CN117683404A - 墨水、薄膜及制备方法、光电器件、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种墨水、薄膜及制备方法、光电器件、显示装置。上述墨水利用空穴传输材料或者空穴注入材料所使用的聚合物分子量具有较宽分布范围的特点，溶质采用高分子量和低分子量的聚合物进行搭配，实现对成膜均匀性的调节。上述墨水采用第一聚合物材料和第二聚合物材料进行配合，第一聚合物材料的重均分子量相较于第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol‑15万g/mol，其中，重均分子量较高的第一聚合物材料保证功能层的成膜及电荷传输特性，单独干燥时容易形成上凸的薄膜形貌，重均分子量较低作为辅助成份，单独干燥时容易形成下凹的薄膜形貌，起到薄膜形貌调节剂的作用，两者配合能够提高墨水成膜的均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种墨水、薄膜及制备方法、光电器件、显示装置。
背景技术
在有机电致发光二极管(OLED)以及量子点发光二极管(QLED)的制作工艺中，可采用喷墨打印等溶剂法制备电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层、发光层等发光功能层，即通过将功能材料墨水沉积至基板上的像素坑中，再进行干燥成膜形成相应的发光功能层。然而，溶液法制备的器件存在功能层成膜不均匀的问题，导致器件性能降低。
导致干燥成膜不均匀的原因主要有两个：(1)外向毛细流动引起的咖啡环现象，成膜的中间薄而边缘厚；(2)内向的马拉哥尼流动，成膜的薄膜中间厚而边缘薄。因此，调控成膜均匀性的思想就是平衡以上两个作用力或者减弱其中某个作用力。Subramanian等人发现当基板温度降至17℃时，液滴边缘和中心的挥发速度相当，减少了液滴的外向毛细流动，从而减弱了咖啡环效应。Moon等人通过采用高沸点、低表面张力的乙二醇作为溶剂，由于乙二醇挥发速率较慢，随着溶剂的挥发，乙二醇的浓度在边缘区域会逐渐高于中心区域，液滴边缘与中心会产生表面张力差，引起内向的马拉哥尼流动。
目前，生产中提高成膜均匀性的方法一方面是通过优化墨水体系中高、低沸点溶剂的比例，另一方面是通过优化真空干燥工艺参数，以调节溶剂的挥发速度。然而，随着显示面板尺寸的增大以及分辨率的增加，单纯依靠传统的调节方法难以实现干燥薄膜的高均匀性。尤其是选择或者更换溶剂种类的方法会遇到瓶颈，更换溶剂还会影响喷墨打印的工艺性，需要考虑新的溶剂是否破坏底层膜层。
发明内容
基于此，有必要提供一种墨水、薄膜及制备方法、光电器件、显示装置，以提高墨水成膜均匀性。
一种墨水，其特征在于，包括溶剂以及溶质，所述溶质包括第一聚合物材料以及第二聚合物材料，所，所述第一聚合物材料的重均分子量相较于所述第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol。
在其中一个实施例中，所述第一聚合物材料的重均分子量为10万g/mol-20万g/mol，所述第二聚合物材料的重均分子量为1万g/mol-5万g/mol。
在其中一个实施例中，所述第一聚合物材料占所述溶质的质量分数为50％-90％，所述第二聚合物材料占所述溶质的质量分数为10％-50％。
在其中一个实施例中，所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料分别独立地选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)、以及聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)。
在其中一个实施例中，所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸。
在其中一个实施例中，所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料分别独立地选自聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑、聚(2-(4-(3',7'-二甲基辛氧基苯)-1,4-苯撑乙烯)以及聚(9,9-二辛基-9H-芴-2,7-二基)中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料为同一种聚合物。
一种薄膜的制备方法，包括以下步骤：
采用上述任一实施例的所述的墨水，涂布于基板上，干燥成膜。
一种薄膜，材料包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料，所述第一聚合物材料的重均分子量相较于所述第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol。
一种光电器件，包括层叠设置的第一电极层、功能层以及第二电极层，所述功能层的材料包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料，所述第一聚合物材料的重均分子量相较于所述第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol。
在其中一个实施例中，所述功能层包括发光层，所述发光层的材料选自聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑、聚(2-(4-(3',7'-二甲基辛氧基苯)-1,4-苯撑乙烯)以及聚(9,9-二辛基-9H-芴-2,7-二基)中的至少一种；
所述功能层还包括空穴注入层和/或空穴传输层，所述空穴注入层的材料为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)以及聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述第一电极层和所述第二电极层的材料分别独立地选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
一种显示装置，包括上述任一实施例所述的光电器件。
与传统方案相比，上述墨水具有以下有益效果：
研究发现，在溶剂挥发过程中，分子量较高的聚合物的迁移速度较慢，且与基底之间的相互作用力较大，使得该聚合物在一定的干燥条件下容易形成上凸的薄膜形貌，而分子量较低的聚合物则呈相反趋势，容易形成下凹的薄膜形貌。
上述墨水利用聚合物分子量具有较宽分布范围的特点，溶质采用高分子量和低分子量的聚合物进行搭配，实现对成膜均匀性的调节。更具体地，采用第一聚合物材料和第二聚合物材料进行配合，第一聚合物材料的重均分子量相较于第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol，其中，重均分子量较高的第一聚合物材料保证功能层的成膜及电荷传输特性，单独干燥时容易形成上凸的薄膜形貌，重均分子量较低作为辅助成份，单独干燥时容易形成下凹的薄膜形貌，起到薄膜形貌调节剂的作用，两者配合能够提高墨水成膜的均匀性。
附图说明
图1为分子量较高的聚合物成膜的示意图；
图2为分子量较低的聚合物成膜的示意图；
图3中(1)和(2)分别为两个重均分子量为10万g/mol-20万g/mol的TFB样品的成膜厚度检测图；
图4中(1)和(2)分别为两个重均分子量为1万g/mol-5万g/mol的TFB样品的成膜厚度检测图；
图5为一实施例的光电器件的结构示意图；
附图标记说明：
100、光电器件；110、第一电极层；130、功能层；131、发光材料层；132、空穴传输层；133、空穴注入层；150、第二电极层。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明一实施例的墨水包括溶剂以及溶质。其中，溶质包括第一聚合物材料以及第二聚合物材料，第一聚合物材料的重均分子量相较于第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol。
研究发现，在溶剂挥发过程中，分子量较高的聚合物的迁移速度较慢，且与基底之间的相互作用力较大，使得该聚合物在一定的干燥条件下容易形成上凸的薄膜形貌，图1示意性地展示出该聚合物的成膜10。而分子量较低的聚合物则呈相反趋势，容易形成下凹的薄膜形貌，图2示意性地展示出该聚合物的成膜20。
上述墨水利用空穴传输材料或者空穴注入材料所使用的聚合物分子量具有较宽分布范围的特点，溶质采用高分子量和低分子量的聚合物进行搭配，实现对成膜均匀性的调节。更具体地，采用第一聚合物材料和第二聚合物材料进行配合，第一聚合物材料的重均分子量相较于第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol，其中，重均分子量较高的第一聚合物材料保证功能层的成膜及电荷传输特性，单独干燥时容易形成上凸的薄膜形貌，重均分子量较低作为辅助成份，单独干燥时容易形成下凹的薄膜形貌，起到薄膜形貌调节剂的作用，两者配合能够提高墨水成膜的均匀性。
在其中一个示例中，第一聚合物材料的重均分子量为10万g/mol-20万g/mol，第二聚合物材料的重均分子量为1万g/mol-5万g/mol。
上述示例中采用重均分子量为10万g/mol-20万g/mol的第一聚合物材料作为主要组成成份，保证功能层的成膜及电荷传输特性；采用重均分子量为1万g/mol-5万g/mol的第二聚合物材料，作为辅助成份，起到薄膜形貌调节剂的作用，从而能够提高墨水成膜的均匀性。
在其中一个示例中，第一聚合物材料占所述溶质的质量分数为50％-90％，第二聚合物材料占所述溶质的质量分数为10％-50％。
在其中一个示例中，第一聚合物材料和第二聚合物材料均为空穴传输材料，或者均为空穴注入材料，或者均为发光材料。作为空穴传输材料，例如可以是但不限于：聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB，CAS No.223569-31-1)、聚乙烯咔唑(PVK，CASNo.25067-59-8)、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD，CASNo.472960-35-3)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)。作为空穴注入材料，例如可以是但不限于：聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS，CASNo.155090-83-8)。作为发光材料，例如可以是但不限于：聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑(MEH-PPV，CAS No.138184-36-8)、聚(2-(4-(3',7'-二甲基辛氧基苯)-1,4-苯撑乙烯)(P-PPV)、聚(9,9-二辛基-9H-芴-2,7-二基)(PFO，CAS No.195456-48-5)。
如图3所示，(1)和(2)分别为两个重均分子量为10万g/mol-20万g/mol的TFB样品的成膜厚度检测图，可见该分子量的TFB样品单独干燥时形成上凸的薄膜形貌。
如图4所示，(1)和(2)分别为两个重均分子量为1万g/mol-5万g/mol的TFB样品的成膜厚度检测图，可见该分子量的TFB样品单独干燥时形成下凹的薄膜形貌。
在其中一个示例中，第一聚合物材料和第二聚合物材料为同一种聚合物。
可选地，溶剂例如可以是但不限于苯甲酸烷基酯、苯甲酸芳烷基酯、烷基醚、多环芳烃等。
进一步地，本发明还提供一种薄膜的制备方法，包括以下步骤：
采用上述的墨水，涂布于基板上，干燥成膜。
所述薄膜可以是发光材料薄膜、空穴传输薄膜或空穴注入薄膜等。
其中，墨水涂布的方式例如可以是但不限于旋涂、喷墨打印等。
进一步地，本发明还提供一种薄膜，其材料包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料，第一聚合物材料的重均分子量相较于第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol。
所述薄膜可以是发光材料薄膜、空穴传输薄膜或空穴注入薄膜等。
上述薄膜包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料，第一聚合物材料的重均分子量相较于第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol，其中，重均分子量较高的第一聚合物材料保证功能层的成膜及电荷传输特性，单独干燥时容易形成上凸的薄膜形貌，重均分子量较低作为辅助成份，单独干燥时容易形成下凹的薄膜形貌，起到薄膜形貌调节剂的作用，两者配合能够提高墨水成膜的均匀性。
进一步地，如图5所示，本发明还提供一种光电器件100，包括层叠设置的第一电极层110、功能层130以及第二电极层150。功能层130的材料包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料，第一聚合物材料的重均分子量相较于第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol。
其中，功能层130包括发光材料层131，还可以进一步包括空穴传输层132和/或空穴注入层133。
当功能层130进一步包括空穴传输层132和空穴注入层133，空穴注入层133设置在空穴传输层132和第二电极层150之间。
在其中一个示例中，空穴传输层132和空穴注入层133中的至少一层的材料包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料。
在其中一个示例中，空穴传输层132的材料包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料。第一聚合物材料和第二聚合物材料例如可以是但不限于TFB、PVK、Poly-TPD等。
在其中一个示例中，空穴注入层133的材料包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料。第一聚合物材料和第二聚合物材料例如可以是但不限于PEDOT:PSS。
可以理解，功能层130中的一层或多层可采用上述的墨水进行涂布后干燥而得。
在其中一个示例中，发光材料层120包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料。第一聚合物材料和第二聚合物材料例如可以是但不限于MEH-PPV、P-PPV、PFO等。
此外，发光材料层120中的第一聚合物材料和第二聚合物材料不局限于发光材料，例如发光材料层120也可以由第一聚合物材料、第二聚合物材料以及掺杂在上述聚合物材料中的磷光材料构成。磷光材料例如可以是但不限于Ir(piq)3、Ir(mppy)3、Firpic等。
在其中一个示例中，发光材料层120包括第一聚合物材料、第二聚合物材料以及磷光材料Ir(piq)3，第一聚合物材料和第二聚合物材料均为PVK，聚合物材料与磷光材料的质量比为100∶2。
在其中一个示例中，发光材料层120包括第一聚合物材料、第二聚合物材料以及磷光材料Ir(mppy)3，第一聚合物材料和第二聚合物材料均为PVK，聚合物材料与磷光材料的质量比为100∶4。
在其中一个示例中，发光材料层120包括第一聚合物材料、第二聚合物材料以及磷光材料Firpic，第一聚合物材料和第二聚合物材料均为PVK，聚合物材料与磷光材料的质量比为100∶10。
此外，发光材料层120也可以是采用传统的发光材料，其可以是量子点发光层，也可以是有机发光层。
在其中一个示例中，量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，单一结构量子点的材料选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe及SnPbSTe中的至少一种，III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种。核壳结构的量子点的核包括上述单一结构量子点中的任意一种，核壳结构的量子点的壳层材料包括CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS、ZnS和上述单一结构量子点中的至少一种。
在其中一个示例中，有机发光层的材料包括4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的至少一种。
在其中一个示例中，第一电极层110和第二电极层150的材料分别独立地选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种。金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种。碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种。金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
进一步地，本发明还提供一种显示装置，包括上述任一示例的光电器件。
显示装置可以是但不限于电脑、平板、手机、电视机、智能手表、AR/VR装置等。
下面提供具体实施例对本发明作进一步的说明。
实施例1
本实施例提供一种光电器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，在具有阳极层的基板上打印空穴注入材料PEDOT:PSS，真空干燥成膜，再于200℃下加热30min，形成空穴注入层。
步骤2，在上述空穴注入层上打印空穴传输材料，真空干燥成膜，再于200℃下加热30min，形成空穴传输层。空穴传输材料由不同分子量的TFB组成，其中重均分子量为10万g/mol-20万g/mol的占比为80％，重均分子量为1万g/mol-5万g/mol的占比为20％。
步骤3，在上述空穴传输层上打印发光材料，真空干燥成膜，再于140℃下加热15min，形成发光材料层。
步骤4，在上述发光材料层上共蒸镀TSPO1:Liq，重量比为5:5，两者蒸镀速率均为真空度为2×10-4Pa，形成厚度为30nm的电子传输层。
步骤5，在上述电子传输层上蒸镀Mg:Ag合金，Mg和Ag的重量比为1:9，两者蒸镀速率分别控制为和/>真空度控制为2×10-4Pa，形成厚度为15nm的半透明阴极。
步骤6，使用低温溅射工艺在上述半透明阴极上沉积一层IZO薄膜，溅射功率控制在5kw，工艺压力控制在1Pa，形成厚度为70nm的光取出层。
步骤7，在上述光取出层上制备层叠的SiNx/有机薄膜/SiNx，其中SiNx通过CVD工艺制备，厚度为1μm，有机薄膜通过IJP工艺制备，厚度为10μm。
实施例2
本实施例提供一种光电器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，在具有阳极层的基板上打印空穴注入材料PEDOT:PSS，真空干燥成膜，再于200℃下加热30min，形成空穴注入层。
步骤2，：在上述空穴注入层上打印空穴传输材料，真空干燥成膜，再于200℃下加热30min，形成空穴传输层。空穴传输材料由不同分子量的Poly-TPD组成，其中重均分子量为10万g/mol-20万g/mol的占比为80％，重均分子量为1万g/mol-5万g/mol的占比为20％。
步骤3，在上述空穴传输层上打印发光材料，真空干燥成膜，再于140℃下加热15min，形成发光材料层。
步骤4，在上述发光材料层上共蒸镀TSPO1:Liq，重量比为5:5，两者蒸镀速率均为真空度为2×10-4Pa，形成厚度为30nm的电子传输层。
步骤5，在上述电子传输层上蒸镀Mg:Ag合金，Mg和Ag的重量比为1:9，两者蒸镀速率分别控制为和/>真空度控制为2×10-4Pa，形成厚度为15nm的半透明阴极。
步骤6，使用低温溅射工艺在上述半透明阴极上沉积一层IZO薄膜，溅射功率控制在5kw，工艺压力控制在1Pa，形成厚度为70nm的光取出层。
步骤7，在上述光取出层上制备层叠的SiNx/有机薄膜/SiNx，其中SiNx通过CVD工艺制备，厚度为1μm，有机薄膜通过IJP工艺制备，厚度为10μm。
实施例3
本实施例提供一种光电器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，在具有阳极层的基板上打印空穴注入材料PEDOT:PSS，真空干燥成膜，再于200℃下加热30min，形成空穴注入层。空穴注入材料由不同分子量的PEDOT:PSS组成，其中重均分子量为10万g/mol-20万g/mol的占比为75％，重均分子量为1万g/mol-5万g/mol的占比为25％。
步骤2，：在上述空穴注入层上打印空穴传输材料TFB，真空干燥成膜，再于200℃下加热30min，形成空穴传输层。
步骤3，在上述空穴传输层上打印发光材料，真空干燥成膜，再于140℃下加热15min，形成发光材料层。
步骤4，在上述发光材料层上共蒸镀TSPO1:Liq，重量比为5:5，两者蒸镀速率均为真空度为2×10-4Pa，形成厚度为30nm的电子传输层。
步骤5，在上述电子传输层上蒸镀Mg:Ag合金，Mg和Ag的重量比为1:9，两者蒸镀速率分别控制为和/>真空度控制为2×10-4Pa，形成厚度为15nm的半透明阴极。
步骤6，使用低温溅射工艺在上述半透明阴极上沉积一层IZO薄膜，溅射功率控制在5kw，工艺压力控制在1Pa，形成厚度为70nm的光取出层。
步骤7，在上述光取出层上制备层叠的SiNx/有机薄膜/SiNx，其中SiNx通过CVD工艺制备，厚度为1μm，有机薄膜通过IJP工艺制备，厚度为10μm。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准，说明书可以用于解释权利要求的内容。
Claims (11)
1.一种墨水，其特征在于，包括溶剂以及溶质，所述溶质包括第一聚合物材料以及第二聚合物材料，所述第一聚合物材料的重均分子量相较于所述第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol。
2.如权利要求1所述的墨水，其特征在于，所述第一聚合物材料的重均分子量为10万g/mol-20万g/mol，所述第二聚合物材料的重均分子量为1万g/mol-5万g/mol。
3.如权利要求1或2所述的墨水，其特征在于，所述第一聚合物材料占所述溶质的质量分数为50％-90％，所述第二聚合物材料占所述溶质的质量分数为10％-50％。
4.如权利要求1所述的墨水，其特征在于，所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料分别独立地选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)以及聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)中的至少一种；或者，所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸；或者，所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料分别独立地选自聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑、聚(2-(4-(3',7'-二甲基辛氧基苯)-1,4-苯撑乙烯)以及聚(9,9-二辛基-9H-芴-2,7-二基)中的至少一种。
5.如权利要求1、2、4中任一项所述的墨水，其特征在于，所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料为同一种聚合物。
6.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用权利要求1～5中任一项所述的墨水，涂布于基板上，干燥成膜。
7.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料，所述第一聚合物材料的重均分子量相较于所述第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol。
8.一种光电器件，其特征在于，包括层叠设置的第一电极层、功能层以及第二电极层，所述功能层的材料包括混合的第一聚合物材料以及第二聚合物材料，所述第一聚合物材料的重均分子量相较于所述第二聚合物材料的重均分子量高5万g/mol-15万g/mol。
9.如权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述功能层包括发光层，所述发光层的材料选自聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯撑乙烯撑、聚(2-(4-(3',7'-二甲基辛氧基苯)-1,4-苯撑乙烯)以及聚(9,9-二辛基-9H-芴-2,7-二基)中的至少一种；
所述功能层还包括空穴注入层和/或空穴传输层，所述空穴注入层的材料为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)以及聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)中的至少一种。
10.如权利要求8或9所述的光电器件，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层的材料分别独立地选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的光电器件。
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