WO2023017659A1

WO2023017659A1 - 高周波回路、高周波モジュール及び通信装置

Info

Publication number: WO2023017659A1
Application number: PCT/JP2022/019819
Authority: WO
Inventors: 邦俊花岡
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2021-08-11
Filing date: 2022-05-10
Publication date: 2023-02-16
Also published as: CN117795857A; US20240146261A1

Abstract

高周波回路の特性の劣化を抑制する。高周波回路（１００）の第１バラン（７）では、第１コイル（７１）の第１端（７１１）が増幅器（３）に接続されており、第１コイル（７１）の第２端（７１２）がグランドに接続されている。第１バラン（７）では、第２コイル（７２）の第１端（７２１）が第１スイッチ（５）に接続されており、第２コイル（７２）の第２端（７２２）が第２スイッチ（６）に接続されている。第２バラン（８）では、第３コイル（８１）の第１端（８１１）が第１スイッチ（５）を介して第２コイル（７２）の第１端（７２１）に接続されており、第３コイル（８１）の第２端（８１２）が第２スイッチ（６）を介して第２コイル（７２）の第２端（７２２）に接続されている。第２バラン（８）では、第４コイル（８２）の第１端（８２１）がフィルタ（１）に接続されており、第４コイル（８２）の第２端（８２２）が、グランドに接続されている。

Description

高周波回路、高周波モジュール及び通信装置

　本発明は、一般に高周波回路、高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、増幅器を備える高周波回路、高周波回路を備える高周波モジュール、及び、高周波回路を備える通信装置に関する。

　特許文献１には、電力増幅器と、フィルタと、電力増幅器とフィルタとを接続するスイッチと、フィルタとアンテナとを接続するスイッチと、を備える高周波回路が開示されている。

特開２０１７－１７６９１号公報

　高周波回路においては、フィルタ、スイッチ等のデバイスにかかる電力が大きい場合、デバイスにおいて信号歪が発生し、高周波回路の特性が劣化することがある。

　本発明の目的は、特性の劣化を抑制することが可能な高周波回路、高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。

　本発明の一態様に係る高周波回路は、フィルタと、増幅器と、第１スイッチと、第２スイッチと、第１バランと、第２バランと、を備える。前記増幅器は、入力端子及び出力端子を有する。前記増幅器は、前記フィルタに接続される。前記第１バランは、第１コイル及び第２コイルを有する。前記第２バランは、第３コイル及び第４コイルを有する。前記第１バランでは、前記第１コイルの第１端が、前記増幅器の前記入力端子と前記出力端子とのうち前記フィルタに接続される端子に接続されており、前記第１コイルの第２端が、グランドに接続されている。前記第１バランでは、前記第２コイルの第１端が、前記第１スイッチに接続されており、前記第２コイルの第２端が、前記第２スイッチに接続されている。前記第２バランでは、前記第３コイルの第１端が、前記第１スイッチを介して前記第２コイルの前記第１端に接続されており、前記第３コイルの第２端が、前記第２スイッチを介して前記第２コイルの前記第２端に接続されている。前記第２バランでは、前記第４コイルの第１端が、前記フィルタに接続されており、前記第４コイルの第２端が、グランドに接続されている。

　本発明の一態様に係る高周波回路は、第１フィルタと、第２フィルタと、増幅器と、第１スイッチと、第２スイッチと、第１バランと、第２バランと、を備える。前記第１フィルタは、第１通過帯域を有する。前記第２フィルタは、前記第１通過帯域と同じ第２通過帯域を有する。前記増幅器は、入力端子及び出力端子を有する。前記増幅器は、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタに接続される。前記第１バランは、第１コイル及び第２コイルを有する。前記第２バランは、第３コイル及び第４コイルを有する。前記第１バランでは、前記第１コイルの第１端が、前記増幅器の前記入力端子と前記出力端子とのうち前記第１フィルタ及び前記第２フィルタに接続される端子に接続されており、前記第１コイルの第２端が、グランドに接続されている。前記第１バランでは、前記第２コイルの第１端が、前記第１スイッチに接続されており、前記第２コイルの第２端が、前記第２スイッチに接続されている。前記第２バランでは、前記第３コイルの第１端が、前記第１フィルタ及び前記第１スイッチを介して前記第２コイルの前記第１端に接続されており、前記第３コイルの第２端が、前記第２フィルタ及び前記第２スイッチを介して前記第２コイルの前記第２端に接続されている。前記第２バランでは、前記第４コイルの第１端が、信号経路に接続されており、前記第４コイルの第２端が、グランドに接続されている。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、上記高周波回路と、実装基板と、を備える。前記高周波回路の前記増幅器、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ、前記第１バラン及び前記第２バランは、前記実装基板に配置されている。

　本発明の一態様に係る通信装置は、上記高周波回路と、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波回路に接続されている。

　本発明の上記態様に係る高周波回路、高周波モジュール及び通信装置は、高周波回路の特性の劣化を抑制することが可能となる。

図１は、実施形態１に係る高周波回路を備える通信装置の回路構成図である。図２は、同上の高周波回路の回路図である。図３Ａは、同上の高周波回路を備える高周波モジュールの断面図である。図３Ｂは、同上の高周波回路を備える高周波モジュールの別の断面図である。図４は、同上の高周波回路を備える高周波モジュールの下面図である。図５は、実施形態２に係る高周波回路の回路図である。図６は、同上の高周波回路を備える高周波モジュールの断面図である。図７は、実施形態３に係る高周波回路の断面図である。図８は、実施形態４に係る高周波回路の回路図である。図９は、同上の高周波回路を備える高周波モジュールの断面図である。図１０は、同上の高周波回路を備える高周波モジュールの下面図である。図１１は、実施形態５に係る高周波回路の回路図である。図１２は、実施形態６に係る高周波回路の回路図である。図１３は、実施形態７に係る高周波回路の回路図である。図１４は、実施形態８に係る高周波回路の回路図である。図１５は、実施形態９に係る高周波回路の回路図である。図１６は、実施形態１０に係る高周波回路の回路図である。図１７は、実施形態１１に係る高周波回路の回路図である。図１８は、実施形態１２に係る高周波回路の回路図である。図１９は、実施形態１３に係る高周波回路の回路図である。

　以下の実施形態等において参照する各図は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態１）
　以下、実施形態１に係る高周波回路１００、高周波モジュール５００及び通信装置６００について、図１～４に基づいて説明する。

　高周波回路１００は、図１に示すように、フィルタ１（送信フィルタ１１）と、増幅器３（パワーアンプ３１）と、第１スイッチ５と、第２スイッチ６と、第１バラン７と、第２バラン８と、を備える。増幅器３は、入力端子及び出力端子を有する。増幅器３は、フィルタ１に接続される。第１バラン７は、図２に示すように、第１コイル７１及び第２コイル７２を有する。第２バラン８は、図２に示すように、第３コイル８１及び第４コイル８２を有する。第１バラン７では、第１コイル７１の第１端７１１が、増幅器３の出力端子に接続されており、第１コイル７１の第２端７１２が、グランドに接続されている。第１バラン７では、第２コイル７２の第１端７２１が、第１スイッチ５に接続されており、第２コイル７２の第２端７２２が、第２スイッチ６に接続されている。第２バラン８では、第３コイル８１の第１端８１１が、第１スイッチ５を介して第２コイル７２の第１端７２１に接続されており、第３コイル８１の第２端８１２が、第２スイッチ６を介して第２コイル７２の第２端７２２に接続されている。第２バラン８では、第４コイル８２の第１端８２１が、フィルタ１に接続されており、第４コイル８２の第２端８２２が、グランドに接続されている。

　また、高周波回路１００は、図１に示すように、フィルタ１（以下、第１フィルタ１とも称する）とは異なる第２フィルタ２（送信フィルタ１２）を更に備える。第１フィルタは、第１通過帯域を有する。第２フィルタ２は、第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有する。また、高周波回路１００は、増幅器３（以下、第１増幅器３とも称する）とは別個の第２増幅器４（パワーアンプ３２）を更に備える。第２増幅器４は、入力端子及び出力端子を有し、第２フィルタ２に接続されている。

　また、高周波回路１００は、複数（図示例では２つ）の受信フィルタ２１、２２と、複数（図示例では、２つ）のローノイズアンプ４１、４２と、を更に備える。

　また、高周波回路１００は、アンテナ端子Ｔ１と、第３スイッチ１０と、を更に備える。第３スイッチ１０は、アンテナ端子Ｔ１と第２バラン８との間に接続されている。また、高周波回路１００は、アンテナ端子Ｔ１とは別個の第２アンテナ端子Ｔ２を更に備える。第３スイッチ１０は、第１フィルタ１と第１アンテナ端子Ｔ１とを接続可能に構成され、第２フィルタ２と第２アンテナ端子Ｔ２とを接続可能に構成されている。

　第１フィルタ１（送信フィルタ１１）の有する第１通過帯域は、第１通信バンドの周波数帯を含む。第２フィルタ２（送信フィルタ１２）の有する第２通過帯域は、第１通信バンドと同時通信可能な第２通信バンドの周波数帯を含む。また、受信フィルタ２１の有する通過帯域は、第１通信バンドの周波数帯を含む。受信フィルタ２２の有する通過帯域は、第２通信バンドの周波数帯を含む。「同時通信可能」とは、同時受信と、同時送信と、同時送受信と、の少なくとも１つが可能であることを意味する。高周波回路１００では、第１通信バンドと第２通信バンドとの組み合わせは、高周波回路１００において同時受信と、同時送信と、同時送受信と、のいずれも可能な組み合わせである。

　高周波回路１００は、図１に示すように、例えば、通信装置６００に用いられる。通信装置６００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波回路１００は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能な高周波フロントエンド回路である。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波回路１００は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能な高周波フロントエンド回路である。同時通信可能な第１通信バンドと第２通信バンドとの組み合わせは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格で定められている通信バンドの周波数帯及び５Ｇ　ＮＲ規格で定められている通信バンドの周波数帯のうち、互いの一部において重なる、又は全く重ならない複数の周波数帯の組み合わせである。周波数帯は、ダウンリンクの周波数帯又はアップリンクの周波数帯である。ダウンリンクの周波数帯は、受信帯域である。アップリンクの周波数帯は、送信帯域である。

　高周波回路１００は、例えば、信号処理回路６０１から入力された第１周波数帯域の送信信号（高周波信号）を増幅してアンテナＡ１（以下、第１アンテナＡ１とも称する）に出力できるように構成されている。また、高周波回路１００は、信号処理回路６０１から入力された第２周波数帯域の送信信号（高周波信号）を増幅してアンテナＡ２（以下、第２アンテナＡ２とも称する）から出力できるように構成されている。また、高周波回路１００は、第１アンテナＡ１から入力された第１周波数帯域の受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路６０１に出力できるように構成されている。また、高周波回路１００は、第２アンテナＡ２から入力された第２周波数帯域の受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路６０１に出力できるように構成されている。信号処理回路６０１は、高周波回路１００の構成要素ではなく、高周波回路１００を備える通信装置６００の構成要素である。高周波回路１００は、例えば、通信装置６００の備える信号処理回路６０１によって制御される。通信装置６００は、高周波回路１００と、信号処理回路６０１と、を備える。通信装置６００は、第１アンテナＡ１と、第２アンテナＡ２と、を更に備える。高周波モジュール５００は、高周波回路１００と、実装基板５０１（図３Ａ、３Ｂ及び４参照）と、を備える。

　以下、実施形態１に係る高周波回路１００、高周波モジュール５００及び通信装置６００それぞれについて、より詳細に説明する。

　（１）高周波回路
　（１．１）高周波回路の回路構成
　高周波回路１００は、例えば、図１に示すように、複数（例えば、２つ）の送信フィルタ１１、１２と、複数（例えば、２つ）のパワーアンプ３１、３２と、コントローラ１３と、を備える。また、高周波回路１００は、高周波回路１００は、複数（例えば、２つ）の受信フィルタ２１、２２と、複数（例えば、２つ）のローノイズアンプ４１、４２と、を備える。また、高周波回路１００は、第１スイッチ５と、第２スイッチ６と、第３スイッチ１０と、第４スイッチ１４と、第５スイッチ１５と、第６スイッチ１６と、第１バラン７と、第２バラン８と、を備える。また、高周波回路１００は、第１整合回路Ｍ１（図２参照）と、第２整合回路Ｍ２（図２参照）と、を備える。また、高周波回路１００は、コントローラ１３を更に備える。また、高周波回路１００は、第１アンテナ端子Ｔ１と、第２アンテナ端子Ｔ２と、第１信号入力端子Ｔ３と、第２信号入力端子Ｔ４と、第１信号出力端子Ｔ５と、第２信号出力端子Ｔ６と、制御端子Ｔ７と、を更に備える。

　（１．１．１）送信フィルタ
　以下では、説明の便宜上、送信フィルタ１１を第１送信フィルタ１１と称し、送信フィルタ１２を第２送信フィルタ１２とも称する。実施形態１に係る高周波回路１００では、第１送信フィルタ１１が上述の第１フィルタ１を構成し、第２送信フィルタ１２が上述の第２フィルタ２を構成している。複数の送信フィルタ１１、１２の各々は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極を含むＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。

　第１送信フィルタ１１は、第１通信バンドのアップリンクの周波数帯を含む通過帯域を有するフィルタである。第２送信フィルタ１２は、第２通信バンドのアップリンクの周波数帯を含む通過帯域を有するフィルタである。第１通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５である。第２通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６である。

　（１．１．２）パワーアンプ
　以下では、説明の便宜上、パワーアンプ３１を第１パワーアンプ３１と称し、パワーアンプ３２を第２パワーアンプ３２と称する。実施形態１に係る高周波回路１００では、第１パワーアンプ３１が上述の第１増幅器３を構成し、第２パワーアンプ３２が上述の第２増幅器４を構成している。

　第１パワーアンプ３１は、入力端子及び出力端子を有する。第１パワーアンプ３１は、入力端子に入力された第１周波数帯域の送信信号（第１送信信号）を増幅して出力端子から出力する。第１周波数帯域は、例えば、第１通信バンドの周波数帯を含み、第２通信バンドの周波数帯を含まない。より詳細には、第１周波数帯域は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５のアップリンクの周波数帯を含み、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６のアップリンクの周波数帯を含まない。また、第１周波数帯域は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３のアップリンクの周波数帯と、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３４のアップリンクの周波数帯と、を更に含む。

　第１パワーアンプ３１の入力端子は、第１信号入力端子Ｔ３に接続されている。第１パワーアンプ３１の入力端子は、第１信号入力端子Ｔ３を介して信号処理回路６０１に接続される。第１信号入力端子Ｔ３は、外部回路（例えば、信号処理回路６０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波回路１００に入力するための端子である。第１パワーアンプ３１の出力端子は、第１バラン７に接続されている。したがって、第１パワーアンプ３１の出力端子は、第１バラン７を介して第１スイッチ５及び第２スイッチ６に接続されている。高周波回路１００では、第１スイッチ５及び第２スイッチ６が第２バラン８に接続され、第２バラン８が第１送信フィルタ１１に接続されている。

　第２パワーアンプ３２は、入力端子及び出力端子を有する。第２パワーアンプ３２は、入力端子に入力された第２周波数帯域の送信信号（第２送信信号）を増幅して出力端子から出力する。第２周波数帯域は、例えば、第２通信バンドの周波数帯を含み、第１通信バンドの周波数帯を含まない。

　第２パワーアンプ３２の入力端子は、第２信号入力端子Ｔ４に接続されている。第２パワーアンプ３２の入力端子は、第２信号入力端子Ｔ４を介して信号処理回路６０１に接続される。第２信号入力端子Ｔ４は、外部回路（例えば、信号処理回路６０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波回路１００に入力するための端子である。第２パワーアンプ３２の出力端子は、送信フィルタ１２（第２フィルタ２）に接続されている。

　（１．１．３）コントローラ
　コントローラ１３は、制御端子Ｔ７に接続されている。制御端子Ｔ７は、例えば、信号処理回路６０１に接続される。コントローラ１３は、信号処理回路６０１からの制御信号に基づいて第１パワーアンプ３１を制御する。また、コントローラ１３は、信号処理回路６０１からの制御信号に基づいて第２パワーアンプ３２も制御する。

　（１．１．４）受信フィルタ
　以下では、説明の便宜上、受信フィルタ２１を第１受信フィルタ２１と称し、受信フィルタ２２を第２受信フィルタ２２とも称する。複数の受信フィルタ２１、２２の各々は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＩＤＴ電極を含むＳＡＷ共振子である。

　第１受信フィルタ２１は、第１通信バンドのダウンリンクの周波数帯を含む通過帯域を有するフィルタである。第２受信フィルタ２２は、第２通信バンドのダウンリンクの周波数帯を含む通過帯域を有するフィルタである。第１通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５である。第２通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６である。

　（１．１．５）ローノイズアンプ
　以下では、説明の便宜上、ローノイズアンプ４１を第１ローノイズアンプ４１と称し、ローノイズアンプ４２を第２ローノイズアンプ４２と称する。

　第１ローノイズアンプ４１は、入力端子及び出力端子を有する。第１ローノイズアンプ４１は、入力端子に入力された第３周波数帯域の受信信号を増幅して出力端子から出力する。第３周波数帯域は、例えば、第１通信バンドの周波数帯を含み、第２通信バンドの周波数帯を含まない。より詳細には、第３周波数帯域は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５のダウンリンクの周波数帯を含み、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６のダウンリンクの周波数帯を含まない。また、第３周波数帯域は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ７０のダウンリンクの周波数帯を更に含む。

　第１ローノイズアンプ４１の入力端子は、第４スイッチ１４の共通端子１４０に接続されており、第４スイッチ１４を介して第１受信フィルタ２１に接続される。第１ローノイズアンプ４１の出力端子は、第６スイッチ１６に接続されており、第６スイッチ１６を介して第１信号出力端子Ｔ５に接続される。第１信号出力端子Ｔ５は、第１ローノイズアンプ４１からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路６０１）へ出力するための端子である。したがって、第１ローノイズアンプ４１は、第１信号出力端子Ｔ５を介して信号処理回路６０１に接続される。

　第２ローノイズアンプ４２は、入力端子及び出力端子を有する。第２ローノイズアンプ４２は、入力端子に入力された第４周波数帯域の受信信号を増幅して出力端子から出力する。第４周波数帯域は、例えば、第２通信バンドの周波数帯を含み、第１通信バンドの周波数帯を含まない。より詳細には、第４周波数帯域は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６のダウンリンクの周波数帯を含み、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５のダウンリンクの周波数帯を含まない。

　第２ローノイズアンプ４２の入力端子は、第５スイッチ１５の共通端子１５０に接続されており、第５スイッチ１５を介して第２受信フィルタ２２に接続される。第２ローノイズアンプ４２の出力端子は、第６スイッチ１６に接続されており、第６スイッチ１６を介して第２信号出力端子Ｔ６に接続される。第２信号出力端子Ｔ６は、第２ローノイズアンプ４２からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路６０１）へ出力するための端子である。したがって、第２ローノイズアンプ４２は、第２信号出力端子Ｔ６を介して信号処理回路６０１に接続される。

　（１．１．６）第１スイッチ
　第１スイッチ５は、共通端子５０と、複数（図示例では、３つ）の選択端子５１～５３と、を有する。共通端子５０は、第１バラン７における第２コイル７２の第１端７２１に接続されている（図２参照）。選択端子５１は、第２バラン８における第３コイル８１の第１端８１１に接続されている（図２参照）。第１スイッチ５は、例えば、共通端子５０に３つの選択端子５１～５３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

　第１スイッチ５は、例えば、信号処理回路６０１によって制御される。第１スイッチ５は、信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２からの制御信号に従って、共通端子５０と３つの選択端子５１～５３との接続状態を切り替える。第１スイッチ５は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。

　（１．１．７）第２スイッチ
　第２スイッチ６は、共通端子６０と、複数（図示例では、３つ）の選択端子６１～６３と、を有する。共通端子６０は、第１バラン７における第２コイル７２の第２端７２２に接続されている（図２参照）。選択端子６１は、第２バラン８における第３コイル８１の第２端８１２に接続されている（図２参照）。第２スイッチ６は、例えば、共通端子６０に３つの選択端子６１～６３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ６は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

　第２スイッチ６は、例えば、信号処理回路６０１によって制御される。第２スイッチ６は、信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２からの制御信号に従って、共通端子６０と３つの選択端子６１～６３との接続状態を切り替える。第２スイッチ６は、例えば、スイッチＩＣである。

　（１．１．８）第３スイッチ
　第３スイッチ１０は、２つの第１端子１０１、１０２と、複数（図示例では、２つ）の第２端子１１１、１１２と、を有する。第１端子１０１は、第１アンテナ端子Ｔ１に接続されている。第１端子１０２は、第２アンテナ端子Ｔ２に接続されている。第２端子１１１は、第１送信フィルタ１１及び第１受信フィルタ２１に接続されている。より詳細には、第２端子１１１は、第１送信フィルタ１１の出力端子と第１受信フィルタ２１の入力端子との接続点に接続されている。第２端子１１２は、第２送信フィルタ１２及び第２受信フィルタ２２に接続されている。より詳細には、第２端子１１２は、第２送信フィルタ１２の出力端子と第２受信フィルタ２２の入力端子との接続点に接続されている。

　第３スイッチ１０では、第１端子１０１と第２端子１１１とを接続可能であり、かつ、第１端子１０２と第２端子１１２とを接続可能である。

　第３スイッチ１０は、例えば、信号処理回路６０１によって制御される。第３スイッチ１０は、信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２からの制御信号に従って、第１端子１０１、１０２と第２端子１１１、１１２との接続状態を切り替える。第３スイッチ１０は、例えば、スイッチＩＣである。

　（１．１．９）第４スイッチ
　第４スイッチ１４は、共通端子１４０と、複数（図示例では、３つ）の選択端子１４１～１４３と、を有する。共通端子１４０は、第１ローノイズアンプ４１の入力端子に接続されている。選択端子１４１は、第１受信フィルタ２１の出力端子に接続されている。第４スイッチ１４は、例えば、共通端子１４０と複数の選択端子１４１～１４３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第４スイッチ１４は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

　第４スイッチ１４は、例えば、信号処理回路６０１によって制御される。第４スイッチ１４は、信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２からの制御信号に従って、共通端子１４０と複数の選択端子１４１～１４３との接続状態を切り替える。第４スイッチ１４は、例えば、スイッチＩＣである。

　（１．１．１０）第５スイッチ
　第５スイッチ１５は、共通端子１５０と、複数（図示例では、３つ）の選択端子１５１～１５３と、を有する。共通端子１５０は、第２ローノイズアンプ４２の入力端子に接続されている。選択端子１５１は、第２受信フィルタ２２の出力端子に接続されている。第５スイッチ１５は、例えば、共通端子１５０と複数の選択端子１５１～１５３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第５スイッチ１５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。

　第５スイッチ１５は、例えば、信号処理回路６０１によって制御される。第５スイッチ１５は、信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２からの制御信号に従って、共通端子１５０と複数の選択端子１５１～１５３との接続状態を切り替える。第５スイッチ１５は、例えば、スイッチＩＣである。

　（１．１．１１）第６スイッチ
　第６スイッチ１６は、２つの第１端子１６１、１６２と、複数（図示例では、２つ）の第２端子１６５、１６６と、を有する。第１端子１６１は、第１信号出力端子Ｔ５に接続されている。第１端子１６２は、第２信号出力端子Ｔ６に接続されている。第２端子１６５は、第１ローノイズアンプ４１の出力端子に接続されている。第２端子１６６は、第２ローノイズアンプ４２の出力端子に接続されている。

　第６スイッチ１６では、第１端子１６１と第２端子１６５とを接続可能であり、かつ、第１端子１６２と第２端子１６６とを接続可能である。

　第６スイッチ１６は、例えば、信号処理回路６０１によって制御される。第６スイッチ１６は、信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２からの制御信号に従って、第１端子１６１、１６２と第２端子１６５、１６６との接続状態を切り替える。第６スイッチ１６は、例えば、スイッチＩＣである。

　（１．１．１２）第１バラン
　第１バラン７は、図２に示すように、第１コイル７１及び第２コイル７２を有する。第１コイル７１と第２コイル７２とは対向している。第１バラン７では、第１コイル７１の第１端７１１が増幅器３に接続されており、第１コイル７１の第２端７１２がグランドに接続されている。第１バラン７では、第２コイル７２の第１端７２１が第１スイッチ５に接続されており、第２コイル７２の第２端７２２が第２スイッチ６に接続されている。

　第１バラン７は、第１コイル７１の第１端７１１（不平衡端子）に入力された高周波信号（不平衡信号）を一対の高周波信号（第１高周波信号及び第２高周波信号）に変換して第１高周波信号を第２コイル７２の第１端７２１（第１平衡端子）から出力し、かつ第２高周波信号を第２コイル７２の第２端７２２（第２平衡端子）から出力する。第１高周波信号と第２高周波信号とは互いに逆位相となる。第１バラン７では、第１コイル７１の第１端７１１が、不平衡端子を構成しているが、これに限らない。例えば、第１バラン７は、第１端７１１に接続された不平衡端子を有していてもよい。また、第１バラン７では、第２コイル７２の第１端７２１及び第２端７２２が一対の平衡端子を構成しているが、これに限らない。例えば、第１バラン７は、第２コイル７２の第１端７２１及び第２端７２２に一対一に接続された一対の平衡端子を有していてもよい。

　（１．１．１３）第２バラン
　第２バラン８は、図２に示すように、第３コイル８１及び第４コイル８２を有する。第３コイル８１と第４コイル８２とは対向している。第２バラン８では、第３コイル８１の第１端８１１が第１スイッチ５を介して第２コイル７２の第１端７２１に接続されており、第３コイル８１の第２端８１２が第２スイッチ６を介して第２コイル７２の第１端７２１に接続されている。第２バラン８では、第４コイル８２の第１端８２１がフィルタ１に接続されており、第４コイル８２の第２端８２２が、グランドに接続されている。

　第２バラン８は、第３コイル８１の第１端８１１及び第２端８１２それぞれに入力された一対の高周波信号（第１高周波信号及び第２高周波信号）を不平衡の高周波信号に変換して第４コイル８２の第１端８２１から出力する。第２バラン８では、第３コイル８１の第１端８１１及び第２端８１２が一対の平衡端子を構成しているが、これに限らない。例えば、第２バラン８は、第３コイル８１の第１端８１１及び第２端８１２に一対一に接続された一対の平衡端子を有していてもよい。また、第２バラン８では、第４コイル８２の第１端８２１が、不平衡端子を構成しているが、これに限らない。例えば、第２バラン８は、第１端８２１に接続された不平衡端子を有していてもよい。

　（１．１．１４）第１整合回路及び第２整合回路
　第１整合回路Ｍ１は、インピーダンス整合用の整合回路である。第１整合回路Ｍ１は、第１バラン７の第２コイル７２と第１スイッチ５との間に接続されている。より詳細には、第１整合回路Ｍ１は、第１バラン７の第２コイル７２の第１端７２１と第１スイッチ５の共通端子５０との間に接続されている。第１整合回路Ｍ１は、インダクタ、キャパシタ及び抵抗のうち少なくとも１つを含む。第２整合回路Ｍ２は、インピーダンス整合用の整合回路である。第２整合回路Ｍ２は、第１バラン７の第２コイル７２と第２スイッチ６との間に接続されている。より詳細には、第２整合回路Ｍ２は、第１バラン７の第２コイル７２の第２端７２２と第２スイッチ６の共通端子６０との間に接続されている。

　（１．２）まとめ
　実施形態１に係る高周波回路１００は、フィルタ１（送信フィルタ１１）と、増幅器３（パワーアンプ３１）と、第１スイッチ５と、第２スイッチ６と、第１バラン７と、第２バラン８と、を備える。増幅器３は、入力端子及び出力端子を有する。増幅器３は、フィルタ１に接続される。第１バラン７は、第１コイル７１及び第２コイル７２を有する。第２バラン８は、第３コイル８１及び第４コイル８２を有する。第１バラン７では、第１コイル７１の第１端７１１が、増幅器３の出力端子に接続されており、第１コイル７１の第２端７１２が、グランドに接続されている。第１バラン７では、第２コイル７２の第１端７２１が、第１スイッチ５に接続されており、第２コイル７２の第２端７２２が、第２スイッチ６に接続されている。第２バラン８では、第３コイル８１の第１端８１１が、第１スイッチ５を介して第２コイル７２の第１端７２１に接続されており、第３コイル８１の第２端８１２が、第２スイッチ６を介して第２コイル７２の第２端７２２に接続されている。第２バラン８では、第４コイル８２の第１端８２１が、フィルタ１に接続されており、第４コイル８２の第２端８２２が、グランドに接続されている。

　実施形態１に係る高周波回路１００は、高周波回路１００の特性の劣化を抑制することが可能となる。より詳細には、高周波回路１００は、非線形性デバイスであるスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、高周波回路１００は、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路１００の特性の劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態１に係る高周波回路１００は、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）及びフィルタ１それぞれにかかる電力の低減と、これによるスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）及びフィルタ１それぞれの温度上昇の抑制効果と、によって、高周波信号の歪を低減することが可能となる。

　また、実施形態１に係る高周波回路１００では、増幅器３は、送信信号を増幅するパワーアンプ３１である。第１バラン７は、増幅器３の出力端子に接続されている。よって、実施形態１に係る高周波回路１００は、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）での高周波信号（送信信号）の信号歪を抑制することが可能となる。

　また、実施形態１に係る高周波回路１００は、第１フィルタ１とは異なる第２フィルタ２と、増幅器３である第１増幅器３とは別個であり、入力端子及び出力端子を有し、第２フィルタ２に接続される第２増幅器４と、を更に備える。第１フィルタ１は、第１通過帯域を有する。第２フィルタ２は、第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有する。

　実施形態１に係る高周波回路１００は、例えば、第１増幅器３（第１パワーアンプ３１）と第２増幅器４（第２パワーアンプ３２）とを利用した２アップリンクキャリアアグリゲーションを行ったときに発生するＩＭＤ（Intermodulation Distortion）の大きさを低減することが可能となる。

　（２）高周波モジュール
　以下、高周波回路１００を備える高周波モジュール５００について、図３Ａ、３Ｂ及び４に基づいて、より詳細に説明する。なお、図３Ａは、図４のＸ１－Ｘ１線断面に対応する断面図である。また、図３Ｂは、図４のＸ２－Ｘ２線断面に対応する断面図である。

　（２．１）高周波モジュールの構成
　高周波モジュール５００は、高周波回路１００と、実装基板５０１と、を備える。実装基板５０１は、互いに対向する第１主面５１１及び第２主面５１２を有する。増幅器３は、実装基板５０１の第１主面５１１に配置されている。第１スイッチ５及び第２スイッチ６は、実装基板５０１の第２主面５１２に配置されている。第１バラン７及び第２バラン８は、実装基板５０１に配置されている。また、高周波モジュール５００では、複数の外部接続端子Ｔ０が、実装基板５０１の第２主面５１２に配置されている。また、高周波モジュール５００は、樹脂層５２０（以下、第１樹脂層５２０ともいう）と、金属電極層５３０と、を更に備える。また、高周波モジュール５００は、第２樹脂層５４０を更に備える。

　（２．１．１）実装基板
　実装基板５０１は、図３Ａ及び３Ｂに示すように、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面５１１及び第２主面５１２を有する。実装基板５０１は、複数の誘電体層と、複数の導電層と、複数のビア導体と、を含む。実装基板５０１では、複数の誘電体層と複数の導電層とが実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１において１層ずつ交互に積層されている。つまり、実装基板５０１は、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、１つ又は複数の導体部を含む。実装基板５０１は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板５０１がＬＴＣＣ基板の場合、各誘電体層の材料は、例えば、アルミナとガラスとを含むセラミックである。また、各導電層の材料は、例えば、銅である。各導電層の材料は、銅に限らず、例えば、銀でもよい。実装基板５０１は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。

　実装基板５０１の第１主面５１１及び第２主面５１２は、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板５０１における第１主面５１１は、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１に直交している面と、厚さ方向Ｄ１に直交しない面と、を含んでいる。また、実装基板５０１における第２主面５１２は、例えば、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。

　複数の導電層の１つは、グランド層を含む。グランド層は、高周波モジュール５００の回路グランドである。グランド層は、ビア導体等を介してグランド端子Ｔ８に接続されている。また、グランド層は、金属電極層５３０と電気的に接続されている。グランド層は、金属電極層５３０に接している。

　（２．１．２）電子部品
　高周波モジュール５００では、複数の電子部品が実装基板５０１の第１主面５１１に実装され、複数の電子部品が実装基板５０１の第２主面５１２に実装されている。「電子部品が実装基板５０１の第１主面５１１に実装されている」とは、電子部品が実装基板５０１の第１主面５１１に配置されていること（機械的に接続されていること）と、電子部品が実装基板５０１（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。「電子部品が実装基板５０１の第２主面５１２に実装されている」とは、電子部品が実装基板５０１の第２主面５１２に配置されていること（機械的に接続されていること）と、電子部品が実装基板５０１（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。実装基板５０１の第１主面５１１に実装されている複数の電子部品は、第１パワーアンプ３１（第１増幅器３）、第２パワーアンプ３２（第２増幅器４）、第１送信フィルタ１１（第１フィルタ１）、第２送信フィルタ１２（第２フィルタ２）、第１整合回路Ｍ１の複数の回路素子Ｍ１１、第２整合回路Ｍ２の複数の回路素子Ｍ１２を含む。実装基板５０１の第２主面５１２に実装されている複数の電子部品は、第１ローノイズアンプ４１、第２ローノイズアンプ４２、第１スイッチ５、第２スイッチ６、第３スイッチ１０、第４スイッチ１４、第５スイッチ１５及び第６スイッチ１６を含む。第１パワーアンプ３１及び第２パワーアンプ３２は、例えば、ＧａＡｓ系チップである。第１ローノイズアンプ４１、第２ローノイズアンプ４２、第１スイッチ５、第２スイッチ６、第３スイッチ１０、第４スイッチ１４、第５スイッチ１５及び第６スイッチ１６の各々は、Ｓｉ系チップである。第１整合回路Ｍ１の複数の回路素子Ｍ１１は、例えば、チップインダクタ、チップキャパシタ及びチップ抵抗を含む。第２整合回路Ｍ２の複数の回路素子Ｍ１２は、例えば、チップインダクタ、チップキャパシタ及びチップ抵抗を含む。第１整合回路Ｍ１の回路構成と第２整合回路Ｍ２の回路構成とは同じである。第１整合回路Ｍ１は、複数の回路素子Ｍ１１を含む構成に限らない。第２整合回路Ｍ２は、複数の回路素子Ｍ１２を含む構成に限らない。また、第１整合回路Ｍ１及び第２整合回路Ｍ２の各々は、ＩＰＤ（Integrated Passive Device）であってもよい。

　実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板５０１の第１主面５１１に実装されている複数の電子部品の各々の外縁は、四角形状である。また、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板５０１の第２主面５１２に実装されている複数の電子部品の各々の外縁は、四角形状である。

　（２．１．３）第１バラン及び第２バラン
　高周波回路１００における第１バラン７及び第２バラン８は、実装基板５０１に内蔵されている。第１バラン７の第１コイル７１は、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１に交差（例えば、直交）する第１導体パターン部Ｐ１を含む。第１バラン７の第２コイル７２は、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１に交差（例えば、直交）し実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１において第１導体パターン部Ｐ１に対向する第２導体パターン部Ｐ２を含む。実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１バラン７の第１コイル７１と第２コイル７２とは少なくとも一部が重なっている。第１導体パターン部Ｐ１及び第２導体パターン部Ｐ２の各々は、例えば、スパイラル状である。第２バラン８の第３コイル８１は、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１に交差（例えば、直交）する第３導体パターン部Ｐ３を含む。第２バラン８の第４コイル８２は、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１に交差（例えば、直交）し実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１において第３導体パターン部Ｐ３に対向する第４導体パターン部Ｐ４を含む。実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２バラン８の第３コイル８１と第４コイル８２とは少なくとも一部が重なっている。第３導体パターン部Ｐ３及び第４導体パターン部Ｐ４の各々は、例えば、スパイラル状である。

　（２．１．４）外部接続端子
　複数の外部接続端子Ｔ０は、実装基板５０１の第２主面５１２に配置されている。「外部接続端子Ｔ０が実装基板５０１の第２主面５１２に配置されている」とは、外部接続端子Ｔ０が実装基板５０１の第２主面５１２に機械的に接続されていることと、外部接続端子Ｔ０が実装基板５０１（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。複数の外部接続端子Ｔ０の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子Ｔ０の各々は、柱状電極である。柱状電極は、例えば、円柱状の電極である。複数の外部接続端子Ｔ０は、実装基板５０１の導体部に対して、例えば、はんだにより接合されているが、これに限らず、例えば、導電性接着剤（例えば、導電性ペースト）を用いて接合されていてもよいし、直接接合されていてもよい。実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の外部接続端子Ｔ０の各々は、円形状である。

　複数の外部接続端子Ｔ０は、第１アンテナ端子Ｔ１と、第２アンテナ端子Ｔ２と、第１信号入力端子Ｔ３と、第２信号入力端子Ｔ４と、第１信号出力端子Ｔ５と、第２信号出力端子Ｔ６と、制御端子Ｔ７と、複数のグランド端子Ｔ８と、を含む（図１及び３Ｂ参照）。複数のグランド端子Ｔ８は、通信装置６００の備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。

　（２．１．５）第１樹脂層
　図３Ａ及び３Ｂに示すように、第１樹脂層５２０は、実装基板５０１の第１主面５１１に配置されている。第１樹脂層５２０は、実装基板５０１の第１主面５１１に実装されている複数の電子部品を覆っている。第１樹脂層５２０は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層５２０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

　（２．１．６）第２樹脂層
　図３Ａ及び３Ｂに示すように、第２樹脂層５４０は、実装基板５０１の第２主面５１２に配置されている。第２樹脂層５４０は、実装基板５０１の第２主面５１２に実装されている複数の電子部品それぞれの外周面と、複数の外部接続端子Ｔ０それぞれの外周面と、を覆っている。複数の電子部品の各々の外周面は、電子部品の４つの側面を含む。第２樹脂層５４０は、複数の電子部品それぞれにおける実装基板５０１側とは反対側の主面を覆っていない。第２樹脂層５４０は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層５４０は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層５４０の材料は、第１樹脂層５２０の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

　（２．１．７）金属電極層
　図３Ａ及び３Ｂに示すように、金属電極層５３０は、第１樹脂層５２０を覆っている。金属電極層５３０は、実装基板５０１のグランド端子Ｔ８に接続されている。金属電極層５３０は、導電性を有する。高周波モジュール５００では、金属電極層５３０は、高周波モジュール５００の内外の電磁シールドを目的として設けられているシールド層である。金属電極層５３０は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。金属電極層５３０は、複数の金属層を積層した多層構造を有する場合、例えば、第１樹脂層５２０上の第１ステンレス鋼層と、第１ステンレス鋼層上のＣｕ層と、Ｃｕ層上の第２ステンレス鋼層と、を含む。第１ステンレス鋼層及び第２ステンレス鋼層の各々の材料は、ＦｅとＮｉとＣｒとを含む合金である。また、金属電極層５３０は、１つの金属層の場合、例えば、Ｃｕ層である。金属電極層５３０は、第１樹脂層５２０における実装基板５０１側とは反対側の主面５２１と、第１樹脂層５２０の外周面５２３と、実装基板５０１の外周面５１３と、第２樹脂層５４０の外周面５４３と、を覆っている。第２樹脂層５４０における実装基板５０１側とは反対側の主面５４１は、金属電極層５３０に覆われておらず、露出している。金属電極層５３０は、実装基板５０１のグランド層に電気的に接続されている。これにより、高周波モジュール５００は、金属電極層５３０の電位を実装基板５０１のグランド層の電位と略同じ電位にすることが可能となる。

　（２．２）高周波モジュールにおけるレイアウト
　実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１バラン７の少なくとも一部が、第１スイッチ５及び第２スイッチ６と重なり、第２バラン８の少なくとも一部が、第１スイッチ５及び第２スイッチ６と重なる。第１バラン７では、第１コイル７１と第２コイル７２とは、実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１において対向している。第２バラン８では、第３コイル８１と第４コイル８２とは、実装基板５０１に厚さ方向Ｄ１において対向している。

　（２．３）まとめ
　実施形態１に係る高周波モジュール５００は、高周波回路１００と、実装基板５０１と、を備える。高周波回路１００の増幅器３、第１スイッチ５、第２スイッチ６、第１バラン７及び第２バラン８は、実装基板５０１に配置されている。実施形態１に係る高周波モジュール５００は、高周波回路１００の特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール５００では、実装基板５０１は、互いに対向する第１主面５１１及び第２主面５１２を有する。増幅器３は、実装基板５０１の第１主面５１１に配置されている。第１スイッチ５及び第２スイッチ６は、実装基板５０１の第２主面５１２に配置されている。第１バラン７及び第２バラン８は、実装基板５０１に配置されている。実装基板５０１の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１バラン７の少なくとも一部が、第１スイッチ５及び第２スイッチ６と重なり、第２バラン８の少なくとも一部が、第１スイッチ５及び第２スイッチ６と重なる。実施形態１に係る高周波モジュール５００では、高周波回路１００の特性の劣化を、より抑制することが可能となる。

　（３）通信装置
　実施形態１に係る通信装置６００は、図１に示すように、信号処理回路６０１と、高周波回路１００と、を備える。信号処理回路６０１は、高周波回路１００に接続されている。

　通信装置６００は、第１アンテナＡ１及び第２アンテナＡ２を更に備える。通信装置６００は、高周波回路１００を有する高周波モジュール５００が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。

　信号処理回路６０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路６０２と、ベースバンド信号処理回路６０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路６０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路６０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路６０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路６０２は、例えば、高周波回路１００から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路６０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路６０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路６０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路６０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路６０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通信装置６００のユーザの通話のために使用される。高周波回路１００は、第１アンテナＡ１及び第２アンテナＡ２と信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。

　実施形態１に係る通信装置６００は、高周波回路１００と、信号処理回路６０１と、を備えるので、高周波回路１００の特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態２）
　実施形態２に係る高周波回路１００ａ及び高周波モジュール５００ａについて、図５及び６それぞれを参照して説明する。実施形態２に係る高周波回路１００ａ及び高周波モジュール５００ａに関し、実施形態１に係る高周波回路１００及び高周波モジュール５００それぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　実施形態２に係る高周波回路１００ａでは、第１パワーアンプ３１が、増幅器３と、インピーダンス整合用のバランＢａ１と、キャパシタＣ１と、を含んでおり、第１パワーアンプ３１のバランＢａ１と第１バラン７とが共通である点で実施形態１に係る高周波回路１００と相違する。実施形態２に係る高周波回路１００ａでは、増幅器３が、例えば、ドライブ段のトランジスタ３０１と、最終段（出力段）のトランジスタ３０２と、ドライブ段のトランジスタ３０１と最終段のトランジスタ３０２とのインピーダンスを整合させるための段間整合回路３０３と、を有する。増幅器３では、ドライブ段のトランジスタ３０１及び最終段のトランジスタ３０２の各々は、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。段間整合回路３０３は、例えば、ドライブ段のトランジスタ３０１と最終段のトランジスタ３０２との間に設けられるインダクタであるが、インダクタの他にキャパシタを更に含んでいてもよい。増幅器３におけるトランジスタの段数は２段に限らず、１段又は３段以上であってもよい。増幅器３は、例えば、ＧａＡｓ系チップである。

　第１パワーアンプ３１では、増幅器３の出力端子（最終段のトランジスタ３０２のコレクタ端子）に第１バラン７の第１端７１１が接続されている。ドライブ段のトランジスタ３０１のコレクタ端子及び最終段のトランジスタ３０２のコレクタ端子には、電源電圧Ｖｃｃが与えられる。キャパシタＣ１は、最終段のトランジスタ３０２のコレクタ端子とグランドとの間に接続されている。

　高周波回路１００ａは、実施形態１に係る高周波回路１００と同様、非線形性デバイスであるスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、高周波回路１００ａの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、実施形態２に係る高周波モジュール５００ａは、高周波回路１００ａの特性の劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態２に係る高周波モジュール５００ａは、第１パワーアンプ３１のバランと第１バラン７とを別々に備える場合と比べて、小型化を図ることが可能となる。

　（実施形態３）
　実施形態３に係る高周波回路１００ｂ及び高周波モジュール５００ｂについて、図７を参照して説明する。実施形態３に係る高周波回路１００ｂ及び高周波モジュール５００ｂに関し、実施形態１に係る高周波回路１００及び高周波モジュール５００それぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

　実施形態３に係る高周波回路１００ｂの回路構成は、実施形態１に係る高周波回路１００の回路構成と同じである。

　実施形態３に係る高周波モジュール５００ｂは、第２バラン８が実装基板５０１に内蔵されていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール５００と相違する。高周波モジュール５００ｂでは、実装基板５０１の第１主面５１１に実装されている複数の電子部品のうち１つの電子部品（以下、電子部品Ｅ１とも称する）が、第１送信フィルタ１１（第１フィルタ１）と第２バラン８とを含んでいる。電子部品Ｅ１は、第１送信フィルタ１１と第２バラン８とを含む縦結合型ＳＡＷフィルタである。

　高周波回路１００ｂは、実施形態１に係る高周波回路１００と同様、非線形性デバイスであるスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、高周波回路１００ｂの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、高周波モジュール５００ｂは、高周波回路１００ｂと、実装基板５０１と、を備えるので、高周波回路１００ｂの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態４）
　実施形態４に係る高周波回路１００ｃ及び高周波モジュール５００ｃについて、図８～１０を参照して説明する。実施形態４に係る高周波回路１００ｃ及び高周波モジュール５００ｃに関し、実施形態１に係る高周波回路１００及び高周波モジュール５００それぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　実施形態４に係る高周波回路１００ｃは、図８に示すように、１つのフィルタ１の代わりに、第１通過帯域を有する第１フィルタ１Ａ（第１送信フィルタ１１Ａ）と、第１通過帯域と同じ第２通過帯域を有する第２フィルタ１Ｂ（第２送信フィルタ１１Ｂ）と、を備えている点で、実施形態１に係る高周波回路１００と相違する。第１フィルタ１Ａの有する第１通過帯域及び第２フィルタ１Ｂの有する第２通過帯域は、第１通信バンドのアップリンクの周波数帯を含む。高周波回路１００ｃにおける第２バラン８では、第３コイル８１の第１端８１１が、第１フィルタ１Ａ及び第１スイッチ５を介して第２コイル７２の第１端７２１に接続されており、第３コイル８１の第２端８２２が、第２フィルタ１Ｂ及び第２スイッチ６を介して第２コイル７２の第２端７２２に接続されている。第２バラン８では、第４コイル８２の第１端８２１が、信号経路Ｓ１に接続されており、第４コイル８２の第２端８２２が、グランドに接続されている。第２バラン８の第４コイル８２の第１端８２１は、第３スイッチ１０の第２端子１１１に接続されている。

　高周波回路１００ｃでは、第１フィルタ１Ａ（第１送信フィルタ１１Ａ）が、第１スイッチ５（の選択端子５１）と第２バラン８（の第３コイル８１の第１端８１１）との間に接続され、第２フィルタ１Ｂ（第２送信フィルタ１１Ｂ）が、第２スイッチ６（の選択端子６１）と第２バラン８（の第３コイル８１の第２端８１２）との間に接続されている。

　実施形態４に係る高周波回路１００ｃは、第１フィルタ１Ａと、第２フィルタ１Ｂと、増幅器３と、第１スイッチ５と、第２スイッチ６と、第１バラン７と、第２バラン８と、を備える。第１フィルタ１Ａは、第１通過帯域を有する。第２フィルタ１Ｂは、第１通過帯域と同じ第２通過帯域を有する。増幅器３は、入力端子及び出力端子を有する。増幅器３は、フィルタ１に接続される。第１バラン７は、第１コイル７１及び第２コイル７２を有する。第２バラン８は、第３コイル８１及び第４コイル８２を有する。第１バラン７では、第１コイル７１の第１端７１１が、増幅器３の出力端子に接続されており、第１コイル７１の第２端７１２が、グランドに接続されている。第１バラン７では、第２コイル７２の第１端７２１が、第１スイッチ５に接続されており、第２コイル７２の第２端７２２が、第２スイッチ６に接続されている。第２バラン８では、第３コイル８１の第１端８１１が、第１フィルタ１Ａ及び第１スイッチ５を介して第２コイル７２の第１端７２１に接続されており、第３コイル８１の第２端８２２が、第２フィルタ１Ｂ及び第２スイッチ６を介して第２コイル７２の第２端７２２に接続されている。第２バラン８では、第４コイル８２の第１端８２１が、信号経路Ｓ１に接続されており、第４コイル８２の第２端８２２が、グランドに接続されている。

　実施形態４に係る高周波回路１００ｃは、高周波回路１００ｃの特性の劣化を抑制することが可能となる。より詳細には、高周波回路１００ｃは、非線形性デバイスであるスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、高周波回路１００ｃは、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路１００ｃの特性の劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態４に係る高周波回路１００ｃは、非線形性デバイスであるフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂ）が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、フィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂそれぞれ）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、高周波回路１００ｃは、フィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂそれぞれ）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路１００ｃの特性の劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態４に係る高周波回路１００ｃは、第１バラン７及び第２バラン８を備えるので、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）及びフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂ）それぞれの温度上昇を抑制することが可能となる。

　また、高周波回路１００ｃでは、増幅器３は、送信信号を増幅するパワーアンプ３１である。第１バラン７は、増幅器３の出力端子に接続されている。よって、高周波回路１００ｃは、送信信号の信号歪を抑制することが可能となる。

　また、高周波回路１００ｃは、送信フィルタ１２（図１参照）と、増幅器３である第１増幅器３とは別個であり、入力端子及び出力端子を有し、送信フィルタ１２（図１参照）に接続される第２増幅器４（図１参照）と、を更に備える。高周波回路１００ｃでは、送信フィルタ１２が、第１フィルタ１の第１通過帯域とは異なる第３通過帯域を有する第３フィルタを構成している。第１通過帯域は、第１通信バンドのアップリンクの周波数帯を含む。第３通過帯域は、第３通信バンドのアップリンクの周波数帯を含む。第１通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２５である。第３通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ６６である。

　よって、高周波回路１００ｃは、例えば、第１増幅器３（第１パワーアンプ３１）と第２増幅器４（第２パワーアンプ３２）とを利用した２アップリンクキャリアアグリゲーションを行ったときに発生するＩＭＤの大きさを低減することが可能となる。

　実施形態４に係る高周波モジュール５００ｃは、図９及び１０に示すように、高周波回路１００ｃと、実装基板５０１と、を備える。

　高周波モジュール５００ｃでは、第１スイッチ５及び第２スイッチ６は、実装基板５０１の第１主面５１１に実装されている。また、高周波モジュール５００ｃでは、実装基板５０１の第１主面５１１に実装されている複数の電子部品のうち１つの電子部品（以下、電子部品Ｅ２とも称する）が、第１フィルタ１Ａと第２フィルタ１Ｂとを含んでいる。電子部品Ｅ２では、第１フィルタ１Ａと第２フィルタ１Ｂとが共通の圧電性基板を有する。圧電性基板は、例えば、圧電基板であるが、これに限らない。

　高周波モジュール５００ｃは、高周波回路１００ｃと、実装基板５０１と、を備えるので、高周波回路１００ｃの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態５）
　実施形態５に係る高周波回路１００ｄ及び高周波モジュール５００ｄについて、図１１を参照して説明する。実施形態５に係る高周波回路１００ｄ及び高周波モジュール５００ｄに関し、実施形態４に係る高周波回路１００ｃ及び高周波モジュール５００ｃそれぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　実施形態５に係る高周波回路１００ｄは、第３バラン９及び第４バラン１７を更に備える点で、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと相違する。また、高周波回路１００ｄは、送信フィルタ１２の代わりに、第３フィルタ２Ａ（第３送信フィルタ１２Ａ）と、第４フィルタ２Ｂ（第４送信フィルタ１２Ｂ）と、を備える点で、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと相違する。第３フィルタ２Ａの有する第３通過帯域及び第４フィルタ２Ｂの有する第４通過帯域は、第２通信バンドのアップリンクの周波数帯を含む。第３バラン９は、第５コイル９１及び第６コイル９２を有する。第３バラン９では、第５コイル９１の第１端９１１が、第２増幅器４（第２パワーアンプ３２）の出力端子に接続されており、第５コイル９１の第２端９１２が、グランドに接続されている。第３バラン９では、第６コイル９２の第１端９２１が、第１スイッチ５を介して第３フィルタ２Ａに接続されており、第６コイル９２の第２端９２２が、第２スイッチ６を介して第４フィルタ２Ｂに接続されている。第４バラン１７は、第７コイル１７１及び第８コイル１７２を有する。

　高周波回路１００ｄでは、第１スイッチ５が、共通端子５０Ｂを更に有する。また、高周波回路１００ｄでは、第２スイッチ６が、共通端子６０Ｂを更に有する。高周波回路１００ｄでは、第１スイッチ５の共通端子５０が第１バラン７の第２コイル７２の第１端７２１に接続されており、第１スイッチ５の共通端子５０Ｂが第３バラン９の第６コイル９２の第１端９２１に接続されている。また、高周波回路１００ｄでは、第２スイッチ６の共通端子６０が第１バラン７の第２コイル７２の第２端７２２に接続されており、第２スイッチ６の共通端子６０Ｂが第３バラン９の第６コイル９２の第２端９２２に接続されている。

　高周波回路１００ｄでは、第２バラン８の第３コイル８１の第１端８１１が第１フィルタ１Ａを介して第１スイッチ５の選択端子５１に接続されており、第２バラン８の第３コイル８１の第２端８１２が第２フィルタ１Ｂを介して第２スイッチ６の選択端子６１に接続されている。また、高周波回路１００ｄでは、第２バラン８の第４コイル８２の第１端８２１が第３スイッチ１０の第２端子１１１に接続されており、第２バラン８の第４コイル８２の第２端８２２がグランドに接続されている。また、高周波回路１００ｄでは、第４バラン１７の第７コイル１７１の第１端１７１１が第３フィルタ２Ａを介して第１スイッチ５の選択端子５２に接続されており、第４バラン１７の第７コイル１７１の第２端１７１２が第４フィルタ２Ｂを介して第２スイッチ６の選択端子６２に接続されている。また、高周波回路１００ｄでは、第４バラン１７の第８コイル１７２の第１端１７２１が第３スイッチ１０の第２端子１１２に接続されており、第４バラン１７の第８コイル１７２の第２端１７２２がグランドに接続されている。

　実施形態５に係る高周波回路１００ｄは、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと同様、高周波回路１００ｄの特性の劣化を抑制することが可能となる。また、高周波回路１００ｄは、非線形性デバイスであるフィルタ（第３フィルタ２Ａ及び第４フィルタ２Ｂ）が第３バラン９と第４バラン１７との間に接続されているので、フィルタ（第３フィルタ２Ａ及び第４フィルタ２Ｂそれぞれ）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、高周波回路１００ｄは、フィルタ（第３フィルタ２Ａ及び第４フィルタ２Ｂそれぞれ）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路１００ｄの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、高周波回路１００ｄは、例えば、第１増幅器３（第１パワーアンプ３１）と第２増幅器４（第２パワーアンプ３２）とを利用した２アップリンクキャリアアグリゲーションを行ったときに発生するＩＭＤの大きさを低減することが可能となる。

　高周波モジュール５００ｄは、高周波回路１００ｄと、実装基板５０１（図９参照）と、を備えるので、高周波回路１００ｄの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態６）
　実施形態６に係る高周波回路１００ｅ及び高周波モジュール５００ｅについて、図１２を参照して説明する。実施形態６に係る高周波回路１００ｅ及び高周波モジュール５００ｅに関し、実施形態５に係る高周波回路１００ｄ及び高周波モジュール５００ｄそれぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　高周波回路１００ｅは、第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂが第３スイッチ１０を介して第２バラン８と接続される点で、実施形態５に係る高周波回路１００ｄと相違する。また、高周波回路１００ｅでは、第３スイッチ１０が第１端子１０３、１０４を更に有し、第３スイッチ１０が第２端子１１３、１１４を更に有する点で、実施形態５に係る高周波回路１００ｄと相違する。第３スイッチ１０では、第１端子１０１、１０２、１０３及び１０４は、それぞれ、第２端子１１１、１１２、１１３及び１１４に接続可能である。また、高周波回路１００ｅは、第３フィルタ２Ａ及び第４フィルタ２Ｂが第３スイッチ１０を介して第４バラン１７と接続される点で、実施形態５に係る高周波回路１００ｄと相違する。

　第３スイッチ１０では、第２端子１１１が第１フィルタ１Ａを介して第１スイッチ５の選択端子５１に接続されており、第１端子１０１が第２バラン８の第３コイル８１の第１端８１１に接続されている。また、第３スイッチ１０では、第２端子１１２が第２フィルタ１Ｂを介して第２スイッチ６の選択端子６１に接続されている。また、第３スイッチ１０では、第２端子１１３が第３フィルタ２Ａを介して第１スイッチ５の選択端子５２に接続されており、第１端子１０３が第４バラン１７の第７コイル１７１の第１端１７１１に接続されている。また、第３スイッチ１０では、第２端子１１４が第４フィルタ２Ｂを介して第２スイッチ６の選択端子６２に接続されており、第１端子１０４が第４バラン１７の第７コイル１７１の第２端１７１２に接続されている。

　高周波回路１００ｅでは、第２バラン８の第４コイル８２の第１端８２１がアンテナ端子Ｔ１に接続されており、第２バラン８の第４コイル８２の第２端８２２がグランドに接続されている。また、高周波回路１００ｅでは、第４バラン１７の第８コイル１７２の第１端１７２１がアンテナ端子Ｔ２に接続されており、第４バラン１７の第８コイル１７２の第２端１７２２がグランドに接続されている。

　実施形態６に係る高周波回路１００ｅは、実施形態５に係る高周波回路１００ｄと同様、高周波回路１００ｅの特性の劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態６に係る高周波回路１００ｅは、非線形性デバイスである第３スイッチ１０が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、第３スイッチ１０にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、高周波回路１００ｄは、第３スイッチ１０での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路１００ｅの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　高周波回路１００ｅは、例えば、第１増幅器３（第１パワーアンプ３１）と第２増幅器４（第２パワーアンプ３２）とを利用した２アップリンクキャリアアグリゲーションを行ったときに発生するＩＭＤの大きさを低減することが可能となる。

　また、高周波モジュール５００ｅは、高周波回路１００ｅと、実装基板５０１（図９参照）と、を備えるので、高周波回路１００ｅの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態７）
　実施形態７に係る高周波回路１００ｆ及び高周波モジュール５００ｆについて、図１３を参照して説明する。実施形態７に係る高周波回路１００ｆ及び高周波モジュール５００ｆに関し、実施形態４に係る高周波回路１００ｃ（図８参照）及び高周波モジュール５００ｃそれぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　実施形態７に係る高周波回路１００ｆは、第２バラン８の第４コイル８２の第１端８２１と第３スイッチ１０との間に接続されているフィルタ１を更に備える点で、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと相違する。

　フィルタ１の有する通過帯域は、第１フィルタ１Ａの有する第１通過帯域と同じである。

　実施形態７に係る高周波回路１００ｆは、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと同様に第１バラン７と第２バラン８との間にスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が接続されているので、高周波回路１００ｆの特性の劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態７に係る高周波回路１００ｆは、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと同様に第１バラン７と第２バラン８との間にフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂ）が接続されているので、高周波回路１００ｆの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、実施形態７に係る高周波回路１００ｆは、フィルタ１を更に備えるので、減衰特性を向上させることが可能となる。

　また、高周波モジュール５００ｆは、高周波回路１００ｆと、実装基板５０１（図９参照）と、を備えるので、高周波回路１００ｆの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態８）
　実施形態８に係る高周波回路１００ｇ及び高周波モジュール５００ｇについて、図１４を参照して説明する。実施形態８に係る高周波回路１００ｇ及び高周波モジュール５００ｇに関し、実施形態４に係る高周波回路１００ｃ（図８参照）及び高周波モジュール５００ｃそれぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　高周波回路１００ｇは、第３バラン９と、第３フィルタ１Ｃと、を更に備える点で、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと相違する。第３バラン９は、第５コイル９１及び第６コイル９２を有する。第３バラン９では、第５コイル９１の第１端９１１が、第１スイッチ５の選択端子５３に接続されており、第５コイル９１の第２端９１２が、第２スイッチ６の選択端子６３に接続されている。第３バラン９では、第６コイル９２の第１端９２１が、第３フィルタ１Ｃを介して第３スイッチ１０の第２端子１１２に接続され、第６コイル９２の第２端９２２が、グランドに接続されている。第３スイッチ１０では、第１端子１０１が２つの第２端子１１１、１１２の少なくとも一方に接続される。

　実施形態８に係る高周波回路１００ｇは、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと同様に第１バラン７と第２バラン８との間にスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が接続されているので、高周波回路１００ｇの特性の劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態８に係る高周波回路１００ｇは、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと同様に第１バラン７と第２バラン８との間にフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂ）が接続されているので、高周波回路１００ｇの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、高周波モジュール５００ｇは、高周波回路１００ｇと、実装基板５０１（図９参照）と、を備えるので、高周波回路１００ｇの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態９）
　実施形態９に係る高周波回路１００ｈ及び高周波モジュール５００ｈについて、図１５を参照して説明する。実施形態９に係る高周波回路１００ｈ及び高周波モジュール５００ｈに関し、実施形態４に係る高周波回路１００ｃ（図８参照）及び高周波モジュール５００ｃそれぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　高周波回路１００ｈは、第３バラン９を更に備える点で、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと相違する。また、高周波回路１００ｈは、第１スイッチ５が共通端子５０とは別の共通端子５０Ｂを更に有し、第２スイッチ６が共通端子６０とは別の共通端子６０Ｂを更に有する点で、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと相違する。

　第３バラン９は、第５コイル９１及び第６コイル９２を有する。第３バラン９では、第５コイル９１の第１端９１１が、ローノイズアンプ４１の入力端子に接続されており、第５コイル９１の第２端９１２がグランドに接続されている。第３バラン９では、第６コイル９２の第１端９２１が、第１スイッチ５の共通端子５０Ｂに接続されており、第６コイル９２の第２端９２２が、第２スイッチ６の共通端子６０Ｂに接続されている。

　第１スイッチ５では、共通端子５０及び共通端子５０Ｂそれぞれを選択端子５１に接続可能である。第１スイッチ５は、共通端子５０及び共通端子５０Ｂの各々に３つの選択端子５１～５３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。

　高周波回路１００ｈでは、フィルタ１の通過帯域が、通信方式としてＴＤＤ（Time Division Duplex）に対応した通信に利用される第１通信バンドの周波数帯を含んでいる。高周波回路１００ｈは、例えば、ＴＤＤにより、第１通信バンドの周波数帯の送信信号と第１通信バンドの周波数帯の受信信号との同時送受信を擬似的に実現することができる。「疑似的に実現する」とは、送信信号の送信と受信信号の受信とが同時ではないが、同時と見なせる程度の短期間で行われることを意味する。第１通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３４であるが、これに限らず、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９であってもよい。

　高周波回路１００ｈは、ＴＤＤの通信方式で第１通信バンドの周波数帯の送信信号を送信するときには、第１スイッチ５の共通端子５０が選択端子５１に接続され、かつ、第２スイッチ６の共通端子６０が選択端子６１に接続される。また、高周波回路１００ｈは、ＴＤＤの通信方式で第１通信バンドの周波数帯の受信信号を受信するときには、第１スイッチ５の共通端子５０Ｂが選択端子５１に接続され、かつ、第２スイッチ６の共通端子６０Ｂが選択端子６１に接続される。

　実施形態９に係る高周波回路１００ｈは、第１バラン７と第２バラン８との間にスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）とフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂ）とが接続されているので、高周波回路１００ｈの特性の劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態９に係る高周波回路１００ｈは、第３バラン９と第２バラン８との間にスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）とフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂ）とが接続されているので、高周波回路１００ｈの特性の劣化を抑制することが可能となる。より詳細には、高周波回路１００ｈは、ＴＤＤによる通信を行うときに送信信号及び受信信号それぞれの信号歪を抑制でき、高周波回路１００ｈの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、高周波モジュール５００ｈは、高周波回路１００ｈと、実装基板５０１（図９参照）と、を備えるので、高周波回路１００ｈの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態１０）
　実施形態１０に係る高周波回路１００ｉ及び高周波モジュール５００ｉについて、図１６を参照して説明する。実施形態１０に係る高周波回路１００ｉ及び高周波モジュール５００ｉに関し、実施形態１に係る高周波回路１００（図１及び２参照）及び高周波モジュール５００それぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　高周波回路１００ｉは、スイッチ１９を更に備える点で、実施形態１に係る高周波回路１００と相違する。スイッチ１９は、第１端子１９１と、第１端子１９１に接続可能な第２端子１９２と、を有する。スイッチ１９では、第１端子１９１が、第２バラン８の第４コイル８２の第１端８２１とフィルタ１との間のノードに接続されている。また、スイッチ１９では、第２端子１９２が、ローノイズアンプ４１の入力端子に接続されている。

　高周波回路１００ｉでは、フィルタ１の通過帯域が、通信方式としてＴＤＤに対応した通信に利用される第１通信バンドの周波数帯を含んでいる。高周波回路１００ｉは、例えば、ＴＤＤにより、第１通信バンドの周波数帯の送信信号と第１通信バンドの周波数帯の受信信号との同時送受信を擬似的に実現することができる。第１通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３４であるが、これに限らず、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９であってもよい。

　高周波回路１００ｉは、ＴＤＤの通信方式で第１通信バンドの周波数帯の送信信号を送信するときには、第１スイッチ５の共通端子５０が複数の選択端子５１～５３のうち選択端子５１のみに接続され、かつ、第２スイッチ６の共通端子６０が複数の選択端子６１～６３のうち選択端子６１のみに接続され、かつ、スイッチ１９の第１端子１９１が第２端子１９２に接続されない。また、高周波回路１００ｉは、ＴＤＤの通信方式で第１通信バンドの周波数帯の受信信号を受信するときには、スイッチ１９の第１端子１９１が第２端子１９２に接続され、かつ、第１スイッチ５の共通端子５０が複数の選択端子５１～５３のいずれにも接続されず、かつ、第２スイッチ６の共通端子６０が複数の選択端子６１～６３のいずれにも接続されない。

　実施形態１０に係る高周波回路１００ｉは、第１バラン７と第２バラン８との間にスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が接続されているので、高周波回路１００ｉの特性の劣化を抑制することが可能となる。より詳細には、高周波回路１００ｉは、ＴＤＤによる通信を行うときに送信信号の信号歪を抑制でき、高周波回路１００ｉの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、高周波モジュール５００ｉは、高周波回路１００ｉと、実装基板５０１（図３Ａ及び３Ｂ参照）と、を備えるので、高周波回路１００ｉの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態１１）
　実施形態１１に係る高周波回路１００ｊ及び高周波モジュール５００ｊについて、図１７を参照して説明する。実施形態１１に係る高周波回路１００ｊ及び高周波モジュール５００ｊに関し、実施形態４に係る高周波回路１００ｃ（図８参照）及び高周波モジュール５００ｃそれぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　高周波回路１００ｊは、スイッチ１８と、送信フィルタ１１Ｃと、を更に備える点で、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと相違する。

　スイッチ１８は、増幅器３（パワーアンプ３１）の出力端子と第１バラン７との間に接続されている。実施形態１１に係る高周波回路１００ｊでは、スイッチ１８が、増幅器３の出力端子と第１バラン７との間に接続されている第４スイッチを構成している。スイッチ１８は、共通端子１８０と、複数（例えば、２つ）の選択端子１８１、１８２と、を有する。共通端子１８０は、増幅器３の出力端子に接続されている。選択端子１８１は、第１バラン７における第１コイル７１の第１端７１１に接続されている。選択端子１８２は、第１バラン７及び第２バラン８を介さずに、送信フィルタ１１Ｃを介して第３スイッチ１０に接続されている。送信フィルタ１１Ｃは、スイッチ１８の選択端子１８２と第３スイッチ１０との間の信号経路（バイパス経路）Ｓ２に設けられている。スイッチ１８は、共通端子１８０を複数の選択端子１８１、１８２のうち１つに択一的に接続可能なスイッチである。スイッチ１８は、例えば、信号処理回路６０１（図１参照）によって制御される。スイッチ１８は、信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２からの制御信号に従って、共通端子１８０と２つの選択端子１８１、１８２との接続状態を切り替える。スイッチ１８は、例えば、スイッチＩＣである。

　送信フィルタ１１Ｃは、第１フィルタ１の第１通過帯域と同じ通過帯域を有する。

　高周波回路１００ｊでは、増幅器３は、第１電力モード（例えば、ハイパワーモード）と第１電力モードよりも低出力電力の第２電力モード（例えば、ローパワーモード）とで動作可能である。増幅器３は、ハイパワーモードの場合、増幅器３の出力電力を第１所定電力（例えば３２ｄＢｍ）とする。また、増幅器３は、ローパワーモードの場合、増幅器３の出力電力を第１所定電力よりも低い第２所定電力（例えば１５ｄＢｍ）とする。

　コントローラ１３は、信号処理回路６０１からの制御信号に従って、増幅器３を第１電力モード又は第２電力モードで動作させる。

　高周波回路１００ｊでは、コントローラ１３が増幅器３を第１電力モードで動作させているときには、スイッチ１８は、増幅器３の出力端子と第１バラン７との間を導通状態としており、かつ、増幅器３の出力端子と送信フィルタ１１Ｃとの間を非導通状態としている。より詳細には、コントローラ１３が増幅器３を第１電力モードで動作させているときには、スイッチ１８では、共通端子１８０と２つの選択端子１８１、１８２のうちの１つの選択端子１８１とが接続されている。

　高周波回路１００ｊでは、コントローラ１３が増幅器３を第２電力モードで動作させているときには、スイッチ１８は、増幅器３の出力端子と第１バラン７との間を非導通状態としており、かつ、増幅器３の出力端子と送信フィルタ１１Ｃとの間を導通状態としている。より詳細には、コントローラ１３が増幅器３を第２電力モードで動作させているときには、スイッチ１８では、共通端子１８０と２つの選択端子１８１、１８２のうちの１つの選択端子１８２とが接続されている。これにより、増幅器３は、第１バラン７及び第２バラン８を介さずに、送信フィルタ１１Ｃを介して第３スイッチ１０に接続されている。

　実施形態１１に係る高周波回路１００ｊは、非線形性デバイスであるスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、高周波回路１００ｊは、増幅器３が第１電力モードで動作しているときのスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路１００ｊの特性の劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態１１に係る高周波回路１００ｊは、非線形性デバイスであるフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂ）が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、フィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂそれぞれ）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、高周波回路１００ｊは、増幅器３が第１電力モードで動作しているときのフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂそれぞれ）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路１００ｊの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、高周波回路１００ｊは、例えば、第１増幅器３を第１電力モードで動作させ第１増幅器３（第１パワーアンプ３１）と第２増幅器４（第２パワーアンプ３２）とを利用した２アップリンクキャリアアグリゲーションを行ったときに発生するＩＭＤの大きさを低減することが可能となる。

　また、高周波モジュール５００ｊは、高周波回路１００ｊと、実装基板５０１（図９参照）と、を備えるので、高周波回路１００ｊの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態１２）
　実施形態１２に係る高周波回路１００ｋ及び高周波モジュール５００ｋについて、図１８を参照して説明する。実施形態１２に係る高周波回路１００ｋ及び高周波モジュール５００ｋに関し、実施形態４に係る高周波回路１００ｃ（図８参照）及び高周波モジュール５００ｃそれぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　高周波回路１００ｋは、スイッチ１８を更に備える点で、実施形態４に係る高周波回路１００ｃと相違する。

　スイッチ１８は、第１増幅器３（第１パワーアンプ３１）の入力端子と信号入力端子Ｔ３との間に接続されている。スイッチ１８は、共通端子１８０と、複数（例えば、２つ）の選択端子１８１、１８２と、を有する。共通端子１８０は、信号入力端子Ｔ３に接続されている。選択端子１８１は、第１増幅器３（第１パワーアンプ３１）の入力端子に接続されている。選択端子１８２は、第２増幅器４（第２パワーアンプ３２）の入力端子に接続されている。第２増幅器４の出力端子は、第１バラン７及び第２バラン８を介さずに、送信フィルタ１２Ｃを介して第３スイッチ１０に接続されている。送信フィルタ１２Ｃは、第２増幅器４の出力端子と第３スイッチ１０の第２端子１１２との間の信号経路（バイパス経路）Ｓ２に設けられている。スイッチ１８は、共通端子１８０を複数の選択端子１８１、１８２のうち１つに択一的に接続可能なスイッチである。スイッチ１８は、例えば、通信装置６００（図１参照）の備える信号処理回路６０１によって制御される。スイッチ１８は、信号処理回路６０１のＲＦ信号処理回路６０２からの制御信号に従って、共通端子１８０と２つの選択端子１８１、１８２との接続状態を切り替える。スイッチ１８は、例えば、スイッチＩＣである。

　第１パワーアンプ３１及び第２パワーアンプ３２は、互いに異なるパワークラスに対応している。「パワークラス」とは、最大出力パワー等で定義される端末（通信装置６００）の出力パワーの分類（User Equipment Power Class）であり、「パワークラス」の次に記載されている数字が小さいほど、高い出力パワーに対応することを示す。例えば、パワークラス　１の最大出力パワー（２９ｄＢｍ）は、パワークラス　２の最大出力パワー（２６ｄＢｍ）よりも大きく、パワークラス　２の最大出力パワー（２６ｄＢｍ）は、パワークラス　３の最大出力パワー（２３ｄＢｍ）よりも大きい。最大出力パワーの測定は、例えば、３ＧＰＰ等によって規定された方法で行われる。第１パワーアンプ３１は、第１パワークラス（例えば、パワークラス　２）に対応し、第２パワーアンプ３２は、第１パワークラスよりも最大出力パワーの小さな第２パワークラス（例えば、パワークラス　３）に対応している。高周波回路１００ｋでは、コントローラ１３は、例えば、信号処理回路６０１からの制御信号に従って第１パワーアンプ３１及び第２パワーアンプ３２を制御する。

　高周波回路１００ｋでは、第１パワークラス（例えば、パワークラス　２）に対応する第１増幅器３からの送信信号を通過させる第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂそれぞれの第１通過帯域及び第２通過帯域が、通信方式としてＴＤＤに対応した通信に利用される第１通信バンドの周波数帯を含んでいる。高周波回路１００ｋは、例えば、ＴＤＤにより、第１通信バンドの周波数帯の送信信号と第１通信バンドの周波数帯の受信信号との同時送受信を擬似的に実現することができる。第１通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１又は５Ｇ　ＮＲのｎ４１であるが、これに限らず、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０又は５Ｇ　ＮＲのｎ４０でもよい。また、高周波回路１００ｋでは、第２パワークラス（例えば、パワークラス　３）に対応する第２増幅器４からの送信信号を通過させる送信フィルタ１２Ｃの通過帯域が、通信方式としてＦＤＤ（Frequency Division Duplex）に対応した通信に利用される第２通信バンドのアップリンクの周波数帯を含んでいる。第２通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ７又は５Ｇ　ＮＲのｎ７であるが、これに限らない。

　実施形態１２に係る高周波回路１００ｋは、非線形性デバイスであるスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、高周波回路１００ｋは、第１パワークラスの第１増幅器３が動作しているときのスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路１００ｋの特性の劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態１２に係る高周波回路１００ｋは、非線形性デバイスであるフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂ）が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、フィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂそれぞれ）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、高周波回路１００ｋは、第１増幅器３が動作しているときのフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂそれぞれ）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路１００ｋの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、高周波モジュール５００ｋは、高周波回路１００ｋと、実装基板５０１（図９参照）と、を備えるので、高周波回路１００ｋの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（実施形態１３）
　実施形態１３に係る高周波回路１００ｍ及び高周波モジュール５００ｍについて、図１９を参照して説明する。実施形態１３に係る高周波回路１００ｍ及び高周波モジュール５００ｍに関し、実施形態１に係る高周波回路１００（図１及び２参照）及び高周波モジュール５００それぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

　実施形態１３に係る高周波回路１００ｍは、フィルタ１（受信フィルタ２１）と、増幅器３（ローノイズアンプ４１）と、第１スイッチ５と、第２スイッチ６と、第１バラン７と、第２バラン８と、を備える。フィルタ１は、通過帯域を有する。増幅器３は、入力端子及び出力端子を有する。増幅器３は、フィルタ１に接続される。第１バラン７は、第１コイル７１及び第２コイル７２を有する。第２バラン８は、第３コイル８１及び第４コイル８２を有する。第１バラン７では、第１コイル７１の第１端７１１が、増幅器３の入力端子に接続されており、第１コイル７１の第２端７１２が、グランドに接続されている。第１バラン７では、第２コイル７２の第１端７２１が、第１スイッチ５に接続されており、第２コイル７２の第２端７２２が、第２スイッチ６に接続されている。第２バラン８では、第３コイル８１の第１端８１１が、第１スイッチ５を介して第２コイル７２の第１端７２１に接続されており、第３コイル８１の第２端８１２が、第２スイッチ６を介して第２コイル７２の第２端７２２に接続されている。第２バラン８では、第４コイル８２の第１端８２１が、フィルタ１に接続されており、第４コイル８２の第２端８２２が、グランドに接続されている。

　また、高周波回路１００ｍは、アンテナ端子Ｔ１と、アンテナ端子Ｔ１と第２バラン８との間に接続されている第３スイッチ１０を更に備えている。第３スイッチ１０は、第１フィルタ１と第１アンテナ端子Ｔ１とを接続可能に構成されている。第３スイッチ１０は、第１端子１０１と、第１端子１０１に接続可能な第２端子１１１と、を有する。第３スイッチ１０では、第１端子１０１がアンテナ端子Ｔ１に接続されており、第２端子１１１がフィルタ１の入力端子に接続されている。また、高周波回路１００ｍでは、増幅器３（ローノイズアンプ４１）の出力端子は、第１信号出力端子Ｔ５に接続されている。

　実施形態１３に係る高周波回路１００ｍは、高周波回路１００ｍの特性の劣化を抑制することが可能となる。より詳細には、高周波回路１００ｍは、非線形性デバイスであるスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が第１バラン７と第２バラン８との間に接続されているので、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、高周波回路１００ｍは、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路１００ｍの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　また、実施形態１３に係る高周波回路１００ｍでは、増幅器３は、受信信号を増幅するローノイズアンプ４１である。第１バラン７は、増幅器３の入力端子に接続されている。よって、実施形態１３に係る高周波回路１００ｍは、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）での高周波信号（受信信号）の信号歪を抑制することが可能となる。

　実施形態１３に係る高周波モジュール５００ｍは、高周波回路１００ｍと、実装基板と、を備える。実装基板の構成は、実施形態１に係る高周波モジュール５００における実装基板５０１と同様なので、図示及び説明を省略する。実施形態１３に係る高周波モジュール５００ｍは、高周波回路１００ｍを備えるので、高周波回路１００ｍの特性の劣化を抑制することが可能となる。

　（変形例）
　上記の実施形態１～１３等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～１３等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

　例えば、高周波回路１００は、第１整合回路Ｍ１が第１バラン７の第２コイル７２の第１端７２１と第１スイッチ５との間に接続されており、第２整合回路Ｍ２が第１バラン７の第２コイル７２の第２端７２２と第２スイッチ６との間に接続されているが、これに限らず、第１整合回路Ｍ１及び第２整合回路Ｍ２を備えていない構成であってもよい。また、高周波回路１００は、第１整合回路Ｍ１が第１バラン７の第１端７１１と増幅器３との間に接続されており、かつ、第２整合回路Ｍ２が第１バラン７の第２端７１２とグランドとの間に接続されていてもよい。また、高周波回路１００は、第１整合回路Ｍ１が第１スイッチ５と第２バラン８の第３コイル８１の第１端８１１との間に接続されており、かつ、第２整合回路Ｍ２が第２スイッチ６と第２バラン８の第３コイル８１の第２端８１２との間に接続されていてもよい。また、高周波回路１００は、第１整合回路Ｍ１が第２バラン８の第４コイル８２の第１端８２１とフィルタ１との間に接続されており、第２整合回路Ｍ２が第２バラン８の第４コイル８２の第２端８２２とグランドとの間に接続されていてもよい。

　また、実施形態１に係る通信装置６００は、高周波回路１００の代わりに、高周波回路１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ、１００ｆ、１００ｇ、１００ｈ、１００ｉ、１００ｊ、１００ｋ、１００ｍのいずれかを備えてもよい。

　また、上述の弾性波フィルタは、表面弾性波又はバルク弾性波を利用する弾性波フィルタであるが、これに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。

　また、高周波モジュール５００は、複数の外部接続端子Ｔ０がボールバンプであり、かつ、第２樹脂層５４０を備えていない構成であってもよい。複数の外部接続端子Ｔ０の各々を構成するボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。複数の外部接続端子Ｔ０は、ボールバンプにより構成された外部接続端子Ｔ０と、柱状電極により構成された外部接続端子Ｔ０と、が混在してもよい。

　また、他の例の高周波回路は、高周波回路１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ、１００ｆ、１００ｇ、１００ｈ、１００ｉ、１００ｊ、１００ｋ、１００ｍのいずれかにおいて、第１バラン７及び第２バラン８それぞれの代わりとして、３ｄＢハイブリッドカプラを備えていてもよい。これにより、他の例の高周波回路は、高周波回路１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ、１００ｆ、１００ｇ、１００ｈ、１００ｉ、１００ｊ、１００ｋ、１００ｍと同様、高周波回路の特性の劣化を抑制することが可能となる。他の例の高周波回路は、３ｄＢハイブリッドカプラとして、例えば９０°ハイブリッドカプラを採用すれば、入出力の反射損失を改善する付加効果も得られる。

　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。

　第１の態様に係る高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｉ；１００ｍ）は、フィルタ（１）と、増幅器（３）と、第１スイッチ（５）と、第２スイッチ（６）と、第１バラン（７）と、第２バラン（８）と、を備える。増幅器（３）は、入力端子及び出力端子を有する。増幅器（３）は、フィルタ（１）に接続される。第１バラン（７）は、第１コイル（７１）及び第２コイル（７２）を有する。第２バラン（８）は、第３コイル（８１）及び第４コイル（８２）を有する。第１バラン（７）では、第１コイル（７１）の第１端（７１１）が、増幅器（３）の入力端子と出力端子とのうちフィルタ（１）に接続される端子に接続されており、第１コイル（７１）の第２端（７１２）が、グランドに接続されている。第１バラン（７）では、第２コイル（７２）の第１端（７２１）が、第１スイッチ（５）に接続されており、第２コイル（７２）の第２端（７２２）が、第２スイッチ（６）に接続されている。第２バラン（８）では、第３コイル（８１）の第１端（８１１）が、第１スイッチ（５）を介して第２コイル（７２）の第１端（７２１）に接続されており、第３コイル（８１）の第２端（８１２）が、第２スイッチ（６）を介して第２コイル（７２）の第２端（７２２）に接続されている。第２バラン（８）では、第４コイル（８２）の第１端（８２１）が、フィルタ（１）に接続されており、第４コイル（８２）の第２端（８２２）が、グランドに接続されている。

　第１の態様に係る高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｉ；１００ｍ）は、非線形性デバイスであるスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が第１バラン（７）と第２バラン（８）との間に接続されているので、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、第１の態様に係る高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｉ；１００ｍ）は、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｉ；１００ｍ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第２の態様に係る高周波回路（１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｊ；１００ｋ）は、第１フィルタ（１Ａ）と、第２フィルタ（１Ｂ）と、増幅器（３）と、第１スイッチ（５）と、第２スイッチ（６）と、第１バラン（７）と、第２バラン（８）と、を備える。第１フィルタ（１Ａ）は、第１通過帯域を有する。第２フィルタ（１Ｂ）は、第１通過帯域と同じ第２通過帯域を有する。増幅器（３）は、入力端子及び出力端子を有する。増幅器（３）は、第１フィルタ（１Ａ）及び第２フィルタ（１Ｂ）に接続される。第１バラン（７）は、第１コイル（７１）及び第２コイル（７２）を有する。第２バラン（８）は、第３コイル（８１）及び第４コイル（８２）を有する。第１バラン（７）では、第１コイル（７１）の第１端（７１１）が、増幅器（３）の入力端子と出力端子とのうち第１フィルタ（１Ａ）及び第２フィルタ（１Ｂ）に接続される端子に接続されており、第１コイル（７１）の第２端（７１２）が、グランドに接続されている。第１バラン（７）では、第２コイル（７２）の第１端（７２１）が、第１スイッチ（５）に接続されており、第２コイル（７２）の第２端（７２２）が、第２スイッチ（６）に接続されている。第２バラン（８）では、第３コイル（８１）の第１端（８１１）が、第１フィルタ（１Ａ）及び第１スイッチ（５）を介して第２コイル（７２）の第１端（７２１）に接続されており、第３コイル（８１）の第２端（８２２）が、第２フィルタ（１Ｂ）及び第２スイッチ（６）を介して第２コイル（７２）の第２端（７２２）に接続されている。第２バラン（８）では、第４コイル（８２）の第１端（８２１）が、信号経路（Ｓ１）に接続されており、第４コイル（８２）の第２端（８２２）が、グランドに接続されている。

　第２の態様に係る高周波回路（１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｊ；１００ｋ）は、非線形性デバイスであるスイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）が第１バラン（７）と第２バラン（８）との間に接続されているので、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、第２の態様に係る高周波回路（１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｊ；１００ｋ）は、スイッチ（第１スイッチ５及び第２スイッチ６）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路（１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｊ；１００ｋ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。また、第２の態様に係る高周波回路（１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｊ；１００ｋ）は、非線形性デバイスであるフィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂ）が第１バラン（７）と第２バラン（８）との間に接続されているので、フィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂそれぞれ）にかかる電力を低減することが可能となる。これにより、第２の態様に係る高周波回路（１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｊ；１００ｋ）は、フィルタ（第１フィルタ１Ａ及び第２フィルタ１Ｂそれぞれ）での高周波信号の信号歪を低減でき、高周波回路（１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｊ；１００ｋ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第３の態様に係る高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｉ；１００ｍ）は、第１の態様において、第２フィルタ（２）と、第２増幅器（４）と、を更に備える。第２フィルタ（２）は、フィルタ（１）である第１フィルタ（１）とは異なる。第２増幅器（４）は、増幅器（３）である第１増幅器（３）とは別個であり、入力端子及び出力端子を有する。第２増幅器（４）は、第２フィルタ（２）に接続される。第１フィルタ（１）は、第１通過帯域を有する。第２フィルタ（２）は、第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有する。第１増幅器（３）は、第１送信信号を増幅する第１パワーアンプ（３１）である。第２増幅器（４）は、第１送信信号とは異なる第２送信信号を増幅する第２パワーアンプ（３２）である。

　第３の態様に係る高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｉ；１００ｍ）は、例えば、第１増幅器（３）と第２増幅器（４）とを利用した２アップリンクキャリアアグリゲーションを行ったときに発生するＩＭＤの大きさを低減することが可能となる。

　第４の態様に係る高周波回路（１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｊ）は、第２の態様において、第３フィルタ（送信フィルタ１２）と、第２増幅器（４）と、を更に備える。第３フィルタ（送信フィルタ１２）は、第１通過帯域とは異なる第３通過帯域を有する。第２増幅器（４）は、増幅器（３）である第１増幅器（３）とは別個であり、入力端子及び出力端子を有する。第２増幅器（４）は、第３フィルタ（送信フィルタ１２）に接続される。第１増幅器（３）は、第１送信信号を増幅する第１パワーアンプ（３１）である。第２増幅器（４）は、第１送信信号とは異なる第２送信信号を増幅する第２パワーアンプ（３２）である。

　第４の態様に係る（１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｊ）は、例えば、第１増幅器（３）と第２増幅器（４）とを利用した２アップリンクキャリアアグリゲーションを行ったときに発生するＩＭＤの大きさを低減することが可能となる。

　第５の態様に係る高周波回路（１００ｄ；１００ｅ）は、第３又は４の態様において、第３バラン（９）を更に備える。第３バラン（９）は、第５コイル（９１）及び第６コイル（９２）を有する。第３バラン（９）では、第５コイル（９１）の第１端（９１１）が、第２増幅器（４）の出力端子に接続されており、第５コイル（９１）の第２端（９１２）が、グランドに接続されている。第３バラン（９）では、第６コイル（９２）の第１端（９２１）が、第１スイッチ（５）を介して第２バラン（８）の第３コイル（８１）の第１端（８１１）に接続されており、第６コイル（９２）の第２端（９２２）が、第２スイッチ（６）を介して第２バラン（８）の第３コイル（８１）の第２端（８１２）に接続されている。

　第５の態様に係る高周波回路（１００ｄ；１００ｅ）は、第３バラン（９）と第２バラン（８）との間での信号歪を抑制することが可能となり、高周波回路（１００ｄ；１００ｅ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第６の態様に係る高周波回路（１００ｊ）は、第１又は２の態様において、第３スイッチ（１０）と、第４スイッチ（スイッチ１８）と、送信フィルタ（１１Ｃ）と、コントローラ（１３）と、を更に備える。第３スイッチ（１０）は、第２バラン（８）の第４コイル（８２）の第１端（８２１）に接続されている。第４スイッチ（スイッチ１８）は、増幅器（３）の出力端子と第１バラン（７）との間に接続されている。送信フィルタ（１１Ｃ）は、第４スイッチ（スイッチ１８）と第３スイッチ（１０）との間に第１バラン（７）及び第２バラン（８）を介さずに接続されている。コントローラ（１３）は、増幅器（３）を制御する。増幅器（３）は、送信信号を増幅するパワーアンプ（３１）である。増幅器（３）は、第１電力モードと第１電力モードよりも低出力電力の第２電力モードとで動作可能である。コントローラ（１３）が増幅器（３）を第１電力モードで動作させているときには、第４スイッチ（スイッチ１８）は、増幅器（３）の出力端子と第１バラン（７）との間を導通状態としており、かつ、増幅器（３）の出力端子と送信フィルタ（１１Ｃ）との間を非導通状態としている。コントローラ（１３）が増幅器（３）を第２電力モードで動作させているときには、第４スイッチ（スイッチ１８）は、増幅器（３）の出力端子と第１バラン（７）との間を非導通状態としており、かつ、増幅器（３）の出力端子と送信フィルタ（１１Ｃ）との間を導通状態としている。

　第６の態様に係る高周波回路（１００ｊ）は、増幅器（３）が第１電力モードで動作しているときの信号歪を抑制することが可能となり、高周波回路（１００ｊ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第７の態様に係る高周波回路（１００ｋ）は、第１又は２の態様において、第３スイッチ（１０）と、第２増幅器（４）と、送信フィルタ（１２Ｃ）を更に備える。第３スイッチ（１０）は、第２バラン（８）の第４コイル（８２）の第１端（８２１）に接続されている。第２増幅器（４）は、増幅器（３）である第１増幅器（３）とは別個であり、入力端子及び出力端子を有する。送信フィルタ（１２Ｃ）は、第２増幅器（４）の出力端子と第３スイッチ（１０）との間に第１バラン（７）及び第２バラン（８）を介さずに接続されている。第１増幅器（３）は、第１パワークラスに対応する。第２増幅器（４）は、第２パワークラスに対応する。第１パワークラスの最大出力パワーは、第２パワークラスの最大出力パワーよりも大きい。

　第７の態様に係る高周波回路（１００ｋ）は、第１増幅器（３）が動作しているときの信号歪を抑制でき、高周波回路（１００ｋ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第８の態様に係る高周波回路（１００ｍ）では、第１又は２の態様において、増幅器（３）は、受信信号を増幅するローノイズアンプ（４１）である。第１バラン（７）は、増幅器（３）の入力端子に接続されている。

　第８の態様に係る高周波回路（１００ｍ）は、高周波回路（１００ｍ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第９の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ；５００ｃ；５００ｄ；５００ｅ；５００ｆ；５００ｇ；５００ｈ；５００ｉ；５００ｊ；５００ｋ；５００ｍ）は、第１～８の態様のいずれか一つの高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｉ；１００ｊ；１００ｋ；１００ｍ）と、実装基板（５０１）と、を備える。高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｉ；１００ｊ；１００ｋ；１００ｍ）の増幅器（３）、第１スイッチ（５）、第２スイッチ（６）、第１バラン（７）及び第２バラン（８）は、実装基板（５０１）に配置されている。

　第９の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ；５００ｃ；５００ｄ；５００ｅ；５００ｆ；５００ｇ；５００ｈ；５００ｉ；５００ｊ；５００ｋ；５００ｍ）は、高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｉ；１００ｊ；１００ｋ；１００ｍ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。

　第１０の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ；５００ｃ；５００ｄ；５００ｅ；５００ｆ；５００ｇ；５００ｈ；５００ｉ；５００ｊ；５００ｋ；５００ｍ）は、第９の態様において、実装基板（５０１）は、互いに対向する第１主面（５１１）及び第２主面（５１２）を有する。増幅器（３）は、実装基板（５０１）の第１主面（５１１）に配置されている。第１スイッチ（５）及び第２スイッチ（６）は、実装基板（５０１）の第２主面（５１２）に配置されている。第１バラン（７）及び第２バラン（８）は、実装基板（５０１）に配置されている。実装基板（５０１）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第１バラン（７）の少なくとも一部が、第１スイッチ（５）及び第２スイッチ（６）と重なり、第２バラン（８）の少なくとも一部が、第１スイッチ（５）及び第２スイッチ（６）と重なる。

　第１０の態様に係る高周波モジュール（５００；５００ａ；５００ｂ；５００ｃ；５００ｄ；５００ｅ；５００ｆ；５００ｇ；５００ｈ；５００ｉ；５００ｊ；５００ｋ；５００ｍ）は、高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｉ；１００ｊ；１００ｋ；１００ｍ）の特性の劣化を、より抑制することが可能となる。

　第１１の態様に係る通信装置（６００）は、第１～８の態様のいずれか一つの高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｉ；１００ｊ；１００ｋ；１００ｍ）と、信号処理回路（６０１）と、を備える。信号処理回路（６０１）は、高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｉ；１００ｊ；１００ｋ；１００ｍ）に接続されている。

　第１１の態様に係る通信装置（６００）は、高周波回路（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ；１００ｆ；１００ｇ；１００ｈ；１００ｉ；１００ｊ；１００ｋ；１００ｍ）の特性の劣化を抑制することが可能となる。

　１　フィルタ（第１フィルタ）
　１Ａ　第１フィルタ
　１Ｂ　第２フィルタ
　２　第２フィルタ
　３　増幅器（第１増幅器）
　３０１　トランジスタ
　３０２　トランジスタ
　３０３　段間整合回路
　４　増幅器（第２増幅器）
　５　第１スイッチ
　５０　共通端子
　５１、５２、５３　選択端子
　６　第２スイッチ
　６０　共通端子
　６１、６２、６３　選択端子
　７　第１バラン
　７１　第１コイル
　７１１　第１端
　７１２　第２端
　７２　第２コイル
　７２１　第１端
　７２２　第２端
　８　第２バラン
　８１　第３コイル
　８１１　第１端
　８１２　第２端
　８２　第４コイル
　８２１　第１端
　８２２　第２端
　９　第３バラン
　９１　第５コイル
　９１１　第１端
　９１２　第２端
　９２　第６コイル
　９２１　第１端
　９２２　第２端
　１０　第３スイッチ
　１０１、１０２　第１端子
　１１１、１１２　第２端子
　１１　送信フィルタ（第１送信フィルタ）
　１１Ａ　第１送信フィルタ
　１１Ｂ　第２送信フィルタ
　１１Ｃ　送信フィルタ
　１２　送信フィルタ（第２送信フィルタ、第３フィルタ）
　１２Ｃ　送信フィルタ
　１３　コントローラ
　１４　第４スイッチ
　１４０　共通端子
　１４１、１４２、１４３　選択端子
　１５　第５スイッチ
　１５０　共通端子
　１５１、１５２、１５３　選択端子
　１６　第６スイッチ
　１６１、１６２　第１端子
　１６５、１６６　第２端子
　１７　第４バラン
　１７１　第７コイル
　１７１１　第１端
　１７１２　第２端
　１７２　第８コイル
　１７２１　第１端
　１７２２　第２端
　１８　スイッチ（第４スイッチ）
　１８０　共通端子
　１８１、１８２　選択端子
　２１　受信フィルタ（第１受信フィルタ）
　２２　受信フィルタ（第２受信フィルタ）
　３１　パワーアンプ（第１パワーアンプ）
　３２　パワーアンプ（第２パワーアンプ）
　４１　ローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ）
　４２　ローノイズアンプ（第２ローノイズアンプ）
　１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ、１００ｆ、１００ｇ、１００ｈ、１００ｉ、１００ｊ、１００ｋ、１００ｍ　高周波回路
　５００、５００ａ、５００ｂ、５００ｃ、５００ｄ、５００ｅ、５００ｆ、５００ｇ、５００ｈ、５００ｉ、５００ｊ、５００ｋ、５００ｍ　高周波モジュール
　５０１　実装基板
　５１１　第１主面
　５１２　第２主面
　５２０　樹脂層（第１樹脂層）
　５２１　主面
　５２３　外周面
　５３０　金属電極層
　５４０　第２樹脂層
　５４１　主面
　５４３　外周面
　６００　通信装置
　６０１　信号処理回路
　６０２　ＲＦ信号処理回路
　６０３　ベースバンド信号処理回路
　Ａ１　アンテナ（第１アンテナ）
　Ａ２　第２アンテナ
　Ｂａ１　バラン
　Ｄ１　厚さ方向
　Ｅ１　電子部品
　Ｅ２　電子部品
　Ｓ１　信号経路
　Ｍ１　第１整合回路
　Ｍ１１　回路素子
　Ｍ２　第２整合回路
　Ｍ１２　回路素子
　Ｔ０　外部接続端子
　Ｔ１　アンテナ端子（第１アンテナ端子）
　Ｔ２　第２アンテナ端子
　Ｔ３　第１信号入力端子
　Ｔ４　第２信号入力端子
　Ｔ５　第１信号出力端子
　Ｔ６　第２信号出力端子
　Ｔ７　制御端子
　Ｔ８　グランド端子

Claims

　フィルタと、
　入力端子及び出力端子を有し、前記フィルタに接続される増幅器と、
　第１スイッチと、
　第２スイッチと、
　第１コイル及び第２コイルを有する第１バランと、
　第３コイル及び第４コイルを有する第２バランと、を備え、
　前記第１バランでは、
　　前記第１コイルの第１端が、前記増幅器の前記入力端子と前記出力端子とのうち前記フィルタに接続される端子に接続されており、
　　前記第１コイルの第２端が、グランドに接続されており、
　　前記第２コイルの第１端が、前記第１スイッチに接続されており、
　　前記第２コイルの第２端が、前記第２スイッチに接続されており、
　前記第２バランでは、
　　前記第３コイルの第１端が、前記第１スイッチを介して前記第２コイルの前記第１端に接続されており、
　　前記第３コイルの第２端が、前記第２スイッチを介して前記第２コイルの前記第２端に接続されており、
　　前記第４コイルの第１端が、前記フィルタに接続されており、
　　前記第４コイルの第２端が、グランドに接続されている、
　高周波回路。
　第１通過帯域を有する第１フィルタと、
　前記第１通過帯域と同じ第２通過帯域を有する第２フィルタと、
　入力端子及び出力端子を有し、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタに接続される増幅器と、
　第１スイッチと、
　第２スイッチと、
　第１コイル及び第２コイルを有する第１バランと、
　第３コイル及び第４コイルを有する第２バランと、を備え、
　前記第１バランでは、
　　前記第１コイルの第１端が、前記増幅器の前記入力端子と前記出力端子とのうち前記第１フィルタ及び前記第２フィルタに接続される端子に接続されており、
　　前記第１コイルの第２端が、グランドに接続されており、
　　前記第２コイルの第１端が、前記第１スイッチに接続されており、
　　前記第２コイルの第２端が、前記第２スイッチに接続されており、
　前記第２バランでは、
　　前記第３コイルの第１端が、前記第１フィルタ及び前記第１スイッチを介して前記第２コイルの前記第１端に接続されており、
　　前記第３コイルの第２端が、前記第２フィルタ及び前記第２スイッチを介して前記第２コイルの前記第２端に接続されており、
　　前記第４コイルの第１端が、信号経路に接続されており、
　　前記第４コイルの第２端が、グランドに接続されている、
　高周波回路。
　前記フィルタである第１フィルタとは異なる第２フィルタと、
　前記増幅器である第１増幅器とは別個であり、入力端子及び出力端子を有し、前記第２フィルタに接続される第２増幅器と、を更に備え、
　前記第１フィルタは、第１通過帯域を有し、
　前記第２フィルタは、前記第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有し、
　前記第１増幅器は、第１送信信号を増幅する第１パワーアンプであり、
　前記第２増幅器は、前記第１送信信号とは異なる第２送信信号を増幅する第２パワーアンプである、
　請求項１に記載の高周波回路。
　前記第１通過帯域とは異なる第３通過帯域を有する第３フィルタと、
　前記増幅器である第１増幅器とは別個であり、入力端子及び出力端子を有し、前記第３フィルタに接続される第２増幅器と、を更に備え、
　前記第１増幅器は、第１送信信号を増幅する第１パワーアンプであり、
　前記第２増幅器は、前記第１送信信号とは異なる第２送信信号を増幅する第２パワーアンプである、
　請求項２に記載の高周波回路。
　第５コイル及び第６コイルを有する第３バランを更に備え、
　前記第３バランでは、
　　前記第５コイルの第１端が、前記第２増幅器の前記出力端子に接続されており、
　　前記第５コイルの第２端が、グランドに接続されており、
　　前記第６コイルの第１端が、前記第１スイッチを介して前記第２バランの前記第３コイルの前記第１端に接続されており、
　　前記第６コイルの第２端が、前記第２スイッチを介して前記第２バランの前記第３コイルの前記第２端に接続されている、
　請求項３又は４に記載の高周波回路。
　前記第２バランの前記第４コイルの前記第１端に接続されている第３スイッチと、
　前記増幅器の前記出力端子と前記第１バランとの間に接続されている第４スイッチと、
　前記第４スイッチと前記第３スイッチとの間に前記第１バラン及び前記第２バランを介さずに接続されている送信フィルタと、
　前記増幅器を制御するコントローラと、を更に備え、
　前記増幅器は、送信信号を増幅するパワーアンプであり、
　前記増幅器は、第１電力モードと前記第１電力モードよりも低出力電力の第２電力モードとで動作可能であり、
　前記コントローラが前記増幅器を前記第１電力モードで動作させているときには、前記第４スイッチは、前記増幅器の前記出力端子と前記第１バランとの間を導通状態としており、かつ、前記増幅器の前記出力端子と前記送信フィルタとの間を非導通状態としており、
　前記コントローラが前記増幅器を前記第２電力モードで動作させているときには、前記第４スイッチは、前記増幅器の前記出力端子と前記第１バランとの間を非導通状態としており、かつ、前記増幅器の前記出力端子と前記送信フィルタとの間を導通状態としている、
　請求項１又は２に記載の高周波回路。
　前記第２バランの前記第４コイルの前記第１端に接続されている第３スイッチと、
　前記増幅器である第１増幅器とは別個であり、入力端子及び出力端子を有する第２増幅器と、
　前記第２増幅器の前記出力端子と前記第３スイッチとの間に前記第１バラン及び前記第２バランを介さずに接続されている送信フィルタと、を更に備え、
　前記第１増幅器は、第１パワークラスに対応し、
　前記第２増幅器は、第２パワークラスに対応し、
　前記第１パワークラスの最大出力パワーは、前記第２パワークラスの最大出力パワーよりも大きい、
　請求項１又は２に記載の高周波回路。
　前記増幅器は、受信信号を増幅するローノイズアンプであり、
　前記第１バランは、前記増幅器の前記入力端子に接続されている、
　請求項１又は２に記載の高周波回路。
　請求項１～８のいずれか一項に記載の高周波回路と、
　実装基板と、を備え、
　前記高周波回路の前記増幅器、前記第１スイッチ、前記第２スイッチ、前記第１バラン及び前記第２バランは、前記実装基板に配置されている、
　高周波モジュール。
　前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
　前記増幅器は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、
　前記第１スイッチ及び前記第２スイッチは、前記実装基板の前記第２主面に配置されており、
　前記第１バラン及び前記第２バランは、前記実装基板に配置されており、
　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、
　前記第１バランの少なくとも一部が、前記第１スイッチ及び前記第２スイッチと重なり、
　前記第２バランの少なくとも一部が、前記第１スイッチ及び前記第２スイッチと重なる、
　請求項９に記載の高周波モジュール。
　請求項１～８のいずれか一項に記載の高周波回路と、
　前記高周波回路に接続されている信号処理回路と、を備える、
　通信装置。