CN116709863A - 发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了发光显示装置。发光显示装置包括显示区域和定位在显示区域内并且包括多个像素的第一部件区域，多个像素中的每个像素包括像素电路部分，并且第一部件区域还包括在多个像素之间的第一光传感器区域和第二光传感器区域。第一光传感器区域包括定位在相邻的像素电路部分之间的第一子光传感器区域和定位在第一子光传感器区域的前表面上并且包括在平面上与第一个子光传感器区域重叠的开口的阻光层。第二光传感器区域包括定位在其它相邻的像素电路部分之间的第二子光传感器区域和定位在第二子光传感器区域的前表面上并且与第二子光传感器区域重叠的阻光层。

Description

发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年2月24日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0024511号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本公开的实施方式涉及发光显示装置，并且涉及包括在显示区域的后表面上的传感器的发光显示装置。
背景技术
显示装置在屏幕上显示图像，并且包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器等。这些显示装置用于各种电子装置，诸如便携式电话、导航装置、数码相机、电子图书、便携式游戏机或各种终端。
诸如有机发光装置的显示装置可具有显示装置能够弯曲或折叠的柔性衬底。
此外，在诸如便携式电话的小型电子装置中，诸如相机和光学传感器的光学元件能够形成在为显示区域的外围的边框区域中，然而，由于显示区域的外围区域的尺寸在显示屏幕的尺寸在增大的同时在逐渐减小，因此在研发允许相机或光学传感器定位在显示区域的后表面上的技术。
发明内容
实施方式调整发光显示装置中的定位在传感器前面的部件区域的透射率，以在允许传感器操作的情况下附加地改善部件区域的反射颜色。
根据实施方式的发光显示装置包括显示区域和定位在显示区域内并且包括多个像素的第一部件区域，其中多个像素中的每个像素包括像素电路部分，并且第一部件区域还包括在多个像素之间的第一光传感器区域和第二光传感器区域。第一光传感器区域包括定位在相邻的像素电路部分之间的第一子光传感器区域以及定位在第一子光传感器区域的前表面上并且包括与第一子光传感器区域重叠的开口的阻光层。第二光传感器区域包括定位在其它相邻的像素电路部分之间的第二子光传感器区域以及定位在第二子光传感器区域的前表面上并且与第二子光传感器区域重叠的阻光层。
第一子光传感器区域和第二子光传感器区域中的一种可与第一部件区域中的所有像素电路部分相邻，第一部件区域可包括多个第一光传感器区域，第一部件区域可包括多个第二光传感器区域，并且多个第一光传感器区域的数量等于或小于多个第二光传感器区域的数量。
第一部件区域可包括对于一个第一光传感器区域形成有一个第二光传感器区域的1/2周期、对于一个第一光传感器区域形成有三个第二光传感器区域的1/4周期、对于三个第一光传感器区域形成有五个第二光传感器区域的3/8周期、对于一个第一光传感器区域形成有七个第二光传感器区域的1/8周期以及对于一个第一光传感器区域形成有八个第二光传感器区域的1/9周期中的一个或多个。
第一部件区域可具有大于0.12％的透射率。
第一部件区域可划分为中心区域和外围区域。第一部件区域的中心区域的第一周期可不同于第一部件区域的外围区域的第二周期。
第一周期可具有比第二周期的值大的值。
发光显示装置可还包括布置在像素电路部分与阻光层之间的黑色像素限定层，并且黑色像素限定层可具有附加开口，附加开口与第一光传感器区域中的第一子光传感器区域重叠并且不与第二光传感器区域中的第二子光传感器区域重叠。
发光显示装置还可包括布置在像素电路部分与阻光层之间的黑色像素限定层，并且黑色像素限定层可具有在第一光传感器区域中的与第一子光传感器区域重叠的部分和在第二光传感器区域中的与第二子光传感器区域重叠的部分上的附加开口。
发光显示装置还可包括布置在阻光层上的滤色器。
多个像素还可包括发光元件。发光元件可包括阳极、发射层和阴极。发光显示装置还可包括覆盖发光元件和像素电路部分并且定位在阻光层下方的封装层以及布置在阻光层的前表面上并且选择性地吸收一个或多个预定波长带的光的反射调整层。
发光显示装置还可包括布置在阴极上并且在阴极与封装层之间的覆盖层和布置在覆盖层上的低反射层。
根据实施方式的发光显示装置包括显示区域和定位在显示区域内并且包括多个像素的第一部件区域，其中多个像素中的每个像素包括像素电路部分，并且第一部件区域还包括在多个像素之间的第一光传感器区域和第二光传感器区域。第一光传感器区域包括定位在相邻的像素电路部分之间的第一子光传感器区域以及定位在第一子光传感器区域的前表面上并且包括与第一子光传感器区域重叠的开口的黑色像素限定层。第二光传感器区域包括定位在其它相邻的像素电路部分之间的第二子光传感器区域以及定位在第二子光传感器区域的前表面上并且与第二子光传感器区域重叠的黑色像素限定层。
第一子光传感器区域和第二子光传感器区域中的一种可与第一部件区域中的所有像素电路部分相邻。第一部件区域可包括多个第一光传感器区域，第一部件区域可包括多个第二光传感器区域，并且多个第一光传感器区域的数量等于或小于多个第二光传感器区域的数量。
第一部件区域可包括对于一个第一光传感器区域形成有一个第二光传感器区域的1/2周期、对于一个第一光传感器区域形成有三个第二光传感器区域的1/4周期、对于三个第一光传感器区域形成有五个第二光传感器区域的3/8周期、对于一个第一光传感器区域形成有七个第二光传感器区域的1/8周期以及对于一个第一光传感器区域形成有八个第二光传感器区域的1/9周期中的一个或多个。
第一部件区域可具有大于0.12％的透射率。
第一部件区域可划分为中心区域和外围区域，并且第一部件区域的中心区域的第一周期可不同于第一部件区域的外围区域的第二周期。
第一周期可具有比第二周期的值大的值。
发光显示装置还可包括布置在黑色像素限定层上的阻光层和布置在阻光层上的滤色器。
多个像素还可包括发光元件。发光元件可包括阳极、发射层和阴极。发光显示装置还可包括覆盖发光元件和像素电路部分的封装层、布置在封装层上的阻光层以及布置在阻光层的前表面上并且吸收一个或多个预定波长带的光的反射调整层。
发光显示装置还可包括布置在阴极上并且在阴极与封装层之间的覆盖层和布置在覆盖层上的低反射层。
根据实施方式的发光显示装置包括显示区域和定位在显示区域内并且包括多个像素的第一部件区域，其中多个像素中的每个像素包括像素电路部分，并且第一部件区域还包括在多个像素之间的第一光传感器区域和第二光传感器区域。第一光传感器区域包括定位在相邻的像素电路部分之间的第一子光传感器区域以及定位在第一子光传感器区域的前表面上并且包括在与第一光传感器区域中的第一子光传感器区域重叠的部分上的开口的黑色像素限定层。第二光传感器区域包括定位在其它相邻的像素电路部分之间的第二子光传感器区域以及定位在第二子光传感器区域的前表面上并且包括在与第二子光传感器区域重叠的部分上的开口的黑色像素限定层。
第一子光传感器区域和第二子光传感器区域中的一种可与第一部件区域中的所有像素电路部分相邻。第一部件区域可包括多个第一光传感器区域，第一部件区域可包括多个第二光传感器区域，并且多个第一光传感器区域的数量等于或小于多个第二光传感器区域的数量。
第一部件区域可包括对于一个第一光传感器区域形成有一个第二光传感器区域的1/2周期、对于一个第一光传感器区域形成有三个第二光传感器区域的1/4周期、对于三个第一光传感器区域形成有五个第二光传感器区域的3/8周期、对于一个第一光传感器区域形成有七个第二光传感器区域的1/8周期以及对于一个第一光传感器区域形成有八个第二光传感器区域的1/9周期中的一个或多个。
第一部件区域可具有大于0.12％的透射率。
第一部件区域可划分为中心区域和外围区域，并且第一部件区域的中心区域的第一周期可不同于第一部件区域的外围区域的第二周期。
第一周期可具有比第二周期的值大的值。
发光显示装置还可包括布置在黑色像素限定层上的阻光层和布置在阻光层上的滤色器。
多个像素还可包括发光元件。发光元件可包括阳极、发射层和阴极。发光显示装置还可包括覆盖发光元件和像素电路部分的封装层、布置在封装层上的阻光层以及布置在阻光层的前表面上并且吸收一个或多个预定波长带的光的反射调整层。
发光显示装置还可包括布置在阴极上并且在阴极与封装层之间的覆盖层和布置在覆盖层上的低反射层。
根据实施方式，包括像素电路部分和发光二极管的像素的像素电路部分也包括光能够穿过的子光传感器区域，多个子光传感器区域的部分包括与光可穿过的定位在阻光层或黑色像素限定层中的开口重叠的第一光传感器区域，并且剩余的子光传感器区域包括与阻光层或黑色像素限定层重叠并且光不可穿过的第二光传感器区域。相应地，定位在第一部件区域的后表面上的传感器能够检测发光显示装置的前表面，并且能够改善第一部件区域中的光的反射颜色。此外，根据实施方式，能够防止部件区域由于反射率或反射颜色不同于围绕部件区域的显示区域而由用户识别。
附图说明
图1是根据实施方式的显示装置的示意性透视图。
图2是根据实施方式的显示装置的分解透视图。
图3是根据实施方式的显示装置的框图。
图4是根据实施方式的发光显示装置的透视图。
图5是根据实施方式的发光显示装置的部分区域的俯视图。
图6是根据实施方式的发光显示装置的像素的电路图。
图7至图19示出了根据实施方式的发光显示装置的下面板层的根据制造顺序的每层的结构。
图20是根据实施方式的发光显示装置的剖视图。
图21至图23是根据实施方式的第一部件区域的俯视图。
图24和图25示出了根据实施方式的光传感器区域的平面形状。
图26和图27示出了根据实施方式的第一部件区域。
图28至图33是根据周期的透射率的曲线图。
图34是根据实施方式的第一部件区域的示意性俯视图。
图35和图36是根据实施方式的第一光传感器区域和第二光传感器区域的剖视图。
图37至图39是根据实施方式的第一部件区域的示意性俯视图。
图40至图42是根据实施方式的发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照示出了本公开的实施方式的附图，对本公开的实施方式更加全面地描述。如本领域普通技术人员将意识到的，实施方式可在所有不背离本公开的实施方式的精神或范围的情况下以各种不同的方式进行修改。
附图和描述本质上将被认为示出性的，并且不为限制性的。在整个说明书中，类似的附图标记可表示类似的元件。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，该元件能够直接在另一元件上，或者也可存在居间元件。
在整个说明书中，“连接”不仅意味着两个或更多个构成元件直接连接，而且意味着当两个或更多个构成元件通过其它构成元件间接连接时，以及物理连接或电连接的情况。
此外，诸如移动电话、TV、监视器、膝上型计算机等的在说明书中描述的显示装置和包括显示面板的电子装置、或通过说明书中描述的制造方法制造的显示装置和包括显示面板的电子装置等不从本说明书的范围排除。在本文中，发光显示装置可被称为显示装置。
在下文中，参照图1至图3描述显示装置的示意性结构。图1是根据实施方式的显示装置的示意性透视图，图2是根据实施方式的显示装置的分解透视图，并且图3是根据实施方式的显示装置的框图。
参照图1，根据实施方式的发光显示装置1000能够显示运动图片或静止图像，并且能够用作诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告板、物联网(IOT)装置等的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子笔记本、电子书、PMP(便携式多媒体播放器)、导航装置、UMPC(超移动PC)等的便携式电子装置的显示屏。此外，根据实施方式的显示装置1000能够用于诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置。此外，根据实施方式的显示装置1000能够用作汽车的仪表板、汽车的中央仪表板、布置在仪表板上的CID(中央信息显示器)、替换汽车的侧视镜的室内后视镜显示器、用于汽车的后座的娱乐装置或布置在前座的后表面上的显示器。为了理解和描述的便利，图1示出了显示装置1000用作智能电话。
显示装置1000在第三方向DR3上在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行的显示表面上显示图像。第三方向DR3垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。显示图像的显示表面对应于显示装置1000的前表面并且对应于覆盖窗WU的前表面。图像可包括静态图像以及动态图像。
在实施方式中，基于显示图像的方向限定每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)。前表面和后表面在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和后表面中的每个的法线方向与第三方向DR3平行。前表面与后表面之间在第三方向DR3上的分开距离对应于显示面板的在第三方向DR3上的厚度。
根据实施方式的显示装置1000检测如由图1中的手指示的用户的输入。用户的输入能够为各种类型的外部输入中的一种，诸如使用用户的身体的部分、光、热或压力。在实施方式中，用户的输入示出为施加到前面的用户的手。然而，本公开的实施方式不必限于此。用户的输入能够以各种形式提供，并且根据显示装置1000的结构，显示装置1000能够感测施加到显示装置1000的侧表面或后表面的用户的输入。
参照图1和图2，显示装置1000包括覆盖窗WU、壳体HM、显示面板DP和光学元件ES。在实施方式中，覆盖窗WU和壳体HM组合以构成显示装置1000的外观。
覆盖窗WU包括绝缘面板。例如，覆盖窗WU由玻璃、塑料和其组合物中的一种制成。
覆盖窗WU的前表面为显示装置1000的前表面。前表面包括透射区域TA和阻挡区域BA。透射区域TA为光学透明区域。例如，透射区域TA具有约90％或更大的可见光透射率。
阻挡区域BA限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA与透射区域TA相邻并且围绕透射区域TA。与透射区域TA相比，阻挡区域BA具有相对低的透射率。阻挡区域BA包括阻挡光的不透明材料。阻挡区域BA具有预定颜色。阻挡区域BA由与限定透射区域TA的覆盖窗WU分开提供的边框层限定，或者可由插入或着色到覆盖窗WU中的墨水层限定。
显示面板DP显示图像并且包括驱动部分50。显示面板DP包括包含有显示区域DA和非显示区域PA的前表面。显示区域DA为像素PX所位于之处，并且根据电信号发射光。
在实施方式中，显示区域DA为显示图像之处，并且为通过具有定位在像素PX的在第三方向DR3上的上侧上的触摸传感器而感测外部输入之处。
覆盖窗WU的透射区域TA与显示面板DP的显示区域DA至少部分地重叠。例如，透射区域TA与显示区域DA的前表面重叠或与显示区域DA的至少一部分重叠。相应地，用户能够通过透射区域TA感知图像或基于图像提供外部输入。然而，本公开的实施方式不必限于此。例如，在显示区域DA中，显示图像的区域和检测外部输入的区域可彼此分离。
显示面板DP的非显示区域PA与覆盖窗WU的阻挡区域BA至少部分地重叠。非显示区域PA由阻挡区域BA覆盖。非显示区域PA与显示区域DA相邻并且围绕显示区域DA。图像不显示在非显示区域PA中，并且驱动显示区域DA的驱动电路或驱动布线布置在非显示区域PA中。非显示区域PA包括定位在显示区域DA外部的第一外围区域PA1以及包括驱动部分50、连接布线和可弯曲区域的第二外围区域PA2。在图2的实施方式中，第一外围区域PA1定位在显示区域DA的三边上，并且第二外围区域PA2定位在显示区域DA的其它边上，然而，实施方式不必限于此。
在实施方式中，显示面板DP在显示区域DA和非显示区域PA面对覆盖窗WU的平坦状态下组装。然而，本公开的实施方式不必限于此。显示面板DP的非显示区域PA的部分能够弯曲。例如，非显示区域PA的部分能够面对显示装置1000的后表面，使得在显示装置1000的前表面示出的阻挡区域BA在面积上减小，并且如图2中所示，第二外围区域PA2能够弯曲以定位在显示区域DA的后表面上，并且然后组装。
此外，显示面板DP包括部件区域EA，诸如第一部件区域EA1和第二部件区域EA2。第一部件区域EA1和第二部件区域EA2至少部分地由显示区域DA围绕。尽管第一部件区域EA1和第二部件区域EA2示出为彼此间隔开，但本公开的实施方式不必限于此，并且部件区域中的至少一些可连接。使用红外光、可见光或声音的部件布置在第一部件区域EA1和第二部件区域EA2下面。
显示区域DA包括多个发光二极管(LED)和多个像素电路部分，多个像素电路部分各自生成发光电流并且各自将发光电流发送到多个发光二极管(LED)中的对应的发光二极管。一个发光二极管(LED)和一个像素电路部分被称为像素PX。在显示区域DA中，像素电路部分和发光二极管(LED)一对一地形成。
第一部件区域EA1包括包含有允许光穿过的透明层以及具有与第一部件区域EA1重叠的开口的包括阻光材料的像素限定层和阻光层的区域，从而具有不阻挡光的结构。导电层或半导体层可不位于第一部件区域EA1中。
第二部件区域EA2包括光或/和声音能够穿过的透射部分和包括多个像素的显示部分。透射部分定位在相邻的像素之间，并且包括光或/和声音能够穿过的透明层。显示部分包括各自包含有多个像素的多个单元结构，并且透射部分定位在相邻的单元结构之间。
除了图1和图2之外，还参照图3，在实施方式中，显示面板DP包括包含有显示像素的显示区域DA和触摸传感器TS。在本文中，显示像素可是指图2中的像素PX。包括生成图像的显示像素，用户通过透射区域TA在视觉上感知显示面板DP。此外，触摸传感器TS定位在显示像素上，并且检测外部输入。触摸传感器TS检测提供到覆盖窗WU的外部输入。
再次参照图2，在实施方式中，第二外围区域PA2包括可弯曲部分。显示区域DA和第一外围区域PA1具有基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的平坦表面，并且第二外围区域PA2的一侧从该平坦表面延伸并且在可弯曲部分的另一侧上具有平坦表面。结果，第二外围区域PA2的至少一部分能够弯曲，并且组装为定位在显示区域DA的后表面侧上。当组装时，第二外围区域PA2的至少一部分与显示区域DA重叠，使得能够在尺寸上减小显示装置1000的阻挡区域BA。然而，本公开的实施方式不必限于此。例如，在实施方式中，第二外围区域PA2不弯曲。
驱动部分50安装在第二外围区域PA2上，并且可安装在可弯曲部分上或定位在可弯曲部分的一侧上。驱动部分50可为集成电路芯片。
驱动部分50与显示区域DA电连接，并且将电信号发送到显示区域DA。例如，驱动部分50将数据信号发送到布置在显示区域DA中的像素PX。此外，驱动部分50包括触摸驱动电路，并且电连接到布置在显示区域DA中的触摸传感器TS。此外，除了上述电路之外，驱动部分50还可包括各种其它电路，并且可将各种其它电信号提供到显示区域DA。
在第二外围区域PA2的端部处定位有焊盘部分，并且显示装置1000通过焊盘部分电连接到包括驱动芯片的柔性印刷电路板(FPCB)。例如，驱动芯片可包括驱动显示装置1000的各种驱动电路或用于电源的连接器。根据实施方式，使用刚性印刷电路板(PCB)代替柔性印刷电路板。
光学元件ES布置在显示面板DP下方。光学元件ES包括与第一部件区域EA1重叠的第一光学元件ES1和与第二部件区域EA2重叠的第二光学元件ES2。
第一光学元件ES1使用光或声音。例如，第一光学元件ES1为诸如红外传感器的接收并且使用光的传感器、输出并且感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯或输出声音的扬声器等。对于使用光的电子元件，能够使用各种波长带的光，诸如可见光、红外光和紫外光。
第二光学元件ES2为相机、红外相机(IR相机)、点投影仪、红外照明器和飞行时间传感器(ToF传感器)中的至少一种。
参照图3，在实施方式中，显示装置1000包括显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2彼此电连接。图3示出了如定位在显示区域DA中的显示像素和触摸传感器TS作为实例，然而，实施方式不必限于此。
电源模块PM对于显示装置1000的整体操作供给电力。电源模块PM可包括常规电池模块。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2包括操作显示装置1000的各种功能模块。第一电子模块EM1可直接安装在与显示面板DP电连接的母板上，或者可安装在单独的衬底上并且通过连接器电连接到母板。
第一电子模块EM1包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。模块中的一些可能未安装在母板上，并且可通过与其连接的柔性印刷电路板电连接到母板。
控制模块CM控制显示装置1000的整体操作。控制模块CM可为微处理器。例如，控制模块CM激活或禁用显示面板DP。控制模块CM基于从显示面板DP接收的触摸信号控制诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM的其它模块。
无线通信模块TM能够使用诸如蓝牙或Wi-Fi的无线协议与其它终端发送/接收无线信号。无线通信模块TM能够通过使用通用通信线路发送/接收语音信号。无线通信模块TM包括调制并发送信号的发送器TM1和解调所接收的信号的接收器TM2。
图像输入模块IIM处理图像信号，以转换为能够在显示面板DP上显示的图像数据。音频输入模块AIM以记录模式或语音识别模式等通过麦克风接收外部声音信号，以转换为电音频数据。
外部接口IF连接到外部充电器、有线/无线数据端口或卡(诸如存储器卡、SIM/UIM卡等)插槽。
第二电子模块EM2包括音频输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM，并且这些中的至少一些为如图1和图2中所示的定位在显示面板DP的后表面上的光学元件ES。光学元件ES包括发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM。此外，第二电子模块EM2可直接安装在母板上，或者可安装在单独的衬底上并且通过连接器电连接到显示面板DP或者电连接到第一电子模块EM1。
音频输出模块AOM转换从无线通信模块TM接收的音频数据或存储在存储器MM中的音频数据以输出。
发光模块LM生成并且输出光。发光模块LM可输出红外光。例如，发光模块LM包括LED元件。光接收模块LRM检测红外光。例如，当检测到预定水平以上的红外光时，光接收模块LRM激活。光接收模块LRM包括CMOS传感器。在输出由发光模块LM生成的红外光之后，红外光由外部对象(诸如用户的手指或面部)反射，并且反射的红外光入射到光接收模块LRM上。相机模块CMM能够获取外部图像。
在实施方式中，光学元件ES附加地包括光传感器或热传感器。光学元件ES通过前表面检测外部物体，或者通过前表面输出诸如语音的声音信号。此外，在实施方式中，光学元件ES包括多个附加部件，并且不必限于任何一个实施方式。
再次参照图2，在实施方式中，壳体HM与覆盖窗WU联接。覆盖窗WU布置在壳体HM的前侧中。壳体HM与覆盖窗WU组合以提供预定容纳空间。显示面板DP和光学元件ES容纳在壳体HM与覆盖窗WU之间提供的预定容纳空间中。
壳体HM包括高刚性材料。例如，壳体HM包括由玻璃、塑料和金属以及其组合物中的一种制成的多个框架和/或板。壳体HM可靠地保护显示装置1000的内部空间中的部件免受外部冲击的影响。
在下文中，参照图4描述根据实施方式的显示装置1000的结构。图4是根据实施方式的显示装置的透视图。省略了参照图1至图3描述的相同构造的重复描述。
图4的实施方式为显示装置1000基于折叠轴FAX折叠的可折叠显示装置。
参照图4，在实施方式中，显示装置1000为可折叠显示装置。显示装置1000能够基于折叠轴FAX向外或向内折叠。当向外折叠时，显示装置1000的显示表面定位在第三方向DR3上的外侧，使得在两个方向上显示图像。当向内折叠时，显示表面定位在第三方向DR3上的内侧并且不能从外部在视觉上感知。
在实施方式中，显示装置1000包括显示区域DA、部件区域EA和非显示区域PA。显示区域DA划分为第1-1显示区域DA1-1、第1-2显示区域DA1-2和可折叠区域FA。第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2分别定位在折叠轴FAX的左侧和右侧，并且可折叠区域FA定位在第1-1显示区域DA1-1与第1-2显示区域DA1-2之间。例如，当绕折叠轴FAX向外折叠时，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2在第三方向DR3上面向外，并且图像能够在两个方向上显示。此外，当绕折叠轴FAX向内折叠时，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2面向内，并且图像不能从外部在视觉上感知。
图5是根据实施方式的发光显示装置的部分区域的俯视图。
图5示出了根据实施方式的移动电话的发光显示面板DP的部分。
发光显示面板DP包括定位在前表面的显示区域DA和在前表面的部件区域EA，并且具体地包括第一部件区域EA1和第二部件区域EA2。此外，在图5的实施方式中，第一部件区域EA1定位为与第二部件区域EA2相邻。在图5的实施方式中，第一部件区域EA1定位到第二部件区域EA2的左侧。第一部件区域EA1的位置和数量可对于每个实施方式改变。在图5中，对应于第二部件区域EA2的光学元件可为相机，并且对应于第一部件区域EA1的光学元件可为光学传感器。
在显示区域DA中形成有多个发光二极管LED(例如，参见图6)和多个像素电路部分，多个像素电路部分各自生成发光电流并且各自将发光电流发送到多个发光二极管LED中的对应的发光二极管LED。例如，一个发光二极管LED和一个像素电路部分被称为像素PX(例如，参见图2)。在显示区域DA中，像素电路部分和发光二极管LED一对一地形成。在下文中，显示区域DA也被称为“正常显示区域”。尽管图5没有示出切割线下方的发光显示面板DP的结构，但显示区域DA在切割线下面延伸。
第一部件区域EA1包括允许光穿过的透明层。透明层不具有导电层或半导体层，但在下面板层中包括子光传感器区域OPS(在图17中示出)，并且在对应于子光传感器区域OPS的位置处形成有在下文中也被称为附加开口的开口，从而具有不阻挡光的结构。
多个相邻的子光传感器区域OPS构成一个第一部件区域EA1。即使子光传感器区域OPS定位在下面板层中，下面板层的上层中也可不存在开口。例如，开口形成在既与定位在第一部件区域EA1中的子光传感器区域OPS部分地重叠又部分地阻挡定位在第一部件区域EA1中的子光传感器区域OPS的上面板层中。这些上层包括黑色像素限定层380和阻光层220，这将在下面进行描述。第一部件区域EA1的子光传感器区域OPS的部分透射光，使得即使传感器形成在发光显示装置的后表面，也能够检测前表面。另一方面，如果子光传感器区域OPS定位在显示区域DA中，则其由诸如前面提及的黑色像素限定层380和/或阻光层220的上层阻挡，并且相应地，不存在光能够穿过的区域，使得传感器不能定位在后表面。下面描述的图7至图19示出了一个像素和一个子光传感器区域OPS，并且具有第一部件区域EA1或显示区域DA的像素结构。另一方面，根据实施方式，图7至图19的像素也形成在第二部件区域EA2中。
根据实施方式的发光显示面板DP划分为下面板层和上面板层。下面板层为构成像素的发光二极管LED和像素电路部分定位之处，并且包括覆盖像素的封装层(参照图20的封装层400)。也就是说，下面板层从衬底(参照图20中的衬底110)延伸到封装层，并且也包括阳极(参照图20中的阳极Anode)、黑色像素限定层(参照图20中的黑色像素限定层380)、发射层(参照图20中的发射层EML)、间隔件(参照图20中的间隔件385)、功能层(参照图20中的功能层FL)和阴极(参照图20中的阴极Cathode)，并且包括绝缘层、半导体层以及在衬底与阳极之间的导电层。另一方面，上面板层定位在封装层上面，并且包括感测绝缘层(参照图20中的感测绝缘层501、510和511)和能够感测触摸的多个感测电极(参照图20中的感测电极540和541)，并且也包括阻光层(参照图20的阻光层220)、滤色器层(参照图20中的滤色器层230)和平坦化层(参照图20的平坦化层550)。
显示区域DA的下面板层的结构参照图7至图20进行描述。
外围区域进一步定位在图5中所示的显示区域DA外部。此外，图5示出了用于移动电话的发光显示面板DP，但实施方式不必限于此，只要光学元件能够定位在显示面板的后表面上，并且显示面板为柔性显示装置即可。在可折叠显示装置的情况下，第二部件区域EA2和第一部件区域EA1可形成在与图5中所示的位置不同的位置。
在以下中，参照图6详细描述定位在发光显示面板DP的下面板层的像素的电路结构。
图6示出了显示区域DA和/或包括子光传感器区域OPS的第一部件区域EA1的像素结构。例如，多个相邻的子光传感器区域OPS可构成一个第一部件区域EA1。例如，当诸如阻光层的阻光部分被去除时，子光传感器区域OPS定位在第一部件区域EA1中，并且当光由子光传感器区域OPS的上部上的阻光层阻挡时，子光传感器区域OPS定位在显示区域DA中。另一方面，即使光由上部上的阻光层阻挡，一些子光传感器区域OPS也可定位在第一部件区域EA1中。此外，根据实施方式，像素形成在第二部件区域EA2中，并且像素的电路图与图6中所示的电路图相同。
首先，将参照图6描述像素的电路结构。
图6是根据实施方式的发光显示装置的一个像素的电路图。
根据实施方式，图6示出了形成在显示区域DA、第一部件区域EA1和第二部件区域EA2中的像素电路部分和发光二极管LED的电路结构。
根据实施方式的像素包括连接到多个导线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cboost和发光二极管LED。例如，除了发光二极管LED以外的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及存储电容器Cst和升压电容器Cboost构成像素电路部分。根据实施方式，省略了升压电容器Cboost。多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7划分为包括多晶半导体的多晶半导体晶体管(例如，可被称为LTPS TFT，参见图20)和包括氧化物半导体(例如，IZGO)的氧化物半导体晶体管(例如，可被称为氧化物TFT，参见图20)。多晶半导体晶体管包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6，并且氧化物半导体晶体管包括第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7。
多个导线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741连接到像素PX。多个导线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、旁路控制线154、光发射控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。
第一扫描线151连接到将第一扫描信号GW发送到第二晶体管T2的扫描驱动器。第二扫描线152将第二扫描信号GC发送到第三晶体管T3。与施加到第一扫描线151的电压相反极性的电压在与第一扫描线151的信号相同的时刻施加到第二扫描线152。例如，当负电压施加到第一扫描线151时，正电压施加到第二扫描线152。初始化控制线153将初始化控制信号GI发送到第四晶体管T4，光发射控制线155将发光控制信号EM发送到第五晶体管T5和第六晶体管T6，并且旁路控制线154将旁路控制信号GB发送到第七晶体管T7。相反极性的电压在与第一扫描信号GW相同的时刻施加到旁路控制信号GB，并且为与第二扫描信号GC相同的信号。
数据线171发送由数据驱动器生成的数据电压DATA，并且相应地，发送到发光二极管LED的发光电流的大小改变，并且因此发光二极管LED的亮度改变。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127发送第一初始化电压Vinit，并且第二初始化电压线128发送第二初始化电压AVinit。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在实施方式中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压分别为恒定电压。
也被称作第一晶体管的驱动晶体管T1为p型晶体管，并且具有多晶硅(参见图20中的P-Si)半导体作为半导体层。驱动晶体管T1根据驱动晶体管T1的栅电极的电压的大小(诸如存储在存储电容器Cst中的电压)来调整输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的大小。由于发光二极管LED的亮度根据输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的大小进行调整，因此发光二极管LED的发光亮度根据施加到像素的数据电压DATA进行调整。出于这个目的，驱动晶体管T1的第一电极接收驱动电压ELVDD，并且经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。此外，驱动晶体管T1的第一电极也连接到第二晶体管T2的第二电极，以接收数据电压DATA。驱动晶体管T1的第二电极将发光电流输出到发光二极管LED并且经由第六晶体管T6(在本文中可被称为输出控制晶体管)连接到发光二极管LED的阳极。此外，驱动晶体管T1的第二电极也连接到第三晶体管T3，并且将施加到第一电极的数据电压DATA发送到第三晶体管T3。驱动晶体管T1的栅电极连接到存储电容器Cst的电极(在下文中被称为“第二存储电极”)。相应地，驱动晶体管T1的栅电极的电压根据存储在存储电容器Cst中的电压改变，并且相应地，由驱动晶体管T1输出的发光电流改变。存储电容器Cst对于一帧保持驱动晶体管T1的栅电极的电压恒定。驱动晶体管T1的栅电极也连接到第三晶体管T3，使得施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA通过第三晶体管T3发送到驱动晶体管T1的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极也连接到第四晶体管T4并且通过接收第一初始化电压Vinit来初始化。
第二晶体管T2为p型晶体管，并且具有多晶硅半导体作为半导体层。第二晶体管T2将数据电压DATA接收到像素中。第二晶体管T2的栅电极连接到第一扫描线151和升压电容器Cboost的电极(在下文中被称为“下升压电极”)。第二晶体管T2的第一电极连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。当第二晶体管T2因通过第一扫描线151接收的第一扫描信号GW的负电压导通时，通过数据线171接收的数据电压DATA发送到驱动晶体管T1的第一电极，并且数据电压DATA传送到驱动晶体管T1的栅电极并且存储在存储电容器Cst中。
第三晶体管T3为n型晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第三晶体管T3电连接驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅电极。结果，第三晶体管T3允许数据电压DATA由驱动晶体管T1的阈值电压补偿，并且然后将补偿后的数据电压存储在存储电容器Cst的第二存储电极中。第三晶体管T3的栅电极连接到第二扫描线152，并且第三晶体管T3的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极连接到存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极以及升压电容器Cboost的另一电极(在下文中被称为“上升压电极”)。第三晶体管T3因通过第二扫描线152接收的第二扫描信号GC的正电压导通，并且连接驱动晶体管T1的栅电极和驱动晶体管T1的第二电极。施加到驱动晶体管T1的栅电极的电压发送到存储电容器Cst的第二存储电极并且存储在存储电容器Cst中。存储在存储电容器Cst中的电压存储为使得当驱动晶体管T1关断时，驱动晶体管T1的栅电极的电压被存储以使得驱动晶体管T1的阈值电压得到补偿。
第四晶体管T4为n型晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第四晶体管T4将驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst的第二存储电极初始化。第四晶体管T4的栅电极连接到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极连接到第一初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极连接到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器Cboost的上升压电极。第四晶体管T4因通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI的正电压导通，并且第一初始化电压Vinit发送到驱动晶体管T1的栅电极、存储电容器Cst的第二存储电极和升压电容器Cboost的上升压电极以被初始化。
第五晶体管T5和第六晶体管T6为p型晶体管，并且具有多晶硅半导体作为半导体层。
第五晶体管T5将驱动电压ELVDD发送到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极连接到光发射控制线155，第五晶体管T5的第一电极连接到驱动电压线172，并且第五晶体管T5的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。
第六晶体管T6将从驱动晶体管T1输出的发光电流发送到发光二极管LED。第六晶体管T6的栅电极连接到光发射控制线155，第六晶体管T6的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极连接到发光二极管LED的阳极。
第七晶体管T7为n型晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第七晶体管T7将发光二极管LED的阳极初始化。在本文中，第七晶体管T7也被称为阳极初始化晶体管。第七晶体管T7的栅电极连接到旁路控制线154，第七晶体管T7的第一电极连接到发光二极管LED的阳极，并且第七晶体管T7的第二电极连接到第二初始化电压线128。当第七晶体管T7因流经旁路控制线154的旁路控制信号GB的正电压导通时，第二初始化电压AVinit施加到发光二极管LED的阳极并且被初始化。
尽管一个像素PX已描述为包括七个晶体管T1至T7和诸如存储电容器Cst、升压电容器Cboost的两个电容器，但本公开的实施方式不必限于此，并且在实施方式中，省略了升压电容器Cboost。此外，尽管第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7为n型晶体管，但在实施方式中，它们中的一个为n型，并且其它晶体管形成为p型晶体管。
在以上中，参照图6描述了在显示区域DA中形成的像素的电路结构。
在下文中，将通过图7至图20描述在显示区域DA中形成的像素的详细平面结构和堆叠结构，并且以下实施方式的每个像素包括一个子光传感器区域OPS。
图7至图19示出了根据实施方式的发光显示装置的下面板层的根据制造顺序的每层的结构。
参照图7，在实施方式中，金属层BML定位在衬底110上。
衬底110可包括诸如玻璃的不弯曲的刚性材料、或诸如塑料或聚酰亚胺的能够弯曲的柔性材料。在柔性衬底的情况下，如图20中所示，衬底110具有聚酰亚胺和由无机绝缘材料形成的阻挡层的双层结构。
金属层BML包括多个扩展部分BML1和将多个扩展部分BML1彼此连接的连接部分BML2。金属层BML的扩展部分BML1与驱动晶体管T1的随后形成的第一半导体层的沟道1132(参见图8)重叠。金属层BML也被称作下遮蔽层，并且包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)和钛(Ti)等中的至少一种的金属或金属合金，并且可附加地包括非晶硅并可包括单层或多层。
参照图20，在实施方式中，覆盖衬底110和金属层BML的缓冲层111布置在衬底110和金属层BML上。缓冲层111阻挡杂质元素渗透到下面参照图8描述的第一半导体层130中，并且为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氧氮化硅(SiOxNy)等中的至少一种的无机绝缘层。
参照图8，在实施方式中，在缓冲层111上形成有由诸如多晶硅半导体的硅半导体形成的第一半导体层130。第一半导体层130包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133。此外，第一半导体层130包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及驱动晶体管T1的沟道，并且通过对每个沟道的两侧进行等离子体处理或掺杂而具有导电层特性，以用作第一电极和第二电极。包括第一半导体层130的晶体管可被称为多晶半导体晶体管。
驱动晶体管T1的沟道1132在平面上具有弯折形状。然而，驱动晶体管T1的沟道1132的形状不必限于此，并且能够进行各种改变。例如，驱动晶体管T1的沟道1132可弯曲成不同形状或可具有条形状。驱动晶体管T1的第一区域1131和第二区域1133定位在驱动晶体管T1的沟道1132的两侧上。第一半导体层130中的第一区域1131和第二区域1133用作驱动晶体管T1的第一电极和第二电极。
第二晶体管T2的沟道、第一区域和第二区域定位在第一半导体层130中的从驱动晶体管T1的第一区域1131向下延伸的部分1134中。第五晶体管T5的沟道、第一区域和第二区域定位在从驱动晶体管T1的第一区域1131向上延伸的部分1135中。第一半导体层130的部分1136从第二区域1133向上延伸，并且第七晶体管T7的沟道、第一区域和第二区域定位在从部分1136弯曲的情况下进一步延伸的部分1137中。
参照图20，在实施方式中，在第一半导体层130上形成有第一栅极绝缘层141。第一栅极绝缘层141为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氧氮化硅(SiOxNy)等中的至少一种的无机绝缘层。
参照图9，在实施方式中，在第一栅极绝缘层141上形成有包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层GAT1。第一栅极导电层GAT1包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及驱动晶体管T1中的每个的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极1151与驱动晶体管T1的沟道1132重叠。驱动晶体管T1的沟道1132由驱动晶体管T1的栅电极1151覆盖。
第一栅极导电层GAT1还包括第一扫描线151和光发射控制线155。第一扫描线151和光发射控制线155在大致水平方向(在下文中也被称为第一方向DR1)上延伸。第一扫描线151连接到第二晶体管T2的栅电极。第一扫描线151与第二晶体管T2的栅电极一体地形成。
光发射控制线155连接到第五晶体管T5的栅电极和第六晶体管T6的栅电极，并且光发射控制线155与第五晶体管T5和第六晶体管T6的栅电极一体地形成。
第一栅极导电层GAT1包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)和钛(Ti)中的至少一种的金属或金属合金，并且可构造为单层或多层。
在形成第一栅极导电层GAT1之后，执行等离子体处理或掺杂工艺以使第一半导体层130的暴露区域导电。例如，第一半导体层130的由第一栅极导电层GAT1覆盖的部分不导电，并且第一半导体层130的未由第一栅极导电层GAT1覆盖的部分具有与导电层的特性相同的特性。结果，包括导电部分的晶体管具有p型晶体管特性，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可为p型或n型晶体管。
参照图20，在实施方式中，在第一栅极导电层GAT1和第一栅极绝缘层141上形成有第二栅极绝缘层142。第二栅极绝缘层142为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氧氮化硅(SiOxNy)等中的至少一种的无机绝缘层。
参照图10，在实施方式中，在第二栅极绝缘层142上形成有包括存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下遮蔽层3155和第四晶体管T4的下遮蔽层4155的第二栅极导电层GAT2。下遮蔽层3155和4155分别定位在第三晶体管T3和第四晶体管T4的沟道下面，并且遮蔽沟道的下侧免受光学或电磁干扰。
第一存储电极1153与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠以形成存储电容器Cst。在存储电容器Cst的第一存储电极1153中形成有开口1152。存储电容器Cst的第一存储电极1153的开口1152与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠。第一存储电极1153在水平方向(第一方向DR1)上延伸并且连接到相邻的第一存储电极1153。
第三晶体管T3的下遮蔽层3155与第三晶体管T3的沟道3137(参见图11)和栅电极3151(参见图12)重叠。第四晶体管T4的下遮蔽层4155与第四晶体管T4的沟道4137(参见图11)和栅电极4151(参见图12)重叠。
第二栅极导电层GAT2还包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127大致在水平方向(第一方向DR1)上延伸。下第二扫描线152a连接到第三晶体管T3的下遮蔽层3155。下初始化控制线153a连接到第四晶体管T4的下遮蔽层4155。下初始化控制线153a和第四晶体管T4的下遮蔽层4155一体地形成。
第二栅极导电层GAT2包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)和钛(Ti)中的一种或多种的金属或金属合金，并且可具有单层或多层。
参照图20，在实施方式中，在第二栅极导电层GAT2和第二栅极绝缘层142上形成有第一层间绝缘层161。根据实施方式，第一层间绝缘层161包括包含有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氧氮化硅(SiOxNy)等中的至少一种的无机绝缘材料，并且无机绝缘材料厚厚地形成。
参照图11，在实施方式中，在第一层间绝缘层161上形成有包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及第七晶体管T7的沟道7137、第一区域7136和第二区域7138的氧化物半导体层。此外，氧化物半导体层包括升压电容器Cboost的上升压电极3138t。
第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138彼此连接以形成为一体的主体。此外，由于第七晶体管T7的沟道7137、第一区域7136和第二区域7138与第三晶体管T3的沟道3137和第四晶体管T4的沟道4137分离，因此氧化物半导体层划分为彼此分离的两个部分。
第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138定位在第三晶体管T3的沟道3137的两侧上，并且第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138定位在第四晶体管T4的沟道4137的两侧上。第三晶体管T3的第二区域3138连接到第四晶体管T4的第二区域4138。第三晶体管T3的沟道3137与下遮蔽层3155重叠，并且第四晶体管T4的沟道4137与下遮蔽层4155重叠。第七晶体管T7的第一区域7136和第二区域7138定位在第七晶体管T7的沟道7137的两侧上。包括氧化物半导体层的晶体管可被称为氧化物半导体晶体管。
升压电容器Cboost的上升压电极3138t定位在第三晶体管T3的第二区域3138与第四晶体管T4的第二区域4138之间。升压电容器Cboost的上升压电极3138t与第一扫描线151的部分(在本文中也被称为升压电容器Cboost的下升压电极)重叠，以构造升压电容器Cboost。
参照图20，在实施方式中，在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161上形成有第三栅极绝缘层143。
第三栅极绝缘层143定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面上。相应地，第三栅极绝缘层143覆盖第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的上表面和侧面。然而，实施方式不必限于此，并且在实施方式中，第三栅极绝缘层143不定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面上。例如，在实施方式中，第三栅极绝缘层143与第三晶体管T3的沟道3137重叠，但不与第一区域3136和第二区域3138重叠。此外，在实施方式中，第三栅极绝缘层143与第四晶体管T4的沟道4137重叠，但不与第一区域4136和第二区域4138重叠。
第三栅极绝缘层143包括包含有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氧氮化硅(SiOxNy)等中的至少一种的无机绝缘层。
参照图12，在实施方式中，在第三栅极绝缘层143上形成有包括第三晶体管T3的栅电极3151、第四晶体管T4的栅电极4151和第七晶体管T7的栅电极7151的第三栅极导电层GAT3。
第三晶体管T3的栅电极3151与第三晶体管T3的沟道3137重叠。第三晶体管T3的栅电极3151与第三晶体管T3的下遮蔽层3155重叠。
第四晶体管T4的栅电极4151与第四晶体管T4的沟道4137重叠。第四晶体管T4的栅电极4151与第四晶体管T4的下遮蔽层4155重叠。
第七晶体管T7的栅电极7151与第七晶体管T7的沟道7137重叠。
第三栅极导电层GAT3还包括上第二扫描线152b、上初始化控制线153b和旁路控制线154。
上第二扫描线152b、上初始化控制线153b和旁路控制线154大致在水平方向(第一方向DR1)上延伸。上第二扫描线152b与下第二扫描线152a一起形成第二扫描线152。上第二扫描线152b连接到第三晶体管T3的栅电极3151。上第二扫描线152b与第三晶体管T3的栅电极3151一体地形成。上初始化控制线153b与下初始化控制线153a一起构成初始化控制线153。上初始化控制线153b连接到第四晶体管T4的栅电极4151。上初始化控制线153b与第四晶体管T4的栅电极4151一体地形成。
旁路控制线154连接到第七晶体管T7的栅电极7151，并且旁路控制线154与第七晶体管T7的栅电极7151一体地形成。
此外，第三栅极导电层GAT3还包括下第二初始化电压线128a。下第二初始化电压线128a大致在水平方向(第一方向DR1)上延伸并且接收第二初始化电压AVinit。
第三栅极导电层GAT3包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)和钛(Ti)中的至少一种的金属或金属合金，并且可由单层或多层组成。
在形成第三栅极导电层GAT3之后，氧化物半导体层的由第三栅极导电层GAT3覆盖的部分通过等离子体处理或掺杂工艺形成为沟道，并且氧化物半导体层的未由第三栅极导电层GAT3覆盖的部分变为导电的。第三晶体管T3的沟道3137定位在栅电极3151下方并且与栅电极3151重叠。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138不与栅电极3151重叠。第四晶体管T4的沟道4137定位在栅电极4151下方并且与栅电极4151重叠。第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138不与栅电极4151重叠。第七晶体管T7的沟道7137定位在栅电极7151下面并且与栅电极7151重叠。第七晶体管T7的第一区域7136和第二区域7138不与栅电极7151重叠。上升压电极3138t不与第三栅极导电层GAT3重叠并且具有与第三栅极导电层GAT3的导电特性相同或相似的导电特性。包括氧化物半导体层的晶体管可具有n型晶体管的特性。
参照图20，在实施方式中，在第三栅极导电层GAT3和第三栅极绝缘层143上形成有第二层间绝缘层162。第二层间绝缘层162可具有单层或多层的结构。根据实施方式，第二层间绝缘层162包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)中的一种的无机绝缘材料，并且可包括有机材料。
参照图13，在实施方式中，在第二层间绝缘层162中形成有两种类型的开口OP1和OP2。使用不同的掩模形成两种类型的开口OP1和OP2。
开口OP1形成在第二层间绝缘层162、第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中的至少一个中，并且暴露第一半导体层130、第一栅极导电层GAT1或第二栅极导电层GAT2。
开口OP2形成在第二层间绝缘层162和/或第三栅极绝缘层143中并且暴露氧化物半导体层或第三栅极导电层GAT3。
开口OP1中的一个与驱动晶体管T1的栅电极1151的至少一部分重叠，并且也形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161和第二栅极绝缘层142中。在这种情况下，开口OP1中的一个与第一存储电极1153的开口1152重叠，并且定位在第一存储电极1153的开口1152内部。
开口OP2中的一个与升压电容器Cboost的至少一部分重叠并且进一步形成在第三栅极绝缘层143中。
开口OP1中的另一个与驱动晶体管T1的第二区域1133的至少一部分重叠，并且在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中形成有第三开口。
开口OP2中的另一个与第三晶体管T3的第一区域3136的至少一部分重叠，并且形成在第三栅极绝缘层143中。
参照图14和图15，在实施方式中，在第二层间绝缘层162上形成有包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层。图14是仅示出第一数据导电层、开口OP1和开口OP2的俯视图，以容易识别第一数据导电层，并且图15是示出第一数据导电层下面的所有层的俯视图。
第一连接电极1175与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠。第一连接电极1175通过开口OP1和第一存储电极1153的开口1152连接到驱动晶体管T1的栅电极1151。第一连接电极1175与升压电容器Cboost重叠。第一连接电极1175通过开口OP2与升压电容器Cboost的上升压电极3138t连接。相应地，驱动晶体管T1的栅电极1151和升压电容器Cboost的上升压电极3138t通过第一连接电极1175连接。驱动晶体管T1的栅电极1151也通过第一连接电极1175连接到第三晶体管T3的第二区域3138和第四晶体管T4的第二区域4138。
第二连接电极3175的一端与驱动晶体管T1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175的一端通过开口OP1连接到驱动晶体管T1的第二区域1133。第二连接电极3175的另一端与第三晶体管T3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175的另一端通过开口OP2连接到第三晶体管T3的第一区域3136。相应地，驱动晶体管T1的第二区域1133和第三晶体管T3的第一区域3136通过第二连接电极3175连接，并且第一半导体层130和氧化物半导体层电连接。
第一数据导电层还包括第二初始化电压线128。第二初始化电压线128包括在垂直方向(第二方向DR2)上延伸的布线部分128b-1和从布线部分128b-1在水平方向(第一方向DR1)的两侧突出的第一延伸部分128b-2，并且包括从第一延伸部分128b-2在垂直方向(第二方向DR2)上弯曲的第二延伸部分128b-3。第一延伸部分128b-2的延伸端通过两个不同的开口OP2电连接到定位在第三栅极导电层GAT3中的下第二初始化电压线128a和第七晶体管T7的定位在氧化物半导体层中的第二区域7138。结果，第二初始化电压AVinit在水平方向(第一方向DR1)上通过定位在第三栅极导电层GAT3中的下第二初始化电压线128a发送，并且第一数据导电层通过第二初始化电压线128在垂直方向(第二方向DR2)上发送第二初始化电压AVinit。此外，第二初始化电压AVinit提供到第七晶体管T7的第二区域7138。
第一数据导电层还包括连接部分127CM和171CM、阳极连接构件ACM1和扩展部分FL-SD1。
连接部分127CM通过开口OP1连接到第二栅极导电层GAT2的第一初始化电压线127，并且通过开口OP2连接到第二半导体层(氧化物半导体层)的部分4136，以将流经第一初始化电压线127的第一初始化电压Vinit发送到氧化物半导体层的第四晶体管T4。
连接部分171CM通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1134，即，第二晶体管T2。
阳极连接构件ACM1通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1136，即，第六晶体管T6。
扩展部分FL-SD1宽宽地形成，以平坦化上覆盖的阳极。此外，扩展部分FL-SD1通过开口OP1连接到第一半导体层130的部分1135，即，第五晶体管T5，并且也通过开口OP1电连接到第一存储电极1153。
第一数据导电层SD1(例如，参见图20)包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)和钛(Ti)中的一种的金属或金属合金，并且可构造为单层或多层。
参照图20，在第一数据导电层和第二层间绝缘层162上形成有第一有机层181。第一有机层181包括包含有聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种的有机绝缘体。
参照图16、图17和图20，在实施方式中，第一有机层181具有下有机层开口OP3。在第一有机层181上形成有包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接构件ACM2的第二数据导电层。在第二数据导电层和第一有机层181上形成有第二有机层182和第三有机层183，并且在第二有机层182和第三有机层183中形成有阳极连接开口OP4。阳极连接构件ACM2通过阳极连接开口OP4电连接到阳极(参见图20中的阳极Anode)。图16是仅示出第二数据导电层以及下有机层开口OP3和阳极连接开口OP4的俯视图，并且图17是示出第二数据导电层和所有周围层的俯视图。
参照图16和图17，在实施方式中，下有机层开口OP3与定位在第一数据导电层中的连接部分171CM、阳极连接构件ACM1和扩展部分FL-SD1重叠并且暴露定位在第一数据导电层中的连接部分171CM、阳极连接构件ACM1和扩展部分FL-SD1。
第二数据导电层包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接构件ACM2。
数据线171和驱动电压线172在大致垂直方向(第二方向DR2)上延伸。数据线171通过下有机层开口OP3连接到第一数据导电层的连接部分171CM，并且通过连接部分171CM连接到第二晶体管T2。数据线171在垂直方向上延伸并且然后弯曲，并且数据线171构成子光传感器区域OPS的边界。多个相邻的子光传感器区域OPS构成一个第一部件区域EA1。
驱动电压线172通过下有机层开口OP3通过第一数据导电层的扩展部分FL-SD1电连接到第五晶体管T5和第一存储电极1153。
阳极连接构件ACM2通过下有机层开口OP3电连接到第一数据导电层的阳极连接构件ACM1，并且电连接到第六晶体管T6。
参照图16，在实施方式中，驱动电压线172还包括扩展部分FL-SD2和突出布线部分172-e，并且不在形成有阳极连接构件ACM2的部分处形成。
扩展部分FL-SD2宽宽地形成，以平坦化上覆盖的阳极。
此外，驱动电压线172的突出布线部分172-e也形成在两个数据线171的两侧上，以平坦地形成上覆盖的阳极，从而提供定位在阳极下面的总共四个导线(即，数据线171和突出布线部分172-e)。参照图17，在实施方式中，彼此相邻地形成的两个数据线171在相反的方向上弯曲，并且具有对应于子光传感器区域OPS的大间隙。一个子光传感器区域OPS定位在两个相邻的像素电路部分之间。子光传感器区域OPS的左边界和右边界由两个数据线171组成，下边界由第一扫描线151形成，并且上边界由下第二扫描线152a和/或上第二扫描线152b形成。根据实施方式，第一半导体层130的与数据线171重叠的部分1134构成子光传感器区域OPS的左边界和右边界。
阳极通过如上所述的在阳极下方的诸如第一数据导电层的扩展部分FL-SD1和布线部分128b-1以及第二数据导电层的扩展部分FL-SD2、数据线171、突出布线部分172-e以及第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183的结构而具有平坦化特性。
在实施方式中，扩展部分FL-SD1和扩展部分FL-SD2电连接到驱动电压线172以发送驱动电压ELVDD。
第二数据导电层包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)和钛(Ti)中的至少一种的金属或金属合金，并且可由单层或多层构造。
参照图20，在实施方式中，第二有机层182和第三有机层183定位在第二数据导电层和第一有机层181上。第二有机层182和第三有机层183为有机绝缘体，并且包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂中的至少一种。根据实施方式，省略了第三有机层183。
阳极连接开口OP4形成在第二有机层182和第三有机层183中，阳极Anode和阳极连接构件ACM2通过阳极连接开口OP4电连接。
参照图18、图19和图20，在实施方式中，阳极Anode形成在第三有机层183上。阳极Anode还包括通过阳极连接开口OP4接收来自像素电路部分的电流的延伸部分Anode-e。参照图19，在实施方式中，两个阳极连接开口OP4定位为彼此相邻，并且包括在第一方向DR1上延伸以连接到绿色(G)的发光二极管LED的阳极的一个延伸部分Anode-e和在第二方向DR2上延伸以连接到蓝色(B)或红色(R)的发光二极管LED的阳极的另一延伸部分Anode-e。
参照图19和图20，在实施方式中，黑色像素限定层380定位在阳极Anode上，并且黑色像素限定层380的开口OP形成为与阳极Anode重叠。阳极Anode的延伸部分Anode-e不由黑色像素限定层380的开口OP暴露，并且与黑色像素限定层380重叠。结果，阳极连接开口OP4与黑色像素限定层380重叠。
参照图20，在实施方式中，由于阳极连接开口OP4不与黑色像素限定层380的开口OP和阻光层220的开口OPBM重叠，因此阳极连接开口OP4与黑色像素限定层380和阻光层220(下面描述)重叠。
此外，下有机层开口OP3的部分与阻光层220的开口OPBM的至少一部分重叠，并且下有机层开口OP3的剩余部分与阻光层220重叠。此外，所有下有机层开口OP3与黑色像素限定层380重叠。
此外，在实施方式中，由于第一数据导电层的扩展部分FL-SD1和第二数据导电层的扩展部分FL-SD2定位在阳极Anode下面，因此阳极Anode的由至少黑色像素限定层380的开口OP暴露的部分能够形成为平坦的。
基于如上所述的平面结构，参照图20描述发光显示装置的显示区域DA、第一部件区域EA1和子光传感器区域OPS的剖面结构。
图20是根据实施方式的发光显示装置的剖视图。
在图20中，除了显示区域DA的堆叠结构之外，也示出了第一部件区域EA1的堆叠结构。
在参照图7至图19的同时一起对图20中所示的显示区域DA的像素至阳极Anode的详细堆叠结构进行描述。在图20的实施方式中，像素电路部分包括第二有机层182和第三有机层183以及定位在第二有机层182和第三有机层183下方的结构，并且发光二极管LED包括定位在第三有机层183上面并在封装层400下面的构造。
参照图20，在实施方式中，显示区域DA的像素中的阳极Anode上的堆叠结构如下。
在阳极Anode上形成有包括暴露阳极Anode的开口OP并且覆盖阳极Anode的至少一部分的黑色像素限定层380。黑色像素限定层380由黑色有机材料形成，使得从外部入射的光不反射。根据实施方式，黑色像素限定层380包括负型黑色有机材料，并且可包括黑色颜料。
在黑色像素限定层380上形成有间隔件385。与黑色像素限定层380不同，间隔件385由透明有机绝缘材料形成。根据实施方式，间隔件385由正型透明有机材料形成。
在阳极Anode上顺序地形成有黑色像素限定层380、间隔件385、功能层FL和阴极Cathode，并且功能层FL和阴极Cathode定位为遍及在显示区域DA和第一部件区域EA1的整个区域。仅在黑色像素限定层380的开口OP内在功能层FL之间形成有发射层EML。在下文中，功能层FL和发射层EML组合以形成中间层。功能层FL包括诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的辅助层中的至少一个，其中空穴注入层和空穴传输层定位在发射层EML下方，并且电子传输层和电子注入层定位在发射层EML上方。
在阴极Cathode上形成有封装层400。封装层400包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且根据实施方式，具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层400保护发射层EML免受能够从外部渗透的湿气或氧气的影响。根据实施方式，封装层400具有顺序地堆叠有无机层和有机层的结构。
在图20的实施方式中，在封装层400上形成有感测绝缘层501、510和511以及多个感测电极540和541，以用于触摸感测。在图20的实施方式中，可使用两个感测电极540和541电容性地感测触摸。
例如，第一感测绝缘层501形成在封装层400上，并且多个感测电极540和541形成在第一感测绝缘层501上。感测电极540和541的多数通过介于其间的第二感测绝缘层510而隔绝，并且部分通过形成在第二感测绝缘层510中的开口电连接。感测电极540和541包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钼(Mo)、钛(Ti)和钽(Ta)等中的至少一种的金属或金属合金，并且可由单层或多层组成。第三感测绝缘层511形成在感测电极540上。
阻光层220和滤色器层230形成在感测电极540和第三感测绝缘层511上。
阻光层220与感测电极540和541重叠，但不与阳极Anode重叠。这防止了能够显示图像的阳极Anode由阻光层220以及感测电极540和541覆盖。
滤色器层230形成在第三感测绝缘层511和阻光层220上。滤色器层230包括透射红色光的红色滤色器、透射绿色光的绿色滤色器和透射蓝色光的蓝色滤色器。每个滤色器层230与发光二极管LED的阳极Anode重叠。从发射层EML发射的光穿过滤色器并且改变为对应颜色。
阻光层220定位在滤色器层230之间。根据实施方式，滤色器层230替换为颜色转换层，或者还包括颜色转换层。颜色转换层包括量子点。此外，根据实施方式，形成填充阻光层220的开口OPBM的反射调整层来代替滤色器层230。反射调整层覆盖阻光层220，并且参照图35进行描述。
覆盖滤色器层230的平坦化层550形成在滤色器层230上，并且在平坦化层550上可附加地附接有偏振器。
此外，图20也示出了第一部件区域EA1的剖面结构。
第一部件区域EA1为在下面板层上多个子光传感器区域OPS定位之处，并且图20示出了与显示区域DA不同的子光传感器区域OPS的剖面结构。另一方面，子光传感器区域OPS能够定位在显示区域DA中，但显示区域DA的所有子光传感器区域OPS由黑色像素限定层380和/或阻光层220覆盖，使得光不透射。
第一部件区域EA1包括光能够穿过的子光传感器区域OPS，并且导电层或半导体层不定位在子光传感器区域OPS中使得光能够穿过，同时附加开口OP-1和OPBM-1在与子光传感器区域OPS对应的位置处形成在黑色像素限定层380和阻光层220中以提供不阻挡光的结构。另一方面，定位在第一部件区域EA1中的子光传感器区域OPS的部分与黑色像素限定层380和/或阻光层220重叠，使得光不透射。如上所述，定位在第一部件区域EA1中的多个子光传感器区域OPS的部分允许光穿过，并且多个子光传感器区域OPS的剩余部分为非透射的。第一部件区域EA1中的透射光的子光传感器区域OPS被称作“第一光传感器区域或透射光传感器区域”，并且阻挡光的子光传感器区域OPS被称作“第二光传感器区域或者非透射光传感器区域”。第一子光传感器区域和第二子光传感器区域中的一种在第一部件区域EA1中与所有像素电路部分相邻。由此，如果在一个第一部件区域EA1中调整第一光传感器区域OPS1和第二光传感器区域OPS2的数量，则定位在第一部件区域EA1的后表面上的传感器能够检测发光显示装置的前表面，并且附加地，改善光在第一部件区域EA1中的反射的颜色。此外，根据实施方式，防止了第一部件区域EA1由于反射率或反射颜色不同于围绕第一部件区域EA1的显示区域而由用户感知。
在实施方式中，阻光层220和/或黑色像素限定层380定位在相邻的像素电路部分之间的子光传感器区域OPS的前表面，并且阻光层220和/或黑色像素限定层380包括与第一光传感器区域OPS1的子光传感器区域OPS重叠的附加开口OPBM-1和/或OP-1。然而，附加开口不形成在第二光传感器区域OPS2的子光传感器区域OPS中，从而提供阻光层220和/或黑色像素限定层380与子光传感器区域OPS重叠的结构。
例如，基于图20描述根据实施方式的第一部件区域EA1的堆叠结构如下。
在衬底110上形成有为无机绝缘层的缓冲层111，并且在缓冲层111上顺序地形成有为无机绝缘层的第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142。此外，为无机绝缘层的第一层间绝缘层161、第三栅极绝缘层143和第二层间绝缘层162顺序地堆叠在第二栅极绝缘层142上。为有机绝缘体的第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183顺序地堆叠在第二层间绝缘层162上。从衬底110到阳极Anode(即，在图20的实施方式中，直至第三有机层183的堆叠结构)对应于子光传感器区域OPS。上述子光传感器区域OPS缺少金属层BML、第一半导体层ACT(可是指上述的第一半导体层130)、第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2、氧化物半导体层ACT2、第三栅极导电层GAT3、第一数据导电层SD1和第二数据导电层。
子光传感器区域OPS划分为光能够在上部穿过的第一光传感器区域OPS1和阻挡光的第二光传感器区域OPS2。
光能够穿过的第一光传感器区域OPS1(透射光传感器区域)的上层结构描述如下。
黑色像素限定层380中的附加开口OP-1位于在光能够穿过的子光传感器区域OPS中的第三有机层183上。因此，功能层FL形成在第三有机层183上并且在功能层FL上形成有阴极Cathode。封装层400形成在阴极Cathode上，并且感测绝缘层501、510和511顺序地形成在封装层400上。封装层400具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。此外，感测绝缘层501、510和511所有为无机绝缘层。阻光层220中的附加开口OPBM-1位于第三感测绝缘层511上。因此，阻光层220和黑色像素限定层380不形成在第一部件区域EA1的光透射过的第一光传感器区域OPS1中，使得光能够穿过阻光层220和黑色像素限定层380。平坦化层550形成在第三感测绝缘层511上。阻挡光的第二光传感器区域OPS2(非透射光传感器区域)的堆叠结构描述如下。
黑色像素限定层380形成在子光传感器区域OPS中的第三有机层183上，并且缺少附加开口，使得其阻挡光。功能层FL、阴极Cathode和封装层400顺序地形成在黑色像素限定层380上，并且感测绝缘层501、510和511顺序地形成在封装层400上。封装层400具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。此外，感测绝缘层501、510和511所有为无机绝缘层。阻光层220形成在第三感测绝缘层511上并且缺乏附加开口，使得其阻挡光。因此，第一部件区域EA1的阻挡光的第二光传感器区域OPS2(非透射光传感器区域)与阻光层220和/或黑色像素限定层380重叠，使得光被阻挡。在阻光层220上形成有平坦化层550。
在以上实施方式中，形成了总共三个有机层，并且描述了阳极连接开口OP4形成在第二有机层182和第三有机层183中的实施方式。然而，实施方式不必限于此，并且在实施方式中，形成了两个有机层，并且阳极连接开口定位在远离衬底定位的上有机层中，并且下有机层开口定位在下有机层中。
以上描述了发光显示装置中的第一部件区域EA1的第一光传感器区域OPS1和第二光传感器区域OPS2的剖面结构。在下文中，将参照图21至图23描述在第一部件区域EA1中在平面上形成第一光传感器区域OPS1和第二光传感器区域OPS2的各种实施方式。
图21至图23是根据实施方式的第一部件区域的俯视图。
图21至图23将阻光层220显示为点图案，并且点图案示出的部分对应于阻光层220，并且点图案不定位的部分对应于阻光层220中的附加开口OPBM-1。黑色像素限定层380中的附加开口OP-1定位在阻光层220中的附加开口OPBM-1下方，从而提供了透射光的结构。
首先，将参照图21描述第一部件区域的黑色像素限定层380、阻光层220和滤色器层230(例如，参见图20)的平面关系。
根据图21，在实施方式中，阻光层220包括开口OPBM，并且开口OPBM比黑色像素限定层380的开口OP宽，并且与黑色像素限定层380的开口OP重叠。滤色器230R、230G和230B定位在阻光层220上。滤色器230R、230G和230B填充阻光层220的开口OPBM，并且比阻光层220的开口OPBM宽。在图21中，不同的滤色器用不同的阴影线示出，使得它们能够容易区分。
在下文中，将描述第一部件区域EA1(例如，参见图20)的子光传感器区域OPS(例如，参见图20)中的上部结构。
首先，透射光的为透射光传感器区域的第一光传感器区域OPS1的上部结构如下。
在对应于子光传感器区域OPS的第一光传感器区域OPS1中，在黑色像素限定层380中形成有附加开口OP-1，并且在阻光层220中形成有附加开口OPBM-1。结果，由于阻光层220的附加开口OPBM-1和黑色像素限定层380的附加开口OP-1，在第一光传感器区域OPS1中不存在阻光结构。结果，即使能够为光学传感器或红外传感器等的传感器定位在发光显示面板DP(例如，参见图2)的后表面上，发光显示面板DP的前表面也能够感测光。
此外，不透射光的为非透射光传感器区域的第二光传感器区域OPS2的上部结构如下。
在对应于子光传感器区域OPS的第二光传感器区域OPS2中，在黑色像素限定层380中不形成附加开口OP-1，并且在阻光层220中不形成附加开口OPBM-1，从而提供了由于黑色像素限定层380和/或阻光层220而阻挡光的结构。结果，在第一部件区域EA1中，第二光传感器区域OPS2不用于传感器操作，而是用于调整反射率或反射颜色。例如，当外部光入射到第一部件区域EA1上时，一些光被反射，并且对第一光传感器区域OPS1和第二光传感器区域OPS2的数量和排列进行调整，以将第一部件区域EA1构造为与显示区域DA的反射率或反射颜色对应。结果，在允许定位在第一部件区域EA1的后表面上的传感器检测发光显示装置的前表面的同时，也改善了第一部件区域EA1中的光的反射颜色，并且显示区域DA和第一部件区域EA1在反射率或反射颜色上相似。结果，用户可不分开地感知显示区域DA和第一部件区域EA1。
在图21的实施方式中，一个子光传感器区域OPS由两个绿色像素、一个红色像素和一个蓝色像素围绕。在实施方式中，在相邻的四个子光传感器区域OPS之中，一个子光传感器区域OPS为透射光的为透射光传感器区域的第一光传感器区域OPS1，并且剩余三个子光传感器区域OPS为不透射光的为非透射光传感器区域的第二光传感器区域OPS2。在下文中，这种排列也被简称为发光显示装置的“1/4周期”。此外，一个第一光传感器区域OPS1布置在特定位置，使得相邻的第一光传感器区域OPS1之间的间隔也均匀形成。然而，即使形成了相同的“1/4周期”，第一光传感器区域OPS1的位置甚至在一个发光显示装置内也可能不同。
另一方面，与图21不同，图22示出了由“3/8周期”形成的实施方式，并且图23示出了由“1/2周期”形成的实施方式。
图21至图23的排列示出了不同的实施方式，并且第一光传感器区域OPS1的数量、周期和位置可对于每个实施方式以各种方式形成。此外，在第一光传感器区域OPS1中，定位在第一部件区域EA1的后表面上的传感器能够检测前表面，所以第一光传感器区域OPS1具有对于传感器等所需的透射率的最小数量和排列。
在本实施方式中，参照图17或图19，子光传感器区域OPS与定位在第一部件区域EA1中的所有像素电路部分相邻，并且第一部件区域EA1包括多个第一光传感器区域OPS1和多个第二光传感器区域OPS2，并且第一光传感器区域OPS1的数量等于或小于第二光传感器区域OPS2的数量。也就是说，如图23中所示，第一部件区域EA1具有对于一个第一光传感器区域OPS1形成有一个第二光传感器区域OPS2的1/2周期，或如图21和图34中所示，具有对于一个第一光传感器区域OPS1形成有三个第二光传感器区域OPS2的1/4周期，或如图22中所示，具有对于三个第一光传感器区域OPS1形成有五个第二光传感器区域OPS2的3/8周期，或如图38中所示，具有对于一个第一光传感器区域OPS1形成有七个第二光传感器区域OPS2的1/8周期，或如图37中所示，具有对于一个第一光传感器区域OPS1形成有八个第二光传感器区域OPS2的1/9周期。
此外，如图39中所示，第一部件区域EA1划分为具有不同周期的至少两个区域。下面将描述图34和图37至图39。
在以上中，已描述了第一部件区域EA1的结构，并且根据实施方式，第一光传感器区域OPS1和第二光传感器区域OPS2的排列也应用于第二部件区域EA2。
在下文中，将通过图24和图25描述根据实施方式的一个子光传感器区域OPS的一些其它各种平面形状。
图24和图25是根据实施方式的光传感器区域的平面形状的俯视图。
图24的子光传感器区域OPS对应于图7至图19的实施方式的子光传感器区域OPS的形状。
除了六边形形状之外，图24的子光传感器区域OPS具有还包括向下突出结构的平面形状。在图24的子光传感器区域OPS的平面形状中示出了最大水平宽度Wdr1和最大垂直宽度Wdr2，并且最大水平宽度Wdr1大于最大垂直宽度Wdr2。例如，最大水平宽度Wdr1和最大垂直宽度Wdr2可分别为15μm或更小和5μm或更大。子光传感器区域OPS的边界与黑色像素限定层380的附加开口OP-1和/或阻光层220的附加开口OPBM-1之间的间隙可为大于等于1μm且小于等于2μm。附加开口OP-1和附加开口OPBM-1可为不对齐的，并且间隙防止子光传感器区域OPS被覆盖。
与图24的子光传感器区域OPS不同，图25的子光传感器区域OPS在底部处不包括凸出的突起结构，并且具有六边形形状。在图25的子光传感器区域OPS的平面形状中示出了最大水平宽度Wdr1'和最大垂直宽度Wdr2'，并且最大水平宽度Wdr1'大于最大垂直宽度Wdr2'。例如，最大水平宽度Wdr1'和最大垂直宽度Wdr2'可分别为15μm或更小和5μm或更大。子光传感器区域OPS的边界与黑色像素限定层380的附加开口OP-1和/或阻光层220的附加开口OPBM-1之间的间隙可为大于等于1μm且小于等于2μm。附加开口OP-1和附加开口OPBM-1可为不对齐的，并且间隙防止子光传感器区域OPS被覆盖。
图24和图25中所示的子光传感器区域OPS为实施方式，并且可形成为诸如圆形和多边形的各种其它形状。
在下文中，将参照图26和图27描述发光显示装置的具有不同周期的第一部件区域EA1的照片。
图26和图27示出了根据实施方式的第一部件区域EA1。
图26是以1/4周期形成的包括第一光传感器区域OPS1的第一部件区域EA1的照片，并且图27是以1/9周期形成的包括第一光传感器区域OPS1的第二部件区域EA2的照片(参照图37)。图26和图27中的可见点部分为第一光传感器区域OPS1，并且第二光传感器区域OPS2为不可见的，由于第二光传感器区域OPS2由阻光层220和/或黑色像素限定层380覆盖。
在图26的实施方式中，在1/4周期中形成的四个相邻的子光传感器区域OPS中的仅一个形成为第一光传感器区域OPS1，并且剩余三个形成为第二光传感器区域OPS2。相反，在图27的实施方式，在1/9周期中形成的九个相邻的子光传感器区域OPS中的仅一个形成为第一光传感器区域OPS1，并且剩余八个形成为第二光传感器区域OPS2。
基于这两个实施方式，通过图28至图33描述了形成有第一光传感器区域OPS1的周期与透射率之间的关系。
图28至图33是根据周期的透射率的曲线图。
首先，图28示出了在1/4周期下第一部件区域EA1的透射率，图29示出了在1/9周期下第一部件区域EA1的透射率，并且图30示出了在1/1周期下第一部件区域EA1的透射率。“A尺寸”示出了第一部件区域EA1具有图24的光传感器区域，并且“B尺寸”示出了第一部件区域EA1具有图25的光传感器区域。此外，在图28至图30中，垂直轴表示透射率，并且水平轴表示形成在第一光传感器区域OPS1中的黑色像素限定层380的附加开口OP-1的宽度。这里，用于测量透射率的基准波长为550nm。
在图28至图30中，分别测量了多个第一部件区域EA1中的透射率，位置用点标记，并且它们之间的关系用线示出。此外，在具有带有显著不同尺寸的两个附加开口的第一部件区域EA1中测量透射率。
基于图28至图30，透射率随黑色像素限定层380的附加开口OP-1的宽度增加而增加，并且透射率随第一光传感器区域OPS1的周期增加而增加。
仅考虑透射率，如图30中所示，当所有子光传感器区域OPS为第一光传感器区域OPS1时，透射率最大。然而，这样的高透射率具有用户由于显示区域DA与第一部件区域EA1之间的反射率和反射颜色的差异而能够区分并且识别显示区域DA与第一部件区域EA1之间的边界的效果。相应地，仅子光传感器区域OPS中的部分为第一光传感器区域OPS1，而这使感测成为可能并且降低了透射率。此外，反射率和/或反射颜色能够调整为匹配显示区域DA，而这通过防止用户识别显示区域DA与第一部件区域EA1之间的边界而改善了显示质量。
图31示出了基于图28中测量的1/4周期的第一部件区域EA1的透射率和图29中测量的1/9周期的第一部件区域EA1的透射率的透射率分布。
在下面的表1中总结了图31中所示的数值。
(表1)
参照以上表1和图31，要求的最小透射率为0.12％，其中1/9周期的实施方式具有大于最小透射率的为0.17％的平均透射率。然而，期望最小透射率可为0.00％，并且一些测量的透射率可低于0.12％，所以当应用于第一部件区域EA1时，传感器不能感测所需的光量。结果，为了具有大于0.12％的透射率，可增加黑色像素限定层380的附加开口OP-1或阻光层220的附加开口OPBM-1的宽度，或者在可提供相同尺寸的附加开口的情况下，可增加周期。
参照图28和图29，第一部件区域EA1的透射率超过0.12％。
图32和图33示出了在以另一种方式描述时的透射率并且这首先参照图32进行描述。
图32中所示的圆圈表示待拍摄的一个点，并且一个点的直径为300μm。在一个点内拍摄总共9个位置的透射率，并且检查对于每个位置的透射率的差。
在图33和下面的表2中示出了实验结果。
(表2)
IPA2209KR1135SD
根据表2的结果在图33中示出并且确认了分布。
参照图33，对于每个位置的透射率分布在1/9周期的实施方式和1/4周期的实施方式两者中出现，并且在1/9周期的实施方式中，存在测量为低于为0.12％的目标最小透射率的许多部分，所以应进一步改善透射率。另一方面，在1/4周期的实施方式中，定位在后表面上的传感器能够以适当的透射率操作。在1/4周期的实施方式中，通过附加地检验显示区域DA的反射率和反射颜色在显示区域DA与第一部件区域EA1之间的边界处是否相似以使得不能容易地识别边界，能够改善显示质量。
另一方面，在1/9周期的实施方式中，能够通过增加黑色像素限定层380的附加开口OP-1或阻光层220的附加开口OPBM-1的宽度、或者在相同尺寸的附加开口在显示区域DA的反射率和反射颜色上相似时增加周期来增加透射率。传感器能够在后表面上操作，并且显示区域DA与第一部件区域EA1之间的被识别的边界减少。
在以上中，1/4周期和1/9周期的透射率关系已着重于实验结果来描述。
在下文中，将参照图34至图39描述对于每个周期的各种实施方式。
首先，参照图34至图36简要查看1/4周期的结构。
图34是根据实施方式的第一部件区域的示意性俯视图，并且图35和图36是根据实施方式的第一光传感器区域和第二光传感器区域的剖视图。
首先，图34的俯视图对应于图21的俯视图，并且基于本公开的实施方式的特征更加示意性地示出了图21的结构。图34示出了不具有点图案的第一光传感器区域OPS1和具有点图案的第二光传感器区域OPS2。此外，图34示出了包括多个第一光传感器区域OPS1和多个第二光传感器区域OPS2的一个第一部件区域EA1。
在图35中示出了图34中的第一光传感器区域OPS1的剖面结构，并且在图36中示出了第二光传感器区域OPS2的剖面结构。
根据实施方式，与图7至图20的实施方式不同，图35和图36示出了与图20相比的黑色像素限定层380的下部结构。根据实施方式，黑色像素限定层380的下部结构在衬底110与黑色像素限定层380之间具有比图20中所示的实施方式更少的层。在图35和图36中，省略了衬底110上的半导体层，并且第一栅极绝缘层141、第一栅极导电层GAT1、第二栅极绝缘层142、第一数据导电层SD1和第一有机层181顺序地布置在衬底110上。
阳极布置在第一有机层181上，但未示出，并且黑色像素限定层380布置在第一有机层181上。将图35和图36相比较，与第一光传感器区域OPS1对应的附加开口OP-1形成在黑色像素限定层380中，但在与第二光传感器区域OPS2对应的部分中，不存在附加开口，所以光被阻挡并且到黑色像素限定层380不透射。
阴极布置在黑色像素限定层380上，但在图35和图36中被省略，并且封装层400布置在阴极上。阻光层220布置在封装层400上，并且将图35和图36相比较，在阻光层220中形成有与第一光传感器区域OPS1对应的附加开口OPBM-1，然而在与第二光传感器区域OPS2对应的部分中，不存在附加开口，使得阻光层220阻挡光被透射。
滤色器层230布置在阻光层220的开口OPBM(例如，参见图20)和阻光层220的部分上。滤色器层230包括三原色中的每种的滤色器。将图35和图36相比较，滤色器层230不形成在与第一光传感器区域OPS1对应的部分中，并且滤色器层230形成在与第二光传感器区域OPS2对应的部分中。
平坦化层550布置在阻光层220和滤色器层230上并且覆盖窗WU布置在平坦化层550上。
具有与图35和图36的结构相同的结构的第一光传感器区域OPS1和第二光传感器区域OPS2能够排列在图37至图39中所示的平面上。
图37至图39是根据实施方式的第一部件区域EA1的示意性俯视图。
图37示出了第一部件区域EA1包括以1/9周期排列的第一光传感器区域OPS1。
参照图28至图33的实验结果，当在最小透射率应超过0.12％的情况下以1/9周期布置第一光传感器区域OPS1时，能够通过增加黑色像素限定层380的附加开口OP-1或阻光层220的附加开口OPBM-1的宽度来增加最小透射率。相应地，通过使用更大的附加开口OP-1和/或附加开口OPBM-1以使得透射率超过1/9周期的最小透射率，传感器能够精确地操作。
图38示出了根据实施方式的第一部件区域EA1包括以1/8周期排列的第一光传感器区域OPS1。
由于图38的以1/8周期排列的第一光传感器区域OPS1的透射率具有比以1/9周期排列的第一光传感器区域OPS1高的透射率，因此透射率可大于为0.12％的最小透射率，并且可具有定位在后表面上的传感器所需的透射率，使得传感器可精确地操作。
另一方面，图39示出了第一部件区域EA1包括具有不同周期的两个区域的实施方式。例如，图39示出了在第一部件区域EA1的区域A(在下文中被称为“第一部件区域的中心区域”)中以1/8周期排列的第一光传感器区域OPS1和在区域B(在下文中被称为“第一部件区域的外围区域”)中以1/9周期排列的第一光传感器区域OPS1。例如，在图39的实施方式中，区域A的第一周期大于区域B的第二周期。实施方式可应用于后表面的传感器主要通过与区域A对应的部分感测的情况。
在图39的实施方式中，包括区域A和区域B两者的整个第一部件区域EA1具有小于1/8且大于1/9的周期。结果，第一部件区域EA1的透射率大于具有1/9周期的实施方式，并且结果，具有超过为最小透射率的0.12％的透射率，并且具有定位在后表面上的传感器所需要的透射率，使得传感器正确地操作。
另一方面，根据实施方式，与图39的实施方式不同，区域A的第一周期小于区域B的第二周期的实施方式也为可能的。然而，透射率应满足由传感器所需的透射率。
第一部件区域EA1能够具有与图34、图37、图38和图39中所示的实施方式不同的各种周期和排列。
在下文中，将描述为图20的实施方式的变体的实施方式。
图40至图42是根据实施方式的发光显示装置的剖视图。
首先，参照图40，在图40的实施方式中，与图20的实施方式不同，第一光传感器区域OPS1和第二光传感器区域OPS2的剖面结构之间的差异仅存在于阻光层220。附加开口OPBM-1形成在阻光层220中的区域为第一光传感器区域OPS1，并且未形成附加开口OPBM-1的区域为第二光传感器区域OPS2。此外，在黑色像素限定层380中形成有与定位在第一部件区域EA1中的子光传感器区域OPS对应的附加开口OP-1。结果，通过黑色像素限定层380和子光传感器区域OPS是否重叠，无法区分第一光传感器区域OPS1和第二光传感器区域OPS2。
另一方面，根据实施方式，与图40不同，第一光传感器区域OPS1和第二光传感器区域OPS2的剖面结构之间的差异仅存在于黑色像素限定层380。也就是说，实施方式具有黑色像素限定层380仅具有与第一光传感器区域OPS1对应的附加开口OP-1的结构，并且没有附加开口OP-1形成在与第二光传感器区域OPS2对应并且由黑色像素限定层380覆盖的部分中。附加开口OPBM-1形成在与定位在第一部件区域EA1中的第一光传感器区域OPS1对应的阻光层220中。
此外，根据实施方式，提供反射调整层235代替滤色器层230，并且这参照图41和图42进行描述。
首先，图41和图42示出了提供反射调整层235代替图20中的滤色器层230的实施方式。
在图41和图42中，仅与图20和图40不同的部分将描述如下。
根据实施方式，反射调整层235布置在阻光层220上。反射调整层235选择性地吸收从显示装置内部反射或从显示装置外部入射的光的一个或多个预定波长带的光。反射调整层235填充阻光层220的开口OPBM。
例如，反射调整层235吸收490nm至505nm的第一波长带和585nm至600nm的第二波长带的光，并且第一波长带和第二波长带中的透光率为40％或更小。反射调整层235吸收从发光二极管LED(例如，参见图6)发射的红色光、绿色光或蓝色光的波长范围外部的波长的光。由此，反射调整层235吸收不属于从发光元件(例如，发光二极管LED)发射的红色光、绿色光或蓝色光的波长范围的波长的光，并且防止或最小化显示装置的亮度降低，并且同步地防止或最小化显示装置的发光效率的劣化并且改善可见性。
在实施方式中，反射调整层235为包括染料、颜料和其组合物中的一种的有机材料层。例如，反射调整层235包括四氮杂卟啉(TAP)系化合物、卟啉系化合物、金属卟啉系化合物、噁嗪系化合物、方酸菁系化合物、三芳基甲烷系化合物、聚甲炔系化合物、蒽醌系化合物、酞菁系化合物、偶氮系化合物、苝系化合物、呫吨系化合物、联胺系化合物、二吡咯系化合物和菁系化合物以及其组合物中的至少一种。
在实施方式中，在反射调整层235的表面上以SCI(Specular ComponentIncluded，包含镜面反射数据)模式测量的反射率为10％或更小。例如，反射调整层235吸收显示装置的外部光反射，使得改善可见性。
在实施方式中，反射调整层235具有约64％至72％的透射率。根据反射调整层235中的颜料和/或染料的含量来调整反射调整层235的透射率。
根据实施方式，反射调整层235不定位在第一部件区域EA1中。
此外，在包括反射调整层235的实施方式中，在阴极Cathode与封装层400之间附加地形成有覆盖层AL1和低反射层AL2。
覆盖层AL1通过相长干涉增加发光元件的发光效率。例如，覆盖层AL1包括对于具有589nm的波长的光具有1.6或更大的折射率的材料。
覆盖层AL1可为包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层或包括有机材料和无机材料的复合覆盖层。例如，覆盖层AL1包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞氰衍生物、碱金属络合物和碱土金属络合物以及其任何组合物中的至少一种。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可选择性地由包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I和其任何组合中的至少一种的取代基取代。
低反射层AL2布置在覆盖层AL1上。低反射层AL2与衬底110的前表面重叠。
低反射层AL2包括具有低反射率的无机材料，并且在实施方式中，包括金属或金属氧化物。金属为镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)和其组合中的一种或多种。此外，金属氧化物为SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、SiNx、LiF、CaF2、MgF2、CdS和其组合物中的一种或多种。
在实施方式中，低反射层AL2中的无机材料的吸收系数(k)为4.0或更小且0.5或更大(0.5≤k≤4.0)。此外，低反射层AL2中的无机材料具有1或更大的折射率(n)(n≥1.0)。
低反射层AL2在入射到显示装置中的光与从布置在低反射层AL2下方的金属反射的光之间诱导相消干涉，从而减小外部光反射率。相应地，通过减小通过低反射层AL2的来自显示装置的外部光的反射率，改善了显示装置的显示质量和可见性。
根据实施方式，省略了覆盖层AL1，使得低反射层AL2可与阴极Cathode接触。
封装层400布置在低反射层AL2上，并且其它结构与图20的结构相同，并且省略了其重复描述。
在图41的实施方式中，黑色像素限定层380和阻光层220两者在第一光传感器区域OPS1中具有附加开口OP-1和OPBM-1，并且在第二光传感器区域OPS2中没有形成附加开口，使得黑色像素限定层380和阻光层220与第二光传感器区域OPS2重叠。另一方面，在图42的实施方式中，阻光层220仅具有与第一光传感器区域OPS1对应的附加开口OPBM-1，并且在第二光传感器区域OPS2中没有形成附加开口，并且阻光层220与第二光传感器区域OPS2重叠。然而，根据实施方式，黑色像素限定层380仅在第一光传感器区域OPS1中具有附加开口OP-1，并且在第二光传感器区域OPS2中没有形成附加开口，并且黑色像素限定层380与第二光传感器区域OPS2重叠。
虽然已结合实施方式描述了本公开，但将理解的是，本公开不限于所公开的实施方式。相反，其旨在覆盖包括在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等同排列。

Claims (20)

1.一种发光显示装置，包括：
显示区域；以及
第一部件区域，所述第一部件区域定位在所述显示区域内并且包括多个像素，其中所述多个像素中的每个像素包括像素电路部分，并且所述第一部件区域还包括在所述多个像素之间的第一光传感器区域和第二光传感器区域，
其中，所述第一光传感器区域包括：
第一子光传感器区域，所述第一子光传感器区域定位在相邻的像素电路部分之间；以及
阻光层，所述阻光层定位在所述第一子光传感器区域的前表面上并且包括与所述第一子光传感器区域重叠的开口，并且
所述第二光传感器区域包括：
第二子光传感器区域，所述第二子光传感器区域定位在其它相邻的像素电路部分之间；以及
所述阻光层，所述阻光层定位在所述第二子光传感器区域的前表面上并且与所述第二子光传感器区域重叠。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述第一子光传感器区域和所述第二子光传感器区域中的一种与所述第一部件区域中的所有像素电路部分相邻，并且
所述第一部件区域包括多个第一光传感器区域，所述第一部件区域包括多个第二光传感器区域，并且所述多个第一光传感器区域的数量等于或小于所述多个第二光传感器区域的数量。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述第一部件区域包括以下中的一个或多个：
1/2周期，在所述1/2周期中对于一个第一光传感器区域形成有一个第二光传感器区域，
1/4周期，在所述1/4周期中对于一个第一光传感器区域形成有三个第二光传感器区域，
3/8周期，在所述3/8周期中对于三个第一光传感器区域形成有五个第二光传感器区域，
1/8周期，在所述1/8周期中对于一个第一光传感器区域形成有七个第二光传感器区域，以及
1/9周期，在所述1/9周期中对于一个第一光传感器区域形成有八个第二光传感器区域。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，
所述第一部件区域具有大于0.12％的透射率。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述第一部件区域划分为中心区域和外围区域，并且
所述第一部件区域的所述中心区域的第一周期不同于所述第一部件区域的所述外围区域的第二周期。
6.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中，
所述第一周期具有比所述第二周期的值大的值。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括：
黑色像素限定层，所述黑色像素限定层布置在所述像素电路部分与所述阻光层之间，
其中，所述黑色像素限定层包括附加开口，所述附加开口与所述第一光传感器区域中的所述第一子光传感器区域重叠并且不与所述第二光传感器区域中的所述第二子光传感器区域重叠。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括：
黑色像素限定层，所述黑色像素限定层布置在所述像素电路部分与所述阻光层之间，
其中，所述黑色像素限定层包括附加开口，所述附加开口在所述第一光传感器区域中的与所述第一子光传感器区域重叠的部分和所述第二光传感器区域中的与所述第二子光传感器区域重叠的部分上。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括：
滤色器，所述滤色器布置在所述阻光层上。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述多个像素还包括发光元件，
所述发光元件包括阳极、发射层和阴极，并且
所述发光显示装置还包括：
封装层，所述封装层覆盖所述发光元件和所述像素电路部分并且定位在所述阻光层下方，以及
反射调整层，所述反射调整层布置在所述阻光层的前表面上并且选择性地吸收一个或多个预定波长带的光。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置，还包括：
覆盖层，所述覆盖层布置在所述阴极上并且在所述阴极与所述封装层之间，以及
低反射层，所述低反射层布置在所述覆盖层上。
12.一种发光显示装置，包括：
显示区域；以及
第一部件区域，所述第一部件区域定位在所述显示区域内并且包括多个像素，其中所述多个像素中的每个包括像素电路部分，并且所述第一部件区域还包括在所述多个像素之间的第一光传感器区域和第二光传感器区域，
其中，所述第一光传感器区域包括：
第一子光传感器区域，所述第一子光传感器区域定位在相邻的像素电路部分之间；以及
黑色像素限定层，所述黑色像素限定层定位在所述第一子光传感器区域的前表面上并且包括与所述第一子光传感器区域重叠的开口，
其中，所述第二光传感器区域包括：
第二子光传感器区域，所述第二子光传感器区域定位在其它相邻的像素电路部分之间；以及
所述黑色像素限定层，所述黑色像素限定层定位在所述第二子光传感器区域的前表面上并且与所述第二子光传感器区域重叠的。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，
所述第一子光传感器区域和所述第二子光传感器区域中的一种与所述第一部件区域中的所有像素电路部分相邻，并且
所述第一部件区域包括多个第一光传感器区域，所述第一部件区域包括多个第二光传感器区域，并且所述多个第一光传感器区域的数量等于或小于所述多个第二光传感器区域的数量。
14.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中，所述第一部件区域包括以下中的一个或多个：
1/2周期，在所述1/2周期中对于一个第一光传感器区域形成有一个第二光传感器区域，
1/4周期，在所述1/4周期中对于一个第一光传感器区域形成有三个第二光传感器区域，
3/8周期，在所述3/8周期中对于三个第一光传感器区域形成有五个第二光传感器区域，
1/8周期，在所述1/8周期中对于一个第一光传感器区域形成有七个第二光传感器区域，以及
1/9周期，在所述1/9周期中对于一个第一光传感器区域形成有八个第二光传感器区域。
15.根据权利要求14所述的发光显示装置，其中，
所述第一部件区域具有大于0.12％的透射率。
16.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，
所述第一部件区域划分为中心区域和外围区域，并且
所述第一部件区域的所述中心区域的第一周期不同于所述第一部件区域的所述外围区域的第二周期。
17.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，
所述第一周期具有比所述第二周期的值大的值。
18.根据权利要求12所述的发光显示装置，还包括：
阻光层，所述阻光层布置在所述黑色像素限定层上，以及
滤色器，所述滤色器布置在所述阻光层上。
19.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，
所述多个像素还包括发光元件，
所述发光元件包括阳极、发射层和阴极，并且
所述发光显示装置还包括：
封装层，所述封装层覆盖所述发光元件和所述像素电路部分，
阻光层，所述阻光层布置在所述封装层上，以及
反射调整层，所述反射调整层布置在所述阻光层的前表面上并且吸收一个或多个预定波长带的光。
20.根据权利要求19所述的发光显示装置，还包括：
覆盖层，所述覆盖层布置在所述阴极上并且在所述阴极与所述封装层之间，以及
低反射层，所述低反射层布置在所述覆盖层上。
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