CN118119238A - 发光器件及其制备方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种发光器件及其制备方法及显示装置，制备方法包括以下步骤：提供第一电极；在所述第一电极上形成功能层，所述功能层包括发光层和载流子功能层，所述载流子功能层含有脒基化合物；在所述功能层上设置第二电极。本申请旨在解决现有发光器件发光性能低的问题。
Description
技术领域
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法及显示装置。
背景技术
发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，在照明领域应用广泛。
目前常用的载流子传输材料，例如，氧化锌纳米粒子、二氧化钛纳米粒子、氧化铝纳米粒子、硫化钼纳米粒子等，具有宽禁带、低功函、优异的载流子注入或传输、稳定性好、透明度高、安全无毒等优点，被广泛应用于发光器件的功能层中。然而，现有的载流子传输材料表面存在大量缺陷，易形成电子捕获中心及激子复合中心，降低了载流子传输效率，进而影响到发光器件的发光性能。
发明内容
鉴于此，本申请提供一种发光器件及其制备方法及显示装置，旨在解决现有发光器件发光性能低的问题。
本申请实施例是这样实现的：
第一方面，本申请提供一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供第一电极；
在所述第一电极上形成功能层，所述功能层包括发光层以及载流子功能层，所述载流子功能层含有脒基化合物；
在所述功能层上设置第二电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述脒基化合物包括结构式中含有脒基的化合物中的一个或多个；或者，
所述脒基化合物选自甲脒盐酸盐、甲脒氢溴酸盐、甲脒氢碘酸盐、2-氨基乙脒氢溴酸盐、乙脒盐酸盐中的一种或多种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述载流子功能层的制备包括：
提供载流子功能层的材料，在上一膜层上设置所述载流子功能层的材料，形成膜层；
将所述脒基化合物转化为气态材料，使用所述气态材料对所述膜层进行处理，得到载流子功能层。
可选的，在本申请的一些实施例中，将所述脒基化合物转化为气态材料的步骤包括：将所述脒基化合物置于溶剂中，得到脒基化合物溶液，然后将所述脒基化合物溶液加热以得到气态材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述脒基化合物溶液中，所述脒基化合物的浓度为10～30mg/mL；和/或，
所述溶剂包括芳香烃类、脂肪烃类、脂环烃类、卤化烃类、醇类、醚类、酯类、酮类、DMF、乙腈、吡啶、苯酚中的一种或多种；所述芳香烃类包括苯、甲苯、二甲苯中的一种或多种；所述脂肪烃类包括戊烷、己烷、辛烷中的一种或多种；所述卤化烃类包括氯苯、二氯苯、二氯甲烷中的一种或多种；所述脂环烃类包括环己烷、环己酮、甲苯环己酮中的一种或多种；所述醇类包括甲醇、乙醇、丁醇、异丙醇中的一种或多种；所述醚类包括乙醚、环氧丙烷、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚中的一种或多种；所述酯类包括醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯中的一种或多种；所述酮类包括丙酮、甲基丁酮、甲基异丁酮中的一种或多种；和/或，
所述加热的温度为150～300℃。
可选的，在本申请的一些实施例中，使用所述气态材料对载流子功能层进行处理的时间为10～120min。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述载流子功能层包括设于所述发光层一侧的电子功能层；形成所述电子功能层的步骤包括：提供电子功能层材料，在上一膜层上设置所述电子功能层的材料，形成膜层后，使用脒基化合物进行处理，得到电子功能层；所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层；所述电子传输层的材料包括金属氧化物、掺杂金属氧化物、IIB-VIA族材料、IIIB-VA族材料及IB-IIIB-VIA族材料中的一种或多种；所述金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Al2O3、V2O5、V3O8、CrO3、WO3、Fe2O3、Fe3O4、CuO、MoO2、Nb2O5、BaO、MoO3、CdO、BaO、Ta2O5、BaTiO3、PbCrO4中的一种或多种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、V2O5、V3O8、CrO3、WO3、Fe2O3、Fe3O4、CuO、MoO2、Nb2O5、BaO、MoO3、CdO、BaO、Ta2O5、BaTiO3、PbCrO4中的多种，掺杂元素包括Al、Mg、Li、In、Ga中的一种或多种；所述IIB-VIA族半导体材料包括ZnS、ZnSe、CdS、CdSe中的一种或多种；所述IIIB-VA族半导体材料包括InP、GaP中的一种或多种；所述IB-IIIB-VIA族半导体材料包括CuInS、CuGaS中的一种或多种；所述电子注入层的材料包括碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种；和/或，
所述载流子功能层包括设于所述发光层一侧的空穴功能层；形成所述空穴功能层的步骤包括：提供空穴功能层材料，在上一膜层上设置所述空穴功能层的材料，形成膜层后，使用脒基化合物进行处理，得到空穴功能层；所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；所述空穴传输层的材料和所述空穴注入层的材料分别独立的选自MoO3、WO3、NiO、V2O5、CuO、P型氮化镓和CrO3中的至少一种。
第二方面，本申请还提出一种发光器件，所述发光器件由上文所述的制备方法制得，所述发光器件的载流子功能层含有脒基化合物。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述载流子功能层中，所述脒基化合物的重量百分含量为1～20wt％；和/或，
所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点发光材料，所述有机发光材料包括二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPX荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；和/或，
所述第一电极和所述第二电极各自独立的选自金属电极、碳硅材料电极、金属氧化物电极或复合电极，所述金属电极的材料选自Ag、Al、Mg、Au、Cu、Mo、Pt、Ca及Ba中的至少一种，所述碳硅材料电极的材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS。
第三方面，本申请提出一种显示装置，包括发光器件，所述发光器件包括上文所述的发光器件。
本申请提供的技术方案，使用脒基化合物对载流子功能层进行处理，脒基化合物作用于载流子功能层材料表面，脒基和载流子功能层材料表面的一些未成键的阳离子形成离子键，起到钝化表面缺陷，改善膜层质量，使载流子功能层变得平整、致密且具有良好的结晶性的作用，从而提升了发光器件的发光性能和稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提出的一种发光器件的制备方法的流程示意图；
图2是本申请一实施例提出的一种发光器件的结构示意图；
图3是本申请另一实施例提出的一种发光器件的结构示意图；
图4是实验组1、对照组1以及对照组2的荧光发射光谱对比图；
附图标记：
100-发光器件；10-阳极；20-发光层；30-电子传输层；40-阴极；50-空穴传输层；60-空穴注入层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。
在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请说明书的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。
本申请的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
在本申请中，“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。
在本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“至少一种”、“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a-b(即a和b),a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
本申请提出一种发光器件100的制备方法。所述发光器件100可以是正置型发光器件100，也可以是倒置型发光器件100。请参阅图1，所述制备方法包括以下步骤：
S10，提供第一电极；
S20，在所述第一电极上形成功能层，所述功能层包括发光层20以及载流子功能层，所述载流子功能层含有脒基化合物；
S30，在所述功能层上设置第二电极。
载流子功能层材料表面存在一些未成键的阳离子悬挂键，导致其表面缺陷，本申请技术方案中，使用脒基化合物对载流子功能层进行处理，脒基化合物作用于载流子功能层材料表面，脒基和所述阳离子形成离子键，从而起到钝化表面缺陷，改善膜层质量，使载流子功能层变得平整、致密且具有良好的结晶性的作用，从而提升了发光器件100的发光性能和稳定性。
所述第一电极为阴极40和阳极10中的一个，所述第二电极为阴极40和阳极10中的另一个。在一些实施例中，所述发光器件100为正置型发光器件100，相应的，所述第一电极为阳极10，所述第二电极为阴极40；在另一些实施例中，所述发光器件100为倒置型发光器件100，相应的，所述第一电极为阴极40，所述第二电极为阳极10。
所述功能层包含多个层叠的子膜层，在一些实施例中，多个子膜层包括发光层以及具有其它功能作用的子膜层，在这些具有其它功能作用的子膜层中，至少一个或多个子膜层经脒基化合物处理过，本申请中，将这些经脒基化合物处理的的子膜层命名为载流子功能层，也即，所述功能层至少包括发光层20和载流子功能层。基于器件设计的需要，所述具有其它功能作用的子膜层包括但不限于电子功能层以及空穴功能层中的一层或多层。当所述功能层包括电子功能层时，所述电子功能层位于阴极40和发光层20之间，所述电子功能层可以包括电子传输层30和/或电子注入层，当电子功能层包括电子传输层30和电子注入层时，所述阴极40、电子注入层、电子传输层30、发光层20依次层叠设置；当所述功能层包括空穴功能层时，所述空穴功能层位于阳极10和发光层20之间，所述空穴功能层可以包括空穴传输层50和/或空穴注入层60，当空穴功能层包括空穴传输层50和空穴注入层60时，所述阳极10、空穴注入层60、空穴传输层50、发光层20依次层叠设置。实际应用时，根据发光器件100的膜层设计，自下而上依次制备膜层，例如，如图3所示，在一些实施例中，所述发光器件100包括自下而上依次层叠的阳极10、空穴注入层60、空穴传输层50、发光层20、电子传输层30和阴极40，其中，功能层有三个，分别为空穴注入层60、空穴传输层50、电子传输层30，制备该发光器件100的发光层20和功能层时，按照空穴注入层60、空穴传输层50、发光层20、电子传输层30的顺序依次制备。
在一些实施例中，所述脒基化合物是指包括结构式中含有脒基的化合物中的一个或多个；其中，脒基的通式如下：
进一步地，所述脒基化合物可以包括但不限于甲脒盐酸盐、甲脒氢溴酸盐、甲脒氢碘酸盐、2-氨基乙脒氢溴酸盐、乙脒盐酸盐中的一种或多种。
在一些实施例中，所述载流子功能层通过如下步骤制备：提供载流子功能层的材料，在上一膜层上设置相应的载流子功能层材料，形成膜层后，使用脒基化合物对膜层进行处理，即得到载流子功能层。所述载流子功能层可以是空穴功能层，也可以是电子功能层，还可以是空穴功能层和电子功能层，换言之，在制备功能层时，可以只对空穴功能层进行改性处理，也可以只对电子功能层进行改性处理，还可以同时对电子功能层和空穴功能层进行改性处理。实际应用时，根据所述载流子功能层的选择不同，采用的载流子功能层材料也随之变化。
在一具体实施例中，所述载流子功能层包括电子功能层，相应的，所述形成所述载流子功能层的步骤包括：提供电子功能层的材料，在上一膜层上设置所述电子功能层的材料，形成膜层后，使用脒基化合物进行处理，得到电子功能层。
在另一具体实施例中，所述载流子功能层包括空穴功能层，相应的，所述形成所述载流子功能层的步骤包括：提供空穴功能层的材料，在上一膜层上设置所述空穴功能层的材料，形成膜层后，使用脒基化合物进行处理，得到空穴功能层。
在又一具体实施例中，所述载流子功能层包括空穴功能层和电子功能层，相应的，所述形成所述载流子功能层的步骤包括：提供空穴功能层的材料，在上一膜层上设置所述空穴功能层的材料，形成膜层后，使用脒基化合物进行处理，得到空穴功能层；提供电子功能层的材料，在上一膜层上设置所述电子功能层的材料，形成膜层后，使用脒基化合物进行处理，得到电子功能层。
其中，所述电子功能层包括电子传输层30和/或电子注入层，所述电子功能层为电子传输层30时，电子传输层30的材料可以包括但不限于可以选自但不限于金属氧化物、掺杂金属氧化物、IIB-VIA族材料、IIIB-VA族材料及IB-IIIB-VIA族材料中的一种或多种；所述金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Al2O3、V2O5、V3O8、CrO3、WO3、Fe2O3、Fe3O4、CuO、MoO2、Nb2O5、BaO、MoO3、CdO、BaO、Ta2O5、BaTiO3、PbCrO4中的一种或多种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、V2O5、V3O8、CrO3、WO3、Fe2O3、Fe3O4、CuO、MoO2、Nb2O5、BaO、MoO3、CdO、BaO、Ta2O5、BaTiO3、PbCrO4中的多种，掺杂元素包括Al、Mg、Li、In、Ga中的一种或多种；所述IIB-VIA族半导体材料包括ZnS、ZnSe、CdS、CdSe中的一种或多种；所述IIIB-VA族半导体材料包括InP、GaP中的一种或多种；所述IB-IIIB-VIA族半导体材料包括CuInS、CuGaS中的一种或多种。所述电子功能层为电子注入层时，电子注入层的材料包括碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。
所述空穴功能层包括空穴注入层60和/或空穴传输层50；所述空穴传输层50的材料和所述空穴注入层60的材料分别独立的选自MoO3、WO3、NiO、V2O5、CuO、P型氮化镓和CrO3中的至少一种。
在一些实施例中，步骤S20中，所述载流子功能层的制备的步骤可以包括：提供载流子功能层的材料，在上一膜层上设置所述载流子功能层的材料，形成膜层；将所述脒基化合物转化为气态材料，使用所述气态材料对所述膜层进行处理，得到载流子功能层。气态材料能够充分渗入载流子功能层内部，直至到达载流子功能层与下方膜层之间的界面处，实现对整个膜层的缺陷的钝化，同时，气态材料到达界面处，也能有效抑制界面的氧化还原反应，进一步提高器件的稳定性；此外，气态材料处理的方式不易在膜层表面形成残留，有助于改善膜层的载流子传输性能。
将脒基化合物转化为气态材料的方式有多种，例如，通过加热的方式，使其直接升华形成气体；或者，将其制成液态材料后，通过加热和/或抽真空的形式形成蒸汽。在一些实施例中，将所述脒基化合物转化为气态材料的步骤包括：将所述脒基化合物置于溶剂中，得到脒基化合物溶液，然后将所述脒基化合物溶液加热以得到气态材料。采用这种方式有助于降低形成气态材料的加热温度，避免高温对发光器件100造成影响。
在一些实施例中，所述加热的温度可以为150～300℃。其中，加热温度可以是150℃、160℃、170℃、180℃、200℃、230℃、250℃、280℃、300℃以及上述列举的任意两个之间的数值，在此范围内，可以将脒基化合物有效转化为蒸气。
在一些实施例中，所述溶剂包括芳香烃类、脂肪烃类、脂环烃类、卤化烃类、醇类、醚类、酯类、酮类、DMF、乙腈、吡啶、苯酚中的一种或多种；所述芳香烃类包括苯、甲苯、二甲苯中的一种或多种；所述脂肪烃类包括戊烷、己烷、辛烷中的一种或多种；所述卤化烃类包括氯苯、二氯苯、二氯甲烷中的一种或多种；所述脂环烃类包括环己烷、环己酮、甲苯环己酮中的一种或多种；所述醇类包括甲醇、乙醇、丁醇、异丙醇中的一种或多种；所述醚类包括乙醚、环氧丙烷、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚中的一种或多种；所述酯类包括醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯中的一种或多种；所述酮类包括丙酮、甲基丁酮、甲基异丁酮中的一种或多种。所述列举的溶剂有助于充分溶解脒基化合物。
在一些所述脒基化合物溶液中，所述脒基化合物的浓度为10～30mg/mL，例如，所述浓度可以为10mg/mL、12mg/mL、15mg/mL、17mg/mL、20mg/mL、22mg/mL、25mg/mL、28mg/mL、30mg/mL以及上述列举的任意两个之间的数值，控制脒基化合物的浓度在此范围内，从而可以控制气态材料中脒基化合物的浓度，进而起到调控对载流子功能层层改性程度的效果，充分起到钝化表面缺陷、改善膜层质量的效果，提升载流子传输性能。
在一些实施例中，使用所述气态材料对所述载流子功能层进行处理的时间为10～120min，例如，所述处理的时间可以为10min、20min、50min、60min、80min、100min、120min以及上述列举的任意两个之间的数值，通过控制处理时间在上述范围内，有助于调控所述载流子功能层改性的程度维持在一个合理的范围内，充分起到钝化表面缺陷、改善膜层质量的效果，提升载流子传输性能。
基于上述实施例，本申请制备方法制得的载流子功能层中，所述脒基化合物的重量百分含量为1～20wt％，例如，所述重量百分含量可以是1wt％、2wt％、5wt％、8wt％、10wt％、15wt％、20wt％以及上述列举的任意两个之间的数值，从而有助于充分钝化表面缺陷，起到提升器件发光性能和稳定性的作用。
此外，在一些实施例中，所述发光层20可以为有机发光层或量子点发光层。当所述发光层20为有机发光层时，所述发光器件100可为有机发光器件；当所述发光层20为量子点发光层时，所述发光器件100可以为量子点发光器件。
所述有机发光层的材料为本领域已知用于发光器件100的有机发光层的材料，例如，可以选自但不限于二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPX荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种。
所述量子点发光层的材料为本领域已知用于发光器件100的量子点发光层的量子点材料，例如，可以选自但不限于单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种。所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核的材料及核壳结构量子点的壳的材料可以选自但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种。作为举例，所述II-VI族化合物可以选自但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种；所述III-V族化合物可以选自但不限于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种；所述I-III-VI族化合物可以选自但不限于CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种。
作为示例，所述核壳结构的量子点可以选自但不限于CdZnSe/CdZnSe/ZnSe/CdZnS/ZnS、CdZnSe/CdZnSe/CdZnS/ZnS CdSe/CdSeS/CdS、InP/ZnSeS/ZnS、CdZnSe/ZnSe/ZnS、CdSeS/ZnSeS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnS、CdSe/CdZnSeS/ZnS及InP/ZnSe/ZnS中的至少一种。
在一些实施例中，所述阳极10可以为本领域已知用于发光器件100的阳极10，例如，可以选自但不限于金属电极、碳硅材料电极、金属氧化物电极或复合电极，所述金属电极的材料选自Ag、Al、Mg、Au、Cu、Mo、Pt、Ca及Ba中的至少一种，所述碳硅材料电极的材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS。
所述阴极40可以为本领域已知用于发光器件100的阴极40，例如，可以选自但不限于金属电极、碳硅材料电极、金属氧化物电极或复合电极，所述金属电极的材料选自Ag、Al、Mg、Au、Cu、Mo、Pt中的至少一种，所述碳硅材料电极的材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS。
可以理解，在一些实施例中，具有其它功能作用的子膜层中，还可以有一层或多层子膜层未经过脒基化合物处理。例如，在一些实施例中，载流子功能层包括空穴功能层，其电子功能层则未经脒基化合物处理；在另一些实施例中，载流子功能层包括电子功能层，其空穴功能层则未经脒基化合物处理。未经脒基化合物处理的子膜层的材料可以采用本领域已知的功能膜层材料。具体如下：
当电子传输层30未经脒基化合物处理时，所述电子传输层30的材料选自金属氧化物、掺杂金属氧化物、IIB-VIA族材料、IIIB-VA族材料及IB-IIIB-VIA族材料中的一种或多种；所述金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Al2O3、V2O5、V3O8、CrO3、WO3、Fe2O3、Fe3O4、CuO、MoO2、Nb2O5、BaO、MoO3、CdO、BaO、Ta2O5、BaTiO3、PbCrO4中的一种或多种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、V2O5、V3O8、CrO3、WO3、Fe2O3、Fe3O4、CuO、MoO2、Nb2O5、BaO、MoO3、CdO、BaO、Ta2O5、BaTiO3、PbCrO4中的多种，掺杂元素包括Al、Mg、Li、In、Ga中的一种或多种；所述IIB-VIA族半导体材料包括ZnS、ZnSe、CdS、CdSe中的一种或多种；所述IIIB-VA族半导体材料包括InP、GaP中的一种或多种；所述IB-IIIB-VIA族半导体材料包括CuInS、CuGaS中的一种或多种。
当电子注入层未经脒基化合物处理时，所述电子注入层的材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。
当空穴传输层50未经脒基化合物处理时，所述空穴传输层50的材料选自4,4'-N,N'-二咔唑基-联苯(CBP)、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-螺(螺-TPD)、N,N'-二(4-(N,N'-二苯基-氨基)苯基)-N,N'-二苯基联苯胺、4,4',4'-三(N-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)(聚-TPD)、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、PEDOT:PSS及其衍生物、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺、螺NPB、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60、掺杂或非掺杂的NiO、掺杂或非掺杂的MoO3、掺杂或非掺杂的WO3、掺杂或非掺杂的V2O5、掺杂或非掺杂的P型氮化镓、掺杂或非掺杂的CrO3、掺杂或非掺杂的CuO中的至少一种。
当空穴注入层60未经脒基化合物处理时，所述空穴注入层60的材料选自2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、PEDOT、PEDOT:PSS、PEDOT:PSS掺有s-MoO3的衍生物、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、四氰基醌二甲烷、酞菁铜、氧化镍、氧化钼、氧化钨、氧化钒、硫化钼、硫化钨及氧化铜中的至少一种。
上述发光器件100的制备方法中，所述阳极10、空穴传输层50、发光层20、电子传输层30、电子注入层、阴极40及空穴注入层60的制备方法可采用本领域常规技术实现，例如化学法或物理法。其中，化学法包括化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极10氧化法、电解沉积法、共沉淀法。物理法包括物理镀膜法和溶液法，其中，物理镀膜法包括：热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等；溶液法可以为旋涂法、印刷法、喷墨打印法、刮涂法、打印法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法及条状涂布法等。
此外，本申请还提出一种发光器件100，所述发光器件100由上述制备方法制得。具体的，所述发光器件100包括阳极10、阴极40及设于阳极10和阴极40之间的功能层，所述功能层包括发光层20以及载流子功能层，所述载流子功能层中含有脒基化合物。
在一些实施例中，所述载流子功能层的材料为载流子功能层材料以及脒基化合物，所述载流子功能层材料具有阳离子悬挂键，所述脒基化合物的脒基与所述阳离子悬挂键形成离子键。
在一些实施例中，所述载流子功能层中，所述脒基化合物的重量百分含量为1～20wt％，例如，所述重量百分含量可以是1wt％、2wt％、5wt％、8wt％、10wt％、15wt％、20wt％以及上述列举的任意两个之间的数值，从而有助于充分钝化表面缺陷，起到提升器件发光性能和稳定性的作用。
此外，本申请还提出一种显示装置，所述显示装置可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、电视机、数码相机、导航仪等具有显示功能的产品或部件。所述显示装置包括所述发光器件100。
下面通过具体实施例和对比例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。
实施例1
(1)提供厚度为100nm的ITO阳极。
(2)在所述阳极上旋涂PEDOT:PSS材料，得到厚度为50nm的空穴注入层。
(3)在所述空穴注入层上旋涂TFB材料，得到厚度为50nm的空穴传输层。
(4)在空穴传输层上旋涂蓝色量子点CdSe/ZnS的正辛烷溶液，得到厚度为20nm的发光层。
(5)将氯化锌加入到DMF中，形成总浓度为0.5mol/L的氯化锌-DMF溶液，室温下，向所述氯化锌-DMF溶液中滴加浓度为0.6mol/L的NaOH的乙醇溶液，继续搅拌1.5h得到澄清透明溶液。加入丙酮，使ZnO纳米颗粒析出，离心后收集，再用乙醇溶解分散，制得ZnO的乙醇溶液。将ZnO的乙醇溶液旋涂于发光层上，100℃下退火20min，形成厚度为30nm的ZnO薄膜，得到半成品器件。
(6)提供甲脒盐酸盐(CAS号：6313-33-3)的丁醇溶液，其中，甲脒盐酸盐的浓度为15mg/mL。将制备好的半成品器件以及甲脒盐酸盐的丁醇溶液置于密闭空间中，提高密闭空间内的温度至150℃，使甲脒盐酸盐转化为蒸汽，处理30min后，得到电子传输层。
(7)在所述电子传输层上蒸镀Ag，得到厚度为100nm的阴极，封装，得到QLED器件。
实施例2
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，脒基化合物由甲脒盐酸盐改为甲脒氢溴酸盐(CAS号：146958-06-7)。
实施例3
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，脒基化合物由甲脒盐酸盐改为甲脒氢碘酸盐(CAS号：879643-71-7)。
实施例4
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，脒基化合物由甲脒盐酸盐改为2-氨基乙脒氢溴酸盐(CAS号：69816-37-1)。
实施例5
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，脒基化合物由甲脒盐酸盐改为2-氨基乙脒氢溴酸盐和乙脒盐酸盐(CAS号：124-42-5)，摩尔比为1:1。
实施例6
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，处理时间由30min改为120min。
实施例7
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)为：处理时间由30min改为10min。
实施例8
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，处理时间由30min改为130min。
实施例9
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，密闭空间内的温度由150℃改为300℃。
实施例10
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，密闭空间内的温度由150℃改为200℃。
实施例11
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，密闭空间内的温度由150℃改为310℃。
实施例12
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，甲脒盐酸盐的浓度为30mg/mL。
实施例13
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，甲脒盐酸盐的浓度为10mg/mL。
实施例14
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中，步骤(6)中，甲脒盐酸盐的浓度为40mg/mL。
实施例15
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中：
(1)删除步骤(6)；
(2)步骤(3)中，制得空穴传输层后，将片子和甲脒盐酸盐置于密闭空间中，提高密闭空间内的温度至150℃，使甲脒盐酸盐转化为蒸汽，处理30min。
实施例16
本实施例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本实施例中：
步骤(3)中，制得空穴传输层后，将片子和甲脒盐酸盐置于密闭空间中，提高密闭空间内的温度至150℃，使甲脒盐酸盐转化为蒸汽，处理30min。
对比例1
本对比例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本对比例中：
删除步骤(6)。
对比例2
本对比例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本对比例中：
步骤(6)调整为：
提供甲脒盐酸盐的丁醇溶液，其中，甲脒盐酸盐的浓度为15mg/mL。在电子传输层上旋涂甲脒盐酸盐的丁醇溶液，然后在120℃退火处理30min。
对比例3
本对比例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本对比例中：
步骤(5)和(6)调整为：
将氯化锌加入到DMF中，形成总浓度为0.5mol/L的氯化锌-DMF溶液，室温下，向所述氯化锌-DMF溶液中滴加浓度为0.6mol/L的NaOH的乙醇溶液，继续搅拌1.5h得到澄清透明溶液。加入丙酮，使ZnO纳米颗粒析出，离心后收集，再用乙醇溶解分散，制得ZnO的乙醇溶液。
提供甲脒盐酸盐的丁醇溶液，其中，甲脒盐酸盐的浓度为15mg/mL。按照甲脒盐酸盐和ZnO的摩尔比为0.5:1，将甲脒盐酸盐的丁醇溶液和ZnO的乙醇溶液混合，制成复合材料溶液。
将复合材料溶液旋涂于发光层上，100℃下退火20min，形成厚度为30nm的电子传输层。
对比例4
本对比例方案与实施例1基本相同，区别仅在于，本对比例中：
甲脒盐酸盐改为丙胺。
(一)采用采用荧光光谱仪，在320nm激发光下对实验组1、对照组1以及对照组2进行荧光发射光谱测定，结果如图4所示。
实验组1：(1)将氯化锌加入到DMF中，形成总浓度为0.5mol/L的氯化锌-DMF溶液，室温下，向所述氯化锌-DMF溶液中滴加浓度为0.6mol/L的NaOH的乙醇溶液，继续搅拌1.5h得到澄清透明溶液。加入丙酮，使ZnO纳米颗粒析出，离心后收集，再用乙醇溶解分散，制得ZnO的乙醇溶液。将ZnO的乙醇溶液旋涂于玻璃基板上，100℃下退火20min，形成厚度为30nm的ZnO薄膜。(2)提供甲脒盐酸盐的丁醇溶液，其中，甲脒盐酸盐的浓度为15mg/mL。将制备好的ZnO薄膜以及甲脒盐酸盐的丁醇溶液置于密闭空间中，提高密闭空间内的温度至150℃，使甲脒盐酸盐转化为蒸汽，处理30min后，得到改性ZnO薄膜。
对照组1：方案与实实验组1基本相同，区别仅在于，本对照组中：减去步骤(2)。
对照组2：方案与实验组1基本相同，区别仅在于，本对照组中，步骤(2)为：提供甲脒盐酸盐的丁醇溶液，其中，甲脒盐酸盐的浓度为15mg/mL。在ZnO薄膜上旋涂甲脒盐酸盐的丁醇溶液，然后在120℃退火处理30min，得到改性ZnO薄膜。
参阅图4，可以看出，相较对照组1，实验组1和对照组2的PL发光强度明显被抑制，说明，使用脒基化合物处理功能膜可以对其表面的缺陷起到钝化作用；进一步地，实验组1的发光强度被抑制程度更大，说明采用蒸汽处理的方法比溶液法进行表面处理的钝化效果更好，这主要是因为蒸汽处理方法能够更深入地进入膜层内部，对膜层可以整体进行充分钝化。
(二)取上述器件实施例1-16和器件对比例1-4中制得的器件进行发光效率、开启电压测试。结果记入表1。测试方法如下：
发光效率EQE的检测方法为：采用弗士达FPD光学特性测量设备，通过LabView控制QE PRO光谱仪、Keithley 2400、Keithley 6485搭建的效率测试系统，测量得到电压、电流、亮度、发光光谱等参数，并通过计算得到外量子效率EQE，其中，发光二极管器件的亮度达到1nite时的电压即为开启电压。
表1
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请参阅表1，可知：
将实施例1-16和对比例1进行对比，可以看出，采用脒基化合物处理后，实施例器件的发光效率明显得到了提升，且开启电压更小，说明，使用脒基化合物处理空穴功能层和/或电子功能层，有助于提高器件的发光性能；进一步地，将实施例1和对比例4分别与对比例1进行对比，实施例1效果提升显著，对比例4基本未提升，显然，脒基的存在至关重要，脒基和功能层材料表面的缺陷阳离子形成离子键，起到了钝化表面缺陷，改善膜层质量的作用，从而宏观上表现为发光性能的提升。
对比实施例1以及对比例2和3，实施例1的发光效率明显更高，开启电压更低，显然，相较使用脒基化合物溶液在功能层表面旋涂以及在功能层材料中掺入脒基化合物的方式，采用蒸汽处理的方式对器件性能和稳定性的改善效果更显著，这主要是因为，一方面，蒸汽处理的方式能够使脒基化合物渗入到功能层内部，和功能层材料充分接触并相互作用形成连接关系，使得脒基化合物对膜层的改性效果更加显著，另一方面，蒸汽处理的方式不易产生过多的化合物残留，避免了残留化合物影响功能层载流子传输，从而起到了明显提升器件性能和稳定性的作用。
(三)在实验(二)的基础上，取器件实施例1-4和器件对比例1-4在常温、自然光下保藏10天，再次进行发光效率、开启电压测试。结果记入表2。
表2
请参阅表2，可知：
对比实施例1至4和对比例1、对比例4，可以看出，实施例1至4的发光效率、开启电压在第1天和第10天变化较小，显然，本申请通过采用脒基化合物对载流子功能层进行改性处理显著提升了器件的稳定性，这主要是因为：脒基化合物的脒基能够与载流子功能层表面的阳离子悬挂键结合形成离子键，起到了钝化表面缺陷的作用；此外，脒基化合物还具有改善膜层质量，使载流子功能层变得平整、致密且具有良好的结晶性的作用，从而整体上显著提升了器件的发光性能和稳定性。
对比实施例1以及对比例2和3，实施例1的稳定性更佳，显然，相较使用脒基化合物溶液在功能层表面旋涂以及在功能层材料中掺入脒基化合物的方式，采用蒸汽处理的方式对器件性能和稳定性的改善效果更显著，这主要是因为，一方面，蒸汽处理的方式能够使脒基化合物渗入到功能层内部，和功能层材料充分接触并相互作用形成连接关系，使得脒基化合物对膜层的改性效果更加显著，另一方面，蒸汽处理的方式不易产生过多的化合物残留，避免了残留化合物影响功能层载流子传输，从而起到了明显提升器件性能和稳定性的作用。
以上对本申请实施例所提供的发光器件及其制备方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供第一电极；
在所述第一电极上形成功能层，所述功能层包括发光层以及载流子功能层，所述载流子功能层含有脒基化合物；
在所述功能层上设置第二电极。
2.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述脒基化合物包括结构式中含有脒基的化合物中的一个或多个；或者，
所述脒基化合物选自甲脒盐酸盐、甲脒氢溴酸盐、甲脒氢碘酸盐、2-氨基乙脒氢溴酸盐、乙脒盐酸盐中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述载流子功能层的制备包括：
提供载流子功能层的材料，在上一膜层上设置所述载流子功能层的材料，形成膜层；
将所述脒基化合物转化为气态材料，使用所述气态材料对所述膜层进行处理，得到载流子功能层。
4.根据权利要求3所述的发光器件的制备方法，其特征在于，将所述脒基化合物转化为气态材料的步骤包括：将所述脒基化合物置于溶剂中，得到脒基化合物溶液，然后将所述脒基化合物溶液加热以得到气态材料。
5.根据权利要求4所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述脒基化合物溶液中，所述脒基化合物的浓度为10～30mg/mL；和/或，
所述溶剂包括芳香烃类、脂肪烃类、脂环烃类、卤化烃类、醇类、醚类、酯类、酮类、DMF、乙腈、吡啶、苯酚中的一种或多种；所述芳香烃类包括苯、甲苯、二甲苯中的一种或多种；所述脂肪烃类包括戊烷、己烷、辛烷中的一种或多种；所述卤化烃类包括氯苯、二氯苯、二氯甲烷中的一种或多种；所述脂环烃类包括环己烷、环己酮、甲苯环己酮中的一种或多种；所述醇类包括甲醇、乙醇、丁醇、异丙醇中的一种或多种；所述醚类包括乙醚、环氧丙烷、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚中的一种或多种；所述酯类包括醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丙酯中的一种或多种；所述酮类包括丙酮、甲基丁酮、甲基异丁酮中的一种或多种；和/或，
所述加热的温度为150～300℃。
6.根据权利要求3所述的发光器件的制备方法，其特征在于，使用所述气态材料对载流子功能层进行处理的时间为10～120min。
7.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述载流子功能层包括设于所述发光层一侧的电子功能层；形成所述电子功能层的步骤包括：提供电子功能层的材料，在上一膜层上设置所述电子功能层的材料，形成膜层后，使用脒基化合物进行处理，得到电子功能层；所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层；所述电子传输层的材料包括金属氧化物、掺杂金属氧化物、IIB-VIA族材料、IIIB-VA族材料及IB-IIIB-VIA族材料中的一种或多种；所述金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Al2O3、V2O5、V3O8、CrO3、WO3、Fe2O3、Fe3O4、CuO、MoO2、Nb2O5、BaO、MoO3、CdO、BaO、Ta2O5、BaTiO3、PbCrO4中的一种或多种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、V2O5、V3O8、CrO3、WO3、Fe2O3、Fe3O4、CuO、MoO2、Nb2O5、BaO、MoO3、CdO、BaO、Ta2O5、BaTiO3、PbCrO4中的多种，掺杂元素包括Al、Mg、Li、In、Ga中的一种或多种；所述IIB-VIA族半导体材料包括ZnS、ZnSe、CdS、CdSe中的一种或多种；所述IIIB-VA族半导体材料包括InP、GaP中的一种或多种；所述IB-IIIB-VIA族半导体材料包括CuInS、CuGaS中的一种或多种；所述电子注入层的材料包括碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种；和/或，
所述载流子功能层包括设于所述发光层一侧的空穴功能层；形成所述空穴功能层的步骤包括：提供空穴功能层的材料，在上一膜层上设置所述空穴功能层的材料，形成膜层后，使用脒基化合物进行处理，得到空穴功能层；所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；所述空穴传输层的材料和所述空穴注入层的材料分别独立的选自MoO3、WO3、NiO、V2O5、CuO、P型氮化镓和CrO3中的至少一种。
8.一种发光器件，其特征在于，由权利要求1至7任一项所述的制备方法制得，所述发光器件的载流子功能层含有脒基化合物。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述载流子功能层中，所述脒基化合物的重量百分含量为1～20wt％；和/或，
所述发光层的材料包括有机发光材料或量子点发光材料，所述有机发光材料包括二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPX荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；和/或，
所述第一电极和所述第二电极各自独立的选自金属电极、碳硅材料电极、金属氧化物电极或复合电极，所述金属电极的材料选自Ag、Al、Mg、Au、Cu、Mo、Pt、Ca及Ba中的至少一种，所述碳硅材料电极的材料选自硅、石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的至少一种，所述金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS。
10.一种显示装置，其特征在于，包括发光器件，所述发光器件包括权利要求8或9任一项所述的发光器件。
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