CN220526921U - 发光显示装置和具有发光显示装置的电子装置 - Google Patents

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Abstract

公开了发光显示装置和包括发光显示装置的电子装置。电子装置包括第一数据导电层、第二数据导电层、定位在第二有机层上的绿色的发光二极管(LED)的阳极、红色的发光二极管(LED)的阳极和蓝色的发光二极管(LED)的阳极、包括与绿色的发光二极管(LED)的阳极重叠的绿色开口、与红色的发光二极管(LED)的阳极重叠的红色开口和与蓝色的发光二极管(LED)的阳极重叠的蓝色开口的像素限定层。第一数据导电层包括与像素限定层的红色开口或蓝色开口重叠的第一扩展部，第二数据导电层包括与像素限定层的绿色开口重叠的第二扩展部，并且第二数据导电层的第二扩展部与像素限定层的绿色开口完全重叠。

Description

发光显示装置和具有发光显示装置的电子装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年5月9日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0056856号韩国专利申请的优先权以及权益，该韩国专利申请的整个内容通过引用并入本文中。
技术领域
实施方式涉及发光显示装置和包括发光显示装置的电子装置。
背景技术
显示装置显示图像，并且包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和类似物。显示装置应用于各种电子装置，诸如移动电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端。
诸如有机发光显示装置的显示装置可具有显示装置可通过使用柔性衬底而弯曲或折叠的结构。
在诸如便携式电话的小型电子装置中，诸如相机和光学传感器的光学元件形成在为显示区域的外围区域的边框区域中。然而，随着用于显示的屏幕的尺寸增加，显示区域的外围区域的尺寸已逐渐减小。因此，正在开发实现相机或光学传感器定位在显示区域的背侧上的技术。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对描述的技术的背景的理解，并且因此，其可能包含不形成在本国对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
实用新型内容
实施方式提供了包括能够通过减少由不对称反射穿过绿色滤色器的外部光而生成的绿色反射色带来改善显示质量的发光显示装置的电子装置。
然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的实施方式。通过参照以下给出的本公开的详细描述，以上和其它的实施方式将对本公开所属的领域的普通技术人员变得更显而易见。
在实施方式中，发光显示装置包括下面板层和上面板层，下面板层包括顺序地堆叠在衬底上的第一半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极导电层、第二栅极绝缘层、第二栅极导电层、第一层间绝缘层、第二半导体层、第三栅极绝缘层、第三栅极导电层、第二层间绝缘层、第一数据导电层、第一有机层、第二数据导电层和第二有机层、定位在第二有机层上的绿色的发光二极管(LED)的阳极、红色的发光二极管(LED)的阳极和蓝色的发光二极管(LED)的阳极、包括与绿色的发光二极管(LED)的阳极重叠的绿色开口、与红色的发光二极管(LED)的阳极重叠的红色开口和与蓝色的发光二极管(LED)的阳极重叠的蓝色开口的像素限定层、定位在绿色的发光二极管(LED)的阳极、红色的发光二极管(LED)的阳极、蓝色的发光二极管(LED)的阳极和像素限定层上的阴极以及覆盖阴极的封装层，上面板层包括定位在封装层上并且包括绿色滤色器开口、红色滤色器开口和蓝色滤色器开口的阻光层、定位在绿色滤色器开口中的绿色滤色器、定位在红色滤色器开口中的红色滤色器和定位在蓝色滤色器开口中的蓝色滤色器，第一数据导电层可包括与像素限定层的红色开口或蓝色开口重叠的第一扩展部，第二数据导电层可包括与像素限定层的绿色开口重叠的第二扩展部，并且第二扩展部在平面视图中可与像素限定层的绿色开口完全重叠。
像素限定层的红色开口或蓝色开口可与第一栅极导电层的第一部分、第二栅极导电层的第二部分和第三栅极导电层的第三部分重叠，并且在平面视图中，第一部分、第二部分和第三部分之间的距离可基本上相同。
第二栅极导电层的第二部分可与第一栅极导电层的第一部分的一侧相邻，第三栅极导电层的第三部分可与第一栅极导电层的第一部分的另一侧相邻，并且在平面视图中，第一栅极导电层的第一部分与第二栅极导电层的第二部分之间的距离和第一栅极导电层的第一部分与第三栅极导电层的第三部分之间的距离可基本上彼此相同。
第一栅极导电层的第一部分可为发光控制线，第二栅极导电层的第二部分可为第一存储电极的连接部，并且第三栅极导电层的第三部分可为第二初始化电压线。
下面板层还可包括分别电连接到绿色的发光二极管(LED)、红色的发光二极管(LED)和蓝色的发光二极管(LED)的多个像素电路部，多个像素电路部中的每个可包括将电流发送到绿色的发光二极管(LED)、红色的发光二极管(LED)或蓝色的发光二极管(LED)的驱动晶体管、将驱动电压发送到驱动晶体管的第一电极的第五晶体管、电连接到驱动晶体管的第二电极以将电流发送到绿色的发光二极管(LED)、红色的发光二极管(LED)或蓝色的发光二极管(LED)的第六晶体管、将红色的发光二极管(LED)的阳极、蓝色的发光二极管(LED)的阳极或绿色的发光二极管(LED)的阳极初始化的第七晶体管以及存储驱动晶体管的栅电极的电压的存储电容器，第一存储电极可与驱动晶体管的栅电极重叠以形成存储电容器，发光控制线可电连接到第五晶体管的栅电极和第六晶体管的栅电极，并且第二初始化电压线可电连接到第七晶体管。
多个像素电路部中的每个还可包括将数据电压发送到驱动晶体管的第一电极的第二晶体管、电连接驱动晶体管的第二电极和驱动晶体管的栅电极的第三晶体管以及将驱动晶体管的栅电极初始化的第四晶体管。
第一存储电极的连接部可具有与第一存储电极的上侧间隔开一距离的上侧。
发光控制线可在第一方向上延伸，并且第一栅极导电层的第一部分与第二栅极导电层的第二部分之间的距离和第一栅极导电层的第一部分与第三栅极导电层的第三部分之间的距离可为在与第一方向垂直的第二方向上的距离。
下面板层可包括顺序地堆叠在衬底与第一半导体层之间的金属层和缓冲层、定位在像素限定层上的间隔件、定位在像素限定层的绿色开口、红色开口和蓝色开口中的发射层以及定位在绿色的发光二极管(LED)的阳极、红色的发光二极管(LED)的阳极和蓝色的发光二极管(LED)的阳极与阴极之间的功能层。
上面板层还可包括感测触摸的多个感测电极和定位在多个感测绝缘层之间的多个感测电极。
偏振器可不附接到绿色滤色器、红色滤色器和蓝色滤色器的整个表面。
第一数据导电层的第一扩展部可与像素限定层的红色开口或蓝色开口重叠，并且第二数据导电层的第二扩展部可与像素限定层的绿色开口重叠。
在实施方式中，电子装置可包括包含有背表面和侧表面的壳体、设置在壳体上方的覆盖窗、设置在覆盖窗下面并且包括显示区域和由显示区域围绕的部件区域的显示面板以及设置在显示面板的部件区域中的光学传感器，其中显示面板可包括下面板层和上面板层，下面板层包括顺序地堆叠在衬底上的第一半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极导电层、第二栅极绝缘层、第二栅极导电层、第一层间绝缘层、第二半导体层、第三栅极绝缘层、第三栅极导电层、第二层间绝缘层、第一数据导电层、第一有机层、第二数据导电层和第二有机层、定位在第二有机层上的绿色的发光二极管(LED)的阳极、红色的发光二极管(LED)的阳极和蓝色的发光二极管(LED)的阳极、包括与绿色的发光二极管(LED)的阳极重叠的绿色开口、与红色的发光二极管(LED)的阳极重叠的红色开口和与蓝色的发光二极管(LED)的阳极重叠的蓝色开口的像素限定层、定位在绿色的发光二极管(LED)的阳极、红色的发光二极管(LED)的阳极、蓝色的发光二极管(LED)的阳极和像素限定层上的阴极以及覆盖阴极的封装层，上面板层包括定位在封装层上并且包括绿色滤色器开口、红色滤色器开口和蓝色滤色器开口的阻光层、定位在绿色滤色器开口中的绿色滤色器、定位在红色滤色器开口中的红色滤色器和定位在蓝色滤色器开口中的蓝色滤色器，第一数据导电层可包括与像素限定层的红色开口或蓝色开口重叠的第一扩展部，第二数据导电层可包括与像素限定层的绿色开口重叠的第二扩展部，并且第二数据导电层的第二扩展部在平面视图中可与像素限定层的绿色开口完全重叠。
像素限定层的红色开口或蓝色开口可与第一栅极导电层的第一部分、第二栅极导电层的第二部分和第三栅极导电层的第三部分重叠，并且在平面视图中，第一部分、第二部分和第三部分之间的距离可基本上相同。
第二栅极导电层的第二部分可与第一栅极导电层的第一部分的一侧相邻，并且第三栅极导电层的第三部分可与第一栅极导电层的第一部分的另一侧相邻，并且在平面视图中，第一栅极导电层的第一部分与第二栅极导电层的第二部分之间的距离和第一栅极导电层的第一部分与第三栅极导电层的第三部分之间的距离可基本上相同。
第一栅极导电层的第一部分可为发光控制线，第二栅极导电层的第二部分可为第一存储电极的连接部，并且第三栅极导电层的第三部分可为第二初始化电压线。
下面板层还可包括电连接到绿色的发光二极管(LED)、红色的发光二极管(LED)和蓝色的发光二极管(LED)的多个像素电路部，多个像素电路部中的每个可包括将电流发送到绿色的发光二极管(LED)、红色的发光二极管(LED)或蓝色的发光二极管(LED)的驱动晶体管、将驱动电压发送到驱动晶体管的第一电极的第五晶体管、电连接到驱动晶体管的第二电极以将电流发送到绿色的发光二极管(LED)、红色的发光二极管(LED)或蓝色的发光二极管(LED)的第六晶体管、将红色的发光二极管(LED)的阳极、蓝色的发光二极管(LED)的阳极或绿色的发光二极管(LED)的阳极初始化的第七晶体管以及存储驱动晶体管的栅电极的电压的存储电容器，第一存储电极可与驱动晶体管的栅电极重叠以形成存储电容器，发光控制线可电连接到第五晶体管的栅电极和第六晶体管的栅电极，并且第二初始化电压线可电连接到第七晶体管。
多个像素电路部中的每个还可包括将数据电压发送到驱动晶体管的第一电极的第二晶体管、电连接驱动晶体管的第二电极和驱动晶体管的栅电极的第三晶体管以及将驱动晶体管的栅电极初始化的第四晶体管。
第一存储电极的连接部可具有与第一存储电极的上侧间隔开的上侧。
发光控制线可在第一方向上延伸，并且第一栅极导电层的第一部分与第二栅极导电层的第二部分之间的距离和第一栅极导电层的第一部分与第三栅极导电层的第三部分之间的距离可为在与第一方向垂直的第二方向上的距离。
在实施方式中，发光显示装置可包括：下面板层，下面板层包括第一栅极导电层、第二栅极导电层、第三栅极导电层、第一数据导电层、第二数据导电层和第二有机层，第一栅极导电层、第二栅极导电层、第三栅极绝缘层、第一数据导电层、第二数据导电层和第二有机层顺序地堆叠在衬底上；绿色的发光二极管的阳极、红色的发光二极管的阳极和蓝色的发光二极管的阳极，绿色的发光二极管的阳极、红色的发光二极管的阳极和蓝色的发光二极管的阳极定位在第二有机层上；以及像素限定层，像素限定层包括与绿色的发光二极管的阳极重叠的绿色开口、与红色的发光二极管的阳极重叠的红色开口和与蓝色的发光二极管的阳极重叠的蓝色开口。第一数据导电层包括与像素限定层的红色开口或蓝色开口重叠的第一扩展部，第二数据导电层包括与像素限定层的绿色开口重叠的第二扩展部，并且第二数据导电层的第二扩展部在平面视图中与像素限定层的绿色开口完全重叠。
根据实施方式，由于偏振器没有形成在整个表面上，因此在入射的外部光从阳极反射的情况下，阳极的平坦度改善为使得反射光不会不对称地扩散，从而减少因反射光导致的颜色扩散(例如，颜色分离)现象，并且改善了显示质量。由于在绿色光不对称地扩散的情况下这种颜色扩散现象容易由用户识别，因此定位在绿色滤色器下面的阳极形成得更平坦，以使得绿色光对称地扩散，从而减少了由用户识别的颜色扩散现象。
例如，定位在阳极下面的栅极导电层以规则间隔(或距离)定位，以使得其基于阳极或像素限定层的开口对称地形成，以使得阳极为均匀平坦的，以使得反射光不会不对称地扩散。
通过使用黑色的像素限定层作为将发射层彼此分离的像素限定层来代替偏振器，可减小反射的外部光的比率。
附图说明
图1是示出根据实施方式的显示装置的使用状态的示意性透视图。
图2是根据实施方式的显示装置的示意性分解透视图。
图3是根据实施方式的显示装置的示意性框图。
图4是示意性地示出根据实施方式的发光显示装置的示意性透视图。
图5是放大并且示出根据实施方式的发光显示装置的一些区域的示意性俯视图。
图6是根据实施方式的包括在发光显示装置中的像素的等效电路的示意图。
图7至图19是示出根据实施方式的发光显示装置之中的根据下面板层的制造顺序的每个层的结构的示意性视图。
图20是根据实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
图21是示出根据实施方式的像素限定层的开口以及第一数据导电层和第二数据导电层的示意性俯视图。
图22是示出根据实施方式的像素限定层的开口以及第一栅极导电层、第二栅极导电层和第三栅极导电层的示意性俯视图。
图23是示出根据实施方式的发光显示装置的滤色器层中的相邻的滤色器在阻光层上重叠的结构的示意性剖视图。
图24至图27是用于比较基于比较例和实施方式的特性差异的示意性视图。
图28是根据实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本申请的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施方式”和“实现方式”为可互换的词语，它们为本文中公开的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见的是，各种实施方式可在没有这些具体细节的情况下或者在一个或多个等同布置的情况下实践。这里，各种实施方式不必为排他的，也不必限制本公开。例如，实施方式的具体形状、配置和特性可在另一实施方式中使用或实现。
除非另有说明，否则所示的实施方式将被理解为提供本申请的特征。因此，除非另有说明，否则各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中被单独称为或统称为“元件”)可在不背离本申请的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
通常提供交叉影线和/或阴影在附图中的使用以阐明相邻元件之间的边界。由此，除非说明，否则无论交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对特定材料、材料性能、大小、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性能等的任何偏好或需求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，可能夸大了元件的尺寸和相对尺寸。当实施方式可不同地实现时，具体工艺顺序可与描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。此外，类似的附图标记表示类似的元件。
当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、直接连接到或联接到另一元件或层，或者可存在居间元件或居间层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在居间元件或居间层。为此，术语“连接”可是指在具有或不具有居间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。另外，DR1-轴、DR2-轴和DR3-轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如X-轴、Y-轴和Z-轴)，并且可以更广泛的意义来解释。例如，DR1-轴、DR2-轴和DR3-轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。另外，X-轴、Y-轴和Z-轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以更广泛的意义来解释。例如，X-轴、Y-轴和Z-轴可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“A和B中的至少一个”可被解释并且理解为意味着仅A、仅B、或A和B的任何组合。此外，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y、Z构成的集群中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件能够被称作第二元件。
空间相对术语(诸如“之下(beneath)”、“下方(below)”、“下面(under)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“上面(over)”、“更高(higher)”、“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)”中)和类似词)可在本文中出于描述的目的而使用，并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语还旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被取向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”能够涵盖上方和下方的取向两者。此外，设备可以其它方式取向(例如，旋转90度或在其它取向处)，并且由此，本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。
本文中所使用的专业用语出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。除非上下文另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，当术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。也注意的是，如本文中所使用的，术语“基本上(substantially)”、“约(about)”以及其它相似术语被用作近似的术语并且不被用作程度的术语，并且由此，被利用以考虑本领域普通技术人员将认识到的在测量值、计算值和/或提供值上的固有偏差。
本文中参照为实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖开图示和/或分解图示对各种实施方式进行描述。由此，由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化将被预料。因此，本文中公开的实施方式不应必须被解释为限于特定所示的区的形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。通过这种方式，附图中所示的区本质上可为示意性的，并且这些区的形状可不反映装置的区的实际形状，并且由此，不必旨在进行限制。
如本领域中的惯例，在功能块、单元和/或模块方面，在附图中描述并且示出了一些实施方式。本领域技术人员将领会的是，这些块、单元和/或模块通过电子(或光学)电路(诸如可使用基于半导体的制造技术或其它制造技术形成的逻辑电路、分立部件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、布线连接件和类似物)物理地实现。在由微处理器或其它相似硬件实现的块、单元和/或模块的情况下，可使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制，以执行本文中所讨论的各种功能，并且可选择性由固件和/或软件来驱动它们。也预期到的是，每个块、单元和/或模块可由专用硬件实现，或者实现为执行一些功能的专用硬件与执行其它功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关联的电路系统)的组合。此外，在不背离本申请的范围的情况下，一些实施方式的每个块、单元和/或模块可物理地分离成两个或更多个交互和分立的块、单元和/或模块。此外，在不背离本申请的范围的情况下，一些实施方式的块、单元和/或模块可物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。在本文中，发光显示装置可被称为显示装置，并且显示面板可被称为发光显示面板。
例如，包括说明书中描述的显示装置和显示面板的电子装置(例如，移动电话、TV、监视器、膝上型计算机等)或者包括通过说明书中描述的制造方法制造的显示装置和显示面板等的电子装置不从本描述的范围排除。
在下文中，参照图1至图3来描述显示装置1000的示意性结构。图1是示出根据实施方式的显示装置1000的使用状态的示意性透视图，图2是根据实施方式的显示装置1000的示意性分解透视图，并且图3是根据实施方式的显示装置1000的示意性框图。
参照图1，根据实施方式的显示装置1000为用于显示运动图片或静止图像的装置，并且可用作诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IOT)装置等的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子笔记本、电子书、PMP(便携式多媒体播放器)、导航装置、UMPC(超移动PC)等的便携式电子装置的显示屏幕。例如，根据实施方式的显示装置1000可用于诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。例如，根据实施方式的显示装置1000可用作车辆的仪表面板和车辆的中央仪表板或设置在仪表盘上的CID(中央信息显示器)、替代车辆的后视镜的内视镜显示器、用于车辆的后座的娱乐装置、或设置在前座的后表面上的显示器。为了更好的理解和描述的方便，图1示出了显示装置1000用作智能电话。
显示装置1000可在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行的显示表面上在第三方向DR3上显示图像。显示图像的显示表面可对应于显示装置1000的前表面，并且可对应于覆盖窗WU的前表面。图像可包括静态图像以及动态图像。
在实施方式中，可基于显示图像的方向来限定每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)。前表面和后表面可在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和后表面中的每个的法线方向可平行于第三方向DR3。前表面与后表面之间的在第三方向DR3上的分离距离可对应于显示面板DP的在第三方向DR3上的厚度。
根据实施方式的显示装置1000可检测从外部施加的用户的输入(例如，图1中的手)。用户的输入可包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热或压力。在实施方式中，用户的输入用施加到前面的用户的手来示出。例如，实施方式不限于此。用户的输入可以各种形式提供，并且显示装置1000可根据显示装置1000的结构而感测施加到显示装置1000的侧表面或后表面的用户的输入。
参照图1和图2，显示装置1000可包括覆盖窗WU、壳体HM、显示面板DP和光学元件ES。在实施方式中，覆盖窗WU和壳体HM可组合为形成显示装置1000的外观。
覆盖窗WU可包括绝缘面板。例如，覆盖窗WU可由玻璃、塑料或其组合制成。
覆盖窗WU的前表面可限定显示装置1000的前表面。透射区域TA可为光学透明区域。例如，透射区域TA可为具有约90％或更大的可见光线透射率的区域。
阻挡区域BA可限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可与透射区域TA相邻，并且可围绕透射区域TA。阻挡区域BA可为与透射区域TA相比具有相对低的透光率的区域。阻挡区域BA可包括阻挡光的不透明材料。阻挡区域BA可具有某一颜色。阻挡区域BA可由与限定透射区域TA的透明衬底分开提供的边框层限定，或者可由通过将其插入透明衬底中或对透明衬底着色而形成的墨水层限定。
显示面板DP可包括显示图像的显示区域DA和驱动部50，并且在显示区域DA内可定位有显示像素PX。显示面板DP可包括包含有显示区域DA和非显示区域PA的前表面。显示区域DA可为显示像素PX根据电信号进行操作并且发射光的区域。在实施方式中，显示区域DA可为显示图像的区域，并且可为通过同步地将触摸传感器定位在显示像素PX的在第三方向DR3上的上侧上来感测外部输入的区域。
覆盖窗WU的透射区域TA可至少部分地与显示面板DP的显示区域DA重叠。例如，透射区域TA可与显示区域DA的前表面重叠，或者可与显示区域DA的至少一部分重叠。因此，用户可通过透射区域TA识别图像，或者基于图像提供外部输入。然而，实施方式不限于此。例如，在显示区域DA中，显示图像的区域和检测到外部输入的区域可彼此分离。
显示面板DP的非显示区域PA可至少部分地与覆盖窗WU的阻挡区域BA重叠。非显示区域PA可为由阻挡区域BA覆盖的区域。非显示区域PA可与显示区域DA相邻，并且可围绕显示区域DA。在非显示区域PA中可不显示图像，并且可设置有用于驱动显示区域DA的驱动电路或驱动布线。非显示区域PA可包括定位在显示区域DA外部的第一外围区域PA1和包括驱动部50、连接布线和弯曲区域的第二外围区域PA2。在图2的实施方式中，第一外围区域PA1可定位在显示区域DA的三个边上，并且第二外围区域PA2可定位在显示区域DA的其它边上。
在实施方式中，显示面板DP可在显示区域DA和非显示区域PA面对覆盖窗WU的平坦状态下组装。然而，实施方式不限于此。显示面板DP的非显示区域PA的一部分可弯曲。例如，非显示区域PA的部分可面对显示装置1000的后表面，以使得在显示装置1000的前表面上示出的阻挡区域BA可减小，并且如图2中所示，第二外围区域PA2可弯曲为定位在显示区域DA的后表面上，并且进行组装。
例如，显示面板DP的显示区域DA可包括部件区域EA，并且可包括第一部件区域EA1和第二部件区域EA2。第一部件区域EA1和第二部件区域EA2可至少部分地由显示区域DA围绕。尽管第一部件区域EA1和第二部件区域EA2示出为彼此间隔开，但实施方式不限于此，并且它们的至少一些可连接。第一部件区域EA1和第二部件区域EA2可为使用红外光线、可见光线或声音的部件设置在第一部件区域EA1和第二部件区域EA2下方的区域。
显示区域DA可包括发光二极管(LED)和用于生成发光电流并将发光电流发送到发光二极管(LED)中的每个的像素电路部。例如，一个发光二极管(LED)和一个像素电路部被称为一显示像素PX。在显示区域DA中，像素电路部和发光二极管(LED)可一对一地形成。
第一部件区域EA1可包括光或/和声音可穿过的透射部和包括像素(例如，显示像素PX)的显示部。透射部可定位在相邻的像素之间，并且可由光或/和声音可穿过的层构成。显示部可形成为通过添加有多个像素而具有一个单元结构，并且透射部可定位在相邻的单元结构之间。根据实施方式，不透射光的层(诸如阻光层)可与第一部件区域EA1重叠。
第二部件区域EA2可包括由透射光穿过的透明层构成的区域，可不定位有导电层或半导体层，并且像素限定层和包括阻光材料的阻光层包括与对应于第二部件区域EA2的位置重叠的开口，从而具有不阻挡光的结构。
参照图3，除了包括显示像素PX的显示区域DA之外，显示面板DP还可包括触摸传感器TS。显示面板DP可由用户从外部通过包括生成图像的显示像素PX的透射区域TA在视觉上识别。例如，触摸传感器TS可定位在显示像素PX上，并且可检测从外部施加的外部输入。触摸传感器TS可检测提供到覆盖窗WU的外部输入。
参照图2，第二外围区域PA2可包括弯曲部。显示区域DA和第一外围区域PA1可具有基本上与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的平坦状态，并且第二外围区域PA2的一侧可从平坦状态延伸，并且在经过弯曲部之后再次具有平坦状态。结果，第二外围区域PA2的至少一部分可弯曲，并且组装成定位在显示区域DA的后表面上。在显示装置1000被组装的情况下，第二外围区域PA2的至少一部分在平面视图中可与显示区域DA重叠，以使得可减小显示装置1000的阻挡区域BA。然而，实施方式不限于此。例如，第二外围区域PA2可不弯曲。
驱动部50可安装在第二外围区域PA2中，并且可安装在弯曲部上或者定位在弯曲部的多侧(例如，相对侧)中的一个上。驱动部50可以芯片的形式提供。
驱动部50可连接(例如，电连接)到显示区域DA，以将电信号发送到显示区域DA。例如，驱动部50可将数据信号提供到设置在显示区域DA中的显示像素PX。在另一实例中，驱动部50可包括触摸驱动电路，并且可连接(例如，电连接)到设置在显示区域DA中的触摸传感器TS。例如，除了上述电路之外，驱动部50还可设计为包括各种电路，或者可设计为将各种电信号提供到显示区域DA。
此外，焊盘部可定位在第二外围区域PA2的端部处，并且显示装置1000可通过焊盘部连接(例如，电连接)到包括驱动芯片的柔性印刷电路板(FPCB)。例如，定位在柔性印刷电路板上的驱动芯片可包括用于驱动显示装置1000的各种驱动电路或用于电源的连接器。根据实施方式，代替柔性印刷电路板，可使用刚性印刷电路板(PCB)。
光学元件ES可设置在显示面板DP下面。光学元件ES可包括与第一部件区域EA1重叠的第一光学元件ES1和与第二部件区域EA2重叠的第二光学元件ES2。第一光学元件ES1可使用红外光线。例如，第一部件区域EA1可与诸如阻光层的不透射光的层重叠。
第一光学元件ES1可为使用光或声音的电子元件。例如，第一光学元件ES1可为接收并且使用光的传感器(诸如红外传感器)、输出并且感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯或输出声音的扬声器等。当然，在使用光的电子元件的情况下，可使用各种波长带的光(诸如可见光(在本文中可被称为可见光线)、红外光(在本文中可被称为红外光线)和紫外光)。
第二光学元件ES2可为相机、红外相机(IR相机)、点阵投影仪、红外照明器和飞行时间传感器(ToF传感器)中的至少一种。
参照图3，显示装置1000可包括显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可彼此连接(例如，电连接)。在图3中，显示面板DP的配置之中的定位在显示区域DA中的显示像素PX和触摸传感器TS示出为实例。
电源模块PM可对于显示装置1000的整体操作供给电力。电源模块PM可包括常规电池模块。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可包括用于操作显示装置1000的各种功能模块。第一电子模块EM1可安装(例如，直接安装)在连接(例如，电连接)到显示面板DP的母板上，或者安装在单独的衬底上并且通过连接器连接(例如，电连接)到母板。
第一电子模块EM1可包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。模块中的一些可不安装在母板上，而是可通过与其连接的柔性印刷电路板连接(例如，电连接)到母板。
控制模块CM可控制显示装置1000的整体操作。控制模块CM可为微处理器。例如，控制模块CM可激活或停用显示面板DP。控制模块CM可基于从显示面板DP接收的触摸信号来控制诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM的其它模块。
无线通信模块TM可使用蓝牙或Wi-Fi与其它终端发送或接收无线信号。无线通信模块TM可通过使用通用通信线路来发送或接收语音信号。无线通信模块TM可包括对待发送的信号进行调制并且发送的发送器TM1以及对接收的信号进行解调的接收器TM2。
图像输入模块IIM可对待转换为在显示面板DP上显示的图像数据的图像信号进行处理。音频输入模块AIM可在记录模式、语音识别模式等下通过麦克风接收外部声音信号，以转换为电语音数据。
外部接口IF可用作连接(例如，电连接)到外部充电器、有线/无线数据端口或卡(例如，存储卡、SIM/UIM卡)插槽的接口。
第二电子模块EM2可包括音频输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM，并且这些中的一些作为如图1和图2中所示的光学元件ES可定位在显示面板DP的后表面上。光学元件ES可包括发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM。例如，第二电子模块EM2可安装(例如，直接安装)在母板上，或者安装在单独的衬底上并且通过连接器连接(例如，电连接)到显示面板DP、或者连接(例如，电连接)到第一电子模块EM1。
音频输出模块AOM可将从无线通信模块TM接收的音频数据或存储在存储器MM中的音频数据进行转换，以输出到外部。
发光模块LM可生成并且输出光。发光模块LM可输出红外光。例如，发光模块LM可包括LED元件。例如，光接收模块LRM可检测红外光。在检测到高于某一水平的红外光的情况下，可激活光接收模块LRM。光接收模块LRM可包括CMOS传感器。在输出由发光模块LM生成的红外光之后，红外光可由外部对象(例如，用户的手指或面部)反射，并且反射的红外光可入射在光接收模块LRM上。相机模块CMM可拍摄外部图像。
在实施方式中，光学元件ES可附加地包括光学检测传感器或热检测传感器。光学元件ES可检测通过前表面接收的外部物体，或者可通过前表面将诸如语音的声音信号提供到外部。例如，光学元件ES可包括各种配置，并且实施方式不限于此。
参照图2，壳体HM可与覆盖窗WU组合。覆盖窗WU可设置在壳体HM前面。壳体HM可与覆盖窗WU组合以提供一定容纳空间。发光显示面板DP和光学元件ES可容纳于在壳体HM与覆盖窗WU之间提供的一定容纳空间中。
壳体HM可包括具有相对高的刚度的材料。例如，壳体HM可包括由玻璃、塑料或金属或者其组合制成的框架和/或板。壳体HM可可靠地保护置于内部空间中的发光显示装置1000的部件免受外部冲击的影响。
在下文中，参照图4描述根据实施方式的发光显示装置1000的结构。图4是示意性地示出根据实施方式的发光显示装置1000的示意性透视图。为了描述的便利，省略了对于上述构成元件的相同配置的描述。
图4的实施方式示出了发光显示装置1000通过折叠轴FAX折叠的可折叠发光显示装置。
参照图4，在实施方式中，显示装置1000可为可折叠显示装置。发光显示装置1000可基于折叠轴FAX向外或向内折叠。在发光显示装置1000基于折叠轴FAX向外折叠的情况下，发光显示装置1000的显示表面可分别定位在第三方向DR3上的外部上，以使得可在两个方向上显示图像。在基于折叠轴FAX向内折叠的情况下，显示表面可不从外部在视觉上识别。
在实施方式中，显示装置1000可包括显示区域DA、部件区域EA和非显示区域PA。显示区域DA可划分为第1-1显示区域DA1-1、第1-2显示区域DA1-2和折叠区域FA。第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可相对于折叠轴FAX(或中心)分别定位在左侧和右侧上，并且折叠区域FA可定位在第1-1显示区域DA1-1与第1-2显示区域DA1-2之间。此时，在基于折叠轴FAX向外折叠的情况下，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可定位在第三方向DR3上的多侧(例如，相对侧)上，并且可在两个方向上显示图像。在基于折叠轴FAX向内折叠的情况下，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可不从外部在视觉上识别。
图5是放大并且示出根据实施方式的发光显示装置的部分区域的示意性俯视图。
图5示出了根据实施方式的发光显示装置之中的发光显示面板DP的一部分，并且使用用于移动电话的显示面板来示出。
发光显示面板DP可具有定位在前表面的显示区域DA，并且可包括在前表面的部件区域EA，并且可包括第一部件区域EA1和第二部件区域EA2。在图5的实施方式中，第一部件区域EA1可定位在与第二部件区域EA2相邻的位置处。在图5的实施方式中，第一部件区域EA1可定位在第二部件区域EA2的左侧。第一部件区域EA1的位置和数量可根据实施方式而改变。在图5中，与第二部件区域EA2对应的第二光学元件ES2可为相机，并且与第一部件区域EA1对应的第一光学元件ES1可为光学传感器。
在显示区域DA中，可形成有发光二极管(LED)和用于生成发光电流并且将发光电流发送到发光二极管(LED)中的每个的像素电路部。例如，一个发光二极管(LED)和一个像素电路部被称为一显示像素PX(参照图2)。在显示区域DA中，像素电路部和发光二极管(LED)可一对一地形成。在下文中，显示区域DA可被称为正常显示区域。在图5中，未示出切割线下面的发光显示面板DP的结构，但显示区域DA可定位在切割线下面。
第一部件区域EA1可包括透射光穿过的透明层，可不具有导电层或半导体层，并且在下面板层(例如，图20或图28中的下面板层LOW_PL)中以及在上面板层(例如，图20或图28中的上面板层UP_PL)的阻光层220(例如，参见图20)和滤色器层230(例如，参见图20)中可具有与子光传感器区域对应的部分，在与子光传感器区域对应的位置处可形成有开口(在下文中被称为附加开口)，从而具有不阻挡光的结构。例如，在光传感器区域定位在下面板层(例如，图20或图28中的下面板层LOW_PL)中的情况下，在上面板层(例如，图20或图28中的上面板层UP_PL)中没有对应的开口的情况下，显示区域DA可不包括第一部件区域EA1(也就是说，第一部件区域EA1可不定位在前表面)。以下描述的图7至图20示出了一个像素和一个子光传感器区域，并且其可具有第一部件区域EA1或显示区域DA的像素结构。例如，在与第一部件区域EA1对应的第一光学元件ES1(例如，参见图2)使用红外光线而不是可见光线的情况下，第一部件区域EA1可与阻挡可见光线的阻光层220重叠。
根据实施方式的发光显示面板DP可主要划分为下面板层(例如，图20或图28中的下面板层LOW_PL)和上面板层(例如，图20或图28中的上面板层UP_PL)。下面板层(例如，图20或图28中的下面板层LOW_PL)可为可定位有形成显示像素PX的发光二极管(LED)和像素电路部的部分，并且可包括覆盖它们的封装层(例如，图20中的封装层400)。例如，下面板层(例如，图20或图28中的下面板层LOW_PL)可从衬底(例如，图20中的衬底110)延伸到封装层，并且可包括阳极ANODE(例如，参见图20)、像素限定层(例如，图20中的像素限定层380)、发射层(例如，图20中的发射层EML)、间隔件(例如，图20中的间隔件385)、功能层(例如，图20中的功能层FL)和阴极(例如，图20中的阴极CATHODE)，并且可包括绝缘层、半导体层和在衬底与阳极之间的导电层。例如，作为定位在封装层上方的部分的上面板层(例如，图20或图28中的上面板层UP_PL)可包括感测绝缘层(例如，图20中的感测绝缘层501、510和511)和感测触摸的感测电极(例如，图20的感测电极540和541)，并且可包括阻光层(例如，图20的阻光层220)、滤色器层(例如，图20的滤色器层230)以及平坦化层(例如，图20的平坦化层550)。
在根据实施方式的发光显示装置中，偏振器可不附接到上面板层(例如，图20或图28中的上面板层UP_PL)，所以外部光可能反射，但通过使反射外部光的阳极平坦化以防止外部光不对称地反射(例如，通过防止穿过绿色滤色器的外部光从阳极不对称地反射)，用户可检测到相对少的反射光。以绿色为例是因为用户的眼睛比其它颜色更敏感地感知绿色。
例如，显示区域DA的下面板层LOW_PL(例如，参见图20)的结构基于图7至图20来描述。
例如，外围区域可进一步定位在显示区域DA外部。图5示出了用于移动电话的显示面板，但只要光学元件定位在显示面板的后表面上，就可应用该实施方式。例如，显示面板DP可包括在柔性显示装置中。在柔性显示装置之中的可折叠显示装置的情况下，第二部件区域EA2和第一部件区域EA1可形成在与图5中所示的位置不同的位置处。
在下文中，参照图6详细描述发光显示面板DP的下面板层LOW_PL的像素的电路结构。
下面的像素结构可为显示区域DA和/或包括子光传感器区域的第一部件区域EA1的像素结构。例如，子光传感器区域可为在去除了阻挡光的部分(诸如像素限定层和阻光层)的至少一部分的情况下与第一部件区域EA1对应的部分。因此，在导致第一光学元件ES1的感测操作中的问题的层(例如，可见光的情况下的阻光层)包括在子光传感器区域的上部中的情况下，子光传感器区域可能对应了显示区域DA。
图6是根据实施方式的包括在发光显示装置中的像素的等效电路的示意图。
根据实施方式的像素(例如，图2中的显示像素PX)可包括连接(例如，电连接)到若干导线(或线)127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7、存储电容器Cst、升压电容器Cboost和发光二极管LED。例如，除了发光二极管LED以外的晶体管和电容器可形成像素电路部。在另一实例中，可省略升压电容器Cboost。
导线(或线)127、128、151、152、153、154、155、171、172和741可连接(例如，电连接)到显示像素PX。导线(或线)127、128、151、152、153、154、155、171、172和741包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。
第一扫描线151可连接(例如，电连接)到扫描驱动器以将第一扫描信号GW发送到第二晶体管T2(或者第二晶体管T2和第七晶体管T7)。与施加到第一扫描线151的电压相反极性的电压可以与第一扫描线151的信号相同的时序施加到第二扫描线152。在负电压施加到第一扫描线151的情况下，正电压可施加到第二扫描线152。第二扫描线152可将第二扫描信号GC发送到第三晶体管T3。初始化控制线153可将初始化控制信号GI发送到第四晶体管T4。发光控制线155可将发光控制信号EM发送到第五晶体管T5和第六晶体管T6。旁路控制线154可将阳极初始化信号GB发送到第七晶体管T7。
数据线171可为发送由数据驱动器生成的数据电压DATA的导线，并且相应地，发送到发光二极管LED的发光电流的大小可改变，并且因此发光二极管LED的亮度可改变。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127可发送第一初始化电压Vinit，并且第二初始化电压线128可发送第二初始化电压AVinit。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极CATHODE(例如，参见图20)。在实施方式中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可分别为恒定电压。
第一晶体管T1(在下文中被称为驱动晶体管)可为p型晶体管，并且可具有硅半导体(例如，多晶半导体)作为半导体层。驱动晶体管T1可为根据驱动晶体管T1的栅电极的电压(例如，存储在存储电容器Cst中的电压)的大小来调节输出到发光二极管LED的阳极ANODE的发光电流的大小的晶体管。由于发光二极管LED的亮度根据输出到发光二极管LED的阳极ANODE的发光电流的大小来调节，因此发光二极管LED的发光亮度可根据施加到显示像素PX的数据电压DATA来调节。例如，驱动晶体管T1的第一电极可设置为接收驱动电压ELVDD，并且可经由第五晶体管T5连接(例如，电连接)到驱动电压线172。例如，驱动晶体管T1的第一电极可连接(例如，电连接)到第二晶体管T2的第二电极以接收数据电压DATA。例如，驱动晶体管T1的第二电极可将发光电流输出到发光二极管LED，并且可经由第六晶体管T6(可被称为输出控制晶体管)连接(例如，电连接)到发光二极管LED的阳极ANODE。例如，驱动晶体管T1的第二电极可连接(例如，电连接)到第三晶体管T3，并且可将施加到第一电极的数据电压DATA发送到第三晶体管T3。例如，驱动晶体管T1的栅电极可连接(例如，电连接)到存储电容器Cst的一个电极(在下文中被称为第二存储电极)。因此，驱动晶体管T1的栅电极的电压可根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，并且相应地，由驱动晶体管T1输出的发光电流可改变。存储电容器Cst可用于将驱动晶体管T1的栅电极的电压保持恒定一帧。例如，驱动晶体管T1的栅电极可连接(例如，电连接)到第三晶体管T3，以使得施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA可通过第三晶体管T3发送到驱动晶体管T1的栅电极。例如，驱动晶体管T1的栅电极可连接(例如，电连接)到第四晶体管T4，并且可通过接收第一初始化电压Vinit来初始化。
第二晶体管T2可为p型晶体管，并且可具有硅半导体作为半导体层。第二晶体管T2可为将数据电压DATA接收到显示像素PX中的晶体管。第二晶体管T2的栅电极可连接(例如，电连接)到第一扫描线151和升压电容器Cboost的一个电极(在下文中被称为下升压电极)。第二晶体管T2的第一电极可连接(例如，电连接)到数据线171。第二晶体管T2的第二电极可连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第一电极。在第二晶体管T2由通过第一扫描线151发送的第一扫描信号GW之中的负电压导通的情况下，通过数据线171传送的数据电压DATA可传送到驱动晶体管T1的第一电极，并且最后数据电压DATA可传送到驱动晶体管T1的栅电极并且存储在存储电容器Cst中。
第三晶体管T3可为n型晶体管，并且可具有氧化物半导体作为半导体层。第三晶体管T3可连接(例如，电连接)驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅电极。结果，第三晶体管T3可为发送将由驱动晶体管T1的阈值电压补偿并且存储在存储电容器Cst的第二存储电极中的数据电压DATA的晶体管。第三晶体管T3的栅电极可连接(例如，电连接)到第二扫描线152，并且第三晶体管T3的第一电极可连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极可连接(例如，电连接)到存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极以及升压电容器Cboost的另一电极(在下文中被称为上升压电极)。第三晶体管T3可由通过第二扫描线152接收的第二扫描信号GC之中的正电压导通，从而可连接(例如，电连接)驱动晶体管T1的栅电极和驱动晶体管T1的第二电极，并且施加到驱动晶体管T1的栅电极的电压可传送到存储电容器Cst的第二存储电极并且存储在存储电容器Cst中。此时，存储在存储电容器Cst中的电压可在驱动晶体管T1的栅电极的电压在驱动晶体管T1关断的情况下被存储的状态下存储。因此，可补偿驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)。
第四晶体管T4可为n型晶体管，并且可具有氧化物半导体作为半导体层。第四晶体管T4可用于初始化驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst的第二存储电极。第四晶体管T4的栅电极可连接(例如，电连接)到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极可连接(例如，电连接)到第一初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极可连接(例如，电连接)到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器Cboost的上升压电极。第四晶体管T4可由通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI的正电压导通。例如，第一初始化电压Vinit可发送到待被初始化的驱动晶体管T1的栅电极、存储电容器Cst的第二存储电极和升压电容器Cboost的上升压电极。
第五晶体管T5和第六晶体管T6可为p型晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。
第五晶体管T5可用于将驱动电压ELVDD传送到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极可连接(例如，电连接)到发光控制线155，第五晶体管T5的第一电极可连接(例如，电连接)到驱动电压线172，并且第五晶体管T5的第二电极可连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第一电极。
第六晶体管T6可用于将从驱动晶体管T1输出的发光电流发送到发光二极管LED。第六晶体管T6的栅电极可连接(例如，电连接)到发光控制线155，第六晶体管T6的第一电极可连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极可连接(例如，电连接)到发光二极管LED的阳极ANODE。
第七晶体管T7可为p型或n型晶体管，并且可具有硅半导体或氧化物半导体作为半导体层，并且在图6中的实施方式中，作为p型晶体管的第七晶体管T7可包括硅半导体。第七晶体管T7可用于初始化发光二极管LED的阳极ANODE。第七晶体管T7的栅电极可连接(例如，电连接)到第一扫描线151或旁路控制线154，第七晶体管T7的第一电极可连接(例如，电连接)到发光二极管LED的阳极ANODE，并且第七晶体管T7的第二电极可连接(例如，电连接)到第二初始化电压线128。例如，第七晶体管T7的栅电极可连接(例如，电连接)到前一显示像素PX的第一扫描线151，并且可不连接(例如，电连接)到与包括在同一显示像素PX中的第二晶体管T2的栅电极相同的第一扫描线151，而是可连接(例如，电连接)到与前一显示像素PX的第二晶体管T2的栅电极相同的第一扫描线151。在第七晶体管T7由第一扫描线151或旁路控制线154的负电压导通的情况下，第二初始化电压AVinit可施加到待被初始化的发光二极管LED的阳极ANODE。例如，第七晶体管T7的栅电极可连接(例如，电连接)到单独的旁路控制线154，并且可由第一扫描线151和来自其的单独的布线控制。例如，根据实施方式，施加有第二初始化电压AVinit的第二初始化电压线128和施加有第一初始化电压Vinit的第一初始化电压线127可为相同的线。
尽管描述了一个显示像素PX包括七个晶体管T1至T7和两个电容器(例如，存储电容器Cst和升压电容器Cboost)，但实施方式不限于此，并且根据实施方式，可不包括升压电容器Cboost。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4由n型晶体管形成，它们中仅一个可形成为n型晶体管，或者另一晶体管(例如，第七晶体管T7)可形成为n型晶体管。
在以上描述中，通过图6研究了在显示区域DA(例如，参见图2)中形成的显示像素PX的电路结构。
在下文中，通过图7至图20来描述在显示区域DA中形成的显示像素PX的详细平面结构和堆叠结构，并且下面的实施方式的显示像素PX可包括一个子光传感器区域。
图7至图19是示出根据实施方式的发光显示装置之中的根据下面板层LOW_PL(例如，参见图20)的制造顺序的每个层的结构的示意性视图。
参照图7，在衬底110(例如，参见图20)上可定位有金属层BML。
衬底110可包括由于刚性特性而不弯曲的材料(诸如玻璃)、或者弯曲的柔性材料(诸如塑料或聚酰亚胺)。在柔性的衬底110的情况下，如图20中所示，其可具有聚酰亚胺的双层结构，并且聚酰亚胺上的由无机绝缘材料形成的阻挡层可形成两次。
金属层BML可包括扩展部BML1和将扩展部BML1彼此连接的连接部BML2。金属层BML的扩展部BML1可形成于在平面视图中与稍后形成的第一半导体层130之中的驱动晶体管T1的沟道1132重叠的位置处。金属层BML可为下遮蔽层，可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等的金属或金属合金，并且可附加地包括非晶硅，并且可形成为单层或多层。
参照图20，在衬底110和金属层BML上可设置有覆盖衬底110和金属层BML的缓冲层111。缓冲层111可用于阻挡杂质元素渗透到第一半导体层130中，并且可为包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
如图8中所示，在缓冲层111上可定位有由硅半导体(例如，多晶半导体)形成的第一半导体层130。第一半导体层130可包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133。例如，第一半导体层130可包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及驱动晶体管T1的沟道，并且可在每个沟道的多侧(例如，相对侧)上具有通过等离子体处理或掺杂而具有导电层特性的区域，以用作第一电极和第二电极。
驱动晶体管T1的沟道1132在平面视图中可具有“U”形的弯折形状。例如，驱动晶体管T1的沟道1132的形状可不限于此，并且可进行各种改变。例如，驱动晶体管T1的沟道1132可弯曲为各种其它形状(诸如S形形状)，或者可具有条形形状。驱动晶体管T1的第一区域1131和第二区域1133可定位在驱动晶体管T1的沟道1132的多侧(例如，相对侧)上。定位在第一半导体层130中的第一区域1131和第二区域1133可用作驱动晶体管T1的第一电极和第二电极。
第二晶体管T2的沟道、第一区域和第二区域可定位在第一半导体层130中的从驱动晶体管T1的第一区域1131向下延伸的部分1134中。第五晶体管T5的沟道、第一区域和第二区域可定位在从驱动晶体管T1的第一区域1131向上延伸的部分1135中。第六晶体管T6的沟道、第一区域和第二区域可定位在从驱动晶体管T1的第二区域1133向上延伸的部分1136中。第七晶体管T7的沟道、第一区域和第二区域可定位于在从第一半导体层130的部分1136弯曲的情况下进一步向上延伸的部分1137中。
参照图20，在包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133的第一半导体层130上可定位有第一栅极绝缘层141。第一栅极绝缘层141可为包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
参照图9，在第一栅极绝缘层141上可定位有包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层GAT1。第一栅极导电层GAT1可包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及驱动晶体管T1中的每个的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极1151可与驱动晶体管T1中的沟道1132重叠。驱动晶体管T1的沟道1132可由驱动晶体管T1中的栅电极1151覆盖。
第一栅极导电层GAT1还可包括第一扫描线151和发光控制线155。第一扫描线151和发光控制线155可基本上在水平方向(在下文中被称为第一方向DR1)上延伸。第一扫描线151可连接(例如，电连接)到第二晶体管T2的栅电极，并且第一扫描线151可与第二晶体管T2的栅电极为一体。第一扫描线151可连接(例如，电连接)到下一级的显示像素PX的第七晶体管T7的栅电极或与下一级的显示像素PX的第七晶体管T7的栅电极集成。第一扫描线151可包括具有延伸宽度的下升压电极151a，并且可与将在以下描述的上升压电极3138t重叠，以形成升压电容器Cboost。
例如，发光控制线155可连接(例如，电连接)到第五晶体管T5的栅电极和第六晶体管T6的栅电极，并且发光控制线155和第五晶体管T5的栅电极以及第六晶体管T6的栅电极可彼此为一体。
第一栅极导电层GAT1可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)的金属或金属合金，并且可形成为单层或多层。
在形成包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层GAT1之后，可执行等离子体处理或掺杂工艺，以使第一半导体层130的未由第一栅极导电层GAT1覆盖的暴露部分导电。例如，由第一栅极导电层GAT1覆盖的第一半导体层130可为不导电的，并且第一半导体层130的未由第一栅极导电层GAT1覆盖的部分可具有与导电层相同的特性。结果，包括导电部分的晶体管可具有p型晶体管特性，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可为p型晶体管。
参照图22，在包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层GAT1和第一栅极绝缘层141上可定位有第二栅极绝缘层142。第二栅极绝缘层142可为包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
参照图10，在第二栅极绝缘层142上可定位有包括存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下遮蔽层3155和第四晶体管T4的下遮蔽层4155的第二栅极导电层GAT2。下遮蔽层3155和4155可分别定位在第三晶体管T3和第四晶体管T4的沟道下方，并且可用于遮蔽从下侧提供到沟道的光学或电磁干扰。
第一存储电极1153可与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠以形成存储电容器Cst。在存储电容器Cst的第一存储电极1153中可形成有开口1152。存储电容器Cst的第一存储电极1153的开口1152可与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠。第一存储电极1153可包括在水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸的连接部1153-1，以将相邻的第一存储电极1153彼此连接。第一存储电极1153的连接部1153-1可定位为具有与第一存储电极1153的上侧分离一距离的上侧。通过以这种方式形成第一存储电极1153的连接部1153-1，如图22中所示，间隔(或距离)gap1和间隔(或距离)gap2在平面视图中可具有相同的间隔(或相同的距离)。
如图12中所示，第三晶体管T3的下遮蔽层3155可与第三晶体管T3的沟道3137和栅电极3151重叠。第四晶体管T4的下遮蔽层4155可与第四晶体管T4的沟道4137和栅电极4151重叠。
第二栅极导电层GAT2还可包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127可基本上在水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸。下第二扫描线152a可连接(例如，电连接)到第三晶体管T3的下遮蔽层3155。下初始化控制线153a可连接(例如，电连接)到第四晶体管T4的下遮蔽层4155。
第二栅极导电层GAT2可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或金属合金，并且可由单层或多层形成。
参照图20，在包括存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下遮蔽层3155和第四晶体管T4的下遮蔽层4155的第二栅极导电层GAT2上可定位有第一层间绝缘层161。第一层间绝缘层161可包括包含有硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiOxNy)和类似物的无机绝缘层，并且根据实施方式，可厚厚地形成无机绝缘材料。
参照图11，在第一层间绝缘层161上可定位有包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138的氧化物半导体层。例如，氧化物半导体层可包括升压电容器Cboost的上升压电极3138t。
第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138可彼此连接(例如，电连接)以形成一体的主体。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138可定位在第三晶体管T3的沟道3137的多侧(例如，相对侧)上，并且第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138可定位在第四晶体管T4的沟道4137的多侧(例如，相对侧)上。第三晶体管T3的第二区域3138可连接(例如，电连接)到第四晶体管T4的第二区域4138。第三晶体管T3的沟道3137可与下遮蔽层3155重叠，并且第四晶体管T4的沟道4137可与下遮蔽层4155重叠。
具有延伸宽度的升压电容器Cboost的上升压电极3138t可定位在第三晶体管T3的第二区域3138与第四晶体管T4的第二区域4138之间。升压电容器Cboost的上升压电极3138t可与定位在第一栅极导电层GAT1中的升压电容器Cboost的下升压电极151a重叠，以形成升压电容器Cboost。
参照图20，在包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的氧化物半导体层上可定位有第三栅极绝缘层143。
第三栅极绝缘层143可定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的表面(例如，整个表面)上。因此，第三栅极绝缘层143可覆盖第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的上表面和侧面。例如，实施方式不限于此，并且第三栅极绝缘层143可不定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面上。例如，第三栅极绝缘层143可与第三晶体管T3的沟道3137重叠，并且可不与第一区域3136和第二区域3138重叠。例如，第三栅极绝缘层143可与第四晶体管T4的沟道4137重叠，并且可不与第一区域4136和第二区域4138重叠。
第三栅极绝缘层143可包括包含有硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
参照图12，在第三栅极绝缘层143上可定位有包括第三晶体管T3的栅电极3151和第四晶体管T4的栅电极4151的第三栅极导电层GAT3。
第三晶体管T3的栅电极3151可与第三晶体管T3的沟道3137重叠。第三晶体管T3的栅电极3151可与第三晶体管T3的下遮蔽层3155重叠。
第四晶体管T4的栅电极4151可与第四晶体管T4的沟道4137重叠。第四晶体管T4的栅电极4151可与第四晶体管T4的下遮蔽层4155重叠。
第三栅极导电层GAT3还可包括上第二扫描线152b和上初始化控制线153b。
上第二扫描线152b和上初始化控制线153b可基本上在水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸。上第二扫描线152b可包括第三晶体管T3的栅电极3151，并且可与下第二扫描线152a一起形成第二扫描线152。上初始化控制线153b可包括第四晶体管T4的栅电极4151，并且可与下初始化控制线153a一起形成初始化控制线153。
例如，第三栅极导电层GAT3还可包括下第二初始化电压线128a。下第二初始化电压线128a可基本上在水平方向(例如，第一方向DR1)上延伸，并且可施加第二初始化电压AVinit。
参照图12的实施方式，基于在平面视图中的第一栅极导电层GAT1的发光控制线155，直至第三栅极导电层GAT3的下第二初始化电压线128a的间隔(或距离)gap1和直至第二栅极导电层GAT2的第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔(或距离)gap2在平面视图中可基本上相同。例如，间隔(或距离)gap2可为从发光控制线155的延伸部到第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔，但根据实施方式，间隔(或距离)gap2可为从不为发光控制线155的延伸部的部分直至第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔(或距离)。
如上所述，在平面视图中，两个间隔(或距离)gap1和gap2恒定的部分可与定位在以下将描述的第一数据导电层SD1中的扩展部FL-SD1(在下文中被称为第一延伸部)和/或阳极ANODE重叠。例如，在平面视图中，两个间隔(或距离)gap1和gap2恒定的部分可与形成在像素限定层380(例如，参见图20)中的开口之中的红色开口OPr(例如，参见图22)或蓝色开口OPb(例如，参见图22)重叠。例如，像素限定层380的红色开口OPr或蓝色开口OPb的中心部分可定位在为平面视图中的两个间隔(或距离)gap1和gap2的中心部分的发光控制线155上。例如，像素限定层380的红色开口OPr或蓝色开口OPb之中的上边界在平面视图中可与下第二初始化电压线128a重叠，并且像素限定层380的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb之中的下边界在平面视图中可与第一存储电极1153重叠。
如上所述，在像素限定层380的红色开口OPr或蓝色开口OPb和/或阳极ANODE中，由于定位在其下面的三个导线具有基本上相同的间隔(或相同的距离)gap1和gap2，因此红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE可更平坦。结果，通过防止从阳极ANODE反射的光不对称地扩散，通过减少因由于反射光而引起的颜色扩散(例如，颜色分离)导致的反射色带，可改善或增强显示质量。
第三栅极导电层GAT3可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或金属合金，并且可由单层或多层构成。
在形成包括第三晶体管T3的栅电极3151和第四晶体管T4的栅电极4151的第三栅极导电层GAT3之后，氧化物半导体层的由第三栅极导电层GAT3覆盖的部分可通过等离子体处理或掺杂工艺形成为沟道，并且氧化物半导体层的未由第三栅极导电层GAT3覆盖的部分可为导电的。第三晶体管T3的沟道3137可在栅电极3151下面定位为与栅电极3151重叠。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138可不与栅电极3151重叠。第四晶体管T4的沟道4137可在栅电极4151下面定位为与栅电极4151重叠。第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138可不与栅电极4151重叠。上升压电极3138t可不与第三栅极导电层GAT3重叠。包括氧化物半导体层的晶体管可具有n型晶体管的特性。
参照图20，在包括第三晶体管T3的栅电极3151和第四晶体管T4的栅电极4151的第三栅极导电层GAT3上可定位有第二层间绝缘层162。第二层间绝缘层162可具有单层结构或多层结构。第二层间绝缘层162可包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氧氮化物(SiOxNy)的无机绝缘材料，并且根据实施方式，可包括有机材料。
参照图13，在绝缘层中可形成有两种类型的开口OP1和OP2。两种类型的开口OP1和OP2可通过使用不同的掩模来形成。
开口OP1可为形成在第二层间绝缘层162、第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中的至少一个中的开口，并且可暴露第一半导体层130、第一栅极导电层GAT1或第二栅极导电层GAT2。
开口OP2可为形成在第二层间绝缘层162和/或第三栅极绝缘层143中的开口，并且可暴露氧化物半导体层或第三栅极导电层GAT3。
开口OP1中的一个可与驱动晶体管T1的栅电极1151的至少一部分重叠，并且可形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161和第二栅极绝缘层142中。例如，开口OP1中的一个可与第一存储电极1153的开口1152重叠，并且可定位在第一存储电极1153的开口1152中。
开口OP2中的一个可与升压电容器Cboost的至少一部分重叠，并且可进一步形成在第三栅极绝缘层143中。
开口OP1中的另一个可与驱动晶体管T1的第二区域1133的至少一部分重叠，并且可形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中。
开口OP2中的另一个可与第三晶体管T3的第一区域3136的至少一部分重叠，并且可形成在第三栅极绝缘层143中。
参照图14和图15，在第二层间绝缘层162上可定位有包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层SD1。由于难以容易地识别图15中的第一数据导电层SD1，因此图14是仅示出第一数据导电层SD1、开口OP1和开口OP2的示意性俯视图。图15是示出第一数据导电层SD1下方的所有层的示意性俯视图。
第一连接电极1175可与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠。第一连接电极1175可通过开口OP1和第一存储电极1153的开口1152连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的栅电极1151。第一连接电极1175可与升压电容器Cboost重叠。第一连接电极1175可通过开口OP2连接(例如，电连接)到升压电容器Cboost的上升压电极3138t。因此，驱动晶体管T1的栅电极1151和升压电容器Cboost的上升压电极3138t可通过第一连接电极1175连接(例如，电连接)。例如，驱动晶体管T1的栅电极1151可通过第一连接电极1175连接(例如，电连接)到第三晶体管T3的第二区域3138和第四晶体管T4的第二区域4138。
第二连接电极3175可与驱动晶体管T1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175可通过开口OP1连接(例如，电连接)到驱动晶体管T1的第二区域1133。第二连接电极3175可与第三晶体管T3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175可通过开口OP2连接(例如，电连接)到第三晶体管T3的第一区域3136。因此，驱动晶体管T1的第二区域1133和第三晶体管T3的第一区域3136可通过第二连接电极3175连接(例如，电连接)。
第一数据导电层SD1还可包括上第二初始化电压线128b。上第二初始化电压线128b可包括在垂直方向(例如，第二方向DR2)上延伸的布线部128b-1和在水平方向(例如，第一方向DR1)的多侧(例如，相对侧)从布线部128b-1突出的第一延伸部128b-2，并且可包括定位为从第一延伸部128b-2在垂直方向(例如，第二方向DR2)上再次弯曲的第二延伸部128b-3。在第一延伸部128b-2和第二延伸部128b-3相遇的部分中，上第二初始化电压线128b可通过开口OP2连接(例如，电连接)到第三栅极导电层GAT3的下第二初始化电压线128a。结果，第二初始化电压AVinit可通过定位在第三栅极导电层GAT3中的下第二初始化电压线128a在水平方向(例如，第一方向DR1)上发送，并且通过第一数据导电层SD1中的上第二初始化电压线128b在垂直方向(例如，第二方向DR2)上发送。
第二延伸部128b-3的端部可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第一半导体层130的一个部分1137，并且第二初始化电压AVinit可发送到第七晶体管T7。
第一数据导电层SD1还可包括连接部127CM和171CM、阳极连接电极ACM1以及扩展部FL-SD1。
连接部127CM可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第二栅极导电层GAT2的第一初始化电压线127，并且可通过开口OP2连接(例如，电连接)到第二半导体层(例如，氧化物半导体层)的第一区域4136，以将流过第一初始化电压线127的第一初始化电压Vinit发送到氧化物半导体层的第四晶体管T4。
连接部171CM可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第一半导体层130的一个部分1134，例如，第二晶体管T2。
阳极连接电极ACM1可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第一半导体层130的一个部分1136，例如，第六晶体管T6。
可宽宽地形成扩展部FL-SD1，以便使包括在红色和蓝色的发光二极管LED中的阳极ANODE平坦化。例如，扩展部FL-SD1可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第一半导体层130的一部分1135(例如，第五晶体管T5)，并且可通过开口OP1连接(例如，电连接)到第一存储电极1153。第一数据导电层SD1的扩展部FL-SD1在平面视图中可与红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE重叠，并且可被称为用于平坦化红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE的第一延伸部。
参照图15和图22的实施方式，在平面视图中，从第一栅极导电层GAT1的发光控制线155直至第三栅极导电层GAT3的下第二初始化电压线128a的间隔(或距离)gap1和从第一栅极导电层GAT1的发光控制线155直至第二栅极导电层GAT2的第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔(或距离)gap2在平面视图中可基本上相同。在平面视图中，作为两个间隔(或两个距离)gap1和gap2恒定的部分的发光控制线155、下第二初始化电压线128a和第一存储电极1153的连接部1153-1可与第一数据导电层SD1的扩展部FL-SD1重叠。例如，两个间隔(或两个距离)gap1和gap2恒定的部分可与以下将描述的红色和蓝色的发光二极管LED中包括的阳极ANODE和/或与红色和蓝色的发光二极管LED对应的像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb重叠。
第一数据导电层SD1可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)的金属或其金属合金，并且可形成为单层或多层。
参照图20，在包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层SD1上可定位有第一有机层181。第一有机层181可为包括有机材料的有机绝缘体，并且有机材料可包括选自聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂的集群中的至少一种材料。
参照图16、图17和图20，第一有机层181可包括下有机层开口OP3。在第一有机层181上可定位有包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接电极ACM2的第二数据导电层SD2。在第二数据导电层SD2上可定位有第二有机层182和第三有机层183，并且在第二有机层182和第三有机层183中可形成有阳极连接开口OP4。阳极连接电极ACM2可通过阳极连接开口OP4连接(例如，电连接)到阳极ANODE。由于难以容易地识别图17中的第二数据导电层SD2，因此图16是仅示出第二数据导电层SD2以及下有机层开口OP3和阳极连接开口OP4的示意性俯视图。图17是示出第二数据导电层SD2和所有周围层的示意性俯视图。
参照图16和图17，下有机层开口OP3可与定位在第一数据导电层SD1中的连接部171CM、阳极连接电极ACM1和扩展部FL-SD1重叠，并且可分别暴露连接部171CM、阳极连接电极ACM1和扩展部FL-SD1。
第二数据导电层SD2可包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接电极ACM2。
数据线171和驱动电压线172可基本上在垂直方向(例如，第二方向DR2)上延伸。数据线171可通过下有机层开口OP3连接(例如，电连接)到第一数据导电层SD1的连接部171CM，并且可通过下有机层开口OP3连接(例如，电连接)到第二晶体管T2。驱动电压线172可通过下有机层开口OP3凭借第一数据导电层SD1的扩展部FL-SD1连接(例如，电连接)到第五晶体管T5和第一存储电极1153。阳极连接电极ACM2可通过下有机层开口OP3连接(例如，电连接)到第一数据导电层SD1的阳极连接电极ACM1，并且可连接(例如，电连接)到第六晶体管T6。
参照图16，第二数据导电层SD2还可包括扩展部FL-SD2(在下文中被称为第二延伸部)和突出布线部172-e，并且驱动电压线172、扩展部FL-SD2和突出布线部172-e可具有不在形成有阳极连接电极ACM2的部分处形成的结构。
扩展部FL-SD2可宽宽地形成，以便使阳极ANODE平坦化。第二数据导电层SD2的扩展部FL-SD2在平面视图中可与绿色的发光二极管LED的阳极ANODE重叠，所以其可被称为用于绿色的发光二极管LED的阳极平坦化延伸部或第二延伸部。
例如，第二数据导电层SD2的突出布线部172-e可在两个数据线171的多侧(例如，相对侧)上形成为两个，以便平坦地形成阳极ANODE，从而具有定位在阳极ANODE下方的总共四个导线(即，两个数据线171和两个突出布线部172-e)的结构。
参照图17的实施方式，在平面视图中，具有恒定的两个间隔(或两个距离)gap1和gap2的部分可与第二数据导电层SD2的四个导线(即，两个数据线171和两个突出布线部172-e)重叠。例如，在平面视图中，两个间隔(或两个距离)gap1和gap2恒定的部分以及四个导线(即，两个数据线171和两个突出布线部172-e)可与红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE和/或像素限定层380的红色开口OPr或蓝色开口OPb重叠。
由于如上所述的阳极ANODE以及第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183下面的结构，阳极ANODE可具有平坦化特性。因此，通过防止从阳极ANODE反射的光不对称地扩散，并且通过减少由于作为结果的因反射光导致的颜色扩散(例如，颜色分离)而引起的反射色带，可改善或增强显示质量。
例如，与定位在第二数据导电层SD2中的扩展部FL-SD2重叠的绿色的发光二极管LED的阳极ANODE，而不是与定位在第一数据导电层SD1中的扩展部FL-SD1重叠的红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE，可具有改善的平坦化特性。
参照图20，当滤色器层230定位在发光二极管LED上时，绿色滤色器可定位在绿色的发光二极管LED上。在外部光入射在绿色的发光二极管LED的阳极ANODE上的情况下，其在穿过绿色滤色器的情况下改变为绿色光，并且在其从绿色的发光二极管LED的阳极ANODE反射并且发射到外部的情况下，可显示绿色光。例如，由于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE比另一种颜色的发光二极管LED的阳极ANODE更平坦，所以绿色光可不具有不对称反射，因此用户可不识别因不对称反射导致的绿色反射色带。结果，可消除由于外部光的反射而引起的显示质量的劣化。
在实施方式中，扩展部FL-SD1和扩展部FL-SD2可连接(例如，电连接)到驱动电压线172，以发送驱动电压ELVDD。
第二数据导电层SD2可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti)的金属或金属合金，并且可形成为单层或多层。
参照图20，第二有机层182和第三有机层183可定位在第二数据导电层SD2上。第二有机层182和第三有机层183可为有机绝缘体，并且可包括选自聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂的集群中的至少一种材料。在另一实例中，可省略第三有机层183。
第二有机层182和第三有机层183可包括阳极连接开口OP4，并且阳极ANODE和阳极连接电极ACM2可通过此连接(例如，电连接)。
对于使定位在其上的阳极ANODE形成为更平坦的第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183，可应用了在堆叠每个有机层之后使用狭缝掩模使每个有机层的顶表面平坦的曝光和显影工艺。在堆叠每个有机层的情况下，每次可执行通过使用这样的狭缝掩模的工艺，并且一些有机层即使在堆叠之后也可未进行对狭缝掩模的曝光。例如，由于此时使用的狭缝掩模具有在第一方向DR1上(例如，在水平方向上)平行的狭缝图案，因此可更容易地去除因在第一数据导电层SD1和/或第二数据导电层SD2上形成的在垂直方向(例如，第二方向DR2)上的图案而导致的有机层中的台阶差。
参照图18和图19，阳极ANODE可形成在第三有机层183上。阳极ANODE还可包括延伸部ANODE-e，以通过阳极连接开口OP4接收来自像素电路部的电流。
参照图18和图20，像素限定层380可定位在阳极ANODE上，并且像素限定层380的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb可形成为与阳极ANODE重叠。
在像素限定层380中形成的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb可划分为与红色(R)的发光二极管LED的阳极ANODE重叠的红色开口OPr，与绿色(G)的发光二极管LED的阳极ANODE重叠的绿色开口OPg和与蓝色(B)的发光二极管LED的阳极ANODE重叠的蓝色开口OPb。阳极ANODE的延伸部ANODE-e可不由像素限定层380的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb暴露，并且可具有在平面视图中与像素限定层380重叠的结构。结果，阳极连接开口OP4可具有在平面上与像素限定层380重叠的结构。根据实施方式，像素限定层380可具有不透明特性。例如，像素限定层380可包括黑色颜料。
在图19中示出了堆叠有以上结构的平面结构。
参照图19和图20，由于阳极连接开口OP4在平面视图中不与像素限定层380的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb以及阻光层220的开口OPBM重叠，因此其可具有在平面视图中与像素限定层380和阻光层220重叠的结构。
例如，在平面视图中，下有机层开口OP3中的一些(例如，第一下有机层开口)至少部分平面地可与阻光层220的开口OPBM重叠，并且剩余的下有机层开口OP3(例如，第二下有机层开口)可与阻光层220重叠。例如，下有机层开口OP3中的所有(或一些)在平面视图中可与像素限定层380重叠。
例如，在实施方式中，由于定位在阳极ANODE下面的第一数据导电层SD1的扩展部FL-SD1和第二数据导电层SD2的扩展部FL-SD2，阳极ANODE之中的至少通过像素限定层380的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb暴露的部分可形成为平坦的。
例如，相比于与定位在第一数据导电层SD1中的扩展部FL-SD1重叠的红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE，与定位在第二数据导电层SD2中的扩展部FL-SD2重叠的绿色的发光二极管LED的阳极ANODE可具有改善的平坦化特性。结果，外部光之中的穿过绿色滤色器的绿色光可不具有不对称反射，以使得用户不能识别绿色反射色带。结果，可消除由于外部光的反射而引起的显示质量的劣化。
将参照图21对此详细描述。
例如，参照图19的实施方式，在平面视图中，两个间隔(或两个距离)gap1和gap2恒定的部分可与红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE和/或像素限定层380的红色开口OPr或蓝色开口OPb重叠。例如，像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb的中心可定位于在平面视图中为两个间隔(或两个距离)gap1和gap2的中心部分的发光控制线155上。例如，像素限定层380的红色开口OPr或蓝色开口OPb之中的上边界在平面视图中可与下第二初始化电压线128a重叠，并且像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb之中的下边界在平面视图中可与第一存储电极1153重叠。如上所述，通过阳极ANODE以及第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183下面的结构，由于阳极ANODE具有平坦化特性，因此阳极ANODE可防止从阳极ANODE反射的光不对称地扩散。结果，通过减少由于因反射光导致的颜色扩散(例如，颜色分离)现象而引起的反射色带，可改善或增强显示质量。将通过图22对此进行详细描述。
基于如上所述的平面结构，参照图20来描述发光显示装置的整个剖面结构。
图20是根据实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
除了显示区域DA的堆叠结构之外，图20还示出了第一部件区域EA1的堆叠结构。
发光显示装置可主要划分为下面板层LOW_PL和上面板层UP_PL，并且下面板层LOW_PL可为定位有形成显示像素的发光二极管(LED)和像素电路部的部分，并且可包括覆盖它们的封装层400。例如，像素电路部可包括第二有机层182和第三有机层183，并且可意味着在它们下方的配置，并且发光二极管(LED)意味着定位在第三有机层183上方并且位于封装层400下方的配置。定位在封装层400上方的结构可对应于上面板层UP_PL。在另一实例中，可不包括第三有机层183。
参照图20，在衬底110上可定位有金属层BML。
衬底110可包括由于刚性特性而不弯曲的材料(诸如玻璃)、或者为可弯曲的柔性材料(诸如塑料或聚酰亚胺)。在柔性的衬底110的情况下，如图20中所示，衬底110可具有聚酰亚胺和在聚酰亚胺上的由无机绝缘材料形成的阻挡层的的双层结构形成两次的结构。
金属层BML可形成于在平面视图中与随后的第一半导体层ACT_P-Si(在本文中可是指图8中的第一半导体层130)之中的驱动晶体管T1的沟道重叠的位置处，并且被称为下遮蔽层。金属层BML可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)的金属或金属合金。
在衬底110和金属层BML上可定位有缓冲层111。缓冲层111可用于阻挡杂质元素渗透到第一半导体层ACT_P-Si中，并且可为包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiOxNy)等的无机绝缘层。
在缓冲层111上可定位有由硅半导体(例如，多晶半导体(P-Si))形成的第一半导体层ACT_P-Si。第一半导体层ACT_P-Si可包括包含有驱动晶体管T1的多晶晶体管LTPS_TFT的沟道以及定位在其多侧(例如，相对侧)上的第一区域和第二区域。例如，多晶晶体管LTPS_TFT不仅可包括驱动晶体管T1，而且可包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。例如，第一半导体层ACT_P-Si的沟道的多侧(例如，相对侧)具有通过等离子体处理或掺杂而具有导电层特性的区，以使得沟道的多侧可用作晶体管的第一电极和第二电极。
在第一半导体层ACT_P-Si上可定位有第一栅极绝缘层141。第一栅极绝缘层141可为包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
在第一栅极绝缘层141上可定位有包括多晶晶体管LTPS_TFT的栅电极的第一栅极导电层GAT1。在第一栅极导电层GAT1中，除了多晶晶体管LTPS_TFT的栅电极之外，还可形成有第一扫描线或发光控制线。第一栅极导电层GAT1可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或金属合金，并且可形成为单层或多层。
在形成第一栅极导电层GAT1之后，可执行等离子体处理或掺杂工艺以使第一半导体层ACT_P-Si的暴露区导电。例如，由第一栅极导电层GAT1覆盖的第一半导体层ACT_P-Si可不导电，并且第一半导体层ACT_P-Si的未由第一栅极导电层GAT1覆盖的部分可具有与导电层相同的特性。
在第一栅极导电层GAT1和第一栅极绝缘层141上可定位有第二栅极绝缘层142。第二栅极绝缘层142可为包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
在第二栅极绝缘层142上可定位有包括存储电容器Cst的一个电极GAT2_Cst(在本文中可是指图10中的第一存储电极1153)和氧化物晶体管Oxide_TFT的下遮蔽层GAT2_BML的第二栅极导电层GAT2(例如，参照图10)。氧化物晶体管Oxide_TFT的下遮蔽层GAT2_BML可分别定位在氧化物晶体管Oxide_TFT的沟道下方，从而用于遮蔽从下侧提供到沟道的光学或电磁干扰。例如，存储电容器Cst的一个电极GAT2_Cst可与驱动晶体管T1的栅电极1151(例如，参见图9)重叠，以形成存储电容器Cst。根据实施方式，第二栅极导电层GAT2还可包括扫描线、控制线或电压线。第二栅极导电层GAT2可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或金属合金，并且可形成为单层或多层。
在第二栅极导电层GAT2上可定位有第一层间绝缘层161。第一层间绝缘层161可包括包含有硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiOxNy)和类似物的无机绝缘层，并且根据实施方式，可厚厚地形成无机绝缘材料。
在第一层间绝缘层161上可定位有包括氧化物晶体管Oxide_TFT的沟道、第一区域和第二区域的氧化物半导体层ACT2_IGZO。
在氧化物半导体层ACT2_IGZO上可定位有第三栅极绝缘层143。第三栅极绝缘层143可定位于在氧化物半导体层ACT2_IGZO和第一层间绝缘层161的表面(例如，整个表面)上。第三栅极绝缘层143可包括包含有硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氧氮化物(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
在第三栅极绝缘层143上可定位有包括氧化物晶体管Oxide_TFT的栅电极的第三栅极导电层GAT3。氧化物晶体管Oxide_TFT的栅电极可与沟道重叠。第三栅极导电层GAT3还可包括扫描线或控制线。第三栅极导电层GAT3可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或金属合金，并且可形成为单层或多层。
在第三栅极导电层GAT3上可定位有第二层间绝缘层162。第二层间绝缘层162可具有单层结构或多层结构。第二层间绝缘层162可包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氧氮化物(SiOxNy)的无机绝缘材料，并且根据实施方式，可包括有机材料。
在第二层间绝缘层162上可定位有包括连接电极的第一数据导电层SD1，连接电极连接(例如，电连接)到多晶晶体管LTPS_TFT和氧化物晶体管Oxide_TFT中的每个的第一区域和第二区域。第一数据导电层SD1可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)的金属或金属合金，并且可形成为单层或多层。
在第一数据导电层SD1上可定位有第一有机层181。第一有机层181可为包括有机材料的有机绝缘体，并且有机材料可包括选自聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂的集群中的至少一种材料。
在第一有机层181上可定位有包括阳极连接电极ACM2的第二数据导电层SD2(例如，参见图16)。第二数据导电层SD2可包括数据线或驱动电压线。第二数据导电层SD2可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti)的金属或金属合金，并且可形成为单层或多层。
在第二数据导电层SD2上可定位有第二有机层182和第三有机层183，并且在第二有机层182和第三有机层183中可形成有阳极连接开口OP4。阳极连接电极ACM2可通过阳极连接开口OP4连接(例如，电连接)到阳极ANODE。第二有机层182和第三有机层183可为有机绝缘体，并且可包括选自聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂的集群中的至少一种材料。在另一实例中，可省略第三有机层183。
在阳极ANODE上可定位有覆盖阳极ANODE的至少一部分并且具有暴露阳极ANODE的开口OP的像素限定层380。像素限定层380可为由具有黑色的有机材料形成的黑色的像素限定层，以使得从外部施加的光可不反射回到外部，并且根据实施方式，像素限定层380可由透明有机材料形成。根据实施方式，黑色的像素限定层380可包括负型黑色的有机材料，并且可包括黑色颜料。
在像素限定层380上可定位有间隔件385。与像素限定层380不同，间隔件385可由透明有机绝缘材料形成。根据实施方式，间隔件385可由正型透明的有机材料形成。间隔件385可包括具有不同高度的第一部分385-1和第二部分385-2。
在阳极ANODE、间隔件385和像素限定层380上可顺序地形成有功能层FL和阴极CATHODE。在显示区域DA和第一部件区域EA1中，功能层FL和阴极CATHODE可定位为遍及整个区域。发射层EML可定位在功能层FL之间。发射层EML可仅定位在像素限定层380的开口OP内。在下文中，功能层FL和发射层EML的组合可被称为中间层。功能层FL可包括诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的辅助层中的至少一个，空穴注入层和空穴传输层可定位在发射层EML下面，并且电子传输层和电子注入层可定位在发射层EML上。
在阴极CATHODE上可定位有封装层400。封装层400可包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且根据实施方式，可具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层400可用于保护发射层EML免受从外部流入的湿气或氧的影响。根据实施方式，封装层400可包括顺序地进一步堆叠有无机层和有机层的结构。
为了触摸感测，在封装层400上可定位有感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541。在图20的实施方式中，触摸可使用两个感测电极540和541以电容型感测。
例如，第一感测绝缘层501可形成在封装层400上，并且感测电极540和541可形成在第一感测绝缘层501上。感测电极540和541可经由介于其间的第二感测绝缘层510而绝缘，并且感测电极540和541中的一些部分可通过定位在第二感测绝缘层510中的开口而彼此连接(例如，电连接)。例如，感测电极540和541包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)等的金属或金属合金，并且可由单层或多层构成。第三感测绝缘层511可形成在感测电极540上。
在感测电极540和第三感测绝缘层511上可定位有阻光层220和滤色器层230。
阻光层220可定位为以便在平面视图中与感测电极540和541重叠，并且可定位为以便在平面视图上不与阳极ANODE重叠。这是为了防止能够显示图像的阳极ANODE由阻光层220以及感测电极540和541覆盖。
滤色器层230可定位在第三感测绝缘层511和阻光层220上。滤色器层230可包括透射红色光的红色滤色器、透射绿色光的绿色滤色器和透射蓝色光的蓝色滤色器。滤色器层230中的每个滤色器可定位为以便在平面视图中与发光二极管LED的阳极ANODE重叠。从发射层EML发射的光可在穿过滤色器并且改变为对应的颜色的情况下发射。
阻光层220可分别定位在滤色器层230中的相邻的滤色器之间。根据实施方式，滤色器层230可用颜色转换层替代，或者还可包括颜色转换层。颜色转换层可包括量子点。例如，根据实施方式，可定位有填充阻光层220的开口OPBM的反射调节层来代替滤色器层230。反射调节层可具有覆盖阻光层220的结构，并且参照图28对此进行描述。
在滤色器层230上可定位有覆盖滤色器层230的平坦化层550。在实施方式中，在平坦化层550上可不附接有偏振器。例如，偏振器可能附接为防止外部光反射。在实施方式中，阻光层220的开口OPBM可以一具体结构形成，以减少外部光不对称地反射的反射色带的问题。因此，可省略偏振器。
例如，图20示出了第一部件区域EA1的剖面结构。
第一部件区域EA1可为子光传感器区域定位在下面板层LOW_PL上的区，并且可意味着像素限定层380、阻光层220和滤色器层230没有形成的区。
第一部件区域EA1可仅包括透射光穿过的透明层，并且可不包括定位的导电层或半导体层，并且像素限定层380、阻光层220和滤色器层230可具有在与子光传感器区域对应的位置处形成的开口(在下文中被称为附加开口)，从而具有不阻挡光的结构。
例如，如下基于图20来描述根据实施方式的第一部件区域EA1的堆叠结构。
在衬底110上可定位有为无机绝缘层的缓冲层111，并且在缓冲层111上可顺序地定位有为无机绝缘层的第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142。例如，为无机绝缘层的第一层间绝缘层161、第三栅极绝缘层143和第二层间绝缘层162可顺序地堆叠在第二栅极绝缘层142上。在有机绝缘体之中，仅第一有机层181可堆叠在第二层间绝缘层162上。例如，根据实施方式，第二有机层182和/或第三有机层183可堆叠在第一有机层181上。根据实施方式，在第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183的有机绝缘体之中，可仅形成有一个或两个有机层。在第一有机层181上可定位有功能层FL，并且在功能层FL上可定位有阴极CATHODE。从衬底110远至阴极CATHODE的堆叠结构可对应于子光传感器区域。
在阴极CATHODE上可定位有封装层400，并且在封装层400上可顺序地定位有第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511。封装层400可具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。例如，第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511可为无机绝缘层。
阻光层220和滤色器层230的附加开口可各自定位在第三感测绝缘层511上，并且阻光层220和滤色器层230可没有形成在第一部件区域EA1中。例如，由于附加开口定位在像素限定层380中，因此像素限定层380可没有形成在第一部件区域EA1中。
平坦化层550可在第一部件区域EA1中定位在第三感测绝缘层511上。
金属层BML、第一半导体层ACT_P-Si、第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2、氧化物半导体层ACT2_IGZO、第三栅极导电层GAT3、第一数据导电层SD1、第二数据导电层SD2和阳极ANODE可不定位在第一部件区域EA1和子光传感器区域中。例如，可没有形成发射层EML以及感测电极540和541。
在第一部件区域EA1和子光传感器区域中，附加开口可形成在像素限定层380、阻光层220和滤色器层230中，以使得可没有形成像素限定层380、阻光层220和滤色器层230。例如，在感测中没有问题的情况下，可定位有阻光层220，并且由于使用除了可见光线以外的波长(例如，红外)的光传感器，阻光层220定位在表面(例如，整个表面)上。
在以上描述中，描述了形成有总共三个有机层并且阳极连接开口OP4形成在第二有机层182和第三有机层183中的实施方式。例如，有机层可由至少两个形成。例如，阳极连接开口OP4可定位在远离衬底110定位的上有机层中，并且下有机层开口可定位在下有机层中。
在以上描述中，详细描述了发光显示装置和显示像素的整体结构。
在下文中，可参照图21通过第一数据导电层SD1、第二数据导电层SD2以及像素限定层380的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb来描述每个发光二极管LED的阳极平坦化结构，并且通过图22详细描述用于更平坦的红色或蓝色的发光二极管LED的第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3的布置结构。
例如，通过图21来描述第一数据导电层SD1、第二数据导电层SD2和像素限定层380的红色开口OPr、绿色开口OPg和蓝色开口OPb的关系。
图21是示出根据实施方式的像素限定层380的开口以及第一数据导电层SD1和第二数据导电层SD2的示意性俯视图。
在图21中，排除了其它层，以便清楚地确认第一数据导电层SD1、第二数据导电层SD2和像素限定层380的开口之间的关系。
参照图21，在平面视图中，定位在第一数据导电层SD1中的扩展部FL-SD1可与像素限定层380的开口之中的与对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE重叠的红色开口OPr或蓝色开口OPb重叠并且与对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE重叠。例如，在平面视图中，定位在第二数据导电层SD2中的扩展部FL-SD2可与像素限定层380的开口之中的与对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE重叠的绿色开口OPg重叠并且与对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE重叠。
例如，如第二数据导电层SD2的图案(例如，数据线171)，第二数据导电层SD2的突出布线部172-e可定位在第一数据导电层SD1的扩展部FL-SD1与对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE之间，所以对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE的平坦化特性可能由于第二数据导电层SD2的图案而相对低。
例如，由于导电层没有定位在第二数据导电层SD2的扩展部FL-SD2与对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE之间，因此平坦度可相对高。例如，在像素限定层380包括黑色颜料的情况下，外部光可在像素限定层380的开口内反射。因此，在由绿色开口OPg暴露的部分的对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE为平坦的情况下，光可因为扩展部FL-SD2和像素限定层380的绿色开口OPg在平面视图中彼此重叠而不会不对称地反射。结果，几乎不存在来自外部光的不对称地反射的绿色光，所以用户可不容易地识别外部光的不对称性。
例如，由于两个驱动电压线172的突出布线部172-e形成在第二数据导电层SD2中的两个数据线171的多侧(例如，相对侧)上并且在对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE下面，因此可形成总共四个导线(即，两个数据线171和两个突出布线部172-e)定位在对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE下面的结构。通过这种结构，尽管改善了对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE的平坦化特性，但对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE的平坦化特性可低于对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE的平坦化特性。
在实施方式中，为了进一步改善对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE的平坦化特性，第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3之间的间隔可为恒定的，并且通过图22详细描述该结构。
图22是示出根据实施方式的像素限定层380的开口以及第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3的示意性俯视图。
在图22中，为了示出的便利，仅示出了第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3，并且示出了与它们重叠的像素限定层380的红色开口OPr、蓝色开口OPb和绿色开口OPg以及阻光层220的开口OPBM。
在图22中，为了进一步改善对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE的平坦化特性，定位在像素限定层380的红色开口OPr和蓝色开口OPb下面的、包括在第一栅极导电层GAT1中的第一部分、包括在第二栅极导电层GAT2中的第二部分和包括在第三栅极导电层GAT3中的第三部分可分别被重叠，并且在平面视图中，第一部分、第二部分和第三部分之间的间隔可基本上相同。例如，在图22中，间隔(或距离)gap1和间隔(或距离)gap2可具有基本上相同的值。
在图22的实施方式中，包括在第一栅极导电层GAT1中的第一部分可为发光控制线155，包括在第二栅极导电层GAT2中的第二部分可为第一存储电极1153的连接部1153-1，并且包括在第三栅极导电层GAT3中的第三部分可为下第二初始化电压线128a。
例如，相对于定位在第一栅极导电层GAT1中的发光控制线155，到定位在第三栅极导电层GAT3中的下第二初始化电压线128a的间隔(或距离)gap1和到定位在第二栅极导电层GAT2中的第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔(或距离)gap2在平面视图中可基本上相同。例如，间隔(或距离)gap2可为从发光控制线155的延伸部到第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔(或距离)。例如，间隔(或距离)gap2可为从不为发光控制线155的延伸部的部分直至第一存储电极1153的连接部1153-1的间隔(或距离)。通过使定位在像素限定层380的蓝色开口OPb下方的第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3的间隔(或距离)恒定，可改善定位在第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3上面的蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE的平坦化特性。
例如，参照图22，与红色开口OPr不同，在平面视图中，具有比红色开口OPr大的尺寸的蓝色开口OPb可与第二栅极导电层GAT2的第一初始化电压线127重叠。在图22的实施方式中，蓝色开口OPb的在第二方向DR2上的端部可定位在第一初始化电压线127上，并且根据实施方式，在平面视图中，第一初始化电压线127的上侧和蓝色开口OPb的在第二方向DR2上的端部可重合。结果，蓝色开口OPb的在第二方向DR2上的一部分可不形成为低于蓝色开口OPb的与第一初始化电压线127重叠的另一部分。因此，可进一步改善对于蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE的平坦化特性。
例如，在图22的实施方式中，红色开口OPr在平面视图中可不与第一初始化电压线127重叠，并且根据实施方式，可与第一初始化电压线127重叠。
例如，在平面视图中，根据图22的实施方式的绿色开口OPg可与定位在第二栅极导电层GAT2中的下第二扫描线152a、定位在第三栅极导电层GAT3中的上第二扫描线152b和定位在第一栅极导电层GAT1中的第一扫描线151重叠。例如，在平面视图中，绿色开口OPg可与第二栅极导电层GAT2的下初始化控制线153a或第三栅极导电层GAT3的上初始化控制线153b重叠。例如，与绿色开口OPg对应的对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE可具有足够的平坦化特性，以使得第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3的在平面视图中与绿色开口OPg重叠的每个部分的间隔(或距离)可不均匀地设置。
例如，在实施方式中，为了减少绿色光的不对称反射特性，如图23中所示，绿色滤色器230G可具有其设置在其它颜色的滤色器上方的结构。
图23是示出根据实施方式的发光显示装置的滤色器层中的相邻的滤色器在阻光层220上重叠的结构的示意性剖视图。
图23示出了在蓝色滤色器230B和绿色滤色器230G重叠的部分中绿色滤色器230G在上定位的结构。例如，即使在红色滤色器与绿色滤色器230G重叠的部分中，绿色滤色器230G也可具有定位在其上的结构。在绿色滤色器230G以这种方式形成在其它滤色器上方的情况下，在滤色器重叠的部分中，外部光入射和反射的特性可减小约0.05％，以使得可改善外部光的反射特性。
参照图24至图27并且与比较例进行比较来描述具有这些结构的实施方式的平坦度特性(在本文中可被称为平坦化特性)。
图24至图27是用于比较和解释基于比较例和实施方式的特性差异的示意性视图。
在图24至图27中，比较了平坦化特性，并且在比较例中，在平面视图中，定位在第一数据导电层SD1中的扩展部FL-SD1与对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE重叠并且与绿色开口OPg重叠，并且在平面视图中，定位在第二数据导电层SD2中的扩展部FL-SD2与对于红色和蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE重叠并且与红色开口OPr和蓝色开口OPb重叠。在图24中示出了这个实施方式和比较例的平面结构。
图24的术语“平坦度”将阳极的平坦度的程度指示为数值，并且数值越大，台阶差越大。
参照图24的平坦度，与比较例相比，实施方式中的对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE的平坦度值可为显著减小值，结果，外部光的不对称反射可显著减少，并且因此，绿色光的不对称反射可非常小。
例如，在比较例中，对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE的平坦度可更平坦。例如，由于用户的眼睛较少对绿色光敏感，因此用户可不会很好地识别外部光的不对称反射，所以显示质量可不会劣化。
在图24中，示出了反射色带坐标图和数值。例如，反射色带的值越大，出现不对称反射色带就越大。
参照图24的反射色带坐标图和值，在比较例中，反射色带的值高，并且可反射了大量绿色光。例如，在实施方式中，反射色带可相对小，并且绿色光分量可极大减小。
例如，在图25中，基于对于发光二极管LED的阳极ANODE，依据位置的高度示出为曲线图。
参照图25，实施方式的对于发光二极管LED的阳极ANODE可具有恒定的高度，以使得台阶差可为小的。然而，比较例的对于发光二极管LED的阳极ANODE由于依据其位置的高的变化以及高的相对台阶差而具有出现不对称反射的高的可能性。在图25中，在实施方式中，与开口区域对应的部分的台阶差可为小，以使得在实施方式中较少出现不对称反射。
例如，在图25中，另外示出了实施方式的阳极ANODE的台阶差减小的原因。
在实施方式中，可没有执行通过使用狭缝掩模对有机层之中的最上部(例如，第三有机层183)进行附加平坦化的工艺，以使得可不降低高度，由此去除台阶差。
例如，在实施方式中，下端或下部(例如，第二有机层182和/或第一有机层181)可通过使用狭缝掩模来曝光，但可通过使用在第一方向DR1(例如，水平方向)上延伸的狭缝图案来曝光，从而去除响应于第一数据导电层SD1和第二数据导电层SD2延伸的方向(例如，第二方向DR2)而形成的台阶(或台阶差)。例如，通过调节在水平方向上延伸的狭缝图案的位置，可去除或最小化因在第一方向DR1上延伸的第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3导致的台阶(或台阶差)。
例如，如图22中所示，第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3的间隔(或距离)可形成为恒定的，以消除可能在中心部分中出现的台阶差。
结果，在根据实施方式的阳极ANODE中，可减小台阶差，并且没有出现整体不对称反射。
在图26中，如图25中描述的用于减小台阶(或台阶差)的方法可针对每种颜色的发光二极管LED的阳极ANODE进行划分，并且以表示出。
在图26的比较例中，对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE具有与其重叠的第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3之间的间隔可为不恒定的结构。例如，在实施方式中，定位在对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE下方的第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2和第三栅极导电层GAT3之间的间隔(或距离)可具有恒定的结构，所以台阶差可相对减小。例如，在实施方式中，下端或下部(例如，第二有机层182和/或第一有机层181)可通过使用狭缝掩模来曝光，但可通过使用在第一方向DR1(例如，水平方向)上延伸的狭缝图案来曝光，从而通过去除由于定位在其下面的导电层而引起的台阶差形成得更平坦。
例如，在图26的比较例中，对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE具有与第二数据导电层SD2的扩展部FL-SD2重叠的结构。例如，在实施方式中，对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE可具有与第二数据导电层SD2的扩展部FL-SD2重叠的结构。在实施方式中，为了使对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE更平坦，可不使用狭缝掩模蚀刻第三有机层183，以使得可不进一步生成台阶(或台阶差)，并且可减小台阶差。
在图26中，数值描述了比较例和实施方式中的阳极ANODE的台阶差。针对对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE，绿色光的不对称反射可随着台阶差极大减小而极大减小，并且针对对于红色或蓝色的发光二极管LED的阳极ANODE，尽管台阶(或台阶差)稍微增加，但台阶差可不会显著改变，所以阳极ANODE可具有与比较例类似的外部光的不对称反射特性。因此，与比较例相比，在实施方式中仅绿色光的不对称反射可极大减小，以使得可极大提高显示质量。
图26包括比较例和实施方式的平坦度的照片，并且与比较例相比，实施方式的平坦度可显著增加。参照像素限定层380的与绿色的发光二极管LED的阳极ANODE对应的绿色开口OPg周围的平坦度，因为存在灰度上的小变化，因此在实施方式中可极大改善了平坦度。
在图27中示出了描绘在比较例和实施方式中实际出现的反射色带的附图。
根据图27，在比较例中，绿色光可宽宽地左右反射，以使得用户可识别出外部光的不对称反射，并且不对称反射可感觉为显示质量低。
例如，根据图27的实施方式的反射色带可为均匀反射，而没有任何左反射光或右反射光，并且绿色光的不对称反射可为小的，由此用户可难以识别出外部光的不对称反射，并且改善了显示质量。
基于该效果的差异，与比较例不同，第二数据导电层SD2的扩展部FL-SD2可设置为在平面视图中与对于绿色的发光二极管LED的阳极ANODE重叠并且与绿色开口OPg重叠，从而通过减少绿色光的不对称反射而减少了由于由用户感知的外部光的反射而引起的显示质量的劣化。
在以上描述中，如图20中所示，描述了滤色器层230形成在阻光层220的开口OPBM中的实施方式。例如，红色滤色器、蓝色滤色器和绿色滤色器可分别形成在阻光层220的红色的开口OPBM(可被称为红色滤色器开口)、蓝色的开口OPBM(可被称为蓝色滤色器开口)和绿色的开口OPBM中(可被称为绿色滤色器开口)。例如，可使用反射调节层来代替滤色器层230，并且在下文中，通过图28来描述应用反射调节层235来代替滤色器层230的实施方式的堆叠结构。
图28是根据实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
以下图28是对应于图20的示意性剖视图，并且在下文中，描述了与图20不同的部分。
反射调节层235可设置在阻光层220上。反射调节层235可选择性地吸收从显示装置内部反射或从显示装置外部入射的光的一些波段中的一波长的光。反射调节层235可填充阻光层220的开口OPBM。
例如，反射调节层235可对约490nm至约505nm的第一波长带和约585nm至约600nm的第二波长带进行吸收，并且第一波长带和第二波长带中的透光率可提供为约40％或更小。反射调节层235可吸收从发光二极管LED发射的具有在红色、绿色或蓝色的发光波长范围外部的一波长的光。由此，反射调节层235可吸收不包括在从发光元件发射的红色、绿色或蓝色的波长范围中的一波长的光。因此，可防止或最小化显示装置的亮度的降低，可防止或者最小化显示装置的发光效率的劣化，并且可改善或增强可见性。
在实施方式中，反射调节层235可提供为包括染料、颜料或其组合物的有机材料层。反射调节层235可包括四氮杂卟啉(TAP)基化合物、卟啉基化合物、金属卟啉基化合物、恶嗪基化合物、方酸菁基化合物、三芳基甲烷基化合物、聚甲炔基化合物、蒽醌基化合物、酞菁基化合物、偶氮基化合物、苝基化合物、呫吨基化合物、联胺基化合物、二吡咯基化合物、菁基化合物以及其组合物。
在实施方式中，在反射调节层235的表面上的以包括镜面反射数据(SCI)模式测量的反射率可为约10％或更小。例如，反射调节层235可吸收显示装置反射的外部光，以使得可改善可见性。
在实施方式中，反射调节层235可具有约64％至约72％的透射率。反射调节层235的透射率可根据包括在反射调节层235中的颜料和/或染料的含量来调节。
根据实施方式，反射调节层235可不定位在第一部件区域EA1中。
例如，在包括反射调节层235的实施方式中，在阴极CATHODE与封装层400之间可附加地形成有覆盖层AL1和低反射层AL2。
覆盖层AL1可用于通过相长干涉的原理来改善发光元件的发光效率。覆盖层AL1可包括对于具有约589nm的波长的光具有1.6或更大的折射率的材料。
覆盖层AL1可为包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层、或者包括有机材料和无机材料的复合覆盖层。例如，覆盖层AL1可包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合物。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合物的取代基取代。
低反射层AL2可设置在覆盖层AL1上。低反射层AL2可与衬底110的前表面重叠。
低反射层AL2可包括具有低反射率的无机材料，例如，金属或金属氧化物。在低反射层AL2包括金属的情况下，可包括例如镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)或其组合物。例如，低反射层AL2可包括金属氧化物，例如，SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、SiNx、LiF、CaF2、MgF2、CdS或其组合物。
在实施方式中，包括在低反射层AL2中的无机材料的吸收系数(k)可为约4.0或更小且约0.5或更大(0.5≤k≤4.0)。例如，包括在低反射层AL2中的无机材料可具有约1或更大的折射率(n)(n≥1.0)。
低反射层AL2可在入射到显示装置中的光与从设置在低反射层AL2下面的金属反射的光之间诱导相消干涉，从而减小外部光反射率。因此，可凭借通过低反射层AL2减小显示装置的外部光的反射率来改善显示装置的显示质量和可见性。
在另一实例中，可省略覆盖层AL1，以使得低反射层AL2可与阴极CATHODE接触。
封装层400可定位在低反射层AL2上，并且其它结构与图20的结构基本上相同，所以为了描述便利，省略了其描述。
例如，在第一部件区域EA1中，可没有形成在显示区域DA中形成的阴极CATHODE，并且在图28的实施方式中，在第一部件区域EA1，在阴极CATHODE位置处可定位有低粘合层WAL。低粘合层WAL可在第一部件区域EA1中定位在功能层FL上。低粘合层WAL可为具有弱粘合性的材料，并且根据实施方式，阴极CATHODE可不设置在低粘合层WAL的上表面上，或者可包括具有阴极CATHODE由非常薄的膜形成的特性的材料。
例如，低粘合层WAL可通过使用诸如8-喹啉锂(Liq；8-羟基喹啉锂)、N,N-二苯基-N,N-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺(HT01)、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑(LG201)等的材料形成。
本说明书示出并且描述了低粘合层WAL定位在第一部件区域EA1中的实施方式，但在实施方式中，低粘合层WAL可通过激光工艺或类似工艺去除。例如，激光工艺可为在阴极CATHODE上执行的激光工艺。
在第一部件区域EA1中，在低粘合层WAL上可设置有覆盖层AL1、低反射层AL2和封装层400。
在结束详细描述时，本领域技术人员将领会的是，在实质上不背离本公开的原理以及精神和范围的情况下，可对实施方式进行许多变化和修改。因此，公开的实施方式仅在一般和描述的意义上使用，并且不出于限制的目的。

Claims (10)

1.一种发光显示装置，其特征在于，包括：
下面板层，所述下面板层包括：
第一栅极导电层、第二栅极导电层、第三栅极导电层、第一数据导电层、第二数据导电层和第二有机层，所述第一栅极导电层、所述第二栅极导电层、所述第三栅极导电层、所述第一数据导电层、所述第二数据导电层和所述第二有机层顺序地堆叠在衬底上；
绿色的发光二极管的阳极、红色的发光二极管的阳极和蓝色的发光二极管的阳极，所述绿色的发光二极管的所述阳极、所述红色的发光二极管的所述阳极和所述蓝色的发光二极管的所述阳极定位在所述第二有机层上；以及
像素限定层，所述像素限定层包括与所述绿色的发光二极管的所述阳极重叠的绿色开口、与所述红色的发光二极管的所述阳极重叠的红色开口和与所述蓝色的发光二极管的所述阳极重叠的蓝色开口；
其中，所述第一数据导电层包括与所述像素限定层的所述红色开口或所述蓝色开口重叠的第一扩展部，
所述第二数据导电层包括与所述像素限定层的所述绿色开口重叠的第二扩展部，并且
所述第二数据导电层的所述第二扩展部在平面视图中与所述像素限定层的所述绿色开口完全重叠。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，
所述像素限定层的所述红色开口或所述蓝色开口与所述第一栅极导电层的第一部分、所述第二栅极导电层的第二部分和所述第三栅极导电层的第三部分重叠，并且
在所述平面视图中，所述第一栅极导电层的所述第一部分、所述第二栅极导电层的所述第二部分和所述第三栅极导电层的所述第三部分之间的距离相同。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其特征在于，
所述第二栅极导电层的所述第二部分与所述第一栅极导电层的所述第一部分的一侧相邻，
所述第三栅极导电层的所述第三部分与所述第一栅极导电层的所述第一部分的另一侧相邻，并且
在所述平面视图中，所述第一栅极导电层的所述第一部分与所述第二栅极导电层的所述第二部分之间的距离和所述第一栅极导电层的所述第一部分与所述第三栅极导电层的所述第三部分之间的距离彼此相同。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其特征在于，
所述第一栅极导电层的所述第一部分为发光控制线，
所述第二栅极导电层的所述第二部分为第一存储电极的连接部，并且
所述第三栅极导电层的所述第三部分为第二初始化电压线。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置，其特征在于，
所述下面板层还包括分别电连接到所述绿色的发光二极管、所述红色的发光二极管和所述蓝色的发光二极管的多个像素电路部，
所述多个像素电路部中的每个包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管将电流发送到所述绿色的发光二极管、所述红色的发光二极管或所述蓝色的发光二极管；
第五晶体管，所述第五晶体管将驱动电压发送到所述驱动晶体管的第一电极；
第六晶体管，所述第六晶体管电连接到所述驱动晶体管的第二电极，以将所述电流发送到所述绿色的发光二极管、所述红色的发光二极管或所述蓝色的发光二极管；
第七晶体管，所述第七晶体管将所述红色的发光二极管的所述阳极、所述蓝色的发光二极管的所述阳极或所述绿色的发光二极管的所述阳极初始化；以及
存储电容器，所述存储电容器存储所述驱动晶体管的栅电极的电压，
所述第一存储电极与所述驱动晶体管的所述栅电极重叠以形成所述存储电容器，
所述发光控制线电连接到所述第五晶体管的栅电极和所述第六晶体管的栅电极，并且
所述第二初始化电压线电连接到所述第七晶体管。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置，其特征在于，
所述第一存储电极的所述连接部包括与所述第一存储电极的上侧间隔开的上侧。
7.根据权利要求5所述的发光显示装置，其特征在于，
所述发光控制线在第一方向上延伸，并且
所述第一栅极导电层的所述第一部分与所述第二栅极导电层的所述第二部分之间的所述距离和所述第一栅极导电层的所述第一部分与所述第三栅极导电层的所述第三部分之间的所述距离为在与所述第一方向垂直的第二方向上的距离。
8.根据权利要求1至7中任何一项所述的发光显示装置，其特征在于，
所述下面板层还包括：
第一半导体层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二半导体层、第三栅极绝缘层、第二层间绝缘层和第一有机层，
阴极，所述阴极定位在所述绿色的发光二极管的所述阳极、所述红色的发光二极管的所述阳极、所述蓝色的发光二极管的所述阳极和所述像素限定层上；以及
封装层，所述封装层覆盖所述阴极；
所述发光显示装置还包括上面板层，所述上面板层包括：
阻光层，所述阻光层定位在所述封装层上，并且包括绿色滤色器开口、红色滤色器开口和蓝色滤色器开口；
绿色滤色器，所述绿色滤色器定位在所述绿色滤色器开口中；
红色滤色器，所述红色滤色器定位在所述红色滤色器开口中；以及
蓝色滤色器，所述蓝色滤色器定位在所述蓝色滤色器开口中，并且
所述第一半导体层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极导电层、所述第二栅极绝缘层、所述第二栅极导电层、所述第一层间绝缘层、所述第二半导体层、所述第三栅极绝缘层、所述第三栅极导电层、所述第二层间绝缘层、所述第一数据导电层、所述第一有机层、所述第二数据导电层和所述第二有机层顺序地堆叠在所述衬底上。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置，其特征在于，偏振器不附接到所述绿色滤色器、所述红色滤色器和所述蓝色滤色器的整个表面。
10.一种电子装置，其特征在于，包括：
壳体，所述壳体包括背表面和侧表面；
覆盖窗，所述覆盖窗设置在所述壳体上方；
如权利要求1至9中任何一项所述的发光显示装置的显示面板，其中所述显示面板设置在所述覆盖窗下面并且包括显示区域和由所述显示区域围绕的部件区域；以及
光学传感器，所述光学传感器设置在所述显示面板的所述部件区域中。
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