CN117543340A - 半导体激光器的外延结构及半导体激光器的制备方法 - Google Patents

半导体激光器的外延结构及半导体激光器的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种半导体激光器的外延结构，包括外延衬底及其上的异质结缓冲层、第一接触层、激光器功能叠层及第二接触层；异质结缓冲层至少包括第一刻蚀阻挡层及辅助缓冲层，第一刻蚀阻挡层位于辅助缓冲层上并与辅助缓冲层构成异质结。第一刻蚀阻挡层与辅助缓冲层构成的异质结可以有效抑制外延衬底带来的生长缺陷，减少直接进行异质外延引起的缺陷和位错，提高后续膜层的晶体质量，提高后续膜层的晶体质量，进而提高半导体激光器的性能和稳定性，同时，第一刻蚀阻挡层还可以在去除外延衬底和辅助缓冲层时阻挡刻蚀进行，保护第一接触层及激光器功能叠层不被刻蚀损伤，提高了良率。相应的，本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法。

Description

半导体激光器的外延结构及半导体激光器的制备方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体激光器的外延结构及半导体激光器的制备方法。
背景技术
基于SOI(Silicon On Insulator，绝缘体上硅)的硅光子芯片由于与CMOS工艺兼容，且材料种类单一，是高密度光子集成芯片制备的潜在解决方案之一。硅光子芯片能够应用在调制器、探测器以及其他诸多无源光功能器件中，但由于硅材料自身非直接带隙半导体，在半导体激光器上的应用还是需要结合III-V族半导体材料来实现。
传统的半导体激光器的外延结构为P下N上(P型外延膜层在下方，N型外延膜层在上方)的III-V族外延结构，利用III-V族半导体材料与SOI混合集成方案可以较为方便的制备出P上N下(P型外延膜层在上方，N型外延膜层在下方)的外延结构，即先在外延衬底上生长P下N上的III-V族外延膜层，再键合至SOI衬底上并去除外延衬底及其上的缓冲层，使得P型外延膜层和N型外延膜层调换方向。这种方案在键合后通常会采用湿法刻蚀工艺去除外延衬底和缓冲层，而湿法刻蚀工艺刻蚀速率较快，难以控制，容易损伤外延衬底上的膜层，从而导致产品的不良率上升。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体激光器的外延结构及半导体激光器的制备方法，以解决采用湿法刻蚀工艺去除外延衬底和缓冲层时容易损伤外延衬底上的膜层的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体激光器的外延结构，包括外延衬底及由下至上依次设置于所述外延衬底上的异质结缓冲层、第一接触层、激光器功能叠层及第二接触层；
其中，所述异质结缓冲层至少包括第一刻蚀阻挡层及辅助缓冲层，所述第一刻蚀阻挡层位于所述辅助缓冲层上并与所述辅助缓冲层构成异质结。
可选的，所述第一接触层的材料为InGaAs，所述第一刻蚀阻挡层的材料为InP，所述辅助缓冲层的材料为含As的非两元化合物。
可选的，所述外延衬底的导电类型为N型或P型；和/或，所述异质结缓冲层的导电类型为N型或P型。
可选的，所述外延结构还包括：
异质结盖层，位于所述第二接触层上，所述异质结盖层至少包括第二刻蚀阻挡层及牺牲层，所述牺牲层位于所述第二刻蚀阻挡层上并与所述第二刻蚀阻挡层构成异质结。
可选的，所述第二刻蚀阻挡层的材料为含As的非两元化合物。
可选的，所述第二接触层的材料为InP，所述第二刻蚀阻挡层的材料为含As的非两元化合物，所述牺牲层的材料为InP。
可选的，所述第一接触层的导电类型为P型，所述第二接触层的导电类型为N型。
可选的，所述激光器功能叠层包括由下至上依次设置于所述第一接触层上的能带渐变层、波导限制层、第一分别限制层、量子阱层及第二分别限制层，且所述能带渐变层的材料为Al组分从下至上逐渐增大的(AlxGa1-x)yIn1-yAs。
本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法，包括：
提供外延衬底；
在所述外延衬底上依次形成异质结缓冲层、第一接触层、激光器功能叠层及第二接触层，以形成外延结构；
其中，所述异质结缓冲层至少包括第一刻蚀阻挡层及辅助缓冲层，所述第一刻蚀阻挡层位于所述辅助缓冲层上并与所述辅助缓冲层构成异质结。
可选的，形成所述第二接触层之后，所述制备方法还包括：
将所述第二接触层与一SOI衬底的表面贴合，并将所述外延结构键合至所述SOI衬底上；
采用第一湿法刻蚀工艺去除所述外延衬底及所述辅助缓冲层；
采用第二湿法刻蚀工艺去除所述第一刻蚀阻挡层；以及，
在所述第一接触层上形成第一电极。
可选的，形成所述第二接触层之后，所述制备方法还包括：
在所述第二接触层上形成异质结盖层，所述异质结盖层至少包括第二刻蚀阻挡层及牺牲层，所述牺牲层位于所述第二刻蚀阻挡层上并与所述第二刻蚀阻挡层构成异质结；
将所述外延结构键合至所述SOI衬底上之前，采用第三湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层；以及，
采用第四湿法刻蚀工艺去除所述第二刻蚀阻挡层。
可选的，去除所述第一刻蚀阻挡层之后，所述制备方法还包括：
刻蚀所述第一接触层及所述激光器功能叠层，形成露出所述第二接触层的台阶；以及，
在所述第一接触层上形成所述第一电极时，还同步在所述台阶的下台阶面上形成第二电极。
本发明提供了一种半导体激光器的外延结构，包括外延衬底及由下至上依次设置于所述外延衬底上的异质结缓冲层、第一接触层、激光器功能叠层及第二接触层；其中，所述异质结缓冲层至少包括第一刻蚀阻挡层及辅助缓冲层，所述第一刻蚀阻挡层位于所述辅助缓冲层上并与所述辅助缓冲层构成异质结。所述第一刻蚀阻挡层与所述辅助缓冲层构成的异质结可以有效抑制所述外延衬底带来的生长缺陷，减少直接进行异质外延引起的缺陷和位错，提高后续膜层的晶体质量，提高后续膜层的晶体质量，进而提高半导体激光器的性能和稳定性，同时，所述第一刻蚀阻挡层还可以在去除所述外延衬底和所述辅助缓冲层时阻挡刻蚀进行，保护所述第一接触层及所述激光器功能叠层不被刻蚀损伤，提高了产品良率。相应的，本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法。
附图说明
图1为本发明实施例提供的半导体激光器的制备方法的流程图；
图2～图8为本发明实施例提供的半导体激光器的制备方法的相应步骤对应的结构示意图；
其中，附图标记为：
100-外延衬底；200-异质结缓冲层；201-辅助缓冲层；202-第一刻蚀阻挡层；301-第一接触层；302-第二接触层；400-激光器功能叠层；401-能带渐变层；402-波导限制层；403-第一分别限制层；404-量子阱层；405-第二分别限制层；500-异质结盖层；501-牺牲层；502-第二刻蚀阻挡层；600-SOI衬底；701-第一电极；702-第二电极。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图2为本实施例提供的半导体激光器的外延结构的示意图。如图2所示，所述半导体激光器的外延结构包括外延衬底100、异质结缓冲层200、第一接触层301、激光器功能叠层400及第二接触层302，其中，所述异质结缓冲层200、所述第一接触层301、所述激光器功能叠层400及所述第二接触层302依次设置于所述外延衬底100上。
具体而言，所述外延衬底100的材料为InP，且所述外延衬底100的导电类型可以是P型或N型，本发明不作限制。
本实施例中，所述异质结缓冲层200包括第一刻蚀阻挡层202及辅助缓冲层201，所述辅助缓冲层201位于所述外延衬底100上，所述第一刻蚀阻挡层202位于所述辅助缓冲层201上并与所述辅助缓冲层201构成异质结。所述第一刻蚀阻挡层202与所述辅助缓冲层201构成的异质结可以有效抑制所述外延衬底100带来的生长缺陷，减少直接进行异质外延引起的缺陷和位错，提高后续膜层的晶体质量，进而提高半导体激光器的性能和稳定性，同时，所述第一刻蚀阻挡层202还可以在去除所述外延衬底100和所述辅助缓冲层201时阻挡刻蚀进行，保护所述第一接触层301及所述激光器功能叠层400不被刻蚀损伤，提高了产品良率。所述第一刻蚀阻挡层202的作用将在下文中详细说明。
进一步地，所述第一刻蚀阻挡层202的材料为InP，所述辅助缓冲层201的材料为含As的非两元化合物(如InGaAsP、InGaAs、InAlAs或InAlGaAs等)，含As的非两元化合物与InP具有较大的刻蚀选择比，同时也能够与InP形成异质结。
应理解，所述外延衬底100的导电类型为N型或P型皆可，优选为P型；所述异质结缓冲层200的导电类型为N型或P型皆可(所述第一刻蚀阻挡层202及所述辅助缓冲层201的导电类型为N型或P型皆可)，优选为P型。
需要说明的是，所述异质结缓冲层200不限于仅具有两层(所述第一刻蚀阻挡层202+所述辅助缓冲层201)，还可以具有其他膜层，通过改变所述异质结缓冲层200中各膜层的材料，可以使得所述异质结缓冲层200中相邻的两个膜层之间构成异质结，从而进一步抑制所述外延衬底100带来的生长缺陷。例如，例如，所述异质结缓冲层200还可以包括一位于所述辅助缓冲层201与所述外延衬底100之间的InP层，所述辅助缓冲层201与所述InP层构成异质结。
本实施例中，所述第一接触层301的材料为InGaAs，且所述第一接触层301的导电类型为P型，所述第二接触层302的材料为InP，且所述第二接触层302的导电类型为N型，也即，此时所述外延结构是P下N上的外延结构。所述第一接触层301与所述第二接触层302均用于实现与金属膜层之间的欧姆接触，具体将在下文中描述。
应理解，由于所述第一接触层301的材料为InGaAs，而所述第一刻蚀阻挡层202的材料为InP，因此，所述第一接触层301与所述第一刻蚀阻挡层202之间的刻蚀选择比也较大，所述第一刻蚀阻挡层202容易采用湿法刻蚀工艺去除，不会损伤所述第一接触层301。
请继续参阅图2，所述激光器功能叠层400具体包括能带渐变层401、波导限制层402、第一分别限制层403、量子阱层404及第二分别限制层405。所述能带渐变层401、波导限制层402、第一分别限制层403、量子阱层404及第二分别限制层405由下至上依次设置于所述第一接触层301上。
本实施例中，所述能带渐变层401的材料为Al组分从下至上逐渐增大(Ga组分从下至上依次减小)的(AlxGa1-x)yIn1-yAs，且渐变范围为0.95eV～0.826eV。所述能带渐变层401能够实现能带连续渐变，相较于常规的InGaAsP能带过渡层来说，能够更有效的降低器件的串联电阻，并且AlGaInAs材料可以直接渐变Al和Ga组分，制备工艺较为简单。
需要说明的是，所述能带渐变层401与所述第一接触层301直接接触，因此，所述能带渐变层401的导电类型也为P型。
所述波导限制层402的材料为InP，且所述波导限制层402的导电类型也为P型，本实施例中，所述波导限制层402的掺杂浓度从下至上逐渐减小，使得所述波导限制层402中的载流子浓度呈渐变分布，从而避免掺杂元素(通常是Zn)往上扩散。
进一步地，本实施例中的所述第一分别限制层403和所述第二分别限制层405均含Al组分，可以仅有一种Al组分，也可以具有2种以上的Al组分，也可以包含Al组分渐变的膜层。
所述第一分别限制层403的导电类型可以是P型，也可以是本征(不掺杂)，也可以部分区域的导电类型是P型，其他区域则不掺杂；相应的，所述第二分别限制层405的导电类型可以是N型，也可以是本征(不掺杂)，也可以部分区域的导电类型是N型，其他区域则不掺杂。
所述量子阱层404是所述半导体激光器的有源层，其可以包含至少两对含Al组分的多量子阱。
应理解，所述激光器功能叠层400还可以包含其他可能的外延膜层，此处不再一一举例说明。
请继续参阅图2，本实施例中，所述外延结构还包括异质结盖层500，所述异质结盖层500位于所述第二接触层302上。本实施例中，所述异质结盖层500包括第二刻蚀阻挡层502及牺牲层501，所述牺牲层501位于所述第二刻蚀阻挡层502上并与所述第二刻蚀阻挡层502构成异质结。所述第二刻蚀阻挡层502用于调整和释放所述外延结构的应力，避免所述外延结构翘曲变形，并在刻蚀以去除所述异质结盖层500时保护所述第二接触层302；所述牺牲层501与所述第二刻蚀阻挡层502具有较大的刻蚀选择比，在刻蚀以去除所述异质结盖层500时，可以分步刻蚀以去除所述牺牲层501与所述第二刻蚀阻挡层502，从而避免刻蚀工艺不稳定造成所述第二接触层302损伤的问题，提高了产品良率。所述第二刻蚀阻挡层502和所述牺牲层501的作用将在下文中详细说明。
进一步地，所述牺牲层501的材料为InP，所述第二刻蚀阻挡层502的材料为含As的非两元化合物，含As的非两元化合物与InP材料具有较大的刻蚀选择比，同时两者也能够形成异质结。举例而言，所述第二刻蚀阻挡层502的材料可以是InGaAsP、InGaAs、InAlAs或InAlGaAs等。
应理解，所述异质结盖层500的导电类型为P型(所述第二刻蚀阻挡层502及所述牺牲层501的导电类型均为P型)。
需要说明的是，所述异质结盖层500不限于仅具有两层(所述第二刻蚀阻挡层502+所述牺牲层501)，还可以具有其他膜层，通过改变所述异质结盖层500中各膜层的材料，可以使得所述异质结盖层500中相邻的两个膜层之间构成异质结，从而提高应力调整范围。例如，所述异质结盖层500还可以包括一位于所述牺牲层501上的InP层，所述牺牲层501与所述InP层构成异质结。
应理解，由于所述第二接触层302的材料为InP，而所述第二刻蚀阻挡层502的材料为含As的非两元化合物，因此，所述第二接触层302与所述第二刻蚀阻挡层502之间的刻蚀选择比也较大，所述第二刻蚀阻挡层502容易采用湿法刻蚀工艺去除，不会损伤所述第二接触层302。
当然，在一些实施例中，所述异质结盖层500也可以被省略。
基于此，本实施例还提供了一种半导体激光器的制备方法。图1为本实施例提供的半导体激光器的制备方法的流程图，如图1所示，所述半导体激光器的制备方法包括：
步骤S100：提供外延衬底；
步骤S200：在所述外延衬底上依次形成异质结缓冲层、第一接触层、激光器功能叠层及第二接触层，以形成外延结构；
其中，所述异质结缓冲层至少包括第一刻蚀阻挡层及辅助缓冲层，所述第一刻蚀阻挡层位于所述辅助缓冲层上并与所述辅助缓冲层构成异质结。
图2～图8为本实施例提供的半导体激光器的制备方法的相应步骤对应的结构示意图。接下来，将结合图2～图8对本实施例提供的半导体激光器的制备方法进行详细说明。
具体而言，如图2所示，执行步骤S100，提供所述外延衬底100。
执行步骤S200，采用气相外延生长技术(如金属有机化合物化学气相沉积工艺-MOCVD)在所述外延衬底100上依次形成辅助缓冲层201、第一刻蚀阻挡层202、第一接触层301、能带渐变层401、波导限制层402、第一分别限制层403、量子阱层404、第二分别限制层405、第二接触层302、第二刻蚀阻挡层502及牺牲层501。其中，所述辅助缓冲层201与所述第一刻蚀阻挡层202之间构成异质结，所述第二刻蚀阻挡层502与所述牺牲层501之间构成异质结。所述辅助缓冲层201和所述第一刻蚀阻挡层202共同构成异质结缓冲层200，所述能带渐变层401、波导限制层402、第一分别限制层403、量子阱层404及第二分别限制层405共同构成激光器功能叠层400，所述牺牲层501和所述第二刻蚀阻挡层502共同构成异质结盖层500。所述外延衬底100、所述异质结缓冲层200、所述第一接触层301、所述激光器功能叠层400、所述第二接触层302及所述异质结盖层500共同构成图2所示的外延结构。
应理解，在形成所述异质结缓冲层200、所述第一接触层301、所述激光器功能叠层400及所述第二接触层302之后，由于应力集中，所述外延衬底100及其上的膜层可能会发生翘曲变形。此时，通过在所述第二接触层302上形成所述异质结盖层500可以调整和释放应力，避免所述外延衬底100及其上的膜层翘曲变形。
在一些实施例中，在所述第二接触层302上形成所述异质结盖层500的步骤也可以被省略。
作为一个示例，所述外延衬底100的材料为InP，所述辅助缓冲层201的材料为InGaAs，所述第一刻蚀阻挡层202的材料为InP，所述第一接触层301的材料为InGaAs；所述牺牲层501的材料为InP，所述第二刻蚀阻挡层502的材料为InGaAs，所述第二接触层302的材料为InP。
如图3所示，采用第三湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层501。此时，由于所述牺牲层501与所述第二刻蚀阻挡层502的刻蚀选择比较高，所述第二刻蚀阻挡层502可以阻止所述第三湿法刻蚀工艺的进行，使得所述第三湿法刻蚀工艺可以停止在所述第二刻蚀阻挡层502上。
如图4所示，采用第四湿法刻蚀工艺去除所述第二刻蚀阻挡层502。由于所述第二刻蚀阻挡层502与所述第二接触层302的刻蚀选择比也比较大，去除所述第二刻蚀阻挡层502时不会对所述第二接触层302造成损伤。
由上可知，刻蚀所述异质结盖层500时，是分步刻蚀所述牺牲层501及所述第二刻蚀阻挡层502的，刻蚀的工艺窗口更大，可以避免刻蚀工艺不稳定造成所述第二接触层302损伤的问题。
如图5所示，将所述第二接触层302与一SOI衬底600的表面贴合，利用键合工艺将所述外延结构键合至所述SOI衬底600上。键合完成后，P型外延膜层和N型外延膜层调换方向。
如图6所示，再采用第一湿法刻蚀工艺去除所述外延衬底100及所述辅助缓冲层201(由于所述外延衬底100及所述辅助缓冲层201的刻蚀选择比较大，所述第一湿法刻蚀工艺需要分成两步进行)。此时，由于所述辅助缓冲层201与所述第一刻蚀阻挡层202的刻蚀选择比较高，所述第一刻蚀阻挡层202可以阻止所述第一湿法刻蚀工艺的进行，使得所述第一湿法刻蚀工艺可以停止在所述第一刻蚀阻挡层202上。
如图7所示，采用第二湿法刻蚀工艺去除所述第一刻蚀阻挡层202。由于所述第一刻蚀阻挡层202与所述第一接触层301的刻蚀选择比也比较大，去除所述第一刻蚀阻挡层202时不会对所述第一接触层301造成损伤。
如图8所示，从所述第一接触层301的表面开始向下刻蚀并贯穿所述第一接触层301和所述激光器功能叠层400，直至形成露出所述第二接触层302的台阶。之后，在所述第一接触层301上形成第一电极701，并在所述台阶的下台阶面上形成第二电极702，所述第一电极701与所述第一接触层301欧姆接触，所述第二电极702与所述第二接触层302欧姆接触。
综上，在本发明实施例提供的半导体激光器的外延结构中，包括外延衬底100及由下至上依次设置于所述外延衬底100上的异质结缓冲层200、第一接触层301、激光器功能叠层400及第二接触层302；其中，所述异质结缓冲层200至少包括第一刻蚀阻挡层202及辅助缓冲层201，所述第一刻蚀阻挡层202位于所述辅助缓冲层201上并与所述辅助缓冲层201构成异质结。所述第一刻蚀阻挡层202与所述辅助缓冲层201构成的异质结可以有效抑制所述外延衬底100带来的生长缺陷，减少直接进行异质外延引起的缺陷和位错，提高后续膜层的晶体质量，提高后续膜层的晶体质量，进而提高半导体激光器的性能和稳定性，同时，所述第一刻蚀阻挡层202还可以在去除所述外延衬底100和所述辅助缓冲层201时阻挡刻蚀进行，保护所述第一接触层301及所述激光器功能叠层400不被刻蚀损伤，提高了良率。相应的，本发明还提供了一种半导体激光器的制备方法。
需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言，由于与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
还需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此外，本发明实施例中的方法和/或设备的实现可包括手动、自动或组合地执行所选任务。

Claims (10)

1.一种半导体激光器的外延结构，其特征在于，包括外延衬底及由下至上依次设置于所述外延衬底上的异质结缓冲层、第一接触层、激光器功能叠层及第二接触层；
其中，所述异质结缓冲层至少包括第一刻蚀阻挡层及辅助缓冲层，所述第一刻蚀阻挡层位于所述辅助缓冲层上并与所述辅助缓冲层构成异质结。
2.如权利要求1所述的半导体激光器的外延结构，其特征在于，所述第一接触层的材料为InGaAs，所述第一刻蚀阻挡层的材料为InP，所述辅助缓冲层的材料为含As的非两元化合物。
3.如权利要求1所述的半导体激光器的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括：
异质结盖层，位于所述第二接触层上，所述异质结盖层至少包括第二刻蚀阻挡层及牺牲层，所述牺牲层位于所述第二刻蚀阻挡层上并与所述第二刻蚀阻挡层构成异质结。
4.如权利要求3所述的半导体激光器的外延结构，其特征在于，所述第二接触层的材料为InP，所述第二刻蚀阻挡层的材料为含As的非两元化合物，所述牺牲层的材料为InP。
5.如权利要求1所述的半导体激光器的外延结构，其特征在于，所述第一接触层的导电类型为P型，所述第二接触层的导电类型为N型。
6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体激光器的外延结构，其特征在于，所述激光器功能叠层包括由下至上依次设置于所述第一接触层上的能带渐变层、波导限制层、第一分别限制层、量子阱层及第二分别限制层，且所述能带渐变层的材料为Al组分从下至上逐渐增大的(AlxGa1-x)yIn1-yAs。
7.一种半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括：
提供外延衬底；
在所述外延衬底上依次形成异质结缓冲层、第一接触层、激光器功能叠层及第二接触层，以形成外延结构；
其中，所述异质结缓冲层至少包括第一刻蚀阻挡层及辅助缓冲层，所述第一刻蚀阻挡层位于所述辅助缓冲层上并与所述辅助缓冲层构成异质结。
8.如权利要求7所述的半导体激光器的制备方法，其特征在于，形成所述第二接触层之后，所述制备方法还包括：
将所述第二接触层与一SOI衬底的表面贴合，并将所述外延结构键合至所述SOI衬底上；
采用第一湿法刻蚀工艺去除所述外延衬底及所述辅助缓冲层；
采用第二湿法刻蚀工艺去除所述第一刻蚀阻挡层；以及，
在所述第一接触层上形成第一电极。
9.如权利要求8所述的半导体激光器的制备方法，其特征在于，形成所述第二接触层之后，所述制备方法还包括：
在所述第二接触层上形成异质结盖层，所述异质结盖层至少包括第二刻蚀阻挡层及牺牲层，所述牺牲层位于所述第二刻蚀阻挡层上并与所述第二刻蚀阻挡层构成异质结；
将所述外延结构键合至所述SOI衬底上之前，采用第三湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层；以及，
采用第四湿法刻蚀工艺去除所述第二刻蚀阻挡层。
10.如权利要求8或9所述的半导体激光器的制备方法，其特征在于，去除所述第一刻蚀阻挡层之后，所述制备方法还包括：
刻蚀所述第一接触层及所述激光器功能叠层，形成露出所述第二接触层的台阶；以及，
在所述第一接触层上形成所述第一电极时，还同步在所述台阶的下台阶面上形成第二电极。
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