CN116744726A - 发光显示装置和电子装置 - Google Patents

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Abstract

公开了电子装置和发光显示装置。发光显示装置包括显示面板和红外传感器，显示面板包括显示区域和由显示区域围绕的光传感器区域，红外传感器定位在光传感器区域的后表面上，其中显示区域包括具有与阳极重叠的开口的像素限定层、覆盖像素限定层的阴极、定位在阴极上的封装层以及定位在封装层上并且具有与像素限定层的开口重叠的开口的阻光层，其中光传感器区域与阻光层的重叠部分重叠，像素限定层具有与光传感器区域对应的附加开口以使得像素限定层不形成在光传感器区域中，并且光传感器区域还包括定位在像素限定层的附加开口内的附加间隔件。

Description

发光显示装置和电子装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年3月10日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2022-0030211号韩国专利申请的优先权以及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及发光显示装置和包括发光显示装置的电子装置，并且更具体地，涉及能够将红外传感器定位在显示区域的后表面上的发光显示装置和包括发光显示装置的电子装置。
背景技术
显示装置为用于显示图像的装置，并且包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和类似物。显示装置用于诸如移动电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端的各种电子装置中。
诸如有机发光显示装置的显示装置可具有显示装置能够通过使用柔性衬底而弯折或折叠的结构。
此外，在诸如便携式电话的小型电子装置中，诸如相机和光学传感器的光学元件形成在为显示区域的外围区域的边框区域中，然而，由于显示区域的外围区域的尺寸在用于显示的屏幕的尺寸增大的同时逐渐减小，因此正在开发允许相机或光学传感器定位在显示区域的背面的技术。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对描述的技术的背景的理解，并且因此其可能包含不形成在本国中对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
实施方式提供了定位在显示区域的后表面上的红外传感器可具有足够的透射率的发光显示装置。
根据实施方式的电子装置包括具有后表面和侧表面的壳体、布置在壳体上的覆盖窗、布置在覆盖窗下面并且包括显示区域和由显示区域围绕的光传感器区域的显示面板以及定位在显示面板的光传感器区域的后表面上的红外传感器，其中显示区域具有在平面视图中与阳极重叠的开口的像素限定层、定位在像素限定层上的间隔件、覆盖像素限定层和间隔件的阴极、定位在阴极上的覆盖层、定位在覆盖层上的低反射层、定位在低反射层上的封装层以及定位在封装层上并且在平面视图中具有与像素限定层的开口重叠的开口的阻光层，其中光传感器区域在平面视图中与阻光层的重叠部分和像素限定层的重叠部分重叠，并且阴极具有与光传感器区域对应的开口并且不形成在光传感器区域中。
覆盖层和低反射层可各自具有与光传感器区域对应的开口。
封装层可定位在阴极、覆盖层和低反射层中的每个的与光传感器区域对应的开口内。
阴极可具有覆盖覆盖层或低反射层的上表面和侧表面的结构。
覆盖层可具有与光传感器区域对应的开口，并且低反射层可定位在阴极和覆盖层中的每个的与光传感器区域对应的开口内。
阴极可具有覆盖覆盖层的上表面和侧表面的结构。
还可包括定位在阴极的开口内的低粘合层。
覆盖层和低反射层可定位在低粘合层上。
低反射层可定位在低粘合层上，并且覆盖层可具有与光传感器区域对应的开口。
还可包括定位在阳极下面并且具有开口的岛状金属层，并且在平面视图中，岛状金属层的开口可与阴极的开口重叠。
根据实施方式的发光显示装置包括包含有显示区域和由显示区域围绕的光传感器区域的显示面板以及定位在光传感器区域的后表面上的红外传感器，其中显示区域包括在平面视图中具有与阳极重叠的开口的像素限定层、覆盖像素限定层的阴极、定位在阴极上的封装层以及定位在封装层上并且在平面视图中具有与像素限定层的开口重叠的开口的阻光层，其中光传感器区域在平面视图上与阻光层的重叠部分重叠，像素限定层具有与光传感器区域对应的附加开口，以使得像素限定层不形成在光传感器区域中，并且光传感器区域还包括定位在像素限定层的附加开口内的附加间隔件。
显示区域还可包括定位在阳极下面的有机层，附加间隔件可接触有机层，并且附加间隔件可定位在封装层下面。
显示区域还可包括定位在阴极与封装层之间并且接触阴极的覆盖层以及定位在覆盖层与封装层之间的低反射层。
阴极、覆盖层和低反射层具有与光传感器区域对应的开口，以使得阴极、覆盖层和低反射层可不形成在光传感器区域中。
封装层可定位在阴极、覆盖层和低反射层的开口内。
阴极可具有覆盖覆盖层或低反射层的上表面和侧表面的结构。
还可包括定位在阳极下面并且具有开口的岛状金属层，并且在平面视图中，岛状金属层的开口可与阴极、覆盖层和低反射层的开口重叠。
根据实施方式的发光显示装置包括包含有显示区域和由显示区域围绕的光传感器区域的显示面板以及定位在光传感器区域的后表面上的红外传感器，其中显示区域包括在平面视图中具有与阳极重叠的开口的像素限定层、覆盖像素限定层的阴极、定位在阴极上的覆盖层、定位在覆盖层上的低反射层、定位在低反射层上的封装层以及定位在封装层上并且在平面视图中具有与像素限定层的开口重叠的开口的阻光层，光传感器区域与阻光层的重叠部分、低反射层的重叠部分、覆盖层的重叠部分以及阴极的重叠部分重叠，并且阴极的重叠部分的厚度小于显示区域的阴极的厚度。
覆盖层的重叠部分的厚度可大于显示区域的覆盖层的厚度。
阴极的重叠部分的厚度与显示区域的阴极的厚度之间的差可基本上等于覆盖层的重叠部分的厚度与显示区域的覆盖层的厚度之间的差。
根据实施方式，在平面上在与红外传感器重叠的光传感器区域中形成有阻光层的情况下，用特定材料填充开口，或者在阻光层下方的层中形成有与光传感器区域对应的开口的情况下，阴极的厚度形成为薄，以使得光传感器区域可具有一定水平之上的改善的红外透射特性。
附图说明
图1是示出根据实施方式的显示装置的使用状态的示意性透视图。
图2是根据实施方式的显示装置的示意性分解透视图。
图3是根据实施方式的显示装置的示意性框图。
图4是示意性地示出根据另一实施方式的发光显示装置的示意性透视图。
图5是示出根据实施方式的发光显示装置的放大的部分区的示意性俯视图。
图6是根据实施方式的发光显示装置中包括的像素的等效电路的示意图。
图7至图19是具体地示出根据依据实施方式的发光显示装置之中的下面板层的制造顺序的各层的结构的示意性视图。
图20是根据实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
图21是根据另一实施方式的发光显示装置的部分的示意性放大视图。
图22是简要地示出根据图20的实施方式的发光显示装置之中的光传感器区域的示意性剖视图。
图23是示出用于制造根据图22的实施方式的光传感器区域的部分的方法的示意性视图。
图24是根据实施方式的红外传感器的示意性平面视图。
图25和图26是示出根据另一实施方式的发光显示装置之中的光传感器区域的示意性剖视图。
图27和图28是示出根据另一实施方式的发光显示装置之中的光传感器区域的示意性剖视图。
图29和图30是示出根据另一实施方式的发光显示装置之中的光传感器区域的示意性剖视图。
图31是示出根据阴极的厚度的透射率的示意性曲线图。
图32是简要地示出根据另一实施方式的发光显示装置之中的光传感器区域的示意性剖视图。
图33是示意性地示出阴极与低粘合层之间的关系的示意性剖视图。
图34是根据图32的实施方式的发光显示装置的示意性详细剖视图。
图35是示出根据低粘合层的厚度的透射率的示意性曲线图。
图36是简要地示出根据另一实施方式的发光显示装置之中的光传感器区域的示意性剖视图。
图37是根据另一实施方式的发光显示装置的更详细的示意性剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照示出了本公开的实施方式的附图对本公开更全面地描述。如本领域技术人员将理解的，描述的实施方式可在不背离本公开的精神或范围的情况下以各种不同的方式进行修改。
省略了与本公开无关的部分的描述，并且在整个说明书中类似的附图标记指定类似的元件。
此外，由于为了更好的理解和描述的方便而任意地给出附图中所示的构成构件的尺寸和厚度，因此本公开不限于所示的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚，层、膜、面板、区等的厚度被夸大。在附图中，为了更好的理解和描述的方便，夸大了一些层和区域的厚度。
当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、直接连接到或联接到另一元件或层，或者可存在居间元件或居间层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，则不存在居间元件或居间层。为此，术语“连接”可是指在具有或不具有居间元件的情况下的物理、电和/或流体的连接。
此外，除非明确相反描述，否则词语“包括(comprise)”、“包括(include)”和“具有(have)”以及其变体将被理解为暗示包括所陈述的元件，而不排除任何其它元件。
此外，在说明书中，短语“在平面上”或“在平面视图中”意味着当从上方观察对象部时，并且短语“在剖面上”或“在剖视图中”意味着当从侧面观察通过垂直地切割对象部而取得的剖面时。
此外，在说明书中，当提及“连接到”时，这不仅可意味着两个或更多个构成元件彼此直接连接，而且意味着两个或更多个构成元件可通过其它构成元件间接连接、物理连接和电连接，并且尽管根据位置或功能由不同的名称被提及，但可包括基本上一体的部分中的每个彼此连接。
此外，在整个说明书中，当据说诸如导线、层、膜、区、板和构成元件的部分“在第一方向或第二方向上延伸”时，这不仅意味着在对应方向上笔直地延伸的直线形状，而且包括如下的结构：在部分中弯折、具有之字形结构、或在包括曲线结构的情况下作为整体上沿第一方向或第二方向延伸的结构来延伸。
此外，包括在说明书中描述的显示装置和显示面板中的电子装置(例如，移动电话、TV、监视器、膝上型计算机等)或者包括在通过说明书中描述的制造方法制造的显示装置、显示面板等中的电子装置不从本说明书的范围排除。
考虑到有关测量和与特定数量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的术语“约(about)”或者“大致(approximately)”包括所陈述的值并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的对于特定值的偏差的可接受范围内。例如，“约(about)”可意味着在一个或者多个标准偏差内、或者在所陈述的值的±30％、20％、10％、5％内。
术语“和/或”包括相关联构造中的一个或多个可限定的所有组合。例如，“A和/或B”可理解为意味着“A、B、或者A和B”。
出于本公开的目的，短语“A和B中的至少一个”可被解释为仅A、仅B、或A和B的任何组合。此外，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y、Z构成的集群中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。
除非在本文中另有限定或暗示，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的领域的技术人员通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在本文中清楚地如此限定，否则术语(诸如常用词典中限定的那些)应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或者过于正式的意义来解释。
在下文中，参照图1至图3示意性地描述了显示装置1000的示意性结构。图1是示出根据实施方式的显示装置1000的使用状态的示意性透视图，图2是根据实施方式的显示装置1000的示意性分解透视图，并且图3是根据实施方式的显示装置1000的示意性框图。
参照图1，根据实施方式的显示装置1000为用于显示运动图片或静止图像的装置，并且可用作诸如电视、笔记本计算机、监视器、广告板、物联网(IOT)装置等的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子笔记本、电子书、PMP(便携式多媒体播放器)、导航装置、UMPC(超移动PC)等的便携式电子装置的显示屏。根据实施方式的显示装置1000可用于诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置。根据实施方式的显示装置1000可用作汽车的仪器面板、布置在汽车的中央仪表板或仪表板上的CID(Center Information Display，中央信息显示器)、替代汽车的侧视镜的室内镜显示器、用于汽车的后座的娱乐装置或布置在前座的后表面上的显示器。为了更好的理解和描述的方便，图1示出了显示装置1000用作智能电话。
显示装置1000可在与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个平行的显示表面上在第三方向DR3上显示图像。显示图像的显示表面可对应于显示装置1000的前表面，并且可对应于覆盖窗WU的前表面。图像可包括静态图像以及动态图像。
在实施方式中，每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)基于显示图像的方向来限定。前表面和后表面可在第三方向DR3上彼此相对，并且前表面和后表面中的每个的法线方向可平行于第三方向DR3。前表面和后表面之间的在第三方向DR3上的间隔距离可对应于构件的在第三方向DR3上的厚度。
根据实施方式的显示装置1000可检测从外部施加的用户的输入(参见图1中的手)。用户的输入可包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的部分、光、热或压力。在实施方式中，用户的输入示出为施加到前面的用户的手。然而，本公开不限于此。用户的输入可以各种形式提供，并且根据显示装置1000的结构，显示装置1000可感测施加到显示装置1000的侧表面或后表面的用户的输入。
参照图1和图2，显示装置1000可包括覆盖窗WU、壳体HM、显示面板DP和光学元件ES。在实施方式中，覆盖窗WU和壳体HM可组合以构成显示装置1000的外观。
覆盖窗WU可包括绝缘面板。例如，覆盖窗WU可由玻璃、塑料或其组合制成。
覆盖窗WU的前表面可限定显示装置1000的前表面。透射区域TA可为光学透明区域。例如，透射区域TA可为具有约90％或更大的可见光透射率的区域。
阻挡区域BA可限定透射区域TA的形状。阻挡区域BA与透射区域TA相邻并且可围绕透射区域TA。与透射区域TA相比，阻挡区域BA可为具有相对低的透光率的区域。阻挡区域BA可包括阻挡光的不透明材料。阻挡区域BA可具有颜色(例如，预定或可选择的颜色)。阻挡区域BA可由与限定透射区域TA的透明衬底分离提供的边框层限定，或者可由插入到透明衬底中、或着色并且形成在透明衬底上的墨水层限定。
显示面板DP可显示图像并且包括驱动部50。显示面板DP可包括包含有显示区域DA和非显示区域PA的前表面。显示区域DA可为像素PX根据电信号操作并且发射光的区域。
在实施方式中，显示区域DA为显示图像的区域，并且可为由布置在于第三方向DR3上从像素PX起的上部位置处的触摸传感器感测外部输入的区域。
覆盖窗WU的透射区域TA可与显示面板DP的显示区域DA至少部分地重叠(例如，在厚度方向或第三方向DR3上或在平面视图中)。例如，透射区域TA可与显示区域DA的前表面重叠，或者可与显示区域DA的至少一部分重叠。相应地，用户可通过透射区域TA识别图像，或者基于图像提供外部输入。然而，本公开不限于此。例如，在显示区域DA中，显示图像的区域和检测到外部输入的区域可彼此分离。
显示面板DP的非显示区域PA可与覆盖窗WU的阻挡区域BA至少部分地重叠。非显示区域PA可为由阻挡区域BA覆盖的区域。非显示区域PA可与显示区域DA相邻并且可围绕显示区域DA。在非显示区域PA中，不显示图像，并且可布置有用于驱动显示区域DA的驱动电路或驱动布线。非显示区域PA可包括定位在显示区域DA外部的第一外围区域PA1和包括驱动部50、连接布线和弯折区域的第二外围区域PA2。在图2的实施方式中，第一外围区域PA1定位在显示区域DA的三个边上，并且第二外围区域PA2定位在显示区域DA的另一边上。
在实施方式中，显示面板DP可在显示区域DA和非显示区域PA面对覆盖窗WU的平坦状态下被组装。然而，本公开不限于此。显示面板DP的非显示区域PA的部分可弯折。非显示区域PA的部分面对显示装置1000的后表面，以使得可减小在显示装置1000的前表面示出的阻挡区域BA，并且如在图2中所示，第二外围区域PA2可弯折以定位在显示区域DA的后表面上并且被组装。
显示面板DP可包括部件区域EA，具体地，可包括第一部件区域EA1和第二部件区域EA2。第一部件区域EA1和第二部件区域EA2可至少部分地由显示区域DA围绕。尽管第一部件区域EA1和第二部件区域EA2示出为彼此间隔开，但本公开不限于此，并且它们的至少一部分可连接。第一部件区域EA1和第二部件区域EA2可为其下方布置有使用红外线、可见光或声音的部件的区域。
显示区域DA包括多个发光二极管(LED)以及用于生成发光电流并且将发光电流发送到发光二极管(LED)中的每个的像素电路部。一个发光二极管(LED)和一个像素电路部被称为像素PX。在显示区域DA中，一个像素电路部和一个发光二极管(LED)一对一地形成。
第一部件区域EA1包括由透明层构成的区域以允许光穿过，没有定位有导电层或半导体层，并且像素限定层和包括阻光材料的阻光层可包括与对应于第一部件区域EA1的位置重叠的开口，从而具有不阻挡光的结构。
第二部件区域EA2可包括光或/和声音可穿过的透射部和包括像素PX的显示部。透射部定位在相邻像素PX之间并且由光或/和声音可穿过的透明层构成。显示部可通过添加像素PX而形成为具有单元结构，并且透射部可定位在相邻单元结构之间。
参照图1至图3，显示面板DP可包括包含有显示像素的显示区域DA和触摸传感器TS。在本文中，显示像素可是指图2中的像素PX。包括生成图像的显示像素，显示面板DP可由用户从外部通过透射区域TA在视觉上识别。触摸传感器TS可定位在显示像素上，并且可检测从外部施加的外部输入。触摸传感器TS可检测提供到覆盖窗WU的外部输入。
再次参照图2，第二外围区域PA2可包括弯折部。显示区域DA和第一外围区域PA1可处于平坦状态，基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面，并且第二外围区域PA2的一侧可在平坦状态下延伸并且在经过弯折部之后再次处于平坦状态。结果，第二外围区域PA2的至少一部分可弯折并且被组装为定位在显示区域DA的后表面上。当组装时，第二外围区域PA2的至少一部分在平面视图中(或在平面上)与显示区域DA重叠，以使得可减小显示装置1000的阻挡区域BA。然而，本公开不限于此。例如，第二外围区域PA2可不弯折。
驱动部50可安装在第二外围区域PA2中，并且可安装在弯折部上或定位在弯折部的多个侧中的一个上。驱动部50可以芯片的形式提供。
驱动部50可电连接到显示区域DA以将电信号发送到显示区域DA。例如，驱动部50可将数据信号提供到布置在显示区域DA中的像素PX。作为另一实例，驱动部50可包括触摸驱动电路并且可电连接到布置在显示区域DA中的触摸传感器TS。驱动部50可设计为除了上述电路之外还包括各种电路或者设计为将各种电信号提供到显示区域DA。
在第二外围区域PA2的端部处可定位有焊盘部，并且显示装置1000可通过焊盘部电连接到包括驱动芯片的柔性印刷电路板(FPCB)。定位在柔性印刷电路板上的驱动芯片可包括用于驱动显示装置1000的各种驱动电路或用于电源的连接器。根据实施方式，可使用刚性印刷电路板(PCB)代替柔性印刷电路板。
光学元件ES可布置在显示面板DP下面。光学元件ES可包括与第一部件区域EA1重叠的第一光学元件ES1(例如，红外传感器ES1)和与第二部件区域EA2重叠的第二光学元件ES2。
第一光学元件ES1可为使用光或声音的电子元件。例如，第一光学元件ES1可为诸如红外传感器的接收并且使用光的传感器、输出并且感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯、输出声音的扬声器等。在使用光的电子元件的情况下，可使用各种波长带的光，诸如可见光、红外光和紫外光。
第二光学元件ES2可为相机、红外相机(IR相机)、点投影仪、红外照明器和飞行时间传感器(ToF传感器)中的至少一种。
参照图3，显示装置1000可包括显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2。显示面板DP、电源模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可彼此电连接。在图3中，显示面板DP的构造之中的定位在显示区域DA中的显示像素以及触摸传感器TS示出为实例。
电源模块PM可供给显示装置1000的整体操作所需的电力。电源模块PM可包括传统的电池模块。
第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可包括用于操作显示装置1000的各种功能模块。第一电子模块EM1可直接安装在与显示面板DP电连接的母板上，或者安装在单独的衬底上并且通过连接器(未示出)与母板电连接。
第一电子模块EM1可包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音频输入模块AIM、存储器MM和外部接口IF。模块中的一些没有安装在母板上，并且可通过与其连接的柔性印刷电路板电连接到母板。
控制模块CM可控制显示装置1000的整体操作。控制模块CM可为微处理器。例如，控制模块CM激活或禁用显示面板DP。控制模块CM可基于从显示面板DP接收的触摸信号控制诸如图像输入模块IIM或音频输入模块AIM的其它模块。
无线通信模块TM能够使用蓝牙或Wi-Fi与其它终端发送/接收无线信号。无线通信模块TM可通过使用通用通信线路发送/接收语音信号。无线通信模块TM包括调制和发送待发送的信号的发送器TM1和解调接收信号的接收器TM2。
图像输入模块IIM可处理图像信号以转换为可在显示面板DP上显示的图像数据。音频输入模块AIM可以记录模式、语音识别模式等通过麦克风接收外部声音信号，以转换为电语音数据。
外部接口IF可用作连接到外部充电器、有线/无线数据端口或卡(例如，存储器卡或SIM/UIM卡)插槽的接口。
第二电子模块EM2可包括音频输出模块AOM、发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM，并且如图1和图2中所示的如光学元件ES这些中的一些可定位在显示面板DP的后表面上。光学元件ES可包括发光模块LM、光接收模块LRM和相机模块CMM。第二电子模块EM2可直接安装在母板上，或者安装在单独的衬底上并且通过连接器(未示出)电连接到显示面板DP或电连接到第一电子模块EM1。
音频输出模块AOM可转换从无线通信模块TM接收的音频数据或存储在存储器MM中的音频数据，以输出到外部。
发光模块LM可生成并且输出光。发光模块LM可输出红外光。例如，发光模块LM可包括LED元件。例如，光接收模块LRM可检测红外光。在检测到高于特定水平的红外光的情况下，可激活光接收模块LRM。光接收模块LRM可包括CMOS传感器。在由发光模块LM生成的红外光输出之后，光可由外部对象(例如，用户的手指或面部)反射，并且反射的红外光可入射到光接收模块LRM上。相机模块CMM可拍摄外部图像。
在实施方式中，光学元件ES可附加地包括光学检测传感器或热检测传感器。光学元件ES可检测通过前表面接收的外部对象，或者可通过前表面将诸如语音的声音信号提供到外部。光学元件ES可包括部件，并且不限于任何一个实施方式。
再次参照图2，壳体HM可与覆盖窗WU组合。覆盖窗WU可布置在壳体HM的前面。壳体HM可与覆盖窗WU组合以提供容纳空间(例如，预定或可选择的容纳空间)。显示面板DP和光学元件ES可容纳在提供在壳体HM与覆盖窗WU之间的容纳空间(例如，预定或可选择的容纳空间)中。
壳体HM可包括具有相对高的刚度的材料。例如，壳体HM可包括由玻璃、塑料或金属、或者其组合制成的框架和/或板。壳体HM可可靠地保护显示装置1000的收容于内部空间中的部件免受外部冲击的影响。
在下文中，参照图4描述根据另一实施方式的发光显示装置1000的结构。图4是示意性地示出根据另一实施方式的显示装置的透视图。省略了对上述构成元件的相同构造的描述。在本文中，发光显示装置可被称为显示装置。
图4的实施方式示出了发光显示装置1000通过折叠轴FAX折叠的可折叠发光显示装置。
参照图4，在实施方式中，发光显示装置1000可为可折叠显示装置。发光显示装置1000可基于折叠轴FAX向外或向内折叠。在发光显示装置1000基于折叠轴FAX向外折叠的情况下，发光显示装置1000的显示表面分别定位在第三方向DR3上的外部，以使得可在两个方向上显示图像。在发光显示装置1000基于折叠轴FAX向内折叠的情况下，可不从外部在视觉上识别显示表面。
在实施方式中，发光显示装置1000可包括显示区域DA、部件区域EA和非显示区域PA。显示区域DA可划分为第1-1显示区域DA1-1、第1-2显示区域DA1-2和折叠区域FA。第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可基于折叠轴FAX(或中心)分别定位在左侧和右侧，并且折叠区域FA可定位在第1-1显示区域DA1-1与第1-2显示区域DA1-2之间。在发光显示装置1000基于折叠轴FAX向外折叠的情况下，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2定位在第三方向DR3的两侧，并且可在两个方向上显示图像。在发光显示装置1000基于折叠轴FAX向内折叠的情况下，第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可不从外部在视觉上被识别。
图5是示出根据实施方式的发光显示装置的区域的示意性放大俯视图。
图5示出了根据实施方式的发光显示装置之中的发光显示面板DP的部分，并且该部分使用用于移动电话的显示面板来示出。
发光显示面板DP具有定位在前表面的显示区域DA，并且可包括在前表面的部件区域EA，并且具体地可包括第一部件区域EA1和第二部件区域EA2。在图5的实施方式中，第一部件区域EA1定位在与第二部件区域EA2相邻的位置。在图5的实施方式中，第一部件区域EA1定位在第二部件区域EA2的左侧。第一部件区域EA1的位置和数量可对于每个实施方式而改变。在图5中，对应于第二部件区域EA2的光学元件可为相机，并且对应于第一部件区域EA1的光学元件可为光学传感器。
发光二极管(LED)和用于生成发光电流并且将其发送到发光二极管(LED)中的每个的像素电路部形成在显示区域DA中。发光二极管(LED)和像素电路部被称为像素PX(例如，参见图2)。在显示区域DA中，像素电路部和发光二极管(LED)一对一地形成。显示区域DA在下文中也被称为“正常显示区域”。图5未示出发光显示面板DP的切割线下面的结构，但显示区域DA可定位在切割线下面。
第一部件区域EA1包括透明层以允许光穿过其，透明层不具有导电层或半导体层，并且在下面板层中具有光传感器区域(或光学传感器区域)OPS(例如，参见图17)，并且在上面板层的阻光层220(例如，参见图20)、滤色器层230(例如，参见图37)和像素限定层380(例如，参见图20)中，在与第一部件区域EA1对应的位置处形成有开口(在下文中也被称为附加开口)，从而具有不阻挡光的结构。另一方面，虽然光传感器区域OPS定位在下面板层中，但如果在上面板层中不存在对应开口，则其可为显示区域DA而不是第一部件区域EA1。稍后描述的图7至图20示出了像素和光传感器区域OPS，并且其可具有第一部件区域EA1或显示区域DA的像素结构。
根据实施方式的发光显示面板DP可大体上划分为下面板层和上面板层。下面板层为定位有构成像素的发光二极管LED和像素电路部的部分，并且可包括覆盖它们的封装层400(参见图20的封装层400)。例如，下面板层从衬底(参见图20中的衬底110)到封装层，并且也包括阳极Anode(例如，参见图20)、像素限定层(参见图20中的像素限定层380)、发射层(参见图20中的发射层EML)、间隔件(参见图20中的间隔件385)、功能层(参见图20中的功能层FL)和阴极(参见图20中的阴极Cathode)，并且包括在衬底与阳极之间的绝缘层、半导体层和导电层。另一方面，作为定位在封装层上方的部分的上面板层包括感测绝缘层(参见图20中的感测绝缘层501、510和511)和能够感测触摸的感测电极(参见图20的感测电极540和541)，并且可包括阻光层(参见图20的阻光层220)、滤色器层(参见图37的滤色器层230)和平坦化层(参见图20的平坦化层550)。
另一方面，基于图7至图20来描述显示区域DA的下面板层的结构。
尽管图5中未示出，但在显示区域DA外部还可定位有外围区域。图5示出了用于移动电话的显示面板，但只要光学元件能够定位在显示面板的后表面，就可应用该实施方式，并且其也可为柔性显示装置。在柔性显示装置之中的可折叠显示装置的情况下，第二部件区域EA2和第一部件区域EA1可形成在与图5中所示的位置不同的位置处。
在下文中，参照图6详细地描述定位在发光显示面板DP的下面板层中的像素的电路结构。
随后的像素结构可为包括光传感器区域OPS的显示区域DA和/或第一部件区域EA1的像素结构。光传感器区域OPS为可与在诸如阻光层的阻挡光的部分在其上去除的情况下的第一部件区域EA1对应的部分，并且在光由光传感器区域OPS上的阻光层阻挡的情况下，光传感器区域OPS可包括在显示区域DA中。
首先，参照图6描述像素的电路结构。
图6是根据实施方式的发光显示装置中包括的像素的等效电路的示意图。
图6中所示的电路结构为形成在显示区域DA、第一部件区域EA1和第二部件区域EA2中的像素电路部和发光二极管LED的电路结构。
根据实施方式的像素包括连接到若干导线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器Cboost和发光二极管LED。除了发光二极管LED以外的晶体管和电容器构成像素电路部。根据实施方式，可省略升压电容器Cboost。晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可划分为包括多晶半导体的多晶半导体晶体管和包括氧化物半导体的氧化物半导体晶体管，并且多晶半导体可为驱动晶体管T1(可被称为晶体管T1)、第二晶体管T2(可被称为晶体管T2)、第五晶体管T5(可被称为晶体管T5)和第六晶体管T6(可被称为晶体管T6)，而氧化物半导体晶体管可为第三晶体管T3(可被称为晶体管T3)、第四晶体管T4(可被称为晶体管T4)和第七晶体管T7(可被称为晶体管T7)。
导线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741连接到像素PX(例如，参见图2)。导线127、128、151、152、153、154、155、171、172和741包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、旁路控制线154、光发射控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。
第一扫描线151可连接到扫描驱动器(未示出)以将第一扫描信号GW发送到第二晶体管T2和第七晶体管T7。在图6中，第一扫描线151可连接到扫描驱动器(未示出)以将第一扫描信号GW发送到第二晶体管T2。与施加到第一扫描线151的电压极性相反的电压可以与第一扫描线151的信号的时序相同的时序施加到第二扫描线152。例如，在负电压施加到第一扫描线151的情况下，正电压可施加到第二扫描线152。第二扫描线152将第二扫描信号GC发送到第三晶体管T3。初始化控制线153将初始化控制信号GI发送到第四晶体管T4，光发射控制线155将发光控制信号EM发送到第五晶体管T5和第六晶体管T6，并且旁路控制线154将旁路控制信号GB发送到第七晶体管T7。相反极性的电压可以与第一扫描信号GW的时序相同的时序施加到旁路控制信号GB，并且旁路控制信号GB和第二扫描信号GC可具有相同信号。
数据线171为发送由数据驱动器(未示出)生成的数据电压DATA的导线，并且相应地，发送到发光二极管LED的发光电流的大小改变，并且因此发光二极管LED的亮度改变。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127发送第一初始化电压Vinit，并且第二初始化电压线128发送第二初始化电压AVinit。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光二极管LED的阴极。在实施方式中，分别施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可为恒定电压。
驱动晶体管T1(也被称作第一晶体管)为p型晶体管，并且具有硅半导体(多晶半导体)作为半导体层。它为根据驱动晶体管T1的栅电极的电压(例如，存储在存储电容器Cst中的电压)的大小来调节输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的大小的晶体管。由于发光二极管LED的亮度根据输出到发光二极管LED的阳极的发光电流的大小来调节，因此可根据施加到像素的数据电压DATA来调节发光二极管LED的发光亮度。出于这个目的，驱动晶体管T1的第一电极布置为接收驱动电压ELVDD，并且经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。驱动晶体管T1的第一电极也连接到第二晶体管T2的第二电极以接收数据电压DATA。驱动晶体管T1的第二电极将发光电流输出到发光二极管LED，并且经由第六晶体管T6(也被称为输出控制晶体管)连接到发光二极管LED的阳极。驱动晶体管T1的第二电极也连接到第三晶体管T3，并且将施加到第一电极的数据电压DATA发送到第三晶体管T3。驱动晶体管T1的栅电极连接到存储电容器Cst的电极(在下文中被称为“第二存储电极”)。相应地，驱动晶体管T1的栅电极的电压根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，并且相应地，改变了由驱动晶体管T1输出的发光电流。存储电容器Cst用于在一帧内保持驱动晶体管T1的栅电极的电压恒定。驱动晶体管T1的栅电极也可连接到第三晶体管T3，以使得施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA可通过第三晶体管T3发送到驱动晶体管T1的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极也连接到第四晶体管T4并且可通过接收第一初始化电压Vinit来初始化。
第二晶体管T2为p型晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。第二晶体管T2为将数据电压DATA接收到像素中的晶体管。第二晶体管T2的栅电极连接到第一扫描线151和升压电容器Cboost的电极(在下文中被称为“下升压电极”)。第二晶体管T2的第一电极连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。在第二晶体管T2因通过第一扫描线151发送的第一扫描信号GW之中的负电压导通的情况下，通过数据线171传送的数据电压DATA传送到驱动晶体管T1的第一电极并且最终数据电压DATA传送到驱动晶体管T1的栅电极并且存储在存储电容器Cst中。
第三晶体管T3为n型晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第三晶体管T3电连接驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅电极。结果，第三晶体管T3为允许数据电压DATA被驱动晶体管T1的阈值电压补偿并且存储在存储电容器Cst的第二存储电极中的晶体管。第三晶体管T3的栅电极连接到第二扫描线152，并且第三晶体管T3的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极连接到存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器Cboost的另一电极(在下文中被称为“上升压电极”)。第三晶体管T3因通过第二扫描线152接收的第二扫描信号GC之中的正电压导通。因此，驱动晶体管T1的栅电极和驱动晶体管T1的第二电极连接，并且施加到驱动晶体管T1的栅电极的电压传送到存储电容器Cst的第二存储电极并且存储在存储电容器Cst中。存储在存储电容器Cst中的电压以驱动晶体管T1关断的情况下的驱动晶体管T1的栅电极的电压被存储的状态来存储，以使得驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)得到补偿。
第四晶体管T4为n型晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第四晶体管T4用于将驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst的第二存储电极初始化。第四晶体管T4的栅电极连接到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极连接到第一初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极连接到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器Cboost的上升压电极。第四晶体管T4因通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI的正电压导通，并且第一初始化电压Vinit发送到驱动晶体管T1的栅电极、存储电容器Cst的第二存储电极以及升压电容器Cboost的上升压电极以被初始化。
第五晶体管T5和第六晶体管T6为p型晶体管，并且具有硅半导体作为半导体层。
第五晶体管T5用于将驱动电压ELVDD传送到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极连接到光发射控制线155，第五晶体管T5的第一电极连接到驱动电压线172，并且第五晶体管T5的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。
第六晶体管T6用于将从驱动晶体管T1输出的发光电流发送到发光二极管LED。第六晶体管T6的栅电极连接到光发射控制线155，第六晶体管T6的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极连接到发光二极管LED的阳极。
第七晶体管T7为n型晶体管，并且具有氧化物半导体作为半导体层。第七晶体管T7用于将发光二极管LED的阳极初始化。在本文中，第七晶体管T7也被称为阳极初始化晶体管。第七晶体管T7的栅电极连接到旁路控制线154，第七晶体管T7的第一电极连接到发光二极管LED的阳极，并且第七晶体管T7的第二电极连接到第二初始化电压线128。在第七晶体管T7通过流经旁路控制线154的旁路控制信号GB之中的正电压导通的情况下，第二初始化电压AVinit施加到发光二极管LED的阳极并且被初始化。
尽管已描述了像素PX包括七个晶体管T1至T7和两个电容器(存储电容器Cst和升压电容器Cboost)，但本公开不限于此，并且根据实施方式可排除升压电容器Cboost。尽管在实施方式中，第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7为n型晶体管，但它们中的仅一个可形成为n型晶体管或者其它晶体管可形成为n型晶体管。
在以上中，通过图6描述了形成在显示区域DA中的像素的电路结构。
在下文中，通过图7至图20描述形成在显示区域DA中的像素的详细平面结构和堆叠结构，并且随后的实施方式的每个像素包括光传感器区域OPS。
图7至图19是具体地示出根据依据实施方式的发光显示装置的下面板层的制造顺序的每个层的结构的示意性视图。
参照图7，金属层BML定位在衬底110(例如，参见图20)上。
衬底110可包括诸如玻璃的由于刚性特性而不弯折的材料、或诸如塑料或聚酰亚胺的能够弯折的柔性材料。在柔性衬底的情况下，如图20中所示，其可具有聚酰亚胺和提供在其上并且由无机绝缘材料形成的阻挡层的两层结构形成两次的结构。
金属层BML包括扩展部BML1和将扩展部BML1彼此连接的连接部BML2，并且还包括具有开口OBML的岛状金属层BML3。金属层BML的扩展部BML1可形成在与在平面视图中在稍后形成的第一半导体层130(例如，参见图8)之中的驱动晶体管T1(例如，参见图17)的沟道1132重叠的位置处。在实施方式中，岛状金属层BML3与扩展部BML1和连接部BML2分离，并且包括在中心的开口OBML。参照图20，开口OBML对应于光传感器区域OPS，并且可用作用于在后续工艺中形成与光传感器区域OPS对应的图案的掩模。根据实施方式，岛状金属层BML3可具有连接到扩展部BML1或连接部BML2的结构。金属层BML也被称作下遮蔽层，可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等的金属或其金属合金，并且可附加地包括非晶硅，并且可由单层或多层构成。
参照图20，覆盖衬底110和金属层BML的缓冲层111布置在衬底110和金属层BML上。缓冲层111用于阻挡杂质元素渗透到第一半导体层130中，并且可为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
在缓冲层111上，如图8中所示，定位有由硅半导体(例如，多晶半导体)形成的第一半导体层130。硅半导体可包括P-Si。第一半导体层130包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133。第一半导体层130包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及驱动晶体管T1的沟道，并且在每个沟道的侧面上具有通过等离子体处理或掺杂而具有导电层特性的区域以用作第一电极和第二电极。包括第一半导体层130的晶体管可被称为多晶半导体晶体管(例如，参见图20中的LTPS TFT)。
驱动晶体管T1的沟道1132在平面视图中可具有“U”形的弯曲形状。然而，驱动晶体管T1的沟道1132的形状不限于此，并且可各种改变。例如，驱动晶体管T1的沟道1132可弯折为不同的形状或者可具有条形状。驱动晶体管T1的第一区域1131和第二区域1133可定位在驱动晶体管T1的沟道1132的侧面上。定位在第一半导体层130中的第一区域1131和第二区域1133用作驱动晶体管T1的第一电极和第二电极。
第二晶体管T2的沟道、第一区域和第二区域定位在第一半导体层130中的从驱动晶体管T1的第一区域1131向下延伸的部分1134中。第五晶体管T5的沟道、第一区域和第二区域定位在从驱动晶体管T1的第一区域1131向上延伸的部分1135中。第六晶体管T6的沟道、第一区域和第二区域定位在从驱动晶体管T1的第二区域1133向上延伸的部分1136中。
参照图20，第一栅极绝缘层141可定位在包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133的第一半导体层130上。第一栅极绝缘层141可为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
参照图9，包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层可定位在第一栅极绝缘层141上。第一栅极导电层包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及驱动晶体管T1中的每个的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极1151可与驱动晶体管T1的沟道1132重叠。驱动晶体管T1的沟道1132由驱动晶体管T1的栅电极1151覆盖。
第一栅极导电层还可包括第一扫描线151和光发射控制线155。第第一扫描线151和光发射控制线155可在大致水平方向(在下文中也被称为第一方向DR1)上延伸。第一扫描线151可连接到第二晶体管T2的栅电极。第一扫描线151可与第二晶体管T2的栅电极为一体。
光发射控制线155可连接到第五晶体管T5的栅电极和第六晶体管T6的栅电极，并且光发射控制线155与第五晶体管T5和第六晶体管T6的栅电极可彼此为一体。
第一栅极导电层可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或其金属合金，并且可构造为单层或多层。
在形成包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层之后，执行等离子体处理或掺杂工艺以使第一半导体层130的暴露区域导电。例如，由第一栅极导电层覆盖的第一半导体层130不导电，并且第一半导体层130的未由第一栅极导电层覆盖的部分与导电层可具有相同的特性。结果，包括导电部分的晶体管具有p型晶体管特性，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可为p型晶体管。
参照图20，第二栅极绝缘层142可定位在包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层和第一栅极绝缘层141上。第二栅极绝缘层142可为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
参照图10，包括存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下遮蔽层3155和第四晶体管T4的下遮蔽层4155的第二栅极导电层GAT2(参见图20)可定位在第二栅极绝缘层142上。下遮蔽层3155和4155分别定位在第三晶体管T3和第四晶体管T4的沟道下方，并且可用于遮蔽它们免受从下侧提供到沟道的光学或电磁干扰的影响。在图20中，第二栅极导电层GAT2的下遮蔽层3155或4155可由BML表示。
第一存储电极1153与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠以形成存储电容器Cst。在存储电容器Cst的第一存储电极1153中形成有开口1152。存储电容器Cst的第一存储电极1153的开口1152可与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠。第一存储电极1153在水平方向(第一方向DR1)上延伸并且连接到相邻的第一存储电极1153。
第三晶体管T3的下遮蔽层3155可与第三晶体管T3的沟道3137(参见图11)和栅电极3151(参见图12)重叠。第四晶体管T4的下遮蔽层4155可与第四晶体管T4的沟道4137(参见图11)和栅电极4151(参见图12)重叠。
第二栅极导电层GAT2还可包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a和第一初始化电压线127可大致在水平方向(第一方向DR1)上延伸。下第二扫描线152a可连接到第三晶体管T3的下遮蔽层3155。下第二扫描线152a可与第三晶体管T3的下遮蔽层3155为一体。下初始化控制线153a可连接到第四晶体管T4的下遮蔽层4155。下初始化控制线153a可与第四晶体管T4的下遮蔽层4155为一体。
第二栅极导电层GAT2可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或其金属合金，并且可构造为单层或多层。
参照图20，第一层间绝缘层161可定位在包括存储电容器Cst的第一存储电极1153、第三晶体管T3的下遮蔽层3155和第四晶体管T4的下遮蔽层4155的第二栅极导电层GAT2上。第一层间绝缘层161可包括包含有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)和类似物的无机绝缘层，并且根据实施方式，可厚厚地形成无机绝缘材料。
参照图11，在第一层间绝缘层161上，可定位有包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及第七晶体管T7的沟道7137、第一区域7136和第二区域7138的氧化物半导体层。氧化物半导体层可包括升压电容器Cboost(参见图17)的上升压电极3138t。氧化物半导体层的材料可包括IGZO。
第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138以及第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138可彼此连接以形成一体的主体。由于第七晶体管T7的沟道7137、第一区域7136和第二区域7138与第三晶体管T3的沟道3137和第四晶体管T4的沟道4137分离，因此氧化物半导体层可划分为彼此分离的两个部分。
第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138定位在第三晶体管T3的沟道3137的侧面上，并且第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138定位在第四晶体管T4的沟道4137的侧面上。第三晶体管T3的第二区域3138连接到第四晶体管T4的第二区域4138。第三晶体管T3的沟道3137与下遮蔽层3155重叠，并且第四晶体管T4的沟道4137与下遮蔽层4155重叠。第七晶体管T7的第一区域7136和第二区域7138定位在第七晶体管T7的沟道7137的侧面上。包括氧化物半导体层的晶体管可被称为氧化物半导体晶体管(例如，参见图20的氧化物TFT)。
升压电容器Cboost的上升压电极3138t定位在第三晶体管T3的第二区域3138与第四晶体管T4的第二区域4138之间。升压电容器Cboost的上升压电极3138t与第一扫描线151的部分(在下文中也被称为升压电容器Cboost的下升压电极)重叠以构造升压电容器Cboost。
参照图20，第三栅极绝缘层143可定位在包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138、第七晶体管T7的沟道7137、第一区域7136和第二区域7138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的氧化物半导体层上。
第三栅极绝缘层143可定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面上。相应地，第三栅极绝缘层143可覆盖第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的上表面和侧面。然而，实施方式不限于此，并且第三栅极绝缘层143可不定位在氧化物半导体层和第一层间绝缘层161的整个表面上。例如，第三栅极绝缘层143可与第三晶体管T3的沟道3137重叠，并且可不与第一区域3136和第二区域3138重叠。第三栅极绝缘层143可与第四晶体管T4的沟道4137重叠，并且可不与第一区域4136和第二区域4138重叠。
第三栅极绝缘层143可包括包含有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)或类似物的无机绝缘层。
参照图12，在第三栅极绝缘层143上，可定位有包括第三晶体管T3的栅电极3151、第四晶体管T4的栅电极4151和第七晶体管T7的栅电极7151的第三栅极导电层。
第三晶体管T3的栅电极3151可与第三晶体管T3的沟道3137重叠。第三晶体管T3的栅电极3151可与第三晶体管T3的下遮蔽层3155重叠。
第四晶体管T4的栅电极4151可与第四晶体管T4的沟道4137重叠。第四晶体管T4的栅电极4151可与第四晶体管T4的下遮蔽层4155重叠。
第七晶体管T7的栅电极7151可与第七晶体管T7的沟道7137重叠。
第三栅极导电层还可包括上第二扫描线152b、上初始化控制线153b和旁路控制线154。
上第二扫描线152b、上初始化控制线153b和旁路控制线154可大致在水平方向(第一方向DR1)上延伸。上第二扫描线152b与下第二扫描线152a一起形成第二扫描线152。上第二扫描线152b可连接到第三晶体管T3的栅电极3151。上第二扫描线152b可与第三晶体管T3的栅电极3151为一体。上初始化控制线153b与下初始化控制线153a一起构成初始化控制线153。上初始化控制线153b可连接到第四晶体管T4的栅电极4151。上初始化控制线153b可与第四晶体管T4的栅电极4151为一体。
旁路控制线154可连接到第七晶体管T7的栅电极7151，并且旁路控制线154可与第七晶体管T7的栅电极7151为一体。
第三栅极导电层还可包括下第二初始化电压线128a。下第二初始化电压线128a可在大致水平方向(第一方向DR1)上延伸，并且施加有第二初始化电压AVinit。
第三栅极导电层GAT3(参见图20)可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或其金属合金，并且可由单层或多层构成。
在形成包括第三晶体管T3的栅电极3151、第四晶体管T4的栅电极4151和第七晶体管T7的栅电极7151的第三栅极导电层GAT3之后，通过等离子体处理或掺杂工艺将氧化物半导体层的由第三栅极导电层GAT3覆盖的部分形成为沟道，并且氧化物半导体层的未由第三栅极导电层GAT3覆盖的部分变为导电的。第三晶体管T3的沟道3137可定位在栅电极3151下面以与栅电极3151重叠。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138可不与栅电极3151重叠。第四晶体管T4的沟道4137可定位在栅电极4151下面以与栅电极4151重叠。第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138可不与栅电极4151重叠。第七晶体管T7的沟道7137可定位在栅电极7151下方以与栅电极7151重叠。第七晶体管T7的第一区域7136和第二区域7138可不与栅电极7151重叠。上升压电极3138t不与第三栅极导电层GAT3重叠，所以其可具有与导体的导电性相同/相似的特性。包括氧化物半导体层的晶体管可具有n型晶体管的特性。
参照图20，第二层间绝缘层162可定位在包括第三晶体管T3的栅电极3151、第四晶体管T4的栅电极4151和第七晶体管T7的栅电极7151的第三栅极导电层GAT3上。第二层间绝缘层162可具有单层或多层结构。根据实施方式，第二层间绝缘层162可包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氧氮化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料，并且可包括有机材料。
参照图13，在第二层间绝缘层162中可形成有两种类型的开口OP1和OP2。两种类型的开口OP1和OP2可使用不同的掩模形成。
开口OP1为形成在第二层间绝缘层162、第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中的至少一个中的开口，并且可暴露第一半导体层130、第一栅极导电层或第二栅极导电层。
开口OP2为形成在第二层间绝缘层162和/或第三栅极绝缘层143中的开口，并且可暴露氧化物半导体层或第三栅极导电层。
开口OP1中的一个与驱动晶体管T1的栅电极1151的至少一部分重叠，并且也可形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161和第二栅极绝缘层142中。开口OP1中的一个可与第一存储电极1153的开口1152重叠，并且可定位在第一存储电极1153的开口1152内。
开口OP2中的一个可与升压电容器Cboost的至少一部分重叠，并且可进一步形成在第三栅极绝缘层143中。
开口OP1中的另一个与驱动晶体管T1的第二区域1133的至少一部分重叠，并且可形成在第三栅极绝缘层143、第一层间绝缘层161、第二栅极绝缘层142和第一栅极绝缘层141中。
开口OP2中的另一个与第三晶体管T3的第一区域3136的至少一部分重叠，并且可形成在第三栅极绝缘层143中。
参照图14和图15，包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层可定位在第二层间绝缘层162上。由于在图15中可能难以容易地识别第一数据导电层，所以图14是仅示出第一数据导电层、开口OP1和开口OP2的示意性俯视图，并且图15是示出第一数据导电层下方的所有层的示意性俯视图。
第一连接电极1175可与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠。第一连接电极1175的一端可通过第一存储电极1153的开口OP1和开口1152连接到驱动晶体管T1的栅电极1151。第一连接电极1175的另一端可与升压电容器Cboost重叠。第一连接电极1175的另一端可通过开口OP2连接到升压电容器Cboost的上升压电极3138t。相应地，驱动晶体管T1的栅电极1151和升压电容器Cboost的上升压电极3138t可通过第一连接电极1175连接。驱动晶体管T1的栅电极1151也可通过第一连接电极1175连接到第三晶体管T3的第二区域3138和第四晶体管T4的第二区域4138。
第二连接电极3175的一端可与驱动晶体管T1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175的一端可通过开口OP1连接到驱动晶体管T1的第二区域1133。第二连接电极3175的另一端可与第三晶体管T3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175的另一端可通过开口OP2连接到第三晶体管T3的第一区域3136。相应地，驱动晶体管T1的第二区域1133和第三晶体管T3的第一区域3136可通过第二连接电极3175连接，并且第一半导体层130和氧化物半导体层电连接。
第一数据导电层还可包括第二初始化电压线128。第二初始化电压线128具有在垂直方向(第二方向DR2)上延伸的布线部128b-1和在水平方向(第一方向DR1)的两侧处从布线部128b-1突出的第一延伸部128b-2，并且第一延伸部128b-2的端部可延伸。第一延伸部128b-2的延伸端可通过两个不同的开口OP2电连接到定位在第三栅极导电层中的下第二初始化电压线128a和定位在氧化物半导体层中的第七晶体管T7的第二区域7138。结果，通过定位在第三栅极导电层中的下第二初始化电压线128a在水平方向(第一方向DR1)上发送第二初始化电压AVinit，并且第一数据导电层通过第二初始化电压线128在垂直方向(第二方向DR2)上发送第二初始化电压AVinit。第二初始化电压AVinit提供到第七晶体管T7的第二区域7138。
第一数据导电层还可包括连接部127CM和171CM、阳极连接构件ACM1和扩展部FL-SD1。
连接部127CM通过开口OP1连接到第二栅极导电层的第一初始化电压线127，并且通过开口OP2连接到第二半导体层(氧化物半导体层)的部分(第一区域4136)，以将流经第一初始化电压线127的第一初始化电压Vinit发送到氧化物半导体层的第四晶体管T4。
连接部171CM通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1134，例如，第二晶体管T2。
阳极连接构件ACM1通过开口OP1电连接到第一半导体层130的部分1136，例如，第六晶体管T6。
扩展部FL-SD1广泛地形成以便使上覆的阳极平坦化。扩展部FL-SD1通过开口OP1连接到第一半导体层130的部分1135，例如，第五晶体管T5，并且也通过开口OP1电连接到第一存储电极1153。
第一数据导电层SD1(参见图20)可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti)的金属或其金属合金，并且可构造为单层或多层。
参照图20，第一有机层181可定位在包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层SD1上。第一有机层181可为包括有机材料的有机绝缘体，并且有机材料可包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂构成的集群中的至少一种材料。
参照图16、图17和图20，第一有机层181包括下有机层开口OP3。在第一有机层181上，可定位有包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接构件ACM2的第二数据导电层。第二有机层182和第三有机层183定位在第二数据导电层上，并且在第二有机层182和第三有机层183中形成有阳极连接开口OP4。阳极连接构件ACM2通过阳极连接开口OP4电连接到阳极。图16是仅示出第二数据导电层以及下有机层开口OP3和阳极连接开口OP4的示意性俯视图，由于在图17中难以容易地识别第二数据导电层，并且图17是示出第二数据导电层和所有周围层的示意性俯视图。
参照图16和图17，下有机层开口OP3分别与定位在第一数据导电层中的连接部171CM、阳极连接构件ACM1和扩展部FL-SD1重叠以暴露它们。
第二数据导电层可包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接构件ACM2。
数据线171和驱动电压线172可在大致垂直方向(第二方向DR2)上延伸。数据线171通过下有机层开口OP3连接到第一数据导电层的连接部171CM，并且通过其连接到第二晶体管T2。数据线171具有在垂直方向上延伸并且弯折的结构，并且在弯折部分处的数据线171可构成光传感器区域OPS的边界。
驱动电压线172通过下有机层开口OP3通过第一数据导电层的扩展部FL-SD1电连接到第五晶体管T5和第一存储电极1153。
阳极连接构件ACM2通过下有机层开口OP3电连接到第一数据导电层的阳极连接构件ACM1，并且电连接到第六晶体管T6。
参照图16，驱动电压线172还包括扩展部FL-SD2和突出布线部172-e，并且具有不形成在形成有阳极连接构件ACM2的部分处的结构。
扩展部FL-SD2广泛地形成以便使上覆的阳极平坦化。
另一方面，驱动电压线172的两个突出布线部172-e也形成在两个数据线171的侧面上，以便平坦地形成上覆的阳极，从而具有定位在阳极下方的总共四个导线(数据线171和突出布线部172-e)的结构。参照图17，形成为彼此相邻的两个数据线171具有在相反方向上弯折并且形成大间隙的部分，并且这些部分对应于光传感器区域OPS并且也对应于下层的岛状金属层BML3的开口OBML。阳极通过如上所述的阳极下面的结构(第一数据导电层的扩展部FL-SD1和布线部128b-1)以及第二数据导电层的扩展部FL-SD2、数据线171、突出布线部172-e和第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183而具有平坦化特性。
在实施方式中，扩展部FL-SD1和扩展部FL-SD2电连接到驱动电压线172以发送驱动电压ELVDD。
第二数据导电层SD2(参见图22)可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti)的金属或其金属合金，并且可构造为单层或多层。
参照图20，第二有机层182和第三有机层183定位在第二数据导电层SD2上。第二有机层182和第三有机层183可为有机绝缘体，并且可包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂构成的集群中的至少一种材料。根据实施方式，可省略第三有机层183。
阳极连接开口OP4形成在第二有机层182和第三有机层183中，阳极Anode和阳极连接构件ACM2通过阳极连接开口OP4电连接。
参照图18、图19和图20，阳极Anode形成在第三有机层183上。阳极Anode还可包括延伸部Anode-e，以通过阳极连接开口OP4接收来自像素电路部的电流。参照图19，两个阳极连接开口OP4定位为彼此相邻，并且可具有延伸部Anode-e在第一方向DR1上延伸以连接到包括在绿色(G)的发光二极管LED(例如，参见图6)中的阳极Anode并且另一延伸部Anode-e在第二方向DR2上延伸以连接到包括在蓝色(B)或红色(R)的发光二极管LED中的阳极Anode的结构。
参照图19和图20，像素限定层380定位在阳极Anode上，并且像素限定层380的开口OP形成为与阳极Anode重叠。阳极Anode的延伸部Anode-e具有不由像素限定层380的开口OP暴露并且在平面视图中与像素限定层380重叠的结构。
结果，阳极连接开口OP4在平面视图中也具有与像素限定层380重叠的结构。
参照图20，由于阳极连接开口OP4在平面视图中不与像素限定层380的开口OP和阻光层220的开口OPBM重叠，因此可看出阳极连接开口OP4在平面视图中具有与像素限定层380和阻光层220重叠的结构。
下有机层开口OP3的部分(第一下有机层开口)在平面视图中与阻光层220的开口OPBM的至少一部分重叠，并且剩余的下有机层开口OP3(例如，第二下有机层开口)在平面视图中与阻光层220重叠。在平面视图中，所有下有机层开口OP3与像素限定层380重叠。
在实施方式中，通过定位在阳极Anode下方的第一数据导电层的扩展部FL-SD1和第二数据导电层的扩展部FL-SD2，阳极Anode的暴露于至少像素限定层380的开口OP的部分可形成为平坦的。
由于阳极Anode与其下面的阳极连接开口OP4的位置关系，外部光不被不对称地反射，并且不发生颜色扩散(颜色分离)。这在图22等中更详细地描述。
基于平面结构，参照图20描述发光显示装置的整个剖面结构。
图20是根据实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
在图20中，除了显示区域DA的堆叠结构之外，也示出了第一部件区域EA1的堆叠结构。
在图20中所示的显示区域DA的像素的详细堆叠结构之中，参照图7至图19描述了直至阳极Anode的结构。在图20的实施方式中，像素电路部可包括第二有机层182和第三有机层183并且意味着下层构造，并且发光二极管LED(例如，参见图6)可意味着定位在第三有机层183上方和封装层400下方的构造。
参照图20，显示区域DA的像素中的阳极Anode上的堆叠结构如下。
在阳极Anode上，可定位有具有暴露阳极Anode并且覆盖阳极Anode的至少一部分的开口OP的像素限定层380。像素限定层380由具有黑色的有机材料形成，以使得从外部施加的光不反射回外部。根据实施方式，像素限定层380可包括负型黑色的有机材料，并且可包括黑色颜料。
在像素限定层380上定位有间隔件385。与像素限定层380不同，间隔件385可由透明有机绝缘材料形成。根据实施方式，间隔件385可由正型透明有机材料形成。间隔件385可包括具有不同厚度的第一部分385-1和第二部分385-2。
在阳极Anode、间隔件385和像素限定层380上，顺序地形成有功能层FL和阴极Cathode，并且在显示区域DA和第一部件区域EA1中，功能层FL和阴极Cathode可定位在整个区中。发射层EML定位在功能层FL之间，并且发射层EML可仅定位在像素限定层380的开口OP内。在下文中，功能层FL和发射层EML可被统称为中间层。功能层FL可包括诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的辅助层中的至少一个，空穴注入层和空穴传输层可定位在发射层EML下面，并且电子传输层和电子注入层可定位在发射层EML上。
在阴极Cathode上形成有覆盖层AL1和低反射层AL2。
覆盖层AL1可用于通过相长干涉的原理改善发光元件的发光效率。例如，覆盖层AL1可包括对于具有约589nm的波长的光具有约1.6或更大的折射率的材料。覆盖层AL1可为包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层或包括有机材料和无机材料的复合覆盖层。例如，覆盖层AL1可包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘氰酸衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可选择性地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。
低反射层AL2可布置在覆盖层AL1上。低反射层AL2可与衬底110的前表面重叠。低反射层AL2可包括具有低反射率的无机材料，并且在实施方式中，可包括金属或金属氧化物。在低反射层AL2包括金属的情况下，其可包括如下的金属，例如，镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)、锗(Ge)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铜(Cu)、钙(Ca)或其组合。在低反射层AL2包括金属氧化物的情况下，其可包括如下的金属氧化物，例如，SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、Al2O3、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、SiNx、LiF、CaF2、MgF2、CdS或其组合。在实施方式中，包括在低反射层AL2中的无机材料的吸收系数(k)可为4.0或更小且0.5或更大(0.5≤k≤4.0)。包括在低反射层AL2中的无机材料可具有1或更大的折射率(n)(n≥1.0)。低反射层AL2在入射到显示装置中的光与从布置在低反射层AL2下面的金属反射的光之间诱导相消干涉，从而减小外部光反射率。相应地，凭借通过低反射层AL2减小显示装置的外部光的反射率，可改善显示装置的显示质量和可见性。
根据实施方式，可省略覆盖层AL1，以使得低反射层AL2可接触阴极Cathode。
封装层400定位在低反射层AL2上。封装层400可包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且根据实施方式，可具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层400可用于保护发射层EML免受可能从外部流入的湿气或氧的影响。根据实施方式，封装层400可包括无机层和有机层彼此顺序地进一步堆叠的结构。
在图20的实施方式中，感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541定位在封装层400上以用于触摸感测。在图20的实施方式中，可使用两个感测电极540和541以电容型感测触摸。
具体地，第一感测绝缘层501形成在封装层400上，并且感测电极540和541形成在第一感测绝缘层501上。感测电极540和541可经由介于其间的第二感测绝缘层510彼此绝缘，并且这些部分可通过定位在第二感测绝缘层510中的开口电连接。感测电极540和541包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钼(Mo)、钛(Ti)或钽(Ta)的金属或其金属合金，并且可由单层或多层构成。第三感测绝缘层511形成在感测电极540上。
阻光层220定位在上感测电极540和第三感测绝缘层511上。阻光层220形成为仅包括有机材料而不包括诸如碳的无机材料。
阻光层220可定位为使得在平面视图中与感测电极540和541重叠，并且定位为使得在平面视图中不与阳极Anode重叠。这是为了防止能够显示图像的阳极Anode由阻光层220和感测电极540和541覆盖。
在第三感测绝缘层511和阻光层220上可布置有反射调节层235。反射调节层235可选择性地吸收从显示装置内部反射或从显示装置外部入射的光中的一些波长带的光。反射调节层235可填充阻光层220的开口OPBM。
例如，反射调节层235吸收约490nm至约505nm的第一波长带和约585nm至约600nm的第二波长带的光，并且第一波长带和第二波长带中的透光率可提供为约40％或更小。反射调节层235可吸收具有在从发光二极管LED发射的红色光、绿色光或蓝色光的发光波长范围之外的波长的光。这样，反射调节层235吸收不属于从发光元件(或发光二极管LED)发射的红色光、绿色光或蓝色光的波长范围的波长的光，因此能够防止或最小化显示装置的亮度的降低，并且防止或最小化显示装置的发光效率的劣化并且改善可见性。
在实施方式中，反射调节层235可提供为包括染料、颜料或其组合的有机材料层。反射调节层235可包括四氮杂卟啉(TAP)基化合物、卟啉基化合物、金属卟啉基化合物、恶嗪基化合物、方酸菁基化合物、三芳甲烷基化合物、多甲氧基化合物、蒽醌基化合物、酞菁基化合物、氧杂蒽基化合物、二铵基化合物、二吡咯亚甲基系化合物、花青基化合物及其组合。
在实施方式中，在反射调节层235的表面上以SCI(Specular ComponentIncluded，包括镜面分量)模式测量的反射率可为10％或更小。例如，反射调节层235吸收显示装置的外部光反射，以使得可改善可见性。
在实施方式中，反射调节层235可具有约64％至约72％的透射率。反射调节层235的透射率可根据包括在反射调节层235中的颜料和/或染料的含量来调节。
覆盖反射调节层235的平坦化层550可定位在反射调节层235上，并且附加窗可附接到平坦化层550。
另一方面，在图20中，也示出了第一部件区域EA1的剖面结构。
第一部件区域EA1为与定位在显示面板DP(例如，参见图2)的后表面上的红外传感器ES1(例如，参见图2)对应的区，并且第一部件区域EA1可包括光传感器区域OPS。
参照图20的实施方式，光传感器区域OPS不包括半导体层或导电层，但不仅包括透明层，并且可包括能够阻挡可见光的层作为阻光层220。例如，参照图20，光传感器区域OPS在平面视图中与阻光层220重叠，并且也与定位在岛状金属层BML3中的开口OBML重叠，以使得光传感器区域OPS不由岛状金属层BML3覆盖。
具体地，基于图20，根据实施方式的光传感器区域OPS的堆叠结构如下。
岛状金属层BML3的开口OBML定位在衬底110上，无机绝缘层的缓冲层111定位在岛状金属层BML3的开口OBML中，并且作为无机绝缘层的第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142顺序地定位在缓冲层111上。在第二栅极绝缘层142上，作为无机绝缘层的第一层间绝缘层161、第三栅极绝缘层143和第二层间绝缘层162彼此顺序地堆叠。在第二层间绝缘层162上，作为有机绝缘层的第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183彼此顺序地堆叠。像素限定层380的附加开口OPEA1定位在第三有机层183上，并且附加间隔件385EA1定位在像素限定层380的附加开口OPEA1内并且在第三有机层183上。像素限定层380的附加开口OPEA1和附加间隔件385EA1形成为对应于光传感器区域OPS，并且附加间隔件385EA1也可定位在像素限定层380的上表面上。功能层FL可定位在像素限定层380和附加间隔件385EA1的顶部上，并且定位在功能层FL上的阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2具有形成为对应于光传感器区域OPS的开口OPEA1'，并且阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2可不形成在光传感器区域OPS中。因此，封装层400定位在附加间隔件385EA1和功能层FL上，并且在阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2的开口OPEA1'内，并且功能层FL和封装层400可彼此接触。第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511以及阻光层220顺序地定位在封装层400上。封装层400可具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511可所有为无机绝缘层。阻光层220不具有对应于光传感器区域OPS的开口，并且包括在平面视图中与光传感器区域OPS重叠的重叠部分220EA1。阻光层220和重叠部分220EA1用于阻挡可见光，但具有通过仅包括有机材料而不包括诸如碳的无机材料来透射对应于红外光的波长带的光的特性。在作为光传感器区域OPS的、阻光层220的重叠部分220EA1上，定位有反射调节层235的与光传感器区域OPS重叠的重叠部分235EA1。根据实施方式，可省略重叠部分235EA1，以使得反射调节层235可不定位在光传感器区域OPS中。
光传感器区域OPS与阻光层220的重叠部分220EA1重叠，并且像素限定层380具有对应于光传感器区域OPS的附加开口OPEA1，以使得像素限定层380不形成在光传感器区域OPS中，并且光传感器区域OPS还包括定位在像素限定层380的附加开口OPEA1内的附加间隔件385EA1。另一方面，附加间隔件385EA1可接触第三有机层183和封装层400。
在上述第一部件区域EA1和光传感器区域OPS中，未定位金属层BML、第一半导体层ACT1、第一栅极导电层GAT1、第二栅极导电层GAT2、氧化物半导体层ACT2、第三栅极导电层GAT3、第一数据导电层SD1、第二数据导电层SD2和阳极Anode。也未形成发射层EML和感测电极540和541。在第一部件区域EA1之中的光传感器区域OPS中，开口OPEA1和OPEA1'分别形成在像素限定层380、阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2中，以使得不形成像素限定层380、阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2。图20中的第一半导体层ACT1可是指图8中的第一半导体层130。
在以上中，描述了形成有总共三个有机层181、182和183并且阳极连接开口OP4形成在第二有机层182和第三有机层183中的实施方式。然而，可形成有至少两个有机层，并且阳极连接开口OP4可定位在远离衬底110定位的上有机层中，并且下有机层开口OP3可定位在下有机层中。
参照图20，在形成为对应于光传感器区域OPS的开口OPEA1'周围，可确认阴极Cathode具有覆盖覆盖层AL1和低反射层AL2的上部的结构。例如，阴极Cathode具有在低反射层AL2上方弯折的结构，并且阴极Cathode具有覆盖低反射层AL2的侧面和上表面的结构。覆盖层AL1可定位在阴极Cathode与低反射层AL2之间，并且因此覆盖层AL1的部分也可具有由阴极Cathode覆盖的结构。在这种结构中，阴极Cathode具有也定位在覆盖层AL1和/或低反射层AL2的至少一部分上的结构，以使得阴极Cathode可具有定位在覆盖层AL1和/或低反射层AL2上方和下方两者的结构。阴极Cathode的这种结构为在使用激光通过后表面曝光在阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2中形成开口OPEA1'的情况下，由于阴极Cathode保持为相对长的，因此阴极Cathode通过弯折至低反射层AL2的上部而包裹底表面、侧表面和顶表面的结构。
这个结构的照片在图21中示出。
图21是根据另一实施方式的发光显示装置的部分的示意性放大视图。
图21的照片在通过后表面曝光凭借用激光曝光来蚀刻阴极Cathode的部分之后拍摄，并且可看出由于阴极Cathode保持为相对长的，因此其具有在弯折至低反射层AL2的上部的情况下围绕底表面、侧表面和上表面的结构。
参照图21，可清楚地确认，阴极Cathode具有在通过用激光的后表面曝光的蚀刻期间弯折到低反射层AL2的上部的结构，并且由于覆盖层AL1可定位在阴极Cathode与低反射层AL2之间，如图20中所示，覆盖层AL1的部分也可具有由阴极Cathode围绕的结构。
在以上中，已详细描述了根据实施方式的发光显示装置和像素的结构。在下文中，参照图22和图23更详细地描述图20的光传感器区域OPS的结构。
图22是简要地示出根据图20的实施方式的发光显示装置之中的光传感器区域OPS的示意性剖视图，并且图23是示出用于制造根据图22的实施方式的光传感器区域OPS的部分的方法的示意性视图。
图22简要地示出了图20的光传感器区域OPS的剖面结构。例如，图22简要地示出了阳极Anode的下部的结构，并且清楚地示出了金属层BML之中的仅岛状金属层BML3的开口OBML对应于光传感器区域OPS。图22未示出为定位在阴极Cathode下面的功能层FL以及第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511中的一个的第一感测绝缘层501。
参照图22，对应于光传感器区域OPS的开口包括岛状金属层BML3的开口OBML、像素限定层380的附加开口OPEA1、阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2的开口OPEA1'，以使得金属层BML、像素限定层380、阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2不定位在光传感器区域OPS中。
参照图22，在光传感器区域OPS中，衬底110、缓冲层111、第二栅极绝缘层142、第一有机层181、第二有机层182、附加间隔件385EA1、封装层400、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511、阻光层220的重叠部分220EA1以及反射调节层235的重叠部分235EA1顺序地定位。
尽管图22中未示出，但如图20中所示，光传感器区域OPS可包括第一栅极绝缘层141、第一层间绝缘层161、第三栅极绝缘层143、第二层间绝缘层162、第三有机层183、功能层FL和第一感测绝缘层501。
在图22的光传感器区域OPS中，未定位由黑色的有机材料形成的像素限定层380，而定位有附加间隔件385EA1，并且附加间隔件385EA1和间隔件385由相同的透明有机绝缘材料形成。因此，图22的光传感器区域OPS除了阻光层220以外具有透明特性。阻光层220不包括诸如碳的无机材料，而仅包括有机材料，所以透射红外线不存在问题。结果，位于光传感器区域OPS的后表面上的红外传感器ES1的操作不存在问题。
在图22中，如图20和图21中所示，阴极Cathode具有覆盖覆盖层AL1和低反射层AL2的端部的结构。封装层400在对阴极Cathode围绕覆盖层AL1和低反射层AL2的端部的结构进行覆盖的情况下形成。阴极Cathode不形成在光传感器区域OPS中。
在下文中，参照图23描述根据实施方式的形成对应于光传感器区域OPS的开口的方法。
图23示出了通过后表面曝光凭借用激光曝光在阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2中形成开口OPEA1'的方法，图23简要地示出了通过剥离法去除激光曝光部分的方法，并且阴极Cathode形成为在使用激光的后表面曝光期间覆盖覆盖层AL1和低反射层AL2的端部的结构。
首先，参照图23的(A)，在形成对应于光传感器区域OPS的岛状金属层BML3的开口OBML之后将多层彼此堆叠，在形成像素限定层380的附加开口OPEA1之后在附加开口OPEA1内形成附加间隔件385EA1，并且彼此顺序地堆叠阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2。
此后，在后表面处通过岛状金属层BML3的开口OBML发射激光。
用激光照射的阴极Cathode反应，以导致被照射的阴极Cathode和周围层(覆盖层AL1和低反射层AL2)被剥离(参见图23的(B))的剥离现象。由于阴极Cathode保持为相对长的，因此阴极Cathode弯折至低反射层AL2的上部。结果，如图23的(B)中所示，阴极Cathode定位至覆盖层AL1和低反射层AL2的上部以具有围绕覆盖层AL1和低反射层AL2的底表面、侧表面和上表面的结构。图23的(B)中所示的阴极Cathode在厚度和宽度上被放大以更清楚地被示出，并且与图23的(B)中所示的区相比，定位在覆盖层AL1和低反射层AL2上的阴极Cathode可仅覆盖更窄的区。图23的(B)示出了从阴极Cathode的底表面到覆盖覆盖层AL1和低反射层AL2的上表面的阴极Cathode的上表面的较大的厚度hCa，厚度hCa可为约0.3μm，并且根据实施方式可具有大于约0.1μm且小于约0.5μm的值。根据实施方式，阴极Cathode的厚度hCa为与阴极Cathode围绕覆盖层AL1和低反射层AL2的侧表面的部分的直径对应的值，并且阴极Cathode向上折叠的部分的直径可具有大于约0.1μm且小于约0.5μm的值，并且可为约0.3μm。
即使阴极Cathode具有如上所述的围绕覆盖层AL1和低反射层AL2的端部的结构，如图23的(B)中所示，开口OPEA1'也形成在阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2中。岛状金属层BML3的开口OBML可与阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2中的开口OPEA1'重叠。以上描述的使用激光的剥离法不需要单独的掩模，并且不需要诸如显影的单独工艺，所以其具有容易形成开口OPEA1'的优点。
在形成像素限定层380的附加开口OPEA1的情况下，其可通过后表面曝光形成。像素限定层380可不通过剥离法形成，并且可通过通用曝光和显影方法形成，并且像素限定层380可包括光敏材料。例如，通过使用岛状金属层BML3作为掩模，在后表面上曝光包括光敏材料的像素限定层380，并且可显影和去除曝光的像素限定层380。在像素限定层380曝光的情况下使用的光可不为激光。
在下文中，参照图24简要地回顾红外传感器ES1与显示面板DP之间的关系。
图24是根据实施方式的红外传感器ES1的示意性俯视图。
图24示出了发光显示装置之中的附接到显示面板DP的后表面上的红外传感器ES1。
参照图24，红外传感器ES1包括发射红外线的发送器ES1-t和监视光传感器区域OPS的前表面并且接收反射的红外线的接收器ES1-r。为了改善红外传感器ES1的感测能力，接收器ES1-r的面积可大于发送器ES1-t的面积。
发光显示装置的第一部件区域EA1可在平面视图中对应于红外传感器ES1，并且红外传感器ES1的接收器ES1-r和发送器ES1-t可在平面视图中分别与至少一个光传感器区域OPS重叠。
为了进一步改善红外传感器ES1的感测能力，需要改善光传感器区域OPS对于例如约940nm波长的红外光的透射率。
参照图20和图22的实施方式，光传感器区域OPS除了阻光层220以外仅包括透明无机绝缘层和有机绝缘体，并且不包括半导体层或导电层。像素限定层380由不包括黑碳的有机材料形成，从而阻挡可见光，并且，然而在图20和图22的光传感器区域OPS中，附加开口OPEA1形成并且不由像素限定层380覆盖，并且定位在附加开口OPEA1中的附加间隔件385EA1和间隔件385由相同的透明有机绝缘材料形成，并且因此附加间隔件385EA1可具有透明特性。因此，光传感器区域OPS除了阻光层220以外为光学透明的，所以透射红外线不存在问题。
另一方面，阻光层220具有黑色并且阻挡可见光，但通过仅包括有机材料而不包括诸如碳的无机材料，透射红外线不存在问题。结果，定位在光传感器区域OPS的后表面上的红外传感器ES1的操作不存在问题。
可使用红外传感器ES1的光传感器区域OPS的结构可改变，并且描述了根据与图20和图22不同的实施方式的光传感器区域OPS的结构。
在图25至图28的实施方式中，光传感器区域OPS与阻光层220和像素限定层380重叠，并且阴极Cathode包括与光传感器区域OPS对应的开口OPEA1'，从而包括其不形成在光传感器区域OPS中的特性。
首先，参照图25和图26描述根据另一实施方式的发光显示装置的光传感器区域OPS的结构。
图25和图26是根据另一实施方式的发光显示装置的光传感器区域OPS的示意性剖视图。
图25和图26是相同的实施方式，图25是光传感器区域OPS之中的为特性的仅阴极Cathode、覆盖层AL1、低反射层AL2和定位在低反射层AL2上的封装层400的示意性放大剖视图，并且图26是为与图25对应的结构的、图25的进一步详细的示意性剖视图。
首先，参照图25，在阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2中形成与光传感器区域OPS对应的开口OPEA1'，并且封装层400的重叠部分400EA1填充在阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2的开口OPEA1'中。封装层400的重叠部分400EA1为与光传感器区域OPS重叠的部分。在封装层400具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构的情况下，仅定位在封装层400的底部处的第一无机封装层可定位在阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2的开口OPEA1'中。
参照图26，与图22不同，像素限定层380不包括对应于光传感器区域OPS的附加开口OPEA1，并且结果，像素限定层380与光传感器区域OPS重叠。在图26的光传感器区域OPS中，未形成附加间隔件385EA1。封装层400的重叠部分400EA1可通过开口OPEA1'接触像素限定层380。
参照图26，使用激光通过后表面曝光来蚀刻阴极Cathode，以使得阴极Cathode具有覆盖覆盖层AL1和低反射层AL2的端部的结构，并且封装层400定位在其上。
除了阻光层220之外，图25和图26的光传感器区域OPS也与像素限定层380重叠，以使得可见光不透射。然而，像素限定层380由有机材料形成，并且阻光层220不包括诸如碳的无机材料并且仅包括有机材料，因此透射红外线不存在问题。结果，定位在光传感器区域OPS的后表面上的红外传感器ES1的操作不存在问题。另一方面，根据实施方式，像素限定层380也可仅使用有机材料形成，以进一步改善红外线的透射率。
另一方面，尽管在图25和图26中未示出，但可定位有在阴极Cathode下面定位的功能层FL，功能层FL也具有开口OPEA1'，并且封装层400可定位在开口OPEA1'中。
在下文中，参照图27和图28描述根据另一实施方式的发光显示装置的光传感器区域OPS的结构。
图27和图28是示出根据另一实施方式的发光显示装置之中的光传感器区域OPS的示意性剖视图。
图27和图28是相同的实施方式，图27是光传感器区域OPS中的为特性的仅阴极Cathode、覆盖层AL1、低反射层AL2和定位在低反射层AL2上的封装层400的示意性放大剖视图，并且图28是包括对应于图26的像素限定层380并且进一步详细示出图27的示意性剖视图。
首先，参照图27，阴极Cathode和覆盖层AL1包括对应于光传感器区域OPS的开口OPEA1'，阴极Cathode和覆盖层AL1的开口OPEA1'由低反射层AL2的重叠部分AL2EA1填充，并且封装层400可具有不填充开口OPEA1'的结构。
参照图28，与图22不同，像素限定层380不包括对应于光传感器区域OPS的附加开口OPEA1，并且结果，像素限定层380与光传感器区域OPS重叠。在图28的光传感器区域OPS中，未形成附加间隔件385EA1。低反射层AL2可通过开口OPEA1'接触重叠的像素限定层380。
在图28中，阴极Cathode具有仅围绕覆盖层AL1的结构，低反射层AL2定位在覆盖层AL1上，并且封装层400定位在低反射层AL2上。与图27中所示不同，覆盖围绕结构的阴极Cathode的低反射层AL2可具有带有阶梯差的结构。
除了阻光层220之外，图27和图28的光传感器区域OPS还与像素限定层380重叠，以使得可见光不透射。然而，像素限定层380由有机材料形成，并且阻光层220不包括诸如碳的无机材料并且仅包括有机材料，因此透射红外线不存在问题。结果，定位在光传感器区域OPS的后表面上的红外传感器ES1的操作不存在问题。另一方面，根据实施方式，还可仅使用有机材料来形成像素限定层380，以进一步改善红外线的透射率。
与光传感器区域OPS重叠的低反射层AL2可通过包括铋(Bi)来阻挡可见光，但透射红外线不存在问题。在这方面，红外传感器ES1所需的光传感器区域OPS的透射率相对于940nm的波长不高达约0.5％或更大至4％或更小，因此即使定位有低反射层AL2，红外传感器ES1也可通过光传感器区域OPS操作。关于这一点，参照图31，可看出光传感器区域OPS可具有如下足够的红外透射率。例如，在稍后描述的表1和图31中，在光传感器区域OPS与阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2中的所有重叠的情况下，由于可看出红外线具有超过约10％的透射率，因此为仅低反射层AL2与光传感器区域OPS重叠的实施方式的图27和图28由于比表1和图31中层间界面的更小的层间界面而具有相对高的透射率，所以可确认图27和图28的光传感器区域OPS可具有足够的红外透射率。
另一方面，尽管在图27和图28中未示出，但功能层FL可定位在阴极Cathode下面，功能层FL也具有开口OPEA1'。
另一方面，在下文中，参照图29和图30描述根据另一实施方式的发光显示装置的光传感器区域OPS的结构。
在图29和图30的实施方式中，由于未用激光去除阴极Cathode，因此其不具有围绕阴极Cathode的结构，并且其为通过仅去除阴极Cathode的厚度的部分来改善光学效率的实施方式。
在图29和图30的实施方式中，光传感器区域OPS与阻光层220、低反射层AL2、覆盖层AL1和阴极Cathode重叠，并且阴极Cathode的与光传感器区域OPS重叠的部分可形成为比显示区域DA的阴极Cathode更薄。覆盖层AL1的与光传感器区域OPS重叠的部分可形成为比显示区域DA的覆盖层AL1更厚，并且阴极Cathode中的薄了的厚度和覆盖层AL1中的厚出的厚度可具有相同的值。
图29和图30是示出根据另一实施方式的发光显示装置之中的光传感器区域OPS的示意性剖视图。
图29和图30是相同的实施方式，图29是示出光传感器区域OPS的为特性的仅阴极Cathode、覆盖层AL1、低反射层AL2和定位在低反射层AL2上的封装层400的示意性放大剖视图，并且图30是示出对应于图26的像素限定层380并且更详细地示出图29的示意性剖视图。
首先，参照图29，阴极Cathode、覆盖层AL1和低反射层AL2不所有具有开口，并且因此具有与光传感器区域OPS重叠的结构。对应于光传感器区域OPS的部分具有阴极Cathode形成为薄的重叠部分CathodeEA1，并且覆盖层AL1具有重叠部分AL1EA1，由于阴极Cathode的重叠部分CathodeEA1形成为薄的，重叠部分AL1EA1形成为更厚的。低反射层AL2可形成为具有恒定厚度。用于薄地形成阴极Cathode的重叠部分CathodeEA1的方法可为各种的，并且如图33中所示，能够通过使用低粘合层WAL来减小阴极Cathode的重叠部分CathodeEA1的厚度。例如，参照图33，由于与低粘合层WAL相邻的阴极Cathode沉积得相对薄，因此低粘合层WAL形成在阴极Cathode的重叠部分CathodeEA1周围，以使得阴极Cathode的重叠部分CathodeEA1可相对薄地形成。
参照图30，与图22不同，像素限定层380不包括对应于光传感器区域OPS的附加开口OPEA1，并且结果，像素限定层380与光传感器区域OPS重叠。在图30的光传感器区域OPS中，未形成附加间隔件385EA1。
另一方面，尽管在图29和图30中未示出，但可形成有在阴极Cathode下面定位的功能层FL，并且功能层FL可在不具有开口的情况下与光传感器区域OPS重叠。
除了阻光层220之外，图29和图30的光传感器区域OPS还与像素限定层380重叠，以使得可见光不透射。然而，像素限定层380由有机材料形成，并且阻光层220不包括诸如碳的无机材料并且仅包括有机材料，所以透射红外线不存在问题。结果，定位在光传感器区域OPS的后表面上的红外传感器ES1的操作不存在问题。另一方面，根据实施方式，也可仅使用有机材料来形成像素限定层380，以进一步改善红外线的透射率。
与光传感器区域OPS重叠的低反射层AL2可通过包括铋(Bi)来阻挡可见光，但透射红外线不存在问题。阴极Cathode和覆盖层AL1也与光传感器区域OPS重叠，并且然而，阴极Cathode由包括银(Ag)和镁(Mg)的导电材料形成，以使得光的部分可被反射。红外传感器ES1所需的光传感器区域OPS的透射率相对于约940nm的波长不高达约0.5％或更大至约4％或更小，因此即使定位有阴极Cathode，红外传感器ES1也可通过光传感器区域OPS操作。这通过图31更详细地描述。
另一方面，覆盖层AL1由有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层或包括有机材料和无机材料的复合覆盖层形成，由于其为光学透明的，所以透射红外线不存在问题。
然而，在图29和图30中，光传感器区域OPS中的覆盖层AL1的厚度增加，并且阴极Cathode的厚度减小，以改善红外透射率，并且这通过图31更详细地描述。
图31是示出根据阴极的厚度的透射率的示意性曲线图。
图31是示出对于各种实例的根据波长的透射率的示意性曲线图并且对应于以下表1。
(表1)
基准例1 基准例2 AL2+5 比较例 AL2-5 阴极-10 阴极+10
阴极厚度 115 115 115 115 115 105 125
AL1厚度 250 250 250 250 250 250 250
AL2厚度 90 90 100 90 85 90 90
OPS透射率 12.47 14.58 15.53 16.26 17.84 17.45 15.33
在以上表1中，厚度的单位为透射率的单位为％，并且透射率表示对于约940nm波长的光(红外线)在光传感器区域OPS中的透射率。在表1中，阴极表示阴极Cathode，AL1表示覆盖层AL1，并且AL2表示低反射层AL2。在表1和图31中，基准例1和基准例2描述为通过形成具有不同实例和不同材料的覆盖层AL1的基准例，并且其它五个实例所有由相同的材料形成，并且在仅区分每个层的厚度的情况下测量透射率。
在表1和图31中，基于比较例，形成并且模拟将低反射层AL2的厚度增加的实例(AL2+5)、将低反射层AL2的厚度减小/>的实例(AL2-5)、将阴极Cathode的厚度增加/>的实例(阴极+10)以及将阴极Cathode的厚度减小/>的实例(阴极-10)。
结果，参照表1和图31，由于在光传感器区域OPS中具有最高透射率的实例为低反射层AL2的厚度减小的实例(AL2-5)和阴极Cathode的厚度减小/>的实例(阴极-10)，因此如图29和图30中所示，可确认通过减小阴极Cathode的厚度可进一步改善红外线的透射率。
与比较例相比，低反射层AL2的厚度减小的实例(AL2-5)和阴极Cathode的厚度减小/>的实例(阴极-10)各自具有至少约1％或更高的透射率，并且可确认，通过合并这两个实施方式，获得了更高的红外透射率。考虑到红外传感器ES1所需的光传感器区域OPS的透射率相对于约940nm的波长为约0.5％或更大至4％或更小，与比较例相比，其具有非常高的红外透射率，因此红外传感器ES1可具有改善的感测能力。
参照表1和图31，能够确认随着阴极Cathode的厚度减小，可改善红外透射率。在下文中，参照图32至图36描述通过使用低粘合层WAL去除阴极Cathode的实施方式。
首先，描述图32的结构。
图32是示意性地示出根据另一实施方式的发光显示装置的光传感器区域OPS的剖视图。
图32包括对应于图26的像素限定层380，光传感器区域OPS在平面视图中与覆盖层AL1和低反射层AL2重叠，并且低粘合层WAL代替阴极Cathode在光传感器区域OPS中形成在覆盖层AL1下面。
低粘合层WAL用于防止阴极Cathode被沉积，并且可定位在光传感器区域OPS中的像素限定层380上。
参照图32，覆盖层AL1和低反射层AL2不具有开口，所以它们具有与光传感器区域OPS重叠的结构。另一方面，阴极Cathode具有与光传感器区域OPS重叠的开口OPEA1'，低粘合层WAL定位在开口OPEA1'中，并且因此低粘合层WAL与光传感器区域OPS重叠。
参照图32，如图26中所示，像素限定层380与光传感器区域OPS重叠。
另一方面，尽管图32中未示出，但功能层FL布置在阴极Cathode下面，并且功能层FL也不具有开口，并且可与光传感器区域OPS重叠。在存在功能层FL的情况下，低粘合层WAL可接触功能层FL。
除了阻光层220之外，图32的光传感器区域OPS也与像素限定层380重叠，因此可见光不透射。然而，像素限定层380由有机材料形成，并且阻光层220不包括诸如碳的无机材料并且仅包括有机材料，因此透射红外线不存在问题。结果，定位在光传感器区域OPS的后表面上的红外传感器ES1的操作不存在问题。另一方面，根据实施方式，也可仅使用有机材料来形成像素限定层380，以进一步改善红外线的透射率。
与光传感器区域OPS重叠的低反射层AL2可通过包括铋(Bi)来阻挡可见光，但透射红外线不存在问题。阴极Cathode和覆盖层AL1也与光传感器区域OPS重叠，并且然而，阴极Cathode由包括银(Ag)和镁(Mg)的导电材料形成，以使得光的部分可被反射，红外传感器ES1所需的光传感器区域OPS的透射率相对于约940nm的波长不高达约0.5％或更大至4％或更小，因此即使定位有阴极Cathode，红外传感器ES1也可通过光传感器区域OPS操作。参照图31的模拟结果，这一点为清楚的。
另一方面，覆盖层AL1由有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层或包括有机材料和无机材料的复合覆盖层形成，由于其为光学透明的，所以透射红外线不存在问题。
低粘合层WAL为具有弱粘合强度的材料，并且根据实施方式，阴极Cathode不布置在低粘合层WAL的上表面上。例如，低粘合层WAL可通过使用诸如8-喹啉锂(Liq)、N,N-二苯基-N,N-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺(HT01)、N(二苯基-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯-9H-咪唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HT211)、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[D]咪唑(LG201)等材料形成。低粘合层WAL可由以上有机材料形成，所以其可具有光学透明特性，结果，透射红外线不存在问题。
在下文中，参照图33更详细地研究通过低粘合层WAL去除阴极Cathode的结构。
图33是示意性地示出阴极Cathode与低粘合层WAL之间的关系的剖视图。
在形成有低粘合层WAL的区上，由于低粘合层WAL，阴极Cathode不被沉积。阴极Cathode仅形成在未定位低粘合层WAL的区中，但阴极Cathode薄地形成在与形成有低粘合层WAL的区相邻的部分(在下文中被称为边界部分)中。这可能是因为在沉积阴极Cathode的情况下，低粘合层WAL的材料部分地扩散到相邻的边界部分，并且阴极Cathode在边界部分处未形成为正常厚度。在边界部分处形成的阴极Cathode可具有厚度朝向低粘合层WAL逐渐减小的锥形结构。在边界部分处，可定位有在沉积的薄阴极Cathode上扩散的低粘合层WAL的材料。在实施方式中，边界部分的宽度可为约1.5μm。
参照图33，可看出与低粘合层WAL相邻的阴极Cathode形成为相对薄的，并且通过使用这，如图29和图30中所示，阴极Cathode的重叠部分CathodeEA1可形成为薄。例如，由于与低粘合层WAL相邻的阴极Cathode沉积为相对薄，因此通过在阴极Cathode的重叠部分CathodeEA1周围形成低粘合层WAL，可相对薄地形成阴极Cathode的重叠部分CathodeEA1。
在下文中，参照图34更详细地描述图32的结构。
图34是根据图32的实施方式的发光显示装置的详细示意性剖视图。
图34是对应于图20的详细示意性剖视图，并且如在图32的实施方式中，在具有低粘合层WAL的结构中，光传感器区域OPS的堆叠结构描述如下。
岛状金属层BML3的开口OBML定位在衬底110上，无机绝缘层的缓冲层111定位在岛状金属层BML3的开口OBML中，并且为无机绝缘层的第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142顺序地定位。在第二栅极绝缘层142上，为无机绝缘层的第一层间绝缘层161、第三栅极绝缘层143和第二层间绝缘层162彼此顺序地堆叠。在第二层间绝缘层162上，为有机绝缘体的第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183彼此顺序地堆叠。在第三有机层183上，定位有像素限定层380的对应于光传感器区域OPS的重叠部分380EA1。
功能层FL定位在像素限定层380上，并且对应于光传感器区域OPS的低粘合层WAL定位在功能层FL上。定位在功能层FL上的阴极Cathode具有开口OPEA1'，开口OPEA1'对应于光传感器区域OPS，并且低粘合层WAL定位在阴极Cathode的开口OPEA1'内。
覆盖层AL1和低反射层AL2顺序地定位在低粘合层WAL上，并且封装层400、第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511以及阻光层220顺序地定位在低反射层AL2上。封装层400可具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511可所有为无机绝缘层。阻光层220不具有对应于光传感器区域OPS的开口，并且包括在平面视图中与光传感器区域OPS重叠的重叠部分220EA1。阻光层220和重叠部分220EA1用于阻挡可见光，但具有通过仅包括有机材料而不包括诸如碳的无机材料来透射对应于红外线的波长带的光的特性。反射调节层235的与光传感器区域OPS重叠的重叠部分235EA1定位在阻光层220的作为光传感器区域OPS的重叠部分220EA1上。根据实施方式，可省略重叠部分235EA1，以使得反射调节层235可不定位在光传感器区域OPS中。
图34示出了形成有总共三个有机层181、182和183，并且阳极连接开口OP4形成在第二有机层182和第三有机层183中的实施方式。然而，可形成有至少两个有机层，并且阳极连接开口OP4可定位在远离衬底110定位的上有机层中，并且下有机层开口OP3可定位在下有机层中。
另一方面，根据实施方式，与图34的实施方式不同，金属层BML可不包括岛状金属层BML3。在本实施方式中，即使在图7至图19的平面视图中，也可不形成岛状金属层BML3和形成在岛状金属层BML3中的开口OBML。
另一方面，如图34中所示，在包括岛状金属层BML3的实施方式中，也能够通过岛状金属层BML3的开口OBML通过后表面曝光来形成低粘合层WAL。
在下文中，参照图35描述低粘合层WAL的厚度与透射率之间的关系。
图35是示出根据低粘合层的厚度的透射率的示意性曲线图。
图35示出了对于比较例和三个实施方式(WAL25、WAL50和WAL100)的针对波长的透射率的模拟结果。
WAL25为低粘合层WAL的厚度形成为约的实施方式，WAL50为低粘合层WAL的厚度形成为约/>的实施方式，并且WAL100为低粘合层WAL的厚度形成为约/>的实施方式。另一方面，比较例为由于不包括低粘合层WAL因此阴极Cathode以恒定厚度堆叠在光传感器区域OPS中的实例。
参照图35，可清楚地确认，在三个实施方式WAL25、WAL50和WAL100中与红外线对应的约940nm波长的光具有比比较例更高的透射率。在三个实施方式WAL25、WAL50和WAL100之中，实施方式WAL50和实施方式WAL100具有比实施方式WAL25更高的透射率，所以它们更适合。参照图35，低粘合层WAL的厚度越高，红外透射率越高，并且然而，可确认，由于在低粘合层WAL具有约的厚度或约/>的厚度的情况下透射率几乎没有变化，因此如果其具有约/>或更大的厚度，则可获得足够高的红外透射率。然而，参照图35，即使低粘合层WAL的厚度为约/>与比较例相比，其也具有高透射率，因此低粘合层WAL的厚度可为约或更大。
在下文中，参照图36描述图32和图34的变型实施方式。
图36是示意性地示出根据另一实施方式的发光显示装置之中的光传感器区域OPS的剖视图。
与图32相比，在图36的实施方式中，不仅阴极Cathode而且覆盖层AL1都具有开口OPEA1'，并且低粘合层WAL-1定位在开口OPEA1'中。因此，对应于光传感器区域OPS的低粘合层WAL-1定位在光传感器区域OPS中的像素限定层380上。低粘合层WAL-1定位在阴极Cathode和覆盖层AL1上，并且定位在对应于光传感器区域OPS的开口OPEA1'内。在低粘合层WAL-1上，低反射层AL2、封装层400、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511以及阻光层220顺序地定位。
在以上中，着重于覆盖层AL1和低反射层AL2定位在阴极Cathode与封装层400之间并且反射调节层235定位在阻光层220上的实施方式。
在下文中，参照图37描述在不包括覆盖层AL1和低反射层AL2的情况下包括滤色器层230而不是反射调节层235的实施方式。
图37是根据另一实施方式的发光显示装置的更详细的示意性剖视图。
图37是对应于图20的示意性剖视图，并且描述了与图20的差异。
在图37的实施方式中，首先描述显示区域DA中的差异。
在显示区域DA中，封装层400直接定位在阴极Cathode上。滤色器层230定位在第三感测绝缘层511和阻光层220上。滤色器层230包括透射红色光的红色滤色器、透射绿色光的绿色滤色器和透射蓝色光的蓝色滤色器。每个滤色器层230可定位成在平面视图中与发光二极管LED的阳极Anode重叠。从发射层EML发射的光可在穿过滤色器并且改变为对应颜色的情况下发射。
阻光层220可分别定位在滤色器层230之间。根据实施方式，滤色器层230可用颜色转换层替代，或者还可包括颜色转换层。颜色转换层可包括量子点。
覆盖滤色器层230的平坦化层550可定位在滤色器层230上，并且窗可附加地附接到平坦化层550。
光传感器区域OPS的结构可如下。
岛状金属层BML3的开口OBML定位在衬底110上，为无机绝缘层的缓冲层111定位在岛状金属层BML3的开口OBML中，并且为无机绝缘层的第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层142顺序地定位在缓冲层111上。在第二栅极绝缘层142上，为无机绝缘层的第一层间绝缘层161、第三栅极绝缘层143和第二层间绝缘层162彼此顺序地堆叠。在第二层间绝缘层162上，为有机绝缘体的第一有机层181、第二有机层182和第三有机层183彼此顺序地堆叠。像素限定层380的附加开口OPEA1定位在第三有机层183上，并且附加间隔件385EA1定位在第三有机层183上并且在像素限定层380的附加开口OPEA1内。像素限定层380的附加开口OPEA1和附加间隔件385EA1形成为对应于光传感器区域OPS，并且附加间隔件385EA1也可定位在像素限定层380的上表面上。定位在像素限定层380和附加间隔件385EA1上的功能层FL和阴极Cathode(或者阴极Cathode)具有形成为与光传感器区域OPS对应的开口OPEA1'，以使得功能层FL和阴极Cathode(或者阴极Cathode)可不形成在光传感器区域OPS中。因此，封装层400定位在附加间隔件385EA1上，并且附加间隔件385EA1和封装层400可彼此接触。在封装层400上，第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511以及阻光层220顺序地定位。封装层400可具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。第一感测绝缘层501、第二感测绝缘层510和第三感测绝缘层511可所有为无机绝缘层。阻光层220不具有对应于光传感器区域OPS的开口，并且包括在平面视图中与光传感器区域OPS重叠的重叠部分220EA1。阻光层220和重叠部分220EA1用于阻挡可见光，但具有通过仅包括有机材料而不包括诸如碳的无机材料来透射对应于红外线的波长带的光的特性。平坦化层550定位在阻光层220的重叠部分220EA1上作为光传感器区域OPS。根据实施方式，滤色器层230可定位在阻光层220的重叠部分220EA1的至少一部分上。
在以上中，作为图20的变型实施方式，描述了不包括覆盖层AL1和低反射层AL2并且具有滤色器层230而不是反射调节层235的实施方式。
然而，即使对于图22、图25至图30、图32、图34和图36，也可形成有在不包括覆盖层AL1和低反射层AL2的情况下具有滤色器层230而不是反射调节层235的修改实施方式。
以上描述为本公开的技术特征的实例，并且本公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此，上述本公开的实施方式可单独地或彼此组合地实现。
因此，在本公开中公开的实施方式不旨在限制本公开的技术精神，而是用于描述本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。本公开的保护范围应由所附权利要求书来解释，并且其应被解释为等同范围内的所有技术精神包括在本公开的范围内。

Claims (12)

1.一种电子装置，包括：
显示面板，所述显示面板包括显示区域和由所述显示区域围绕的光传感器区域；以及
红外传感器，所述红外传感器定位在所述显示面板的所述光传感器区域的后表面上，
其中，所述显示区域包括：
像素限定层，所述像素限定层在平面视图中具有与阳极重叠的开口；
间隔件，所述间隔件定位在所述像素限定层上；
阴极，所述阴极覆盖所述像素限定层和所述间隔件；
覆盖层，所述覆盖层定位在所述阴极上；
低反射层，所述低反射层定位在所述覆盖层上；
封装层，所述封装层定位在所述低反射层上；以及
阻光层，所述阻光层定位在所述封装层上，并且在平面视图中具有与所述像素限定层的所述开口重叠的开口，
所述光传感器区域在平面视图中与所述阻光层的重叠部分和所述像素限定层的重叠部分重叠，并且
所述阴极具有与所述光传感器区域对应的开口，并且不形成在所述光传感器区域中。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述覆盖层和所述低反射层各自具有与所述光传感器区域对应的开口，并且
其中，所述封装层定位在所述阴极、所述覆盖层和所述低反射层中的每个的与所述光传感器区域对应的所述开口内。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述覆盖层和所述低反射层各自具有与所述光传感器区域对应的开口，并且
其中，所述阴极具有覆盖所述覆盖层或所述低反射层的上表面和侧表面的结构。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，
所述覆盖层具有与所述光传感器区域对应的开口，
所述低反射层定位在所述阴极和所述覆盖层中的每个的与所述光传感器区域对应的所述开口内，并且
所述阴极具有覆盖所述覆盖层的上表面和侧表面的结构。
5.根据权利要求1所述的电子装置，还包括：
低粘合层，所述低粘合层定位在所述阴极的所述开口内，
其中，所述覆盖层和所述低反射层定位在所述低粘合层上。
6.根据权利要求1所述的电子装置，还包括：
低粘合层，所述低粘合层定位在所述阴极的所述开口内，
其中，所述低反射层定位在所述低粘合层上，并且
其中，所述覆盖层具有与所述光传感器区域对应的开口。
7.一种发光显示装置，包括：
显示面板，所述显示面板包括显示区域和由所述显示区域围绕的光传感器区域；以及
红外传感器，所述红外传感器定位在所述光传感器区域的后表面上，
其中，所述显示区域包括：
像素限定层，所述像素限定层在平面视图中具有与阳极重叠的开口；
阴极，所述阴极覆盖所述像素限定层；
封装层，所述封装层定位在所述阴极上；以及
阻光层，所述阻光层定位在所述封装层上，并且在平面视图中具有与所述像素限定层的所述开口重叠的开口，
所述光传感器区域在平面视图中与所述阻光层的重叠部分重叠，
所述像素限定层具有与所述光传感器区域对应的附加开口，以使得所述像素限定层不形成在所述光传感器区域中，并且
所述光传感器区域还包括定位在所述像素限定层的所述附加开口内的附加间隔件。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中，
所述显示区域还包括定位在所述阳极下面的有机层，
所述附加间隔件接触所述有机层，并且
所述附加间隔件定位在所述封装层下面。
9.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中，所述显示区域还包括：
覆盖层，所述覆盖层定位在所述阴极与所述封装层之间并且接触所述阴极；以及
低反射层，所述低反射层定位在所述覆盖层与所述封装层之间，并且
其中，所述阴极、所述覆盖层和所述低反射层具有与所述光传感器区域对应的开口，以使得所述阴极、所述覆盖层和所述低反射层不形成在所述光传感器区域中。
10.根据权利要求9所述的发光显示装置，还包括：
岛状金属层，所述岛状金属层定位在所述阳极下面并且具有开口，
其中，所述阴极具有覆盖所述覆盖层或所述低反射层的上表面和侧表面的结构，并且
其中，在平面视图中，所述岛状金属层的所述开口与所述阴极、所述覆盖层和所述低反射层的所述开口重叠。
11.一种发光显示装置，包括：
显示面板，所述显示面板包括显示区域和由所述显示区域围绕的光传感器区域；以及
红外传感器，所述红外传感器定位在所述光传感器区域的后表面上，
其中，所述显示区域包括：
像素限定层，所述像素限定层在平面视图中具有与阳极重叠的开口；
阴极，所述阴极覆盖所述像素限定层；
覆盖层，所述覆盖层定位在所述阴极上；
低反射层，所述低反射层定位在所述覆盖层上；
封装层，所述封装层定位在所述低反射层上；以及
阻光层，所述阻光层定位在所述封装层上，并且在平面视图中具有与所述像素限定层的所述开口重叠的开口，并且
在平面视图中，所述光传感器区域与所述阻光层的重叠部分、所述低反射层的重叠部分、所述覆盖层的重叠部分和所述阴极的重叠部分重叠，并且
所述阴极的所述重叠部分的厚度小于所述显示区域的所述阴极的厚度。
12.根据权利要求11所述的发光显示装置，其中，所述覆盖层的所述重叠部分的厚度大于所述显示区域的所述覆盖层的厚度，并且
其中，所述阴极的所述重叠部分的所述厚度与所述显示区域的所述阴极的所述厚度之间的差等于所述覆盖层的所述重叠部分的所述厚度与所述显示区域的所述覆盖层的所述厚度之间的差。
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