CN117479612A - 发光显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了发光显示装置。发光显示装置包括衬底、在衬底上的阳极、具有与阳极重叠的开口的像素限定层、在像素限定层的开口中的发射层、在像素限定层上并且具有台阶的间隔件、形成在发射层、像素限定层和间隔件上的阴极、在阴极上的封装层以及在封装层上的阻光层，其中间隔件包括第一部分和第二部分，第二部分低于第一部分并且与第一部一体地形成，并且间隔件的第一部分和第二部分在平面视图中与阻光层重叠。

Description

发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年7月27日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0093439号韩国专利申请的优先权以及权益，该韩国专利申请的整个内容通过引用以其整体并入本文中。

技术领域

本公开的实施方式涉及发光显示装置，并且特别地涉及用于减少衍射图案的发光显示装置。

背景技术

显示装置表示用于在屏幕上显示图像的装置，并且其可为液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器(OLED)。显示装置在一种或多种合适的电子装置(诸如便携式电话、GPS、数码相机、电子书、便携式游戏装置、或者一种或多种合适的终端)中利用。

诸如有机发光装置的显示装置使用柔性衬底以使得显示装置可弯折或折叠。

此外，在诸如便携式电话的小型电子装置中，诸如相机或光电传感器的光学元件形成在显示区域周围的边框区域中，并且开发了用于增加显示屏幕的大小、逐渐减小显示区域的外围区域的大小以及将相机或光电传感器定位在显示区域的后侧上的方法。

在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于加强对描述的技术的背景的理解，并且因此，其可能包含不成为对本领域普通技术人员的现有技术的信息。

发明内容

实施方式的各方面涉及致力于减少当外部光反射时生成的衍射图案的发光显示装置。

实施方式的各方面涉及致力于减小外部光的反射率或增加刮擦强度的发光显示装置。

附加方面将在下面的详细描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践本公开的实施方式而习得。

根据一个或多个实施方式，发光显示装置包括：衬底、布置在衬底上的阳极、具有与阳极重叠的开口的像素限定层、布置在像素限定层的开口中的发射层、布置在像素限定层上并且具有台阶的间隔件、形成在发射层、像素限定层和间隔件上的阴极、布置在阴极上的封装层以及布置在封装层上的阻光层，其中间隔件包括第一部分和第二部分，第二部分低于第一部分并且与第一部分一体地形成(例如，布置)，并且间隔件的第一部分和第二部分在平面视图中与阻光层重叠。

根据一个或多个实施方式，间隔件可由透明的光敏聚酰亚胺(PSPI)或者正型类型或种类的光敏有机材料制成，并且像素限定层可包括阻光材料并且可由负型类型或种类的黑色有机材料制成。

根据一个或多个实施方式，间隔件可包括具有凹槽结构的分离件。

根据一个或多个实施方式，间隔件的分离件的凹槽结构可形成(例如，布置)为直至像素限定层，并且像素限定层可包括附加的分离件。

根据一个或多个实施方式，发光显示装置还可包括布置在像素限定层和间隔件上方并且在阴极下方的功能层，其中功能层可包括布置在阳极与发射层之间的第一功能层和布置在发射层与阴极之间的第二功能层，并且第一功能层和第二功能层中的至少一个可通过分离件断开连接。

根据一个或多个实施方式，发射层可包括第一发射层和第二发射层，发光显示装置还可包括布置在第一发射层与第二发射层之间的中间连接层以及布置在阳极与阴极之间的功能层，功能层在第一发射层与中间连接层之间、在中间连接层与第二发射层之间和/或在第二发射层与阴极之间，并且功能层的一部分可通过分离件断开连接。

根据一个或多个实施方式，分离件可包括沿着像素限定层的开口的至少一部分形成(例如，布置)的开口对应部分。

根据一个或多个实施方式，分离件还可包括从开口对应部分延伸的延伸部。

根据一个或多个实施方式，像素限定层可包括具有凹槽结构的分离件。

根据一个或多个实施方式，间隔件可在平面视图中布置在分离件内部，并且分离件可在平面视图中不与间隔件重叠。

根据一个或多个实施方式，发光显示装置还可包括布置在封装层上的感测绝缘层和感测电极以及布置在阻光层的开口中的滤色器或反射调节层。

根据一个或多个实施方式，发光显示装置包括主显示区域和与布置在主显示区域的后侧上的光学元件对应的第二部件区域，其中第二部件区域包括包含有多个发光二极管的单位像素、布置在单位像素中包括的多个发光二极管间的部件间隔件以及布置在单位像素周围的透光区域，部件间隔件具有T形形状，并且部件间隔件包括第一部分以及低于第一部分并且与第一部分一体地形成(例如，提供)的第二部分。

根据一个或多个实施方式，单位像素还可包括包含有多个开口的像素限定层，其中像素限定层的多个开口可与单位像素中包括的多个发光二极管一对一对应，并且部件间隔件可布置在像素限定层上。

根据一个或多个实施方式，发光显示装置还可包括具有与像素限定层的相应的开口重叠的开口的阻光层，其中整个部件间隔件可在平面视图中与阻光层重叠。

根据一个或多个实施方式，部件间隔件可由光敏聚酰亚胺(PSPI)或者正型类型或种类的光敏有机材料制成，并且像素限定层可包括阻光材料，并且可由负型类型或种类的黑色有机材料制成。

根据一个或多个实施方式，单位像素可包括三个发光二极管，第一发光二极管可在左侧长长地布置，并且第二发光二极管和第三发光二极管可在右侧从上到下布置。

根据一个或多个实施方式，部件间隔件可布置在第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管间，并且部件间隔件可具有沿逆时针方向旋转90度的T形形状。

根据一个或多个实施方式，部件间隔件的第一部分可具有沿逆时针方向旋转90度的T形形状。

根据一个或多个实施方式，部件间隔件的第二部分可布置在第一部分的相应的侧上。

根据一个或多个实施方式，部件间隔件的第一部分和第二部分的端部可彼此对应。

根据一个或多个实施方式，定位在像素限定层上的间隔件布置为由阻光层覆盖，所以可不生成由从像素限定层反射的光和从间隔件反射的光的干涉生成的衍射图案。

根据一个或多个实施方式，可通过利用用于使发射层分离的黑色像素限定层替代偏振器来减小反射外部光的比率。具有台阶的间隔件形成在用于使发射层分离的黑色像素限定层上，因此增加了耐刮擦强度并且减小了根据按压压力的黑点缺陷的生成率。

附图说明

图1示出了根据实施方式的发光显示装置的利用状态的透视图。

图2示出了根据实施方式的发光显示装置的分解透视图。

图3示出了根据实施方式的发光显示装置的框图。

图4示出了根据另一实施方式的发光显示装置的透视图。

图5示出了根据实施方式的发光显示装置的放大区的俯视图。

图6示出了根据实施方式的发光显示面板的剖视图。

图7示出了根据实施方式的发光显示面板的一部分的俯视图。

图8示出了根据实施方式的发光显示面板的部分的放大剖视图。

图9示出了根据实施方式的发光显示面板的反射特性的图像。

图10示出了根据比较例和呈现的实施方式的配置和反射特性。

图11示出了衍射图案的生成原因。

图12示出了根据比较例和实施方式的、根据间隔件的结构的耐刮擦强度的变化的图表。

图13和图14示出了根据另一实施方式的发光显示面板的一部分的放大剖视图。

图15至图19示出了根据一个或多个合适的实施方式的发光显示面板的一部分的俯视图。

图20示出了根据实施方式的第二部件区域的结构。

图21示出了第二部件区域中的像素电路和阳极的结构的俯视图。

图22示出了第二部件区域中的间隔件的结构的俯视图。

图23示出了根据实施方式的发光显示装置的剖视图。

图24示出了根据另一实施方式的发光显示装置的剖视图。

图25示出了根据实施方式的发射层的剖视图。

图26示出了根据实施方式的发光显示装置中包括的显示像素的电路图。

具体实施方式

将在下文中参照示出了本公开的示例实施方式的附图对本公开更全面地描述。如本领域技术人员将意识到的，描述的实施方式可以一个或多种合适的不同方式进行修改，而所有不背离本公开的精神或范围。

将不提供与描述无关的部分，以清楚地描述本公开，并且在整个说明书中，相同元件将由相同附图标记指定。

附图中所示的每个配置的大小和厚度出于更好的理解和描述的方便而任意示出，但本公开不限于此。为了清楚，放大了层、膜、面板、区等的厚度。出于解释的便利，夸大了一些层和区域的厚度。

将理解的是，当诸如层、膜、区或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，其能够直接在另一元件上，或者也可存在居间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则不存在居间元件。词语“上(on)”或“上方(above)”是指定位在对象部分上或下方，并且不必须是指基于重力方向定位在对象部分的上侧上。

空间相对术语(诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“向下(downward)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“左(left)”、“右(right)”和类似词)可在本文中出于描述的方便而使用，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的取向之外，空间相对术语还旨在包括装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在其它元件或者特征“下方”或“下面”的元件然后将取向在其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”能够包括上方和下方的取向两者。装置可以其它方式取向(旋转90度或者在其它取向处)，并且本文中所使用的空间相对描述词相应地解释。

除非明确相反描述，否则词语“包括(comprise)”以及诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”的变体将被理解为暗示包含所陈述的元件，但不排除任何其它元件。

短语“在平面视图中”是指从顶部观察对象部分，并且短语“在剖视图中”是指从侧面观察竖直切割对象部分的剖面。

在整个说明书中，当描述一部分“连接(接触、联接)”到另一部分时，该部分可“直接连接”到另一部分，可通过第三部分“连接”到另一部分，或者可物理或电连接到另一部分，并且它们可依据位置或功能由不同的名称来指代，但基本上集成到一个本体中的相应部分可彼此连接。

如本文中所利用的，术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”、“a-c中的至少一个”，“a至c中的至少一个”、“a、b和/或c中的至少一个”等指示仅a、仅b、仅c、a和b两者(例如，兼具)、a和c两者(例如，兼具)、b和c两者(例如，兼具)、a、b和c的所有、或其变体。

在本说明书中，“包括A或B”、“A和/或B”等表示A或B、或者A和B。

当诸如布线、层、膜、区、板或构成元件的部分描述为沿“第一方向或第二方向”延伸时，这不仅意指沿对应方向笔直地行进的直线形状，而且包括总体沿第一方向或第二方向延伸的结构、在设定或预定的部分上弯折的结构、锯齿形结构、或包括弯曲结构并且延伸的结构。

包括本说明书中描述的发光显示装置和发光显示面板的电子装置(例如，移动电话、TV、监视器、膝上型计算机等)或包括通过说明书中描述的制造方法制造的发光显示装置和发光显示面板的电子装置不从在本说明书的要求的范围排除。

如本文中所使用的，术语“基本上(substantially)”、“约(about)”以及相似术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的在测量值或计算值上的固有偏差。考虑到有关测量和与特定数量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的“约(about)”或者“基本上(substantially)”包括所陈述的值并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的对于特定值的偏差的可接受范围内。例如，“约”或“基本上”可意味着在一个或者多个标准偏差内、或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

本文中描述的根据本发明的实施方式的发光显示装置和/或任何其它相关装置或部件可利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，装置的各种部件可形成在一个集成电路(IC)芯片上或在分开的IC芯片上。另外，装置的各种部件可实现在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或形成在一个衬底上。另外，装置的各种部件可为在一个或多个计算装置中在一个或多个处理器上运行、执行计算机程序指令以及与用于执行本文中描述的各种功能的其它系统部件交互的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以使用标准存储装置(诸如，以随机存取存储器(RAM)为例)的计算装置来实现。计算机程序指令也可存储在其它非暂时性计算机可读介质(诸如，以CD-ROM、闪存驱动或类似物为例)中。而且，本领域技术人员应认识到的是，各种计算装置的功能可组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可跨一个或多个其它计算装置分布，而不背离本发明的示例性实施方式的范围。

现将参照图1至图3描述发光显示装置的结构。

图1示出了根据实施方式的发光显示装置的利用状态的透视图，图2示出了根据实施方式的发光显示装置的分解透视图，并且图3示出了根据实施方式的发光显示装置的框图。

参照图1，根据实施方式的发光显示装置1000显示视频或静止图像，并且除了能用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子整理器、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、全球定位系统(GPS)或超移动PC(UMPC)的便携式电子装置的显示屏幕之外，还能用作诸如电视机、膝上型计算机、监视器、广告牌或物联网(IOT)装置的一个或多个合适类型(种类)的产品的显示屏幕。发光显示装置1000可利用于诸如智能手表、手表电话、眼镜型或眼镜类显示器、或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置。发光显示装置1000可作为车辆的仪表盘、布置在车辆的中央仪表板或仪表盘上的中央信息显示器(CID)、代替车辆的后视镜的内视镜显示器以及布置在前座的后侧上作为用于车辆的后座的娱乐装置的显示器来利用。出于更好的理解和描述的方便，图1示出了发光显示装置1000作为智能电话来利用。

发光显示装置1000可朝向第三方向DR3在与第一方向DR1和第二方向DR2平行的显示侧上显示图像。显示图像的显示侧可对应于发光显示装置1000的前表面，并且可对应于覆盖窗WU的前表面。图像可包括视频和静止图像。

在呈现的实施方式中，相应构件的前表面(或上侧)和后侧(或下侧)相对于图像显示方向来限定。前表面和后侧可沿第三方向DR3彼此相对，并且前表面和后侧的法线方向可平行于第三方向DR3。前表面与后侧之间的沿第三方向DR3的间隔距离可对应于发光显示面板DP的沿第三方向DR3的厚度。

发光显示装置1000可感测从外部施加的用户的输入(参照图1中所示的手)。用户的输入可包括一个或多个合适类型(种类)的外部输入，诸如用户身体的一部分、光、热或压力。在实施方式中，用户的输入示出为施加到前表面的用户的手。然而，本公开不限于此。用户的输入可以一种或多种合适的形式来提供，并且发光显示装置1000可根据发光显示装置1000的配置来感测施加到发光显示装置1000的后侧的横向侧的用户的输入。

参照图1和图2，发光显示装置1000可包括覆盖窗WU、壳体HM、发光显示面板DP和光学元件ES。在实施方式中，覆盖窗WU可组合到壳体HM，以配置发光显示装置1000的外部。

覆盖窗WU可包括绝缘面板。例如，覆盖窗WU可用玻璃、塑料或其组合来配置。

覆盖窗WU的前表面可限定发光显示装置1000的前表面。透射区域TA可为光学透明区。例如，透射区域TA可具有等于或大于约90％的可见光透射率。

阻挡区域BA可限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可布置在透射区域TA附近并且可围绕透射区域TA。阻挡区域BA可具有比透射区域TA的透光率相对低的透光率。阻挡区域BA可包括用于阻挡光的不透明材料。阻挡区域BA可具有设定或预定的颜色。阻挡区域BA可由除了用于限定透射区域TA的透明衬底之外还提供的边框层来限定，或者可由插入到透明衬底中或着色到透明衬底的墨水层来限定。

发光显示面板DP可包括用于显示图像的显示像素PX和驱动器50，并且显示像素PX定位在显示区域DA和部件区域EA中。发光显示面板DP可包括包含有显示区域DA和非显示区域PA的前表面。在实施方式中，显示区域DA和部件区域EA包括多个显示像素PX并且显示图像，并且触摸传感器定位在显示像素PX的沿第三方向DR3的上侧上，并且可感测外部输入。

覆盖窗WU的透射区域TA可与发光显示面板DP的显示区域DA和部件区域EA至少部分地重叠。例如，透射区域TA可与显示区域DA和部件区域EA的前表面重叠，或者可与显示区域DA和部件区域EA的至少一部分重叠。相应地，用户可通过透射区域TA观看图像，或者可基于图像提供外部输入。然而，本公开不限于此。例如，显示图像的区域可与感测外部输入的区域分离。

发光显示面板DP的非显示区域PA可与覆盖窗WU的阻挡区域BA至少部分地重叠。非显示区域PA可由阻挡区域BA覆盖。非显示区域PA可布置在显示区域DA附近，并且可围绕显示区域DA。非显示区域PA不显示图像，并且可布置有用于驱动显示区域DA的驱动电路或驱动布线。非显示区域PA可包括定位在显示区域DA外部的第一外围区域PA1以及包括驱动器50、连接布线和弯折区域的第二外围区域PA2。在参照图2给出的实施方式中，第一外围区域PA1定位在显示区域DA的三个边上，并且第二外围区域PA2定位在显示区域DA的另一边上。

在实施方式中，可在平面状态下组装发光显示面板DP，以使得显示区域DA、部件区域EA和非显示区域PA可面对覆盖窗WU。然而，本公开不限于此。发光显示面板DP的非显示区域PA的一部分可弯折。这里，非显示区域PA的一部分可面对发光显示装置1000的后侧，所以可减小在发光显示装置1000的前表面处可见的阻挡区域BA，并且在图2中，第二外围区域PA2可弯折，可定位在显示区域DA的后侧上，并且然后可被组装。

发光显示面板DP的部件区域EA可包括第一部件区域EA1和第二部件区域EA2。第一部件区域EA1和第二部件区域EA2可至少部分地由显示区域DA围绕。第一部件区域EA1和第二部件区域EA2示出为彼此间隔开，并且不限于此，第一部件区域EA1和第二部件区域EA2的至少一部分可彼此连接。利用红外线、可见光或声学声音的元件(参照图2的光学元件ES；也被称为部件)可布置在第一部件区域EA1和第二部件区域EA2下方。

在显示区域DA(也被称为主显示区域)和部件区域EA中形成有多个发光二极管(LED)以及用于生成发光电流并且将发光电流发送到发光二极管(LED)的多个像素电路。这里，一个发光二极管和一个像素电路配置一显示像素PX。像素电路和发光二极管可一对一地形成在显示区域DA和部件区域EA中。

第一部件区域EA1可包括包含有透射光或/和声学声音的透射件以及多个显示像素PX的显示单元。透射件定位在相邻的显示像素PX之间，并且配置为透射光或/和声学声音的层。透射件可定位在相邻的显示像素PX之间，并且依据实施方式，诸如阻光层的不透射光的层可与第一部件区域EA1重叠。显示区域DA中包括的显示像素PX(也被称为正常像素)的单位面积的像素数(也被称为分辨率)可等于第一部件区域EA1中包括的显示像素PX(也被称为第一部件像素)的单位面积的像素数。

第二部件区域EA2包括配置有透射光的透明层的区(也被称为透光区域)，并且透光区域可具有没有定位有导电层或半导体层并且包括阻光材料的层(例如，像素限定层和/或阻光层)包括与对应于第二部件区域EA2的位置重叠的开口的配置。第二部件区域EA2中包括的显示像素PX(也被称为第二部件像素)的单位面积的像素数可小于显示区域DA中包括的正常像素的单位面积的像素数。结果，第二部件像素的分辨率可小于正常像素的分辨率。

参照图3，除了包括显示像素PX的显示区域DA之外，发光显示面板DP还可包括触摸传感器TS。发光显示面板DP可包括用于生成图像的显示像素PX，并且可通过透射区域TA从外部对用户可见。触摸传感器TS可定位在显示像素PX的上部(例如，上侧)上，并且可感测从外部施加的外部输入。触摸传感器TS可感测提供到覆盖窗WU的外部输入。

参照图2，第二外围区域PA2可包括弯折部分。显示区域DA和第一外围区域PA1可具有基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的平面状态，并且第二外围区域PA2的一侧可从平面状态延伸，可经过弯折部分，并且可再次具有平面状态。结果，第二外围区域PA2的至少一部分可弯折，并且可被组装为定位在显示区域DA的后侧上。当第二外围区域PA2的该至少一部分被组装时，其在平面视图中与显示区域DA重叠，所以可减小发光显示装置1000的阻挡区域BA。然而，本公开不限于此。例如，第二外围区域PA2可不弯折。

驱动器50可安装在第二外围区域PA2中，可安装在弯折部分上，或者可定位在弯折部分的相应的侧中的一个上。驱动器50可提供为芯片。

驱动器50可电连接到显示区域DA和部件区域EA，并且可配置为将电信号发送到显示区域DA和部件区域EA中的显示像素PX。例如，驱动器50将数据信号提供到布置在显示区域DA中的显示像素PX。以另一方式，驱动器50可包括触摸驱动电路，并且可电连接到布置在显示区域DA和/或部件区域EA中的触摸传感器TS。驱动器50可被设计为除了上述电路之外还包括一个或多个合适类型(种类)的电路，或者可被设计为将一种或多种合适的电信号提供到显示区域DA。

在一些实施方式中，关于发光显示装置1000，焊盘部分可定位在第二外围区域PA2的端部处，并且可通过焊盘部分电连接到包括驱动芯片的柔性印刷电路板(FPCB)。这里，定位在柔性印刷电路板上的驱动芯片可包括用于驱动发光显示装置1000的一个或多个合适类型(种类)的驱动电路或用于供给电力电压的连接件。依据实施方式，可利用刚性印刷电路板(PCB)来替代柔性印刷电路板。

光学元件ES可布置在发光显示面板DP的下部(例如，后侧)上。光学元件ES可包括与第一部件区域EA1重叠的第一光学元件ES1和与第二部件区域EA2重叠的第二光学元件ES2。第一光学元件ES1可利用红外线，并且在这种情形下，关于第一部件区域EA1，诸如阻光层的不透射光的层可与第一部件区域EA1重叠。

第一光学元件ES1可为利用光或声学声音的电子部。例如，第一光学元件ES1可为用于接收光并且利用光的传感器(诸如红外线传感器)、用于通过输出并且感测光或声学声音来测量距离或识别指纹的传感器、用于输出光的小灯、或用于输出声音的扬声器。显然，利用光的电子部可利用具有一个或多个合适波长带宽的光，诸如可见光、红外线或紫外线。

第二光学元件ES2可为相机、红外(IR)相机、点阵投影仪、IR照明器和飞行时间(ToF)传感器中的至少一种。

参照图3，发光显示装置1000可包括发光显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。发光显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可彼此电连接。图3例示了自发光显示面板DP的配置之中的定位在显示区域DA中的显示像素PX以及触摸传感器TS。

电源模块PM可为发光显示装置1000的整个操作供给电力电压。电源模块PM可包括电池模块。

第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可包括用于操作发光显示装置1000的一个或多个合适类型(种类)的功能模块。第一电子模块EM1可安装在与发光显示面板DP电连接的母板上，或者可安装在附加衬底上，并且可通过连接件电连接到母板。

第一电子模块EM1可包括控制模块CM、无线电通信模块TM、图像输入模块IIM、声学输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。模块中的一些可不安装在母板上，并且可通过与其连接的柔性印刷电路板电连接到母板。

控制模块CM可控制发光显示装置1000的整个操作。控制模块CM可为微处理器。例如，控制模块CM可激活或停用发光显示面板DP。控制模块CM可基于从发光显示面板DP接收的触摸信号来控制诸如图像输入模块IIM或声学输入模块AIM的其它模块。

无线电通信模块TM可配置为通过利用蓝牙或WiFi线路将无线电信号发送到其它终端/从其它终端接收无线电信号。无线电通信模块TM可配置为通过利用通用通信线路来发送/接收语音信号。无线电通信模块TM包括用于调制信号并且发送结果信号的发送器TM1以及用于解调接收的信号的接收器TM2。

图像输入模块IIM可处理图像信号并且可将它们转换为对发光显示面板DP为可显示的图像数据。声学输入模块AIM可在记录模式或语音识别模式下通过利用麦克风来接收外部声学信号，并且可将它们转换为电语音数据。

外部接口IF可起到连接到外部充电器、有线/无线数据端口或卡(例如，存储卡或SIM/UIM卡)插槽的接口的作用。

第二电子模块EM2可包括声学输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM，并且其中的至少一部分为光学元件ES并且可如图1和图2中所示地定位在发光显示面板DP的后侧上。光学元件ES可包括发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM。第二电子模块EM2可安装在母板上，或者其可安装在附加衬底上，并且可通过连接件电连接到发光显示面板DP，或者其可电连接到第一电子模块EM1。

声学输出模块AOM可转换从无线电通信模块TM接收的声学数据或存储在存储器MM中的声学数据，并且可输出结果数据。

发光模块LM可生成光，并且可输出光。发光模块LM可输出红外线。例如，发光模块LM可包括LED元件。例如，光接收模块LRM可感测红外线。当感测到等于或大于设定或预定的水平的红外线时，光接收模块LRM可激活。光接收模块LRM可包括CMOS传感器。当红外线从发光模块LM输出时，它们可由外部对象(例如，用户的手指或面部)反射，并且反射的红外线可输入到光接收模块LRM。相机模块CMM可对外部事物拍照，以获得图像。

在实施方式中，光学元件ES可附加包括光电传感器或热传感器。光学元件ES可感测通过前表面接收的外部对象，或者可通过前表面将诸如语音的声音信号提供到外部。光学元件ES可包括多个构成元件，并且不限于一个实施方式。

参照图2，壳体HM可组合到覆盖窗WU。覆盖窗WU可布置在壳体HM的前表面上。壳体HM可与覆盖窗WU组合，并且可提供设定或预定的容纳空间。发光显示面板DP和光学元件ES可被接受在壳体HM与覆盖窗WU之间提供的设定或预定的容纳空间中。

壳体HM可包括具有相对高的刚性的材料。例如，壳体HM可包括玻璃、塑料或金属，或者可包括由其组合配置的多个框架和/或板。壳体HM可稳定地保护发光显示装置1000的容纳在内部空间中的构成元件免受外部冲击的影响。

现将参照图4描述根据另一实施方式的发光显示装置1000的结构。

图4示出了根据另一实施方式的发光显示装置的透视图。

将不描述与上述构成元件的配置相同的配置，并且参照图4给出的实施方式描述了相对于折叠轴FAX弯折的可折叠的发光显示装置1000。

参照图4，在实施方式中，发光显示装置1000可为可折叠显示装置。发光显示装置1000可相对于折叠轴FAX向外或向内弯折。当相对于折叠轴FAX向外弯折时，发光显示装置1000的显示侧可沿第三方向DR3向外定位，并且可沿两个方向(例如，兼具)显示图像。当相对于折叠轴FAX向内弯折时，显示侧可从外部不可见。

在实施方式中，发光显示装置1000可包括显示区域DA、部件区域EA和非显示区域PA。显示区域DA可划分为第1-1显示区域DA1-1、第1-2显示区域DA1-2和折叠区域FA。第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可定位在折叠轴FAX的左侧和右侧，并且折叠区域FA可定位在第1-1显示区域DA1-1与第1-2显示区域DA1-2之间。在这种情形下，当相对于折叠轴FAX向外折叠时，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2定位在沿第三方向DR3的相应的侧上，并且可沿两个方向(例如，同时)显示图像。当相对于折叠轴FAX向内折叠时，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可从外部不可见。

图5示出了根据实施方式的发光显示装置的放大区的俯视图。

图5通过利用用于移动电话的显示面板来示出了根据实施方式的发光显示装置中的发光显示面板DP的一部分。

关于发光显示面板DP，显示区域DA定位在前表面处，并且部件区域EA定位在显示区域DA中。详细地，部件区域EA可包括第一部件区域EA1和第二部件区域EA2。在一些实施方式中，在参照图5给出的实施方式中，第一部件区域EA1在第二部件区域EA2附近的位置处定位。在参照图5给出的实施方式中，第一部件区域EA1定位在第二部件区域EA2的左侧。依据实施方式，第一部件区域EA1的位置和数量为可变的。参照图5，与第二部件区域EA2对应的第二光学元件ES2(例如，参照图2)可为相机，并且与第一部件区域EA1对应的第一光学元件ES1(例如，参照图2)可为光电传感器。

在显示区域DA中形成有多个发光二极管(LED)以及用于生成发光电流并且将发光电流发送到发光二极管(LED)的多个像素电路。这里，一个发光二极管和一个像素电路配置一显示像素PX(例如，参照图2)。像素电路和发光二极管一对一地形成在显示区域DA中。显示区域DA也被称为正常显示区域。图5未示出发光显示面板DP的切割线下方的结构，并且显示区域DA可定位在切割线下方。

根据实施方式的发光显示面板DP可区分为下面板层和上面板层。下面板层包括配置显示像素PX的发光二极管(LED)和像素电路，并且可包括封装层(参照图6的封装层400)。例如，下面板层包括从衬底(参照图6的衬底110)到封装层的范围，也包括阳极(参照图6的阳极Anode)、像素限定层(参照图6的像素限定层380)、发射层(参照图6的发射层EML)、间隔件(参照图6的间隔件385)、功能层(参照图6的功能层FL)和阴极(参照图6的阴极Cathode)，并且包括绝缘层、半导体层和在衬底与阳极之间的导电层。上面板层定位在封装层的上部(例如，上表面)上，包括用于感测触摸的感测绝缘层(参照图6的感测绝缘层501、510和511)和多个感测电极(参照图6的感测电极540和541)，并且可包括阻光层(参照图6的阻光层220)、滤色器(参照图6的滤色器230)和平坦化层(参照图6的平坦化层550)。

第一部件区域EA1可用透明层配置以使得可透射光，可不定位导电层和半导体层以使得可透射光，下面板层可具有光电传感器区，并且开口(也被称为附加开口)可在像素限定层、上面板层的阻光层和滤色器的层中在与第一部件区域EA1对应的位置处形成，因此具有不阻挡或不减少光的配置。在一些实施方式中，当光电传感器区定位在下面板层上并且不存在对应于上面板层的开口时，其可为显示区域DA而不为第一部件区域EA1。一个第一部件区域EA1可包括多个相邻的光电传感器区，并且在这种情形下，在光电传感器区附近提供的显示像素PX可包括在第一部件区域EA1中。当对应于第一部件区域EA1的第一光学元件ES1使用红外线而不为可见光时，第一部件区域EA1可与阻挡可见光的阻光层220(例如，参照图6)重叠。

第二部件区域EA2包括第二部件像素(参照图20的单位像素UPC)和透光区域(参照图20的透光区域UTA)，并且第二部件像素之间的空间可为透光区域。将在本说明书的参照图20至图22的稍后部分中更详细地描述第二部件区域EA2。

在一些实施方式中，外围区域可进一步定位在显示区域DA外部。此外，图5示出了用于移动电话的显示面板，并且呈现的实施方式适用于具有其上可定位有光学元件的后侧的任何类型(种类)的显示面板，并且其可为柔性显示装置。在自柔性显示装置之中的可折叠显示装置的情况下，第二部件区域EA2和第一部件区域EA1可形成在与图5中所示的位置不同的位置处。

在下文中将参照图6至图8描述发光显示面板DP的配置和形成在显示区域DA和/或第一部件区域EA1中的间隔件385的配置。

现将参照图6描述根据实施方式的发光显示面板DP的配置。

图6示出了根据实施方式的发光显示面板的剖视图。

发光显示面板DP可通过在衬底110上形成发光二极管来显示图像，可通过包括多个感测电极540和541来感测触摸，并且可包括阻光层220以及滤色器230R、230G和230B，因此允许由发光二极管发射的光具有滤色器230R、230G和230B的颜色特性。

关于图6中所示的发光显示面板DP，用于区分自发光二极管之中的发射层EML的像素限定层380(也被称为黑色像素限定层380)由包括阻光材料的黑色有机材料制成，并且在像素限定层380上形成有具有台阶的间隔件385(也被称为主间隔件385)。在间隔件385中形成有高的第一部分385-1(也被称为第一主间隔件)以及低于第一部分385-1并且定位在第一部分385-1周围的第二部分385-2(也被称为第二主间隔件)。第一部分385-1和第二部分385-2可彼此一体地形成。间隔件385可通过增加发光显示面板DP的耐刮擦强度来减小根据按压压力的缺陷生成率，并且依据实施方式，可增加对定位在间隔件385的上部(例如，上表面)上的功能层FL的粘合性以防止或减少湿气和空气从外部注入。此外，大的粘合性可消除当发光显示面板DP具有柔性特性时层间粘合性减小的问题。

在发光显示面板DP的前表面处没有偏振器形成(例如，不存在用于限定发光显示面板DP的前表面的偏振器)，而是像素限定层380通过利用黑色有机材料在阳极Anode上形成并且阻光层220和滤色器230在像素限定层380的上部(例如，上表面)上形成以允许外部光向内部输入时，外部光可在阳极Anode处反射但可不向用户透射。

现将更详细地描述发光显示面板DP。

衬底110可包括具有刚性特性并且不弯折的材料(诸如玻璃)，或者可包括可弯折的柔性材料(诸如塑料或聚酰亚胺)。

在衬底110上形成有多个薄膜晶体管，但在图6中省略了它们，并且示出了用于覆盖薄膜晶体管的有机层180。一个显示像素包括一发光二极管和一像素电路，该像素电路包括用于将发光电流发送到发光二极管的多个晶体管和电容器。图6未示出像素电路，并且像素电路的配置依据实施方式为可修改的。图6示出了用于覆盖像素电路的有机层180。

在有机层180上定位有包括阳极Anode、发射层EML和阴极Cathode的发光二极管。

阳极Anode可配置为包括透明导电氧化物膜和金属材料的单层或包括它们的多层。透明导电氧化物膜可包括氧化铟锡(ITO)、聚ITO、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)，并且金属材料可包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和铝(Al)。

发射层EML可由有机发光材料制成，并且相邻的发射层EML可显示不同的颜色。依据实施方式，相应的发射层EML可由于定位在其上部(例如，上表面)上的滤色器230R、230G和230B而配置为发射相同颜色的光。依据实施方式，发射层EML可具有堆叠有多个发射层的串联结构(参照图25的(B))。

像素限定层380定位在有机层180和阳极Anode上，在像素限定层380中形成有开口OP，开口OP与阳极Anode的一部分重叠，并且发射层EML定位在由开口OP暴露的阳极Anode上。发射层EML可定位在像素限定层380的开口OP中，并且通过像素限定层380而与相邻的发射层EML区分。

像素限定层380可由表现负型黑色的有机材料制成。黑色有机材料可包括阻光材料，并且阻光材料可包括包含有炭黑、碳纳米管、黑色染料、金属(例如，镍、铝、钼以及其合金)颗粒、金属氧化物(例如，氧化铬)颗粒或金属氮化物(例如，氮化铬)颗粒的树脂或糊料。像素限定层380可包括阻光材料并且可具有黑色，并且其可不反射光而是可配置为吸收或阻挡或减少光。由于像素限定层380使用了负型的有机材料，因此可去除由掩模覆盖的部分。

间隔件385形成在像素限定层380上。间隔件385包括定位在高且窄的区中的第一部分385-1和定位在低且宽的区中的第二部分385-2。参照图6，第一部分385-1和第二部分385-2在间隔件385中根据虚线来彼此划分。第一部分385-1可增加耐刮擦强度，以获得在按压压力上的刚性。第二部分385-2可起到像素限定层380与上部的功能层FL之间的接触辅助的作用。第一部分385-1和第二部分385-2由相同材料制成，它们可由正型的光敏有机材料制成，并且例如可利用光敏聚酰亚胺(PSPI)。由于它们具有正型特性，因此可去除未由掩模覆盖的部分。间隔件385可为透明的，并且可配置为透射和/或反射光。

像素限定层380可形成为具有负型类型或种类，并且间隔件385可形成为具有正型类型或种类，并且依据实施方式，它们可包括相同类型或种类的材料。

像素限定层380的上侧的至少一部分由间隔件385覆盖，并且第二部分385-2的边缘与像素限定层380的边缘间隔开，所以像素限定层380的一部分不由间隔件385覆盖。第二部分385-2可覆盖像素限定层380的其上没有定位有第一部分385-1的上侧，以增强像素限定层380与功能层FL之间的粘合性特性。在呈现的实施方式中，间隔件385可在平面视图中定位在与待描述的阻光层220重叠的区中，所以间隔件385可由阻光层220覆盖并且当从发光显示面板DP的前表面看时可为不可见的。

功能层FL定位在间隔件385和暴露的像素限定层380上，并且功能层FL可形成为与发光显示面板DP的整个前表面对应或者可形成在第二部件区域EA2的排除设定或预定的区域(例如，图20中的透光区域UTA)的区中。功能层FL可包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层，并且可定位在发射层EML上方/下方。例如，空穴注入层、空穴传输层、发射层EML、电子传输层、电子注入层和阴极Cathode可顺序地定位在阳极Anode上，所以自功能层FL之中的空穴注入层和空穴传输层可定位在发射层EML的下部(例如，后侧)上，并且电子传输层和电子注入层可定位在发射层EML的上部(例如，上表面)上。

阴极Cathode可由透明电极或反射电极制成。依据实施方式，阴极Cathode可为透明或半透明电极，并且可由具有低功函数的金属薄膜制成。而且，阴极Cathode可由锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)和镁(Mg)和/或其化合物制成或包括锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)和镁(Mg)和/或其化合物，或者可包括氟化锂/钙(LiF/Ca)或氟化锂/铝(LiF/Al)的多层结构。诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)的透明导电氧化物(TCO)层可进一步布置在金属薄膜上。阴极Cathode可一体地形成为与发光显示面板DP的整个前表面对应。

在阴极Cathode上定位有封装层400。封装层400包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且在图6中，其具有包括第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403的三层结构。封装层400可保护由有机材料制成的发射层EML免受从外部输入的湿气或氧的影响。依据实施方式，封装层400可包括进一步顺序地堆叠有无机层和有机层的结构。

感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541定位在封装层400上以感测触摸。在参照图6给出的实施方式中，通过利用两个感测电极540和541根据电容类型或种类来感测触摸，但依据实施方式，可通过利用一个感测电极根据自电容方法来感测触摸。感测电极540和541可在第二感测绝缘层510在其间的情况下绝缘，下部的感测电极541定位在第一感测绝缘层501上，上部的感测电极540定位在第二感测绝缘层510上，并且上部的感测电极540由第三感测绝缘层511覆盖。感测电极540和541可通过定位在第二感测绝缘层510中的开口电连接。感测电极540和541可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钼(Mo)、钛(Ti)或钽(Ta)的金属、或者一种或多种其金属合金，并且可配置为单层或多层。

阻光层220以及滤色器230R、230G和230B定位在第三感测绝缘层511上。

阻光层220可在平面视图中与感测电极540和541重叠，并且可在平面视图中不与阳极Anode重叠。这是为了防止或减少用于显示图像的阳极Anode和发射层EML由阻光层220以及感测电极540和541覆盖。

参照图6，在平面视图中，阻光层220定位在与像素限定层380重叠的区中，并且阻光层220的一侧从像素限定层380的对应的一侧缩进。

阻光层220也具有开口OPBM，阻光层220的开口OPBM的面积制成为大于像素限定层380的开口OP的面积，并且关于像素限定层380的开口OP，开口OP可在平面视图中定位在开口OPBM中。

间隔件385的一侧从像素限定层380的对应的一侧以设定或预定的间隙g-1缩进，并且间隔件385也从阻光层220的一侧缩进。结果，当从发光显示面板DP的前表面看时，间隔件385可由阻光层220覆盖并且可为不可见的。

滤色器230R、230G和230B定位在感测绝缘层501、510和511以及阻光层220上。滤色器230R、230G和230B包括用于透射红色光的红色滤色器230R、用于透射绿色光的绿色滤色器230G和用于透射蓝色光的蓝色滤色器230B。在平面视图中，滤色器230R、230G和230B可与相应的发光二极管的阳极Anode重叠。由发射层EML发射的光可经过滤色器以改变为对应颜色并且可发出，所以由发射层EML发射的光可具有相同颜色。然而，发射层EML显示不同的颜色，并且可通过允许光经过具有相同颜色的滤色器来增强颜色的展现。

阻光层220可定位在滤色器230R、230G和230B中的相应的滤色器间。依据实施方式，滤色器230R、230G和230B可用颜色转换层来代替，或者还可包括颜色转换层。颜色转换层可包括量子点。

用于覆盖滤色器230R、230G和230B的平坦化层550定位在滤色器230R、230G和230B上。平坦化层550使发光显示面板DP的上侧平坦化，并且其可为包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种材料的透明有机绝缘体。

依据实施方式，在平坦化层550上可进一步定位有低折射层和附加平坦化层，以增加发光显示面板DP的正面可见性和发光效率。光可由低折射层和具有高折射特性的附加平坦化层折射并且向前表面发出。在这种情况下，依据实施方式，可不提供平坦化层550，并且低折射层和附加平坦化层可定位在滤色器230上。

在呈现的实施方式中，在平坦化层550的上部(例如，上表面)上不包括偏振器。例如，偏振器可在外部光输入、在阳极Anode处反射并且用户看到其时防止或降低显示品质的劣化。然而，呈现的实施方式包括阳极Anode的一侧由像素限定层380覆盖以降低在阳极Anode处的反射程度并且阻光层220也形成为降低光输入程度的的配置，并且从而防止或降低根据反射的显示品质的劣化。因此，不需要偏振器形成在发光显示面板DP的前表面处。

现将参照图7和图8更详细地描述根据呈现的实施方式的像素限定层380、间隔件385和阻光层220的配置。

图7示出了根据实施方式的发光显示面板的一部分的俯视图，并且图8示出了根据实施方式的发光显示面板的部分的放大剖视图。

图7和图8没有提供如图6中所示的发射层EML、功能层FL和阴极Cathode，然而，图8附加示出了阻光层220以及滤色器230R和230G，以阐明与阻光层220的关系。

现将参照图7描述像素限定层380、间隔件385和阻光层220的平面配置。

图7示出了包括开口OP的像素限定层380、包括第一部分385-1和第二部分385-2的间隔件385以及包括开口OPBM的阻光层220。参照图7，像素限定层380定位在开口OP的整个外侧上，并且阻光层220也定位在开口OPBM的整个外侧上。间隔件385定位在像素限定层380的开口OP和阻光层220的开口OPBM的外侧上，并且定位在间隔件385的第二部分385-2的整个边界外部上。这里，间隔件385的第一部分385-1定位在对应部分上，并且间隔件385的第二部分385-2定位在自定位有间隔件385的区之中的排除定位有间隔件385的第一部分385-1的部分的整个部分上。

间隔件385的第一部分385-1用圆形虚线示出，间隔件385的第二部分385-2的边界接触像素限定层380，开口OP示出在开口OPBM内部，并且阻光层220用斜线示出在开口OPBM外部。像素限定层380的暴露的上侧和像素限定层380的开口OP由其上没有定位有间隔件385的第二部分385-2的部分限定，并且发射层EML定位在像素限定层380的开口OP中。由于间隔件385的第二部分385-2与像素限定层380的开口OP以设定或预定的间隙g-1(参照图6)间隔开，因此间隔件385可完全排除定位有开口OP和暴露的黑色像素限定层380的区形成。

在平面视图中，阻光层220的一部分和开口OPBM由其上没有定位有间隔件385的第二部分385-2的部分限定。由于阻光层220定位为高于间隔件385，因此间隔件385完全由阻光层220覆盖，并且通过阻光层220，间隔件385从前表面为不可见的。因此，图7用虚线示出了间隔件385的第一部分385-1和第二部分385-2的边界。

现将参照图8描述剖面结构。

参照图8，像素限定层380的开口OP定位在阳极Anode上，并且开口OP与阳极Anode的一部分重叠，所以阳极Anode的上侧的一部分被暴露。尽管在图8中未示出，但发射层EML定位在暴露的阳极Anode上并且定位在像素限定层380的开口OP中。像素限定层380为黑色的，以使得光可不在阳极Anode的由像素限定层380覆盖的一个部分处反射。以另一方式，发射层EML可根据显示的颜色而包括不同的材料，并且因此，可确定像素限定层380的开口OP的大小。这里，当像素限定层380的开口OP的大小与发射层EML的寿命关联并且设定发射层EML的材料时，开口OP可以考虑寿命而设定的大小来形成。多个发射层EML可堆叠在像素限定层380的开口OP中。

在像素限定层380上形成有具有台阶的间隔件385。间隔件385包括定位在高且窄的区中的第一部分385-1和定位在低且宽的区中的第二部分385-2。第二部分385-2具有在上方距像素限定层380的上侧为h2的高度，并且第一部分385-1具有在上方距第二部分385-2的上侧为h1的高度，所以第一部分385-1具有距像素限定层380的上侧为h1+h2的高度。第一部分385-1的高度h1+h2可为约1.5μm，并且第二部分385-2的高度h2可为约0.4μm。依据实施方式，间隔件385的两个部分(即，第一部分385-1和第二部分385-2)的高度可为不同的，并且第二部分385-2的高度h2可小于第一部分385-1的高度h1+h2的一半。第一部分385-1的突起的高度(即，与第二部分385-2的高度差(高度h1))可为约1.0μm至约1.4μm，并且第二部分385-2的高度h2可为约0.1μm至约0.5μm。依据实施方式，第一部分385-1与第二部分385-2之间的高度差(高度h1)可为约0.8μm至约1.0μm。依据实施方式，第一部分385-1的高度h1+h2可为约1.1μm至约2.0μm。

第二部分385-2的边缘与像素限定层380的边缘之间的水平的间隙给出为g-1，所以边缘彼此间隔开。这里，在平面视图中，间隙g-1与自像素限定层380的区域之中的未由间隔件385覆盖的区域对应。间隙g-1具有用于使间隔件385比待描述的阻光层220更在内部定位的值。依据实施方式，间隙g-1可为约5.7μm。间隙g-1根据显示像素的大小为可修改的，并且依据实施方式，间隙g-1可具有3μm至8μm的值。在平面视图中，自像素限定层380的区域之中的未由间隔件385覆盖的区域的比率可具有约60％至约80％的值。

根据具有台阶的间隔件385的配置，通过第一部分385-1的突出结构增加了耐刮擦强度，并且获得了关于按压压力的稳定性。

在一些实施方式中，自像素限定层380的上侧之中的以第二部分385-2的类似方式(例如，延伸出第一部分385-1的区)为宽的并且不由第一部分385-1覆盖的区也可覆盖为增加像素限定层380与上部的功能层FL之间的接触特性并且增强层间接触力。结果，增加粘合性以防止或减少湿气和空气从外部输入。高粘合性具有消除当发光显示面板DP具有柔性特性并且折叠和展开时削弱层间粘合性的问题的优点。这里，间隔件385由光敏聚酰亚胺(PSPI)制成，并且像素限定层380可由呈负型类型或种类的黑色有机材料制成。

图8示出了间隔件385与阻光层220之间的水平的间隙g-2。第二部分385-2的边缘比阻光层220的边缘以间隙g-2更在内部定位，所以其形成在较窄的区中，并且间隔件385在平面视图中完全由阻光层220覆盖，并且因此，其从上部(例如，前表面)不可看到。此外，阻光层220中的开口OPBM形成为比像素限定层380的定位有发射层EML的开口OP宽，这使得由发射层EML发射的光以设定或预定的角度向横向侧发射。依据实施方式，阻光层220的中心和/或中心线、间隔件385的第一部分385-1的中心和/或中心线以及像素限定层380的中心和/或中心线可彼此对应。这里，中心和中心线可为相对于相应的侧以相同距离定位的部分。

现将参照图9至图12描述参照图6至图8给出的实施方式的特性。

现将参照图9至图11描述由外部光的反射生成的衍射图案。

图9示出了根据实施方式的发光显示面板的反射特性的图像，图10示出了根据比较例和呈现的实施方式的配置和反射特性，并且图11示出了衍射图案的生成原因。

图9示出了当照射强外部光时根据参照图6至图8给出的实施方式的发光显示面板DP处反射的光的图像。参照图9，发现的是，环以规则间隙布置的衍射图案。在呈现的实施方式中，在发光显示面板DP的上部处没有偏振器形成(例如，不存在用于限定发光显示面板DP的前表面的偏振器)，所以当照射强外部光时，可能容易看到由反射光引起的衍射图案。因此，需要尽可能少地生成衍射图案，并且出于这种目的，在呈现的实施方式中，间隔件385在平面视图中布置在阻光层220内部，以使得外部光可不在间隔件385处反射。

为了确认呈现的实施方式是否较少生成外部光的衍射图案以及其具有什么优点，将参照图10对一个实施方式和三个比较例进行比较。

图10附加示出了比较例1、比较例2和比较例3，并且也示出了参照图6至图8描述的实施方式，以进行比较。

将对剖面结构和平面结构进行比较，并且已参照图6至图8描述了图10的实施方式，所以现将更详细地描述比较例1、比较例2和比较例3的配置。

关于比较例1，间隔件385的第一部分385-1具有与比较例2、比较例3和呈现的实施方式相同的大小和位置，并且第二部分385-2在平面视图中在阻光层220外部突出，所以当从上方看时，存在间隔件385的第二部分385-2未由阻光层220覆盖的部分。间隔件385的第二部分385-2不覆盖整个像素限定层380。因此，当从上方看时，可确认像素限定层380的上侧、间隔件385的第二部分385-2和阻光层220。

比较例2示出了间隔件385的第二部分385-2突出到阻光层220的外部，并且覆盖像素限定层380的整个上侧，所以当从上方看时，像素限定层380为不可见的。

根据比较例1和比较例2，以参照图6至图8给出的实施方式的类似方式，像素限定层380由黑色有机材料制成，间隔件385由光敏聚酰亚胺(PSPI)制成，并且阻光层220由黑色有机材料制成。

比较例3示出了像素限定层380和间隔件385由黑色有机材料制成，并且阻光层220由黑色有机材料制成。关于比较例3，间隔件385不具有第二部分385-2，并且可具有高的第一部分385-1。关于比较例3，当从上方看时，像素限定层380的上侧和阻光层220为可见的，间隔件385为无法看到的，并且不包括光敏聚酰亚胺(PSPI)。

现将对根据以上构成的比较例1、比较例2和比较例3以及参照图6至图8给出的实施方式拍摄的衍射图案进行比较。

比较例1示出了最大的衍射图案，比较例3示出了第二大的衍射图案，并且比较例2和图6至图8的实施方式示出了相似的衍射图案。

图11示出了生成衍射图案的原因。从外部提供的光在像素限定层380的未由阻光层220覆盖的上侧(在图11中标记为BPDL)和间隔件385的上侧(在图11中标记为SPC)处反射。在相应的部分处反射的光可彼此干涉，从而生成衍射图案。例如，间隔件385和阻光层220具有上侧的不同的物质、不同的表面特性和不同的曲率，所以从两个部分反射的光可以高可能性彼此干涉，并且因此可容易生成衍射图案。通过其可确认的是，比较例1具有最大的衍射图案。例如，根据比较例2，像素限定层380由间隔件385覆盖，并且光在间隔件385处反射，所以存在相对少的数量的衍射图案，并且根据比较例3，不存在由光敏聚酰亚胺(PSPI)制成的透明层，所以存在相对少的数量的衍射图案。此外，在呈现的实施方式中，也发现的是，间隔件385在平面视图中定位在阻光层220内部，并且没有外部光在间隔件385处反射，所以存在相对少的数量的衍射图案。

当对图10的衍射图案进行比较时，比较例2和图6至图8的实施方式具有相似的衍射图案，所以当考虑衍射图案时，可利用比较例2。然而，与比较例2不同，图6至图8给出的实施方式可用黑色有机材料形成像素限定层380，并且可配置为吸收入射的外部光以防止或减少入射的外部光被反射。因此，其具有使由外部光的反射引起的问题减少的优点。

现将参照图12描述耐刮擦强度。

图12示出了根据比较例和实施方式的、根据间隔件的结构的耐刮擦强度的变化的图表。

图12将测试耐刮擦强度的结果示出为图表，并且示出了紧挨着相应的柱状图标记并且表示对应实例的耐刮擦强度的平均值的数值。

图12包括两个比较例Ref.1和Ref.2并且对耐刮擦强度进行比较，并且现将描述比较例Ref.1和比较例Ref.2的配置。

比较例Ref.1具有图12的下部处所示的剖面结构，间隔件385的第一部分385-1形成在像素限定层380上，并且不包括第二部分385-2。像素限定层380由黑色有机材料制成，并且第一部分385-1由光敏聚酰亚胺(PSPI)制成。

比较例Ref.2具有图12的下部处所示的剖面结构，间隔件385的第一部分385-1形成在像素限定层380-1上，并且像素限定层380-1和间隔件的第一部分385-1由光敏聚酰亚胺(PSPI)制成，因此具有透明特性。

在图12的下部处示出了根据比较例SP1、SP2、SP3和SP4的剖面结构。比较例SP1、SP2、SP3和SP4在像素限定层380上形成间隔件385的第二部分385-2，像素限定层380由黑色有机材料制成，并且第一部分385-1由光敏聚酰亚胺(PSPI)制成。比较例SP1、SP2、SP3和SP4的差异根据间隔件385的第二部分385-2的宽度的大小来区分。当从比较例SP1行进到比较例SP4时，间隔件385的第二部分385-2的宽度逐渐减小，并且表1中表述的面积的比率为允许的。

(表1)

参照图12的斜线，发现的是，耐刮擦强度随着比较例SP1、SP2、SP3和SP4的间隔件385的第二部分385-2的宽度减小而逐渐减小。在参照图6至图8给出的实施方式中，由于间隔件385的第二部分385-2定位在阻光层220内部，因此间隔件385的第二部分385-2的宽度为相对小的，并且结果，耐刮擦强度也减小。

然而，需要获得在设定或预定的水平以上的耐刮擦强度，所以间隔件385的第二部分385-2的宽度可基本上不减小太多。

为了具有与图12中的比较例Ref.2对应的耐刮擦强度，需要与比较例SP1和比较例SP2对应的结构，并且当计算相对于标记为图12的斜线的线可具有比较例Ref.2的平均耐刮擦强度的间隔件385与像素限定层380的边缘之间的水平的间隙g-1时，可获得约5.72μm的计算值。

基于这一点，当间隔件385的第二部分385-2与像素限定层380的边缘之间的水平的间隙g-1形成为约5.7μm时，获得了与比较例Ref.2对应的耐刮擦强度，所以可不生成根据耐刮擦强度的问题。这里，依据实施方式，间隙g-1对应于显示像素的大小为可变的，并且间隙g-1可为约3μm至约8μm。

参照图12中的比较例Ref.1，通过具有间隔件385的第二部分385-2而增加耐刮擦强度。因此，当尝试达到根据比较例Ref.1的耐刮擦强度时，具有间隔件385的第二部分385-2可为足够的。

现将参照图13和图14描述包括分离件的另一实施方式。

图13和图14示出了根据另一实施方式的发光显示面板的一部分的放大剖视图。

当与图8给出的实施方式进行比较时，在参照图13和图14描述的实施方式中，间隔件385和/或像素限定层380包括具有凹槽结构的分离件385-s和/或380-s。

分离件385-s和380-s表示形成台阶以使得可使定位在像素限定层380和间隔件385的上部(例如，上表面)上的功能层FL(例如，参照图6)和阴极Cathode(例如，参照图6)中的至少一个分离(例如，断开连接)的部分。依据实施方式，可形成分离件385-s和380-s，以使定位在相邻的像素限定层380的开口OP中的发射层EML分离(例如，断开连接)。

现将描述图13的实施方式。

如图8中所示，在图13的实施方式中，间隔件385形成在阻光层220内部，并且间隔件385的第二部分385-2与整个阻光层220重叠，并且不定位在阻光层220外部。

在图13的实施方式中，分离件385-s和380-s附加形成在间隔件385的第二部分385-2和像素限定层380的定位在间隔件385的第二部分385-2下方的一个部分中。详细地，分离件385-s定位在间隔件385的第二部分385-2中，并且分离件380-s定位在像素限定层380中。间隔件385的第二部分385-2由分离件385-s穿透，并且像素限定层380未由分离件380-s穿透，而是形成为凹槽。然而，依据实施方式，像素限定层380可由分离件380-s穿透。例如，间隔件385的分离件385-s的凹槽结构形成为直至像素限定层380，并且像素限定层380可包括附加的分离件380-s。

分离件385-s和380-s的宽度和深度可具有用于使堆叠在像素限定层380和间隔件385的上部(例如，上表面)上的功能层FL、发射层EML和阴极Cathode中的至少一个分离(例如，断开连接)的值。功能层FL可定位在发射层EML上方/下方，并且可区分为在发射层EML的下部处定位的第一功能层和在发射层EML的上部处定位的第二功能层。分离件385-s和380-s可使第一功能层和第二功能层中的至少一个断开连接。

参照图25，分离件380-s的宽度和深度可依据一个发射层EML还是多个发射层EML定位在像素限定层380的开口OP中而改变。

图13示出了分离件385-s定位在间隔件385的第二部分385-2的中间的实施方式，并且自第二部分385-2之中的分离件385-s的位置可依据实施方式而不同。分离件385-s可具有线性或弯曲结构，并且可沿着间隔件385的第一部分385-1的一部分布置。分离件385-s使定位在相邻的像素限定层380的开口OP(例如，参照图6)中的功能层FL、发射层EML和阴极Cathode中的至少一个分离(例如，断开连接)，并且可定位在像素限定层380的两个开口OP之间。

现将描述图14的实施方式。

与图13不同，参照图14，分离件385-s不定位在间隔件385中，并且分离件380-s定位在像素限定层380中。例如，间隔件385在平面视图中定位在分离件380-s内部，并且分离件380-s在平面视图中不与间隔件385重叠。

图14示出了分离件380-s定位在与阻光层220重叠的部分中，并且依据实施方式，分离件380-s可定位在不与阻光层220重叠的部分中。

图14的分离件380-s的宽度和深度可具有用于使堆叠在像素限定层380和间隔件385的上部(例如，上表面)上的功能层FL、发射层EML和阴极Cathode中的至少一个分离(例如，断开连接)的值。分离件380-s可具有线性或弯曲结构，并且可沿着间隔件385的第一部分385-1的一部分布置。分离件380-s可定位在相邻的像素限定层380的两个开口OP之间。

现将参照图15至图19描述图8的实施方式以及图13和图14的实施方式在平面视图中布置的配置。

图15至图19示出了根据一个或多个合适的实施方式的发光显示面板的一部分的俯视图。

图15和图16例示了像素限定层380的开口OP和阻光层220的开口OPBM为圆形的实施方式。

图15示出了布置有一个红色(R)发射层、两个蓝色(B)发射层和一个绿色(G)发射层的平面配置。发射层定位在像素限定层380的开口OP中，并且阻光层220的开口OPBM定位在像素限定层380的开口OP外部。间隔件385的第二部分385-2的边界布置在阻光层220的开口OPBM外部，并且间隔件385与阻光层220重叠并且在平面视图中由阻光层220覆盖。间隔件385的第一部分385-1定位在四个相邻的像素限定层380的开口OP的中心。然而，间隔件385的第一部分385-1的位置可依据实施方式而不同。

图16示出了具有图15中所示的布置的像素限定层380、间隔件385和阻光层220的配置中的分离件385-s的形状和位置。

图16示出了分离件385-s如图13中所示地定位在间隔件385的第二部分385-2中的实施方式。此外，在图16的实施方式中，如图13中所示的分离件380-s也可定位在像素限定层380中。例如，分离件385-s比间隔件385的第二部分385-2的定位在阻光层220的开口OPBM外部的边界更在外部定位。因此，分离件385-s在平面视图中与阻光层220重叠。

图16中所示的分离件385-s包括与阻光层220的开口OPBM或像素限定层380的开口OP的形状对应并且以设定或预定的间隔远离的部分(也被称为开口对应部分)。分离件385-s还可包括从开口对应部分附加延伸的延伸部。

分离件385-s可定位在相邻的像素限定层380的定位有不同的颜色的相邻的发射层的两个开口OP的中心。然而，当具有相同颜色的发射层定位在相邻的像素限定层380的两个开口OP中时，不需要定位在两个开口的中心的分离件385-s。

依据实施方式，以参照图14给出的实施方式的类似方式，分离件380-s可定位在阻光层220的开口OPBM与间隔件385的第二部分385-2的边界之间。

依据实施方式，如图15和图16中所示的阻光层220的开口OPBM和像素限定层380的开口OP可不为圆形，并且图17示出了它们具有菱形形状的实施方式。在阻光层220的开口OPBM和像素限定层380的开口OP具有菱形形状的实施方式中，间隔件385的第二部分385-2的边界也可具有菱形形状。此外，当形成分离件380-s时，分离件380-s对应于阻光层220的开口OPBM或像素限定层380的开口OP并且以设定或预定的距离从阻光层220的开口OPBM或像素限定层380的开口OP远离的开口对应部分可具有菱形形状。

现将参照图18和图19描述阻光层220的开口OPBM和像素限定层380的开口OP具有矩形形状的实施方式。

图18示出了不包括分离件380-s的实施方式的平面布置。

参照图18，阻光层220的四边形的开口OPBM定位在像素限定层380的四边形的开口OP外部。间隔件385的第二部分385-2的边界布置在阻光层220的开口OPBM外部，并且间隔件385的第二部分385-2的边界具有四边形的开口。关于间隔件385的第二部分385-2，在平面视图中，间隔件385的第二部分385-2与阻光层220重叠并且由阻光层220覆盖，并且间隔件385的第一部分385-1沿一个方向定位在于彼此附近提供的两个像素限定层380的开口OP外部。然而，间隔件385的第一部分385-1的位置可依据实施方式而不同。

图19示出了在具有图18的布置的像素限定层380、间隔件385和阻光层220的配置中的分离件385-s的形状和位置。

图19示出了分离件385-s如图13中所示地定位在间隔件385的第二部分385-2中的实施方式。此外，在图19的实施方式中，如图13中所示的分离件380-s也可定位在像素限定层380中。例如，分离件385-s比间隔件385的第二部分385-2的定位在阻光层220的开口OPBM外部的边界更在外部定位。因此，分离件385-s在平面视图中与阻光层220重叠。在图19给出的实施方式中，一对分离件385-s布置在阻光层220的两个相邻的开口OPBM或像素限定层380的两个开口OP之间。当利用一对分离件385-s时，功能层FL、发射层EML和阴极Cathode中的至少一个可更容易轻易断开连接，从而消除了由于工艺误差而导致未断开连接的缺点。

图19中所示的分离件385-s包括与阻光层220的开口OPBM或像素限定层380的开口OP的形状对应并且以设定或预定的间隔远离的部分(也被称为开口对应部分)，并且由于开口OP和OPBM具有四边形形状，因此分离件385-s沿着四边形形状的一边形成为线性的。然而，依据实施方式，分离件385-s可沿着开口OP和OPBM的四边形形状弯折。

分离件385-s可定位在相邻的像素限定层380的定位有具有不同的颜色的相邻的发射层的两个开口OP的中心。然而，当具有相同颜色的发射层定位在相邻的像素限定层380的两个开口OP中时，分离件385-s可不定位在两个开口OP的中心。

已描述了像素限定层380的开口OP和阻光层220的开口OPBM具有相同形状的实施方式，但两个开口OP和OPBM可具有不同的形状。

已描述了定位在显示区域DA(例如，参照图2)或第一部件区域EA1(例如，参照图2)中的间隔件385的配置。现将参照图20至图22描述定位在第二部件区域EA2(例如，参照图2)中的部件间隔件U385的配置。

现将参照图20描述第二部件区域EA2。

图20示出了根据实施方式的第二部件区域的结构。

图20的(A)示出了放大的第二部件区域EA2，并且图20的(B)放大了第二部件区域EA2的一部分并示出了单位像素UPC和透光区域UTA的配置。

参照图20的(A)，第二部件区域EA2由显示区域DA围绕，并且第二部件区域EA2可在平面视图中具有圆形形状或与圆形形状相称的形状。例如，如图20的(A)中所示，当放大显示区域DA和第二部件区域EA2的边界时，该边界对应于圆形，并且当进一步放大该边界时，正常像素和第二部件像素的边界形成为不是曲线而是短的弯折的直线，所以正常像素和第二部件像素的边界可具有不是圆形而是与圆形相称的形状。第二部件区域EA2的在平面视图中的形状可依据实施方式而不同，所以不限于此。

图20的(B)示出了根据实施方式的形成在第二部件区域EA2中的单位像素UPC和透光区域UTA的平面形状。

单位像素UPC以规则间隙布置在菱形的顶点的相应的位置处。在单位像素UPC的外部定位有阻光部分UBML。阻光部分UBML包括形成为宽的多个延伸部和用于沿倾斜方向连接延伸部的连接件，并且存在由延伸部和连接件划分的开口区。阻光部分UBML的开口区对应于透光区域UTA，并且一个单位像素UPC布置在阻光部分UBML的一延伸部中。

一个单位像素UPC包括一个红色的第二部件像素、一个蓝色的第二部件像素和一个绿色的第二部件像素。图20的(B)未示出相应的第二部件像素的像素电路，并且示出了相应的颜色的发光二极管。一个蓝色的发光二极管沿着一边长长地布置，并且红色的发光二极管和绿色的发光二极管布置在蓝色的发光二极管附近。一个单位像素UPC中包括的第二部件像素的数量和布置可与参照图20的(B)描述的不同。

第二部件区域EA2的第二部件像素的单位面积的像素数可小于显示区域DA的正常像素的单位面积的像素数。因此，显示区域DA的分辨率可形成为高的，并且第二部件区域EA2的分辨率可形成为相对低的。

现将参照图21和图22描述第二部件区域EA2的像素电路、阳极和定位在像素电路和阳极上的部件间隔件U385的配置。

图21示出了第二部件区域中的像素电路和阳极的结构的俯视图，并且图22示出了第二部件区域中的间隔件的结构的俯视图。

图21示出了像素电路PCX-r、PCX-g和PCX-b以及阳极Anode-r、Anode-g和Anode-b的配置，并且像素电路PCX-r、PCX-g和PCX-b未示出详细的配置，而是示出了像素电路PCX-r、PCX-g和PCX-b定位为四边形的区。像素电路PCX-r、PCX-g和PCX-b的电路配置和实际堆叠图案可为不同的，并且将参照图26描述根据实施方式的电路配置。

像素电路PCX-r、PCX-g和PCX-b中的每个的端子中的一个端子将输出电流发送到发光二极管，并且像素电路PCX-r、PCX-g和PCX-b中的每个的该一个端子通过开口OP4暴露。阳极Anode-r、Anode-g和Anode-b形成在像素电路PCX-r、PCX-g和PCX-b上，并且相应的开口OP4电连接到像素电路PCX-r、PCX-g和PCX-b并接收输出电流。

图21示出了蓝色的阳极Anode-b定位在蓝色的像素电路PCX-b上，并且关于其它颜色，其它颜色的阳极与其它颜色的像素电路重叠。例如，红色的阳极Anode-r与红色的像素电路PCX-r和绿色的像素电路PCX-g重叠，并且绿色的阳极Anode-g与红色的像素电路PCX-r和绿色的像素电路PCX-g重叠。

参照图21，单位像素UPC中包括的三个发光二极管中的第一发光二极管在左侧长长地布置(例如，三个发光二极管中的第一发光二极管在三个发光二极管中的第二发光二极管和第三发光二极管的左侧沿单位像素UPC的长度方向)，并且第二发光二极管和第三发光二极管在右侧的列中从上至下布置(例如，第二发光二极管在第三发光二极管上方，并且第二发光二极管和第三发光二极管在第一发光二极管的右侧沿单位像素UPC的长度方向)。因此，自阳极Anode-r、Anode-g和Anode-b之中的阳极Anode-b在左侧长长地布置，并且阳极Anode-r和Anode-g在右侧的列中从上至下布置。阳极Anode-r、Anode-g和Anode-b的布置可依据实施方式而不同。

现将参照图22描述定位在阳极Anode-r、Anode-g和Anode-b上的像素限定层380(例如，参照图6)的开口OPr、OPg和OPb以及定位在像素限定层380上的部件间隔件U385的配置。

对于每个单位像素UPC布置有形成在第二部件区域EA2中的对应的部件间隔件U385。

详细地，定位有像素限定层380的用于暴露阳极Anode-r、Anode-g和Anode-b的至少一部分的开口OPr、OPg和OPb，并且部件间隔件U385形成在像素限定层380上。部件间隔件U385包括高的第一部分U385-1(也被称为第一部件间隔件)以及低于第一部分U385-1并定位在第一部分U385-1周围的第二部分U385-2(也被称为第二部件间隔件)。第一部分U385-1和第二部分U385-2可彼此一体地形成，并且第一部分U385-1具有T形形状，并且第二部分U385-2可定位在第一部分U385-1周围。这里，部件间隔件U385和第一部分U385-1可具有参照图22的沿逆时针方向旋转90度的T形形状。

在图22给出的实施方式中，第一部分U385-1的端部不定位在第二部分U385-2上，并且第一部分U385-1和第二部分U385-2的端部彼此对应。部件间隔件U385不突出到单位像素UPC外部，而是定位在单位像素UPC内部。第一部分U385-1和第二部分U385-2可由正型类型或种类的透明有机材料(例如，光敏聚酰亚胺(PSPI))制成。第一部分U385-1的高度可为约1.5μm，并且其可依据实施方式为约1.1μm至约2.0μm。第二部分U385-2的高度可为约0.4μm，并且其可依据实施方式为约0.1μm至约0.5μm。

在一些实施方式中，具有沿逆时针方向旋转90度的T形形状的每个部件间隔件U385形成在一个单位像素UPC中。参照图22，多个T形形状彼此连接以一体地形成，并且它们可依据实施方式而形成为划分为多个部分。

与像素限定层380的开口OPr、OPg和OPb相比，阻光层220(例如，参照图6)的开口OPBM在平面视图中形成为宽的。部件间隔件U385在平面视图中不与阻光层220的开口OPBM重叠，其与阻光层220重叠，并且第二部分U385-2的边界布置为与阻光层220重叠。结果，当从上方看时，部件间隔件U385布置为由阻光层220覆盖并且为不可见的。像素限定层380包括多个开口OPr、OPg和OPb，并且阻光层220包括与像素限定层380的开口OPr、OPg和OPb重叠的多个开口OPBM。部件间隔件U385定位在像素限定层380上，并且整个部件间隔件U385可在平面视图中与阻光层220重叠。

依据实施方式，在图22中，还可以图13和图14给出的实施方式的类似方式包括分离件。分离件可在平面视图中与阻光层220重叠，并且可从上方无法看到。

现将参照图23和图24描述发光显示装置的剖面结构，并且将首先描述图23的配置。

图23示出了根据实施方式的发光显示装置的剖视图。

图23示出了透光区域UTA的剖面结构和显示像素的剖面结构，并且显示像素可对应于显示区域DA的正常像素以及第一部件区域EA1和第二部件区域EA2的第一部件像素和第二部件像素。现将总体描述正常像素的配置。在下文中，部件区域EA(即，第一部件区域EA1和/或第二部件区域EA2)可是指除了透光区域UTA以外的部件区域EA。

发光显示装置可分类为下面板层和上面板层，并且配置显示像素的发光二极管和像素电路可定位在下面板层中，并且用于覆盖配置显示像素的发光二极管和像素电路的封装层400也可被包括。像素电路可包括第二有机层182和第三有机层183并且可意指下部的配置，并且发光二极管可表示第三有机层183的上部并且可意指定位在封装层400的下部(例如，后侧)下面的配置。定位在封装层400的上部(例如，上表面)上的配置可对应于上面板层。依据实施方式，可不包括第三有机层183。

参照图23，衬底110可包括第一子衬底层110-1、第二子衬底层110-2、第三子衬底层110-3和第四子衬底层110-4。

第一子衬底层110-1和第四子衬底层110-4可包括聚酰亚胺基树脂、丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。例如，第一子衬底层110-1和第四子衬底层110-4可各自包括聚酰亚胺。

第二子衬底层110-2和第三子衬底层110-3可各自包括无机材料。例如，第二子衬底层110-2和第三子衬底层110-3可各自包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。例如，第二子衬底层110-2可包括氮氧化硅，并且第三子衬底层110-3可包括氧化硅。

第一子衬底层110-1的厚度可大于第四子衬底层110-4的厚度。例如，第一子衬底层110-1的厚度可为100000埃，并且第四子衬底层110-4的厚度可为56000埃。第二子衬底层110-2的厚度可小于第三子衬底层110-3的厚度。例如，第二子衬底层110-2的厚度可为1000埃，并且第三子衬底层110-3的厚度可为5000埃。然而，第一子衬底层110-1、第二子衬底层110-2、第三子衬底层110-3和第四子衬底层110-4的厚度不限于上述数值。

在衬底110上可布置有阻挡层110-5。阻挡层110-5可包括多个子阻挡层110-51、110-52、110-53、110-54和110-55以及金属层BML。

子阻挡层110-51、110-52、110-53、110-54和110-55可包括沿离开衬底110的方向顺序地堆叠的第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53、第四子阻挡层110-54和第五子阻挡层110-55。第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53、第四子阻挡层110-54和第五子阻挡层110-55可各自包括无机材料。例如，第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53、第四子阻挡层110-54和第五子阻挡层110-55可各自包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的至少一种。例如，第一子阻挡层110-51可包括氮氧化硅，第二子阻挡层110-52可包括氧化硅，第三子阻挡层110-53可包括非晶硅，第四子阻挡层110-54可包括氧化硅，并且第五子阻挡层110-55可包括氧化硅。

自第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53、第四子阻挡层110-54和第五子阻挡层110-55之中的第五子阻挡层110-55最靠近晶体管。第五子阻挡层110-55可被称为上部子阻挡层。第五子阻挡层110-55的厚度可大于第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53和第四子阻挡层110-54的相应的厚度中的每个。例如，第五子阻挡层110-55的厚度可大于第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53和第四子阻挡层110-54的厚度之和。例如，第一子阻挡层110-51可为约1000埃厚，第二子阻挡层110-52可为约1500埃厚，第三子阻挡层110-53可为约100埃厚，第四子阻挡层110-54可为约130埃厚，并且第五子阻挡层110-55可为约4200埃厚。例如，第五子阻挡层110-55的厚度可大于以上描述的厚度之和。

金属层BML可施加有设定或预定的电压电平的恒定电压，例如，可提供有驱动电压ELVDD(例如，参照图26)。

金属层BML可布置在第四子阻挡层110-54与第五子阻挡层110-55之间。金属层BML可由第五子阻挡层110-55覆盖。第五子阻挡层110-55具有自第一子阻挡层110-51、第二子阻挡层110-52、第三子阻挡层110-53、第四子阻挡层110-54和第五子阻挡层110-55之中的最大厚度，所以可减小因提供到金属层BML的电压而导致的晶体管的特性的变化程度。

金属层BML可具有用于限定透光区域UTA的开口BMop。当在阴极Cathode中形成有开口CEop时，金属层BML可为起到掩模的作用的图案。例如，从衬底110的后侧朝向阴极Cathode照射的光可经过金属层BML的开口BMop，并且可到达阴极Cathode和覆盖层CPL的相应的部分。例如，通过已经过金属层BML的开口BMop的光，可去除阴极Cathode和覆盖层CPL的一部分。光可为激光束。

与金属层BML的开口BMop重叠的区可限定为透光区域UTA，并且其它区可限定为不为透光区域UTA的区，即，显示区域DA或部件区域EA。金属层BML可包括钛、银以及包含银、钼的合金、包含钼、铝的合金、包含铝的合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、氧化铟锡或氧化铟锌，并且不特别限于此。

在阻挡层110-5上可布置有缓冲层111。缓冲层111可提供到显示区域DA、部件区域EA和透光区域UTA。缓冲层111可防止或减少金属原子或杂质从衬底110扩散到第一半导体图案ACT1。此外，缓冲层111可调节用于形成第一半导体图案ACT1的结晶工艺的热提供速率，以使得第一半导体图案ACT1可均匀地形成。

缓冲层111可包括多个无机层。例如，缓冲层111可包括包含有氮化硅的第一子缓冲层以及布置在第一子缓冲层上并包括氧化硅的第二子缓冲层。缓冲层111可不与透光区域UTA完全重叠。例如，在缓冲层111中可限定有与透光区域UTA对应的开口ILop。由于缓冲层111未完全提供到透光区域UTA，因此可进一步增加透光区域UTA的透射率。

包括晶体管的像素电路可布置在缓冲层111上，并且发光二极管可布置在像素电路上。

附图中示例性地示出了像素电路的硅薄膜晶体管LTPS TFT和氧化物薄膜晶体管Oxide TFT。

第一半导体图案ACT1可布置在缓冲层111上。第一半导体图案ACT1可包括硅半导体。例如，硅半导体可包括非晶硅和多晶硅。例如，第一半导体图案ACT1可包括低温多晶硅。

示出了布置在缓冲层111上的第一半导体图案ACT1的一部分，并且第一半导体图案ACT1可进一步布置在另一区中。第一半导体图案ACT1可以具体规则排列在显示像素中。第一半导体图案ACT1的电性能根据其掺杂状态而为可变的。第一半导体图案ACT1可包括具有高导电性的第一区和具有低导电性的第二区。第一区可掺杂有n型或n类掺杂剂或者p型或p类掺杂剂。p型或p类晶体管可包括掺杂有p型或p类掺杂剂的掺杂区，并且n型或n类晶体管可包括掺杂有n型或n类掺杂物的掺杂区。第二区可为未掺杂区，或者可为以比第一区低的浓度掺杂的区。

第一区的导电性可大于第二区的导电性，并且第一区可基本上起到电极或信号线的作用。第二区可基本上对应于晶体管的有源区(或沟道)。换句话说，第一半导体图案ACT1的一部分可为晶体管的有源区，第一半导体图案ACT1的另一部分可为晶体管的源区或漏区，并且第一半导体图案ACT1的其它部分可为连接电极或连接信号线。

硅薄膜晶体管LTPS TFT的源区、有源区和漏区可由第一半导体图案ACT1形成。在剖视图中，源区和漏区可从有源区沿相反的方向延伸。

像素电路可包括多个无机层和有机层。在实施方式中，堆叠在缓冲层111上的绝缘层141、142、143、161和162可为无机层，并且绝缘层181、182和183可为有机层。

第一栅极绝缘层141可布置在缓冲层111上。第一栅极绝缘层141可覆盖第一半导体图案ACT1。第一栅极绝缘层141可为无机层和/或有机层，并且可具有单层或多层结构。第一栅极绝缘层141可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在呈现的实施方式中，第一栅极绝缘层141可为单层氧化硅层。除了第一栅极绝缘层141之外，待描述的绝缘层还可具有单层或多层结构。

硅薄膜晶体管LTPS TFT的栅电极GE1布置在第一栅极绝缘层141上。栅电极GE1可为金属图案的一部分。栅电极GE1与有源区重叠。栅电极GE1可起到用于掺杂第一半导体图案ACT1的工艺的掩模的作用。栅电极GE1可包括钛、银以及包含银、钼的合金、包含钼、铝的合金、包含铝的合金、氮化铝、钨、氮化钨、铜、氧化铟锡或氧化铟锌，并且不特别限于此。

第二栅极绝缘层142布置在第一栅极绝缘层141上，并且可覆盖栅电极GE1。第二栅极绝缘层142可为无机层，并且可具有单层或多层结构。第二栅极绝缘层142可包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。在呈现的实施方式中，第二栅极绝缘层142可具有包括氮化硅层的单层结构。

第一层间绝缘层161可布置在第二栅极绝缘层142上。第一层间绝缘层161可为无机层，并且可具有单层或多层结构。例如，第一层间绝缘层161可具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。电容器的电极CE可布置在第二栅极绝缘层142与第一层间绝缘层161之间。电容器的另一电极可布置在第一栅极绝缘层141与第二栅极绝缘层142之间。

第二半导体图案ACT2可布置在第一层间绝缘层161上。第二半导体图案ACT2可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括根据金属氧化物是否被还原而为可区分的多个区。金属氧化物被还原的区(在下文中，还原区)具有比金属氧化物未被还原的区(在下文中，非还原区)大的导电性。还原区基本上起到晶体管的源区/漏区或信号线的作用。非还原区基本上对应于晶体管的有源区(或半导体区、沟道)。换句话说，第二半导体图案ACT2的一部分可为晶体管的有源区，第二半导体图案ACT2的另一部分可为晶体管的源区/漏区，并且第二半导体图案ACT2的其它部分可为信号发送区(例如，信号线)。

氧化物薄膜晶体管Oxide TFT的源区、有源区和漏区可由第二半导体图案ACT2形成。在剖视图中，源区和漏区可从有源区沿相反的方向延伸。

氧化物薄膜晶体管Oxide TFT可与金属层BML重叠。因此，从发光显示面板DP(例如，参照图2)的下部(例如，后侧)输入的光可由金属层BML阻挡，并且可不提供到氧化物薄膜晶体管Oxide TFT的有源区，并且可根据下衬底的极化而屏蔽静电的电位电压。

依据位置，氧化物薄膜晶体管Oxide TFT可不与金属层BML重叠，并且可添加用于阻挡和屏蔽氧化物薄膜晶体管Oxide TFT的下部(例如，后侧)的层。

第三栅极绝缘层143可布置在第一层间绝缘层161上。第三栅极绝缘层143可覆盖第二半导体图案ACT2。第三栅极绝缘层143可为无机层，并且可具有单层或多层结构。第三栅极绝缘层143可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在呈现的实施方式中，第三栅极绝缘层143可具有包括氧化硅的单层结构。

氧化物薄膜晶体管Oxide TFT的栅电极GE2布置在第三栅极绝缘层143上。栅电极GE2可为金属图案的一部分。栅电极GE2与有源区重叠。对于用于掺杂第二半导体图案ACT2的工艺，栅电极GE2可起到掩模的作用。

第二层间绝缘层162可布置在第三栅极绝缘层143上，并且可覆盖栅电极GE2。第二层间绝缘层162可为无机层和/或有机层，并且可具有单层或多层结构。例如，第二层间绝缘层162可具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。

开口ILop可限定在像素电路中包括的缓冲层111以及绝缘层141、142、143、161、162、181、182和183中的至少一些中。例如，由于开口ILop限定在缓冲层111以及绝缘层141、142、143、161和162中，并且对缓冲层111以及绝缘层141、142、143、161和162的与透光区域UTA重叠的部分进行部分去除，因此透光区域UTA的透射率可增加。

缓冲层111以及绝缘层141、142、143、161和162的侧壁可比金属层BML的侧壁突出得更远。

第一有机层181可布置在第二层间绝缘层162上。第一有机层181可包括有机材料，并且第一有机层181可包括聚酰亚胺基树脂。例如，第一有机层181可包括光敏聚酰亚胺。

第一有机层181可布置在显示区域DA、部件区域EA和透光区域UTA中。因此，第一有机层181可被称为公共有机层。第一有机层181可填充定位在缓冲层111以及绝缘层141、142、143、161和162中的开口ILop。例如，第一有机层181可与透光区域UTA重叠。由于第一有机层181提供到透光区域UTA，因此可减小在第一有机层181的上侧处的台阶。当各层的与透光区域UTA重叠的台阶减小时，可缓和(或减少)输入到透光区域UTA的光的衍射。因此，减少了由衍射引起的图像的变换，所以可改善从定位在显示区域DA的后侧上的相机捕获的图像的品质。

对预备公共有机层60-p的布置在透光区域UTA中的一部分沿厚度方向进行部分去除，所以可形成了(或提供了)第一有机层181。图23用虚线示出了预备公共有机层60-p，并且去除部分60-del用暗影标记。为了通过预备公共有机层60-p形成第一有机层181，可利用半色调掩模。

第一有机层181的在透光区域UTA中的厚度可小于第一有机层181的在显示区域DA和部件区域EA中的厚度。例如，透光区域UTA中的厚度可为第一有机层181的最小厚度或平均厚度，并且显示区域DA和部件区域EA中的厚度可为第一有机层181的最大厚度或平均厚度。透光区域UTA中的厚度可等于或大于显示区域DA和部件区域EA中的厚度的约40％且小于约100％。随着第一有机层181的根据区的厚度差增加，第一有机层181的上侧的台阶可增大。在这种情况下，对于用于图案化最靠近透光区域UTA的导电层的工艺，可能比设计更进一步图案化(或去除)导电层。例如，对于线(或布线)变得较薄的可能性增加，并且对于缺陷生成的可能性也可能增加。如在实施方式中描述的，当提供大于约40％的厚度差时，可减小对于缺陷生成的可能性。因此，通过提供大于约40％的根据区的厚度差，可增加透光区域UTA的透射率，并且可最小化或减少随后的副作用。

例如，当显示区域DA和部件区域EA中的厚度为约15000埃时，透光区域UTA中的厚度可为约6000埃至约10000埃。当透光区域UTA中的厚度大于约10000埃时，透射率增加效果可能劣化。因此，透光区域UTA中的厚度可确定为在等于或大于显示区域DA和部件区域EA中的厚度的约40％的范围内，并且等于或小于约10000埃。

第二有机层182可布置在第一有机层181上，并且第三有机层183可布置在第二有机层182上。

相应的第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183可包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物以及其共混物。

发光二极管可布置在像素电路上。每个发光二极管可包括阳极Anode、第一功能层FL1、发射层EML、第二功能层FL2和阴极Cathode。第一功能层FL1、第二功能层FL2和阴极Cathode可提供到除了透光区域UTA以外的显示区域DA和部件区域EA。

阳极Anode可布置在第三有机层183上。阳极Anode可通过穿透第二有机层182和第三有机层183的开口而连接到像素电路的一个电极。阳极Anode可为(半)透射电极或反射电极。根据实施方式，阳极Anode可包括由银、镁、铝、铂、钯、金、镍、钕、铱、铬或它们的化合物制成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌、氧化锌、氧化铟和掺杂铝的氧化锌中的至少一种。例如，阳极Anode可包括顺序地堆叠有氧化铟锡、银和氧化铟锡的多层结构。

像素限定层380可布置在第三有机层183上。像素限定层380可配置为吸收光，例如，像素限定层380可为黑色。像素限定层380可包括黑色着色剂。黑色着色剂可包括黑色染料和黑色颜料。黑色着色剂可包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。

用于暴露阳极Anode的一部分的开口OP可限定在像素限定层380中。例如，像素限定层380可覆盖阳极Anode的边缘。像素限定层380可覆盖第三有机层183的在透光区域UTA附近提供的横向侧。像素限定层380可与第二有机层182的在透光区域UTA附近提供的横向侧间隔开。因此，像素限定层380可稳定地接触第二有机层182和第三有机层183。像素限定层380可为由黑色有机材料制成的黑色像素限定层380，并且可防止或减少从外部施加的光再次反射到外部，并且依据实施方式，像素限定层380可由透明有机材料制成。因此，依据实施方式，像素限定层380可包括负型类型或种类的黑色有机材料，并且可包括黑色颜料。

间隔件385定位在像素限定层380上。间隔件385包括定位在高且窄的区中的第一部分385-1和定位在低且宽的区中的第二部分385-2。参照图23，在间隔件385中，第一部分385-1与第二部分385-2用虚线分开。间隔件385的第一部分385-1和第二部分385-2可由相同材料制成，并且它们可由正型类型或种类的透明光敏有机材料(例如，光敏聚酰亚胺(PSPI))制成。

像素限定层380的上侧的至少一部分由间隔件385覆盖，并且第二部分385-2的边缘与像素限定层380的边缘间隔开，所以像素限定层380的一部分不由间隔件385覆盖。间隔件385可在平面视图中定位在与阻光层220重叠的区中，并且当从发光显示面板DP的前表面看时，间隔件385可由阻光层220覆盖并且可无法看到。

第一功能层FL1可布置在阳极Anode、像素限定层380和间隔件385上。第一功能层FL1可包括空穴传输层(HTL)，可包括空穴注入层(HIL)，或者可包括空穴传输层和空穴注入层。第一功能层FL1可布置在除了透光区域UTA以外的显示区域DA和部件区域EA中。

发射层EML可布置在第一功能层FL1上，并且可布置在与像素限定层380的开口OP对应的区中。发射层EML可包括用于发射具有设定或预定的颜色的光的有机材料、无机材料或有机-无机材料。

第二功能层FL2可布置在第一功能层FL1上，并且可覆盖发射层EML。第二功能层FL2可包括电子传输层(ETL)，可包括电子注入层(EIL)，或者可包括电子传输层和电子注入层。第二功能层FL2可布置在除了透光区域UTA以外的显示区域DA和部件区域EA中。

阴极Cathode可布置在第二功能层FL2上。阴极Cathode可布置在除了透光区域UTA以外的显示区域DA和部件区域EA中。与金属层BML的开口BMop对应的开口CEop可限定在阴极Cathode中。阴极Cathode的开口CEop的最小宽度可大于金属层BML的开口BMop的最小宽度。

覆盖层CPL可进一步定位在阴极Cathode上。覆盖层CPL可根据相长干涉原理来增加发光效率。例如，覆盖层CPL可包括具有对于约589nm的波长的光的等于或大于约1.6的折射率的材料。覆盖层CPL可为包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层或包括有机材料和无机材料的复合覆盖层。例如，覆盖层CPL可包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可选择性地用包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任意组合的取代基来取代。

可去除覆盖层CPL的与阴极Cathode的开口CEop重叠的一部分。由于去除了包括与透光区域UTA重叠的部分的覆盖层CPL的一部分以及阴极Cathode的一部分，因此透光区域UTA的透光率可增加。

封装层400可布置在发光二极管上。封装层400可包括顺序地堆叠的第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403，并且配置封装层400的层不限于此。

第一无机封装层401和第二无机封装层403可保护发光二极管免受湿气和氧的影响，并且有机封装层402可保护发光二极管免受诸如灰尘的外来颗粒的影响。第一无机封装层401和第二无机封装层403可包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机封装层402可包括丙烯酰基有机层，并且不限于此。

用于感测触摸的器件可附加布置在封装层400上。为了感测触摸，该器件可包括感测绝缘层501、510和511以及感测电极540。

第一感测绝缘层501可布置在封装层400上。第一感测绝缘层501可为包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。第一感测绝缘层501可为包括环氧树脂、丙烯酰树脂或酰亚胺基树脂的有机层。第一感测绝缘层501可具有单层结构或沿第三方向DR3堆叠有多层的多层结构。

在第一感测绝缘层501上可包括至少一个感测电极540，感测电极540可具有单层结构或者可具有沿第三方向DR3堆叠有多层的多层结构。

单层的感测电极540可包括金属层或透明导电层。金属层可包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌或氧化铟锌锡。在一些实施方式中，透明导电层可包括导电聚合物(诸如PEDOT)、金属纳米线和石墨烯。

多层的感测电极540可包括金属层。例如，金属层可为三层结构，诸如钛/铝/钛。多层的感测电极540可包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。

当在第一感测绝缘层501上包括有两个感测电极时，第二感测绝缘层510可布置在两个感测电极之间。第二感测绝缘层510可包括无机膜(无机层)。无机膜(无机层)可包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。

以另一方式，第二感测绝缘层510可包括有机层。有机层可包括丙烯酰基树脂、甲基丙烯酰基树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。

第三感测绝缘层511可布置在第二感测绝缘层510上，并且可覆盖第二感测绝缘层510。

第三感测绝缘层511可包括无机材料。例如，第三感测绝缘层511可包括氮化硅，并且不特别限于此。

用于减少外部光的反射的抗反射层可定位在第三感测绝缘层511上，并且抗反射层可包括阻光层220、多个滤色器230和平坦化层550。阻光层220和滤色器230不布置在透光区域UTA中。

阻光层220可布置为与感测电极540的导电图案重叠。第三感测绝缘层511可布置在阻光层220与感测电极540之间。阻光层220可防止或减少由感测电极540引起的外部光的反射。配置阻光层220的材料包括任何类型(种类)的光吸收材料。阻光层220为黑色层，并且在实施方式中，阻光层220可包括黑色着色剂。黑色着色剂可包括黑色染料和黑色颜料。黑色着色剂可包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。

在阻光层220中可限定有多个开口OPBM。多个开口OPBM可分别与多个发射层EML重叠。滤色器230可布置为与阻光层220的开口OPBM对应。滤色器230可配置为透射由与滤色器230重叠的发射层EML提供的光。

阻光层220不定位在透光区域UTA中，并且在透光区域UTA附近的区中，阻光层220的端部可比像素限定层380的端部和阴极Cathode的端部更突出。

平坦化层550可覆盖阻光层220和滤色器230。平坦化层550可包括有机材料，并且可对平坦化层550的上侧提供平面(例如，平坦)侧。可不提供平坦化层550。

在实施方式中，可不提供滤色器230，并且反射调节层可添加到省略了滤色器230的地方。反射调节层可选择性地吸收自从发光显示面板DP和/或电子装置的内部反射的光或从发光显示面板DP和/或电子装置的外部输入的光之中的设定或预定的带宽的光。

例如，反射调节层吸收490nm至505nm的第一波长区的光和585nm至600nm的第二波长区的光，所以第一波长区和第二波长区的透光率可等于或小于40％。反射调节层可配置为吸收偏离由发射层EML发射的红色光、绿色光或蓝色光的波长范围的波长的光。如上所述，反射调节层吸收具有不属于由发射层EML发射的红色光、绿色光或蓝色光的波长范围的波长的光，从而防止或最小化发光显示面板DP和/或电子装置的亮度减小。此外，可防止或最小化发光显示面板DP和/或电子装置的发光效率的劣化，并且可改善可见性。

反射调节层可由包括染料、颜料或其组合的有机材料层制成。反射调节层可包括四氮杂卟啉(TAP)基化合物、卟啉基化合物、金属卟啉基化合物、恶嗪基化合物、方酸菁基化合物、三芳基甲烷基化合物、聚甲炔基化合物、蒽醌基化合物、酞菁基化合物、偶氮基化合物、苝基化合物、呫吨基化合物、联胺基化合物、二吡咯基化合物、菁基化合物和/或其中的一种或多种组合。

在实施方式中，反射调节层可具有约64％至约72％的透射率。反射调节层的透射率根据反射调节层中包括的颜料和/或染料的含量(例如，量)而为可调节的。反射调节层可与发光区重叠，并且可在平面视图中不与透光区域UTA重叠。

金属层BML、第一半导体图案ACT1、第一栅极导电层(例如，包括栅电极GE1的层)、第二栅极导电层(例如，包括电极CE的层)、第二半导体图案ACT2、第三栅极导电层(例如，包括栅电极GE2的层)、第一数据导电层(图23中未示出)、第二数据导电层(图23中未示出)和阳极Anode不定位在透光区域UTA中。在透光区域UTA中没有形成发射层EML以及感测电极540和541(例如，参照图6)。根据参照图23描述的实施方式，缓冲层111、第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142、第一层间绝缘层161、第三栅极绝缘层143、第二层间绝缘层162、第二有机层182和第三有机层183可没有遍及透光区域UTA形成。

另外，在像素限定层380、阻光层220和滤色器230中可形成有附加开口，所以可不在透光区域UTA中形成像素限定层380、阻光层220和滤色器230。

已描述了形成有三个有机层(即，第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183)并且在第二有机层182和第三有机层183中形成有阳极连接开口的实施方式。然而，可形成至少两个有机层，并且在这种情形下，阳极连接开口可定位在远离衬底110定位的上有机层中，并且下有机层开口可定位在下有机层中。

关于参照图23给出的剖面结构，间隔件385和/或像素限定层380不包括分离件。现将参照图24描述包括分离件的实施方式的剖面结构。

图24示出了根据另一实施方式的发光显示装置的剖视图。

图24省略了图23中所示的衬底110到第一有机层181的配置，示出了包括第二有机层182的配置，并且省略了透光区域UTA。现将更详细地描述与参照图23描述的不同的部分。

如图13中所示，图24示出了根据分离件385-s和380-s形成在间隔件385和像素限定层380中的实施方式的发光显示装置。

详细地，分离件380-s定位在像素限定层380中，并且分离件385-s定位在间隔件385的第二部分385-2中。间隔件385的第二部分385-2由分离件385-s穿透，像素限定层380不由分离件380-s穿透，并且分离件380-s形成为凹槽。然而，依据实施方式，像素限定层380可由分离件380-s穿透，或者分离件385-s可形成在间隔件385的第二部分385-2中但分离件380-s可不形成。

定位在间隔件385的上部(例如，上表面)上的第一功能层FL1、第二功能层FL2和阴极Cathode中的至少一个通过分离件385-s和380-s分离(例如，断开连接)。在参照图24描述的实施方式中，第一功能层FL1和第二功能层FL2通过分离件385-s和380-s分离(例如，断开连接)，并且阴极Cathode不分离(例如，断开连接)但其厚度减小。然而，不限于此，阴极Cathode可分离(例如，断开连接)。依据实施方式，定位在相邻的像素限定层380的开口OP中的发射层EML可通过分离件385-s和380-s分离(例如，断开连接)。

包括在第一功能层FL1和第二功能层FL2中的包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层和/或空穴注入层的辅助层中的至少一个可通过分离件385-s和380-s分离(例如，断开连接)。当相邻的发射层EML以及第一功能层FL1和第二功能层FL2通过分离件385-s和380-s分离(例如，断开连接)时，在两个相邻的发光二极管之间流动的电流分离为彼此没有影响。

除了分离件385-s和380-s的配置以外，间隔件385、像素限定层380和阻光层220的位置关系对应于参照图23描述的位置关系。例如，间隔件385可由与像素限定层380不同的透明有机绝缘材料制成。依据实施方式，间隔件385可由正型类型或种类的透明有机材料制成。而且，如图8中所示，像素限定层380与间隔件385的第二部分385-2之间的间隙g-1可为约5.7μm，并且其可依据实施方式而具有约3μm至约8μm的值。除了主间隔件385之外，第二部件区域EA2的部件间隔件U385还可用相同材料以相同间隙g-1布置，并且在剖视图中布置在相同位置处。

在平面视图中，阻光层220与像素限定层380和间隔件385重叠，像素限定层380具有不与阻光层220重叠的部分，并且间隔件385与阻光层220重叠。如图8中所示，阻光层220与间隔件385之间的间隙g-2表示阻光层220的端部与在阻光层220内部的间隔件385的端部之间的间隙。第二部件区域EA2的部件间隔件U385可具有这种重叠关系。

分离件385-s和380-s可形成为当第一功能层FL1和第二功能层FL2在相邻的像素限定层380的开口OP之间连接时使第一功能层FL1和第二功能层FL2以及外围层(例如，发射层EML和阴极Cathode)分离(例如，断开连接)。

现将参照图25描述对于包括一个发射层EML的发光二极管和多个发射层EML以串联结构排列的发光二极管的堆叠配置。

图25示出了根据实施方式的发射层的剖视图。

图25的(A)示出了包括一个发射层EML的发光二极管的堆叠配置，并且图25的(B)示出了包括多个发射层EML的发光二极管的堆叠配置。

参照图25的(A)，在阳极Anode与阴极Cathode之间存在发射层EML和包括定位在发射层EML上方和下方的第一功能层FL-1和第二功能层FL-2的功能层FL。功能层FL可包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层，布置在阳极Anode上方并且布置在发射层EML下方的第一功能层FL-1包括空穴注入层和空穴传输层，并且定位在发射层EML与阴极Cathode之间的第二功能层FL-2可包括电子传输层和电子注入层。依据实施方式，可不提供功能层FL的各层中的至少一个。图25的(A)示出了一般的发光二极管的堆叠结构，并且根据由发射层EML发射的光的波长来确定颜色。

图25的(B)示出了具有多个发射层EML并且具有串联结构的发光二极管的堆叠配置。图25的(B)给出的实施方式包括阳极Anode与阴极Cathode之间的三个发射层EML。相应的功能层FLa、FLb和FLc定位在相应的第一发射层EMLa、第二发射层EMLb和第三发射层EMLc上方/下方，并且中间连接层INC1和INC2各自定位在相邻的功能层之间。详细地，在具有串联结构的发光二极管中顺序地堆叠有阳极Anode、用于第一发射层EMLa的第一功能层FLa-1、第一发射层EMLa、用于第一发射层EMLa的第二功能层FLa-2、第一中间连接层INC1、用于第二发射层EMLb的第一功能层FLb-1、第二发射层EMLb、用于第二发射层EMLb的第二功能层FLb-2、第二中间连接层INC2、用于第三发射层EMLc的第一功能层FLc-1、第三发射层EMLc、用于第三发射层EMLc的第二功能层FLc-2和阴极Cathode。

这里，相应的第一发射层EMLa、第二发射层EMLb和第三发射层EMLc可配置为发射具有不同的波长的光，相应的第一功能层FLa-1、FLb-1和FLc-1可包括空穴注入层和空穴传输层，并且相应的第二功能层FLa-2、FLb-2和FLc-2可包括电子传输层和电子注入层。中间连接层INC1和INC2可各自定位在电子注入层与空穴注入层之间，并且中间连接层INC1和INC2可被称为电荷生成层。中间连接层INC1和INC2可各自降低两个相邻的功能层之间的费米能级。具有串联结构的发光二极管可配置为发射三种颜色的光，以显示白色。

依据实施方式，串联结构可包括两个发射层EMLa和EMLb，并且在这种情形下，第一中间连接层INC1可定位在第一发射层EMLa与第二发射层EMLb之间，并且多个功能层可分别定位在阳极Anode与第一发射层EMLa之间、在第一发射层EMLa与第一中间连接层INC1之间、在第一中间连接层INC1与第二发射层EMLb之间以及在第二发射层EMLb与阴极Cathode之间。

具有上述串联结构的发光二极管具有比图25的(A)的情况大的堆叠厚度，因此增加了对于相邻的显示像素的发光二极管彼此电连接的可能性，并且特别地，当分辨率增加并且像素密度增加时，进一步增加了对于缺点生成的可能性。为了使相邻的发光二极管之间的堆叠功能层分离(例如，断开连接)，可如图13、图14、图16、图19和图24中所示地形成分离件。

依据实施方式，如图25的(A)中所示，分离件385-s和380-s可定位在包括一个发射层EML的发光二极管周围，并且分离件380-s的宽度和深度可根据在像素限定层380的开口OP中是定位有一个发射层EML还是定位有多个发射层EML而改变。

现将参照图26描述显示像素的定位在发光显示面板DP的下面板层中的的电路配置。

显示像素的配置可为形成在显示区域DA中的正常像素的电路配置，或者可为形成在第二部件区域EA2中的第二部件像素的电路配置。依据实施方式，形成在第一部件区域EA1中的第一部件像素可具有与图26的电路配置相同的电路配置。

图26示出了根据实施方式的发光显示装置中包括的显示像素的电路图。

根据实施方式的一个显示像素PX(例如，参照图2)包括连接到布线127、128、151、152、153、155、171、172和741的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器C_boost以及发光二极管LED。排除发光二极管LED的晶体管和电容器配置了像素电路。依据实施方式，可不提供升压电容器C_boost。

布线127、128、151、152、153、155、171、172和741连接到一个显示像素PX。布线127、128、151、152、153、155、171、172和741包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。

第一扫描线151连接到扫描驱动器，以将第一扫描信号GW发送到第二晶体管T2和第七晶体管T7。具有与施加到第一扫描线151的电压相反极性的电压可以与第一扫描线151的第一扫描信号GW相同的时序施加到第二扫描线152。例如，当负极性电压施加到第一扫描线151时，正极性电压可施加到第二扫描线152。第二扫描线152将第二扫描信号GC发送到第三晶体管T3。初始化控制线153将初始化控制信号GI发送到第四晶体管T4。发光控制线155将发光控制信号EM发送到第五晶体管T5和第六晶体管T6。

数据线171为用于发送由数据驱动器生成的数据电压DATA的布线，并且根据此，发送到发光二极管LED的发光电流的大小改变并且由发光二极管LED发射的光的亮度也改变。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127发送第一初始化电压VINT，并且第二初始化电压线128发送第二初始化电压VAINT。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可为恒定电压。

驱动晶体管T1(也被称为第一晶体管)为p型或p类晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。

输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的大小根据驱动晶体管T1的栅电极处的电压(即，在存储电容器Cst中充电的电压)的大小来调节。由于发光二极管LED的亮度根据输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的大小来调节，因此发光二极管LED的发光亮度可根据施加到显示像素PX的数据电压DATA来调节。出于此目的，驱动晶体管T1的第一电极布置为接收驱动电压ELVDD，并且通过第五晶体管T5连接到驱动电压线172。驱动晶体管T1的第一电极连接到第二晶体管T2的第二电极以接收数据电压DATA。驱动晶体管T1的第二电极将发光电流输出到发光二极管LED，并且通过第六晶体管T6(也被称为输出控制晶体管)连接到发光二极管LED的阳极。驱动晶体管T1的第二电极连接到第三晶体管T3，以将施加到第一电极的数据电压DATA发送到第三晶体管T3。驱动晶体管T1的栅电极连接到存储电容器Cst的一个电极(在下文中，第二存储电极)。根据在存储电容器Cst中充电的电压，驱动晶体管T1的栅电极处的电压改变并且由驱动晶体管T1输出的发光电流改变。存储电容器Cst将驱动晶体管T1的栅电极处的电压维持一帧。驱动晶体管T1的栅电极连接到第三晶体管T3，以通过第三晶体管T3将施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA发送到驱动晶体管T1的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极可连接到第四晶体管T4以接收第一初始化电压VINT并且被初始化。

第二晶体管T2为p型或p类晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。第二晶体管T2允许数据电压DATA被接收到显示像素PX中。第二晶体管T2的栅电极连接到第一扫描线151和升压电容器C_boost的一个电极(被称为下升压电极)。第二晶体管T2的第一电极连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。当第二晶体管T2由自通过第一扫描线151发送的第一扫描信号GW之中的负极性电压导通时，通过数据线171发送的数据电压DATA发送到驱动晶体管T1的第一电极，并且数据电压DATA发送到驱动晶体管T1的栅电极并且在存储电容器Cst中充电。

第三晶体管T3为n型或n类晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第三晶体管T3电连接驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅电极。结果，当数据电压DATA通过驱动晶体管T1的阈值电压被补偿时，第三晶体管T3将经补偿的数据电压DATA存储在存储电容器Cst的第二存储电极中。第三晶体管T3的栅电极连接到第二扫描线152，并且第三晶体管T3的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极连接到存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器C_boost的另一电极(被称为上升压电极)。第三晶体管T3由自通过第二扫描线152接收的第二扫描信号GC之中的正极性电压导通，以连接驱动晶体管T1的栅电极和驱动晶体管T1的第二电极，并且将施加到驱动晶体管T1的栅电极的电压发送到存储电容器Cst的第二存储电极，以将其在存储电容器Cst中充电。在这种情形下，关于在存储电容器Cst中充电的电压，存储了当驱动晶体管T1关断时驱动晶体管T1的栅电极处的电压，并且补偿了驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)值并且然后被存储。

第四晶体管T4为n型或n类晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第四晶体管T4将驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst的第二存储电极初始化。第四晶体管T4的栅电极连接到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极连接到第一初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极连接到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器C_boost的上升压电极。第四晶体管T4由自通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI之中的正极性电压导通，并且在这种情形下，第一初始化电压VINT发送到驱动晶体管T1的栅电极、存储电容器Cst的第二存储电极和升压电容器C_boost的上升压电极，以进行初始化。

第五晶体管T5和第六晶体管T6为p型或p类晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。

第五晶体管T5将驱动电压ELVDD发送到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极连接到发光控制线155，第五晶体管T5的第一电极连接到驱动电压线172，并且第五晶体管T5的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。

第六晶体管T6将由驱动晶体管T1输出的发光电流发送到发光二极管LED。第六晶体管T6的栅电极连接到发光控制线155，第六晶体管T6的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极连接到发光二极管LED的阳极。

第七晶体管T7为p型或p类或者n型或n类晶体管，其可具有硅半导体或氧化物半导体作为半导体层，并且在图26给出的实施方式中，第七晶体管T7为p型或p类晶体管并且包括硅半导体。第七晶体管T7将发光二极管LED的阳极初始化。第七晶体管T7的栅电极连接到第一扫描线151，第七晶体管T7的第一电极连接到发光二极管LED的阳极，并且第七晶体管T7的第二电极连接到第二初始化电压线128。这里，第七晶体管T7的栅电极连接到前一级的显示像素PX的第一扫描线151，所以其可不连接到与属于同一显示像素PX的第二晶体管T2的栅电极相同的第一扫描线151，而是可连接到与前一级的显示像素PX的第二晶体管T2的栅电极相同的第一扫描线151。当第七晶体管T7由自通过第一扫描线151发送的第一扫描信号GW之中的负极性电压导通时，第二初始化电压VAINT施加到发光二极管LED的阳极并且进行初始化。以另一方式，第七晶体管T7的栅电极可连接到用于发送旁路信号GB的单独的旁路控制线，并且可通过与第一扫描线151不同的布线来控制或选择。依据实施方式，用于施加第二初始化电压VAINT的第二初始化电压线128可与用于施加第一初始化电压VINT的第一初始化电压线127相同。

已描述了一个显示像素PX包括七个晶体管T1至T7和两个电容器(存储电容器Cst和升压电容器C_boost)，并且不限于此，依据实施方式，可不提供升压电容器C_boost。第三晶体管T3和第四晶体管T4已在实施方式中描述为形成为n型或n类晶体管，并且第三晶体管T3和第四晶体管T4中的一个可形成为n型或n类晶体管，或者另一晶体管(例如，第七晶体管等)可形成为n型或n类晶体管。

虽然已结合目前被认为是实际的实施方式对本公开进行描述，但将理解的是，本公开不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在涵盖包括在所附的权利要求书的精神和范围内的一个或多个合适的修改和等同布置。

附图标记的描述

1000：发光显示装置 DA、DA1-1、DA1-2：显示区域DP：发光显示面板 EA、EA1、EA2：部件区域ES、ES1、ES2：光学元件 380：像素限定层

OP、OPr、OPg、OPb：像素限定层的开口

220：阻光层

OPBM：阻光层的开口

385、385-1、385-2：间隔件

U385、U385-1、U385-2：部件间隔件

385-s、380-s：分离件 UPC：单位像素

UTA：透光区域 UBML：阻光部分

PCX-r、PCX-g、PCX-b：像素电路

Anode：阳极Cathode：阴极

EML、EMLa、EMLb、EMLc：发射层

FL、FL1、FL2、FL-1、FL-2、FLa、FLb、FLc、FLa-1、FLb-1、FLc-1、FLa-2、FLb-2、FLc-2：功能层

INC1、INC2：中间连接层

400、401、402、403：封装层

50：驱动器230、230R、230G、230B：滤色器

501、510、511：感测绝缘层

540、541：感测电极 550：平坦化层

110：衬底 111：缓冲层

141、142、143：栅极绝缘层 161、162：层间绝缘层180、181、182、183：有机层

Claims (10)

1.一种发光显示装置，包括：

衬底；

阳极，所述阳极在所述衬底上；

像素限定层，所述像素限定层具有与所述阳极重叠的开口；

发射层，所述发射层在所述像素限定层的所述开口中；

间隔件，所述间隔件在所述像素限定层上并且具有台阶；

阴极，所述阴极在所述发射层、所述像素限定层和所述间隔件上；

封装层，所述封装层在所述阴极上；以及

阻光层，所述阻光层在所述封装层上，

其中，所述间隔件包括第一部分和第二部分，所述第二部分低于所述第一部分并且与所述第一部分一体地布置，并且

所述间隔件的所述第一部分和所述第二部分在平面视图中与所述阻光层重叠。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，

所述间隔件由透明的光敏聚酰亚胺或正型的光敏有机材料制成，并且

所述像素限定层包括阻光材料并且由负型的黑色有机材料制成。

3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，

所述间隔件包括具有凹槽结构的分离件，并且

所述间隔件的所述分离件的所述凹槽结构布置为直至所述像素限定层，并且所述像素限定层包括附加的分离件。

4.根据权利要求3所述的发光显示装置，还包括：

功能层，所述功能层在所述像素限定层和所述间隔件上方并且在所述阴极下方，

其中，所述功能层包括在所述阳极与所述发射层之间的第一功能层以及在所述发射层与所述阴极之间的第二功能层，并且

所述第一功能层和所述第二功能层中的至少一个通过所述分离件断开连接。

5.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，

所述发射层包括第一发射层和第二发射层，

其中，所述发光显示装置还包括：

中间连接层，所述中间连接层在所述第一发射层与所述第二发射层之间，以及

功能层，所述功能层在所述阳极与所述阴极之间，

其中，所述功能层在所述第一发射层与所述中间连接层之间、在所述中间连接层与所述第二发射层之间和/或在所述第二发射层与所述阴极之间，并且

其中，所述功能层的一部分通过所述分离件断开连接。

6.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，

所述分离件包括沿着所述像素限定层的所述开口的至少一部分布置的开口对应部分，并且

所述分离件还包括从所述开口对应部分延伸的延伸部。

7.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，

所述像素限定层包括具有凹槽结构的分离件，并且

所述间隔件在平面视图中在所述分离件内部，并且所述分离件在所述平面视图中不与所述间隔件重叠。

8.一种发光显示装置，包括：

主显示区域；以及

第二部件区域，所述第二部件区域对应于所述主显示区域的后侧上的光学元件，

其中，所述第二部件区域包括：

单位像素，所述单位像素包括多个发光二极管，

部件间隔件，所述部件间隔件布置在所述单位像素中的所述多个发光二极管间，以及

透光区域，所述透光区域在所述单位像素周围，

所述部件间隔件具有T形形状，并且

所述部件间隔件包括第一部分和第二部分，所述第二部分低于所述第一部分并且与所述第一部分一体地提供。

9.根据权利要求8所述的发光显示装置，其中，

所述单位像素还包括像素限定层，所述像素限定层包括多个开口，

所述发光显示装置还包括阻光层，所述阻光层具有与所述像素限定层的相应的开口重叠的开口，

其中，所述像素限定层的所述多个开口分别对应于所述单位像素中包括的所述多个发光二极管，

其中，所述部件间隔件在所述像素限定层上，

其中，整个所述部件间隔件在平面视图中与所述阻光层重叠，

其中，所述部件间隔件由光敏聚酰亚胺或正型的光敏有机材料制成，并且

其中，所述像素限定层包括阻光材料并且由负型的黑色有机材料制成。

10.根据权利要求8所述的发光显示装置，其中，

所述单位像素包括三个发光二极管，所述三个发光二极管包括：

第一发光二极管；以及

第二发光二极管和第三发光二极管，其中，所述第一发光二极管在所述第二发光二极管和所述第三发光二极管的左侧沿所述单位像素的长度方向，所述第二发光二极管在所述第三发光二极管上方,并且所述第二发光二极管和所述第三发光二极管在所述第一发光二极管的右侧沿所述长度方向，

其中，所述部件间隔件布置在所述第一发光二极管、所述第二发光二极管和所述第三发光二极管间，并且所述部件间隔件具有沿逆时针方向旋转90度的T形形状，

其中，所述部件间隔件的所述第一部分具有沿所述逆时针方向旋转90度的T形形状，

其中，所述部件间隔件的所述第二部分在所述第一部分的相应的侧上，并且

其中，所述部件间隔件的所述第一部分和所述第二部分的端部彼此对应。