CN218868606U - 发光显示装置 - Google Patents

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朴海赞
李荣镐
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种发光显示装置包括：第一半导体层；第一栅极绝缘层；第一栅极导电层；第二栅极绝缘层；第一数据导电层；下绝缘层；第二数据导电层，定位在所述下绝缘层上并且包括第一阳极连接构件和第二阳极连接构件；上有机层；第一阳极和第二阳极；以及像素限定层，包括分别暴露所述第一阳极和所述第二阳极的第一开口和第二开口，其中，所述上有机层包括第一阳极连接开口和第二阳极连接开口，所述第一阳极和所述第二阳极分别通过所述第一阳极连接开口和所述第二阳极连接开口与所述第一阳极连接构件和所述第二阳极连接构件电连接。

Description

发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年11月5日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2021-0151381号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及发光显示装置，并且更具体地，本公开涉及用于通过使有机层平坦化来减少色带(color band)的发光显示装置。
背景技术
显示装置是显示图像的装置，并且包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器等。这样的显示装置用于诸如便携式电话、导航装置、数字相机、电子书、便携式游戏装置或各种终端的各种电子装置中。
诸如有机发光二极管(OLED)显示器的显示装置可以具有能够使用柔性基底使显示装置弯曲或折叠的结构。
另外，在诸如便携式电话的小型电子装置中，诸如相机和光电传感器的光学元件形成在作为显示区域的外围的边框区域中。然而，随着在增加显示屏幕的尺寸的同时显示区域的外围区域的尺寸减小，正在开发使光学传感器定位在显示区域后面的技术。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，并且因此，以上信息可能包含不形成对于本领域普通技术人员而言已知的现有技术的信息。
实用新型内容
实施例用于通过减少由于外部光的反射而被不对称地反射时所产生的反射色带来改善显示质量。
根据实施例的发光显示装置包括：第一半导体层，定位在基底上；第一栅极绝缘层，定位在所述第一半导体层上；第一栅极导电层，定位在所述第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，定位在所述第一栅极导电层上；第一数据导电层，定位在所述第二栅极绝缘层上；下绝缘层，定位在所述第一数据导电层上；第二数据导电层，定位在所述下绝缘层上并且包括第一阳极连接构件和第二阳极连接构件；上有机层，定位在所述第二数据导电层上；第一阳极和第二阳极，定位在所述上有机层上；以及像素限定层，包括分别暴露所述第一阳极和所述第二阳极的第一开口和第二开口，其中，所述上有机层包括：第一阳极连接开口和第二阳极连接开口，所述第一阳极和所述第二阳极分别通过所述第一阳极连接开口和所述第二阳极连接开口与所述第一阳极连接构件和所述第二阳极连接构件电连接，并且穿过所述第一阳极连接开口或所述第一阳极连接开口的中心的中心线穿过所述第一开口的中心，并且穿过所述第二阳极连接开口或所述第二阳极连接开口的中心的中心线穿过所述第二开口的中心。
所述中心线在水平方向上延伸，并且与所述第一开口的所述中心匹配，并且所述发光显示装置还包括：第三阳极，定位在所述上有机层上，其中，所述像素限定层还包括暴露所述第三阳极的第三开口，其中，从穿过所述第一阳极连接开口或所述第一阳极连接开口的所述中心或所述第一开口的所述中心的在水平方向上的所述中心线到穿过所述第二开口的所述中心的在所述水平方向上的所述中心线的距离等于从穿过所述第一阳极连接开口或所述第一阳极连接开口的所述中心的在所述水平方向上的所述中心线到穿过所述第三开口的所述中心的在所述水平方向上的所述中心线的距离，并且其中，在平面图中与所述第一开口重叠的所述第一阳极是绿色发光二极管的阳极，在平面图中与所述第二开口重叠的所述第二阳极是红色发光二极管的阳极，并且在平面图中与所述第三开口重叠的所述第三阳极是蓝色发光二极管的阳极。
所述第二数据导电层还包括驱动电压线，所述驱动电压线包括多个扩展部分和电连接所述多个扩展部分的连接部分，所述第一数据导电层包括扩展部分，所述扩展部分在平面图中与所述第一开口重叠并且包括突出部分，所述第一数据导电层的所述扩展部分的所述突出部分和所述驱动电压线的所述连接部分通过定位在所述下绝缘层中的开口彼此电连接，并且在平面图中，所述下绝缘层的所述开口被所述第一数据导电层的所述扩展部分的所述突出部分和所述驱动电压线的所述连接部分完全覆盖，其中，所述下绝缘层是有机绝缘体。
所述第一数据导电层包括在平面图中与所述第一开口重叠的扩展部分，并且所述扩展部分具有朝向一侧变窄的结构。
所述发光显示装置在所述第二栅极绝缘层和所述第一数据导电层之间还包括：第二栅极导电层，定位在所述第二栅极绝缘层上；第一层间绝缘层，定位在所述第二栅极导电层上；第二半导体层，定位在所述第一层间绝缘层上并且包括氧化物半导体；第三栅极绝缘层，定位在所述第二半导体层上；第三栅极导电层，定位在所述第三栅极绝缘层上；以及第二层间绝缘层，定位在所述第三栅极导电层上，并且所述第一数据导电层定位在所述第二层间绝缘层上，并且所述发光显示装置还包括：多晶半导体晶体管，包括：沟道，在所述第一半导体层中；以及栅极电极，在所述第一栅极导电层中；以及氧化物半导体晶体管，包括：沟道，在所述第二半导体层中；以及栅极电极，在所述第三栅极导电层中，其中，产生到所述第一阳极或所述第二阳极的输出电流的驱动晶体管是所述多晶半导体晶体管，使所述第一阳极或所述第二阳极初始化的阳极初始化晶体管是所述氧化物半导体晶体管，并且所述第一数据导电层包括：布线部分，在垂直方向上延伸；以及延伸部分，在水平方向上从所述布线部分突出到相对侧，所述延伸部分的端部扩展，并且所述发光显示装置包括将第二初始化电压传输到所述阳极初始化晶体管的第二初始化电压线。
所述上有机层还包括虚设阳极连接开口，并且穿过所述像素限定层的所述第一开口的所述中心或所述第二开口的所述中心的在水平方向上的所述中心线穿过所述虚设阳极连接开口或所述虚设阳极连接开口的中心，并且所述发光显示装置还包括：显示区域和第一组件区域，其中，所述虚设阳极连接开口定位在所述显示区域中，并且所述像素限定层的至少一部分定位在所述虚设阳极连接开口中。
所述虚设阳极连接开口定位在所述第一组件区域中，功能层的至少一部分定位在所述虚设阳极连接开口中，所述功能层包括发光二极管的电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层中的至少一种，所述第一栅极导电层包括第一扫描线，所述第一扫描线具有沿着第一组件区域的边界弯曲的结构，所述第一栅极导电层还包括虚设扫描部分，所述第一扫描线沿着所述第一组件区域的上边界弯曲，并且所述虚设扫描部分在沿着所述第一组件区域的下边界弯曲的同时与所述第一扫描线分开。
根据实施例的发光显示装置包括：半导体层，定位在基底上；第一栅极绝缘层，定位在所述半导体层上；栅极导电层，定位在所述第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，定位在所述栅极导电层上；第一数据导电层，定位在所述第二栅极绝缘层上；下绝缘层，定位在所述第一数据导电层上；第二数据导电层，定位在所述下绝缘层上；上有机层，定位在所述第二数据导电层上；第一阳极和第二阳极，定位在所述上有机层上；以及像素限定层，包括分别暴露所述第一阳极和所述第二阳极的第一开口和第二开口，其中，所述上有机层包括虚设阳极连接开口，并且穿过所述像素限定层的所述第一开口的中心或所述第二开口的中心的中心线穿过所述虚设阳极连接开口或所述虚设阳极连接开口的中心。
所述发光显示装置还包括：显示区域和第一组件区域，其中，所述虚设阳极连接开口定位在所述显示区域中，所述像素限定层的至少一部分定位在所述虚设阳极连接开口中，所述虚设阳极连接开口定位在所述第一组件区域中，功能层的至少一部分定位在所述虚设阳极连接开口中，并且所述功能层包括发光二极管的电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层中的至少一种，其中，所述下绝缘层是有机绝缘体。
所述栅极导电层包括第一扫描线，所述第一扫描线具有沿着所述第一组件区域的边界弯曲的结构，所述栅极导电层还包括虚设扫描部分，所述第一扫描线沿着所述第一组件区域的上边界弯曲，并且所述虚设扫描部分在沿着所述第一组件区域的下边界弯曲的同时与所述第一扫描线分开。
根据实施例的发光显示装置包括：第一半导体层，定位在基底上；第一栅极绝缘层，定位在所述第一半导体层上；第一栅极导电层，定位在所述第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，定位在所述第一栅极导电层上；第一数据导电层，定位在所述第二栅极绝缘层上；下有机层，定位在所述第一数据导电层上；第二数据导电层，定位在所述下有机层上，并且包括第一阳极连接构件和第二阳极连接构件；上有机层，定位在所述第二数据导电层上；第一阳极和第二阳极，定位在所述上有机层上；以及像素限定层，包括分别暴露所述第一阳极和所述第二阳极的第一开口和第二开口，其中，所述上有机层包括第一阳极连接开口和第二阳极连接开口，所述第一阳极和所述第二阳极分别通过所述第一阳极连接开口和所述第二阳极连接开口与所述第一阳极连接构件和所述第二阳极连接构件电连接，并且穿过所述第一阳极连接开口或所述第一阳极连接开口的中心的中心线穿过所述第一开口的中心，并且穿过所述第二阳极连接开口或所述第二阳极连接开口的中心的中心线穿过所述第二开口的中心。
所述中心线可以在水平方向上延伸，并且可以与所述第一开口的所述中心匹配。
在平面图中与所述第一开口重叠的所述第一阳极是绿色发光二极管的阳极，并且在平面图中与所述第二开口重叠的所述第二阳极是红色发光二极管的阳极或蓝色发光二极管的阳极。
所述发光显示装置还可以包括定位在所述上有机层上的第三阳极。所述像素限定层还可以包括暴露所述第三阳极的第三开口，并且从穿过所述第一阳极连接开口或所述第一阳极连接开口的所述中心或所述第一开口的所述中心的在所述水平方向上的所述中心线到穿过所述第二开口的所述中心的在所述水平方向上的中心线的距离可以等于从穿过所述第一阳极连接开口或所述第一阳极连接开口的所述中心的在所述水平方向上的所述中心线到穿过所述第三开口的中心的在所述水平方向上的所述中心线的距离。
在平面图中与所述第一开口重叠的所述第一阳极可以是绿色发光二极管的阳极，在平面图中与所述第二开口重叠的所述第二阳极可以是红色发光二极管的阳极，并且在平面图中与所述第三开口重叠的所述第三阳极可以是蓝色发光二极管的阳极。
所述第二数据导电层还可以包括驱动电压线，所述驱动电压线包括多个扩展部分和电连接所述多个扩展部分的连接部分，所述第一数据导电层可以包括扩展部分，所述扩展部分在平面图中与所述第一开口重叠并且包括突出部分，所述第一数据导电层的所述扩展部分的所述突出部分和所述驱动电压线的所述连接部分可以通过定位在所述下有机层中的开口彼此电连接，并且在平面图中，所述下有机层的所述开口可以被所述第一数据导电层的所述扩展部分的所述突出部分和所述驱动电压线的所述连接部分完全覆盖。
所述第一数据导电层可以包括：在平面图中与所述第一开口重叠的扩展部分，并且所述扩展部分可以具有朝向一侧变窄的结构。
所述发光显示装置在所述第二栅极绝缘层和所述第一数据导电层之间还可以包括：第二栅极导电层，定位在所述第二栅极绝缘层上；第一层间绝缘层，定位在所述第二栅极导电层上；第二半导体层，定位在所述第一层间绝缘层上并且包括氧化物半导体；第三栅极绝缘层，定位在所述第二半导体层上；第三栅极导电层，定位在所述第三栅极绝缘层上；以及第二层间绝缘层，定位在所述第三栅极导电层上，并且所述第一数据导电层可以定位在所述第二层间绝缘层上。
所述发光显示装置还可以包括：多晶半导体晶体管，包括在所述第一半导体层中的沟道和在所述第一栅极导电层中的栅极电极；以及氧化物半导体晶体管，包括在所述第二半导体层中的沟道和在所述第三栅极导电层中的栅极电极，其中，产生到所述第一阳极或所述第二阳极的输出电流的驱动晶体管可以是所述多晶半导体晶体管，并且使所述第一阳极或所述第二阳极初始化的阳极初始化晶体管可以是所述氧化物半导体晶体管。
所述第一数据导电层可以包括：布线部分，在垂直方向上延伸；以及延伸部分，在水平方向上从所述布线部分向相对两侧突出，所述延伸部分的端部可以扩展，并且所述发光显示装置可以包括将第二初始化电压传输到所述阳极初始化晶体管的第二初始化电压线。
所述上有机层还可以包括虚设阳极连接开口，并且穿过所述像素限定层的所述第一开口的所述中心或所述第二开口的所述中心的在水平方向上的所述中心线穿过所述虚设阳极连接开口或所述虚设阳极连接开口的中心。
所述发光显示装置还可以包括：显示区域和第一组件区域，其中，所述虚设阳极连接开口可以定位在所述显示区域中，并且所述像素限定层的至少一部分可以定位在所述虚设阳极连接开口中。
所述虚设阳极连接开口可以定位在所述第一组件区域中，功能层的至少一部分可以定位在所述虚设阳极连接开口中，并且所述功能层可以包括发光二极管的电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层中的至少一种。
所述第一栅极导电层可以包括第一扫描线，并且所述第一扫描线可以具有沿着第一组件区域的边界弯曲的结构。
所述第一栅极导电层还可以包括虚设扫描部分，所述第一扫描线可以沿着所述第一组件区域的上边界弯曲，并且所述虚设扫描部分可以在沿着所述第一组件区域的下边界弯曲的同时与所述第一扫描线分开。
根据实施例的发光显示装置包括：第一半导体层，定位在基底上；第一栅极绝缘层，定位在所述半导体层上；栅极导电层，定位在所述第一栅极绝缘层上；第二栅极绝缘层，定位在所述栅极导电层上；第一数据导电层，定位在所述第二栅极绝缘层上；下有机层，定位在所述第一数据导电层上；第二数据导电层，定位在所述下有机层上；上有机层，定位在所述第二数据导电层上；第一阳极和第二阳极，定位在所述上有机层上；以及像素限定层，包括分别暴露所述第一阳极和所述第二阳极的第一开口和第二开口，其中，所述上有机层包括虚设阳极连接开口，并且穿过所述像素限定层的所述第一开口的中心或所述第二开口的中心的中心线穿过所述虚设阳极连接开口或所述虚设阳极连接开口的中心。
所述发光显示装置包括显示区域和第一组件区域，其中，所述虚设阳极连接开口可以定位在所述显示区域中，并且所述像素限定层的至少一部分可以定位在所述虚设阳极连接开口中。
所述虚设阳极连接开口可以定位在所述第一组件区域中，功能层的至少一部分可以定位在所述虚设阳极连接开口中，并且所述功能层可以包括发光二极管的电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层中的至少一种。
所述栅极导电层可以包括第一扫描线，并且所述第一扫描线可以具有沿着所述第一组件区域的边界弯曲的结构。
所述栅极导电层还可以包括虚设扫描部分，所述第一扫描线沿着所述第一组件区域的上边界弯曲，并且所述虚设扫描部分可以在沿着所述第一组件区域的下边界弯曲的同时与所述第一扫描线分开。
根据实施例，定位于在阳极下面所定位的有机层中的开口与相邻的阳极或像素限定层的开口对称地形成，并且因此阳极是均匀平坦的，从而防止反射光不对称地扩散。结果，可以通过减小由反射光引起的颜色分离所导致的反射色带来改善显示质量。另外，通过使用作为将发射层彼此分开的像素限定层的像素限定层而不是偏振器，可以减小外部光反射的比率。
附图说明
通过以下结合附图的描述，本公开的某些实施例的上述及其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1是示出根据实施例的显示装置的使用状态的示意性透视图；
图2是根据实施例的显示装置的示意性分解透视图；
图3是根据实施例的显示装置的示意性框图；
图4是根据另一实施例的显示装置的示意性透视图；
图5是根据实施例的显示装置的一些区域的示意性放大平面图；
图6是根据实施例的发光显示装置中包括的像素的等效电路的示意图；
图7至图19示意性地详细示出了根据依据实施例的发光显示装置的下面板层的制造顺序的每一层的结构；
图20是根据实施例的发光显示装置的示意性截面图；
图21至图25B是根据图7至图20的实施例的下面板层的一部分的示意性放大图；
图26是根据另一实施例的下面板层的一部分的示意性平面图；
图27是图26的实施例的示意性截面图；
图28是根据另一实施例的下面板层的一部分的示意性平面图；
图29是图28的实施例的示意性截面图；
图30是示出根据另一实施例的下面板层的一部分的示意性平面图；
图31是示出根据另一实施例的下面板层的示意性平面图；
图32A和图32B示出了根据比较示例的下面板层和阳极的平坦特征；
图33A至图34B示出了根据实施例的下面板层和阳极的平坦特征；并且
图35是根据另一实施例的发光显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
在下文中，参考附图，将详细地描述各种实施例，使得本领域普通技术人员能够容易地实施本公开。本公开可以以若干不同的方式实施，并且不限于本文描述的实施例。
为了清楚地说明本公开，省略了与描述无关的部分，并且在整个说明书中，相同的附图标记表示相同或相似的构成元件。
另外，因为为了更好地理解和便于描述而任意地指示了在附图中示出的每个组件的尺寸和厚度，所以本公开不必限于所示的附图。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板和区域等的厚度。另外，在附图中，为了更好地理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。此外，在整个说明书中，词语“在”对象元件“上”将被理解为是指定位在对象元件上方或下方，并且将不一定被理解为是指基于与重力方向相反的方向定位在“上侧”。
另外，除非明确相反地描述，否则词语“包括”和诸如“包含”或“含有”的变型将被理解为隐含包括列举的元件，而不排除任何其他元件。
此外，在整个说明书中，短语“在平面图中”是指从顶部观察对象部分，并且短语“在截面上”是指从侧面观察通过竖直地切割对象部分所形成的截面。
另外，在整个说明书中，“连接”不仅意味着当两个或更多个构成元件直接连接时，而且还可以包括两个或更多个构成元件通过其他构成元件间接连接的情况，它们在物理上连接的情况，电连接的情况，以及尽管根据位置或功能以不同的名称称呼但是其中每个部分基本上彼此成一体的情况。将理解的是，术语“接触”、“连接到”和“耦接到”可以包括物理和/或电接触、连接或耦接。
另外，在整个说明书中，当陈述诸如布线、层、膜、区域、板和构成元件的部件“在第一方向或第二方向上延伸”时，这不仅仅意味着在相应方向上笔直地延伸的直线形状，而且还包括部分地弯曲的结构、具有之字形结构或在包括曲线结构的同时延伸，该曲线结构是整体上在第一方向或第二方向上延伸的结构。
另外，包括在说明书中描述的显示装置和显示面板的电子装置(例如，移动电话、TV、监视器、膝上型计算机等)或包括通过在说明书中描述的制造方法制造的显示装置和显示面板的电子装置不从本说明书的权利范围中排除。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，如本文使用的“大约”或“近似”包括列举的值，并且意指在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在列举的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种)”旨在包括“从……组中选择的至少一个(种)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种)”可以被理解为是指“A、B、或者A和B”。
除非本文另有定义或暗示，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，除非本文明确地如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开中的含义相一致的含义，并且不应以理想化的或过于形式化的含义来解释所述术语。
在下文中，将参考图1至图3描述显示装置的示意性结构。图1是示出根据实施例的显示装置的使用状态的示意性透视图，图2是根据实施例的显示装置的示意性分解透视图，并且图3是根据实施例的显示装置的示意性框图。
参考图1，根据实施例的显示装置(在本文中也称为发光显示装置)1000是显示运动图像或静止图像的装置，并且不仅可以用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航器和超移动PC(UMPC)等的便携式电子装置的显示屏，而且可以用作诸如电视机、膝上型计算机、监视器、广告板和物联网(IoT)装置等的各种产品的显示屏。另外，根据实施例的显示装置1000可以用在诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。另外，根据实施例的显示装置1000可以用作汽车的仪表板、设置在汽车的中央仪表盘或仪表板上的中央信息显示器(CID)、代替汽车的侧视镜的室内镜显示器以及设置在前座椅的后部上作为汽车后座的娱乐装置的显示器。为了更好地理解和便于描述，图1示出了显示装置1000被用作智能电话。
显示装置1000可以在与第一方向DR1和第二方向DR2平行的显示平面上朝向第三方向DR3显示图像。显示图像的显示平面可以对应于显示装置1000的前表面，并且可以对应于覆盖窗WU的前表面。图像可以包括静态图像以及动态图像。
在实施例中，参考显示图像的方向来限定每个构件的前部(或顶部)和后部(或底部)。前表面和后表面可以在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和后表面的法线方向可以平行于第三方向DR3。
前表面和后表面之间的在第三方向DR3上的间隔距离可以对应于显示面板的在第三方向DR3上的厚度。
根据实施例的显示装置1000可以检测来自外部的用户的输入(参考由图1中的手所施加的输入)。用户的输入可以包括各种类型的外部输入，诸如由用户的身体的一部分或笔所施加的输入、光、热或压力。在实施例中，用户的输入被示出为将用户的手施加到前部。然而，本公开不限于此。可以以各种形式提供用户的输入，并且显示装置1000可以根据显示装置1000的结构来检测施加到显示装置1000的一侧或后表面的用户的输入。
参考图1和图2，显示装置1000可以包括覆盖窗WU、壳体HM、显示面板DP和光学元件ES。在实施例中，覆盖窗WU和壳体HM组合以形成(或构成)显示装置1000的外观。
覆盖窗WU可以包括绝缘面板。例如，覆盖窗WU可以由玻璃、塑料或它们的组合制成。
覆盖窗WU的前部可以限定显示装置1000的前部。透射区域TA可以是光学透明区域。例如，透射区域TA可以是具有大约90％或更大的可见光透射率的区域。
阻挡区域BA可以限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA与透射区域TA相邻并且可以围绕透射区域TA。与透射区域TA相比，阻挡区域BA可以是具有相对低的透光率(也称为透射率)的区域。阻挡区域BA可以包括阻挡光的材料。阻挡区域BA可以具有颜色。
阻挡区域BA可以由与限定透射区域TA的透明基底分开提供的边框层限定，或者可以由通过在透明基底中插入或着色而形成的油墨层限定。
显示面板DP可以包括用于显示图像的图像显示面板和用于驱动图像显示面板的驱动器50。显示面板DP可以包括前表面，该前表面包括显示区域DA和外围区域PA。显示区域DA可以是像素PX根据电信号而工作并发光的区域。
在实施例中，显示区域DA可以是包括像素PX并且显示图像的区域，并且同时是由定位在像素PX的在第三方向DR3上的上侧的触摸传感器感测外部输入的区域。
覆盖窗WU的透射区域TA可以至少部分地与显示面板DP的显示区域DA重叠。例如，透射区域TA可以与显示区域DA的前表面重叠，或者可以与显示区域DA的至少一部分重叠。因此，用户可以通过透射区域TA识别图像或者基于图像提供外部输入。然而，本公开不限于此。例如，在显示区域DA中，显示图像的区域和感测外部输入的区域可以彼此分开。
显示面板DP的外围区域PA可以至少部分地与覆盖窗WU的阻挡区域BA重叠。外围区域PA可以是被阻挡区域BA覆盖的区域。外围区域PA与显示区域DA相邻并且可以围绕显示区域DA。在外围区域PA中不显示图像，并且在外围区域PA中可以设置用于驱动显示区域DA的驱动电路或驱动布线。
外围区域PA可以包括定位在显示区域DA外部的第一外围区域PA1以及包括驱动器50、连接线和弯曲区域的第二外围区域PA2。在图2的实施例中，第一外围区域PA1定位在显示区域DA的三个侧，并且第二外围区域PA2定位在显示区域DA的其它侧。
在实施例中，显示面板DP可以以平坦状态组装，显示区域DA和外围区域PA面对覆盖窗WU。然而，本公开不限于此。显示面板DP的外围区域PA的一部分可以弯曲。在这种情况下，外围区域PA的一部分面对显示装置1000的后侧，并且因此可以减小在显示装置1000的前部所示的阻挡区域BA，并且在图2中，第二外围区域PA2弯曲并且定位在显示区域DA的后侧，并且然后被组装。
另外，显示面板DP可以包括组件区域EA，并且具体地，可以包括第一组件区域EA1和第二组件区域EA2。第一组件区域EA1和第二组件区域EA2可以至少部分地被显示区域DA围绕。尽管第一组件区域EA1和第二组件区域EA2被示出为彼此间隔开，但是本公开不限于此，并且第一组件区域EA1和第二组件区域EA2中的至少一些(或部分)可以连接。第一组件区域EA1和第二组件区域EA2可以是在其下面设置有使用红外线、可见光或声音等的组件的区域。
在显示区域DA中，形成了发光二极管以及用于产生发光电流并将发光电流传输到每个发光二极管的像素电路部分。这里，发光二极管和像素电路部分被称为像素PX。在显示区域DA中，像素电路部分和发光二极管一对一地形成。
第一组件区域EA1包括形成为透明层以允许光穿过其的区域，并且没有导电层或没有半导体层被定位，并且第一组件区域EA1可以具有其中包括光阻挡材料的像素限定层和光阻挡层等包括与对应于第一组件区域EA1的位置重叠的开口的结构，从而防止光被阻挡。
第二组件区域EA2可以包括光和/或声音可以穿过的透射部分和包括像素PX的显示部分。透射部分定位在相邻的像素PX之间，并且形成为光和/或声音可以穿过的透明层。显示部分可以通过组合像素PX而形成为具有单元结构，并且透射部分可以定位在相邻的单元结构之间。
参考图1至图3，显示面板DP可以包括其中包括像素PX的显示区域DA以及触摸传感器TS。包括产生图像的像素PX，用户可以通过透射区域TA从外部在视觉上识别显示面板DP。另外，触摸传感器TS可以定位在像素PX上方，并且可以感测从外部施加的外部输入。触摸传感器TS可以检测提供到覆盖窗WU的外部输入。
返回参考图2，第二外围区域PA2可以包括弯曲部分。显示区域DA和第一外围区域PA1可以具有其中显示区域DA和第一外围区域PA1基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的平坦状态，并且第二外围区域PA2的一侧从平坦状态延伸并且可以在经过弯曲部分之后再次是平坦的。因此，第二外围区域PA2的至少一部分可以被弯曲和组装以定位在显示区域DA的后侧上。当组装时，第二外围区域PA2的至少一部分在平面图中与显示区域DA重叠，并且因此，可以减小显示装置1000的阻挡区域BA。然而，本公开不限于此。例如，第二外围区域PA2可以不弯曲。
驱动器50可以安装在第二外围区域PA2上/中，并且可以安装在弯曲部分上或定位在弯曲部分的各侧中的一侧上。驱动器50可以以芯片的形式提供。
驱动器50可以电连接到显示区域DA以将电信号传输到显示区域DA。例如，驱动器50可以向设置在显示区域DA中的像素PX提供数据信号。作为另一示例，驱动器50可以包括触摸驱动电路，并且可以电连接到设置在显示区域DA中的触摸传感器TS。驱动器50可以包括除了上述电路之外的各种电路，或者可以被设计为向显示区域DA提供各种电信号。
在显示装置1000中，焊盘部分可以定位在第二外围区域PA2的端部处，并且第二外围区域PA2可以通过焊盘部分电连接到包括驱动芯片的柔性印刷电路板(FPCB)。这里，定位在柔性印刷电路板上的驱动芯片可以包括用于驱动显示装置1000的各种驱动电路或用于电源的连接器。在实施例中，代替柔性印刷电路板，可以使用刚性印刷电路板(PCB)。
光学元件ES可以设置在显示面板DP下面。光学元件ES可以包括与第一组件区域EA1重叠的第一光学元件ES1和与第二组件区域EA2重叠的第二光学元件ES2。
第一光学元件ES1可以是使用光或声音的电子元件。例如，第一光学元件ES1可以是接收并使用光的传感器(类似于红外传感器)、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小型灯或输出声音的扬声器。在使用光的电子元件的情况下，可以使用诸如可见光、红外光和紫外(UV)光的各种波段的光。
第二光学元件ES2可以是诸如红外(IR)相机的相机、点投影仪、红外照明器和飞行时间传感器(ToF传感器)中的至少一种。
参考图3，显示装置1000可以包括显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以彼此电连接。作为示例，图3示出了显示面板DP的配置之中的定位在显示区域DA中的像素PX(参见图2)和触摸传感器TS。
电源模块PM可以供应显示装置1000的整体操作所需的电力。电源模块PM可以包括常规的电池模块。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以包括用于操作显示装置1000的各种功能模块。第一电子模块EM1可以直接安装在电连接到显示面板DP的母板上，或者安装在单独的基底上，并且通过连接器(未示出)电连接到母板。
第一电子模块EM1可以包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。一些模块未安装在母板上，并且可以通过与其连接的柔性印刷电路板电连接到母板。
控制模块CM可以控制显示装置1000的整体操作。控制模块CM可以是微处理器。例如，控制模块CM激活或禁用显示面板DP。控制模块CM可以基于从显示面板DP接收的触摸信号来控制诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM的其他模块。
无线通信模块TM可以使用蓝牙或Wi-Fi线路向另一终端发送无线信号/从另一终端接收无线信号。无线通信模块TM可以使用通常的通信线路发送/接收语音信号。无线通信模块TM包括调制并发送待发送的信号的发送部分TM1以及解调所接收的信号的接收部分TM2。
图像输入模块IIM可以处理视频信号并且将视频信号转换为可以在显示面板DP上显示的图像数据。音频输入模块AIM可以在录音模式和语音识别模式等中接收由麦克风输入的外部声音信号，并且将外部声音信号转换为电语音数据。
外部接口IF可以用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口或卡(例如，存储卡、SIM/UIM卡)插座的接口。
第二电子模块EM2可以包括音频输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM等，并且这些模块中的至少一些是可以定位在如图1和图2中所示的显示面板DP的后侧的光学元件ES。光学元件ES可以包括发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM。另外，第二电子模块EM2可以直接安装在母板上，安装在单独的基底上并且通过连接器(未示出)电连接到显示面板DP，或者电连接到第一电子模块EM1。
音频输出模块AOM可以转换从无线通信模块TM接收的声音数据或存储在存储器MM中的声音数据并且将声音数据输出到外部。
发光模块LM可以产生并输出光。
发光模块LM可以输出红外线(也称为红外光)。例如，发光模块LM可以包括发光二极管元件。例如，光接收模块LRM可检测红外线。在检测到高于一水平(例如，预定或选定的水平)的红外光的情况下，光接收模块LRM可以被激活。光接收模块LRM可以包括CMOS传感器。在输出由发光模块LM产生的红外光之后，红外光被外部对象(例如，用户的手指或面部)反射，并且反射的红外光可以入射在光接收模块LRM上。相机模块CMM可以捕获外部图像。
在实施例中，光学元件ES可以另外包括光传感器或热传感器。光学元件ES可以检测通过前侧接收的来自外部对象的外部输入，或者通过前侧向外部提供诸如语音的声音信号。另外，光学元件ES可以包括各种配置，并且不限于任何一个实施例。
返回参考图2，壳体HM可以与覆盖窗WU组合。覆盖窗WU可以设置在壳体HM前面。壳体HM可以耦接到覆盖窗WU以提供空间。显示面板DP和光学元件ES可以被容纳在提供于壳体HM与覆盖窗WU之间的空间中。
壳体HM可以包含具有相对高的刚度的材料。例如，壳体HM可以包括由玻璃、塑料、金属或者它们的组合制成的框架和/或板。壳体HM可以可靠地保护显示装置1000的被容纳在内部空间中的组件免受外部冲击。
在下文中，参考图4，将描述根据另一实施例的显示装置1000的结构。图4是根据另一实施例的显示装置的示意性透视图。
将省略与上述组件相同的组件的描述。
图4示出了具有通过折叠轴FAX折叠显示装置1000的结构的可折叠显示装置。
参考图4，在实施例中，显示装置1000可以是可折叠显示装置。显示装置1000可以关于折叠轴FAX向外或向内折叠。在显示装置1000以折叠轴FAX作为基准(或相对于折叠轴FAX)向外折叠的情况下，显示装置1000的显示平面在第三方向DR3上定位在外侧，并且因此，可以在各个方向上显示图像。在显示装置1000以折叠轴FAX作为基准向内折叠的情况下，显示平面可能从外部不可见。
在实施例中，显示装置1000可以包括显示区域DA、组件区域EA和外围区域PA。显示区域DA可以被划分为第1-1显示区域DA1-1、第1-2显示区域DA1-2和折叠区域FA。第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可以分别定位在以折叠轴FAX作为基准(或在中心处)的左侧和右侧，并且折叠区域FA可以定位在第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2之间。在这种情况下，在显示区域DA相对于折叠轴FAX向外折叠的情况下，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2分别定位在显示装置1000的垂直于第三方向DR3的两个侧面上，并且可以在显示装置1000的垂直于第三方向DR3的两个侧面上显示图像。
在这种情况下，在显示装置1000相对于折叠轴FAX向内折叠的情况下，可能无法从外部观看到第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2。
图5是根据实施例的显示装置的区域的示意性放大平面图。
图5示出根据实施例的发光显示装置的显示面板DP的一部分，并且使用了用于移动电话的显示面板。
显示区域DA定位为遍及显示面板DP的整个前表面，并且可以包括提供在前部的组件区域EA，并且具体地可以包括第一组件区域EA1和第二组件区域EA2。另外，在图5的实施例中，第一组件区域EA1定位在与第二组件区域EA2相邻的位置处。在图5的实施例中，第一组件区域EA1定位在第二组件区域EA2的左侧处。对于每个实施例，第一组件区域EA1的位置和数量可以变化。在图5中，对应于第二组件区域EA2的光学元件可以是相机，并且对应于第一组件区域EA1的光学元件可以是光电传感器。
在显示区域DA中，形成了发光二极管以及用于产生发光电流并将发光电流传输到发光二极管中的每一者的像素电路部分。这里，发光二极管和像素电路部分被称为像素PX(参见图2)。在显示区域DA中，像素电路部分和发光二极管一对一地形成。在下文中，将显示区域DA称为常规显示区域。在图5中，未示出切除线下方的显示面板DP的结构，但是显示区域DA可以定位在切除线下方。
第一组件区域EA1仅形成为透明层以使光穿过第一组件区域EA1，并且导电层或半导体层不定位在第一组件区域EA1中，并且第一组件区域EA1可以具有其中光电传感器区域OPS(参见图17)被包括在下面板层中的结构，并且开口(在下文也被称为附加开口)形成在黑色像素限定层380(在下文也被称为像素限定层)(参见图20)、上面板层的光阻挡构件220(参见图20)和滤色器层230(参见图20)中的与第一组件区域EA1对应的位置处，使得光不被阻挡。尽管光电传感器区域OPS位于下面板层中，但是如果没有提供与上面板层对应的开口，则第一组件区域EA1可以是显示区域DA。图7至图20示出了像素和光电传感器区域OPS，并且示出了第一组件区域EA1或显示区域DA的结构。
根据实施例的显示面板DP可以被划分为下面板层和上面板层。下面板层是形成像素的发光二极管和像素电路部分所定位的部分，并且可以包括覆盖下面板层的封装层400(参考图20)。例如，下面板层从基底110(参考图20)到封装层400，并且包括阳极Anode、黑色像素限定层380(参考图20)、发射层EML(参考图20)、间隔件385(参考图20)、功能层FL(参考图20)和阴极Cathode(参考图20)，并且在基底110和阳极Anode之间包括绝缘层、半导体层和导电层。上面板层是定位在封装层400的上部的部分，并且可以包括可以检测触摸的感测绝缘层501、510和511(参考图20)以及感测电极540和541(参考图20)、光阻挡构件220(参考图20)、滤色器层230(参考图20)和平坦化层550(参考图20)等。
在下文中，将参考图7至图20描述显示区域DA的下面板层的结构。
尽管在图5中未示出，但是外围区域可以进一步定位在显示区域DA的外部。另外，图5示出了用于移动电话的显示面板，但是实施例可以应用于光学元件可以定位在显示面板的后侧的情况，并且用于移动电话的显示面板也可以是柔性显示装置。在柔性显示装置之中的可折叠显示装置的情况下，第二组件区域EA2和第一组件区域EA1的位置可以形成在与图5中所示的位置不同的位置。
在下文中，将参考图6详细描述位于显示面板DP的下面板层中的像素的电路结构。
下面的像素结构可以是包括光电传感器区域OPS(参见图17)的显示区域DA(参见图5)和/或第二组件区域EA2(参见图5)的像素结构。这里，光电传感器区域OPS是在从光电传感器区域OPS的上部去除诸如光阻挡构件的光阻挡部分的情况下可以对应于第一组件区域EA1的部分，并且在光可以被位于光电传感器区域OPS的上部的光阻挡构件阻挡的情况下，光电传感器区域OPS可以被包括在显示区域DA中。
首先，参考图6，将描述像素电路结构。
图6是根据实施例的发光显示装置中包括的像素的等效电路的示意图。
图6中所示的电路结构是形成在显示区域DA(参见图5)和第二组件区域EA2(参见图5)中的像素电路部分和发光二极管的电路结构。
根据实施例的像素包括连接到布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cboost和发光二极管LED。这里，除了发光二极管LED之外的晶体管和电容器形成像素电路部分。在实施例中，可以省略升压电容器Cboost。晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以是包括多晶半导体的多晶半导体晶体管和包括氧化物半导体的氧化物半导体晶体管，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以是多晶半导体晶体管，而第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可以是氧化物半导体晶体管。
像素PX可以与布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741连接。布线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。
第一扫描线151连接到扫描驱动器(未示出)，并且将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2。可以在与第一扫描线151的信号相同的时序处将施加到第一扫描线151的电压的相反极性的电压施加到第二扫描线152。例如，在向第一扫描线151施加负电压的情况下，可以向第二扫描线152施加正电压。第二扫描线152将第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3。初始化控制线153将初始化控制信号GI传输到第四晶体管T4，发光控制线155将发光控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6，并且旁路控制线154将旁路控制信号GB传输到第七晶体管T7。可以在与第一扫描信号GW相同的时序处将相反极性的电压施加到旁路控制线154，并且在这种情况下，旁路控制信号GB可以具有与第二扫描信号GC相同的信号。
数据线171是传输由数据驱动器(未示出)产生的数据电压DATA的布线。因此，传输到发光二极管LED的发光电流的强度改变，使得发光二极管LED的亮度也改变。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传输第一初始化电压Vinit，并且第二初始化电压线128传输第二初始化电压AVinit。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在实施例中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可以各自是恒定电压。
驱动晶体管T1(也被称为第一晶体管)是P型晶体管，并且具有硅半导体(多晶半导体)作为半导体层。驱动晶体管T1是根据驱动晶体管T1的栅极电极的电压(例如，存储在存储电容器Cst中的电压)的幅值来调整输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的强度的晶体管。因为根据输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的强度来调整发光二极管LED的亮度，所以可以根据施加到像素的数据电压DATA来调整发光二极管LED的发光亮度。为此目的，驱动晶体管T1的第一电极被设置为接收驱动电压ELVDD，并且经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。另外，驱动晶体管T1的第一电极还连接到第二晶体管T2的第二电极以接收数据电压DATA。驱动晶体管T1的第二电极向发光二极管LED输出发光电流，并且经由第六晶体管T6(也称为输出控制晶体管)连接到发光二极管LED的阳极。另外，驱动晶体管T1的第二电极还连接到第三晶体管T3，并且施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA被传输到第三晶体管T3。驱动晶体管T1的栅极电极连接到存储电容器Cst的电极(在下文中称为第二存储电极)。因此，驱动晶体管T1的栅极电极的电压根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，并且因此，由驱动晶体管T1输出的发光电流改变。存储电容器Cst用于在一帧内保持驱动晶体管T1的栅极电极的电压恒定。驱动晶体管T1的栅极电极还与第三晶体管T3连接，并且因此，施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA可以通过第三晶体管T3传输到驱动晶体管T1的栅极电极。驱动晶体管T1的栅极电极还连接到第四晶体管T4，并且可以通过接收第一初始化电压Vinit而被初始化。
第二晶体管T2是P型晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。第二晶体管T2是将数据电压DATA接收到像素中的晶体管。第二晶体管T2的栅极电极与第一扫描线151和升压电容器Cboost的电极(在下文中称为下升压电极)连接。第二晶体管T2的第一电极连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。在第二晶体管T2由通过第一扫描线151传输的第一扫描信号GW之中的负电压导通的情况下，通过数据线171传输的数据电压DATA被传输到驱动晶体管T1的第一电极，并且最后，数据电压DATA被传输到驱动晶体管T1的栅极电极并且存储在存储电容器Cst中。
第三晶体管T3是N型晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第三晶体管T3将驱动晶体管T1的第二电极电连接到驱动晶体管T1的栅极电极。因此，通过驱动晶体管T1的阈值电压来补偿数据电压DATA，并且数据电压DATA被存储在存储电容器Cst的第二存储电极中。第三晶体管T3的栅极电极连接到第二扫描线152，并且第三晶体管T3的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极与存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅极电极和升压电容器Cboost的另一电极(在下文中称为上升压电极)连接。第三晶体管T3由通过第二扫描线152接收的第二扫描信号GC的正电压导通，并且连接驱动晶体管T1的栅极电极和驱动晶体管T1的第二电极，并且将施加到驱动晶体管T1的栅极电极的电压传输到存储电容器Cst的第二存储电极并将该电压存储在存储电容器Cst中。在这种情况下，在驱动晶体管T1截止的情况下，存储在存储电容器Cst中的电压是驱动晶体管T1的栅极电极的电压，并且因此，该电压在驱动晶体管T1的阈值电压被补偿的状态下被存储。
第四晶体管T4是N型晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第四晶体管T4使驱动晶体管T1的栅极电极和存储电容器Cst的第二存储电极初始化。第四晶体管T4的栅极电极连接到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极连接到第一初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极连接到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅极电极和升压电容器Cboost的上升压电极。第四晶体管T4由通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI的正电压导通，并且在这种情况下，第一初始化电压Vinit被施加到驱动晶体管T1的栅极电极、存储电容器Cst的第二存储电极和升压电容器Cboost的上升压电极以用于初始化。
第五晶体管T5和第六晶体管T6是P型晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。
第五晶体管T5用于将驱动电压ELVDD传输到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅极电极与发光控制线155连接，第五晶体管T5的第一电极与驱动电压线172连接，并且第五晶体管T5的第二电极与驱动晶体管T1的第一电极连接。
第六晶体管T6用于将从驱动晶体管T1输出的发光电流传送到发光二极管LED。第六晶体管T6的栅极电极与发光控制线155连接，第六晶体管T6的第一电极与驱动晶体管T1的第二电极连接，并且第六晶体管T6的第二电极与发光二极管LED的阳极连接。
第七晶体管T7是N型晶体管，并且包括氧化物半导体作为半导体层。第七晶体管T7使发光二极管LED的阳极初始化。在下文中，第七晶体管T7还被称为阳极初始化晶体管。第七晶体管T7的栅极电极与旁路控制线154连接，第七晶体管T7的第一电极与发光二极管LED的阳极连接，并且第七晶体管T7的第二电极与第二初始化电压线128连接。在第七晶体管T7被流过旁路控制线154的旁路控制信号GB的正电压导通的情况下，第二初始化电压AVinit被施加到发光二极管LED的阳极并且发光二极管LED的阳极被初始化。
尽管已经描述了像素PX(参见图2)包括七个晶体管T1至T7、两个存储电容器Cst和升压电容器Cboost，但是本公开不限于此，并且在实施例中可以不包括升压电容器Cboost。另外，在实施例中，第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7是N型晶体管，但是第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7中的仅一者可以形成为N型晶体管，或者其他晶体管可以形成为N型晶体管。
在上文中，已经参考图6描述了形成在显示区域DA中的像素的电路结构。
在下文中，将参考图7至图20描述形成在显示区域DA中的像素的详细平面结构和层状结构，并且下面的实施例中的像素包括光电传感器区域OPS。
图7至图19详细示出了根据依据实施例的发光显示装置的下面板层的制造顺序的每一层的结构。
参考图7，还参考图20，金属层BML定位在基底110上。
基底110可以包括由于刚性特征而不弯曲的诸如玻璃的材料或者可以弯曲的诸如塑料或聚酰亚胺的柔性材料。在基底110是柔性基底的情况下，如图20中所示，基底110可以具有聚酰亚胺以及位于聚酰亚胺上的由无机绝缘材料形成的阻挡层的双层结构。
金属层BML包括扩展部分BML1和将扩展部分BML1彼此连接的连接部分BML2。金属层BML的扩展部分BML1可以形成在随后的第一半导体层之中的在平面图中与驱动晶体管T1(参见图6)的沟道1132(参见图8)重叠的位置处。金属层BML也被称为下屏蔽层，可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)和钛(Ti)的金属或金属合金，可以另外包括非晶硅，并且可以是单层或多层。
参考图20，覆盖基底110和金属层BML的缓冲层111定位在基底110和金属层BML上。缓冲层111用于阻挡杂质元素渗透到第一半导体层130中，并且可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘层。
如图8中所示，还参考图6和图20，由硅半导体(例如，多晶半导体)形成的第一半导体层130定位在缓冲层111上。第一半导体层130包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133。另外，第一半导体层130不仅包括驱动晶体管T1的沟道1132，而且还包括第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6的沟道，并且包括通过等离子体处理或掺杂在每个沟道的侧部具有导电层特征的区域，以用作第一电极和第二电极。包括第一半导体层130的晶体管可以被称为多晶半导体晶体管。
驱动晶体管T1的沟道1132可以在平面图中具有U形弯折形状。然而，驱动晶体管T1的沟道1132的形状不限于此，并且可以进行各种改变。例如，驱动晶体管T1的沟道1132可以弯曲成不同的形状或者可以具有条形状。驱动晶体管T1的第一区域1131和第二区域1133可以定位在驱动晶体管T1的沟道1132的各侧。定位在第一半导体层中的第一区域1131和第二区域1133用作驱动晶体管T1的第一电极和第二电极。
第二晶体管T2的沟道、第一区域和第二区域定位在第一半导体层130中的从驱动晶体管T1的第一区域1131向下延伸的部分1134中。第五晶体管T5的沟道、第一区域和第二区域定位在从驱动晶体管T1的第一区域1131向上延伸的部分1135中。第六晶体管T6的沟道、第一区域和第二区域定位在从驱动晶体管T1的第二区域1133向上延伸的部分1136中。
参考图20，第一栅极绝缘层141可以定位在包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133的第一半导体层130上。第一栅极绝缘层141可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘层。
参考图9，还参考图6和图20，包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层可以定位在第一栅极绝缘层141上。第一栅极导电层包括第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6以及驱动晶体管T1的栅极电极。驱动晶体管T1的栅极电极1151可以与驱动晶体管T1的沟道1132重叠。驱动晶体管T1的沟道1132被驱动晶体管T1的栅极电极1151覆盖。
第一栅极导电层还可以包括第一扫描线151和发光控制线155。第一扫描线151和发光控制线155可以在基本上水平的方向(在下文中也称为第一方向DR1)上延伸。第一扫描线151可以连接到第二晶体管T2的栅极电极。第一扫描线151可以与第二晶体管T2的栅极电极一体地形成。
发光控制线155可以与第五晶体管T5的栅极电极和第六晶体管T6的栅极电极连接，并且发光控制线155以及第五晶体管T5的栅极电极和第六晶体管T6的栅极电极可以一体地形成。
第一栅极导电层可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或它们的金属合金，并且可以形成为单层或多层。
在形成包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层之后，执行等离子体处理或掺杂工艺，使得第一半导体层的暴露部分变得导电。例如，被第一栅极导电层覆盖的第一半导体层是不导电的，并且第一半导体层的未被第一栅极导电层覆盖的部分可以具有与导电层相同的特征。因此，包括导电部分的晶体管具有P型晶体管特征，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以是P型晶体管。
参考图20，第二栅极绝缘层142可以定位在包括驱动晶体管T1(参见图6)的栅极电极1151的第一栅极导电层和第一栅极绝缘层141上。第二栅极绝缘层142可以是包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘层。
参考图10，还参考图6和图20，包括存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下屏蔽层3155和第四晶体管T4的下屏蔽层4155的第二栅极导电层GAT2可以定位在第二栅极绝缘层142上。下屏蔽层3155和4155分别定位在第三晶体管T3和第四晶体管T4的沟道下方，并且可以用于屏蔽从下侧提供到沟道的光或电磁干扰(EMI)。
第一存储电极1153与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠以形成存储电容器Cst。开口1152形成在存储电容器Cst的第一存储电极1153中。存储电容器Cst的第一存储电极1153的开口1152可以与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠。第一存储电极1153在水平方向(第一方向DR1)上延伸并且连接到相邻的第一存储电极1153。
第三晶体管T3的下屏蔽层3155可以与第三晶体管T3的沟道3137(参见图11)和栅极电极3151(参见图12)重叠。第四晶体管T4的下屏蔽层4155可以与第四晶体管T4的沟道4137(参见图11)和栅极电极4151(参见图12)重叠。
第二栅极导电层GAT2还可以包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127可以在大致水平方向(第一方向DR1)上延伸。下第二扫描线152a可以连接到第三晶体管T3的下屏蔽层3155。下第二扫描线152a可以与第三晶体管T3的下屏蔽层3155一体地形成。下初始化控制线153a可以连接到第四晶体管T4的下屏蔽层4155。下初始化控制线153a可以与第四晶体管T4的下屏蔽层4155一体地形成。
第二栅极导电层GAT2可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或它们的金属合金，并且可以形成为单层或多层。
参考图20，还参考图10，第一层间绝缘层161可以定位在第二栅极导电层GAT2上，第二栅极导电层GAT2包括存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下屏蔽层3155和第四晶体管T4的下屏蔽层4155。第一层间绝缘层161可以包括无机绝缘层，该无机绝缘层包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)，并且在实施例中，无机绝缘材料可以形成为厚的。
参考图11，还参考图6和图20，包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及第七晶体管T7的沟道7137、第一区域7136和第二区域7138的氧化物半导体层可以定位在第一层间绝缘层161上。另外，氧化物半导体层还可以包括升压电容器Cboost的上升压电极3138t。
第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138与第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138可以彼此连接，并且因此可以一体地形成。第七晶体管T7的沟道7137、第一区域7136和第二区域7138与第三晶体管T3的沟道3137和第四晶体管T4的沟道4137分开，使得氧化物半导体层可以被分成两个分开的部分。
第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138定位在第三晶体管T3的沟道3137的相对侧处，并且第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138定位在第四晶体管T4的沟道4137的相对侧处。第三晶体管T3的第二区域3138连接到第四晶体管T4的第二区域4138。第三晶体管T3的沟道3137与下屏蔽层3155重叠，并且第四晶体管T4的沟道4137与下屏蔽层4155重叠。第七晶体管T7的第一区域7136和第二区域7138定位在第七晶体管T7的沟道7137的相对侧。包括氧化物半导体层的晶体管可以被称为氧化物半导体晶体管。
升压电容器Cboost的上升压电极3138t定位在第三晶体管T3的第二区域3138和第四晶体管T4的第二区域4138之间。升压电容器Cboost的上升压电极3138t与第一扫描线151的一部分(也称为升压电容器Cboost的下升压电极)重叠，使得形成升压电容器Cboost。
参考图20，还参考图6和图11，第三栅极绝缘层143可以定位在氧化物半导体层上，该氧化物半导体层包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138、第七晶体管T7的沟道7137、第一区域7136和第二区域7138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t。
第三栅极绝缘层143可以定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面上。因此，第三栅极绝缘层143可以覆盖第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的顶表面和侧表面。然而，实施例不限于此，并且第三栅极绝缘层143可以不定位为遍及氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面。例如，第三栅极绝缘层143可以与第三晶体管T3的沟道3137重叠，并且可以不与第一区域3136和第二区域3138重叠。另外，第三栅极绝缘层143可以与第四晶体管T4的沟道4137重叠，并且可以不与第一区域4136和第二区域4138重叠。
第三栅极绝缘层143可以包括无机绝缘层，该无机绝缘层包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)。
参考图12，还参考图6和图20，包括第三晶体管T3的栅极电极3151、第四晶体管T4的栅极电极4151和第七晶体管T7的栅极电极7151的第三栅极导电层可以定位在第三栅极绝缘层143上。
第三晶体管T3的栅极电极3151可以与第三晶体管T3的沟道3137重叠。第三晶体管T3的栅极电极3151可以与第三晶体管T3的下屏蔽层3155重叠。
第四晶体管T4的栅极电极4151可以与第四晶体管T4的沟道4137重叠。第四晶体管T4的栅极电极4151可以与第四晶体管T4的下屏蔽层4155重叠。
第七晶体管T7的栅极电极7151可以与第七晶体管T7的沟道7137重叠。
第三栅极导电层还可以包括上第二扫描线152b、上初始化控制线153b和旁路控制线154。
上第二扫描线152b、上初始化控制线153b和旁路控制线154可以在大致水平方向(第一方向DR1)上延伸。上第二扫描线152b与下第二扫描线152a一起形成第二扫描线152。上第二扫描线152b可以连接到第三晶体管T3的栅极电极3151。上第二扫描线152b可以与第三晶体管T3的栅极电极3151一体地形成。上初始化控制线153b与下初始化控制线153a一起形成初始化控制线153。上初始化控制线153b可以连接到第四晶体管T4的栅极电极4151。上初始化控制线153b可以与第四晶体管T4的栅极电极4151一体地形成。
旁路控制线154可以连接到第七晶体管T7的栅极电极7151，并且旁路控制线154可以与第七晶体管T7的栅极电极7151一体地形成。
另外，第三栅极导电层还可以包括下第二初始化电压线128a。下第二初始化电压线128a可以在大致水平方向(第一方向DR1)上延伸，并且第二初始化电压AVinit被施加到下第二初始化电压线128a。
第三栅极导电层GAT3可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)等金属或它们的金属合金，并且可以由单层或多层形成。
在形成包括第三晶体管T3的栅极电极3151、第四晶体管T4的栅极电极4151和第七晶体管T7的栅极电极7151的第三栅极导电层之后，通过等离子体处理或掺杂工艺，氧化物半导体层的被第三栅极导电层覆盖的部分被形成为沟道，并且氧化物半导体层的未被第三栅极导电层覆盖的部分是导电的。第三晶体管T3的沟道3137可以定位在栅极电极3151下面以与栅极电极3151重叠。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138可以不与栅极电极3151重叠。第四晶体管T4的沟道4137可以定位在栅极电极4151下面以与栅极电极4151重叠。第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138可以不与栅极电极4151重叠。第七晶体管T7的沟道7137可以定位在栅极电极7151下方以与栅极电极7151重叠。第七晶体管T7的第一区域7136和第二区域7138可以不与栅极电极7151重叠。上升压电极3138t不与第三栅极导电层重叠，并且因此上升压电极3138t可以具有与导体的电导率基本相同或相似的特征。包括氧化物半导体层的晶体管可以具有N型晶体管的特征。
参考图20，还参考图6和图12，第二层间绝缘层162可以定位在第三栅极导电层上，第三栅极导电层包括第三晶体管T3的栅极电极3151、第四晶体管T4的栅极电极4151和第七晶体管T7的栅极电极7151。第二层间绝缘层162可以具有单层或多层结构。第二层间绝缘层162可以包括包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘层，并且在实施例中可以包括有机材料。
参考图13，还参考图6和图20，第二层间绝缘层162可以具有两种类型的开口OP1和OP2。可以使用不同的掩模形成两种类型的开口OP1和OP2。
开口OP1形成在第二层间绝缘层162、第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中的至少一者中，并且可以暴露第一半导体层130、第一栅极导电层或第二栅极导电层。
开口OP2形成在第二层间绝缘层162和/或第三栅极绝缘层143中，并且可以暴露氧化物半导体层或第三栅极导电层。
开口OP1中的一者与驱动晶体管T1的栅极电极1151的至少一部分重叠，并且还可以形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161和第二栅极绝缘层142中。在这种情况下，开口OP1中的一者可以与第一存储电极1153的开口1152重叠，并且可以定位在第一存储电极1153的开口1152中。
开口OP2中的一者可以与升压电容器Cboost的至少一部分重叠，并且可以进一步形成在第三栅极绝缘层143中。
开口OP1中的另一者与驱动晶体管T1的第二区域1133的至少一部分重叠，并且可以形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中。
开口OP2中的另一者与第三晶体管T3的第一区域3136的至少一部分重叠，并且可以形成在第三栅极绝缘层143中。
参考图14和图15，还参考图6和图20，包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层可以定位在第二层间绝缘层162上。考虑到难以识别图15中的第一数据导电层，图14是第一数据导电层以及开口OP1和OP2的示意性平面图，并且图15是第一数据导电层以及第一数据导电层下方的所有层的示意性平面图。
第一连接电极1175的端部可以与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠。第一连接电极1175的端部可以通过开口OP1和第一存储电极1153的开口1152连接到驱动晶体管T1的栅极电极1151。第一连接电极1175的另一端部可以与升压电容器Cboost重叠。第一连接电极1175的另一端部可以通过开口OP2与升压电容器Cboost的上升压电极3138t连接。因此，驱动晶体管T1的栅极电极1151和升压电容器Cboost的上升压电极3138t可以通过第一连接电极1175连接。在这种情况下，驱动晶体管T1的栅极电极1151还可以通过第一连接电极1175连接到第三晶体管T3的第二区域3138和第四晶体管T4的第二区域4138。
第二连接电极3175的端部可以与驱动晶体管T1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175的端部可以通过开口OP1连接到驱动晶体管T1的第二区域1133。第二连接电极3175的另一端部可以与第三晶体管T3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175的另一端部可以通过开口OP2连接到第三晶体管T3的第一区域3136。
因此，驱动晶体管T1的第二区域1133和第三晶体管T3的第一区域3136可以通过第二连接电极3175连接，并且第一半导体层130和氧化物半导体层电连接。
第一数据导电层还可以包括第二初始化电压线128b。第二初始化电压线128b包括在垂直方向(第二方向DR2)上延伸的布线部分128b-1和在水平方向(第一方向DR1)上从布线部分128b-1的侧部突出的第一延伸部分128b-2，并且第一延伸部分128b-2的端部可以延伸。第一延伸部分128b-2的延伸端部通过两个不同的开口OP2电连接到定位在第三栅极导电层上的第二初始化电压线128a和定位在氧化物半导体层上的第七晶体管T7的第二区域7138。因此，第二初始化电压AVinit通过定位在第三栅极导电层上的第二初始化电压线128a在水平方向(第一方向DR1)上传输，并且还通过定位在第一数据导电层上的第二初始化电压线128b在垂直方向(第二方向DR2)上传输。另外，第二初始化电压AVinit被提供到第七晶体管T7的第二区域7138。
第一数据导电层还可以包括连接部分127CM和171CM、阳极连接构件ACM1和扩展部分FL-SD1。
连接部分127CM通过开口OP1连接到第二栅极导电层的第一初始化电压线127，并且将通过开口OP2流过连接到第二半导体层(氧化物半导体层)的第一区域4136的第一初始化电压线127的第一初始化电压Vinit传输到氧化物半导体层的第四晶体管T4。
连接部分171CM通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1134的端部(例如，第二晶体管T2)。
阳极连接构件ACM1通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1136的端部(例如，第六晶体管T6)。
扩展部分FL-SD1宽广地形成，以使定位在扩展部分FL-SD1上的阳极平坦化。另外，扩展部分FL-SD1通过开口OP1连接到第一半导体层130的部分1135(例如，第五晶体管T5)，并且还通过开口OP1电连接到第一存储电极1153。
第一数据导电层SD1可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti)的金属或它们的金属合金，并且可以形成为单层或多层。
参考图20，还参考图14，第一有机层181(在下文中也称为下有机层)可以定位在包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层上。第一有机层181可以是包括有机材料的有机绝缘体，并且有机材料可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料。
参考图16、图17和图20，下有机层开口OP3定位在第一有机层181中。包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接构件ACM2的第二数据导电层可以定位在第一有机层181上。第二有机层182和第三有机层183(在下文中也称为上有机层)定位在第二数据导电层上，并且阳极连接开口OP4形成在第二有机层182和第三有机层183中。阳极连接构件ACM2通过阳极连接开口OP4与阳极电连接。考虑到难以识别图17中的第二数据导电层，图16是第二数据导电层以及开口OP3和OP4的示意性平面图，并且图17是第二数据导电层和所有外围层的示意性平面图。
参考图16和图17，还参考图6和图20，下有机层开口OP3与设置在第一数据导电层上的连接部分171CM、阳极连接构件ACM1和扩展部分FL-SD1重叠，并且分别暴露连接部分171CM、阳极连接构件ACM1(参见图14)和扩展部分FL-SD1。
第二数据导电层可以包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接构件ACM2。
数据线171和驱动电压线172可以在大致垂直方向(第二方向DR2)上延伸。
数据线171通过下有机层开口OP3连接到第一数据导电层的连接部分171CM，并且通过连接部分171CM连接到第二晶体管T2。数据线171具有在垂直方向上延伸并弯曲的结构，并且弯曲部分中的数据线171可以形成光电传感器区域OPS或第一组件区域的边界。
驱动电压线172通过下有机层开口OP3经由第一数据导电层的扩展部分FL-SD1电连接到第五晶体管T5和第一存储电极1153。
阳极连接构件ACM2通过开口OP3电连接到第一数据导电层的阳极连接构件ACM1，并且电连接到第六晶体管T6。
参考图16，驱动电压线172还包括扩展部分FL-SD2和突出的布线部分172-e，并且不形成在其中形成有阳极连接构件ACM2的部分中。
扩展部分FL-SD2宽广地形成，以使定位在扩展部分FL-SD2上的阳极平坦化。
驱动电压线172的突出的布线部分172-e具有这样的结构，其中，两个突出的布线部分172-e形成在两条数据线171的相对侧处以形成定位在其上方的平坦的阳极，并且因此总共四个布线结构(例如，两条数据线171和两个突出的布线部分172-e)定位在阳极下方。参考图17，彼此相邻形成的两条数据线171在相反方向上弯曲并且具有大的间隔部分，并且该部分对应于光电传感器区域OPS。
由于如上所述的在阳极以及有机层181、182和183下面的结构(第一数据导电层的扩展部分FL-SDL1和布线部分128b-1、第二数据导电层的扩展部分FL-SD2、数据线171以及突出的布线部分172-e)，阳极具有平坦化特征。
在实施例中，扩展部分FL-SD1和扩展部分FL-SD2电连接到驱动电压线172以传输驱动电压ELVDD。
第二数据导电层可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti)的金属或它们的金属合金，并且可以形成为单层或多层。
参考图20，第二有机层182和第三有机层183定位在第二数据导电层上。第二有机层182和第三有机层183可以是有机绝缘体，并且可以包括从由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种材料。在实施例中，可以省略第三有机层183。
阳极连接开口OP4形成在第二有机层182和第三有机层183中，并且阳极Anode和阳极连接构件ACM2通过阳极连接开口OP4电连接。
参考图18至图20，阳极Anode形成在第三有机层183上。阳极Anode还可以包括延伸部分Anode-e，以通过阳极连接开口OP4从像素电路部分接收电流。在参考图18和图20的同时还参考图19，两个阳极连接开口OP4被定位成彼此相邻，并且两个阳极连接开口OP4中的一者可以具有与阳极Anode连接的结构，该阳极Anode的延伸部分Anode-e在第一方向DR1上延伸并且被包括在绿色发光二极管中，并且两个阳极连接开口OP4中的另一者可以具有与阳极Anode连接的结构，该阳极Anode的延伸部分Anode-e在第二方向DR2上延伸并且被包括在绿色发光二极管或红色发光二极管中。
参考图19和图20，黑色像素限定层380定位在阳极Anode上，并且黑色像素限定层380的开口OP被形成为与阳极Anode重叠。阳极Anode的延伸部分Anode-e(参见图18)不被黑色像素限定层380的开口OP暴露，并且在平面图中与黑色像素限定层380重叠。因此，在平面图中，阳极连接开口OP4还与黑色像素限定层380重叠。
参考图20，在平面图中，阳极连接开口OP4不与黑色像素限定层380的开口OP和光阻挡构件220的开口OPBM重叠，并且因此，阳极连接开口OP4与黑色像素限定层380和光阻挡构件220重叠。
另外，下有机层开口OP3的一部分(第一下有机层开口)在平面图中与光阻挡构件220的开口OPBM的至少一部分重叠，并且其余下有机层开口OP3(例如，第二下有机层开口)在平面图中与光阻挡构件220重叠。在平面图中，所有下有机层开口OP3与黑色像素限定层380重叠。
另外，在实施例中，阳极Anode的至少通过黑色像素限定层380的开口OP暴露的部分可以通过设置在阳极Anode下方的第一数据导电层的扩展部分FL-SD1(参见图14)和第二数据导电层的扩展部分FL-SD2(参见图16)形成为平坦的。
由于阳极Anode和位于阳极Anode下方的阳极连接开口OP4的位置关系，外部光未被不对称地反射，并且不发生颜色分离(color separation)。这将参考图21等更详细地描述。
基于这样的平面结构，将参考图20描述发光显示装置的整个截面结构。
图20是根据实施例的发光显示装置的示意性截面图。
除了显示区域DA的层状结构之外，图20还示出了第一组件区域EA1的层状结构。
在上文中，已经参考图7至图19描述了直到图20中所示的显示区域DA的像素的详细层状结构中的阳极Anode。在图20的实施例中，像素电路部分包括第二有机层182和第三有机层183，这意味着提供在第二有机层182和第三有机层183下方的配置，并且发光二极管设置在第三有机层183上方，这意味着提供在封装层400下方的配置。
参考图20，显示区域DA的像素中的阳极Anode上方的层状结构如下。
覆盖阳极Anode的至少一部分同时具有暴露阳极Anode的开口OP的黑色像素限定层380可以定位在阳极Anode上。黑色像素限定层380由具有黑色的有机材料形成，并且因此，从外部施加的光不被反射回到外部。在实施例中，黑色像素限定层380可以包括黑色的负型的有机材料，并且可以包括黑色颜料。在一些实施例中，代替黑色像素限定层380，可以使用包括透明有机材料的透明像素限定层。
间隔件385定位在黑色像素限定层380上，并且可以包括第一部分385-1和第二部分385-2。与黑色像素限定层380不同，间隔件385可以由透明有机绝缘材料形成。在实施例中，间隔件385可以由正型的透明有机材料形成。
功能层FL和阴极Cathode顺序地形成在阳极Anode、间隔件385和黑色像素限定层380上，并且功能层FL和阴极Cathode可以定位在显示区域DA和第一组件区域EA1的整个区域中。发射层EML定位在功能层FL之间，并且发射层EML可以仅定位在黑色像素限定层380的开口OP内。在下文中，功能层FL和发射层EML可以组合以形成中间层。功能层FL可以包括诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的辅助层中的至少一种，并且空穴注入层和空穴传输层可以定位在发射层EML下面，并且电子传输层和电子注入层可以定位在发射层EML上。
封装层400定位在阴极Cathode上。封装层400包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且在实施例中，封装层400可以具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层400可以用于保护发射层EML免受可能从外部引入的湿气或氧的影响。在实施例中，封装层400可以包括其中无机层和有机层进一步顺序地堆叠的结构。
在图20的实施例中，感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541定位在封装层400上以感测触摸。在图20的实施例中，可以使用两个感测电极540和541以电容类型感测触摸。
具体地，第一感测绝缘层501形成在封装层400上，并且感测电极540和541形成在第一感测绝缘层501上。感测电极540和541可以在第二感测绝缘层510介于感测电极540和541之间的情况下绝缘，并且感测电极540和541中的一些可以通过定位在感测绝缘层510中的开口电连接。这里，感测电极540和541可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钼(Mo)、钛(Ti)或钽(Ta)的金属或金属合金，并且可以由单层或多层形成。第三感测绝缘层511形成在感测电极540上。
光阻挡构件220和滤色器层230定位在上感测电极540和第三感测绝缘层511上。
光阻挡构件220可以定位成在平面图中与感测电极540和541重叠，并且在平面图中不与阳极Anode重叠。这是为了防止能够发射光的发射层EML被光阻挡构件220以及感测电极540和541覆盖。
滤色器层230可以定位在第三感测绝缘层511和光阻挡构件220上。滤色器层230包括透射红光的红色滤色器、透射绿光的绿色滤色器和透射蓝光的蓝色滤色器。每个滤色器层230可以定位成在平面图中与发光二极管的阳极Anode重叠。从发射层EML发射的光可以在穿过滤色器并且改变为相应的颜色的同时被发射。
光阻挡构件220可以定位在各个滤色器层230之间。在实施例中，滤色器层230可以被替换为颜色转换层，或者可以进一步包括颜色转换层。颜色转换层可以包括量子点。
另外，在实施例中，代替滤色器层230，可以定位填充光阻挡构件220的开口OPBM(或定位在光阻挡构件220的开口OPBM中)的反射调整层。反射调整层可以具有覆盖光阻挡构件220的结构，并且这将参考图35进行描述。
覆盖滤色器层230的平坦化层550可以定位在滤色器层230上，并且偏振器可以另外附接在平坦化层550上。
图20还示出了第一组件区域EA1的截面结构。
第一组件区域EA1是其中光电传感器区域OPS(参见图17)定位在下面板层上的区域，并且可以意指其中未形成黑色像素限定层380、光阻挡构件220和滤色器层230的区域。
第一组件区域EA1仅被形成为透明层以允许光穿过第一组件区域EA1，并且不定位导电层或半导体层，并且开口(在下文中也称为附加开口)可以形成在与光电传感器区域OPS对应的黑色像素限定层380、光阻挡构件220和滤色器层230中的位置中，以具有不阻挡光的结构。
具体地，基于图20，将描述根据实施例的第一组件区域EA1的层状结构。
作为无机绝缘层的缓冲层111定位在基底110上，并且作为无机绝缘层的第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142顺序地定位在缓冲层111上。另外，作为无机绝缘层的第一层间绝缘层161、第三栅极绝缘层143和第二层间绝缘层162顺序地堆叠在第二栅极绝缘层142上。作为有机绝缘层的第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183顺序地堆叠在第二层间绝缘层162上。功能层FL可以定位在第三有机层183上，并且阴极Cathode可以定位在功能层FL上。到目前为止，从基底110到阴极Cathode的堆叠结构可以对应于光电传感器区域OPS。
封装层400定位在阴极Cathode上，并且感测绝缘层501、510和511顺序地定位在封装层400上。封装层400可以具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。另外，感测绝缘层501、510和511可以全部是无机绝缘层。
光阻挡构件220和滤色器层230的附加开口分别定位在第三感测绝缘层511上，并且因此，光阻挡构件220和滤色器层230可以不形成在第一组件区域EA1中。此外，附加开口也可以定位在黑色像素限定层380中，并且因此，黑色像素限定层380可以不形成在第一组件区域EA1中。在一些实施例中，光阻挡构件220可以与第一组件区域EA1重叠，并且在该实施例中，第一光学元件ES1(参见图2)可以使用除可见光之外的光。
平坦化层550可以在第一组件区域EA1中定位在第三感测绝缘层511上。
在第一组件区域EA1和光电传感器区域OPS中，不定位金属层BML、第一半导体层ACT1、第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2、第二半导体层ACT2、第三栅极导电层GAT3、第一数据导电层SD1、第二数据导电层和阳极Anode。另外，不形成发射层EML以及感测电极540和541。
另外，由于在黑色像素限定层380、光阻挡构件220和滤色器层230中形成附加开口，因此在第一组件区域EA1和光电传感器区域OPS中不形成黑色像素限定层380、光阻挡构件220和滤色器层230。
第一半导体层ACT1可以包括例如多晶硅(P-Si)(或可以由例如P-Si制成)，并且第二半导体层ACT2可以包括例如氧化铟镓锌(IGZO)(或可以由例如IGZO制成)，但是实施例不限于此。
在上文中，已经描述了其中形成总共三个有机层并且在第二有机层和第三有机层中形成阳极连接开口的实施例。然而，可以形成至少两个有机层，并且在这种情况下，阳极连接开口可以定位在远离基底定位的上有机层中，并且下有机层开口可以定位在下有机层中。
在上面，已经详细描述了发光显示装置和像素的整体结构。
在下文中，如下将参考图21至图25B详细强调图7至图20中所示的实施例的各种特征中的一些特征。
图21至图25B是根据图7至图20的实施例的下面板层的一部分的示意性放大图。
首先，将参考图21简要描述根据实施例的下面板层的特征之中的代表性特征。
在图21中，包含四个特征的部分由虚线框指示，并且还示出了上下相邻的开口OPr、OPg和OPb之间的距离的特征。
为了便于观察，图21仅示出了具有开口OP1、OP2、OP3、OP4、OPr、OPg和OPb的第一数据导电层(参见图14)和第二数据导电层(参见图16)，而不是整个平面结构。
图21中所示的水平虚线分别表示黑色像素限定层380的开口OPr、OPg和OPb的在水平方向上的中心线。在图21中，绿色开口OPg的在水平方向上的中心线与设置在绿色开口OPg的在水平方向上的中心线上方和下方的不同颜色的开口OPr和OPb的在水平方向上的中心线之间的距离(在本文中，也称为宽度)是Wop1，所述距离具有相同的特征。图21示出了以绿色开口OPg为中心彼此垂直相邻的不同颜色的开口OPr和OPb的在水平方向上的中心线之间的距离是相同的，但是在实施例中，在与图21中所示的中心线垂直的方向上的中心线在它们之间可以具有相同的距离。例如，绿色开口OPg的在垂直方向上的中心线与定位在绿色开口OPg的左侧和右侧的不同颜色的开口OPr和OPb的在垂直方向上的中心线之间的距离也具有相同的特征。在下文中，可以通过组合这些特征来确定在第一方向DR1上的中心线之间的距离是相同的，并且在下文中，在第一方向DR1上的中心线被简称为中心线。
另外，图21中所示的①示出了绿色开口OPg的在水平方向上的中心线穿过阳极连接开口OP4或对应于阳极连接开口OP4的在水平方向上的中心线的特征。参考图21，在两个阳极连接开口OP4彼此相邻定位并且两个绿色开口OPg定位在两个阳极连接开口OP4的侧部的情况下，穿过两个阳极连接开口OP4的水平线或穿过两个阳极连接开口OP4的中心的水平线也穿过两个绿色开口OPg的中心。因此，其可以具有其中绿色开口OPg的在水平方向上的中心线穿过两个阳极连接开口OP4或穿过两个阳极连接开口OP4的两个中心的结构。另外，穿过两个阳极连接开口OP4或两个阳极连接开口OP4的中心的中心线可以穿过绿色开口OPg的中心。如所描述的，因为形成在第二有机层182和第三有机层183中的阳极连接开口OP4形成为与绿色开口OPg的中心一致，所以由黑色像素限定层380(参见图20)的绿色开口OPg暴露的绿色阳极更对称，因此可以更平坦(参考图33B)。由于此，外部光不从阳极Anode(参见图20)不对称地反射，并且不发生颜色分离。
在图22A和图22B中，通过将比较示例和实施例进行比较，更容易确定①的特征。图22A是比较示例的示意性平面图，并且图22B示出了实施例。图22B示出了绿色开口OPb的在水平方向上的中心线穿过两个阳极连接开口OP4的两个中心的实施例。
根据图22A，在比较示例中，阳极连接开口OP4的在水平方向上的中心线和绿色开口OPg的在水平方向上的中心线彼此不对应。根据比较示例的结构，由黑色像素限定层380的绿色开口OPg暴露的绿色阳极是不对称的，并且因此，如图32B中所示，该绿色阳极难以平坦，并且从阳极反射的光是不对称的，从而引起颜色分离。
相比之下，根据图22B，在实施例中，阳极连接开口OP4的中心线对应于绿色开口OPg的中心线，并且因此，暴露于黑色像素限定层380的绿色开口OPg的绿色阳极是对称的并且可以是更平坦的(参考图33B)。因此，外部光不从阳极Anode(参见图20)不对称地反射，并且不发生颜色分离。
另外，在将①的特征和中心线之间的在第一方向上的相同间隔的特征组合的情况下，获得以下特征。
因为绿色开口OPg的中心线与不同颜色的相邻开口OPr和OPb的在水平方向上的中心线之间的距离相同，并且绿色开口OPg的中心线还对应于阳极连接开口OP4的中心线，所以阳极连接开口OP4的中心线和不同颜色的相邻开口OPr和OPb的在水平方向上的中心线形成为在它们之间具有相同的距离，从而形成对称结构。
如上所述的阳极连接开口OP4相对于定位在阳极连接开口OP4上方和阳极连接开口OP4下方的不同颜色的开口OPr和OPb具有对称的位置，并且因此，其中定位有阳极Anode的第二有机层182(参见图20)和第三有机层183(参见图20)更平坦地形成，并且形成得比定位在其上方的其他颜色(红色和蓝色)的阳极Anode更平坦。由于此，外部光不从阳极Anode不对称地反射，并且不发生颜色分离。因此，可以更平坦地形成所有颜色的所有阳极。
在连接定位在第二数据导电层中的驱动电压线172(参见图16)中的两个相邻的延伸部分FL-SD2(参见图16)的部分(在下文中也称为连接部分)和定位在第一数据导电层中的扩展部分FL-SD1(参见图14)的突出部分通过开口OP3(参见图21)彼此连接的部分中，驱动电压线172的连接部分的宽度被充分地加宽以对应于扩展部分FL-SD1的突出部分的在水平方向上的宽度的至少80％，使得图21中的②可以形成为充分地覆盖开口OP3。
在图23A和图23B中，通过将比较示例和实施例进行比较，更容易地确定②的特征。图23A是比较示例的示意性平面图，并且图23B示出了实施例。
参考图23A，驱动电压线172的连接部分的在水平方向上的宽度W1'形成为比扩展部分FL-SD1的突出部分的在水平方向上的宽度W2相对窄。相比之下，在图23B中，驱动电压线172的连接部分的在水平方向上的宽度W1被充分地增大以对应于扩展部分FL-SD1的突出部分的在水平方向上的宽度W2，使得可以充分地覆盖开口OP3(参见图21)。
如上所述，在驱动电压线172的连接部分的在水平方向上的宽度W1增大的情况下，驱动电压线172具有较低的电阻，使得驱动电压ELVDD(参见图6)的电压降可以小。另外，定位在开口OP3上方和下方的驱动电压线172的连接部分和扩展部分FL-SD1的突出部分可以通过开口OP3以足够的面积连接，并且因此通过开口OP3的连接的接触电阻也减小，从而改善了接触特征。
图21中的③具有减小定位在第二数据导电层中的驱动电压线172的扩展部分FL-SD2与数据线171之间的距离的特征。
在图24A和图24B中，通过将比较示例和实施例进行比较，更容易地确定③的特征。图24A是比较示例的平面图，并且图24B示出了实施例。
参考图24A，驱动电压线172的扩展部分FL-SD2与数据线171之间的宽度W3'被示出为相对较大，并且参考图24B，驱动电压线172的扩展部分FL-SD2与数据线171之间的宽度W3被示出为相对小。扩展部分FL-SD2和数据线171之间的这种宽度差异可能是由于图24A的比较示例中的第一数据导电层的附加图案SD1e。例如，在图24A中所示的比较示例中，由于第一数据导电层的附加图案SD1e，因而在减小扩展部分FL-SD2和数据线171之间的宽度W3'方面存在限制。然而，在图24B中所示的实施例中，因为没有形成比较示例的附加图案SD1e，所以可以充分地减小扩展部分FL-SD2与数据线171之间的宽度W3。在图24A中所示的比较示例中，第一数据导电层的附加图案SD1e是用于将第二初始化电压AVinit传输到第七晶体管T7的图案，并且在图7至图20的实施例中，可以通过将第七晶体管T7的位置改变到另一位置来充分地减小扩展部分FL-SD2与数据线171之间的宽度W3。另外，在图7至图20的实施例中，第七晶体管T7可以形成为包括氧化物半导体的N型晶体管。
图21中的④示出了定位在第一数据导电层中的扩展部分FL-SD1的形状已经改变。
在图25A和图25B中，通过将比较示例和实施例进行比较，可以更容易地确定④的特征。图25A是比较示例的示意性平面图，并且图25B示出了实施例。
参考图25A，除了突出部分之外，比较示例的扩展部分FL-SD1具有矩形形状。除了其他方面之外，图25A示出了第一延伸部分128b-2'。相比之下，参考图25B，可以确定的是，除了突出部分之外，根据实施例的扩展部分FL-SD1具有宽度朝向扩展部分FL-SD1的上部减小的结构。
在图7至图20的实施例中，定位在第一数据导电层上的第二初始化电压线128的在水平方向(第一方向DR1)上突出的第一延伸部分128b-2的端部被延伸，并且因此，扩展部分FL-SD1的尺寸被形成为部分地较小。
具体地，第二初始化电压线128的第一延伸部分128b-2的端部连接到氧化物半导体层以将第二初始化电压AVinit(参见图6)传输到第七晶体管T7(参见图6)。
相比之下，在比较示例中，因为第七晶体管T7定位在与实施例不同的位置，所以第二初始化电压线128的第一延伸部分128b-2的端部不需要扩展，并且扩展部分FL-SD1具有矩形形状。
提供扩展部分FL-SD1以使定位在扩展部分FL-SD1上的第二有机层182、第三有机层183和绿色阳极平坦化，但是在实施例中，尽管扩展部分FL-SD1的宽度被部分地减小，但是因为第二有机层182(参见图20)和第三有机层183(参见图20)定位在扩展部分FL-SD1上，所以在使绿色阳极平坦化方面不存在问题。
在上文中，已经描述了图7至图20的实施例以及实施例的特征。
在下文中，将参考图26至图31描述进一步包括虚设开口的实施例。
首先，参考图26和图27，将描述包括与阳极连接开口OP4对应的虚设阳极连接开口OP4-2的实施例。
图26是根据另一实施例的下面板层的一部分的示意性平面图，并且图27是图26的实施例的示意性截面图。
在下文中，将参考图26和图27进行描述。图26示出了在第二有机层182和第三有机层183中形成的第二数据导电层和阳极连接开口OP4。另外，在图26的虚线方形框中进一步形成在第三有机层183中形成的虚设阳极连接开口OP4-2。
参考图27，虚设阳极连接开口OP4-2不能形成在第二有机层182中，而是可以仅形成在第三有机层183中。另外，虚设阳极连接开口OP4-2定位在黑色像素限定层380中的不同颜色的开口OPr和OPb之间，并且可以具有与两个相邻的不同颜色的开口OPr和OPb的在水平方向上的中心线相同的中心线。在实施例中，不同颜色的相邻的两个开口OPr和OPb的在水平方向上的中心线穿过虚设阳极连接开口OP4-2，或者可以穿过虚设阳极连接开口OP4-2的中心。在图26中所示的实施例中，不同颜色的两个相邻的开口OPr和OPb的在水平方向上的中心线穿过虚设阳极连接开口OP4-2的中心。
如先前参考图21描述的，绿色开口OPg的在水平方向上的中心线与定位在上方和下方的不同颜色的开口OPr和OPb的在水平方向上的中心线之间的距离Wop1相同，并且因此，虚设阳极连接开口OP4-2的在水平方向上的中心线和阳极连接开口OP4的在水平方向上的中心线之间的距离也与距离Wop1相同。
在与图21的实施例进行比较的图26的实施例中，阳极连接开口OP4或虚设阳极连接开口OP4-2定位在黑色像素限定层380的开口OPr、OPg和OPb中的每一者的上方和下方以及左侧和右侧，并且因此，绿色阳极可以更对称，从而更加平坦(参考图34B)。由于此，外部光不从阳极Anode(参见图20)不对称地反射，并且不发生颜色分离。
另外，图26示出了两个相邻的阳极连接开口OP4的在水平方向上的宽度Wop4和两个相邻的虚设阳极连接开口OP4-2的在水平方向上的宽度Wop4-2。在实施例中，在水平方向上的两个宽度Wop4和Wop4-2可以彼此相等，并且也可以彼此不同。在两个宽度Wop4和Wop4-2彼此不同的情况下，根据实施例，最靠近的黑色像素限定层380的相应开口OPr、OPg和OPb与阳极连接开口OP4或虚设阳极连接开口OP4-2之间的宽度可以是恒定的。
在图26中，示出为光电传感器区域OPS的部分可以对应于第一组件区域EA1的平面结构，并且在光电传感器区域OPS的上部不包括光阻挡层(例如，黑色像素限定层380和光阻挡构件220)的情况下，该部分对应于第一组件区域EA1。因此，定位在光电传感器区域OPS中和周围的虚设阳极连接开口OP4-2可以定位在显示区域DA中或第一组件区域EA1中。
在下文中，参考图27，将描述虚设阳极连接开口OP4-2的截面结构定位在显示区域DA中的情况以及虚设阳极连接开口OP4-2的截面结构定位在第一组件区域EA1中的情况。
图27示出了虚设阳极连接开口OP4-2定位在显示区域DA中的情况的截面结构以及虚设阳极连接开口OP4-2定位在第一组件区域EA1中的情况的截面结构。
图27简要地示出了第一有机层181的下部，仅着重于绝缘层，并且图27详细地示出了在第一有机层181上方的数据线171上的组件。
首先，将描述显示区域DA的结构。
第二有机层182定位在第一有机层181和数据线171上，并且第三有机层183定位在第二有机层182上。
虚设阳极连接开口OP4-2不形成在第二有机层182中，而是仅形成在第三有机层183中。作为参考，阳极连接开口OP4形成在第二有机层182和第三有机层183中以连接到阳极和下阳极连接构件ACM2，并且因此与虚设阳极连接开口OP4-2不同。
黑色像素限定层380、功能层FL、阴极Cathode和封装层400顺序地定位在第三有机层183和虚设阳极连接开口OP4-2上。这里，虚设阳极连接开口OP4-2可以被黑色像素限定层380填充。
感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541定位在封装层400上以感测触摸，光阻挡构件220和平坦化层550可以定位在感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541上，并且滤色器层230(参见图20)可以定位在光阻挡构件220的开口OPBM(参见图20)中。
第一组件区域EA1的结构如下。
第二有机层182定位在第一有机层181和数据线171上，并且第三有机层183定位在第二有机层182上。虚设阳极连接开口OP4-2不形成在第二有机层182中，而是仅形成在第三有机层183中。
功能层FL、阴极Cathode和封装层400顺序地定位在第三有机层183和虚设阳极连接开口OP4-2上，并且虚设阳极连接开口OP4-2可以被功能层FL、阴极Cathode和封装层400填充。在实施例中，功能层FL、阴极Cathode和封装层400中的至少一者可以被去除，并且因此可以不定位在虚设阳极连接开口OP4-2中。
感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541可以定位在封装层400上以感测触摸，并且平坦化层550可以定位在感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541上。
与显示区域DA不同，黑色像素限定层380和阻挡光的光阻挡构件220不定位在第一组件区域EA1中，并且可以不定位滤色器层230。
因为即使阳极或阴极定位在虚设阳极连接开口OP4-2的上部，仍可以防止与阳极或阴极下方的其他导电层的短路，所以虚设阳极连接开口OP4-2不形成在第二有机层182中。
在下文中，将参考图28至图30描述定位在第一栅极导电层中的第一扫描线151在光电传感器区域OPS或第一组件区域EA1的外围处弯曲的实施例。
首先，将参考图28和图29描述实施例。
图28是根据另一实施例的下面板层的一部分的示意性平面图，并且图29是图28的实施例的示意性截面图。
图28与图7至图19的不同之处至少在于，在平面结构中，第一扫描线151包括在光电传感器区域OPS的外围沿着光电传感器区域OPS或第一组件区域EA1的上边界的弯曲部分151-ops。另外，在图28中，第一扫描线151于在光电传感器区域OPS中弯曲的部分处形成虚设阳极连接开口OP4-3。
参考图28和图29，类似于上面描述的虚设阳极连接开口OP4-2(参见图27)，虚设阳极连接开口OP4-3的位置与黑色像素限定层380的蓝色开口OPb的在水平方向上的中心线对准，或者虚设阳极连接开口OP4-3可以定位在其中黑色像素限定层380的蓝色开口OPb的在水平方向上的中心线穿过虚设阳极连接开口OP4-3的位置处。尽管在图28中未示出，但是黑色像素限定层380的蓝色开口OPb和红色开口OPr在第一方向DR1上交替地布置，并且因此，虚设阳极连接开口OP4-3可以具有与黑色像素限定层380的红色开口OPr的在水平方向上的中心对应的中心。
在图28中，示出为光电传感器区域OPS的部分可以对应于第一组件区域EA1的平面结构，并且在光阻挡层(黑色像素限定层380和光阻挡构件220)不被包括在光电传感器区域OPS的上部中的情况下可以对应于第一组件区域EA1。因此，定位在光电传感器区域OPS中和周围的虚设阳极连接开口OP4-3可以定位在显示区域DA中或第一组件区域EA1中。
在下文中，参考图29，将分开描述定位在显示区域DA中的虚设阳极连接开口OP4-3的截面结构的情况和定位在第一组件区域EA1中的虚设阳极连接开口OP4-3的截面结构的情况。
图29示出了虚设阳极连接开口OP4-3定位在显示区域DA中的情况的截面结构和虚设阳极连接开口OP4-3定位在第一组件区域EA1中的情况的截面结构。
图29简要地示出了第一有机层181的下部，仅着重于绝缘层，并且图29详细地示出了位于第一有机层181上方的数据线171上的组件。
首先，将描述显示区域DA的结构。
第二有机层182定位在第一有机层181和数据线171上，并且第三有机层183定位在第二有机层182上。虚设阳极连接开口OP4-3不形成在第二有机层182中，而是仅形成在第三有机层183中。功能层FL、阴极Cathode和封装层400顺序地定位在第三有机层183和虚设阳极连接开口OP4-3上。这里，虚设阳极连接开口OP4-3可以被黑色像素限定层380填充。
感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541可以定位在封装层400上以感测触摸，光阻挡构件220和平坦化层550可以定位在感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541上，并且滤色器层230(参见图20)可以定位在光阻挡构件220的开口OPBM(参见图20)中。
第一组件区域EA1的结构如下。
第二有机层182定位在第一有机层181和数据线171上，并且第三有机层183定位在第二有机层182上。虚设阳极连接开口OP4-3不形成在第二有机层182中，而是仅形成在第三有机层183中。封装层400定位在第三有机层183和虚设阳极连接开口OP4-3上，并且虚设阳极连接开口OP4-3可以被封装层400填充。感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541可以定位在封装层400上以感测触摸，并且平坦化层550可以定位在感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541上。
与显示区域DA不同，黑色像素限定层380和阻挡光的光阻挡构件220不定位在第一组件区域EA1中，并且可以不定位滤色器层230(参见图20)。
因为即使阳极或阴极定位在虚设阳极连接开口OP4-3的上部，仍可以防止与阳极或阴极下方的其他导电层的短路，所以虚设阳极连接开口OP4-3不形成在第二有机层182中。
在下文中，除了图28之外，还将参考图30描述其中还包括虚设扫描部分151-d的实施例，虚设扫描部分151-d与沿着第一扫描线151的光电传感器区域OPS的边界弯曲的部分151-ops对称并且不与第一扫描线151连接。这里，类似于第一扫描线151，虚设扫描部分151-d也可以设置在第一栅极导电层中。
图30是示出根据另一实施例的下面板层的一部分的示意性平面图。
参考图30，除了图28的实施例之外，还包括虚设扫描部分151d，虚设扫描部分151d不与第一扫描线151连接，同时虚设扫描部分151d沿着光电传感器区域OPS的下边界定位并且与第一扫描线151形成在同一层(例如，第一栅极导电层)中。
在实施例中，虚设扫描部分151-d可以与第一扫描线151一体地形成。
在实施例中，与图28的实施例不同，第一扫描线151的弯曲部分151-ops可以沿着光电传感器区域OPS的下边界延伸，并且在这种情况下，虚设扫描部分151-d可以沿着光电传感器区域OPS的上边界定位。这里，光电传感器区域OPS或第一组件区域EA1的下边界和上边界可以是定位于在第二方向DR2上的各侧的边界。
在下文中，还将参考图31描述与形成在上面板层中的光阻挡构件220(参见图29)的开口OPBM的关系。
图31是示出根据另一实施例的下面板层的示意性平面图。
参考图31，还参考图29，光阻挡构件220的开口OPBM以及黑色像素限定层380的开口OPr、OPg和OPb在平面图中可以具有相同的中心。在这种情况下，黑色像素限定层380的开口OPr、OPg和OPb或光阻挡构件220的开口OBPM的在水平方向上的中心线和在该中心线上方和下方的彼此相邻的中心线在它们之间具有相同的宽度。另外，在图31中，阳极连接开口OP4和虚设阳极连接开口OP4-2的中心线也可以定位成分别对应于黑色像素限定层380的开口OPr、OPg和OPb或光阻挡构件220的开口OPBM的在水平方向上的中心线，或者黑色像素限定层380的开口OPr、OPg和OPb或光阻挡构件220的开口OPBM的在水平方向上的中心线可以定位成穿过阳极连接开口OP4和虚设阳极连接开口OP4-2。
因此，由于对称结构，可以获得平坦特征，外部光不从阳极不对称地反射，并且不发生颜色分离。
在下文中，参考图32A至图34B，将描述根据比较示例和实施例的不同阳极的平坦化程度的模拟结果。
图32A和图32B示出了根据比较示例的下面板层和阳极的平坦特征，并且图33A至图34B示出了根据实施例的下面板层和阳极的平坦特征。
首先，在图32A中示出了比较示例的结构。在图32A中所示的比较示例中，阳极连接开口OP4的在水平方向上的中心线不对应于绿色开口OPg的在水平方向上的中心线。
关于比较示例的阳极的平坦度如图32B中所示。
图33A示出了阳极连接开口OP4的在水平方向上的中心线对应于绿色开口OPg的在水平方向上的中心线的实施例。图33B示出了图33A的实施例中的阳极的平坦度。将图33B与图32B进行比较，可以确定图33B中的阳极具有更对称的平坦度。
图34A示出了这样的实施例，其中，阳极连接开口OP4的在水平方向上的中心线对应于绿色开口OPg的在水平方向上的中心线，并且另外，虚设阳极连接开口OP4-2的在水平方向上的中心线对应于不同颜色的开口OPr和OPb的在水平方向上的中心线。图34B示出了图34A的实施例中的阳极的平坦度。将图34B与图32B进行比较，可以确定图34B中的阳极具有更对称的平坦度。
参考图32A至图34B，与比较示例相比，根据本公开的每个实施例的阳极具有更对称的平坦特征。
在上文中，已经描述了具有虚设阳极连接开口OP4-2的特征和阳极连接开口OP4的特征的实施例，但是在实施例中，也可获得仅包括虚设阳极连接开口OP4-2的特征(例如，虚设阳极连接开口OP4-2的在水平方向上的中心线对应于不同颜色的开口OPr和OPb的在水平方向上的中心线的特征)的实施例，并且由于虚设阳极连接开口OP4-2的特征，相邻的阳极可以具有对称的平坦度。
另外，尽管在上面描述了中心线彼此对应或者中心线之间的距离或宽度相同，但是考虑到实际制造期间的误差，可能出现中心线之间的距离或宽度值的大约10％的差异。例如，在相邻的中心线之间的距离为大约10μm的实施例中，在中心线具有大约1μm以内的距离的情况下，可以确定中心线彼此对应，并且在其他相邻的中心线之间的距离为大约9μm或更大且小于大约11μm的情况下，可以确定中心线具有相同的距离或宽度。
在参考图32A至图34B的同时还参考图20，在实施例中，黑色像素限定层380的开口OP的中心线或光阻挡构件220的开口OPBM的中心线在平面图中穿过阳极连接开口OP4和OP4-2，这可以被包括在本公开的范围内。这是因为在阳极连接开口OP4和OP4-2的尺寸不够大并因此考虑到误差的情况下，即使黑色像素限定层380的开口OP的中心线或光阻挡构件220的开口OPBM的中心线穿过阳极连接开口OP4和OP4-2，也可以提供上述效果。
在下文中，参考图35，将描述其中应用反射调整层235而不是滤色器层230的实施例的层状结构。
图35是根据另一实施例的发光显示装置的示意性截面图。
图35是对应于图20的示意性截面图，并且在下文中将主要描述与图20不同的部分。
反射调整层235可以定位在光阻挡构件220上。反射调整层235可以选择性地吸收在显示装置内部反射的光或入射到显示装置外部的光之中的部分波段的波长的光。反射调整层235可以填充光阻挡构件220的开口OP。
例如，反射调整层235可以吸收大约490nm至大约505nm的第一波长区域和大约585nm至大约600nm的第二波长区域，并且因此在第一波长区域和第二波长区域中的透光率可以为大约40％或更小。反射调整层235可以吸收从发光二极管发射的红光发射波长范围、绿光发射波长范围或蓝光发射波长范围之外的波长的光。如所描述的，因为反射调整层235吸收不属于从发光二极管发射的红光、绿光或蓝光的波长范围的波长的光，所以可以防止或最小化显示装置的亮度降低，并且同时可以防止或最小化显示装置的发光效率的劣化，并且可以改善可见度。
在实施例中，反射调整层235可以被提供为包括染料、颜料或它们的组合的有机材料层。反射调整层235可以包括四氮杂卟啉(TAP)类化合物、卟啉类化合物、金属卟啉类化合物、噁嗪类化合物、方酸盐类(squarylium-based)化合物、三芳基甲烷类化合物、聚甲炔类化合物、蒽醌类化合物、酞菁类化合物、偶氮类化合物、苝类化合物、呫吨类化合物、二铵类化合物、二吡咯亚甲基类化合物、菁类(cyanine-based)化合物或它们的组合。
在实施例中，在反射调整层235的表面上以包含镜面分量(SCI)模式测量的反射率可以为大约10％或更小。例如，反射调整层可以吸收在显示装置中反射的外部光以改善可见度。
在实施例中，反射调整层235可以具有大约64％至大约72％的透射率。可以根据在反射调整层235中包括的颜料和/或染料的含量来调整反射调整层235的透射率。
在实施例中，反射调整层235可以不定位在第一组件区域EA1中。
另外，在包括反射调整层235的实施例中，可以在阴极Cathode和封装层400之间另外形成覆盖层AL1和低反射层AL2。
覆盖层AL1可以用于通过加强(或相长)干涉的原理来改善发光二极管的发光效率。例如，覆盖层AL1可以包括对于具有大约589nm的波长的光具有大约1.6或更大的折射率的材料。
覆盖层AL1可以是包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层或者包括有机材料和无机材料的复合覆盖层。例如，覆盖层AL1可以包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可以可选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任何组合的取代基取代。
低反射层AL2可以设置在覆盖层AL1上。低反射层AL2可以与基底110的前表面重叠。
低反射层AL2可以包括具有低反射率的无机材料，并且在实施例中，低反射层AL2可以包括金属或金属氧化物。在低反射层AL2包括金属的情况下，低反射层AL2可以包括例如镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)或它们的组合。另外，在低反射层AL2包括金属氧化物的情况下，低反射层AL2可以包括例如SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、SiNx、LiF、CaF2、MgF2、CdS或它们的组合。
在实施例中，被包括在低反射层AL2中的无机材料的吸收系数k可以是大约4.0或更小且大约0.5或更大(0.5≤k≤4.0)。另外，被包括在低反射层AL2中的无机材料可以具有1.0或更大的折射率n(n≥1.0)。
低反射层AL2引起入射在显示装置上的光与从设置在低反射层AL2下面的金属反射的光之间的相消干涉，从而减小外部光反射率。因此，通过经由低反射层AL2减小显示装置的外部光反射率，可以改善显示装置的显示质量和可见度。
在实施例中，可以省略覆盖层AL1，使得低反射层AL2可以接触阴极Cathode。
封装层400定位在低反射层AL2上，并且在图35中示出了其他结构，并且将省略其描述。
形成在显示区域中的阴极Cathode可以不形成在第一组件区域EA1中，并且在图35的实施例中，低粘合剂层WAL可以在第一组件区域EA1中定位在阴极Cathode位置处。低粘合剂层WAL可以在第一组件区域EA1中定位在功能层FL上。低粘合剂层WAL是具有弱粘合性的材料，并且在实施例中，阴极Cathode不设置在低粘合剂层WAL的上表面上，或者低粘合剂层WAL可以包括具有阴极Cathode以非常薄的厚度形成的特征的材料。
例如，低粘合剂层WAL可以通过使用诸如[8-羟基喹啉锂](Liq)、N,N-二苯基-N,N-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺(HT01)、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)和2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[D]咪唑(LG201)等材料形成。
说明书示出并描述了其中低粘合剂层WAL定位在第一组件区域EA1中的实施例，但是在另一实施例中，低粘合剂层WAL可以通过激光工艺等去除。在这种情况下，激光工艺可以是对阴极Cathode执行的激光工艺。
覆盖层AL1、低反射层AL2和封装层400可以在第一组件区域EA1中设置在低粘合剂层WAL上。
以上描述是本公开的技术特征的示例，并且本公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此，上面描述的本公开的实施例可以单独地实现或彼此组合实现。
因此，本公开中公开的实施例不旨在限制本公开的技术精神，而是描述本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不受这些实施例限制。本公开的保护范围应由所附权利要求解释，并且应当解释的是，等同范围内的所有技术精神都被包括在本公开的范围内。

Claims (10)

1.一种发光显示装置，其特征在于，所述发光显示装置包括：
第一半导体层，定位在基底上；
第一栅极绝缘层，定位在所述第一半导体层上；
第一栅极导电层，定位在所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极绝缘层，定位在所述第一栅极导电层上；
第一数据导电层，定位在所述第二栅极绝缘层上；
下绝缘层，定位在所述第一数据导电层上；
第二数据导电层，定位在所述下绝缘层上并且包括第一阳极连接构件和第二阳极连接构件；
上有机层，定位在所述第二数据导电层上；
第一阳极和第二阳极，定位在所述上有机层上；以及
像素限定层，包括分别暴露所述第一阳极和所述第二阳极的第一开口和第二开口，其中，
所述上有机层包括：
第一阳极连接开口和第二阳极连接开口，所述第一阳极和所述第二阳极分别通过所述第一阳极连接开口和所述第二阳极连接开口与所述第一阳极连接构件和所述第二阳极连接构件电连接，并且
穿过所述第一阳极连接开口或所述第一阳极连接开口的中心的中心线穿过所述第一开口的中心，并且穿过所述第二阳极连接开口或所述第二阳极连接开口的中心的中心线穿过所述第二开口的中心。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，所述中心线在水平方向上延伸，并且与所述第一开口的所述中心匹配，并且
所述发光显示装置还包括：第三阳极，定位在所述上有机层上，
其中，所述像素限定层还包括暴露所述第三阳极的第三开口，
其中，从穿过所述第一阳极连接开口或所述第一阳极连接开口的所述中心或所述第一开口的所述中心的在水平方向上的所述中心线到穿过所述第二开口的所述中心的在所述水平方向上的所述中心线的距离等于从穿过所述第一阳极连接开口或所述第一阳极连接开口的所述中心的在所述水平方向上的所述中心线到穿过所述第三开口的所述中心的在所述水平方向上的所述中心线的距离，并且
其中，在平面图中与所述第一开口重叠的所述第一阳极是绿色发光二极管的阳极，在平面图中与所述第二开口重叠的所述第二阳极是红色发光二极管的阳极，并且在平面图中与所述第三开口重叠的所述第三阳极是蓝色发光二极管的阳极。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，
所述第二数据导电层还包括驱动电压线，所述驱动电压线包括多个扩展部分和电连接所述多个扩展部分的连接部分，
所述第一数据导电层包括扩展部分，所述扩展部分在平面图中与所述第一开口重叠并且包括突出部分，
所述第一数据导电层的所述扩展部分的所述突出部分和所述驱动电压线的所述连接部分通过定位在所述下绝缘层中的开口彼此电连接，并且
在平面图中，所述下绝缘层的所述开口被所述第一数据导电层的所述扩展部分的所述突出部分和所述驱动电压线的所述连接部分完全覆盖，
其中，所述下绝缘层是有机绝缘体。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，
所述第一数据导电层包括在平面图中与所述第一开口重叠的扩展部分，并且
所述扩展部分具有朝向一侧变窄的结构。
5.根据权利要求1或4所述的发光显示装置，其特征在于，
所述发光显示装置在所述第二栅极绝缘层和所述第一数据导电层之间还包括：
第二栅极导电层，定位在所述第二栅极绝缘层上；
第一层间绝缘层，定位在所述第二栅极导电层上；
第二半导体层，定位在所述第一层间绝缘层上并且包括氧化物半导体；
第三栅极绝缘层，定位在所述第二半导体层上；
第三栅极导电层，定位在所述第三栅极绝缘层上；以及
第二层间绝缘层，定位在所述第三栅极导电层上，并且
所述第一数据导电层定位在所述第二层间绝缘层上，并且
所述发光显示装置还包括：
多晶半导体晶体管，包括：
沟道，在所述第一半导体层中；以及
栅极电极，在所述第一栅极导电层中；以及
氧化物半导体晶体管，包括：
沟道，在所述第二半导体层中；以及
栅极电极，在所述第三栅极导电层中，其中，
产生到所述第一阳极或所述第二阳极的输出电流的驱动晶体管是所述多晶半导体晶体管，
使所述第一阳极或所述第二阳极初始化的阳极初始化晶体管是所述氧化物半导体晶体管，并且
所述第一数据导电层包括：
布线部分，在垂直方向上延伸；以及
延伸部分，在水平方向上从所述布线部分突出到相对侧，
所述延伸部分的端部扩展，并且
所述发光显示装置包括将第二初始化电压传输到所述阳极初始化晶体管的第二初始化电压线。
6.根据权利要求1或4所述的发光显示装置，其特征在于，
所述上有机层还包括虚设阳极连接开口，并且
穿过所述像素限定层的所述第一开口的所述中心或所述第二开口的所述中心的在水平方向上的所述中心线穿过所述虚设阳极连接开口或所述虚设阳极连接开口的中心，并且
所述发光显示装置还包括：
显示区域和第一组件区域，其中，
所述虚设阳极连接开口定位在所述显示区域中，并且
所述像素限定层的至少一部分定位在所述虚设阳极连接开口中。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其特征在于，
所述虚设阳极连接开口定位在所述第一组件区域中，
功能层的至少一部分定位在所述虚设阳极连接开口中，
所述功能层包括发光二极管的电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层中的至少一种，
所述第一栅极导电层包括第一扫描线，
所述第一扫描线具有沿着第一组件区域的边界弯曲的结构，
所述第一栅极导电层还包括虚设扫描部分，
所述第一扫描线沿着所述第一组件区域的上边界弯曲，并且
所述虚设扫描部分在沿着所述第一组件区域的下边界弯曲的同时与所述第一扫描线分开。
8.一种发光显示装置，其特征在于，所述发光显示装置包括：
半导体层，定位在基底上；
第一栅极绝缘层，定位在所述半导体层上；
栅极导电层，定位在所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极绝缘层，定位在所述栅极导电层上；
第一数据导电层，定位在所述第二栅极绝缘层上；
下绝缘层，定位在所述第一数据导电层上；
第二数据导电层，定位在所述下绝缘层上；
上有机层，定位在所述第二数据导电层上；
第一阳极和第二阳极，定位在所述上有机层上；以及
像素限定层，包括分别暴露所述第一阳极和所述第二阳极的第一开口和第二开口，其中，
所述上有机层包括虚设阳极连接开口，并且
穿过所述像素限定层的所述第一开口的中心或所述第二开口的中心的中心线穿过所述虚设阳极连接开口或所述虚设阳极连接开口的中心。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置，其特征在于，所述发光显示装置还包括：
显示区域和第一组件区域，其中，
所述虚设阳极连接开口定位在所述显示区域中，
所述像素限定层的至少一部分定位在所述虚设阳极连接开口中，
所述虚设阳极连接开口定位在所述第一组件区域中，
功能层的至少一部分定位在所述虚设阳极连接开口中，并且
所述功能层包括发光二极管的电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层中的至少一种，
其中，所述下绝缘层是有机绝缘体。
10.根据权利要求9所述的发光显示装置，其特征在于，
所述栅极导电层包括第一扫描线，
所述第一扫描线具有沿着所述第一组件区域的边界弯曲的结构，
所述栅极导电层还包括虚设扫描部分，
所述第一扫描线沿着所述第一组件区域的上边界弯曲，并且
所述虚设扫描部分在沿着所述第一组件区域的下边界弯曲的同时与所述第一扫描线分开。
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