CN117954541A - 全彩堆叠MicroLED芯片及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 15
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明提供一种全彩堆叠MicroLED芯片及其制作方法，该全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法包括：制作蓝绿光双色LED晶圆和制作红光单色LED晶圆；在蓝绿光双色LED晶圆上形成第一电极层，在制作红光单色LED晶圆上形成第二电极层；将第一电极层和第二电极层进行键合，并去除蓝绿光双色LED晶圆的衬底层，获得红绿蓝光三色LED晶圆；在红绿蓝光三色LED晶圆上实现图形化，并制作相应电极，形成MicroLED芯片。该方法用于制作该芯片。应用本发明可优化外延结构，简化单片全彩集成工艺。
Description
技术领域
本发明涉及MicroLED芯片技术领域，具体的，涉及一种全彩堆叠MicroLED芯片，还涉及该全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法。
背景技术
当前，MicroLED垂直全彩堆叠芯片主要采用制作方式是：通过三片不同颜色晶圆分别键合，并采用键合集成(或金属电极连接)等工艺进行连接，实现工艺流程具体如下：将蓝光LED与CMOS背板键合集成后去除蓝光LED硅衬底；将绿光LED与去衬底后的蓝光LED键合集成(或金属电极连接)后去除绿光LED硅衬底；将红光LED与去衬底后的绿光LED键合集成(或金属电极连接)后去除红光LED衬底。
但是，该工艺通过对三个颜色的LED晶圆进行单独外延制作，再将三个颜色的LED晶圆进行键合，工艺较为复杂。
发明内容
本发明的第一目的是提供一种可优化外延结构，简化单片全彩集成工艺的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法。
本发明的第二目的是提供一种可优化外延结构，简化单片全彩集成工艺的全彩堆叠MicroLED芯片。
为了实现上述第一目的，本发明提供的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法包括：制作蓝绿光双色LED晶圆和制作红光单色LED晶圆；在蓝绿光双色LED晶圆上形成第一电极层，在制作红光单色LED晶圆上形成第二电极层；将第一电极层和第二电极层进行键合，并去除蓝绿光双色LED晶圆的衬底层，获得红绿蓝光三色LED晶圆；在红绿蓝光三色LED晶圆上实现图形化，并制作相应电极，形成MicroLED芯片。
由上述方案可知，本发明的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法通过制作蓝绿光双色LED晶圆和制作红光单色LED晶圆，再将蓝绿光双色LED晶圆和制作红光单色LED晶圆进行键合，考虑了蓝绿光LED均采用硅基GaN材料体系，可进行同质外延的方式生成，从而节省了多次键合的步骤，优化外延结构，简化单片全彩集成工艺。
进一步的方案中，制作蓝绿光双色LED晶圆的步骤包括：采用外延生长获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色LED晶圆。
由此可见，蓝绿光双色LED晶圆中，不同发光波长多量子阱之间的连接可通过量子隧穿结实现，可优化外延结构。
进一步的方案中，采用同质外延法获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色LED晶圆的步骤包括：在GaN单晶衬底上逐层外延出N型重掺杂GaN外延层、蓝光多量子阱、第一电子阻挡层、P型掺杂GaN外延层、P型重掺杂GaN外延层、N型InGaN外延层、第二电子阻挡层、绿光多量子阱、第三电子阻挡层、P型掺杂GaN外延层、P型重掺杂GaN外延层。
进一步的方案中，采用同质外延法获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色LED晶圆的步骤包括：在GaN单晶衬底上逐层外延出N型重掺杂GaN外延层、绿光多量子阱、第一电子阻挡层、P型掺杂GaN外延层、P型重掺杂GaN外延层、N型InGaN外延层、第二电子阻挡层、蓝光多量子阱、第三电子阻挡层、P型掺杂GaN外延层、P型重掺杂GaN外延层。
由此可见，绿光多量子阱和蓝光多量子阱的位置可根据需要进行设置。
进一步的方案中，制作红光单色LED晶圆的步骤包括：在GaAs衬底上生成红色AlInGaP外延层晶圆。
进一步的方案中，在红绿蓝光三色LED晶圆上实现图形化，并制作相应电极，形成MicroLED芯片的步骤包括：由红绿蓝光三色LED晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至红光LED外延层，形成第一台面；在红绿蓝光三色LED晶圆的顶部形成第一N型电极，在第一台面形成第二N型电极；将第一N型电极和第二N型电极互联，形成共N极。
由此可见，通过蚀刻在红光LED外延层形成第一台面，并在红绿蓝光三色LED晶圆的顶部形成第一N型电极，在第一台面形成第二N型电极，再将第一N型电极和第二N型电极互联，从而形成共N极，可形成电回路。
进一步的方案中，全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法还包括：在形成第一N型电极和第二N型电极之前，在红绿蓝光三色LED晶圆的顶部至第一台面的侧壁上进行镀膜，形成钝化层；将第一N型电极和第二N型电极互联时，在钝化层上形成金属连接层，使金属连接层将第一N型电极和第二N型电极互联。
由此可见，在红绿蓝光三色LED晶圆的顶部至第一台面的侧壁上进行镀膜，再在钝化层上形成金属连接层连接第一N型电极和第二N型电极，可提高连接的稳定性，同时，设置钝化层，可避免金属连接层与其他层连接。
进一步的方案中，由红绿蓝光三色LED晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至红光LED外延层，形成第一台面时，还包括：
由此可见，由红绿蓝光三色LED晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至第二个颜色LED外延层，可有利于减少该颜色LED外延层的遮挡。
为了实现上述第二目的，本发明提供的全彩堆叠MicroLED芯片，包括衬底层和红绿蓝光LED外延层，红绿蓝光LED外延层设置在衬底层上，红绿蓝光LED外延层包括红光LED外延层和蓝绿双色LED外延层，红光LED外延层和蓝绿双色LED外延层由下往上依次设置在衬底层上，红光LED外延层和蓝绿双色LED外延层键合；蓝绿双色LED外延层包括蓝光LED外延层和绿光LED外延层，蓝光LED外延层和绿光LED外延层通过量子隧穿结连接。
由上述方案可见，本发明的全彩堆叠MicroLED芯片通过红光LED外延层和蓝绿双色LED外延层键合，考虑了蓝绿光LED均采用硅基GaN材料体系，可进行同质外延的方式生成，可节省多次键合的步骤，优化外延结构，简化单片全彩集成工艺。
进一步的方案中，红绿蓝光LED外延层设置有第一台面，第一台面位于红光LED外延层；红绿蓝光LED外延层的顶部设置有第一N型电极，第一台面上设置有第二N型电极，第一N型电极和第二N型电极互联。
由此可见，在红绿蓝光LED外延层的顶部形成第一N型电极，在第一台面形成第二N型电极，再将第一N型电极和第二N型电极互联，从而形成共N极，可形成电回路。
附图说明
图1是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例的流程图。
图2是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中步骤S1得到的结构剖视示意图。
图3是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中蓝绿光双色LED晶圆的结构剖视示意图。
图4是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中另一种蓝绿光双色LED晶圆结构的结构剖视示意图。
图5是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中红光单色LED晶圆的结构剖视示意图。
图6是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中步骤S2得到的结构剖视示意图。
图7是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中将第一电极层和第二电极层进行键合步骤得到的结构剖视示意图。
图8是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中去除蓝绿光双色LED晶圆的第一衬底步骤得到的结构剖视示意图。
图9是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中在红绿蓝光三色LED晶圆上制作电极步骤的流程图。
图10是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中形成第一台面和第二台面步骤得到的结构剖视示意图。
图11是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中形成钝化层步骤得到的结构剖视示意图。
图12是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中形成第一N型电极和第二N型电极步骤得到的结构剖视示意图。
图13是本发明全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例中将第一N型电极和第二N型电极互联步骤得到的结构剖视示意图。
以下结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
具体实施方式
全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法实施例：
如图1所示，本实施例中，全彩堆叠MicroLED芯片在制作方法时，首先执行步骤S1，制作蓝绿光双色LED晶圆和制作红光单色LED晶圆。
参见图2，蓝绿光双色LED晶圆1包括第一衬底11和蓝绿双色LED外延层12，蓝绿双色LED外延层12设置在第一衬底11上。红光单色LED晶圆2包括第二衬底21和红光LED外延层22，红光LED外延层22设置在第二衬底21上。本实施例中，第一衬底11为GaN单晶衬底，第二衬底21为GaAs衬底。
参见图3，蓝绿双色LED外延层12包括蓝光LED外延层13和量子隧穿结14和绿光LED外延层15，蓝光LED外延层13和绿光LED外延层15通过量子隧穿结14连接。
本实施例中，蓝光LED外延层13包括N型重掺杂GaN外延层131、蓝光多量子阱132、第一电子阻挡层133和P型掺杂GaN外延层134。量子隧穿结14包括P型重掺杂GaN外延层141和N型InGaN外延层142，绿光LED外延层15包括第二电子阻挡层151、绿光多量子阱152、第三电子阻挡层153、P型掺杂GaN外延层154和P型重掺杂GaN外延层155。其中，N型重掺杂GaN外延层131，掺杂硅元素或锗元素，用于形成P－N结所需的N型半导体层，重掺杂以便与N型电极形成欧姆接触。蓝光多量子阱132，通过多个周期InGaN/GaN量子阱结构外延，形成电子－空穴复合的有源区，在电流通过时，实现电子能级跃迁并辐射出蓝色光。第一电子阻挡层133，由AlGaN外延结构形成，用于降低电子散射几率，从而提高发光效率。P型掺杂GaN外延层134，掺杂镁元素，用于形成P－N结所需的P型半导体层。P型重掺杂GaN外延层141，掺杂镁元素，用于形成P－N结所需的P型半导体层。N型InGaN外延层142，掺杂镁元素，与P型重掺杂GaN外延层141形成量子隧穿结14。第二电子阻挡层151通过N型AlGaN外延结构形成，用于降低电子散射几率，从而提高发光效率。绿光多量子阱152，通过多个周期InGaN/GaN量子阱结构外延，形成电子－空穴复合的有源区，在电流通过时，实现电子能级跃迁并辐射出绿色光。第三电子阻挡层153通过AlGaN外延结构形成，降低电子散射几率，从而提高发光效率。P型掺杂GaN外延层154，掺杂镁元素，用于形成P－N结所需的P型半导体层。P型重掺杂GaN外延层155掺杂镁元素，用于形成P－N结所需的P型半导体层，重掺杂以便与P型电极形成欧姆接触。
可选的实施例中，参见图4，蓝绿双色LED外延层12包括绿光LED外延层130和量子隧穿结140和蓝光LED外延层150，绿光LED外延层130和蓝光LED外延层150通过量子隧穿结140连接。绿光LED外延层130包括N型重掺杂GaN外延层1301、绿光多量子阱1302、第一电子阻挡层1303和P型掺杂GaN外延层1304。量子隧穿结140包括P型重掺杂GaN外延层1401和N型InGaN外延层1402，蓝光LED外延层150包括第二电子阻挡层1501、蓝绿光多量子阱1502、第三电子阻挡层1503、P型掺杂GaN外延层1504和P型重掺杂GaN外延层1505。
红光LED外延层22可采用公知的结构，例如，本实施例中，参见图5，红光LED外延层22包括缓冲层221、分布式布拉格反射镜层222、插入层223、N型AlInP限制层224、红光多量子阱225、P型AlInP限制层226和P型GaP扩展层227。缓冲层221、分布式布拉格反射镜层222、插入层223、N型AlInP限制层224、红光多量子阱225、P型AlInP限制层226和P型GaP扩展层227均为公知的结构，在此不再赘述。缓冲层221用于提高外延层晶体质量。分布式布拉格反射镜层222利用布拉格反射镜将发光层的光反射，以提高出光效率，减少衬底的吸收。插入层223用于调整晶格常数，提高发光层质量。N型AlInP限制层224用于限制电子溢出能力，提高阈值电流，提升器件高温下的工作性能。红光多量子阱225通过多个周期量子阱结构外延，形成电子－空穴复合的有源区，在电流通过时，实现电子能级跃迁并辐射出红色光。P型AlInP限制层226用于限制空穴溢出能力，提高阈值电流，提升器件高温下的工作性能。P型GaP扩展层227用于提高电流扩展性能，从而提高亮度。
本实施例中，制作蓝绿光双色LED晶圆12的步骤包括：采用同质外延法获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色LED晶圆12。采用同质外延法获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色LED晶圆12时采用的是MOCVD法逐层外延形成。
本实施例中，采用同质外延法获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色LED晶圆12的步骤包括：在第一衬底11上逐层外延出N型重掺杂GaN外延层131、蓝光多量子阱132、第一电子阻挡层133、P型掺杂GaN外延层134、P型重掺杂GaN外延层141、N型InGaN外延层142、第二电子阻挡层151、绿光多量子阱152、第三电子阻挡层153、P型掺杂GaN外延层154和P型重掺杂GaN外延层155。
可选的实施例中，采用同质外延法获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色LED晶圆的步骤包括：在第一衬底11上逐层外延出N型重掺杂GaN外延层1301、绿光多量子阱1302、第一电子阻挡层1303、P型掺杂GaN外延层1304、P型重掺杂GaN外延层1401、N型InGaN外延层1402、第二电子阻挡层1501、蓝光多量子阱1502、第三电子阻挡层1503、P型掺杂GaN外延层1504和P型重掺杂GaN外延层1505。
本实施例中，制作红光单色LED晶圆2的步骤包括：在第二衬底21上生成红色AlInGaP外延层晶圆。制作红光单色LED晶圆22时采用的是MOCVD法逐层外延，在第二衬底21上形成红光LED外延层22。
制作蓝绿光双色LED晶圆1和制作红光单色LED晶圆2后，执行步骤S2，在蓝绿光双色LED晶圆1上形成第一电极层16，在制作红光单色LED晶圆2上形成第二电极层23。执行步骤S2得到的结构如图6所示，其中，第一电极层16和第二电极层23均为氧化铟锡透明电极。形成第一电极层16和第二电极层23时采用PVD法形成。
完成第一电极层16和第二电极层23的制作后，执行步骤S3，将第一电极层16和第二电极层23进行键合，并去除蓝绿光双色LED晶圆1的第一衬底11，获得红绿蓝光三色LED晶圆。键合工艺为本领域技术人员所公知的技术手段，在此不再赘述。第一电极层16和第二电极层23进行键合后的结构如图7所示，第一电极层16和第二电极层23结合后形成新的电极层3。完成第一电极层16和第二电极层23后，在去除蓝绿光双色LED晶圆1的第一衬底11时，采用干法刻蚀或湿法刻蚀第一衬底11，此为本领域技术人员所公知的技术手段，在此不再赘述。去除蓝绿光双色LED晶圆1的第一衬底11后获得的红绿蓝光三色LED晶圆的结构如图8所示。
获得红绿蓝光三色LED晶圆后，执行步骤S4，在红绿蓝光三色LED晶圆上实现图形化，并制作相应电极，形成MicroLED芯片。为了完成MicroLED芯片的制作，需要在红绿蓝光三色LED晶圆上实现图形化，并制作相应电极。在晶圆上进行图形化为本领域技术人员所公知的技术，在此不再赘述。
在红绿蓝光三色LED晶圆上制作电极时，参见图9，先执行步骤S41，由红绿蓝光三色LED晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至红光LED外延层22，形成第一台面4，由红绿蓝光三色LED晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至第二个颜色LED外延层，形成第二台面5，其中，第二个颜色LED外延层为红绿蓝光三色LED晶圆的顶部向衬底方向依次排列的颜色LED外延层中的第二个，本实施例中，第二个颜色LED外延层为绿光LED外延层15。形成第一台面4和第二台面5后得到的结构如图10所示。在形成第一台面4和第二台面5时，采用光刻蚀法刻蚀出第一台面4和第二台面5，第一台面4刻蚀截至于AlInGaP层，第二台面5刻蚀截至于N－InGaN层。
形成第一台面4和第二台面5后，执行步骤S42，在红绿蓝光三色LED晶圆的顶部至第一台面4的侧壁上进行镀膜，形成钝化层6。钝化层6采用半导体介质材料，如SiO2，SiNx，Al2O3，AlN等。形成钝化层6得到的结构如图11所示。在红绿蓝光三色LED晶圆的顶部至第一台面4的侧壁上进行镀膜时，采公知的半导体薄膜方法，如原子层沉积ALD，等离子增强化学气相沉积CVD等。通过设置钝化层6，可避免红绿蓝光三色LED晶圆之间的各层与其他电极接触，起到绝缘的作用。
形成钝化层6后，执行步骤S43，在红绿蓝光三色LED晶圆的顶部形成第一N型电极7，在第一台面4形成第二N型电极8。形成第一N型电极7和第二N型电极8后得到的结构如图12所示。在形成第一N型电极7和第二N型电极8时，通过公知的PVD法形成。第一N型电极7和第二N型电极8均为氧化铟锡透明电极。
形成第一N型电极7和第二N型电极8后，执行步骤S44，将第一N型电极7和第二N型电极7互联，形成共N极。为了将第一N型电极7和第二N型电极8导通，需要进行互联制作。
将第一N型电极7和第二N型电极8互联时，可利用金属导体将第一N型电极7和第二N型电极8连接。本实施例中，将第一N型电极7和第二N型电极8互联时，在钝化层6上形成金属连接层9，使金属连接层9将第一N型电极7和第二N型电极8互联。在钝化层6上形成金属连接层9时，通过PVD镀膜和光刻蚀的方式形成金属连接层9。优选的，金属连接层9采用铜金属制成。在钝化层6上形成金属连接层9后得到的结构如图13所示。
在将第一N型电极7和第二N型电极7互联后，即可得到全彩堆叠MicroLED芯片。由图13可知，全彩堆叠MicroLED芯片包括衬底层和红绿蓝光LED外延层，红绿蓝光LED外延层设置在衬底层上。本实施例中，衬底层为第一衬底层21。红绿蓝光LED外延层包括红光LED外延层22和蓝绿双色LED外延层12，红光LED外延层22和蓝绿双色LED外延层12由下往上依次设置在衬底层上，红光LED外延层22和蓝绿双色LED外延层12通过电极层3键合。蓝绿双色LED外延层包括蓝光LED外延层13和绿光LED外延层15，蓝光LED外延层13和绿光LED外延层15通过量子隧穿结14连接。
此外，红绿蓝光LED外延层设置有第一台面4，第一台面4位于红光LED外延层12，红绿蓝光LED外延层的顶部设置有第一N型电极7，第一台面4上设置有第二N型电极8，第一N型电极7和第二N型电极8通过金属连接层9互联。当然，第一N型电极7和第二N型电极8也可以通过引线键合的方式互联。
由上述可知，本发明的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法通过制作蓝绿光双色LED晶圆和制作红光单色LED晶圆，再将蓝绿光双色LED晶圆和制作红光单色LED晶圆进行键合，考虑了蓝绿光LED均采用硅基GaN材料体系，可进行同质外延的方式生成，从而节省了多次键合的步骤，优化外延结构，简化单片全彩集成工艺。
需要说明的是，以上仅为本发明的优选实施例，但发明的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本发明做出的非实质性修改，也均落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：包括：
制作蓝绿光双色LED晶圆和制作红光单色LED晶圆；
在蓝绿光双色LED晶圆上形成第一电极层，在所述制作红光单色LED晶圆上形成第二电极层；
将所述第一电极层和所述第二电极层进行键合，并去除所述蓝绿光双色LED晶圆的衬底层，获得红绿蓝光三色LED晶圆；
在所述红绿蓝光三色LED晶圆上实现图形化，并制作相应电极，形成MicroLED芯片。
2.根据权利要求1所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
制作蓝绿光双色LED晶圆的步骤包括：
采用外延生长获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色LED晶圆。
3.根据权利要求2所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
采用同质外延法获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色LED晶圆的步骤包括：
在GaN单晶衬底上逐层外延出N型重掺杂GaN外延层、蓝光多量子阱、第一电子阻挡层、P型掺杂GaN外延层、P型重掺杂GaN外延层、N型InGaN外延层、第二电子阻挡层、绿光多量子阱、第三电子阻挡层、P型掺杂GaN外延层、P型重掺杂GaN外延层。
4.根据权利要求2所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
采用同质外延法获得由量子隧穿结连接的蓝绿光双色LED晶圆的步骤包括：
在GaN单晶衬底上逐层外延出N型重掺杂GaN外延层、绿光多量子阱、第一电子阻挡层、P型掺杂GaN外延层、P型重掺杂GaN外延层、N型InGaN外延层、第二电子阻挡层、蓝光多量子阱、第三电子阻挡层、P型掺杂GaN外延层、P型重掺杂GaN外延层。
5.根据权利要求1所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
制作红光单色LED晶圆的步骤包括：
在GaAs衬底上生成红色AlInGaP外延层晶圆。
6.根据权利要求1至5任一项所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
在所述红绿蓝光三色LED晶圆上实现图形化，并制作相应电极，形成MicroLED芯片的步骤包括：
由所述红绿蓝光三色LED晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至红光LED外延层，形成第一台面；
在所述红绿蓝光三色LED晶圆的顶部形成第一N型电极，在所述第一台面形成第二N型电极；
将所述第一N型电极和所述第二N型电极互联，形成共N极。
7.根据权利要求6所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
还包括：
在形成所述第一N型电极和所述第二N型电极之前，在所述红绿蓝光三色LED晶圆的顶部至所述第一台面的侧壁上进行镀膜，形成钝化层；
将所述第一N型电极和所述第二N型电极互联时，在所述钝化层上形成金属连接层，使所述金属连接层将所述第一N型电极和所述第二N型电极互联。
8.根据权利要求6所述的全彩堆叠MicroLED芯片的制作方法，其特征在于：
由所述红绿蓝光三色LED晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至红光LED外延层，形成第一台面时，还包括：
由所述红绿蓝光三色LED晶圆的顶部向衬底方向蚀刻至第二个颜色LED外延层，形成第二台面，其中，第二个颜色LED外延层为所述红绿蓝光三色LED晶圆的顶部向衬底方向依次排列的颜色LED外延层中的第二个。
9.全彩堆叠MicroLED芯片，包括衬底层和红绿蓝光LED外延层，红绿蓝光LED外延层设置在所述衬底层上，其特征在于：
所述红绿蓝光LED外延层包括红光LED外延层和蓝绿双色LED外延层，所述红光LED外延层和所述蓝绿双色LED外延层由下往上依次设置在所述衬底层上，所述红光LED外延层和所述蓝绿双色LED外延层键合；
所述蓝绿双色LED外延层包括蓝光LED外延层和绿光LED外延层，所述蓝光LED外延层和绿光LED外延层通过量子隧穿结连接。
10.根据权利要求9所述的全彩堆叠MicroLED芯片，其特征在于：
所述红绿蓝光LED外延层设置有第一台面，所述第一台面位于所述红光LED外延层；
所述红绿蓝光LED外延层的顶部设置有第一N型电极，所述第一台面上设置有第二N型电极，所述第一N型电极和所述第二N型电极互联。
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Publications (1)
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Country Status (1)
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