CN117637705A - 传感器封装结构 - Google Patents

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CN117637705A CN202210980090.XA CN202210980090A CN117637705A CN 117637705 A CN117637705 A CN 117637705A CN 202210980090 A CN202210980090 A CN 202210980090A CN 117637705 A CN117637705 A CN 117637705A
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徐瑞鸿
李建成
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Abstract

本申请公开一种传感器封装结构，其含一基板、安装于所述基板的一感测芯片、呈环形且设置于所述感测芯片顶面的一支撑层、设置于所述支撑层的一透光层、及呈环形且设置于所述透光层下表面的一沟槽式遮蔽层。所述沟槽式遮蔽层包含位于所述支撑层相反侧的一内阻隔墙与一外阻隔墙。所述内阻隔墙的内缘形成有位于所述感测芯片的感测区域正上方的一开口。所述内阻隔墙、所述外阻隔墙、及所述透光层的所述下表面的局部，共同包围形成有一环形阻流槽。所述透光层以所述下表面的所述局部设置于所述支撑层上，以使所述支撑层的部分位于所述环形阻流槽之内。据此，所述沟槽式遮蔽层能阻止所述支撑层朝外侧产生过度变形或位移，避免所述透光层产生剥离。

Description

传感器封装结构
技术领域
本申请涉及一种传感器封装结构，尤其涉及形成有沟槽式遮蔽层的一种传感器封装结构。
背景技术
现有的传感器封装结构是将玻璃板通过胶层而设置于感测芯片上，并且所述胶层是围绕在所述感测芯片的感测区外围。然而，由于穿过所述玻璃板的光线有可能部分会被所述胶层所反射，因而对所述感测芯片的所述感测区会造成影响(如：眩光现象)。再者，现有传感器封装结构的所述胶层在固化的过程之中，位于所述胶层内侧的空气容易因被加热而推挤所述胶层，使其朝外侧变形或偏移。
于是，申请人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本申请。
发明内容
本申请在于提供一种传感器封装结构，其能有效地改善现有传感器封装结构所可能产生的缺陷。
本申请公开一种传感器封装结构，其包括：一基板；一感测芯片，沿一预设方向设置于基板上，并且感测芯片电性耦接于基板；其中，感测芯片的一顶面包含有一感测区域及围绕于感测区域的一承载区域；一支撑层，呈环形且设置于感测芯片的承载区域上；一透光层，具有位于相反侧的一下表面与一上表面，并且透光层通过支撑层而位于感测芯片的上方；其中，感测区域面向透光层；以及一沟槽式遮蔽层，呈环形且设置于透光层的下表面，用以阻挡一可见光穿过；其中，沟槽式遮蔽层包含有：一内阻隔墙，位于支撑层的内侧；一外阻隔墙，位于支撑层的外侧；及一连接段，连接内阻隔墙与外阻隔墙，以共同包围形成有一环形阻流槽；其中，沟槽式遮蔽层以连接段设置于支撑层上，以使支撑层的部分位于环形阻流槽之内；其中，内阻隔墙的内缘形成有位于感测区域正上方的一开口；沟槽式遮蔽层、透光层、支撑层、及感测芯片共同包围形成有一封闭空间，而内阻隔墙位于封闭空间内。
可选地，支撑层于预设方向具有一支撑厚度，内阻隔墙于预设方向具有一厚度，其介于支撑厚度的10％～30％。
可选地，支撑层于预设方向具有一支撑厚度，外阻隔墙于预设方向具有一厚度，其介于支撑厚度的10％～30％。
可选地，内阻隔墙于预设方向具有一厚度，其为外阻隔墙于预设方向的一厚度的50％～300％。
可选地，连接段于预设方向具有一厚度，其为内阻隔墙的厚度的10％～80％。
可选地，支撑层具有一内弧面与一外弧面，并且内弧面的曲率半径小于外弧面的曲率半径。
可选地，支撑层与内阻隔墙的接触面积小于支撑层与外内阻隔墙的接触面积。
可选地，沟槽式遮蔽层包含有相连于外阻隔墙的一延伸段，并且延伸段的边缘切齐于透光层的环侧面。
可选地，外阻隔墙的边缘切齐于透光层的环侧面。
可选地，内阻隔墙与外阻隔墙的至少其中之一呈截锥状且其沿预设方向朝向感测芯片呈渐缩状。
本申请还公开一种传感器封装结构，其包括：一基板；一感测芯片，沿一预设方向设置于基板上，并且感测芯片电性耦接于基板；其中，感测芯片的一顶面包含有一感测区域及围绕于感测区域的一承载区域；一支撑层，呈环形且设置于感测芯片的承载区域上；一透光层，具有位于相反侧的一下表面与一上表面，并且透光层通过支撑层而位于感测芯片的上方；其中，感测区域面向透光层；以及一沟槽式遮蔽层，呈环形且设置于透光层的下表面，用以阻挡一可见光穿过；其中，沟槽式遮蔽层包含有：一内阻隔墙，位于支撑层的内侧；及一外阻隔墙，位于支撑层的外侧；其中，内阻隔墙、外阻隔墙、及透光层的下表面的局部，共同包围形成有一环形阻流槽；其中，透光层以下表面的局部设置于支撑层上，以使支撑层的部分位于环形阻流槽之内；其中，内阻隔墙的内缘形成有位于感测区域正上方的一开口；透光层、支撑层、及感测芯片共同包围形成有一封闭空间，而内阻隔墙位于封闭空间内。
可选地，支撑层于预设方向具有一支撑厚度，内阻隔墙于预设方向具有一厚度，其介于支撑厚度的30％～50％。
可选地，支撑层于预设方向具有一支撑厚度，外阻隔墙于预设方向具有一厚度，其介于支撑厚度的30％～50％。
可选地，内阻隔墙于预设方向具有一厚度，其为外阻隔墙于预设方向的一厚度的50％～300％。
可选地，支撑层具有一内弧面与一外弧面，并且内弧面的曲率半径小于外弧面的曲率半径。
可选地，支撑层与内阻隔墙的接触面积小于支撑层与外内阻隔墙的接触面积。
可选地，沟槽式遮蔽层包含有相连于外阻隔墙的一延伸段，并且延伸段的边缘切齐于透光层的环侧面。
可选地，外阻隔墙的边缘切齐于透光层的环侧面。
可选地，内阻隔墙与外阻隔墙的至少其中之一呈截锥状且其沿预设方向朝向感测芯片呈渐缩状。
可选地，传感器封装结构包含有形成于基板的一封装体，并且感测芯片、支撑层、透光层、及沟槽式遮蔽层埋置于封装体内，而透光层的至少部分上表面裸露于封装体之外；其中，位于支撑层与外阻隔墙之间的环形阻流槽的部分充填有封装体。
综上所述，本申请所公开的传感器封装结构，其通过所述支撑层与所述沟槽式遮蔽层之间的结构搭配设置，据以能同时兼顾到(或实现)多项技术效果(如：所述传感器封装结构在实现以所述沟槽式遮蔽层阻挡可见光，来降低因为所述支撑层反光而产生的眩光现象的前提之下，所述沟槽式遮蔽层还能有效地阻止所述支撑层朝外侧产生过度变形或位移，进而避免所述透光层产生剥离)。
为能更进一步了解本申请的特征及技术内容，请参阅以下有关本申请的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本申请，而非对本申请的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本申请实施例一的传感器封装结构的立体示意图。
图2为图1沿剖线II-II的剖视示意图。
图3为图2的区域III的放大示意图。
图4为图3的另一态样的示意图。
图5为本申请实施例二的传感器封装结构的立体示意图。
图6为图5沿剖线VI-VI的剖视示意图。
图7为图6的区域VII的放大示意图。
图8为图7的另一态样的示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本申请所公开有关“传感器封装结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本申请的优点与效果。本申请可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本申请的构思下进行各种修改与变更。另外，本申请的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本申请的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本申请的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
实施例一请参阅图1至图4所示，其为本申请的实施例一。如图1所示，本实施例公开一种传感器封装结构100；也就是说，内部非为封装传感器的任何结构，其结构设计基础不同于本实施例所指的传感器封装结构100，所以两者之间并不适于进行对比。
如图2和图3所示，所述传感器封装结构100包含有一基板1、沿一预设方向D设置于所述基板1上的一感测芯片2、电性耦接所述感测芯片2与所述基板1的多条金属线3、设置于所述感测芯片2上的一支撑层4、通过所述支撑层4而位于所述感测芯片2上方的一透光层5、设置于所述透光层5的一沟槽式遮蔽层6及形成于所述基板1上的一封装体7。
其中，所述传感器封装结构100于本实施例中虽是以包含上述组件来做说明，但所述传感器封装结构100也可以依据设计需求而加以调整变化。举例来说，在本申请未绘示的其他实施例中，所述传感器封装结构100可以省略多个所述金属线3，并且所述感测芯片2通过覆晶方式固定且电性耦接于所述基板1上；或者，所述传感器封装结构100也可以省略或以其他构造替代所述封装体7。以下将分别就本实施例中的所述传感器封装结构100的各个组件构造与连接关系作一说明。
所述基板1于本实施例中为呈正方形或矩形，但本申请不受限于此。其中，所述基板1于其上板面11的大致中央处设有一芯片固定区111，并且所述基板1于其上表面形成有位于所述芯片固定区111(或所述感测芯片2)外侧的多个接合垫112。多个所述接合垫112于本实施例中是大致排列呈环状，但本申请不限于此。举例来说，在本申请未绘示的其他实施例中，多个所述接合垫112也可以是在所述芯片固定区111的相反两侧分别排成两列。
此外，所述基板1于本实施例中也可以于其下板面12设有多个焊接球8，并且所述传感器封装结构100能通过多个所述焊接球8而焊接固定于一电子构件(图中未示出)上，据以使所述传感器封装结构100能够电性连接所述电子构件。
所述感测芯片2于本实施例中是以一影像感测芯片来说明，但不以此为限。其中，所述感测芯片2是固定于所述基板1的所述芯片固定区111；也就是说，所述感测芯片2是位于多个所述接合垫112的内侧。再者，所述感测芯片2的一顶面21包含有一感测区域211及围绕于所述感测区域211(且呈环形)的一承载区域212，并且所述感测芯片2包含有位于所述承载区域212的多个连接垫213。
其中，所述感测芯片2的多个所述连接垫213的数量及位置于本实施例中是分别对应于所述基板1的多个所述接合垫112的数量及位置。再者，多个所述金属线3的一端分别连接于多个所述接合垫112，并且多个所述金属线3的另一端分别连接于多个所述连接垫213，据以使所述基板1能通过多个所述金属线3而电性耦接于所述感测芯片2。
所述支撑层4呈环形且设置于所述感测芯片2的所述承载区域212上，并且每个所述连接垫213可以依据设计需求而选择性地埋置于所述支撑层4内、或是位于所述支撑层4的外侧。举例来说，如图2的左侧所示，至少一个所述连接垫213及其相连的所述金属线3皆位于所述支撑层4的外侧；或者，如图2的右侧所示，至少一个所述连接垫213及其相连的所述金属线3的局部皆埋置于所述支撑层4内。
所述透光层5于本实施例中是以呈透明状的一平板玻璃来说明，但本申请不受限于此。其中，所述透光层5于本实施例中包含有一上表面51、位于所述上表面51相反侧的一下表面52、及相连于所述上表面51与所述下表面52的一环侧面53。所述透光层5通过所述支撑层4而设置于所述感测芯片2的上方，并且所述下表面52是面向所述感测区域211。
所述沟槽式遮蔽层6呈环形且设置于所述透光层5的所述下表面52，用以阻挡可见光穿过。其中，所述沟槽式遮蔽层6于本实施例中可以是允许波长780纳米(nm)以上的所述红外光穿过，而阻挡波长介于365纳米～780纳米的所述可见光穿过，但本申请不以此为限。
更详细地说，所述沟槽式遮蔽层6于本实施例中包含有呈环形的一连接段61、呈环形且自所述连接段61向内延伸的一内阻隔墙62、及呈环形且自所述连接段61向外延伸的一外阻隔墙63。也就是说，所述连接段61连接所述内阻隔墙62与所述外阻隔墙63，以共同包围形成有一环形阻流槽S。
其中，所述沟槽式遮蔽层6以所述连接段61设置于所述支撑层4上，以使所述支撑层4的部分位于所述环形阻流槽S之内；也就是说，所述连接段61被夹持于所述透光层5与所述支撑层4之间。据此，所述沟槽式遮蔽层6、所述透光层5、所述支撑层4、及所述感测芯片2共同包围形成有一封闭空间E。
再者，所述内阻隔墙62位于所述支撑层4的内侧(也就是，所述内阻隔墙62位于所述封闭空间E内)，并且所述内阻隔墙62的内缘形成有位于所述感测区域211正上方的一开口O。所述外阻隔墙63位于所述支撑层4的外侧，并且所述外阻隔墙63的边缘可以是至少部分切齐于所述透光层5的所述环侧面53。此外，所述沟槽式遮蔽层6也可以包含有相连于所述外阻隔墙63的一延伸段64，并且所述延伸段64的边缘切齐于所述透光层5的环侧面53。
需额外说明的是，为使所述沟槽式遮蔽层6能够具备有较佳的防眩光效果，并且同时有效地阻止所述封闭空间E内的空气受热，而膨胀推挤所述支撑层4，使其朝外侧产生过度变形或位移，所述连接段61、所述内阻隔墙62、及所述外阻隔墙63较佳是具备有下述技术特征的至少部分，但本申请不以此为限。
所述内阻隔墙62与所述外阻隔墙63的至少其中之一呈截锥状且其沿所述预设方向D朝向所述感测芯片2呈渐缩状，但本申请不以此为限。进一步地说，于所述预设方向D上，所述连接段61的厚度T61为所述内阻隔墙62的厚度T62的10％～80％、并大致等同于所述延伸段64的厚度T64，而所述内阻隔墙62的所述厚度T62则是所述外阻隔墙63的厚度T63的50％～300％，但上述厚度可依据设计需求而加以调整变化。
换个角度来说，所述支撑层4于所述预设方向D具有一支撑厚度T4，并且所述内阻隔墙62的所述厚度T62较佳是介于所述支撑厚度T4的10％～30％，而所述外阻隔墙63的所述厚度T63也是介于所述支撑厚度T4的10％～30％。
进一步地说，如图4所示，当所述支撑层4已朝外侧产生过度变形或位移时，所述外阻隔墙63会阻挡所述支撑层4向外侧位移、进而限制其位移的幅度，所以所述支撑层4与所述内阻隔墙62的接触面积会小于所述支撑层4与所述外内阻隔墙62的接触面积。再者，所述支撑层4形成有一内弧面41与一外弧面42，并且所述内弧面41的曲率半径小于所述外弧面42的曲率半径。其中，所述内弧面41的曲率中心可以是大致落在所述封闭空间E内，而所述外弧面42的曲率中心则是位于所述传感器封装结构100之外。
如图2和图3所示，所述封装体7形成于所述基板1的所述上表面11且其边缘切齐于所述基板1的边缘。其中，所述感测芯片2、所述支撑层4、所述透光层5、及每条所述金属线3的至少部分皆埋置于所述封装体7内，并且所述透光层5的至少部分所述上表面51(如：对应于所述开口O的所述上表面51部位)裸露于所述封装体7之外。
再者，所述封装体7相连于所述沟槽式遮蔽层6的局部；也就是说，所述沟槽式遮蔽层6的所述外阻隔墙63埋置于所述封装体7之内。此外，位于所述支撑层4与所述外阻隔墙63之间的所述环形阻流槽S的部分充填有所述封装体7，借以提升彼此之间的结合性。
进一步地说，所述封装体7于本实施例中是以一液态封胶(liquid compound)来说明，但本申请不受限于此。举例来说，在本申请未绘示的其他实施例中，所述封装体7的液态封胶之顶面上可以进一步形成有一模制封胶(molding compound)；或者，所述封装体7也可以仅为形成于所述基板1上的一模制封胶。
实施例二请参阅图5至图8所示，其为本申请的实施例二。由于本实施例类似于上述实施例一，所以两个实施例的相同处不再加以赘述(如：所述基板1、所述感测芯片2、多条所述金属线3、所述支撑层4、所述透光层5、及所述封装体7)，而本实施例相较于上述实施例一的差异主要在于：所述沟槽式遮蔽层6的构造及其相应的组件连接关系。
于本实施例中，如图5至图7所示，所述沟槽式遮蔽层6未形成有实施例一的所述连接段61(如：图2)，所以所述内阻隔墙62与所述外阻隔墙63是搭配所述透光层5的所述下表面52的局部，而共同包围形成有所述环形阻流槽S。其中，所述透光层5以所述下表面52的所述局部设置于所述支撑层4上(也就是，所述支撑层4是夹持于所述透光层5与所述感测芯片2之间)，以使所述支撑层4的部分位于所述环形阻流槽S之内。再者，所述封闭空间E是由所述透光层5、所述支撑层4、及所述感测芯片2所共同包围形成，并且所述内阻隔墙62位于所述封闭空间E内。
据此，由于所述支撑层4于本实施例中是直接抵接于所述透光层5，所以所述支撑层4能够接收穿过所述透光层5的光线，因而使所述支撑层4可以采用光固化材质(如：紫外光固化材质)，进而降低所述封闭空间E内的空气受热程度。
需额外说明的是，为使所述沟槽式遮蔽层6能够具备有较佳的防眩光效果，并且同时有效地阻止所述封闭空间E内的空气受热，而膨胀推挤所述支撑层4，使其朝外侧产生过度变形或位移，所述内阻隔墙62与及所述外阻隔墙63较佳是具备有下述技术特征的至少部分，但本申请不以此为限。
所述内阻隔墙62与所述外阻隔墙63的至少其中之一呈截锥状且其沿所述预设方向D朝向所述感测芯片2呈渐缩状，但本申请不以此为限。进一步地说，于所述预设方向D上，所述内阻隔墙62的所述厚度T62是所述外阻隔墙63的所述厚度T63的50％～300％，并且所述内阻隔墙62的所述厚度T62较佳是介于所述支撑厚度T4的30％～50％，而所述外阻隔墙63的所述厚度T63也是介于所述支撑厚度T4的30％～50％，但上述厚度可依据设计需求而加以调整变化。
进一步地说，如图8所示，当所述支撑层4已朝外侧产生过度变形或位移时，所述外阻隔墙63会阻挡所述支撑层4向外侧位移、进而限制其位移的幅度，所以所述支撑层4与所述内阻隔墙62的接触面积会小于所述支撑层4与所述外内阻隔墙62的接触面积。再者，所述支撑层4的所述内弧面41的曲率半径小于其所述外弧面42的曲率半径。其中，所述内弧面41的曲率中心可以是大致落在所述封闭空间E内，而所述外弧面42的曲率中心则是位于所述传感器封装结构100之外。
发明的有益效果综上所述，本申请所公开的传感器封装结构，其通过所述支撑层与所述沟槽式遮蔽层之间的结构搭配设置，据以能同时兼顾到(或实现)多项技术效果(如：所述传感器封装结构在实现以所述沟槽式遮蔽层阻挡可见光，来降低因为所述支撑层反光而产生的眩光现象的前提之下，所述沟槽式遮蔽层还能有效地阻止所述支撑层朝外侧产生过度变形或位移，进而避免所述透光层产生剥离)。
以上所公开的内容仅为本申请的可选可行实施例，并非因此局限本申请的专利范围，所以凡是运用本申请说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本申请的专利范围内。

Claims (20)

1.一种传感器封装结构，其特征在于，所述传感器封装结构包括：
一基板；
一感测芯片，沿一预设方向设置于所述基板上，并且所述感测芯片电性耦接于所述基板；其中，所述感测芯片的一顶面包含有一感测区域及围绕于所述感测区域的一承载区域；
一支撑层，呈环形且设置于所述感测芯片的所述承载区域上；一透光层，具有位于相反侧的一下表面与一上表面，并且所述透光层通过所述支撑层而位于所述感测芯片的上方；其中，所述感测区域面向所述透光层；以及
一沟槽式遮蔽层，呈环形且设置于所述透光层的所述下表面，用以阻挡一可见光穿过；其中，所述沟槽式遮蔽层包含有：
一内阻隔墙，位于所述支撑层的内侧；
一外阻隔墙，位于所述支撑层的外侧；及
一连接段，连接所述内阻隔墙与所述外阻隔墙，以共同包围形成有一环形阻流槽；其中，所述沟槽式遮蔽层以所述连接段设置于所述支撑层上，以使所述支撑层的部分位于所述环形阻流槽之内；
其中，所述内阻隔墙的内缘形成有位于所述感测区域正上方的一开口；所述沟槽式遮蔽层、所述透光层、所述支撑层、及所述感测芯片共同包围形成有一封闭空间，而所述内阻隔墙位于所述封闭空间内。
2.依据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述支撑层于所述预设方向具有一支撑厚度，所述内阻隔墙于所述预设方向具有一厚度，其介于所述支撑厚度的10％～30％。
3.依据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述支撑层于所述预设方向具有一支撑厚度，所述外阻隔墙于所述预设方向具有一厚度，其介于所述支撑厚度的10％～30％。
4.依据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述内阻隔墙于所述预设方向具有一厚度，其为所述外阻隔墙于所述预设方向的一厚度的50％～300％。
5.依据权利要求4所述的传感器封装结构，其特征在于，所述连接段于所述预设方向具有一厚度，其为所述内阻隔墙的所述厚度的10％～80％。
6.依据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述支撑层具有一内弧面与一外弧面，并且所述内弧面的曲率半径小于所述外弧面的曲率半径。
7.依据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述支撑层与所述内阻隔墙的接触面积小于所述支撑层与所述外内阻隔墙的接触面积。
8.依据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述沟槽式遮蔽层包含有相连于所述外阻隔墙的一延伸段，并且所述延伸段的边缘切齐于所述透光层的环侧面。
9.依据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述外阻隔墙的边缘切齐于所述透光层的环侧面。
10.依据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述内阻隔墙与所述外阻隔墙的至少其中之一呈截锥状且其沿所述预设方向朝向所述感测芯片呈渐缩状。
11.一种传感器封装结构，其特征在于，所述传感器封装结构包括：
一基板；
一感测芯片，沿一预设方向设置于所述基板上，并且所述感测芯片电性耦接于所述基板；其中，所述感测芯片的一顶面包含有一感测区域及围绕于所述感测区域的一承载区域；
一支撑层，呈环形且设置于所述感测芯片的所述承载区域上；一透光层，具有位于相反侧的一下表面与一上表面，并且所述透光层通过所述支撑层而位于所述感测芯片的上方；其中，所述感测区域面向所述透光层；以及
一沟槽式遮蔽层，呈环形且设置于所述透光层的所述下表面，用以阻挡一可见光穿过；其中，所述沟槽式遮蔽层包含有：
一内阻隔墙，位于所述支撑层的内侧；及
一外阻隔墙，位于所述支撑层的外侧；其中，所述内阻隔墙、所述外阻隔墙、及所述透光层的所述下表面的局部，共同包围形成有一环形阻流槽；其中，所述透光层以所述下表面的所述局部设置于所述支撑层上，以使所述支撑层的部分位于所述环形阻流槽之内；
其中，所述内阻隔墙的内缘形成有位于所述感测区域正上方的一开口；所述透光层、所述支撑层、及所述感测芯片共同包围形成有一封闭空间，而所述内阻隔墙位于所述封闭空间内。
12.依据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述支撑层于所述预设方向具有一支撑厚度，所述内阻隔墙于所述预设方向具有一厚度，其介于所述支撑厚度的30％～50％。
13.依据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述支撑层于所述预设方向具有一支撑厚度，所述外阻隔墙于所述预设方向具有一厚度，其介于所述支撑厚度的30％～50％。
14.依据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述内阻隔墙于所述预设方向具有一厚度，其为所述外阻隔墙于所述预设方向的一厚度的50％～300％。
15.依据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述支撑层具有一内弧面与一外弧面，并且所述内弧面的曲率半径小于所述外弧面的曲率半径。
16.依据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述支撑层与所述内阻隔墙的接触面积小于所述支撑层与所述外内阻隔墙的接触面积。
17.依据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述沟槽式遮蔽层包含有相连于所述外阻隔墙的一延伸段，并且所述延伸段的边缘切齐于所述透光层的环侧面。
18.依据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述外阻隔墙的边缘切齐于所述透光层的环侧面。
19.依据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述内阻隔墙与所述外阻隔墙的至少其中之一呈截锥状且其沿所述预设方向朝向所述感测芯片呈渐缩状。
20.依据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述传感器封装结构包含有形成于所述基板的一封装体，并且所述感测芯片、所述支撑层、所述透光层、及所述沟槽式遮蔽层埋置于所述封装体内，而所述透光层的至少部分所述上表面裸露于所述封装体之外；其中，位于所述支撑层与所述外阻隔墙之间的所述环形阻流槽的部分充填有所述封装体。
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