CN117889759A - 一种基于测量设备的波长校准与测量方法 - Google Patents
一种基于测量设备的波长校准与测量方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117889759A CN117889759A CN202311716165.4A CN202311716165A CN117889759A CN 117889759 A CN117889759 A CN 117889759A CN 202311716165 A CN202311716165 A CN 202311716165A CN 117889759 A CN117889759 A CN 117889759A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wavelength
- sample
- global
- thickness
- fitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 28
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 18
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 82
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002939 conjugate gradient method Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011478 gradient descent method Methods 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/02—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness
- G01B21/04—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness by measuring coordinates of points
- G01B21/042—Calibration or calibration artifacts
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
本发明提供一种基于测量设备的波长校准与测量方法，包括：获取待测样件的全波段光强信息，处理获得每一个波长对应的实测傅里叶系数；根据每一个波长的实测傅里叶系数和理论傅里叶系数，拟合迭代出各个波长对应的第一系统参数、样件厚度和入射角；通过特定函数拟合迭代出全局样件厚度和全局入射角；固定全局样件厚度和全局入射角，再次拟合迭代出各个波长对应的第二系统参数；根据每一个波长对应的实测傅里叶系数和第二系统参数，计算待测样件的全波段光谱穆勒矩阵。本发明通过迭代拟合的方式得到全局样件厚度和全局入射角等不随波长改变的参数，再对其它的参数进行校准，相比现有的根据经验确定全局样件厚度和全局入射角，更为准确。
Description
技术领域
本发明涉及测量设备的校准领域，更具体地，涉及一种基于测量设备的波长校准与测量方法。
背景技术
在半导体行业中，对光学关键尺度(OCD)的测量以及精细结构膜厚的测量，直接关系到生产样品的精度以及良率。椭偏仪因其非接触、无破坏、快速、高精度等优点，被广泛应用于半导体工艺监测。
如图1所示，椭偏仪等测量设备的基本配置包括光源1，起偏器2，第一旋转电机3，第一补偿器4，待测样件5，第二补偿器6，第二旋转电机7，检偏器8以及光谱仪9。
椭偏仪的系统校准与测量的基本原理过程为：
1、自然光通过偏振片以及(旋转)波片后得到偏振光；
2、偏振光经过标准样品材料的反射或者透射得到的新的偏振光；
3、新的偏振光经过检偏臂的(旋转)波片、检偏片后得到变化的光强信息；
4、对测量光强变化信息进行处理，得到系统参数。
5、测量待测样件的光强信息，对测量光强进行傅里叶处理得到傅里叶系数。
6、利用系统参数与待测样件的傅里叶系数计算得到样件的穆勒矩阵。
7、利用计算的样件穆勒矩阵与仿真的穆勒矩阵迭代得到样件的膜厚以及复折射率等信息。
在实际校准过程中，需要用到样件的穆勒矩阵，但样件的穆勒矩阵与样件的厚度以及入射角相关。当不知道准确入射角或者样件厚度时，需要去确定其参数，又因为样件厚度以及方位角不应随波长改变，因此对各个波长下的值需要进一步处理得到全局参数值。因此需要提供一种确定整个系统的入射角以及样件厚度的方法。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的技术问题，提供一种基于测量设备的波长校准与测量方法，包括：
基于测量设备获取待测样件的全波段光强信息，并将每一个波长对应的光强信息进行傅里叶变换，得到每一个波长对应的实测傅里叶系数；
根据每一个波长的实测傅里叶系数和待测样件的每一个波长的理论傅里叶系数，拟合迭代出各个波长对应的第一系统参数、样件厚度和入射角；
根据拟合迭代出的每一个波长的样件厚度和入射角，通过特定函数拟合迭代出全局样件厚度和全局入射角；
固定所述全局样件厚度和全局入射角，根据每一个波长的实测傅里叶系数和待测样件的每一个波长的理论傅里叶系数，拟合迭代出各个波长对应的第二系统参数；
根据待测样件的每一个波长对应的实测傅里叶系数和各个波长对应的第二系统参数，计算待测样件的每一个波长的穆勒矩阵，得到待测样件的全波段光谱穆勒矩阵。
本发明提供的一种基于测量设备的波长校准与测量方法，通过迭代拟合的方式得到全局样件厚度和全局入射角等不随波长改变的参数，再对其它的参数进行校准，相比现有的根据经验确定全局样件厚度和全局入射角，更为准确，那么根据全局样件厚度和全局入射角计算出的光谱穆勒矩阵更加准确。
附图说明
图1为椭偏仪的结构示意图；
图2为本发明提供的一种基于测量设备的波长校准与测量方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。另外，本发明提供的各个实施例或单个实施例中的技术特征可以相互任意结合，以形成可行的技术方案，这种结合不受步骤先后次序和/或结构组成模式的约束，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时，应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
在实际运用中，不知道准确入射角或者样件厚度时，需要去确定其参数，因此需要利用椭偏仪对整个光路的入射角以及样件的厚度进行校准。又因为样件厚度以及方位角不应随波长改变，因此对各个波长下的值进行处理得到全局参数值。
图2为本发明提供的一种基于测量设备的波长校准与测量方法流程图，如图2所示，方法包括：
步骤1，基于测量设备获取待测样件的全波段光强信息，并将每一个波长对应的光强信息进行傅里叶变换，得到每一个波长对应的实测傅里叶系数。
可理解的是，首先通过光谱仪采集汞灯等光源得全光谱光强，获得待测样品的光强变化信息，将每个波长的光强信息进行傅里叶处理得到实测傅里叶系数。
步骤2，根据每一个波长的实测傅里叶系数和待测样件的每一个波长的理论傅里叶系数，拟合迭代出各个波长对应的第一系统参数、样件厚度和入射角。
可理解的是，建立光谱仪等测量设备的变化光强的仿真模型，如下：
Sout＝D×[MAR(A)]×[R(-ω2t-C2)M(δ2)R(ω2t+C2)]×Ms(Thk,AOI，wvl0)×[R(-ω1t-C1)M(δ1)R(ω1t+C1)]×[R(-P)MP]×Sin (1)；
其中，MS为样件穆勒矩阵，D为光谱仪的探测向量[1,0,0,0]，MP、MA为起偏臂以及检偏臂的偏振片穆勒矩阵，ω1、ω2为第一电机与第二电机的转速，M(δ1)和M(δ2)为起偏复合波片的相位延迟量穆勒矩阵和检偏复合波片的相位延迟量穆勒矩阵，R为旋转矩阵，P、A、C1、C2为起偏片、检偏片、起偏复合波片以及检偏复合波片的方位角，Sin为归一化自然光的Stokes向量，wvl0为波长，Thk为样件厚度，AOI为入射角，Sout为理论光强信息。
对于每一个波长，设定每个波长下的初始系统参数、初始样件厚度和初始入射角，根据式(1)计算理论光强信息，并将理论光强信息进行傅里叶变换，得到每一个波长下的理论傅里叶系数；计算每一个波长下的理论傅里叶系数与实测傅里叶系数之间的第一差异。如果该第一差异小于第一预设差异阈值，则获取此时的系统参数、样件厚度和入射角，此时的系统参数称为第一系统参数。如果第一差异大于第一预设差异阈值，则根据调整系统参数、样件厚度和入射角，继续进行迭代过程，并计算第一差异，直到第一差异小于第一预设差异阈值，获取各个波长对应的第一系统参数、样件厚度和入射角。
步骤3，根据拟合迭代出的每一个波长的样件厚度和入射角，通过特定函数拟合迭代出全局样件厚度和全局入射角。
可理解的是，根据步骤2迭代拟合出的每一个波长的样件厚度和入射角，进行拟合迭代出全局样件厚度和全局入射角。
拟合迭代全局样件厚度的方法包括：
步骤31，将获取的各个波长对应的样件厚度划分为多个区间，并计算出每个区间的样件厚度的概率密度。
其中，将获取的各个波长对应的样件厚度划分按照最大值和最小值的范围等分为N个区间，并基于下式(2)计算出每个区间的样件厚度的概率密度：
[ThkN,PN]＝Probability(Thk,N) (2)；
其中N为样件厚度的分布区间总数，ThkN为第N个区间的中心值，PN为对应的概率密度。
步骤32，基于每一个区间的样件厚度的概率密度，得到全波段的样件厚度的实测概率分布值。
步骤33，根据各个波长对应的样件厚度和初始全局样件厚度，基于高斯模型拟合全波段的样件厚度的概率分布拟合值。
其中，高斯模型的表达式为：
其中，输入x为ThkN，输出f(x)为PN，c为全局样件厚度Thkg，a0、a和b为其它参数。
可理解的是，将划分区间后的每一个区间的样件厚度作为x输入高斯模型中，输入对应的f(x)，即概率密度，计算出每一个区间的样件厚度，即可计算出样件厚度的概率分布拟合值。
步骤34，计算所述概率分布拟合值和所述实测概率分布值之间的第二差异，根据所述第二差异调整全局样件厚度，直到所述第二差异小于第二预设差异阈值，获取全局样件厚度。
可理解的是，将公式(3)中的a0、a、b和c作为因变量，根据公式(3)计算出样件厚度的概率分布拟合值，然后计算概率分布拟合值和根据公式(2)计算出的实测概率分布值进行比较，并计算概率分布拟合值和所述实测概率分布值之间的第二差异，根据第二差异不断调整全局样件厚度，并计算全局样件厚度调整后的第二差异，当第二差异小于第二预设差异阈值时，获取拟合迭代后的全局样件厚度。
其中，拟合迭代获取全局入射角的方法包括：
将获取的各个波长对应的入射角划分为多个区间，并计算出每个区间的入射角的概率密度；
基于每一个区间的入射角的概率密度，得到全波段的入射角的实测概率分布值；
根据各个波长对应的入射角和初始全局入射角，基于高斯模型拟合全波段的入射角的概率分布拟合值；
计算所述概率分布拟合值和所述实测概率分布值之间的第三差异，根据所述第三差异调整全局入射角，直到所述第三差异小于第三预设差异阈值，获取全局入射角。
可理解的是，拟合迭代获取全局入射角的方法与获取全局样件厚度的方法相同，此处不再对获取全局入射角的拟合迭代过程进行描述。
步骤4，固定所述全局样件厚度和全局入射角，根据每一个波长的实测傅里叶系数和待测样件的每一个波长的理论傅里叶系数，拟合迭代出各个波长对应的第二系统参数。
可理解的是，待测样件的厚度和光源入射角不随波长变化，因此，在获取全局样件厚度和全局入射角后，这两个参数不变，再次根据式(4)拟合迭代出每一个波长下的系统参数。
其中，式(4)为：
Sout＝P×[MAR(A)]×[R(-ω2t-C2)M(δ2)R(ω2t+C2)]×Ms(Thkg,AOIg，wvl0)×[R(-ω1t-C1)M(δ1)R(ω1t+C1)]×[R(-P)MP]×Sin (4)；
其中，式(4)和上述的式(1)相同，只是其中的全局样件厚度Thkg和全局入射角AOIg固定不变。通过与步骤2相同的迭代拟合方式拟合迭代出每一个波长对应的系统参数，具体包括：
设定每一个波长下的初始系统参数，根据式(4)计算理论光强信息，并将理论光强信息进行傅里叶变换，得到理论傅里叶系数；
计算理论傅里叶系数与实测傅里叶系数之间的第四差异，根据所述第四差异调整系统参数，直到所述第四差异小于第四预设差异阈值，获取各个波长对应的第二系统参数。
需要说明的是，本发明中的第一系统参数和第二系统参数包括检偏复合波片的相位延迟量δ2、检偏复合波片的方位角C2、起偏复合波片的相位延迟量δ1、起偏复合波片的方位角C1、检偏片的方位角A以及起偏片的方位角P。
其中，拟合迭代实现方法包括但不限于遍历法、全局优化方法(如粒子群算法、蚁群算法等)和局部优化算法(如Levenberg-Marquardt方法、牛顿法、梯度下降法、共轭梯度法等)。
步骤5，根据待测样件的每一个波长对应的实测傅里叶系数和各个波长对应的第二系统参数，计算待测样件的每一个波长的穆勒矩阵，得到待测样件的全波段光谱穆勒矩阵。
可理解的是，根据步骤1中每一个波长对应的实测傅里叶系数和步骤4拟合迭代出的各个波长对应的第二系统参数，通过式(5)计算出每一个波长的光谱穆勒矩阵，得到待测样件的全波段的光谱穆勒矩阵。
其中，Ms＝function(Fourier,A,P,C1,C2,δ1,δ2) (5)；
其中，Fourier为每个波长下的实测傅里叶系数，A,P,C1,C2,δ1,δ2为第二系统参数，分别为检偏片的方位角A、起偏片的方位角P、起偏复合波片的方位角C1、检偏复合波片的方位角C2、起偏复合波片的相位延迟量δ1和检偏复合波片的相位延迟量δ2。
本发明实施例提供的一种基于测量设备的波长校准与测量方法，获取待测样件的全波段光强信息，处理获得每一个波长对应的实测傅里叶系数；根据每一个波长的实测傅里叶系数和理论傅里叶系数，拟合迭代出各个波长对应的第一系统参数、样件厚度和入射角；根据拟合迭代出的各个波长的样件厚度和入射角，拟合迭代出全局样件厚度和全局入射角；固定全局样件厚度和全局入射角，再次拟合迭代出各个波长对应的第二系统参数；根据每一个波长对应的实测傅里叶系数和第二系统参数，计算待测样件的全波段光谱穆勒矩阵。本发明通过迭代拟合的方式得到全局样件厚度和全局入射角等不随波长改变的参数，然后根据全局样件厚度和全局入射角，再次对每一个波长下的系统参数进行校准，相比现有的根据经验确定全局样件厚度和全局入射角，最后得到的校准参数更加准确，根据全局样件厚度和全局入射角计算出的光谱穆勒矩阵更加准确。
需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种基于测量设备的波长校准与测量方法，其特征在于，包括：
基于测量设备获取待测样件的全波段光强信息，并将每一个波长对应的光强信息进行傅里叶变换，得到每一个波长对应的实测傅里叶系数；
根据每一个波长的实测傅里叶系数和待测样件的每一个波长的理论傅里叶系数，拟合迭代出各个波长对应的第一系统参数、样件厚度和入射角；
根据拟合迭代出的每一个波长的样件厚度和入射角，通过特定函数拟合迭代出全局样件厚度和全局入射角；
固定所述全局样件厚度和全局入射角，根据每一个波长的实测傅里叶系数和待测样件的每一个波长的理论傅里叶系数，拟合迭代出各个波长对应的第二系统参数；
根据待测样件的每一个波长对应的实测傅里叶系数和各个波长对应的第二系统参数，计算待测样件的每一个波长的穆勒矩阵，得到待测样件的全波段光谱穆勒矩阵。
2.根据权利要求1所述的基于测量设备的波长校准与测量方法，其特征在于，所述根据每一个波长的实测傅里叶系数和待测样件的每一个波长的理论傅里叶系数，拟合迭代出各个波长对应的第一系统参数、样件厚度和入射角，包括：
Sout＝D×[MAR(A)]×[R(-ω2t-C2)M(δ2)R(ω2t+C2)]×Ms(Thk,AOI，wvl0)×[R(-ω1t-C1)M(δ1)R(ω1t+C1)]×[R(-P)MP]×Sin (1)；
其中，MS为样件穆勒矩阵，D为光谱仪的探测向量[1,0,0,0]，MP、MA为起偏臂以及检偏臂的偏振片穆勒矩阵，ω1、ω2为第一电机与第二电机的转速，M(δ1)和M(δ2)为起偏复合波片的相位延迟量穆勒矩阵和检偏复合波片的相位延迟量穆勒矩阵，R为旋转矩阵，P、A、C1、C2为起偏片、检偏片、起偏复合波片以及检偏复合波片的方位角，Sin为归一化自然光的Stokes向量，wvl0为波长，Thk为样件厚度，AOI为入射角，Sout为理论光强信息；
设定每个波长下的初始系统参数、样件厚度和入射角，根据式(1)计算理论光强信息，并将理论光强信息进行傅里叶变换，得到理论傅里叶系数；
计算理论傅里叶系数与实测傅里叶系数之间的第一差异，根据所述差异调整系统参数、样件厚度和入射角，直到所述差异小于第一预设差异阈值，获取各个波长对应的第一系统参数、样件厚度和入射角。
3.根据权利要求1所述的基于测量设备的波长校准与测量方法，其特征在于，所述根据拟合迭代出的每一个波长的样件厚度和入射角，通过特定函数拟合迭代出全局样件厚度和全局入射角，包括：
将获取的各个波长对应的样件厚度划分为多个区间，并计算出每个区间的样件厚度的概率密度；
基于每一个区间的样件厚度的概率密度，得到全波段的样件厚度的实测概率分布值；
根据各个波长对应的样件厚度和初始全局样件厚度，基于高斯模型拟合全波段的样件厚度的概率分布拟合值；
计算所述概率分布拟合值和所述实测概率分布值之间的第二差异，根据所述第二差异调整全局样件厚度，直到所述第二差异小于第二预设差异阈值，获取全局样件厚度。
4.根据权利要求1所述的基于测量设备的波长校准与测量方法，其特征在于，所述根据拟合迭代出的每一个波长的样件厚度和入射角，通过特定函数拟合迭代出全局样件厚度和全局入射角，包括：
将获取的各个波长对应的入射角划分为多个区间，并计算出每个区间的入射角的概率密度；
基于每一个区间的入射角的概率密度，得到全波段的入射角的实测概率分布值；
根据各个波长对应的入射角和初始全局入射角，基于高斯模型拟合全波段的入射角的概率分布拟合值；
计算所述概率分布拟合值和所述实测概率分布值之间的第三差异，根据所述第三差异调整全局入射角，直到所述第三差异小于第三预设差异阈值，获取全局入射角。
5.根据权利要求3所述的基于测量设备的波长校准与测量方法，其特征在于，所述将获取的各个波长对应的样件厚度划分为多个区间，并计算出每个区间的样件厚度的概率密度，包括：
将获取的各个波长对应的样件厚度划分为N个区间，并基于下式(2)计算出每个区间的样件厚度的概率密度：
[ThkN,PN]＝Probability(Thk,N) (2)；
其中N为样件厚度的分布区间总数，ThkN为第N个区间的中心值，PN为对应的概率密度。
6.根据权利要求5所述的基于测量设备的波长校准与测量方法，其特征在于，所述高斯模型的表达式为：
其中，输入x为ThkN，输出f(x)为PN，c为全局样件厚度Thkg，a0、a和b为其它参数；
所述根据所述第二差异调整全局样件厚度，直到所述第二差异小于第二预设差异阈值，获取全局样件厚度，包括：
根据所述第二差异，不断调整a0、a、b和c，直到计算的所述第二差异小于第二预设差异阈值，获取全局样件厚度。
7.根据权利要求1所述的基于测量设备的波长校准与测量方法，其特征在于，所述固定所述全局样件厚度和全局入射角，根据每一个波长的实测傅里叶系数和待测样件的每一个波长的理论傅里叶系数，拟合迭代出各个波长对应的第二系统参数，包括：
Sout＝D×[MAR(A)]×[R(-ω2t-C2)M(δ2)R(ω2t+C2)]×Ms(Thkg,AOIg，wvl0)×[R(-ω1t-C1)M(δ1)R(ω1t+C1)]×[R(-P)MP]×Sin (4)；
其中，MS为样件穆勒矩阵，D为光谱仪的探测向量[1,0,0,0]，MP、MA为起偏臂以及检偏臂的偏振片穆勒矩阵，ω1、ω2为第一电机与第二电机的转速，M(δ1)和M(δ2)为起偏复合波片的相位延迟量穆勒矩阵和检偏复合波片的相位延迟量穆勒矩阵，R为旋转矩阵，P、A、C1、C2为起偏片、检偏片、起偏复合波片以及检偏复合波片的方位角，Sin为归一化自然光的Stokes向量，wvl0为波长，Thkg为全局样件厚度，AOIg为全局入射角，Sout为理论光强信息；
设定每一个波长下的初始系统参数，根据式(4)计算理论光强信息，并将理论光强信息进行傅里叶变换，得到理论傅里叶系数；
计算理论傅里叶系数与实测傅里叶系数之间的第四差异，根据所述第四差异调整系统参数，直到所述第四差异小于第四预设差异阈值，获取各个波长对应的第二系统参数，所述第二系统参数包括检偏复合波片的相位延迟量δ2、检偏复合波片的方位角C2、起偏复合波片的相位延迟量δ1、起偏复合波片的方位角C1、检偏片的方位角A以及起偏片的方位角P。
8.根据权利要求1所述的基于测量设备的波长校准与测量方法，其特征在于，根据待测样件的每一个波长对应的实测傅里叶系数和各个波长对应的第二系统参数，根据下式(5)计算待测样件的每一个波长的穆勒矩阵，得到待测样件的全波段光谱穆勒矩阵，包括：
Ms＝function(Fourier,A,P,C1,C2,δ1,δ2) (5)；
其中，Fourier为每个波长下的实测傅里叶系数，A,P,C1,C2,δ1,δ2为第二系统参数，分别为检偏片的方位角A、起偏片的方位角P、起偏复合波片的方位角C1、检偏复合波片的方位角C2、起偏复合波片的相位延迟量δ1和检偏复合波片的相位延迟量δ2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311716165.4A CN117889759A (zh) | 2023-12-13 | 2023-12-13 | 一种基于测量设备的波长校准与测量方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311716165.4A CN117889759A (zh) | 2023-12-13 | 2023-12-13 | 一种基于测量设备的波长校准与测量方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117889759A true CN117889759A (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=90641782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311716165.4A Pending CN117889759A (zh) | 2023-12-13 | 2023-12-13 | 一种基于测量设备的波长校准与测量方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117889759A (zh) |
-
2023
- 2023-12-13 CN CN202311716165.4A patent/CN117889759A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110261317B (zh) | 一种Mueller矩阵光谱的测量系统及方法 | |
| CN111122460B (zh) | 单旋转补偿器型光谱椭偏仪参数校准方法和装置 | |
| CN102878940A (zh) | 一种包含相位补偿器的椭圆偏振仪的校准方法 | |
| CN103743349B (zh) | 一种纳米薄膜的测量方法及装置 | |
| CN104677834A (zh) | 一种利用全穆勒矩阵椭圆偏振仪进行光学测量的方法 | |
| CN109470154B (zh) | 一种适用于光谱椭偏仪的薄膜厚度初值测量方法 | |
| CN104677838A (zh) | 一种自校准的全穆勒矩阵椭偏仪测量系统 | |
| CN115391726B (zh) | 用于椭偏量测系统的拟合优化方法和相关装置 | |
| CN112345464A (zh) | 一种椭偏仪优化校准方法 | |
| CN104677833A (zh) | 一种利用全穆勒矩阵椭偏仪进行光学测量的方法 | |
| CN107677370B (zh) | 一种通道型偏振光谱成像仪的偏振辐射标定系统以及方法 | |
| CN104864815A (zh) | 校准椭偏测量中应力元件带来的误差影响的方法 | |
| CN103163078B (zh) | 一种提高椭偏仪测量精度的方法 | |
| CN104677837A (zh) | 一种全穆勒矩阵椭圆偏振仪的校准方法 | |
| WO2016173399A1 (zh) | 宽波段消色差复合波片的定标方法和装置及相应测量系统 | |
| CN117889759A (zh) | 一种基于测量设备的波长校准与测量方法 | |
| CN104677835A (zh) | 一种全穆勒矩阵椭圆偏振仪的校准方法 | |
| CN115468744A (zh) | 一种光学测量仪器的系统参数优化配置方法及装置 | |
| CN115752265A (zh) | 一种非理想椭偏系统的校准方法 | |
| CN109115695A (zh) | 一种各向异性体材料光学常数和欧拉角的提取方法 | |
| CN117269069A (zh) | 一种零级波片特征参数测量方法 | |
| CN115728245B (zh) | 一种椭偏仪全局参数校准方法及校准系统 | |
| CN103968783B (zh) | 一种测量双片波片补偿器中光轴偏差角的方法 | |
| CN116105854A (zh) | 一种光学测量设备测量数据的修正方法 | |
| CN117760978A (zh) | 一种样件光学参数测量方法及测量系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |