CN112992075A - 像素驱动电路及像素驱动方法、像素结构、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种像素驱动电路及像素驱动方法、像素结构、显示装置。所述像素驱动电路包括：采样单元，适于在所述扫描信号输出端输出的扫描信号的控制下，对所述图像信号输出端输出的图像信号进行采样；第一电容，具有第一端及第二端，适于驱动像素单元发光；校准单元，适于对驱动MOS管进行校准并探测得到所述驱动MOS管的阈值电压，以及将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容；控制单元，适于在保持所述第一电容存储电荷不变的情况下，调整所述第一电容第一端的电压，并控制所述像素单元的发光状态。采用上述方案，能够提高AM‑OLED的像素结构中发光二极管发光强度的均匀性。

Description

像素驱动电路及像素驱动方法、像素结构、显示装置

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种像素驱动电路及像素驱动方法、像素结构、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic-Light-Emitting Diode，OLED)显示技术，与目前主流的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，具有主动发光、发光效率高、对比度高、响应速度快、分辨率高、功耗低、柔性显示等优势。

随着技术的不断发展，OLED显示技术正在逐步取代传统的LCD显示技术，尤其在微型显示领域，OLED正显示出蓬勃的生命力。OLED显示器的每个像素是一个个的发光二极管。当有电流通过时，这些由有机材料制作的二极管便会发光，电流越大，发光的强度越高，所以OLED显示器不需要背光，且可以做的很轻薄、分辨率很高。

OLED的驱动方式主要分为被动式驱动OLED(Passive Matrix OLED，PM-OLED)和主动式驱动OLED(Active Matrix OLED，AM-OLED)。PM-OLED单纯地以二极管构成像素阵列，以扫描方式点亮阵列中的像素。其中，每个像素以短脉冲模式工作，因此其工作为瞬间高亮度发光。PM-OLED的优点是结构简单、成本低，缺点是驱动电压高、功耗高、寿命低、不适合大尺寸与高分辨率应用。

AM-OLED则是使用额外的晶体管去控制每个像素发光，每个像素都可以独立且连续发光，因此其具有驱动电压低、功耗低、寿命长等优点，AM-OLED逐渐成为主流驱动方式。

然而，现有AM-OLED的像素结构中，发光二极管的发光强度的均匀性较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是：提高AM-OLED的像素结构中发光二极管发光强度的均匀性。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：

采样单元，与图像信号输出端及扫描信号输出端耦接，适于在所述扫描信号输出端输出的扫描信号的控制下，对所述图像信号输出端输出的图像信号进行采样；

第一电容，具有第一端及第二端，所述第一电容的第一端与所述采样单元耦接；

驱动MOS管，与所述第一电容的第二端耦接，适于驱动像素单元发光；

校准单元，与所述第一电容的第二端及所述驱动MOS管耦接，适于对驱动MOS管进行校准并探测得到所述驱动MOS管的阈值电压，以及将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容；

控制单元，与所述第一电容的第一端、所述驱动MOS管及所述像素单元耦接，适于在保持所述第一电容存储电荷不变的情况下，调整所述第一电容第一端的电压，并控制所述像素单元的发光状态。

可选地，所述校准单元包括：至少一个第一开关管；所述第一开关管的控制端与校准信号输出端耦接，所述第一开关管的第一端与所述驱动MOS管的控制端耦接，所述第一开关管的第二端与所述驱动MOS管的第二端耦接。

可选地，所述控制单元包括：电容电压调整子单元及发光控制子单元，其中：

所述电容电压调整子单元的控制端与发光控制信号输出端耦接；所述电容电压调整子单元的第一端与所述第一电容的第一端耦接；所述电容电压调整子单元的第二端接地；

所述发光控制子单元的控制端与所述发光控制信号输出端耦接；所述发光控制子单元的第一端与所述驱动MOS管的第二端耦接；所述发光控制子单元的第二端与所述像素单元耦接。

可选地，所述电容电压调整子单元包括：至少一个第二开关管。

可选地，所述发光控制子单元包括：至少一个第三开关管。

可选地，所述像素驱动电路还包括：复位单元，与所述驱动MOS管的第二端耦接，适于对所述驱动MOS管进行复位。

可选地，所述复位单元包括：至少一个第四开关管；所述第四开关管的控制端与复位信号输出端耦接。

本发明实施例还提供了一种像素结构，所述像素结构包括上述的像素驱动电路及像素单元。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括像素阵列，所述像素阵列由若干上述的像素结构组成，所述像素结构呈阵列分布。

本发明实施例还提供了一种上述的像素驱动电路的像素驱动方法，所述方法包括：

校准阶段，控制流经所述驱动MOS管的电流逐渐减小，使得所述驱动MOS管由导通状态转变为截止状态，探测得到所述驱动MOS管的阈值电压，并将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容；

发光阶段，保持所述第一电容上存储的电荷不变，调整所述第一电容第一端的电压，使得所述像素单元发光。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

采用上述方案，校准单元在像素单元发光前，可以探测得到所述驱动MOS管的阈值电压，并将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容，发光阶段，控制单元可以在保持第一电容存储电荷不变的情况下，调整所述第一电容第一端的电压，并控制所述像素单元的发光状态。由于整个发光阶段，第一电容存储电荷不变，可以使得该过程中流经第一电容的电路与驱动MOS管的阈值电压无关，进而驱动MOS管的阈值电压的偏移不会带来发光亮度的差异，由此可以提高发光二极管亮度的均匀性。

附图说明

图1是像素结构的电路图；

图2是本发明实施例中一种像素结构的示意图；

图3是本发明实施例中一种像素结构的电路图；

图4是本发明实施例中一种像素驱动方法的流程图；

图5是图3中像素结构的工作时序示意图。

具体实施方式

图1为一种AM-OLED像素驱动电路的电路结构示意图。

参照图1，所述像素驱动电路可以包括2个晶体管及1个电容C。其中，该2个晶体管分别为第一晶体管M1及第二晶体管Md。第一晶体管M1的控制端接入扫描信号SCAN，第一晶体管M1的第一端接入图像信号DATA连接，第一晶体管M1的第二端与第二晶体管Md的控制端连接。第二晶体管Md的第一端接入电源电压VDD，第二晶体管Md的第一端与发光二极管D连接。发光二极管D1的另一端接地。电容C的一端与第二晶体管Md的控制端连接，另一端接地。

当扫描信号SCAN为低电平时时，发光二极管D1被选中，图像信号DATA通过第一晶体管M1写到电容C的上极板、即第二晶体管Md的栅极。

VANODE为发光二极管阳极电压。当图像信号DATA的电压VDATA与发光二极管阳极电压VANODE之差，大于第二晶体管Md的阈值电压Vth时，发光二极管D1开始有电流流过，发光二极管D1开始发光，其发光强度与流经的电流成正比。

发光阶段，第二晶体管Md工作在饱和区，此时发光二极管D1内流经的电流Id可以采用如下公式计算得到：

其中，μ为第二晶体管Md的迁移率，Cox为第二晶体管Md单位面积的栅氧化层电容，W为第二晶体管Md的栅宽度，L为第二晶体管Md的栅长度。

当扫描信号SCAN为高电平时，第一晶体管M1管断开，图像信号DATA的电压VDATA保存在电容C上面，发光二极管D1持续发光，直到第一晶体管M1再次打开，刷新VDATA的值。

由公式1所示，流经发光二极管D1的电流不仅与图像信号DATA的电压VDATA的电压值有关，还与第二晶体管Md的阈值电压有关，因此阈值电压的偏移会造成发光二极管亮度的差异，导致发光二极管发光强度的均匀性较差。

针对上述问题，本发明实施例提供了一种像素驱动电路，在所述像素驱动电路中，在像素单元发光前，探测得到驱动MOS管的阈值电压，并将驱动MOS管的阈值电压存储至第一电容，在像素单元发光过程中，控制单元可以在保持第一电容存储电荷不变的情况下，调整第一电容第一端的电压，并控制像素单元的发光状态。由于整个发光阶段，第一电容存储电荷不变，可以使得该过程中流经第一电容的电路与驱动MOS管的阈值电压无关，进而驱动MOS管的阈值电压的偏移不会带来发光亮度的差异，由此可以提高发光二极管亮度的均匀性。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。

参照图2，本发明实施例提供了一种像素驱动电路，所述像素驱动电路可以包括：采样单元21，第一电容C1、驱动MOS管Md、校准单元22及控制单元23。其中：

所述采样单元21，与图像信号输出端及扫描信号输出端耦接，适于在所述扫描信号输出端输出的扫描信号SCAN的控制下，对所述图像信号输出端输出的图像信号DATA进行采样；

所述第一电容C1，具有第一端及第二端，所述第一电容C1的第一端与所述采样单元21耦接；

驱动MOS管Md，与所述第一电容C1的第二端耦接，适于驱动像素单元30发光；

校准单元22，与所述第一电容C1的第二端及所述驱动MOS管Md耦接，适于对驱动MOS管Md进行校准并探测得到所述驱动MOS管Md的阈值电压Vth，以及将所述驱动MOS管Md的阈值电压Vth存储至所述第一电容C1；

控制单元23，与所述第一电容C1的第一端、所述驱动MOS管Md及所述像素单元30耦接，适于在保持所述第一电容C1存储电荷不变的情况下，调整所述第一电容C1第一端的电压，并控制所述像素单元30的发光状态。

校准单元22在像素单元30发光前，能够探测得到驱动MOS管Md的阈值电压Vth，并将阈值电压Vth存储至第一电容C1上。在像素单元30发光时，控制单元23能够在保持第一电容C1存储电荷不变的情况下，调整第一电容C1第一端的电压，使得流经像素单元30的电流与阈值电压Vth无关，由此可以补偿驱动MOS管Md的阈值电压偏移，有效提升像素单元30发光强度的均匀性。

在具体实施中，校准单元22可以采用多种电路结构实现，具体不作限制，只要能够对驱动MOS管Md进行校准，探测驱动MOS管Md的阈值电压Vth并将阈值电压Vth写入至第一电容C1即可。

在一实施例中，所述校准单元22可以包括至少一个第一开关管M1。所述第一开关管M1的控制端与校准信号输出端耦接。

在具体实施中，所述第一开关管M1的数量可以根据芯片面积进行设置。当所述校准单元22包括多个第一开关管M1时，多个第一开关管M1之间可以依次串联连接，且该多个第一开关管M1的控制端均与校准信号输出端耦接。

可以理解的是，所述第一开关管M1可以为PMOS管，也可以为NMOS管，具体不作限定，只要能够实现校准单元22的功能即可。

例如，参照图3，所述校准单元22仅由一个第一开关管M1组成。所述第一开关管M1为PMOS管。所述第一开关管M1的第一端与所述驱动MOS管Md的控制端耦接，所述第一开关管M1的第二端与所述驱动MOS管Md的第二端耦接。第一开关管M1的控制端接入校准信号CAL，在校准信号CAL的控制下导通或截止。

在具体实施中，所述控制单元23可以采用多种电路结构实现，具体不作限制，只要能够在像素单元30的发光阶段，保持所述第一电容C1存储电荷不变的情况下，调整所述第一电容C1第一端的电压，并控制所述像素单元30的发光状态。

在具体实施中，参照图2，所述控制单元23与发光控制信号输出端耦接，适于在控制信号输出端输出的发光控制信号EM的控制下，执行相应的功能。

在一实施例中，参照图3，所述控制单元23可以包括电容电压调整子单元231及发光控制子单元232。其中：

所述电容电压调整子单元231的控制端与发光控制信号232输出端耦接；所述电容电压调整子单元231的第一端与所述第一电容C1的第一端耦接；所述电容电压调整子单元232的第二端接地。

所述发光控制子单元232的控制端与所述发光控制信号输出端耦接；所述发光控制子单元232的第一端与所述驱动MOS管Md的第二端耦接；所述发光控制子单元232的第二端与所述像素单元30耦接。

在具体实施中，所述电容电压调整子单元231可以采用多种电路结构实现，具体不作限制，只要能够对第一电容C1第一端的电压进行调整即可，也即对Vx值进行调整。

在一实施例中，所述电容电压调整子单元231，可以包括至少一个第二开关管M2。所述第二开关管M2的控制端接入发光控制信号EM，在发光控制信号EM的控制下，第二开关管M2可以导通或者截止，由此改变Vx值。

在具体实施中，所述第二开关管M2的数量可以根据芯片面积及Vx值的调整需求进行设置。当电容电压调整子单元231包括多个第二开关管M2时，多个第二开关管M2之间可以依次串联连接，且该多个第二开关管M2的控制端均接入发光控制信号EM。

可以理解的是，所述第二开关管M2可以为PMOS管，也可以为NMOS管，具体不作限定，只要能够实现电容电压调整子单元的功能即可。

在一实施例中，参照图3，电容电压调整子单元231仅由一个第二开关管M2组成。第二开关管M2为PMOS管。所述第二开关管M2的第一端与第一电容C1的第一端耦接，第二端接地。在发光控制信号EM的控制下，第二开关管M2导通或者截止，从而改变Vx值。

在具体实施中，所述发光控制子单元232可以采用多种电路结构实现，具体不作限制在，只要能够切断流过像素单元30的电流，以决定像素单元30是否发光即可。

在一实施例中，所述发光控制子单元232可以包括至少一个第三开关管M3。第三开关管M3的控制端接入发光控制信号EM，在发光控制信号EM的控制下，第三开关管M3可以导通或者截止，由此使得像素单元30发光或不发光。

在具体实施中，发光控制子单元232中第三开关管M3的数量可以根据芯片面积及像素单元30实际需要的驱动电压大小进行设置。当发光控制子单元232包括多个第三开关管M3时，多个第三开关管M3之间可以依次串联连接，且该多个第三开关管M3的控制端均接入发光控制信号EM。

可以理解的是，所述第三开关管M3可以为PMOS管，也可以为NMOS管，具体不作限定，只要能够实现发光控制子单元的功能即可。

例如，参照图3，发光控制子单元232仅由一个第三开关管M3组成。第三开关管M3为PMOS管。所述第三开关管M3的第一端与驱动MOS管Md的第二端耦接，所述第三开关管M3的第二端与像素单元30耦接。

在本发明的一实施例中，参照图2，所述像素驱动电路还可以包括复位单元24，所述复位单元24与驱动MOS管Md的第二端耦接，适于对驱动MOS管Md进行复位。所述复位单元24的控制端与复位信号输出端耦接。

在具体实施中，所述复位单元24可以采用多种电路结构实现，具体不作限制，只要能够对驱动MOS管Md进行复位即可。

在一实施例中，所述复位单元24可以包括至少一个第四开关管M4。所述第四开关管M4的控制端接入复位信号输出端输出的复位信号RST。在复位信号RST的控制下，第四开关管M4导通或截止，从而实现对驱动MOS管Md的复位。

在具体实施中，复位单元24中第四开关管M4的数量可以根据芯片面积进行设置。当复位单元24包括多个第四开关管M4时，多个第四开关管M4之间可以依次串联连接，且该多个第四开关管M4的控制端均接入复位信号RST。

可以理解的是，第四开关管M4可以为PMOS管，也可以为NMOS管，具体不作限定，只要能够实现复位功能即可。

例如，参照图3，复位单元24仅由一个第四开关管M4组成。第四开关管M4为PMOS管。所述第四开关管M4的第一端与驱动MOS管Md的第二端耦接，所述第四开关管M4的第二端接地。

在其它实施例中，本发明实施例中的像素驱动电路，也可以不包括复位单元24，只要使得像素驱动电路在校准前保持为复位后的状态即可，即使得驱动MOS管处于二极管连接状态，此时，流过驱动MOS管的电流为复位电流Irst，像素单元30不发光。

在具体实施中，所述采样单元21可以采用多种电路结构实现，此处不作限制。

例如，参照图3，所述采样单元21仅由一个第五开关管M5组成。第五开关管M5为PMOS管。第五开关管M5的控制端接入扫描信号输出端输出的扫描信号SCAN，第五开关管M5的第一端接入图像信号DATA，第五开关管M5的第二端与第一电容C1连接。

当扫描信号SCAN为低电平时，第五开关管M5导通，对图像信号DATA进行采样。当扫描信号SCAN为高电平时，第五开关管M5截止，结束对图像信号DATA的采样。

可以理解的是，所述第五开关管M5可以为PMOS管，也可以为NMOS管，具体不作限制。所述采样单元21也可以包括多个第五开关管M5，多个第五开关管M5之间依次串联连接，且各第五开关管M5的控制端均接入扫描信号SCAN。

在具体实施中，参照图3，所述像素单元30可以为发光二极管D，当然也可以为其它器件构成的像素单元，此处不作限制。

本发明实施例还提供了一种像素驱动方法，参照图4，所述方法可以包括如下步骤：

步骤41，校准阶段，控制流经所述驱动MOS管Md的电路逐渐减小，使得所述驱动MOS管由导通状态转变为截止状态，探测得到所述第一MOS管Md的阈值电压Vth，并将所述第一MOS管的阈值电压Vth存储至所述第一电容C1。

步骤42，发光阶段，保持所述第一电容C1上存储的电荷不变，调整所述第一电容C1第一端的电压，使得所述像素单元30发光。

在具体实施中，所述驱动方法还可以包括：在执行步骤41前，对驱动MOS管Md进行复位。

图5为图3中像素驱动电路的时序示意图。下面结合图3至图5，对步骤41及42详细描述如下：

参照图3至图5，Tem(n-1)表示像素单元30第(n-1)次发光过程，Tem(n)表示像素单元30第n次发光过程，n为大于等于1的正整数。在第(n-1)次发光过程结束后，像素驱动电路依次经历复位阶段、校准阶段后进入第n次发光过程。其中，Trst表示像素驱动电路复位阶段的时长，Tcal表示像素驱动电路校准阶段的时长。

复位阶段中，扫描信号SCAN、校准信号CAL、复位信号RST均为低电平，发光控制信号EM为高电平，此时，第五开关管M5、第一开关管M1及第四开关管M4导通，第三开关管M3、第二开关管M2截止，第一电容C1第一端的电压Vx与图像信号DATA的电压VDATA相等，第一电容C1第二端的电压Vg＝Vd，且Vg处于一个较低电平，由此使得驱动MOS管Md处于二极管连接状态，电源电压VDD与Vg之间的差值(即VDD-Vg)大于驱动MOS管Md的阈值电压绝对值Vth，驱动MOS管Md打开并流过复位电流Irst。由于此时发光控制信号EM为高电平，因此二极管不发光。

对驱动MOS管Md复位后，对驱动MOS管进行校准，进入校准阶段。此时，扫描信号SCAN、校准信号CAL仍然为低电平，发光控制信号EM为高电平，复位信号RST由低电平转变为高电平，第四开关管M4截止，流经驱动MOS管Md的电流逐渐由Irst转变为0。相应地，电源电压VDD与Vg之间的差值(即VDD-Vg)从大于Vth转变为等于Vth，即VDD-Vg＝Vth，驱动MOS管Md由导通状态转变为截止状态。在驱动MOS管Md转变为截止状态后，完成对驱动MOS管的校准。之后，校准信号CAL由低电平转变为高电平，第一开关管M1断开，Vg成为浮空节点，此时第一电容C1存储的电荷Q＝(Vg-Vx)*C1＝(VDD-Vth-VDATA)*C1，完成驱动MOS管Md阈值电压Vth的写入。

在第一电容C1中写入驱动MOS管Md阈值电压Vth后，扫描信号SCAN由低电平转变为高电平，发光控制信号EM由高电平转变为低电平，校准信号CAL和复位信号RST一直保持高电平，第一开关管M5、第一开关管M1、第四开关管M4断开，第三开关管M3及第二开关管M2闭合，使得第一电容C1第一端的电压Vx从VDATA转变为0。

在具体实施中，也可以将第一电容C1第一端的电压Vx从VDATA转变为其它值，这与电容电压调整子单元231的具体结构相关。本实施例为了便于计算，将第一电容C1第一端的电压Vx从VDATA转变为0。

由于Vg节点依然是浮空的，存储在电容C1的电荷不变，Q＝(VDD-Vth-VDATA)*C1＝(Vg-0)*C1，Vg＝VDD-Vth-VDATA。

此时，驱动MOS管Md工作在饱和区，流经驱动MOS管Md的电流Id可以采用如下公式计算得到：

其中，μ为第二晶体管Md的迁移率，Cox为第二晶体管Md单位面积的栅氧化层电容，W为第二晶体管Md的栅宽度，L为第二晶体管Md的栅长度。

将Vg＝VDD-Vth-VDATA，代入公式(2)，可以得到流经驱动MOS管Md的电流Id：

由于，此时发光控制信号EM为低电平，电流流过发光二极管D，开始发光。

从公式(3)可以看出，流过发光二极管的电流Id与驱动MOS管Md的阈值电压无关，因此，采用本发明实施例中的像素驱动电路，驱动MOS管Md阈值电压的偏移不会带来发光亮度的差异，提高了发光二极管亮度的均匀性。

本发明实施例还提供了一种像素结构，所述像素结构包括上述实施例中的像素驱动电路及像素单元。具体所述像素结构的电路图可以参照图2及图3，像素驱动电路驱动像素单元进行发光。

本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括像素阵列，所述像素阵列由若干像素结构组成，所述像素结构呈阵列分布。

采用本发明的方案，可以补偿驱动MOS管阈值电压偏移对发光强度均匀性的影响，有效提升发光二极管发光强度的均匀性。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：

采样单元，与图像信号输出端及扫描信号输出端耦接，适于在所述扫描信号输出端输出的扫描信号的控制下，对所述图像信号输出端输出的图像信号进行采样；

第一电容，具有第一端及第二端，所述第一电容的第一端与所述采样单元耦接；

驱动MOS管，与所述第一电容的第二端耦接，适于驱动像素单元发光；

校准单元，与所述第一电容的第二端及所述驱动MOS管耦接，适于对驱动MOS管进行校准并探测得到所述驱动MOS管的阈值电压，以及将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容；

控制单元，与所述第一电容的第一端、所述驱动MOS管及所述像素单元耦接，适于在保持所述第一电容存储电荷不变的情况下，调整所述第一电容第一端的电压，并控制所述像素单元的发光状态。

2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述校准单元包括：至少一个第一开关管；所述第一开关管的控制端与校准信号输出端耦接，所述第一开关管的第一端与所述驱动MOS管的控制端耦接，所述第一开关管的第二端与所述驱动MOS管的第二端耦接。

3.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述控制单元包括：电容电压调整子单元及发光控制子单元，其中：

所述电容电压调整子单元的控制端与发光控制信号输出端耦接；所述电容电压调整子单元的第一端与所述第一电容的第一端耦接；所述电容电压调整子单元的第二端接地；

所述发光控制子单元的控制端与所述发光控制信号输出端耦接；所述发光控制子单元的第一端与所述驱动MOS管的第二端耦接；所述发光控制子单元的第二端与所述像素单元耦接。

4.如权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述电容电压调整子单元包括：至少一个第二开关管。

5.如权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述发光控制子单元包括：至少一个第三开关管。

6.如权利要求1至5任一项所述的像素驱动电路，其特征在于，还包括：复位单元，与所述驱动MOS管的第二端耦接，适于对所述驱动MOS管进行复位。

7.如权利要求6所述的像素驱动电路，其特征在于，所述复位单元包括：至少一个第四开关管；所述第四开关管的控制端与复位信号输出端耦接。

8.一种像素结构，其特征在于，包括像素单元，以及权利要求1至7任一项所述的像素驱动电路。

9.一种显示装置，其特征在于，包括像素阵列，所述像素阵列由若干权利要求8所述的像素结构组成，所述像素结构呈阵列分布。

10.一种权利要求1至7任一项所述的像素驱动电路的像素驱动方法，其特征在于，包括：

校准阶段，控制流经所述驱动MOS管的电流逐渐减小，使得所述驱动MOS管由导通状态转变为截止状态，探测得到所述驱动MOS管的阈值电压，并将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容；

发光阶段，保持所述第一电容上存储的电荷不变，调整所述第一电容第一端的电压，使得所述像素单元发光。

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