CN117812935A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置。其中，显示面板在隔离区设置有至少一个凹槽，凹槽包括相互连通的第一凹槽分部和第二凹槽分部，第二凹槽分部位于第一凹槽分部背离衬底基板的一侧，沿显示区指向开孔区的方向，第一凹槽分部的最大长度大于第二凹槽分部的最大长度，阴极在凹槽处断开。本发明实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置，阴极在凹槽的侧壁处断开，从而在静电通过开孔区的切割截面处的阴极导入时，传输路径会在隔离区的凹槽侧壁处被截断，避免静电对显示区的子像素造成电干扰。同时，阴极上传输的电源信号也无法经隔离区传输至开孔区的切割截面处，解决开孔区的切割截面处形成电化学腐蚀暗斑的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
为了提高显示面板的屏占比，会采用在显示面板的显示区挖孔的方式为摄像头提供容置开孔。
然而，在对显示面板挖孔后，由于开孔的切割截面处暴露了显示面板中层结构，一方面，静电会通过开孔的切割截面进入到显示区，导致开孔区周边的显示区显示异常；另一方面，在开孔区的切割截面处，显示面板的中层结构带电，容易导致电化学腐蚀暗斑，影响显示质量。
发明内容
本发明提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，以解决开孔区周边的显示区显示异常以及存在电化学腐蚀暗斑的问题，提高显示质量。
根据本发明的一方面，提供了一种显示面板，包括开孔区、围绕所述开孔区的显示区，以及位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区；
所述显示面板还包括衬底基板以及依次位于所述衬底基板一侧的阵列层和发光功能层；
所述阵列层包括第一绝缘层；
所述发光功能层包括阴极，所述阴极由所述显示区延伸至所述隔离区；
所述隔离区设置有至少一个凹槽，所述凹槽贯穿至少部分所述第一绝缘层；
所述凹槽包括相互连通的第一凹槽分部和第二凹槽分部，所述第二凹槽分部位于所述第一凹槽分部背离所述衬底基板的一侧；
沿所述显示区指向所述开孔区的方向，所述第一凹槽分部的最大长度大于所述第二凹槽分部的最大长度，所述阴极在所述凹槽处断开。
根据本发明的另一方面，提供了一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括开孔区、围绕所述开孔区的显示区，以及位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区；
所述制备方法包括：
在衬底基板一侧制备第一绝缘层，并形成阵列层；
在所述隔离区的所述阵列层上形成至少一个凹槽，所述凹槽贯穿至少部分所述第一绝缘层，所述凹槽包括相互连通的第一凹槽分部和第二凹槽分部，所述第二凹槽分部位于所述第一凹槽分部背离所述衬底基板的一侧，沿所述显示区指向所述开孔区的方向，所述第一凹槽分部的最大长度大于所述第二凹槽分部的最大长度；
在所述阵列层上制备发光功能层，所述发光功能层包括阴极，所述阴极由所述显示区延伸至所述隔离区，且所述阴极在所述第一凹槽处断开。
根据本发明的另一方面，提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置，在显示区和开孔区之间的隔离区设置凹槽，凹槽包括相互连通的第一凹槽分部和第一凹槽分部背离衬底基板一侧的第二凹槽分部，沿显示区指向开孔区的方向，第一凹槽分部的最大长度大于第二凹槽分部的最大长度，以在制备阴极时，可以使凹槽的侧壁不容易被阴极覆盖，使得阴极在凹槽的侧壁处断开，从而在静电通过开孔区的切割截面处的阴极导入时，传输路径会在隔离区的凹槽侧壁处被截断，使得静电无法进入到显示区，从而避免静电对显示区的子像素造成电干扰，解决开孔区周边的显示区显示异常的问题。同时，阴极上传输的电源信号也无法经隔离区传输至开孔区的切割截面处，从而解决开孔区的切割截面处形成电化学腐蚀暗斑的问题，提高显示质量。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为图1沿A-A’方向的截面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种金属隔离柱的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的截面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的再一种显示面板的截面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
图9和图10为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程结构示意图；
图11-图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程结构示意图；
图17-图19为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程结构示意图；
图20为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2为图1沿A-A’方向的截面结构示意图，如图1和图2所示，本发明实施例提供的显示面板包括开孔区10、围绕开孔区10的显示区11，以及位于显示区11和开孔区10之间的隔离区12。该显示面板还包括衬底基板20以及依次位于衬底基板20一侧的阵列层21和发光功能层22。阵列层21包括第一绝缘层211，发光功能层22包括阴极221，阴极221由显示区11延伸至隔离区12。隔离区12设置有至少一个凹槽30，凹槽30贯穿至少部分第一绝缘层211。凹槽30包括相互连通的第一凹槽分部301和第二凹槽分部302，第二凹槽分部302位于第一凹槽分部301背离衬底基板20的一侧。沿显示区11指向开孔区10的方向，第一凹槽分部301的最大长度L1大于第二凹槽分部302的最大长度L2，阴极221在凹槽30处断开。
具体的，如图1和图2所示，开孔区10用于放置感光元件，感光元件可以为摄像头、光线传感器、距离传感器、深度传感器、虹膜识别传感器、红外传感器等，但并不局限于此。
其中，开孔区10可以为非显示区，即开孔区10不发光，以降低对感光元件使用性能的影响。
此外，开孔区10可以为矩形区域、圆形区域或椭圆形区域等，开孔区10的位置可以设置于显示面板的任意一侧，本领域技术人员可根据实际需求对开孔区10的形状以及位置进行设置，本发明实施例对此不作限定。
继续参考图1和图2，围绕开孔区10设置有显示区11，显示区11中包括阵列排布的多个子像素13，子像素13可包括发光单元131和与发光单元131电连接的像素驱动电路132，像素驱动电路132用于驱动与其电连接的发光单元131发光，以实现显示功能。
进一步地，如图2所示，该显示面板还包括衬底基板20，其中，衬底基板20可以包括依次设置的第一衬底201、第一无机层202和第二衬底203。
其中，第一衬底201和第二衬底203的材料可以包括有机材料，如聚酰亚胺等，但并不局限于此。
第一无机层202可以阻隔水分和氧气进入像素驱动电路132，从而可保证像素驱动电路132的驱动性能，其中，第一无机层202的材料可以包括SiOx或者SiNx，但并不局限于此。
继续参考图2，衬底基板20的一侧设置有阵列层21，像素驱动电路132设置于阵列层21中，像素驱动电路132包括至少一个薄膜晶体管T，薄膜晶体管T可以包括层叠设置的有源层01、栅极层02和源漏电极层03。阵列层21还包括第一绝缘层211，第一绝缘层211中可包括多层绝缘膜层，第一绝缘层211用于隔绝有源层01、栅极层02和源漏电极层03，以确保薄膜晶体管T的正常工作。
其中，第一绝缘层211的材料可以包括SiOx或者SiNx，但并不局限于此。
继续参考图2，阵列层21背离衬底基板20的一侧设置有发光功能层22，发光单元131设置于发光功能层22中，以显示面板为有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)显示面板为例进行说明，发光单元131可以为有机发光二极管，此时，发光单元131可包括层叠设置的阳极31、发光层32和阴极221。其中，发光层32可为有机发光层(EML，Emission layer)，电子通过阴极221注入到发光层32中，空穴通过阳极31注入到发光层32中，电子和空穴在发光层32中复合而发射出光。
需要说明的是，像素驱动电路132在显示面板上驱动信号线(如扫描信号线、数据信号线、电源信号线等)的信号作用下将驱动电流传输至发光单元131，从而为发光单元131提供驱动电流，此时，电子和空穴分别从阴极221和阳极31注入到发光层32，会在发光层32内形成激子并使发光分子激发，从而使发光层32发出可见光。
继续参考图2，可选的，阳极31和发光层32之间还可设置有第一功能层34，第一功能层34可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)，其中，空穴注入层(HIL)主要提高将空穴从阳极31传递到发光层32的能力，空穴传输层(HTL)主要发挥将空穴传递至发光层32的作用。
发光层32和阴极221之间还可设置有第二功能层35，第二功能层35可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)，其中，电子传输层(ETL)主要发挥将电子传递至发光层32的作用，电子注入层(EIL)主要提高将电子从阴极221传递到发光层32的能力，有助于降低发光单元131的驱动电压。
发明人经研究发现，阴极221通常为整层设置，阴极221会由显示区11延伸至开孔区10的切割截面处，因此，开孔区10的切割截面处会露出阴极221的断面。一方面，在铜棒摩擦或者静电释放(Electro-Static discharge，ESD)测试中，产生的静电会通过开孔区10的切割截面经由阴极221进入到显示区11，对显示区11的子像素13造成电干扰，最终导致开孔区10周边的显示区11显示异常；另一方面，在高温高湿条件下的可靠性(Reliable，RA)测试中，环境中的水汽和氧气容易由开孔区10的切割截面处渗入，在开孔区10的切割截面处阴极221带电，容易导致电化学腐蚀暗斑，影响显示质量。
基于上述技术问题，如图1和图2所示，本发明实施例在显示区11和开孔区10之间设置有隔离区12，在隔离区12设置有至少一个凹槽30，凹槽30贯穿至少部分第一绝缘层211，阴极221位于第一绝缘层211背离衬底基板20的一侧，因此，在制备阴极221时，部分阴极221会落入凹槽30中。
进一步地，凹槽30包括第一凹槽分部301和位于第一凹槽分部301背离衬底基板20一侧的第二凹槽分部302，且第一凹槽分部301和第二凹槽分部302连通。沿显示区11指向开孔区10的方向，第一凹槽分部301的最大长度L1大于第二凹槽分部302的最大长度L2，使得凹槽30下部第一凹槽分部301的尺寸大于凹槽30上部第二凹槽分部302的尺寸，如此在制备阴极221时，可以使凹槽30的侧壁不容易被阴极221覆盖，使得阴极221在凹槽30的侧壁处断开，如此设置，静电通过开孔区10的切割截面处的阴极221导入时，传输路径会在隔离区12的凹槽30侧壁处被截断，使得静电无法进入到显示区11，从而避免静电对显示区11的子像素13造成电干扰，解决开孔区10周边的显示区11显示异常的问题。同时，阴极221上传输的电源信号也无法经隔离区12传输至开孔区10的切割截面处，从而解决开孔区10的切割截面处形成电化学腐蚀暗斑的问题，提高显示质量。
需要说明的是，如图2所示，第一功能层34和第二功能层35通常也为整层设置，因此，第一功能层34和第二功能层35也会由显示区11延伸至开孔区10的切割截面处，开孔区10的切割截面处会露出第一功能层34和第二功能层35的断面。环境中的水汽和氧气会通过开孔区10的切割截面经由第一功能层34和第二功能层35渗入到显示区11，进入显示区11的水汽会导致周围的线路腐蚀，从而影响显示质量。
基于上述技术问题，如图2所示，凹槽30贯穿至少部分第一绝缘层211，第一功能层34和第二功能层35位于第一绝缘层211背离衬底基板20的一侧，因此，在制备第一功能层34和第二功能层35时，部分第一功能层34和第二功能层35也会落入凹槽30中。
进一步地，使得凹槽30下部第一凹槽分部301的尺寸大于凹槽30上部第二凹槽分部302的尺寸，如此在制备第一功能层34和第二功能层35时，可以使凹槽30的侧壁不容易被第一功能层34和第二功能层35覆盖，使得第一功能层34和第二功能层35在凹槽30的侧壁处断开，如此设置，环境中的水汽和氧气通过开孔区10的切割截面处的第一功能层34和第二功能层35渗入时，传输路径会在隔离区12的凹槽30侧壁处被隔断，使得水汽和氧气无法进入到显示区11，从而降低水汽和氧气对显示区11的显示质量的影响，提高显示效果。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板，在显示区和开孔区之间的隔离区设置凹槽，凹槽包括相互连通的第一凹槽分部和第一凹槽分部背离衬底基板一侧的第二凹槽分部，沿显示区指向开孔区的方向，第一凹槽分部的最大长度大于第二凹槽分部的最大长度，以在制备阴极时，可以使凹槽的侧壁不容易被阴极覆盖，使得阴极在凹槽的侧壁处断开，从而在静电通过开孔区的切割截面处的阴极导入时，传输路径会在隔离区的凹槽侧壁处被截断，使得静电无法进入到显示区，从而避免静电对显示区的子像素造成电干扰，解决开孔区周边的显示区显示异常的问题。同时，阴极上传输的电源信号也无法经隔离区传输至开孔区的切割截面处，从而解决开孔区的切割截面处形成电化学腐蚀暗斑的问题，提高显示质量。
继续参考图2，可选的，第一凹槽分部301的底面和第一凹槽分部301的侧壁之间的夹角为θ，其中，大于0＜θ＜90°。
具体的，如图1和图2所示，凹槽30环绕开孔区10设置，以全方位的隔断阴极221。在本实施例中，设置凹槽30中第一凹槽分部301的底面和第一凹槽分部301的侧壁之间的夹角θ为锐角，可以增加第一凹槽分部301侧壁的坡度陡峭程度，从而确保在第一绝缘层211背离衬底基板20的一侧制备阴极221时，阴极221会在第一凹槽分部301的侧壁位置处断开，从而在静电通过开孔区10切割截面处的阴极221导入时，传输路径会在第一凹槽分部301侧壁处被截断，使得静电无法进入到显示区11，从而避免静电对显示区11造成干扰，解决开孔区10周边的显示区11显示异常的问题。同时，阴极221上传输的电源信号也无法经凹槽30传输至开孔区10的切割截面处，从而解决开孔区10的切割截面处形成电化学腐蚀暗斑的问题，提高显示质量。
继续参考图2，在本实施例中，沿显示区11指向开孔区10的方向，第一凹槽分部301的截面为梯形，此时，第一凹槽分部301的侧壁为平面，但并不局限于此。
在其他实施例中，沿显示区11指向开孔区10的方向，第一凹槽分部301的截面也可以为圆形或椭圆形，此时，第一凹槽分部301的侧壁为曲面，本发明实施例对此不做具体限定。
需要说明的是，凹槽30的具体尺寸可根据实际需求进行设置，例如，沿显示区11指向开孔区10的方向，设置第一凹槽分部301的最大长度L1满足50μm≤L1≤100μm，第二凹槽分部302的最大长度L2满足30μm≤L2≤80μm，以在能够确保第一凹槽分部301的最大长度L1大于第二凹槽分部302的最大长度L2，使阴极221在凹槽30侧壁处断开的同时，降低工艺难度，容易实现，但并不局限于此，本发明实施例对此不做具体限定。
继续参考图2，本发明实施例提供的显示面板还包括阻挡层23，阻挡层23位于第一绝缘层211背离衬底基板20的一侧，第二凹槽分部302贯穿阻挡层23，且第二凹槽分部302在衬底基板20上的垂直投影位于第一凹槽分部301在衬底基板20上的垂直投影内。
具体的，如图2所示，在第一绝缘层211背离衬底基板20的一侧设置阻挡层23，第一凹槽分部301位于阻挡层23靠近衬底基板20一侧的第一绝缘层211中，阻挡层23上设置有镂空区230，镂空区230位于凹槽30内，形成凹槽30的第二凹槽分部302。
在制备凹槽30时，通过阻挡层23的镂空区230对第一绝缘层211进行刻蚀，阻挡层23可以起到阻挡刻蚀的作用，从而在刻蚀至第一绝缘层211时，使得对第一绝缘层211的刻蚀沿垂直方向和水平方向同时进行，形成第一凹槽分部301，进而可外扩第一凹槽分部301的宽度，最终在显示区11指向开孔区10的方向，实现第一凹槽分部301的最大长度L1大于第二凹槽分部302的最大长度L2。如此设置，增加了凹槽30侧壁的坡度陡峭程度，在第一绝缘层211背离衬底基板20的一侧形成阴极221时，确保阴极221会在凹槽30的侧壁位置处断开，从而在静电通过开孔区10切割截面处的阴极221导入时，传输路径会在凹槽30侧壁处被截断，使得静电无法进入到显示区11，避免静电对显示区11造成干扰。同时，阴极221上传输的电源信号也无法经凹槽30传输至开孔区10的切割截面处，从而解决开孔区10的切割截面处形成电化学腐蚀暗斑的问题，提高显示质量。
需要说明的是，上述垂直方向平行于衬底基板20的厚度方向，水平方向垂直于衬底基板20的厚度方向。
可选的，阻挡层23的材料包括金属氧化物或金属。
具体的，在制备凹槽30时，可以通过干法刻蚀工艺对第一绝缘层211进行刻蚀。
其中，干法刻蚀是利用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。
在本实施例中，采用干法刻蚀工艺刻蚀第一绝缘层211时，可以根据第一绝缘层211的材料不同，选择合适的气体，以更快地与第一绝缘层211的材料进行反应，实现刻蚀去除的目的。干法刻蚀具备可控性、灵活性、重复性好，操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高等优点。
其中，可以使用基于氟气的等离子体(例如，SF6或CF4刻蚀气体)对第一绝缘层211进行蚀刻，保证只对无机层(即第一绝缘层211)具有刻蚀效果，对金属膜层无刻蚀效果，从而避免损伤其他金属结构。
在本实施例中，阻挡层23的材料可以采用金属氧化物或金属，从而在制备凹槽30时，使阻挡层23不会被刻蚀，从而使阻挡层23起到阻挡刻蚀的作用，此时，阻挡层23上的镂空区230形成凹槽30的第二凹槽分部302，等离子体对第一绝缘层211沿垂直方向和水平方向同时进行刻蚀，形成第一凹槽分部301，进而可外扩第一凹槽分部301的宽度，最终在显示区11指向开孔区10的方向，实现第一凹槽分部301的最大长度L1大于第二凹槽分部302的最大长度L2，确保阴极221会在凹槽30的侧壁位置处断开，从而在静电通过开孔区10切割截面处的阴极221导入时，传输路径会在凹槽30侧壁处被截断，避免静电对显示区11造成干扰。同时，阴极221上传输的电源信号也无法经凹槽30传输至开孔区10的切割截面处，解决开孔区10的切割截面处形成电化学腐蚀暗斑的问题，提高显示质量。
图3为本发明实施例提供的一种显示面板的截面结构示意图，如图3所示，阵列层21还包括第一晶体管T1，第一晶体管T1包括第一有源层011，第一有源层011的材料为金属氧化物。阻挡层23的材料为金属氧化物，且阻挡层23和第一有源层011位于相同膜层。
其中，如图3所示，像素驱动电路中的薄膜晶体管T可以包括第一晶体管T1，其中，第一晶体管T1为氧化物半导体晶体管，例如N型的氧化铟镓锌(Indium Gallium ZincOxide，IGZO)晶体管，以使第一晶体管T1具有迁移率低、漏电流小的优势，有利于解决低频驱动时的漏电流问题，提高像素驱动电路低频驱动的稳定性。
在本实施例中，将阻挡层23与第一晶体管T1的第一有源层011同层设置，可减少一层膜层的设置，从而达到降低生产成本、减小显示面板厚度的目的。
同时，第一晶体管T1的第一有源层011的材料为金属氧化物，阻挡层23可采用与第一有源层011相同的材料，在能够起到阻挡刻蚀作用的同时，阻挡层23和第一有源层011可在同一制程中制备，从而缩短制程时间。
需要说明的是，阻挡层23和第一有源层011位于相同膜层是指阻挡层23和第一有源层011通过同一道掩膜版制程制备形成，如此可以减少掩膜版的数量，降低制造成本。
继续参考图3，可选的，第一晶体管T1还包括第一栅极层021A、第二栅极层021B和与第一有源层011连接的第一源漏电极层031，此时，第一晶体管T1为双栅型晶体管。
其中，双栅型晶体管具有漏电流小的特点，第一晶体管T1采用双栅型晶体管，可有效解决低频驱动时的漏电流问题，从而使像素驱动电路适于实现低频驱动，有利于降低显示面板的功耗。
同时，由于氧化物半导体晶体管的尺寸通常较大，将其设置为双栅型晶体管有助于降低第一晶体管T1的尺寸，进而有利于提高像素密度。
继续参考图3，阵列层21还包括第二绝缘层212，沿衬底基板20的厚度方向，第二绝缘层212位于阻挡层23和发光功能层22之间。凹槽30还包括与第二凹槽分部302连通的第三凹槽分部303，第三凹槽分部303位于第二凹槽分部302背离衬底基板20的一侧。第三凹槽分部303贯穿第二绝缘层212，且第三凹槽分部303在衬底基板20上的垂直投影覆盖第二凹槽分部302在衬底基板20上的垂直投影。
具体的，如图3所示，在阻挡层23和发光功能层22之间还设置有第二绝缘层212，第二绝缘层212中可包括一层或多层绝缘膜层，第二绝缘层212一方面可以用于隔绝位于不同膜层的金属层，以确保像素驱动电路的正常工作，另一方面，第二绝缘层212也可以起到平坦化的作用，从而提高。第二绝缘层212上方膜层的膜层质量。
其中，第二绝缘层212的材料可以包括SiOx或者SiNx，以起到绝缘作用，但并不局限于此。
进一步地，在制备凹槽30时，可以先对第二绝缘层212进行刻蚀，以在第二绝缘层212上形成第三凹槽分部303，通过第三凹槽分部303暴露出阻挡层23上的镂空区230，以进一步通过镂空区230对第一绝缘层211进行刻蚀，在第一绝缘层211中形成第一凹槽分部301。
其中，第三凹槽分部303在衬底基板20上的垂直投影覆盖第二凹槽分部302在衬底基板20上的垂直投影，以确保第二绝缘层212上的第三凹槽分部303能够完全暴露出阻挡层23上的镂空区230，从而便于后续通过镂空区230对第一绝缘层211进行刻蚀，形成第一凹槽分部301。
可选的，在制备第三凹槽分部303时，可以通过干法刻蚀工艺对第二绝缘层212进行刻蚀。其中，干法刻蚀是利用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。
在本实施例中，采用干法刻蚀工艺刻蚀第二绝缘层212时，可以根据第二绝缘层212的材料不同，选择合适的气体，以更快地与第二绝缘层212的材料进行反应，实现刻蚀去除的目的。干法刻蚀具备可控性、灵活性、重复性好，操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高等优点。
其中，可以使用基于氟气的等离子体(例如，SF6或CF4刻蚀气体)对第二绝缘层212进行蚀刻，保证只对无机层(即第二绝缘层212)具有刻蚀效果，对金属膜层无刻蚀效果，从而避免损伤其他金属结构。
继续参考图3，可选的，第三凹槽分部303的侧壁在衬底基板20上的垂直投影位于阻挡层23在衬底基板20上的垂直投影内。
其中，如图3所示，在衬底基板20的厚度方向上，通过设置第三凹槽分部303的侧壁和阻挡层23交叠，一方面，可以确保第三凹槽分部303能够将阻挡层23上的镂空区230完全暴露，从而便于后续通过镂空区230对第一绝缘层211进行刻蚀以形成第一凹槽分部301；另一方面，通过第三凹槽分部303和镂空区230对第一绝缘层211进行刻蚀时，阻挡层23能够起到完全阻挡刻蚀的作用，避免镂空区230之外的其他未被阻挡层23覆盖的第一绝缘层211被刻蚀。
继续参考图3，可选的，沿显示区11指向开孔区10的方向，第三凹槽分部303的侧壁与第二凹槽分部302的侧壁之间的最短距离为d1，其中，d1≥10μm。
其中，如图3所示，沿显示区11指向开孔区10的方向，设置第三凹槽分部303的侧壁与第二凹槽分部302的侧壁之间的最短距离d1大于或等于10μm，从而在显示区11指向开孔区10的方向上，使得第三凹槽分部303的尺寸比第二凹槽分部302的尺寸至少大20μm，如此设置，可以在刻蚀第二绝缘层212形成第三凹槽分部303时，可以避免工艺误差导致第三凹槽分部303无法完全暴露出阻挡层23上的镂空区230(即第二凹槽分部302)，同时，第三凹槽分部303的尺寸比第二凹槽分部302的尺寸大，还可便于后续通过第二凹槽分部302对第一绝缘层211进行刻蚀以形成第一凹槽分部301。
需要说明的是，显示面板中还可包括其他膜层结构，例如，如图2和图3所示，阵列层21还包括平坦化层213和像素定义层215，其中，平坦化层213位于薄膜晶体管T背离衬底基板20的一侧，像素定义层215位于平坦化层213背离衬底基板20的一侧，像素定义层215包括像素开口，发光层32通过像素开口与阳极31连接，但并不局限于此，本领域技术人员可根据实际需求对显示面板中的其他膜层结构进行设置。
图4为本发明实施例提供的另一种显示面板的截面结构示意图，如图4所示，阵列层21还包括金属隔离柱24，金属隔离柱24位于隔离区12，且沿衬底基板20的厚度方向，金属隔离柱24位于第一绝缘层211背离衬底基板20的一侧。阻挡层23的材料为金属，且阻挡层23和金属隔离柱24位于相同膜层。
具体的，图5为本发明实施例提供的一种金属隔离柱的结构示意图，如图4和图5所示，在显示区11和开孔区10之间的隔离区12还设置有金属隔离柱24，其中，金属隔离柱24的侧壁具有凹口240，从而在金属隔离柱24背离衬底基板20的一侧蒸镀形成第一功能层34、第二功能层35和阴极221时，第一功能层34、第二功能层35和阴极221能够在凹口240位置处断开，如此设置，环境中的水汽和氧气通过开孔区10的切割截面处的第一功能层34和第二功能层35渗入时，传输路径会在金属隔离柱24的侧壁处被阻断，使得水汽和氧气无法进入到显示区11，从而降低水汽和氧气对显示区11的显示质量的影响，提高显示效果。
其中，金属隔离柱24和凹槽30一样围绕开孔区10设置，以全方位的隔断第一功能层34、第二功能层35和阴极221，进一步降低水汽和氧气对显示区11的显示质量的影响，提高显示效果。
需要说明的是，金属隔离柱24虽然可以隔断阴极221，但由于金属隔离柱24为金属材质，具有导电的特性，因此，金属隔离柱24两侧的阴极221之间可以通过金属隔离柱24形成导电通路，使得金属隔离柱24无法阻隔静电的传输，而本发明实施例中通过凹槽30隔断阴极221，则不存在这样的问题。
在本实施例中，将阻挡层23与金属隔离柱24同层设置，可减少一层膜层的设置，从而达到降低生产成本、减小显示面板厚度的目的。
同时，金属隔离柱24的材料为金属，阻挡层23可采用与金属隔离柱24相同的材料，在能够起到阻挡刻蚀作用的同时，阻挡层23和金属隔离柱24可在同一制程中制备，从而缩短制程时间。
需要说明的是，阻挡层23和金属隔离柱24位于相同膜层是指阻挡层23和金属隔离柱24通过同一道掩膜版制程制备形成，如此可以减少掩膜版的数量，降低制造成本。
此外，图4仅以隔离区12设置2个金属隔离柱24为例进行示意，在其他实施例中，金属隔离柱24的数量可以为1个，也可以为更多个，本发明实施例对此不做具体限定。
继续参考图3和图4，可选的，阵列层21还包括第二晶体管T2，第二晶体管T2包括第二有源层012，第二有源层012的材料为多晶硅。第一绝缘层211包括第一子绝缘层2111和第二子绝缘层2112，第二子绝缘层2112位于第一子绝缘层2111背离衬底基板20的一侧。沿衬底基板20的厚度方向，第二有源层012位于第一子绝缘层2111和第二子绝缘层2112之间。沿衬底基板20的厚度方向，凹槽30的底面位于第二子绝缘层2112靠近衬底基板20的一侧。
具体的，如图3和图4所示，像素驱动电路中的薄膜晶体管T可以包括第二晶体管T2，其中，第二晶体管T2为P型低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶体管(P型管)，LTPS晶体管具有尺寸小，稳定性好的优点。
继续参考图3和图4，示例性的，像素驱动电路中的薄膜晶体管T可以同时包括第一晶体管T1和第二晶体管T2。其中，第一晶体管T1为IGZO晶体管，第二晶体管T2为LTPS晶体管。第二晶体管T2包括在衬底基板20一侧层叠设置的第二有源层012、第三栅极层022和第二源漏电极层032。
第三栅极层022可位于第二有源层012的上方。即，LTPS晶体管为顶栅结构，但并不局限于此。
继续参考图3和图4，可选的，像素驱动电路还包括存储电容C，存储电容C包括第一极板C1和第二极板C2，第一极板C1位于第二极板C2远离衬底基板20的一侧。
其中，第二极板C2和第三栅极层022可以共用同一金属膜层结构，从而可以减少金属膜层的设置，达到降低生产成本、减小显示面板厚度的目的。
进一步地，如图3和图4所示，第一晶体管T1的第二栅极层021B和第一极板C1可以位于相同膜层，从而可减少一层金属膜层的设置，达到降低生产成本、减小显示面板厚度的目的。同时，第一晶体管T1的第二栅极层021B和第一极板C1可采用相同的材料，从而使得第一晶体管T1的第二栅极层021B和第一极板C1可在同一制程中制备，缩短制程时间，但并不局限于此。
在本实施例中，沿衬底基板20的厚度方向，设置凹槽30的底面位于第二子绝缘层2112靠近衬底基板20的一侧，即，使得凹槽30的底面位于第二晶体管T2的第二有源层012靠近衬底基板20的一侧，从而使凹槽30具有足够的深度，确保阴极221能够在凹槽30的侧壁位置处断开，从而在静电通过开孔区10切割截面处的阴极221导入时，传输路径会在凹槽30侧壁处被截断，避免静电对显示区11造成干扰。同时，阴极221上传输的电源信号也无法经凹槽30传输至开孔区10的切割截面处，解决开孔区10的切割截面处形成电化学腐蚀暗斑的问题，提高显示质量。
进一步地，凹槽30的深度可以为500nm～1500nm，从而在确保凹槽30具有足够的深度，能够使阴极221能够在凹槽30的侧壁位置处断开的同时，可以降低工艺难度，容易实现，但并不局限于此，本发明实施例对此不做具体限定。
继续参考图2-图4，可选的，沿衬底基板20的厚度方向，凹槽30的底面位于衬底基板20靠近发光功能层22的一侧。
其中，如图2-图4所示，通过设置凹槽30的底面位于衬底基板20靠近发光功能层22的一侧，即，凹槽30的底面位于衬底基板20上方，可以避免在刻蚀凹槽30时，破坏衬底基板20的膜层结构而影响衬底基板20的封装效果。
需要说明的是，图2-图4仅以凹槽30的底面位于衬底基板20靠近发光功能层22一侧的表面位置为例进行说明，此时，在避免破坏衬底基板20的膜层结构的同时，可以尽可能加深凹槽30的深度，以确保阴极221在凹槽30的侧壁处断开，但并不局限于此。
在其他实施例中，凹槽30的底面位置可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不做具体限定。
图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的截面结构示意图，如图6所示，可选的，本发明实施例提供的显示面板还包括薄膜封装层25，薄膜封装层25位于发光功能层22背离衬底基板20的一侧，阵列层21还包括有机挡墙26，有机挡墙26位于隔离区12。沿显示区11指向开孔区10的方向，凹槽30位于有机挡墙26靠近显示区11的一侧。
具体的，如图6所示，发光功能层22背离衬底基板20的一侧设置有薄膜封装层25，薄膜封装层25可以包括层叠设置的第一无机封装层251、有机封装层252和第二无机封装层253，其中，第一无机封装层251和第二无机封装层253可以阻隔外界环境中的水汽与氧气，有机封装层252可以为后续形成的无机封装层提供平坦化的薄膜沉积条件，缓解应力，并覆盖表面台阶及杂质以提供优异的微粒包裹性效果，但有机封装层252的水氧阻隔性较差。
进一步地，继续参考图6，在显示区11和开孔区10之间的隔离区12还设置有有机挡墙26，有机挡墙26用于阻挡薄膜封装层25中的有机封装层252，防止有机封装层252溢出至开孔区10，从而防止外界环境中水氧通过有机封装层252对显示面板进行侧向腐蚀。
可选的，有机挡墙26和凹槽30一样围绕开孔区10设置，以全方位的阻断薄膜封装层25中的有机封装层252，从而防止有机封装层252溢出至开孔区10，避免外界环境中水氧通过有机封装层252对显示面板进行侧向腐蚀。
其中，有机挡墙26可以包括多层有机膜层，以使有机挡墙26具有足够的高度，确保有机挡墙26能够阻挡有机封装层252溢出。例如，如图6所示，有机挡墙26可以包括层叠设置的第一有机层261、第二有机层262和第三有机层263。
进一步地，如图4和图6所示，阵列层21还包括平坦化层213、第三绝缘层214和像素定义层215，其中，平坦化层213位于第一绝缘层211背离衬底基板20的一侧，第三绝缘层214位于平坦化层213背离衬底基板20的一侧，像素定义层215位于第三绝缘层214背离衬底基板20的一侧，像素定义层215包括像素开口，发光层32通过像素开口与阳极31连接。
其中，第一有机层261可以和平坦化层213位于相同膜层，使得第一有机层261和平坦化层213可在同一制程中制备，从而缩短制程时间。
同样的，第二有机层262可以和第三绝缘层214位于相同膜层，使得第二有机层262和第三绝缘层214可在同一制程中制备，从而缩短制程时间。
第三有机层263可以和像素定义层215位于相同膜层，使得第三有机层263和像素定义层215可在同一制程中制备，从而缩短制程时间。
需要说明的是，本发明实施例中所述的位于相同膜层，是指通过同一道掩膜版制程制备形成，如此可以减少掩膜版的数量，降低制造成本。
继续参考图6，沿显示区11指向开孔区10的方向，凹槽30位于有机挡墙26靠近显示区11的一侧，如此设置，可以使凹槽30容纳大量的有机封装层252，从而有利于帮助有机挡墙26阻断薄膜封装层25中的有机封装层252，确保有机封装层252无法溢出至开孔区10，从而防止外界环境中水氧通过有机封装层252对显示面板进行侧向腐蚀。
图7为本发明实施例提供的再一种显示面板的截面结构示意图，如图7所示，可选的，至少一个凹槽30包括第一凹槽30A和第二凹槽30B，沿显示区11指向开孔区10的方向，第二凹槽30B位于第一凹槽30A背离显示区11的一侧。沿显示区11指向开孔区10的方向，第一凹槽30A和第二凹槽30B之间的最短间距L3大于或等于2μm。
其中，为了提高阴极221的隔断效果，可以设置至少2个凹槽30。具体的，如图7所示，以设置2个凹槽30为例进行说明，2个凹槽30分别为第一凹槽30A和第二凹槽30B，阴极221在第一凹槽30A处断开的同时，在第二凹槽30B处也会断开，从而达到更好的隔断效果。
进一步地，沿显示区11指向开孔区10的方向，设置第一凹槽30A和第二凹槽30B之间的最短间距L3大于或等于2μm，如此设置，在确保第一凹槽30A和第二凹槽30B之间不会连通的同时，可以降低工艺难度，容易实现。
需要说明的是，凹槽30的数量还可以为更多个，凹槽30的具体数量可以根据隔离区12的宽度进行设置，本发明实施例对此不做具体限定。
其中，当具有更多个凹槽30时，沿显示区11指向开孔区10的方向，可以设置相邻凹槽30之间的最短间距大于或等于2μm，从而在确保相邻凹槽30之间不会连通的同时，降低工艺难度，
继续参考图3、图4、图6，可选的，阵列层21还包括遮光金属层216，遮光金属层216位于第一晶体管T1的第一有源层011靠近衬底基板20的一侧，沿衬底基板20的厚度方向，遮光金属层216与第一有源层011至少部分交叠，遮光金属层216用于遮挡住第一有源层011形成的沟道，以避免外界环境光照射到第一有源层011，从而可以避免第一有源层011因受到光照而影响第一晶体管T1的关态电流。
进一步的，沿衬底基板20的厚度方向，遮光金属层216可覆盖第一有源层011，以避免光照对第一晶体管T1造成不良影响，但并不局限于此。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备上述实施例提供的任一显示面板，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。
图8为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图，如图8所示，该制备方法包括：
S11、在衬底基板一侧制备第一绝缘层，并形成阵列层。
具体的，如图2所示，衬底基板20可以包括依次设置的第一衬底201、第一无机层202和第二衬底203。
其中，第一衬底201和第二衬底203的材料可以包括有机材料，如聚酰亚胺等，但并不局限于此。
第一无机层202可以阻隔水分和氧气进入像素驱动电路132，从而可保证像素驱动电路132的驱动性能，其中，第一无机层202的材料可以包括SiOx或者SiNx，但并不局限于此。
进一步地，在衬底基板20的一侧制备第一绝缘层211，形成阵列层21，其中，阵列层21包括像素驱动电路132，像素驱动电路132包括至少一个薄膜晶体管T，薄膜晶体管T可以包括层叠设置的有源层01、栅极层02和源漏电极层03。
第一绝缘层211中可包括多层绝缘膜层，第一绝缘层211用于隔绝有源层01、栅极层02和源漏电极层03，以确保薄膜晶体管T的正常工作。
其中，第一绝缘层211的材料可以包括SiOx或者SiNx，但并不局限于此。
S12、在隔离区的阵列层上形成至少一个凹槽，凹槽贯穿至少部分第一绝缘层，凹槽包括相互连通的第一凹槽分部和第二凹槽分部，第二凹槽分部位于第一凹槽分部背离衬底基板的一侧，沿显示区指向开孔区的方向，第一凹槽分部的最大长度大于第二凹槽分部的最大长度。
具体的，如图1和图2所示，显示面板包括开孔区10、围绕开孔区10的显示区11，以及位于显示区11和开孔区10之间的隔离区12。
其中，开孔区10用于放置感光元件，感光元件可以为摄像头、光线传感器、距离传感器、深度传感器、虹膜识别传感器、红外传感器等，但并不局限于此。
继续参考图2，在隔离区12形成至少一个凹槽30，凹槽30贯穿至少部分第一绝缘层211，凹槽30包括第一凹槽分部301和位于第一凹槽分部301背离衬底基板20一侧的第二凹槽分部302，且第一凹槽分部301和第二凹槽分部302连通。沿显示区11指向开孔区10的方向，第一凹槽分部301的最大长度L1大于第二凹槽分部302的最大长度L2，使得凹槽30下部第一凹槽分部301的尺寸大于凹槽30上部第二凹槽分部302的尺寸。
S13、在阵列层上制备发光功能层，发光功能层包括阴极，阴极由显示区延伸至隔离区，且阴极在第一凹槽处断开。
具体的，如图1和图2所示，在阵列层21背离衬底基板20的一侧制备发光功能层22，发光功能层22包括发光单元131，发光单元131可包括层叠设置的阳极31、发光层32和阴极221。其中，发光层32可为有机发光层(EML，Emission layer)，电子通过阴极221注入到发光层32中，空穴通过阳极31注入到发光层32中，电子和空穴在发光层32中复合而发射出光。
其中，阴极221通常为整层设置，因此，阴极221会由显示区11延伸至开孔区10的切割截面处。沿显示区11指向开孔区10的方向，由于第一凹槽分部301的最大长度L1大于第二凹槽分部302的最大长度L2，在制备阴极221时，凹槽30的侧壁不容易被阴极221覆盖，使得阴极221在凹槽30的侧壁处断开。从而在静电通过开孔区10的切割截面处的阴极221导入时，传输路径会在隔离区12的凹槽30侧壁处被截断，使得静电无法进入到显示区11，避免静电对显示区11的子像素13造成电干扰，解决开孔区10周边的显示区11显示异常的问题。同时，阴极221上传输的电源信号也无法经隔离区12传输至开孔区10的切割截面处，从而解决了开孔区10的切割截面处形成电化学腐蚀暗斑的问题，提高显示质量可选的，在衬底基板一侧制备第一绝缘层之后，还包括：
在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成阻挡层，阻挡层包括镂空区。
在隔离区的阵列层上形成至少一个凹槽，包括：
通过镂空区对第一绝缘层进行刻蚀，形成第一凹槽分部和第二凹槽分部，第一凹槽分部和第二凹槽分部连通形成凹槽。
具体的，图9和图10为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程结构示意图，如图9和图10所示，在第一绝缘层211制备完成后，在第一绝缘层211上制备阻挡层23，阻挡层23上设置有镂空区230。
在后续制备凹槽30时，通过阻挡层23的镂空区230对第一绝缘层211进行刻蚀，以在镂空区230形成第二凹槽分部302，在第一绝缘层211中形成第一凹槽分部301。其中，阻挡层23可以起到阻挡刻蚀的作用，从而在刻蚀至第一绝缘层211时，使得对第一绝缘层211的刻蚀沿垂直方向和水平方向同时进行，形成第一凹槽分部301，进而可外扩第一凹槽分部301的宽度，最终在显示区11指向开孔区10的方向，实现第一凹槽分部301的最大长度大于第二凹槽分部302的最大长度。如此设置，可以增加凹槽30侧壁的坡度陡峭程度，如图2所示，在第一绝缘层211背离衬底基板20的一侧形成阴极221时，能够确保阴极221会在凹槽30的侧壁位置处断开，从而在静电通过开孔区10切割截面处的阴极221导入时，传输路径会在凹槽30侧壁处被截断，使得静电无法进入到显示区11，避免静电对显示区11造成干扰。同时，阴极221上传输的电源信号也无法经凹槽30传输至开孔区10的切割截面处，从而解决开孔区10的切割截面处形成电化学腐蚀暗斑的问题，提高显示质量。
可选的，在衬底基板一侧制备第一绝缘层之后，还包括：
在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成第一有源层，第一有源层的材料为金属氧化物。
阻挡层和第一有源层通过同一道掩膜版形成。
具体的，图11-图16为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程结构示意图，其中，如图11和图12所示，在衬底基板20一侧制备第一绝缘层211之后，在第一绝缘层211上制备金属氧化物层40，然后，通过同一道掩膜版制程同时形成阻挡层23和第一有源层011，如此可以减少掩膜版的数量，降低制造成本，并缩短制程时间。
可选的，在第一绝缘层背离衬底基板的一侧形成阻挡层之后，还包括：
在阻挡层背离衬底基板的一侧形成第二绝缘层。
在通过镂空区对第一绝缘层进行刻蚀之前，还包括：
对第二绝缘层进行刻蚀，形成第三凹槽分部，第三凹槽分部的侧壁在衬底基板上的垂直投影位于阻挡层在衬底基板上的垂直投影内。
具体的，如图13所示，在阻挡层23上制备第二绝缘层212，第二绝缘层212中可包括一层或多层绝缘膜层，第二绝缘层212的材料可以包括SiOx或者SiNx，以起到绝缘作用，但并不局限于此。
如图14所示，对第二绝缘层212进行刻蚀，以在第二绝缘层212上形成第三凹槽分部303，同时，通过第三凹槽分部303暴露出阻挡层23上的镂空区230，镂空区230形成第二凹槽分部302。
其中，如图14和图15所示，在衬底基板20的厚度方向上，第三凹槽分部303的侧壁和阻挡层23交叠，一方面，可以确保第三凹槽分部303能够将阻挡层23上的镂空区230完全暴露，从而便于后续通过镂空区230对第一绝缘层211进行刻蚀以形成第一凹槽分部301；另一方面，通过第三凹槽分部303和镂空区230对第一绝缘层211进行刻蚀时，阻挡层23能够起到完全阻挡刻蚀的作用，避免镂空区230之外的其他未被阻挡层23覆盖的第一绝缘层211被刻蚀。
可选的，在制备第三凹槽分部303时，可以通过干法刻蚀工艺对第二绝缘层212进行刻蚀。其中，干法刻蚀可以是利用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。
在本实施例中，采用干法刻蚀工艺刻蚀第二绝缘层212时，可以根据第二绝缘层212的材料不同，选择合适的气体，以更快地与第二绝缘层212的材料进行反应，实现刻蚀去除的目的。干法刻蚀具备可控性、灵活性、重复性好，操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高等优点。
其中，可以使用基于氟气的等离子体(例如，SF6或CF4刻蚀气体)对第二绝缘层212进行蚀刻，保证只对无机层(即第二绝缘层212)具有刻蚀效果，对金属膜层无刻蚀效果，从而避免损伤其他金属结构。
可选的，在衬底基板一侧制备第一绝缘层，包括：
在衬底基板一侧形成第一子绝缘层。
在第一子绝缘层背离衬底基板的一侧形成第二有源层，第二有源层的材料为多晶硅。
在第二有源层背离衬底基板的一侧形成第二子绝缘层，第一子绝缘层和第二子绝缘层形成第一绝缘层。
在阻挡层背离衬底基板的一侧形成第二绝缘层之后，还包括：
在第二子绝缘层和第二绝缘层中形成第一连接通孔。
在第二绝缘层中形成第二连接通孔。
在第二绝缘层背离衬底基板的一侧形成第一源漏电极层和第二源漏电极层，第一源漏电极层和第一有源层通过第二连接通孔电连接，第二源漏电极层和第二有源层通过第一连接通孔电连接。
其中，第三凹槽分部和第一连接通孔通过同一道掩膜版形成，第一凹槽分部和第二连接通孔通过同一道掩膜版形成。
具体的，如图11所示，在衬底基板20一侧依次制备第一子绝缘层2111、第二有源层012和第二子绝缘层2112，其中，第一子绝缘层2111和第二子绝缘层2112形成第一绝缘层211。
如图14所示，在第二绝缘层212制备完成后，对第二子绝缘层2112和第二绝缘层212进行刻蚀，以在第二子绝缘层2112和第二绝缘层212中形成第一连接通孔51，同时，通过同一道掩膜版制程，形成第三凹槽分部303和第二凹槽分部302，如此可以减少掩膜版的数量，降低制造成本，并缩短制程时间。
然后，如图15所示，对第二绝缘层212进行第二次刻蚀，以在第二绝缘层212中形成第二连接通孔52，同时，通过同一道掩膜版制程，在第一绝缘层211中形成第一凹槽分部301，如此可以减少掩膜版的数量，降低制造成本，并缩短制程时间。
进一步地，如图16所示，在第二绝缘层212上制备第一源漏电极层031和第二源漏电极层032，第一源漏电极层031和第一有源层011之间通过第二连接通孔52电连接，第二源漏电极层032和第二有源层012之间通过第一连接通孔51电连接。
可选的，在衬底基板一侧制备第一绝缘层之后，还包括：
在第一绝缘层背离衬底基板的一侧制备金属隔离柱，金属隔离柱位于隔离区。
其中，阻挡层和金属隔离柱通过同一道掩膜版形成。
图17-图19为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程结构示意图，其中，如图17所示，在衬底基板20一侧制备第一绝缘层211之后，在第一绝缘层211背离衬底基板20的一侧制备金属材料层41，然后，如图18所示，通过同一道掩膜版制程同时形成阻挡层23和金属隔离柱24，如此可以减少掩膜版的数量，降低制造成本，并缩短制程时间。
进一步地，如图19所示，通过阻挡层23上的镂空区230仅需对第一绝缘层211进行一次刻蚀，在第一绝缘层211中形成第一凹槽分部301，即可形成凹槽30。
其中，在形成凹槽30时，可以通过干法刻蚀工艺对第一绝缘层211进行刻蚀。
在本实施例中，干法刻蚀可以是利用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，采用干法刻蚀工艺刻蚀第一绝缘层211时，可以根据第一绝缘层211的材料不同，选择合适的气体，以更快地与第一绝缘层211的材料进行反应，实现刻蚀去除的目的。干法刻蚀具备可控性、灵活性、重复性好，操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高等优点。
可选的，可以使用基于氟气的等离子体(例如，SF6或CF4刻蚀气体)对第一绝缘层211进行蚀刻，保证只对无机层(即第一绝缘层211)具有刻蚀效果，对金属膜层无刻蚀效果，从而避免损伤其他金属结构。
进一步地，如图4和图6所示，阵列层21还包括第一信号线217，第一信号线217位于平坦化层213背离衬底基板20的一侧。其中，第一信号线217可以为数据信号线，但并不局限于此。
继续参考图17-图19，可选的，第一信号线217和金属隔离柱24通过同一道掩膜版制程形成，即第一信号线217和金属隔离柱24位于相同膜层，如此可以减少一层膜层的设置，从而达到降低生产成本、减小显示面板厚度的目的，同时，还可以减少掩膜版的数量，降低制造成本，并缩短制程时间。
需要说明的是，如图17-图19所示，金属隔离柱24可以为包括三层金属层，三层金属层依次为钛层、铝层和钛层，即金属隔离柱24为钛/铝/钛三层金属结构。在制备金属隔离柱24时，可以对钛/铝/钛三层金属结构进行刻蚀，由于对钛的刻蚀速度远小于对铝的刻蚀速度，所以在对钛/铝/钛三层金属结构进行刻蚀，位于中间层的铝层会优先被刻蚀，使得铝层的侧壁会优先刻蚀形成向内部凹陷的凹口，形成如图5所示的结构。
图4、图6以及图18和图19中金属隔离柱24侧壁的形状仅做简化示意，不作为对本发明的限定，而实际刻蚀工艺形成的侧壁可能不具有规则形状。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图20为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图20所示，该显示装置60包括本发明任意实施例所述的显示面板61，因此，本发明实施例提供的显示装置60具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置60可以为图20所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (20)
1.一种显示面板，其特征在于，包括开孔区、围绕所述开孔区的显示区，以及位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区；
所述显示面板还包括衬底基板以及依次位于所述衬底基板一侧的阵列层和发光功能层；
所述阵列层包括第一绝缘层；
所述发光功能层包括阴极，所述阴极由所述显示区延伸至所述隔离区；
所述隔离区设置有至少一个凹槽，所述凹槽贯穿至少部分所述第一绝缘层；
所述凹槽包括相互连通的第一凹槽分部和第二凹槽分部，所述第二凹槽分部位于所述第一凹槽分部背离所述衬底基板的一侧；
沿所述显示区指向所述开孔区的方向，所述第一凹槽分部的最大长度大于所述第二凹槽分部的最大长度，所述阴极在所述凹槽处断开。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一凹槽分部的底面和所述第一凹槽分部的侧壁之间的夹角为θ，其中，大于0＜θ＜90°。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧；
所述第二凹槽分部贯穿所述阻挡层，且所述第二凹槽分部在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一凹槽分部在所述衬底基板上的垂直投影内。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述阻挡层的材料包括金属氧化物或金属。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列层还包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第一有源层的材料为金属氧化物；
所述阻挡层的材料为金属氧化物，且所述阻挡层和所述第一有源层位于相同膜层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列层还包括第二绝缘层，沿所述衬底基板的厚度方向，所述第二绝缘层位于所述阻挡层和所述发光功能层之间；
所述凹槽还包括与所述第二凹槽分部连通的第三凹槽分部，所述第三凹槽分部位于所述第二凹槽分部背离所述衬底基板的一侧；
所述第三凹槽分部贯穿所述第二绝缘层，且所述第三凹槽分部在所述衬底基板上的垂直投影覆盖所述第二凹槽分部在所述衬底基板上的垂直投影。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第三凹槽分部的侧壁在所述衬底基板上的垂直投影位于所述阻挡层在所述衬底基板上的垂直投影内。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
沿所述显示区指向所述开孔区的方向，所述第三凹槽分部的侧壁与所述第二凹槽分部的侧壁之间的最短距离为d1，其中，d1≥10μm。
9.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列层还包括金属隔离柱，所述金属隔离柱位于所述隔离区，且沿所述衬底基板的厚度方向，所述金属隔离柱位于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧；
所述阻挡层的材料为金属，且所述阻挡层和所述金属隔离柱位于相同膜层。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列层还包括第二晶体管，所述第二晶体管包括第二有源层，所述第二有源层的材料为多晶硅；
所述第一绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第二子绝缘层位于所述第一子绝缘层背离所述衬底基板的一侧；
沿所述衬底基板的厚度方向，所述第二有源层位于所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层之间；
沿所述衬底基板的厚度方向，所述凹槽的底面位于所述第二子绝缘层靠近所述衬底基板的一侧。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，
沿所述衬底基板的厚度方向，所述凹槽的底面位于所述衬底基板靠近所述发光功能层的一侧。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示面板还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述发光功能层背离所述衬底基板的一侧；
所述阵列层还包括有机挡墙，所述有机挡墙位于所述隔离区；
沿所述显示区指向所述开孔区的方向，所述凹槽位于所述有机挡墙靠近所述显示区的一侧。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
至少一个凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，沿所述显示区指向所述开孔区的方向，所述第二凹槽位于所述第一凹槽背离所述显示区的一侧；
沿所述显示区指向所述开孔区的方向，所述第一凹槽和所述第二凹槽之间的最短间距大于或等于2μm。
14.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板包括开孔区、围绕所述开孔区的显示区，以及位于所述显示区和所述开孔区之间的隔离区；
所述制备方法包括：
在衬底基板一侧制备第一绝缘层，并形成阵列层；
在所述隔离区的所述阵列层上形成至少一个凹槽，所述凹槽贯穿至少部分所述第一绝缘层，所述凹槽包括相互连通的第一凹槽分部和第二凹槽分部，所述第二凹槽分部位于所述第一凹槽分部背离所述衬底基板的一侧，沿所述显示区指向所述开孔区的方向，所述第一凹槽分部的最大长度大于所述第二凹槽分部的最大长度；
在所述阵列层上制备发光功能层，所述发光功能层包括阴极，所述阴极由所述显示区延伸至所述隔离区，且所述阴极在所述第一凹槽处断开。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，
在衬底基板一侧制备第一绝缘层之后，还包括：
在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成阻挡层，所述阻挡层包括镂空区；
在所述隔离区的所述阵列层上形成至少一个凹槽，包括：
通过所述镂空区对所述第一绝缘层进行刻蚀，形成所述第一凹槽分部和所述第二凹槽分部，所述第一凹槽分部和所述第二凹槽分部连通形成所述凹槽。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，
在衬底基板一侧制备第一绝缘层之后，还包括：
在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第一有源层，所述第一有源层的材料为金属氧化物；
所述阻挡层和所述第一有源层通过同一道掩膜版形成。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，
在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成阻挡层之后，还包括：
在所述阻挡层背离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层；
在通过所述镂空区对所述第一绝缘层进行刻蚀之前，还包括：
对所述第二绝缘层进行刻蚀，形成第三凹槽分部，所述第三凹槽分部的侧壁在所述衬底基板上的垂直投影位于所述阻挡层在所述衬底基板上的垂直投影内。
18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，
在衬底基板一侧制备第一绝缘层，包括：
在所述衬底基板一侧形成第一子绝缘层；
在所述第一子绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第二有源层，所述第二有源层的材料为多晶硅；
在所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧形成第二子绝缘层，所述第一子绝缘层和所述第二子绝缘层形成所述第一绝缘层；
在所述阻挡层背离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层之后，还包括：
在所述第二子绝缘层和所述第二绝缘层中形成第一连接通孔；
在所述第二绝缘层中形成第二连接通孔；
在所述第二绝缘层背离所述衬底基板的一侧形成第一源漏电极层和第二源漏电极层，所述第一源漏电极层和所述第一有源层通过所述第二连接通孔电连接，所述第二源漏电极层和所述第二有源层通过所述第一连接通孔电连接；
其中，所述第三凹槽分部和所述第一连接通孔通过同一道掩膜版形成，所述第一凹槽分部和所述第二连接通孔通过同一道掩膜版形成。
19.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，
在衬底基板一侧制备第一绝缘层之后，还包括：
在所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧制备金属隔离柱，所述金属隔离柱位于所述隔离区；
其中，所述阻挡层和所述金属隔离柱通过同一道掩膜版形成。
20.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-13任一项所述的显示面板。
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| CN202311749256.8A CN117812935A (zh) | 2023-12-15 | 2023-12-15 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
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