CN117850157A - 基板结构、光掩膜版及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种基板结构、光掩膜版及其制备方法，基板结构包括：透明基板，所述透明基板具有封闭的中空腔；以及透明液体，填充于所述中空腔内；所述透明液体用于透过投射在所述透明基板上的光线。本申请通过在透明基板中设置封闭的中空腔，并且在中空腔中设置透明液体。如此，在光刻时，光刻机的光线会透过透明基板中的透明液体，相较于传统技术，改变了光刻机的光线的传播路径中的介质，从而改善光刻工艺中的因子参数，进而有利于提高光刻分辨率，达到提升光刻精度和解析度的目的。

Description

基板结构、光掩膜版及其制备方法

技术领域

本申请涉及集成电路制造技术领域，特别是涉及一种基板结构、光掩膜版及其制备方法。

背景技术

随着超大规模集成电路(Ultra Large Scale Integration，ULSI)的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。在某些技术节点的关键层中，如有源区层、栅氧层和金属互连层等关键层中的关键尺寸(Critical Dimension，CD)越来越小，某些关键层中的关键尺寸已经接近、甚至小于光刻工艺中所使用的光波的波长193nm。因此，如何提升光刻精度和解析度，对于缩小线宽尺寸尤为重要。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种基板结构、光掩膜版及其制备方法。

为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种用于光掩膜版的基板结构，所述基板结构包括：

透明基板，所述透明基板具有封闭的中空腔；以及

透明液体，填充于所述中空腔内；所述透明液体用于透过投射在所述透明基板上的光线。

本申请实施例提供的基板结构，通过在透明基板中设置封闭的中空腔，并且在中空腔中设置透明液体。如此，在光刻时，光刻机的光线会透过透明基板中的透明液体，相较于传统技术，改变了光刻机的光线的传播路径中的介质，从而改善光刻工艺中的因子参数，进而有利于提高光刻分辨率，达到提升光刻精度和解析度的目的。

在其中一个实施例中，所述透明液体充满所述中空腔。

在其中一个实施例中，沿所述透明基板的厚度方向，所述中空腔具有相对设置的第一壁面和第二壁面，所述第一壁面和所述第二壁面相互平行。

在其中一个实施例中，所述第一壁面和所述第二壁面均垂直于所述透明基板的厚度方向。

在其中一个实施例中，所述第一壁面和所述第二壁面之间的距离介于3mm-6mm。

在其中一个实施例中，所述透明基板的厚度介于3.5mm-6.5mm；

和/或，所述透明基板的表面平坦度介于0.3μm-1μm。

第二方面，本申请实施例提供一种光掩膜版，包括：

如第一方面任一实施例所述的基板结构；

掩膜图案，设置于所述基板结构的一侧。

本申请实施例提供的光掩膜版，通过在透明基板中设置封闭的中空腔，并且在中空腔中设置透明液体。如此，在光刻时，光刻机的光线会透过透明基板中的透明液体，相较于传统技术，改变了光刻机的光线的传播路径中的介质，从而改善光刻工艺中的因子参数，进而有利于提高光刻分辨率，达到提升光刻精度和解析度的目的。

在其中一个实施例中，所述掩膜图案在所述基板结构上的正投影，落入所述中空腔的边界围成的区域内。

在其中一个实施例中，沿所述基板结构的厚度方向，所述掩膜图案的尺寸介于30nm-105nm。

第三方面，本申请实施例提供一种光掩膜版的制备方法，包括：

提供基板结构，所述基板结构包括透明基板和透明液体，所述透明基板具有封闭的中空腔，所述透明液体填充于所述中空腔内；

于所述基板结构的一侧形成掩膜材料层和图形化掩膜层，所述掩膜材料层位于所述基板结构和所述图形化掩膜层之间；

对所述掩膜材料层进行图形化处理，形成掩膜图案；

去除所述图形化掩膜层。

本申请实施例提供的光掩膜版的制备方法，通过该制备方法制得的光掩膜版，能够改善光刻工艺中的因子参数，进而有利于提高光刻分辨率，达到提升光刻精度和解析度的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或示例性实施例中的技术方案，下面将对实施例或示例性实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种基板结构的截面结构示意图。

图2为本申请实施例提供的一种光掩膜版的截面结构示意图。

图3为本申请实施例提供的光掩膜版的制备方法的一种流程图。

图4-图6为图3所示制备方法过程中的光掩膜版的截面结构示意图。

附图标记说明：

1、光掩膜版；11、基板结构；111、透明基板；111a、中空腔；111a1、第一壁面；111a2、第二壁面；111b1、第一表面；111b2、第二表面；112、透明液体；12、掩膜图案；2、掩膜材料层；3、光刻胶；4、图形化掩膜层。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申请的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件的区的实际形状，且并不限定本申请的范围。

如背景技术所述，在某些技术节点的关键层中，如有源区层、栅氧层和金属互连层等关键层中的关键尺寸(Critical Dimension，CD)越来越小，某些关键层中的关键尺寸已经接近、甚至小于光刻工艺中所使用的光波的波长193nm。因此，如何提升光刻精度和解析度，对于缩小线宽尺寸尤为重要。

目前，光刻机的加工精度主要受限于自身波长大小，如果加工的产品线宽需求不断提升，只有通过降低光刻机自身波长大小来实现。然而，光刻机的波长越短，光刻机的造价越高。

鉴于上述问题中的至少一个，本申请实施例提供一种基板结构、光掩膜版及其制备方法，通过在透明基板中设置封闭的中空腔，并且在中空腔中设置透明液体。如此，在光刻时，光刻机的光线会透过透明基板中的透明液体，相较于传统技术，改变了光刻机的光线的传播路径中的介质，从而改善光刻工艺中的因子参数，进而有利于提高光刻分辨率，达到提升光刻精度和解析度的目的。

第一方面，参照图1所示，本申请实施例提供了一种用于光掩膜版1的基板结构11，基板结构11包括透明基板111和透明液体112，透明基板111具有封闭的中空腔111a，透明液体112填充于中空腔111a内。

在这里，需要说明的是，光刻精度和解析度越高，线宽尺寸越小。其中，光刻精度和光刻分辨率R有关，光刻分辨率R与光源波长λ、工艺因子K、镜头的孔径数值NA有关，四者的满足如下关系式：

进一步地，R值越小，光刻精度越高，提升光刻精度的方式主要有三种：一是减小波长λ，增大孔径数值NA，改善工艺参数以缩小工艺因子K。

在现有的DUV工艺中，由于DUV光波波长的限制，为了进一步改善光刻分辨率至22nm以下，只有通过增大NA数值孔径的方式，从而引入了浸润以水作为介质的浸润式光刻技术，然而光经过掩模版原有的玻璃或石英衬底介质后，会因为其高密度而产生折射及衍射的损失，折射率会变大。在传统的技术中通过引入光学邻近效应修正(opticalproximity correction，OPC)技术提升工艺因子K。在本申请实施例中，通过在基板结构11的内部设置透明液体112，利用光线在透明液体112和玻璃介质中光速不同的原理，可以降低光的折射和衍射能量损失，从而使工艺因子K得到改善，即：对传统的OPC技术起到增强辅助作用。从而在不需引入更短波长EUV光刻的前提下，有利于提高光刻分辨率，达到提升光刻精度和解析度的目的，进一步改善现有DUV光刻工艺。

在一个示例中，透明液体112的光透过率可以为20％、30％、50％、70％、80％、95％、99％或介于上述任意两个数值之间。

在一个较佳的示例中，透明液体112的光透过率大于90％。如此，能够降低光的能量的损失。

在一个示例中，透明基板111为苏打玻璃或石英玻璃。

在一个示例中，透明基板111的光透过率大于99％。

在一个示例中，透明液体112为高纯度的液体，例如：透明液体112为高纯去离子水、高纯蒸馏水或高纯玻璃水。可以理解的是，高纯度的液体的光透过率较高，有利于降低光的能量的损失。

在一个示例中，透明液体112为低温高纯度的透明液体112，用于降低光波能量照射过程中所损失的能量，从而降低光掩模版受照射后的成像套准误差。

在一个示例中，透明基板111包括层叠设置的第一基板(图未示出)和第二基板(图未示出)，其中，第一基板上开设有凹槽，第一基板设有凹槽的一面与第二基板通过粘接剂粘接，凹槽的槽腔形成中空腔111a。在制作基板结构11时，首先，在第一基板上开设凹槽，其次，在凹槽内填充透明液体112，最后，将第一基板和第二基板通过粘接剂粘接，使第一基板和第二基板盖合。

在另一个示例中，透明基板111为一体式结构。在制作基板结构11时，首先，制作具有中空腔111a的透明基板111，且该中空腔111a与外部连通，其次，在中空腔111a内填充透明液体112，最后，将中空腔111a的腔口密封。

在其中一个实施例中，透明液体112充满中空腔111a，这样，相当于在透明基板111的内部设置了一个透明液体层，该透明液体层充满中空腔111a。如此，一方面，保证了中空腔111a中不存在气体，并且当光刻机的光线经过透明基板111的中空腔111a时，能够完全经过透明液体层，而不会经过气体，有利于改善工艺因子K；另一方面，避免了透明液体112在中空腔111a中流动，例如，假设透明液体112未充满中空腔111a，在进行光刻工艺时，基板结构11并未处于水平状态，此时，透明液体112会发生流动，导致透明液体112在中空腔111a中的厚度不均匀，从而影响光刻精度。

在其中一个实施例中，沿透明基板111的厚度方向，中空腔111a具有相对设置的第一壁面111a1和第二壁面111a2，在这里，第一壁面111a1和第二壁面111a2为中空腔111a的两侧腔壁。在一个示例中，第一壁面111a1为顶腔壁，第二壁面111a2为底腔壁。

进一步地，第一壁面111a1和第二壁面111a2相互平行，即：在透明基板111的厚度方向上，中空腔111a的尺寸为定值。可以理解的是，在透明液体112充满中空腔111a时，中空腔111a的尺寸等于透明液体112的尺寸。如此，保证了在透明基板111的厚度方向上，透明液体112的尺寸为定值，保证了光线垂直照射基板结构11后，不同区域的光线所经过的透明液体112路径最大限度相等，有利于提高光刻精度。

在其中一个实施例中，第一壁面111a1和第二壁面111a2均垂直于透明基板111的厚度方向。如此，当光刻机的光线垂直照射基板结构11后，不同区域的光线所经过的透明液体112路径相等，有利于提高光刻精度。

在其中一个实施例中，第一壁面111a1和第二壁面111a2之间的距离介于3mm-6mm，即：中空腔111a沿透明基板111的厚度方向的尺寸介于3mm-6mm。示例性的，第一壁面111a1和第二壁面111a2之间的距离可以为3mm、3.3mm、3.6mm、3.8mm、4mm、4.5mm、4.8mm、5.1mm、5.5mm、5.8mm、5.95mm或6mm。

可以理解的是，当透明液体112充满中空腔111a时，相当于在透明基板111的内部设置了一个透明液体层，且中空腔111a的尺寸等于透明液体层的尺寸。上述设置，相当于使透明液体层的厚度介于3mm-6mm。如此，能够最大限度提升光线所经过的透明液体112路径，从而最大限度降低光的折射和衍射能量损失，有利于进一步提高光刻精度。

在其中一个实施例中，透明基板111的厚度介于3.5mm-6.5mm。

示例性的，透明基板111的厚度可以为3.5mm、3.6mm、3.8mm、4mm、4.5mm、4.8mm、5.1mm、5.5mm、5.8mm、5.95mm、6mm、6.3mm或6.5mm。

通过使透明基板111的厚度介于上述范围内，可以在基板结构11的厚度较小的情况下，使基板结构11具有一定的结构强度，不易损坏。

在这里，需要说明的是，参照图1所示，透明基板111具有相对设置的第一表面111b1和第二表面111b2，第一表面111b1和第二表面111b2之间的距离为透明基板111的厚度。

在其中一个实施例中，透明基板111的表面平坦度介于0.3μm-1μm。示例性的，透明基板111的表面平坦度可以为0.3μm、0.5μm、0.8μm、0.9μm或1μm。

通过使透明基板111的表面平坦度介于上述范围内，可以在透明基板111上形成精度较高的掩膜图案12。

第二方面，参照图2并结合图1所示，本申请实施例提供一种光掩膜版1，该光掩膜版1包括基板结构11和设置于基板结构11一侧的掩膜图案12。

其中，基板结构11包括透明基板111和透明液体112，透明基板111具有封闭的中空腔111a，透明液体112填充于中空腔111a内。

在这里，需要说明的是，光刻精度和解析度越高，线宽尺寸越小。其中，光刻精度和光刻分辨率R有关，光刻分辨率R与光源波长λ、工艺因子K、镜头的孔径数值NA有关，四者的满足如下关系式：

进一步地，R值越小，光刻精度越高，提升光刻精度的方式主要有三种：一是减小波长λ，增大孔径数值NA，改善工艺参数以缩小工艺因子K。

在现有的DUV工艺中，由于DUV光波波长的限制，为了进一步改善光刻分辨率至22nm以下，只有通过增大NA数值孔径的方式，从而引入了浸润以水作为介质的浸润式光刻技术，然而光经过掩模版原有的玻璃或石英衬底介质后，会因为其高密度而产生折射及衍射的损失，折射率会变大。在传统的技术中通过引入光学邻近效应修正(opticalproximity correction，OPC)技术提升工艺因子K。在本申请实施例中，通过在基板结构11的内部设置透明液体112，利用光线在透明液体112和玻璃介质中光速不同的原理，可以降低光的折射和衍射能量损失，从而使工艺因子K得到改善，即：对传统的OPC技术起到增强辅助作用。从而在不需引入更短波长EUV光刻的前提下，有利于提高光刻分辨率，达到提升光刻精度和解析度的目的，进一步改善现有DUV光刻工艺。

在一个示例中，透明液体112的光透过率可以为20％、30％、50％、70％、80％、95％、99％或介于上述任意两个数值之间。

在一个较佳的示例中，透明液体112的光透过率大于90％。如此，能够降低光的能量的损失。

在一个示例中，透明基板111为苏打玻璃或石英玻璃。

在一个示例中，透明基板111的光透过率大于99％。

在一个示例中，透明液体112为高纯度的液体，例如：透明液体112为高纯去离子水、高纯蒸馏水或高纯玻璃水。可以理解的是，高纯度的液体的光透过率较高，有利于降低光的能量的损失。

在一个示例中，透明液体112为低温高纯度的透明液体112，用于降低光波能量照射过程中所损失的能量，从而降低光掩模版受照射后的成像套准误差。

在一个示例中，透明基板111包括层叠设置的第一基板(图未示出)和第二基板(图未示出)，其中，第一基板上开设有凹槽，第一基板设有凹槽的一面与第二基板通过粘接剂粘接，凹槽的槽腔形成中空腔111a。在制作基板结构11时，首先，在第一基板上开设凹槽，其次，在凹槽内填充透明液体112，最后，将第一基板和第二基板通过粘接剂粘接，使第一基板和第二基板盖合。

在另一个示例中，透明基板111为一体式结构。在制作基板结构11时，首先，制作一具有中空腔111a的透明基板111，且该中空腔111a与外部连通，其次，在中空腔111a内填充透明液体112，最后，将中空腔111a的腔口密封。

在其中一个实施例中，透明液体112充满中空腔111a，这样，相当于在透明基板111的内部设置了一个透明液体层，该透明液体层充满中空腔111a。如此，一方面，保证了中空腔111a中不存在气体，并且当光刻机的光线经过透明基板111的中空腔111a时，能够完全经过透明液体层，而不会经过气体，有利于改善工艺因子K；另一方面，避免了透明液体112在中空腔111a中流动，例如，假设透明液体112未充满中空腔111a，在进行光刻工艺时，基板结构11并未处于水平状态，此时，透明液体112会发生流动，导致透明液体112在中空腔111a中的厚度不均匀，从而影响光刻精度。

在其中一个实施例中，沿透明基板111的厚度方向，中空腔111a具有相对设置的第一壁面111a1和第二壁面111a2，在这里，第一壁面111a1和第二壁面111a2为中空腔111a的两侧腔壁。在一个示例中，第一壁面111a1为顶腔壁，第二壁面111a2为底腔壁。

进一步地，第一壁面111a1和第二壁面111a2相互平行，即：在透明基板111的厚度方向上，中空腔111a的尺寸为定值。可以理解的是，在透明液体112充满中空腔111a时，中空腔111a的尺寸等于透明液体112的尺寸。如此，保证了在透明基板111的厚度方向上，透明液体112的尺寸为定值，保证了光线垂直照射基板结构11后，不同区域的光线所经过的透明液体112路径最大限度相等，有利于提高光刻精度。

在其中一个实施例中，第一壁面111a1和第二壁面111a2均垂直于透明基板111的厚度方向。如此，当光刻机的光线垂直照射基板结构11后，不同区域的光线所经过的透明液体112路径相等，有利于提高光刻精度。

在其中一个实施例中，第一壁面111a1和第二壁面111a2之间的距离介于3mm-6mm，即：中空腔111a沿透明基板111的厚度方向的尺寸介于3mm-6mm。示例性的，第一壁面111a1和第二壁面111a2之间的距离可以为3mm、3.3mm、3.6mm、3.8mm、4mm、4.5mm、4.8mm、5.1mm、5.5mm、5.8mm、5.95mm或6mm。

可以理解的是，当透明液体112充满中空腔111a时，相当于在透明基板111的内部设置了一个透明液体层，且中空腔111a的尺寸等于透明液体层的尺寸。上述设置，相当于使透明液体层的厚度介于3mm-6mm。如此，能够最大限度提升光线所经过的透明液体112路径，从而最大限度降低光的折射和衍射能量损失，有利于进一步提高光刻精度。

在其中一个实施例中，透明基板111的厚度介于3.5mm-6.5mm。

示例性的，透明基板111的厚度可以为3.5mm、3.6mm、3.8mm、4mm、4.5mm、4.8mm、5.1mm、5.5mm、5.8mm、5.95mm、6mm、6.3mm或6.5mm。

通过使透明基板111的厚度介于上述范围内，可以在基板结构11的厚度较小的情况下，使基板结构11具有一定的结构强度，不易损坏。

在这里，需要说明的是，参照图1所示，透明基板111具有相对设置的第一表面111b1和第二表面111b2，第一表面111b1和第二表面111b2之间的距离为透明基板111的厚度。

在其中一个实施例中，透明基板111的表面平坦度介于0.3μm-1μm。示例性的，透明基板111的表面平坦度可以为0.3μm、0.5μm、0.8μm、0.9μm或1μm。

通过使透明基板111的表面平坦度介于上述范围内，可以在透明基板111上形成精度较高的掩膜图案12。

在其中一个实施例中，掩膜图案12在基板结构11上的正投影，落入中空腔111a的边界围成的区域内。

如此，保证了光刻机的光线从光掩膜版1的透光区域穿过后，必经过透明液体112，从而有利于提升光刻精度和解析度。

在其中一个实施例中，沿基板结构11的厚度方向，掩膜图案12的尺寸介于30nm-105nm。在一个示例中，掩膜图案12的厚度介于30nm-105nm。示例性的，掩膜图案12的厚度可为30nm、50nm、70nm、80nm、88nm、95nm、100nm或105nm。

通过使掩膜图案12的厚度位于上述范围内，有利于形成结构比较稳定的掩膜图案12。

在一个示例中，掩膜图案12的材质为铬。

第三方面，参照图3所示，本申请实施例提供一种光掩膜版的制备方法，具体包括如下步骤：

S100：提供基板结构，基板结构包括透明基板和透明液体，透明基板具有封闭的中空腔，透明液体填充于中空腔内。

S200：于基板结构的一侧形成掩膜材料层和图形化掩膜层，掩膜材料层位于基板结构和图形化掩膜层之间。

在一个示例中，S200可以包括如下步骤：

S210：于基板结构的一侧形成掩膜材料层。

S220：于掩膜材料层背离基板结构的一侧形成光刻胶。其中，光刻胶3和掩膜材料层2形成后的结构如图4所示。

S230：对光刻胶进行图形化处理得到图形化掩膜层。其中，图形化掩膜层4形成后的结构如图5所示。示例性的，对掩膜材料层2进行曝光和显影，得到图形化掩膜层4。图形化掩膜层4的线宽可根据实际产品需要进行定义。示例性的，图形化掩膜层4的线宽介于100nm-1000nm。

在图形化掩膜层4形成后，接着进行如下工艺：

S300：对掩膜材料层进行图形化处理，形成掩膜图案。示例性的，可采用干法或湿法工艺对掩膜材料层2进行刻蚀，得到图6所示的结构。掩膜图案12的线宽可根据实际产品需要进行定义。示例性的，掩膜图案12的线宽介于200-1000nm。

S400：去除图形化掩膜层。

应该理解的是，在本申请实施例中，附图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种基板结构，用于光掩膜版，其特征在于，所述基板结构包括：

透明基板，所述透明基板具有封闭的中空腔；以及

透明液体，填充于所述中空腔内；所述透明液体用于透过投射在所述透明基板上的光线。

2.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，所述透明液体充满所述中空腔。

3.根据权利要求1所述的基板结构，其特征在于，沿所述透明基板的厚度方向，所述中空腔具有相对设置的第一壁面和第二壁面，所述第一壁面和所述第二壁面相互平行。

4.根据权利要求3所述的基板结构，其特征在于，所述第一壁面和所述第二壁面均垂直于所述透明基板的厚度方向。

5.根据权利要求3所述的基板结构，其特征在于，所述第一壁面和所述第二壁面之间的距离介于3mm-6mm。

6.根据权利要求1所述基板结构，其特征在于，所述透明基板的厚度介于3.5mm-6.5mm；

和/或，所述透明基板的表面平坦度介于0.3μm-1μm。

7.一种光掩膜版，其特征在于，包括：

如权利要求1-6任一项所述的基板结构；

掩膜图案，设置于所述基板结构的一侧。

8.根据权利要求7所述的光掩膜版，其特征在于，所述掩膜图案在所述基板结构上的正投影，落入所述中空腔的边界所围成的区域内。

9.根据权利要求7所述的光掩膜版，其特征在于，沿所述基板结构的厚度方向，所述掩膜图案的尺寸介于30nm-105nm。

10.一种光掩膜版的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板结构，所述基板结构包括透明基板和透明液体，所述透明基板具有封闭的中空腔，所述透明液体填充于所述中空腔内；

于所述基板结构的一侧形成掩膜材料层和图形化掩膜层，所述掩膜材料层位于所述基板结构和所述图形化掩膜层之间；

对所述掩膜材料层进行图形化处理，形成掩膜图案；

去除所述图形化掩膜层。