CN117795857A - 高频电路、高频模块以及通信装置 - Google Patents

高频电路、高频模块以及通信装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117795857A
CN117795857A CN202280055168.5A CN202280055168A CN117795857A CN 117795857 A CN117795857 A CN 117795857A CN 202280055168 A CN202280055168 A CN 202280055168A CN 117795857 A CN117795857 A CN 117795857A
Authority
CN
China
Prior art keywords
switch
coil
amplifier
balun
filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280055168.5A
Other languages
English (en)
Inventor
花冈邦俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN117795857A publication Critical patent/CN117795857A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/06—A balun, i.e. balanced to or from unbalanced converter, being present at the input of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/09—A balun, i.e. balanced to or from unbalanced converter, being present at the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/165—A filter circuit coupled to the input of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/171—A filter circuit coupled to the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

抑制高频电路的特性的劣化。在高频电路(100)的第一平衡‑不平衡变换器(7)中，第一线圈(71)的第一端(711)与放大器(3)连接，第一线圈(71)的第二端(712)与地连接。在第一平衡‑不平衡变换器(7)中，第二线圈(72)的第一端(721)与第一开关(5)连接，第二线圈(72)的第二端(722)与第二开关(6)连接。在第二平衡‑不平衡变换器(8)中，第三线圈(81)的第一端(811)经由第一开关(5)来与第二线圈(72)的第一端(721)连接，第三线圈(81)的第二端(812)经由第二开关(6)来与第二线圈(72)的第二端(722)连接。在第二平衡‑不平衡变换器(8)中，第四线圈(82)的第一端(821)与滤波器(1)连接，第四线圈(82)的第二端(822)与地连接。

Description

高频电路、高频模块以及通信装置
技术领域
本发明一般地说涉及一种高频电路、高频模块以及通信装置，更详细地说，涉及一种具备放大器的高频电路、具备高频电路的高频模块以及具备高频电路的通信装置。
背景技术
专利文献1中公开了一种高频电路，该高频电路具备功率放大器、滤波器、将功率放大器与滤波器连接的开关、以及将滤波器与天线连接的开关。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-17691号公报
发明内容
发明要解决的问题
在高频电路中，在对滤波器、开关等器件施加的功率大的情况下，有时在器件中发生信号失真，高频电路的特性劣化。
本发明的目的在于提供一种能够抑制特性的劣化的高频电路、高频模块以及通信装置。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频电路具备滤波器、放大器、第一开关、第二开关、第一平衡-不平衡变换器以及第二平衡-不平衡变换器。所述放大器具有输入端子和输出端子。所述放大器与所述滤波器连接。所述第一平衡-不平衡变换器具有第一线圈和第二线圈。所述第二平衡-不平衡变换器具有第三线圈和第四线圈。在所述第一平衡-不平衡变换器中，所述第一线圈的第一端与所述放大器的所述输入端子及所述输出端子中的连接于所述滤波器的端子连接，所述第一线圈的第二端与地连接。在所述第一平衡-不平衡变换器中，所述第二线圈的第一端与所述第一开关连接，所述第二线圈的第二端与所述第二开关连接。在所述第二平衡-不平衡变换器中，所述第三线圈的第一端经由所述第一开关来与所述第二线圈的所述第一端连接，所述第三线圈的第二端经由所述第二开关来与所述第二线圈的所述第二端连接。在所述第二平衡-不平衡变换器中，所述第四线圈的第一端与所述滤波器连接，所述第四线圈的第二端与地连接。
本发明的一个方式所涉及的高频电路具备第一滤波器、第二滤波器、放大器、第一开关、第二开关、第一平衡-不平衡变换器以及第二平衡-不平衡变换器。所述第一滤波器具有第一通带。所述第二滤波器具有与所述第一通带相同的第二通带。所述放大器具有输入端子和输出端子。所述放大器与所述第一滤波器及所述第二滤波器连接。所述第一平衡-不平衡变换器具有第一线圈和第二线圈。所述第二平衡-不平衡变换器具有第三线圈和第四线圈。在所述第一平衡-不平衡变换器中，所述第一线圈的第一端与所述放大器的所述输入端子及所述输出端子中的连接于所述第一滤波器及所述第二滤波器的端子连接，所述第一线圈的第二端与地连接。在所述第一平衡-不平衡变换器中，所述第二线圈的第一端与所述第一开关连接，所述第二线圈的第二端与所述第二开关连接。在所述第二平衡-不平衡变换器中，所述第三线圈的第一端经由所述第一滤波器和所述第一开关来与所述第二线圈的所述第一端连接，所述第三线圈的第二端经由所述第二滤波器和所述第二开关来与所述第二线圈的所述第二端连接。在所述第二平衡-不平衡变换器中，所述第四线圈的第一端与信号路径连接，所述第四线圈的第二端与地连接。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备上述高频电路和安装基板。所述高频电路的所述放大器、所述第一开关、所述第二开关、所述第一平衡-不平衡变换器以及所述第二平衡-不平衡变换器配置于所述安装基板。
本发明的一个方式所涉及的通信装置具备上述高频电路和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频电路连接。
发明的效果
本发明的上述方式所涉及的高频电路、高频模块以及通信装置能够抑制高频电路的特性的劣化。
附图说明
图1是具备实施方式1所涉及的高频电路的通信装置的电路结构图。
图2是同上的高频电路的电路图。
图3的A是具备同上的高频电路的高频模块的截面图。图3的B是具备同上的高频电路的高频模块的另一截面图。
图4是具备同上的高频电路的高频模块的底视图。
图5是实施方式2所涉及的高频电路的电路图。
图6是具备同上的高频电路的高频模块的截面图。
图7是实施方式3所涉及的高频电路的截面图。
图8是实施方式4所涉及的高频电路的电路图。
图9是具备同上的高频电路的高频模块的截面图。
图10是具备同上的高频电路的高频模块的底视图。
图11是实施方式5所涉及的高频电路的电路图。
图12是实施方式6所涉及的高频电路的电路图。
图13是实施方式7所涉及的高频电路的电路图。
图14是实施方式8所涉及的高频电路的电路图。
图15是实施方式9所涉及的高频电路的电路图。
图16是实施方式10所涉及的高频电路的电路图。
图17是实施方式11所涉及的高频电路的电路图。
图18是实施方式12所涉及的高频电路的电路图。
图19是实施方式13所涉及的高频电路的电路图。
具体实施方式
在下面的实施方式等中参照的各图均是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
下面，基于图1～4来说明实施方式1所涉及的高频电路100、高频模块500以及通信装置600。
如图1所示，高频电路100具备滤波器1(发送滤波器11)、放大器3(功率放大器31)、第一开关5、第二开关6、第一平衡-不平衡变换器(英文：balun)7以及第二平衡-不平衡变换器8。放大器3具有输入端子和输出端子。放大器3与滤波器1连接。如图2所示，第一平衡-不平衡变换器7具有第一线圈71和第二线圈72。如图2所示，第二平衡-不平衡变换器8具有第三线圈81和第四线圈82。在第一平衡-不平衡变换器7中，第一线圈71的第一端711与放大器3的输出端子连接，第一线圈71的第二端712与地连接。在第一平衡-不平衡变换器7中，第二线圈72的第一端721与第一开关5连接，第二线圈72的第二端722与第二开关6连接。在第二平衡-不平衡变换器8中，第三线圈81的第一端811经由第一开关5来与第二线圈72的第一端721连接，第三线圈81的第二端812经由第二开关6来与第二线圈72的第二端722连接。在第二平衡-不平衡变换器8中，第四线圈82的第一端821与滤波器1连接，第四线圈82的第二端822与地连接。
另外，如图1所示，高频电路100还具备不同于滤波器1(下面也称为第一滤波器1)的第二滤波器2(发送滤波器12)。第一滤波器具有第一通带。第二滤波器2具有不同于第一通带的第二通带。另外，高频电路100还具备第二放大器4(功率放大器32)，第二放大器4(功率放大器32)是放大器3(下面也称为第一放大器3)以外的另外的第二放大器4(功率放大器32)。第二放大器4具有输入端子和输出端子，与第二滤波器2连接。
另外，高频电路100还具备多个(在图示例中为2个)接收滤波器21、22以及多个(在图示例中为2个)低噪声放大器41、42。
另外，高频电路100还具备天线端子T1和第三开关10。第三开关10连接于天线端子T1与第二平衡-不平衡变换器8之间。另外，高频电路100还具备第二天线端子T2，第二天线端子T2是天线端子T1以外的另外的天线端子。第三开关10构成为能够将第一滤波器1与第一天线端子T1连接，并构成为能够将第二滤波器2与第二天线端子T2连接。
第一滤波器1(发送滤波器11)所具有的第一通带包含第一通信频段的频带。第二滤波器2(发送滤波器12)所具有的第二通带包含能够与第一通信频段同时通信的第二通信频段的频带。另外，接收滤波器21所具有的通带包含第一通信频段的频带。接收滤波器22所具有的通带包含第二通信频段的频带。“能够同时通信”表示能够进行同时接收、同时发送以及同时发送接收中的至少一者。在高频电路100中，第一通信频段与第二通信频段的组合是在高频电路100中能够进行同时接收、同时发送以及同时发送接收中的任一者的组合。
如图1所示，高频电路100例如使用于通信装置600。通信装置600例如是便携式电话(例如，智能电话)，但是不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频电路100例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准等的高频前端电路。4G标准例如是3GPP(注册商标，Third Generation Partnership Project：第三代合作伙伴计划)LTE(注册商标，Long Term Evolution：长期演进)标准。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。高频电路100例如是能够支持载波聚合和双连接的高频前端电路。能够同时通信的第一通信频段与第二通信频段的组合是3GPP LTE标准中规定的通信频段的频带以及5G NR标准中规定的通信频段的频带中的、有一部分相互重叠或者全部都不重叠的多个频带的组合。频带是下行链路的频带或上行链路的频带。下行链路的频带是接收频带。上行链路的频带是发送频带。
高频电路100例如构成为能够将从信号处理电路601输入的第一频带的发送信号(高频信号)放大后输出到天线A1(下面，也称为第一天线A1)。另外，高频电路100构成为能够将从信号处理电路601输入的第二频带的发送信号(高频信号)放大后从天线A2(下面，也称为第二天线A2)输出。另外，高频电路100构成为能够将从第一天线A1输入的第一频带的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路601。另外，高频电路100构成为能够将从第二天线A2输入的第二频带的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路601。信号处理电路601不是高频电路100的结构要素，而是具备高频电路100的通信装置600的结构要素。高频电路100例如由通信装置600所具备的信号处理电路601来控制。通信装置600具备高频电路100和信号处理电路601。通信装置600还具备第一天线A1和第二天线A2。高频模块500具备高频电路100和安装基板501(参照图3的A、图3的B和图4)。
下面，进一步详细地分别说明实施方式1所涉及的高频电路100、高频模块500以及通信装置600。
(1)高频电路
(1.1)高频电路的电路结构
如图1所示，高频电路100例如具备多个(例如，2个)发送滤波器11、12、多个(例如，2个)功率放大器31、32、以及控制器13。另外，高频电路100具备多个(例如，2个)接收滤波器21、22以及多个(例如，2个)低噪声放大器41、42。另外，高频电路100具备第一开关5、第二开关6、第三开关10、第四开关14、第五开关15、第六开关16、第一平衡-不平衡变换器7以及第二平衡-不平衡变换器8。另外，高频电路100具备第一匹配电路M1(参照图2)和第二匹配电路M2(参照图2)。另外，高频电路100还具备控制器13。另外，高频电路100还具备第一天线端子T1、第二天线端子T2、第一信号输入端子T3、第二信号输入端子T4、第一信号输出端子T5、第二信号输出端子T6以及控制端子T7。
(1.1.1)发送滤波器
下面，为了便于说明，将发送滤波器11称为第一发送滤波器11，将发送滤波器12也称为第二发送滤波器12。在实施方式1所涉及的高频电路100中，第一发送滤波器11构成上述的第一滤波器1，第二发送滤波器12构成上述的第二滤波器2。多个发送滤波器11、12例如分别是弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振子和多个(例如，3个)并联臂谐振子。弹性波滤波器的多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子中的各谐振子由弹性波谐振子构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子中的各谐振子例如是包括IDT(Interdigital Transducer：叉指换能器)电极的SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)谐振子。
第一发送滤波器11是具有包含第一通信频段的上行链路的频带的通带的滤波器。第二发送滤波器12是具有包含第二通信频段的上行链路的频带的通带的滤波器。第一通信频段例如是3GPP LTE标准的Band25。第二通信频段例如是3GPP LTE标准的Band66。
(1.1.2)功率放大器
下面，为了便于说明，将功率放大器31称为第一功率放大器31，将功率放大器32称为第二功率放大器32。在实施方式1所涉及的高频电路100中，第一功率放大器31构成上述的第一放大器3，第二功率放大器32构成上述的第二放大器4。
第一功率放大器31具有输入端子和输出端子。第一功率放大器31将输入到输入端子的第一频带的发送信号(第一发送信号)放大后从输出端子输出。第一频带例如包含第一通信频段的频带，不包含第二通信频段的频带。更详细地说，第一频带例如包含3GPP LTE标准的Band25的上行链路的频带，不包含3GPP LTE标准的Band66的上行链路的频带。另外，第一频带例如还包含3GPP LTE标准的Band3的上行链路的频带和3GPP LTE标准的Band34的上行链路的频带。
第一功率放大器31的输入端子与第一信号输入端子T3连接。第一功率放大器31的输入端子经由第一信号输入端子T3来与信号处理电路601连接。第一信号输入端子T3是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路601)的高频信号(发送信号)输入到高频电路100的端子。第一功率放大器31的输出端子与第一平衡-不平衡变换器7连接。因而，第一功率放大器31的输出端子经由第一平衡-不平衡变换器7来与第一开关5及第二开关6连接。在高频电路100中，第一开关5及第二开关6与第二平衡-不平衡变换器8连接，第二平衡-不平衡变换器8与第一发送滤波器11连接。
第二功率放大器32具有输入端子和输出端子。第二功率放大器32将输入到输入端子的第二频带的发送信号(第二发送信号)放大后从输出端子输出。第二频带例如包含第二通信频段的频带，不包含第一通信频段的频带。
第二功率放大器32的输入端子与第二信号输入端子T4连接。第二功率放大器32的输入端子经由第二信号输入端子T4来与信号处理电路601连接。第二信号输入端子T4是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路601)的高频信号(发送信号)输入到高频电路100的端子。第二功率放大器32的输出端子与发送滤波器12(第二滤波器2)连接。
(1.1.3)控制器
控制器13与控制端子T7连接。控制端子T7例如与信号处理电路601连接。控制器13基于来自信号处理电路601的控制信号来控制第一功率放大器31。另外，控制器13还基于来自信号处理电路601的控制信号来控制第二功率放大器32。
(1.1.4)接收滤波器
下面，为了便于说明，将接收滤波器21称为第一接收滤波器21，将接收滤波器22也称为第二接收滤波器22。多个接收滤波器21、22例如分别是弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振子和多个(例如，3个)并联臂谐振子。弹性波滤波器的多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子中的各谐振子由弹性波谐振子构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子中的各谐振子例如是包括IDT电极的SAW谐振子。
第一接收滤波器21是具有包含第一通信频段的下行链路的频带的通带的滤波器。第二接收滤波器22是具有包含第二通信频段的下行链路的频带的通带的滤波器。第一通信频段例如是3GPP LTE标准的Band25。第二通信频段例如是3GPP LTE标准的Band66。
(1.1.5)低噪声放大器
下面，为了便于说明，将低噪声放大器41称为第一低噪声放大器41，将低噪声放大器42称为第二低噪声放大器42。
第一低噪声放大器41具有输入端子和输出端子。第一低噪声放大器41将输入到输入端子的第三频带的接收信号放大后从输出端子输出。第三频带例如包含第一通信频段的频带，不包含第二通信频段的频带。更详细地说，第三频带例如包含3GPP LTE标准的Band25的下行链路的频带，不包含3GPP LTE标准的Band66的下行链路的频带。另外，第三频带例如还包含3GPP LTE标准的Band70的下行链路的频带。
第一低噪声放大器41的输入端子与第四开关14的公共端子140连接，且经由第四开关14来与第一接收滤波器21连接。第一低噪声放大器41的输出端子与第六开关16连接，且经由第六开关16来与第一信号输出端子T5连接。第一信号输出端子T5是用于将来自第一低噪声放大器41的高频信号(接收信号)向外部电路(例如，信号处理电路601)输出的端子。因而，第一低噪声放大器41经由第一信号输出端子T5来与信号处理电路601连接。
第二低噪声放大器42具有输入端子和输出端子。第二低噪声放大器42将输入到输入端子的第四频带的接收信号放大后从输出端子输出。第四频带例如包含第二通信频段的频带，不包含第一通信频段的频带。更详细地说，第四频带例如包含3GPP LTE标准的Band66的下行链路的频带，不包含3GPP LTE标准的Band25的下行链路的频带。
第二低噪声放大器42的输入端子与第五开关15的公共端子150连接，且经由第五开关15来与第二接收滤波器22连接。第二低噪声放大器42的输出端子与第六开关16连接，且经由第六开关16来与第二信号输出端子T6连接。第二信号输出端子T6是用于将来自第二低噪声放大器42的高频信号(接收信号)向外部电路(例如，信号处理电路601)输出的端子。因而，第二低噪声放大器42经由第二信号输出端子T6来与信号处理电路601连接。
(1.1.6)第一开关
第一开关5具有公共端子50和多个(在图示例中，3个)选择端子51～53。公共端子50与第一平衡-不平衡变换器7中的第二线圈72的第一端721连接(参照图2)。选择端子51与第二平衡-不平衡变换器8中的第三线圈81的第一端811连接(参照图2)。第一开关5例如是能够将3个选择端子51～53中的至少1个以上连接到公共端子50的开关。在此，第一开关5例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第一开关5例如由信号处理电路601来控制。第一开关5按照来自信号处理电路601的RF信号处理电路602的控制信号来对公共端子50与3个选择端子51～53的连接状态进行切换。第一开关5例如是开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。
(1.1.7)第二开关
第二开关6具有公共端子60和多个(在图示例中，3个)选择端子61～63。公共端子60与第一平衡-不平衡变换器7中的第二线圈72的第二端722连接(参照图2)。选择端子61与第二平衡-不平衡变换器8中的第三线圈81的第二端812连接(参照图2)。第二开关6例如是能够将3个选择端子61～63中的至少1个以上连接到公共端子60的开关。在此，第二开关6例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第二开关6例如由信号处理电路601来控制。第二开关6按照来自信号处理电路601的RF信号处理电路602的控制信号来对公共端子60与3个选择端子61～63的连接状态进行切换。第二开关6例如是开关IC。
(1.1.8)第三开关
第三开关10具有2个第一端子101、102和多个(在图示例中，2个)第二端子111、112。第一端子101与第一天线端子T1连接。第一端子102与第二天线端子T2连接。第二端子111与第一发送滤波器11及第一接收滤波器21连接。更详细地说，第二端子111连接于第一发送滤波器11的输出端子与第一接收滤波器21的输入端子的连接点。第二端子112与第二发送滤波器12及第二接收滤波器22连接。更详细地说，第二端子112连接于第二发送滤波器12的输出端子与第二接收滤波器22的输入端子的连接点。
在第三开关10中，能够将第一端子101与第二端子111连接，且能够将第一端子102与第二端子112连接。
第三开关10例如由信号处理电路601来控制。第三开关10按照来自信号处理电路601的RF信号处理电路602的控制信号来对第一端子101、102与第二端子111、112的连接状态进行切换。第三开关10例如是开关IC。
(1.1.9)第四开关
第四开关14具有公共端子140和多个(在图示例中，3个)选择端子141～143。公共端子140与第一低噪声放大器41的输入端子连接。选择端子141与第一接收滤波器21的输出端子连接。第四开关14例如是能够将公共端子140与多个选择端子141～143中的至少1个以上连接的开关。在此，第四开关14例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第四开关14例如由信号处理电路601来控制。第四开关14按照来自信号处理电路601的RF信号处理电路602的控制信号来对公共端子140与多个选择端子141～143的连接状态进行切换。第四开关14例如是开关IC。
(1.1.10)第五开关
第五开关15具有公共端子150和多个(在图示例中，3个)选择端子151～153。公共端子150与第二低噪声放大器42的输入端子连接。选择端子151与第二接收滤波器22的输出端子连接。第五开关15例如是能够将公共端子150与多个选择端子151～153中的至少1个以上连接的开关。在此，第五开关15例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第五开关15例如由信号处理电路601来控制。第五开关15按照来自信号处理电路601的RF信号处理电路602的控制信号来对公共端子150与多个选择端子151～153的连接状态进行切换。第五开关15例如是开关IC。
(1.1.11)第六开关
第六开关16具有2个第一端子161、162和多个(在图示例中，2个)第二端子165、166。第一端子161与第一信号输出端子T5连接。第一端子162与第二信号输出端子T6连接。第二端子165与第一低噪声放大器41的输出端子连接。第二端子166与第二低噪声放大器42的输出端子连接。
在第六开关16中，能够将第一端子161与第二端子165连接，且能够将第一端子162与第二端子166连接。
第六开关16例如由信号处理电路601来控制。第六开关16按照来自信号处理电路601的RF信号处理电路602的控制信号来对第一端子161、162与第二端子165、166的连接状态进行切换。第六开关16例如是开关IC。
(1.1.12)第一平衡-不平衡变换器
如图2所示，第一平衡-不平衡变换器7具有第一线圈71和第二线圈72。第一线圈71与第二线圈72相向。在第一平衡-不平衡变换器7中，第一线圈71的第一端711与放大器3连接，第一线圈71的第二端712与地连接。在第一平衡-不平衡变换器7中，第二线圈72的第一端721与第一开关5连接，第二线圈72的第二端722与第二开关6连接。
第一平衡-不平衡变换器7将输入到第一线圈71的第一端711(不平衡端子)的高频信号(不平衡信号)变换为一对高频信号(第一高频信号和第二高频信号)后将第一高频信号从第二线圈72的第一端721(第一平衡端子)输出，且将第二高频信号从第二线圈72的第二端722(第二平衡端子)输出。第一高频信号的相位与第二高频信号的相位相反。在第一平衡-不平衡变换器7中，第一线圈71的第一端711构成不平衡端子，但是不限于此。例如，第一平衡-不平衡变换器7也可以具有与第一端711连接的不平衡端子。另外，在第一平衡-不平衡变换器7中，第二线圈72的第一端721和第二端722构成一对平衡端子，但是不限于此。例如，第一平衡-不平衡变换器7也可以具有与第二线圈72的第一端721及第二端722一对一地连接的一对平衡端子。
(1.1.13)第二平衡-不平衡变换器
如图2所示，第二平衡-不平衡变换器8具有第三线圈81和第四线圈82。第三线圈81与第四线圈82相向。在第二平衡-不平衡变换器8中，第三线圈81的第一端811经由第一开关5来与第二线圈72的第一端721连接，第三线圈81的第二端812经由第二开关6来与第二线圈72的第一端721连接。在第二平衡-不平衡变换器8中，第四线圈82的第一端821与滤波器1连接，第四线圈82的第二端822与地连接。
第二平衡-不平衡变换器8将分别输入到第三线圈81的第一端811和第二端812的一对高频信号(第一高频信号和第二高频信号)变换为不平衡的高频信号后从第四线圈82的第一端821输出。在第二平衡-不平衡变换器8中，第三线圈81的第一端811和第二端812构成一对平衡端子，但是不限于此。例如，第二平衡-不平衡变换器8也可以具有与第三线圈81的第一端811及第二端812一对一地连接的一对平衡端子。另外，在第二平衡-不平衡变换器8中，第四线圈82的第一端821构成不平衡端子，但是不限于此。例如，第二平衡-不平衡变换器8也可以具有与第一端821连接的不平衡端子。
(1.1.14)第一匹配电路和第二匹配电路
第一匹配电路M1是阻抗匹配用的匹配电路。第一匹配电路M1连接于第一平衡-不平衡变换器7的第二线圈72与第一开关5之间。更详细地说，第一匹配电路M1连接于第一平衡-不平衡变换器7的第二线圈72的第一端721与第一开关5的公共端子50之间。第一匹配电路M1包括电感器、电容器以及电阻中的至少一者。第二匹配电路M2是阻抗匹配用的匹配电路。第二匹配电路M2连接于第一平衡-不平衡变换器7的第二线圈72与第二开关6之间。更详细地说，第二匹配电路M2连接于第一平衡-不平衡变换器7的第二线圈72的第二端722与第二开关6的公共端子60之间。
(1.2)总结
实施方式1所涉及的高频电路100具备滤波器1(发送滤波器11)、放大器3(功率放大器31)、第一开关5、第二开关6、第一平衡-不平衡变换器7以及第二平衡-不平衡变换器8。放大器3具有输入端子和输出端子。放大器3与滤波器1连接。第一平衡-不平衡变换器7具有第一线圈71和第二线圈72。第二平衡-不平衡变换器8具有第三线圈81和第四线圈82。在第一平衡-不平衡变换器7中，第一线圈71的第一端711与放大器3的输出端子连接，第一线圈71的第二端712与地连接。在第一平衡-不平衡变换器7中，第二线圈72的第一端721与第一开关5连接，第二线圈72的第二端722与第二开关6连接。在第二平衡-不平衡变换器8中，第三线圈81的第一端811经由第一开关5来与第二线圈72的第一端721连接，第三线圈81的第二端812经由第二开关6来与第二线圈72的第二端722连接。在第二平衡-不平衡变换器8中，第四线圈82的第一端821与滤波器1连接，第四线圈82的第二端822与地连接。
实施方式1所涉及的高频电路100能够抑制高频电路100的特性的劣化。更详细地说，在高频电路100中，作为非线性器件的开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够减少对开关(第一开关5和第二开关6)施加的功率。由此，高频电路100能够减少开关(第一开关5和第二开关6)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路100的特性的劣化。另外，实施方式1所涉及的高频电路100能够通过对开关(第一开关5和第二开关6)和滤波器1各自施加的功率的减少以及由此产生的对开关(第一开关5和第二开关6)和滤波器1各自的温度上升的抑制效果，来减少高频信号的失真。
另外，在实施方式1所涉及的高频电路100中，放大器3是对发送信号进行放大的功率放大器31。第一平衡-不平衡变换器7与放大器3的输出端子连接。因此，实施方式1所涉及的高频电路100能够抑制开关(第一开关5和第二开关6)处的高频信号(发送信号)的信号失真。
另外，实施方式1所涉及的高频电路100还具备：第二滤波器2，其不同于第一滤波器1；以及第二放大器4，其是作为放大器3的第一放大器3以外的另外的放大器，具有输入端子和输出端子，与第二滤波器2连接。第一滤波器1具有第一通带。第二滤波器2具有不同于第一通带的第二通带。
实施方式1所涉及的高频电路100例如能够减少在进行利用了第一放大器3(第一功率放大器31)和第二放大器4(第二功率放大器32)的双上行链路载波聚合时发生的IMD(Intermodulation Distortion：互调失真)的大小。
(2)高频模块
下面，基于图3的A、图3的B及图4来更详细地说明具备高频电路100的高频模块500。此外，图3的A是与图4的X1-X1线截面对应的截面图。另外，图3的B是与图4的X2-X2线截面对应的截面图。
(2.1)高频模块的结构
高频模块500具备高频电路100和安装基板501。安装基板501具有彼此相向的第一主面511和第二主面512。放大器3配置于安装基板501的第一主面511。第一开关5和第二开关6配置于安装基板501的第二主面512。第一平衡-不平衡变换器7和第二平衡-不平衡变换器8配置于安装基板501。另外，在高频模块500中，多个外部连接端子T0配置于安装基板501的第二主面512。另外，高频模块500还具备树脂层520(下面也称为第一树脂层520)和金属电极层530。另外，高频模块500还具备第二树脂层540。
(2.1.1)安装基板
如图3的A和图3的B所示，安装基板501具有在安装基板501的厚度方向D1上彼此相向的第一主面511和第二主面512。安装基板501包括多个电介质层、多个导电层以及多个通路导体。在安装基板501中，多个电介质层与多个导电层在安装基板501的厚度方向D1上一层一层地交替地层叠。也就是说，安装基板501是包括多个电介质层和多个导电层的多层基板。多个导电层形成为按每层而规定的规定图案。多个导电层各自包括一个或多个导体部。安装基板501例如是LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板。在安装基板501是LTCC基板的情况下，各电介质层的材料例如是包含氧化铝和玻璃的陶瓷。另外，各导电层的材料例如是铜。各导电层的材料不限于铜，例如也可以是银。安装基板501不限于LTCC基板，例如也可以是印刷电路板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics：高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。
安装基板501的第一主面511和第二主面512在安装基板501的厚度方向D1上相离，与安装基板501的厚度方向D1交叉。安装基板501的第一主面511包括与安装基板501的厚度方向D1正交的面以及不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板501的第二主面512例如与安装基板501的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。
多个导电层之一包括地层。地层是高频模块500的电路地。地层经由通路导体等来与地端子T8连接。另外，地层与金属电极层530电连接。地层与金属电极层530相接。
(2.1.2)电子部件
在高频模块500中，多个电子部件安装于安装基板501的第一主面511，多个电子部件安装于安装基板501的第二主面512。“电子部件安装于安装基板501的第一主面511”包括以下情况：电子部件配置于(机械连接于)安装基板501的第一主面511；以及电子部件与安装基板501(的适当的导体部)电连接。“电子部件安装于安装基板501的第二主面512”包括以下情况：电子部件配置于(机械连接于)安装基板501的第二主面512；以及电子部件与安装基板501(的适当的导体部)电连接。安装于安装基板501的第一主面511的多个电子部件包括第一功率放大器31(第一放大器3)、第二功率放大器32(第二放大器4)、第一发送滤波器11(第一滤波器1)、第二发送滤波器12(第二滤波器2)、第一匹配电路M1的多个电路元件M11、第二匹配电路M2的多个电路元件M12。安装于安装基板501的第二主面512的多个电子部件包括第一低噪声放大器41、第二低噪声放大器42、第一开关5、第二开关6、第三开关10、第四开关14、第五开关15以及第六开关16。第一功率放大器31和第二功率放大器32例如是GaAs系芯片。第一低噪声放大器41、第二低噪声放大器42、第一开关5、第二开关6、第三开关10、第四开关14、第五开关15以及第六开关16分别是Si系芯片。第一匹配电路M1的多个电路元件M11例如包括片式电感器、片式电容器以及片式电阻。第二匹配电路M2的多个电路元件M12例如包括片式电感器、片式电容器以及片式电阻。第一匹配电路M1的电路结构与第二匹配电路M2的电路结构相同。第一匹配电路M1不限于包括多个电路元件M11的结构。第二匹配电路M2不限于包括多个电路元件M12的结构。另外，也可以是，第一匹配电路M1和第二匹配电路M2分别是IPD(Integrated Passive Device：集成无源器件)。
在从安装基板501的厚度方向D1俯视时，安装于安装基板501的第一主面511的多个电子部件各自的外缘呈四边形形状。另外，在从安装基板501的厚度方向D1俯视时，安装于安装基板501的第二主面512的多个电子部件各自的外缘呈四边形形状。
(2.1.3)第一平衡-不平衡变换器和第二平衡-不平衡变换器
高频电路100中的第一平衡-不平衡变换器7和第二平衡-不平衡变换器8内置于安装基板501。第一平衡-不平衡变换器7的第一线圈71包括与安装基板501的厚度方向D1交叉(例如，正交)的第一导体图案部P1。第一平衡-不平衡变换器7的第二线圈72包括与安装基板501的厚度方向D1交叉(例如，正交)且在安装基板501的厚度方向D1上与第一导体图案部P1相向的第二导体图案部P2。在从安装基板501的厚度方向D1俯视时，第一平衡-不平衡变换器7的第一线圈71与第二线圈72至少有一部分重叠。第一导体图案部P1和第二导体图案部P2例如分别呈螺旋状。第二平衡-不平衡变换器8的第三线圈81包括与安装基板501的厚度方向D1交叉(例如，正交)的第三导体图案部P3。第二平衡-不平衡变换器8的第四线圈82包括与安装基板501的厚度方向D1交叉(例如，正交)且在安装基板501的厚度方向D1上与第三导体图案部P3相向的第四导体图案部P4。在从安装基板501的厚度方向D1俯视时，第二平衡-不平衡变换器8的第三线圈81与第四线圈82至少有一部分重叠。第三导体图案部P3和第四导体图案部P4例如分别呈螺旋状。
(2.1.4)外部连接端子
多个外部连接端子T0配置于安装基板501的第二主面512。“外部连接端子T0配置于安装基板501的第二主面512”包括以下情况：外部连接端子T0与安装基板501的第二主面512机械连接；以及外部连接端子T0与安装基板501(的适当的导体部)电连接。多个外部连接端子T0的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。多个外部连接端子T0分别是柱状电极。柱状电极例如是圆柱状的电极。多个外部连接端子T0例如通过焊料来与安装基板501的导体部接合，但是不限于此，例如也可以使用导电性粘接剂(例如，导电性膏)来与安装基板501的导体部接合，还可以直接与安装基板501的导体部接合。在从安装基板501的厚度方向D1俯视时，多个外部连接端子T0分别呈圆形状。
多个外部连接端子T0包括第一天线端子T1、第二天线端子T2、第一信号输入端子T3、第二信号输入端子T4、第一信号输出端子T5、第二信号输出端子T6、控制端子T7、以及多个地端子T8(参照图1和图3的B)。多个地端子T8是与通信装置600所具备的上述的电路基板的地电极电连接从而被提供地电位的端子。
(2.1.5)第一树脂层
如图3的A和图3的B所示，第一树脂层520配置于安装基板501的第一主面511。第一树脂层520覆盖安装于安装基板501的第一主面511的多个电子部件。第一树脂层520包含树脂(例如，环氧树脂)。第一树脂层520也可以除了包含树脂以外还包含填料。
(2.1.6)第二树脂层
如图3的A和图3的B所示，第二树脂层540配置于安装基板501的第二主面512。第二树脂层540覆盖安装于安装基板501的第二主面512的多个电子部件各自的外周面以及多个外部连接端子T0各自的外周面。多个电子部件各自的外周面包括电子部件的4个侧面。第二树脂层540不覆盖多个电子部件各自的与安装基板501侧相反的一侧的主面。第二树脂层540包含树脂(例如，环氧树脂)。第二树脂层540也可以除了包含树脂以外还包含填料。第二树脂层540的材料既可以是与第一树脂层520的材料相同的材料，也可以是不同的材料。
(2.1.7)金属电极层
如图3的A和图3的B所示，金属电极层530覆盖第一树脂层520。金属电极层530与安装基板501的地端子T8连接。金属电极层530具有导电性。在高频模块500中，金属电极层530是以高频模块500的内外的电磁屏蔽为目的而设置的屏蔽层。金属电极层530具有层叠多个金属层而成的多层构造，但是不限于此，也可以是1个金属层。金属层包含一种或多种金属。在金属电极层530具有层叠多个金属层而成的多层构造的情况下，金属电极层530例如包括第一树脂层520上的第一不锈钢层、第一不锈钢层上的Cu层以及Cu层上的第二不锈钢层。第一不锈钢层和第二不锈钢层各自的材料是包含Fe、Ni以及Cr的合金。另外，在金属电极层530是1个金属层的情况下，金属电极层530例如是Cu层。金属电极层530覆盖第一树脂层520的与安装基板501侧相反的一侧的主面521、第一树脂层520的外周面523、安装基板501的外周面513以及第二树脂层540的外周面543。第二树脂层540的与安装基板501侧相反的一侧的主面541未被金属电极层530覆盖而露出。金属电极层530与安装基板501的地层电连接。由此，高频模块500能够使金属电极层530的电位为与安装基板501的地层的电位大致相同的电位。
(2.2)高频模块中的布局
在从安装基板501的厚度方向D1俯视时，第一平衡-不平衡变换器7的至少一部分与第一开关5及第二开关6重叠，第二平衡-不平衡变换器8的至少一部分与第一开关5及第二开关6重叠。在第一平衡-不平衡变换器7中，第一线圈71与第二线圈72在安装基板501的厚度方向D1上相向。在第二平衡-不平衡变换器8中，第三线圈81与第四线圈82在安装基板501的厚度方向D1上相向。
(2.3)总结
实施方式1所涉及的高频模块500具备高频电路100和安装基板501。高频电路100的放大器3、第一开关5、第二开关6、第一平衡-不平衡变换器7以及第二平衡-不平衡变换器8配置于安装基板501。实施方式1所涉及的高频模块500能够抑制高频电路100的特性的劣化。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块500中，安装基板501具有彼此相向的第一主面511和第二主面512。放大器3配置于安装基板501的第一主面511。第一开关5和第二开关6配置于安装基板501的第二主面512。第一平衡-不平衡变换器7和第二平衡-不平衡变换器8配置于安装基板501。在从安装基板501的厚度方向D1俯视时，第一平衡-不平衡变换器7的至少一部分与第一开关5及第二开关6重叠，第二平衡-不平衡变换器8的至少一部分与第一开关5及第二开关6重叠。在实施方式1所涉及的高频模块500中，能够进一步抑制高频电路100的特性的劣化。
(3)通信装置
如图1所示，实施方式1所涉及的通信装置600具备信号处理电路601和高频电路100。信号处理电路601与高频电路100连接。
通信装置600还具备第一天线A1和第二天线A2。通信装置600还具备电路基板，该电路基板安装有具有高频电路100的高频模块500。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具备被提供地电位的地电极。
信号处理电路601例如包括RF信号处理电路602和基带信号处理电路603。RF信号处理电路602例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。RF信号处理电路602例如对从基带信号处理电路603输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出进行了信号处理的高频信号。另外，RF信号处理电路602例如对从高频电路100输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到基带信号处理电路603。基带信号处理电路603例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路603基于基带信号来生成I相信号和Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路603通过将I相信号与Q相信号合成来进行IQ调制处理后，输出发送信号。此时，发送信号被生成为将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制而得到的调制信号(IQ信号)。被基带信号处理电路603处理后的接收信号例如作为图像信号而使用于图像显示，或者作为声音信号而使用于通信装置600的用户的通话。高频电路100在第一天线A1及第二天线A2与信号处理电路601的RF信号处理电路602之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。
实施方式1所涉及的通信装置600具备高频电路100和信号处理电路601，因此能够抑制高频电路100的特性的劣化。
(实施方式2)
分别参照图5和6来说明实施方式2所涉及的高频电路100a和高频模块500a。关于实施方式2所涉及的高频电路100a和高频模块500a，对与实施方式1所涉及的高频电路100和高频模块500分别相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
在实施方式2所涉及的高频电路100a中，在以下方面与实施方式1所涉及的高频电路100不同：第一功率放大器31包括放大器3、阻抗匹配用的平衡-不平衡变换器Ba1、以及电容器C1，第一功率放大器31的平衡-不平衡变换器Ba1与第一平衡-不平衡变换器7是共用的。在实施方式2所涉及的高频电路100a中，放大器3例如具有驱动级的晶体管301、最终级(输出级)的晶体管302、以及用于使驱动级的晶体管301的阻抗与最终级的晶体管302的阻抗匹配的级间匹配电路303。在放大器3中，驱动级的晶体管301和最终级的晶体管302例如分别是HBT(Heterojunction Bipolar Transistor：异质结双极晶体管)。级间匹配电路303例如是设置于驱动级的晶体管301与最终级的晶体管302之间的电感器，但是也可以除了包括电感器以外还包括电容器。放大器3中的晶体管的级数不限于2级，也可以是1级或3级以上。放大器3例如是GaAs系芯片。
在第一功率放大器31中，在放大器3的输出端子(最终级的晶体管302的集电极端子)连接有第一平衡-不平衡变换器7的第一端711。驱动级的晶体管301的集电极端子和最终级的晶体管302的集电极端子被提供电源电压Vcc。电容器C1连接于最终级的晶体管302的集电极端子与地之间。
高频电路100a与实施方式1所涉及的高频电路100同样地，作为非线性器件的开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够抑制高频电路100a的特性的劣化。
另外，实施方式2所涉及的高频模块500a能够抑制高频电路100a的特性的劣化。另外，与分开地具备第一功率放大器31的平衡-不平衡变换器和第一平衡-不平衡变换器7的情况相比，实施方式2所涉及的高频模块500a能够实现小型化。
(实施方式3)
参照图7来说明实施方式3所涉及的高频电路100b和高频模块500b。关于实施方式3所涉及的高频电路100b和高频模块500b，对与实施方式1所涉及的高频电路100和高频模块500分别相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
实施方式3所涉及的高频电路100b的电路结构与实施方式1所涉及的高频电路100的电路结构相同。
实施方式3所涉及的高频模块500b在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块500不同：第二平衡-不平衡变换器8不内置于安装基板501。在高频模块500b中，安装于安装基板501的第一主面511的多个电子部件中的1个电子部件(下面也称为电子部件E1)包括第一发送滤波器11(第一滤波器1)和第二平衡-不平衡变换器8。电子部件E1是包括第一发送滤波器11和第二平衡-不平衡变换器8的纵向耦合型SAW滤波器。
高频电路100b与实施方式1所涉及的高频电路100同样地，作为非线性器件的开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够抑制高频电路100b的特性的劣化。
另外，高频模块500b具备高频电路100b和安装基板501，因此能够抑制高频电路100b的特性的劣化。
(实施方式4)
参照图8～10来说明实施方式4所涉及的高频电路100c和高频模块500c。关于实施方式4所涉及的高频电路100c和高频模块500c，对与实施方式1所涉及的高频电路100和高频模块500分别相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。
实施方式4所涉及的高频电路100c在以下方面与实施方式1所涉及的高频电路100不同：如图8所示，具备具有第一通带的第一滤波器1A(第一发送滤波器11A)和具有与第一通带相同的第二通带的第二滤波器1B(第二发送滤波器11B)，来代替1个滤波器1。第一滤波器1A所具有的第一通带和第二滤波器1B所具有的第二通带包含第一通信频段的上行链路的频带。在高频电路100c中的第二平衡-不平衡变换器8中，第三线圈81的第一端811经由第一滤波器1A和第一开关5来与第二线圈72的第一端721连接，第三线圈81的第二端822经由第二滤波器1B和第二开关6来与第二线圈72的第二端722连接。在第二平衡-不平衡变换器8中，第四线圈82的第一端821与信号路径S1连接，第四线圈82的第二端822与地连接。第二平衡-不平衡变换器8的第四线圈82的第一端821与第三开关10的第二端子111连接。
在高频电路100c中，第一滤波器1A(第一发送滤波器11A)连接于第一开关5(的选择端子51)与第二平衡-不平衡变换器8(的第三线圈81的第一端811)之间，第二滤波器1B(第二发送滤波器11B)连接于第二开关6(的选择端子61)与第二平衡-不平衡变换器8(的第三线圈81的第二端812)之间。
实施方式4所涉及的高频电路100c具备第一滤波器1A、第二滤波器1B、放大器3、第一开关5、第二开关6、第一平衡-不平衡变换器7以及第二平衡-不平衡变换器8。第一滤波器1A具有第一通带。第二滤波器1B具有与第一通带相同的第二通带。放大器3具有输入端子和输出端子。放大器3与滤波器1连接。第一平衡-不平衡变换器7具有第一线圈71和第二线圈72。第二平衡-不平衡变换器8具有第三线圈81和第四线圈82。在第一平衡-不平衡变换器7中，第一线圈71的第一端711与放大器3的输出端子连接，第一线圈71的第二端712与地连接。在第一平衡-不平衡变换器7中，第二线圈72的第一端721与第一开关5连接，第二线圈72的第二端722与第二开关6连接。在第二平衡-不平衡变换器8中，第三线圈81的第一端811经由第一滤波器1A和第一开关5来与第二线圈72的第一端721连接，第三线圈81的第二端822经由第二滤波器1B和第二开关6来与第二线圈72的第二端722连接。在第二平衡-不平衡变换器8中，第四线圈82的第一端821与信号路径S1连接，第四线圈82的第二端822与地连接。
实施方式4所涉及的高频电路100c能够抑制高频电路100c的特性的劣化。更详细地说，在高频电路100c中，作为非线性器件的开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够减少对开关(第一开关5和第二开关6)施加的功率。由此，高频电路100c能够减少开关(第一开关5和第二开关6)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路100c的特性的劣化。另外，在实施方式4所涉及的高频电路100c中，作为非线性器件的滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够减少对滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B各自)施加的功率。由此，高频电路100c能够减少滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B各自)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路100c的特性的劣化。另外，实施方式4所涉及的高频电路100c具备第一平衡-不平衡变换器7和第二平衡-不平衡变换器8，因此能够抑制开关(第一开关5和第二开关6)和滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B)各自的温度上升。
另外，在高频电路100c中，放大器3是对发送信号进行放大的功率放大器31。第一平衡-不平衡变换器7与放大器3的输出端子连接。因此，高频电路100c能够抑制发送信号的信号失真。
另外，高频电路100c还具备：发送滤波器12(参照图1)；以及第二放大器4(参照图1)，其是作为放大器3的第一放大器3以外的另外的放大器，具有输入端子和输出端子，与发送滤波器12(参照图1)连接。在高频电路100c中，发送滤波器12构成具有与第一滤波器1的第一通带不同的第三通带的第三滤波器。第一通带包含第一通信频段的上行链路的频带。第三通带包含第三通信频段的上行链路的频带。第一通信频段例如是3GPP LTE标准的Band25。第三通信频段例如是3GPP LTE标准的Band66。
因此，高频电路100c例如能够减少在进行利用了第一放大器3(第一功率放大器31)和第二放大器4(第二功率放大器32)的双上行链路载波聚合时发生的IMD的大小。
如图9和10所示，实施方式4所涉及的高频模块500c具备高频电路100c和安装基板501。
在高频模块500c中，第一开关5和第二开关6安装于安装基板501的第一主面511。另外，在高频模块500c中，安装于安装基板501的第一主面511的多个电子部件中的1个电子部件(下面也称为电子部件E2)包括第一滤波器1A和第二滤波器1B。在电子部件E2中，第一滤波器1A与第二滤波器1B具有共用的压电性基板。压电性基板例如是压电基板，但是不限于此。
高频模块500c具备高频电路100c和安装基板501，因此能够抑制高频电路100c的特性的劣化。
(实施方式5)
参照图11来说明实施方式5所涉及的高频电路100d和高频模块500d。关于实施方式5所涉及的高频电路100d和高频模块500d，对与实施方式4所涉及的高频电路100c和高频模块500c分别相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。
实施方式5所涉及的高频电路100d在以下方面与实施方式4所涉及的高频电路100c不同：还具备第三平衡-不平衡变换器9和第四平衡-不平衡变换器17。另外，高频电路100d在以下方面与实施方式4所涉及的高频电路100c不同：具备第三滤波器2A(第三发送滤波器12A)和第四滤波器2B(第四发送滤波器12B)来代替发送滤波器12。第三滤波器2A所具有的第三通带和第四滤波器2B所具有的第四通带包含第二通信频段的上行链路的频带。第三平衡-不平衡变换器9具有第五线圈91和第六线圈92。在第三平衡-不平衡变换器9中，第五线圈91的第一端911与第二放大器4(第二功率放大器32)的输出端子连接，第五线圈91的第二端912与地连接。在第三平衡-不平衡变换器9中，第六线圈92的第一端921经由第一开关5来与第三滤波器2A连接，第六线圈92的第二端922经由第二开关6来与第四滤波器2B连接。第四平衡-不平衡变换器17具有第七线圈171和第八线圈172。
在高频电路100d中，第一开关5还具有公共端子50B。另外，在高频电路100d中，第二开关6还具有公共端子60B。在高频电路100d中，第一开关5的公共端子50与第一平衡-不平衡变换器7的第二线圈72的第一端721连接，第一开关5的公共端子50B与第三平衡-不平衡变换器9的第六线圈92的第一端921连接。另外，在高频电路100d中，第二开关6的公共端子60与第一平衡-不平衡变换器7的第二线圈72的第二端722连接，第二开关6的公共端子60B与第三平衡-不平衡变换器9的第六线圈92的第二端922连接。
在高频电路100d中，第二平衡-不平衡变换器8的第三线圈81的第一端811经由第一滤波器1A来与第一开关5的选择端子51连接，第二平衡-不平衡变换器8的第三线圈81的第二端812经由第二滤波器1B来与第二开关6的选择端子61连接。另外，在高频电路100d中，第二平衡-不平衡变换器8的第四线圈82的第一端821与第三开关10的第二端子111连接，第二平衡-不平衡变换器8的第四线圈82的第二端822与地连接。另外，在高频电路100d中，第四平衡-不平衡变换器17的第七线圈171的第一端1711经由第三滤波器2A来与第一开关5的选择端子52连接，第四平衡-不平衡变换器17的第七线圈171的第二端1712经由第四滤波器2B来与第二开关6的选择端子62连接。另外，在高频电路100d中，第四平衡-不平衡变换器17的第八线圈172的第一端1721与第三开关10的第二端子112连接，第四平衡-不平衡变换器17的第八线圈172的第二端1722与地连接。
实施方式5所涉及的高频电路100d与实施方式4所涉及的高频电路100c同样地，能够抑制高频电路100d的特性的劣化。另外，在高频电路100d中，作为非线性器件的滤波器(第三滤波器2A和第四滤波器2B)连接于第三平衡-不平衡变换器9与第四平衡-不平衡变换器17之间，因此能够减少对滤波器(第三滤波器2A和第四滤波器2B各自)施加的功率。由此，高频电路100d能够减少滤波器(第三滤波器2A和第四滤波器2B各自)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路100d的特性的劣化。
另外，高频电路100d例如能够减少在进行利用了第一放大器3(第一功率放大器31)和第二放大器4(第二功率放大器32)的双上行链路载波聚合时发生的IMD的大小。
高频模块500d具备高频电路100d和安装基板501(参照图9)，因此能够抑制高频电路100d的特性的劣化。
(实施方式6)
参照图12来说明实施方式6所涉及的高频电路100e和高频模块500e。关于实施方式6所涉及的高频电路100e和高频模块500e，对与实施方式5所涉及的高频电路100d和高频模块500d分别相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。
高频电路100e在以下方面与实施方式5所涉及的高频电路100d不同：第一滤波器1A和第二滤波器1B经由第三开关10来与第二平衡-不平衡变换器8连接。另外，在高频电路100e中，在以下方面与实施方式5所涉及的高频电路100d不同：第三开关10还具有第一端子103、104，第三开关10还具有第二端子113、114。在第三开关10中，第一端子101、102、103及104分别能够与第二端子111、112、113及114连接。另外，高频电路100e在以下方面与实施方式5所涉及的高频电路100d不同：第三滤波器2A和第四滤波器2B经由第三开关10来与第四平衡-不平衡变换器17连接。
在第三开关10中，第二端子111经由第一滤波器1A来与第一开关5的选择端子51连接，第一端子101与第二平衡-不平衡变换器8的第三线圈81的第一端811连接。另外，在第三开关10中，第二端子112经由第二滤波器1B来与第二开关6的选择端子61连接。另外，在第三开关10中，第二端子113经由第三滤波器2A来与第一开关5的选择端子52连接，第一端子103与第四平衡-不平衡变换器17的第七线圈171的第一端1711连接。另外，在第三开关10中，第二端子114经由第四滤波器2B来与第二开关6的选择端子62连接，第一端子104与第四平衡-不平衡变换器17的第七线圈171的第二端1712连接。
在高频电路100e中，第二平衡-不平衡变换器8的第四线圈82的第一端821与天线端子T1连接，第二平衡-不平衡变换器8的第四线圈82的第二端822与地连接。另外，在高频电路100e中，第四平衡-不平衡变换器17的第八线圈172的第一端1721与天线端子T2连接，第四平衡-不平衡变换器17的第八线圈172的第二端1722与地连接。
实施方式6所涉及的高频电路100e与实施方式5所涉及的高频电路100d同样地，能够抑制高频电路100e的特性的劣化。另外，在实施方式6所涉及的高频电路100e中，作为非线性器件的第三开关10连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够减少对第三开关10施加的功率。由此，高频电路100d能够减少第三开关10处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路100e的特性的劣化。
高频电路100e例如能够减少在进行利用了第一放大器3(第一功率放大器31)和第二放大器4(第二功率放大器32)的双上行链路载波聚合时发生的IMD的大小。
另外，高频模块500e具备高频电路100e和安装基板501(参照图9)，因此能够抑制高频电路100e的特性的劣化。
(实施方式7)
参照图13来说明实施方式7所涉及的高频电路100f和高频模块500f。关于实施方式7所涉及的高频电路100f和高频模块500f，对与实施方式4所涉及的高频电路100c(参照图8)和高频模块500c分别相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。
实施方式7所涉及的高频电路100f在以下方面与实施方式4所涉及的高频电路100c不同：还具备连接于第二平衡-不平衡变换器8的第四线圈82的第一端821与第三开关10之间的滤波器1。
滤波器1所具有的通带与第一滤波器1A所具有的第一通带相同。
实施方式7所涉及的高频电路100f与实施方式4所涉及的高频电路100c同样地，开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够抑制高频电路100f的特性的劣化。另外，实施方式7所涉及的高频电路100f与实施方式4所涉及的高频电路100c同样地，滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够抑制高频电路100f的特性的劣化。
另外，实施方式7所涉及的高频电路100f还具备滤波器1，因此能够提高衰减特性。
另外，高频模块500f具备高频电路100f和安装基板501(参照图9)，因此能够抑制高频电路100f的特性的劣化。
(实施方式8)
参照图14来说明实施方式8所涉及的高频电路100g和高频模块500g。关于实施方式8所涉及的高频电路100g和高频模块500g，对与实施方式4所涉及的高频电路100c(参照图8)和高频模块500c分别相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。
高频电路100g在以下方面与实施方式4所涉及的高频电路100c不同：还具备第三平衡-不平衡变换器9和第三滤波器1C。第三平衡-不平衡变换器9具有第五线圈91和第六线圈92。在第三平衡-不平衡变换器9中，第五线圈91的第一端911与第一开关5的选择端子53连接，第五线圈91的第二端912与第二开关6的选择端子63连接。在第三平衡-不平衡变换器9中，第六线圈92的第一端921经由第三滤波器1C来与第三开关10的第二端子112连接，第六线圈92的第二端922与地连接。在第三开关10中，第一端子101与2个第二端子111、112中的至少一方连接。
实施方式8所涉及的高频电路100g与实施方式4所涉及的高频电路100c同样地，开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够抑制高频电路100g的特性的劣化。另外，实施方式8所涉及的高频电路100g与实施方式4所涉及的高频电路100c同样地，滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够抑制高频电路100g的特性的劣化。
另外，高频模块500g具备高频电路100g和安装基板501(参照图9)，因此能够抑制高频电路100g的特性的劣化。
(实施方式9)
参照图15来说明实施方式9所涉及的高频电路100h和高频模块500h。关于实施方式9所涉及的高频电路100h和高频模块500h，对与实施方式4所涉及的高频电路100c(参照图8)和高频模块500c分别相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。
高频电路100h在以下方面与实施方式4所涉及的高频电路100c不同：还具备第三平衡-不平衡变换器9。另外，高频电路100h在以下方面与实施方式4所涉及的高频电路100c不同：第一开关5还具有公共端子50以外的另外的公共端子50B，第二开关6还具有公共端子60以外的另外的公共端子60B。
第三平衡-不平衡变换器9具有第五线圈91和第六线圈92。在第三平衡-不平衡变换器9中，第五线圈91的第一端911与低噪声放大器41的输入端子连接，第五线圈91的第二端912与地连接。在第三平衡-不平衡变换器9中，第六线圈92的第一端921与第一开关5的公共端子50B连接，第六线圈92的第二端922与第二开关6的公共端子60B连接。
在第一开关5中，能够将公共端子50和公共端子50B分别与选择端子51连接。第一开关5是能够将3个选择端子51～53中的至少1个以上连接到公共端子50和公共端子50B中的各公共端子的开关。
在高频电路100h中，滤波器1的通带包含在支持TDD(Time Division Duplex：时分双工)这一通信方式的通信中利用的第一通信频段的频带。高频电路100h例如能够通过TDD来仿真地实现第一通信频段的频带的发送信号与第一通信频段的频带的接收信号的同时发送接收。“仿真地实现”是指发送信号的发送与接收信号的接收虽非同时、但是是在能够视作同时的程度的短期间内进行的。第一通信频段例如是3GPP LTE标准的Band34，但是不限于此，例如也可以是3GPP LTE标准的Band39。
高频电路100h在以TDD的通信方式发送第一通信频段的频带的发送信号时，第一开关5的公共端子50与选择端子51连接，且第二开关6的公共端子60与选择端子61连接。另外，高频电路100h在以TDD的通信方式接收第一通信频段的频带的接收信号时，第一开关5的公共端子50B与选择端子51连接，且第二开关6的公共端子60B与选择端子61连接。
在实施方式9所涉及的高频电路100h中，开关(第一开关5和第二开关6)和滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够抑制高频电路100h的特性的劣化。另外，在实施方式9所涉及的高频电路100h中，开关(第一开关5和第二开关6)和滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B)连接于第三平衡-不平衡变换器9与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够抑制高频电路100h的特性的劣化。更详细地说，高频电路100h能够在进行基于TDD的通信时抑制发送信号和接收信号各自的信号失真，能够抑制高频电路100h的特性的劣化。
另外，高频模块500h具备高频电路100h和安装基板501(参照图9)，因此能够抑制高频电路100h的特性的劣化。
(实施方式10)
参照图16来说明实施方式10所涉及的高频电路100i和高频模块500i。关于实施方式10所涉及的高频电路100i和高频模块500i，对与实施方式1所涉及的高频电路100(参照图1和2)和高频模块500分别相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。
高频电路100i在以下方面与实施方式1所涉及的高频电路100不同：还具备开关19。开关19具有第一端子191以及能够与第一端子191连接的第二端子192。在开关19中，第一端子191连接于第二平衡-不平衡变换器8的第四线圈82的第一端821与滤波器1之间的节点。另外，在开关19中，第二端子192与低噪声放大器41的输入端子连接。
在高频电路100i中，滤波器1的通带包含在支持TDD这一通信方式的通信中利用的第一通信频段的频带。高频电路100i例如能够通过TDD来仿真地实现第一通信频段的频带的发送信号与第一通信频段的频带的接收信号的同时发送接收。第一通信频段例如是3GPPLTE标准的Band34，但是不限于此，例如也可以是3GPP LTE标准的Band39。
高频电路100i在以TDD的通信方式发送第一通信频段的频带的发送信号时，第一开关5的公共端子50仅与多个选择端子51～53中的选择端子51连接，且第二开关6的公共端子60仅与多个选择端子61～63中的选择端子61连接，且开关19的第一端子191不与第二端子192连接。另外，高频电路100i在以TDD的通信方式接收第一通信频段的频带的接收信号时，开关19的第一端子191与第二端子192连接，且第一开关5的公共端子50与多个选择端子51～53均不连接，且第二开关6的公共端子60与多个选择端子61～63均不连接。
在实施方式10所涉及的高频电路100i中，开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够抑制高频电路100i的特性的劣化。更详细地说，高频电路100i能够在进行基于TDD的通信时抑制发送信号的信号失真，能够抑制高频电路100i的特性的劣化。
另外，高频模块500i具备高频电路100i和安装基板501(参照图3的A和图3的B)，因此能够抑制高频电路100i的特性的劣化。
(实施方式11)
参照图17来说明实施方式11所涉及的高频电路100j和高频模块500j。关于实施方式11所涉及的高频电路100j和高频模块500j，对与实施方式4所涉及的高频电路100c(参照图8)和高频模块500c分别相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。
高频电路100j在以下方面与实施方式4所涉及的高频电路100c不同：还具备开关18和发送滤波器11C。
开关18连接于放大器3(功率放大器31)的输出端子与第一平衡-不平衡变换器7之间。在实施方式11所涉及的高频电路100j中，开关18构成连接于放大器3的输出端子与第一平衡-不平衡变换器7之间的第四开关。开关18具有公共端子180和多个(例如，2个)选择端子181、182。公共端子180与放大器3的输出端子连接。选择端子181与第一平衡-不平衡变换器7中的第一线圈71的第一端711连接。选择端子182不经由第一平衡-不平衡变换器7及第二平衡-不平衡变换器8、而是经由发送滤波器11C来与第三开关10连接。发送滤波器11C设置于开关18的选择端子182与第三开关10之间的信号路径(旁路路径)S2。开关18是能够择一地将多个选择端子181、182中的一个与公共端子180连接的开关。开关18例如由信号处理电路601(参照图1)来控制。开关18按照来自信号处理电路601的RF信号处理电路602的控制信号来对公共端子180与2个选择端子181、182的连接状态进行切换。开关18例如是开关IC。
发送滤波器11C具有与第一滤波器1的第一通带相同的通带。
在高频电路100j中，放大器3能够以第一功率模式(例如，高功率模式)和输出功率比第一功率模式的输出功率低的第二功率模式(例如，低功率模式)进行动作。放大器3在高功率模式的情况下，将放大器3的输出功率设为第一规定功率(例如32dBm)。另外，放大器3在低功率模式的情况下，将放大器3的输出功率设为低于第一规定功率的第二规定功率(例如15dBm)。
控制器13按照来自信号处理电路601的控制信号，使放大器3以第一功率模式或第二功率模式进行动作。
在高频电路100j中，在控制器13使放大器3以第一功率模式进行动作时，开关18使放大器3的输出端子与第一平衡-不平衡变换器7之间成为导通状态，且使放大器3的输出端子与发送滤波器11C之间成为非导通状态。更详细地说，在控制器13使放大器3以第一功率模式进行动作时，在开关18中，公共端子180与2个选择端子181、182中的1个选择端子181连接。
在高频电路100j中，在控制器13使放大器3以第二功率模式进行动作时，开关18使放大器3的输出端子与第一平衡-不平衡变换器7之间成为非导通状态，且使放大器3的输出端子与发送滤波器11C之间成为导通状态。更详细地说，在控制器13使放大器3以第二功率模式进行动作时，在开关18中，公共端子180与2个选择端子181、182中的1个选择端子182连接。由此，放大器3不经由第一平衡-不平衡变换器7及第二平衡-不平衡变换器8、而是经由发送滤波器11C来与第三开关10连接。
在实施方式11所涉及的高频电路100j中，作为非线性器件的开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够减少对开关(第一开关5和第二开关6)施加的功率。由此，高频电路100j能够减少在放大器3以第一功率模式进行动作时的开关(第一开关5和第二开关6)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路100j的特性的劣化。另外，在实施方式11所涉及的高频电路100j中，作为非线性器件的滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够减少对滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B各自)施加的功率。由此，高频电路100j能够减少在放大器3以第一功率模式进行动作时的滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B各自)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路100j的特性的劣化。
另外，高频电路100j例如能够减少在使第一放大器3以第一功率模式进行动作并进行利用了第一放大器3(第一功率放大器31)和第二放大器4(第二功率放大器32)的双上行链路载波聚合时发生的IMD的大小。
另外，高频模块500j具备高频电路100j和安装基板501(参照图9)，因此能够抑制高频电路100j的特性的劣化。
(实施方式12)
参照图18来说明实施方式12所涉及的高频电路100k和高频模块500k。关于实施方式12所涉及的高频电路100k和高频模块500k，对与实施方式4所涉及的高频电路100c(参照图8)和高频模块500c分别相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。
高频电路100k在以下方面与实施方式4所涉及的高频电路100c不同：还具备开关18。
开关18连接于第一放大器3(第一功率放大器31)的输入端子与信号输入端子T3之间。开关18具有公共端子180和多个(例如，2个)选择端子181、182。公共端子180与信号输入端子T3连接。选择端子181与第一放大器3(第一功率放大器31)的输入端子连接。选择端子182与第二放大器4(第二功率放大器32)的输入端子连接。第二放大器4的输出端子不经由第一平衡-不平衡变换器7和第二平衡-不平衡变换器8、而是经由发送滤波器12C来与第三开关10连接。发送滤波器12C设置于第二放大器4的输出端子与第三开关10的第二端子112之间的信号路径(旁路路径)S2。开关18是能够择一地将多个选择端子181、182中的一个与公共端子180连接的开关。开关18例如由通信装置600(参照图1)所具备的信号处理电路601来控制。开关18按照来自信号处理电路601的RF信号处理电路602的控制信号来对公共端子180与2个选择端子181、182的连接状态进行切换。开关18例如是开关IC。
第一功率放大器31和第二功率放大器32支持互不相同的功率等级。“功率等级”是由最大输出功率等定义的终端(通信装置600)的输出功率的分类(User Equipment PowerClass：用户设备功率等级)，“功率等级”的后面记载的数字越小，则表示支持越高的输出功率。例如，功率等级1的最大输出功率(29dBm)大于功率等级2的最大输出功率(26dBm)，功率等级2的最大输出功率(26dBm)大于功率等级3的最大输出功率(23dBm)。例如通过由3GPP等规定的方法来进行最大输出功率的测定。第一功率放大器31支持第一功率等级(例如，功率等级2)，第二功率放大器32支持最大输出功率比第一功率等级的最大输出功率小的第二功率等级(例如，功率等级3)。在高频电路100k中，控制器13例如按照来自信号处理电路601的控制信号来控制第一功率放大器31和第二功率放大器32。
在高频电路100k中，使来自支持第一功率等级(例如，功率等级2)的第一放大器3的发送信号通过的第一滤波器1A和第二滤波器1B各自的第一通带和第二通带包含在支持TDD这一通信方式的通信中利用的第一通信频段的频带。高频电路100k例如能够通过TDD来仿真地实现第一通信频段的频带的发送信号与第一通信频段的频带的接收信号的同时发送接收。第一通信频段例如是3GPP LTE标准的Band41或5G NR的n41，但是不限于此，例如也可以是3GPP LTE标准的Band40或5G NR的n40。另外，在高频电路100k中，使来自支持第二功率等级(例如，功率等级3)的第二放大器4的发送信号通过的发送滤波器12C的通带包含在支持FDD(Frequency Division Duplex：频分双工)这一通信方式的通信中利用的第二通信频段的上行链路的频带。第二通信频段例如是3GPP LTE标准的Band7或5G NR的n7，但是不限于此。
在实施方式12所涉及的高频电路100k中，作为非线性器件的开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够减少对开关(第一开关5和第二开关6)施加的功率。由此，高频电路100k能够减少在第一功率等级的第一放大器3进行动作时的开关(第一开关5和第二开关6)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路100k的特性的劣化。另外，在实施方式12所涉及的高频电路100k中，作为非线性器件的滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够减少对滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B各自)施加的功率。由此，高频电路100k能够减少在第一放大器3进行动作时的滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B各自)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路100k的特性的劣化。
另外，高频模块500k具备高频电路100k和安装基板501(参照图9)，因此能够抑制高频电路100k的特性的劣化。
(实施方式13)
参照图19来说明实施方式13所涉及的高频电路100m和高频模块500m。关于实施方式13所涉及的高频电路100m和高频模块500m，对与实施方式1所涉及的高频电路100(参照图1和2)和高频模块500分别相同的结构要素，标注同一标记并适当省略说明。
实施方式13所涉及的高频电路100m具备滤波器1(接收滤波器21)、放大器3(低噪声放大器41)、第一开关5、第二开关6、第一平衡-不平衡变换器7以及第二平衡-不平衡变换器8。滤波器1具有通带。放大器3具有输入端子和输出端子。放大器3与滤波器1连接。第一平衡-不平衡变换器7具有第一线圈71和第二线圈72。第二平衡-不平衡变换器8具有第三线圈81和第四线圈82。在第一平衡-不平衡变换器7中，第一线圈71的第一端711与放大器3的输入端子连接，第一线圈71的第二端712与地连接。在第一平衡-不平衡变换器7中，第二线圈72的第一端721与第一开关5连接，第二线圈72的第二端722与第二开关6连接。在第二平衡-不平衡变换器8中，第三线圈81的第一端811经由第一开关5来与第二线圈72的第一端721连接，第三线圈81的第二端812经由第二开关6来与第二线圈72的第二端722连接。在第二平衡-不平衡变换器8中，第四线圈82的第一端821与滤波器1连接，第四线圈82的第二端822与地连接。
另外，高频电路100m还具备天线端子T1以及连接于天线端子T1与第二平衡-不平衡变换器8之间的第三开关10。第三开关10构成为能够将第一滤波器1与第一天线端子T1连接。第三开关10具有第一端子101以及能够与第一端子101连接的第二端子111。在第三开关10中，第一端子101与天线端子T1连接，第二端子111与滤波器1的输入端子连接。另外，在高频电路100m中，放大器3(低噪声放大器41)的输出端子与第一信号输出端子T5连接。
实施方式13所涉及的高频电路100m能够抑制高频电路100m的特性的劣化。更详细地说，在高频电路100m中，作为非线性器件的开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器7与第二平衡-不平衡变换器8之间，因此能够减少对开关(第一开关5和第二开关6)施加的功率。由此，高频电路100m能够减少开关(第一开关5和第二开关6)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路100m的特性的劣化。
另外，在实施方式13所涉及的高频电路100m中，放大器3是对接收信号进行放大的低噪声放大器41。第一平衡-不平衡变换器7与放大器3的输入端子连接。因此，实施方式13所涉及的高频电路100m能够抑制开关(第一开关5和第二开关6)处的高频信号(接收信号)的信号失真。
实施方式13所涉及的高频模块500m具备高频电路100m和安装基板。安装基板的结构与实施方式1所涉及的高频模块500中的安装基板501相同，因此省略图示和说明。实施方式13所涉及的高频模块500m具备高频电路100m，因此能够抑制高频电路100m的特性的劣化。
(变形例)
上述的实施方式1～13等不过是本发明的各种实施方式之一。关于上述的实施方式1～13等，只要能够达到本发明的目的即可，能够根据设计等来进行各种变更。
例如，在高频电路100中，第一匹配电路M1连接于第一平衡-不平衡变换器7的第二线圈72的第一端721与第一开关5之间，第二匹配电路M2连接于第一平衡-不平衡变换器7的第二线圈72的第二端722与第二开关6之间，但是不限于此，也可以是不具备第一匹配电路M1和第二匹配电路M2的结构。另外，在高频电路100中，也可以是，第一匹配电路M1连接于第一平衡-不平衡变换器7的第一端711与放大器3之间，且第二匹配电路M2连接于第一平衡-不平衡变换器7的第二端712与地之间。另外，在高频电路100中，也可以是，第一匹配电路M1连接于第一开关5与第二平衡-不平衡变换器8的第三线圈81的第一端811之间，且第二匹配电路M2连接于第二开关6与第二平衡-不平衡变换器8的第三线圈81的第二端812之间。另外，在高频电路100中，也可以是，第一匹配电路M1连接于第二平衡-不平衡变换器8的第四线圈82的第一端821与滤波器1之间，第二匹配电路M2连接于第二平衡-不平衡变换器8的第四线圈82的第二端822与地之间。
另外，实施方式1所涉及的通信装置600也可以具备高频电路100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100m中的任意的高频电路来代替高频电路100。
另外，上述的弹性波滤波器是利用声表面波或体声波的弹性波滤波器，但是不限于此，例如也可以是利用弹性界面波、板波等的弹性波滤波器。
另外，高频模块500也可以是以下结构：多个外部连接端子T0是球凸块，且高频模块500不具备第二树脂层540。构成多个外部连接端子T0中的各外部连接端子T0的球凸块的材料例如是金、铜、焊锡等。关于多个外部连接端子T0，也可以是，由球凸块构成的外部连接端子T0与由柱状电极构成的外部连接端子T0混合存在。
另外，关于其它例的高频电路，也可以是，在高频电路100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100m中的任意的高频电路中，作为第一平衡-不平衡变换器7和第二平衡-不平衡变换器8各自的替代物，具备3dB混合耦合器。由此，其它例的高频电路与高频电路100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100m同样地能够抑制高频电路的特性的劣化。其它例的高频电路如果采用例如90°混合耦合器作为3dB混合耦合器，则还能够得到改善输入输出的反射损耗的附加效果。
(方式)
本说明书公开了以下的方式。
第一方式所涉及的高频电路(100；100a；100b；100i；100m)具备滤波器(1)、放大器(3)、第一开关(5)、第二开关(6)、第一平衡-不平衡变换器(7)以及第二平衡-不平衡变换器(8)。放大器(3)具有输入端子和输出端子。放大器(3)与滤波器(1)连接。第一平衡-不平衡变换器(7)具有第一线圈(71)和第二线圈(72)。第二平衡-不平衡变换器(8)具有第三线圈(81)和第四线圈(82)。在第一平衡-不平衡变换器(7)中，第一线圈(71)的第一端(711)与放大器(3)的输入端子及输出端子中的连接于滤波器(1)的端子连接，第一线圈(71)的第二端(712)与地连接。在第一平衡-不平衡变换器(7)中，第二线圈(72)的第一端(721)与第一开关(5)连接，第二线圈(72)的第二端(722)与第二开关(6)连接。在第二平衡-不平衡变换器(8)中，第三线圈(81)的第一端(811)经由第一开关(5)来与第二线圈(72)的第一端(721)连接，第三线圈(81)的第二端(812)经由第二开关(6)来与第二线圈(72)的第二端(722)连接。在第二平衡-不平衡变换器(8)中，第四线圈(82)的第一端(821)与滤波器(1)连接，第四线圈(82)的第二端(822)与地连接。
在第一方式所涉及的高频电路(100；100a；100b；100i；100m)中，作为非线性器件的开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器(7)与第二平衡-不平衡变换器(8)之间，因此能够减少对开关(第一开关5和第二开关6)施加的功率。由此，第一方式所涉及的高频电路(100；100a；100b；100i；100m)能够减少开关(第一开关5和第二开关6)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路(100；100a；100b；100i；100m)的特性的劣化。
第二方式所涉及的高频电路(100c；100d；100e；100f；100g；100h；100j；100k)具备第一滤波器(1A)、第二滤波器(1B)、放大器(3)、第一开关(5)、第二开关(6)、第一平衡-不平衡变换器(7)以及第二平衡-不平衡变换器(8)。第一滤波器(1A)具有第一通带。第二滤波器(1B)具有与第一通带相同的第二通带。放大器(3)具有输入端子和输出端子。放大器(3)与第一滤波器(1A)及第二滤波器(1B)连接。第一平衡-不平衡变换器(7)具有第一线圈(71)和第二线圈(72)。第二平衡-不平衡变换器(8)具有第三线圈(81)和第四线圈(82)。在第一平衡-不平衡变换器(7)中，第一线圈(71)的第一端(711)与放大器(3)的输入端子及输出端子中的连接于第一滤波器(1A)和第二滤波器(1B)的端子连接，第一线圈(71)的第二端(712)与地连接。在第一平衡-不平衡变换器(7)中，第二线圈(72)的第一端(721)与第一开关(5)连接，第二线圈(72)的第二端(722)与第二开关(6)连接。在第二平衡-不平衡变换器(8)中，第三线圈(81)的第一端(811)经由第一滤波器(1A)和第一开关(5)来与第二线圈(72)的第一端(721)连接，第三线圈(81)的第二端(822)经由第二滤波器(1B)和第二开关(6)来与第二线圈(72)的第二端(722)连接。在第二平衡-不平衡变换器(8)中，第四线圈(82)的第一端(821)与信号路径(S1)连接，第四线圈(82)的第二端(822)与地连接。
在第二方式所涉及的高频电路(100c；100d；100e；100f；100g；100h；100j；100k)中，作为非线性器件的开关(第一开关5和第二开关6)连接于第一平衡-不平衡变换器(7)与第二平衡-不平衡变换器(8)之间，因此能够减少对开关(第一开关5和第二开关6)施加的功率。由此，第二方式所涉及的高频电路(100c；100d；100e；100f；100g；100h；100j；100k)能够减少开关(第一开关5和第二开关6)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路(100c；100d；100e；100f；100g；100h；100j；100k)的特性的劣化。另外，在第二方式所涉及的高频电路(100c；100d；100e；100f；100g；100h；100j；100k)中，作为非线性器件的滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B)连接于第一平衡-不平衡变换器(7)与第二平衡-不平衡变换器(8)之间，因此能够减少对滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B各自)施加的功率。由此，第二方式所涉及的高频电路(100c；100d；100e；100f；100g；100h；100j；100k)能够减少滤波器(第一滤波器1A和第二滤波器1B各自)处的高频信号的信号失真，能够抑制高频电路(100c；100d；100e；100f；100g；100h；100j；100k)的特性的劣化。
基于第一方式的第三方式所涉及的高频电路(100；100a；100b；100i；100m)还具备第二滤波器(2)和第二放大器(4)。第二滤波器(2)不同于作为滤波器(1)的第一滤波器(1)。第二放大器(4)是作为放大器(3)的第一放大器(3)以外的另外的放大器，具有输入端子和输出端子。第二放大器(4)与第二滤波器(2)连接。第一滤波器(1)具有第一通带。第二滤波器(2)具有不同于第一通带的第二通带。第一放大器(3)是对第一发送信号进行放大的第一功率放大器(31)。第二放大器(4)是对不同于第一发送信号的第二发送信号进行放大的第二功率放大器(32)。
第三方式所涉及的高频电路(100；100a；100b；100i；100m)例如能够减少在进行利用了第一放大器(3)和第二放大器(4)的双上行链路载波聚合时发生的IMD的大小。
基于第二方式的第四方式所涉及的高频电路(100c；100d；100e；100f；100g；100h；100j)还具备第三滤波器(发送滤波器12)和第二放大器(4)。第三滤波器(发送滤波器12)具有不同于第一通带的第三通带。第二放大器(4)是作为放大器(3)的第一放大器(3)以外的另外的放大器，具有输入端子和输出端子。第二放大器(4)与第三滤波器(发送滤波器12)连接。第一放大器(3)是对第一发送信号进行放大的第一功率放大器(31)。第二放大器(4)是对不同于第一发送信号的第二发送信号进行放大的第二功率放大器(32)。
第四方式所涉及的(100c；100d；100e；100f；100g；100h；100j)例如能够减少在进行利用了第一放大器(3)和第二放大器(4)的双上行链路载波聚合时发生的IMD的大小。
基于第三方式或第四方式的第五方式所涉及的高频电路(100d；100e)还具备第三平衡-不平衡变换器(9)。第三平衡-不平衡变换器(9)具有第五线圈(91)和第六线圈(92)。在第三平衡-不平衡变换器(9)中，第五线圈(91)的第一端(911)与第二放大器(4)的输出端子连接，第五线圈(91)的第二端(912)与地连接。在第三平衡-不平衡变换器(9)中，第六线圈(92)的第一端(921)经由第一开关(5)来与第二平衡-不平衡变换器(8)的第三线圈(81)的第一端(811)连接，第六线圈(92)的第二端(922)经由第二开关(6)来与第二平衡-不平衡变换器(8)的第三线圈(81)的第二端(812)连接。
第五方式所涉及的高频电路(100d；100e)能够抑制第三平衡-不平衡变换器(9)与第二平衡-不平衡变换器(8)之间的信号失真，能够抑制高频电路(100d；100e)的特性的劣化。
基于第一方式或第二方式的第六方式所涉及的高频电路(100j)还具备第三开关(10)、第四开关(开关18)、发送滤波器(11C)以及控制器(13)。第三开关(10)与第二平衡-不平衡变换器(8)的第四线圈(82)的第一端(821)连接。第四开关(开关18)连接于放大器(3)的输出端子与第一平衡-不平衡变换器(7)之间。发送滤波器(11C)以不经由第一平衡-不平衡变换器(7)及第二平衡-不平衡变换器(8)的方式连接于第四开关(开关18)与第三开关(10)之间。控制器(13)对放大器(3)进行控制。放大器(3)是对发送信号进行放大的功率放大器(31)。放大器(3)能够以第一功率模式和第二功率模式进行动作，该第二功率模式的输出功率比第一功率模式的输出功率低。在控制器(13)使放大器(3)以第一功率模式进行动作时，第四开关(开关18)使放大器(3)的输出端子与第一平衡-不平衡变换器(7)之间成为导通状态，且使放大器(3)的输出端子与发送滤波器(11C)之间成为非导通状态。在控制器(13)使放大器(3)以第二功率模式进行动作时，第四开关(开关18)使放大器(3)的输出端子与第一平衡-不平衡变换器(7)之间成为非导通状态，且使放大器(3)的输出端子与发送滤波器(11C)之间成为导通状态。
第六方式所涉及的高频电路(100j)能够抑制在放大器(3)以第一功率模式进行动作时的信号失真，能够抑制高频电路(100j)的特性的劣化。
基于第一方式或第二方式的第七方式所涉及的高频电路(100k)还具备第三开关(10)、第二放大器(4)以及发送滤波器(12C)。第三开关(10)与第二平衡-不平衡变换器(8)的第四线圈(82)的第一端(821)连接。第二放大器(4)是作为放大器(3)的第一放大器(3)以外的另外的放大器，具有输入端子和输出端子。发送滤波器(12C)以不经由第一平衡-不平衡变换器(7)及第二平衡-不平衡变换器(8)的方式连接于第二放大器(4)的输出端子与第三开关(10)之间。第一放大器(3)支持第一功率等级。第二放大器(4)支持第二功率等级。第一功率等级的最大输出功率大于第二功率等级的最大输出功率。
第七方式所涉及的高频电路(100k)能够抑制在第一放大器(3)进行动作时的信号失真，能够抑制高频电路(100k)的特性的劣化。
在基于第一方式或第二方式的第八方式所涉及的高频电路(100m)中，放大器(3)是对接收信号进行放大的低噪声放大器(41)。第一平衡-不平衡变换器(7)与放大器(3)的输入端子连接。
第八方式所涉及的高频电路(100m)能够抑制高频电路(100m)的特性的劣化。
第九方式所涉及的高频模块(500；500a；500b；500c；500d；500e；500f；500g；500h；500i；500j；500k；500m)具备：第一方式～第八方式中的任一个方式的高频电路(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k；100m)；以及安装基板(501)。高频电路(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k；100m)的放大器(3)、第一开关(5)、第二开关(6)、第一平衡-不平衡变换器(7)和第二平衡-不平衡变换器(8)配置于安装基板(501)。
第九方式所涉及的高频模块(500；500a；500b；500c；500d；500e；500f；500g；500h；500i；500j；500k；500m)能够抑制高频电路(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k；100m)的特性的劣化。
基于第九方式的第十方式所涉及的高频模块(500；500a；500b；500c；500d；500e；500f；500g；500h；500i；500j；500k；500m)的安装基板(501)具有彼此相向的第一主面(511)和第二主面(512)。放大器(3)配置于安装基板(501)的第一主面(511)。第一开关(5)和第二开关(6)配置于安装基板(501)的第二主面(512)。第一平衡-不平衡变换器(7)和第二平衡-不平衡变换器(8)配置于安装基板(501)。在从安装基板(501)的厚度方向(D1)俯视时，第一平衡-不平衡变换器(7)的至少一部分与第一开关(5)及第二开关(6)重叠，第二平衡-不平衡变换器(8)的至少一部分与第一开关(5)及第二开关(6)重叠。
第十方式所涉及的高频模块(500；500a；500b；500c；500d；500e；500f；500g；500h；500i；500j；500k；500m)能够进一步抑制高频电路(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k；100m)的特性的劣化。
第十一方式所涉及的通信装置(600)具备：第一方式～第八方式中的任一个方式的高频电路(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k；100m)；以及信号处理电路(601)。信号处理电路(601)与高频电路(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k；100m)连接。
第十一方式所涉及的通信装置(600)能够抑制高频电路(100；100a；100b；100c；100d；100e；100f；100g；100h；100i；100j；100k；100m)的特性的劣化。
附图标记说明
1：滤波器(第一滤波器)；1A：第一滤波器；1B：第二滤波器；2：第二滤波器；3：放大器(第一放大器)；301：晶体管；302：晶体管；303：级间匹配电路；4：放大器(第二放大器)；5：第一开关；50：公共端子；51、52、53：选择端子；6：第二开关；60：公共端子；61、62、63：选择端子；7：第一平衡-不平衡变换器；71：第一线圈；711：第一端；712：第二端；72：第二线圈；721：第一端；722：第二端；8：第二平衡-不平衡变换器；81：第三线圈；811：第一端；812：第二端；82：第四线圈；821：第一端；822：第二端；9：第三平衡-不平衡变换器；91：第五线圈；911：第一端；912：第二端；92：第六线圈；921：第一端；922：第二端；10：第三开关；101、102：第一端子；111、112：第二端子；11：发送滤波器(第一发送滤波器)；11A：第一发送滤波器；11B：第二发送滤波器；11C：发送滤波器；12：发送滤波器(第二发送滤波器、第三滤波器)；12C：发送滤波器；13：控制器；14：第四开关；140：公共端子；141、142、143：选择端子；15：第五开关；150：公共端子；151、152、153：选择端子；16：第六开关；161、162：第一端子；165、166：第二端子；17：第四平衡-不平衡变换器；171：第七线圈；1711：第一端；1712：第二端；172：第八线圈；1721：第一端；1722：第二端；18：开关(第四开关)；180：公共端子；181、182：选择端子；21：接收滤波器(第一接收滤波器)；22：接收滤波器(第二接收滤波器)；31：功率放大器(第一功率放大器)；32：功率放大器(第二功率放大器)；41：低噪声放大器(第一低噪声放大器)；42：低噪声放大器(第二低噪声放大器)；100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100m：高频电路；500、500a、500b、500c、500d、500e、500f、500g、500h、500i、500j、500k、500m：高频模块；501：安装基板；511：第一主面；512：第二主面；520：树脂层(第一树脂层)；521：主面；523：外周面；530：金属电极层；540：第二树脂层；541：主面；543：外周面；600：通信装置；601：信号处理电路；602：RF信号处理电路；603：基带信号处理电路；A1：天线(第一天线)；A2：第二天线；Ba1：平衡-不平衡变换器；D1：厚度方向；E1：电子部件；E2：电子部件；S1：信号路径；M1：第一匹配电路；M11：电路元件；M2：第二匹配电路；M12：电路元件；T0：外部连接端子；T1：天线端子(第一天线端子)；T2：第二天线端子；T3：第一信号输入端子；T4：第二信号输入端子；T5：第一信号输出端子；T6：第二信号输出端子；T7：控制端子；T8：地端子。

Claims (11)

1.一种高频电路，具备：
滤波器；
放大器，其具有输入端子和输出端子，与所述滤波器连接；
第一开关；
第二开关；
第一平衡-不平衡变换器，其具有第一线圈和第二线圈；以及
第二平衡-不平衡变换器，其具有第三线圈和第四线圈，
其中，在所述第一平衡-不平衡变换器中，
所述第一线圈的第一端与所述放大器的所述输入端子及所述输出端子中的连接于所述滤波器的端子连接，
所述第一线圈的第二端与地连接，
所述第二线圈的第一端与所述第一开关连接，
所述第二线圈的第二端与所述第二开关连接，
在所述第二平衡-不平衡变换器中，
所述第三线圈的第一端经由所述第一开关来与所述第二线圈的所述第一端连接，
所述第三线圈的第二端经由所述第二开关来与所述第二线圈的所述第二端连接，
所述第四线圈的第一端与所述滤波器连接，
所述第四线圈的第二端与地连接。
2.一种高频电路，具备：
第一滤波器，其具有第一通带；
第二滤波器，其具有与所述第一通带相同的第二通带；
放大器，其具有输入端子和输出端子，与所述第一滤波器及所述第二滤波器连接；
第一开关；
第二开关；
第一平衡-不平衡变换器，其具有第一线圈和第二线圈；以及
第二平衡-不平衡变换器，其具有第三线圈和第四线圈，
其中，在所述第一平衡-不平衡变换器中，
所述第一线圈的第一端与所述放大器的所述输入端子及所述输出端子中的连接于所述第一滤波器及所述第二滤波器的端子连接，
所述第一线圈的第二端与地连接，
所述第二线圈的第一端与所述第一开关连接，
所述第二线圈的第二端与所述第二开关连接，
在所述第二平衡-不平衡变换器中，
所述第三线圈的第一端经由所述第一滤波器和所述第一开关来与所述第二线圈的所述第一端连接，
所述第三线圈的第二端经由所述第二滤波器和所述第二开关来与所述第二线圈的所述第二端连接，
所述第四线圈的第一端与信号路径连接，
所述第四线圈的第二端与地连接。
3.根据权利要求1所述的高频电路，其中，还具备：
第二滤波器，其不同于作为所述滤波器的第一滤波器；以及
第二放大器，其是作为所述放大器的第一放大器以外的另外的放大器，具有输入端子和输出端子，与所述第二滤波器连接，
其中，所述第一滤波器具有第一通带，
所述第二滤波器具有不同于所述第一通带的第二通带，
所述第一放大器是对第一发送信号进行放大的第一功率放大器，
所述第二放大器是对不同于所述第一发送信号的第二发送信号进行放大的第二功率放大器。
4.根据权利要求2所述的高频电路，其中，还具备：
第三滤波器，其具有不同于所述第一通带的第三通带；以及
第二放大器，其是作为所述放大器的第一放大器以外的另外的放大器，具有输入端子和输出端子，与所述第三滤波器连接，
其中，所述第一放大器是对第一发送信号进行放大的第一功率放大器，
所述第二放大器是对不同于所述第一发送信号的第二发送信号进行放大的第二功率放大器。
5.根据权利要求3或4所述的高频电路，其中，
还具备第三平衡-不平衡变换器，该第三平衡-不平衡变换器具有第五线圈和第六线圈，
在所述第三平衡-不平衡变换器中，
所述第五线圈的第一端与所述第二放大器的所述输出端子连接，
所述第五线圈的第二端与地连接，
所述第六线圈的第一端经由所述第一开关来与所述第二平衡-不平衡变换器的所述第三线圈的所述第一端连接，
所述第六线圈的第二端经由所述第二开关来与所述第二平衡-不平衡变换器的所述第三线圈的所述第二端连接。
6.根据权利要求1或2所述的高频电路，其中，还具备：
第三开关，其与所述第二平衡-不平衡变换器的所述第四线圈的所述第一端连接；
第四开关，其连接于所述放大器的所述输出端子与所述第一平衡-不平衡变换器之间；
发送滤波器，其以不经由所述第一平衡-不平衡变换器及所述第二平衡-不平衡变换器的方式连接于所述第四开关与所述第三开关之间；以及
控制器，其对所述放大器进行控制，
其中，所述放大器是对发送信号进行放大的功率放大器，
所述放大器能够以第一功率模式和第二功率模式进行动作，所述第二功率模式的输出功率比所述第一功率模式的输出功率低，
在所述控制器使所述放大器以所述第一功率模式进行动作时，所述第四开关使所述放大器的所述输出端子与所述第一平衡-不平衡变换器之间成为导通状态，且使所述放大器的所述输出端子与所述发送滤波器之间成为非导通状态，
在所述控制器使所述放大器以所述第二功率模式进行动作时，所述第四开关使所述放大器的所述输出端子与所述第一平衡-不平衡变换器之间成为非导通状态，且使所述放大器的所述输出端子与所述发送滤波器之间成为导通状态。
7.根据权利要求1或2所述的高频电路，其中，还具备：
第三开关，其与所述第二平衡-不平衡变换器的所述第四线圈的所述第一端连接；
第二放大器，其是作为所述放大器的第一放大器以外的另外的放大器，具有输入端子和输出端子；以及
发送滤波器，其以不经由所述第一平衡-不平衡变换器及所述第二平衡-不平衡变换器的方式连接于所述第二放大器的所述输出端子与所述第三开关之间，
其中，所述第一放大器支持第一功率等级，
所述第二放大器支持第二功率等级，
所述第一功率等级的最大输出功率大于所述第二功率等级的最大输出功率。
8.根据权利要求1或2所述的高频电路，其中，
所述放大器是对接收信号进行放大的低噪声放大器，
所述第一平衡-不平衡变换器与所述放大器的所述输入端子连接。
9.一种高频模块，具备：
根据权利要求1b8中的任一项所述的高频电路；以及
安装基板，
其中，所述高频电路的所述放大器、所述第一开关、所述第二开关、所述第一平衡-不平衡变换器以及所述第二平衡-不平衡变换器配置于所述安装基板。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其中，
所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，
所述放大器配置于所述安装基板的所述第一主面，
所述第一开关和所述第二开关配置于所述安装基板的所述第二主面，
所述第一平衡-不平衡变换器和所述第二平衡-不平衡变换器配置于所述安装基板，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，
所述第一平衡-不平衡变换器的至少一部分与所述第一开关及所述第二开关重叠，
所述第二平衡-不平衡变换器的至少一部分与所述第一开关及所述第二开关重叠。
11.一种通信装置，具备：
根据权利要求1～8中的任一项所述的高频电路；以及
信号处理电路，其与所述高频电路连接。
CN202280055168.5A 2021-08-11 2022-05-10 高频电路、高频模块以及通信装置 Pending CN117795857A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-131025 2021-08-11
JP2021131025 2021-08-11
PCT/JP2022/019819 WO2023017659A1 (ja) 2021-08-11 2022-05-10 高周波回路、高周波モジュール及び通信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117795857A true CN117795857A (zh) 2024-03-29

Family

ID=85199731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280055168.5A Pending CN117795857A (zh) 2021-08-11 2022-05-10 高频电路、高频模块以及通信装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240146261A1 (zh)
CN (1) CN117795857A (zh)
WO (1) WO2023017659A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101988406B1 (ko) * 2015-06-26 2019-06-12 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 집성된 반송파의 개별 반송파의 전력 검출
US11018714B2 (en) * 2018-11-27 2021-05-25 Skyworks Solutions, Inc. Radio front end module with reduced loss and increased linearity
US11595008B2 (en) * 2020-01-09 2023-02-28 Skyworks Solutions, Inc. Low noise amplifiers with low noise figure

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023017659A1 (ja) 2023-02-16
US20240146261A1 (en) 2024-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN214069915U (zh) 高频模块和通信装置
CN215420239U (zh) 高频模块和通信装置
WO2020184613A1 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
WO2021044691A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
KR102414508B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
US11418158B2 (en) Radio-frequency module and communication device
KR102432608B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN113412578B (zh) 高频模块和通信装置
CN214959529U (zh) 高频模块和通信装置
CN215186736U (zh) 高频模块和通信装置
CN213879810U (zh) 高频模块和通信装置
CN114600371A (zh) 高频模块和通信装置
CN215646782U (zh) 高频模块和通信装置
JP2021190847A (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021093607A (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US20210351802A1 (en) High-frequency module and communication apparatus
WO2022034817A1 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
CN116034548A (zh) 高频模块以及通信装置
CN215912092U (zh) 高频模块和通信装置
WO2022124262A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2023017659A1 (ja) 高周波回路、高周波モジュール及び通信装置
WO2022209728A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022209749A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022230708A1 (ja) 高周波回路及び通信装置
US20240048173A1 (en) High frequency module and communication apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination