CN117995100A - 显示装置 - Google Patents

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印秉宏
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Guangzhou Tyrafos Semiconductor Technologies Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种显示装置，包括：显示面板，包括多个子像素区域，各包括像素电路，每个像素电路包括：二极管，在像素电路的显示阶段中被设置为顺向偏压状态，以用于发光，在像素电路的感测阶段中被设置为逆向偏压状态，以用于产生感测电压；驱动晶体管，用于在显示阶段中驱动二极管；读出晶体管，感测电压在感测阶段中被施加至读出晶体管的闸极，以使读出晶体管作为源极追随器；第一晶体管至第七晶体管，分别被施加闸极控制信号，以使像素电路在显示阶段以及感测阶段之间切换；以及电容，用于在显示阶段中储存要写入二极管的数据电压。

Description

显示装置
技术领域
本发明关于一种显示装置，特别是一种能够在同一个像素电路中同时实现显示与感测两种功能以具有屏内感测功能的显示装置。
背景技术
一般来说，显示装置仅具备显示功能。有些显示装置同时具有显示和触控功能。然而，当需要进行感测时，例如，当需要使用光学指纹传感器(Optical Fingerprint Sensor,OFPS)进行感测时，光学指纹传感器会需要以另一个独立的装置实施。此外，当在显示装置下方贴合光学式感测模块时，会产生额外的成本、额外的厚度、以及贴合时的额外良率风险。
此外，由于感测的面积取决于传感器的面积，因此，感测的面积会远小于整个面板的面积。另，由于光学式感测模块贴合于显示装置的下方，被感测对象与传感器之间的组件会导致光被遮挡。
因此，需要提供一种能将感测功能以及显示功能整合在同一个像素电路的显示装置，以克服上述问题。
发明内容
为达到有效解决上述问题的目的，本发明提出一种显示装置，包括：一显示面板，包括多个子像素区域，各包括一像素电路，每个像素电路包括：一二极管，在该像素电路的一显示阶段中被设置为一顺向偏压状态，以用于发光，以及在该像素电路的一感测阶段中被设置为一逆向偏压状态，以用于产生一感测电压；一驱动晶体管，用于在该显示阶段中驱动该二极管；一读出晶体管，该感测电压在该感测阶段中被施加至该读出晶体管的一闸极，以使该读出晶体管作为一源极追随器(source follower)；第一晶体管至第七晶体管，该第一晶体管至第七晶体管的闸极分别被施加闸极控制信号，以使该像素电路在该显示阶段以及该感测阶段之间切换；以及一电容，用于在该显示阶段中储存要写入该二极管的一数据电压；一第一电路，借由施加该多个闸极控制信号至每个像素电路，以使每个像素电路分别在该显示阶段以及该感测阶段之间切换；以及一第二电路，用于施加一初始化电压、该数据电压、一驱动电压以及一共享电压，且该第二电路包括多个读出电路，用于在该像素电路的该感测阶段中将该感测电压读出。
较佳地，该闸极控制信号包括第一闸极控制信号至第四闸极控制信号，该第一闸极控制信号分别被施加至该第一晶体管与该第五晶体管的多个闸极，该第二闸极控制信号分别被施加至该第二晶体管与该第三晶体管的多个闸极，该第三闸极控制信号分别被施加至该第四晶体管与该第六晶体管的多个闸极，以及该第四闸极控制信号被施加至该第七晶体管的闸极。
较佳地，该二极管包括微发光二极管、次毫米发光二极管、以及有机发光二极管其中之一，以及该多个晶体管包括P型金氧半场效晶体管、N型金氧半场效晶体管、薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、低温多晶氧化物薄膜晶体管其中之一或其组合。
较佳地，每个读出电路对应并且连接至同一行的多个像素电路，以将该行的该多个像素电路中的该感测电压读出其中，以及每个读出电路包括一模拟数字转换器，用于执行模拟数字转换，以将该感测电压读出。
较佳地，在每个该像素电路中，该第一晶体管的一第一电极被施加该驱动电压，该第一晶体管的一第二电极连接至一第一节点，该第二晶体管的一第一电极被施加该数据电压，该第二晶体管的一第二电极连接至该第一节点，该第三晶体管的一第一电极连接至一第二节点，该第三晶体管的一第二电极连接至一第三节点，该第四晶体管的一第一电极连接至该第二节点，该第四晶体管的一第二电极连接至一第四节点，该第五晶体管的一第一电极连接至该第三节点，该第五晶体管的一第二电极连接至一第五节点，该第六晶体管的一第一电极连接至该第四节点，该第六晶体管的一第二电极连接至该第五节点，该第七晶体管的一第一电极连接至该第四节点，该第七晶体管的一第二电极连接至该读出晶体管的一第一电极，该驱动晶体管的一闸极连接至该第二节点，该驱动晶体管的一第一电极连接至该第一节点，该驱动晶体管的一第二电极连接至该第三节点，该读出晶体管的该闸极连接至该第五节点，该读出晶体管的一第一电极连接至该第七晶体管的该第二电极，该读出晶体管的一第二电极被施加该共享电压，该二极管的一第一电极连接至该第五节点，该二极管的一第二电极被施加该共享电压，该电容的一端被施加有该驱动电压，一端连接至该第二节点，以及该初始化电压被施加至该第四节点。
较佳地，该感测阶段包括：一第一感测阶段，用于初始化该像素电路及该二极管，以使该像素电路能写入该数据电压以及使该二极管处于该逆向偏压状态；以及一第二感测阶段，该二极管开始累积电荷，以产生该感测电压，并将该感测电压读出，以及该显示阶段包括：一第一显示阶段，用于写入该数据电压；以及一第二显示阶段，用于使该二极管根据该数据电压发光。
较佳地，在该第一感测阶段，该第一四闸极控制信号至第四闸极控制信号分别控制该第一晶体管至第七晶体管，以使该第四晶体管以及该第六晶体管为导通，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第五晶体管、该第七晶体管为关断，直到该第二感测阶段开始前将该第四晶体管以及该第六晶体管关断，在该第二感测阶段，该第一闸极控制信号至第四闸极控制信号分别控制该第一晶体管至第七晶体管，以使该第七晶体管为导通，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管、以及该第六晶体管为关断，直到该第一显示阶段开始前将该第七晶体管关断，在该第一显示阶段，该第一闸极控制信号至第四闸极控制信号分别控制该第一晶体管至第七晶体管，以使该第二晶体管以及该第三晶体管为导通，该第一晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管、该第六晶体管以及该第七晶体管为关断，以及在该第二显示阶段，该第一闸极控制信号至第四闸极控制信号分别控制该第一晶体管至第七晶体管，以使该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管、该第六晶体管以及该第七晶体管为关断，且在该第二显示阶段开始后使该第一晶体管以及该第五晶体管为导通。
较佳地，在该第二感测阶段，该读出晶体管用作为该源极追随器，以使该感测电压以该第五节点作为一输入电压的方式输入至该读出晶体管的该闸极，且以位于该读出电路的一输出电压读出该感测电压。
较佳地，该显示面板包括多个面板区域，每个面板区域包括第一像素列至第j像素列，每列像素列皆包括多个子像素区域，以及借由施加该多个闸极控制信号至每个像素电路，在执行完一面板区域中的一列像素列的该感测阶段后，直接跳到执行下一个面板区域中的对应列像素列的该感测阶段。
较佳地，该显示装置进一步包括一补偿比对部，用于根据邻近于处于感测阶段中的该像素电路的该二极管的处于该显示阶段中的该像素电路的该二极管的显示内容，去比对校正该二极管的该感测电压
为使本领域技术人员了解本发明的目的、特征及功效，兹借由下述具体实施例，并配合所附之图式，对本发明详加说明如下。
附图说明
图1A为仅具显示功能的显示装置的操作时序图；
图1B为本发明的显示装置的操作时序图；
图2为依据本发明的实施例的显示装置的结构图；
图3为依据本发明的实施例的像素电路的电路图；
图4为说明依据本发明的实施例的像素电路的时序操作图；
图5为依据本发明的实施例的像素电路的第一感测阶段的等效电路图；
图6为依据本发明的实施例的像素电路的第二感测阶段的等效电路图；
图7为依据本发明的实施例的像素电路的第一显示阶段的等效电路图；
图8为依据本发明的实施例的像素电路的第二显示阶段的等效电路图；以及
图9为依据本发明的实施例的显示面板的控制方法的示意图。
附图标记说明：
1:显示装置；10:像素电路；20:第一电路；30:第二电路；40:读出电路；50:显示面板；C1:电容；D1:第一显示阶段；D2:第二显示阶段；D3:第三显示阶段；ELVDD:驱动电压；ELVSS:共享电压；EM:第一闸极控制信号；GCS:闸极控制信号；LED:二极管；N1:第一节点；N2:第二节点；N3:第三节点；N4:第四节点；N5:第五节点；PA11-PAmn:面板区域；PR1至PRj:第一像素列至第j像素列；S1:第一感测阶段；S2:第二感测阶段；S_en:第四闸极控制信号；Sn:第二闸极控制信号；Sn-1:第三闸极控制信号；SP:子像素区域；T1:第一晶体管；T2:第二晶体管；T3:第三晶体管；T4:第四晶体管；T5:第五晶体管；T6:第六晶体管；T7:第七晶体管；T8:驱动晶体管；T9:读出晶体管；Tf:图框时间；Vdata:数据电压；Vgs:闸极源极电压；Vinit:初始化电压；Vov:过驱电压；Vsen:感测电压；Vth:阀值电压。
具体实施方式
现在将参考其中示出本发明概念的示例性实施例的附图在下文中更充分地阐述本发明概念。以下借由参考附图更详细地阐述的示例性实施例，本发明概念的优点及特征以及其达成方法将显而易见。然而，应注意，本发明概念并非仅限于以下示例性实施例，而是可实施为各种形式。因此，提供示例性实施例仅是为了揭露本发明概念并使本领域技术人员了解本发明概念的类别。在图式中，本发明概念的示例性实施例并非仅限于本文所提供的特定实例且为清晰起见而进行夸大。
本文所用术语仅用于阐述特定实施例，而并非旨在限制本发明。除非上下文中清楚地另外指明，否则本文所用的单数形式的用语“一”及“该”旨在亦包括多形式。本文所用的用语“和/或”包括相关所列项其中一或多者的任意及所有组合。应理解，当称组件“连接”或“耦合”至另一组件时，所述组件可直接连接或耦合至所述另一组件或可存在中间组件。
相似地，应理解，当称一个组件(例如层、区或基板)位于另一组件“上”时，所述组件可直接位于所述另一组件上，或可存在中间组件。相比之下，用语“直接”意指不存在中间组件。更应理解，当在本文中使用用语“包括”、“包含”时，是表明所陈述的特征、整数、步骤、操作、组件、和/或组件的存在，但不排除一或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、组件、和/或其群组的存在或添加。
此外，将借由作为本发明概念的理想化示例性图的剖视图来阐述详细说明中的示例性实施例。相应地，可根据制造技术和/或可容许的误差来修改示例性图的形状。因此，本发明概念的示例性实施例并非仅限于示例性图中所示出的特定形状，而是可包括可根据制造制程而产生的其他形状。图式中所例示的区域具有一般特性，且用于说明组件的特定形状。因此，此不应被视为仅限于本发明概念的范围。
亦应理解，尽管本文中可能使用用语“第一”、“第二”、“第三”多个来阐述各种组件，然而该些组件不应受限于该些用语。该些用语仅用于区分各个组件。因此，某些实施例中的第一组件可在其他实施例中被称为第二组件，而此并不背离本发明的教示内容。本文中所阐释及说明的本发明概念的态样的示例性实施例包括其互补对应物。本说明书通篇中，相同的组件编号或相同的指示物表示相同的组件。
此外，本文中参考剖视图及/或平面图来阐述示例性实施例，其中所述剖视图和/或平面图是理想化示例性说明图。因此，预期存在由例如制造技术和/或容差所造成的相对于图示形状的偏离。因此，示例性实施例不应被视作仅限于本文中所示区的形状，而是欲包括由例如制造所导致的形状偏差。因此，图中所示的区为示意性的，且其形状并非旨在说明装置的区的实际形状、亦并非旨在限制示例性实施例的范围。
需要说明的是，本发明的像素电路可实施在红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素、白色子像素等任意子像素中，但本发明不限于此。
请参考图1A，图1A为仅具显示功能的显示装置的操作时序图。如图1A所示，仅具显示功能的显示装置以逐列的方式显示，从左上角至右下角，最后组成一个图框。一个图框时间Tf包括：第一显示阶段D1，用于初始化电路；第二显示阶段D2，用于写入资料；第三显示阶段D3，用于发光以显示数据。由于显示装置仅有显示功能，因此，一个图框时间Tf等于第一显示阶段D1至第三显示阶段D3的总和。
应理解的是，在电路实际运作时，各阶段之间会有切换的时间，而为了便于理解，在本说明书中，各阶段的时长包括实际执行对应的动作以及切换至下一个阶段的时间，例如，第二显示阶段D2包括写入资料以及切换至第三显示阶段D3的时间。
接下来，请参考图1B，图1B为本发明的显示装置的操作时序图。由于本发明将感测功能以及显示功能整合至显示装置中的同一个像素电路中，因此，本发明的图框时间Tf进一步包括用于感测数据的感测阶段。因此，借由闸极控制信号的控制，本发明的显示装置的操作时序被调整为包括第一感测阶段S1至第二感测阶段S2的感测阶段以及包括第一显示阶段D1至第二显示阶段D2的显示阶段。
需要进一步说明的是，本发明将图1A中的用于初始化电路的第一显示阶段整合至本发明的第一感测阶段S1中，以使显示装置的像素电路10能在第一显示阶段D1中直接写入资料，因此，在本发明中，一个图框时间Tf包括：第一感测阶段S1，用于初始化像素电路10以使像素电路10能写入数据以及使二极管LED处于逆向偏压；第二感测阶段S2，用于使二极管LED收光，且将所产生的感测电压读出至像素电路10外部；第一显示阶段D1，用于写入资料；第二显示阶段D2，用于发光以显示数据。
可理解的是，根据使用者的设定，在同一时间点，显示装置中的像素电路可处于不同的阶段，例如，不同列的像素电路处于不同的阶段。此外，由于本发明的感测阶段以及显示阶段借由闸极控制信号GCS的控制以调整操作时序而达成，因此，根据使用者的设定以及需求，可随时开启或关闭显示装置的感测阶段。
请参考图2，图2为本发明的显示装置1的结构图。
参考图2，本发明的显示装置1包括：显示面板50，包括多个子像素区域SP，各包括像素电路10；第一电路20，借由施加闸极控制信号GCS至每个像素电路10，以使每个像素电路10分别在显示阶段D以及感测阶段S之间切换，例如，第一电路20可为列电路(rowcircuit)；以及第二电路30，用于施加数据电压Vdata且包括多个读出电路40，每个读出电路40连接至同一行的多个像素电路10，以用于在感测阶段S中将该行的像素电路10中的二极管LED所感测的光读出，例如，第二电路30可为行电路(column circuit)。
应理解的是，第一电路20可例如为列电路或行电路其中之一。第二电路30可例如为行电路或列电路其中之一。但不以此为限。
请参考图3，图3为依据本发明的实施例的像素电路10的电路图。
参考图3，本发明的像素电路10包括：第一晶体管T1至第七晶体管T7；驱动晶体管T8；读出晶体管T9；二极管LED；以及电容C1。闸极控制信号GCS包括第一闸极控制信号EM、第二闸极控制信号Sn、第三闸极控制信号Sn-1以及第四闸极控制信号S_en。第一晶体管T1由第一闸极控制信号EM所控制、第二晶体管T2由第二闸极控制信号Sn所控制、第三晶体管T3由第二闸极控制信号Sn所控制、第四晶体管T4由第三闸极控制信号Sn-1所控制、第五晶体管T5由第一闸极控制信号EM所控制、第六晶体管T6由第三闸极控制信号Sn-1所控制、以及第七晶体管T7由第四闸极控制信号S_en所控制。此外，数据电压Vdata、初始化电压Vinit、驱动电压ELVDD、以及共享电压ELVSS被施加至像素电路10。
参考图3，在像素电路10中：第一晶体管T1的第一电极被施加有驱动电压ELVDD，第一晶体管T1的第二电极连接至第一节点N1；第二晶体管T2的第一电极被施加数据电压Vdata，第二晶体管T2的第二电极连接至第一节点N1；第三晶体管T3的第一电极连接至第二节点N2，第三晶体管T3的第二电极连接至第三节点N3；第四晶体管T4的第一电极连接至第二节点N2，第四晶体管T4的第二电极连接至第四节点N4；第五晶体管T5的第一电极连接至第三节点N3，第五晶体管T5的第二电极连接至第五节点N5；第六晶体管T6的第一电极连接至第四节点N4，第六晶体管T6的第二电极连接至第五节点N5；第七晶体管T7的第一电极连接至第四节点N4，第七晶体管T7的第二电极连接至读出晶体管T9的第一电极；驱动晶体管T8的闸极连接至第二节点N2，驱动晶体管T8的第一电极连接至第一节点N1，驱动晶体管T8的第二电极连接至第三节点N3；读出晶体管T9的闸极连接至第五节点N5，读出晶体管T9的第一电极连接至第七晶体管T7的第二电极，读出晶体管T9的第二电极被施加共享电压ELVSS；二极管LED的第一电极连接至第五节点N5，二极管LED的第二电极被施加共享电压ELVSS；电容C1的一端被施加有驱动电压ELVDD，一端连接至第二节点N2；以及初始化电压Vinit被施加至第四节点N4。
需要说明的是，本发明的显示装置借由闸极控制信号GCS的施加将像素电路10分为感测阶段以及显示阶段。在感测阶段中，二极管LED处于逆向偏压，以作为光电二极管感测光，接着，所产生之光电流会将二极管LED第一电极的电压改变为感测电压Vsen，最后，以读出晶体管T9作为源极追随器，以读出电路40将感测电压Vsen读出。在显示阶段中，二极管LED处于顺向偏压，以作为发光二极管发光，以根据数据电压Vdata显示数据。可理解的是，本发明的二极管LED包括但不限于包括微发光二极管(micro-LED)、次毫米发光二极管(mini-LED)、以及有机发光二极管(OLED)。
应理解的是，本发明的实施例使用的是P型金氧半场效晶体管(PMOS)作为像素电路10中的示例性晶体管，所以施加高电压至其闸极会使其关断，而施加低电压至其闸极会使其导通。然而，本发明不限于此。本发明的子像素电路所使用的晶体管可任意地根据需求实施为PMOS、N型金氧半场效晶体管(NMOS)、薄膜晶体管(TFT)、低温多晶硅(LTPS)TFT、低温多晶氧化物(LTPO)TFT等等。此外，晶体管亦可任意地组合形成本发明的子像素电路。例如，某些晶体管实施为PMOS，其他晶体管实施为NMOS。因此，熟悉本领域的技术人员可轻易地了解本发明的发明概念可应用至使用各类型的晶体管的像素电路，而不受晶体管的特性的限制。
下将参考图3-图6说明依据本发明的实施例的像素电路10的感测阶段的电路运作。图4为说明依据本发明的实施例的像素电路10的时序操作图；图5为依据本发明的实施例的像素电路10的第一感测阶段S1的等效电路图；以及图6为依据本发明的实施例的像素电路10的第二感测阶段S2的等效电路图。
参考图4，本发明的像素电路10的操作时序包括：第一感测阶段S1，以初始化电压Vinit初始化像素电路10以使像素电路10初始化电容C1以及使二极管LED处于逆向偏压；第二感测阶段S2，用于使二极管LED收光，且将所产生的感测电压Vsen读出至位于像素电路10的外部的读出电路40；第一显示阶段D1，用于写入数据电压Vdata；以及第二显示阶段D2，用于根据数据电压Vdata发光。
具体地，参考图3-图5，在第一感测阶段S1中，根据第一闸极控制信号EM、第二闸极控制信号Sn、第三闸极控制信号Sn-1、以及第四闸极控制信号S_en的控制，第四晶体管T4以及第六晶体管T6为导通，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第五晶体管T5、第七晶体管T7为关断，直到第二感测阶段S2开始前将第四晶体管T4以及第六晶体管T6关断。因此，从图5中，可看出初始化电压Vinit可被设定以使二极管LED处于逆向偏压，以作为光电二极管感测光。同时，初始化电压Vinit可用于初始化电容C1，以使电容C1可于第一显示阶段D1写入资料。
具体地，参考图3、图4、图6，在第二感测阶段S2中，根据第一闸极控制信号EM、第二闸极控制信号Sn、第三闸极控制信号Sn-1、以及第四闸极控制信号S_en的控制，第七晶体管T7为导通，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、以及第六晶体管T6为关断，直到第一显示阶段D1开始前将第七晶体管T7关断。因此，二极管LED开始收光，此时，所产生的光电流会将二极管LED的第一电极的电压改变为感测电压Vsen，接着，以读出晶体管T9作为源极追随器，最后，读出电路40将感测电压Vsen读出。可理解的是，读出电路40可包括电流源(current source)电路和模拟数字转换器(ADC)(图中未示)，执行模拟数字信号转换，以利后续信号处理和分析，但不限于此。
以下将参考图3-图4、图7-图8说明依据本发明的实施例的像素电路10的显示阶段的电路运作。图7为依据本发明的实施例的像素电路10的第一显示阶段D1的等效电路图；图8为依据本发明的实施例的像素电路10的第二显示阶段D2的等效电路图。
具体地，参考图3-图4、图7，在第一显示阶段D1中，根据第一闸极控制信号EM、第二闸极控制信号Sn、第三闸极控制信号Sn-1、以及第四闸极控制信号S_en的控制，第二晶体管T2以及第三晶体管T3为导通，第一晶体管T1、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7为关断。由于第二晶体管T2为导通，数据电压Vdata可施加至驱动晶体管T8的第一电极。此时，由于驱动晶体管T8以二极管连接(diode connected)的方式连接，因此，数据电压Vdata借由驱动晶体管T8储存至第二节点N2，以数据电压Vdata减去驱动晶体管T8的阀值电压Vth的方式写入至电容C1。
具体地，参考图3-图4、图8，在第二显示阶段D2中，根据第一闸极控制信号EM、第二闸极控制信号Sn、第三闸极控制信号Sn-1、以及第四闸极控制信号S_en的控制，在第二显示阶段D2开始后将第一晶体管T1以及第五晶体管T5为导通，且在第二显示阶段D2中使第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第六晶体管T6、以及第七晶体管T7为关断。因此，在第二显示阶段D2中，写入至电容Cst的数据电压Vdata减去阀值电压Vth会做为驱动晶体管T8的闸极电压，且由于此电路设计，驱动晶体管T8的闸极源极电压Vgs会是(ELVDD-Vdata+Vth)电压，因此，驱动晶体管T8的过驱电压Vov会是(ELVDD-Vdata+Vth)电压再减去阀值电压Vth，因此，流经二极管LED的电流仅会被(ELVDD-Vdata)所控制，而不会被驱动晶体管T8的个别阀值电压Vth所影响。
请参考图9，图9为依据本发明的实施例的显示面板50的控制方法的示意图。
在本发明中，由于显示装置中的像素电路10同时用于显示以及感测两种功能，因此，显示装置的显示以及感测的讯框率(frame rate)会相同。然而，通常来说，感测所需的反应速度通常会比显示的讯框率更快。因此，需提出一种显示面板的控制方法，以提高感测的速度。
参考图9，本发明的显示面板50中的子像素区域SP被划分为多个面板区域PA11至PAmn，每个面板区域PA11至PAmn包括多条像素列PR1至PRj，每条像素列PR1至PRj包括多个子像素区域SP，例如16个，但不限于此。例如，面板区域PA11以及面板区域PA21皆包括第一像素列PR1至第j像素列PRj。
本发明提出一种显示面板50的跳列(row)感测，例如，根据图9的箭头所示，当感测完面板区域PA11的第一像素列PR1后，可直接跳过面板区域PA11的第二像素列PR2至第j像素列PRj，以感测面板区域PA21的第一像素列PR1，而当感测完面板区域PA21的第一像素列PR1后，可直接跳过面板区域PA21的第二像素列PR2至第j像素列PRj，以感测下一个面板区域PA的第一像素列PR1，一直到跳至面板区域PAm1的第一像素列PR1。可理解的是，j为任意自然数，例如，16，可依使用者需求设定。因此，跳列感测可跳过任意数量的列，例如，15列，以根据使用者需求调整感测的速度以及感测的分辨率。
另外，在本发明中，由于显示装置中的像素电路10同时用于显示以及感测两种功能，因此，像素电路10的感测电压Vsen会受邻近列的显示内容的影像。例如，当位于显示面板50中的一个像素电路10处于感测阶段时，而邻近该像素电路10的其他像素电路10处于显示阶段时，其他像素电路10所显示的内容会影响该像素电路10的感测电压Vsen。例如，当其他像素电路10中的二极管LED发光时该像素电路10的感测电压Vsen会不同于当其他像素电路10中的二极管LED未发光时该像素电路10的感测电压Vsen。因此，本发明的显示装置1包括一补偿比对部，用于根据邻近于处于感测阶段中的像素电路10的二极管LED的处于显示阶段中的像素电路10的二极管LED的显示内容，去比对校正二极管LED的感测电压Vsen。
最后，再将本发明的技术特征及其可达成的技术功效汇整如下：
其一，本发明的显示装置能够在同一个像素电路中同时实现显示与感测两种功能以具有屏内感测功能。
其二，由于本发明的显示装置使用同一个像素电路同时实现显示与感测两种功能，因此，被感测对象与传感器之间没有会导致光被遮挡的组件，因此，能实现更准确的感测。
其三，由于本发明的显示装置使用同一个像素电路同时实现显示与感测两种功能，因此，屏幕总厚度较薄、无须多余制程、且减少额外贴合导致的良率风险。
其四，由于本发明的显示装置能执行跳列感测，因此，可根据使用者需求提高感测速度。
其五，由于本发明的显示装置能根据邻近于处于感测阶段中的像素电路的二极管的处于显示阶段中的像素电路的二极管的显示内容，去比对校正二极管的感测电压，因此，能提供感测准确率及正确性。
以上借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，所属技术领域具有通常知识者可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的范围；凡其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在本申请的专利范围内。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
一显示面板，包括多个子像素区域，各包括一像素电路，每个像素电路包括：
一二极管，在所述像素电路的一显示阶段中被设置为一顺向偏压状态，以用于发光，以及在所述像素电路的一感测阶段中被设置为一逆向偏压状态，以用于产生一感测电压；
一驱动晶体管，用于在所述显示阶段中驱动所述二极管；
一读出晶体管，所述感测电压在所述感测阶段中被施加至所述读出晶体管的一闸极，以使所述读出晶体管作为一源极追随器；
第一晶体管至第七晶体管，所述第一晶体管至第七晶体管的闸极分别被施加闸极控制信号，以使所述像素电路在所述显示阶段以及所述感测阶段之间切换；以及
一电容，用于在所述显示阶段中储存要写入所述二极管的一数据电压；
一第一电路，借由施加多个所述闸极控制信号至每个像素电路，以使每个像素电路分别在所述显示阶段以及所述感测阶段之间切换；以及
一第二电路，用于施加一初始化电压、所述数据电压、一驱动电压以及一共享电压，且所述第二电路包括多个读出电路，用于在所述像素电路的所述感测阶段中将所述感测电压读出。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述闸极控制信号包括第一闸极控制信号至第四闸极控制信号，所述第一闸极控制信号分别被施加至所述第一晶体管与第五晶体管的多个闸极，第二闸极控制信号分别被施加至第二晶体管与第三晶体管的多个闸极，第三闸极控制信号分别被施加至第四晶体管与第六晶体管的多个闸极，以及所述第四闸极控制信号被施加至所述第七晶体管的闸极。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述二极管包括微发光二极管、次毫米发光二极管、以及有机发光二极管其中之一，以及
多个晶体管包括P型金氧半场效晶体管、N型金氧半场效晶体管、薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、低温多晶氧化物薄膜晶体管其中之一或其组合。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
每个读出电路对应并且连接至同一行的多个像素电路，以将所述行的所述多个像素电路中的所述感测电压读出其中，以及
每个读出电路包括一模拟数字转换器，用于执行模拟数字转换，以将所述感测电压读出。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在每个所述像素电路中，
所述第一晶体管的一第一电极被施加所述驱动电压，所述第一晶体管的一第二电极连接至一第一节点，
第二晶体管的一第一电极被施加所述数据电压，所述第二晶体管的一第二电极连接至所述第一节点，
第三晶体管的一第一电极连接至一第二节点，所述第三晶体管的一第二电极连接至一第三节点，
第四晶体管的一第一电极连接至所述第二节点，所述第四晶体管的一第二电极连接至一第四节点，
第五晶体管的一第一电极连接至所述第三节点，所述第五晶体管的一第二电极连接至一第五节点，
第六晶体管的一第一电极连接至所述第四节点，所述第六晶体管的一第二电极连接至所述第五节点，
所述第七晶体管的一第一电极连接至所述第四节点，所述第七晶体管的一第二电极连接至所述读出晶体管的一第一电极，
所述驱动晶体管的一闸极连接至所述第二节点，所述驱动晶体管的一第一电极连接至所述第一节点，所述驱动晶体管的一第二电极连接至所述第三节点，
所述读出晶体管的所述闸极连接至所述第五节点，所述读出晶体管的一第一电极连接至所述第七晶体管的所述第二电极，所述读出晶体管的一第二电极被施加所述共享电压，
所述二极管的一第一电极连接至所述第五节点，所述二极管的一第二电极被施加所述共享电压，
所述电容的一端被施加所述驱动电压，一端连接至所述第二节点，以及
所述初始化电压被施加至所述第四节点。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述感测阶段包括：
一第一感测阶段，用于初始化所述像素电路及所述二极管，以使所述像素电路能所述电容以及使所述二极管处于所述逆向偏压状态；以及
一第二感测阶段，所述二极管开始累积电荷，以产生所述感测电压，并将所述感测电压读出，以及
所述显示阶段包括：
一第一显示阶段，用于写入所述数据电压；以及
一第二显示阶段，用于使所述二极管根据所述数据电压发光。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一感测阶段，第一闸极控制信号至第四闸极控制信号分别控制所述第一晶体管至第七晶体管，以使第四晶体管以及第六晶体管为导通，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第五晶体管、所述第七晶体管为关断，直到所述第二感测阶段开始前将所述第四晶体管以及所述第六晶体管关断，
在所述第二感测阶段，所述第一闸极控制信号至第四闸极控制信号分别控制所述第一晶体管至第七晶体管，以使所述第七晶体管为导通，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、以及所述第六晶体管为关断，直到所述第一显示阶段开始前将所述第七晶体管关断，
在所述第一显示阶段，所述第一闸极控制信号至第四闸极控制信号分别控制所述第一晶体管至第七晶体管，以使所述第二晶体管以及所述第三晶体管为导通，所述第一晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管以及所述第七晶体管为关断，以及
在所述第二显示阶段，所述第一闸极控制信号至第四闸极控制信号分别控制所述第一晶体管至第七晶体管，以使所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第六晶体管以及所述第七晶体管为关断，且在所述第二显示阶段开始后使所述第一晶体管以及所述第五晶体管为导通。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，在所述第二感测阶段，所述读出晶体管用作为所述源极追随器，以使所述感测电压以所述第五节点作为一输入电压的方式输入至所述读出晶体管的闸极，且以位于所述读出电路的一输出电压读出所述感测电压。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示面板包括多个面板区域，每个面板区域包括第一像素列至第j像素列，每列像素列皆包括多个子像素区域，以及
借由施加多个所述闸极控制信号至每个像素电路，在执行完一面板区域中的一列像素列的所述感测阶段后，直接跳到执行下一个面板区域中的对应列像素列的所述感测阶段。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，进一步包括：
一补偿比对部，用于根据邻近于处于感测阶段中的所述像素电路的所述二极管的处于所述显示阶段中的所述像素电路的所述二极管的显示内容，去比对校正所述二极管的所述感测电压。
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