CN117886846A

CN117886846A - 一种含芴的芳胺衍生物及其有机电致发光器件

Info

Publication number: CN117886846A
Application number: CN202311605021.1A
Authority: CN
Inventors: 董秀芹; 韩春雪; 周雯庭; 孙敬
Original assignee: Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Current assignee: Changchun Hyperions Technology Co Ltd
Priority date: 2023-11-28
Filing date: 2023-11-28
Publication date: 2024-04-16

Abstract

本发明提供了一种含芴的芳胺衍生物及其有机电致发光器件，涉及有机电致发光材料技术领域。本发明的含芴的芳胺衍生物应用于有机电致发光器件中的空穴传输区域时，能够有效地提高器件的发光效率和使用寿命，说明其具有较高的空穴迁移率和合适的HOMO能级，可以提高空穴的注入和传输效率，并且与相邻功能层更好地匹配，同时，将其应用于有机电致发光器件中的覆盖层时，有机电致发光器件的发光效率和使用寿命得到进一步改善；并且该含芴的芳胺衍生物具有优异的载流子生成能力，应用于有机电致发光器件的P型电荷生成层时，有机电致发光器件的发光效率和使用寿命有所提高，可广泛应用于面板显示、照明光源等领域，具有良好的应用前景。

Description

一种含芴的芳胺衍生物及其有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体涉及一种含芴的芳胺衍生物及其有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光材料是一类新型的功能材料，其具有丰富的发光颜色和宽广的应用背景。有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是利用有机电致发光材料制备的，其具有可调的发光特性、可塑性高、低成本等优点。因此，有机电致发光材料及其有机电致发光器件的研究在光电学、材料学、电子学等领域具有重要的应用前景。

有机电致发光器件的发光原理为在外电场作用下，空穴和电子分别从阳极和阴极注入到机物层中，在发光层中相遇复合形成激子，由于激发态很不稳定，受激分子发生辐射跃迁从激发态回到基态产生发光现象。为了提高有机电致发光器件的发光效率和使用寿命，所述有机物层通常由多层结构构成，除了发光层之外的各种辅助功能层对器件性能同样起着至关重要的作用。根据其功能由不同材料构成，例如可以包括空穴注入层材料、空穴传输层材料、电子阻挡层材料、发光层材料、空穴阻挡层材料、电子传输层材料、电子注入层材料、覆盖层材料等。

空穴传输区域作为OLED器件中最重要的部分之一，包括空穴注入层材料、空穴传输层材料、电子阻挡层材料等，主要作用是改善空穴的注入和传输的平衡，提高空穴在器件中的传输效率，并将电子有效地阻挡在发光层内，实现载流子的最大复合，提高器件的效率和寿命。当存在多个层时，合理的能级结构有利于各层中的能级形成阶梯势垒，即各层需要具有恰当的最高占据分子轨道(HOMO)和三线态能级(T1)等，以达到包括发光层在内的层与层之间的高匹配度。目前公开的空穴传输材料在效率和寿命上都有待提高，因此开发稳定高效的能用于空穴传输区域的有机电致发光材料来提高器件效率，并延长器件寿命，具有很重要的实际应用价值。另一方面，由于有机电致发光器件在出光时会在界面处发生全反射现象，降低了其内部光的取出效率，导致OLED器件的出光效率仅约为20％，严重制约了有机电致发光器件性能的提升，近年来，为了提高光的取出效率和改善色偏，通常在折射率低的半透明电极的外侧设置有折射率高的“覆盖层”材料以提高OLED器件的性能。同时，目前用于发光显示器的有机电致发光器件需要更高的效率和寿命以实现期望的图像质量，优选以多个发光单元堆叠的形式实现，因此在多个发光单元之间设置电荷生成材料以向远离电极的堆叠提供载流子，可提高有机电致发光器件的发光效率和使用寿命。

针对上述问题，研制出较高空穴迁移率、高的玻璃转化温度、合适HOMO能级的空穴传输区域材料、较高折射率和较高玻璃化转变温度的覆盖层材料以及提供载流子的电荷生成层材料，成为当前研究重点。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种含芴的芳胺衍生物及其有机电致发光器件，将本发明提供的含芴的芳胺衍生物应用于空穴传输区域、覆盖层或P型电荷生成层时可开发具有高效率和长寿命的有机电致发光器件，解决了现有技术中有机电致发光器件的发光效率低、使用寿命短等问题，本发明提供的含芴的芳胺衍生物具有结构式1所示的通式，

其中，所述Ar₁选自式1-1所示的基团；所述Ar₄选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基；

所述Ar₂、Ar₃独立地选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基；

所述R₁、R₂独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C15的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基或其组合中的任意一种；或所述相邻的两个R₁之间、两个R₂之间可以相互连接形成取代或未取代的环；所述a选自1、2、3或4；所述b选自1、2、3或4；

所述L₁选自如下所示基团或其组合：

所述R₃、Rd、Rf独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C15的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基或其组合中的任意一种；或所述相邻的Rd和Rf之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述环A选自取代或未取代的C3～C12的脂环基；

所述n选自1、2、3、4或5；所述c₁选自1、2、3或4；所述c₂选自1、2或3；所述c₃选自1或2；

所述L₂、L₃独立地选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C2～C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C30的芳环的亚稠合环基；

条件是Ar₁、Ar₂或Ar₃中含有至少一个式1-2所示的基团；

其中，所述Ra、Rb、Rc独立地选自取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的C3～C15的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基或其组合中的任意一种；且所述Ra、Rb、Rc中至少有一个为取代或未取代的C1～C15的烷基。

本发明还提供了一种有机电致发光器件，包括：第一电极；与所述第一电极相对设置的第二电极；以及位于所述第一电极与所述第二电极之间或位于所述第一电极及所述第二电极中的一个以上的电极的外侧的有机物层，所述有机物层中含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。

有益效果：

本发明公开了一种含芴的芳胺衍生物，该含芴的芳胺衍生物具有较高的空穴传输能力，可以提高空穴在器件中的传输效率，并将电子有效地阻挡在发光层内，使空穴和电子在发光层中形成激子的复合效率提高，并且具备合适的HOMO能级，与相邻功能层能级匹配良好，其作为空穴传输区域材料用于有机电致发光器件时，有机电致发光器件表现出较高的发光效率以及较长的使用寿命，器件的性能得到明显的改善；同时，该化合物具有较高的折射率，可减少器件出光时发生的全反射，有效提高有机电致发光器件的光取出效率，进而改善器件的发光效率和使用寿命；并且将其应用于有机电致发光器件的P型电荷生成层时，由于其优异的载流子生成能力，可提高有机电致发光器件的发光效率和使用寿命。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所要求保护的范围内。

在本发明的化合物中，未指定为特定同位素的任何原子包含该原子的任何稳定同位素，并且包含处于其天然同位素丰度与非天然丰度两者的原子。

本发明所述的卤素的示例可包括氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

本发明所述的“取代或未取代的C6～C30的芳基”中的“C6～C30”是指未取代的“芳基”中的碳原子数，不包含取代基中的碳原子数。所述的“取代或未取代的C3～C15的脂环基”中的“C3～C15”是指未取代的“脂环基”中的碳原子数，不包含取代基中的碳原子数。以此类推。

本发明所述的芳基是指芳烃分子的芳核碳上少掉一个氢原子而成的一价基团。所述芳基包括单环芳基、多环芳基、稠环芳基。所述芳基的碳原子数为C6～C30，优选为C6～C20，进一步优选C6～C15，还优选C6～C12。所述芳基的实例包括但不限于如下所述的基团，苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、萘基、茚基、二氢茚基、二氢萘基、四氢萘基、菲基、三亚苯基、蒽基、芘基、芴基、螺二芴基、螺蒽芴基、苯并芴基、苯并螺二芴基等。

本发明所述的脂环基是指具有3至15个碳原子的脂族烃，可以是完全不饱和或者部分不饱和。例如环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷、环戊烯、环己烯、环庚烯等，但不限于此。多个单环烃还可用多种方式连接：分子中两个环可以共用一个碳原子形成螺环；环上两个碳原子之间可以用碳桥连接形成桥环；几个环也可以互相连接形成笼状结构，例如金刚烷、降冰片烷、莰烷等。

本发明所述脂环与芳环的稠合环基是指脂环与芳环稠合在一起后去掉一个氢原子，剩下一价基团的总称。所述脂环与芳环的稠合环基的示例可以包括二氢茚基、茚基、四氢萘基、二氢萘基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环丁烯基、苯并环庚烷基、苯并环庚烯基等，但不限于此。所述脂环的碳原子数为C3～C15，优选为C3～C10。所述芳环的碳原子数为C6～C30，优选为C6～C18，再优选为C6～C12。

本发明所述的杂芳基是指芳基中的至少一个芳核碳原子被杂原子取代的一价基团。所述杂芳基的碳原子数为C2～C30，优选为C2～C15，还优选为C2～C10。所述杂原子包括但不限于如下所述原子，O、S、N、Si、B、P等。所述杂芳基包括单环杂芳基、稠环杂芳基。所述杂芳基实例包括但不限于如下所述的基团，吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、咔唑基等。

本发明所述的烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的一价基团。所述烷基的碳原子数为C1～C15，优选为C1～C10。所述烷基的实例包括但不限于如下所述的基团，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基等。

本发明所述的碳原子数大于三的链状烷基包括其异构体，例如，丙基包括正丙基、异丙基，丁基包括正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。以此类推。

本发明所述的“取代或未取代的甲硅烷基”是指—Si(R_k)₃基团，其中每个R_k相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C1～C30的烯基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C2～C60的杂芳基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C6～C60的芳环的稠合环基、取代或未取代的C3～C30的脂环与C2～C60的杂芳环的稠合环基。优选的，每个R_k相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基。所述烷基的碳原子数优选为1至20个，优选1至15个，再优选1至10个，最优选为1至8个。所述环烷基的碳原子数优选为3至20个，优选3至15个，再优选3至10个，最优选为3至7个。所述芳基的碳原子数优选为6至20个，优选6至13个，再优选6至12个，最优选为6至10个。优选的，每个R_k相同或不同的选自如下所述基团：氢、氘、氚、氰基、卤素、硝基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的庚基、取代或未取代的辛基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的环庚基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基。所述“烷基甲硅烷基”是指甲硅烷基(-SiH₃)的至少一个取代基R_k是烷基，优选的烷基甲硅烷基具体包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基，但不限于此；所述“芳基甲硅烷基”是指甲硅烷基(-SiH₃)的至少一个取代基R_k是芳基，优选的芳基甲硅烷基具体包括三苯基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、苯基二甲基甲硅烷基等，但不限于此。

本发明所述的亚芳基是指芳香烃分子中的芳核碳上少掉两个氢原子而成的二价基团。所述亚芳基的碳原子数为C6～C30，优选为C6～C20，还优选为C6～C10。所述亚芳基包括单环亚芳基、多环亚芳基、稠环亚芳基或者其组合。所述亚芳基实例包括但不限于如下所述的基团，亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚三亚苯基、亚苝基、亚芘基、亚茚基、亚芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚螺二芴基、亚苯并螺二芴基等。

本发明所述的亚杂芳基是指亚芳基中的至少一个碳原子被杂原子取代的二价基团。所述亚杂芳基的碳原子数为C2～C30，优选为C2～C20，还优选为C2～C10。所述杂原子包括但不限于如下所示原子，O、S、N、Si、B、P等。所述亚杂芳基包括单环亚杂芳基、多环亚杂芳基、稠环亚杂芳基或者其组合。所述亚杂芳基实例包括但不限于如下所述的基团，亚吡啶基、亚嘧啶基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚呋喃基、亚苯并呋喃基、亚二苯并呋喃基、亚苯并二苯并呋喃基、亚噻吩基、亚苯并噻吩基、亚二苯并噻吩基、亚苯并二苯并噻吩基等。

本发明所述的脂环和芳环的亚稠合环基是指脂环与芳环稠合在一起后去掉两个氢原子，剩下二价基团的总称。所述脂环和芳环的亚稠合环的示例可以包括亚二氢茚基、亚茚基、亚四氢萘基、亚二氢萘基、亚苯并环丙烷基、亚苯并环丁烷基、亚苯并环丁烯基、亚萘并环戊烷基等，但不限于此。所述脂环的碳原子数为C3～C15，优选C3～C10。所述芳环的碳原子数为C6～C30，优选C6～C18。

本发明所述的“取代或未取代”中的“未取代”表示基团上的氢原子未被任何取代基替换，“取代”表示基团上的至少一个氢原子被取代基所替换，当有多个氢被多个取代基替换时，所述多个取代基可以相同或者不同，上述被取代基所替换的氢的位置可以为任意位置。

上述“取代或未取代”中的“取代”所代表的取代基团选自如下所述基团中的一种或其组合：氘原子、卤素原子、氰基、硝基、胺基(或氨基)、取代或未取代的甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基和杂环基。例如，优选如下所述基团，氘、卤原子、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、十一烷基、十二烷基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚烷基、环辛基、环壬基、金刚烷基、莰烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、苯并芴基、二苯并芴基、螺二芴基、苯并螺二芴基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、二氢茚基、四氢萘基、苯并环庚烷基、苯并环辛烷基、茚基、二氢萘基等，但不限于此，上面的(示例)取代基中的每个可以是取代或未取代的。

在本说明书中，当取代基或连接位点所在键贯穿于两个或多个环时，表明其可连接于所述两个或多个环的任一个，具体可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。例如，可表示/> 可表示/>以此类推。

在本说明书中，当取代基在环上的位置不固定时，表示其可连接于所述环的相应可选位点中的任一个。

例如，可表示/> 可表示/> 可表示/>以此类推。

本发明中“相邻的两个基团之间可以相互连接形成取代或未取代的环”是指通过相邻的基团彼此结合并任选地芳构化以形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环。烃环可以为脂肪族烃环或芳族烃环。杂环可包括脂肪族杂环或芳族杂环。所述脂肪族烃环可以为饱和脂肪族烃环也可以为不饱和脂肪族烃环，所述脂肪族杂环可以为饱和脂肪族杂环也可以为不饱和脂肪族杂环。烃环和杂环可为单环或者多环基团。另外，通过相邻的基团结合形成的环可与另一个环连接以形成螺结构。如下所示例：

本发明中，连接形成的环可以为五元环或六元环或者稠合环，例如苯、萘、菲、三亚苯、环戊烷、环己烷、环戊烯、环己烯、芴、吡啶、嘧啶、二苯并呋喃、二苯并噻吩，但不限于此。

本发明中，所述“至少一个”表示，在允许的情况下，一个、两个、三个、四个、五个、六个或者更多个。

本发明提供了一种含芴的芳胺衍生物，具有结构式1所示的通式，

所述L₁选自如下所示基团或其组合：

所述环A选自取代或未取代的C3～C12的脂环基；

条件是Ar₁、Ar₂或Ar₃中含有至少一个式1-2所示的基团；

优选的，所述Ar₁中含有至少一个式1-2所示的基团；优选地含有一个或两个式1-2所示的基团；

优选的，所述Ar₂中含有至少一个式1-2所示的基团；优选地含有一个或两个式1-2所示的基团；

优选的，所述Ar₃中含有至少一个式1-2所示的基团；优选地含有一个或两个式1-2所示的基团；

优选的，所述Ar₂、Ar₃中含有至少一个式1-2所示的基团；优选的，Ar₂中含有一个或两个式1-2所示的基团并且Ar₃中含有一个或两个式1-2所示的基团。

优选的，式1-1选自如下所示基团中的任意一种：

所述R₁、R₂独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、茚基、四氢萘基、芴基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、式1-2所示的基团或其组合中的任意一种；或所述相邻的两个R₁之间、两个R₂之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述a₁选自1、2、3、4或5；所述a₂选自1、2、3、4、5、6或7；所述a₃选自1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述a₄选自1、2或3；所述a₅选自1、2、3、4、5或6；所述a₆选自1、2、3、4、5、6、7或8；所述a₇选自1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11；所述b₁选自1、2、3、4、5或6；所述b₂选自1、2、3、4、5、6、7或8；所述b₃选自1、2、3、4、5、6、7、8、9或10；所述b₄选自1、2、3、4、5、6或7；所述b₅选自1、2、3、4、5、6、7、8或9。

优选的，R₁中的一个或两个选自式1-2所示的基团。

优选的，式1-2选自如下所示基团中的任意一种：

所述R₁₀选自取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基或其组合中的任意一种；

所述R₁₁、R₁₂独立地选自取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、金刚烷基、降冰片烷基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基或其组合中的任意一种；

所述R₁₃相同或不同地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、茚基、四氢萘基、芴基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基或其组合中的任意一种；或所述相邻的两个R₁₃之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述g₁选自1、2、3、4或5；所述g₂选自1、2、3或4；所述g₃选自1、2或3。

再优选的，式1-2选自如下所示基团中的任意一种：

优选的，所述Ar₂、Ar₃独立地选自如下所示基团中的任意一种：

所述R₄、Rm、Rn独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C15的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基或其组合中的任意一种；或所述相邻的两个R₄之间、Rm和Rn之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述环B选自取代或未取代的C3～C12的脂环基；

所述d₁选自1、2、3、4或5；所述d₂选自1、2、3、4、5、6或7；所述d₃选自1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述d₄选自1、2或3；所述d₅选自1、2、3或4；所述d₆选自1或2。

再优选的，所述Ar₂、Ar₃独立地选自如下所示基团中的任意一种：

/>

所述R₄、R₅独立地选自选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、茚基、四氢萘基、芴基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、式1-2所示的基团或其组合中的任意一种；或所述相邻的两个R₄之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述d₁选自1、2、3、4或5；所述d₂选自1、2、3、4、5、6或7；所述d₃选自1、2、3、4、5、6、7、8或9；所述d₄选自1、2或3；所述d₅选自1、2、3或4；所述d₆选自1或2；所述d₇选自1、2、3、4、5或6；所述d₈选自1、2、3、4、5、6、7或8；所述d₉选自1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或11；所述d₁₀选自1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。

优选的，R₄中的一个或两个选自式1-2所示的基团。

优选的，R₅中的一个或两个选自式1-2所示的基团。

优选的，R₄和R₅中，共有一个、两个、三个或四个选自式1-2所示的基团。

优选的，所述L₁选自如下所示基团或其组合中的任意一种：

所述R₃相同或不同的选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、茚基、四氢萘基、芴基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、式1-2所示的基团或其组合中的任意一种；

所述c₁选自1、2、3或4；所述c₂选自1、2或3；所述c₃选自1或2；所述c₄选自1、2、3、4、5或6；所述c₅选自1、2、3、4、5、6、7或8；所述c₆选自1、2、3、4或5。

再优选的，所述L₁选自如下所示基团或其组合中的任意一种：

优选的，所述L₂、L₃独立地选自如下所示基团或其组合中的任意一种：

/>

所述R₆、R_j、R_k独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C15的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的C3～C15的脂环基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C15的脂环与C6～C30的芳环的稠合环基、取代或未取代的C2～C30的杂芳基或其组合中的任意一种；或所述相邻的R_j和R_k之间可以相互连接形成取代或未取代的环；

所述环C选自取代或未取代的C3～C12的脂环基；

所述f₁选自1、2、3或4；所述f₂选自1、2或3；所述f₃选自1或2。

再优选的，所述L₂、L₃独立地选自单键或下列基团或其组合中的任意一种：

所述R₆相同或不同的选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的下列基团：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、茚基、四氢萘基、芴基、苯并环丙烷基、苯并环丁烷基、苯并环戊烷基、苯并环己烷基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、式1-2所示的基团或其组合中的任意一种；

所述f₁选自1、2、3或4；所述f₂选自1、2或3；所述f₃选自1或2；所述f₄选自1、2、3、4、5或6；所述f₅选自1、2、3、4、5、6、7或8；所述f₆选自1、2、3、4或5。

进一步优选的，所述L₂、L₃独立地选自单键或下列基团或其组合中的任意一种：

最优选的，所述式1表示的含芴的芳胺衍生物选自如下所示化学结构中的任意一种：

/>

以上列举了本发明结构式1的含芴的芳胺衍生物的一些具体化学结构，但本发明不局限于所列的这些化学结构，凡是以结构式1的含芴的芳胺衍生物为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。

进一步的，本发明还提供了一种有机电致发光器件，包括：第一电极；与所述第一电极相对设置的第二电极；以及位于所述第一电极与所述第二电极之间或位于所述第一电极及所述第二电极中的一个以上的电极的外侧的有机物层，所述有机物层中含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。

优选的，所述有机物层包含空穴传输区域、发光层、电子传输区域、覆盖层、P型电荷生成层、N型电荷生成层中的至少一层，所述空穴传输区域、覆盖层或P型电荷生成层中的至少一层含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。

优选的，所述第一电极为阳极，第二电极为阴极，或者替代地，第一电极为阴极，第二电极为阳极。

优选的，所述有机物层位于所述阳极和所述阴极之间，所述有机物层包含空穴传输区域，所述空穴传输区域包含本发明所述的含芴的芳胺衍生物中的至少一种。

优选的，所述空穴传输区域包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层，所述空穴注入层位于阳极与阴极之间，所述空穴传输层位于空穴注入层和阴极之间，所述电子阻挡层位于空穴传输层和阴极之间，所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

优选的，所述空穴传输区域包含空穴传输层，所述空穴传输层含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和阴极之间，所述第一空穴传输层中含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和阴极之间，所述第二空穴传输层中含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和阴极之间，所述第一空穴传输层和第二空穴传输层中含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和阴极之间，所述第三空穴传输层位于第二空穴传输层和阴极之间，所述第一空穴传输层、第二空穴传输层、第三空穴传输层中的至少一层含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和阴极之间，所述第三空穴传输层位于第二空穴传输层和阴极之间，所述第一空穴传输层含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和阴极之间，所述第三空穴传输层位于第二空穴传输层和阴极之间，所述第二空穴传输层含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

优选的，所述空穴传输层包含第一空穴传输层、第二空穴传输层和第三空穴传输层，所述第二空穴传输层位于第一空穴传输层和阴极之间，所述第三空穴传输层位于第二空穴传输层和阴极之间，所述第三空穴传输层含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

优选的，所述有机物层包括所述阳极及所述阴极中的一个以上的电极的外侧的覆盖层，所述覆盖层中含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

优选的，本发明所述的有机电致发光器件为单层有机电致发光器件或叠层有机电致发光器件，所述单层有机电致发光器件即含有一个发光单元的有机电致发光器件，所述叠层有机电致发光器件是通过电荷生成层将N(N≥2)个独立的发光单元串联而成的有机电致发光器件。

优选的，本发明所述的有机电致发光器件为单层有机电致发光器件，其中阳极、一个或更多个有机物层和阴极顺序地堆叠在基底上。

优选的，本发明所述的有机电致发光器件为叠层有机电致发光器件，其中在阳极与阴极之间形成有发射第一颜色的光的第一发光单元、发射第N颜色的光的第N发光单元以及均匀地控制第一发光单元与第N发光单元之间的电荷的电荷生成层，其中电荷生成层包括与第一发光单元相邻设置的N型电荷生成层和与第N发光单元相邻设置的P型电荷生成层。

优选的，所述P型电荷生成层含有本发明所述的含芴的芳胺衍生物，或所述P型电荷生成层可以通过使用本发明所述的含芴的芳胺衍生物与其他材料进行掺杂而形成。

本发明的有机电致发光器件通常在基板上形成。上述基板只要在形成电极、形成有机物层时不发生变化即可，例如，玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等的基板。当基板不透明时，与其相对的电极优选为透明或者半透明的。

本发明对有机电致发光器件中的各层薄膜的材料没有特别的限定，可以使用本领域中已知的物质。下面对上述提到的有机电致发光器件的有机物层以及器件两侧的电极分别进行介绍：

本发明所述的阳极优选使用具有高功函数(具体地，4.0eV或更多)的金属、合金、导电性化合物和它们的混合物等。本发明用于阳极的材料可以包含：金属或其合金、金属氧化物、叠层材料、导电聚合物、金属与氧化物组合等，例如，镍(Ni)、铂(Pt)、钒(V)、银(Ag)、金(Au)，氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟(In₂O₃)，氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)，聚吡咯、聚苯胺，氧化锌:铝(ZnO:Al)等。但不限于此。

本发明所述的空穴注入材料优选能够降低阳极与空穴传输层之间的界面势垒的材料。如下所述材料，多氰基共轭有机物、轴烯化合物、酞菁金属配合物、芳胺衍生物、聚合物等。具体实例可包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳基胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料、基于喹吖啶酮的有机材料、基于苝的有机材料、蒽醌、以及基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此，并且还可以包含能够进行p掺杂的另外的化合物。

本发明所述的空穴传输材料优选能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的材料，并且具有高空穴迁移率的材料以及较好的稳定性的材料。本发明所述的空穴传输材料位于阳极与发光层之间、或者在空穴注入层存在的情况下位于空穴注入层与发光层之间。可以将本发明化合物单独或与下述的化合物组合而用于空穴传输层。

作为本发明化合物以外的空穴传输层材料，例如可以使用芳香族胺化合物、咔唑衍生物、蒽衍生物、聚合物等。具体实例可包括N-([1,1'-联苯]-4-基)-N-(4-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)二苯并[b,d]呋喃-4-胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N4,N4-二([1,1'-联苯]-4-基)-N4'-([1,1':4',1”-三联苯]-4-基)-N4'-苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺、N,N,N',N'-四联苯联苯二胺、9,9'-二苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H，4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(简称：t-BuDNA)、9，10-二(2-萘基)蒽(简称：DNA)、以及9，10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、对亚苯基乙烯(PPV)等，但不限于此。优选本发明式1所示的含芴的芳胺衍生物。

本发明所述的电子阻挡层优选使用与所述空穴传输层的HOMO值之差的绝对值大于或等于0.07eV且小于或等于0.35eV的材料，具体实例可包括含芴的芳胺衍生物、螺芴衍生物、呋喃衍生物等材料，如TPD、NPB、N4，N4-双([1,1'-联苯]-4-基)-N4'-苯基N4'-[1,1'：4'，1”-三联苯]-4-基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺、N-([1,1'-二苯基]-4-基)-N-(9,9-二甲基-9H-呋喃-2-基)-9,9'-螺二芴-2-胺、N,N-二([1,1'-联苯]-4-基)-3'-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-[1,1'-联苯基]-4-胺等、本发明所述的含芴的芳胺衍生物等，但不限于此。优选本发明式1所示的含芴的芳胺衍生物。

本发明所述的发光层可以只含有客体材料，还可以采用客体材料分散于主体材料中的形式，其中主体材料可以由一种或多种材料组成。

作为本发明的发光层主体材料，可包括稠合芳族环衍生物，杂环类化合物等，例如9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、10,10'-双(联苯-4-基)-9,9'-联蒽(BANE)、1,3,5-三(芘-1-基)苯(TPB₃)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)、14,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-双(咔唑-9-基)-2,2'-二甲基联苯(CDBP)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)等，但不限于此。

作为本发明的发光层客体材料，可包括芳族胺衍生物、稠合芳族环衍生物、杂环衍生物、金属配合物等，例如4,4'-双(4-(9H-咔唑-9-基)苯乙烯基)联苯(BSB₄)、4,4'-二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、10,10'-双(3,5-双(三氟甲基)苯基)-9,9'-联蒽(Ban-(3,5)-CF₃)、5,6,11,12-四苯基并四苯(Rubrene)、香豆素545T(C-525T)三(2-苯基-3-甲基-吡啶)铱(Ir(3mppy)₃)、双(2-(萘-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(npy)₂acac)、三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)₃)等，但不限于此。

本发明所述的空穴阻挡层材料需要具有较好的空穴阻挡能力以便将空穴阻挡在发光层内。如下所述材料，咪唑衍生物、菲啰啉衍生物、金属配合物、三嗪衍生物等。具体实例可包括1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBi)、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(HNBphen)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(BCP)、二(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、2-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)4-(9,9-二苯基-9H-芴-4-基)-6-苯基-1,3,5-三嗪等，但不限于此。

本发明所述的电子传输层材料优选具有较好的电子传输能力以及较好的稳定性的材料。如下所述材料，咪唑衍生物、菲啰啉衍生物、吡啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、恶二唑衍生物、三氮唑类衍生物、金属配合物等。具体实例可包括2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(HNBphen)、2,9-(二甲基)-4,7-联苯-1,10-邻二氮菲(BCP)、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基](TmPyPB)、1,4-二(4-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)萘、2-(3-(菲-9-基)-5-(吡啶-3-基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪、1,3,5-三(4-(吡啶-4-基)喹啉-2-基)苯(TPyQB)、2,5-二-(4-萘基)-1,3,4-恶二唑(BND)、3-(联苯-4-基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(BAlq)、8-羟基喹啉酸锂(LiQ)等，但不限于此。

本发明所述的电子注入层材料优选能够降低阴极与电子传输层之间的界面势垒的材料。可以使用锂(Li)、铯(Cs)等碱金属、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)等碱土金属、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属、和包含这些金属的化合物。作为这样的化合物，可以举出例如：碱金属氧化物、碱金属卤化物、含碱金属的有机络合物、碱土金属氧化物、碱土金属卤化物、含碱土金属的有机络合物、稀土金属氧化物、稀土金属卤化物、和含稀土金属的有机络合物。另外，也可以混合使用多种这些化合物。

本发明所述的阴极优选使用功函数小的(具体地，3.8eV或更少的功函数)金属、合金、导电性化合物和它们的混合物等。本发明用于阴极的材料可以包含：金属或其合金、多层结构材料等，例如，银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、锡(Sb)、镁银(Mg:Ag)、钙/镁(Ca/Mg)等。但不限于此。

本发明所述的覆盖层可以是单一物质构成的单层结构，也可以是不同物质构成的单层结构或多层结构。覆盖层材料可以使用具有适当折射率的有机物或者无机物，例如可以是金属卤化物、氧化物、氮化物、氮氧化物、硫化物、硒化物、芳烃化合物、杂芳烃化合物、芳胺化合物等，具体实例可包括LiF、CsF、MgF₂、CaF₂、CsCl、CuI、V₂O₅、WO₃、MoO₃、TiO₂、ZrO、ZnO、SiO₂、三(8-羟基喹啉)合铝(III)(Alq₃)、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(简CBP)、本发明所述的含芴的芳胺衍生物等，但不限于此。优选本发明式1所示的含芴的芳胺衍生物。

本发明所述的N型电荷生成材料可以选自如下所述材料或其组合中的一种：三-(8-羟基喹啉合)铝(Alq3)、2-联苯基-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-喹啉根合-N1,O8)-(1,1’-联苯基-4-酚根合)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(对吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯基-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-((N,N-二甲基)-N-乙基铵基)-丙基)-2,7-芴]-交替-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三苯基喹喔啉(TPQ)和二苯基-4-三苯基甲硅烷基-苯基氧化膦(TSPO1)等，但不限于此。此外，还可以包括辅助N型电荷生成材料。例如，辅助N型电荷生成材料可以是碱金属，例如Li、Cs、K、Rb、Na或Fr等，但不限于此，或碱土金属，例如Be、Mg、Ca、Sr、Ba或Ra等，但不限于此。

本发明所述的P型电荷生成材料可以包含如下所述材料或其组合中的一种：4,4’,4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯基胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯基胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯基胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑基-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯基-4,4”-二胺(NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯基六甲腈(二吡嗪并[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈)(HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)和N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、本发明所述的含芴的芳胺衍生物等，但不限于此，优选本发明所述的含芴的芳胺衍生物。

对本发明有机电致发光器件中各层薄膜的制备方法没有特别限制，可以采用真空蒸镀法、溅射法、旋涂法、喷涂法、丝网印刷法、激光转印法等，但不限于此。各层的膜厚没有特别限制，一般而言若膜厚过薄，则容易产生针孔等缺陷，反之若过厚则需要高驱动电压而效率变差，因此通常为5nm～10μm，更优选10nm～0.2μm。

本发明的有机电致发光器件主要应用于信息显示技术领域，在信息显示方面被广泛应用于各种信息显示，如平板电脑、电视、手机、智能手表、数码照相机、VR、车载系统、可穿戴设备、照明设备等。

合成实施例

原料与试剂：本发明对以下合成实施例中所采用的原料或试剂没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。本发明所用的原料及试剂均为试剂纯。

仪器：G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨率质谱仪(沃特斯公司，英国)；Vario ELcube型有机元素分析仪(Elementar公司，德国)。

对本发明结构式1的含芴的芳胺衍生物的制备方法没有特别限制，可以采用本领域的技术人员所熟知的常规方法。例如，碳氮偶联反应、碳碳偶联反应等，例如，本发明结构式1的含芴的芳胺衍生物可以采用如下所示的合成路线进行制备。

合成路线1：

合成路线2：

所述X₁、X₂为卤素原子，例如，可以相同或不同的选自如下所述的卤素原子，I、Br、Cl。

合成实施例

合成实施例1：中间体C-367的制备

将e-367(17.96g，55mmol)溶解在105mL无水四氢呋喃中，在氮气条件下，将溶液的温度保持在-78℃，向溶液中缓慢滴加正丁基锂的正己烷溶液(22mL的2.5M的正己烷溶液，55mmol)，滴加完毕后，搅拌1小时，然后将f-367(19.75g，55mmol)溶于70mL四氢呋喃中，缓慢滴加，将反应溶液保持在-78℃，搅拌1小时，然后使其达到室温搅拌过夜。减压除去溶剂，将残余物溶于冰醋酸(83mL)中，加入浓盐酸溶液(31％，8mL)，将混合物在回流的条件下反应4小时，并在室温下搅拌过夜。反应结束后，加入水，用二氯甲烷萃取，合并有机相，用水洗，无水硫酸镁干燥，减压蒸馏除去溶剂，用异丙醇重结晶，得到C-367(22.34g，产率75％)；HPLC纯度≧99.76％。质谱m/z：540.1319(理论值：540.1304)。

合成实施例2：中间体C-377的制备

根据实施例1的方法，将e-367替换为等摩尔的e-377，得到中间体C-377(19.11g，产率74％)；HPLC检测固体纯度≧99.77％。质谱m/z：468.0924(理论值：468.0909)。

合成实施例3：中间体a-471的制备

将化合物m-471(25.00g，75mmol)加入225mL四氢呋喃中，冷却至-78℃，边搅拌边在5h内缓慢滴加正丁基锂(39mL，97.5mmol)，继续搅拌1h，再加入化合物n-471(17.48g，75mmol)，常温反应5.5h后，将反应体系倒入水中，分离出有机相，减压蒸馏掉有机溶剂，将固体倒入210mL乙酸中搅拌，向其中加两滴硫酸作为催化剂，回流反应6h，过滤，固体溶于氯仿中，用饱和碳酸钙水溶液中和，萃取，有机相用无水硫酸镁干燥，通过减压蒸馏去除溶剂，固体在乙醇中重结晶，干燥，得到中间体a-471(24.65g，52.5mmol)，产率70％。HPLC检测固体纯度≧99.72％。质谱m/z：468.0921(理论值：468.0909)。

合成实施例4：中间体A-6的合成

中间体A-6的制备：

在氩气保护下，向反应瓶中加入a-6(29.80g，75.00mmol)、b-6(12.03g，75.00mmol)、碳酸钾(15.55g，112.50mmol)、Pd(PPh₃)₄(1.04g，0.90mmol)、和375mL甲苯/乙醇/水(2:1:1)混合溶剂，搅拌混合物，将上述反应物体系加热回流5h。反应结束后，冷却至室温，加入甲苯并分离各相，用蒸馏水洗涤甲苯相三次，用无水硫酸镁干燥，旋转蒸发浓缩溶剂，降温析晶，抽滤，将所得固体用甲苯重结晶，得到中间体A-6(25.33g，产率78％)；HPLC纯度≧99.76％。质谱m/z：432.1568(理论值：432.1583)。

按照上述合成方法，合成本发明所需的其他中间体，相关原料如表101所示：

表101：

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合成实施例5：化合物6的制备

中间体I-6的制备：

在氮气保护下，向反应瓶中依次加入e-6(11.09g，53.00mmol)、A-6(22.95g，53.00mmol)、叔丁醇钠(10.19g，106.00mmol)、Pd(OAc)2(0.12g，0.53mmol)、320mL甲苯，然后通氮气置换空气三次，再加入三叔丁基膦(1.06mL，0.5M于甲苯溶液中)，搅拌混合物，在回流温度下搅拌反应5.5h，反应结束后，待反应混合物冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机相用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏除去溶剂，用甲苯：乙醇(9：1)重结晶，得到中间体I-6(24.72g，77％)，HPLC检测固体纯度≧99.75％。质谱m/z：605.3035(理论值：605.3021)。

化合物6的制备：

在氮气保护下，向反应瓶中依次加入中间体I-6(21.20g，35.00mmol)、c-6(8.02g，35.00mmol)、叔丁醇钠(6.73g，70.00mmol)、Pd₂(dba)₃(0.32g，0.35mmol)和X-phos(0.33g，0.70mmol)、175ml甲苯，在回流温度下搅拌反应6h，反应结束后，将反应液冷却至室温，加入蒸馏水，用二氯甲烷萃取，静置分液，收集有机相用无水硫酸镁干燥，过滤，减压蒸馏除去溶剂，用甲苯重结晶，得到化合物6(19.27g，73％)，HPLC检测固体纯度≧99.94％。质谱m/z：753.3742(理论值：753.3729)。理论元素含量(％)C₅₅H₄₃D₄NSi：C,87.60；H,6.82；N,1.86。实测元素含量(％)：C,87.62；H,6.79；N,1.83。

合成实施例6：化合物14的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-14，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的c-14，得到化合物14(19.69g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：749.3463(理论值：749.3478)。理论元素含量(％)C₅₅H₄₇NSi：C,88.07；H,6.32；N,1.87。实测元素含量(％)：C,88.05；H,6.36；N,1.85。

合成实施例7：化合物33的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-33，A-6替换为等摩尔的a-33，c-6替换为等摩尔的c-14，得到化合物33(21.69g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：825.3778(理论值：825.3791)。理论元素含量(％)C₆₁H₅₁NSi：C,88.68；H,6.22；N,1.70。实测元素含量(％)：C,88.70；H,6.25；N,1.68。

合成实施例8：化合物39的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的a-39，A-6替换为等摩尔的e-39，c-6替换为等摩尔的c-39，得到化合物39(21.45g)，HPLC检测固体纯度≥99.93％。质谱m/z：827.3959(理论值：827.3947)。理论元素含量(％)C₆₁H₅₃NSi：C,88.47；H,6.45；N,1.69。实测元素含量(％)：C,88.49；H,6.42；N,1.71。

合成实施例9：化合物40的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的a-39，A-6替换为等摩尔的A-40，c-6替换为等摩尔的c-14，得到化合物40(23.26g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：909.4614(理论值：909.4606)。理论元素含量(％)C₆₇H₄₇D₈NSi：C,88.40；H,6.97；N,1.54。实测元素含量(％)：C,88.41；H,6.94；N,1.57。

合成实施例10：化合物51的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-51，A-6替换为等摩尔的a-51，c-6替换为等摩尔的e-51，得到化合物51(22.35g)，HPLC检测固体纯度≥99.96％。质谱m/z：839.3959(理论值：839.3947)。理论元素含量(％)C₆₂H₅₃NSi：C,88.63；H,6.36；N,1.67。实测元素含量(％)C,88.60；H,6.33；N,1.65。

合成实施例11：化合物52的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-51，A-6替换为等摩尔的a-52，c-6替换为等摩尔的e-52，得到化合物52(22.52g)，HPLC检测固体纯度≥99.95％。质谱m/z：880.4272(理论值：880.4261)。理论元素含量(％)C₆₅H₄₈D₅NSi：C,88.59；H,6.63；N,1.59。实测元素含量(％)：C,88.62；H,6.65；N,1.57。

合成实施例12：化合物54的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-51，A-6替换为等摩尔的a-54，c-6替换为等摩尔的e-54，得到化合物54(21.14g)，HPLC检测固体纯度≥99.93％。质谱m/z：832.4246(理论值：832.4230)。理论元素含量(％)C₆₁H₄₄D₇NSi：C,87.93；H,7.02；N,1.68。实测元素含量(％)：C,87.91；H,7.04；N,1.69。

合成实施例13：化合物57的制备

根据实施例2的方法，将A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的c-57，得到化合物57(21.11g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：825.3781(理论值：825.3791)。理论元素含量(％)C₆₁H₅₁NSi：C,88.68；H,6.22；N,1.70。实测元素含量(％)：C,88.70；H,6.23；N,1.67。

合成实施例14：化合物65的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-65，A-6替换为等摩尔的A-65，c-6替换为等摩尔的e-65，得到化合物65(23.97g)，HPLC检测固体纯度≥99.93％。质谱m/z：965.4426(理论值：965.4417)。理论元素含量(％)C₇₂H₅₉NSi：C,89.49；H,6.15；N,1.45。实测元素含量(％)：C,89.45；H,6.18；N,1.43。

合成实施例15：化合物92的制备

根据实施例2的方法，A-6替换为等摩尔的e-92，c-6替换为等摩尔的c-92，得到化合物92(20.88g)，HPLC检测固体纯度≥99.95％。质谱m/z：839.3936(理论值：839.3947)。理论元素含量(％)C₆₂H₅₃NSi：C,88.63；H,6.36；N,1.67。实测元素含量(％)：C,88.64；H,6.34；N,1.69。

合成实施例16：化合物126的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-126，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的e-126，得到化合物126(24.12g)，HPLC检测固体纯度≥99.93％。质谱m/z：983.4328(理论值：983.4343)。理论元素含量(％)C₇₁H₆₁NSi₂：C,86.63；H,6.25；N,1.42。实测元素含量(％)：C,86.61；H,6.26；N,1.41。

合成实施例17：化合物131的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-131，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的e-131，得到化合物131(19.06g)，HPLC检测固体纯度≥99.97％。质谱m/z：735.3338(理论值：735.3321)。理论元素含量(％)C₅₄H₄₅NSi：C,88.12；H,6.16；N,1.90。实测元素含量(％)：C,88.15；H,6.13；N,1.91。

合成实施例18：化合物150的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-150，A-6替换为等摩尔的a-150，c-6替换为等摩尔的c-150，得到化合物150(21.13g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：861.4528(理论值：861.4513)。理论元素含量(％)C₆₃H₃₅D₁₄NSi：C,87.76；H,7.36；N,1.62。实测元素含量(％)：C,87.74；H,7.38；N,1.60。

合成实施例19：化合物154的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的a-39，A-6替换为等摩尔的C-154，c-6替换为等摩尔的e-154，得到化合物154(22.75g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：877.4032(理论值：877.4042)。理论元素含量(％)C₆₅H₄₇D₄NSi：C,88.90；H,6.31；N,1.59。实测元素含量(％)：C,88.92；H,6.35；N,1.57。

合成实施例20：化合物179的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-179，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的c-14，得到化合物179(23.25g)，HPLC检测固体纯度≥99.98％。质谱m/z：873.3773(理论值：873.3791)。理论元素含量(％)C₆₅H₅₁NSi：C,89.30；H,5.88；N,1.60。实测元素含量(％)：C,89.34；H,5.85；N,1.62。

合成实施例21：化合物181的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的a-39，A-6替换为等摩尔的e-181，c-6替换为等摩尔的B-181，得到化合物181(24.22g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：973.4483(理论值：973.4499)。理论元素含量(％)C₇₀H₆₃NSi₂：C,86.28；H,6.52；N,1.44。实测元素含量(％)：C,86.25；H,6.51；N,1.47。

合成实施例22：化合物184的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-184，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的c-184，得到化合物184(22.03g)，HPLC检测固体纯度≥99.96％。质谱m/z：873.3772(理论值：873.3791)。理论元素含量(％)C₆₅H₅₁NSi：C,89.30；H,5.88；N,1.60。实测元素含量(％)：C,89.32；H,5.84；N,1.63。

合成实施例23：化合物193的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-193，A-6替换为等摩尔的A-193，c-6替换为等摩尔的e-193，得到化合物193(22.91g)，HPLC检测固体纯度≥99.95％。质谱m/z：961.4970(理论值：961.4981)。理论元素含量(％)C₇₁H₅₉D₄NSi：C,88.61；H,7.02；N,1.46。实测元素含量(％)：C,88.63；H,7.06；N,1.43。

合成实施例24：化合物198的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的a-39，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的c-14，得到化合物198(22.34g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：873.3775(理论值：873.3791)。理论元素含量(％)C₆₅H₅₁NSi：C,89.30；H,5.88；N,1.60。实测元素含量(％)：C,89.34；H,5.85；N,1.57。

合成实施例25：化合物205的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-205，A-6替换为等摩尔的a-205，得到化合物205(23.16g)，HPLC检测固体纯度≥99.93％。质谱m/z：881.4434(理论值：881.4417)。理论元素含量(％)C₆₅H₅₉NSi：C,88.49；H,6.74；N,1.59。实测元素含量(％)：C,88.51；H,6.73；N,1.55。

合成实施例26：化合物235的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的a-39，A-6替换为等摩尔的c-235，c-6替换为等摩尔的C-235，得到化合物235(24.11g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：969.4745(理论值：969.4730)。理论元素含量(％)C₇₂H₆₃NSi：C,89.12；H,6.54；N,1.44。实测元素含量(％)：C,89.15；H,6.53；N,1.47。

合成实施例27：化合物241的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-179，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的c-118，得到化合物241(25.80g)，HPLC检测固体纯度≥99.90％。质谱m/z：1037.4432(理论值：1037.4417)。理论元素含量(％)C₇₈H₅₉NSi：C,90.22；H,5.73；N,1.35。实测元素含量(％)：C,90.25；H,5.71；N,1.31。

合成实施例28：化合物249的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-249，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的c-249，得到化合物249(21.63g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：857.3488(理论值：857.3478)。理论元素含量(％)C₆₄H₄₇NSi：C,89.57；H,5.52；N,1.63。实测元素含量(％)：C,89.54；H,5.54；N,1.66。

合成实施例29：化合物290的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-51，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的e-290，得到化合物290(24.81g)，HPLC检测固体纯度≥99.90％。质谱m/z：983.4871(理论值：983.4886)。理论元素含量(％)C₇₃H₆₅NSi：C,89.07；H,6.66；N,1.42。实测元素含量(％)：C,89.04；H,6.65；N,1.44。

合成实施例30：化合物299的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-299，A-6替换为等摩尔的A-299，c-6替换为等摩尔的c-299，得到化合物299(24.21g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：987.4243(理论值：987.4260)。理论元素含量(％)C₇₄H₅₇NSi：C,89.93；H,5.81；N,1.42。实测元素含量(％)：C,89.91；H,5.83；N,1.45。

合成实施例31：化合物326的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-51，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的c-14，得到化合物326(18.53g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：633.2876(理论值：633.2852)。理论元素含量(％)C₄₆H₃₉NSi：C,87.16；H,6.20；N,2.21。实测元素含量(％)：C,87.14；H,6.17；N,2.23。

合成实施例32：化合物337的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-51，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的c-14，得到化合物337(20.53g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：781.3568(理论值：781.3560)。理论元素含量(％)C₅₅H₅₁NSi₂：C,84.46；H,6.57；N,1.79。实测元素含量(％)：C,84.42；H,6.55；N,1.82。

合成实施例33：化合物347的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-347，A-6替换为等摩尔的A-347，c-6替换为等摩尔的c-14，得到化合物347(22.66g)，HPLC检测固体纯度≥99.93％。质谱m/z：875.3958(理论值：875.3947)。理论元素含量(％)C₆₅H₅₃NSi：C,89.10；H,6.10；N,1.60。实测元素含量(％)：C,89.13；H,6.08；N,1.64。

合成实施例34：化合物367的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-367，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的e-367，得到化合物367(24.51g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：945.4198(理论值：945.4186)。理论元素含量(％)C₆₈H₅₉NSi₂：C,86.30；H,6.28；N,1.48。实测元素含量(％)：C,86.32；H,6.26；N,1.45。

合成实施例35：化合物377的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-377，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的C-377，得到化合物377(22.77g)，HPLC检测固体纯度≥99.96％。质谱m/z：878.4115(理论值：878.4105)。理论元素含量(％)C₆₅H₄₆D₅NSi：C,88.79；H,6.42；N,1.59。实测元素含量(％)：C,88.75；H,6.40；N,1.56。

合成实施例36：化合物384的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-384，A-6替换为等摩尔的a-6，c-6替换为等摩尔的c-384，得到化合物384(23.04g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：913.4113(理论值：913.4104)。理论元素含量(％)C₆₈H₅₅NSi：C,89.33；H,6.06；N,1.53。实测元素含量(％)：C,89.31；H,6.08；N,1.50。

合成实施例37：化合物393的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的e-393，A-6替换为等摩尔的a-393，c-6替换为等摩尔的c-393，得到化合物393(20.72g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：810.3412(理论值：810.3430)。理论元素含量(％)C₅₉H₄₆N₂Si：C,87.37；H,5.72；N,3.45。实测元素含量(％)：C,87.40；H,5.73；N,3.48。

合成实施例38：化合物471的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-471，A-6替换为等摩尔的a-471，c-6替换为等摩尔的e-471，得到化合物471(22.79g)，HPLC检测固体纯度≥99.97％。质谱m/z：929.4426(理论值：929.4417)。理论元素含量(％)C₆₉H₅₉NSi：C,89.08；H,6.39；N,1.51。实测元素含量(％)：C,89.05；H,6.42；N,1.55。

合成实施例39：化合物513的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-513，A-6替换为等摩尔的A-513，c-6替换为等摩尔的e-126，得到化合物513(20.97g)，HPLC检测固体纯度≥99.94％。质谱m/z：831.4279(理论值：831.4260)。理论元素含量(％)C₆₁H₅₇NSi：C,88.04；H,6.90；N,1.68。实测元素含量(％)：C,88.07；H,6.86；N,1.71。

合成实施例40：化合物523的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-523，A-6替换为等摩尔的a-471，c-6替换为等摩尔的e-523，得到化合物523(21.83g)，HPLC检测固体纯度≥99.90％。质谱m/z：853.4119(理论值：853.4104)。理论元素含量(％)C₆₃H₅₅NSi：C,88.58；H,6.49；N,1.64。实测元素含量(％)：C,88.54；H,6.47；N,1.60。

合成实施例41：化合物544的制备

根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的a-471，A-6替换为等摩尔的A-513，c-6替换为等摩尔的e-523，得到化合物544(22.03g)，HPLC检测固体纯度≥99.92％。质谱m/z：873.3783(理论值：873.3791)。理论元素含量(％)C₆₅H₅₁NSi：C,89.30；H,5.88；N,1.60。实测元素含量(％)：C,89.32；H,5.84；N,1.62。

合成实施例42：化合物612的制备

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根据实施例2的方法，将e-6替换为等摩尔的c-367，A-6替换为等摩尔的a-471，c-6替换为等摩尔的e-612，得到化合物612(18.89g)，HPLC检测固体纯度≥99.91％。质谱m/z：709.3176(理论值：709.3165)。理论元素含量(％)C₅₂H₄₃NSi：C,87.97；H,6.10；N,1.97。实测元素含量(％)：C,87.94；H,6.11；N,1.99。

器件实施例

在本发明中，ITO玻璃基板由5％的玻璃清洗液超声清洗2次，每次20分钟，再由去离子水超声清洗2次，每次10分钟。依次使用丙酮和异丙酮超声清洗20分钟，120℃烘干。有机材料都是经过升华，纯度都在99.99％以上。

将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机电致发光器件的驱动电压、发光效率、CIE色坐标。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试系统。测试的环境为大气环境，温度为室温。

器件的制备采用真空蒸镀系统，在真空不间断条件下连续蒸发制备完成。所用材料分别在不同的蒸发源石英坩埚中，蒸发源的温度可以单独控制。有机材料的热蒸发速率一般定在0.1nm/s，电极金属蒸发速率在0.4～0.6nm/s。将处理好的玻璃基板放置到OLED真空镀膜机中，在薄膜制作过程中，系统真空度应该维持在5×10^-5Pa以下，通过更换掩膜板分别来蒸镀有机层和金属电极，用Inficon的SQM160石英晶体膜厚检测仪检测蒸镀速度，用石英晶体振荡器检测薄膜厚度。

实施例1：有机电致发光器件1的制备

在玻璃基板上以ITO作为阳极；在阳极上真空蒸镀60nm的HAT-CN形成空穴注入层；在空穴注入层上真空蒸镀34nm的本发明化合物6形成第一空穴传输层；在第一空穴传输层上真空蒸镀30nm的BH-1:BD-1(质量比94％：6％混合)形成发光层；在发光层上真空蒸镀35nm的ET-1：Liq(质量比1：1混合)形成电子传输层；在电子传输层上真空蒸镀0.9nm的LiF形成电子注入层；在电子注入层上真空蒸镀120nm的Al形成阴极。

实施例2～38：有机电致发光器件2～38的制备

将实施例1第一空穴传输层中的化合物6分别换成化合物14、化合物33、化合物39、化合物40、化合物51、化合物52、化合物54、化合物57、化合物65、化合物92、化合物126、化合物131、化合物150、化合物154、化合物179、化合物181、化合物184、化合物193、化合物198、化合物205、化合物235、化合物241、化合物249、化合物290、化合物299、化合物326、化合物337、化合物347、化合物367、化合物377、化合物384、化合物393、化合物471、化合物513、化合物523、化合物544、化合物612，其他步骤相同，得到有机电致发光器件2～38。

对比例1～3：对比有机电致发光器件1～3的制备

将实施例1第一空穴传输层中的化合物6分别换成R-1、R-2、R-3，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件1～3。

本发明实施例1～38以及对比例1～3制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表1所示。

表1有机电致发光器件的发光特性测试数据

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注：T95指的是在电流密度为10mA/cm²情况下，器件亮度衰减到95％所用的时间；

从表1中可以得出，与对比例1～3相比，本发明的式1所示的含芴的芳胺衍生物用于有机电致发光器件中的第一空穴传输层时，有效的提升了有机电致发光器件的效率，并且器件的使用寿命得到了改善。

实施例39：有机电致发光器件39的制备

在玻璃基板上以ITO作为阳极；在阳极上真空蒸镀55nm的HAT-CN形成空穴注入层；在空穴注入层上真空蒸镀28nm的HT-1形成第一空穴传输层；在第一空穴传输层上真空蒸镀本发明的化合物6作为第二空穴传输层，厚度为15nm；在第二空穴传输层上真空蒸镀30nm的CBP:Ir(ppy)₃(质量比95％：5％混合)形成发光层；在发光层上真空蒸镀30nm的Bepq₂形成电子传输层；在电子传输层上真空蒸镀1.1nm的LiF形成电子注入层；在电子注入层上真空蒸镀120nm的Al形成阴极。

实施例40～76：有机电致发光器件40～76的制备

将实施例39第二空穴传输层中的化合物6分别换成化合物14、化合物33、化合物39、化合物40、化合物51、化合物52、化合物54、化合物57、化合物65、化合物92、化合物126、化合物131、化合物150、化合物154、化合物179、化合物181、化合物184、化合物193、化合物198、化合物205、化合物235、化合物241、化合物249、化合物290、化合物299、化合物326、化合物337、化合物347、化合物367、化合物377、化合物384、化合物393、化合物471、化合物513、化合物523、化合物544、化合物612，其他步骤相同，得到有机电致发光器件40～76。

对比例4～6：对比有机电致发光器件4～6的制备

将实施例39第二空穴传输层中的化合物6分别换成R-1、R-4、R-5，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件4～6。

本发明实施例39～76以及对比例4～6制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表2所示。

表2有机电致发光器件的发光特性测试数据

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由表2的结果可以看出，本发明的含芴的芳胺衍生物应用于有机电致发光器件中，作为第二空穴传输层材料时，与对比例4～6相比，器件的性能显著提升，表现出发光效率高、使用寿命长的优点。

实施例77：有机电致发光器件77的制备

在玻璃基板上以ITO作为阳极；在阳极上真空蒸镀45nm的F4-TCQN形成空穴注入层；在空穴注入层上真空蒸镀28nm的HT-1形成第一空穴传输层；在第一空穴传输层上真空蒸镀20nm的HT-2形成第二空穴传输层；在第二空穴传输层上真空蒸镀15nm的本发明的化合物6形成第三空穴传输层；在第三空穴传输层上真空蒸镀30nm的RH-1:Ir(piq)₂(acac)(质量比95％：5％混合)形成发光层；在发光层上真空蒸镀25nm的ET-2：Liq(质量比1：1混合)形成电子传输层；在电子传输层上真空蒸镀1.0nm的LiF形成电子注入层；在电子注入层上真空蒸镀120nm的Al形成阴极。

实施例78～114：有机电致发光器件78～114的制备

将实施例77第三空穴传输层中的化合物6分别换成化合物14、化合物33、化合物39、化合物40、化合物51、化合物52、化合物54、化合物57、化合物65、化合物92、化合物126、化合物131、化合物150、化合物154、化合物179、化合物181、化合物184、化合物193、化合物198、化合物205、化合物235、化合物241、化合物249、化合物290、化合物299、化合物326、化合物337、化合物347、化合物367、化合物377、化合物384、化合物393、化合物471、化合物513、化合物523、化合物544、化合物612，其他步骤相同，得到有机电致发光器件78～114。

对比例7～9：对比有机电致发光器件7～9的制备

将实施例77第三空穴传输层中的化合物6分别换成R-1、R-6、R-7，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件7～9。

本发明实施例77～114以及对比例7～9制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表3所示。

表3有机电致发光器件的发光特性测试数据

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由表3的结果可以看出，本发明的含芴的芳胺衍生物应用于有机电致发光器件中，作为第三空穴传输层材料时，与对比例7～9相比，器件的发光效率、使用寿命有所改善。

实施例115：有机电致发光器件115的制备

在玻璃基板上以ITO-Ag-ITO作为阳极；在阳极上真空蒸镀50nm的F4-TCQN形成空穴注入层；在空穴注入层上真空蒸镀38nm的NPB形成空穴传输层；在空穴传输层上真空蒸镀30nm的BH-3:BD-3(质量比95％：5％混合)形成发光层；在发光层上真空蒸镀35nm的Bphen：Liq(质量比1：1混合)形成电子传输层；在电子传输层上真空蒸镀1.0nm的LiF形成电子注入层；在电子注入层上真空蒸镀20nm的Mg:Ag(质量比1：9)形成阴极；在阴极层上蒸镀本发明化合物6，形成厚度为75nm的覆盖层，从而形成有机电致发光器件。

实施例116～134：有机电致发光器件116～134的制备

将实施例115覆盖层中的化合物6分别换成化合物14、化合物57、化合物92、化合物179、化合物181、化合物198、化合物205、化合物241、化合物249、化合物290、化合物326、化合物337、化合物347、化合物367、化合物377、化合物471、化合物513、化合物523、化合物612，其他步骤相同，得到有机电致发光器件116～134。

对比例10～11：对比有机电致发光器件10～11的制备

将实施例115覆盖层中的化合物6分别换成R-8、R-9，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件10～11。

本发明实施例115～134以及对比例10～11制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表4所示。

表4有机电致发光器件的发光特性测试数据

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由表4的结果可以看出，本发明的含芴的芳胺衍生物应用于有机电致发光器件中，作为覆盖层材料，与对比实施例10～11相比，可有效提高光取出效率，进一步提高了有机电致发光器件的发光效率和使用寿命，是性能良好的有机电致发光器件覆盖层材料。

实施例135：有机电致发光器件135的制备

在玻璃基板上以ITO作为阳极；在阳极上真空蒸镀50nm的F4-TCQN形成空穴注入层；在空穴注入层上真空蒸镀35nm的NPB形成空穴传输层1；在空穴传输层1上真空蒸镀30nm的BH-3:BD-3(质量比96％：4％混合)形成发光层1；在发光层1上真空蒸镀25nm的ET-3形成电子传输层1；在电子传输层1上真空蒸镀10nm的Bphen：Li(质量比98％：2％混合)形成N型电荷生成层；在N型电荷生成层上真空蒸镀10nm的化合物6:HAT-CN(质量比95％：5％混合)形成P型电荷生成层；在P型电荷生成层上真空蒸镀35nm的NPB形成空穴传输层2；在空穴传输层2上真空蒸镀30nm的CBP:Ir(ppy)₃(质量比94％：6％混合)形成发光层2；在发光层2上真空蒸镀25nm的ET-3形成电子传输层2；在电子传输层2上真空蒸镀1.2nm的LiF形成电子注入层；在电子注入层上真空蒸镀120nm的Al形成阴极。

实施例136～154：有机电致发光器件136～154的制备

将实施例135P型电荷生成层中的化合物6分别换成化合物14、化合物33、化合物39、化合物51、化合物52、化合物57、化合物126、化合物154、化合物179、化合物181、化合物205、化合物241、化合物249、化合物290、化合物367、化合物377、化合物523、化合物544、化合物612，其他步骤相同，得到有机电致发光器件136～154。

对比例12～13：对比有机电致发光器件12～13的制备

将实施例135P型电荷生成层中的化合物6分别换成R-10、NPB，其他步骤相同，得到对比有机电致发光器件12～13。

本发明实施例135～154以及对比例12～13制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表5所示。

表5有机电致发光器件的发光特性测试数据

由表5的结果可以看出，本发明的含芴的芳胺衍生物应用于有机电致发光器件的P型电荷生成层材料时，与对比实施例12～13相比，有机电致发光器件的发光效率和使用寿命有所提高，是性能良好的有机电致发光器件P型电荷生成层材料。

应当指出，本发明用个别实施方案进行了特别描述，但在不脱离本发明原理的前提下，本领域普通技术人可对本发明进行各种形式或细节上的改进，这些改进也落入本发明的保护范围内。

Claims

1.一种含芴的芳胺衍生物，其特征在于，具有结构式1所示的通式，

所述L₁选自如下所示基团或其组合：

所述环A选自取代或未取代的C3～C12的脂环基；

条件是Ar₁、Ar₂或Ar₃中含有至少一个式1-2所示的基团；

2.根据权利要求1所述的含芴的芳胺衍生物，其特征在于，所述式1-1选自如下所示基团中的任意一种：

3.根据权利要求1所述的含芴的芳胺衍生物，其特征在于，所述式1-2选自如下所示基团中的任意一种：

4.根据权利要求1所述的含芴的芳胺衍生物，其特征在于，所述式1-2选自如下所示基团中的任意一种：

5.根据权利要求1所述的含芴的芳胺衍生物，其特征在于，所述Ar₂、Ar₃独立地选自如下所示基团中的任意一种：

所述环B选自取代或未取代的C3～C12的脂环基；

6.根据权利要求1所述的一种含芴的芳胺衍生物，其特征在于，所述Ar₂、Ar₃独立地选自如下所示基团中的任意一种：

7.根据权利要求1所述的一种含芴的芳胺衍生物，其特征在于，所述L₁选自如下所示基团或其组合中的任意一种：

8.根据权利要求1所述的一种含芴的芳胺衍生物，其特征在于，所述L₂、L₃独立地选自如下所示基团或其组合中的任意一种：

所述环C选自取代或未取代的C3～C12的脂环基；

9.根据权利要求1所述的含芴的芳胺衍生物，其特征在于，所述式1表示的含芴的芳胺衍生物选自如下所示化学结构中的任意一种：

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10.一种有机电致发光器件，包括：第一电极，与所述第一电极相对设置的第二电极，以及位于所述第一电极与所述第二电极之间或位于所述第一电极及所述第二电极中的一个以上的电极的外侧的有机物层，其特征在于，所述有机物层中含有权利要求1-9任一项所述的含芴的芳胺衍生物中的任意一种或至少两种的组合。