CN117878052A - 基板处理装置和基板把持装置 - Google Patents

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后藤大辅
绪方信博
东岛治郎
小原智明
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Abstract

本发明涉及基板处理装置和基板把持装置。提供提高基板保持部的维护性的技术。实施方式的基板处理装置向旋转的基板的表面供给处理液。基板处理装置具备基板保持部。基板保持部保持基板。基板保持部具备把持部和基座部。把持部与基板的周缘接触，把持基板。基座部供把持部安装。

Description

基板处理装置和基板把持装置
技术领域
本公开涉及基板处理装置和基板把持装置。
背景技术
在专利文献1公开有利用基板保持部保持基板并向旋转的基板供给处理液的基板处理装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第5327144号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供提高基板保持部的维护性的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置向旋转的基板的表面供给处理液。基板处理装置具备基板保持部。基板保持部保持基板。基板保持部具备把持部和基座部。把持部与基板的周缘接触，把持基板。基座部供把持部安装。
发明的效果
根据本公开，能够提高基板保持部的维护性。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理系统的结构的图。
图2是表示实施方式的处理单元的结构的图。
图3是实施方式的转动部的立体图。
图4是实施方式的转动部的分解立体图。
图5是实施方式的转动部的俯视图。
图6是实施方式的转动部的主视图。
图7是图5的VII-VII剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本公开的基板处理装置和基板把持装置的方式(以下，记载为“实施方式”)详细地说明。另外，本公开的基板处理装置和基板把持装置并不限定于该实施方式。
此外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时示出规定互相正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向且将Z轴正方向设为铅垂朝上方向的正交坐标系。
＜基板处理系统＞
图1是表示实施方式的基板处理系统1的结构的图。如图1所示，基板处理系统1具备送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻地设置。
送入送出站2具备载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置有将多张基板(以下，记载为“晶圆W”)容纳为水平状态的多个载体C。
输送部12与载体载置部11相邻地设置，在内部具备基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具备保持晶圆W的基板保持机构。此外，基板输送装置13能够进行水平方向和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转，使用基板保持机构在载体C和交接部14之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送部15和多个处理单元16(基板处理装置的一例)。多个处理单元16例如在输送部15的两侧排列地设置。
输送部15在内部具备基板输送装置17。基板输送装置17具备保持晶圆W的基板保持机构。此外，基板输送装置17能够进行水平方向和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转，使用基板保持机构在交接部14和处理单元16之间进行晶圆W的输送。
处理单元16对由基板输送装置17输送的晶圆W进行规定的基板处理。
此外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19存储有对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18读取并执行在存储部19存储的程序，从而对基板处理系统1的动作进行控制。
另外，该程序也可以记录在能够由计算机读取的存储介质，并从该存储介质加载于控制装置4的存储部19。作为能够由计算机读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述这样构成的基板处理系统1中，首先，送入送出站2的基板输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶圆W，将取出的晶圆W载置于交接部14。载置于交接部14的晶圆W由处理站3的基板输送装置17从交接部14取出，向处理单元16送入。
向处理单元16送入的晶圆W在由处理单元16处理之后，由基板输送装置17从处理单元16送出，载置于交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶圆W由基板输送装置13返回载体载置部11的载体C。
＜处理单元的结构＞
接着，参照图2对处理单元16的结构进行说明。图2是表示实施方式的处理单元16的结构的图。
图2所示的处理单元16向晶圆W的表面(上表面)供给处理液，从而例如去除在晶圆W的表面形成的膜。处理单元16(基板处理装置的一例)向旋转的晶圆W(基板的一例)的表面供给处理液。处理单元16的处理包含蚀刻和抗蚀剂剥离。
处理液例如是硫酸和过氧化氢的混合液即SPM(Sulfuric Acid HydrogenPeroxide Mixture：硫酸过氧化氢混合物)。另外，处理液不限于SPM。处理液也可以是SC1(氨、过氧化氢以及水的混合液)、SC2(盐酸、过氧化氢以及水的混合液)以及过氧化氢水等。处理液根据在晶圆W的表面形成的膜的种类来选择。处理单元16也可以向晶圆W的背面(下表面)供给作为温度调节气体的N2气体。
处理单元16具备腔室20、基板保持机构21、处理流体供给部22以及回收杯23。
腔室20容纳基板保持机构21的局部、处理流体供给部22的局部以及回收杯23。在腔室20的顶部设有FFU(Fan Filter Unit：风扇过滤单元)24。FFU24在腔室20内形成下降流。
基板保持机构21保持晶圆W并使其旋转。基板保持机构21具备保持部30、支柱部31以及驱动部32。保持部30(基板保持部的一例)保持晶圆W(基板的一例)。保持部30将晶圆W保持为水平。保持部30的详细内容随后叙述。
支柱部31是沿铅垂方向延伸的构件，基端部由驱动部32支承为能够旋转，在顶端部将保持部30支承为水平。驱动部32使支柱部31绕铅垂轴线旋转。驱动部32使抬升销33沿上下方向移动。驱动部32例如包含多个马达、传递由马达产生的旋转的齿轮、以及连杆机构等。
抬升销33利用驱动部32沿上下方向移动，从而使晶圆W沿上下方向移动。抬升销33在给定的下降位置和给定的上升位置之间沿上下方向移动。
给定的下降位置是晶圆W由保持部30保持并利用处理液进行处理的情况的位置。在给定的下降位置，抬升销33不与晶圆W的下表面接触。
给定的上升位置是在腔室20进行晶圆W的送入和送出的位置。抬升销33从给定的下降位置上升，从而抬升销33与晶圆W的下表面接触，使晶圆W上升。抬升销33沿着晶圆W的周向等间隔地设有多个。抬升销33例如沿着晶圆W的周向以120度的间隔设有三个。另外，抬升销33的数量不限于三个，也可以是三个以外。
基板保持机构21使用驱动部32使支柱部31旋转，从而使支承于支柱部31的保持部30旋转。由此，保持在保持部30的晶圆W旋转。
处理流体供给部22向晶圆W供给用于基板处理的各种液。处理流体供给部22具备处理液供给部40、冲洗液供给部50以及臂驱动部60。
处理液供给部40向晶圆W供给处理液。处理液供给部40向晶圆W的表面供给处理液。
处理液供给部40具备处理液供给源41、处理液供给喷嘴42以及处理液调整部43。
处理液供给喷嘴42经由处理液调整部43与处理液供给源41连接。处理液供给喷嘴42向晶圆W供给处理液。处理液供给喷嘴42安装于支承臂45。
处理液调整部43调整从处理液供给喷嘴42向晶圆W的表面供给的处理液的流量。处理液调整部43包含开关阀(未图示)、流量调整阀(未图示)以及使各阀工作的马达(未图示)等。
冲洗液供给部50向晶圆W供给冲洗液。冲洗液是DIW(DeIonized Water：去离子水)。冲洗液例如是常温的。冲洗液供给部50向晶圆W的表面供给冲洗液。
冲洗液供给部50具备冲洗液供给源51、冲洗液供给喷嘴52以及冲洗液调整部53。
冲洗液供给喷嘴52向晶圆W的表面供给冲洗液。冲洗液供给喷嘴52经由冲洗液调整部53与冲洗液供给源51连接。冲洗液供给喷嘴52安装于支承臂45。
冲洗液调整部53调整从冲洗液供给喷嘴52向晶圆W的表面供给的冲洗液的流量。冲洗液调整部53包含开关阀(未图示)、流量调整阀(未图示)以及使各阀工作的马达(未图示)等。冲洗液调整部53能够调整冲洗液供给喷嘴52的冲洗液的流量。
臂驱动部60使支承臂45沿上下方向移动。臂驱动部60使支承臂45绕铅垂轴线转动。臂驱动部60例如包含多个马达、传递由马达产生的旋转的齿轮、以及连杆机构等。
臂驱动部60使支承臂45转动，从而使处理液供给喷嘴42和冲洗液供给喷嘴52沿晶圆W的径向移动。
臂驱动部60使支承臂45转动，从而使处理液供给喷嘴42和冲洗液供给喷嘴52在待机位置和中央位置之间移动。待机位置是处理液供给喷嘴42和冲洗液供给喷嘴52不处于晶圆W的上方的状态，且是不向晶圆W供给处理液等的位置。中央位置是处理液供给喷嘴42和冲洗液供给喷嘴52处于晶圆W的中央部的上方的状态，且是朝向晶圆W的中央部供给处理液等的位置。
臂驱动部60在使处理液供给喷嘴42和冲洗液供给喷嘴52从待机位置移动至中央位置时，使处理液供给喷嘴42和冲洗液供给喷嘴52从晶圆W的周缘部朝向晶圆W的中央部移动。此外，臂驱动部60在使处理液供给喷嘴42和冲洗液供给喷嘴52从中央位置移动至待机位置时，使支承臂45转动。由此，处理液供给喷嘴42和冲洗液供给喷嘴52从晶圆W的中央部朝向晶圆W的周缘部移动。
另外，冲洗液供给喷嘴52也可以安装于与处理液供给喷嘴42不同的支承臂。即，也可以设有多个支承臂。各支承臂例如利用不同的臂驱动部进行移动和转动。
＜保持部的结构＞
接着，对保持部30进行说明。保持部30具备支承台70、支承销71以及转动部72。支承台70与支柱部31连接。支承台70为板状，例如形成为圆形。
支承销71设于支承台70。在由转动部72保持着晶圆W的状态下，支承销71与晶圆W的下表面接触，支承晶圆W。支承销71沿着支承台70的周向设有多个。支承销71例如沿着支承台70的周向设有6个。支承销71也可以沿着支承台70的周向设有三个。另外，支承销71的数量不限定于上述的数量。
转动部72设有多个。转动部72沿着支承台70的周向等间隔地设有多个。转动部72例如沿着支承台70的周向以120度的间隔设有三个。另外，转动部72的数量不限于三个。转动部72只要能够将晶圆W保持为能够旋转即可。
转动部72能够相对于支承台70转动。转动部72利用马达(未图示)和传递机构(未图示)转动而开闭。在转动部72为闭状态的情况下，晶圆W由转动部72保持。在转动部72为开状态的情况下，晶圆W不由转动部72保持。
参照图3～图7对转动部72进行说明。图3是实施方式的转动部72的立体图。图4是实施方式的转动部72的分解立体图。图5是实施方式的转动部72的俯视图。图6是实施方式的转动部72的主视图。图7是图5的VII-VII剖视图。转动部72具备基座部80、把持部90以及固定部100。
基座部80以能够转动的方式安装于支承台70。基座部80由SiC(碳化硅)、C-PFA(含有碳的全氟烷氧基烷烃)以及C-PCTFE(含有碳的聚三氟氯乙烯)中的任一者构成。基座部80也可以是PEEK(聚醚醚酮)。基座部80也可以是涂布有PFA的SUS(不锈钢)。即，基座部80的材料是涂布有PFA的SUS、SiC、C-PFA、C-PCTFE以及PEEK中的任一者。例如，基座部80由SiC构成。另外，上述的“C(碳)”包含CNT(碳纳米管)。在以下也是同样的。
基座部80供把持部90安装。基座部80具备第1板部81、第2板部82、转动轴支承部83以及支承部84。基座部80形成为主视时呈大致字母L状。
第1板部81例如设为沿着支承台70的径向延伸。另外，第1板部81也可以设为沿着相对于支承台70的径向向上下方向倾斜的方向延伸。第2板部82设为从第1板部81的在支承台70的径向上为外侧的端部向上方延伸。另外，在以下，将支承台70的中心轴线侧设为“内侧”，将支承台70的周缘部侧设为“外侧”，来进行说明。
转动轴支承部83设为从第2板部82朝向外侧突出。转动轴支承部83例如设有两个。转动轴支承部83也可以是一个。在转动轴支承部83形成有支承孔83a。在支承孔83a插入有转动轴部(未图示)。转动部72以转动轴部的轴线为中心转动。转动部72从传递机构传递有动力，从而以转动轴部的轴线为中心转动。由此，转动部72进行开闭，从而使晶圆W在保持状态和非保持状态之间切换。
支承部84设为与第2板部82的上端连接。支承部84支承把持部90。支承部84具备载置部85、框部86以及插入部87。载置部85与第2板部82的上端连接。载置部85例如形成为俯视时呈矩形状。
框部86设为从载置部85的周缘向上方延伸。框部86设为内侧开口。框部86设为大致字母U状。另外，框部86也可以沿着载置部85的周缘在整周上设置。即，框部86也可以设为矩形状的框。
插入部87设为从载置部85向上方延伸。插入部87设于框部86的内侧。在插入部87和框部86之间插入有后述的把持部90的基端部91的局部。插入部87设为比框部86向上方突出。插入部87插入于把持部90的插入孔94。
在插入部87形成有第1贯通孔88。第1贯通孔88形成为从内侧向外侧贯通插入部87。第1贯通孔88例如沿着支承台70的径向形成。第1贯通孔88形成为外侧的直径比内侧的直径小。
把持部90(基板把持装置的一例)在保持着表面被供给处理液的晶圆W(基板的一例)的状态下与晶圆W一起旋转。把持部90安装于基座部80。把持部90与晶圆W的周缘接触，把持晶圆W。把持部90由与在晶圆W的表面形成的膜以及处理液相应的材料构成。把持部90由具有针对处理液的耐化学药品性的材料构成。
把持部90能够相对于基座部80拆装。把持部90能够根据在晶圆W的表面形成的膜以及处理液进行更换。例如，在晶圆W(基板的一例)的表面形成有金属膜的情况下，把持部90由高电阻材料构成。
高电阻材料是体积电阻值为1.0×105Ωcm以上的材料。高电阻材料例如是GF-PTFE(含有玻璃纤维的聚四氟乙烯)、PCTFE、PEEK涂布有PFA的SUS以及涂布有PFA的SiC中的任一者。
金属膜例如是TiN(氮化钛)、Co(钴)、Ni(镍)、W(钨)、Mo(钼)、Ru(钌)、Al2O3(氧化铝)、SiGe(硅锗)、ZrO2(氧化锆)、Al(铝)以及Cu(铜)中的任一者。
此外，例如，在晶圆W(基板的一例)的表面未形成有金属膜的情况下，把持部90由低电阻材料构成。
低电阻材料是体积电阻值小于1.0×105Ωcm的材料。低电阻材料例如是C-PFA、C-PCTFE以及C-PEEK中的任一者。另外，在晶圆W的表面未形成有金属膜的情况下，把持部90也可以是高电阻材料。
此外，例如，在处理液的温度为50度以上的高温的情况下，把持部90由低导热性材料构成。低导热性材料是导热率为1.0W/mk以下的材料。低导热性材料例如包含树脂构件。
把持部90具备基端部91、腕部92以及爪部93。基端部91的局部插入于基座部80的框部86。基端部91由基座部80的框部86支承周围。基端部91由基座部80的载置部85从下方支承。基端部91以能够拆装的方式安装于基座部80。
腕部92设为从基端部91朝向斜上方延伸。腕部92以上端侧比基端部91侧靠内侧的方式倾斜。另外，腕部92也可以设为从基端部91朝向上方延伸。
爪部93设为从腕部92的上端向上方延伸。爪部93与基端部91连接，该爪部93与晶圆W(基板的一例)的周缘接触，把持晶圆W。爪部93借助腕部92与基端部91连接。在转动部72为闭状态的情况下，爪部93与晶圆W的周缘接触。在转动部72为开状态的情况下，爪部93不与晶圆W的周缘接触。
在把持部90形成有插入孔94和第2贯通孔95。插入孔94形成为从基端部91的底面朝向上方延伸。在插入孔94插入有基座部80的插入部87。插入孔94的上端也可以封闭。
第2贯通孔95形成为从内侧向外侧贯通把持部90。第2贯通孔95例如沿着支承台70的径向形成。第2贯通孔95形成为与插入孔94交叉。在把持部90安装于基座部80的情况下，第2贯通孔95形成为与第1贯通孔88连通。例如，在把持部90安装于基座部80的情况下，第2贯通孔95形成与第1贯通孔88在同轴上。
固定部100将把持部90固定于基座部80。固定部100例如是销。固定部100插入于把持部90的第2贯通孔95和基座部80的第1贯通孔88。固定部100例如由树脂构成。固定部100的材料例如是PTFE。固定部100的材料也可以是与把持部90或基座部80相同的材料。
在转动部72中，在把持部90安装于基座部80的情况下，基座部80的插入部87插入于把持部90的插入孔94。此外，把持部90的基端部91插入于基座部80的框部86内。基端部91的下表面与载置部85的上表面抵接，把持部90由载置部85从下方支承。在基端部91的下表面与载置部85的上表面抵接着的状态下，把持部90的第2贯通孔95和基座部80的第1贯通孔88成为在同轴上连通的状态。
然后，将固定部100插入于第2贯通孔95。
固定部100插入于把持部90的第1贯通孔88和基座部80的第2贯通孔95，从而防止把持部90相对于基座部80向上方脱离。
在将把持部90从基座部80拆下的情况下，将拆卸销等从外侧向把持部90的第2贯通孔95插入，将固定部100向内侧(基座部80的第1板部81侧)推压。
由此，固定部100自基座部80的第1贯通孔88和把持部90的第2贯通孔95脱离。
由于固定部100自第1贯通孔88和第2贯通孔95脱离，因而能够将把持部90从基座部80拆下。
在不具有上述的保持部30的比较例的基板处理装置中，转动部由单个部件构成。
在比较例的基板处理装置中，例如，在与晶圆接触的部位劣化了的情况下，更换整个转动部。
在比较例的基板处理装置中，例如，在选择针对处理液的耐化学药品性较高的材料作为转动部的材料的情况下，有可能导致转动部的强度变低，转动部的耐久性变低。此外，在比较例的基板处理装置中，例如，在选择强度较高的材料作为转动部的材料的情况下，有可能导致转动部针对处理液的耐化学药品性降低，转动部劣化，转动部的耐久性降低。即，比较例的基板处理装置有可能导致转动部的耐久性变低，转动部的寿命变短。
实施方式的处理单元16(基板处理装置的一例)向旋转的晶圆W(基板的一例)的表面供给处理液。处理单元16具备保持部30(基板保持部的一例)。保持部30具备把持部90和基座部80。把持部90与晶圆W的周缘接触，把持晶圆W。基座部80供把持部90安装。
由此，在处理单元16的把持部90劣化了的情况下，能够从基座部80拆下把持部90，更换为新的把持部90。因此，处理单元16能够提高保持部30的维护性。此外，处理单元16能够根据处理液的种类等容易地更换为适于处理的材料的把持部90。
此外，处理单元16例如能够使用针对处理液的耐化学药品性较高的材料作为把持部90的材料，且能够使用强度较高的材料作为基座部80的材料。由此，处理单元16能够提高保持部30的耐久性，延长保持部30的寿命。
基座部80的材料是SiC、C-PFA、C-PCTFE、PEEK以及涂布有PFA的SUS中的任一者。
由此，处理单元16能够提高基座部80的强度，能够提高保持部30的耐久性。
在晶圆W的表面形成有金属膜的情况下，把持部90由高电阻材料构成。高电阻材料是体积电阻值为1.0×105Ωcm以上的材料。
由此，处理单元16在向晶圆W的表面供给有处理液的情况下，能够抑制金属膜和把持部90由处理液导通，能够抑制晶圆W的金属膜的局部的蚀刻的促进(所谓的电偶腐蚀)。因此，处理单元16能够提高晶圆W的处理的均匀性。例如，处理单元16能够提高晶圆W的蚀刻的均匀性。
高电阻材料是GF-PTFE、PCTFE、PEEK、涂布有PFA的SUS以及涂布有PFA的SiC中的任一者。
由此，处理单元16能够提高晶圆W的处理的均匀性。
金属膜是TiN、Co、Ni、W、Mo、Ru、AL2O3、SiGe、ZrO2、Al以及Cu中的任一者。
由此，处理单元16在利用处理液处理形成有各种各样的种类的金属膜的晶圆W的情况下，能够提高晶圆W的处理的均匀性。
在晶圆W的表面未形成有金属膜的情况下，把持部90由低电阻材料构成。低电阻材料是体积电阻值小于1.0×105Ωcm的材料。
由此，处理单元16在晶圆W不产生电偶腐蚀的情况下，能够增大把持部90的材料的选择范围。此外，处理单元16能够减少积存在晶圆W的电荷。
低电阻材料是C-PFA、C-PCTFE以及C-PEEK中的任一者。
由此，处理单元16能够利用由导电性较大的材料构成的把持部90保持晶圆W，能够减少积存在晶圆W的电荷。
在处理液的温度为50度以上的情况下，把持部90由低导热性材料构成。低导热性材料是导热率为1.0W/mk以下的材料。
由此，处理单元16能够抑制把持部90的散热。例如，处理单元16在利用SPM的处理液剥离晶圆W的抗蚀剂的情况下，能够抑制把持部90的散热，抑制抗蚀剂残渣的产生。
保持部30具备将把持部90固定于基座部80的固定部100。
由此，处理单元16在使晶圆W旋转着的情况下，能够防止把持部90对晶圆W的保持被解除。
把持部90具备基端部91和爪部93。基端部91以能够拆装的方式安装于基座部80。爪部93与基端部91连接，与晶圆W(基板的一例)的周缘接触，把持晶圆W。
由此，例如，在与晶圆W接触的爪部93劣化了的情况下，将把持部90从基座部80拆下，并进行更换。因此，把持部90能够提高维护性。此外，把持部90能够根据处理液的种类等容易地更换为适于处理的材料的把持部90。
将把持部90固定于基座部80的固定部100的结构不限于上述的实施方式。固定部100只要能够将把持部90以能够拆装的方式固定于基座部80即可。例如，固定部100也可以是螺纹件。此外，固定部100也可以与把持部90以及基座部80形成为一体。例如，固定部100也可以是在基座部80和把持部90中的一者形成的卡合爪以及在基座部80和把持部90中的另一者形成的与卡合爪卡合的卡合部。
另外，应该认为，本次公开的实施方式在所有方面都是例示而不是限制性的。实际上，上述的实施例能够以多种多样的方式具体实现。此外，上述的实施方式也可以在不脱离附加的权利要求书及其主旨的情况下以各种各样的方式进行省略、置换、变更。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其向旋转的基板的表面供给处理液，其中，
该基板处理装置具备保持所述基板的基板保持部，
所述基板保持部具备：
把持部，其与所述基板的周缘接触，把持所述基板；以及
基座部，其供所述把持部安装。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基座部的材料是SiC、C-PFA、C-PCTFE、PEEK以及涂布有PFA的SUS中的任一者。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述基板的表面形成有金属膜的情况下，所述把持部由高电阻材料构成，
所述高电阻材料是体积电阻值为1.0×105Ωcm以上的材料。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述高电阻材料是GF-PTFE、PCTFE、PEEK、涂布有PFA的SUS以及涂布有PFA的SiC中的任一者。
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置，其中，
所述金属膜是TiN、Co、Ni、W、Mo、Ru、AL2O3、SiGe、ZrO2、Al以及Cu中的任一者。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述基板的表面未形成有金属膜的情况下，所述把持部由低电阻材料构成，
所述低电阻材料是体积电阻值小于1.0×105Ωcm的材料。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述低电阻材料是C-PFA、C-PCTFE以及C-PEEK中的任一者。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述处理液的温度为50度以上的情况下，所述把持部由低导热性材料构成，
所述低导热性材料是导热率为1.0W/mk以下的材料。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板保持部具备将所述把持部固定于所述基座部的固定部。
10.一种基板把持装置，其在保持有表面被供给处理液的基板的状态下与所述基板一起旋转，其中，
该基板把持装置具备：
基端部，其以能够拆装的方式安装于基座部；以及
爪部，其与所述基端部连接，该爪部与所述基板的周缘接触，把持所述基板。
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