CN117980976A - 显示装置 - Google Patents

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冈崎庄治
斋田信介
市川伸治
谷山博己
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Abstract

在设置于显示区域(D)的周围的边框区域(F)的端子部(T)中，具备：树脂基板(10)；无机层叠膜(50)，其设置在树脂基板(10)上；焊盘列(49)，其设置在无机层叠膜(50)上，是经由ACF(53)与设置于IC芯片(45)的多个凸块(55)分别电连接的多个焊盘(48)排列为一列而成的；以及平坦化膜(51)，其包括有机绝缘膜，以覆盖各焊盘(48)的端部的方式设置在无机层叠膜(50)和焊盘列(49)上，在平坦化膜(51)，形成有使无机层叠膜(50)露出的开口(52a)。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光(ElectroLuminescence，以下也称为“EL”)元件的自发光型的有机EL显示装置受到关注。在该有机EL显示装置中，提出了具有柔性面板结构的柔性的有机EL显示装置，其在具有挠性的树脂基板(柔性基板)上形成有构成显示区域的有机EL元件、各种膜等，并且安装有驱动用IC(integrated circuit：集成电路)芯片、FPC(flexible printed circuit：柔性印刷电路)等电子部件。电子部件例如使用各向异性导电膜(anisotropic conductive film：ACF)被压接连接到柔性面板的显示区域的框外区域。
例如，在专利文献1中公开了具有显示区域和用于连接电子部件的端子区域的显示装置。在该显示装置中，形成于端子区域的端子形成有端子金属、覆盖端子金属的端部的第1氧化物导电膜、以及覆盖第1氧化物导电膜和端子金属的第2氧化物导电膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-25671号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1的显示装置中，由于在端子金属的上层形成有多个氧化物导电膜，因此制造这些上层的工艺变长，其结果是，有制造成本变高的缺陷。
因此，提出了通过在端子金属(端子电极、焊盘)的上层仅设置有机绝缘膜的工艺来改善上述缺陷的柔性的有机EL显示装置。在该有机EL显示装置中，虽然制造成本降低，但是由于通过ACF将电子部件压接连接到PAD时的高温加压处理，有可能在柔性基板产生挠曲，在柔性面板产生裂纹。
本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于抑制由安装电子部件时的高温加压处理引起的柔性面板的裂纹的产生。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明的显示装置具备：显示区域；以及边框区域，其设置在上述显示区域的周围，在上述边框区域设置有端子部，在上述端子部中，具备：树脂基板；无机层叠膜，其包括多个无机绝缘膜，设置在上述树脂基板上；焊盘列，其设置在上述无机层叠膜上，是经由各向异性导电膜与设置于电子部件的多个凸块分别电连接的多个焊盘排列为一列而成的；以及平坦化膜，其包括有机绝缘膜，以覆盖上述各焊盘的端部的方式设置在上述无机层叠膜和上述焊盘列上，上述显示装置的特征在于，在上述平坦化膜，形成有使上述无机层叠膜露出的开口。
发明效果
根据本发明，能够抑制由安装电子部件时的高温加压处理引起的柔性面板的裂纹的产生。
附图说明
图1是示出本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。
图3是本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的显示区域的截面图。
图4是构成本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图5是构成本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。
图6是本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的边框区域中的端子部(第1端子部、第2端子部)的俯视图。
图7是本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的第2端子部中排列的第2输出焊盘的放大俯视图。
图8是示出本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的第2端子部的沿着图7中的VIII-VIII线的截面图。
图9是示出经由ACF将电子部件连接到本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的第2端子部中配置的第2输出焊盘前的状态的沿着图7中的IX-IX线的截面图。
图10是示出经由ACF将电子部件连接到本发明的第1实施方式的有机EL显示装置的第2端子部中配置的第2输出焊盘时的ACF树脂的移动的沿着图7中的IX-IX线的截面图。
图11是示出经由ACF将电子部件连接到本发明的第2实施方式的有机EL显示装置的第2端子部中配置的第2输出焊盘前的状态的沿着图7中的IX-IX线的截面图，是与图9相当的图。
图12是示出经由ACF将电子部件连接到本发明的第2实施方式的有机EL显示装置的第2端子部中配置的第2输出焊盘时的ACF树脂的移动的沿着图7中的IX-IX线的截面图，是与图10相当的图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。此外，本发明不限于以下的各实施方式。
《第1实施方式》
图1～图10示出了本发明的显示装置的第1实施方式。此外，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件的显示装置，例示具备有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置60a的概略构成的俯视图。图2和图3是有机EL显示装置60a的显示区域D的俯视图和截面图。图4是构成有机EL显示装置60a的TFT层20的等效电路图。图5是构成有机EL显示装置60a的有机EL层23的截面图。图6是有机EL显示装置60a的边框区域F中的端子部T(第1端子部T1、第2端子部T2)的俯视图。图7是有机EL显示装置60a的第2端子部T2中排列的第2输出焊盘48的放大俯视图。图8是示出有机EL显示装置60a的第2端子部T2的沿着图7中的VIII-VIII线的截面图。图9是示出经由ACF53将IC芯片45(电子部件40)连接到有机EL显示装置60a的第2端子部T2中配置的第2输出焊盘48前的状态的沿着图7中的IX-IX线的截面图。图10是示出经由ACF53将IC芯片45连接到有机EL显示装置60a的第2端子部T2中配置的第2输出焊盘48时的ACF53树脂的移动的沿着图7中的IX-IX线的截面图。
如图1所示，有机EL显示装置60a例如具备设置为矩形状的进行图像显示的显示区域D和在显示区域D的周围设置为框状的边框区域F。此外，在本实施方式中，例示了矩形状的显示区域D，但是该矩形状例如也包含边为圆弧形的形状、角部为圆弧形的形状、在边的一部分有切口的形状等大致矩形状。此外，在有机EL显示装置60a中，规定了与后述的树脂基板10的基板表面平行的方向X(参照图1、图6～图10)、与方向X垂直并且与树脂基板10的基板表面平行的方向Y(参照图1、图6、图7)、以及与方向X和方向Y垂直的方向Z(参照图8～图10)。
如图2所示，在显示区域D，多个子像素P排列成矩阵状。另外，在显示区域D中，如图2所示，例如，具有用于进行红色的显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域Lg的子像素P以及具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域Lb的子像素P以相互相邻的方式设置。此外，在显示区域D中，例如，由具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg以及蓝色发光区域Lb的相邻的3个子像素P构成1个像素。
在边框区域F，如图1所示，在图中右侧端部，以在图中的纵向(方向Y)上延伸的方式设置有第1端子部T1。在第1端子部T1，安装有作为电子部件40设置的FPC41。另外，在边框区域F，在第1端子部T1与显示区域D之间，以在方向Y上延伸的方式设置有第2端子部T2。在第2端子部T2，安装有作为电子部件40设置的IC芯片45。此外，在本说明书中，将第1端子部T1和第2端子部T2统称为端子部T。
另外，在边框区域F，如图1所示，在第2端子部T2与显示区域D之间，以在方向Y上延伸的方式设置有能以图中的纵向(方向Y)为折弯的轴折弯成180°(U字型)的折弯部B。
如图3所示，有机EL显示装置60a在显示区域D中具备：树脂基板10(柔性基板)；薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为“TFT”)层20，其设置在树脂基板10上；有机EL元件层30，其作为构成显示区域D的发光元件层设置在TFT层20上；以及密封膜35，其设置在有机EL元件层30上。由此，构成柔性面板的显示区域D(显示面板)。
树脂基板10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
如图3所示，TFT层20具备：底涂膜11，其设置在树脂基板10上；多个第1TFT9a、多个第2TFT9b以及多个电容器9c，其设置在底涂膜11上；以及平坦化膜19，其作为第2平坦化膜设置在各第1TFT9a、各第2TFT9b以及各电容器9c上。在此，在TFT层20中，如图3所示，在树脂基板10上按顺序层叠有：底涂膜11；半导体层12a和12b；栅极绝缘膜13；栅极线14(参照图2)、栅极电极14a、14b、下部导电层14c等第1配线层；第1层间绝缘膜15；上部导电层16等第2配线层；第2层间绝缘膜17；源极线18f(参照图2)、源极电极18a、18c、漏极电极18b、18d、电源线18g等第3配线层；以及平坦化膜19。另外，在TFT层20中，如图2和图4所示，以在图中的横向上相互平行地延伸的方式设置有多个栅极线14。另外，在TFT层20中，如图2和图4所示，以在图中的纵向上相互平行地延伸的方式设置有多个源极线18f。另外，在TFT层20中，如图2和图4所示，以在图中的纵向上相互平行地延伸的方式设置有多个电源线18g。此外，如图2所示，各电源线18g以与各源极线18f相邻的方式设置。另外，在TFT层20中，如图4所示，在各子像素P中设置有第1TFT9a、第2TFT9b以及电容器9c。
底涂膜11、栅极绝缘膜13、第1层间绝缘膜15以及第2层间绝缘膜17例如由氮化硅(SiNx(x为正数))、氧化硅(SiO2)、氧氮化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。半导体层12a和12b例如由低温多晶硅膜、In-Ga-Zn-O系的氧化物半导体膜等构成。第1配线层、第2配线层以及第3配线层例如由钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)等金属单层膜、或Mo(上层)/Al(中层)/Mo(下层)、Ti/Al/Ti、Al(上层)/Ti(下层)、Cu/Mo、Cu/Ti等金属层叠膜构成。此外，优选第3配线层由Ti/Al/Ti等金属层叠膜形成。
第1TFT9a和第2TFT9b是在后述的半导体层12a和12b例如掺杂有硼等杂质的p型的TFT。
如图4所示，第1TFT9a在各子像素P中电连接到对应的栅极线14和源极线18f。另外，如图3所示，第1TFT9a具备在底涂膜11上按顺序设置的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极电极14a、第1层间绝缘膜15、第2层间绝缘膜17、以及源极电极18a和漏极电极18b。在此，如图3所示，半导体层12a在底涂膜11上设置为岛状，例如具有沟道区域、源极区域以及漏极区域。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。另外，如图3所示，栅极电极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。另外，如图3所示，第1层间绝缘膜15和第2层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14a的方式按顺序设置。另外，如图3所示，源极电极18a和漏极电极18b以相互间隔开的方式设置在第2层间绝缘膜17上。另外，如图3所示，源极电极18a和漏极电极18b经由形成于栅极绝缘膜13、第1层间绝缘膜15以及第2层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别电连接到半导体层12a的源极区域和漏极区域。
如图4所示，第2TFT9b在各子像素P中电连接到对应的第1TFT9a和电源线18g。另外，如图3所示，第2TFT9b具备在底涂膜11上按顺序设置的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极电极14b、第1层间绝缘膜15、第2层间绝缘膜17、以及源极电极18c和漏极电极18d。在此，如图3所示，半导体层12b在底涂膜11上设置为岛状，例如具有沟道区域、源极区域以及漏极区域。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。另外，如图3所示，栅极电极14b以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。另外，如图3所示，第1层间绝缘膜15和第2层间绝缘膜17以覆盖栅极电极14b的方式按顺序设置。另外，如图3所示，源极电极18c和漏极电极18d以相互间隔开的方式设置在第2层间绝缘膜17上。另外，如图3所示，源极电极18c和漏极电极18d经由形成于栅极绝缘膜13、第1层间绝缘膜15以及第2层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别电连接到半导体层12b的源极区域和漏极区域。
此外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第1TFT9a和第2TFT9b，但是第1TFT9a和第2TFT9b也可以是底栅型的TFT。
如图4所示，电容器9c在各子像素P中电连接到对应的第1TFT9a和电源线18g。在此，如图3所示，电容器9c具备：下部导电层14c；第1层间绝缘膜15，其以覆盖下部导电层14c的方式设置；以及上部导电层16，其以与下部导电层14c重叠的方式设置在第1层间绝缘膜15上。此外，如图3所示，上部导电层16经由形成于第2层间绝缘膜17的接触孔电连接到电源线18g。
平坦化膜19在显示区域D中具有平坦的表面，例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等有机树脂材料、或者聚硅氧烷系的SOG(spin on glass：旋涂玻璃)材料等构成。
如图3所示，有机EL元件层30具备多个有机EL元件25作为与多个子像素P对应地排列成矩阵状的多个发光元件。
如图3所示，有机EL元件25具备：第1电极21，其在平坦化膜19上设置于各子像素P；有机EL层23，其在第1电极21上设置于各子像素P；以及第2电极24，其在有机EL层23上共同地设置于多个子像素P。
如图3所示，第1电极21经由形成于平坦化膜19的接触孔电连接到各子像素P的第2TFT9b的漏极电极18d。另外，第1电极21具有向有机EL层23注入空穴(hole)的功能。另外，为了提高向有机EL层23的空穴注入效率，第1电极21更优选由功函数大的材料形成。在此，作为构成第1电极21的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。另外，构成第1电极21的材料例如也可以是砹(At)/氧化砹(AtO2)等合金。而且，构成第1电极21的材料例如也可以是氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这样的导电性氧化物等。另外，第1电极21也可以是将包括上述材料的层层叠多个而形成的。此外，作为功函数大的化合物材料，例如可举出铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。而且，第1电极21的周端部由以格子状共同设置于多个子像素P的边缘罩22覆盖。在此，作为构成边缘罩22的材料，例如可举出聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等正型的感光性树脂材料、或者聚硅氧烷系的SOG材料等。
如图5所示，有机EL层23具备在第1电极21上按顺序设置的空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4以及电子注入层5。
空穴注入层1也被称为阳极缓冲层，具有使第1电极21与有机EL层23的能级接近，改善从第1电极21向有机EL层23的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如可举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、苯乙烯衍生物等。
空穴传输层2具有提高从第1电极21向有机EL层23的空穴的传输效率的功能。在此，作为构成空穴传输层2的材料，例如可举出卟啉衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯基咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基(Poly-p-phenylene vinylene)、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是在通过第1电极21和第2电极24施加电压时从第1电极21和第2电极24被分别注入空穴和电子并且空穴和电子进行复合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。并且，作为构成发光层3的材料，例如可举出金属喔星类(oxinoid)化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物，芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪酮(phenoxazone)、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基、聚硅烷等。
电子传输层4具有使电子高效地移动到发光层3的功能。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如，作为有机化合物，可举出噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属喔星类化合物等。
电子注入层5具有使第2电极24与有机EL层23的能级接近，提高从第2电极24向有机EL层23注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件25的驱动电压。此外，电子注入层5也被称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)这样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图3所示，第2电极24以覆盖各子像素P的有机EL层23和边缘罩22的方式设置。另外，第2电极24具有向有机EL层23注入电子的功能。另外，为了提高向有机EL层23的电子注入效率，第2电极24更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第2电极24的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第2电极24例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。另外，第2电极24例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。另外，第2电极24也可以是将包括上述材料的层层叠多个而形成的。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图3所示，密封膜35以覆盖各有机EL元件25的方式设置在有机EL元件层30上。在此，如图3所示，密封膜35具备以覆盖第2电极24的方式设置的第1无机密封膜31、设置在第1无机密封膜31上的有机密封膜32、以及以覆盖有机密封膜32的方式设置的第2无机密封膜33，具有保护有机EL层23免受水分、氧等的影响的功能。在此，第1无机密封膜31和第2无机密封膜33例如由氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、四氮化三硅(Si3N4)这样的氮化硅(SiNx(x是正数))、碳氮化硅(SiCN)等无机材料构成。另外，有机密封膜32例如由丙烯酸树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等有机材料构成。
在有机EL显示装置60a中，如图6所示，作为端子部T，第1端子部T1和第2端子部T2以在方向Y上延伸的方式设置。在第1端子部T1和第2端子部T2，由多个输入输出端子电极(焊盘)排列而成的焊盘列设置为多列。此外，在图6中，省略了电子部件40的FPC41和IC芯片45。
如图6所示，在第1端子部T1设置有第1焊盘列43，第1焊盘列43是多个第1焊盘42沿着方向Y排列为一列而成的。第1焊盘列43沿着方向Y延伸。多个第1焊盘42经由多个第1引绕配线44a与后述的多个第2输入焊盘46分别电连接。另外，多个第1焊盘42经由后述的ACF53与设置于FPC41的多个电极(未图示)分别电连接。
如图6和图7所示，在第2端子部T2分别设置有：第2焊盘列47，其是多个第2输入焊盘46沿着方向Y排列为一列而成的；第3a焊盘列49a和第3b焊盘列49b(以下也统称为“第3焊盘列49”)，其是多个第2输出焊盘48沿着方向Y在俯视时排列成锯齿状而成的。第2焊盘列47、第3a焊盘列49a以及第3b焊盘列49b沿着方向Y延伸。第2焊盘列47与第3焊盘列49是与安装的IC芯片45的尺寸对应地在方向X上间隔开并排列成2列的。另外，第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b也以几十μm～几百μm的程度在方向X上间隔开并排列成2列。如上所述，多个第2输入焊盘46经由多个第1引绕配线44a与多个第1焊盘42分别电连接。多个第2输出焊盘48经由第2引绕配线44b与作为显示区域D中的多个配线设置的第1配线层(栅极电极14a、14b、下部导电层14c等，参照图3)、第2配线层(上部导电层16等，参照图3)等分别电连接。另外，多个第2输入输出焊盘46、48经由ACF53与设置于IC芯片45的多个输入输出凸块(bump)分别电连接。
如图6所示，第1焊盘列43、第2焊盘列47、第3a焊盘列49a以及第3b焊盘列49b在方向X上相互间隔开，从端子部T侧(柔性面板的端部)朝向显示区域D侧按顺序配设。
另外，如图6所示，第2输出焊盘48与第2输入焊盘46相比，面积(尺寸)较小，焊盘数量较多。第2输入焊盘46与第1焊盘42相比，虽然尺寸小，但是焊盘数量相等。焊盘42、46、48在俯视时形成为矩形状。此外，焊盘形状不限于矩形状，也可以是在俯视时为多边形状、圆状、椭圆状等。第2输出焊盘48的尺寸例如是短边(在图6和图7中为方向Y长度)为4μm以上且20μm以下、长边(在图6和图7中为方向X长度)为10μm以上且20μm以下。第2输出焊盘48的间距(在方向Y上相邻的焊盘48的间隔)P48(参照图7)例如为10μm以上且50μm以下。在方向X上相邻的第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的距离(相邻的第2输出焊盘48之间的方向X的距离)D49(参照图7)例如为20μm以上且100μm以下。此外，焊盘42、46、48的尺寸、数量、形状、配置等根据电子部件40适当决定，没有特别限定。
如图8～图10所示，有机EL显示装置60a在第2端子部T2中具备：树脂基板10；无机层叠膜50，其设置在树脂基板10上；第3焊盘列49(第2输出焊盘48)，其设置在无机层叠膜50上；以及平坦化膜51，其设置在无机层叠膜50和第3焊盘列49上。此外，在本实施方式中，说明第2端子部T2中的第3焊盘列49(第2输出焊盘48)的端子结构，但是第2端子部T2中的第2焊盘列47(第2输入焊盘46)和第1端子部T1中的第1焊盘列43(第1焊盘42)也是同样的端子结构，因此省略详细的说明。也就是说，在柔性面板的端子部T中，能够应用同样的端子结构。
如图8～图10所示，无机层叠膜50作为多个无机绝缘膜，与底涂膜11、栅极绝缘膜13、第1层间绝缘膜15、第2层间绝缘膜17等由同一材料形成在同一层。该多个无机绝缘膜层叠而构成无机层叠膜50。
如图8所示，在第1层间绝缘膜15上，设置有多个第2引绕配线44b(在第1端子部T1中，是第1引绕配线44a)。在多个第2引绕配线44b上，设置有第2层间绝缘膜17。换言之，多个第2引绕配线44b介于构成无机层叠膜50的第1层间绝缘膜15与第2层间绝缘膜17之间。第2引绕配线44b与第2配线层(上部导电层16等)由同一材料形成在同一层。此外，第2引绕配线44b也可以设置在栅极绝缘膜13上(换言之，也可以介于构成无机层叠膜50的栅极绝缘膜13与第1层间绝缘膜15之间)。在该情况下，第2引绕配线44b与第1配线层(栅极电极14a、14b、下部导电层14c等)由同一材料形成在同一层。
如图8～图10所示，第3焊盘列49设置在构成无机层叠膜50的最上层的第2层间绝缘膜17上。另外，第3焊盘列49还设置在从形成于第2层间绝缘膜17的接触孔H17露出的多个第2引绕配线44b上。也就是说，在接触孔H17中，排列于第3焊盘列49的多个第2输出焊盘48与多个第2引绕配线44b分别接触。由此，多个第2引绕配线44b的一端(端子部T侧)经由接触孔H17与多个第2输出焊盘48分别电连接。另一方面，多个第2引绕配线44b的另一端(显示区域D侧)如上所述与显示区域D中的多个第2配线层(或第1配线层)分别电连接，构成为对各像素电路C输入输出信号。也就是说，经由多个第2引绕配线44b，显示区域D中的多个配线与多个第2输出焊盘48分别电连接。
第2输出焊盘48(第1焊盘42和第2输入焊盘46也同样)与第3配线层(源极电极18a、18c、漏极电极18b、18d、电源线18g等，参照图3)或上层的第4配线层(第3配线层与第1电极21之间的导电层等)由同一材料形成在同一层。优选这些焊盘42、46、48由Ti/Al/Ti的金属层叠膜形成。
如图8～图10所示，平坦化膜51设置在无机层叠膜50(具体来说，是构成无机层叠膜50的最上层的第2层间绝缘膜17)上，并且以覆盖各第2输出焊盘48的端部的方式设置在第3焊盘列49上。平坦化膜51与平坦化膜19(第2平坦化膜)由同一材料形成在同一层。也就是说，平坦化膜51由包括感光性的有机树脂材料的有机绝缘膜构成。这样，在有机EL显示装置60a中，在第1焊盘列43(第1焊盘42)、第2焊盘列47(第2输入焊盘46)以及第3焊盘列49(第2输出焊盘48)的上层，未设置氧化物导电膜等无机绝缘膜，仅存在有机绝缘膜。此外，平坦化膜51的厚度(方向Z长度)没有特别限定，例如无机层叠膜50上的平坦化膜51的厚度为2μm以上且4μm以下，各焊盘42、46、48上的平坦化膜51的厚度为1μm以上且3μm以下。
在此，在有机EL显示装置60a中，如图8～图10所示，在平坦化膜51，形成有使无机层叠膜50(具体来说，是构成无机层叠膜50的最上层的第2层间绝缘膜17)露出的开口52a。如图9和图10所示，开口52a形成于在方向X上相互间隔开的第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间(在方向X上相邻的第2输出焊盘48之间)的平坦化膜51。换言之，开口52a与各第2输出焊盘48(第3a焊盘列49a和第3b焊盘列49b)在俯视时不重叠。在本实施方式中，在方向X上相互间隔开的第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间，平坦化膜51全部被除去(形成有1个开口52a)，仅存在覆盖各第2输出焊盘48的端部的平坦化膜51(以下也称为“残存平坦化膜51a”)。换言之，开口52a形成于残存平坦化膜51a之间的整个范围(整个区域)。此外，残存平坦化膜51a的宽度(方向X长度)没有特别限定，例如为1μm以上且6μm以下。开口52a的宽度(方向X长度)只要根据残存平坦化膜51a的宽度、第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的距离D49(参照图7)等适当决定即可，例如，只要调整为从距离D49减去残存平坦化膜51a的宽度的2倍的长度后的长度以下即可。
此外，在图8～图10中，开口52a形成于第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的平坦化膜51，但不限于此，也可以形成于以与所述的开口52a的宽度相同的程度或比该宽度更大的程度间隔开的焊盘列之间的平坦化膜51。例如，开口52a也可以形成于图6所示的第1焊盘列43与第2焊盘列47之间的平坦化膜51、第2焊盘列47与第3a焊盘列49a之间(输入焊盘列和输出焊盘列之间)的平坦化膜51。
在如上所述构成的第2端子部T2中，多个第2输出焊盘48经由ACF53与设置于IC芯片45的多个输出凸块55分别电连接。此外，第2端子部T2中的多个第2输入焊盘46与设置于IC芯片45的多个输入凸块(未图示)的连接、以及第1端子部T1中的多个第1焊盘42与设置于FPC41的多个电极(未图示)的连接也是同样的构成，因此省略详细的说明。
首先，如图9所示，在第2端子部T2上贴附ACF53。ACF53以覆盖整个第2端子部T2的方式贴附到从开口52a露出的无机层叠膜50、多个第2输出焊盘48(第3焊盘列49)以及残存平坦化膜51a上。此外，ACF53的厚度能够根据平坦化膜51(残存平坦化膜51a)的厚度适当选择，没有特别限定，例如为5μm以上且15μm以下。构成ACF53的树脂材料例如为热固化性树脂。ACF53所包含的金属粒子(导电粒子)的尺寸例如为0.5μm以上且2μm以下。ACF53没有特别限定，能够使用市售品。
接着，如图10所示，通过在方块箭头所示的方向上进行高温加压处理，将多个第2输出焊盘48与多个输出凸块55分别压接连接。高温加压处理时的ACF53的加热温度没有特别限定，例如为100℃以上且200℃以下。因此，在进行高温加压处理时，构成ACF53的树脂熔融，朝向图10所示的虚线箭头的方向移动。具体来说，通过输出凸块55向ACF53侧的压入，存在于各第2输出焊盘48上的ACF53熔融树脂在残存平坦化膜51a与各输出凸块55的间隙朝向虚线箭头(i)所示的方向(斜上方向)移动，进而在第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间(在方向X上相邻的第2输出焊盘48之间)朝向虚线箭头(ii)所示的方向(方向X中间部、方向X内侧)移动。
此时，在第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的平坦化膜51没有形成开口52a的情况下，由于平坦化膜51是膜厚为几μm的比较厚的膜，因此，移动到第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的方向X中间部的ACF53熔融树脂能进一步移动(逃逸)的区域少(几乎无法向图10所示的虚线箭头(iii)所示的方向移动)。因此，在第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的方向X中间部，ACF53熔融树脂聚集而树脂量变多，结果是，熔融树脂膨胀。这样的话，由于ACF53树脂膨胀，而向柔性面板侧施加应力，有可能在柔性面板产生裂纹。特别是，在电子部件40是IC芯片45等的情况下，即使强烈压入，IC芯片45自身也几乎不会挠曲，因此由ACF53树脂膨胀引起的应力几乎全部施加到柔性面板侧，面板裂纹的风险进一步增加。另外，构成平坦化膜51的有机绝缘膜由于使用感光性树脂材料，因此与树脂基板10等柔性基板相比，对拉伸应力的耐受程度弱，更易于产生裂纹。而且，在平坦化膜51产生了裂纹的情况下，裂纹有可能进展到位于其下层的无机层叠膜50、树脂基板10。
相对于此，在有机EL显示装置60a中，在第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间形成有开口52a，平坦化膜51被除去，因此如图10所示，移动到第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的ACF53熔融树脂也能够朝向虚线箭头(iii)所示的方向(斜下方向)移动到开口52a内的区域。这样，ACF53树脂能移动的区域增加，从而由ACF53树脂膨胀引起的应力自身会降低。其结果是，施加到柔性面板侧的应力也降低，因此得以抑制面板裂纹的发生。另外，由于更易于产生裂纹的平坦化膜51不存在于易于发生ACF53树脂膨胀的第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的方向X中间部，因此也得以抑制平坦化膜51自身的裂纹发生。
《第1实施方式的变形例》
开口52a也可以形成在第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的方向X中间部附近。在该情况下，只要以将在高温加压处理时易于发生ACF53树脂膨胀的区域中的平坦化膜51除去的方式形成开口52a即可。换言之，能够充分残留对第2输出焊盘48的端面进行保护的残存平坦化膜51a。
在上述构成的有机EL显示装置60a中构成为，在各子像素P中，通过经由栅极线14将栅极信号输入到第1TFT9a，使第1TFT9a变为导通状态，经由源极线18f将与源极信号对应的电压写入到第2TFT9b的栅极电极14b和电容器9c，基于第2TFT9b的栅极电压所规定的来自电源线18g的电流被供应到有机EL层23，从而有机EL层23的发光层3发光，进行图像显示。此外，在有机EL显示装置60a中，即使第1TFT9a变为截止状态，第2TFT9b的栅极电压也由电容器9c保持，因此，得以将发光层3的发光维持到输入下一帧的栅极信号。
接下来，说明本实施方式的有机EL显示装置60a的制造方法。有机EL显示装置60a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序、密封膜形成工序、端子部形成工序以及电子部件安装工序。
＜TFT层形成工序＞
(树脂基板形成工序)
首先，例如，在玻璃基板上涂敷非感光性的聚酰亚胺树脂(厚度6μm左右)后，对该涂敷膜进行预烘焙(pre-bake)和后烘焙(post-bake)，从而形成树脂基板10。
(底涂膜形成工序)
在树脂基板10上，例如，通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法，按顺序形成氧化硅膜(厚度500nm左右)和氮化硅膜(厚度100nm左右)，从而形成底涂膜11。
(半导体层形成工序)
在形成有底涂膜11的基板表面，通过等离子体CVD法，例如，形成非晶硅膜(厚度50nm左右)，在通过激光退火等将该非晶硅膜结晶化而形成多晶硅膜的半导体膜后，将该半导体膜图案化，形成半导体层12a和12b。
(栅极绝缘膜形成工序)
在形成有半导体层12a等的基板表面(整个面)，例如，通过等离子体CVD法，形成氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度100nm左右)，从而形成栅极绝缘膜13。
(第1配线层形成工序)
在形成有栅极绝缘膜13的基板表面，例如，在通过溅射法形成钼膜(厚度250nm左右)后，将该钼膜图案化，形成栅极线14、栅极电极14a和14b等第1配线层。此时，也形成构成电容器9c的下部导电层14c等。此外，此时，也可以形成第1引绕配线44a和第2引绕配线44b。
(掺杂工序)
然后，将栅极电极14a和14b作为掩模，例如，掺杂硼等杂质离子，从而将半导体层12a和12b的一部分导体化。
(第1层间绝缘膜形成工序)
在半导体层12a等的至少一部分被导体化的基板表面(整个面)，例如，通过等离子体CVD法，形成氮化硅膜(厚度100nm左右)，从而形成第1层间绝缘膜15。
(第2配线层形成工序)
在形成有第1层间绝缘膜15的基板表面，例如，在通过溅射法形成钼膜(厚度250nm左右)后，将该钼膜图案化，形成构成电容器9c的上部导电层16。此时，形成第1引绕配线44a和第2引绕配线44b。
(第2层间绝缘膜形成工序)
在形成有第2配线层的基板表面，例如，通过等离子体CVD法，按顺序形成氧化硅膜(厚度300nm左右)和氮化硅膜(厚度200nm左右)，从而形成第2层间绝缘膜17。
(层叠膜图案化工序)
然后，将栅极绝缘膜13、第1层间绝缘膜15以及第2层间绝缘膜17图案化，从而形成接触孔。此时，在端子部T中，在第1层间绝缘膜15和/或第2层间绝缘膜17形成接触孔(第2端子部T2中的接触孔H17等)。
(第3配线层形成工序)
在形成有第2层间绝缘膜17和上述接触孔的基板表面，例如，在通过溅射法按顺序形成钛膜(厚度50nm左右)、铝膜(厚度600nm左右)以及钛膜(厚度50nm左右)后，将这些金属层叠膜图案化，形成源极电极18a和18c、漏极电极18b和18d、源极线18f、电源线18g。此时，在第1端子部T1中的该基板表面形成第1焊盘42(第1焊盘列43)，在第2端子部T2中的该基板表面形成第2输入焊盘46(第2焊盘列47)和第2输出焊盘48(第3a焊盘列49a和第3b焊盘列49b)。
(平坦化膜形成工序)
最后，在形成有第3配线层的基板表面，例如，在通过旋转涂布法或狭缝涂布法涂敷感光性的聚酰亚胺树脂(厚度2.5μm左右)后，对该涂敷膜进行预烘焙、曝光、显影以及后烘焙，从而形成平坦化膜19。此时，在端子部T中的该基板表面形成平坦化膜51。
如上所述，能够形成TFT层20。
＜有机EL元件层形成工序＞
在由上述TFT层形成工序形成的TFT层20的平坦化膜19上，使用公知的方法，形成第1电极21、边缘罩22、有机EL层23(空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、电子注入层5)以及第2电极24，从而形成有机EL元件25，形成有机EL元件层30。
＜密封膜形成工序＞
在由上述有机EL元件层形成工序形成的有机EL元件层30上，以覆盖各有机EL元件25的方式，使用掩模，例如，通过等离子体CVD法形成氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜，形成第1无机密封膜31。
接着，在第1无机密封膜31上，例如，通过喷墨法，将丙烯酸树脂等有机树脂材料成膜，形成有机密封膜32。
然后，以覆盖有机密封膜32的方式，使用掩模，例如，通过等离子体CVD法形成氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜，形成第2无机密封膜33，从而形成密封膜35。
＜端子部形成工序＞
在由上述TFT层形成工序中的平坦化膜形成工序形成的平坦化膜51形成开口52a。具体来说，例如通过光刻等将由上述TFT层形成工序中的第3配线层形成工序形成的第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的平坦化膜51除去，仅残留将在第3a焊盘列49a和第3b焊盘列49b中排列的各第2输出焊盘48的端部覆盖的平坦化膜51(残存平坦化膜51a)。此外，也可以在第1焊盘列43与第2焊盘列47之间的平坦化膜51和/或第2焊盘列47与第3a焊盘列49a之间的平坦化膜51也与上述同样地形成开口52a。
＜电子部件安装工序＞
首先，以覆盖由上述端子部形成工序形成的第1端子部T1和第2端子部T2中的基板表面的方式贴附ACF53。
接着，在第1端子部T1中，将排列于第1焊盘列43的各第1焊盘42与设置于FPC41的各电极(未图示)经由ACF53通过高温加压处理热压接而电连接。另外，在第2端子部T2中，将排列于第2焊盘列47的各第2输入焊盘46与设置于IC芯片45的输入凸块(未图示)、以及排列于第3焊盘列49的各第2输出焊盘48与设置于IC芯片45的输出凸块55分别经由ACF53通过高温加压处理热压接而电连接。
最后，在基板表面贴附保护片(未图示)后，从树脂基板10的玻璃基板侧照射激光，从而使玻璃基板从树脂基板10的下表面剥离，在使玻璃基板剥离后的树脂基板10的下表面贴附保护片(未图示)。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置60a。
＜效果＞
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置60a及其变形例，能够得到以下的效果。
在有机EL显示装置60a中，在经由ACF53来连接电子部件40的端子部T中，作为焊盘42、46、48(焊盘列43、47、49)的上层，仅设置有由有机绝缘膜构成的平坦化膜51，在平坦化膜51，形成有使位于焊盘42、46、48的下层的无机层叠膜50露出的开口52a。因此，在开口52a区域(平坦化膜51被除去的区域)内，通过高温加压处理熔融后的ACF53树脂能进行移动。也就是说，得以确保(增加)ACF53树脂的移动区域，因此能够降低由电子部件40压入时的ACF53树脂流动引起的应力，其结果是，也能够降低施加到柔性面板的应力。另外，通过将有可能被施加应力的部分的平坦化膜51(相邻的焊盘列之间(的中间部)中的平坦化膜51)除去，能够抑制平坦化膜51自身产生裂纹，其结果是，也能够抑制裂纹向下层的无机层叠膜50、树脂基板10的进展。根据以上，能够抑制由安装电子部件40时的高温加压处理引起的柔性面板的裂纹的产生。
另外，在有机EL显示装置60a中，形成有开口52a的平坦化膜51以覆盖各焊盘42、46、48的端面的方式残存。由于设置有残存平坦化膜51a作为边缘罩，因此能够抑制各焊盘42、46、48的端面的腐蚀。具体来说，在各焊盘42、46、48例如由Ti/Al/Ti等金属层叠膜构成的情况下，能够抑制Al腐蚀。
《第2实施方式》
接下来，说明本发明的第2实施方式。图11和图12示出了本发明的显示装置的第2实施方式。图11是示出经由ACF53将IC芯片45(电子部件40)连接到本实施方式的有机EL显示装置60b的第2端子部T2中配置的第2输出焊盘48前的状态的沿着图7中的IX-IX线的截面图，是与图9相当的图。图12是示出经由ACF53将IC芯片45连接到有机EL显示装置60b的第2端子部T2中配置的第2输出焊盘48时的ACF53树脂的移动的沿着图7中的IX-IX线的截面图，是与图10相当的图。
有机EL显示装置60b的整体构成除了端子部T的构成以外与上述第1实施方式的情况相同，因此，在此省略详细的说明。另外，对与第1实施方式同样的构成部分标注同一附图标记而省略其说明。此外，在本实施方式中，说明第2端子部T2中的第3焊盘列49(第2输出焊盘48)的端子结构，但是第2端子部T2中的第2焊盘列47(第2输入焊盘46)和第1端子部T1中的第1焊盘列43(第1焊盘42)也是同样的端子结构，因此省略详细的说明。也就是说，在柔性面板的端子部T中，也能够应用同样的端子结构。
在方向X上相互间隔开的第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间(在方向X上相邻的第2输出焊盘48之间)，在上述第1实施方式的有机EL显示装置60a中是将残存平坦化膜51a以外的平坦化膜51全部除去而形成有1个开口52a，而在本实施方式的有机EL显示装置60b中，如图11和图12所示，开口52b形成为多个(在图11和图12中为4个)。具体来说，多个开口52b分别形成为沿着第3焊盘列49的方向Y以直线状延伸的狭缝状。狭缝状开口52b在方向X上相互间隔开设置。此外，在方向X上相邻的狭缝状开口52b之间残留的平坦化膜51(以下也称为“狭缝状平坦化膜51b”)也是沿着方向Y以直线状延伸的狭缝状。
狭缝状平坦化膜51b的宽度(方向X长度)没有特别限定，例如为1μm以上且6μm以下。狭缝状开口52b的宽度(方向X长度)只要根据狭缝状平坦化膜51b的宽度、狭缝状开口52b(狭缝状平坦化膜51b)的数量等适当调整即可。此外，覆盖各第2输出焊盘48的端部的残存平坦化膜51a的宽度及高度是与上述第1实施方式同样的。
《第2实施方式的变形例》
多个狭缝状开口52b(在狭缝状开口52b之间残留的狭缝状平坦化膜51b)也可以在第3焊盘列49的方向Y长度上(方向Y两端的第2输出焊盘48之间)分别形成为沿着与方向Y正交的方向X以直线状延伸。在该情况下，狭缝状开口52b在方向Y上相互间隔开设置。
本实施方式的有机EL显示装置60b及其变形例能够通过在上述第1实施方式的有机EL显示装置60a的制造方法中的端子部形成工序中变更在将平坦化膜51除去而形成开口52a时的图案形状来制造。
＜效果＞
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置60b及其变形例，能够得到与上述同样的效果。具体来说，在有机EL显示装置60b中，开口52b设置为多个，多个开口52b形成为狭缝状。也就是说，相邻的焊盘列之间的平坦化膜51不是除了覆盖各焊盘42、46、48的端面的残存平坦化膜51a以外的全部被除去，而是部分地被除去。由此，如图12所示，移动到第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的ACF53熔融树脂也朝向在向虚线箭头(ii)所示的方向的移动中途(路径)存在多个的狭缝状开口52b内的区域而向虚线箭头(iii)所示的方向(下方)移动。因此，电子部件40压入时的ACF53树脂向虚线箭头(ii)所示的方向的移动变得缓慢(逐渐发生ACF53树脂流动)。由此，能够缓和由电子部件40压入时的ACF53树脂流动引起的应力的集中，其结果是，能够降低施加到柔性面板的应力。另外，通过将平坦化膜51设为狭缝状，能够抑制狭缝状平坦化膜51b自身产生裂纹。
另外，如图11和图12所示，在将多个狭缝状开口52b形成为沿着各焊盘42、46、48的短边方向(各焊盘列43、47、49方向)Y延伸的情况下，能够使狭缝状平坦化膜51b的密度均匀，因此能够提高柔性基板的翘曲的均匀性。
《其它实施方式》
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层的5层层叠结构的有机EL层，但是有机EL层例如也可以是空穴注入层兼空穴传输层、发光层、以及电子传输层兼电子注入层的3层层叠结构。
在上述各实施方式中，例示了将第1电极设为阳极且将第2电极设为阴极的有机EL显示装置，但是本发明也能够应用于使有机EL层的层叠结构反转，将第1电极设为阴极且将第2电极设为阳极的有机EL显示装置。
在上述各实施方式中，例示了将与第1电极连接的TFT的电极设为漏极电极的有机EL显示装置，但是本发明也能够应用于将与第1电极连接的TFT的电极称为源极电极的有机EL显示装置。
在上述各实施方式中，作为显示装置，采用了有机EL显示装置，但是本发明也能够应用于有源矩阵驱动方式的液晶显示装置等显示装置。
在上述各实施方式中，作为显示装置，举出有机EL显示装置为例进行了说明，但是本发明能够应用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，能够应用于具备作为使用了含量子点层的发光元件的QLED(Quantum-dot light emitting diode：量子点发光二极管)的显示装置。
工业上的可利用性
如以上说明的那样，本发明对于柔性的显示装置是有用的。
附图标记说明
D 显示区域
F 边框区域
P 子像素
T 端子部
T1 第1端子部
T2 第2端子部
H17 接触孔
P48 第2输出焊盘48的间距
D49 第3a焊盘列49a与第3b焊盘列49b之间的距离
10 树脂基板
11 底涂膜
13 栅极绝缘膜
14 栅极线(第1配线层)
14a、14b 栅极电极(第1配线层)
14c 下部导电层(第1配线层)
15 第1层间绝缘膜
16 上部导电层(第2配线层)
17 第2层间绝缘膜
18a、18c 源极电极(第3配线层)
18b、18d 漏极电极(第3配线层)
18f 源极线(第3配线层)
18g 电源线(第3配线层)
19 平坦化膜(第2平坦化膜)
20 TFT层(薄膜晶体管层)
25 有机EL元件(有机电致发光元件、发光元件)
30 有机EL元件层(发光元件层)
35 密封膜
40 电子部件
41 FPC
42 第1焊盘
43 第1焊盘列
44a 第1引绕配线
44b 第2引绕配线
45 IC芯片
46 第2输入焊盘
47 第2焊盘列
48 第2输出焊盘
49 第3焊盘列
49a 第3a焊盘列
49b 第3b焊盘列
50 无机层叠膜
51a、51b(51) 平坦化膜
52a、52b 开口
53 ACF(各向异性导电膜)
55 输出凸块
60a、60b 有机EL显示装置。

Claims (20)

1.一种显示装置，具备：
显示区域；以及
边框区域，其设置在上述显示区域的周围，
在上述边框区域设置有端子部，
在上述端子部中，具备：
树脂基板；
无机层叠膜，其包括多个无机绝缘膜，设置在上述树脂基板上；
焊盘列，其设置在上述无机层叠膜上，是经由各向异性导电膜与设置于电子部件的多个凸块分别电连接的多个焊盘排列为一列而成的；以及
平坦化膜，其包括有机绝缘膜，以覆盖上述各焊盘的端部的方式设置在上述无机层叠膜和上述焊盘列上，
上述显示装置的特征在于，
在上述平坦化膜，形成有使上述无机层叠膜露出的开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述开口与上述各焊盘在俯视时不重叠。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
上述开口形成于覆盖上述各焊盘的端部的上述平坦化膜之间的整个范围。
4.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
上述开口形成有多个。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
上述各开口形成为沿着上述焊盘列的方向延伸的狭缝状。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
上述焊盘列相互间隔开设置有多个，
上述开口形成在上述多个焊盘列之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
上述多个焊盘列是上述多个焊盘在俯视时排列为锯齿状的2列焊盘列。
8.根据权利要求6或7所述的显示装置，其特征在于，
上述多个焊盘列之间的距离为20μm以上且100μm以下。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
覆盖上述各焊盘的端部的上述平坦化膜的宽度为1μm以上且6μm。
10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
位于上述各焊盘上的上述平坦化膜的厚度为1μm以上且3μm。
11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
位于上述无机层叠膜上的上述平坦化膜的厚度为2μm以上且4μm。
12.根据权利要求1至11中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
上述各焊盘由Ti/Al/Ti的金属层叠膜形成。
13.根据权利要求1至12中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述电子部件是IC芯片。
14.根据权利要求1至13中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
在上述显示区域中，具备：
上述树脂基板；
薄膜晶体管层，其设置在上述树脂基板上，按顺序层叠有半导体层、栅极绝缘膜、第1配线层、第1层间绝缘膜、第2配线层、第2层间绝缘膜、第3配线层以及第2平坦化膜，按每个子像素配置有薄膜晶体管；
发光元件层，其设置在上述薄膜晶体管层上，按每个上述子像素配置有多个发光元件；以及
密封膜，其以覆盖上述发光元件层的方式设置。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
上述无机层叠膜包含上述栅极绝缘膜、第1层间绝缘膜以及第2层间绝缘膜中的至少一层。
16.根据权利要求14或15所述的显示装置，其特征在于，
还具备介于上述无机层叠膜的多个引绕配线，
上述各引绕配线与上述第1配线层和/或上述第2配线层由同一材料形成在同一层。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，
上述各引绕配线经由形成于位于该引绕配线的上层的上述无机层叠膜的接触孔与上述各焊盘电连接。
18.根据权利要求14至17中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
上述各焊盘与上述第3配线层由同一材料形成在同一层。
19.根据权利要求14至18中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
上述平坦化膜与上述第2平坦化膜由同一材料形成在同一层。
20.根据权利要求14至19中的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
上述各发光元件是有机电致发光元件。
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