KR20240067171A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 117
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 376
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 42
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 36
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 33
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 32
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 31
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 30
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 29
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 28
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 26
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 24
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVTCUIZCVUGJHS-UHFFFAOYSA-N dipyrrin Chemical compound C=1C=CNC=1C=C1C=CC=N1 OVTCUIZCVUGJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKENVNAJIQUGKU-UHFFFAOYSA-N tetraazaporphin Chemical compound C=1C(C=N2)=NC2=NC(NN2)=NC2=CC(C=C2)=NC2=CC2=NC=1C=C2 YKENVNAJIQUGKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
표시 장치는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 발광 영역에 배치되고, 순차적으로 배치된 화소 전극, 발광층 및 상부 전극을 포함하는 발광 소자, 발광 소자 상에 배치되고, 비발광 영역과 중첩하는 차광층 및 발광 소자 상에 배치되고, 차광층을 커버하며, 발광 영역에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스가 정의된 반사 조정층을 포함한다. 이에 따라, 표시 장치의 광 효율이 향상될 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 시각 정보를 제공하는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시 장치의 중요성이 부각되고 있다. 이에 따라, 액정 표시 장치(liquid crystal display device), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device), 플라즈마 표시 장치(plasma display device) 등과 같은 표시 장치의 사용이 증가하고 있다.
한편, 표시 장치는 금속을 포함하는 배선, 전극 등을 구비함에 따라, 표시 장치에 입사되는 외광이 배선, 전극 등으로부터 반사될 수 있다. 이러한 외광에 의한 반사를 방지하기 위하여 일반적으로 표시 장치는 편광판을 포함한다. 다만, 편광판은 외광에 의한 반사를 방지할 수 있으나, 편광판으로 인해 표시 장치의 광 효율이 감소될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 광 효율이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 발광 영역에 배치되고, 순차적으로 배치된 화소 전극, 발광층 및 상부 전극을 포함하는 발광 소자, 상기 발광 소자 상에 배치되고, 상기 비발광 영역과 중첩하는 차광층 및 상기 발광 소자 상에 배치되고, 상기 차광층을 커버하며, 상기 발광 영역에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스가 정의된 반사 조정층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 반사 조정층 상에 배치되는 접착층을 더 포함하고, 상기 접착층의 굴절률은 상기 반사 조정층의 굴절률보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 접착층의 굴절률과 상기 반사 조정층의 굴절률 차이는 0.05 이상일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 접착층은 상기 반사 조정층과 직접적으로 접촉할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 발광 소자 및 상기 반사 조정층 사이에 배치되는 충진층을 더 포함하고, 상기 충진층의 굴절률은 상기 반사 조정층의 굴절률보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 충진층은 상기 반사 조정층과 직접적으로 접촉할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 충진층의 굴절률과 상기 반사 조정층의 굴절률 차이는 0.05 이상일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 상부 전극 상에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 광 흡수층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 발광 영역에만 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 전체적으로 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 광 흡수층은 금속, 실리콘 화합물 및 금속 산화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 조정층은 무기 무질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 조정층은 용매, 염료, 안료 및 계면 활성제로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 물질은 포토레지스트를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 발광 소자 및 상기 차광층 사이에 배치되고, 제1 터치 전극 및 상기 제1 터치 전극에 접속되는 제2 터치 전극을 포함하는 터치 감지층을 더 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판 상의 상기 발광 영역에, 순차적으로 형성된 화소 전극, 발광층 및 상부 전극을 포함하는 발광 소자를 형성하는 단계, 상기 발광 소자 상에, 상기 비발광 영역과 중첩하는 차광층을 형성하는 단계, 상기 발광 소자 상에, 상기 차광층을 커버하는 예비 반사 조정층을 형성하는 단계 및 상기 발광 영역과 중첩하는 상기 예비 반사 조정층의 일부를 제거하여 상기 발광 영역에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스가 정의된 반사 조정층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 조정층을 형성하는 단계는 하프톤 마스크 또는 슬릿 마스크를 사용할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 반사 조정층 상에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 접착층의 굴절률은 상기 반사 조정층의 굴절률보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 접착층의 굴절률과 상기 반사 조정층의 굴절률 차이는 0.05 이상일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 접착층은 상기 반사 조정층과 직접적으로 접촉할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 발광 소자를 형성하는 단계 이후에, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 상부 전극 상에, 무기 물질을 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 조정층은 무기 무질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 반사 조정층은 용매, 염료, 안료 및 계면 활성제로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 발광 영역에 배치되는 발광 소자, 발광 소자 상에 배치되고, 비발광 영역과 중첩하는 차광층, 발광 소자 상에 배치되고, 발광 영역에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스가 정의된 반사 조정층 및 반사 조정층과 직접적으로 접촉하는 고굴절층(예를 들어, 접착층 또는 충진층)을 포함할 수 있다. 고굴절층의 굴절률은 반사 조정층의 굴절률보다 클 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 광 효율이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상기 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 도 2의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 12는 도 11의 표시 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 11의 II-II' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 14 내지 도 18은 도 13의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 19는 도 1의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 20은 도 19의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 21은 도 19의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 3 내지 도 9는 도 2의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 12는 도 11의 표시 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 11의 II-II' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 14 내지 도 18은 도 13의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 19는 도 1의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 20은 도 19의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 21은 도 19의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 이의 제조 방법에 대하여 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 영상을 표시하는 영역을 의미할 수 있다. 주변 영역(PA)은 영상을 표시하지 않는 영역을 의미할 수 있다. 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있다. 예를 들어, 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 발광 영역들(EA) 및 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다. 발광 영역들(EA) 각각은 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3)을 포함할 수 있다.
제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3) 각각은 발광 소자에서 방출된 광이 표시 장치(100)의 외부로 방출되는 영역을 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(EA1)은 제1 광을 방출하고, 제2 발광 영역(EA2)은 제2 광을 방출하며, 제3 발광 영역(EA3)은 제3 광을 방출할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제1 광은 적색 광이고, 상기 제2 광은 녹색 광이며, 상기 제3 광은 청색 광일 수 있다. 달만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 발광 영역들(EA)은 황색(yellow), 청록색(cyan) 및 심홍색(magenta) 광들을 방출하도록 조합될 수도 있다.
발광 영역들(EA)은 4색 이상의 광을 방출할 수도 있다. 예를 들어, 발광 영역들(EA)은 적색, 녹색 및 청색의 광들에 더하여 황색, 청록색 및 심홍색의 광들 중 적어도 하나를 더 방출하도록 조합될 수 있다. 또한, 발광 영역들(EA)은 백색 광을 더 방출하도록 조합될 수 있다.
평면 상에서, 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3) 각각은 행(row) 방향 및 열(column) 방향을 따라 반복적으로 배열될 수 있다. 구체적으로, 평면 상에서, 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3) 각각은 제1 방향(DR1) 및 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)을 따라 반복적으로 배열될 수 있다.
제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3) 각각은 삼각형의 평면 형상, 사각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상, 타원형의 평면 형상 등을 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3) 각각은 사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3) 각각은 다른 평면 형상을 가질 수도 있다.
비발광 영역(NEA)은 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3) 사이에 위치할 수 있다. 예를 들어, 평면 상에서, 비발광 영역(NEA)은 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3)을 둘러쌀 수 있다. 비발광 영역(NEA)은 광을 방출하지 않을 수 있다.
본 명세서에서, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 평면이 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 방향(DR1)은 제2 방향(DR2)과 수직일 수 있다.
본 발명의 표시 장치(100)는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device, OLED), 액정 표시 장치(liquid crystal display device, LCD), 전계 방출 표시 장치(field emission display device, FED), 플라즈마 표시 장치(plasma display device, PDP), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device, EPD) 또는 무기 발광 표시 장치(inorganic light emitting display device, ILED)를 포함할 수도 있다.
도 2는 도 1의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(SUB), 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3), 절연 구조물(IL), 화소 정의막(PDL), 제1 내지 제3 발광 소자들(LED1, LED2, LED3), 캡핑층(CL), 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3), 봉지층(ENC), 터지 감지층(TCL), 차광층(BL), 반사 조정층(RCL) 및 접착층(OC)을 포함할 수 있다.
여기서, 제1 발광 소자(LED1)는 제1 화소 전극(PE1), 제1 발광층(EML1) 및 제1 공통 전극(CE1)을 포함하고, 제2 발광 소자(LED2)는 제2 화소 전극(PE2), 제2 발광층(EML2) 및 제2 공통 전극(CE2)을 포함하며, 제3 발광 소자(LED3)는 제3 화소 전극(PE3), 제3 발광층(EML3) 및 제3 공통 전극(CE3)을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 표시 장치(100)는 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(100)가 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NEA)을 포함함에 따라, 표시 장치(100)에 포함된 구성 요소들(예를 들어, 기판(SUB))도 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 투명한 물질 또는 불투명한 물질을 포함할 수 있다. 기판(SUB)은 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 상기 투명 수지 기판의 예로는, 폴리이미드 기판 등을 들 수 있다. 이러한 경우, 상기 기판(SUB)은 제1 유기층, 제1 배리어층, 제2 유기층 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 기판(SUB)은 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임 유리(soda-lime) 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수도 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
기판(SUB) 상에 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3) 각각은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 또는 금속 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3) 각각은 박막 트랜지스터(thin film transistor)일 수 있다.
상기 금속 산화물 반도체는 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 산화물 반도체는 아연 산화물(ZnOx), 갈륨 산화물(GaOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 인듐 갈륨 산화물(IGO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 주석 산화물(IZTO), 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
기판(SUB) 상에 절연 구조물(IL)이 배치될 수 있다. 절연 구조물(IL)은 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3)를 커버할 수 있다. 절연 구조물(IL)은 적어도 하나의 무기 절연층 및 적어도 하나의 유기 절연층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 절연층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 탄화물(SiCx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기 절연층은 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴계 수지(polyacryl-based resin), 폴리이미드계 수지(polyimide-based resin), 폴리아미드계 수지(polyamide-based resin), 실록산계 수지(siloxane-based resin), 아크릴계 수지(acryl-based resin), 에폭시계 수지(epoxy-based resin) 등을 포함할 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
절연 구조물(IL) 상에 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)이 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(PE1)은 제1 발광 영역(EA1)과 중첩하고, 제2 화소 전극(PE2)은 제2 발광 영역(EA2)과 중첩하며, 제3 화소 전극(PE3)은 제3 발광 영역(EA3)과 중첩할 수 있다. 제1 화소 전극(PE1)은 절연 구조물(IL)을 관통하는 제1 콘택홀을 통해 제1 트랜지스터(TR1)에 접속되고, 제2 화소 전극(PE2)은 절연 구조물(IL)을 관통하는 제2 콘택홀을 통해 제2 트랜지스터(TR2)에 접속되며, 제3 화소 전극(PE3)은 절연 구조물(IL)을 관통하는 제3 콘택홀을 통해 제3 트랜지스터(TR3)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 각각은 애노드(anode)로 작동할 수 있다.
절연 구조물(IL) 및 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 상에 화소 정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 비발광 영역(NEA)과 중첩할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 각각의 양측부를 덮으며 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 각각의 상면의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 화소 정의막(PDL)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 화소 전극(PE1) 상에 제1 발광층(EML1)이 배치되고, 제2 화소 전극(PE2) 상에 제2 발광층(EML2)이 배치되며, 제3 화소 전극(PE3) 상에 제3 발광층(EML3)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광층들(EML1, EML2, EML3) 각각은 기 설정된 색의 광을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 제1 발광층(EML1)은 제1 색의 광(L1)을 방출하는 유기물을 포함하고, 제2 발광층(EML2)은 제2 색의 광(L2)을 방출하는 유기물을 포함하며, 제3 발광층(EML3)은 제3 색의 광(L3)을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 색은 적색이고, 상기 제2 색은 녹색이며, 상기 제3 색은 청색일 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 발광층(EML1) 및 화소 정의막(PDL) 상에 제1 공통 전극(CE1)이 배치되고, 제2 발광층(EML2) 및 화소 정의막(PDL) 상에 제2 공통 전극(CE2)이 배치되며, 제3 발광층(EML3) 및 화소 정의막(PDL) 상에 제3 공통 전극(CE3)이 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 공통 전극들(CE1, CE2, CE3)은 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 공통 전극들(CE1, CE2, CE3) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 제1 내지 제3 공통 전극들(CE1, CE2, CE3)은 캐소드(cathode)로 작동할 수 있다.
이에 따라, 제1 화소 전극(PE1), 제1 발광층(EML1) 및 제1 공통 전극(CE1)을 포함하는 제1 발광 소자(LED1)가 기판(SUB) 상의 제1 발광 영역(EA1)에 배치되고, 제2 화소 전극(PE2), 제2 발광층(EML2) 및 제2 공통 전극(CE2)을 포함하는 제2 발광 소자(LED2)가 기판(SUB) 상의 제2 발광 영역(EA2)에 배치되며, 제3 화소 전극(PE3), 제3 발광층(EML3) 및 제3 공통 전극(CE3)을 포함하는 제3 발광 소자(LED3)가 기판(SUB) 상의 제3 발광 영역(EA3)에 배치될 수 있다.
제1 발광 소자(LED1)는 제1 트랜지스터(TR1)에 전기적으로 연결되고, 제2 발광 소자(LED2)는 제2 트랜지스터(TR2)에 전기적으로 연결되며, 제3 발광 소자(LED3)는 제3 트랜지스터(TR3)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 내지 제3 상부 전극들(CE1, CE2, CE3) 상에 캡핑층(CL)이 배치될 수 있다. 캡핑층(CL)은 제1 내지 제3 상부 전극들(CE1, CE2, CE3) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 캡핑층(CL)은 제1 내지 제3 상부 전극들(CE1, CE2, CE3)을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CL)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
캡핑층(CL) 상에 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3)이 배치될 수 있다. 제1 광 흡수층(LAL1)은 제1 발광 영역(EA1)과 중첩하고, 제2 광 흡수층(LAL2)은 제2 발광 영역(EA2)과 중첩하며, 제3 광 흡수층(LAL3)은 제3 발광 영역(EA3)과 중첩할 수 있다. 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3)은 외광을 흡수할 수 있다. 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3) 각각은 무기 물질을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3) 각각은 금속, 실리콘 화합물, 금속 산화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 금속의 예로는, 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 탄탈륨(Ta), 구리(Cu), 칼슘(Ca), 코발트(Co), 철(Fe), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 백금(Pt), 이터븀(Yb) 등을 들 수 있다. 상기 실리콘 화합물의 예로는, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 들 수 있다. 상기 금속 산화물의 예로는, 티타늄 산화물(TiO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), 탄탈륨 산화물(Ta2O5), 하프늄 산화물(HfO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 아연 산화물(ZnO), 이트륨 산화물(Y2O3), 베릴륨 산화물(BeO), 마그네슘 산화물(MgO), 산화 납(PbO2), 텅스텐 산화물(WO3) 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3) 각각은 불소화리튬(LiF), 불화칼슘(CaF2), 불화마그네슘(MgF2), 황화 카드뮴(CdS) 등과 같은 무기 물질을 포함할 수도 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
캡핑층(CL) 및 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3) 상에 봉지층(ENC)이 배치될 수 있다. 봉지층(ENC)은 외부로부터 제1 내지 제3 발광 소자들(LED1, LED2, LED3)에 불순물, 수분 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(ENC)은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 봉지층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있고, 상기 유기 봉지층은 폴리아크릴레이트 등과 같은 고분자 경화물을 포함할 수 있다.
봉지층(ENC) 상에 터치 감지층(TCL)이 배치될 수 있다. 터치 감지층(TCL)은 표시 장치(100)의 입력 수단으로서 기능할 수 있다. 터치 감지층(TCL)은 제1 터치 절연층(IL1), 제2 터치 절연층(IL2), 제1 터치 전극(TE1), 제2 터치 전극(TE2) 및 보호층(PL)을 포함할 수 있다.
봉지층(ENC) 상에 제1 터치 절연층(TIL1)이 배치될 수 있다. 제1 터치 절연층(TIL1)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 터치 절연층(TIL1)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 터치 절연층(TIL1) 상에 제1 터치 전극(TE1)이 배치될 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)은 비발광 영역(NEA)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제1 터치 전극(TE1)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수도 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 터치 절연층(TIL1) 및 제1 터치 전극(TE1) 상에 제2 터치 절연층(TIL2)이 배치될 수 있다. 제2 터치 절연층(TIL2)은 제1 터치 전극(TE1)을 충분히 덮을 수 있다. 제2 터치 절연층(TIL2)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 터치 절연층(TIL2)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제2 터치 절연층(TIL2) 상에 제2 터치 전극(TE2)이 배치될 수 있다. 제2 터치 전극(TE2)은 비발광 영역(NEA)과 중첩할 수 있다. 제2 터치 전극(TE2)은 제2 터치 절연층(TIL2)을 관통하는 콘택홀을 통해 제1 터치 전극(TE1)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 제2 터치 전극(TE2)은 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 투명 도전 산화물(transparent conductive oxide), 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐 갈륨 아연 산화물(indium gallium zinc oxide, IGZO), 아연 산화물(zinc oxide, ZnO), 그래핀(graphene), 은 나노와이어(Ag nanowire, AgNW), 구리(Cu), 크롬(Cr) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2)은 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2)은 서로 상이한 물질을 포함할 수도 있다.
제2 터치 절연층(TIL2) 및 제2 터치 전극(TE2) 상에 보호층(PL)이 배치될 수 있다. 보호층(PL)은 제2 터치 전극(TE2)을 충분히 덮을 수 있다. 보호층(PL)은 제1 터치 전극(TE1) 및 제2 터치 전극(TE2)을 보호할 수 있다. 보호층(PL)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 보호층(PL)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
보호층(PL) 상에 차광층(BL)이 배치될 수 있다. 차광층(BL)은 비발광 영역(NEA)과 중첩할 수 있다. 차광층(BL)은 차광층(BL)으로 입사되는 광을 차단할 수 있다. 이에 따라, 차광층(BL)은 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3) 사이의 혼색을 방지할 수 있다. 차광층(BL)에는 제1 발광 영역(EA1), 제2 발광 영역(EA2) 및 제3 발광 영역(EA3) 각각과 중첩하는 개구부가 정의될 수 있다. 예를 들어, 차광층(BL)은 블랙 안료, 블랙 염료 등을 함유하는 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
보호층(PL) 상에 반사 조정층(RCL)이 배치될 수 있다. 반사 조정층(RCL)은 차광층(BL)을 커버할 수 있다. 표시 장치(100)가 반사 조정층(RCL)을 포함함에 따라, 표시 장치(100)는 편광판(polarizer)을 포함하지 않을 수 있다. 즉, 반사 조정층(RCL)이 상기 편광판의 기능을 대체할 수 있다. 다시 말하면, 반사 조정층(RCL)은 표시 장치(100)의 내부에서 반사된 외광을 파장에 따라 선택적으로 흡수하여 표시 장치(100)의 광 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
반사 조정층(RCL)은 무기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사 조정층(RCL)은 컬러 포토레지스트 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 반사 조정층(RCL)은 네거티브 컬러 포토레지스트를 포함할 수 있다.
반사 조정층(RCL)은 용매, 염료, 안료, 계면 활성제 등을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사 조정층(RCL)은 테트라아자포르피린계 화합물, 포르피린계 화합물, 옥사진계 화합물, 스쿠아릴리움계 화합물, 트리아릴메탄계 화합물, 시아닌계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, 아조계 화합물, 페릴렌계 화합물, 크산텐계 화합물, 디이모늄계 화합물, 디피로메텐계 화합물 등과 같은 염료를 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
예를 들어, 반사 조정층(RCL)의 최대 흡수 파장은 약 530nm 내지 약 600nm의 파장 범위를 포함할 수 있다. 즉, 반사 조정층(RCL)이 발광 소자(LED1, LED2, LED3)에서 방출된 적색 광, 녹색 광 또는 청색 광의 파장 범위를 벗어난 파장의 광을 흡수할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 반사 조정층(RCL)에는 반사 조정층(RCL)의 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의될 수 있다. 리세스(RS)는 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3) 각각과 중첩할 수 있다.
반사 조정층(RCL) 상에 접착층(OL)이 배치될 수 있다. 접착층(OL)은 반사 조정층(RCL) 상에서 연속적으로 연장될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 접착층(OL)은 반사 조정층(RCL)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 구체적으로, 접착층(OL)은 반사 조정층(RCL)의 리세스(RS)를 채울 수 있다. 접착층(OL)은 투과성 무기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착층(OL)은 광학 투명 접착제(optically clear adhesive, OCA), 광학 투명 수지(optically clear resin, OCR), 감압 접착제(pressure sensitive adhesive, PSA) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
접착층(OL) 상에 커버 윈도우가 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버 윈도우는 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 상기 커버 윈도우는 접착층(OL)을 통해 반사 조정층에 부착될 수 있다.
가시광선에 대하여, 반사 조정층(RCL)은 상대적으로 작은 굴절률을 갖고, 접착층(OL)은 상대적으로 큰 굴절률을 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 가시광선에 대하여, 접착층(OL)의 굴절률은 반사 조정층(RCL)의 굴절률보다 클 수 있다. 예를 들어, 접착층(OL)의 굴절률과 반사 조정층(RCL)의 굴절률 차이는 약 0.05 이상일 수 있다. 바람직하게는, 접착층(OL)의 굴절률과 반사 조정층(RCL)의 굴절률 차이가 약 0.1 이상일 수 있다. 접착층(OL)의 굴절률과 반사 조정층(RCL)의 굴절률 차이가 0.05 미만인 경우, 표시 장치(100)의 광 효율이 저하될 수 있다.
반사 조정층(RCL)에 정의된 리세스(RS) 및 접착층(OL)과 반사 조정층(RCL)의 굴절률 차이로 인해, 반사 조정층(RCL)의 리세스(RS)는 렌즈 기능을 수행할 수 있다. 즉, 발광 소자(LED1, LED2, LED3)에서 방출된 광들 중 반사 조정층(RCL)의 리세스(RS)에 입사한 광들(L)은 기판(SUB)에 대해 수직 방향으로 표시 장치(100)의 외부로 방출될 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(100)의 광 효율이 향상될 수 있다.
상술한 바와 같이, 반사 조정층(RCL)은 염료, 안료, 용매, 계면 활성제 등을 함유하는 무기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사 조정층(RCL)은 염료, 안료, 용매, 계면 활성제 등을 함유하는 컬러 포토레지스트를 포함할 수 있다. 이때, 염료 및 안료 중 염료가 반사 조정층의 주된 물질일 수 있다. 컬러 포토레지스트의 분자량, 컬러 포토레지스트의 점도 및 계면 활성제의 양을 조절하여 반사 조정층(RCL)의 리세스(RS)의 깊이(d)를 조절할 수 있다. 즉, 컬러 포토레지스트의 분자량, 컬러 포토레지스트의 점도 및 계면 활성제의 양을 조절하여 반사 조정층(RCL)이 리세스(RS)의 렌즈로서의 기능이 향상될 수 있다. 예를 들어, 컬러 포토레지스트의 분자량을 증가시키거나, 컬러 포토레지스트의 점도를 증가시키거나, 계면 활성제의 양을 감소시키면 반사 조정층(RCL)의 리세스(RS)의 깊이가 커질 수 있다.
비교예에 따르면, 반사 조정층(RCL)의 상면이 전체적으로 평탄한 경우, 반사 조정층(RCL)을 포함하는 표시 장치(100)의 광 효율이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의된 반사 조정층(RCL) 및 반사 조정층(RCL)과 직접적으로 접촉하는 고굴절층(예를 들어, 도 2의 접착층(OL) 또는 도 13의 충진층(FL))을 포함할 수 있다. 상기 고굴절층의 굴절률은 반사 조정층(RCL)의 굴절률보다 클 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(100)의 광 효율이 향상될 수 있다.
도 3 내지 도 9는 도 2의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 기판(SUB) 상에 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3), 절연 구조물(IL), 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3), 화소 정의막(PDL), 제1 내지 제3 발광층들(EML1, EML2, EML3), 제1 내지 제3 공통 전극들(CE1, CE2, CE3) 및 캡핑층(CL)이 순차적으로 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 캡핑층(CL) 상에 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3)이 형성될 수 있다. 제1 광 흡수층(LAL1)은 제1 발광 영역(EA1)에 형성되고, 제2 광 흡수층(LAL2)은 제2 발광 영역(EA2)에 형성되며, 제3 광 흡수층(LAL3)은 제3 발광 영역(EA3)에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3) 각각은 금속, 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 캡핑층(CL) 및 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3) 상에 봉지층이 형성될 수 있다. 봉지층(ENC)은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층을 포함할 수 있다.
봉지층(ENC) 상에 제1 터치 절연층(TIL1)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 터치 절연층(TIL1)은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 제1 터치 절연층(TIL1) 상에 제1 터치 전극(TE1)이 형성될 수 있다. 제1 터치 절연층(TIL1) 및 제1 터치 전극(TE1) 상에 제2 터치 절연층(TIL2)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 터치 절연층(TIL2)은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 제2 터치 절연층(TIL2) 상에 제2 터치 전극(TE2)이 형성될 수 있다. 제2 터치 전극(TE2)은 제2 터치 절연층(TIL2)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 제1 터치 전극(TE1)에 접속될 수 있다. 제2 터치 절연층(TIL2) 및 제2 터치 전극(TE2) 상에 보호층(PL)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 보호층(PL)은 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 보호층(PL) 상의 비발광 영역(NEA)에 차광층(BL)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 차광층(BL)은 블랙 안료, 블랙 염료 등과 같은 차광 물질을 함유하는 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 보호층(PL) 상에 예비 반사 조정층(RCL')이 형성될 수 있다. 예비 반사 조정층(RCL')은 차광층(BL)을 커버할 수 있다. 예를 들어, 예비 반사 조정층(RCL')은 염료, 안료, 용매, 계면 활성제 등을 함유하는 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 예비 반사 조정층(RCL') 상에 마스크(M)를 위치시킬 수 있다. 일 실시예에 있어서, 마스크(M)는 하프톤 마스크 또는 슬릿 마스크를 포함할 수 있다. 예를 들어, 마스크(M)는 반 투과부(M2) 및 광 투과부(M1)를 포함할 수 있다. 광 투과부(M1)는 광을 전부 투과시키고, 반 투과부(M2)는 광의 일부만 투과시킬 수 있다.
마스크(M)를 통해 예비 반사 조정층(RCL')에 노광 및 현상 공정이 수행될 수 있다. 이때, 광 투과부(M1)에 대응하는 예비 반사 조정층(RCL')의 부분은 제거되지 않을 수 있다. 반면, 반 투과부(M2)에 대응하는 예비 반사 조정층(RCL')의 부분은 일부가 제거될 수 있다. 이에 따라, 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 형성된 반사 조정층(RCL)이 형성될 수 있다. 리세스(RS)는 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3) 각각과 중첩할 수 있다.
예비 반사 조정층(RCL')에 수행되는 노광 공정에서 노광량에 따라 반사 조정층의 두께가 달라질 수 있다. 예를 들어, 예비 반사 조정층(RCL')에 수행되는 노광 공정에서 노광량이 증가할수록 반사 조정층(RCL)의 두께가 커질 수 있다.
도 2를 다시 참조하면, 반사 조정층(RCL) 상에 접착층(OL)이 형성될 수 있다. 접착층(OL)은 반사 조정층(RCL)의 리세스(RS)를 채울 수 있다. 예를 들어, 접착층(OL)은 무기 물질 및/또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
이에 따라, 도 2에 도시된 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
이하에서는, 도 2를 참조하여 비교예 및 실시예에 따른 본 발명의 효과에 대하여 설명하기로 한다.
실시예 1 및 실시예 2에 있어서, 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의되고, 컬러 포토레지스트를 사용하여 반사 조정층(RCL)을 형성하였다. 그 다음, 반사 조정층(RCL) 상에 아크릴계 수지를 사용하여 접착층(OL)을 형성하였다.
비교예에 있어서, 전체적으로 평탄한 상면을 갖고, 컬러 포토레지스트를 사용하여 반사 조정층(RCL)을 형성하였다. 그 다음, 반사 조정층(RCL) 상에 아크릴계 수지를 사용하여 접착층(OL)을 형성하였다.
상기 실시예 1에 있어서, 반사 조정층(RCL)의 굴절률은 1.48이고, 접착층(OL)의 굴절률은 1.53이였다. 상기 실시예 2에 있어서, 반사 조정층(RCL)의 굴절률은 1.48이고, 접착층(OL)의 굴절률은 1.63이였다.
이에 따라, 상기 실시예 1, 상기 실시예 2 및 상기 비교예를 만족하는 표시 장치(100)의 광 효율을 측정하였다.
| 굴절률 차이 | 광 효율(%) | |
| 실시예 1 | 0.05 | 102 |
| 실시예 2 | 0.15 | 115 |
| 비교예 | 0.03 | 100 |
그 결과, 상기 표 1을 참조하면, 상기 실시예 1 및 상기 실시예 2를 만족하는 표시 장치(100)의 광 효율이 상기 비교예를 만족하는 표시 장치(100)의 광 효율보다 높은 것을 확인할 수 있다.
실험예 1: 컬러 포토레지스트의 분자량에 따른 리세스 깊이 비교
(제조예 1)
하기 표 2와 같이 분자량이 60,000이고, 염료, 안료, 용매 및 계면 활성제가 함유된 컬러 포토레지스트를 사용하여 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의된 반사 조정층(RCL)을 형성하였다. 반사 조정층(RCL)의 두께(t)는 3㎛이다. 상기 염료 및 상기 안료는 통상의 재료를 사용하였고, 상기 용매는 피그미아를 사용하였고, 상기 계면 활성제는 F, Si 계열을 사용하였다.
(제조예 2)
하기 표 2와 같이 분자량이 25,000이고, 염료, 안료, 용매 및 계면 활성제가 함유된 컬러 포토레지스트를 사용하여 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의된 반사 조정층(RCL)을 형성하였다. 반사 조정층(RCL)의 두께(t)는 3㎛이다. 상기 염료 및 상기 안료는 통상의 재료를 사용하였고, 상기 용매는 피그미아를 사용하였고, 상기 계면 활성제는 F, Si 계열을 사용하였다.
(제조예 3)
하기 표 2와 같이 분자량이 8,000이고, 염료, 안료, 용매 및 계면 활성제가 함유된 컬러 포토레지스트를 사용하여 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의된 반사 조정층(RCL)을 형성하였다. 반사 조정층(RCL)의 두께(t)는 3㎛이다. 상기 염료 및 상기 안료는 통상의 재료를 사용하였고, 상기 용매는 피그미아를 사용하였고, 상기 계면 활성제는 F, Si 계열을 사용하였다.
(제조예 4)
하기 표 2와 같이 분자량이 3,000이고, 염료, 안료, 용매 및 계면 활성제가 함유된 컬러 포토레지스트를 사용하여 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의된 반사 조정층(RCL)을 형성하였다. 반사 조정층(RCL)의 두께(t)는 3㎛이다. 상기 염료 및 상기 안료는 통상의 재료를 사용하였고, 상기 용매는 피그미아를 사용하였고, 상기 계면 활성제는 F, Si 계열을 사용하였다.
| 컬러 포토레지스트의 분자량 | 반사 조정층의 두께(㎛) | 리세스의 깊이(㎛) | |
| 제조예 1 | 60,000 | 3 | 0.35 |
| 제조예 2 | 25,000 | 3 | 0.25 |
| 제조예 3 | 8,000 | 3 | 0.20 |
| 제조예 4 | 3,000 | 3 | 0.1 |
그 결과, 상기 표 2를 참조하면, 컬러 포토레지스트의 분자량이 커질수록 반사 조정층(RCL)의 리세스(RS)의 깊이(d)가 커지는 것을 확인할 수 있다.
실험예 2: 컬러 포토레지스트의 점도에 따른 리세스 깊이 비교
(제조예 5)
하기 표 3과 같이 점도가 5cp이고, 염료, 안료, 용매 및 계면 활성제가 함유된 컬러 포토레지스트 사용하여 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의된 반사 조정층(RCL)을 형성하였다. 반사 조정층(RCL)의 두께(t)는 2㎛이다. 상기 염료 및 상기 안료는 통상의 재료를 사용하였고, 상기 용매는 피그미아를 사용하였고, 상기 계면 활성제는 F, Si 계열을 사용하였다.
(제조예 6)
하기 표 3과 같이 점도가 16cp이고, 염료, 안료, 용매 및 계면 활성제가 함유된 컬러 포토레지스트 사용하여 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의된 반사 조정층(RCL)을 형성하였다. 반사 조정층(RCL)의 두께(t)는 2㎛이다. 상기 염료 및 상기 안료는 통상의 재료를 사용하였고, 상기 용매는 피그미아를 사용하였고, 상기 계면 활성제는 F, Si 계열을 사용하였다.
| 컬러 포토레지스트의 점도(cp) | 반사 조정층의 두께(㎛) | 리세스의 깊이(%) | |
| 제조예 5 | 5 | 2 | 100 |
| 제조예 6 | 16 | 2 | 110 |
그 결과, 상기 표 3을 참조하면, 컬러 포토레지스트의 점도가 커질수록 반사 조정층(RCL)의 리세스(RS)의 깊이(d)가 커지는 것을 확인할 수 있다.
실험예 3: 노광량에 따른 반사 조정층의 두께 비교
(제조예 7)
하기 표 4와 같이 염료, 안료, 용매 및 계면 활성제가 함유된 컬러 포토레지스트를 사용하여 예비 반사 조정층을 형성한 후, 상기 예비 반사 조정층을 50mJ의 노광량으로 노광하고, 수산화 칼륨(KOH)으로 현상(development)하여, 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의된 반사 조정층(RCL)을 형성하였다. 상기 염료 및 상기 안료는 통상의 재료를 사용하였고, 상기 용매는 피그미아를 사용하였고, 상기 계면 활성제는 F, Si 계열을 사용하였다.
(제조예 8)
하기 표 4와 같이 염료, 안료, 용매 및 계면 활성제가 함유된 컬러 포토레지스트를 사용하여 예비 반사 조정층을 형성한 후, 상기 예비 반사 조정층을 100mJ의 노광량으로 노광하고, 수산화 칼륨(KOH)으로 현상하여, 발광 영역(EA1, EA2, EA3)에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의된 반사 조정층(RCL)을 형성하였다. 상기 염료 및 상기 안료는 통상의 재료를 사용하였고, 상기 용매는 피그미아를 사용하였고, 상기 계면 활성제는 F, Si 계열을 사용하였다. 이때, 상기 컬러 포토레지스트는 상기 제조예 7에서 사용된 컬러 포토레지스트와 동일한 양을 사용하였다.
| 노광량(mJ) | 반사 조정층의 두께(㎛) | |
| 제조예 7 | 50 | 2.5 |
| 제조예 8 | 100 | 3.0 |
그 결과, 상기 표 4를 참조하면, 반사 조정층(RCL)을 형성하는 노광 공정에서 노광량이 커질수록 반사 조정층(RCL)의 두께(t) 감소율이 작은 것을 확인할 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(101)는 기판(SUB), 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3), 절연 구조물(IL), 화소 정의막(PDL), 제1 내지 제3 발광 소자들(LED1, LED2, LED3), 캡핑층(CL), 광 흡수층(LAL), 봉지층(ENC), 터지 감지층(TCL), 차광층(BL), 반사 조정층(RCL) 및 접착층(OC)을 포함할 수 있다. 다만, 도 10을 참조하여 설명하는 표시 장치(101)는 광 흡수층(LAL)의 형태를 제외하고는 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 이하에서, 중복되는 설명은 생략하거나 간략화한다.
캡핑층(CL) 상에 광 흡수층(LAL)이 배치될 수 있다. 광 흡수층(LAL)은 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NEA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 즉, 광 흡수층(LAL)은 캡핑층 상에서 연속적으로 연장되도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 광 흡수층(LAL)은 금속, 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 12는 도 11의 표시 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 11 및 도 12을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(102)는 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3) 및 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다. 이하에서, 도 1을 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 중복되는 설명은 생략하거나 간략화한다.
표시 장치(102)는 제1 기판(SUB1), 회로층(DCL), 발광 소자층(LEL), 충진층(FL), 실링 부재(SL), 반사 조정층(RCL), 제2 기판(SUB2) 및 터치 감지층(TCL)을 포함할 수 있다.
제1 기판(SUB1)은 투명한 물질 또는 불투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(SUB1)은 유리, 플라스틱 등을 포함할 수 있다.
제1 기판(SUB1) 상에 회로층(DCL)이 배치될 수 있다. 회로층(DCL)은 표시 영역(DA)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 회로층(DCL)은 트랜지스터, 절연 구조물 등을 포함할 수 있다. 회로층(DCL) 상에 발광 소자층(LEL)이 배치될 수 있다. 발광 소자층(LEL)은 회로층(DCL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(LEL)은 기 설정된 색의 광을 방출하는 발광 소자 등을 포함할 수 있다.
제1 기판(SUB1) 상의 주변 영역(PA)에는 실링 부재(SL)가 배치될 수 있다. 실링 부재(SL)는 표시 영역(DA)을 평면 상에서 둘러싸도록 배치될 수 있으며, 실링 부재(SL)를 통해 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 합착될 수 있다. 또한, 실링 부재(SL)는 외부로부터 표시 장치(102)의 내부로 이물, 수분 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제2 기판(SUB2)은 제1 기판(SUB1)과 마주보도록 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 기판(SUB2)은 봉지 기판일 수 있다. 제2 기판(SUB2)은 제1 기판(SUB1)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 기판(SUB2)은 유리, 플라스틱 등을 포함할 수 있다.
제2 기판(SUB2) 아래에 반사 조정층(RCL)이 배치될 수 있다. 반사 조정층(RCL)은 외광에 의한 반사율을 저감시킬 수 있다. 반사 조정층(RCL)에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다.
제2 기판(SUB2) 상에 터치 감지층(TCL)이 배치될 수 있다. 터치 감지층(TCL)은 복수의 터치 전극들을 포함하며, 사용자의 터치를 감지할 수 있다.
제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 사이에는 충진층(FL)이 배치될 수 있다. 충진층(FL)의 내부에는 충진재가 충진될 수 있다. 예를 들어, 상기 충진재는 공기, 유기 고분자 물질, 수지 등을 포함할 수 있다. 충진층(FL)은 표시 장치(102)의 고온 안정성 및 충격 흡수성을 향상시킬 수 있다.
도 13은 도 11의 II-II' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(102)는 제1 기판(SUB1), 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3), 절연 구조물(IL), 제1 내지 제3 발광 소자들(LED1, LED2, LED3), 화소 정의막(PDL), 캡핑층(CL), 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3), 충진층(FL), 반사 조정층(RCL), 차광층(BL) 및 제2 기판(SUB2)을 포함할 수 있다. 이하에서, 도 2를 참조하여 설명한 표시 장치(100)와 중복되는 설명은 생략하거나 간략화한다.
제1 기판(SUB1) 상에 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3), 절연 구조물(IL), 제1 내지 제3 발광 소자들(LED1, LED2, LED3), 화소 정의막(PDL), 캡핑층(CL) 및 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3)이 순차적으로 배치될 수 있다.
제1 기판(SUB1)과 마주보도록 제2 기판(SUB2)이 배치될 수 있다. 제2 기판(SUB2) 아래에 차광층(BL)이 배치될 수 있다. 차광층(BL)은 비발광 영역(NEA)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 차광층(BL)은 블랙 안료, 블랙 염료 등과 같은 차광 물질을 함유하는 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다.
제2 기판(SUB2) 아래에 반사 조정층(RCL)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 반사 조정층(RCL)은 안료, 염료, 용매, 계면 활성제 등을 함유하는 무기 물질 및/또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 반사 조정층(RCL)에는 반사 조정층(RCL)의 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 정의될 수 있다. 리세스(RS)는 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3) 각각과 중첩할 수 있다.
제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 상에 충진층(FL)이 배치될 수 있다. 구체적으로, 충진층(FL)은 캡핑층(CL)과 반사 조정층(RCL) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 충진층(FL)은 반사 반지층(RCL)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 예를 들어, 충진층(FL)은 반사 조정층(RCL)의 리세스(RS)를 채울 수 있다.
일 실시예에 있어서, 가시광선에 대하여, 충진층(FL)의 굴절률은 반사 조정층(RCL)의 굴절률보다 클 수 있다. 예를 들어, 충진층(FL)의 굴절률과 반사 조정층(RCL)의 굴절률 차이는 약 0.05 이상일 수 있다. 바람직하게는, 충진층(FL)의 굴절률과 반사 조정층(RCL)의 굴절률 차이는 약 0.1 이상일 수 있다.
도 14 내지 도 18은 도 13의 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 이하에서, 도 3 내지 도 12를 참조하여 설명한 표시 장치(100)의 제조 방법과 중복되는 설명은 생략하거나 간략화한다.
도 14를 참조하면, 제2 기판(SUB2) 상에 차광층(BL)이 형성될 수 있다. 차광층(BL)은 비발광 영역(NEA)과 중첩할 수 있다. 예를 들어, 차광층(BL)은 차광 물질을 함유하는 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 15를 참조하면, 제2 기판(SUB2) 상에 예비 반사 조정층(RCL')이 형성될 수 있다. 예비 반사 조정층(RCL')은 차광층(BL)을 커버할 수 있다. 예를 들어, 예비 반사 조정층(RCL')은 염료, 안료, 용매, 계면 활성제 등을 함유하는 무기 물질 또는 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 예비 반사 조정층(RCL') 상에 마스크(M)를 위치시킬 수 있다. 예를 들어, 마스크(M)는 반 투과부(M2) 및 광 투과부(M1)를 포함할 수 있다. 광 투과부(M1)는 광을 전부 투과시키고, 반 투과부(M2)는 광의 일부만 투과시킬 수 있다.
마스크(M)를 통해 예비 반사 조정층(RCL')에 노광 및 현상 공정이 수행될 수 있다. 이때, 광 투과부(M1)에 대응하는 예비 반사 조정층(RCL')의 부분은 제거되지 않을 수 있다. 반면, 반 투과부(M2)에 대응하는 예비 반사 조정층(RCL')의 부분은 일부가 제거될 수 있다. 이에 따라, 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스(RS)가 형성된 반사 조정층(RCL)이 형성될 수 있다. 리세스(RS)는 제1 내지 제3 발광 영역들(EA1, EA2, EA3) 각각과 중첩할 수 있다.
도 2 및 도 13 및 도 18을 참조하면, 제1 기판(SUB1) 상에 제1 내지 제3 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3), 절연 구조물(IL), 제1 내지 제3 발광 소자들(LED1, LED2, LED3), 화소 정의막(PDL), 캡핑층(CL) 및 제1 내지 제3 광 흡수층들(LAL1, LAL2, LAL3)이 순차적으로 형성될 수 있다.
그 다음, 실링 부재(SL)를 통해 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)을 합착시킬 수 있다. 이때, 캡핑층(CL) 및 반사 조정층(RCL) 사이에는 공기, 유기 고분자 물질, 수지 등을 포함하는 충진재가 채워질 수 있다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 합착됨에 따라, 상기 충진재를 포함하는 충진층(FL)이 정의될 수 있다.
이에 따라, 도 13에 도시된 표시 장치(102)가 제조될 수 있다.
도 19는 도 1의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다. 도 20은 도 19의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 21은 도 19의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 19, 도 20 및 도 21은 참조하면, 일 실시예에 있어서, 전자 기기(900)는 프로세서(910), 메모리 장치(920), 스토리지 장치(930), 입출력 장치(940), 파워 서플라이(950) 및 표시 장치(960)를 포함할 수 있다. 이 경우, 표시 장치(960)는 도 1, 도 2, 도 10, 도 11, 도 12 및 도 13을 참조하여 설명한 표시 장치(100, 101, 102)에 대응될 수 있다. 전자 기기(900)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신할 수 있는 여러 포트들을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 20에 도시된 바와 같이, 전자 기기(900)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 도 21에 도시된 바와 같이, 전자 기기(900)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 전자 기기(900)는 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 전자 기기(900)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트 패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
프로세서(910)는 특정 계산들 또는 태스크들(tasks)을 수행할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(910)는 마이크로프로세서(microprocessor), 중앙 처리 유닛(central processing unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(application processor; AP) 등일 수 있다. 프로세서(910)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus), 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 프로세서(910)는 주변 구성 요소 상호 연결(peripheral component interconnect; PCI) 버스 등과 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(920)는 전자 기기(900)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들면, 메모리 장치(920)는 이피롬(erasable programmable read-only memory; EPROM) 장치, 이이피롬(electrically erasable programmable read-only memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(phase change random access memory; PRAM) 장치, 알램(resistance random access memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(nano floating GEe memory; NFGM) 장치, 폴리머램(polymer random access memory; PoRAM) 장치, 엠램(magnetic random access memory; MRAM), 에프램(ferroelectric random access memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(dynamic random access memory; DRAM) 장치, 에스램(static random access memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
스토리지 장치(930)는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(hard disk drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다.
입출력 장치(940)는 키보드, 키패드, 터치 패드, 터치 스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다.
파워 서플라이(950)는 전자 기기(900)의 동작에 필요한 전원을 공급할 수 있다. 표시 장치(960)는 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 장치(960)는 입출력 장치(940)에 포함될 수도 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 고해상도 스마트폰, 휴대폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북 등에 적용될 수 있다.
100, 101, 102: 표시 장치
EA: 발광 영역
NEA: 비발광 영역 SUB: 기판
LAL1, LAL2, LAL3: 제1 내지 제3 광 흡수층들
PE1, PE2, PE3: 제1 내지 제3 화소 전극들
EML1, EML2, EML3: 제1 내지 제3 발광층들
CE1, CE2, CE3: 재1 내지 제3 공통 전극들
LED1, LED2, LED3: 제1 내지 제3 발광 소자들
TE1: 제1 터치 전극 TE2: 제2 터치 전극
TCL: 터치 감지층 BL: 차광층
RCL: 반사 조정층 OL: 접착층
FL: 충진층
NEA: 비발광 영역 SUB: 기판
LAL1, LAL2, LAL3: 제1 내지 제3 광 흡수층들
PE1, PE2, PE3: 제1 내지 제3 화소 전극들
EML1, EML2, EML3: 제1 내지 제3 발광층들
CE1, CE2, CE3: 재1 내지 제3 공통 전극들
LED1, LED2, LED3: 제1 내지 제3 발광 소자들
TE1: 제1 터치 전극 TE2: 제2 터치 전극
TCL: 터치 감지층 BL: 차광층
RCL: 반사 조정층 OL: 접착층
FL: 충진층
Claims (23)
- 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상의 상기 발광 영역에 배치되고, 순차적으로 배치된 화소 전극, 발광층 및 상부 전극을 포함하는 발광 소자;
상기 발광 소자 상에 배치되고, 상기 비발광 영역과 중첩하는 차광층; 및
상기 발광 소자 상에 배치되고, 상기 차광층을 커버하며, 상기 발광 영역에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스가 정의된 반사 조정층을 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 반사 조정층 상에 배치되는 접착층을 더 포함하고,
상기 접착층의 굴절률은 상기 반사 조정층의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제2 항에 있어서, 상기 접착층의 굴절률과 상기 반사 조정층의 굴절률 차이는 0.05 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제2 항에 있어서, 상기 접착층은 상기 반사 조정층과 직접적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 발광 소자 및 상기 반사 조정층 사이에 배치되는 충진층을 더 포함하고,
상기 충진층의 굴절률은 상기 반사 조정층의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제5 항에 있어서, 상기 충진층은 상기 반사 조정층과 직접적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제5 항에 있어서, 상기 충진층의 굴절률과 상기 반사 조정층의 굴절률 차이는 0.05 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 상부 전극 상에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 광 흡수층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제8 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 발광 영역에만 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제8 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 발광 영역 및 상기 비발광 영역에 전체적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제8 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 금속, 실리콘 화합물 및 금속 산화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 반사 조정층은 무기 무질 또는 유기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제12 항에 있어서, 상기 반사 조정층은 용매, 염료, 안료 및 계면 활성제로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제12 항에 있어서, 상기 유기 물질은 포토레지스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제1 항에 있어서,
상기 발광 소자 및 상기 차광층 사이에 배치되고, 제1 터치 전극 및 상기 제1 터치 전극에 접속되는 제2 터치 전극을 포함하는 터치 감지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 기판 상의 상기 발광 영역에, 순차적으로 형성된 화소 전극, 발광층 및 상부 전극을 포함하는 발광 소자를 형성하는 단계;
상기 발광 소자 상에, 상기 비발광 영역과 중첩하는 차광층을 형성하는 단계;
상기 발광 소자 상에, 상기 차광층을 커버하는 예비 반사 조정층을 형성하는 단계; 및
상기 발광 영역과 중첩하는 상기 예비 반사 조정층의 일부를 제거하여 상기 발광 영역에서 상면으로부터 오목하게 함몰된 리세스가 정의된 반사 조정층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서, 상기 반사 조정층을 형성하는 단계는,
하프톤 마스크 또는 슬릿 마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 반사 조정층 상에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 접착층의 굴절률은 상기 반사 조정층의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제18 항에 있어서,
상기 접착층의 굴절률과 상기 반사 조정층의 굴절률 차이는 0.05 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제18 항에 있어서, 상기 접착층은 상기 반사 조정층과 직접적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제18 항에 있어서, 상기 발광 소자를 형성하는 단계 이후에,
상기 상부 전극 상에, 무기 물질을 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서, 상기 반사 조정층은 무기 무질 또는 유기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
- 제22 항에 있어서, 상기 반사 조정층은 용매, 염료, 안료 및 계면 활성제로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220147047A KR20240067171A (ko) | 2022-11-07 | 2022-11-07 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US18/354,059 US20240155923A1 (en) | 2022-11-07 | 2023-07-18 | Display device and method for manufacturing the same |
| CN202311464047.9A CN117998897A (zh) | 2022-11-07 | 2023-11-06 | 显示装置和用于制造显示装置的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220147047A KR20240067171A (ko) | 2022-11-07 | 2022-11-07 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20240067171A true KR20240067171A (ko) | 2024-05-16 |
Family
ID=90895268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220147047A KR20240067171A (ko) | 2022-11-07 | 2022-11-07 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240155923A1 (ko) |
| KR (1) | KR20240067171A (ko) |
| CN (1) | CN117998897A (ko) |
-
2022
- 2022-11-07 KR KR1020220147047A patent/KR20240067171A/ko unknown
-
2023
- 2023-07-18 US US18/354,059 patent/US20240155923A1/en active Pending
- 2023-11-06 CN CN202311464047.9A patent/CN117998897A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240155923A1 (en) | 2024-05-09 |
| CN117998897A (zh) | 2024-05-07 |
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