CN117501837A - 一种显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

显示基板及其制造方法、显示装置，显示基板包括：衬底基板(100)，包括镂空区域(130)、岛(110)及连接桥(120)；多个显示单元；源漏金属图形，包括多根信号线(200)的图形；在岛(110)上，衬底基板(100)与源漏金属图形之间设有多个无机膜层(300)，多个无机膜层(300)包括位于最远离衬底基板(100)一侧的第一无机膜层(310)；在连接桥(120)上，衬底基板(100)与源漏金属图形之间仅设置至少一层第一有机膜层(400)，第一有机膜层(400)在衬底基板(100)上的正投影与连接桥(120)重合，在连接桥(120)与岛(110)连接的位置处第一有机膜层(400)的一部分与岛(110)在衬底基板(100)上的正投影部分重合以形成搭接区域；第一有机膜层(400)背离衬底基板(100)的一侧表面与第一无机膜层(310)背离衬底基板(100)的一侧表面齐平或断差小于预定阈值。提供的显示基板及其制造方法、显示装置能够解决连接桥(120)上信号线(200)易断裂的问题。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示装置 技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

相关技术中，可拉伸柔性显示装置成为未来显示技术发展方向。显示器件中各衬底及电路层等，尤其是无机层，虽具有一定的弯折性，但可拉伸量有限。若直接进行拉伸，则显示器件中的无机层、有机层、衬底及电路等会发生破碎或者不可逆的变形。因此在相关技术中对衬底基板及衬底基板以上膜层挖孔设置镂空区域，使得其显示基板分别形成呈阵列分布且彼此分割开的多个岛、及将多个岛中每个岛连接起来的多个连接桥，通过衬底基板上镂区域释放拉伸时的应变量，以使得显示基板具有可拉伸的性能。其中，岛上设置显示单元，连接桥上布设信号线。但是，在拉伸过程中应力应变主要集中在连接桥上，如何有效确保拉伸过程连接桥上布设的信号线不断裂是急需解决的问题。

发明内容

本公开实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，能够减少短路或者信号串扰问题。

本公开实施例所提供的技术方案如下：

本公开实施例提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置，能够解决连接桥上信号线易断裂的问题。

本公开实施例所提供的技术方案如下：

本公开一些实施例中提供了一种显示基板，包括：

衬底基板，所述衬底基板包括镂空区域、及由所述镂空区域形成的呈阵列分布且彼此分隔开的多个岛、及将多个所述岛中每个所述岛连接起来的多个连接桥；

呈阵列分布的多个显示单元，每一所述岛上设置有至少一个所述显示单元；及

电连接各所述显示单元的连接单元，所述连接单元包括多根信号线，所述多根信号线一部分布设于所述连接桥上，另一部分延伸至所述岛上且与所述显示单元电连接；其特征在于，

在所述衬底基板上设有源漏金属图形，所述源漏金属图形的图形包括所述多根信号线的图形；其中，

在所述岛上，所述衬底基板与所述源漏金属图形之间设有多个无机膜层，所述多个无机膜层包括位于最远离所述衬底基板一侧的第一无机膜层；

在所述连接桥上，所述衬底基板与所述源漏金属图形之间仅设置至少一层第一有机膜层，且所述第一有机膜层在所述衬底基板上的正投影与所述连接桥重合，且在所述连接桥与所述岛连接的位置处，所述第一有机膜层的一部分与所述岛在所述衬底基板上的正投影部分重合以形成搭接区域；所述第一有机膜层背离所述衬底基板的一侧表面与所述第一无机膜层背离所述衬底基板的一侧表面齐平或断差小于预定阈值。

示例性的，所述第一有机膜层与所述镂空区域在所述衬底基板上的正投影不重合；在所述连接桥与所述岛不连接的位置处，所述第一有机膜层与所述岛在所述衬底基板上的正投影不重合。

示例性的，所述搭接区域覆盖在所述第一无机膜层的远离所述衬底基板的一侧面上。

示例性的，所述搭接区域的宽度d大于0且小于或等于2微米。

示例性的，所述搭接区域从所述连接桥一侧至所述岛一侧呈爬坡状。

示例性的，所述岛在所述衬底基板上的正投影的图形包括位于与所述连接桥连接位置的第一边界线，所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影形状为沿所述第一边界线延伸。

示例性的，所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影的形状为圆弧状或直角形状。

示例性的，在所述连接桥上还设有第二有机膜层，所述第二有机膜层位于所述源漏金属图形的远离所述衬底基板的一侧，且所述第二有机膜层与所 述第一有机膜层在所述衬底基板上的正投影重合。

示例性的，所述衬底基板上还设有源漏金属覆盖图形，所述源漏金属覆盖图形包括位于所述岛上的第一图形和位于所述连接桥上的第二图形；

所述第一图形覆盖在所述源漏金属图形的远离所述衬底基板的一侧，且在所述衬底基板上的正投影围绕在所述显示单元在所述衬底基板上的正投影外围；

所述第二图形覆盖在所述第二有机膜层的远离所述衬底基板的一侧，且在所述衬底基板上的正投影与所述第二有机膜层在所述衬底基板上的正投影重合。

示例性的，在所述连接桥与所述岛连接位置处，所述第一图形在所述衬底基板上的正投影与所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影完全重合；

或者，在所述连接桥与所述岛连接位置处，所述第一图形在所述衬底基板上的正投影与所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影不重合。

示例性的，所述第一图形在远离所述衬底基板的一侧设有围绕所述显示单元设置的至少一圈凹槽。

示例性的，所述显示单元包括第一电极、位于所述第一电极的远离所述衬底基板一侧的第二电极及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，其中，所述衬底基板上还设有像素定义层，所述像素定义层上限定出多个像素开口，所述第一电极和所述发光层位于所述像素开口内；

所述衬底基板上还设有位于所述第一电极与所述第二电极之间的电极覆盖层，所述电极覆盖层的图形包括位于所述岛上的第三图形和位于所述连接桥上的第四图形，其中所述第三图形至少包括与所述像素开口重合的开口图形，所述第四图形与所述第二图形在所述衬底基板上的正投影重合。

示例性的，在所述连接桥与所述岛连接位置处，所述第三图形在所述衬底基板上的正投影包括与所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影完全重合的第二搭接图形；或者，在所述连接桥与所述岛连接位置处，所述第三图形在所述衬底基板上的正投影与所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影不重合。

示例性的，所述显示基板还包括封装层，所述封装层随形覆盖在所述显 示单元及所述连接单元的远离所述衬底基板的一侧。

示例性的，所述多个无机膜层包括从靠近所述衬底基板的一侧向远离所述衬底基板的一侧依次设置的隔离层、缓冲层、栅极绝缘层和层间介质层，其中所述第一无机膜层为所述层间介质层。

一种显示装置，其特征在于，包括如上所述的显示基板。

一种显示基板的制造方法，用于制造如上所述的显示基板，所述方法包括如下步骤：

提供一衬底基板，所述衬底基板包括镂空区域、及由所述镂空区域形成的呈阵列分布且彼此分隔开的多个岛和将多个所述岛中每个所述岛连接起来的多个连接桥；

在所述衬底基板上形成多个显示单元及电连接各所述显示单元的连接单元；其中，每一所述岛上设置有至少一个所述显示单元，所述连接单元包括多根信号线，所述多根信号线一部分布设于所述连接桥上，另一部分延伸至所述岛上且与所述显示单元电连接；在所述衬底基板上设有源漏金属图形，所述源漏金属图形的图形包括所述多根信号线的图形；在所述岛上，所述衬底基板与所述源漏金属图形之间设有多个无机膜层，所述多个无机膜层包括位于最远离所述衬底基板一侧的第一无机膜层；在所述连接桥上，所述衬底基板与所述源漏金属层之间仅设置至少一层第一有机膜层，且所述第一有机膜层在所述衬底基板上的正投影与所述连接桥重合，且在所述连接桥与所述岛连接的位置处，所述第一有机膜层的一部分与所述岛在所述衬底基板上的正投影部分重合以形成搭接区域；所述第一有机膜层背离所述衬底基板的一侧表面与所述第一无机膜层背离所述衬底基板的一侧表面齐平或断差小于预定阈值。

示例性的，所述在所述衬底基板上形成多个显示单元及电连接各所述显示单元的连接单元，具体包括：

在所述衬底基板上沉积所述多个无机膜层，去除所述连接桥上的所述多个无机膜层，保留所述岛上的所述多个无机膜层，所述多个无机膜层包括位于最远离所述衬底基板一侧的第一无机膜层。

示例性的，所述在所述衬底基板上沉积所述多个无机膜层，去除所述连 接桥上的所述多个无机膜层，保留所述岛上的所述多个无机膜层之后，所述方法还包括：

在所述第一无机膜层的远离所述衬底基板的一侧形成覆盖整个所述衬底基板的第一有机材料层；

对所述第一有机材料层进行图案化处理以形成第一有机图形，所述第一有机图形包括第一保留区和第一开口区，所述第一开口区至少包括所述显示单元所对应的区域。

示例性的，在所述对所述第一有机材料层进行图案化处理以形成第一有机图形之后，所述方法还包括：

在所述第一无机膜层的远离所述衬底基板的一侧形成源漏金属层；

对所述源漏金属层进行图案化处理以形成所述源漏金属图形。

示例性的，所述对所述源漏金属层进行图案化处理以形成所述源漏金属图形之后，所述方法还包括：

刻蚀所述镂空区域对应的所述第一有机材料层，以形成所述第一有机膜层。

示例性的，所述第一保留区包括所述搭接区域的图形。

本公开实施例所带来的有益效果如下：

上述方案中，显示基板的衬底基板包括岛、连接桥及镂空区域，所述岛上在信号线与衬底基板之间有多个无机膜层，而所述连接桥上将信号线与衬底基板之间的无机膜层去除，在信号线与衬底基板之间设置第一有机膜层，且所述第一有机膜层背离所述衬底基板的一侧面与所述第一无机膜层背离所述衬底基板的一侧面齐平或断差小于预定阈值，这样，该第一有机膜层可以填充岛上多个无机膜层与连接桥的衬底基板之间所形成的台阶差，从而可以使得信号线从连接桥平坦延伸进入岛上，从而，一方面连接桥上不设置无机膜层可增大其应力应变性能，另一方面可避免由于无机膜层与衬底基板之间存在台阶差所导致的信号线易断裂的问题。

附图说明

图1所示为本公开实施例中提供的显示基板的局部主视图；

图2所示为图1中F-F’向剖视图；

图3所示为图2中E局部放大图；

图4所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S01中在衬底基板上涂布PI层并沉积无机膜层的示意图；

图5所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S021中去除连接桥上的无机膜层的示意图；

图6所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S021中整面涂布第一有机材料层的示意图；

图7所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S021中对第一有机材料层图案化处理的示意图；

图8所示为图7的俯视图；

图9所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S022的示意图；

图10所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S023的示意图；

图11所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S024的示意图；

图12所示为图11的俯视图；

图13所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S025的示意图；

图14所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S026的示意图；

图15所示为图14的俯视图；

图16所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S027的示意图；

图17所示为图16的俯视图；

图18所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S028的示意图；

图19所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S028的示 意图；

图20所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S028的示意图；

图21所示为图20的俯视图；

图22所示为本公开实施例提供的显示基板的制造方法中步骤S028的示意图；

图23所示为图22的俯视图；

图24所示为本公开实施例提供的显示基板中第一有机膜层与岛的搭接位置示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

在对本公开实施例提供的显示基板及其制造方法、显示装置进行详细说明之前，有必要对于相关技术进行以下说明：

在相关技术中可拉伸显示基板中是对其衬底基板及衬底基板以上膜层挖孔设置镂空区域，使得其显示基板分别形成呈阵列分布且彼此分割开的多个岛、及将多个岛中每个岛连接起来的多个连接桥，通过衬底基板上镂区域释放拉伸时的应变量，以使得显示基板具有可拉伸的性能。其中岛上设置显示单元，连接桥上布设信号线，信号线进入岛上而与显示单元连接以实现显示驱动。在拉伸过程中应力应变主要集中在连接桥上，为了提高连接桥的拉伸应力，一些相关技术中，将连接桥上的信号线与衬底基板之间的无机膜层刻蚀掉，信号线直接沉积在衬底基板之上。但是这样，由于连接单元无机层刻蚀掉，而岛上存在无机层，因此会形成深台阶，信号线在进入显示单元时需要经过该深台阶，此处极易发生断裂或者由于侧壁爬坡膜厚减薄增加阻抗。因此如何有效确保拉伸过程信号线不断裂是急需解决的问题。

如图1至图3所示，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：

衬底基板100，所述衬底基板100包括镂空区域130、及由所述镂空区域130形成的呈阵列分布且彼此分隔开的多个岛110、及将多个所述岛110中每个所述岛110连接起来的多个连接桥120；

呈阵列分布的多个显示单元，每一所述岛110上设置有至少一个所述显示单元；及

电连接各所述显示单元的连接单元，所述连接单元包括多根信号线200，所述多根信号线200一部分布设于所述连接桥120上，另一部分延伸至所述岛110上且与所述显示单元电连接；

在所述衬底基板100上设有源漏金属图形，所述源漏金属图形的图形包括所述多根信号线200的图形；其中，

在所述岛110上，所述衬底基板100与所述源漏金属图形之间设有多个无机膜层300，所述多个无机膜层300包括位于最远离所述衬底基板100一侧的第一无机膜层310；

在所述连接桥120上，所述衬底基板100与所述源漏金属图形之间仅设置至少一层第一有机膜层400，且所述第一有机膜层400在所述衬底基板100上的正投影与所述连接桥120重合，且在所述连接桥120与所述岛110连接的位置处，所述第一有机膜层310的一部分与所述岛110在所述衬底基板100 上的正投影部分重合以形成搭接区域S；所述第一有机膜层400背离所述衬底基板100的一侧表面与所述第一无机膜层310背离所述衬底基板100的一侧表面齐平或断差小于预定阈值。

这里需要说明的是，所述第一有机膜层400背离所述衬底基板100的一侧表面与所述第一无机膜层310背离所述衬底基板100的一侧表面齐平或断差小于预定阈值，是指，如图2和图3所示，所述第一有机膜层400的背离所述衬底基板100的一侧表面包括所述搭接区域的表面及除了所述搭接区域之外的区域表面，所述第一有机膜层400的除了所述搭接区域之外的区域表面与第一无机膜层310在背离衬底基板100的一侧表面大致齐平，两者断差越小越好，该预定阈值可以是工艺中可允许的误差范围。

上述方案中，所述显示基板的衬底基板100包括岛110、连接桥120及镂空区域130，所述岛110上在信号线200与衬底基板100之间有多个无机膜层300，而所述连接桥120上将信号线200与衬底基板100之间的无机膜层去除，在信号线200与衬底基板100之间设置第一有机膜层400，且所述第一有机膜层400背离所述衬底基板100的一侧表面与所述第一无机膜层310背离所述衬底基板100的一侧表面齐平或断差小于预定阈值，这样，该第一有机膜层400可以填充岛110上多个无机膜层300与连接桥120的衬底基板100之间所形成的台阶差，从而可以使得信号线200从连接桥120平坦延伸进入岛110上，从而，一方面连接桥120上不设置无机膜层可增大其应力应变性能，另一方面可避免由于无机膜层与衬底基板100之间存在台阶差所导致的信号线200易断裂的问题。

在一些示例性的实施例中，所述第一有机膜层400与所述镂空区域130在所述衬底基板100上的正投影不重合；在所述连接桥120与所述岛110连接的位置处，所述第一有机膜层400的一部分与所述岛110在所述衬底基板100上的正投影部分重合以形成搭接区域；在所述连接桥120与所述岛110不连接的位置处，所述第一有机膜层400与所述岛110在所述衬底基板100上的正投影不重合。

也就是说，所述第一有机膜层400的图案与所述连接桥120的图案大致相同，且部分搭接在所述连接桥120与所述岛110连接的位置处，而所述连 接桥120与所述岛110不连接的位置处所述第一有机膜层400与所述岛110不搭接，这样，可以确保封装信赖性，此外在所述镂空区域130不设置所述第一有机膜层400，以保证显示基板的拉伸性能。

一些示例性的实施例中，如图2和图3所示，所述搭接区域S覆盖在所述第一无机膜层310的远离所述衬底基板100的一侧表面上。也就是说，以图2所示的方位为例，所述搭接区域S搭接在所述第一无机膜层310的上侧面。

此外，一些示例性的实施例中，所述搭接区域S的宽度d大于0且小于或等于2微米。这样的设置，既可以实现第一有机膜层400与岛110上的无机膜层搭接，以使得信号线200较为平坦的进入显示单元，又不会由于搭接区域S的存在而影响显示区域的正常显示，且也满足工艺精度。当然可以理解的是，在未示意出的其他实施例中，所述搭接区域S的尺寸可以不限制于此。

此外，在一些示例性的实施例中，如图3所示，所述搭接区域S从所述连接桥120一侧至所述岛110一侧呈爬坡状。所述第一有机膜层400可以通过曝光显影、刻蚀等工序进行图案化处理得到，由于刻蚀工艺限制，且考虑到为了使得信号线200经过搭接区域S与第一无机膜层310的交界处较为平缓，所述搭接区域S呈爬坡状，这样更有利于信号线200平缓经过搭接区域S与第一无机膜层310的交界处。

此外，在一些示例性的实施例中，如图24所示，所述岛110在所述衬底基板100上的正投影的图形包括位于与所述连接桥120连接位置的第一边界线，由于所述搭接区域S仅搭接在所述岛110与所述连接桥120的交界线位置即所述第一边界线处，因此，所述搭接区域S在所述衬底基板100上的正投影形状为沿所述第一边界线延伸。例如，所述搭接区域S在所述衬底基板100上的正投影的形状为圆弧状或直角形状等任意合适的形状。

需要说明的是，一些实施例中，所述显示单元可以包括薄膜晶体管和发光器件，所述发光器件可以包括与所述薄膜晶体管电连接的第一电极、位于所述第一电极的远离所述衬底基板100一侧的第二电极、及位于所述第一电极与所述第二电极之间的电致发光层，所述薄膜晶体管包括源极60、漏极70 和栅极80，所述源漏金属图形可以包括所述薄膜晶体管的源极和漏极、以及所述多根信号线200的图形。该实施例中，所述信号线200可以是在形成薄膜晶体管的源极和漏极时，采用同一次构图工艺同时形成。当然可以理解的是，在实际应用中，所述信号线200也可以是采用与所述薄膜晶体管的源极和漏极不同层的金属层图案化后形成。

需要说明的是，如图2所示的实施例中的显示基板为单层薄膜晶体管设计，即，所述源漏金属图形可仅有一层，信号线200可与该薄膜晶体管的源极、漏极同层且同材质设置。在未示意出的其他实施例中，显示基板还可以为双层薄膜晶体管设计，即，源漏金属图形可能有至少两层，此时，信号线200可以是位于任一层源漏金属图形上。优选的，由于信号线200需要与第二电极搭接，因此，信号线200可以是由位于最靠近第二电极一侧的源漏金属图形形成。例如，显示基板为双层薄膜晶体管设计，其包括两层源漏金属图形，两层源漏金属图形包括位于最靠近第二电极一侧的第一源漏金属图形和位于最靠近衬底基板100一侧的第二源漏金属图形，由于信号线200需要与第二电极搭接，因此，信号线200可以是由位于最靠近第二电极一侧的第一源漏金属图形形成，薄膜晶体管的源极和漏极图形则可以由位于最靠近所述衬底基板一侧的第二源漏金属图形形成。

此外，在一些示例性的实施例中，如图2所示，在所述连接桥120上还设有第二有机膜层500，所述第二有机膜层500位于所述源漏金属图形的远离所述衬底基板100的一侧，且所述第二有机膜层500与所述第一有机膜层400在所述衬底基板100上的正投影重合。也就是说，第二有机膜层500的图案与第一有机膜层400图案大致相同。

此外，在一些示例性的实施例中，如图2所示，所述衬底基板100上还设有源漏金属覆盖图形600(SD cover)，所述源漏金属覆盖图形600包括位于所述岛110上的第一图形和位于所述连接桥120上的第二图形；

所述第一图形覆盖在所述源漏金属图形的远离所述衬底基板100的一侧，且在所述衬底基板100上的正投影围绕在所述显示单元在所述衬底基板100上的正投影外围；

所述第二图形覆盖在所述第二有机膜层500的远离所述衬底基板100的 一侧，且在所述衬底基板100上的正投影与所述第二有机膜层500在所述衬底基板100上的正投影重合。

在上述方案中，所述源漏金属覆盖图形600主要在图案化处理所述第一有机膜层400时，可起到掩模板作用(覆盖遮挡作用)，防止其下方的所述源漏金属图形及所述无机膜层被刻蚀掉。

一些示例性的实施例中，如图2和图17所示，在所述连接桥120与所述岛110连接位置处，所述第一图形在所述衬底基板100上的正投影包括与所述搭接区域S在所述衬底基板100上的正投影完全重合的第一搭接图形S1。

采用上述方案，所述第一图形可包括与所述搭接区域S的图形完全重合的第一搭接图形S1，在所述第一有机膜层400图案化工艺时，所述第一图形上的第一搭接图形S1可起到掩模板作用，基于该图案设计，在对所述第一有机膜层400进行图案化处理时，可使得在所述岛110与所述连接桥120的连接位置处保留所述第一有机膜层400，而形成所述搭接区域S。例如，请结合图12、图17和图24，所述岛110在A、B、C和D四个位置与连接桥120进行连接，也就是说，在所述岛110的A、B、C和D四个位置具有搭接区域S，相应的，所述第一图形围绕在所述显示单元外围，且在A、B、C和D四个位置具有第一搭接图形S1，以使所述第一有机膜层400图案化时在A、B、C和D四个位置形成搭接区域S。

在另一些示例性的实施例中，在所述连接桥120与所述岛110连接位置处，所述第一图形在所述衬底基板100上的正投影与所述搭接区域S在所述衬底基板100上的正投影不重合。

采用上述方案，所述第一图形上也可不设置与所述搭接区域S重合的第一搭接图形S1，这样，可在所述第一有机膜层400进行图案化处理时，采用额外的掩模板进行图案化设计，以使所述第一有机膜层400形成包括所述搭接区域S在内的图形。

此外，在一些示例性的实施例中，如图2和图15所示，所述源漏金属覆盖图形600中所述第一图形在远离所述衬底基板100的一侧设有围绕所述显示单元设置的至少一圈凹槽620。

采用上述方案，所述源漏金属覆盖图形600在所述显示单元外且围绕所 述显示单元设置凹槽620图形，这样，可增加水氧侵蚀路径。此外，所述源漏金属覆盖图形600可选用无机材料制成。所述第二图形的膜层厚度小于或等于所述第一图形的膜层厚度，这样，可以减薄所述信号线200上方的无机层厚度，以提高所述连接桥120的弹性，所述第二图形处的膜层厚度约为

所述源漏金属覆盖图形600为绝缘层，其材料可以选用无机半导体材料(非晶硅和多晶硅)、有机半导体材料和含氧化物半导体材料(如Zn、In、Ga等)等材料中的一种或多种。

此外，在一些示例性的实施例中，如图2所示，所述发光器件包括第一电极10、位于所述第一电极10的远离所述衬底基板100一侧的第二电极20、及位于所述第一电极10和所述第二电极20之间的发光层30，其中，所述衬底基板100上还设有像素定义层40，所述像素定义层40上限定出多个像素开口，所述第一电极10和所述发光层30位于所述像素开口内；

所述衬底基板100上还设有位于所述第一电极10与所述第二电极20之间的电极覆盖层700(AND cover)，所述电极覆盖层700的图形包括位于所述岛110上的第三图形和位于所述连接桥120上的第四图形，其中所述第三图形至少包括与所述像素开口重合的开口图形，所述第四图形与所述第二图形在所述衬底基板100上的正投影重合。

采用上述方案，所述电极覆盖层700可以在所述第一有机膜层400及所述第二有机膜层500、镂空区域130的无机膜层等进行图案化工艺时，所述第三图形可起到掩模板作用。在对所述第一有机膜层400及第二有机膜层500进行图案化处理时，可对所述第一电极10层进行保护，以避免其背刻蚀。同时，由于所述第三图形还可以包括与所述像素开口重合的开口图形，可在该开口图形内形成电致发光层30及第二电极20，以便于形成发光器件。

此外，示例性的，如图23所示，在所述连接桥120与所述岛110连接位置处，所述第三图形在所述衬底基板100上的正投影包括与所述搭接区域S在所述衬底基板100上的正投影完全重合的第二搭接图形S2。采用上述方案，所述第三图形可包括与所述搭接区域S的图形完全重合的第二搭接图形S2，在所述第一有机膜层400图案化工艺时，所述第三图形上的第二搭接图形S2 可起到掩模板作用，基于该图案设计，在对所述第一有机膜层400进行图案化处理时，可使得在所述岛110与所述连接桥120的连接位置处保留所述第一有机膜层400，而形成所述搭接区域S。例如，所述岛110在A、B、C和D四个位置与连接桥120进行连接，也就是说，在所述岛110的A、B、C和D四个位置具有搭接区域S，相应的，所述第三图形在A、B、C和D四个位置具有第二搭接图形S2，以使所述第一有机膜层400图案化时在A、B、C和D四个位置形成搭接区域S。

此外，另一些实施例中，在所述连接桥120与所述岛110连接位置处，所述第三图形在所述衬底基板100上的正投影与所述搭接区域S在所述衬底基板100上的正投影不重合。采用上述方案，所述第三图形上也可不设置与所述搭接区域S重合的第二搭接图形S2，这样，可在所述第一有机膜层400进行图案化处理时，采用额外的掩模板进行图案化设计，以使所述第一有机膜层400形成包括所述搭接区域S在内的图形。

一些示例性的实施例中，如图2所示，所述显示基板还包括封装层50，所述封装层50随形覆盖在所述显示单元及所述连接单元的远离所述衬底基板100的一侧。

此外，一些实施例中，如图2所示，所述衬底基板100上可以设置PI层140，所述PI层140为基板底面保护膜层，材料可选用二甲基硅氧烷、聚酰亚胺、PET等具有高弹性的材料。在所述PI层140与所述衬底基板100之间可设置有粘接层150(PSA)，其材料可以选用亚克力系、硅系等胶材。其中所述PI层140可以设置于所述连接桥120与所述岛110上，而在镂空区域130被刻蚀掉，而所述粘接层150可正面覆盖所述衬底基板100。在所述岛110上，所述PI层140远离所述衬底基板100的一侧设置所述多个无机膜层300，所述多个无机膜层300具体可以包括：隔离层320(Barrier)、缓冲层330(Buffer)、栅极绝缘层340(GI，图中所示实施例中包括第一栅极绝缘层341和第二栅极绝缘层342)和层间介质层310’(ILD)等。其中一些实施例中，所述层间介质层310’即为所述第一无机膜层。在所述连接桥120上，所述第一有机膜层400位于所述PI层140的远离所述衬底基板100的一侧。

此外，一些实施例中，所述显示基板还包括封装层50，所述封装层50 随形覆盖在所述显示单元及所述连接单元的远离所述衬底基板100的一侧。

其中，隔离层320、缓冲层330、栅极绝缘层340及源漏金属覆盖层均为绝缘层，材料可以为SiOx、SiONx、SiNx等单层或者多层无机层、或者无机半导体材料(非晶硅和多晶硅)、有机半导体材料、含氧化物半导体材料(例如，12、13、14族金属元素中的氧化物，如Zn、In、Ga等)。

所述栅极、所述源漏金属图形及所述第一电极10均为信号线200或金属引出线，材料可以为Ti、Al、Mo、Ag等导电金属、或者ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、AZO等导电氧化物、或者混有导电颗粒的橡胶等具有高延展性的导电材料、碳纳米管等。

所述第一有机膜层400和所述第二有机膜层500的材料可以选用聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的通用聚合物、基于苯酚基团的聚合物衍生物，基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物中的一种或多种材料的混合物。其中所述第一有机膜层400、所述第二有机膜层500分别位于所述信号线200的靠近所述衬底基板100的一侧和远离所述衬底基板100的一侧，可保护所述信号线200不断裂。所述第一有机膜层400和所述第二有机膜层500均可通过光刻工艺实现图案化。

所述像素定义层40的材料可选用聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的通用聚合物、基于苯酚基团的聚合物衍生物，基于亚克力的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟化物的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物中的一种或多种材料的混合物。

所述第一电极10可以为像素阳极，所述第二电极20可以为像素阴极。

所述第一电极10的材料可以选用Ti、Al、Mo、Ag等导电金属、或者ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、AZO等导电氧化物。

所述电致发光层30可以为有机发光层30，其材料可以选用磷光、荧光发光材料。

所述第二电极20的材料可以为Ti、Al、Mo、Mg、Ag等导电金属、或金属合金、或ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、AZO等导电氧化物。

所述封装层50可以由一层或者多层无机层组成，材料可以为SiOx、 SiONx、SiNx等单层或者多层无机层，或者铝氧化物、铝氮化物、钛氮化物、钛氮化物等致密膜层。

此外，本公开实施例还提供了一种显示装置，其特征在于，包括本公开实施例所提供的的显示基板。

此外，本公开实施例还提供了一种显示基板的制造方法，用于制造本公开实施例提供的显示基板，所述方法包括如下步骤：

步骤S01、提供一衬底基板100，所述衬底基板100包括镂空区域130、及由所述镂空区域130形成的呈阵列分布且彼此分隔开的多个岛110和将多个所述岛110中每个所述岛110连接起来的多个连接桥120；

其中，所述衬底基板100选用柔性衬底，其上方可涂布PI层140，并依次在所述PI层140上形成隔离层320、缓冲层330、栅极图形、栅极绝缘层340和层间介质层310’等，然后刻蚀掉所述镂空区域130及所述连接桥120上的隔离层320、缓冲层330、栅极绝缘层340和层间介质层310’等无机膜层，保留所述镂空区域130及所述连接桥120上的PI层140。

步骤S02、在所述衬底基板100上形成多个显示单元及电连接各所述显示单元的连接单元；其中，每一所述岛110上设置有至少一个所述显示单元，所述连接单元包括多根信号线200，所述多根信号线200一部分布设于所述连接桥120上，另一部分延伸至所述岛110上且与所述显示单元电连接；在所述衬底基板100上设有源漏金属图形，所述源漏金属图形的图形包括所述多根信号线200的图形；在所述岛110上，所述衬底基板100与所述源漏金属图形之间设有多个无机膜层300，所述多个无机膜层300包括位于最远离所述衬底基板100一侧的第一无机膜层310；在所述连接桥120上，所述衬底基板100与所述源漏金属层之间仅设置至少一层第一有机膜层400，且所述第一有机膜层400在所述衬底基板100上的正投影与所述连接桥120重合，所述第一有机膜层400背离所述衬底基板100的一侧面与所述第一无机膜层310背离所述衬底基板100的一侧面齐平或断差小于预定阈值。

示例性的，上述步骤S02具体包括：

在所述衬底基板上沉积所述多个无机膜层，去除所述连接桥上的所述多个无机膜层，保留所述岛上的所述多个无机膜层，所述多个无机膜层包括位 于最远离所述衬底基板一侧的第一无机膜层；

在所述第一无机膜层的远离所述衬底基板的一侧形成覆盖整个所述衬底基板的第一有机材料层；

对所述第一有机材料层进行图案化处理以形成第一有机图形，所述第一有机图形包括第一保留区和第一开口区，所述第一开口区至少包括所述显示单元所对应的区域；

在所述第一无机膜层的远离所述衬底基板的一侧形成源漏金属层；

对所述源漏金属层进行图案化处理以形成所述源漏金属图形；

刻蚀所述镂空区域对应的所述第一有机材料层，以形成所述第一有机膜层。

其中，一些实施例中，所述第一保留区包括所述搭接区域的图形。

以下更为详细的说明本公开实施例中的显示基板的制造方法：

示例性的，上述步骤S02具体包括：

步骤S021、在所述衬底基板100上沉积所述多个无机膜层300，去除所述连接桥120上的所述多个无机膜层300，保留所述岛110上的所述多个无机膜层300，所述多个无机膜层300包括位于最远离所述衬底基板一侧的第一无机膜层310；

步骤S022、在所述第一无机膜层310的远离所述衬底基板100的一侧形成覆盖整个所述衬底基板100的第一有机材料层400’，并对所述第一有机材料层400’进行图案化处理以形成第一有机图形，所述第一有机图形包括第一保留区a和第一开口区，所述第一开口区至少包括所述显示单元所对应的区域；

步骤S023、在所述第一无机膜层310的远离所述衬底基板100的一侧形成源漏金属层，并对所述源漏金属层进行图案化处理以形成所述源漏金属图形；

步骤S024、在所述源漏金属图形的远离所述衬底基板100的一侧形成覆盖整个所述衬底基板100的第二有机材料层，并对所述第二有机材料层进行图案化处理以形成第二有机图形，所述第二有机图形包括第二保留区和第二开口区；

步骤S025、在所述第二有机图形的远离所述衬底基板100的一侧形成源漏金属覆盖层600’，所述源漏金属覆盖层600’进行图案化处理，形成源漏金属覆盖图形600，所述源漏金属覆盖图形600包括位于所述岛110上的第一图形和位于所述连接桥120上的第二图形，所述第一图形覆盖在所述源漏金属图形、所述第二保留区及所述第一有机材料层400’的远离所述衬底基板100的一侧，且在所述衬底基板100上的正投影围绕在所述显示单元在所述衬底基板100上的正投影外围，所述第二图形覆盖在所述第二有机膜层500的远离所述衬底基板100的一侧，且在所述衬底基板100上的正投影与所述第二有机膜层500在所述衬底基板100上的正投影重合；

步骤S026、在所述衬底基板100上形成像素定义层40，所述像素定义层40上设有多个像素开口；

步骤S027、在所述衬底基板100上形成所述发光器件的第一电极10的图形；

步骤S028、在所述第一电极10的远离所述衬底基板100的一侧随形覆盖电极覆盖层700，所述电极覆盖层700的图形包括位于所述岛110上的第三图形和位于所述连接桥120上的第四图形，其中所述第三图形至少包括与所述像素开口重合的开口图形，所述第四图形与所述第二图形在所述衬底基板100上的正投影重合；

步骤S029、刻蚀所述镂空区域130对应的有机材料层，所述有机材料层包括所述第一有机材料层400’和所述第二有机材料层，其中在刻蚀过程中，所述源漏金属覆盖层600’及所述电极覆盖层700起掩模板作用分别遮挡所述源漏金属图形及所述第一电极10图形。

一些示例性的实施例中，所述方法中，所述第一保留区a包括所述搭接区域S的图形(即图12所示的S’区域即为第一保留区a中与所述搭接区域S的对应的图形)时，所述第二保留区包括所述搭接区域S的图形，且所述第一图形包括在所述衬底基板100上的正投影包括与所述搭接区域S在所述衬底基板100上的正投影完全重合的第一搭接图形S1，所述第三图形包括在所述衬底基板100上的正投影包括与所述搭接区域S在所述衬底基板100上的正投影完全重合的第二搭接图形S2。

采用上述方案，所述第一保留区a和所述第二保留区中包括搭接区域S的图形，是指，步骤S022和步骤S023中在对第一有机膜层400和第二有机膜层500进行图案化处理时，直接利用掩模板形成所述搭接区域S的图形。此时，所述源漏金属覆盖层600’和所述电极覆盖层700上可以同时也分别设置所述第一搭接图形S1和所述第二搭接图形S2。

在另一些实施例中，所述第一保留区a包括所述搭接区域S的图形时，所述第二保留区包括所述搭接区域S的图形，且所述第一图形和所述第三图形不包括所述搭接区域S的图形。所述第一保留区a和所述第二保留区中不包括搭接区域S的图形，是指，步骤S022和步骤S023中在对第一有机膜层400和第二有机膜层500进行图案化处理时可不形成所述搭接区域S的图形，此时，在步骤S028和步骤S029中则所述源漏金属覆盖图形600及所述电极覆盖图形可以不包括所述搭接区域S的图形。

在另一些实施例中，所述第一保留区a不包括所述搭接区域S的图形时，所述第二保留区不包括所述搭接区域S的图形，且所述第一图形包括在所述衬底基板100上的正投影包括与所述搭接区域S在所述衬底基板100上的正投影完全重合的第一搭接图形S1，所述第三图形包括在所述衬底基板100上的正投影包括与所述搭接区域S在所述衬底基板100上的正投影完全重合的第二搭接图形S2。采用上述方案，所述第一保留区a和所述第二保留区中包括搭接区域S的图形，是指，步骤S022和步骤S023中在对第一有机膜层400和第二有机膜层500进行图案化处理时，利用掩模板可不形成所述搭接区域S的图形。此时，所述源漏金属覆盖层600’和所述电极覆盖层700上可以同时也分别设置所述第一搭接图形S1和所述第二搭接图形S2，以形成所述搭接区域S的图形。

以下对本公开实施例提供的方法进行示例性的详细说明。

实施例1

本公开实施例提供的显示基板的制造方法包括如下步骤：

步骤S01、如图4和图5所示，提供一衬底基板100，所述衬底基板100可选用柔性衬底，在所述衬底基板100上方涂布PI层140，并依次在所述PI层140上形成隔离层320、缓冲层330、有源层350、栅极图形、栅极绝缘层 340和层间介质层310’等(如图3所示)，其中以图4所示为例所述层间介质层310’即为第一无机膜层310，然后刻蚀掉镂空区域130及连接桥120对应区域的隔离层320、缓冲层330、栅极绝缘层340和层间介质层310’等无机膜层，保留镂空区域130及连接桥120上的PI层140，且保留岛110对应区域上的隔离层320、缓冲层330、栅极绝缘层340和层间介质层310’等无机膜层(如图5所示)；

步骤S021、在所述第一无机膜层310的远离所述衬底基板100的一侧形成覆盖整个所述衬底基板100的第一有机材料层400’，所述第一有机材料层400’可选用整面涂布方式形成，其可填充于所述岛110上的多个无机膜层300与所述连接桥120、所述镂空区域130之间的台阶差(如图6所示)，对所述第一有机材料层400’进行图案化处理以形成第一有机图形，所述第一有机图形包括第一保留区a和第一开口区(如图7和图8所示)，此时，如图8所示，所述第一保留区a包括所述搭接区域S的图形；

步骤S022、如图9所示，在所述层间介质层310’上开孔，以露出所述有源层；

步骤S023、如图10所示，在所述层间介质层310’上沉积源漏金属层，并对所述源漏金属层进行图案化处理以形成所述源漏金属图形；

步骤S024、如图11和图12所示，在所述源漏金属图形的远离所述衬底基板100的一侧形成覆盖整个所述衬底基板100的第二有机材料层，并对所述第二有机材料层进行图案化处理以形成第二有机图形，所述第二有机图形包括第二保留区和第二开口区，其中所述第二保留区包括所述搭接区域S的图形；

步骤S0251、如图13所示，在所述第二有机图形的远离所述衬底基板100的一侧形成源漏金属覆盖层600’；然后，如图14和图15所示，对所述源漏金属覆盖层600’进行图案化处理，形成源漏金属覆盖图形600，所述源漏金属覆盖图形600包括位于显示单元外围的至少一圈凹槽620；

步骤S0252、如图16和图17所示，刻蚀显示单元对应区域的源漏金属覆盖层600’及所述镂空区域130对应区域的源漏金属覆盖层600’，以形成源漏金属覆盖图形600，所述源漏金属覆盖图形600包括位于所述岛110上 的第一图形和位于所述连接桥120上的第二图形，所述第一图形在所述衬底基板100上的正投影围绕在所述显示单元在所述衬底基板100上的正投影外围，且所述第一图形可不包括与搭接区域S对应的第一搭接图形S1，所述第二图形在所述衬底基板100上的正投影与所述第二有机膜层500在所述衬底基板100上的正投影重合；

步骤S026、在所述衬底基板100上形成像素定义层40，所述像素定义层40上设有多个像素开口；

步骤S027、在所述衬底基板100上形成所述发光器件的第一电极10的图形(如图18所示)；

步骤S0281、如图19所示，在所述第一电极10的远离所述衬底基板100的一侧随形覆盖电极覆盖层700；

步骤S0282、如图20和图21所示，对所述刻蚀掉所述镂空区域130所对应区域的电极覆盖层700、所述第一有机膜层400、第二有机膜层500及PI层140；

步骤S029、如图22和图23所示，刻蚀掉所述第一电极10对应区域的所述电极覆盖层700，以使得所述电极覆盖层700的图形包括位于所述岛110上的第三图形和位于所述连接桥120上的第四图形，其中所述第三图形至少包括与所述像素开口重合的开口图形，所述第四图形与所述第二图形在所述衬底基板100上的正投影重合，其中所述第三图形可不包括与所述搭接区域S对应的图形；

步骤S030、蒸镀电致发光层30；

步骤S031、对上述衬底基板100进行薄膜封装，以形成封装层50。

实施例2

实施例2与实施例1的不同之处在于，上述步骤S0252中，所述第一图形可包括与搭接区域S对应的第一搭接图形S1；上述步骤S029中所述第三图形包括与所述搭接区域S对应的图形。

实施例3

实施例3与实施例1的不同之处在于，上述步骤S021中，所述第一保留区a不包括所述搭接区域S的图形；上述步骤S024中，所述第二保留区包括 所述搭接区域S的图形；上述步骤S0252中，所述第一图形可包括与搭接区域S对应的第一搭接图形S1；上述步骤S029中所述第三图形包括与所述搭接区域S对应的图形。

有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (22)

1. 一种显示基板，包括：

   衬底基板，所述衬底基板包括镂空区域、及由所述镂空区域形成的呈阵列分布且彼此分隔开的多个岛、及将多个所述岛中每个所述岛连接起来的多个连接桥；

   呈阵列分布的多个显示单元，每一所述岛上设置有至少一个所述显示单元；及

   电连接各所述显示单元的连接单元，所述连接单元包括多根信号线，所述多根信号线一部分布设于所述连接桥上，另一部分延伸至所述岛上且与所述显示单元电连接；其特征在于，

   在所述衬底基板上设有源漏金属图形，所述源漏金属图形的图形包括所述多根信号线的图形；其中，

   在所述岛上，所述衬底基板与所述源漏金属图形之间设有多个无机膜层，所述多个无机膜层包括位于最远离所述衬底基板一侧的第一无机膜层；

   在所述连接桥上，所述衬底基板与所述源漏金属图形之间仅设置至少一层第一有机膜层，且所述第一有机膜层在所述衬底基板上的正投影与所述连接桥重合，且在所述连接桥与所述岛连接的位置处，所述第一有机膜层的一部分与所述岛在所述衬底基板上的正投影部分重合以形成搭接区域；所述第一有机膜层背离所述衬底基板的一侧表面与所述第一无机膜层背离所述衬底基板的一侧表面齐平或断差小于预定阈值。
2. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一有机膜层与所述镂空区域在所述衬底基板上的正投影不重合；在所述连接桥与所述岛不连接的位置处，所述第一有机膜层与所述岛在所述衬底基板上的正投影不重合。
3. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述搭接区域覆盖在所述第一无机膜层的远离所述衬底基板的一侧面上。
4. 根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述搭接区域的宽度d大于0且小于或等于2微米。
5. 根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述搭接区域从所述 连接桥一侧至所述岛一侧呈爬坡状。
6. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述岛在所述衬底基板上的正投影的图形包括位于与所述连接桥连接位置的第一边界线，所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影形状为沿所述第一边界线延伸。
7. 根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述搭接区域的形状为圆弧状或直角形状。
8. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在所述连接桥上还设有第二有机膜层，所述第二有机膜层位于所述源漏金属图形的远离所述衬底基板的一侧，且所述第二有机膜层与所述第一有机膜层在所述衬底基板上的正投影重合。
9. 根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板上还设有源漏金属覆盖图形，所述源漏金属覆盖图形包括位于所述岛上的第一图形和位于所述连接桥上的第二图形；

   所述第一图形覆盖在所述源漏金属图形的远离所述衬底基板的一侧，且在所述衬底基板上的正投影围绕在所述显示单元在所述衬底基板上的正投影外围；

   所述第二图形覆盖在所述第二有机膜层的远离所述衬底基板的一侧，且在所述衬底基板上的正投影与所述第二有机膜层在所述衬底基板上的正投影重合。
10. 根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，在所述连接桥与所述岛连接位置处，所述第一图形在所述衬底基板上的正投影包括与所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影完全重合的第一搭接图形；

    或者，在所述连接桥与所述岛连接位置处，所述第一图形在所述衬底基板上的正投影与所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影不重合。
11. 根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第一图形在远离所述衬底基板的一侧设有围绕所述显示单元设置的至少一圈凹槽。
12. 根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示单元包括第一电极、位于所述第一电极的远离所述衬底基板一侧的第二电极及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，其中，所述衬底基板上还设有像 素定义层，所述像素定义层上限定出多个像素开口，所述第一电极和所述发光层位于所述像素开口内；

    所述衬底基板上还设有位于所述第一电极与所述第二电极之间的电极覆盖层，所述电极覆盖层的图形包括位于所述岛上的第三图形和位于所述连接桥上的第四图形，其中所述第三图形至少包括与所述像素开口重合的开口图形，所述第四图形与所述第二图形在所述衬底基板上的正投影重合。
13. 根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，在所述连接桥与所述岛连接位置处，所述第三图形在所述衬底基板上的正投影包括与所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影完全重合的第二搭接图形；

    或者，在所述连接桥与所述岛连接位置处，所述第三图形在所述衬底基板上的正投影与所述搭接区域在所述衬底基板上的正投影不重合。
14. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括封装层，所述封装层随形覆盖在所述显示单元及所述连接单元的远离所述衬底基板的一侧。
15. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个无机膜层包括从靠近所述衬底基板的一侧向远离所述衬底基板的一侧依次设置的隔离层、缓冲层、栅极绝缘层和层间介质层，其中所述第一无机膜层为所述层间介质层。
16. 一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至15任一项所述的显示基板。
17. 一种显示基板的制造方法，其特征在于，用于制造如权利要求1至15任一项所述的显示基板，所述方法包括如下步骤：

    提供一衬底基板，所述衬底基板包括镂空区域、及由所述镂空区域形成的呈阵列分布且彼此分隔开的多个岛和将多个所述岛中每个所述岛连接起来的多个连接桥；

    在所述衬底基板上形成多个显示单元及电连接各所述显示单元的连接单元；其中，每一所述岛上设置有至少一个所述显示单元，所述连接单元包括多根信号线，所述多根信号线一部分布设于所述连接桥上，另一部分延伸至所述岛上且与所述显示单元电连接；在所述衬底基板上设有源漏金属图形， 所述源漏金属图形的图形包括所述多根信号线的图形；在所述岛上，所述衬底基板与所述源漏金属图形之间设有多个无机膜层，所述多个无机膜层包括位于最远离所述衬底基板一侧的第一无机膜层；在所述连接桥上，所述衬底基板与所述源漏金属层之间仅设置至少一层第一有机膜层，且所述第一有机膜层在所述衬底基板上的正投影与所述连接桥重合，且在所述连接桥与所述岛连接的位置处，所述第一有机膜层的一部分与所述岛在所述衬底基板上的正投影部分重合以形成搭接区域；所述第一有机膜层背离所述衬底基板的一侧表面与所述第一无机膜层背离所述衬底基板的一侧表面齐平或断差小于预定阈值。
18. 根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上形成多个显示单元及电连接各所述显示单元的连接单元，具体包括：

    在所述衬底基板上沉积所述多个无机膜层，去除所述连接桥上的所述多个无机膜层，保留所述岛上的所述多个无机膜层，所述多个无机膜层包括位于最远离所述衬底基板一侧的第一无机膜层。
19. 根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上沉积所述多个无机膜层，去除所述连接桥上的所述多个无机膜层，保留所述岛上的所述多个无机膜层之后，所述方法还包括：

    在所述第一无机膜层的远离所述衬底基板的一侧形成覆盖整个所述衬底基板的第一有机材料层；

    对所述第一有机材料层进行图案化处理以形成第一有机图形，所述第一有机图形包括第一保留区和第一开口区，所述第一开口区至少包括所述显示单元所对应的区域。
20. 根据权利要求19所述的方法，其特征在于，在所述对所述第一有机材料层进行图案化处理以形成第一有机图形之后，所述方法还包括：

    在所述第一无机膜层的远离所述衬底基板的一侧形成源漏金属层；

    对所述源漏金属层进行图案化处理以形成所述源漏金属图形。
21. 根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述对所述源漏金属层进行图案化处理以形成所述源漏金属图形之后，所述方法还包括：

    刻蚀所述镂空区域对应的所述第一有机材料层，以形成所述第一有机膜 层。
22. 根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第一保留区包括所述搭接区域的图形。