CN117727487B - 一种太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池 - Google Patents
一种太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117727487B CN117727487B CN202410178334.1A CN202410178334A CN117727487B CN 117727487 B CN117727487 B CN 117727487B CN 202410178334 A CN202410178334 A CN 202410178334A CN 117727487 B CN117727487 B CN 117727487B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- conductive paste
- compound
- powder
- additive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 195
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 97
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 93
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 29
- -1 carbonic acid compound Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 38
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 33
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 26
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 17
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 10
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 8
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005457 optimization Methods 0.000 abstract description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011267 electrode slurry Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XNRNVYYTHRPBDD-UHFFFAOYSA-N [Si][Ag] Chemical compound [Si][Ag] XNRNVYYTHRPBDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- NXQMCAOPTPLPRL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-benzoyloxyethoxy)ethyl benzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OCCOCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 NXQMCAOPTPLPRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229920006132 styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGQCDGQZHSALDW-UHFFFAOYSA-N butyl benzoate;ethane-1,2-diol Chemical compound OCCO.CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 UGQCDGQZHSALDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- BXOUVIIITJXIKB-UHFFFAOYSA-N ethene;styrene Chemical group C=C.C=CC1=CC=CC=C1 BXOUVIIITJXIKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000013538 functional additive Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001935 styrene-ethylene-butadiene-styrene Polymers 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本申请公开了一种太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池,涉及光伏技术领域,以重量百分比计,太阳能电池的导电浆料包括:80%~92%的银粉、1.2%~7%的玻璃粉、8%~15%的有机载体和0.05%~4%的激光吸收添加剂;以物质的量的百分比计,激光吸收添加剂包括30%~80%的二氧化锰、20%~70%的氧化铜和1%~40%的第一元素的化合物中的一种或多种;第一元素的化合物包括第一元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第一元素包括磷、钒、镍、铬和铁中的一种或多种。本申请可以更好地适配激光增强接触优化工艺,提升太阳能电池的开路电压和填充因子,降低接触电阻,获得更高的电池转换效率。
Description
技术领域
本申请涉及光伏技术领域,更具体地,涉及一种太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池。
背景技术
在太阳能电池中,金属电极可以起到收集光激发产生的自由电子和空穴,对外输出电流的作用。制备金属电极的常规方法是先将电极浆料印刷在太阳能电池表面,随后进行高温烧结,电极浆料在高温烧结过程中能够蚀刻太阳能电池的钝化层,实现金属电极与太阳能电池之间的金属-半导体接触。
目前,在高温烧结时,传统的传送带式炉技术所需的峰值温度高于700℃,该工艺可以使得太阳能电池获得较高的填充因子,但也会对太阳能电池造成损伤,增加了金属诱导重组机会,从而降低了太阳能电池的开路电压和电池转化效率。
为了提高太阳电池的转化效率,激光增强接触优化正逐步取代传统的传动带式炉技术。作为一种烧结后处理,激光增强接触优化是在太阳能电池正面以超过10V的恒定反向电压使用高强度激光脉冲,由此产生的数安培电流大大降低了半导体和金属电极之间的接触电阻率。
但传统的电极浆料对于激光增强接触优化技术明显不具备适应性,直接降低传送带式炉的烧结温度也不能匹配传统的电极浆料。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池,用于更好地适配激光增强接触优化工艺,提升太阳能电池的开路电压和填充因子,降低接触电阻,获得更高的电池转换效率。
第一方面,本申请提供一种太阳能电池的导电浆料,以重量百分比计,太阳能电池的导电浆料包括:80%~92%的银粉、1.2%~7%的玻璃粉、8%~15%的有机载体和0.05%~4%的激光吸收添加剂;
以物质的量的百分比计,激光吸收添加剂包括30%~80%的二氧化锰、20%~70%的氧化铜和1%~40%的第一元素的化合物中的一种或多种;
第一元素的化合物包括第一元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第一元素包括磷、钒、镍、铬和铁中的一种或多种。
可选地,其中:
玻璃粉包括第一类玻璃粉和第二类玻璃粉;以重量百分比计,导电浆料包括0.2%~3.5%的第一类玻璃粉和0.5%~5.5%的第二类玻璃粉;
第一类玻璃粉中碲元素的物质的量大于铅元素的物质的量。
可选地,其中:
以物质的量的百分比计,第一类玻璃粉包括5%~60%的二氧化碲、3%~25%的三氧化二铋、5%~40%的二氧化硅、1%~30%的三氧化二硼、1%~50%的第二元素的化合物和1%~20%的第三元素的化合物中的一种或多种;
第二元素的化合物包括第二元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第二元素包括铅、锰、锌、铜、磷、镧、钒、镓、镍、铬、钨、铁、铝和硒中的一种或多种;
第三元素的化合物包括第三元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第三元素包括锂、钠和钾中的一种或多种。
可选地,其中:
以物质的量的百分比计,第二类玻璃粉包括5%~65%的氧化铅、1%~30%的氧化银、5%~20%的二氧化硅、5%~60%的三氧化二硼、1%~30%的第四元素的化合物和0%~25%的第五元素的化合物中的一种或多种;
第四元素的化合物包括第四元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第四元素包括锌、镓、锗、硒、铝和铊中的一种或多种;
第五元素的化合物包括第五元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第五元素包括锂、钠和钾中的一种或多种。
可选地,其中:
以重量百分比计,有机载体包括50%~80%的有机溶剂、5%~20%的有机树脂和2%~20%的添加剂。
可选地,其中:
激光吸收添加剂的粒径小于5μm。
可选地,其中:
玻璃粉的粒径小于7μm。
第二方面,本申请还提供一种太阳能电池的导电浆料的制备方法,用于制备第一方面所描述的太阳能电池的导电浆料;
太阳能电池的导电浆料的制备方法包括:
将银粉、玻璃粉、有机载体和激光吸收添加剂混合,得到浆料混合物;
研磨浆料混合物至预设粒径,得到太阳能电池的导电浆料。
可选地,其中:
在将银粉、玻璃粉、有机载体和激光吸收添加剂混合,得到浆料混合物之前,太阳能电池的导电浆料的制备方法还包括:
混合激光吸收添加剂的各组分,并进行研磨,得到添加剂粉末;
将添加剂粉末压制成圆块并烧结,之后将烧结后的圆块破碎,再次制成圆块并烧结;
将经过两次压制及烧结得到的圆块进行破碎制粉,得到激光吸收添加剂。
第三方面,本申请还提供一种太阳能电池,太阳能电池具有相对的第一面和第二面,形成于第一面和/或第二面上的电极由第一方面所描述的太阳能电池的导电浆料制得。
与现有技术相比,本申请提供的太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池,至少实现了如下的有益效果:
LECO工艺需要对太阳能电池表面照射高强度激光,由局部激光束形成感应载流子,结合偏置电压,形成局部电流,基于此,本申请在太阳能电池的导电浆料中增加了激光吸收添加剂,激光吸收添加剂能够起到吸收激光能量的作用,使得在激光增强接触偏压引导下热效应更加明显。由于增加了激光吸收添加剂来吸收激光能量,可以使得接触点位置感知更多热量,从而进一步促进银与硅的互相扩散,以形成良好的银硅接触,使得导电浆料可以与激光增强接触优化工艺实现更好的匹配,同时进一步降低了金属与半导体之间的接触电阻,提高了太阳能电池的填充因子和开路电压,形成了具有低接触电阻的优秀欧姆接触,从而提升了太阳能电池的转换效率。
当然,实施本申请的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述,本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例,并且连同其说明一起用于解释本申请的原理。
图1所示为本申请实施例所提供的烘干后的导电浆料的电镜图;
图2所示为本申请实施例所提供的太阳能电池的导电浆料的制备方法的流程示意图;
图3所示为本申请实施例所提供的太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
在太阳能电池中,金属电极可以起到收集光激发产生的自由电子和空穴,对外输出电流的作用。制备金属电极的常规方法是先将电极浆料印刷在太阳能电池表面,随后进行高温烧结,电极浆料在高温烧结过程中能够蚀刻太阳能电池的钝化层,实现金属电极与太阳能电池之间的金属-半导体接触。
目前,在高温烧结时,传统的传送带式炉(Conveyor belt furnace - FFO)技术所需的峰值温度高于700℃,该工艺可以使得太阳能电池获得较高的填充因子,但也会对太阳能电池造成损伤,增加了金属诱导重组机会,从而降低了太阳能电池的开路电压和电池转换效率。
为了提高太阳电池的转化效率,激光增强接触优化(laser-enhanced contactoptimization,LECO)正逐步取代传统的传动带式炉技术。随着新工艺LECO的陆续完善,LECO已逐渐进入电池片生产厂家。作为烧结炉烧制后的处理办法,LECO工艺可降低传送带式炉的烧结温度,从而获得更高的开路电压。LECO工艺在太阳能电池正面以超过10V的恒定反向电压使用高强度激光脉冲,由此产生的数安培电流大大降低了半导体和金属电极之间的接触电阻率,同时提高了填充因子,将太阳能电池的功率和转换效率提升较多。采用LECO工艺时,在印刷完成电极浆料,经过传统的传送带式炉进行烧结后,需要保持太阳能电池表面的电极浆料处于半腐蚀、欠腐蚀状态甚至不腐蚀状态,降低复合损失,大幅提升太阳能电池的开路电压,理想状态是经过烧结炉处理后的太阳能电池为高效片,经过LECO处理后又能提升欧姆接触。
LECO工艺技术,允许在整个工艺序列的情况下进行微调烧结炉温度,使接触电阻率更加均匀,对正面电极浆料的渗透更加具有适应性,延长烧结接触时间,同时产生部分热量,对导电浆料、玻璃提出不同的约束条件。而传统的电极浆料对于LECO工艺明显不具备适应性,直接降低烧结炉温度也不能匹配传统的电极浆料。
为了解决上述技术问题,本申请提出了一种太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池,用于更好地适配激光增强接触优化工艺,提升太阳能电池的开路电压和填充因子,降低接触电阻,获得更高的电池转换效率。
本申请实施例提供一种太阳能电池的导电浆料,以重量百分比计,太阳能电池的导电浆料包括:80%~92%的银粉、1.2%~7%的玻璃粉、8%~15%的有机载体和0.05%~4%的激光吸收添加剂;
以物质的量的百分比计,激光吸收添加剂包括30%~80%的二氧化锰、20%~70%的氧化铜和1%~40%的第一元素的化合物中的一种或多种;
第一元素的化合物包括第一元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第一元素包括磷、钒、镍、铬和铁中的一种或多种。
其中,银粉在导电浆料中作为导电相存在,可以提供导电性,以便于将太阳能电池的光生载流子有效地传输到外部回路。玻璃粉是一种无机相,主要起到刻蚀太阳能电池表面的减反射层,保证金属电极可以与太阳能电池之间形成良好的欧姆接触的作用;同时,玻璃粉还是一种传输媒介,可以促使电极浆料中的银粉迁移至半导体表面,从而得到良好的银硅接触;另外,玻璃粉还可以作为粘结介质,保证电极与太阳能电池之间形成良好的机械结合。有机载体的作用是使得导电浆料中的银粉、玻璃粉和激光吸收添加剂等组分分散成具有流动特性的浆料,以便于转印到太阳能电池表面,形成所需的图形。LECO工艺需要对太阳能电池表面照射高强度激光,由局部激光束形成感应载流子,结合偏置电压,形成局部电流,基于此,本申请实施例在太阳能电池的导电浆料中增加了激光吸收添加剂,激光吸收添加剂能够起到吸收激光能量的作用,使得在激光增强接触偏压引导下热效应更加明显,此处的热效应指太阳能电池在激光设备偏压诱导下,光生载流子在金属-半导体形成的接触点位置形成具有高电流密度的局部电流,高电流密度致使接触点位置受热发生烧结。由于增加了激光吸收添加剂来吸收激光能量,可以使得接触点位置感知更多热量,从而进一步促进银与硅的互相扩散,以形成良好的银硅接触,使得导电浆料可以与激光增强接触优化工艺实现更好的匹配,同时进一步降低了金属与半导体之间的接触电阻,提高了太阳能电池的填充因子和开路电压,形成了具有低接触电阻的优秀欧姆接触,从而提升了太阳能电池的转换效率。
此外,按重量计算,银粉在导电浆料中占80%~92%,在这个范围内,银粉可以提供良好的导电性能,若银粉含量过低,则会导致导电性能下降;若银粉的含量过高,不仅会导致电阻增大,还会导致固化成膜后银导体的粘接力下降,影响到金属电极的机械性能。按重量计算,玻璃粉在导电浆料中的含量为1.2%~7%,在这个范围内,玻璃粉可以提供良好的刻蚀性及润湿性,若玻璃粉的含量过低,则玻璃粉对太阳能电池表面减反射层的刻蚀作用以及对银粉的润湿效果较弱,难以实现良好的银硅接触;若玻璃粉的含量过高,则多余的玻璃粉会使得电阻率增加,导致电性能下降。按重量计算,有机载体在导电浆料中的含量为8%~15%,在这个范围内,有机载体可以提供良好的塑性及印刷性,若有机载体的含量过低,则导电浆料在印刷时流动性较差,银粉与玻璃粉容易成团聚态,不利于导电浆料的均匀分布;若有机载体的含量过高,则导电浆料的流动性过强,难以形成所需的印刷图形,过多的有机载体还可能在烧结后部分残留在形成的金属电极中,导致金属电极的导电率降低。按重量计算,激光吸收添加剂在导电浆料中的含量为0.05%~4%,在这个范围内,激光吸收添加剂可以提供良好的吸收激光能力,若激光吸收添加剂的含量过低,则无法达到预想的降低接触电阻,增强欧姆接触的效果;若激光吸收添加剂的含量过高,则在金属-半导体接触位置处感知热量过多,可能会对太阳能电池造成损伤。
示例性的,以重量百分比计,太阳能电池的导电浆料可以包括80%、83%、84%、85%、87%、88%、90%或92%的银粉;以重量百分比计,太阳能电池的导电浆料可以包括1.2%、2%、3%、4%、5%、6%或7%的玻璃粉;以重量百分比计,太阳能电池的导电浆料可以包括8%、9%、10%、11%、13%、14%或15%的有机载体;以重量百分比计,太阳能电池的导电浆料可以包括0.05%、0.5%、1%、1.5%、2%、3%或4%的激光吸收添加剂,此处仅做举例,并不具体限定。
示例性的,导电浆料还可以包括其他功能性添加剂或助剂,此处不进行一一列举。
在激光吸收添加剂中,锰(Mn)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)和铁(Fe)均为吸光材料,以化合物的形式添加至太阳能电池的导电浆料中,可以为导电浆料增加吸收激光的能力,从而使得金属-半导体的接触点位置在激光增强接触偏压引导下的热效应更加明显,接触点位置可以吸收更多热量,进一步促进银与硅的互相扩散,以形成良好的银硅接触,使得导电浆料可以与激光增强接触优化工艺实现更好的匹配,同时进一步降低了金属与半导体之间的接触电阻,提高了太阳能电池的填充因子和开路电压,形成了具有低接触电阻的优秀欧姆接触,从而提升了太阳能电池的转换效率。含磷(P)和钒(V)的化合物可以提供无机材料致密性,有利于增强激光吸收添加剂吸收激光的能力。此外,按物质的量计算,激光吸收添加剂可以包括30%~80%的二氧化锰、20%~70%的氧化铜和1%~40%的第一元素的化合物中的一种或多种,在这个范围内,二氧化锰、氧化铜以及以镍、铬或铁中的一种或多种作为第一元素的化合物可以提供良好的吸收激光的能力,以磷和钒中的一种或两种作为第一元素的化合物可以提供较好的无机材料致密性。
在一些示例中,激光吸收添加剂可以包括二氧化锰、氧化铜和第一元素的化合物。
示例性的,以物质的量的百分比计,激光吸收添加剂可以包括30%、35%、40%、50%、55%、60%、70%或80%的二氧化锰;以物质的量的百分比计,激光吸收添加剂可以包括20%、30%、40%、45%、50%、60%或70%的氧化铜;以物质的量的百分比计,激光吸收添加剂可以包括1%、10%、15%、20%、30%、35%或40%的第一元素的化合物;第一元素可以包括磷、钒、镍、铬和铁中的任意一种或两种或两种以上元素,第一元素的化合物可以为第一元素的氧化物,还可以为第一元素的碳酸化合物或氟化物,或者不同的第一元素可以作为不同类型的化合物存在,此处仅做举例,并不具体限定。
在一些示例中,本申请实施例所提供的导电浆料中以银粉作为导电相,不添加铝粉,在太阳能电池的向光面进行烧结时对发射极和p-n结的损伤较小,有利于进一步获得较高的开路电压。
在一些示例中,激光吸收添加剂的粒径小于5μm。进一步的,激光吸收添加剂的粒径D100小于5μm,在此粒径范围内的激光吸收添加剂可以较好地控制吸收激光的能力,有利于进一步降低金属与半导体之间的接触电阻,提高太阳能电池的填充因子和开路电压,增强欧姆接触效果,有利于进一步提升太阳能电池的转换效率。
示例性的,激光吸收添加剂的粒径可以为1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、4.9μm等等,此处仅做举例,并不具体限定。
在实际应用中,采用LECO工艺后可以对烧结温度进行微调,通过降低烧结温度可以减少对太阳能电池中钝化层的损伤;除此之外,还可以对导电浆料中各组分元素的比例进行控制,在LECO技术和导电浆料的共同作用下,可以进一步降低对钝化层的损伤,使得在LECO的激光后,银硅接触面可以形成密而浅的界面通道,即在导电浆料金属化后,可以保证适度刻蚀,并且实现更多的欧姆接触点,便于发展成载流子的传输通道。
作为一种可能的实现方式,玻璃粉包括第一类玻璃粉和第二类玻璃粉;以重量百分比计,导电浆料包括0.2%~3.5%的第一类玻璃粉和0.5%~5.5%的第二类玻璃粉;
第一类玻璃粉中碲(Te)元素的物质的量大于铅(Pb)元素的物质的量。
此时,玻璃粉可以分为第一类玻璃粉和第二类玻璃粉,在第一类玻璃粉中,碲元素的占比大于铅元素,即可以降低铅元素在第一类玻璃粉中的占比,并提高碲元素在第一类玻璃粉中的占比。传统的导电浆料中,玻璃粉以铅元素作为主体元素之一,但铅元素含量过高时容易腐蚀硅,在经过LECO工艺的激光后,会大大破坏p-n结,不能达到预期的提效目的。基于此,本申请实施例中降低了铅元素在第一类玻璃粉中的含量,从而降低了铅元素在玻璃粉中的含量,并提高了碲元素在第一类玻璃粉中的含量,使得导电浆料可以配合LECO工艺实现对钝化层损伤的进一步降低,且有利于形成较好的欧姆接触。
在一些示例中,在同一导电浆料中,玻璃粉可以包括仅有一种配方的第一类玻璃粉和第二类玻璃粉;在同一导电浆料中,玻璃粉也可以同时包括至少两种具有不同配方的第一类玻璃粉和/或至少两种具有不同配方的第二类玻璃粉,此处仅做举例,并不具体限定。
在一些示例中,玻璃粉的粒径小于7μm。进一步的,第一类玻璃粉和第二类玻璃粉的粒径D100均小于7μm。在此粒径范围内的玻璃粉能够以较低成本生产,适应目前印刷网板的线宽要求,并且能够较好地匹配烧结工艺及电池结构。若玻璃粉的粒径过小,则容易提高成本,并使得导电浆料粘度过高,且在单位体积下,粒径过小的玻璃粉润湿性会增大,难以控制刻蚀性,容易对太阳能电池造成损伤,且不利于欧姆接触。若玻璃粉的粒径过大,则难以适应目前的印刷网版窄线宽的要求,并且会加深对p-n结的破坏程度,对太阳能电池的转换效率造成不利影响。
示例性的,玻璃粉的粒径可以为1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、5μm、5.5μm、6μm、6.5μm、6.9μm等等,此处仅做举例,并不具体限定。
在一些示例中,第一类玻璃粉可以采用Te或Bi元素来取代Pb元素作为主体元素,有利于实现控制导电浆料中玻璃粉的刻蚀速率与深度的目的,配合LECO工艺进一步降低对钝化层的损伤。
在一些示例中,以物质的量的百分比计,第一类玻璃粉包括5%~60%的二氧化碲(TeO2)、3%~25%的三氧化二铋(Bi2O3)、5%~40%的二氧化硅(SiO2)、1%~30%的三氧化二硼(B2O3)、1%~50%的第二元素的化合物和1%~20%的第三元素的化合物中的一种或多种;
第二元素的化合物包括第二元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第二元素包括铅(Pb)、锰(Mn)、锌(Zn)、铜(Cu)、磷(P)、镧(La)、钒(V)、镓(Ga)、镍(Ni)、铬(Cr)、钨(W)、铁(Fe)、铝(Al)和硒(Se)中的一种或多种;
第三元素的化合物包括第三元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第三元素包括锂(Li)、钠(Na)和钾(K)中的一种或多种。
其中,TeO2和Bi2O3等易被还原的金属氧化物可以作为第一类玻璃粉的主体氧化物,加入的Li2O等碱金属氧化物、B2O3、Al2O3、SiO2、ZnO等氧化物可以用于调整玻璃粘温特性等物理化学性能以及实现对减反射层和硅的可控蚀刻反应。进一步的,TeO2能够降低玻璃粉的软化点,使其具有较好的浸润性,同时,TeO2还具有良好的溶银能力,能够在较低玻璃含量及组分中,提升玻璃粉的流动性能,从而提高导电浆料的润湿性,使得导电浆料与硅的界面接触更容易,有利于进一步降低接触电阻。Bi元素和Pb元素可以作为玻璃网络中间体进入玻璃体系中,与Si和B共熔,可以起到刻蚀减反射层和钝化层的作用。Si元素和B元素可以作为玻璃网络形成体进入玻璃体系中,保证银膜和太阳能电池之间的相互作用,还可以起到控制刻蚀程度的作用。加入的Li元素、Na元素和K元素具有一定的助熔作用,还可以进一步提高玻璃粉的溶银能力。氧化铝可以降低玻璃的析晶倾向,提高玻璃粉的化学稳定性,有利于控制玻璃粉对钝化层的刻蚀程度,降低复合损失。此外,按物质的量计算,TeO2在第一类玻璃粉中的占比为5%~60%,Bi2O3在第一类玻璃粉中的占比为3%~25%,SiO2在第一类玻璃粉中的占比为5%~40%,B2O3在第一类玻璃粉中的占比为1%~30%、第二元素的化合物在第一类玻璃粉中的占比为1%~50%,第三元素的化合物在第一类玻璃粉中的占比为1%~20%,在这个比例下,第一类玻璃粉具有良好的均匀性、适宜的玻璃化转变温度和适当的刻蚀能力,使得导电浆料可以与LECO工艺进行协同,进一步降低对钝化层的损伤。
此时,包括Te、Bi元素的第一类玻璃粉具有良好的流动性,可以促进激光吸收添加剂在导电浆料中的均匀性,从而提升导电浆料的激光吸收能力,使得太阳能电池的接触电阻可以进一步降低,开路电压和转换效率可以进一步提高,有利于导电浆料与LECO工艺的进一步匹配。
示例性的,以物质的量的百分比计,第一类玻璃粉可以包括5%、10%、20%、30%、40%、50%或60%的二氧化碲;以物质的量的百分比计,第一类玻璃粉可以包括3%、6%、10%、15%、17%、20%或25%的三氧化二铋;以物质的量的百分比计,第一类玻璃粉可以包括5%、10%、15%、20%、25%、30%或40%的二氧化硅;以物质的量的百分比计,第一类玻璃粉可以包括1%、5%、10%、15%、20%、25%或30%的三氧化二硼;以物质的量的百分比计,第一类玻璃粉可以包括1%、10%、20%、30%、35%、40%或50%的第二元素的化合物以物质的量的百分比计,第一类玻璃粉可以包括1%、5%、8%、10%、14%、16%或20%的第三元素的化合物;第二元素可以包括铅、锰、锌、铜、磷、镧、钒、镓、镍、铬、钨、铁、铝和硒中的任意一种或两种或两种以上元素,第二元素的化合物可以为第二元素的氧化物,还可以为第二元素的碳酸化合物或氟化物,或者不同的第二元素可以作为不同类型的化合物存在;第三元素可以包括锂、钠和钾中的任意一种或两种或两种以上元素, 第三元素的化合物可以为第三元素的氧化物,还可以为第三元素的碳酸化合物或氟化物,或者不同的第三元素可以作为不同类型的化合物存在;此处仅做举例,并不具体限定。
在一些示例中,以重量百分比计,第一类玻璃粉在导电浆料中的占比为0.2%~3.5%,在这个比例下,第一类玻璃粉可以提供良好的刻蚀性和润湿性,有利于导电浆料与太阳能电池实现良好的欧姆接触。若第一类玻璃粉的含量过多,则无机组分的流动性较强,玻璃层过厚,会阻碍欧姆接触的形成;若第一类玻璃粉的含量过少,则无机组份的熔银能力较低,析银不够,无法形成良好的欧姆接触。
示例性的,以重量百分比计,导电浆料可以包括0.2%、1%、1.5%、2%、2.5%、3%或3.5%的第一类玻璃粉,此处仅做举例,并不具体限定。
在一些示例中,第二类玻璃粉可以采用Ag、Pb、Si和B元素作为主体元素。在激光增强接触区域,在局部激光的瞬时温度下,接触区域的玻璃粉与银-硅发生热接触,由于烧结过程中的玻璃软化点远小于银熔点,会先润湿硅片表面,将部分熔银带入硅中,优先形成欧姆接触,大大降低太阳能电池的接触电阻。
在一些示例中,以物质的量的百分比计,第二类玻璃粉包括5%~65%的氧化铅(PbO)、1%~30%的氧化银(Ag2O)、5%~20%的二氧化硅(SiO2)、5%~60%的三氧化二硼(B2O3)、1%~30%的第四元素的化合物和0%~25%的第五元素的化合物中的一种或多种;
第四元素的化合物包括第四元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第四元素包括锌(Zn)、镓(Ga)、锗(Ge)、硒(Se)、铝(Al)和铊(Tl)中的一种或多种;
第五元素的化合物包括第五元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;第五元素包括锂(Li)、钠(Na)和钾(K)中的一种或多种。
由此可见,第二类玻璃粉中适当添加了氧化铅和氧化银,其中,Pb元素可以作为玻璃网络中间体进入玻璃体系中,与Si和B共熔,可以起到刻蚀减反射层和钝化层的作用;氧化银可以增加玻璃熔银浓度,增加银微晶的形成。同时,Si元素和B元素可以作为玻璃网络形成体进入玻璃体系中,保证银膜和太阳能电池之间的相互作用,还可以起到控制刻蚀程度的作用;加入的Li元素、Na元素和K元素具有一定的助熔作用,还可以进一步提高玻璃粉的溶银能力;氧化铝可以降低玻璃的析晶倾向,提高玻璃粉的化学稳定性,有利于控制玻璃粉对钝化层的刻蚀程度,降低复合损失。此外,按物质的量计算,PbO在第二类玻璃粉中的占比为5%~65%,Ag2O在第二类玻璃粉中的占比为1%~30%,SiO2在第二类玻璃粉中的占比为5%~20%, B2O3在第二类玻璃粉中的占比为5%~60%,第四元素的化合物在第二类玻璃粉中的占比为1%~30%,第五元素的化合物在第二类玻璃粉中的占比为0%~25%,在这个比例下,第二类玻璃粉具有良好的均匀性、适宜的玻璃化转变温度和适当的刻蚀能力,使得导电浆料可以与LECO工艺进行协同,进一步降低对钝化层的损伤。
示例性的,以物质的量的百分比计,第二类玻璃粉可以包括5%、10%、20%、30%、40%、50%或65%的氧化铅;以物质的量的百分比计,第二类玻璃粉可以包括1%、5%、10%、15%、20%、25%或30%的氧化银;以物质的量的百分比计,第二类玻璃粉可以包括5%、6%、8%、10%、14%、16%或20%的二氧化硅;以物质的量的百分比计,第二类玻璃粉可以包括5%、10%、20%、30%、40%、50%或60%的三氧化二硼;以物质的量的百分比计,第二类玻璃粉可以包括1%、5%、10%、15%、20%、25%或30%的第四元素的化合物;以物质的量的百分比计,第二类玻璃粉可以包括0%、3%、6%、10%、15%、17%、20%或25%的第五元素的化合物;第四元素可以包括锌、镓、锗、硒、铝和铊中的任意一种或两种或两种以上元素,第四元素的化合物可以为第二元素的氧化物,还可以为第四元素的碳酸化合物或氟化物,或者不同的第四元素可以作为不同类型的化合物存在;第五元素可以包括锂、钠和钾中的任意一种或两种或两种以上元素,第五元素的化合物可以为第五元素的氧化物,还可以为第五元素的碳酸化合物或氟化物,或者不同的第五元素可以作为不同类型的化合物存在;此处仅做举例,并不具体限定。
在一些示例中,以重量百分比计,第二类玻璃粉在导电浆料中的占比为0.5%~5.5%,在这个比例下,第二类玻璃粉在导电浆料中的含量适当,具有适当的刻蚀能力,有利于实现导电浆料与太阳能电池之间良好的欧姆接触。若第二类玻璃粉的含量过多,则无机组份玻璃网络外体中的银元素过多,容易损伤体电阻结构,造成烧结炉温不足以达到良好欧姆接触;若第二类玻璃粉的含量过少,则无机组分的主动析银能力不足,难以形成良好的欧姆接触。
示例性的,以重量百分比计,导电浆料可以包括0.5%、1%、2%、3%、4%、5%或5.5%的第二类玻璃粉,此处仅做举例,并不具体限定。
作为一种可能的实现方式,以重量百分比计,有机载体包括50%~80%的有机溶剂、5%~20%的有机树脂和2%~20%的添加剂。
其中,有机溶剂用于控制导电浆料的干燥速率和有机树脂的溶解度,可以溶解其他有机物。有机树脂可以覆盖固体颗粒,阻止微粒的凝聚、结块和沉淀,并赋予导电浆料合适的流变性,在导电浆料印刷和干燥后使固体颗粒粘结在一起,具有一定的强度。此外,按重量计算,有机载体可以包括50%~80%的有机溶剂、5%~20%的有机树脂和2%~20%的添加剂,在这个比例下,有机载体可以为导电浆料提供合适的流动性。
示例性的,以重量百分比计,有机载体可以包括50%、55%、60%、65%、70%、75%或80%的有机溶剂;以重量百分比计,有机载体可以包括5%、7%、10%、12%、15%、18%或20%的有机树脂;有机载体可以包括2%、5%、7%、10%、12%、15%、18%或20%的添加剂,此处仅做举例,并不具体限定。
示例性的,有机溶剂可以包括松油醇、乙基纤维素等等中的一种或多种;有机树脂可以包括苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(Styrenic Block Copolymers,SBS)、线性三嵌共聚物(Styrene Ethylene Butylene Styrene,SEBS)、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(Styrene-ethylene/propylene-styrene block copolymer,SEPS)、类苯乙烯类树脂、苯甲酸乙二醇丁醚酯、二甘醇二苯甲酸酯等等中的一种或多种;添加剂可以包括触变剂、硅油等等中的一种或多种,此处仅做举例,并不具体限定。
图1所示为本申请实施例所提供的烘干后的导电浆料的电镜图。
本申请实施例所提供的导电浆料烘干后的形貌如图1所示,可以看出,本申请实施例所提供的导电浆料粒径均匀,在搭配LECO工艺后可以使得接触电阻率分布更加均匀,填充因子分布更窄。
图2所示为本申请实施例所提供的太阳能电池的导电浆料的制备方法的流程示意图。
基于同一发明构思,如图2所示,本申请还提供一种太阳能电池的导电浆料的制备方法,用于制备上述实施例所描述的太阳能电池的导电浆料;
太阳能电池的导电浆料的制备方法包括:
S1、将银粉、玻璃粉、有机载体和激光吸收添加剂混合,得到浆料混合物;
S2、研磨浆料混合物至预设粒径,得到太阳能电池的导电浆料。
与现有技术相比,太阳能电池的导电浆料的制备方法的有益效果与上述实施例所描述的太阳能电池的导电浆料的有益效果相同,此处不再赘述。
进一步的,在制备太阳能电池的导电浆料时,可以先按配方称量银粉、玻璃粉、有机载体和激光吸收添加剂,之后将银粉和有机载体放入行星式搅拌机进行预混合,再加入玻璃粉和激光吸收添加剂,得到浆料混合物,然后使用陶瓷三辊研磨机对浆料进行研磨,并使用刮板细度计测试研磨细度,直至浆料混合物的粒径达到预设粒径,即可得到太阳能电池的导电浆料。各种材料的配比可参考前述实施例,此处不再详细罗列。
示例性的,预设粒径可以为浆料细度小于10μm,即制得的太阳能电池的导电浆料的浆料细度小于10μm,此处仅做举例,并不具体限定。
在一些示例中,在将银粉、玻璃粉、有机载体和激光吸收添加剂混合,得到浆料混合物之前,太阳能电池的导电浆料的制备方法还包括:
混合激光吸收添加剂的各组分,并进行研磨,得到添加剂粉末;
将添加剂粉末压制成圆块并烧结,之后将烧结后的圆块破碎,再次制成圆块并烧结;
将经过两次压制及烧结得到的圆块进行破碎制粉,得到激光吸收添加剂。
进一步的,在制备激光吸收添加剂时,可以先将各组分按照配比进行计算得到质量比,分别使用分析天平称量相应的重量。然后将称量好的所有组分混合均匀加入氧化锆罐中,分别加入适量锆珠及酒精,在球磨机中进行研磨。研磨结束后,筛分烘干,得到添加剂粉末。然后将添加剂粉末装入到模具中压片,制成圆块。再将圆块放入到马弗炉中烧结,烧结时先升温再保温,最后自然降温至室温。之后将烧结后的圆块破碎,破碎后加入到氧化锆罐中球磨,烘干,再次制成圆块并烧结。最后将经过两次压制及烧结的圆块进行破碎制粉,即可得到激光吸收添加剂。采用这种球磨固相工艺来制备激光吸收添加剂,能够将激光吸收添加剂的各成分充分混合,使得制备得到的激光吸收添加剂成分均匀,从而使得激光吸收添加剂可以在金属-半导体接触区域均匀吸收激光,可以更好地与LECO工艺相匹配,从而使得太阳能电池的接触电阻率分布更加均匀,填充因子分布更窄。
示例性的,球磨机的转速可以为350 r/min~450r/min,研磨时间可以为6h~10h;马弗炉在升温时可以以10℃/min的速率升温至100℃~1400℃,之后保温1h~4h,此处仅做举例,并不具体限定。
例如,球磨机的转速可以为400 r/min,研磨时间可以为8h;马弗炉可以以10℃/min的速率升温至1200℃,之后保温2h,此处仅做举例,并不具体限定。
在一些示例中,在将银粉、玻璃粉、有机载体和激光吸收添加剂混合,得到浆料混合物之前,太阳能电池的导电浆料的制备方法还包括:
制备玻璃粉。
进一步的,在制备玻璃粉时,可以先将称量好的玻璃粉的各组分原料均匀混合,装入铂金坩埚中进行保温熔融,之后冷却,得到玻璃料;再将玻璃料进行球磨筛分即可得到所需粒径分布的玻璃粉。
示例性的,在将玻璃粉原料装入铂金坩埚进行保温熔融时,可以在900℃~1300℃下保温熔融30 min~90min。此处仅做举例,并不具体限定。
进一步的,第一类玻璃粉和第二类玻璃粉均可按照上述玻璃粉的制备方法制得。
图3所示为本申请实施例所提供的太阳能电池的结构示意图。
基于同一发明构思,如图3所示,本申请还提供一种太阳能电池,太阳能电池具有相对的第一面和第二面,形成于第一面和/或第二面上的电极由如上述实施例所描述的太阳能电池的导电浆料制得。
与现有技术相比,太阳能电池的有益效果与上述实施例所描述的太阳能电池的导电浆料的有益效果相同,此处不再赘述。
在一些示例中,第一面或第二面可以为太阳能电池的向光面,由上述实施例所描述的太阳能电池的导电浆料所形成的电极2可以位于太阳能电池的向光面。
在一些示例中,如图3所示,太阳能电池包括硅基底100,硅基底的向光面上形成有掺杂半导体层101,掺杂半导体层背离硅基底的一面上形成有至少一层钝化层102,由上述实施例所描述的太阳能电池的导电浆料所形成的电极2穿过钝化层102与掺杂半导体层101相接触。
示例性的,如图3所示,掺杂半导体层101背离硅基底的一面可以依次形成有两层钝化层102,钝化层102包括靠近掺杂半导体层101的第一钝化层102a和远离掺杂半导体层101的第二钝化层102b,其中,第二钝化层102b也可以作为减反射层,起到增强太阳能电池的光利用率作用。例如,第一钝化层可以为氧化铝(AlOx)钝化层等等,第二钝化层可以为氮化硅(SiOx)钝化层等等,此处仅做举例,并不具体限定。
为了验证本申请实施例所提供的太阳能电池的导电浆料的性能,下面以实施例和对比例相互比较的方式进行说明。
实施例H001~H005和实施例G001~G005:
实施例H001~H005为本申请所提供的第一类玻璃粉的实施例,以物质的量的百分比计,具体的组分配比请参见下表1;实施例G001~G005为本申请所提供的第二类玻璃粉的实施例,以物质的量的百分比计,具体的组分配比请参见下表2。
表 1 第一类玻璃粉的组分配比表(mol%)
表 2第二类玻璃粉的组分配比表(mol%)
实施例H001~H005和实施例G001~G005的制备方法为:将玻璃物料按各自的配比进行配料,各组分物料以摩尔百分比计,通过计算称量各组分重量,将其在混料机内充分混合均匀;将物料装入铂金坩埚,使用升降炉在900~1300℃条件下进行熔融,保温时间1h,玻璃状态均化后,采用熔融水淬法或冷轧法制得玻璃料;玻璃料采用卧式或立式球磨机研磨,球磨机转速为400r/min,溶剂为酒精,研磨时间8h,烘干后获得D100<7μm的物料,得到所需的玻璃粉。
实施例Q001~Q005:
实施例Q001~Q005为本申请所提供的激光吸收添加剂的实施例,以物质的量的百分比计,具体的组分配比请参见下表3。
表 3激光吸收添加剂的组分配比表(mol%)
实施例Q001~Q005的制备方法为:将各组分按照相应的配比进行计算得到质量比,分别使用分析天平称量相应的重量,混合均匀后,将原材料加入到氧化锆罐中,分别加入适量锆珠及酒精,在球磨机中进行转数400r/min研磨8h。研磨结束后,筛分烘干,得到添加剂粉末。将添加剂粉末装入到模具中压片,制成直径10-50mm高度10-20mm的圆块。再将圆块放入到马弗炉中,以10℃/min升温速率至1200℃,保温2h,自然降温至室温。之后再次破碎,然后加入到氧化锆罐中球磨,烘干,制成圆块烧结。破碎后制粉即得到所需的激光吸收添加剂。
实施例M1~M8:
实施例M1~M8为导电浆料的实施例,具体组分及配比如下说明。在实施例M1~M8中,所选取的银粉、有机载体所包括的有机溶剂、有机树脂和添加剂均相同。
实施例M1:
称量85.9% wt%银粉,9wt%有机载体,3.05wt%的第一类玻璃粉H002,1wt%的第二类玻璃粉G002,1wt%的第二类玻璃粉G004,0.05wt%的激光吸收添加剂Q002。其中有机载体包括75wt%有机溶剂、15wt%有机树脂、10wt%添加剂。先将银粉和有机载体加入行星式搅拌机中预混合0.5h,再加入玻璃粉和激光吸收添加剂,之后使用陶瓷三辊研磨机对浆料进行6次研磨,使用刮板细度计测试研磨细度,使得得到的浆料细度<10μm,制得导电浆料M1。
实施例M2:
称量86.7% wt%银粉,9wt%有机载体,2.2wt%的第一类玻璃粉H005,2wt%的第二类玻璃粉G003,0.1wt%的激光吸收添加剂Q002。其中有机载体包括75wt%有机溶剂、15wt%有机树脂、10wt%添加剂。先将银粉和有机载体加入行星式搅拌机中预混合0.5h,再加入玻璃粉和激光吸收添加剂,之后使用陶瓷三辊研磨机对浆料进行6次研磨,使用刮板细度计测试研磨细度,使得得到的浆料细度<10μm,制得导电浆料M2。
实施例M3:
称量85.5wt%银粉,9wt%有机载体,3.0wt%的第一类玻璃粉H001,1wt%的第二类玻璃粉G001,1wt%的第二类玻璃粉G005,0.5wt%的激光吸收添加剂Q002。其中有机载体包括75wt%有机溶剂、15wt%有机树脂、10wt%添加剂。先将银粉和有机载体加入行星式搅拌机中预混合0.5h,再加入玻璃粉和激光吸收添加剂,之后使用陶瓷三辊研磨机对浆料进行6次研磨,使用刮板细度计测试研磨细度,使得得到的浆料细度<10μm,制得导电浆料M3。
实施例M4:
称量86.5wt%银粉,9wt%有机载体,1wt%的第一类玻璃粉H002,2wt%的第二类玻璃粉G003,1.5wt%的激光吸收添加剂Q003。其中有机载体包括75wt%有机溶剂、15wt%有机树脂、10wt%添加剂。先将银粉和有机载体加入行星式搅拌机中预混合0.5h,再加入玻璃粉和激光吸收添加剂,之后使用陶瓷三辊研磨机对浆料进行6次研磨,使用刮板细度计测试研磨细度,使得得到的浆料细度<10μm,制得导电浆料M4。
实施例M5:
称量84wt%银粉,12wt%有机载体,1wt%的第一类玻璃粉H003,0.5wt%的第二类玻璃粉H005,1wt%的第二类玻璃粉G004,1.5wt%的激光吸收添加剂Q001。其中有机载体包括80wt%有机溶剂、10wt%有机树脂、10wt%添加剂。先将银粉和有机载体加入行星式搅拌机中预混合0.5h,再加入玻璃粉和激光吸收添加剂,之后使用陶瓷三辊研磨机对浆料进行6次研磨,使用刮板细度计测试研磨细度,使得得到的浆料细度<10μm,制得导电浆料M5。
实施例M6:
称量80wt%银粉,12wt%有机载体,2.5wt%的第一类玻璃粉H002,1wt%的第一类玻璃粉H004,2wt%的第二类玻璃粉G002,2.5wt%的激光吸收添加剂Q004。其中有机载体包括80wt%有机溶剂、10wt%有机树脂、10wt%添加剂。先将银粉和有机载体加入行星式搅拌机中预混合0.5h,再加入玻璃粉和激光吸收添加剂,之后使用陶瓷三辊研磨机对浆料进行6次研磨,使用刮板细度计测试研磨细度,使得得到的浆料细度<10μm,制得导电浆料M6。
实施例M7:
称量80wt%银粉,12wt%有机载体,2.5wt%的第一类玻璃粉H001, 2wt%的第二类玻璃粉G004,3.5wt%的激光吸收添加剂Q005。其中有机载体包括80wt%有机溶剂、10wt%有机树脂、10wt%添加剂。先将银粉和有机载体加入行星式搅拌机中预混合0.5h,再加入玻璃粉和激光吸收添加剂,之后使用陶瓷三辊研磨机对浆料进行6次研磨,使用刮板细度计测试研磨细度,使得得到的浆料细度<10μm,制得导电浆料M7。
实施例M8:
称量84wt%银粉,9.5wt%有机载体,1wt%的第一类玻璃粉H001, 0.5wt%的第一类玻璃粉H004,2wt%的第二类玻璃粉G004,4wt%的激光吸收添加剂Q005。其中有机载体包括80wt%有机溶剂、10wt%有机树脂、10wt%添加剂。先将银粉和有机载体加入行星式搅拌机中预混合0.5h,再加入玻璃粉和激光吸收添加剂,之后使用陶瓷三辊研磨机对浆料进行6次研磨,使用刮板细度计测试研磨细度,使得得到的浆料细度<10μm,制得导电浆料M8。
为验证导电浆料的效果,在相同的印刷条件下,将实施例M1~M8以及对比例JK01~02制得的导电浆料使用迈威自动印刷机分别印刷在N型182太阳能电池上,每个浆料印刷100片,之后使用烧结炉烧结,后通过LECO处理,最后选取其中的60片,在相同条件下对实施例和对比例进行IV(电流-电压)测试,测试比对实施例和对比例的电性能,IV测试得到的电性能数据如下表4所示。下表4中各个实施例或对比例的电性能数据为对各实施例或对比例所选取的60片太阳能电池进行IV测试后得到的电性能数据进行求平均值所得。
其中,对比例JK01~02所提供的导电浆料为传统的银铝浆搭配,即对比例JK01~02所提供的导电浆料中的无机组分为不与LECO工艺相匹配的传统玻璃粉,且对比例JK01~02所提供的导电浆料中的无机组分的制作方法与实施例M1~M8中玻璃粉的制作方法相同;对比例JK01~02所提供的导电浆料中选取的银粉、有机载体所包括的有机溶剂、有机树脂和添加剂与实施例M1~M8均相同。以重量百分比计,在对比例JK01~02所提供的导电浆料中,银粉的占比为84%~92%,玻璃粉的占比为1.5%~3.7%,有机载体的占比为6.5%~12.5%。
表 4实施例和对比例的电性能数据对比表
由表4可知,与目前的银铝浆电极浆料相比,本申请所提供的导电浆料在经过LECO处理后太阳能电池的串联电阻降低,开路电压、填充因子和转换效率均得到了提升,由此可见,本申请所提供的太阳能电池的导电浆料可以更好地适配激光增强接触优化工艺,提升太阳能电池的开路电压和填充因子,降低接触电阻,获得更高的电池转换效率。
综上,本申请提供的太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池,至少实现了如下的有益效果:
LECO工艺需要对太阳能电池表面照射高强度激光,由局部激光束形成感应载流子,结合偏置电压,形成局部电流,基于此,本申请在太阳能电池的导电浆料中增加了激光吸收添加剂,激光吸收添加剂能够起到吸收激光能量的作用,使得在激光增强接触偏压引导下热效应更加明显。由于增加了激光吸收添加剂来吸收激光能量,可以使得接触点位置感知更多热量,从而进一步促进银与硅的互相扩散,以形成良好的银硅接触,使得导电浆料可以与激光增强接触优化工艺实现更好的匹配,同时进一步降低了金属与半导体之间的接触电阻,提高了太阳能电池的填充因子和开路电压,形成了具有低接触电阻的优秀欧姆接触,从而提升了太阳能电池的转换效率。
虽然已经通过例子对本申请的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本申请的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本申请的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本申请的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种太阳能电池的导电浆料,其特征在于,以重量百分比计,所述太阳能电池的导电浆料包括:80%~90%的银粉、1.2%~7%的玻璃粉、8%~15%的有机载体和0.05%~4%的激光吸收添加剂;
以物质的量的百分比计,所述激光吸收添加剂包括30%~73%的二氧化锰、20%~65%的氧化铜和1%~40%的第一元素的化合物;
所述第一元素的化合物包括所述第一元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;所述第一元素包括磷、钒、镍、铬和铁中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电浆料,其特征在于,所述玻璃粉包括第一类玻璃粉和第二类玻璃粉;以重量百分比计,所述导电浆料包括0.2%~3.5%的所述第一类玻璃粉和0.5%~5.5%的所述第二类玻璃粉;
所述第一类玻璃粉中碲元素的物质的量大于铅元素的物质的量。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的导电浆料,其特征在于,以物质的量的百分比计,所述第一类玻璃粉包括5%~60%的二氧化碲、3%~25%的三氧化二铋、5%~40%的二氧化硅、1%~30%的三氧化二硼、1%~50%的第二元素的化合物和1%~20%的第三元素的化合物中的一种或多种;
所述第二元素的化合物包括所述第二元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;所述第二元素包括铅、锰、锌、铜、磷、镧、钒、镓、镍、铬、钨、铁、铝和硒中的一种或多种;
所述第三元素的化合物包括所述第三元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;所述第三元素包括锂、钠和钾中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池的导电浆料,其特征在于,以物质的量的百分比计,所述第二类玻璃粉包括5%~65%的氧化铅、1%~30%的氧化银、5%~20%的二氧化硅、5%~60%的三氧化二硼、1%~30%的第四元素的化合物和0%~25%的第五元素的化合物中的一种或多种;
所述第四元素的化合物包括所述第四元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;所述第四元素包括锌、镓、锗、硒、铝和铊中的一种或多种;
所述第五元素的化合物包括所述第五元素的氧化物、碳酸化合物和氟化物中的一种或多种;所述第五元素包括锂、钠和钾中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电浆料,其特征在于,以重量百分比计,所述有机载体包括60%~80%的有机溶剂、5%~20%的有机树脂和2%~20%的添加剂。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电浆料,其特征在于,所述激光吸收添加剂的粒径小于5μm。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的导电浆料,其特征在于,所述玻璃粉的粒径小于7μm。
8.一种太阳能电池的导电浆料的制备方法,其特征在于,用于制备权利要求1~7任一项所述的太阳能电池的导电浆料;
所述太阳能电池的导电浆料的制备方法包括:
将银粉、玻璃粉、有机载体和激光吸收添加剂混合,得到浆料混合物;
研磨所述浆料混合物至达到预设粒径,得到所述太阳能电池的导电浆料。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的导电浆料的制备方法,其特征在于,
在所述将银粉、玻璃粉、有机载体和激光吸收添加剂混合,得到浆料混合物之前,所述太阳能电池的导电浆料的制备方法还包括:
混合所述激光吸收添加剂的各组分,并进行研磨,得到添加剂粉末;
将所述添加剂粉末压制成圆块并烧结,之后将烧结后的所述圆块破碎,再次制成圆块并烧结;
将经过两次压制及烧结得到的圆块进行破碎制粉,得到所述激光吸收添加剂。
10.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池具有相对的第一面和第二面,形成于所述第一面和/或所述第二面上的电极由权利要求1~7中任一项所述的太阳能电池的导电浆料制得。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410178334.1A CN117727487B (zh) | 2024-02-08 | 2024-02-08 | 一种太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410178334.1A CN117727487B (zh) | 2024-02-08 | 2024-02-08 | 一种太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117727487A CN117727487A (zh) | 2024-03-19 |
CN117727487B true CN117727487B (zh) | 2024-05-07 |
Family
ID=90205692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202410178334.1A Active CN117727487B (zh) | 2024-02-08 | 2024-02-08 | 一种太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117727487B (zh) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2805394B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
JP2011057477A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
CN105336387A (zh) * | 2014-07-31 | 2016-02-17 | 比亚迪股份有限公司 | 一种激光用导电铜浆料及其制备方法 |
WO2017175902A1 (ko) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 대주전자재료 주식회사 | 태양전지용 후면전극 페이스트 조성물 |
CN109754904A (zh) * | 2019-02-21 | 2019-05-14 | 珠海纳金科技有限公司 | 一种激光刻蚀用导电浆料及其制备方法 |
CN113105117A (zh) * | 2018-12-11 | 2021-07-13 | Agc株式会社 | 玻璃组合物、玻璃粉末、封接材料、玻璃糊、封接方法、封接封装体和有机电致发光元件 |
CN113130808A (zh) * | 2016-05-06 | 2021-07-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、显示装置 |
CN116189959A (zh) * | 2023-03-03 | 2023-05-30 | 贺利氏光伏科技(上海)有限公司 | 用于太阳能电池的导电浆料 |
CN116722057A (zh) * | 2022-05-26 | 2023-09-08 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池、光伏组件 |
CN117253649A (zh) * | 2023-11-17 | 2023-12-19 | 上海银浆科技有限公司 | Leco技术烧结用导电银浆、制备方法、电极及电池 |
-
2024
- 2024-02-08 CN CN202410178334.1A patent/CN117727487B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2805394B2 (ja) * | 1990-05-07 | 1998-09-30 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
JP2011057477A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料 |
CN105336387A (zh) * | 2014-07-31 | 2016-02-17 | 比亚迪股份有限公司 | 一种激光用导电铜浆料及其制备方法 |
WO2017175902A1 (ko) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | 대주전자재료 주식회사 | 태양전지용 후면전극 페이스트 조성물 |
CN109478573A (zh) * | 2016-04-06 | 2019-03-15 | 大洲电子材料(株) | 太阳能电池用背面电极糊组合物 |
CN113130808A (zh) * | 2016-05-06 | 2021-07-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、显示装置 |
CN113105117A (zh) * | 2018-12-11 | 2021-07-13 | Agc株式会社 | 玻璃组合物、玻璃粉末、封接材料、玻璃糊、封接方法、封接封装体和有机电致发光元件 |
CN109754904A (zh) * | 2019-02-21 | 2019-05-14 | 珠海纳金科技有限公司 | 一种激光刻蚀用导电浆料及其制备方法 |
CN116722057A (zh) * | 2022-05-26 | 2023-09-08 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池、光伏组件 |
CN116189959A (zh) * | 2023-03-03 | 2023-05-30 | 贺利氏光伏科技(上海)有限公司 | 用于太阳能电池的导电浆料 |
CN117253649A (zh) * | 2023-11-17 | 2023-12-19 | 上海银浆科技有限公司 | Leco技术烧结用导电银浆、制备方法、电极及电池 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
太阳能电池银导电浆料的研究进展与展望;闫方存;甘国友;滕媛;康昆勇;严继康;易健宏;;材料导报;20160210(第03期);说明书第139-143页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117727487A (zh) | 2024-03-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5711359B2 (ja) | 鉛−テルル−リチウム−チタン−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用 | |
CA2584073C (en) | Method of making solar cell contacts | |
EP3405961B1 (en) | Conductive paste, method, electrode and solar cell | |
CN102476919A (zh) | 一种玻璃粉及其制备方法以及一种太阳能电池用导电浆料 | |
EP4283634A2 (en) | Conductive silver aluminum paste, preparation method, electrode and cell | |
US20130186463A1 (en) | Conductive silver paste for a metal-wrap-through silicon solar cell | |
JP2015525181A (ja) | ガラス組成物と導電性銀ペーストにおいてのその使用 | |
CN109659064B (zh) | 一种晶硅Perc电池用具有高拉力的正面银浆料及其制备工艺 | |
CN111302638B (zh) | 一种玻璃粉组合物及含有其的导电银浆和太阳能电池 | |
CN110590168A (zh) | 晶硅太阳能电池用玻璃料及其制备方法和银浆 | |
CN111302636A (zh) | 一种玻璃粉组合物及含有其的导电银浆和太阳能电池 | |
EP3374999B1 (en) | Process for forming conductive track or coating | |
CN114213026A (zh) | 一种晶硅太阳能电池副栅电极银浆用复合体系玻璃粉 | |
CN117253649B (zh) | Leco技术烧结用导电银浆、制备方法、电极及电池 | |
CN113443833A (zh) | 用于晶硅perc电池正面银浆料的玻璃组合物及其制备方法 | |
CN116130141B (zh) | 电极浆料及其制备方法、应用 | |
CN117727487B (zh) | 一种太阳能电池的导电浆料及其制备方法、太阳能电池 | |
EP3374998B1 (en) | Conductive paste and conductive track or coating | |
CN109493993B (zh) | 一种用于晶硅太阳能电池正面电极的银浆料及其制备方法 | |
CN115504674B (zh) | 用于n型太阳能电池正面浆料的玻璃粉及其制备方法 | |
CN111302620A (zh) | 一种玻璃粉组合物及含有其的导电银浆和太阳能电池 | |
CN114999704A (zh) | 一种银浆用辅助玻璃粉添加剂及其制备方法 | |
CN114530273B (zh) | 导电浆料用氧化物固溶体复合共烧结微晶粉体、导电浆料及太阳能电池 | |
US20240234602A1 (en) | Conductive paste composition, preparation method and use thereof, crystalline silicon solar cell | |
CN115295201B (zh) | 一种锂-碲硅-铅铋多元玻璃-氧化物复合体系及其导电浆料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |