CN110165010A - 一种双面perc电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种双面PERC电池及其制备方法，其中，双面PERC电池包括P型硅基底、位于P型硅基底背面的钝化膜层、位于钝化膜层表面的主栅及细栅，细栅与主栅相连且细栅与主栅相垂直，其中，每根细栅的位置处均包含多个分段设置的激光刻蚀区，激光刻蚀区用于将P型硅基底裸露出来的，位于激光刻蚀区的细栅与P型硅基底相接触；位于相邻两根细栅位置处的激光刻蚀区呈交错分布。本申请公开的上述技术方案，通过细栅处的激光刻蚀区的分段分布来降低对钝化膜层的破坏，并通过相邻两根细栅处的激光刻蚀区的交错分布来降低双面PERC电池的背面电阻，从而提高双面PERC电池的光电转换效率和发电量。

Description

一种双面PERC电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种双面PERC电池及其制备方法。
背景技术
随着太阳能电池技术的不断发生，PERC(Passivated Emitter and Rear Cell，钝化发射极和背电极)电池受到了广泛关注。其中，单面PERC电池因背面为全铝背场不能接受光照进行发电而使其发电效率和发电量比较低。为了提高电池发电效率和发电量，双面PERC电池应用而生，其是在现有单面PERC电池的基础上改变铝背场的结构，以使背面同样可以接收光照实现发电。具体地，其是通过精密印刷使铝浆仅覆盖在背面激光刻蚀线上，即将全铝背场结构改为铝栅线结构，通过铝栅线与硅形成欧姆接触将电池内部的电子导出，最终通过铝栅线将电子汇集到背面电极中(铝栅线为细栅线，背面电极为主栅线)，从而提高PERC电池的开路电压和短路流，提高PERC电池的发电量。
现有双面PERC电池大致可以分为如下两种结构：其中一种结构可以参见图1，其示出了现有双面PERC电池中激光刻蚀线的第一种分布图，其是激光刻蚀线100贯穿整个硅片(即从硅片的一端一直延续到另一端)，但是，由于这种结构的激光刻蚀线100比较长，对钝化膜层破坏比较大(因激光刻蚀线100是对位于硅片背面的钝化膜层进行刻蚀得到的)，因此会降低钝化膜层的钝化效果，降低电池的光电转换效率；另一种结构是激光刻蚀线100在硅片上呈间隔分布，所有细栅位置处所分布的激光刻蚀线100是相同的，具体可以参见图2，其示出了现有双面PERC电池中激光刻蚀线的第二种分布图，但因所有激光刻蚀线100分布相同，则使得电池内部电子到达激光刻蚀线100位置处的路径比较长，从而会增大电阻，增大电流损耗，降低电池的光电转换效率，例如：图2中A位置处的载流子在向激光刻蚀线100移动的过程中会存在一个横向矢量，而该横向矢量会产生一个横向电阻，从而会增大电流损耗，降低光电转换效率。
综上所述，如何既能降低对钝化膜层的破坏，又能降低背面的电阻，以提高双面PERC电池的光电转换效率和发电量，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种双面PERC电池及其制备方法，以既能降低对钝化膜层的破坏，又能降低背面的电阻，从而提高双面PERC电池的光电转换效率和发电量。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种双面PERC电池，包括P型硅基底、位于所述P型硅基底背面的钝化膜层、位于所述钝化膜层表面的主栅及细栅，所述细栅与所述主栅相连且所述细栅与所述主栅相垂直，其中：
每根所述细栅的位置处均包含多个分段设置的激光刻蚀区，所述激光刻蚀区用于将所述P型硅基底裸露出来的激光刻蚀区，位于所述激光刻蚀区的细栅与所述P型硅基底相接触；
位于相邻两根所述细栅的位置处的所述激光刻蚀区呈交错分布。
优选的，每根所述细栅均包括位于所述激光刻蚀区的铝栅、位于所述激光刻蚀区之间且与所述铝栅相连的银栅。
优选的，每根所述细栅均包括位于所述激光刻蚀区的铝栅、位于所述铝栅表面且连续设置的银栅。
优选的，每根所述细栅均为铝栅。
优选的，所述钝化膜层包括与所述P型硅基底的背面相接触的SiO2层、与所述SiO2层相接触的Al2O3层、与所述Al2O3层相接触的SixNy层。
一种双面PERC电池的制备方法，包括：
在经扩散处理后的P型硅基底的背面制备钝化膜层；
对所述钝化膜层表面细栅制备区中的预设区域进行激光刻蚀处理，形成激光刻蚀区，以将所述预设区域的P型硅基底裸露出来；其中，每个所述细栅制备区中的所述激光刻蚀区间隔分布，相邻两个所述细栅制备区中的所述激光刻蚀区呈交错分布；
分别在所述细栅制备区和主栅制备区印刷浆料，并进行烧结，以对应得到细栅和主栅；其中，所述细栅与所述主栅相连且所述细栅与所述主栅相垂直。
优选的，在所述细栅制备区印刷浆料，包括：
在所述激光刻蚀区印刷铝浆，并在位于同一所述细栅制备区中的相邻两个所述激光刻蚀区之间印刷银浆。
优选的，在所述细栅制备区印刷浆料，包括：
在所述激光刻蚀区印刷铝浆，并在所述细栅制备区印刷银浆。
优选的，在P型硅基底的背面制备钝化膜层，包括：
利用O3在所述P型硅基底背面制备SiO2层；
利用TMA和N2O在所述SiO2层表面制备Al2O3层；
利用SiH4和NH3在所述Al2O3层表面制备SixNy层。
优选的，在利用O3在所述P型硅基底背面制备SiO2层之后，包括：
利用退火炉在所述P型硅基底正面生长SiO2层。
本发明提供了一种双面PERC电池及其制备方法，其中，双面PERC电池包括P型硅基底、位于P型硅基底背面的钝化膜层、位于钝化膜层表面的主栅及细栅，细栅与主栅相连且细栅与主栅相垂直，其中，每根细栅的位置处均包含多个分段设置的激光刻蚀区，激光刻蚀区用于将P型硅基底裸露出来的，位于激光刻蚀区的细栅与P型硅基底相接触；位于相邻两根细栅位置处的激光刻蚀区呈交错分布。
本申请公开的上述技术方案，每根细栅的位置处包含多个分段设置的激光刻蚀区且位于激光刻蚀区的细栅与P型硅基底相接触，以用于将P型硅基底内部的载流子导出来，并汇集到主栅位置处，由主栅进行收集，同时分段设置的激光刻蚀区可以降低对钝化膜层的破坏，从而可以提高双面PERC电池的钝化效果。另外，位于相邻两个细栅上方的激光刻蚀区呈交错分布，以缩短载流子到达激光刻蚀区的路径，从而降低背面电阻，降低电流损耗。也就是说，通过每根细栅处的激光刻蚀区的分段分布来降低对钝化膜层的破坏，并通过相邻两根细栅处的激光刻蚀区的交错分布来降低双面PERC电池的背面电阻，从而提高双面PERC电池的光电转换效率和发电量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有双面PERC电池中激光刻蚀线的第一种分布图；
图2为现有双面PERC电池中激光刻蚀线的第二种分布图；
图3为本发明实施例提供的一种双面PERC电池的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种双面PERC电池的背面示意图；
图5为本发明实施例提供的激光刻蚀区在双面PERC电池背面的分布示意图；
图6为本发明实施例提供的一根细栅的第一种结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一根细栅的第二种结构的其中一示意图；
图8为本发明实施例提供的一根细栅的第二种结构的另一示意图；
图9为本发明实施例提供的另一种双面PERC电池的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种双面PERC电池的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参见图3至图5，其中，图3示出了本发明实施例提供的一种双面PERC电池的结构示意图，图4示出了本发明实施例提供的一种双面PERC电池的背面示意图，图5示出了本发明实施例提供的激光刻蚀区在双面PERC电池背面的分布示意图。本发明实施例提供的一种双面PERC电池，可以包括P型硅基底1、位于P型硅基底1背面的钝化膜层7、位于钝化膜层7表面的主栅8及细栅9，细栅9与主栅8相连且细栅9与主栅8相垂直，其中：
每根细栅9的位置处均包含多个分段设置的激光刻蚀区10，激光刻蚀区10用于将P型硅基底1裸露出来，位于激光刻蚀区10的细栅9与P型硅基底1相接触；
位于相邻两根细栅9的位置处的激光刻蚀区10呈交错分布。
双面PERC电池可以包括P型硅基底1、位于P型硅基底1正面的N型硅层2、位于N型硅层2表面的SiO2层3、Al2O3层4、SixNy层5，其中，SiO2层3、Al2O3层4、SixNy层5均可以起到钝化的作用，另外，SixNy层5还可以起到减反射的作用，从而减少太阳光在双面PERC电池正面的反射量，以增大双面PERC电池正面的光照量，进而增大双面PERC电池的发电量和光电转换效率。另外，双面PERC电池的正面还包括位于N型硅层2表面的电极6，其用于收集双面PERC电池内部的载流子，并用于将载流子传导出去，以实现正面发电。
双面PERC电池的背面可以包括位于P型硅基底1背面的钝化膜层7、位于钝化膜层7表面的主栅8及细栅9，细栅9与主栅8相连且细栅9与主栅8相垂直。钝化膜层7用于减少双面PERC电池背面的电子空穴对的复合，并增强双面PERC电池捕获光的能力；细栅9用于收集电池表面的电流，主栅8则用于对细栅9收集的电流进行汇集，并将电流引导出来。其中，细栅9的数量可以为96-120根，主栅8的数量可以为5、9或者12根。当然，细栅9的数量和主栅8的数量均可以根据双面PREC电池的尺寸或者实际制备工艺进行更改，本申请对双面PERC电池背面所包含的细栅9的数量和主栅8的数量不做任何限定。
在双面PERC电池的背面，每根细栅9的位置处均包含多个分段设置的激光刻蚀区10，每个激光刻蚀区10均用于将P型硅基底1裸露出来。位于激光刻蚀区10的细栅9与P型硅基底1直接相接触，以使双面PERC电池内部的载流子可以到达激光刻蚀区10的细栅9处，通过细栅9导出来并汇集到主栅8上，最终通过主栅8传导出去，以实现背面发电。由于激光刻蚀区10是通过对钝化膜层7进行激光刻蚀，以将P型硅基底1裸露出来得到的，因此，在每根细栅9的位置处均包含分段设置的激光刻蚀区10可以减少激光刻蚀区10对钝化膜层7的破坏，从而可以提高钝化膜层7的钝化效果，提高双面PERC电池背面的光电转换效率和发电量。
在双面PERC电池中，位于相邻两根细栅9的位置处的激光刻蚀区10呈交错分布，也就是说，当第一根细栅9位置处的某个位置处没有激光刻蚀区10分布时，则在第二根细栅9(第二根细栅9与第一根细栅9相邻)位置处的对应位置处(该对应位置的中心与上述某个位置的中心的连线与双面PERC电池背面的主栅8相平行)有激光刻蚀区10分布；当第一根细栅9位置处的某个位置处存在激光刻蚀区10时，为了减少钝化膜层7的损伤，则第二根细栅9位置处的的对应位置处没有激光刻蚀区10存在，即相邻两个细栅9上方所分布的激光刻蚀区10呈互补关系，具体可以参见图4。通过这种设计可以缩短载流子到达激光刻蚀区10的距离，从而可以降低双面PERC电池的背面电阻，减小电流损耗，进而可以增大双面PERC电池的光电转换效率和发电量。例如：图5中位于B位置处的载流子在向激光刻蚀区10移动的过程中会因激光刻蚀区10的交错分布而仅存在纵向矢量但并不存在横向矢量，因此，处于该位置处的载流子在运动过程中则不会对应产生一个横向电阻，从而可以降低电流损耗。从运动路径上分析，图5中位于B位置处的载流子的运动路径为垂直向下，而图2中位于A位置处的载流子的运行路径为斜向下，可以近似看成图2中位于A位置处的载流子的运动路径相当于一个直角三角形的斜边，而图5中位于B位置处的载流子的运动路径相当于上述直角三角形的一个直角边，因此，图5中位于B位置处的载流子的运动路径要小于图2中位于A位置处的载流子的运动路径，从而可以减小双面PERC电池的背面电阻，减少电流损耗。
本申请公开的上述技术方案，每根细栅的位置处包含多个分段设置的激光刻蚀区且位于激光刻蚀区的细栅与P型硅基底相接触，以用于将P型硅基底内部的载流子导出来，并汇集到主栅位置处，由主栅进行收集，同时分段设置的激光刻蚀区可以降低对钝化膜层的破坏，从而可以提高双面PERC电池的钝化效果。另外，位于相邻两个细栅上方的激光刻蚀区呈交错分布，以缩短载流子到达激光刻蚀区的路径，从而降低背面电阻，降低电流损耗。也就是说，通过细栅处的激光刻蚀区的分段分布来降低对钝化膜层的破坏，并通过相邻两根细栅处的激光刻蚀区的交错分布来降低双面PERC电池的背面电阻，从而提高双面PERC电池的光电转换效率和发电量。
参见图6，其示出了本发明实施例提供的一根细栅的第一种结构示意图。本发明实施例提供的一种双面PERC电池，每根细栅9均可以包括位于激光刻蚀区10的铝栅91、位于激光刻蚀区10之间且与铝栅91相连的银栅92。
在双面PERC电池的背面，每根细栅9均可以由两部分构成：其中一部分为位于激光刻蚀区10的铝栅91(铝栅91正好完全覆盖住激光刻蚀区10)，另一部分为位于激光刻蚀区10之间且与铝栅91相连的银栅92。其中，位于激光刻蚀区10的铝栅91可以与激光刻蚀区10所裸露出来的P型硅基底1形成硅铝合金，不仅可以起到钝化的作用，而且可以与硅形成欧姆接触，以较好地将电池内部的载流子的导出来；银栅92则具有良好的导电性能，在电阻相同的情况下，银栅92可以做的更细小，因此，则可以减少遮光面积，即可以增大双面PERC的背面的受光面积，从而提高双面PERC电池的发电量；在遮挡面积相同的情况下，银栅92的电阻更小，因此，则可以减少背面电阻，减少电流损耗，从而可以提高双面PERC电池的光电转换效率。
其中，铝栅91的宽度可以在20-80μm之间(包括端点值)，银栅92的宽度可以在10-80μm之间(包括端点值)，细栅9的高度可以在15-30μm之间(包括端点值)。
参见图7和图8，其中，图7示出了本发明实施例提供的一根细栅的第二种结构的其中一示意图，图8示出了本发明实施例提供的一根细栅的第二种结构的另一示意图。本发明实施例提供的一种双面PERC电池，每根细栅9均可以包括位于激光刻蚀区10的铝栅91、位于铝栅91表面且连续设置的银栅92。
位于双面PERC背面的细栅9可以包括位于激光刻蚀区10的铝栅91(铝栅91正好完全覆盖住激光刻蚀区10)、位于铝栅91表面且连续设置的银栅92，即银栅92在细栅9位置处从双面PERC电池的一端一直延续到另一端，以通过铝栅91和银栅92提高双面PERC电池的发电量和光电转换效率。
其中，位于相邻两个激光刻蚀区10之间的银栅92的高度与位于激光刻蚀区10中的铝栅91和银栅92的高度之和可以不等(如图7)，也可以相等(如图8)，不等时可以减少制备银栅92所使用的银浆的使用量，相等时可以使双面PERC电池的背面比较平整。
参见图9，其示出了本发明实施例提供的另一种双面PERC电池的结构示意图，本发明实施例提供的一种双面PERC电池，每根细栅9均可以为铝栅91。
在双面PERC电池的背面，每根细栅9均可以为铝栅91，以较好地起到钝化的效果。另外，由于整个细栅9只由铝栅91这一部分组成，因此，则便于细栅9的印刷制备，而且可以减少浆料的使用，从而可以降低双面PERC电池的制备成本。
本发明实施例提供的一种双面PERC电池，钝化膜层7可以包括与P型硅基底1的背面相接触的SiO2层、与SiO2层相接触的Al2O3层、与Al2O3层相接触的SixNy层。
在双面PERC电池中，位于P型硅基底1背面的钝化膜层7具体可以包括与P型硅基底1的背面相接触的SiO2层、与SiO2层相接触的Al2O3层、与Al2O3层相接触的SixNy层，其中，SiO2层和Al2O3层主要起钝化的作用，以提高双面PERC电池的光电转换效率，SixNy层不仅可以起到钝化的作用，而且还可以起到减反射的作用，以增大背面的进光量，从而提高双面PERC电池的发电量。
本发明实施例还提供了一种双面PERC电池的制备方法，参见图10，其示出了本发明实施例提供的一种双面PERC电池的制备方法的流程图，可以包括：
S11：在经扩散处理后的P型硅基底的背面制备钝化膜层。
先对P型硅基底进行清洗。具体地，在粗抛槽中去除P型硅基底表面的损伤层和脏污，并在预清洗槽中对P型硅基底进行预清洗；在第一漂洗槽中对P型硅基底进行第一次漂洗；在制绒槽中对P型硅基底进行制绒；在第二漂洗槽中对P型硅基底进行第二次漂洗；在碱洗槽中对P型硅基底进行碱洗；在第三漂洗槽中对P型硅基底进行第三次漂洗；在酸洗槽中对P型硅基底进行酸洗；在第四漂洗槽中对P型硅基底进行第四次漂洗；在慢提拉槽中对P型硅基底进行预脱水；在烘干槽中对P型硅基底进行烘干。
在P型硅基底正面使用管式扩散炉进行掺杂扩散。具体地，利用POCl3(三氯氧磷)作为掺杂剂，在扩散过程中通入O2，两者反应生成含磷的产物。含磷的产物在高温下进入P型硅基底的内部，使P型硅基底正面形成0.3μm左右厚度的N型硅层。
利用HF/HNO3体系对扩散后的P型硅基底的侧边和四周进行腐蚀，去除侧边及四周的N型硅，保证双面PERC电池的单向导通性，避免双面PERC电池漏电。完成腐蚀后，使用KOH药液清洗，去除因腐蚀反应产生的多孔硅这一副产物，最后使用HF药液对P型硅基底正面进行清洗，去除表面的PSG(磷硅玻璃)，完成清洗后利用翻转器对P型硅基底进行翻转。
在经过上述扩散处理后，在P型硅基底的背面制备钝化膜层，以利用钝化膜层实现对双面PERC电池背面的钝化，从而减少载流子的复合，以提高双面PERC电池的光电转换效率。
S12：对钝化膜层表面细栅制备区中的预设区域进行激光刻蚀处理，形成激光刻蚀区，以将预设区域的P型硅基底裸露出来；其中，每个细栅制备区中的激光刻蚀区间隔分布，相邻两个细栅制备区中的激光刻蚀区呈交错分布。
在双面PERC电池的背面制备完钝化膜层之后，对钝化膜层表面细栅制备区(细栅制备区即为制备细栅的区域)中的预设区域进行激光刻蚀处理，形成激光刻蚀区，并通过激光刻蚀处理将预设区域的钝化膜层刻蚀掉，以将预设区域的P型硅基底裸露出来。在进行激光刻蚀处理时，控制激光功率的大小，以使其刚好能够消融钝化膜层即可，从而避免对P型硅基底造成损伤。
其中，每个细栅制备区中所设定的预设区域间隔分布，相邻两个细栅制备区中所设定的预设区域呈交错分布，这样在经过激光对预设区域的钝化膜层进行刻蚀处理之后，每个细栅制备区中的激光刻蚀区间隔部分，相邻两个细栅制备区中的激光刻蚀区呈交错分布。
通过每个细栅制备区中的激光刻蚀区间隔分布，以降低对钝化膜层的破坏，从而提高钝化膜层的钝化效果；通过相邻两个细栅制备区中的激光刻蚀区呈交错分布，以缩短电子到达激光刻蚀区的路径，减小背面电阻，减小电流损耗，从而提高双面PERC电池的光电转换效率。
S13：分别在细栅制备区和主栅制备区印刷浆料，并进行烧结，以对应得到细栅和主栅；其中，细栅与主栅相连且细栅与主栅相垂直。
在对细栅制备区进行激光刻蚀处理之后，分别在P型硅基底背面的细栅制备区和主栅制备区印刷浆料，并进行烧结，以在细栅制备区对应得到细栅，并在主栅制备区对应得到主栅。其中，所得细栅与所得主栅相连，并且细栅与主栅相垂直。
需要说明在是，在对P型硅基底背面印刷浆料以制备细栅和主栅同时，可以在P型硅基底的正面印刷银浆料，以在正面制备银电极。其中，双面PERC正面所印刷的银浆可以为高接触性能浆料，用以匹配扩散工序的轻掺杂。
本申请公开的上述技术方案，每根细栅的位置处包含多个分段设置的激光刻蚀区且位于激光刻蚀区的细栅与P型硅基底相接触，以用于将P型硅基底内部的载流子导出来，并汇集到主栅位置处，由主栅进行收集，同时分段设置的激光刻蚀区可以降低对钝化膜层的破坏，从而可以提高双面PERC电池的钝化效果。另外，位于相邻两个细栅上方的激光刻蚀区呈交错分布，以缩短载流子到达激光刻蚀区的路径，从而降低背面电阻，降低电流损耗。也就是说，通过细栅处的激光刻蚀区的分段分布来降低对钝化膜层的破坏，并通过相邻两根细栅处的激光刻蚀区的交错分布来降低双面PERC电池的背面电阻，从而提高双面PERC电池的光电转换效率和发电量。
本发明实施例提供的一种双面PERC电池的制备方法，在细栅制备区印刷浆料，可以包括：
在激光刻蚀区印刷铝浆，并在位于同一细栅制备区中的相邻两个激光刻蚀区之间印刷银浆。
在细栅制备区印刷浆料时，具体可以在激光刻蚀区印刷铝浆，并在同一细栅制备区中的相邻两个激光刻蚀区之间的区域印刷银浆，使得经烧结所得的铝栅可以与激光刻蚀区裸露出来的P型硅基底相接触，并使经烧结所得的银栅可以位于相邻两个激光刻蚀区之间且使所得银栅可以与激光刻蚀区中的铝栅相连。
需要说明的是，考虑到双面PERC电池背面的银栅仅作为导通电子的通道，因此，背面所使用的银浆中可以不含有腐蚀性玻璃。
本发明实施例提供的一种双面PERC电池的制备方法，在细栅制备区印刷浆料，可以包括：
在激光刻蚀区印刷铝浆，并在细栅制备区印刷银浆。
还可以通过如下方式在细栅制备区印刷浆料，以制备细栅：
在激光刻蚀区印刷铝浆，并在整个细栅制备区印刷银浆，即在激光刻蚀区以及同一细栅制备区中的相邻两个激光刻蚀区之间的区域均印刷银浆，以使银浆不仅覆盖在激光刻蚀区，还覆盖在激光刻蚀区之间。在经过烧结之后可以得到位于激光刻蚀区的铝栅、位于铝栅表面且呈连续设置的银栅。
当然，除了采用上述两种浆料印刷方式印刷浆料，以对应得到不同结构的细栅外，还可以通过如下方式进行浆料印刷：在每个细栅制备区的激光刻蚀区、同一细栅制备区的相邻两个激光刻蚀区之间的区域均印刷铝浆，即在整个细栅制备区印刷铝浆，在经烧结之后，得到连续分布在细栅制备区的铝栅。
本发明实施例提供的一种双面PERC电池的制备方法，在P型硅基底的背面制备钝化膜层，可以包括：
利用O3在P型硅基底背面制备SiO2层；
利用TMA和N2在SiO2层表面制备Al2O3层；
利用SiH4和NH3在Al2O3层表面制备SixNy层。
在P型硅基底的背面制备钝化膜层时，具体可以通过如下方式进行制备：
利用O3在经扩散处理后的P型硅基底的背面制备SiO2层，然后，以背靠背的方式在P型硅基底的正面生长SiO2层。之后，可以使用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)沉积炉，并以TMA(三甲基铝)和N2O为反应物在P型硅基底的背面进行Al2O3层的沉积，其厚度控制在5-30nm之间。沉积完Al2O3层之后，以SiH4和NH3为反应物在P型硅基底的背面进行SixNy层的沉积，其厚度控制在78-82nm之间，以获得较好的减反射效果。
需要说明的是，在P型硅基底的背面沉积Al2O3层和SixNy层时，为了节省工序，可以同时在P型硅基底的正面沉积Al2O3层和SixNy层，即在P型硅基底的背面和正面同时进行Al2O3层的沉积，并在P型硅基底的背面和正面同时进行SixNy层的沉积。
另外，在沉积SixNy层之前，可以进行退火处理，其中，退火温度可以保持在400-500℃之间，以提高所制备出的钝化膜层的钝化效果。
本发明实施例提供的一种双面PERC电池的制备方法，在利用O3在P型硅基底背面制备SiO2层之后，可以包括：
利用退火炉在P型硅基底正面生长SiO2层。
在利用O3在P型硅基底背面制备SiO2层之后，可以利用退火炉在P型硅基底的正面生长SiO2层。
其中，在利用退火炉在正面生长SiO2层时，背面利用O3所生长的SiO2层则可以在高温下实现退火，从而可以加强背面的钝化。
需要说明的是，本发明实施例提供的一种双面PERC电池的制备方法中相关部分的说明与本发明实施例提供的一种双面PERC电池中对应部分的说明可以相互参考，在此不再赘述。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。另外，本发明实施例提供的上述技术方案中与现有技术中对应技术方案实现原理一致的部分并未详细说明，以免过多赘述。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种双面PERC电池，其特征在于，包括P型硅基底、位于所述P型硅基底背面的钝化膜层、位于所述钝化膜层表面的主栅及细栅，所述细栅与所述主栅相连且所述细栅与所述主栅相垂直，其中：
每根所述细栅的位置处均包含多个分段设置的激光刻蚀区，所述激光刻蚀区用于将所述P型硅基底裸露出来，位于所述激光刻蚀区的细栅与所述P型硅基底相接触；
位于相邻两根所述细栅的位置处的所述激光刻蚀区呈交错分布。
2.根据权利要求1所述的双面PERC电池，其特征在于，每根所述细栅均包括位于所述激光刻蚀区的铝栅、位于所述激光刻蚀区之间且与所述铝栅相连的银栅。
3.根据权利要求1所述的双面PERC电池，其特征在于，每根所述细栅均包括位于所述激光刻蚀区的铝栅、位于所述铝栅表面且连续设置的银栅。
4.根据权利要求1所述的双面PERC电池，其特征在于，每根所述细栅均为铝栅。
5.根据权利要求1至4任一项所述的双面PERC电池，其特征在于，所述钝化膜层包括与所述P型硅基底的背面相接触的SiO2层、与所述SiO2层相接触的Al2O3层、与所述Al2O3层相接触的SixNy层。
6.一种双面PERC电池的制备方法，其特征在于，包括：
在经扩散处理后的P型硅基底的背面制备钝化膜层；
对所述钝化膜层表面细栅制备区中的预设区域进行激光刻蚀处理，形成激光刻蚀区，以将所述预设区域的P型硅基底裸露出来；其中，每个所述细栅制备区中的所述激光刻蚀区间隔分布，相邻两个所述细栅制备区中的所述激光刻蚀区呈交错分布；
分别在所述细栅制备区和主栅制备区印刷浆料，并进行烧结，以对应得到细栅和主栅；其中，所述细栅与所述主栅相连且所述细栅与所述主栅相垂直。
7.根据权利要求6所述的双面PERC电池的制备方法，其特征在于，在所述细栅制备区印刷浆料，包括：
在所述激光刻蚀区印刷铝浆，并在位于同一所述细栅制备区中的相邻两个所述激光刻蚀区之间印刷银浆。
8.根据权利要求6所述的双面PERC电池的制备方法，其特征在于，在所述细栅制备区印刷浆料，包括：
在所述激光刻蚀区印刷铝浆，并在所述细栅制备区印刷银浆。
9.根据权利要求6至8任一项所述的双面PERC电池的制备方法，其特征在于，在P型硅基底的背面制备钝化膜层，包括：
利用O3在所述P型硅基底背面制备SiO2层；
利用TMA和N2O在所述SiO2层表面制备Al2O3层；
利用SiH4和NH3在所述Al2O3层表面制备SixNy层。
10.根据权利要求9所述的双面PERC电池的制备方法，其特征在于，在利用O3在所述P型硅基底背面制备SiO2层之后，包括：
利用退火炉在所述P型硅基底正面生长SiO2层。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112687755A (zh) * 2020-12-28 2021-04-20 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种N型TopCOn太阳能电池的背面金属电极及制备方法和电池
CN117727838A (zh) * 2024-02-07 2024-03-19 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102169909A (zh) * 2011-03-04 2011-08-31 中山大学 一种具有低串联电阻的晶体硅太阳电池及其制备方法
CN202585427U (zh) * 2012-05-21 2012-12-05 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种太阳能电池的钝化结构
CN104904021A (zh) * 2012-11-05 2015-09-09 索莱克赛尔公司 用于单片岛型太阳能光伏电池和模块的系统和方法
CN105339452A (zh) * 2013-03-22 2016-02-17 3M创新有限公司 包括导电胶带的太阳能电池和组件及其制造和使用方法
CN105870249A (zh) * 2016-03-24 2016-08-17 江苏微导纳米装备科技有限公司 一种晶硅太阳能电池的制造工艺
CN106057925A (zh) * 2016-07-31 2016-10-26 湖南工程学院 一种正面电极侧绕背接触p型晶硅太阳电池的制造方法
CN106206772A (zh) * 2016-07-31 2016-12-07 湖南工程学院 一种正面电极侧绕背接触n型晶硅太阳电池的制造方法
CN106876495A (zh) * 2017-03-03 2017-06-20 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种p型perc双面太阳能电池及其制备方法
CN106887479A (zh) * 2017-03-03 2017-06-23 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种防氧化的p型perc双面太阳能电池及其制备方法
CN106887477A (zh) * 2017-03-03 2017-06-23 广东爱康太阳能科技有限公司 P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统
CN106981526A (zh) * 2017-03-03 2017-07-25 浙江爱旭太阳能科技有限公司 P型perc双面太阳能电池的背面电极和电池
CN106981528A (zh) * 2017-03-03 2017-07-25 浙江爱旭太阳能科技有限公司 P型perc双面太阳能电池的背面电极和电池
CN206697491U (zh) * 2017-03-03 2017-12-01 浙江爱旭太阳能科技有限公司 P型perc双面太阳能电池的背面电极和电池
CN107980179A (zh) * 2015-08-13 2018-05-01 3M创新有限公司 窄正面母线上具有正面母线胶带的光伏电池
CN207489885U (zh) * 2017-08-17 2018-06-12 浙江晶科能源有限公司 一种具有背面银栅线的双面perc太阳电池
US20180175221A1 (en) * 2016-12-19 2018-06-21 Sunpower Corporation Solar cells having differentiated p-type and n-type architectures
CN108336161A (zh) * 2018-03-29 2018-07-27 通威太阳能（成都）有限公司 一种背面钝化激光开槽的太阳电池及其制作方法
CN108735829A (zh) * 2018-07-12 2018-11-02 浙江爱旭太阳能科技有限公司 能够提升背面光电转换效率的p型perc双面太阳能电池及其制备方法
CN109244184A (zh) * 2018-09-12 2019-01-18 江苏顺风新能源科技有限公司 一种双面氧化铝结构的perc双面电池及其制备方法

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102169909A (zh) * 2011-03-04 2011-08-31 中山大学 一种具有低串联电阻的晶体硅太阳电池及其制备方法
CN202585427U (zh) * 2012-05-21 2012-12-05 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种太阳能电池的钝化结构
CN104904021A (zh) * 2012-11-05 2015-09-09 索莱克赛尔公司 用于单片岛型太阳能光伏电池和模块的系统和方法
CN105339452A (zh) * 2013-03-22 2016-02-17 3M创新有限公司 包括导电胶带的太阳能电池和组件及其制造和使用方法
CN107980179A (zh) * 2015-08-13 2018-05-01 3M创新有限公司 窄正面母线上具有正面母线胶带的光伏电池
CN105870249A (zh) * 2016-03-24 2016-08-17 江苏微导纳米装备科技有限公司 一种晶硅太阳能电池的制造工艺
CN106057925A (zh) * 2016-07-31 2016-10-26 湖南工程学院 一种正面电极侧绕背接触p型晶硅太阳电池的制造方法
CN106206772A (zh) * 2016-07-31 2016-12-07 湖南工程学院 一种正面电极侧绕背接触n型晶硅太阳电池的制造方法
US20180175221A1 (en) * 2016-12-19 2018-06-21 Sunpower Corporation Solar cells having differentiated p-type and n-type architectures
CN106887479A (zh) * 2017-03-03 2017-06-23 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种防氧化的p型perc双面太阳能电池及其制备方法
CN106981526A (zh) * 2017-03-03 2017-07-25 浙江爱旭太阳能科技有限公司 P型perc双面太阳能电池的背面电极和电池
CN106981528A (zh) * 2017-03-03 2017-07-25 浙江爱旭太阳能科技有限公司 P型perc双面太阳能电池的背面电极和电池
CN206697491U (zh) * 2017-03-03 2017-12-01 浙江爱旭太阳能科技有限公司 P型perc双面太阳能电池的背面电极和电池
CN106887477A (zh) * 2017-03-03 2017-06-23 广东爱康太阳能科技有限公司 P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统
CN106876495A (zh) * 2017-03-03 2017-06-20 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种p型perc双面太阳能电池及其制备方法
CN207489885U (zh) * 2017-08-17 2018-06-12 浙江晶科能源有限公司 一种具有背面银栅线的双面perc太阳电池
CN108336161A (zh) * 2018-03-29 2018-07-27 通威太阳能（成都）有限公司 一种背面钝化激光开槽的太阳电池及其制作方法
CN108735829A (zh) * 2018-07-12 2018-11-02 浙江爱旭太阳能科技有限公司 能够提升背面光电转换效率的p型perc双面太阳能电池及其制备方法
CN109244184A (zh) * 2018-09-12 2019-01-18 江苏顺风新能源科技有限公司 一种双面氧化铝结构的perc双面电池及其制备方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112687755A (zh) * 2020-12-28 2021-04-20 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种N型TopCOn太阳能电池的背面金属电极及制备方法和电池
EP4235807A4 (en) * 2020-12-28 2024-02-21 CHINT New Energy Technology Co., Ltd. REAR METAL ELECTRODE OF TOPCON N-TYPE SOLAR CELL AND PREPARATION METHOD THEREFOR AND CELL
CN117727838A (zh) * 2024-02-07 2024-03-19 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN117727838B (zh) * 2024-02-07 2024-05-10 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件

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