CN117897030A - 有机电致发光器件和电子装置 - Google Patents

有机电致发光器件和电子装置 Download PDF

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CN117897030A
CN117897030A CN202311635189.7A CN202311635189A CN117897030A CN 117897030 A CN117897030 A CN 117897030A CN 202311635189 A CN202311635189 A CN 202311635189A CN 117897030 A CN117897030 A CN 117897030A
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compound
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Inventor
马天天
张孔燕
张鹤鸣
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Shaanxi Lighte Optoelectronics Material Co Ltd
Original Assignee
Shaanxi Lighte Optoelectronics Material Co Ltd
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Abstract

本申请提供一种有机电致发光器件和电子装置，该有机电致电致发光器件包括阴极、阳极以及有机层。所述有机层包括有机发光层，所述有机发光层包括第一化合物和第二化合物；所述第一化合物选自式1所示的化合物；所述第二化合物选自式2所示的化合物。

Description

有机电致发光器件和电子装置
技术领域
本申请涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及电子装置。
背景技术
近年来，有机电致发光器件(OLED)成为国内外非常热门的新兴平面显示器产品，这是因为OLED显示器具有自发光、广视角、短反应时间、高效率、广色域等特性。
有机电致发光器件(OLED)通常包括阳极、阴极和在这两个电极之间形成的有机层。该有机层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、有机发光层(含有主体和掺杂剂材料)、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等。若对有机电致发光器件施加电压，则由阳极和阴极分别将空穴与电子注入到发光层。接着在发光层中，所注入的空穴与电子再结合，形成激子。激子处于激发态向外释放能量，进而使得发光层对外发光。
目前，有机电致发光器件的使用过程中仍存在性能较差的问题，例如存在驱动电压过高、发光效率过低或者寿命较短等问题，这些都影响了机电致发光器件的使用领域，因此，仍有必要对该领域进行进一步研究，以改善有机电致发光器件的性能。
发明内容
本申请提供一种有机电致发光器件及电子装置，用以解决现有技术中的低发光效率和寿命短的器件问题。
为实现上述发明目的，本申请采用如下技术方案：
根据本申请的第一方面，本申请提供一种有机电致发光器件，包括阴极、阳极以及有机层；所述阴极和所述阳极相对设置；所述有机层位于所述阴极和所述阳极之间；所述有机层包括有机发光层；
其中，所述有机发光层包括第一化合物和第二化合物；
所述第一化合物为式1所示的化合物：
其中，Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基；
L、L1和L2相同或不同，分别独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基；
Ar3为五氘代苯基、联苯基或三联苯基；
L、L1、L2、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为6～20的氘代芳基、碳原子数为6～20的卤代芳基或碳原子数为3～10的环烷基；
所述第二化合物为式2所示的化合物：
L4和L5相同或不同，分别独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
Ar4和Ar5相同或不同，分别独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
L4、L5、Ar4和Ar5中的取代基相同或不同，且分别独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为6～20的氘代芳基、碳原子数为6～20的卤代芳基或者碳原子数为3～10的环烷基。
根据本申请的第二方面，提供了一种电子装置，包括第一方面所述的有机电致发光器件。
本申请提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件中的有机层包括有机发光层，该有机发光层包括具有强电子特性的第一化合物和具有强空穴特性的第二化合物，将第一化合物和第二化合物一起用作有机电致发光层的主体材料，能够调节空穴与电子的平衡，使得有机发光层产生更多的激子，从而提高有机电致发光器件的性能。
本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
图1是本申请的一种有机电致发光器件的结构示意图。
图2是本申请的一种电子装置的结构示意图。
附图标记
100、阳极 200、阴极 300、功能层 310、空穴注入层
320、空穴传输层 330、发光辅助层 340、有机发光层 350、电子传输层
360、电子注入层 400、第一电子装置
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本申请的主要技术创意。
根据本申请第一方面，本申请提供一种有机电致发光器件，包括阴极、阳极以及有机层；所述阴极和所述阳极相对设置；所述有机层位于所述阴极和所述阳极之间；所述有机层包括有机发光层；
其中，所述有机发光层包括第一化合物和第二化合物；
所述第一化合物为式1所示的化合物：
其中，Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基；
L、L1和L2相同或不同，分别独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基；
Ar3为五氘代苯基、联苯基或三联苯基；
L、L1、L2、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为6～20的氘代芳基、碳原子数为6～20的卤代芳基或碳原子数为3～10的环烷基；
所述第二化合物为式2所示的化合物：
L4和L5相同或不同，分别独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
Ar4和Ar5相同或不同，分别独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
L4、L5、Ar4和Ar5中的取代基相同或不同，且分别独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为6～20的氘代芳基、碳原子数为6～20的卤代芳基或者碳原子数为3～10的环烷基。
本申请中，所采用的描述方式“各……独立地为”与“……分别独立地为”和“……各自独立地为”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如，其中，各q独立地为0、1、2或3，各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式Q-1表示苯环上有q个取代基R”，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响；式Q-2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基R”，两个苯环上的R”取代基的个数q可以相同或不同，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响。
本申请中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为Rc)。举例来讲，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基Rc的芳基或者没有取代的芳基。其中上述的取代基即Rc例如可以为氘、氰基、卤素基团、烷基、卤代烷基、氘代烷基、芳基、氘代芳基、卤代芳基、环烷基等。取代的个数可以是1个或多个。
本申请中，“多个”是指2个以上，例如2个、3个、4个、5个、6个，等。
本申请中，取代或未取代的官能团的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而言，若L1为碳原子数为12的取代的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。
本申请中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，除非另有说明，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本申请的芳基。其中，稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基中不含有B、N、O、S、P、Se和Si等杂原子。芳基的实例可以包括但不限于，苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、三亚苯基、苝基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、基、螺二芴基等。本申请中，涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个氢原子所形成的二价基团。
本申请中，三联苯基包括
本申请中，取代的芳基的碳原子数，指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数，例如碳原子数为18的取代的芳基，指的是芳基和取代基的总碳原子数为18。
本申请中，取代或未取代的芳基的碳原子数可以为6、10、12、13、14、15、16、17、18、20、24、25或30。在一些实施方案中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6～20的取代或未取代的芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6～12的取代或未取代的芳基。
本申请中，作为L、L1、L2、L4、L5、Ar1、Ar2、Ar4、Ar5的取代基的芳基例如但不限于，苯基、萘基等等。
在本申请中，杂芳基是指环中包含1、2、3、4、5或6个杂原子的一价芳香环或其衍生物，杂原子可以是B、O、N、P、Si、Se和S中的一种或多种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基，换言之，杂芳基可以是单个芳香环体系，也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系，且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地，杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及N-苯基咔唑基、N-吡啶基咔唑基、N-甲基咔唑基等，而不限于此。
本申请中，取代或未取代的杂芳基的碳原子数可以选自3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29或30。在一些实施方案中，取代或未取代的杂芳基是碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的杂芳基是碳原子数为12～18的取代或未取代的杂芳基。
本申请中，取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、-CN、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基、卤代烷基等基团取代。应当理解地是，取代的杂芳基的碳原子数，指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。
本申请中，碳原子数为1～10的烷基可以包括碳原子数1至10的直链烷基和碳原子数3至10的支链烷基。烷基的碳原子数例如可以为1、2、3、4、5、6、7、8、9或10个，烷基的具体实例包括但不限于，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基等。
本申请中，卤素基团例如可以为氟、氯、溴、碘。
本申请中，卤代烷基的具体实例包括但不限于，三氟甲基。
本申请中，氘代烷基的具体实例包括但不限于，三氘代甲基。
在本申请中，氘代芳基是指含有至少一个氘取代基的芳基，氘代芳基的具体实施例包括但不限于，五氘代苯基、五氘代联苯基。
本申请中，碳原子数为3～10的环烷基的碳原子数例如可以为3、4、5、6、7、8或10。环烷基的具体实例包括但不限于，环戊基、环己基、金刚烷基。
本申请中，不定位连接键涉及的从环体系中伸出的单键其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。举例而言，如下式(f)中所示地，式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(f-1)～式(f-10)所示出的任一可能的连接方式。
再举例而言，如下式(X')中所示地，式(X')所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(X'-1)～式(X'-4)所示出的任一可能的连接方式。
在本申请一些实施方式中，所述第一化合物选自式1-1、式1-2、式1-3或式1-4所示的化合物：
在本申请一种优选的实施方式中，所述第一化合物选自式1-1所示的化合物。
可选地，所述第一化合物选自式A、式B、式C、式D、式E、式F、式G、式H、式I、式J、式K、式L、式M、式N、式O或式P所示的化合物：
在本申请一些优选的实施方式中，所述第一化合物选自式A、式B、式C或式D所示的化合物。
在本申请一些实施方式中，L、L1和L2相同或不同，分别独立地选自单键、碳原子数为6～12的取代或未取代的亚芳基。
可选地，L、L1和L2中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基或者苯基。
在本申请另一些实施方式中，L、L1和L2相同或不同，分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基。
可选地，L、L1和L2相同或不同，分别独立地选自中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基或者苯基。
进一步可选地，L、L1和L2相同或不同，分别独立地选自单键或如下基团组成的组：
具体地，L、L1和L2相同或不同，分别独立地选自单键或如下基团组成的组：
在本申请一些实施方式中，Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自碳原子数为6～20的取代或未取代的芳基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基。
可选地，Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基、苯基或者五氘代苯基。
在本申请另一些实施方式中，Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基。
可选地，Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基或者五氘代苯基。
在本申请另一些实施方式中，Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的基团W，未取代的基团W选自如下基团组成的组：
其中，表示化学键；取代的基团W中具有一个或两个以上取代基，取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基或五氘代苯基，且当基团W上的取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
可选地，Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自如下基团组成的组：
具体地，Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自如下基团组成的组：
在本申请一些实施方式中，分别独立地选自如下基团组成的组：
具体地，分别独立地选自如下基团组成的组：
在本申请一些实施方式中，式1中选自如下基团组成的组：/>
具体地，式1中选自如下基团组成的组：
/>
/>
在本申请一些实施方式中，式1中，Ar3选自如下基团组成的组：
具体地，式1中，Ar3选自如下基团组成的组：
在本申请一些优选的实施方式中，式1中，Ar3选自
在本申请一些实施方式中，所述第一化合物选自如权利要求8所示的化合物。
在本申请一些实施方式中，式2中，L4和L5相同或不同，分别独立地选自单键、碳原子数为6～12取代或未取代的亚芳基、碳原子数为12～18取代或未取代的亚杂芳基。
可选地，L4和L5中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1～5的烷基或者苯基。
在本申请一些实施方式中，式2中，L4和L5相同或不同，分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基。
可选地，L4和L5中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基或者苯基。
在本申请一些实施方式中，式2中，L4和L5相同或不同，分别独立地选自单键或如下基团组成的组：
具体地，式2中，L4和L5相同或不同，分别独立地选自单键或如下基团组成的组：
在本申请一些实施方式中，式2中，Ar4和Ar5相同或不同，分别独立地选自碳原子数为6～24取代或未取代的芳基、碳原子数为12～18取代或未取代的杂芳基。
可选地，Ar4和Ar5中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1～5的烷基、苯基或五氘代苯基。
在本申请另一些实施方式中，式2中，Ar4和Ar5相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基。
可选地，Ar4和Ar5中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基或五氘代苯基。
在本申请一些实施方式中，式2中，Ar4和Ar5相同或不同，分别独立地选自如下基团组成的组：
具体地，式2中，Ar4和Ar5相同或不同，分别独立地选自如下基团组成的组：
在本申请一些实施方式中，式2中分别独立地选自如下基团组成的组：/>
具体地，式2中分别独立地选自如下基团组成的组：/>
/>
在本申请一些实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在有机发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。
可选地，蒸镀有机发光层可以采用多源共蒸镀方式，形成包括主体材料和客体材料的有机发光层，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。
本申请有机电致发光器件的有机发光层中第一化合物和第二化合物相对含量没有特别限定，可以根据有机电致发光器件的具体应用进行选择。通常地，所述第一化合物和第二化合物的蒸镀速率比(％)可以为1∶99，20∶80，30∶70，40∶60，45∶65，50∶50，55∶45，60∶40，70∶30，80∶20，99∶1等。
在本申请的一些优选地实施方式中，所述第一化合物和第二化合物的蒸镀速率比(％)为40∶60，45∶65，50∶50，55∶45，60∶40。
在本申请另一些实施方式中，第一化合物和第二化合物可以通过机械搅拌混合均匀，形成主体材料混合物，形成的所述主体材料混合物与客体材料采用多源共蒸镀方式蒸镀有机发光层，形成包括主体材料混合物和客体材料的有机发光层，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料混合物和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。
其中，主体材料混合物中的第一化合物和第二化合物可以按照质量百分比进行混合。本申请对所述主体材料混合物中的两类化合物的相对含量没有特别限定，可根据有机电致发光器件的具体应用进行选择。通常地，以所述主体材料混合物的总重量为基准，所述第一化合物的质量百分含量可以为1％～99％，所述第二化合物的质量百分含量可以为1％～99％。例如，所述主体材料混合物中，所述第一化合物与第二化合物的质量比(％)可以为1∶99，20∶80，30∶70，40∶60，45∶65，50∶50，55∶45，60∶40，70：30，80：20，99：1等。
在本申请一种实施方式中，所述有机电致发光器件为磷光器件。
在本申请的一种具体实施方式中，所述有机电致发光器件为绿色磷光有机电致发光器件。
在本申请一些实施方式中，有机电致发光器件依次包括阳极(ITO基板)、空穴传输层、发光调整、有机发光层、电子传输层、电子注入层、阴极(Mg-Ag混合物)和有机覆盖层。
在本申请的一种具体实施方式中，如图1所示，本申请的有机电致发光器件包括阳极100、阴极200、以及介于阳极层与阴极层之间的至少一层功能层300，该功能层300包括空穴注入层310、空穴传输层320、发光调整层330、有机发光层340、电子传输层350以及电子注入层360。
可选地，阳极100包括如下阳极材料，其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料具体实例包括:金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)；组合的金属和氧化物如ZnO:Al或SnO2:Sb；或导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indium tin oxide)(ITO)作为阳极的透明电极。
可选地，空穴传输层320可以包括一种或者多种空穴传输材料，空穴传输材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物，本申请对此不做特殊的限定。举例而言，在本申请的一些实施方式中，空穴传输层320由HT-1组成。
可选地，发光辅助层330(发光调整层亦称为空穴调整层、电子阻挡层、空穴辅助层、空穴缓冲层、发光调整层或第二空穴传输层)可以包括一种或者多种空穴传输材料，空穴传输材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物，本申请对此不做特殊的限定。举例而言，在本申请的一些实施方式中，发光辅助层330由HT-2组成。
可选地，有机发光层340可以由单一发光材料组成，也可以包括主体材料和客体材料。可选地，有机发光层340由主体材料和客体材料组成，注入有机发光层330的空穴和电子可以在有机发光层340复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给客体材料，进而使得客体材料能够发光。
有机发光层340的客体材料可以为具有缩合芳基环的化合物或其衍生物、具有杂芳基环的化合物或其衍生物、芳香族胺衍生物或者其他材料，本申请对此不做特殊的限制。
在本申请的一些实施方式中，绿色有机电致发光器件，有机发光层340的包含本申请第一化合物、第二化合物和客体材料GD-01。
电子传输层350可以为单层结构，也可以为多层结构，其可以包括一种或者多种电子传输材料，电子传输材料可以选自苯并咪唑衍生物、噁二唑衍生物、喹喔啉衍生物或者其他电子传输材料，本申请对此不做特殊的限定。举例而言，在本申请的一些实施方式中，电子传输层350可以由ET-1和LiQ组成。
可选地，阴极200包括如下阴极材料，其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括:金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；或多层材料如LiF/Al，Liq/Al，LiO2/Al，LiF/Ca，LiF/Al和BaF2/Ca，但不限于此。优选包括包含银和镁的金属电极作为阴极。
可选地，在阳极100和空穴传输层320之间还可以设置有空穴注入层310，以增强向空穴传输层320注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本申请对此不做特殊的限制。在本申请的一些实施方式中，空穴注入层310可以由PD和HT-1组成。
可选地，在阴极200和电子传输层350之间还可以设置有电子注入层360，以增强向电子传输层350注入电子的能力。电子注入层360可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。在本申请的一些实施方式中，电子注入层360可以包括镱(Yb)。
本申请的第四方面还提供一种电子装置，该电子装置包括本申请所述的有机电致发光器件。
举例而言，如图2所示，本申请提供的电子装置为第一电子装置400，该第一电子装置400包括上述有机电致发光器件实施方式所描述的任意一种有机电致发光器件。该电子装置可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子装置，例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。由于第一电子装置400具有上述有机电致发光器件，因此具有相同的有益效果，本申请在此不再赘述。
下面将结合实施例详细描述本申请，但是，如下描述是用于解释本申请，而不是以任意方式限制本申请的范围。
第一化合物的合成
中间体IM-a-no的合成：
在氮气保护下，将2,3-二氯硝基苯(20.0g；104.2mmol)，d5-苯硼酸频那醇酯(47.9g；229.2mmol)，四三苯基膦钯(4.8g；4.2mmol)，碳酸钾(57.6g；416.7mmol)，四丁基溴化铵(13.4g；41.2mmol)，甲苯(320mL)，乙醇(80mL)和去离子水(80mL)加入圆底烧瓶中，将混合液升温至75℃～80℃，搅拌反应72小时。将反应液降至室温，加入去离子水，分液，有机相水洗后使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂。所得粗品使用二氯甲烷/正庚烷混合溶剂作为流动相进行硅胶柱色谱提纯，得到无色油状物中间体IM-a-no(17.7g；收率：60％)。
参照中间体IM-a-no的合成方法，以反应物A替代2,3-二氯硝基苯，合成下表1所示的中间体：
表1
中间体IM-a-nh的合成：
在氮气保护下，将中间体IM-a-no(16.0g；56.1mmol)，三苯基膦(36.8g；140.2mmol)，邻二氯苯(150mL)加入圆底烧瓶中，将混合液搅拌升温至175℃～180℃，反应36小时。将反应液降至室温，加入去离子水，分液，有机相水洗后用无水硫酸镁干燥，高温减压条件下除去溶剂。所得粗品使用二氯甲烷/正庚烷混合溶剂作为流动相进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体中间体IM-a-nh(9.2g；收率：65％)。
参照中间体IM-a-nh的合成方法，以反应物B替代中间体IM-a-no，合成下表2所示的中间体：
表2
化合物A20的合成：
氮气保护下，将中间体IM-a-nh(5.0g；19.8mmol)，sub 1(12.9g；29.7mmol)和N,N-二甲基甲酰胺(50mL)加入圆底烧瓶中，将混合液搅拌降温至-5℃～0℃，加入氢化钠(0.6g；23.7mmol)，在-5℃～0℃下，将反应液搅拌反应1小时后，升温至20℃～25℃，反应24小时。停止反应，反应液使用水洗后分液，有机相使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂得到粗品；以二氯甲烷/正庚烷混合溶剂作为洗脱剂将粗品使用硅胶柱色谱法提纯，而后使用甲苯/正庚烷混合溶剂作为流动相进行重结晶提纯，得到白色固体化合物A20(7.9g；收率：61％)。
参照化合物A20的合成方法，以反应物C替代中间体IM-a-nh，反应物D替代sub 1，合成下表3所示的化合物：
表3
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化合物A46的合成：
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氮气保护下，将中间体IM-a-nh(5.0g；19.8mmol)，sub 2(8.7g；20.8mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.2g；0.2mmol)，2-二环己基膦-2',4',6'-三异丙基联苯(0.2g；0.4mmol)，叔丁醇钠(2.9g；29.7mmol)和二甲苯(50mL)加入圆底烧瓶中，将混合液于135℃～140℃搅拌反应16小时；降至室温，反应液使用水洗后分液，有机相使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品；以二氯甲烷/正庚烷作为洗脱剂将粗品使用硅胶柱色谱法提纯，后使用甲苯/正庚烷溶剂体系对产品进行重结晶提纯，得到白色固体化合物A46(9.8g；收率：78％)。
参照化合物A46的合成方法，使用下表中反应物E替代中间体IM-a-nh，反应物F替代sub 2，合成下表4所示的化合物：
表4
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化合物B89所用反应物F-89的合成
氮气保护下，将2-氯-4,6-二(苯基-2,3,4,5,6-D5)-1,3,5-三嗪(20.0g；72.0mmol)，3’-氯联苯-4-硼酸(17.6g；75.6mmol)，四三苯基膦钯(0.8g；0.7mmol)，碳酸钾(19.9g；144.0mmol)，四丁基溴化铵(0.2g；0.7mmol)，甲苯(200mL)，乙醇(80mL)和去离子水(40mL)加入的圆底烧瓶中，将反应液升温至75℃～80℃，搅拌反应5小时。将反应液降至室温，加入去离子水，分液，有机相水洗后使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂。所得粗品使用二氯甲烷/正庚烷混合溶剂作为流动相进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体中间体F-89(24.8g；收率：80％)。
中间体sub a1的合成：
氮气保护下，将sub 3(20.0g；74.7mmol)，3-氟-4-联苯硼酸(16.9g；78.4mmol)，四三苯基膦钯(0.9g；0.7mmol)，碳酸钾(20.6g；149.4mmol)，四丁基溴化铵(0.2g；0.7mmol)，甲苯(200mL)，乙醇(80mL)和去离子水(40mL)加入的圆底烧瓶中，将反应液升温至75℃～80℃，搅拌反应10小时。将反应液降至室温，加入去离子水，分液，有机相水洗后使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂。所得粗品使用二氯甲烷/正庚烷混合溶剂作为流动相进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体中间体sub a1(21.7g；收率：72％)。
参照中间体sub a1的合成方法，以反应物G替代替3-氟-4-联苯硼酸，合成下表5所示的中间体：
表5
化合物B73的合成
氮气保护下，将IM-b-nh(22.5g；89.2mmol)，sub a1(20g；49.6mmol)，磷酸三钾(52.6g；247.8mmol)，N-甲基吡咯烷酮(200mL)，加入的圆底烧瓶中，将反应液升温至195℃，搅拌反应12小时。将反应液降至室温，加入去离子水，分液，有机相水洗后使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂。所得粗品使用二氯甲烷/正庚烷混合溶剂进行硅胶柱色谱提纯，得到固体产物B73(18.3g；收率：58％)。
参照化合物B73的合成方法，以反应物H替代sub a1，合成下表6所示的化合物：
表6
中间体ai的合成：
氮气保护下，将2,3-二氯硝基苯(20.0g；104.2mmol)，D5-苯硼酸频那醇酯(21.8g；104.2mmol)，四三苯基膦钯(2.4g；2.1mmol)，碳酸钾(28.8g；208.3mmol)，四丁基溴化铵(6.7g；20.8mmol)，甲苯(160mL)，乙醇(40mL)和去离子水(40mL)加入的圆底烧瓶中，将反应液升温至75℃～80℃，搅拌反应48小时；将反应液降至室温，加入去离子水，分液，有机相水洗后使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂；所得粗品使用二氯甲烷/正庚烷溶剂体系进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体中间体ai(18.8g；收率：76％)。
中间体aii的合成：
氮气保护下，将中间体ai(18.0g；75.4mmol)，三苯基膦(49.5g；188.5mmol)，邻二氯苯(150mL)加入圆底烧瓶中，将混合液搅拌升温至175℃～180℃，反应36小时；将反应液降至室温，加入去离子水，分液，有机相水洗后用无水硫酸镁干燥，高温减压条件下除去溶剂。所得粗品使用二氯甲烷/正庚烷混合溶剂进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体中间体aii(11.1g；收率：72％)。
中间体SL1的合成：
将中间体aii(10.0g；48.6mmol)，4-联苯硼酸(10.1g；51.1mmol)，醋酸钯(0.1g；0.5mmol)，2-二环己基膦-2',4',6'-三异丙基联苯(0.5g；1.0mmol)，碳酸铯(23.8g；72.9mmol)，甲苯(80mL)，乙醇(20mL)和去离子水(20mL)加入氮气保护的圆底烧瓶中，将混合液升温至75℃～80℃，搅拌反应48小时。将反应液降至室温，加入去离子水，分液，有机相水洗后使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂。所得粗品使用二氯甲烷/正庚烷混合溶剂进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体中间体SL1(12.1g；收率：77％)。
化合物AA21的合成：
氮气保护下，将中间体SL1(5.0g；15.5mmol)，sub 4(6.5g；15.5mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.1g；0.2mmol)，2-二环己基膦-2',4',6'-三异丙基联苯(0.1g；0.3mmol)，叔丁醇钠(2.2g；23.2mmol)和二甲苯(50mL)加入圆底烧瓶中，将混合液于135℃～140℃搅拌反应7小时。降至室温，反应液使用水洗后分液，有机相使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品。以二氯甲烷/正庚烷混合溶剂作为洗脱剂将粗品使用硅胶柱色谱法提纯，后使用甲苯/正庚烷混合溶剂对产品进行重结晶提纯，得到白色固体化合物AA21(7.6g；收率：70％)。
部分第一化合物质谱数据如下表7所示：
表7
化合物 质谱数据 化合物 质谱数据
化合物A2 m/z＝560.3(M+H)+ 化合物B56 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A6 m/z＝574.3(M+H)+ 化合物B59 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A16 m/z＝636.3(M+H)+ 化合物B60 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A17 m/z＝636.3(M+H)+ 化合物B61 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A20 m/z＝650.3(M+H)+ 化合物B62 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A45 m/z＝636.3(M+H)+ 化合物B63 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A46 m/z＝636.3(M+H)+ 化合物B73 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A47 m/z＝650.3(M+H)+ 化合物B74 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A49 m/z＝650.3(M+H)+ 化合物B89 m/z＝646.4(M+H)+
化合物A51 m/z＝666.3(M+H)+ 化合物C2 m/z＝560.3(M+H)+
化合物A55 m/z＝636.3(M+H)+ 化合物C13 m/z＝560.3(M+H)+
化合物A59 m/z＝650.3(M+H)+ 化合物C18 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A68 m/z＝636.3(M+H)+ 化合物C36 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A69 m/z＝636.3(M+H)+ 化合物C46 m/z＝636.3(M+H)+
化合物A71 m/z＝636.3(M+H)+ 化合物C49 m/z＝650.3(M+H)+
化合物A72 m/z＝636.3(M+H)+ 化合物D39 m/z＝650.3(M+H)+
化合物B9 m/z＝590.2(M+H)+ 化合物AA21 m/z＝707.3(M+H)+
化合物B16 m/z＝636.3(M+H)+
化合物B37 m/z＝636.3(M+H)+
化合物B40 m/z＝650.3(M+H)+
第二化合物的合成
化合物a3的合成：
氮气保护下，将原料a-1(20.0g；48.9mmol)，原料b-1(15.1g；48.9mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(0.4g；0.5mmol)，2-二环己基膦-2′,6′-二甲氧基-联苯(0.4g；1.0mmol)，叔丁醇钠(7.0g；73.4mmol)和二甲苯(200mL)加入圆底烧瓶中，将混合液于140℃搅拌反应6小时。降至室温，反应液使用水洗后分液，有机相使用无水硫酸镁干燥，减压除去溶剂，得到粗品。以二氯甲烷/正庚烷混合溶剂作为洗脱剂将粗品使用硅胶柱色谱法提纯，后使用甲苯/正庚烷混合溶剂对产品进行重结晶提纯，得到白色固体化合物a3-1(23.1g；收率：74％)。
在0℃下添加三氟甲烷磺酸酐(86.8g，307.8mmol)和重水(30.8g，1538.9mmol)，并搅拌5小时以制备溶液。将a3-1(20g，31.4mmol)添加至120mL的1,2,4-三氯苯中，并搅拌混合物。然后，将制备的三氟甲磺酸酐和重水的混合溶液缓慢滴加至a3-1和1,2,4-三氯苯的混合溶液中，并在加热至140℃的同时搅拌该混合物，然后保持该温度。在反应14小时之后，使反应混合物冷却至室温，并分离有机层和水层。然后，将有机层用碳酸钾水溶液中和。在用水洗涤两次之后，将有机层分离，向其中添加无水硫酸镁，搅拌，然后过滤，并将滤液在减压下蒸馏。通过硅胶柱色谱法将浓缩的化合物纯化得到化合物a3(10.97g；收率：54％)。
参照化合物a3的合成方法，使用下表中反应物a替代化合物a-1，反应物b替代化合物b-1合成下表8所示的化合物：
表8
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部分第二化合物的质谱数据如下表所示
表9
化合物 质谱数据 化合物 质谱数据
化合物a3 m/z＝647.3(M+H)+ 化合物a40 m/z＝647.3(M+H)+
化合物a4 m/z＝647.3(M+H)+ 化合物a41 m/z＝647.3(M+H)+
化合物a7 m/z＝647.3(M+H)+ 化合物a42 m/z＝647.3(M+H)+
化合物a12 m/z＝601.2(M+H)+ 化合物a65 m/z＝660.3(M+H)+
化合物a15 m/z＝661.3(M+H)+ 化合物a79 m/z＝647.3(M+H)+
化合物a38 m/z＝647.3(M+H)+ 化合物a206 m/z＝576.3(M+H)+
化合物a1 m/z＝571.3(M+H)+ 化合物a6 m/z＝647.3(M+H)+
有机电致发光器件的制备
实施例1：绿色有机电致发光器件的制备
通过以下过程制备器件
在ITO/Ag/ITO厚度为的实验基板上，利用紫外、臭氧以及O2:N2等离子进行表面处理，以增加阳极的功函数，并可采用有机溶剂清洗实验基板表面，以清除实验基板表面的杂质及油污。
在实验基板上将化合物HT-1与PD以97％:3％的蒸镀速率比例进行共同蒸镀，形成厚度为 的空穴注入层，然后在空穴注入层上蒸镀化合物HT-1，形成厚度为/>的空穴传输层。在空穴传输层上蒸镀化合物HT-2，形成厚度为/>的发光辅助层。/>
在发光辅助层上，将化合物a3(第二化合物)、化合物A2(第一化合物)、GD-01(掺杂客体)以60％:40％:10％的蒸镀速率比例进行共同蒸镀，形成厚度为的有机发光层。
在有机发光层上，将化合物ET-1和LiQ以50％:50％的蒸镀速率比例进行共同蒸镀，形成厚度为的电子传输层。
在电子传输层上蒸镀Yb，以形成厚度为的电子注入层；然后，在电子注入层上，将镁(Mg)和银(Ag)以10％:90％的蒸镀速率比例进行共同蒸镀，形成厚度为/>的阴极。
在阴极上蒸镀化合物CP-1，形成厚度为的有机覆盖层，从而完成绿色有机电致发光器件的制备。
实施例2～实施例39：
除了在制备有机发光层时，以以表10中的第一化合物、第二化合物及第一化合物和第二化合物蒸镀速率比例替代实施例1中的第一化合物、第二化合物及第一化合物和第二化合物蒸镀速率比例之外，利用与实施例1相同的方法制备有机电致发光器件
比较例1～比较例：
除了在制备有机发光层时，以表10中的第一化合物、第二化合物及第一化合物和第二化合物蒸镀速率比例替代实施例1中的第一化合物、第二化合物及第一化合物和第二化合物蒸镀速率比例之外，利用与实施例1相同的方法制备有机电致发光器件。
其中，制备各实施例、比较例器件所用化合物如下所示：
对实施例1～39和比较例1和2制备所得的绿色有机电致发光器件进行性能测试，具体在15mA/cm2的条件下测试器件的IVL性能，在20mA/cm2的条件下测试T95器件寿命，测试结果展示在下表10中
表10
由上表可知，与比较例1～2相比，实施例1～39的器件电流效率至少提高了12.0％，T95寿命至少提高了33.5％。
本申请有机电致发光器有机发光层包含第一化合物和第二化合物，其中，第一化合物核心结构为苯基咔唑通过氮原子连接三嗪基团，且咔唑环上其中一个苯环全氘代，另一个苯环上连接芳基。其中咔唑基团一侧芳基作为取代基，在扩大分子结构芳香共轭范围的同时降低了分子对称性，使材料具有更佳的能量传输特性，并且可以降低结晶性；咔唑基团特殊的非对称氘代，可以有效提升分子结构稳定性，还能有进一步降低分子对称性，从而显著提升材料的光电稳定性以及成膜性。本申请第一化合物具有良好的载流子传输特性，能量转移特性以及光电稳定性，适合作为有机电致发光器件中发光层主体材料使用，以其作为主体材料的有机电致发光器件在保持低的驱动电压和高的发光效率的同时，具有明显改善的寿命特性。本申请第二化合物选用特定稠合方式的吲哚咔唑化合物，并对该化合物母核进行全氘代，可显著提高化合物的稳定性。这两组氘代化合物组合具有高且平衡的载流子迁移率，使用上述两种材料作为绿色有机电致发光器件的混合主体材料，能够降低有机电致发光器件的工作电压，提升的发光效率以及寿命。特别地，第一化合物中咔唑一侧的芳基为五氘代苯基与第二化合物组合后，器件性能更优。
具体而言，与比较例1相比，本申请制备的器件明显降低驱动电压及提升的发光效率。究其原因，可能在于，本申请第一化合物中对于苯基咔唑核心结构特定位点进行氘代，与具有强空穴特性的第二化合物搭配使用，能够显著提升有机电致发光的使用寿命。
与比较例2相比，本申请制备的器件显著提高了使用寿命。究其原因，可能在于，本申请第一化合物在咔唑基团的特定位点进行氘代，且三嗪和咔唑之间通过单键或亚芳基连接，与具有强空穴特性的第二化合物使用后，能够显著提升器件的光电稳定性。
以上结合附图详细描述了本申请的部分实施方式，但是，本申请并不限于上述实施方式中的具体细节，在本申请的技术构思范围内，可以对本申请的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本申请的保护范围。

Claims (14)

1.有机电致发光器件，包括阴极、阳极以及有机层；所述阴极和所述阳极相对设置；所述有机层位于所述阴极和所述阳极之间；所述有机层包括有机发光层；
其特征在于，所述有机发光层包括第一化合物和第二化合物；
所述第一化合物为式1所示的化合物：
其中，Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基；
L、L1和L2相同或不同，分别独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基；
Ar3为五氘代苯基、联苯基或三联苯基；
L、L1、L2、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为6～20的氘代芳基、碳原子数为6～20的卤代芳基或碳原子数为3～10的环烷基；
所述第二化合物为式2所示的化合物：
L4和L5相同或不同，分别独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
Ar4和Ar5相同或不同，分别独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
L4、L5、Ar4和Ar5中的取代基相同或不同，且分别独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为6～20的氘代芳基、碳原子数为6～20的卤代芳基或者碳原子数为3～10的环烷基。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式1中，L、L1和L2相同或不同，分别独立地选自单键、碳原子数为6～12的取代或未取代的亚芳基；
可选地，L、L1和L2中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～5的烷基或者苯基。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式1中，L、L1和L2相同或不同，分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基；
可选地，L、L1和L2中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基或者苯基。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式1中，Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基；
可选地，Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基或者五氘代苯基。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式1中 分别独立地选自如下基团组成的组：
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式1中选自如下基团组成的组：
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式1中，Ar3选自如下基团组成的组：
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一化合物选自如下化合物组成的组：
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9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式2中，L4和L5相同或不同，分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基；
可选地，L4和L5中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基或者苯基。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式2中，Ar4和Ar5相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；
可选地，Ar4和Ar5中的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基或五氘代苯基。
11.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，式2中 相同或不同，分别独立地选自如下基团组成的组：
12.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，所述第二化合物选自如下化合物组成的组：
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13.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机层还包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子传输层和电子注入层。
14.电子装置，其特征在于，包括权利要求1～13任一项所述的有机电致发光器件。
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