CN117727838A - 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例涉及太阳能电池领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，方法包括：提供电池片，电池片包括相对的第一表面和第二表面，第一表面具有多条第一栅线，第二表面具有多条第二栅线，第一栅线在第一表面的正投影与第二栅线在第一表面的正投影均不重叠；对第一栅线两侧的第一表面进行第一激光处理，且向第一栅线和第二栅线之间通入第一反向电流，第一激光处理的激光功率与预设功率的比值为1~1.1，第一反向电流与预设电流的比值为1~1.25。本申请实施例提供的太阳能电池及其制备方法、光伏组件至少有利于提高太阳能电池的效率。
Description
技术领域
本申请实施例涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
背景技术
太阳能电池具有较好的光电转换能力，在太阳能电池中，需要在电池片表面形成多条栅线，从而对电池片产生的电流进行收集。
激光辅助烧结技术又名激光增强接触优化（Laser-enhanced contactoptimization，LECO），LECO技术的主要工作原理为：采用高强度激光照射电池片激发电荷载流子，同时向栅线施加反向电压，由此产生数安培的局部电流，对应处的栅线发生烧结引发金属浆料与电池片的基底之间互相扩散，从而有利于降低栅线与半导体基底之间的接触电阻。
发明内容
本申请实施例提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的效率。
根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池的制备方法，包括：提供电池片，电池片包括相对的第一表面和第二表面，第一表面具有多条第一栅线，第二表面具有多条第二栅线，第一栅线在第一表面的正投影与第二栅线在第一表面的正投影均不重叠；对第一栅线两侧的第一表面进行第一激光处理，且向第一栅线和第二栅线之间通入第一反向电流，第一激光处理的激光功率与预设功率的比值为1~1.1，第一反向电流与预设电流的比值为1~1.25，其中，预设功率和预设电流为，当第一栅线在第一表面的正投影与第二栅线在第一表面的正投影重叠时，对第一栅线两侧的第一表面进行激光处理以及向第一栅线和第二栅线之间通入的反向电流，以使第一栅线与第二栅线的PN结被击穿时对应的激光功率和反向电流。
在一些实施例中，在沿第一栅线的延伸方向上，第一栅线两侧的第一表面包括交替设置的激光处理区和非激光处理区；对第一栅线两侧的第一表面进行第一激光处理包括：仅对第一栅线两侧的激光处理区进行第一激光处理。
在一些实施例中，在沿第一栅线的延伸方向上，非激光处理区的总长度与激光处理区的总长度比值为2:1~4:1。
在一些实施例中，在沿第一栅线的延伸方向上，激光处理区的长度范围为1μm~5μm；非激光处理区的长度范围为3μm~7μm。
在一些实施例中，对第一栅线两侧的第一表面进行第一激光处理的过程中，还包括：对第一栅线进行第一激光处理。
在一些实施例中，第一表面包括第一激光区以及第二激光区，第一激光区位于第一栅线在沿垂直于第一栅线延伸方向上的两侧，第二激光区位于第一激光区远离第一栅线的两侧，第二栅线在第一表面的正投影位于第二激光区内；对第一栅线两侧的第一表面进行第一激光处理包括：对第一激光区进行第一激光处理；进行第一激光处理之后，还包括：对第二激光区进行第二激光处理，且向第一栅线和第二栅线之间通入第二反向电流，其中，第二激光处理的激光功率大于第一激光处理的激光功率，第二反向电流大于第一反向电流。
在一些实施例中，在沿第一栅线的延伸方向上，第一激光区包括交替设置的激光处理区和非激光处理区；对第一激光区进行第一激光处理包括：仅对第一激光区的激光处理区进行第一激光处理；对第二激光区进行第二激光处理包括：对全部的第二激光区进行第二激光处理。
在一些实施例中，在沿垂直于第一栅线的延伸方向上，第二激光区的宽度与第二栅线的宽度相等。
在一些实施例中，在沿垂直于第一栅线的延伸方向上，第二激光区两侧的第一激光区的宽度相等。
根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种太阳能电池，采用上述实施例中任一种太阳能电池的制备方法形成。
根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：至少一个如上述实施例中提供的太阳能电池；胶膜，胶膜覆盖太阳能电池的表面；盖板，盖板覆盖胶膜远离太阳能电池的表面。
本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
本申请实施例提供的太阳能电池的制备方法中，对电池片上第一栅线两侧第一表面进行激光处理同时对第一栅线与第二栅线之间通入反向电流。在激光的照射的作用下，电池片中位于第一栅线两侧的区域会产生大量的载流子，同时由于反向电流的作用，可以将载流子中的电子禁锢在电池片与第一栅线接触的表面，电子与第一栅线发生反应，促使第一栅线中的金属离子析出金属胶束，金属胶束在第一栅线与电池片内的半导体材料之间形成导电接触点位，可以降低第一栅线与半导体材料的接触电阻，如此有利于提高太阳能电池的填充因子，从而提高太阳能电池的光电转换效率。此外，由于第一栅线在第一表面的正投影与第二栅线在第一表面的正投影均不重叠，则第一栅线与第二栅线之间的电阻，相较于第一栅线在第一表面的正投影与第二栅线在第一表面的正投影重叠时的电阻更大，如此在进行第一激光处理时可以采用较预设功率更大的激光功率，以及较预设电流更大的反向电流，促进第一栅线的激光烧结，从而有利于第一栅线与电池片内的半导体材料具有更好的欧姆接触，提高太阳能电池的填充因子，进而提高太阳能电池的效率。通过将第一激光处理的激光功率设置为与预设功率的比例为1~1.1，且第一反向电流与预设电流的比例为1~1.25，可以避免第一栅线与第二栅线之间的PN结被击穿的问题，同时有利于第一栅线具有较好的烧结程度，以避免烧结过度或者烧结程度过低导致的太阳能电池效率下降的问题。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的一种电池片的结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法对应的流程图；
图3为本申请一实施例提供的一种太阳能电池片的制备方法中提供电池片的步骤对应的结构示意图；
图4为本申请一实施例提供的一种电池本体的俯视图；
图5为本申请一实施例提供的另一种电池片的俯视图；
图6为图5沿CC1方向的剖面结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，当激光辅助烧结技术在电池片表面形成栅线时，受激光或者反向电压的影响容易出现基底内的PN结（基底内的p型半导体材料和n型半导体材料之间的边界或界面）被击穿的问题，进而导致电池片在电致发光图像中出现发黑的现象，影响电池片的效率。
图1为本申请一实施例提供的一种电池片的结构示意图。
参考图1，电池片100具有相对的第一表面101和第二表面102，电池片100的第一表面101具有第一栅线111，电池片100的第二表面102具有第二栅线112，第二栅线112与第一栅线111的具有不同的极性，例如第一栅线111为正极电极或者负极电极的一者，第二栅线112为正极电极或者负极电极的另一者。由于电池片100两侧表面上的第一栅线111与第二栅线112的数量可以不相等，则在沿垂直于第一表面101的方向上，可能有部分数量的第一栅线111与第二栅线112为对齐的状态，部分数量的第一栅线111与第二栅线112的为部分对齐的状态，还有部分数量的第一栅线111与第二栅线112为错位的状态。不同的第一栅线111与第二栅线112的对齐状态，导致在第一栅线111与第二栅线112之间通入反向电流时，不同第一栅线111与第二栅线112之间的电阻不同，若对电池片100所有的第一表面101采用同样的激光功率且对所有的第一栅线111和第二栅线通入相同的反向电流，则第一栅线111和第二栅线112为对齐或者部分对齐的状态时的第一栅线111与第二栅线112之间的电阻，比第一栅线111与第二栅线112为错位状态时的第一栅线111与第二栅线112之间的电阻更小。也就是说，当第一栅线111在第一表面101的正投影与第二栅线112在第一表面101的正投影至少有部分重叠时，第一栅线111与第二栅线112之间的PN结更容易被击穿。进而导致电池片100的电致发光图像中出现发黑的问题，影响太阳能电池的效率。
本申请实施例提供一种太阳能电池的制备方法，至少有利于提高太阳能电池的效率。
下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。以下将结合附图对本实施例提供的太阳能电池的制备方法进行详细说明。
图2为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法对应的流程图；图3为本申请一实施例提供的一种太阳能电池片的制备方法中提供电池片的步骤对应的结构示意图。
参考图2，太阳能电池的制备方法，包括：
步骤S1：参考图3，提供电池片200，电池片200包括相对的第一表面201和第二表面202，第一表面201具有多条第一栅线211，第二表面202具有多条第二栅线212，第一栅线211在第一表面的正投影与第二栅线212在第一表面201的正投影均不重叠。
在一些实施例中，电池片200可以为PERC电池（Passivated Emitter and RearCell，钝化发射极和背面电池）、PERT电池（Passivated Emitter and Rear Totally-diffused cell，钝化发射极背表面全扩散电池）、TOPCON电池（Tunnel Oxide PassivatedContact，隧穿氧化层钝化接触电池）、HIT/HJT电池（Heterojunction Technology，异质结电池）中的一种。
在一些实施例中，电池片200可以为单面电池，第一表面201可以作为受光面，用于接收入射光线，第二表面202作为背光面。在一些实施例中，电池片200可以为双面电池，则第一表面201和第二表面202均可以作为受光面，均可用于接收入射光线。
在一些实施例中，电池片可以包括依次层叠的第一钝化层、基底和第二钝化层，第一钝化层远离基底的表面作为第一表面，第二钝化层远离基底的表面作为第二表面，第一栅线位于第一钝化层远离基底的表面，第二栅线位于第二钝化层远离基底的表面。基底用于接收入射光线并产生光生载流子，第一钝化层和第二钝化层可以防止基底表面的氧化或腐蚀，以提高电池片的稳定性和寿命。
在一些实施例中，基底的材料可以为单晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一种。在一些实施例中，第一钝化层和第二钝化层的材料均可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化钛、氧化铪或氧化铝等材料中的一种或多种。
在一些实施例中，基底可以为N型半导体基底或者P型半导体基底。N型半导体基底内掺杂有N型掺杂元素，N型掺杂元素可以为磷（P）元素、铋（Bi）元素、锑（Sb）元素或砷（As）元素等Ⅴ族元素中的任意一者。P型半导体基底内掺杂有P型元素，P型掺杂元素可以为硼（B）元素、铝（Al）元素、镓（Ga）元素或铟（In）元素等Ⅲ族元素中的任意一者。
基底内可以具有发射极，位于基底靠近第一钝化层的一侧且与第一钝化层接触。发射极的掺杂元素类型与基底内的掺杂元素类型相反，如此与基底构成PN结。例如，基底内的掺杂元素为P型掺杂元素，则发射极内的掺杂元素为N型掺杂元素；基底内的掺杂元素为N型掺杂元素，则发射极内的掺杂元素为P型掺杂元素。PN结可以接受照射至基底表面的入射光线，并产生电子空穴对，例如，当基底为N型基底时，分离的电子移动至基底中，分离的空穴移动至发射极中，如此可以形成电流。
在一些实施例中，在基底的至少一侧表面可以具有绒面结构，例如金字塔结构的绒面，如此，绒面结构可以增强基底对入射光线的吸收利用率，从而有利于提高电池片的光转换效率。若太阳能电池为单面电池，则可以仅在基底一侧形成绒面，基底的另一侧表面可以为抛光面，即基底的抛光面相较于绒面更平坦。需要说明的是，对于单面电池，也可以在基底两侧表面均形成绒面。若太阳能电池为双面电池，则可以在基底的两侧表面均形成绒面。
在一些实施例中，第一钝化层的材料可以包括氧化铝、氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一种。其中，第一钝化层可以为单层结构或者叠层结构，例如，单层结构可以为单层氧化铝膜层、单层氧化硅膜层、单层氮化硅膜层或者单层氮氧化硅膜层；叠层结构可以为氧化铝膜层、氧化硅膜层、氮化硅膜层或者氮氧化硅膜层中的至少两层膜层层叠构成。
在一些实施例中，第二钝化层的材料可以包括氧化铝、氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一种。其中，第二钝化层可以为单层结构或者叠层结构，例如，单层结构可以为单层氧化铝膜层、单层氧化硅膜层、单层氮化硅膜层或者单层氮氧化硅膜层；叠层结构可以为氧化铝膜层、氧化硅膜层、氮化硅膜层或者氮氧化硅膜层中的至少两层膜层层叠构成。
在一些实施例中，第二钝化层可以包括沿远离基底表面方向依次层叠的隧穿层、掺杂导电层和减反层，隧穿层和掺杂导电层用于形成钝化接触结构，隧穿层可以起到化学钝化的效果，由于基底表面存在界面态缺陷，隧穿层可以饱和基底表面的悬挂键，降低基底表面的缺陷态密度，减少基底表面的复合中心来降低载流子复合速率，使得基底表面的界面态密度较大，界面态密度的增大会促进光生载流子的复合，增大太阳能电池的填充因子、短路电流以及开路电压，以提高太阳能电池的光电转换效率；掺杂导电层可以具有场钝化效果，掺杂导电层可以形成静电场，从而使少数载流子逃离界面，降低少数载流子的浓度，使得基底界面处的载流子复合速率较低，提高太阳能电池的开路电压、短路电流以及填充因子，改善太阳能电池的光电转换效率。减反层能够降低太阳光在太阳能电池表面的反射率，使更多的光线被吸收转化为电能，从而提高太阳能电池的光吸收效率，且减反层可以保护电池片的内部结构，避免电池片受到环境的污染，提高太阳能电池的稳定性。
隧穿层的材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或者氟化镁中的至少一者。
掺杂导电层的材料可以非晶硅、多晶硅或者碳化硅中的至少一者。掺杂导电层内具有与基底相同的掺杂元素，基底的掺杂元素类型为P型，则掺杂导电层内的掺杂元素类型也为P型；基底的掺杂元素类型为N型，则掺杂导电层内的掺杂元素类型也为N型。
减反层的材料可以为氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的其中一者。
在一些实施例中，第二栅线212在第一表面201的正投影到相邻两个第一栅线211在第一表面201的正投影的距离相等。也就是说，第二栅线212位于相邻第一栅线211的正中间，如此，第二栅线212到相邻两个第一栅线211之间的距离相等，则第二栅线212与对应的相邻两个第一栅线211之间的电阻相等，则当对第一栅线211两侧的第一表面201进行第一激光处理以及向第一栅线211和第二栅线212之间通入第一反向电流的过程中，有利于保持不同第一栅线211的烧结程度相近，有利于提高太阳能电池性能的均一性。
在一些实施例中，第二栅线212在第一表面201的正投影到相邻两个第一栅线211在第一表面201的正投影的距离也可以不相等。
在一些实施例中，第一栅线的数量与第二栅线的数量可以不等。例如，第二栅线的数量可以为第一栅线数量的2倍。具体地，当第一表面的第一栅线数量为160根时，第一栅线之间的间距可以为1.1mm~1.5mm，例如1.1mm、1.12mm、1.33mm、1.45mm或者1.5mm；第二表面的第二栅线数量可以为320根，第二栅线之间的间距可以为第一栅线之间间距的1/2~1/3，例如1/2、1/2.3、1/2.5、1/2.8或者1/3。当第二栅线的数量为第一栅线数量的两倍时，第一栅线可以间隔设置在相邻第二栅线的中间对应的位置，以使第一栅线与第二栅线沿垂直于第一表面的方向完全错开。
在一些实施例中，第一栅线的数量与第二栅线的数量也可以相等。例如，第一表面上第一栅线的数量可以为148根，第一栅线之间的间距可以为1.1mm~1.5mm，例如1.1mm、1.12mm、1.33mm、1.45mm或者1.5mm；第二表面上第二栅线的数量可以为148根，第二栅线之间的间距可以为1.1mm~1.5mm，例如1.1mm、1.12mm、1.33mm、1.45mm或者1.5mm。在印刷第一栅线和第二栅线时，每一第一栅线均可以位于相邻第二栅线之间的区域，从而使第一栅线和第二栅线完全错开。
步骤S2：对第一栅线211两侧的第一表面201进行第一激光处理，且向第一栅线211和第二栅线212之间通入第一反向电流，第一激光处理的激光功率与预设功率的比值为1~1.1，例如1、1.01、1.02、1.03、1.04、1.05、1.06、1.07、1.08、1.09或者1.1；第一反向电流与预设电流的比值为1~1.25，例如1、1.03、1.05、1.07、1.1、1.14、1.18、1.2、1.23或者1.25，其中，预设功率和预设电流为，当第一栅线211在第一表面201的正投影与第二栅线212在第一表面201的正投影重叠时，对第一栅线211两侧的第一表面201进行激光处理以及向第一栅线211和第二栅线212之间通入的反向电流，以使第一栅线211与第二栅线212的PN结被击穿时对应的激光功率和反向电流。
在一些实施例中，预设功率和预设电流可以通过对测试电池片进行测试获取。例如，测试电池片的正面和背面可以具有正面栅线和背面栅线，正面栅线在电池片正面的正投影与背面栅线在电池片正面的正投影完全重叠，测试电池片的制造工艺与电池片的制备工艺相同。通过对测试电池片的正面栅线两侧的表面进行激光处理，且向正面栅线和背面栅线之间通入反向电流，以使正面栅线和背面栅线之间的PN结被击穿，获取PN结被击穿时的激光功率和反相电流作为预设功率和预设电流。
可以理解的是，当第一激光处理的激光功率为与预设功率的比值为1时，为促进第一栅线211具有较好的烧结程度，第一反向电流与预设电流的比值大于1；当第一反向电流与预设电流的比值为1时，为促进第一栅线211具有较好的烧结程度，第一激光处理的激光功率为与预设功率的比值大于1。
本实施例提供的太阳能电池的制备方法中，对电池片200上第一栅线211两侧第一表面201进行激光处理同时对第一栅线211与第二栅线212之间通入反向电流。在激光的照射的作用下，电池片200中位于第一栅线211两侧的区域会产生大量的载流子，同时由于反向电流的作用，可以将载流子中的电子禁锢在电池片200与第一栅线211接触的表面，电子与第一栅线211发生反应，促使第一栅线211中的金属离子析出金属胶束，金属胶束在第一栅线211与电池片200内的半导体材料之间形成导电接触点位，可以降低第一栅线211与半导体材料的接触电阻，如此有利于提高太阳能电池的填充因子，从而提高太阳能电池的光电转换效率。此外，由于第一栅线211在第一表面201的正投影与第二栅线212在第一表面201的正投影均不重叠，则第一栅线211与第二栅线212之间的电阻，相较于第一栅线211在第一表面201的正投影与第二栅线212在第一表面201的正投影重叠时的电阻更大，如此在进行第一激光处理时可以采用较预设功率更大的激光功率，以及较预设电流更大的反向电流，促进第一栅线211的激光烧结，从而有利于第一栅线211与电池片200内的半导体材料具有更好的欧姆接触，提高太阳能电池的填充因子，进而提高太阳能电池的效率。通过将第一激光处理的激光功率设置为与预设功率的比例为1~1.1，且第一反向电流与预设电流的比例为1~1.25，可以避免第一栅线211与第二栅线212之间的PN结被击穿的问题，同时有利于第一栅线211具有较好的烧结程度，以避免烧结过度或者烧结程度过低导致的太阳能电池效率下降的问题。
图4为本申请一实施例提供的一种电池片的俯视图。
参考图4，在一些实施例中，在沿第一栅线211的延伸方向上，第一栅线211两侧的第一表面201可以包括交替设置的激光处理区I和非激光处理区II；对第一栅线211两侧的第一表面201进行第一激光处理包括：仅对第一栅线211两侧的激光处理区I进行第一激光处理。
也就是说，在进行第一激光处理的过程中，通过虚实结合的照射方式，对第一栅线211两侧的第一表面201进行间隔式的激光处理，对激光处理区I进行激光照射，对非激光处理区II不进行激光照射，则激光处理区I会产生大量载流子，非激光处理区II不会产生载流子或者由于激光处理区I的辐射产生较少的载流子。如此通过对第一激光照射区I进行图形化照射的照射方式，可以精准的调控载流子的产生数量，从而有利于控制第一栅线211的烧结程度。
在一些实施例中，在沿垂直于第一栅线211的延伸方向上的两侧，激光处理区I与非激光处理区II的数量以及排列方式可以相同或者不同。
在图4中，在沿垂直于第一栅线211的延伸方向上，激光处理区I的宽度与相邻第一栅线211之间的间距相等为例，如此，相邻第一栅线211共同利用同一激光处理区I在第一激光处理的过程中产生的载流子。在一些实施例中，在沿垂直于第一栅线的延伸方向上，激光处理区的宽度可以小于等于相邻第一栅线之间间距的1/2，如此，不同的第一栅线可以分别利用各自的激光处理区在第一激光处理的过程中产生的载流子，从而有利于针对不同的第一栅线分别对应设置相应激光处理区的面积，以有利于调控载流子的产生数量。
在一些实施例中，在沿第一栅线211的延伸方向上，非激光处理区II的总长度与激光处理区I的总长度比值为2:1~4:1，例如可以为2:1、2.3:1、3:1、3.6:1或者4:1。
在一些实施例中，在沿第一栅线211的延伸方向上，激光处理区I的长度范围为1μm~5μm，例如可以是1μm、1.5μm、2μm、2.4μm、3μm、3.6μm、4μm、4.7μm或者5μm；非激光处理区II的长度范围为3μm~7μm，例如可以是3μm、3.3μm、4μm、4.6μm、5μm、5.9μm、6μm、6.5μm或者7μm。
在一些实施例中，对第一栅线211两侧的第一表面201进行第一激光处理的过程中，还包括：对第一栅线211进行第一激光处理。可以理解的是，第一激光处理的激光光斑尺寸较大时，第一激光处理的激光还可以照射到第一栅线211上，由于激光的光斑尺寸越小，相应的光斑容易产生较高的能量密度，导致材料表面损伤过大，当激光的光斑尺寸较大时可以避免激光对第一栅线211造成损伤，从而可以将第一激光处理的激光打在第一栅线211上。
图5为本申请一实施例提供的另一种电池片的俯视图；图6为图5沿CC1方向的剖面结构示意图。
参考图5和图6，在一些实施例中，第一表面201可以包括第一激光区A以及第二激光区B，第一激光区A位于第一栅线211在沿垂直于第一栅线211延伸方向上的两侧，第二激光区B位于第一激光区A远离第一栅线211的两侧，第二栅线212在第一表面201的正投影位于第二激光区B内；对第一栅线211两侧的第一表面201进行第一激光处理包括：对第一激光区A进行第一激光处理；进行第一激光处理之后，还包括：对第二激光区B进行第二激光处理，且向第一栅线211和第二栅线212之间通入第二反向电流，其中，第二激光处理的激光功率大于第一激光处理的激光功率，第二反向电流大于第一反向电流。
也就是说，对第一栅线211的激光烧结分两步进行，第一激光处理时激光照射的区域位于邻近第一栅线211的两侧，第二激光处理时的激光照射的区域位于与第一栅线211相间隔的区域，如此，可以更精确的控制第一栅线211的烧结程度，以有利于根据第一激光处理的烧结程度调整第二激光处理的工艺条件。由于第二激光区I域第一栅线211之间相间隔，第二激光处理产生的载流子比第一激光处理产生的载流子更加慢地到达第一栅线211的下方，相应的第二激光处理的激光功率以及第二反向电流可以适当的相较第一激光处理的工艺条件有所增加。此外，由于第二栅线212在第一表面201的正投影位于第二激光区B内，则第一栅线211与第二栅线212之间的反向电流可以更快的与载流子相互作用，从而促进第一栅线中析出金属胶束，以促进第一栅线211与电池片200内的半导体材料有良好的欧姆接触，进而有利于提高太阳能电池的填充因子和效率。
在图5和图6中，以相邻第一栅线211之间共同利用同一第二激光区B在第二激光处理过程中产生的载流子为例。在一些实施例中，不同第一栅线对应的第二激光区可以相互间隔设置，以各自利用不同的第二激光区在第二激光处理的过程中产生的载流子。
在一些实施例中，在沿第一栅线的延伸方向上，第一激光区可以包括交替设置的激光处理区和非激光处理区；对第一激光区进行第一激光处理包括：仅对第一激光区的激光处理区进行第一激光处理；对第二激光区进行第二激光处理包括：对全部的第二激光区进行第二激光处理。
也就是说，通过两步激光烧结的方式对第一栅线进行激光烧结的步骤中，第一激光处理的照射也可以采用虚实结合的照射方式，以有利于精准的调控载流子的产生数量，从而有利于控制第一栅线的烧结程度。
在一些实施例中，在沿垂直于第一栅线211的延伸方向上，第二激光区B的宽度与第二栅线212的宽度可以相等。如此，在沿垂直于第一表面201的方向上，第二栅线212的位置与第二激光区B的位置可以完全对应，以有利于载流子与反向电流之间的相互作用，促进第一栅线211的激光烧结。
在一些实施例中，在沿垂直于第一栅线211的延伸方向上，第二激光区B两侧的第一激光区A的宽度相等。也就是说，第二激光区B位于相邻两条第一栅线211的正中间，相邻第一栅线211对应的第一激光区A的大小相等，如此可以避免由于不同第一栅线211对应的第一激光区A和第二激光区B的面积不同，导致第一激光处理或者第二激光处理中的载流子产生的数量不同，进而有利于通过激光照射的面积调控载流子的数量。
在一些实施例中，在沿垂直于第一栅线211的延伸方向上，第一激光区A的宽度与第二激光区B的宽度的比值范围可以为0.6~1.6，例如可以是0.6、0.8、1、1.1、1.3、1.5或者1.6。
在一些实施例中，在沿垂直于第一栅线211的延伸方向上，第一激光区A的宽度为60μm~100μm，例如可以是60μm、70μm、75μm、80μm、85μm、90μm、95μm或者100μm；第二激光区B的宽度为60μm~100μm，例如可以是60μm、70μm、75μm、80μm、85μm、90μm、95μm或者100μm。
根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种太阳能电池，采用上述实施例中任一种太阳能电池的制备方法形成，以提高太阳能电池的效率。需要说明的是，与上述实施例相同或者相应的部分，可参考前述实施例的相应说明，以下将不做详细赘述。
在一些实施例中，太阳能电池可以为PERC电池（Passivated Emitter and RearCell，钝化发射极和背面电池）、PERT电池（Passivated Emitter and Rear Totally-diffused cell，钝化发射极背表面全扩散电池）、TOPCON电池（Tunnel Oxide PassivatedContact，隧穿氧化层钝化接触电池）、HIT/HJT电池（Heterojunction Technology，异质结电池）中的一种。
在一些实施例中，太阳能电池可以为单面电池，如此，电池片200的第一表面201可以作为受光面，用于接收入射光线，第二表面202作为背光面。在一些实施例中，太阳能电池也可以为双面电池，则电池片200的第一表面201和第二表面202均可以作为受光面，均可用于接收入射光线。
根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：至少一个上述实施例中的太阳能电池，需要说明的是，与上述实施例相同或者相应的部分，可参考前述实施例的相应说明，以下将不做详细赘述。
光伏组件还可以包括连接部件，连接部件用于太阳能电池之间的相互连接，并汇聚电流传输至光伏组件外部的元件。在一些实施例中，连接部件可以包括汇流焊带以及互连焊带，汇流焊带用于连接光伏电池串及接线盒，互连焊带用于连接相邻的太阳能电池。
光伏组件还可以包括胶膜。胶膜覆盖太阳能电池的表面。胶膜的材料可以采用乙烯-乙酸乙烯共聚物（EVA）胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体（POE）胶膜或者聚乙烯醇缩丁醛酯（PVB）胶膜等有机封装胶膜。
光伏组件还可以包括盖板，盖板覆盖胶膜远离太阳能电池的表面。盖板可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板。具体地，盖板朝向胶膜的表面可以为凹凸表面，从而增加入射光线的利用率。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。
Claims (11)
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供电池片，所述电池片包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有多条第一栅线，所述第二表面具有多条第二栅线，所述第一栅线在所述第一表面的正投影与所述第二栅线在所述第一表面的正投影均不重叠；
对所述第一栅线两侧的所述第一表面进行第一激光处理，且向所述第一栅线和所述第二栅线之间通入第一反向电流，所述第一激光处理的激光功率与预设功率的比值为1~1.1，所述第一反向电流与预设电流的比值为1~1.25，其中，所述预设功率和所述预设电流为，当所述第一栅线在所述第一表面的正投影与所述第二栅线在所述第一表面的正投影重叠时，对所述第一栅线两侧的所述第一表面进行激光处理以及向所述第一栅线和所述第二栅线之间通入的反向电流，以使所述第一栅线与所述第二栅线的PN结被击穿时对应的激光功率和反向电流。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沿所述第一栅线的延伸方向上，所述第一栅线两侧的所述第一表面包括交替设置的激光处理区和非激光处理区；
对所述第一栅线两侧的所述第一表面进行所述第一激光处理包括：仅对所述第一栅线两侧的所述激光处理区进行所述第一激光处理。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沿所述第一栅线的延伸方向上，所述非激光处理区的总长度与所述激光处理区的总长度比值为2:1~4:1。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沿所述第一栅线的延伸方向上，所述激光处理区的长度范围为1μm~5μm；所述非激光处理区的长度范围为3μm~7μm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，对所述第一栅线两侧的所述第一表面进行所述第一激光处理的过程中，还包括：对所述第一栅线进行所述第一激光处理。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一表面包括第一激光区以及第二激光区，所述第一激光区位于所述第一栅线在沿垂直于所述第一栅线延伸方向上的两侧，所述第二激光区位于所述第一激光区远离所述第一栅线的两侧，所述第二栅线在所述第一表面的正投影位于所述第二激光区内；
对所述第一栅线两侧的所述第一表面进行所述第一激光处理包括：对所述第一激光区进行所述第一激光处理；
进行所述第一激光处理之后，还包括：对所述第二激光区进行第二激光处理，且向所述第一栅线和所述第二栅线之间通入第二反向电流，其中，所述第二激光处理的激光功率大于所述第一激光处理的激光功率，所述第二反向电流大于所述第一反向电流。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沿所述第一栅线的延伸方向上，所述第一激光区包括交替设置的激光处理区和非激光处理区；
对所述第一激光区进行第一激光处理包括：仅对所述第一激光区的所述激光处理区进行所述第一激光处理；
对所述第二激光区进行第二激光处理包括：对全部的所述第二激光区进行所述第二激光处理。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沿垂直于所述第一栅线的延伸方向上，所述第二激光区的宽度与所述第二栅线的宽度相等。
9.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沿垂直于所述第一栅线的延伸方向上，所述第二激光区两侧的所述第一激光区的宽度相等。
10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用如权利要求1~9中任一项所述的太阳能电池的制备方法形成。
11.一种光伏组件，其特征在于，包括：
至少一个如权利要求10所述的太阳能电池；
胶膜，所述胶膜覆盖所述太阳能电池的表面；
盖板，所述盖板覆盖所述胶膜远离所述太阳能电池的表面。
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