CN117626159A - 一种高纯度y2o3立方相涂层的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高纯度Y2O3立方相涂层的制备方法，属于涂层材料技术领域。本发明方法将悬浮液用大气等离子悬浮液喷涂技术喷涂于经预处理的基材表面，并以氩气和氧气为等离子气体，氩气和氧气的混合气体(Ar/O2)为主气，送粉氩气为次气，配合特定的流量条件，制得单一立方相结构、且无杂质相及亚稳相的Y2O3涂层，同时涂层具有极低的孔隙率、高结合强度和更优异的耐磨耐腐蚀性能，低破损、脱落等风险，在半导体制造机台内降低发生Particle异常现象风险。
Description
技术领域
本发明涉及一种高纯度Y2O3立方相涂层的制备方法，属于涂层材料技术领域。
背景技术
在硅晶片的生产制造过程中，干法刻蚀是重要的环节之一。通常该工艺是利用等离子体对晶圆进行轰击，使得活性原子或原子团与晶圆材料反应，生成的挥发性物质被真空系统带走，从而达到刻蚀的目的。但在其生产过程中，含氟等离子体同样会对刻蚀腔内器件造成侵蚀，导致设备零部件寿命降低，生产质量和效率降低、维护成本升高。同时，形成的刻蚀产物以悬浮微粒的形式从内壁脱落，弥散在腔体中，也会导致晶圆污染，使得成品率下降。因此应当提高刻蚀腔内零部件的耐等离子刻蚀性能，以延长零部件寿命和生产周期，提升制造质量和效果。在设备部件表面喷附用于防护作用的涂层是一种常见的方法，例如以大气等离子喷涂(APS)法为代表的热喷涂法。Y2O3是目前半导体行业中认为兼具高耐刻蚀能力和性价比的耐等离子体刻蚀涂层材料。
常规的APS方法以Ar/H2作为工作气体即以氩气为主、氢气为辅的方式制备的氧化钇涂层，有部分立方相转变为单斜相。这是由于氧化钇颗粒到达基底之前需要经历高温高速飞行阶段，氧化钇粉末在高温熔融到冷却的过程中发生相变，引起部分晶体由立方相转化为单斜相。除此之外，使用氦气作为辅助气体，可以得到颜色为纯正白色的单一相结构的氧化钇涂层，但由于氦气热焓值相对于氢气低，氧化钇颗粒无法完全熔融，导致得到的涂层致密性不佳，形成孔隙和裂纹，造成涂层耐刻蚀性能下降。
发明内容
【技术问题】
为解决上述问题，本发明采取悬浮液等离子喷涂(SPS)替代大气等离子喷涂(APS)，同时为了保证粒子具有相对稳定的高焓比和好的流动性，采用丙酮作为悬浮液分散剂，此外，考虑到采用含碳的有机试剂作为分散剂可能给涂层带来一些含碳的杂质相与亚稳相，本发明采用Ar/O2作为工作气体，结果惊奇的发现，喷涂后颗粒为立方相的纯Y2O3，有机溶剂完全溶解，颗粒中不含碳杂质。
【技术方案】
本发明的目的之一在于提供一种纯Y2O3立方相涂层的制备方法。
本发明的目的之二在于上述方法在等离子刻蚀工艺腔涂层中的应用。
具体的，一种纯Y2O3立方相涂层的制备方法，将Y2O3粉末分散于丙酮中形成悬浮液，将该悬浮液用悬浮液等离子喷涂技术喷涂于经预处理的基材表面，即得纯Y2O3立方相涂层。
所述的Y2O3粉末的粒径为1～15μm。
所述悬浮液中Y2O3的质量分数为10％-30％。
所述悬浮液等离子喷涂技术中悬浮液的进料速率为20mL/min-50mL/min；具体可选40mL/min。
所述悬浮液等离子喷涂技术中喷涂等离子的功率为20kW-120kW。具体可选20-30kW。
所述悬浮液等离子悬浮液喷涂过程中使用以氩气和氧气为等离子气体，氩气和氧气的混合气体(Ar/O2)为主气，送粉氩气为次气。
所述主气中氩气的流量为25-35NLPM，氧气的流量为20-25NLPM。
所述送粉氩气的流量为5-20NLPM；具体可选6NLPM。
在本发明的一种实施方式中，喷涂基材表面的距离为50-80mm；具体可选70mm。
在本发明的一种实施方式中，悬浮液的浓度、等离子的功率、以及等离子气体的流量相互之间相互配合，以达到更好的制备效果。
优选地，悬浮液中Y2O3的质量分数为20-30％，等离子的功率为20-120kW，氩气的流量为25-35NLPM，氧气的流量为20-25NLPM；
或者，悬浮液中Y2O3的质量分数为10％，等离子的功率为30kW，氩气的流量为25-35NLPM，氧气的流量为20-25NLPM；
或者，悬浮液中Y2O3的质量分数为10％，等离子的功率为20-120kW，氩气的流量为35NLPM，氧气的流量为25NLPM。
本发明还提供上述方法在等离子刻蚀工艺腔涂层中的应用。
本发明还提供上述方法在半导体制造机台制备方面的应用。
有益效果：
纯立方相的涂层在高温等离子体作用下未发生晶体结构改变，涂层颜色呈亮白色。当等离子体冲击涂层表面，在很宽的温度范围和很大的应变状态下都表现出很高的强度。体心立方力学结构稳定，且具有很高的密度和强度，因此作为部件表面的防护涂层，能更有效地抵御等离子体的侵蚀。本发明采取悬浮液等离子喷涂方式，采用丙酮作为悬浮液分散剂，Ar/O2作为工作气体，喷涂得到纯Y2O3立方相颗粒，有机溶剂完全溶解，颗粒中不含碳杂质。
本发明制得的Y2O3涂层具有单一立方相结构、且无杂质相及亚稳相，同时涂层具有极低的孔隙率、高结合强度和更优异的耐磨耐腐蚀性能，低破损、脱落等风险，在半导体制造机台内降低发生Particle异常现象风险。在高功率等离子体侵袭作用下，具有比大气等离子喷涂的Y2O3涂层更好的耐等离子刻蚀性能。
附图说明
图1为APS和SPS实施例制备得到的Y2O3涂层XRD图谱。
图2为Y2O3体心立方晶体和Y2O3Y2O3底心单斜晶体的结构示意图。
图3是APS和各SPS实施例所得Y2O3涂层的孔隙率图。
图4是APS和各SPS实施例所得Y2O3涂层的耐刻蚀速率图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
以下实施例使用基片均进行预处理，包括使用丙醇等有机溶剂擦拭、使用36目白刚玉进行表面粗化，调节表面状态至粗糙度Ra为4-6um。
实施例1
将Y2O3粉末分散于丙酮中形成悬浮液，悬浮液中Y2O3的质量分数为10％。将上述悬浮液通过悬浮液等离子喷涂方式进行喷涂，悬浮液进料速率为40mL/min，等离子的功率为20kW，以氩气和氧气为等离子气体，氩气和氧气的混合气体为主气，送粉氩气为次气。其中氩气的流量为25NLPM，氧气的流量为20NLPM，送粉氩气的流量为6NLPM的条件下，距离基材表面70mm进行等离子喷涂，得到Y2O3涂层。
实施例2
将Y2O3粉末分散于丙酮中形成悬浮液，悬浮液中Y2O3的质量分数为20％。悬浮液进料速率为40mL/min。等离子的功率为20kW。以氩气和氧气为等离子气体，氩气和氧气的混合气体为主气，送粉氩气为次气。其中氩气的流量为25NLPM，氧气的流量为20NLPM，送粉氩气的流量为6NLPM的条件下，距离基材表面70mm进行等离子喷涂，得到Y2O3涂层。
实施例3
将Y2O3粉末分散于丙酮中形成悬浮液，悬浮液中Y2O3的质量分数为10％。悬浮液设备进料速率为40mL/min。等离子的功率为30kW。以氩气和氧气为等离子气体，氩气和氧气的混合气体为主气，送粉氩气为次气。其中氩气的流量为25NLPM，氧气的流量为20NLPM，送粉氩气的流量为6NLPMA的条件下，距离基材表面70mm进行等离子喷涂，得到Y2O3涂层。
实施例4
将Y2O3粉末分散于丙酮中形成悬浮液，悬浮液中Y2O3的质量分数为10％。悬浮液进料速率为40mL/min。等离子的功率为20kW。以氩气和氧气为等离子气体，氩气和氧气的混合气体为主气，送粉氩气为次气。其中氩气的流量为35NLPM，氧气的流量为25NLPM，送粉氩气的流量为6NLPM的条件下距离基材表面70mm进行等离子喷涂。
对比例1
APS-Y2O3的制备：将预处理后的基片使用耐高温胶带固定在喷涂工作台上,使用欧瑞康美科生产的APS大气等离子喷涂设备。设置该系统等离子的功率为20kW。送粉量25g/min。以氩气和氧气为等离子气体，氩气和氧气的混合气体为主气，送粉氩气为次气。其中氩气的流量为35NLPM，氧气的流量为25NLPM，送粉氩气的流量为6NLPM的条件下距离基材表面70mm进行等离子喷涂。
以上实施例涂层晶相检测相同条件下以大气等离子喷涂法和悬浮液等离子喷涂法实施例制备得到的Y2O3涂层的XRD图如图1所示。
SPS-Y2O3的XRD图中衍射峰在2θ＝21.4°、2θ＝28.7°、2θ＝34.2°、2θ＝48.1°、2θ＝57.5°对应体心立方相Y2O3(PDF No.41-1105)的[211]、[222]、[400]、[622]晶面。
APS-Y2O3的XRD图中衍射峰在2θ＝22.6°、2θ＝26.2°、2θ＝41.74°对应底心单斜相Y2O3(PDFNo.44-0399)的[402]、[310]、[112]晶面；其余衍射峰在2θ＝21.4°、2θ＝28.7°、2θ＝34.2°、2θ＝48.1°、2θ＝57.5°对应体心立方相Y2O3(PDF No.41-1105)的[211]、[222]、[400]、[622]晶面。
根据图1所示的XRD图谱，利用X射线衍射对物相定量分析中的直接比较法(公式1)，计算出两种相各自的体积分数如表1所示。设待测样品中含有n个物相，第i相的体积分数为Vi，衍射线强度为Ii(通常使用最强衍射峰面积)，各物相对应的参比强度值I/IC(也称K值)为Ki。通过Jade软件处理涂层的衍射图谱，扣除背底后拾取各相最强衍射峰面积作为强度值I，计算细节与结果见表1。
表1 APS和SPS实施例制备得到的Y2O3涂层物相含量计算
涂层孔隙率测试：采用显微图像法对涂层孔隙率进行表征，通过扫描电子显微镜直接观察涂层截面，在合适的放大倍数下(视野内只有涂层)截取平行截面照片。利用Matlab黑白化照片，并识别孔隙在整张图片中的占比。重复处理5张图片并讲获得的数据计算平均值，作为该样品的孔隙率。
刻蚀速率测试：使用射频电容耦合等离子体刻蚀机，设定功率250W，选用CF4、Ar、O2，气体流量比例Ar:O2:CF4＝45:5:40(sccm)进行刻蚀实验。在样品表面实施部分遮挡，即样品存在刻蚀区和保护区(不被刻蚀区)，通过台阶仪测试样品被刻蚀部分相对于保护区的高度差(刻蚀深度)h，并通过公式2得到刻蚀速率：
其中，v为刻蚀速率，nm*min-1；h为刻蚀深度，nm；t为刻蚀时间，min。
结果如图3-4和表2所示。
表2 APS和SPS实施例制备得到的Y2O3涂层物的测试结果
| 涂层孔隙率(％) | 刻蚀速率(nm*min-1) | |
| 实施例1 | 1.5 | 2.75 |
| 实施例2 | 0.6 | 2.10 |
| 实施例3 | 0.75 | 1.45 |
| 实施例4 | 0.65 | 1.50 |
| APS | 2.75 | 5.5 |
如上测试结果说明，实施例2、3、4为纯体心立方晶相涂层(V1占比100％)，且展现出优于含底心单斜相的涂层孔隙率(0.6-0.75％)和更低的刻蚀速率(1.45nm*min-1)，均表明其作为防护致密图层的更优效果。
以上所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围，所描述的步骤也不是用以限制其执行顺序。本领域技术人员结合现有公知常识对本发明做显而易见的改进，亦落入本发明权力要求书所界定的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种纯Y2O3立方相涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将Y2O3粉末分散于丙酮中形成悬浮液；
S2、将悬浮液用大气等离子悬浮液喷涂技术喷涂于基材表面。
2.如权利要求1所述的纯Y2O3立方相涂层的制备方法，其特征在于，所述粉末的粒径为1～15μm。
3.如权利要求1所述的纯Y2O3立方相涂层的制备方法，其特征在于，悬浮液中Y2O3的质量分数为10％-30％。
4.如权利要求1所述的纯Y2O3立方相涂层的制备方法，其特征在于，悬浮液进料速率为20mL/min-50mL/min。
5.如权利要求1所述的纯Y2O3立方相涂层的制备方法，其特征在于，等离子的功率为20kW-120kW。
6.如权利要求1所述的纯Y2O3立方相涂层的制备方法，其特征在于，等离子喷涂的距离为50-80mm。
7.如权利要求1-6任一项所述的纯Y2O3立方相涂层的制备方法，其特征在于，所述大气等离子悬浮液喷涂以氩气和氧气为等离子气体，氩气和氧气的混合气体为主气，送粉氩气为次气，其中主气中氩气的流量为25-35NLPM，氧气的流量为20-25NLPM；送粉氩气的流量为5-20NLPM。
8.如权利要求7所述的纯Y2O3立方相涂层的制备方法，其特征在于，大气等离子悬浮液喷涂的过程中，悬浮液中Y2O3的质量分数为20-30％，等离子的功率为20-120kW，喷涂的气氛中氩气的流量为25-35NLPM，氧气的流量为20-25NLPM。
9.如权利要求7所述的纯Y2O3立方相涂层的制备方法，其特征在于，大气等离子悬浮液喷涂的过程中，悬浮液中Y2O3的质量分数为10％，等离子的功率为30kW，喷涂的气氛中氩气的流量为25-35NLPM，氧气的流量为20-25NLPM；
或者，悬浮液中Y2O3的质量分数为10％，等离子的功率为20-120kW，喷涂的气氛中氩气的流量为35NLPM，氧气的流量为25NLPM。
10.权利要求1-9任一项所述方法在等离子刻蚀工艺腔涂层中的应用。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140066299A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Basf Se | Particles Containing One Or More Multi-Layered Dots On Their Surface, Their Use, and Preparation of Such Particles |
| US20170292182A1 (en) * | 2016-04-12 | 2017-10-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Yttrium fluoride sprayed coating, spray material therefor, and corrosion resistant coating including sprayed coating |
| CN112063956A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-12-11 | 暨南大学 | 一种悬浮液等离子喷涂高纯y2o3耐侵蚀涂层及其制备方法与应用 |
| CN113122795A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-07-16 | 江苏凯威特斯半导体科技有限公司 | 一种半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法 |
| US11312637B1 (en) * | 2020-12-10 | 2022-04-26 | Mico Ltd. | Yittrium granular powder for thermal spray and thermal spray coating produced using the same |
| CN115516124A (zh) * | 2020-05-06 | 2022-12-23 | Ｋｏｍｉｃｏ有限公司 | 悬浮等离子体热喷涂用浆料组合物、其制备方法及悬浮等离子体热喷涂涂膜 |
| CN116752075A (zh) * | 2018-08-10 | 2023-09-15 | 信越化学工业株式会社 | 用于悬浮液等离子喷涂的浆料和用于形成喷涂涂层的方法 |
-
2023
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140066299A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Basf Se | Particles Containing One Or More Multi-Layered Dots On Their Surface, Their Use, and Preparation of Such Particles |
| US20170292182A1 (en) * | 2016-04-12 | 2017-10-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Yttrium fluoride sprayed coating, spray material therefor, and corrosion resistant coating including sprayed coating |
| CN116752075A (zh) * | 2018-08-10 | 2023-09-15 | 信越化学工业株式会社 | 用于悬浮液等离子喷涂的浆料和用于形成喷涂涂层的方法 |
| CN115516124A (zh) * | 2020-05-06 | 2022-12-23 | Ｋｏｍｉｃｏ有限公司 | 悬浮等离子体热喷涂用浆料组合物、其制备方法及悬浮等离子体热喷涂涂膜 |
| CN112063956A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-12-11 | 暨南大学 | 一种悬浮液等离子喷涂高纯y2o3耐侵蚀涂层及其制备方法与应用 |
| US11312637B1 (en) * | 2020-12-10 | 2022-04-26 | Mico Ltd. | Yittrium granular powder for thermal spray and thermal spray coating produced using the same |
| CN113122795A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-07-16 | 江苏凯威特斯半导体科技有限公司 | 一种半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| X. L. SUN，ET AL.,: ""Combustion-aided suspension plasma spraying of Y2O3 nanoparticles: Synthesis and modeling"", 《JOURNAL OF APPLIED PHYSICS》, no. 103, 13 February 2008 (2008-02-13), pages 034308 - 1 * |
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