导电层GAT3上。第二层间绝缘层162可以具有单层或多层结构。第二层间绝缘层162可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料，并且可以根据实施例包括有机材料。
参考图13，可以在第二层间绝缘层162中形成两种类型的开口OP1和OP2。两种类型的开口OP1和OP2可以使用不同掩模形成。
开口OP1是形成在第二层间绝缘层162、第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142以及第一栅极绝缘层141中的至少一者中的开口，并且可以暴露第一半导体层130、第一栅极导电层GAT1或者第二栅极导电层GAT2。
开口OP2是形成在第二层间绝缘层162和/或第三栅极绝缘层143中的开口，并且可以暴露氧化物半导体层ACT2或第三栅极导电层GAT3。
多个开口OP1中的一个与驱动晶体管T1的栅极电极1151的至少一部分重叠，并且还可以形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161以及第二栅极绝缘层142中。在这种情况下，多个开口OP1中的一个可以与第一存储电极1153的开口1152重叠，并且可以位于第一存储电极1153的开口1152内部。
多个开口OP2中的一个可以与升压电容器Cboost的至少一部分重叠，并且还可以形成在第三栅极绝缘层143中。
多个开口OP1中的另一个与驱动晶体管T1的第二区域1133的至少一部分重叠，并且第三开口3165可以形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142以及第一栅极绝缘层141中。
多个开口OP2中的另一个与第三晶体管T3的第一区域3136的至少一部分重叠，并且可以形成在第三栅极绝缘层143中。
参考图14和图15，包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层SD1可以位于第二层间绝缘层162上。图14是仅示出了第一数据导电层SD1、开口OP1以及开口OP2的俯视平面图，因为在图15中可能难以容易地识别第一数据导电层，并且图15是示出在第一数据导电层SD1下方的所有层的俯视平面图。
第一连接电极1175可以与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠。第一连接电极1175可以通过第一存储电极1153的开口OP1和开口1152连接到驱动晶体管T1的栅极电极1151。第一连接电极1175可以与升压电容器Cboost重叠。第一连接电极1175可以通过开口OP2连接到升压电容器Cboost的上升压电极3138t。因此，驱动晶体管T1的栅极电极1151和升压电容器Cboost的上升压电极3138t可以通过第一连接电极1175连接。在这种情况下，驱动晶体管T1的栅极电极1151还可以通过第一连接电极1175连接到第三晶体管T3的第二区域3138和第四晶体管T4的第二区域4138。
第二连接电极3175可以与驱动晶体管T1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175可以通过开口OP1连接到驱动晶体管T1的第二区域1133。第二连接电极3175可以与第三晶体管T3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175可以通过开口OP2连接到第三晶体管T3的第一区域3136。因此，驱动晶体管T1的第二区域1133和第三晶体管T3的第一区域3136可以通过第二连接电极3175连接。
第一数据导电层SD1还可以包括第二初始化电压线128b。
第二初始化电压线128b具有在竖直方向(第二方向DR2)上延伸的布线部分128b-1以及在水平方向(第一方向DR1)的两侧处从布线部分128b-1突出的第一延伸部分128b-2，并且包括在从第一延伸部分128b-2再次在竖直方向(第二方向DR2)上弯曲的同时所定位的第二延伸部分128b-3。在其中第一延伸部分128b-2和第二延伸部分128b-3相遇的部分中，它通过开口OP2电连接到位于第三栅极导电层GAT3上的第二初始化电压线128a。结果是，第二初始化电压AVinit通过位于第三栅极导电层GAT3上的第二初始化电压线128a在水平方向(第一方向DR1)上被传送，并且第一数据导电层SD1通过第二初始化电压线128b在竖直方向(第二方向DR2)上传送第二初始化电压AVinit。
第二延伸部分128b-3的端部通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1137。
第一数据导电层SD1还可以包括连接部分(127CM和171CM)、阳极连接部分ACM1以及扩展部分FL-SD1(在下文中称为第一扩展部分)。
连接部分127CM通过开口OP1连接到第二栅极导电层GAT2的第一初始化电压线127，并且通过开口OP2连接到第二半导体层(氧化物半导体层ACT2)的第一区域4136以将流过第一初始化电压线127的第一初始化电压Vinit传送到氧化物半导体层ACT2的第四晶体管T4。
连接部分171CM通过开口OP1电连接到第一半导体层130的一个部分1137(即第二晶体管T2)。
阳极连接部分ACM1通过开口OP1电连接到第一半导体层130的一个部分1136(即第六晶体管T6)。
扩展部分FL-SD1广泛地形成以便使覆盖在其上方的阳极平坦化。扩展部分FL-SD1通过开口OP1、第五晶体管T5连接到第一半导体层130的部分1135，并且还通过开口OP1电连接到第一存储电极1153。
第一数据导电层SD1可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)或金属合金的金属，并且可以被配置为单层或多层。
参考图22、图14和图15，第一有机层181可以位于包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层SD1上。第一有机层181可以是包括有机材料的有机绝缘体，并且有机材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种。
参考图16至图19和图22，第一有机层181具有开口OP3。包括数据线171、驱动电压线172以及阳极连接部分ACM2的第二数据导电层SD2位于第一有机层181上。第二有机层182(称为下有机层)和第三有机层183(称为上有机层)位于第二数据导电层SD2上，并且第二有机层182和第三有机层183具有开口OP4(在下文中称为阳极连接开口)。阳极连接部分ACM2通过开口OP4电连接到阳极。图16至图18是示出第二数据导电层SD2以及开口OP3和OP4的俯视平面图，因为在图19中难以容易地识别第二数据导电层SD2，并且图16是示出第二数据导电层SD2以及所有周围层的俯视平面图。图16示出第二数据导电层SD2和开口OP3，图17示出在图16的结构中形成第二有机层182并且通过使用狭缝掩模曝光第二有机层182以降低部分区域的曝光量，并且图18示出在图17中形成第三有机层183并通过使用狭缝掩模曝光第三有机层183以降低部分区域的曝光量。图17和图18还示出开口OP4，所述开口OP4可以暴露第二数据导电层SD2并且可以使用狭缝掩模形成。
参考图15和图16，第一有机层181的开口OP3可以与位于第一数据导电层SD1中的连接部分171CM、阳极连接部分ACM1以及扩展部分FL-SD1重叠以暴露连接部分171CM、阳极连接部分ACM1以及扩展部分FL-SD1。
形成在第一有机层181上的第二数据导电层SD2可以包括数据线171、驱动电压线172以及阳极连接部分ACM2，并且可以具有通过第一有机层181的开口OP3连接到第一数据导电层SD1的结构。
数据线171和驱动电压线172可以在大致竖直的方向(第二方向DR2)上延伸。数据线171通过开口OP3连接到第一数据导电层SD1的连接部分171CM，并且通过该开口OP3连接到第二晶体管T2。驱动电压线172通过第一数据导电层的穿过开口OP3的扩展部分FL-SD1电连接到第五晶体管T5和第一存储电极1153。阳极连接部分ACM2通过开口OP3电连接到第一数据导电层SD1的阳极连接部分ACM1，并且电连接到第六晶体管T6。
参考图16，驱动电压线172包括扩展部分FL-SD2(在下文中称为第二扩展部分)和突出布线部分172-e，并且具有未形成在其中形成阳极连接部分ACM2的部分处的结构。
扩展部分FL-SD2广泛地形成以便使上覆阳极平坦化。
驱动电压线172的两个突出布线部分172-e形成在两条数据线171的两侧上以便平坦地形成上覆阳极，从而总共四条导线171和172-e的结构位于阳极下方。
阳极具有平坦化的下层结构，所述平坦化的下层结构包括第一数据导电层SD1的扩展部分FL-SD1、第一数据导电层SD1的布线部分128b-1、第二数据导电层SD2的扩展部分FL-SD2、数据线171、布线部分172-e以及有机层181、182和183。
扩展部分FL-SD1和扩展部分FL-SD2电连接到驱动电压线172以传送驱动电压ELVDD。
第二数据导电层SD2可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)和/或钛(Ti)的金属或金属合金，并且可以是单层或多层。
参考图22，第二有机层182和第三有机层183位于第二数据导电层SD2上。在第二数据导电层SD2上形成了两个有机层182和183从而阳极被平坦化。
即使在上部上形成了两个有机层182和183，但是由于位于下面的导电层(例如，第一数据导电层SD1或第二数据导电层SD2等)而不能容易地获得完全平坦化的结构。参考图26，即使使用两个有机层(示为双VIA)，也可以证实上表面的高部分和低部分之间至少存在50nm的高度差。为了防止由于反射色带导致的显示质量劣化，需要降低高度差，并且需要形成30nm或更小的高度差值(参考图25至图28)。半色调曝光区域HEA可以通过降低对两个有机层182和183中的至少一者的一些区域的曝光量形成。参考图22，半色调曝光区域HEA在平面图中可以与黑色像素限定层380的开口或阳极Anode重叠，并且半色调曝光区域HEA可以比黑色像素限定层380的开口或阳极Anode宽。
在图17和图18中示出了根据实施例的半色调曝光区域HEA1、HEA1g和HEA2。
图17示出了形成在第二数据导电层SD2上的第二有机层182中的第一半色调曝光区域HEA1和HEA1g。图18示出了形成在位于第二有机层182上的第三有机层183中的第二半色调曝光区域HEA2。
参考图17和图22，第二有机层182堆叠在第二数据导电层SD2上并且通过使用狭缝掩模(用于降低部分区域上的曝光量)被曝光以形成第一半色调曝光区域HEA1和HEA1g。第一半色调曝光区域HEA1和HEA1g中的每一者在平面图中可以与黑色像素限定层380的整个对应开口重叠，并且在平面图中可以与阳极Anode的至少一部分重叠，所述阳极Anode的至少一部分对应于其中在随后的工艺中形成黑色像素限定层的开口和阳极Anode的位置。第二有机层182的第一半色调曝光区域HEA1可以与红色或蓝色发射层重叠并且与红色或蓝色发光二极管LED的阳极Anode的暴露部分(被黑色像素限定层380的对应开口暴露)重叠。第二有机层182的第一半色调曝光区域HEA1g可以与绿色发射层重叠并且与绿色发光二极管LED的阳极Anode的暴露部分(被黑色像素限定层380的对应开口暴露)重叠。第一半色调曝光区域HEA1可以被称为红色或蓝色的第一半色调曝光区域HEA1，并且第一半色调曝光区域HEA1g可以被称为绿色的第一半色调曝光区域HEA1g。
参考图17，在平面图中，红色或蓝色的第一半色调曝光区域HEA1与第二数据导电层SD2的扩展部分FL-SD2重叠。绿色的第一半色调曝光区域HEA1g可以与第二数据导电层SD2的两条数据线171和两个布线部分172-e(总共四条导线)重叠。绿色的第一半色调曝光区域HEA1g具有在平面图中与第一数据导电层SD1的扩展部分FL-SD1(在图14和图15中所示)重叠的结构。
第二有机层182可以是有机绝缘体，并且可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种。第二有机层182的厚度可以为约1.5μm，并且可以大于1μm且小于2μm。如果第二有机层182的厚度为1μm，则即使两个有机层的厚度各自形成为1μm，平坦化特性也可能不好。如果两个有机层各自具有2μm或更大的厚度，则平坦度被改善，但是由于在参考图24的(D)所述的固化工艺中气体逸出的脱气现象，平坦度随着有机层的厚度的减小而劣化。
参考图17，第二有机层182具有用于暴露第二数据导电层SD2的开口OP4。在图17中，开口OP4用虚线表示，该虚线表示开口OP4是未完成的。在随后的工艺中，开口OP4在第三有机层183中完成，并且第二数据导电层SD2被暴露。
参考图18和图22，第三有机层183堆叠在第二有机层182上并且然后通过使用狭缝掩模(用于降低一些区域中的曝光量)被曝光以形成第二半色调曝光区域HEA2。第三有机层183的第二半色调曝光区域HEA2可以与红色或蓝色的第一半色调曝光区域HEA1重叠。第三有机层183的非第二半色调曝光区域与绿色的第一半色调曝光区域HEA1g重叠。第二半色调曝光区域HEA2在平面图中可以与黑色像素限定层380的整个对应开口重叠，并且在平面图中可以与对应的红色或蓝色发光二极管LED的阳极Anode(在以下工艺中形成)的至少暴露部分重叠。第二半色调曝光区域HEA2可以被称为红色或蓝色的第二半色调曝光区域HEA2。
第三有机层183的第二半色调曝光区域HEA2可以与第二有机层182的第一半色调曝光区域HEA1重叠。红色或蓝色的第一半色调曝光区域HEA1和红色或蓝色的第二半色调曝光区域HEA2在平面图中彼此重叠。在平面图中，半色调曝光区域HEA1和HEA2中的一个可以比半色调曝光区域HEA1和HEA2中的另一个宽并且可以包含所述另一个。形成红色或蓝色的第一半色调曝光区域HEA1的狭缝掩模以及形成红色或蓝色的第二半色调曝光区域HEA2的狭缝掩模可以相同，使得区域HEA1和HEA2可以基本上具有相同的大小和相同的形状。
在图18中，绿色的第一半色调曝光区域HEA1g用虚线示出，该虚线表示第一半色调曝光区域HEA1g在第二有机层182中，但不在第三有机层183中。
参考图17和图18，在平面图中，红色或蓝色的第二半色调曝光区域HEA2与第二数据导电层SD2的扩展部分FL-SD2和第一半色调曝光区域HEA1重叠。
第三有机层183可以是有机绝缘体并且可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种。第三有机层183的厚度可以为约1.5μm并且可以大于1μm且小于2μm。如果第三有机层183的厚度为1μm，则即使两个有机层182和183的厚度各自为1μm，平坦化特性也可能不好。如果两个有机层182和183各自具有2μm或更厚的厚度，则平坦度被改善，但是在参考图24的(D)描述的固化工艺中，由于气体逸出的脱气现象，平坦度随着有机层的厚度的减小而劣化。
参考图17和图18，第二有机层182和第三有机层183具有暴露第二数据导电层SD2的开口OP4。
第二数据导电层SD2的阳极连接部分ACM2通过第二有机层182和第三有机层183的开口OP4暴露使得随后形成的阳极Anode和暴露的阳极连接部分ACM2彼此电连接。
红色像素R、绿色像素G、蓝色像素B的位置、数量和/或比例可以根据实施例来配置。对于一个红色像素R和一个蓝色像素B可以有两个绿色像素G。一个半色调曝光区域可以对应于红色像素R和蓝色像素B中的每一者。两个半色调曝光区域可以对应于两个绿色像素G。
图19示出了参考图16至图18描述的结构。
参考图22，阳极Anode形成在第三有机层183上。阳极Anode还可以包括延伸部分Anode-e以通过开口OP4接收来自像素电路单元的电流。
参考图20和图22，黑色像素限定层380位于阳极Anode上，并且黑色像素限定层380的开口OP形成为与阳极Anode重叠。
在图21中示出了包括图19和图20的结构的堆叠结构。
通过在位于第二数据导电层SD2与阳极Anode之间的两个有机层182和183中形成半色调曝光区域HEA1、HEA1g和HEA2，形成了30nm或更小的高度差(参考图25至图28)，并且上覆阳极Anode可以足够平坦，从而通过防止出现颜色扩散、颜色分离和/或反射色带(其中从阳极Anode反射的光不对称地扩散)来改善显示质量。
在第二数据导电层SD2上形成两个有机层(第二有机层182和第三有机层183)，在第二数据导电层SD2中形成扩展部分FL-SD2，并且在第一数据导电层SD1中形成扩展部分FL-SD1。结果是，阳极Anode可以足够平坦。
参考图5、图19和图21，当发光显示面板DP具有第二元件区域OPS时，位于下面板层中的每个导电层或半导体层具有可以使光穿过其透射的结构，因为在第二元件区域OPS中没有形成图案。导电层或半导体层不位于第二元件区域OPS中，并且诸如无机层和有机层的所有绝缘层可以堆叠。下面板层的所有无机层和有机层中的一些可以是可选择的。
如果在上面板层中的与第二元件区域OPS相对应的位置处在阻光层220和/或红色滤色器230R中形成了附加开口，则背侧上的光电传感器可以感测通过发光显示装置的前侧所接收的光。
参考图22，显示区域DA可以是位于主显示区域(也称为第一显示区域)和组件区域(也称为第二显示区域)中的像素的堆叠结构。像素电路单元可以指位于第二有机层182和第三有机层183下方的结构，并且发光二极管LED可以指位于第三有机层183上方和封装层400下方的结构。直至封装层400的层集被称为下面板层，并且形成在封装层400上的层集被称为上面板层。
金属层BML位于基底110上并且可以与第一半导体层ACT1的沟道重叠。覆盖金属层BML的缓冲层111位于金属层BML上，并且第一半导体层ACT1位于缓冲层111上。第一半导体层ACT1包括沟道区域以及位于沟道区域的相对的侧上的第一区域和第二区域。
第一栅极绝缘层141可以覆盖第一半导体层ACT1或仅与第一半导体层ACT1的沟道区域重叠。第一栅极导电层GAT1位于第一栅极绝缘层141上并且包括包含硅半导体的晶体管LTPS TFT的栅极电极。第一半导体层ACT的与栅极电极重叠的区域可以是沟道区域。栅极电极可以用作存储电容器的一个电极。晶体管LTPS TFT包括第一半导体层ACT1和第一栅极导电层GAT1的栅极电极。
第一栅极导电层GAT1被第二栅极绝缘层142覆盖，并且第二栅极导电层GAT2位于第二栅极绝缘层142上。第二栅极导电层GAT2可以包括存储电容器Cst的第一存储电极1153(其与栅极电极重叠)并且可以包括用于位于氧化物半导体层ACT2之下的氧化物半导体晶体管Oxide TFT的下屏蔽层。
第二栅极导电层GAT2被第一层间绝缘层161覆盖。氧化物半导体层ACT2位于第一层间绝缘层161上。氧化物半导体层ACT2包括沟道区域，并且包括位于沟道区域的相对的侧上的第一区域和第二区域。
氧化物半导体层ACT2被第三栅极绝缘层143覆盖，并且第三栅极导电层GAT3位于第三栅极绝缘层143上。第三栅极导电层GAT3可以包括氧化物半导体晶体管Oxide TFT的栅极电极以及连接到氧化物半导体晶体管Oxide TFT的下屏蔽层的连接部分。氧化物半导体晶体管Oxide TFT包括氧化物半导体层ACT2以及第三栅极导电层GAT3的与氧化物半导体层ACT2重叠的栅极电极。
第三栅极导电层GAT3被第二层间绝缘层162覆盖，并且第一数据导电层SD1位于第二层间绝缘层162上。第一数据导电层SD1包括连接部分以用于向第一半导体层ACT1和氧化物半导体层ACT2提供电压或电流或者将电压或电流传输到另一装置。
第一数据导电层SD1被第一有机层181覆盖，并且第二数据导电层SD2位于第一有机层181上。第二数据导电层SD2可以通过开口连接到第一数据导电层SD1。第二数据导电层SD2被第二有机层182和第三有机层183覆盖。
第二有机层182和第三有机层183包括在一些区域中以降低的曝光量曝光的半色调曝光区域HEA。图22中所示的半色调曝光区域HEA可以表示图17和图18中所示的半色调曝光区域HEA1、HEA1g和HEA2中的一个或多个。参考图22，半色调曝光区域HEA可以与黑色像素限定层380的开口OP和/或阳极Anode重叠并且可以比黑色像素限定层380的开口OP和/或阳极Anode的暴露部分宽。
阳极Anode可以位于第三有机层183上并且可以通过位于第二有机层182和第三有机层183中的开口OP4连接到第二数据导电层SD2。
黑色像素限定层380可以包括部分地暴露阳极Anode的开口OP(在下文中称为阳极暴露开口)并且可以部分地覆盖阳极Anode。黑色像素限定层380可以包括阻光材料和有机绝缘材料。
间隔件385形成在黑色像素限定层380上。间隔件385可以具有台阶结构，所述台阶结构包括较高(且较窄)的第一部分385-1以及较短(且较宽)的第二部分385-2。第二部分385-2可以与第一部分385-1一体地形成。
发射层EML位于黑色像素限定层380的开口OP内并且位于阳极Anode上。功能层FL位于间隔件385和暴露的黑色像素限定层380上，并且功能层FL可以形成在发光显示面板DP的整个表面上。功能层FL可以包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴注入层，并且功能层FL可以位于发射层EML的上方和下方。空穴注入层、空穴传输层、发射层EML、电子传输层、电子注入层以及阴极Cathode依次位于阳极Anode上，功能层FL之中的空穴注入层和空穴传输层可以位于发射层EML之下，并且电子传输层和电子注入层可以位于发射层EML之上。
阴极Cathode可以是透光电极或反射电极。阴极Cathode可以遍及发光显示面板DP的除透光区域(或第二元件区域)之外的整个表面一体地形成。
封装层400位于阴极Cathode上。封装层400可以包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且可以具有包括第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层的三层结构。封装层400用于保护发射层EML(由有机材料形成)免受可能从外部进入发光显示装置的湿气或氧的影响。封装层400可以包括交替堆叠的无机层和有机层。
感测绝缘层501、510和511以及用于触摸感测的两个感测电极540和541位于封装层400上。下感测绝缘层501、下感测电极541、中间感测绝缘层510、上感测电极540以及上感测绝缘层511依次堆叠。
阻光层220和滤色器230位于上感测绝缘层511上。
阻光层220可以与感测电极540和541重叠并且可以与阳极Anode不重叠。阳极Anode和发射层EML可以不被阻光层220和感测电极540和541遮蔽。
滤色器230位于感测绝缘层511和阻光层220上。参考图23，滤色器230包括使红色光透射的红色滤色器230R、使绿色光透射的绿色滤色器230G以及使蓝色光透射的蓝色滤色器230B。每个滤色器230可以与对应的发光二极管LED的阳极重叠。相同颜色的光可以从发射层EML发射并且可以通过滤色器变为特定颜色。发射层EML可以发射不同颜色的光，并且所显示的颜色可以通过对应颜色的滤色器而增强。
阻光层220的部分可以位于滤色器230之间。滤色器230R、230G和230B可以用颜色转换层替换或者还可以包括颜色转换层。颜色转换层可以包括量子点。
覆盖滤色器230的平坦化层550位于滤色器230上。平坦化层550可以是透明的有机绝缘体。在平坦化层550上，可以提供低折射层和附加的平坦化层以改善显示面板的前部可视性和光输出效率。光可以被低折射层和附加的平坦化层(其可以具有高的折射特性)折射和/或反射到前部。低折射层和附加的平坦化层可以直接位于滤色器230上，并且平坦化层550可以是可选择的。
平坦化层550上的偏振器可以是可选择的。当外部光入射并从阳极Anode等被反射时，偏振器可以防止图像劣化。黑色像素限定层380覆盖阳极Anode的侧面以降低来自阳极Anode的反射程度，并且阻光层220可以降低光的入射使得可以防止显示质量的劣化。因此，不需要在发光显示面板DP的前部上包括偏振器。
图23是根据实施例的在发光显示装置中的上面板层的一部分的俯视平面图。
在图23中，为了清楚地示出上面板层与下面板层之间的关系，示出了位于下面板层上的黑色像素限定层380的开口OP以及间隔件385的第一部分385-1。在图23中，示出了半色调曝光区域HEA1、HEA1g和HEA2。
阻光层220包括开口OPBM，并且开口OPBM可以比开口OP宽并且在平面图中可以与开口OP重叠。
滤色器230R、230G和230B位于阻光层220的开口OPBM中。滤色器230R、230G和230B填充阻光层220的开口OPBM，并且可以位于阻光层220的上表面和/或侧表面的一部分上。阻光层220的上表面的其余部分可以不被滤色器230R、230G和230B覆盖。在图23中，滤色器230R、230G和230B以及阻光层220以不同的阴影示出，从而可以很容易地区分它们。滤色器230R、230G和230B中的一个滤色器可以具有滤色器开口，并且其他两个滤色器可以填充滤色器开口。
参考图23，间隔件385的第一部分385-1在平面图中可以与阻光层220重叠。间隔件385的第一部分385-1在第三方向DR3上形成在黑色像素限定层380与阻光层220之间。
半色调曝光区域HEA1、HEA1g和HEA2中的每一个均大于黑色像素限定层380的对应的开口OP并且小于阻光层220的对应的开口OPBM。半色调曝光区域HEA1、HEA1g和HEA2在平面图中与滤色器230R、230G和230B重叠。
半色调曝光区域HEA1、HEA1g和HEA2中的一个或多个可以大于阻光层220的一个或多个开口OPBM。
半色调曝光区域HEA1、HEA1g和HEA2大于黑色像素限定层380的开口OP，从而通过开口OP暴露的阳极Anode可以基本上平坦。结果是，从每个阳极Anode反射的光不会不对称地扩散，因此由于由反射光引起的颜色分离而导致的反射色带减小，并且图像显示质量被改善。在第三有机层183的半色调曝光区域HEA1、HEA1g和HEA2中，高度差可以是30nm或更小(参考图25至图28)。
图24的(A)、(B)、(C)和(D)中的每一者是示出根据实施例的在通过使用狭缝掩模使发光显示装置的有机层平坦化的工艺中形成的结构的截面图。
由附图标记182/183指示的有机层可以表示第二有机层182和/或第三有机层183。半色调曝光区域HEA可以表示上述第二有机层182的半色调曝光区域HEA1和HEA1g中的一个或者第三有机层183的半色调曝光区域HEA2。主要描述半色调曝光区域HEA在第二有机层182上的形成，并且半色调曝光区域HEA在第三有机层183上的形成可以基本上相同。
参考图24的(A)，在第一有机层181上形成第二数据导电层SD2，并且然后在第二数据导电层SD2上形成第二有机层182。
由于第二数据导电层SD2的高度/厚度而在第二有机层182中形成了台阶。当第三有机层183形成在第二有机层182上时，台阶或高度差可以减小。然而，参考图26，即使当使用两个有机层(图26中的双VIA)时，也会出现至少50nm的高度差。为了使高度差(第二有机层182的与第二数据导电层SD2重叠的高部分或半色调曝光部分与第二有机层182的不与第二数据导电层SD2重叠的低部分或相邻部分之间)形成为30nm或更小，执行图24的(B)、(C)和(D)中所示的步骤。
参考图24的(B)，第二有机层182通过包括狭缝的掩模Mask而被曝光。掩模Mask的狭缝位于第二有机层182的半色调曝光区域HEA的位置的上方。第二有机层182可以具有正特性，从而第二有机层182的曝光部分被去除。因为曝光的量被狭缝之间的掩模材料减小，所以层182的去除量减小。掩模Mask的材料可以具有大于掩模Mask的狭缝的透射率的0％且小于或等于掩模Mask的狭缝的透射率的15％的透射率。
通过配置掩模Mask可以使形成在有机层(182/183)中的半色调曝光区域HEA更精确地平坦化。通常，形成于在掩模Mask中的狭缝可以具有恒定间隔，从而透射光可以以恒定间隔透射。通过降低对应狭缝的数量和/或大小可以降低掩模Mask(的部分)的透射率；通过增加对应狭缝的数量可以增加掩模Mask(的部分)的透射率。掩模Mask的材料部分的透射率可以是狭缝的透射率的1.5％或更大且狭缝的透射率的7.7％或更小。在对有机层182/183的半色调曝光区域HEA曝光之前，计算平坦化所需的曝光量，相应地形成狭缝图案，并且提供半色调曝光区域HEA中的每个部分所需的曝光量，使得平坦化可以被优化。
在执行曝光/显影之后，参考图24的(C)，有机层182/183中的与狭缝相对应的部分可以具有狭缝图案。狭缝图案可以是与掩模Mask的狭缝的图案基本上相同、相似或不同的形状。
参考图24的(D)，在执行固化工艺之后，当气体离开有机层182/183时，有机层182/183收缩并具有减小的厚度。如果有机层182/183太厚，所产生的气体的量增加，并且气体可能显著地影响其它元件，因此有机层182/183的平坦度可能会劣化。
第二有机层182和第三有机层183中的每一者的厚度可以为约1.5μm并且可以大于1μm且小于2μm。如果第二有机层182和第三有机层183各自为1μm或更小，则平坦化特性可能不令人满意。如果两个有机层182和183各自具有2μm或更大的厚度，则平坦度被改善，但是平坦度可能由于气体逸出的脱气现象而劣化。
通过对有机层182和183的厚度的配置以及参考图24的(A)、(B)、(C)和(D)所描述的工艺，有机层182/183的与层SD2重叠的顶表面部分以及有机层182/183的与层SD2不重叠的顶表面部分可以具有30nm或更小的高度差。
图25、图26、图27以及图28的(A)和(B)中的每一者是示出根据一个或多个实施例的发光显示装置中的平坦化特性和反射色带特性的视图。
在图25至图27中测量的高度差是形成在有机层上的阳极Anode的上表面的最高点(参考图28的(A)和图28的(B)中的Max)与最低点(参考图28的(A)和图28的(B)中的Min)之间的差并且与有机层的上表面的最高点与最低点之间的高度差显著相关(且基本上相等)。高度差越大，则平坦度越差；高度差越小，平坦度越好。
参考图25描述三个示例的平坦度特性。
在图25中，“单VIA”是其中在第二数据导电层SD2(参考图24)上仅形成一个有机层作为比较示例的情况，并且“双VIA”是其中在第二数据导电层SD2上形成两个有机层作为比较示例并且其中未形成半色调曝光区域的两个比较示例的情况。在图25中，“双VIA+狭缝”涉及形成在第二数据导电层SD2上的两个有机层以及所形成的用于进一步平坦化的半色调曝光区域。
图25示出了每个被测示例的平均高度差，其中“单VIA”的平均高差为160.285nm，“双VIA”的平均高度差为61.5318nm，并且“双VIA+狭缝”的平均高度差为20.3545nm。平坦度在“双VIA+狭缝”中得到优化。
图26示出了高度差与反射色带之间的关系，并且仅比较了比较示例(双VIA)和本实施例(双VIA+狭缝)。
在图26中，反射色带值在y轴上用数字表示，并且表示反射色带出现的程度，即除了恒定颜色以外的一种或多种不同颜色出现的程度。反射色带的值越大，反射色带出现就越严重。
在图26中，x轴上的高度差与y轴上的反射色带之间的关系基本上成正比。当高度差大时，反射色带的值大；当高度差小时，反射色带的值小。
参考图26，在“双VIA”中，反射色带的值可以超过52。在“双VIA+狭缝”中，反射色带的值可以达到目标值39.00。反射色带的目标值39.00可以有利地防止用户识别反射色带。
参考图27描述在比较示例和实施例中所采取的平坦化特性和反射色带。
在图27中，比较示例1和比较示例2是图25和图26的“双VIA”的两个比较示例，并且实施例1和2是图25和图26的“双VIA+狭缝”的两个示例。比较示例1具有60nm的高度差，比较实施例2具有45nm的高度差，示例性实施例1具有30nm的高度差，并且示例性实施例2具有20nm的高度差。
参考图27，平坦度在绿色Green中通常低于在红色Red和蓝色Blue中。在实施例2中，对所有颜色Green、Blue和Red的平坦度进行了优化(以20mm的最小高度差进行优化)。
当绿色Green中的平坦度较差时，反射色带中的绿色分量可能会显得大。
在实施例2中，因为高度差减小，所以平坦度被改善，并且反射色带的显现程度降低。有利的是，绿色分量可能不会显得不合期望地大。
图28的(A)是“双VIA”的比较示例，并且图28的(B)是“双VIA+狭缝”的实施例。在图28的(A)中，黑色像素限定层380的开口被示为“PDL Open”。在图28的(A)和(B)中，由一条或多条线指示出基于距基底的距离的阳极Anode的上表面的最高点(参考图28的(A)和(B)中的Max)和最低点(参考图28的(A)和(B)中的Min)。高度差可以通过最高点Max与最低点Min之间的高度差来测量，并且在图28的(A)中，由于所测量的高度差大，因此最高点Max和最低点Min可以由两条不同的水平线来指示；在图28的(B)中，由于平坦度高，因此其中最高点Max和最低点Min彼此接近并且由单条线来指示。
参考图28的(A)，由于第二数据导电层SD2(参考图24)厚，因此即使形成了两个有机层，在有机层的上表面上也会出现显著的台阶。参考图28的(B)，由通过半色调曝光形成半色调曝光区域来去除该台阶。
结果是，有机层的半色调曝光区域(及相邻区域)的高度差可以小于30nm，并且位于有机层上的阳极Anode可以足够地平坦。有利地，通过防止颜色扩散、颜色分离和/或反射色带的发生来改善图像显示质量。
图29的(A)、(B)和(C)以及图30中的每一者是示出根据实施例的形成在发光显示装置中的有机层中的开口的结构的截面图或平面图。
图29的(A)、(B)和(C)示出了通过根据表1设置光源的不同曝光量所形成的三个开口OP4的截面结构。
(表1)
Figure BDA0003647965160000431
Figure BDA0003647965160000441
在表1中，第三有机层曝光量指从光源提供的用于形成第三有机层的光的量，掩模被提供有对应的曝光量，并且仅光的一部分在狭缝区域中透射以形成半色调曝光区域。第三有机层183的开口OP4对应于掩模的狭缝。在表1中，“OP4的平均值”是当第三有机层183以特定曝光量被曝光时通过计算第三有机层183中的开口OP4的大小而获得的平均值。参考图30，“OP4的平均值”可以与第二有机层182的开口的直径值CD1的平均值有关。
为了在第二有机层182中形成半色调曝光区域，由光源提供的光的量具有60mJ或更大且70mJ或更小的值，其小于用于第三有机层183的曝光量。当在第三有机层183中形成半色调曝光区域时，即使使用相同掩模，因为存在半色调曝光区域的平坦度被改善这样的优点，因此用于曝光第三有机层183的光量可以高于用于曝光第二有机层182的光量。
由于用于在第二有机层182中形成开口OP4的曝光量与用于在第三有机层183中形成开口OP4的曝光量之间的差异，开口OP4可以朝着下部具有较窄的宽度(或区域)。参考图24的(C)，第二有机层182可以具有通过第三有机层183的开口OP4暴露的台阶结构。
图29的(C)和图30示出了具有台阶结构的开口OP4。第二有机层182的上表面的一部分和阳极连接部分ACM2的一部分通过开口OP4暴露。
参考图29的(A)和表1，当以约100mJ的曝光量曝光第三有机层183时，由于形成在第三有机层183中的开口OP4不大，因此在开口OP4中不出现台阶结构。当形成在第三有机层183中的开口OP4以110mJ的曝光量形成时，第二有机层182的倾斜且相对平坦的壁可以在开口OP4中形成。在120mJ的曝光量的情况下，开口OP4可以具有明显的台阶结构。
开口OP4中的台阶结构可以有利地改善第三有机层183的半色调曝光区域的平坦度。
在实施例中，使用两个有机层182和183，并且与半色调曝光区域相关联的高度差为30nm。在红色和蓝色中，包括两个半色调曝光区域。在绿色中，仅包括一个半色调曝光区域。
图31和图32是示出根据实施例的发光显示装置中用于通过狭缝掩模曝光有机层的区域的平面图。
图31和图32可以包括与图17和图18的一些特征相同或类似的一些特征。
参考图29和图31，在第二数据导电层SD2(参考图24)上的第二有机层182中，形成红色或蓝色的第一半色调曝光区域HEA1以及绿色的第一半色调曝光区域HEA1g。第二有机层182的厚度可以为约1.5μm并且可以具有大于1μm且小于2μm的值。如果第二有机层182为1μm，则即使两个有机层各自为1μm，平坦化特性也可能不好，并且当两个有机层各自具有2μm或更大时，平坦度被改善，但是由于固化工艺中气体逸出的脱气现象而导致随着有机层厚度减小，平坦度劣化。
参考图29和图31，暴露第二数据导电层SD2(参考图24)的开口OP4位于第二有机层182中。用虚线示出暴露第二数据导电层SD2的开口OP4，所述虚线指示出开口OP4是未完成的。在随后的工艺中，在第三有机层183中形成开口OP4之后，开口OP4完成，并且暴露第二数据导电层SD2。
参考图29和图32，在将第三有机层183堆叠在第二有机层182上之后，使用通用掩模完成开口OP4，并且在第三有机层183中不形成半色调曝光区域。图32中的开口OP4可以具有参考图29的(C)和图30所描述的台阶结构。
在图32中，红色或蓝色的第一半色调曝光区域HEA1和绿色的第一半色调曝光区域HEA1g用虚线指示，这指示出第二有机层182已经被半色调曝光并且第三有机层183没有被半色调曝光。第三有机层183的厚度可以为约1.5μm并且可以具有大于1μm且小于2μm的值。
参考图29、图31和图32，在第三有机层183中未形成半色调曝光区域。第三有机层183可以不被进一步平坦化。如果通过形成半色调曝光区域使第二有机层182足够平坦化，则无需进一步使第三有机层183平坦化。因此，如果第三有机层183的上表面的高度差小于30nm且半色调曝光区域仅在第二有机层182中，则在第三有机层183中可以不需要半色调曝光区域。
半色调曝光区域可以仅形成在第三有机层183中，并且可以在第二有机层182中不形成半色调曝光区域。当第三有机层183的上表面的高度差小于30nm时，在第二有机层182中可以不需要半色调曝光区域。
当只有一个有机层位于第二数据导电层SD2(参考图24)与阳极Anode之间时，半色调曝光区域可以被形成为对于有机层和阳极Anode中的每一者而言形成30nm或更小的高度差。
图33是示出根据实施例的发光显示装置中用于通过狭缝掩模曝光有机层的区域的平面图，并且图34是根据实施例的发光显示装置的截面图。
参考图33和图34，在第二数据导电层SD2(参考图24)上的第二有机层182中，形成红色或蓝色的第一半色调曝光区域HEA1以及绿色的第一半色调曝光区域HEA1g。第二有机层182可以具有约1.5μm的厚度，可以具有大于1μm且小于2μm的厚度，并且可以具有2μm或更大且5μm或更小的厚度。
参考图33和图34，用实线指示暴露第二数据导电层SD2(参考图24)的开口OP4。因为未形成第三有机层183，因此在第二有机层182中形成第一半色调曝光区域HEA1和HEA1g之后开口OP4完成，并且第二数据导电层SD2被暴露。开口OP4可以不具有内部台阶结构。
参考图34，第二有机层182可以直接接触黑色像素限定层380和阳极Anode中的每一者。
参考图33和图34，第二有机层182形成在第二数据导电层SD2(参考图24)与阳极Anode之间，并且与第二有机层182的半色调曝光区域相关联的高度差可小于30nm。有利地，位于有机层182上的阳极Anode可以足够平坦。因此，可以通过防止颜色扩散、颜色分离和/或反射色带的出现来改善图像显示质量。
反射调节层可以设置在阻光层220上。反射调节层可以选择性地吸收在发光显示装置内部反射的光或入射到发光显示装置外部的光之中的部分波段的波长的光。反射调节层可以填充开口OP。
例如，反射调节层吸收490nm到505nm的第一波长区以及585nm到600nm的第二波长区，并且因而第一波长区和第二波长区中的透光率可以是40％或更小。反射调节层可以吸收从发光二极管LED(参考图6)发射的红色、绿色或蓝色的发射波长范围之外的波长的光。如所描述的，反射调节层吸收不属于从发光二极管LED发射的红色、绿色或蓝色的波长范围的波长的光，从而防止发光显示装置的亮度的降低或者使发光显示装置的亮度的降低最小化并且同时防止发光效率的劣化或使发光效率的劣化最小化，并且改善发光显示装置的可视性。
在实施例中，反射调节层可以被提供为包括染料、颜料或它们的组合的有机材料层。反射调节层可以包含四氮杂卟啉(TAP)基化合物、卟啉基化合物、金属卟啉基化合物、恶嗪基化合物和方酸菁基化合物、三芳基甲烷化合物、聚甲炔化合物、蒽醌化合物、酞菁化合物、偶氮化合物、苝化合物、呫吨基化合物、联胺基化合物、亚甲基二吡咯基化合物、花氰基化合物或它们的组合。
在实施例中，反射调节层可以具有约64％至72％的透射率。可以根据包含在反射调节层中的颜料和/或染料的含量来调节反射调节层的透射率。
根据实施例，反射调节层可以不设置在第一元件区域DA2(参考图2和图4)中。另外，包括反射调节层的实施例还可以包括设置在阴极Cathode与封装层400之间的封盖层和低反射层。
封盖层可以用于通过相长干涉原理来改善发光二极管LED(参考图6)的发光效率。封盖层可以包括例如对于具有589nm的波长的光而言具有1.6或更高的折射率的材料。
封盖层可以是包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层或者包括有机材料和无机材料的复合封盖层。例如，封盖层可以包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基的化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物以及含胺基的化合物可以可选择地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任何组合的取代基替代。
低反射层可以设置在封盖层上。低反射层可以与基底110的前表面重叠。
低反射层可以包括具有低反射率的无机材料，并且在实施例中，它可以包括金属或化合物。当低反射层包含金属时，金属可以包括例如镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)，并且它可以包括锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)或它们的组合。另外，当低反射层包含化合物时，化合物可以包括例如SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、SiNx、LiF、CaF2、MgF2、CdS或它们的组合。
在实施例中，包含在低反射层中的无机材料的吸收系数(k)可以是4.0或更小且0.5或更大(0.5≤k≤4.0)。另外，包含在低反射层中的无机材料可以具有1或更大(n≥1.0)的折射率(n)。
低反射层在入射到发光显示装置的光与从设置在低反射层之下的金属反射的光之间引起相消干涉，从而降低外部光的反射。因此，通过由低反射层降低发光显示装置的外部光的反射可以改善发光显示装置的显示质量和可视性。
根据实施例，可以不形成封盖层，并且然后低反射层可以直接接触阴极Cathode。
封装层400设置在低反射层上，其它结构可以与图22和图34中的结构相同。
虽然已描述了实施例的示例，但是实际实施例不局限于所描述的实施例。实际实施例涵盖了在所附权利要求范围内的各种修改和等效布置。

Claims (10)

1.一种发光显示装置，其特征在于，所述发光显示装置包括：
基底；
有机层，所述有机层与所述基底重叠并且具有阳极连接开口；
阳极，所述阳极位于所述有机层上并且部分地位于所述阳极连接开口内部；
黑色像素限定层，所述黑色像素限定层具有暴露所述阳极的暴露部分的阳极暴露开口；以及
阴极，所述阴极与所述黑色像素限定层和所述阳极两者重叠，
其中，
所述有机层具有半色调曝光部分和相邻部分，
所述半色调曝光部分与所述阳极的所述暴露部分重叠，
所述相邻部分与所述半色调曝光部分相邻，
所述半色调曝光部分的面与所述基底间隔第一距离，
所述相邻部分的面与所述基底间隔第二距离，并且
所述第一距离与所述第二距离之间的差等于或小于30nm。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，所述有机层包括彼此重叠的第一有机层和第二有机层。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其特征在于，
所述半色调曝光部分包括第一半色调曝光部分和第二半色调曝光部分，
所述第一半色调曝光部分被包括在所述第一有机层中，并且
所述第二半色调曝光部分被包括在所述第二有机层中并且与所述第一半色调曝光部分重叠。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其特征在于，
所述阳极连接开口包括第一开口和第二开口，
所述第一开口被包括在所述第一有机层中，
所述第二开口被包括在所述第二有机层中，并且
所述第一有机层包括由所述第二开口暴露的台阶结构。
5.根据权利要求2所述的发光显示装置，其特征在于，
所述半色调曝光部分被包括在所述第一有机层和所述第二有机层中的仅仅一者中。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，所述发光显示装置还包括：
导电层，所述导电层定位成比所述有机层更靠近所述基底；
导电部分，所述导电部分定位成比所述导电层和/或所述有机层更靠近所述基底；以及
封装层，所述封装层覆盖所述阴极，其中，
所述半色调曝光部分与所述导电层或所述导电部分重叠，并且
所述相邻部分与所述导电层或所述导电部分不重叠。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其特征在于，
所述有机层的两个相对面由相同材料形成并且分别直接接触所述导电层和所述阳极。
8.根据权利要求6所述的发光显示装置，其特征在于，所述发光显示装置还包括：
阻光层，所述阻光层位于所述封装层上并具有滤色器开口；
滤色器，所述滤色器填充所述滤色器开口；以及
感测电极，所述感测电极被所述阻光层覆盖，其中，
所述半色调曝光部分与所述滤色器重叠。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置，其特征在于，
在所述发光显示装置的平面图中，所述半色调曝光部分的周边围绕所述阳极暴露开口的周边，并且
在所述发光显示装置的所述平面图中，所述半色调曝光部分的所述周边被所述滤色器的周边围绕。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，所述发光显示装置还包括：
间隔件，所述间隔件位于所述黑色像素限定层与所述阴极之间，其中，
所述间隔件包括第一部分和第二部分，所述第二部分在垂直于所述基底的方向上短于所述第一部分，并且与所述第一部分一体地形成。
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