CN117529168B - 显示基板和显示装置 - Google Patents

显示基板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117529168B
CN117529168B CN202410011702.3A CN202410011702A CN117529168B CN 117529168 B CN117529168 B CN 117529168B CN 202410011702 A CN202410011702 A CN 202410011702A CN 117529168 B CN117529168 B CN 117529168B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pixel
sub
light
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202410011702.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117529168A (zh
Inventor
吴桐
王红丽
李春延
郝学光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Technology Development Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202410011702.3A priority Critical patent/CN117529168B/zh
Publication of CN117529168A publication Critical patent/CN117529168A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117529168B publication Critical patent/CN117529168B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供一种显示基板和显示装置。在该显示基板中，在A视角和B视角下，第一子像素的亮度和第二子像素的亮度满足如下关系式：(YRLA+YRLB)×|B‑A|/2‑(YGLA+YGLB)×|B‑A|/2=S0；其中，YRLA和YGLA分别为在A视角下，第一子像素和第二子像素的亮度，YRLB和YGLB分别为在B视角下，第一子像素和第二子像素的亮度；A视角和B视角同为负视角或者同为正视角，0<|A|<|B|<45°，|B‑A|≤15°，且S0≤1.60，以减小发不同颜色光的子像素的亮度差异，减轻或避免色偏，提升显示效果。

Description

显示基板和显示装置
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
随着科技的飞速发展，显示媒介成为人们生活的重要组成部分。有机发光二极管显示器（organic light-emitting diode，OLED）显示媒介由于其自发光性使其拥有卓越的颜色和画质。
发明内容
本公开的至少一个实施例提供一种显示基板和显示装置。
本公开的实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板；以及多个子像素，包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素被配置为发第一颜色光，所述第二子像素被配置为发与所述第一颜色光的颜色不同的第二颜色光；所述第一子像素包括第一发光器件，所述第二子像素包括第二发光器件，其中，所述第一发光器件在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述第二发光器件在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸，在A视角和B视角下，所述第一子像素的亮度和所述第二子像素的亮度满足如下关系式：(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2=S0；其中，S0为A视角和B视角下的色偏评价参数，YRLA和YGLA分别为在A视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度，YRLB和YGLB分别为在B视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度；在上述关系式中，所述第一子像素的亮度为归一化亮度，所述第二子像素的亮度为归一化亮度；A视角和B视角同为负视角或者同为正视角，0<|A|<|B|<45°，|B-A|≤15°，且S0≤1.60。
例如，0.20≤S0≤0.90。
例如，在视角的绝对值小于或等于30°的视角下，|YGL1-YRL1|/|YGL2-YRL2|=LA，|YGR1-YRR1|/|YGR2-YRR2|=RA，并且|RA-LA|≤0.47，其中，LA为左视角下的色偏评价参数，RA为右视角下的色偏评价参数，YRL1和YRL2分别为在-15°和-30°视角下，所述第一子像素的亮度，YRR1和YRR2分别为在15°和30°视角下，所述第一子像素的亮度，YGL1和YGL2分别为在-15°和-30°视角下，所述第二子像素的亮度，YGR1和YGR2分别为在15°和30°视角下，所述第二子像素的亮度。
例如，在视角的绝对值大于或等于60°的视角下，|YGL3-YRL3|=YAL1，并且|YGL4-YRL4|=YAL2，|YGR3-YRR3|=YAR1，并且|YGR4-YRR4|=YAR2，|YAL1/YAR1|的取值范围为0.5-1.2，并且|YAL2/YAR2|的取值范围为0.5-1.2，YAL1为在-60°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，YAL2为在-75°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，YAR1为在60°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，YAR2为在75°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，YRL3和YRL4分别为在-60°和-75°视角下，所述第一子像素的亮度，YRR3和YRR4分别为在60°和75°视角下，所述第一子像素的亮度，YGL3和YGL4分别为在-60°和-75°视角下，所述第二子像素的亮度，YGR3和YGR4分别为在60°和75°视角下，所述第二子像素的亮度。
例如，显示基板还包括光取出层，所述光取出层被配置为提取所述多个子像素发出的光，所述光取出层位于所述多个子像素的背离所述衬底基板的一侧，所述光取出层的厚度为700Å-1500Å。
例如，所述光取出层包括第一光取出层和第二光取出层，所述第一光取出层比所述第二光取出层更靠近所述衬底基板，所述第一光取出层的厚度为400Å-800Å，所述第二光取出层的厚度为300Å-700Å。
例如，所述多个子像素还包括第三子像素，所述第三子像素包括第三发光器件，所述第三子像素被配置为发与所述第一颜色光的颜色不同且与所述第二颜色光的颜色不同的第三颜色光。
例如，显示基板还包括封装层，所述封装层被配置为封装所述第一发光器件、所述第二发光器件、以及所述第三发光器件。
例如，显示基板还包括彩色滤光结构，所述彩色滤光结构位于所述封装层的背离所述衬底基板的一侧，所述彩色滤光结构包括黑矩阵和滤光层，所述黑矩阵具有第一开口、第二开口和第三开口，所述滤光层包括第一滤光部、第二滤光部、以及第三滤光部，所述第一滤光部被配置为透过所述第一颜色光，所述第二滤光部被配置为透过所述第二颜色光，所述第三滤光部被配置为透过所述第三颜色光，所述第一滤光部与所述黑矩阵的所述第一开口在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第二滤光部与所述黑矩阵的所述第二开口在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第三滤光部与所述黑矩阵的所述第三开口在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第一子像素具有第一像素开口，所述第二子像素具有第二像素开口，所述第三子像素具有第三像素开口，所述第一像素开口与所述第一滤光部在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第二像素开口与所述第二滤光部在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第三像素开口与所述第三滤光部在垂直于所述衬底基板的方向上交叠。
例如，所述黑矩阵的所述第一开口与所述第一像素开口的最小尺寸差值为DF1，所述黑矩阵的所述第二开口与所述第二像素开口的最小尺寸差值为DF2，所述黑矩阵的所述第三开口与所述第三像素开口的最小尺寸差值为DF3，DF1不同于DF2，并且DF1不同于DF3。
例如，DF1小于DF2，并且DF1小于DF3。
例如，显示基板还包括触控结构和阻隔层，所述触控结构位于所述封装层的背离所述衬底基板的一侧，所述阻隔层位于所述触控结构的背离所述衬底基板的一侧，所述阻隔层具有开口，所述阻隔层的开口与所述子像素的像素开口在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，且所述阻隔层的开口与所述子像素的像素开口的尺寸不同。
例如，所述阻隔层的开口的尺寸小于所述子像素的像素开口的尺寸。
例如，所述阻隔层的开口的面积与所述子像素的像素开口的面积之比的范围为0.9-0.99。
例如，显示基板还包括出光增强图案，所述出光增强图案位于发光器件层的背离所述衬底基板的一侧，所述发光器件层包括所述第一发光器件、所述第二发光器件以及所述第三发光器件，所述出光增强图案包括多个出光增强部，相邻的出光增强部之间具有间隔，在平面图中，所述出光增强图案的位于所述第一像素开口中的出光增强部的面积为SFZR，所述出光增强图案的位于所述第二像素开口中的出光增强部的面积为SFZG，所述出光增强图案的位于所述第三像素开口中的出光增强部的面积为SFZB，在所述平面图中，所述第一像素开口的面积为SKR，所述第二像素开口的面积为SKG，所述第三像素开口的面积为SKB，SFZR/SKR小于SFZG/SKG且SFZR/SKR小于SFZB/SKB。
例如，所述出光增强部包括透镜。
例如，显示基板还包括功能膜层，所述功能膜层覆盖所述出光增强图案。
例如，所述功能膜层的折射率与所述出光增强图案的折射率不同。
例如，所述功能膜层的折射率大于所述出光增强图案的折射率。
例如，所述第一子像素和所述第二子像素的混色区域的面积为SH12，所述第二子像素和所述第三子像素的混色区域的面积为SH23，所述混色区域为发光功能层中的本地层的交叠区域，SH23＜SH12。
例如，在一个第一子像素的周围设有两个第二子像素，所述两个第二子像素与该第一子像素的混色区域的面积分别为S1和S2，S1和S2不同。
例如，在该第一子像素的周围设有另两个第二子像素，所述另两个第二子像素与该第一子像素的混色区域的面积分别为S3和S4，S3和S4不同。
例如，在DCI-P3色域中，所述第一子像素的色域坐标为RXY，所述第一子像素的色域横坐标为RX，所述第二子像素的色域横坐标为GX，RX大于或等于0.686，并且小于或等于0.688；GX大于或等于0.254，并且小于或等于0.265。
例如，在BT2020标准下，所述第一子像素的色域大于或等于95%，所述第二子像素的色域大于或等于92.6%。
例如，所述第三发光器件包括阴极、阳极和位于所述阴极和所述阳极之间的第三发光层，所述第三发光层包括依次设置的第一发光子层、第二发光子层和第三发光子层，所述第一发光子层比所述第三发光子层更靠近所述阳极，所述第一发光子层中的空穴传输特性材料的含量大于所述第一发光子层中的电子传输特性材料的含量，所述第三发光子层中的空穴传输特性材料的含量小于所述第三发光子层中的电子传输特性材料的含量。
例如，所述第三发光层的厚度为10-60nm。
例如，所述第一发光器件包括位于阴极和阳极之间的第一发光层和第一电子阻挡层，所述第二发光器件包括位于所述阴极和所述阳极之间的第二发光层和第二电子阻挡层，所述第一发光层和所述第一电子阻挡层在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第二发光层和所述第二电子阻挡层在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第一电子阻挡层的厚度大于或等于所述第二电子阻挡层的厚度的3倍。
例如，所述第一电子阻挡层的厚度为305Å-345Å，所述第二电子阻挡层的厚度为80Å-120Å。
例如，所述多个子像素还包括第三子像素，所述第三子像素包括第三发光器件，所述第三子像素被配置为发与所述第一颜色光的颜色不同且与所述第二颜色光的颜色不同的第三颜色光，所述第三发光器件包括位于所述阴极和所述阳极之间的第三发光层和第三电子阻挡层，所述第二电子阻挡层的厚度大于或等于所述第三电子阻挡层的厚度。
例如，所述第一电子阻挡层的厚度为305Å-345Å，所述第二电子阻挡层的厚度为80Å-120Å，所述第三电子阻挡层的厚度为60Å-100Å。
例如，所述第一电子阻挡层的厚度为380Å-420Å，所述第二电子阻挡层的厚度为140Å-180Å，所述第三电子阻挡层的厚度为60Å-100Å。
例如，所述第一电子阻挡层的分子量为680-720，所述第二电子阻挡层包括第一电子阻挡子层和第二电子阻挡子层，第一电子阻挡子层的分子量为640-680，第二电子阻挡子层的分子量为700-730，所述第三电子阻挡层的分子量为620-660。
例如，所述第一发光器件的厚度范围为3100Å-3300Å，所述第二发光器件的厚度范围为2500Å-2700Å，所述第三发光器件的厚度范围为2000Å-2200Å。
例如，所述第一发光器件的第一发光层中的掺杂材料的分子量范围为1000-1100。
例如，所述第二发光器件的第二发光层中的掺杂材料的分子量范围为1000-1100。
例如，所述第三发光器件的第三发光层中的掺杂材料的分子量范围为1000-1100。
例如，所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件的微腔分别单独调整。
例如，所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件的空穴注入层间隔设置，和/或所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件的空穴传输层间隔设置，和/或所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件的电荷产生层间隔设置。
例如，显示基板还包括冗余结构，所述冗余结构与所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件中之一的结构相同。
例如，所述子像素包括像素电路和发光器件，所述像素电路被配置为驱动所述发光器件，所述发光器件包括所述第一发光器件、所述第二发光器件、以及所述第三发光器件；所述显示基板还包括数据线和电源线，所述数据线被配置为向所述像素电路提供数据电压，所述电源线被配置为向所述像素电路提供电源电压，所述数据线和所述电源线被配置为垫平所述发光器件。
例如，所述第一子像素的亮度大于或等于所述第二子像素的亮度，所述第二子像素的亮度大于或等于所述第三子像素的亮度。
例如，在自然模式或标准模式下，所述第一子像素的亮度大于或等于160尼特，所述第二子像素的亮度大于或等于130尼特，所述第三子像素的亮度大于或等于60尼特。
例如，在自然模式或标准模式下，所述显示基板白光的亮度大于或等于550尼特。
例如，显示基板还包括像素界定层，所述子像素的发光器件的发光功能层包括公共层和本地层，所述像素界定层具有第一像素开口，所述本地层包括第一本地层，所述第一像素开口被配置为界定所述第一发光器件的发光区域，所述第一本地层在所述衬底基板上的正投影与所述第一像素开口在所述衬底基板上的正投影交叠，对于同一个第一子像素，所述第一像素开口的中心与所述第一本地层的中心不重合。
例如，显示基板还包括像素界定层，所述子像素的发光器件的发光功能层包括公共层和本地层，所述像素界定层具有第一像素开口，所述本地层包括第一本地层，所述第一像素开口被配置为界定所述第一发光器件的发光区域，所述第一本地层在所述衬底基板上的正投影与所述第一像素开口在所述衬底基板上的正投影交叠，所述第一子像素和所述第三子像素沿第一方向和第二方向排列，对于同一个第一子像素，在所述第一方向和所述第二方向至少之一的方向上，所述第一像素开口的中轴线与所述第一本地层的中轴线不重合。
例如，所述第三子像素和所述第二子像素的本地层的交叠面积小于所述第一子像素和所述第二子像素的本地层的交叠面积。
例如，所述本地层还包括第三本地层，所述第三本地层在所述衬底基板上的正投影与所述第三子像素的第三像素开口在所述衬底基板上的正投影交叠，所述第三子像素的像素开口的中心与所述第三本地层的中心的间距小于所述第一子像素的像素开口的中心与所述第一本地层的中心的间距。
例如，所述第一子像素被配置为发红光，所述第二子像素被配置为发绿光，所述第三子像素被配置为发蓝光。
例如，在相同视角下，所述第二子像素的亮度和所述第三子像素的亮度的差值大于或等于0.001，并且小于或等于0.019，所述第三子像素的亮度为归一化亮度。
本公开的实施例还提供一种显示基板，包括：衬底基板；以及多个子像素，包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素被配置为发第一颜色光，所述第二子像素被配置为发与所述第一颜色光的颜色不同的第二颜色光；所述第一子像素包括第一发光器件，所述第二子像素包括第二发光器件，其中，在视角的绝对值小于或等于30°的视角下，满足如下关系式：|YGL1-YRL1|/|YGL2-YRL2|=LA，|YGR1-YRR1|/|YGR2-YRR2|=RA，并且|RA-LA|≤0.47，其中，LA为左视角下的色偏评价参数，RA为右视角下的色偏评价参数，YRL1和YRL2分别为在-15°和-30°视角下，所述第一子像素的亮度，YRR1和YRR2分别为在15°和30°视角下，所述第一子像素的亮度，YGL1和YGL2分别为在-15°和-30°视角下，所述第二子像素的亮度，YGR1和YGR2分别为在15°和30°视角下，所述第二子像素的亮度，在上述关系式中，所述第一子像素的亮度为归一化亮度，所述第二子像素的亮度为归一化亮度。
在一些实施例中，在A视角和B视角下，所述第一子像素的亮度和所述第二子像素的亮度满足如下关系式：(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2=S0；其中，S0为A视角和B视角下的色偏评价参数，YRLA和YGLA分别为在A视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度，YRLB和YGLB分别为在B视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度；A视角和B视角同为负视角或者同为正视角，0<|A|<|B|<45°，|B-A|≤15°，且S0≤1.60。
在一些实施例中，0.20≤S0≤0.90。
本公开的实施例还提供一种显示基板，包括：衬底基板；以及多个子像素，包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素被配置为发第一颜色光，所述第二子像素被配置为发与所述第一颜色光的颜色不同的第二颜色光；所述第一子像素包括第一发光器件，所述第二子像素包括第二发光器件，其中，所述第一发光器件在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述第二发光器件在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸，在A1视角和B1视角下，所述第一子像素的亮度和所述第二子像素的亮度满足如下关系式：(YRLA1+YRLB1)×|B1-A1|/2-(YGLA1+YGLB1)×|B1-A1|/2=S11；在A2视角和B2视角下，所述第一子像素的亮度和所述第二子像素的亮度满足如下关系式：(YRLA2+YRLB2)×|B2-A2|/2-(YGLA2+YGLB2)×|B2-A2|/2=S22；其中，S11为A1视角和B1视角下的色偏评价参数，S22为A2视角和B2视角下的色偏评价参数，YRLA1和YGLA1分别为在A1视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度，YRLB1和YGLB1分别为在B1视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度；YRLA2和YGLA2分别为在A2视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度，YRLB2和YGLB2分别为在B2视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度；在上述关系式中，所述第一子像素的亮度为归一化亮度，所述第二子像素的亮度为归一化亮度，其中，A1视角和B1视角同为负视角或者同为正视角，0<|A1|<|B1|<45°，|B1-A1|≤15°，A2视角和B2视角同为负视角或者同为正视角，0<|A2|<|B2|<45°，|B2-A2|≤15°，并且，S11和S22的平均值小于或等于1.38。
在一些实施例中，|B1-A1|≤10°，|B2-A2|≤10°，S11和S22的平均值小于或等于0.38。
在一些实施例中，所述第一子像素被配置为发红光，所述第二子像素被配置为发绿光或蓝光。
在一些实施例中，所述子像素包括像素电路和发光器件，所述像素电路被配置为驱动所述发光器件，所述像素电路包括至少一个多晶硅为有源层的晶体管和至少一个氧化物半导体为有源层的晶体管，所述显示基板包括遮光层，所述多晶硅为有源层的晶体管中的有源层在所述衬底基板上的正投影与所述遮光层在所述衬底基板上的正投影交叠。
本公开的实施例还提供一种显示装置，包括上述任一显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为一种显示基板的示意图。
图2为一种显示基板的视角的示意图。
图3为一种显示基板的截面图。
图4A为一种显示基板的亮度曲线图。
图4B为一种显示基板的亮度曲线图。
图5为本公开一实施例提供的一种显示基板的亮度测试的示意图。
图6为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。
图7为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。
图8为本公开的实施例提供的一种显示基板的截面图。
图9为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。
图10为本公开的实施例提供的一种显示基板的截面图。
图11为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。
图12为本公开的实施例提供的一种显示基板的截面图。
图13为本公开的实施例提供的一种显示基板的截面图。
图14为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。
图15为本公开的实施例提供的一种显示基板的截面图。
图16为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。
图17为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。
图18为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。
图19为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。
图20为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。
图21为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。
图22为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。
图23是一种显示面基板的子像素中的像素电路和发光器件的电路图。
图24是一种显示面基板的截面图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
由于各种原因，显示装置会有一定的色偏，从而影响显示效果。
本公开的实施例提供一种显示基板和显示装置，以减轻或避免色偏，提升显示效果。
图1为一种显示基板的示意图。如图1所示，显示基板DS包括显示区R01和周边区R02，子像素100位于显示区R01内。图1以周边区R02围绕显示区R01为例。多个子像素100包括第一子像素101、第二子像素102、以及第三子像素103。如图1所示，像素PX包括第一子像素101、第二子像素102、以及第三子像素103。
在本公开的实施例中，子像素100为发光的最小单元。像素PX可以包括发不同光的多个子像素100。
图2为一种显示基板的视角的示意图。如图2所示，显示基板DS具有出光面SE和法线Ln，法线Ln垂直于出光面SE。视线VW与法线Ln之间的夹角即为视角θa。
图3为一种显示基板的截面图。图3示出了显示基板的中心所在的法线Ln，法线Ln平行于方向Z。图3示出了第一视角VW1和第二视角VW2。第一视角VW1和法线Ln的夹角为+θ，第二视角VW2和法线Ln的夹角为-θ。正视角θ下，从法线Ln到该视角为顺时针旋转θ角，负视角-θ下，从法线Ln到该视角为逆时针旋转θ角。
图3所示的情况用于测量左右视角的色偏，在测量上下视角的色偏时，第一视角VW1和第一视角VW2在方向Y上设置在法线Ln的两侧。
图4A为一种显示基板的亮度曲线图。图4B为一种显示基板的亮度曲线图。图4B示出了两个近似梯形TR1和TR2。图4A和图4B为归一化处理后的亮度曲线图。如图4A和图4B所示，纵坐标亮度最大处为1。横坐标0.0表示0度视角处。如图4A和图4B所示，在0度视角处，子像素的亮度最大。如图4A和图4B所示，0度视角的左侧的负数表示负视角，0度视角的右侧的正数表示正视角。例如，负视角为左视角，正视角为右视角。例如，负视角为上视角，正视角为下视角。
图4A和图4B示出了曲线C1、曲线C2、以及曲线C3。曲线C1为第一子像素101的亮度曲线，曲线C2为第二子像素102的亮度曲线，曲线C3为第三子像素103的亮度曲线。如图4A和图4B所示，从曲线C1、曲线C2、以及曲线C3可以看出，在约视角-50度至约视角+50度的范围内，第一子像素101的亮度大于第二子像素102的亮度，且大于第三子像素103的亮度。如图4A和图4B所示，从曲线C1、曲线C2、以及曲线C3可以看出，在约视角-80度至约视角-50度的范围内以及在约视角+50度至约视角+80度的范围内，第一子像素101的亮度小于第二子像素102的亮度，且小于第三子像素103的亮度。如图4A和图4B所示，从曲线C2和曲线C3可以看出，曲线C2和曲线C3重合度较高，即，在同一视角处，第二子像素102的亮度与第三子像素103的亮度差别不大。
在本公开的实施例中，除非另外说明，子像素的亮度均指的是归一化的亮度。归一化的亮度是指子像素在0°视角下的亮度为1，其余亮度按比例调整后而得的亮度。子像素在0°视角下的亮度为最大亮度。在本公开的实施例中，涉及到视角下的亮度时，均归一化计算，即为归一化亮度，带有单位尼特的亮度不是归一化的亮度，为测量亮度。例如，归一化计算时，在0°视角下的测量亮度对应设置为1，在X视角下的测量亮度除以在0°视角下的测量亮度，即为X视角下的归一化亮度。
如图4A和图4B所示，第一子像素101、第二子像素102和第三子像素103在0°视角下的归一化亮度均为1。即，第一子像素101、第二子像素102和第三子像素103的亮度最大值相同。本公开的实施例以此为例进行说明，但不限于此。
图5为本公开一实施例提供的一种显示基板的亮度测试的示意图。如图5所示，显示基板包括显示区R01和周边区R02，子像素位于显示区R01内。从显示区选取多个测试点，图5中选取了9个测试点，可测得每个测试点的亮度，图5示出了子像素可被划分为多个子像素组PG，图5示出了子像素组PG1、子像素组PG2、以及子像素组PG3。例如，在一些实施例中，每个子像素组PG可对应一行或多行子像素。例如，在另一些实施例中，每个子像素组PG可对应一列或多列子像素。
如图5所示，第一测试点至第三测试点为子像素组PG1的不同位置处的三个测试点，第四测试点至第六测试点为子像素组PG2的不同位置处的三个测试点，第七测试点至第九测试点为子像素组PG3的不同位置处的三个测试点。
例如，每个子像素组PG中的子像素的亮度可为该子像素组PG对应的测试点处的亮度的平均值。如图5所示，子像素组PG1中的子像素的亮度为第一测试点的亮度、第二测试点的亮度、以及第三测试点的亮度的平均值；子像素组PG2中的子像素的亮度为第四测试点的亮度、第五测试点的亮度、以及第六测试点的亮度的平均值；子像素组PG3中的子像素的亮度为第七测试点的亮度、第八测试点的亮度、以及第九测试点的亮度的平均值。
如图5所示，对于同一个子像素组，位于中间位置处的测试点可为靠近显示区的边界处的测试点的中间位置。例如，第二测试点至第一测试点的距离等于第二测试点至第三测试点的距离。相应的，第五测试点至第四测试点的距离等于第五测试点至第六测试点的距离，第八测试点至第七测试点的距离等于第八测试点至第九测试点的距离。
例如，如图5所示，在测试整个显示基板的亮度时，第四测试点与第一测试点的距离等于第四测试点与第七测试点的距离，第五测试点与第二测试点的距离等于第五测试点与第八测试点的距离，第六测试点与第三测试点的距离等于第六测试点与第九测试点的距离。当然，本公开的实施例包括但不限于此。
如图5所示，测试点在选取时，可采用以下原则。图5示出了显示区R01的长度Ly和宽度Lx。测试点与显示区R01的边界处在方向X上的距离Lx0大于或等于Lx/10，测试点与显示区R01的边界处在方向Y上的距离Ly0大于或等于Ly/10。
以上以九点测试法为例给出了亮度测试的方法，需要说明的是，本公开的实施例对亮度测试的方法不做限定，可根据需要而定。
在本公开的实施例中，亮度测量可采用通常的亮度测量仪，对采用的亮度测量仪不做限定。本公开的实施例以采用LMS（light measurement solutions，光测量方案）公司的IV2012TR-01S设备进行亮度测量/测试为例进行说明。
图6为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。如图6所示，显示基板包括：衬底基板BS和位于衬底基板BS上的多个子像素100，多个子像素100包括第一子像素101和第二子像素102，第一子像素101被配置为发第一颜色光，第二子像素102被配置为发与第一颜色光的颜色不同的第二颜色光。
参考图4A和图6，在A视角和B视角下，第一子像素101的亮度和第二子像素102的亮度满足如下关系式：
(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2=S0；
其中，S0为A视角和B视角下的色偏评价参数，YRLA和YGLA分别为在A视角下，第一子像素101和第二子像素102的亮度，YRLB和YGLB分别为在B视角下，第一子像素101和第二子像素102的亮度；A视角和B视角同为负视角或者同为正视角，0<|A|<|B|<45°，|B-A|≤15°，且S0≤1.60。例如，S0可近似等于图4A中阴影部分所示的近似梯形的面积。
本公开的实施例提供的显示基板，通过使得上述关系式中的0<|A|<|B|<45°，|B-A|≤15°，且S0≤1.60，可以减小发不同颜色光的子像素的亮度差异，减轻或避免色偏，提升显示效果。例如，S0大于0。
例如，在一些实施例中，A视角为30°视角，B视角为40°视角，S0≤1.60。
例如，在另一些实施例中，A视角为-20°视角，B视角为-30°视角，S0≤1.60。
例如，在另一些实施例中，|B-A|≤10°，0.20≤S0≤0.90。
例如，S0≥0.05。即，0.20≤S0≤0.60。
进一步例如，0.22≤S0≤0.57。
进一步例如，0.30≤S0≤0.40。
例如，S0≤0.22。
例如，0.05≤S0≤0.22。
给出S0的上限值和下限值，以进一步筛选获得优异的减轻或避免色偏的有益效果的显示基板。
例如，如图4A所示，为了获得色偏平衡，在视角的绝对值小于或等于30°的视角（小视角）下，
|YGL1-YRL1|/|YGL2-YRL2|=LA，|YGR1-YRR1|/|YGR2-YRR2|=RA，
并且|RA-LA|≤0.47，其中，LA为左视角下的色偏评价参数，RA为右视角下的色偏评价参数，YRL1和YRL2分别为在-15°和-30°视角下，第一子像素101的亮度，YRR1和YRR2分别为在15°和30°视角下，第一子像素101的亮度，YGL1和YGL2分别为在-15°和-30°视角下，第二子像素102的亮度，YGR1和YGR2分别为在15°和30°视角下，第二子像素102的亮度。
本公开的实施例提供的显示基板，|YGL1-YRL1|的下降速度小于|YGL2-YRL2|，|YGR1-YRR1|的下降速度小于|YGR2-YRR2|，|RA-LA|≤0.47，从而可以获得小角度的色偏平衡，例如，使得小角度的左右视角的色偏平衡，或使得小角度的上下视角的色偏平衡。
例如，色偏平衡可指色偏一致。例如，左右视角的色偏平衡可指左视角和右视角的色偏一致或趋于一致。例如，左右视角的色偏平衡可指左视角和右视角的色偏相等或基本相等。
例如，为了使得第一子像素101和第二子像素102的亮度衰减速度趋于一致，在视角的绝对值大于或等于60°的视角（大视角）下，
|YGL3-YRL3|=YAL1，并且|YGL4-YRL4|=YAL2，
|YGR3-YRR3|=YAR1，并且|YGR4-YRR4|=YAR2，
|YAL1/YAR1|的取值范围为0.5-1.2，并且|YAL2/YAR2|的取值范围为0.5-1.2，YAL1为在-60°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，YAL2为在-75°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，YAR1为在60°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，YAR2为在75°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，YRL3和YRL4分别为在-60°和-75°视角下，第一子像素101的亮度，YRR3和YRR4分别为在60°和75°视角下，第一子像素101的亮度，YGL3和YGL4分别为在-60°和-75°视角下，第二子像素102的亮度，YGR3和YGR4分别为在60°和75°视角下，第二子像素102的亮度。
例如，|YAL1/YAR1|的取值范围为0.7-1.2，并且|YAL2/YAR2|的取值范围为0.7-1.2。
从图4A可以看出，在大视角下，第二子像素102的亮度衰减速度快于第一子像素101的亮度衰减速度，从而，为了使得第一子像素101和第二子像素102的亮度衰减速度趋于一致，使得本公开的实施例提供的一种显示基板具有上述大视角下的关系。
如图6所示，第一子像素101包括第一发光器件EM1，第二子像素102包括第二发光器件EM2，第一发光器件EM1在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H1大于第二发光器件EM2在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H2，以利于提升子像素的发光效率。
以上描述了三个关系式，即，第一关系式：(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2=S0，第二关系式：|RA-LA|≤0.47，第三关系式：|YAL1/YAR1|的取值范围为0.5-1.2，并且|YAL2/YAR2|的取值范围为0.5-1.2。显示基板满足可满足上述三个关系式至少之一。
在一些实施例中，为了减小发不同颜色光的子像素的亮度差异，减轻或避免色偏，提升显示效果，显示基板满足第一关系式。进一步例如，在此基础上，显示基板还满足第二关系式，以获得小角度下的左右视角或上下视角的色偏平衡。进一步例如，在此基础上，显示基板还满足第三关系式，以获得大角度下的左右视角或上下视角的色偏平衡。
在另一些实施例中，显示基板满足第二关系式。进一步例如，在此基础上，显示基板还满足第一关系式和/或第三关系式。如图6所示，第一发光器件EM1在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H1大于第二发光器件EM2在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H2，第二发光器件EM2在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H2大于第三发光器件EM3在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H3，以利于提升子像素的发光效率。
在另一些实施例中，显示基板满足第三关系式。进一步例如，在此基础上，显示基板还满足第一关系式和/或第二关系式。
例如，如图1和图6所示，多个子像素100还包括第三子像素103，第三子像素103包括第三发光器件EM3，第三子像素103被配置为发与第一颜色光的颜色不同且与第二颜色光的颜色不同的第三颜色光。
如图6所示，第三子像素103包括第三发光器件EM3，第一发光器件EM1在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H1大于第三发光器件EM3在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H3。
如图6所示，第一发光器件EM1在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H1大于第二发光器件EM2在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H2，第二发光器件EM2在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H2大于第三发光器件EM3在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H3，以利于提升子像素的发光效率。
例如，如图6所示，第二发光器件EM2在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H2大于第三发光器件EM3在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸H3。
在本公开的实施例中，垂直于衬底基板BS的方向为方向Z，可指垂直于衬底基板BS的用于制作各部件的表面，例如，在截面图中，垂直于衬底基板BS的方向可指垂直于衬底基板的上表面的方向。在本公开的实施例中，部件在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸可指其厚度。
如图4B和图6所示，在A1视角和B1视角下，第一子像素101的亮度和第二子像素102的亮度满足如下关系式：
(YRLA1+YRLB1)×|B1-A1|/2-(YGLA1+YGLB1)×|B1-A1|/2=S11；
在A2视角和B2视角下，第一子像素101的亮度和第二子像素102的亮度满足如下关系式：
(YRLA2+YRLB2)×|B2-A2|/2-(YGLA2+YGLB2)×|B2-A2|/2=S22；
其中，S11为A1视角和B1视角下的色偏评价参数，S22为A2视角和B2视角下的色偏评价参数，YRLA1和YGLA1分别为在A1视角下，第一子像素101和第二子像素102的亮度，YRLB1和YGLB1分别为在B1视角下，第一子像素101和第二子像素102的亮度；YRLA2和YGLA2分别为在A2视角下，第一子像素101和第二子像素102的亮度，YRLB2和YGLB2分别为在B2视角下，第一子像素101和第二子像素102的亮度；其中，A1视角和B1视角同为负视角或者同为正视角，0<|A1|<|B1|<45°，|B1-A1|≤15°，A2视角和B2视角同为负视角或者同为正视角，0<|A2|<|B2|<45°，|B2-A2|≤15°，并且，S11和S22的平均值小于或等于1.38。
图4B以两个梯形TR1和TR2均位于右侧为例，然而不限于此。两个梯形TR1和TR2也可以分别位于左侧和右侧，即，可一个位于负视角下，一个位于正视角下。图4B示出的两个近似梯形TR1和TR2的面积不交叠，然而，本公开的实施例不限于此。在另外的一些实施例中，两个近似梯形TR1和TR2的面积也可以交叠。
S11和S22的平均值即为两个S0的平均值。当然，也可以计算三个或三个以上的S0的平均值。
本公开的实施例提供的显示基板，通过发不同颜色光的发光器件的厚度设计，可提升子像素的发光效率。
例如，在满足上述三个关系式至少之一的显示基板中，第一子像素101为第一颜色子像素，第二子像素102为第二颜色子像素。该情况下，第一颜色子像素和第二颜色子像素满足上述三个关系式至少之一。
因第二子像素102和第三子像素103的亮度差异不大，则，在满足上述三个关系式至少之一的显示基板中，上述的第二子像素102可以替换为第三子像素103。第三子像素103为第三颜色子像素。该情况下，第一颜色子像素和第三颜色子像素满足上述三个关系式至少之一，即，第一子像素101和第三子像素103满足上述三个关系式至少之一。
例如，第一颜色子像素为红色子像素，第二颜色子像素为绿色子像素，第三颜色子像素为蓝色子像素。
表一至表三为本公开的实施例提供的显示基板中的不同颜色子像素在不同视角下的亮度，表四为显示基板1的S0的数值以及S11和S22的平均值，表五为显示基板2的S0的数值以及S11和S22的平均值，从表一至表五给出的各个数值中可以得出上述关系式中的至少之一。
表一、显示面基板1中的不同颜色子像素在不同视角下的亮度
表二、显示面基板2中的不同颜色子像素在不同视角下的亮度
表三、显示面基板3中的不同颜色子像素在不同视角下的亮度
表四、显示基板1的S0的数值以及S11和S22的平均值
表五、显示基板2的S0的数值以及S11和S22的平均值
表四和表五中的(YBLA+YBLB)×|B-A|/2中的YBLA为在A视角下，第三子像素103的亮度，YBLB为在B视角下，第三子像素103的亮度。为了区别于第二子像素102的(YGLA+YGLB)×|B-A|/2而给出(YBLA+YBLB)×|B-A|/2。
表四和表五中的“R-G”表示由第一子像素101和第二子像素102计算而得的S0或S0的平均值，表四和表五中的“R-B”由第一子像素101和第三子像素103计算而得的S0或S0的平均值。
表一至表三分别示出了显示基板的第二子像素102和第三子像素103的亮度差异比较，在相同视角下，第二子像素102的亮度和第三子像素103的亮度的差值大于或等于0.001，并且小于或等于0.019。表一至表三中的亮度指的是归一化亮度。
进一步例如，在相同视角下，第二子像素102的亮度和第三子像素103的亮度的差值大于或等于0.001，并且小于或等于0.011。
可以理解的是，在一些显示基板中，第一颜色子像素和第二颜色子像素满足上述三个关系式至少之一，并且第一颜色子像素和第三颜色子像素满足上述三个关系式至少之一。
例如，从表一中选取-15.0作为A视角，从表一中选取-30.0作为B视角，则A=-15.0，B=-30.0，YRLA=0.91904203，YRLB=0.631532159，YGLA=0.890019，YGLB=0.600271，从而，(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2≈11.629305-11.177175≈0.45≤0.60。
例如，从表一中选取15.0作为A视角，从表一中选取30.0作为B视角，则A=15.0，B=30.0，YRLA=0.876937259，YRLB=0.62605813，YGLA=0.833917，YGLB=0.595006，从而，(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2≈11.2724625-10.7169225≈0.56≤0.60。
例如，从表二中选取-15.0作为A视角，从表二中选取-30.0作为B视角，则A=-15.0，B=-30.0，YRLA=0.968045415，YRLB=0.753419962，YGLA=0.885914592，YGLB=0.641403566，从而，(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2≈12.9109875-11.4548925≈1.45。
例如，从表二中选取15.0作为A视角，从表二中选取30.0作为B视角，则A=15.0，B=30.0，YRLA=0.929172858，YRLB=0.712642113，YGLA=0.855736259，YGLB=0.611596222，从而，(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2≈12.3136125-11.00499≈1.31。
例如，从表三中选取15.0作为A视角，从表三中选取30.0作为B视角，则A=15.0，B=30.0，YRLA=0.910833，YRLB=0.656743，YGLA=0.857582，YGLB=0.61462，从而，(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2=11.75682-11.041515≈0.72。
例如，从表三中选取-15.0作为A视角，从表三中选取-30.0作为B视角，则A=-15.0，B=-30.0，YRLA=0.913043，YRLB=0.679587，YGLA=0.842441，YGLB=0.596404，从而，(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2=11.944725-10.7913375≈1.15。
参考表四和表五，A视角和B视角同为负视角或者同为正视角，0<|A|<|B|<45°，|B-A|≤10°，且S0≤1.60。
需要说明的是，在计算S11或S22时，在A视角和B视角下计算而得的S0，即为在A视角和B视角下计算而得的S11或S22。
以表一为例，A1视角为-15°，B1视角为-30°，则，如前计算，S11≈0.45；A2视角为15°，B2视角为30°，则，如前计算，S22≈0.56；则S11和S22的平均值为0.505。
以表二为例，A1视角为-15°，B1视角为-30°，则，如前计算，S11≈1.45；A2视角为15°，B2视角为30°，则，如前计算，S22≈1.31；则S11和S22的平均值为1.38。
以表三为例，A1视角为-15°，B1视角为-30°，则，如前计算，S11≈1.15；A2视角为15°，B2视角为30°，则，如前计算，S22≈0.72；则S11和S22的平均值为0.935。
参考表四，A1视角为-15°，B1视角为-20°，则，S11=0.265065；A2视角为-15°，B2视角为-30°，则，S22=0.452132；则S11和S22的平均值为0.3586。
参考表四，A1视角为10°，B1视角为20°，则，S11=0.325893；A2视角为0°，B2视角为15°，则，S22=0.322649；则S11和S22的平均值为0.324271。
参考表五，A1视角为-15°，B1视角为-20°，则，S11=0.70975；A2视角为-15°，B2视角为-30°，则，S22=1.456104；则S11和S22的平均值约为1.083。
参考表四，A1视角为10°，B1视角为20°，则，S11=0.766871；A2视角为0°，B2视角为15°，则，S22=0.550774；则S11和S22的平均值约为0.6588。
参考表四，对于第一子像素101和第二子像素102，六个S0的平均值（三个不同的S11和三个不同的S22的平均值）小于或等于0.36。
参考表四，对于第一子像素101和第三子像素103，六个S0的平均值（三个不同的S11和三个不同的S22的平均值）小于或等于0.41。
参考表四，A1视角和B1视角取三组不同值，且A2视角和B2视角取三组不同值，以得到三个S11和三个S22，三个S11和三个S22的平均值小于或等于0.41。
从而，对于显示基板1，六个梯形的S0的平均值（S11和S22的平均值）小于或等于0.41。
参考表四，S11和S22的平均值小于或等于0.51。
参考表四，在|B-A|≤10°的情况下，S11和S22的平均值小于或等于0.38。表四中，S11和S22的平均值约为0.30。
参考表五，对于第一子像素101和第二子像素102，六个S0的平均值（三个不同的S11和三个不同的S22的平均值）小于或等于0.91。
参考表五，对于第一子像素101和第三子像素103，六个S0的平均值（三个不同的S11和三个不同的S22的平均值）小于或等于1.00。
参考表五，A1视角和B1视角取三组不同值，且A2视角和B2视角取三组不同值，以得到三个S11和三个S22，三个S11和三个S22的平均值小于或等于1.00。
从而，对于显示基板2，六个S0的平均值（S11和S22的平均值）小于或等于1.00。
参考表五，在|B-A|≤10°的情况下，S11和S22的平均值小于或等于1.00。表四中，在|B-A|≤10°的情况下，S11和S22的平均值约为0.738。
参考表五，S11和S22的平均值小于或等于1.38。
例如，在视角的绝对值小于或等于30°的视角下，在表一所述的显示基板1中，YRL1=0.919042，YRL2=0.631532，YRR1=0.876937，YRR2=0.626058，YGL1=0.890019，YGL2=0.600271，YGR1=0.833917，YGR2=0.595006，|YGL1-YRL1|/|YGL2-YRL2|=|0.890019-0.919042|/|0.600271-0.631532|=0.029023/0.031261≈0.93=LA，|YGR1-YRR1|/|YGR2-YRR2|=|0.833917-0.876937|/|0.595006-0.626058|=0.04302/0.031052≈1.39=RA，则|RA-LA|=|1.39-0.93|=0.46≤0.47。
例如，在视角的绝对值小于或等于30°的视角下，在表二所述的显示基板2中，YRL1=0.968045，YRL2=0.75342，YRR1=0.929173，YRR2=0.712642，YGL1=0.885915，YGL2=0.641404，YGR1=0.855736，YGR2=0.611596，|YGL1-YRL1|/|YGL2-YRL2|=|0.885915-0.968045|/|0.641404-0.75342|=0.08213/0.112016≈0.733=LA，|YGR1-YRR1|/|YGR2-YRR2|=|0.855736-0.929173|/|0.611596-0.712642|=0.073437/0.101046≈0.727=RA，则|RA-LA|=|0.727-0.733|=0.006≤0.47。
例如，在视角的绝对值小于或等于30°的视角下，在表三所述的显示基板2中，YRL1=0.913043，YRL2=0.679587，YRR1=0.910833，YRR2=0.656743，YGL1=0.842441，YGL2=0.596404，YGR1=0.857582，YGR2=0.61462，|YGL1-YRL1|/|YGL2-YRL2|=0.070602/0.083183=0.848755=LA，|YGR1-YRR1|/|YGR2-YRR2|=0.053251/0.042123=1.264179=RA，则|RA-LA|=|1.264179-0.848755|=0.42≤0.47。
例如，在视角的绝对值大于或等于60°的视角下，在表一所述的显示基板3中，YGL3=0.220067，YRL3=0.171873，YGL4=0.147622，YRL4=0.100413，YGR3=0.21933，YRR3=0.179109，YGR4=0.156388，YRR4=0.0996，|YGL3-YRL3|=0.048194=YAL1，|YGL4-YRL4|=0.047209=YAL2，|YGR3-YRR3|=0.040221=YAR1，|YGR4-YRR4|=0.056788=YAR2，则|YAL1/YAR1|=|0.048194/0.040221|≈1.2，其取值范围在0.5-1.2内，并且|YAL2/YAR2|=|0.047209/0.056788|≈0.83，其取值范围在0.5-1.2内。
例如，在视角的绝对值大于或等于60°的视角下，在表二所述的显示基板3中，YGL3=0.218231，YRL3=0.199025，YGL4=0.137868，YRL4=0.108831，YGR3=0.20615，YRR3=0.18059，YGR4=0.128649，YRR4=0.095989，|YGL3-YRL3|=|0.218231-0.199025|=0.019206=YAL1，|YGL4-YRL4|=|0.137868-0.108831|=0.029037=YAL2，|YGR3-YRR3|=|0.20615-0.18059|=0.02556=YAR1，|YGR4-YRR4|=|0.128649-0.095989|=0.03266=YAR2，则|YAL1/YAR1|=|0.019206/0.02556|≈0.75，其取值范围在0.5-1.2内，且其取值范围在0.7-1.2内；并且|YAL2/YAR2|=|0.029037/0.03266|≈0.89，其取值范围在0.5-1.2内，且其取值范围在0.7-1.2内。
例如，在视角的绝对值大于或等于60°的视角下，在表三所述的显示基板3中，YGL3=0.213958，YRL3=0.18843，YGL4=0.122617，YRL4=0.093957，YGR3=0.225006，YRR3=0.175387，YGR4=0.130991，YRR4=0.091673，|YGL3-YRL3|=0.025528=YAL1，|YGL4-YRL4|=0.02866=YAL2，|YGR3-YRR3|=0.049619=YAR1，|YGR4-YRR4|=0.039318=YAR2，则|YAL1/YAR1|=|0.025528/0.049619|≈0.51，其取值范围在0.5-1.2内，并且|YAL2/YAR2|=|0.02866/0.039318|≈0.73，其取值范围在0.5-1.2内。
从本公开的实施例给出的其他显示基板中也可以得出上述关系式，在此不再一一计算。
例如，如图6所示，第一子像素101为第一颜色子像素，第二子像素102为第二颜色子像素，第三子像素103为第三颜色子像素。
如图6所示，发光器件EM包括第一电极E1、第二电极E2、以及位于第一电极E1和第二电极E2之间的发光功能层FL。
如图6所示，发光器件EM在垂直于衬底基板BS的方向上的尺寸为第一电极E1、发光功能层FL和第二电极E2的叠层的最小尺寸。
如图6所示，像素电路PXC位于衬底基板BS上。发光器件EM的第一电极E1与像素电路PXC相连。像素电路PXC被配置为驱动与其相连的发光器件EM发光。发光器件EM可以被与其相连的像素电路PXC独立控制。
如图6所示，像素界定层PDL包括主体部MP和多个像素开口OPN1。像素界定层PDL的像素开口OPN1被配置为暴露发光器件EM的第一电极E1的至少一部分。发光器件EM或子像素100的发光区对应像素开口OPN1所在的区域。例如，像素界定层PDL可为有机绝缘材料层。例如，像素界定材料薄膜经构图工艺形成主体部MP和多个像素开口OPN1，进而形成像素界定层PDL。像素界定层PDL的像素开口OPN1也可以称作子像素的像素开口OPN1。
如图6所示，显示基板还包括平坦化层PLN，第一电极E1通过贯穿平坦化层PLN的过孔与像素电路PXC相连。例如，平坦化层PLN可为有机绝缘材料层。
图6示意性的示出了像素电路PXC，未给出像素电路PXC的具体结构。通常来说，像素电路PXC包括晶体管和电容。例如，像素电路PXC包括多个晶体管和至少一个电容。本公开的实施例对像素电路PXC的具体结构不做限定。需要说明的是，显示基板的结构和像素电路PXC的结构不限于图中所示，可以根据需要而定。
图7为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。例如，如图7所示，显示基板还包括光取出层CPL，光取出层CPL被配置为提取多个子像素100发出的光，光取出层CPL位于多个子像素100的背离衬底基板BS的一侧，光取出层CPL的厚度H0为700Å-1500Å。
本公开的实施例提供的显示基板，对光取出层CPL进行加厚处理，以利于实现正视角和负视角的色偏平衡。
如图7所示，光取出层CPL位于第二电极E2上。
例如，如图7所示，光取出层CPL与第二电极E2接触。即，形成第二电极E2后，直接形成光取出层CPL。
例如，如图7所示，光取出层CPL包括第一光取出层CPL1和第二光取出层CPL2，第一光取出层CPL1比第二光取出层CPL2更靠近衬底基板BS，第一光取出层CPL1的厚度为400Å-800Å，第二光取出层CPL2的厚度为300Å-700Å。
本公开的实施例提供的显示基板，为了利于实现正视角和负视角的色偏平衡，第一光取出层CPL1的厚度大于通常的光取出层的厚度，且第二光取出层CPL2的厚度大于通常的光取出层的厚度。
例如，第一光取出层CPL1的厚度大于第二光取出层CPL2的厚度，以利于提升光取出的效果。
例如，第一光取出层CPL1的材料包括有机材料，第二光取出层CPL2的材料包括有机材料，以提高折叠屏或者曲面屏产品例如手机的可靠度。例如，上述有机材料可选芳胺或者嗪类为核心的有机材料。
例如，如图7所示，第一光取出层CPL1的折射率大于第二光取出层CPL2的折射率，即，第一光取出层CPL1采用高折射率材料，而第二光取出层CPL2采用低折射率材料，通过第一光取出层CPL1和第二光取出层CPL2的折射率的高低搭配，可实现更好的出光效果。
图8为本公开的实施例提供的一种显示基板的截面图。图9为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。
例如，如图8所示，显示基板还包括封装层ECS，封装层ECS被配置为封装发光器件EM，以避免水氧侵袭发光器件EM。发光器件EM包括第一发光器件EM1、第二发光器件EM2、以及第三发光器件EM3。设置封装层ECS，以对各发光器件EM进行封装。图8示出了一个发光器件EM，在显示基板中，所有的发光器件EM均可被封装层ECS封装。
例如，如图8所示，显示基板还包括彩色滤光结构CF，彩色滤光结构CF位于封装层ECS的背离衬底基板BS的一侧。
如图8和图9所示，彩色滤光结构CF包括黑矩阵BM和滤光层CFL，黑矩阵BM具有第一开口K21、第二开口K22和第三开口K23，滤光层CFL包括第一滤光部FP1、第二滤光部FP2、以及第三滤光部FP3，第一滤光部FP1被配置为透过第一颜色光，第二滤光部FP2被配置为透过第二颜色光，第三滤光部FP3被配置为透过第三颜色光。
如图8所示，黑矩阵BM具有主体部MM和开口OPN2。开口OPN2包括第一开口K21、第二开口K22和第三开口K23。例如，黑矩阵材料薄膜经构图工艺形成主体部MM和开口OPN2，进而形成黑矩阵BM。
如图8所示，第一滤光部FP1与黑矩阵BM的第一开口K21在垂直于衬底基板BS的方向上交叠，第二滤光部FP2与黑矩阵BM的第二开口K22在垂直于衬底基板BS的方向上交叠，第三滤光部FP3与黑矩阵BM的第三开口K23在垂直于衬底基板BS的方向上交叠。
如图8所示，滤光层CFL与像素开口OPN1在垂直于衬底基板BS的方向上交叠，且滤光层CFL与像素界定层PDL的像素开口OPN1在垂直于衬底基板BS的方向上交叠。
如图9所示，第一子像素101具有第一像素开口K11，第二子像素102具有第二像素开口K12，第三子像素103具有第三像素开口K13，第一像素开口K11与第一滤光部FP1在垂直于衬底基板BS的方向上交叠，第二像素开口K12与第二滤光部FP2在垂直于衬底基板BS的方向上交叠，第三像素开口K13与第三滤光部FP3在垂直于衬底基板BS的方向上交叠。
如图9所示，像素开口OPN1包括第一像素开口K11、第二像素开口K12、以及第三像素开口K13。
图8和图9示出了像素界定层PDL的像素开口OPN1的尺寸D1、黑矩阵BM的开口OPN2的尺寸D2、以及像素界定层PDL的像素开口OPN1的尺寸D1和黑矩阵BM的开口OPN2的尺寸D2的最小尺寸差值DF。例如，最小尺寸差值DF可以为像素开口OPN1的边界与黑矩阵BM的开口OPN2的边界的最小距离。
例如，如图9所示，黑矩阵BM的第一开口K21与第一像素开口K11的最小尺寸差值为DF1，黑矩阵BM的第二开口K22与第二像素开口K12的最小尺寸差值为DF2，黑矩阵BM的第三开口K23与第三像素开口K13的最小尺寸差值为DF3，DF1不同于DF2，并且DF1不同于DF3。
本公开的实施例提供的显示基板，通过使得发不同颜色光的子像素的像素开口OPN1和黑矩阵BM的开口OPN2的最小尺寸差值DF不同，来调整不同子像素的出光情况，进而减轻或避免色偏，提升显示效果。
例如，DF1小于DF2，并且DF1小于DF3。该情况下，可减轻或避免小视角情况下的色偏。
如图8所示，封装层ECS包括第一封装薄膜ECS1、第二封装薄膜ECS2、以及第三封装薄膜ECS3。例如，第一封装薄膜ECS1和第三封装薄膜ECS3可为无机绝缘材料层，第二封装薄膜ECS2可为有机绝缘材料层。例如，第一封装薄膜ECS1和第三封装薄膜ECS3可采用化学气相沉积工艺制作。例如，第二封装薄膜ECS2可采用喷墨打印工艺制作。例如，封装层ECS也可称作薄膜封装层。需要说明的是，封装层ECS的结构不限于图8所示，可根据需要而定。
如图8所示，封装层ECS上设有阻隔层TBL。例如，阻隔层TBL可为无机绝缘材料层，但不限于此。
如图8所示，触控结构TL位于阻隔层TBL上，触控结构TL包括第一触控层TL1和第二触控层TL2。第一触控层TL1和第二触控层TL2之间设有层间绝缘层TLD。例如，层间绝缘层TLD可为无机绝缘材料层。
如图8所示，阻隔层TOC设置在触控结构TL上，彩色滤光结构CF位于阻隔层TOC上。
如图8所示，黑矩阵BM的开口OPN2被滤光层CFL填充。
如图8所示，透明绝缘层OC位于彩色滤光结构CF上。
图8还示出了平坦化层PLN，发光器件EM位于坦化层PLN上。
图8以触控结构TL位于封装层ECS上，彩色滤光结构CF位于触控结构TL上为例进行说明。然而，本公开的实施例不限于此，也可以调换彩色滤光结构CF和触控结构TL的位置。即，彩色滤光结构CF位于封装层ECS上，触控结构TL位于彩色滤光结构CF上。该情况下，彩色滤光结构CF比触控结构TL更靠近封装层ECS。
图10为本公开的实施例提供的一种显示基板的截面图。图11为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。图12为本公开的实施例提供的一种显示基板的截面图。
在图11所示的显示基板中，一个像素PX可以包括一个第一子像素101、两个第二子像素102、以及一个第三子像素103。图11用虚线框示出了一个像素PX。
如图10和图12所示，显示基板包括位于平坦化层PLN上的封装层ECS，阻隔层TBL设置在封装层ECS上，触控结构TL位于阻隔层TBL上。
如图10和图12所示，阻隔层TOC位于触控结构TL上，阻隔层TOC具有开口OPN3，可以减少光的折射，以利于提升光学效果，提升显示基板的显示品质。
如图10至图12所示，开口OPN3包括第一开口K31、第二开口K32、以及第三开口K33。阻隔层TOC设置开口OPN3。
在本公开的实施例中，如图10至图12所示，在发不同颜色光的子像素中，开口OPN3与开口OPN1的最小尺寸差值不等，以利于对发不同颜色光的子像素的出光情况进行调整，提升显示品质。进一步例如，阻隔层TOC的第一开口K31与第一像素开口K11的最小尺寸差值为df1，阻隔层TOC的第二开口K32与第二像素开口K12的最小尺寸差值为df2，阻隔层TOC的第三开口K33与第三像素开口K13的最小尺寸差值为df3，df1不同于df2，并且df1不同于df3。
本公开的实施例提供的显示基板，通过使得发不同颜色光的子像素的像素开口OPN1和阻隔层TOC的开口OPN3的最小尺寸差值df不同，来调整不同子像素的出光情况，进而减轻或避免色偏，提升显示效果。
如图11至图12所示，为了利于调整不同子像素的出光情况，对于同一个子像素，阻隔层TOC的开口OPN3的面积小于像素开口OPN1的面积。当然，在其他的实施例中，阻隔层TOC的开口OPN3的尺寸也可以小于或等于像素开口OPN1的尺寸。
例如，阻隔层TOC的开口OPN3与像素开口OPN1的面积之比为0.9-0.99。进一步例如，第一开口K31与第一像素开口K11的面积之比为0.9-0.99，第二开口K32与第二像素开口K12的面积之比为0.9-0.99，第三开口K33与第一像素开口K13的面积之比为0.9-0.99。
表六至表九示出了本公开的实施例提供的显示基板中阻隔层TOC的开口OPN3与像素开口OPN1的尺寸关系。
如表六所示，第一子像素101的像素开口OPN1的尺寸小于阻隔层TOC的开口OPN3，第二子像素102的像素开口OPN1的尺寸大于阻隔层TOC的开口OPN3，第三子像素103的像素开口OPN1的尺寸大于阻隔层TOC的开口OPN3。
如表七所示，第一子像素101的像素开口OPN1的尺寸小于阻隔层TOC的开口OPN3，第二子像素102的像素开口OPN1的尺寸大于阻隔层TOC的开口OPN3，第三子像素103的像素开口OPN1的尺寸大于阻隔层TOC的开口OPN3。
如表八所示，阻隔层TOC的开口OPN3的面积大于像素开口OPN1的面积。
如表九所示，阻隔层TOC的开口OPN3的面积小于像素开口OPN1的面积。
阻隔层TOC的膜厚是指阻隔层TOC在垂直于衬底基板的方向上的尺寸。
图10、图12和图13示出了阻隔层TOC的坡度角θs。
表六、阻隔层TOC的开口OPN3与像素开口OPN1的尺寸关系
表七、阻隔层TOC的开口OPN3与像素开口OPN1的尺寸关系
表八、阻隔层TOC的开口OPN3的面积与像素开口OPN1的尺寸关系
表九、阻隔层TOC的开口OPN3的面积与像素开口OPN1的尺寸关系
例如，df1大于df2，并且df1大于df3。该情况下，可利于减轻或避免小视角情况下的色偏。
如图12所示，显示基板还包括功能膜层DR2。功能膜层DR2设置在阻隔层TOC上。功能膜层DR2可为高折射率膜层。设置功能膜层DR2以利于提升出光效率。
例如，功能膜层DR2的折射率可大于1.6，但不限于此。
例如，功能膜层DR2可为在基体中掺杂填充粒子形成的高折射率层。例如，基体的材料包括丙烯酸类材料或环氧树脂。例如，填充粒子的粒径在纳米级别。例如，填充粒子可以包括纳米氧化锆粒子，但不限于此，可根据需要选择。
如图12所示，功能膜层DR2填充开口OPN3，且与阻隔层TBL接触。当然，在其他的实施例中，功能膜层DR2和阻隔层TBL之间也可以设置其他膜层。
图13为本公开的实施例提供的一种显示基板的截面图。图14为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。
例如，如图13和图14所示，显示基板还包括出光增强图案EMP，出光增强图案EMP位于发光器件层EMLY的背离衬底基板BS的一侧，发光器件层EMLY包括第一发光器件EM1、第二发光器件EM2以及第三发光器件EM3，出光增强图案EMP包括多个出光增强部P0，相邻的出光增强部P0之间具有间隔G0，在平面图中，出光增强图案EMP的位于第一像素开口K11中的出光增强部P0的面积为SFZR，出光增强图案EMP的位于第二像素开口K12中的出光增强部P0的面积为SFZG，出光增强图案EMP的位于第三像素开口K13中的出光增强部P0的面积为SFZB，在平面图中，第一像素开口K11的面积为SKR，第二像素开口K12的面积为SKG，第三像素开口K13的面积为SKB，SFZR/SKR小于SFZG/SKG且SFZR/SKR小于SFZB/SKB。
本公开的实施例提供的显示基板，设置出光增强图案EMP利于提高正向出光，SFZR/SKR小于SFZG/SKG且SFZR/SKR小于SFZB/SKB，利于减少小角度出光，增加大角度出光，利于减轻色偏。例如，利于减少第一子像素101在小角度下的出光，利于提升第一子像素101的大角度出光，利于减轻色偏。例如，上述设置可提升第二子像素102和第三子像素103的发光效率，提升显示品质。
例如，如图13和图14所示，出光增强部包括透镜。例如，透镜可采用半球形的结构，但不限于此。
图14示出了发光器件EM的第一电极E1，像素开口OPN1、出光增强部P0、出光增强部P0之间的间隔G0。如图14所示，多个出光增强部P0可均匀设置。
图13示出了功能膜层DR2，功能膜层DR2覆盖出光增强图案EMP。例如，功能膜层DR2的背离出光增强图案EMP的表面到衬底基板之间的距离大于出光增强图案EMP的背离发光器件层EMLY的表面到衬底基板之间的距离，以使得功能膜层DR2可以覆盖出光增强图案EMP。
例如，功能膜层DR2的折射率与出光增强图案EMP的折射率不同。在一些实施例中，功能膜层DR2的折射率大于出光增强图案EMP的折射率，以利于增加正向出光。在另一些实施例中，功能膜层DR2的折射率小于出光增强图案EMP的折射率，以利于增加侧向出光。
有关功能膜层DR2的其他描述，可参照之前描述，在此不再赘述。
例如，在DCI-P3色域（色域标准值）中，第一子像素101的色域横坐标为RX，第二子像素102的色域横坐标为GX，RX大于或等于0.686，并且小于或等于0.688；GX大于或等于0.254，并且小于或等于0.265]，但不限于此。例如，因为第二子像素102的尺寸变大，从而，受到阻隔层TOC的开口OPN3的影响较小，第一子像素101和第二子像素102可以获得较高的色域。DCI-P3色域是一种描述显示装置的色彩丰富程度的参数。
图15为本公开的实施例提供的一种显示基板的截面图。如图15所示，发光功能层FL包括公共层CL和本地层LL。
如图15所示，公共层CL包括第一公共层CL1和第二公共层CL2。例如，第一公共层CL1可包括空穴注入层和空穴传输层，第二公共层CL2可包括空穴阻挡层、电子传输层、以及电子注入层。图15以公共层CL包括第一公共层CL1和第二公共层CL2为例进行说明，本公开的实施例不限于此。公共层CL的设置可根据需要而定。
如图15所示，本地层LL包括第一本地层LL1、第二本地层LL2、以及第三本地层LL3。本地层LL包括发光层。本地层LL还可以包括其他层例如色偏调整层。
当然，在其他的实施例中，公共层CL和本地层LL可根据需要设置。
在本公开的实施例中，公共层CL可采用开口掩膜版制作。
在本公开的实施例中，本地层LL可采用精细金属掩膜版（Fine Metal Mask，FMM）制作。
图16为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。在高PPI的显示基板中，相邻的本地层LL有交叠。本地层LL的交叠区域为混色区域。
例如，如图16所示，第一子像素101和第二子像素102的混色区域1012的面积为SH12，第二子像素102和第三子像素103的混色区域1023的面积为SH23，SH23＜SH12。
本公开的实施例提供的显示基板，SH23＜SH12，以尽可能的减少第二子像素102和第三子像素103的混色，提升显示效果。
图16中的混色区域1012为本地层LL1和本地层LL2的交叠区域。图16中的混色区域1023为本地层LL2和本地层LL3的交叠区域。
图17为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。相邻的本地层LL有交叠。本地层LL的交叠区域为混色区域。
例如，如图17所示，在一个第一子像素101的周围设有两个第二子像素102，两个第二子像素102与该第一子像素101的混色区域的面积分别为S1和S2，S1和S2不同。图17示出了第一子像素101和位于其左上方的第二子像素102的混色区域10121。图17还示出了第一子像素101和位于其右上方的第二子像素102的混色区域10122。混色区域10121的面积为S1，混色区域10122的面积为S2，S1和S2不同。如图17所示，S1小于S2。
本公开的实施例提供的显示基板，为了获得高PPI的显示基板，在蒸镀本地层LL时，不同颜色的子像素的本地层产生交叠，第一子像素101和位于其周围的两个第二子像素102的混色区域的面积不同，可增大部分子像素之间的距离，进而减小导电性高的公共层CL对于相邻子像素的影响，减轻或避免相邻子像素的伴随发光，减轻或避免串扰，提升显示品质。
例如，如图17所示，在该第一子像素101的周围设有另两个第二子像素102，另两个第二子像素102与该第一子像素101的混色区域的面积分别为S3和S4，S3和S4不同。图17示出了第一子像素101和位于其左下方的第二子像素102的混色区域10123。图17还示出了第一子像素101和位于其右下方的第二子像素102的混色区域10124。混色区域10123的面积为S3，混色区域10124的面积为S4，S3和S4不同。如图17所示，S3小于S4。该设置的有益效果与S1和S2的设置的有益效果类似，在此不再赘述。
如图17所示，在第一子像素101的周围设有四个第二子像素102，相应的，在第三子像素103的周围也设有四个第二子像素102，从而，前述描述中的第一子像素101可替换为第三子像素103。
如图17所示，在一个第三子像素103的周围设有两个第二子像素102，两个第二子像素102与该第三子像素103的混色区域的面积分别为S1和S2，S1和S2不同。图17示出了混色区域10231和混色区域10232，混色区域10231的面积为S1，混色区域10232的面积为S2，S1小于S2。
如图17所示，在该第三子像素103的周围设有另两个第二子像素102，另两个第二子像素102与该第三子像素103的混色区域的面积分别为S3和S4，S3和S4不同。图17示出了混色区域10233和混色区域10234，混色区域10233的面积为S3，混色区域10234的面积为S4，S3小于S4。
本公开的实施例提供的显示基板，如图17所示，在沿45°角延伸的直线方向上，两个发不同颜色光的子像素的本地层的混色区域不连续，且在沿135°角延伸的直线方向上，两个发不同颜色光的子像素的本地层的混色区域不连续。且在两个方向（沿45°角延伸的直线方向和沿135°角延伸的直线方向）上，均是面积大的混色区域和面积小的混色区域交替。相较于混色区域的交叠面积一致的情况，有效避免或减轻相邻子像素的伴随发光，明显改善串扰，提升显示品质。沿45°角延伸的直线方向和沿135°角延伸的直线方向均为平行于衬底基板的表面的方向。
例如，如图15和图17所示，显示基板还包括像素界定层PDL和本地层LL，像素界定层PDL具有第一像素开口K11，本地层LL具有第一本地层LL1，第一像素开口K11被配置为界定第一发光器件EM1的发光区域，第一本地层LL1在衬底基板BS上的正投影与第一像素开口K11在衬底基板BS上的正投影交叠。
如图17所示，对于同一个第一子像素101，第一像素开口K11的中心AA1与第一本地层LL1的中心AA2不重合。在本公开的实施例中，像素开口的中心与本地层的中心不重合是指几何中心不重合。
导电性强的公共层容易导致相邻子像素的串扰，因像素开口的中心与本地层的中心的偏离设置，可以使得相邻子像素之间的距离增加，避免带动相邻子像素伴随发光，减轻或避免显示基板的串扰。
如图17所示，第一子像素101和第三子像素103在方向Y上交替设置，第三子像素103的像素开口OPN1的中心与第三本地层LL3的中心也不重合，也采用偏离设置的方式。即，对于同一个第三子像素103，第三像素开口K13的中心AA3与第三本地层LL3的中心AA4不重合。
图17以第一子像素101为红色子像素，第二子像素102为绿色子像素，第三子像素103为蓝色子像素为例进行说明。当然，第一子像素101、第二子像素102、第三子像素103也可以为其他颜色的子像素。
例如，如图17所示，第三子像素103的像素开口OPN1（第三像素开口K13）的面积大于第一子像素101的像素开口OPN1（第一像素开口K11）的面积。由于人眼对颜色的敏感度为：对蓝光的敏感度小于对红光的敏感度，且对红光的敏感度小于对绿光的敏感度，而第三子像素103（蓝色子像素）点亮后，产生红绿串扰会影响客户体验，从而，第三子像素103和第二子像素102的本地层的交叠面积小于第一子像素101和第二子像素102的本地层的交叠面积，即，蓝绿子像素的本地层的交叠面积小于红绿子像素的本地层的交叠面积，以减轻或避免串扰。
例如，在此基础上，再配合第二子像素102（绿色子像素）的双层电子阻挡层的设计（如图19所示），以降低第二子像素102（绿色子像素）的横向导通能力，进一步减小串扰。
例如，在一些实施例中，如图17所示，第三像素开口K13的面积大于第一像素开口K11的面积。进一步例如，第一像素开口K11的面积大于第二像素开口K12的面积。
如图17所示，第一子像素101和第三子像素103的像素开口OPN1的偏离方向相同。即，第一子像素101和第三子像素103的像素开口OPN1向同一个方向偏离。图17以第一像素开口K11和第三像素开口K13同向左偏离为例。在其他的实施例中，第一像素开口K11和第三像素开口K13可同向右偏离。
例如，如图17所示，第一子像素101和第三子像素103沿方向X和方向Y排列，对于同一个第一子像素101，在方向X和方向Y至少之一的方向上，第一像素开口K11的中轴线与第一本地层LL1的中轴线不重合。图17以第一像素开口K11的中轴线与第一本地层LL1的中轴线具有第一间隔GP1，且第二像素开口K12的中轴线与第二本地层LL2的中轴线具有第二间隔GP2为例。第一本地层LL1的中轴线和第二本地层LL2的中轴线可以位于同一条直线上，也可以在方向X上有间隔。
例如，第一间隔GP1与第二间隔GP2不同。例如，第一间隔GP1大于第二间隔GP2。例如，中心AA3和中心AA4之间的间距小于中心AA1和中心AA2之间的间距。本公开的实施例包括但不限于此。
如图17所示，第一子像素101和第三子像素103在方向Y上交替设置，前述描述中的第一子像素101也可替换为第三子像素103。即，对于同一个第三子像素103，在方向X和方向Y至少之一的方向上，第三像素开口K13的中轴线与第三本地层LL3的中轴线不重合。
在图17所示的显示基板中，以像素开口OPN1的中轴线为对角线的连线，本地层LL的中轴线为对角线的连线为例。当然，像素开口OPN1的中轴线可为对边中点的连线，本地层LL的中轴线也可为对边中点的连线。
本公开的实施例提供的显示基板，不论是中心偏离设置，还是中轴线偏离设置，均起到减轻或避免串扰的作用。
图17以像素开口OPN1为圆角矩形，且本地层LL为圆角矩形为例，但像素开口OPN1和本地层LL的形状不限于图中所示，例如，还可以采用矩形、椭圆、圆形等其他形状。
在图16和图17所示的显示基板中的一个像素PX包括的子像素的情况可参考图11所示的情况，在此不再赘述。
图18为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。例如，如图18所示，第三发光器件EM3包括第一电极E1、第二电极E2、以及位于第一电极E1和第二电极E2之间的第三发光层EML3，第三发光层EML3包括依次设置的第一发光子层EML31、第二发光子层EML32和第三发光子层EML33，第一发光子层EML31比第三发光子层EML33更靠近第一电极E1，第一发光子层EML31中的空穴传输特性材料的含量大于第一发光子层EML31中的电子传输特性材料的含量，第三发光子层EML33中的空穴传输特性材料的含量小于第三发光子层EML33中的电子传输特性材料的含量。
本公开的实施例提供的显示基板，通过设置第三发光层EML3中的发光子层中的空穴传输特性材料和电子传输特性材料的含量，提升发光效率，提升显示品质。
例如，第二发光子层EML32中的空穴传输特性材料的含量可以大于第二发光子层EML32中的电子传输特性材料的含量，从而形成第三发光层EML3中的空穴传输特性材料的阶梯变化，以提升发光效率。当然，在其他的实施例中，第二发光子层EML32中的空穴传输特性材料的含量可以小于或等于第二发光子层EML32中的电子传输特性材料的含量。
例如，第三发光层EML3包括电子基团主体、空穴基团主体、客体以及敏化材料（掺杂材料）。第三发光层EML3中的每个子层均可以采用三元共蒸的方式形成。
例如，敏化材料可以为具有磷光特性的材料，例如，为含铱（Iridium，Ir）或铂（Platinum，Pt）的配合物材料。
例如，发光层的材料可以包括主体材料、客体材料、敏化材料等。主体材料用于将客体材料及敏化材料均匀分散开，避免客体材料及敏化材料聚集而发生猝灭。敏化材料可以产生激子，该激子与客体材料的分子形成的发光中心之间发生能量转移，进而发出光。当然，在一些实施例中，发光层也可以不含有敏化材料。
图18还示出了空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、电子注入层EIL。需要说明的是，第三发光器件EM3的层结构不限于图中所示，可根据需要设置。
图18还示出了光取出层CPL。光取出层CPL的设置可采用之前描述，在此不做限定。当然，光取出层CPL的结构也不限于图中所示，可根据需要设置，例如，也可以设置单层的光取出层。
例如，如图18所示，第三发光层EML3的厚度Hc为10-60nm。
图18所示的第三发光器件EM3，第三发光层EML3为本地层，在第一电极E1和第二电极E2之间的除了之外的层例如空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、电子注入层EIL中至少之一为公共层。
图19为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。例如，如图19所示，第一发光器件EM1包括位于第一电极E1和第二电极E2之间的第一发光层EML1和第一电子阻挡层EBL1，第二发光器件EM2包括位于第一电极E1和第二电极E2之间的第二发光层EML2和第二电子阻挡层EBL2，第一发光层EML1和第一电子阻挡层EBL1在垂直于衬底基板BS的方向上交叠，第二发光层EML2和第二电子阻挡层EBL2在垂直于衬底基板BS的方向上交叠，第一电子阻挡层EBL1的厚度大于或等于第二电子阻挡层EBL2的厚度的3倍。
例如，第一电子阻挡层EBL1的厚度为305Å-345Å，第二电子阻挡层EBL2的厚度为80Å-120Å。
例如，第三发光器件EM3包括位于第一电极E1和第二电极E2之间的第三发光层EML3和第三电子阻挡层EBL3，第三发光层EML3和第三电子阻挡层EBL3在垂直于衬底基板BS的方向上交叠，第二电子阻挡层EBL2的厚度大于或等于第三电子阻挡层EBL3的厚度。
在一些实施例中，第一电子阻挡层EBL1的厚度为305Å-345Å，第二电子阻挡层EBL2的厚度为80Å-120Å，第三电子阻挡层EBL3的厚度为60Å-100Å。
在另一些实施例中，例如，第一电子阻挡层EBL1的厚度为380Å-420Å，第二电子阻挡层EBL2的厚度为140Å-180Å，第三电子阻挡层EBL3的厚度为60Å-100Å。
在显示基板为车载装置的显示基板的情况下，第一电子阻挡层EBL1的厚度为325Å，第二电子阻挡层EBL2的厚度为100Å，第三电子阻挡层EBL3的厚度为80Å。
在显示基板为手机的显示基板的情况下，第一电子阻挡层EBL1的厚度为400Å，第二电子阻挡层EBL2的厚度为160Å，第三电子阻挡层EBL3的厚度为100Å。
例如，如图19所示，第一电子阻挡层EBL1的分子量为680-720，第二电子阻挡层EBL2包括第一电子阻挡子层EBL21和第二电子阻挡子层EBL22（双层电子阻挡层）。例如，第一电子阻挡子层的分子量为640-680，第二电子阻挡子层EBL2的分子量为700-730，第三电子阻挡层EBL3的分子量为620-660。
在本公开的实施例提供的显示基板中，第二电子阻挡层EBL2包括第一电子阻挡子层EBL21和第二电子阻挡子层EBL22，利于调整第二子像素102的出光，该设置利于提升第二发光器件EM2的发光效率，提升显示品质。
第一电子阻挡层EBL1、第二电子阻挡子层EBL2、第三电子阻挡层EBL3构成电子阻挡层EBL。例如，电子阻挡层EBL的材料可选自空穴型的咔唑、或芳胺类衍生物。第一电子阻挡子层EBL21和第二电子阻挡子层EBL22的材料可以相同，也可以不同。
例如，对于第二子像素102，第二电子阻挡层EBL2的材料的化学通式如下所示，
。
在上述化学通式中，A基团、B基团、C基团中的至少一个为基团M，A基团、B基团、C基团中不为基团M的那些选自碳原子数为6 39的芳基、碳原子数为5 60的杂芳基、碳原子数为6 60的芳氧基、碳原子数为1 39的烷氧基、碳原子数为6 39的芳胺基、碳原子数为3 39的环烷基、碳原子数为3 39的杂环烷基、碳原子数为1 39的烷基甲硅烷基、碳原子数为1 39的烷基硼基、碳原子数为6 39芳基硼基、碳原子数为6 39的芳基膦基、或者碳原子数为6 39的芳基甲硅烷基；
所述基团M的化学通式如下所示：
。
在上述基团M的化学通式中，X选自C或者Si；R各自独立地选自碳原子数为1 39的烷基、碳原子数为1 39的环烷基、碳原子数为2 39的烯基、碳原子数为2 39的炔基、碳原子数为6 39的芳基、碳原子数为5 60的杂芳基、碳原子数为6 60的芳氧基、碳原子数为1 39的烷氧基、碳原子数为6 39的芳胺基、碳原子数为3 39的环烷基、碳原子数为3 39的杂环烷基、碳原子数为1 39的烷基甲硅烷基、碳原子数为1 39的烷基硼基、碳原子数为6 39芳基硼基、碳原子数为6 39的芳基膦基、或者碳原子数为6 39的芳基甲硅烷基；L1选自单键、C6C15的亚芳基、或者C5 C15亚杂芳基；Ar1选自氢、氘、碳原子数为1 39的烷基、碳原子数为239的烯基、碳原子数为2 39的炔基、碳原子数为6 39的芳基、碳原子数为5 60的杂芳基、碳原子数为6 60的芳氧基、碳原子数为1 39的烷氧基、碳原子数为6 39的芳胺基、碳原子数为3 39的环烷基、碳原子数为3 39的杂环烷基、碳原子数为1 39的烷基甲硅烷基、碳原子数为1 39的烷基硼基、碳原子数为6 39芳基硼基、碳原子数为6 39的芳基膦基、或者碳原子数为6 39的芳基甲硅烷基。
本公开实施例提供的显示基板，通过对电子阻挡层的材料的化学结构进行上述限定，使A基团、B基团、C基团中的至少一个为基团M，使其至少具有以下优点：其一，该电子阻挡材料的芳胺结构与基团M通过X位置所分支的芳基相连接，这利于增加该电子阻挡材料的扭曲性，进而利于增加电子阻挡材料的立体性，从而提升电子阻挡材料的三线态能级，达到提升有机电致发光器件的效率和寿命的目的。其二，该类电子阻挡材料具有更高的热稳定性，从而具有更高的寿命。其三，该类电子阻挡材料特定的连接方式，使其HOMO能级处于合适的水平，能够减小界面能级差（Gap），有利于空穴的注入，从而使空穴和电子以更快的效率发生复合，降低电荷累积，降低器件电容，从而使第二子像素102（绿光子像素）在与第三子像素103（蓝光子像素）和第一子像素101（红光子像素）协同作用时可以表现出最优的色彩显示效果。
上述提及的第二子像素102的电子阻挡层的材料除了应用于图19所示的结构外，也可以应用于其他结构的发光器件。
例如，电子阻挡层EBL的厚度不超过10nm，但不限于此。
例如，在一些实施例中，对于第一子像素101（红光子像素），第一发光层EML1包括主体材料和客体材料，第一发光层EML1的主体材料包括P型主体材料和N型主体材料，P型主体材料的化学结构式为，N型主体材料的化学结构式为，第一发光层EML1的客体材料的化学结构式为，
第一子像素101的发光器件EM的空穴注入层HIL的材料的化学结构式为，第一子像素101的发光器件EM的空穴传输层HTL的材料的化学结构式为，第一子像素101的发光器件EM的电子阻挡层EBL的材料的化学结构式为，第一子像素101的发光器件EM的空穴阻挡层HBL的材料的化学结构式为，第一子像素101的发光器件EM的电子传输层ETL的材料的化学结构式为。
例如，在一些实施例中，对于第二子像素102（绿光子像素），第二发光层EML2包括主体材料和客体材料，第二发光层EML2的主体材料的化学结构式为和，第二发光层EML2的客体材料的化学结构式为，第二发光层EML2的P型掺杂材料的化学结构式为，第二子像素102的发光器件EM的空穴传输层HTL的材料的化学结构式为，第二子像素102的发光器件EM的电子阻挡层EBL的材料的化学结构式为和。
例如，在一些实施例中，对于第三子像素103（蓝光子像素），第三发光层EML3包括主体材料和客体材料，第三发光层EML3的主体材料的化学结构式为，第三发光层EML3的客体材料的化学结构式为，第三子像素103的发光器件EM的空穴注入层HIL的材料的材料的化学结构式为，第三子像素103的发光器件EM的空穴传输层HTL的材料的化学结构式为，第三子像素103的发光器件EM的电子阻挡层EBL的材料的化学结构式为。
例如，对于第一子像素101（红光子像素），第一发光层EML1的主体材料包括空穴型材料和电子型材料，空穴型材料的化学结构式为，电子型材料的化学结构式为，其中，D选自如下化学结构式所示的片段：，并且其中#为二苯并片段和苯环片段的稠合位点，X选自O、S、Se、C=O、S(=O)2、CR9R10、SiR9R10、NR9、PR9、P(=O)R9、BR9中的任意一种；L1和L2为连接基团，各自独立选自单键、取代或未取代的碳原子数为1-30的烷基链、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚杂芳基，以及它们的氘代衍生物。R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10各自独立的选自氢、氘、卤素原子、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的环烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的烷基硫基、经取代或未经取代的芳基硫基、经取代或未经取代的烷基磺酰基、经取代或未经取代的芳基磺酰基、经取代或未经取代的稀基、经取代或未经取代的甲硅烷基、经取代或未经取代的硼基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的芳基膦基、经取代或未经取代的氧化磷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的杂芳基、经取代或未经取代的杂环基、以及上述基团的氘代衍生物，且R1-R10可选择的与相邻基团键合以形成环；n1选自0-4的整数；n2、n3、n4、n5和n6各自独立的选自0-5的整数。
像素电路中的晶体管在长时间高温运行过程中，晶体管例如薄膜晶体管（TFT）的特性曲线会出现偏移，导致驱动晶体管的输出电流增大，引起发光器件的亮度上升。例如，白光由红绿蓝（RGB）三基色组成，且RGB三色发光器件的电阻及效率不同，电流上升带来的RGB亮度变化量出现差异，导致低灰阶下出现色偏现象。由于滤色子像素（G）的效率最高，亮度上升最大，因此造成低灰阶发绿。显示产品例如低温多晶硅-氧化物（Low TemperaturePolycrystalline Oxide，LTPO）产品，在长时间高温运行后，低灰阶亮度未出现明显变化，但仍出现低灰阶发绿现象。
为了解决低灰阶发绿现象，可采用如图19所示的双层电子阻挡层的结构。上述提及的电子阻挡子层的分子量限定，为了进一步减轻低灰阶发绿现象。
例如，2尼特亮度32灰阶，点亮十天本公开的实施例提供的显示基板，发单色光的子像素（RGB）的亮度变化值小于等于正负10%。
例如，第一发光器件EM1的第一发光层EML1中的掺杂材料的分子量范围为1000-1100。进一步例如，第一发光器件EM1的第一发光层EML1中的掺杂材料的分子量为1039。
例如，第二发光器件EM2的第二发光层EML2中的掺杂材料的分子量范围为1000-1100。进一步例如，第二发光器件EM2的第二发光层EML2中的掺杂材料的分子量为1039。
例如，第三发光器件EM3的第三发光层EML3中的掺杂材料的分子量范围为1000-1100。进一步例如，第三发光器件EM3的第三发光层EML3中的掺杂材料的分子量为1039。
例如，在第一发光器件EM1的第一发光层EML1、第二发光器件EM2的第二发光层EML2、以及第三发光器件EM3的第三发光层EML3中，掺杂材料相同，当然，也可以采用掺杂材料不同。
例如，如图19所示，第一发光层EML1的厚度范围为35~55nm、第二发光层EML2的厚度范围为25~40nm、第三发光层EML3的厚度范围为15~35nm，但不限于此。
图20为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。图20为单个子像素100的发光器件EM包括两个串联的发光器件而形成的双叠层（Tandem）结构。
例如，如图19和图20所示，第一发光器件EM1的厚度范围为3100Å-3300Å，第二发光器件EM2的厚度范围为2500Å-2700Å，第三发光器件EM3的厚度范围为2000Å-2200Å。
如图20所示，显示基板的发光器件EM包括N型掺杂的电荷生成层N-CGL和P型掺杂的电荷生成层P-CGL。N型掺杂的电荷生成层N-CGL和P型掺杂的电荷生成层P-CGL位于本地层LL01和本地层LL02之间。
如图20所示，第一发光器件EM1的本地层包括色偏调整层和发光层。
如图20所示，第一发光器件EM1的本地层LL01包括色偏调整层AL1-1和发光层EML1-1，第一发光器件EM1的本地层LL02包括色偏调整层AL1-2和发光层EML1-2。
如图20所示，第二发光器件EM2的本地层LL01包括色偏调整层AL2-1和发光层EML2-1，第二发光器件EM2的本地层LL02包括色偏调整层AL2-2和发光层EML2-2。
如图20所示，第三发光器件EM3的本地层LL01包括色偏调整层AL3-1和发光层EML3-1，第三发光器件EM3的本地层LL02包括色偏调整层AL3-2和发光层EML3-2。
如图20所示，显示基板的发光器件EM包括空穴传输层HTL、空穴阻挡层HBL、第一电子传输层ETL-1、第二电子传输层ETL-2。空穴传输层HTL、空穴阻挡层HBL、第一电子传输层ETL-1、第二电子传输层ETL-2为公共层。
图19和图20示出了第一电极层AE1，第一电极层AE1包括彼此间隔的多个第一电极E1。彼此间隔的多个第一电极E1可参照图15所示。为了简便起见，图20以第一电极层AE1示出。
图20示出了发光层EML11和发光层EML12。发光层EML11包括发光层EML1-1、发光层EML2-1、以及发光层EML3-1，发光层EML12包括发光层EML1-2、发光层EML2-2、以及发光层EML3-2。
图20还示出了第一色偏调整层AL11和第二色偏调整层AL12。第一色偏调整层AL11包括色偏调整层AL1-1、色偏调整层AL2-1、以及色偏调整层AL3-1，第二色偏调整层AL12包括色偏调整层AL1-2、色偏调整层AL2-2、以及色偏调整层AL3-2。
设置第一色偏调整层AL11和第二色偏调整层AL12，用以减轻视角色偏。
例如，可以通过调整第一色偏调整层AL11和/或第二色偏调整层AL12的厚度将色坐标、色偏等调到最优水平。例如，第一色偏调整层AL11和/或第二色偏调整层AL12可采用有机材料制作，例如，可采用有机小分子材料制作，但不限于此。
图20中的第一色偏调整层AL11和/或第二色偏调整层AL12可以为电子阻挡层EBL，但不限于此。第一色偏调整层AL11和/或第二色偏调整层AL12的厚度可参照之前对于电子阻挡层EBL的厚度设置，在此不再赘述。
需要说明的是，图19和图20中的发光器件的层结构不限于图中所示，可根据需要调整。
图19和图20中的光取出层CPL可参照之前描述，但不限于此，也可以采用其他结构。
例如，如图19和图20所示，第一发光器件EM1、第二发光器件EM2、第三发光器件EM3的微腔分别单独调整。例如，可通过调整图19中的电子阻挡层EBL的厚度来调整微腔的尺寸。例如，可通过调整图20中的第一色偏调整层AL11的厚度和/或第二色偏调整层AL12的厚度来调整微腔的尺寸。当然，也可以将公共层CL中的一些膜层分区域设置，即，不同发光器件的公共层CL中的一个或多个膜层调整为间隔设置，从而可以用来调整微腔。例如，第一发光器件EM1、第二发光器件EM2、第三发光器件EM3的空穴注入层间隔设置。例如，第一发光器件EM1、第二发光器件EM2、第三发光器件EM3的空穴传输层间隔设置。例如，第一发光器件EM1、第二发光器件EM2、第三发光器件EM3的电荷产生层间隔设置。例如，不同发光器件的空穴注入层、空穴传输层、和电荷产生层中至少之一采用间隔设置的方式。此处的微腔是指第一电极E1和第二电极E2之间的发光功能层FL所在的空间。显示基板可通过微腔效应来加强出光效率。微腔长度可指第一电极E1到第二电极E2的物理长度。
目前使用的发光器件例如OLED，多采用顶发射器件结构，采用反射的第一电极E1（阳极），半透明的第二电极E2（阴极）通过微腔效应来加强出光效率。
例如，第一子像素101的色域（BT2020标准）大于或等于95%，第二子像素102的色域（BT2020标准）大于或等于92.6%。通过微腔调整，使得第二子像素102的色偏调整层或电子阻挡层的厚度减小，使得第二子像素102的发光波长减小，第一子像素101的色偏调整层或电子阻挡层的厚度增大，第一子像素101的发光波长增加。从而，本公开的实施例提供的显示基板可以具有较高的色域。
图21为本公开的实施例提供的一种显示基板的示意图。例如，如图21所示，显示基板还包括冗余结构808，冗余结构808与第一发光器件EM1、第二发光器件EM2、第三发光器件EM3中之一的结构相同。冗余结构808为不发光的结构。设置冗余结构808，可减少刻蚀量，提高生产效率。
图21示出了第一冗余结构8081、第二冗余结构8082、以及第三冗余结构8083。图21所示的显示基板在制作过程中，包括如下步骤。
步骤1）、在位置P01、位置P02、以及位置P03处形成第一发光器件EM1的膜层，再刻蚀掉位置P02和位置P03处的结构。
步骤2）、在位置P01、位置P02、以及位置P03处形成第二发光器件EM2的膜层，再刻蚀掉位置P03处的结构，形成第一冗余结构8081。
步骤3）、在位置P01、位置P02、以及位置P03处形成第三发光器件EM3的膜层，形成第二冗余结构8082和第三冗余结构8083。
如图21所示，第一冗余结构8081与第二发光器件EM2的结构相同，设置第二冗余结构8082，可减少刻蚀量。即，只需要刻蚀掉第三发光器件EM3所在位置处的结构即可。
如图21所示，第二冗余结构8082与第三发光器件EM3的结构相同，第三冗余结构8083与第三发光器件EM3的结构相同。设置第二冗余结构8082和第三冗余结构8083，可减少一次刻蚀工艺，节省工艺。
图21所示的显示基板以具有第二冗余结构8082和第三冗余结构8083为例。在其他的实施例中，刻蚀掉第二冗余结构8082，或者刻蚀掉第二冗余结构8082和第三冗余结构8083，以减小显示基板的厚度。
如图21所示，显示基板包括衬底基板BS和像素电路层PXCL。像素电路层PXCL包括多个像素电路PXC。
图21还示出了像素界定层PDL的主体部MP和像素开口OPN1、第一电极E1、第二电极E2、第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、以及第三绝缘层ISL3。第一绝缘层ISL1、第二绝缘层ISL2、以及第三绝缘层ISL3中至少之一可采用无机绝缘材料制作。无机绝缘材料包括氮化硅，但不限于此。
为了改善发光效率，提升显示品质，图21所示的显示基板可以为底发光结构。
需要说明的是，图21仅为一种示例，本公开的实施例提供的显示基板也可以不设置冗余结构808。
图22为本公开的实施例提供的一种显示基板的平面图。例如，如图15和图22所示，子像素100包括像素电路PXC和发光器件EM，像素电路PXC被配置为驱动发光器件EM，发光器件EM包括第一发光器件EM1、第二发光器件EM2、以及第三发光器件EM3。显示基板还包括数据线DL和电源线PL，数据线DL被配置为向像素电路PXC提供数据电压，电源线PL被配置为向像素电路PXC提供电源电压，数据线DL和电源线PL被配置为垫平发光器件EM。
本公开的实施例提供的显示基板，数据线DL和电源线PL垫平发光器件EM，以避免或减轻不同视角的色偏。
图22所示的显示基板中的一个像素PX包括的第一子像素的情况可参照图11所示的情况，在此不再赘述。
例如，第一子像素101的亮度大于或等于第二子像素102的亮度，第二子像素102的亮度大于或等于第三子像素103的亮度。此处的亮度比较，可同为归一化亮度，或者同为亮度测量值。
例如，在自然模式或标准模式下，第一子像素101的亮度大于或等于160尼特，第二子像素102的亮度大于或等于130尼特，第三子像素103的亮度大于或等于60尼特。
例如，在自然模式或标准模式下，显示基板白光的亮度大于或等于550尼特。显示基板白光的亮度为显示基板工作时的亮度。亮度与工作电压有关。亮度越大，则寿命衰减的越快。
例如，在自然模式或标准模式下是指在日常工作环境中，普通显示情况下。
图23是一种显示面基板的子像素中的像素电路和发光器件的电路图。如图23所示，像素电路包括晶体管T1至晶体管T9、存储电容C1、以及存储电容C2。图23示出了节点N1至节点N5、第一电源电压端VDD、第二电源电压端VSS、数据线DL、第一参考电压线REF1、第二参考电压线REF2、第一初始化线INIT1、第一初始化线INIT2、第一栅线GL1、第二栅线GL2、第三栅线GL3、第四栅线GL4、第一发光控制信号线EM1、以及第二发光控制信号线EM2。
图23中的晶体管T1至晶体管T9中至少之一采用氧化物半导体作为有源层，且其中至少之一采用多晶硅作为有源层，以形成LTPO结构的像素电路。例如，图23中的晶体管T1和晶体管T2中至少之一可以采用氧化物半导体作为有源层，图23中的晶体管T3至晶体管T9中至少之一可以采用多晶硅作为有源层。
图23中的像素电路的晶体管T1至晶体管T9可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，或者可以采用氧化物薄膜晶体管，或者可以采用低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅（Low Temperature Poly-Silicon，LTPS），氧化物薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体（Oxide）。低温多晶硅薄膜晶体管具有迁移率高、充电快等优点，氧化物薄膜晶体管具有漏电流低等优点，将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管集成在一个显示基板上，即得到LTPO结构的显示基板，可以利用两者的优势，可以实现低频驱动，可以降低功耗，可以提高显示品质。
当然，本公开的实施例提供的显示基板的像素电路不限于9T2C的情形，可根据需要设置，例如，像素电路的晶体管数量可以为6-11。像素电路的晶体管包括至少两种有源层材料，该至少两种有源层材料包括多晶硅和氧化物半导体。
图24是一种显示面基板的截面图。如图24所示，显示面基板包括多个子像素100。图24示出了第一子像素101和第二子像素102。第三子像素的结构可参照第一子像素101或第二子像素102的结构。多个像素电路PXC和多个发光器件EM。如图24所示，像素电路PXC包括晶体管TA和晶体管TB。图24示出了发光器件EM1和发光器件EM2。例如，发光器件EM包括有机发光二极管，但不限于此。
如图24所示，显示面基板还包括存储电容Cst，存储电容Cst包括第一极板Ca和第二极板Cb。例如，第一极板Ca和第一栅极GT1位于同一层，第二极板Cb和第二栅极GT2位于同一层。
例如，如图24所示，为了利于第一电极E1的平坦化，平坦化层PLN3包括平坦化子层PLN3-1和平坦化子层PLN3-2。平坦化子层PLN3-1比平坦化子层PLN3-2更靠近衬底基板BS。当然，在其他的实施例中，平坦化层PLN3也可以采用单层结构。
图24示出了位于第一电极E1和第二电极E2之间的发光功能层EML，发光功能层EML包括公共层CL和本地层LL。
例如，如图24所示，晶体管TA包括第一栅极GT1、栅绝缘层GI1、第一有源层AT1、第一极Ea、以及第二极Eb，第一极Ea和第二极Eb分别与第一有源层AT1的两端相连。第一连接电极CE1与第二极Eb相连。例如，晶体管TA的第一有源层AT1采用低温多晶硅（LTPS），但不限于此。
例如，如图24所示，像素电路PXC还包括晶体管TB，晶体管TB包括第二栅极GT2、栅极GT3、栅绝缘层GI2、栅绝缘层GI3、第二有源层AT2、第三极Ec、以及第四极Ed，第三极Ec和第四极Ed分别与第二有源层AT2的两端相连。例如，晶体管TB的第二栅极GT2和栅极GT3形成双栅结构，以提升晶体管TB的性能。例如，晶体管TB的第二有源层AT2采用氧化物半导体，例如氧化铟镓锌（IGZO），但不限于此。
例如，如图24所示，第一连接电极CE1贯穿无机绝缘层PVX1和平坦化层PLN1。
例如，如图24所示，无机绝缘层PVX1设置在平坦化层的靠近衬底基板BS的一侧。
例如，如图24所示，第一电极E1通过贯穿至少部分的绝缘层ISL的过孔与多个像素电路PXC中的一个像素电路PXC相连。在设置连接电极的情况下，第一电极E1通过贯穿至少部分的绝缘层ISL的过孔连接至连接电极，连接电极再连接至像素电路PXC。在不设置连接电极的情况下，第一电极E1通过贯穿绝缘层ISL的过孔与像素电路PXC相连。连接电极包括第一连接电极CE1和第二连接电极CE2。
例如，如图24所示，显示面基板还包括第一连接元件CEa和第二连接元件CEb，第一连接元件CEa和第二连接元件CEb相连，第一连接元件CEa位于平坦化层PLN1上，第二连接元件CEb位于平坦化层PLN2上，第二连接元件CEb通过贯穿平坦化层PLN2的过孔与第一连接元件CEa相连。第一连接元件CEa和第一连接电极CE1位于同一层，第二连接元件CEb和连接电极CE2位于同一层。
例如，如图24所示，衬底基板BS包括第一衬底基板PI1、第一阻隔层BR1、第二衬底基板PI2、以及第二阻隔层BR2。当然，衬底基板BS的结构不限于上述描述。例如，衬底基板BS也可采用单层结构。如图24所示，在衬底基板BS上设有遮光层LS，遮光层LS可起到挡光作用，以提升晶体管TA的性能。遮光层LS在衬底基板BS上的正投影与第一有源层AT1在衬底基板BS上的正投影交叠。
如图24所示，遮光层LS位于衬底基板BS和第一有源层AT1之间。
例如，在本公开的实施例中，子像素可以设有遮光层LS。对于不同的子像素，遮光层LS可以具有相同或不同的形状，也可以具有相同或不同的尺寸。例如，对于第一子像素101、第二子像素102、以及第三子像素103，遮光层LS的图形可以相同，也可以不同。例如，对于第一子像素101、第二子像素102、以及第三子像素103，遮光层LS的图形的尺寸可以相同，也可以不同。
如图24所示，在遮光层LS上设有第一缓冲层BF1，在第一缓冲层BF1上设有第二缓冲层BF2，在第二缓冲层BF2上设置第二有源层AT2，在第二有源层AT2上设置栅绝缘层GI1，第一栅极GT1位于栅绝缘层GI1上，在第一栅极GT1上设置缓冲层BF3，在缓冲层BF3上设置第二栅极GT2，在第二栅极GT2上设置栅绝缘层GI2，在栅绝缘层GI2上设置第二有源层AT2，在第二有源层AT2上设置栅绝缘层GI3，在栅绝缘层GI3上设置层间绝缘层ILD，在层间绝缘层ILD上设置第一极Ea、第二极Eb、第三极Ec、以及第四极Ed。
如图24所示，显示面板还包括导电连接件Ee，导电连接件Ee可与遮光层LS相连。导电连接件Ee可与其他信号线例如提供恒定电压的电源线相连，以降低电源线的电阻。例如，该电源线可为提供电源电压VDD的信号线。导电连接件Ee位于层间绝缘层ILD上，可与第一极Ea、第二极Eb、第三极Ec、以及第四极Ed同层设置。
如图24所示，显示面板还包括隔垫物PS，隔垫物PS被配置为在蒸镀发光功能层EML中的本地层LL的过程中支撑精细金属掩膜。
例如，如图24所示，隔垫物PS可以与像素界定层PDL为一体结构，可采用双色调掩模版制作。
图24所示的本地层LL、公共层CL、第一公共层CL1、第二公共层CL2可参见图15中的相关描述，在此不再赘述。
例如，图24中的晶体管TA可以为图23中的晶体管T6或晶体管T7，图24中的晶体管TB可以为图23中的晶体管T1或晶体管T2。
如图9、图11、图16、图17所示，显示基板中的像素采用钻石排列。该钻石排列的显示基板可搭配LTPO结构的像素电路。进一步的，可为子像素设置遮光层LS。
本公开的实施例提供的显示基板的截面图不限于图24所示，可根据需要设置。
在本公开的实施例的一些附图中，平面图示出了方向Y和方向X，截面图示出了方向Z。方向Y和方向X均为平行于衬底基板BS的主表面的方向。方向Z为垂直于衬底基板BS的主表面的方向。方向Z垂直于方向X，并垂直于方向Y。例如，方向Y和方向X相交。本公开的实施例以方向Y和方向X垂直为例进行说明。如截面图所示，衬底基板BS的主表面为衬底基板BS的用于制作各个元件的表面。如截面图所示，衬底基板BS的上表面为衬底基板BS的主表面。
本公开的实施例以第一电极E1为阳极，第二电极E2为阴极为例进行说明。
在本公开的实施例中，第二电极E2为公共层，即，多个子像素的第二电极E2彼此相连，且为一体结构。
例如，第一电极E1采用导电材料制作。例如，第一电极E1的材料包括金属和导电的金属氧化物。例如，第一电极E1采用氧化铟锡（ITO）、银（Ag）、氧化铟锡（ITO）层叠设置的结构。第一电极E1的材料和结构可根据需要设置。
例如，第二电极E2采用导电材料制作。例如，第二电极E2的材料包括金属或合金。例如，第二电极E2的材料包括Mg/Ag合金。第二电极E2的材料和结构可根据需要设置。
例如，不同子像素的第二电极E2电连接，以利于提供相同的电压信号。
在本公开的实施例中，触控结构TL中的第一触控层TL1和第二触控层TL2均可以采用导电材料例如金属制作。触控结构TL可形成金属网格的结构，但不限于此。
例如，在本公开的实施例中，无机绝缘材料层包括氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅至少之一，但不限于此。
例如，在本公开的实施例中，有机绝缘材料层包括树脂，但不限于此。
本公开的实施例示意性的示出了像素电路PXC，未给出具体的结构。可以理解的是，像素电路PXC包括晶体管和电容。例如，像素电路PXC包括多个晶体管和至少一个电容。本公开的实施例对像素电路PXC的具体结构不作限定。
例如，像素电路PXC中的晶体管的有源层可以采用多晶硅或氧化物半导体，在像素电路PXC中的部分晶体管的有源层采用多晶硅，部分晶体管的有源层采用氧化物半导体的情况下，形成低温多晶硅-氧化物（Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO）结构。在本公开的实施例中，可采用LTPO结构的像素电路PXC。在此基础上，可设置遮光层，以提升晶体管性能。
在本公开的实施例中，发光器件EM可以为有机发光二极管（OLED），但不限于此。
在本公开的实施例中，公式中的“×”表示乘号，“/”为除号，即“÷”。
本公开的实施例提供的显示基板也可以称作显示面板。
本公开的实施例还提供一种显示装置，包括上述任一显示基板。
例如，该显示装置可以为有机发光二极管显示装置等显示器件以及包括该显示装置的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件，本公开的实施例包括但不限于此。
例如，该显示装置包括车载显示装置，但不限于此。
有以下几点需要说明：
在本公开的实施例中，构图或构图工艺可只包括光刻工艺，或包括光刻工艺以及刻蚀步骤，或者可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺。光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程，利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形。可根据本公开的实施例中所形成的结构选择相应的构图工艺。
例如，在本公开的实施例中，一个部件的厚度是指该部件在垂直于衬底基板的方向上的尺寸。
为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (54)

1.一种显示基板，包括：
衬底基板；以及
多个子像素，包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素被配置为发第一颜色光，所述第二子像素被配置为发与所述第一颜色光的颜色不同的第二颜色光；
所述第一子像素包括第一发光器件，所述第二子像素包括第二发光器件，
其中，所述第一发光器件在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸大于所述第二发光器件在垂直于所述衬底基板的方向上的尺寸，
在A视角和B视角下，所述第一子像素的亮度和所述第二子像素的亮度满足如下关系式：
(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2＝S0；
其中，S0为A视角和B视角下的色偏评价参数，
YRLA和YGLA分别为在A视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度，
YRLB和YGLB分别为在B视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度；
在上述关系式中，所述第一子像素的亮度为归一化亮度，所述第二子像素的亮度为归一化亮度；
A视角和B视角同为负视角或者同为正视角，0<|A|<|B|<45°，|B-A|≤15°，且S0≤1.60。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，|B-A|≤10°，0.20≤S0≤0.90。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，在视角的绝对值小于或等于30°的视角下，
|YGL1-YRL1|/|YGL2-YRL2|＝LA，|YGR1-YRR1|/|YGR2-YRR2|＝RA，
并且|RA-LA|≤0.47，
其中，LA为左视角下的色偏评价参数，RA为右视角下的色偏评价参数，
YRL1和YRL2分别为在-15°和-30°视角下，所述第一子像素的亮度，
YRR1和YRR2分别为在15°和30°视角下，所述第一子像素的亮度，
YGL1和YGL2分别为在-15°和-30°视角下，所述第二子像素的亮度，
YGR1和YGR2分别为在15°和30°视角下，所述第二子像素的亮度。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其中，在视角的绝对值大于或等于60°的视角下，
|YGL3-YRL3|＝YAL1，并且|YGL4-YRL4|＝YAL2，
|YGR3-YRR3|＝YAR1，并且|YGR4-YRR4|＝YAR2，
|YAL1/YAR1|的取值范围为0.5-1.2，并且|YAL2/YAR2|的取值范围为0.5-1.2，
YAL1为在-60°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，
YAL2为在-75°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，
YAR1为在60°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，
YAR2为在75°视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度差值，
YRL3和YRL4分别为在-60°和-75°视角下，所述第一子像素的亮度，
YRR3和YRR4分别为在60°和75°视角下，所述第一子像素的亮度，
YGL3和YGL4分别为在-60°和-75°视角下，所述第二子像素的亮度，
YGR3和YGR4分别为在60°和75°视角下，所述第二子像素的亮度。
5.根据权利要求3或4所述的显示基板，还包括光取出层，其中，所述光取出层被配置为提取所述多个子像素发出的光，所述光取出层位于所述多个子像素的背离所述衬底基板的一侧，所述光取出层的厚度为
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述光取出层包括第一光取出层和第二光取出层，所述第一光取出层比所述第二光取出层更靠近所述衬底基板，所述第一光取出层的厚度为所述第二光取出层的厚度为
7.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，其中，所述多个子像素还包括第三子像素，所述第三子像素包括第三发光器件，所述第三子像素被配置为发与所述第一颜色光的颜色不同且与所述第二颜色光的颜色不同的第三颜色光。
8.根据权利要求7所述的显示基板，还包括封装层，其中，所述封装层被配置为封装所述第一发光器件、所述第二发光器件、以及所述第三发光器件。
9.根据权利要求8所述的显示基板，还包括彩色滤光结构，其中，所述彩色滤光结构位于所述封装层的背离所述衬底基板的一侧，
所述彩色滤光结构包括黑矩阵和滤光层，所述黑矩阵具有第一开口、第二开口和第三开口，所述滤光层包括第一滤光部、第二滤光部、以及第三滤光部，所述第一滤光部被配置为透过所述第一颜色光，所述第二滤光部被配置为透过所述第二颜色光，所述第三滤光部被配置为透过所述第三颜色光，
所述第一滤光部与所述黑矩阵的所述第一开口在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第二滤光部与所述黑矩阵的所述第二开口在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第三滤光部与所述黑矩阵的所述第三开口在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，
所述第一子像素具有第一像素开口，所述第二子像素具有第二像素开口，所述第三子像素具有第三像素开口，
所述第一像素开口与所述第一滤光部在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第二像素开口与所述第二滤光部在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，所述第三像素开口与所述第三滤光部在垂直于所述衬底基板的方向上交叠。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述黑矩阵的所述第一开口与所述第一像素开口的最小尺寸差值为DF1，
所述黑矩阵的所述第二开口与所述第二像素开口的最小尺寸差值为DF2，
所述黑矩阵的所述第三开口与所述第三像素开口的最小尺寸差值为DF3，
DF1不同于DF2，并且DF1不同于DF3。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其中，DF1小于DF2，并且DF1小于DF3。
12.根据权利要求8所述的显示基板，还包括触控结构和阻隔层，其中，所述触控结构位于所述封装层的背离所述衬底基板的一侧，所述阻隔层位于所述触控结构的背离所述衬底基板的一侧，所述阻隔层具有开口，所述阻隔层的开口与所述子像素的像素开口在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，且所述阻隔层的开口与所述子像素的像素开口的尺寸不同。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述阻隔层的开口的尺寸小于所述子像素的像素开口的尺寸。
14.根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述阻隔层的开口的面积与所述子像素的像素开口的面积之比的范围为0.9-0.99。
15.根据权利要求9所述的显示基板，还包括出光增强图案，其中，所述出光增强图案位于发光器件层的背离所述衬底基板的一侧，所述发光器件层包括所述第一发光器件、所述第二发光器件以及所述第三发光器件，
所述出光增强图案包括多个出光增强部，相邻的出光增强部之间具有间隔，
在平面图中，所述出光增强图案的位于所述第一像素开口中的出光增强部的面积为SFZR，所述出光增强图案的位于所述第二像素开口中的出光增强部的面积为SFZG，所述出光增强图案的位于所述第三像素开口中的出光增强部的面积为SFZB，
在所述平面图中，所述第一像素开口的面积为SKR，所述第二像素开口的面积为SKG，所述第三像素开口的面积为SKB，
SFZR/SKR小于SFZG/SKG且SFZR/SKR小于SFZB/SKB。
16.根据权利要求15所述的显示基板，其中，所述出光增强部包括透镜。
17.根据权利要求15所述的显示基板，还包括功能膜层，其中，所述功能膜层覆盖所述出光增强图案。
18.根据权利要求17所述的显示基板，其中，所述功能膜层的折射率与所述出光增强图案的折射率不同。
19.根据权利要求18所述的显示基板，其中，所述功能膜层的折射率大于所述出光增强图案的折射率。
20.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第一子像素和所述第二子像素的混色区域的面积为SH12，所述第二子像素和所述第三子像素的混色区域的面积为SH23，所述混色区域为发光功能层中的本地层的交叠区域，
SH23＜SH12。
21.根据权利要求7所述的显示基板，其中，在一个第一子像素的周围设有两个第二子像素，所述两个第二子像素与该第一子像素的混色区域的面积分别为S1和S2，S1和S2不同。
22.根据权利要求21所述的显示基板，其中，在该第一子像素的周围设有另两个第二子像素，所述另两个第二子像素与该第一子像素的混色区域的面积分别为S3和S4，S3和S4不同。
23.根据权利要求15所述的显示基板，其中，在DCI-P3色域中，所述第一子像素的色域横坐标为RX，所述第二子像素的色域横坐标为GX，RX大于或等于0.686，并且小于或等于0.688；GX大于或等于0.254，并且小于或等于0.265。
24.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，其中，在BT2020标准下，所述第一子像素的色域大于或等于95％，所述第二子像素的色域大于或等于92.6％。
25.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第三发光器件包括阴极、阳极和位于所述阴极和所述阳极之间的第三发光层，所述第三发光层包括依次设置的第一发光子层、第二发光子层和第三发光子层，所述第一发光子层比所述第三发光子层更靠近所述阳极，所述第一发光子层中的空穴传输特性材料的含量大于所述第一发光子层中的电子传输特性材料的含量，所述第三发光子层中的空穴传输特性材料的含量小于所述第三发光子层中的电子传输特性材料的含量。
26.根据权利要求25所述的显示基板，其中，所述第三发光层的厚度为10-60nm。
27.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，其中，所述第一发光器件包括位于阴极和阳极之间的第一发光层和第一电子阻挡层，所述第二发光器件包括位于所述阴极和所述阳极之间的第二发光层和第二电子阻挡层，所述第一发光层和所述第一电子阻挡层在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，
所述第二发光层和所述第二电子阻挡层在垂直于所述衬底基板的方向上交叠，
所述第一电子阻挡层的厚度大于或等于所述第二电子阻挡层的厚度的3倍。
28.根据权利要求27所述的显示基板，其中，所述第一电子阻挡层的厚度为所述第二电子阻挡层的厚度为
29.根据权利要求28所述的显示基板，其中，所述多个子像素还包括第三子像素，所述第三子像素包括第三发光器件，所述第三子像素被配置为发与所述第一颜色光的颜色不同且与所述第二颜色光的颜色不同的第三颜色光，所述第三发光器件包括位于所述阴极和所述阳极之间的第三发光层和第三电子阻挡层，所述第二电子阻挡层的厚度大于或等于所述第三电子阻挡层的厚度。
30.根据权利要求29所述的显示基板，其中，所述第一电子阻挡层的厚度为所述第二电子阻挡层的厚度为所述第三电子阻挡层的厚度为
31.根据权利要求29所述的显示基板，其中，所述第一电子阻挡层的厚度为所述第二电子阻挡层的厚度为所述第三电子阻挡层的厚度为
32.根据权利要求29所述的显示基板，其中，所述第一电子阻挡层的分子量为680-720，所述第二电子阻挡层包括第一电子阻挡子层和第二电子阻挡子层，第一电子阻挡子层的分子量为640-680，第二电子阻挡子层的分子量为700-730，所述第三电子阻挡层的分子量为620-660。
33.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第一发光器件的厚度范围为所述第二发光器件的厚度范围为所述第三发光器件的厚度范围为
34.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第一发光器件的第一发光层中的掺杂材料的分子量范围为1000-1100。
35.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第二发光器件的第二发光层中的掺杂材料的分子量范围为1000-1100。
36.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第三发光器件的第三发光层中的掺杂材料的分子量范围为1000-1100。
37.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件的微腔分别单独调整。
38.根据权利要求37所述的显示基板，其中，所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件的空穴注入层间隔设置，和/或所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件的空穴传输层间隔设置，和/或所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件的电荷产生层间隔设置。
39.根据权利要求7所述的显示基板，还包括冗余结构，其中，所述冗余结构与所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件中之一的结构相同。
40.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述子像素包括像素电路和发光器件，所述像素电路被配置为驱动所述发光器件，所述发光器件包括所述第一发光器件、所述第二发光器件、以及所述第三发光器件，
其中，所述显示基板还包括数据线和电源线，所述数据线被配置为向所述像素电路提供数据电压，所述电源线被配置为向所述像素电路提供电源电压，所述数据线和所述电源线被配置为垫平所述发光器件。
41.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第一子像素的亮度大于或等于所述第二子像素的亮度，所述第二子像素的亮度大于或等于所述第三子像素的亮度。
42.根据权利要求7所述的显示基板，其中，在自然模式或标准模式下，所述第一子像素的亮度大于或等于160尼特，所述第二子像素的亮度大于或等于130尼特，所述第三子像素的亮度大于或等于60尼特。
43.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，其中，在自然模式或标准模式下，所述显示基板白光的亮度大于或等于550尼特。
44.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，还包括像素界定层，其中，所述子像素的发光器件的发光功能层包括公共层和本地层，所述像素界定层具有第一像素开口，所述本地层包括第一本地层，所述第一像素开口被配置为界定所述第一发光器件的发光区域，所述第一本地层在所述衬底基板上的正投影与所述第一像素开口在所述衬底基板上的正投影交叠，对于同一个第一子像素，所述第一像素开口的中心与所述第一本地层的中心不重合。
45.根据权利要求7所述的显示基板，还包括像素界定层，其中，所述子像素的发光器件的发光功能层包括公共层和本地层，所述像素界定层具有第一像素开口，所述本地层包括第一本地层，所述第一像素开口被配置为界定所述第一发光器件的发光区域，所述第一本地层在所述衬底基板上的正投影与所述第一像素开口在所述衬底基板上的正投影交叠，
所述第一子像素和所述第三子像素沿第一方向和第二方向排列，对于同一个第一子像素，在所述第一方向和所述第二方向至少之一的方向上，所述第一像素开口的中轴线与所述第一本地层的中轴线不重合。
46.根据权利要求45所述的显示基板，其中，所述第三子像素和所述第二子像素的本地层的交叠面积小于所述第一子像素和所述第二子像素的本地层的交叠面积。
47.根据权利要求45或46所述的显示基板，其中，所述本地层还包括第三本地层，所述第三本地层在所述衬底基板上的正投影与所述第三子像素的第三像素开口在所述衬底基板上的正投影交叠，所述第三子像素的像素开口的中心与所述第三本地层的中心的间距小于所述第一子像素的像素开口的中心与所述第一本地层的中心的间距。
48.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第一子像素被配置为发红光，所述第二子像素被配置为发绿光，所述第三子像素被配置为发蓝光。
49.根据权利要求7所述的显示基板，其中，在相同视角下，所述第二子像素的亮度和所述第三子像素的亮度的差值大于或等于0.001，并且小于或等于0.019，所述第三子像素的亮度为归一化亮度。
50.一种显示基板，包括：
衬底基板；以及
多个子像素，包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素被配置为发第一颜色光，所述第二子像素被配置为发与所述第一颜色光的颜色不同的第二颜色光；
所述第一子像素包括第一发光器件，所述第二子像素包括第二发光器件，
其中，
在视角的绝对值小于或等于30°的视角下，满足如下关系式：
|YGL1-YRL1|/|YGL2-YRL2|＝LA，|YGR1-YRR1|/|YGR2-YRR2|＝RA，
并且|RA-LA|≤0.47，
其中，LA为左视角下的色偏评价参数，RA为右视角下的色偏评价参数，
YRL1和YRL2分别为在-15°和-30°视角下，所述第一子像素的亮度，
YRR1和YRR2分别为在15°和30°视角下，所述第一子像素的亮度，
YGL1和YGL2分别为在-15°和-30°视角下，所述第二子像素的亮度，
YGR1和YGR2分别为在15°和30°视角下，所述第二子像素的亮度，
在上述关系式中，所述第一子像素的亮度为归一化亮度，所述第二子像素的亮度为归一化亮度，
其中，在A视角和B视角下，所述第一子像素的亮度和所述第二子像素的亮度满足如下关系式：
(YRLA+YRLB)×|B-A|/2-(YGLA+YGLB)×|B-A|/2＝S0；
其中，S0为A视角和B视角下的色偏评价参数，
YRLA和YGLA分别为在A视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度，
YRLB和YGLB分别为在B视角下，所述第一子像素和所述第二子像素的亮度；
A视角和B视角同为负视角或者同为正视角，0<|A|<|B|<45°，|B-A|≤15°，且S0≤1.60。
51.根据权利要求50所述的显示基板，其中，|B-A|≤10°，0.20≤S0≤0.90。
52.根据权利要求1-4、50-51任一项所述的显示基板，其中，所述第一子像素被配置为发红光，所述第二子像素被配置为发绿光或蓝光。
53.根据权利要求1-4、50-51任一项所述的显示基板，其中，所述子像素包括像素电路和发光器件，所述像素电路被配置为驱动所述发光器件，所述像素电路包括至少一个多晶硅为有源层的晶体管和至少一个氧化物半导体为有源层的晶体管，所述显示基板包括遮光层，所述多晶硅为有源层的晶体管中的有源层在所述衬底基板上的正投影与所述遮光层在所述衬底基板上的正投影交叠。
54.一种显示装置，包括根据权利要求1-53任一项所述的显示基板。
CN202410011702.3A 2024-01-04 2024-01-04 显示基板和显示装置 Active CN117529168B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410011702.3A CN117529168B (zh) 2024-01-04 2024-01-04 显示基板和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410011702.3A CN117529168B (zh) 2024-01-04 2024-01-04 显示基板和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117529168A CN117529168A (zh) 2024-02-06
CN117529168B true CN117529168B (zh) 2024-04-12

Family

ID=89757028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410011702.3A Active CN117529168B (zh) 2024-01-04 2024-01-04 显示基板和显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117529168B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101874317A (zh) * 2007-10-05 2010-10-27 全球Oled科技有限责任公司 具有补色子像素的led器件
CN113782695A (zh) * 2021-09-30 2021-12-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
WO2022246703A1 (zh) * 2021-05-26 2022-12-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2023050304A1 (zh) * 2021-09-30 2023-04-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10872939B2 (en) * 2018-09-04 2020-12-22 Apple Inc. Viewing angle color shift control

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101874317A (zh) * 2007-10-05 2010-10-27 全球Oled科技有限责任公司 具有补色子像素的led器件
WO2022246703A1 (zh) * 2021-05-26 2022-12-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113782695A (zh) * 2021-09-30 2021-12-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
WO2023050304A1 (zh) * 2021-09-30 2023-04-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN117529168A (zh) 2024-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200258959A1 (en) Display Panel, Fabrication Method Therefor, and Display Device
KR102266323B1 (ko) 디스플레이 유닛 및 발광 유닛
CN100484349C (zh) 有机发光元件
US10535719B2 (en) Color film substrate for WOLED display and WOLED display
CN107305908B (zh) 有机发光二极管和有机发光显示面板
CN103915580B (zh) 一种woled背板及其制作方法
CN108133952A (zh) 有机发光二极管显示装置
US20130256639A1 (en) Light emitting element and display apparatus
KR102679426B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11805677B2 (en) Display substrate, display panel, and manufacturing method of display substrate
KR20070037356A (ko) 향상된 채도를 가진 풀컬러 ｏｌｅｄ 디스플레이 및 이의제조 방법
WO2013104220A1 (zh) 一种电路、阵列基板及制作方法、显示器
CN105655372A (zh) 有机发光显示装置
CN111863929A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US20180375027A1 (en) Mask plate and manufacturing method thereof, and manufacturing method of organic light emitting diode display
WO2015096378A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN114188492B (zh) 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN113314682B (zh) 一种显示面板及其制备方法、电子设备
US20220393122A1 (en) Display Substrate and Preparation Method thereof, and Display Apparatus
WO2021238975A1 (zh) 发光器件、显示面板以及显示装置
KR101829847B1 (ko) 유기전계발광다이오드 및 그 제조방법
KR20180052912A (ko) 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
CN111668380A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2024046290A1 (zh) 发光器件、显示面板及其制备方法
CN109564931A (zh) 堆叠式有机发光装置、有机发光二极管显示装置和制造堆叠式有机发光装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant