CN117480882A - 显示基板及其制备方法、电子装置 - Google Patents

显示基板及其制备方法、电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117480882A
CN117480882A CN202280001441.6A CN202280001441A CN117480882A CN 117480882 A CN117480882 A CN 117480882A CN 202280001441 A CN202280001441 A CN 202280001441A CN 117480882 A CN117480882 A CN 117480882A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
substrate
light extraction
display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280001441.6A
Other languages
English (en)
Inventor
郝学光
乔勇
吴新银
李新国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Technology Development Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of CN117480882A publication Critical patent/CN117480882A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括第一显示区(100)和第二显示区(200)，第二显示区(200)至少部分围绕第一显示区(100)，第一显示区(100)被配置为进行图像显示和透过光线，第二显示区(200)被配置为进行图像显示；在垂直于显示基板的平面内，第一显示区(100)至少包括设置在基底(10)上的显示结构层和设置在显示结构层远离基底(10)一侧的光处理层(50)，光处理层(50)至少包括提高出光效率的取光结构。

Description

显示基板及其制备方法、电子装置 技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、电子装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes，简称QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性电子显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
一方面，本公开提供了一种显示基板，包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；在垂直于显示基板的平面内，所述第一显示区至少包括设置在基底上的显示结构层和设置在所述显示结构层远离所述基底一侧的光处理层，所述光处理层至少包括提高出光效率的取光结构。
在示例性实施方式中，所述光处理层至少包括彩膜结构层和第一取光结构层，所述彩膜结构层至少包括多个滤光层和设置在所述滤光层之间的黑矩阵，所述第一取光结构层至少包括第一覆盖层、设置在所述第一覆盖层远离所述基底一侧的多个第一取光结构和设置在所述多个第一取光结构远离所述基底一侧的第二覆盖层，至少一个第一取光结构包括平凸型凸透镜。
在示例性实施方式中，所述彩膜结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述第一取光结构层设置在所述彩膜结构层远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，所述第一取光结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述彩膜结构层设置在所述第一取光结构层远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，所述第一取光结构在基底上的正投影位于所述滤光层的范围之内。
在示例性实施方式中，所述第一覆盖层具有第一折射率，所述第二覆盖层具有第二折射率，所述第一取光结构具有第一取光折射率，所述第一取光折射率大于或等于所述第一折射率，所述第一取光折射率大于所述第二折射率。
在示例性实施方式中，所述第一取光结构具有第一高度，所述第二覆盖层具有覆盖厚度，第一高度与覆盖厚度之比为1/3至1/1.1。
在示例性实施方式中，所述光处理层还包括第三取光结构层，所述第三取光结构层包括设置在所述第一取光结构层远离所述基底一侧的多个第三取光结构和设置在多个第三取光结构远离所述基底一侧的第三覆盖层，至少一个第三取光结构包括微型透镜组，至少一个微型透镜组包括多个依次设置的微型透镜。
在示例性实施方式中，所述第三取光结构在基底上的正投影位于所述滤光层的范围之内。
在示例性实施方式中，所述光处理层至少包括彩膜结构层和第二取光结构层，所述彩膜结构层至少包括多个滤光层和设置在所述滤光层之间的黑矩阵，所述第二取光结构层至少包括第一覆盖层、设置在所述第一覆盖层远离所述基底一侧的多个第二取光结构和设置在所述多个第二取光结构远离所述基底一侧的第二覆盖层，至少一个第二取光结构包括梯形剖面的棱镜。
在示例性实施方式中，所述彩膜结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述第二取光结构层设置在所述彩膜结构层远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，所述第二取光结构层设置在所述显示结构层远离 基底的一侧，所述彩膜结构层设置在所述第二取光结构层远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，所述黑矩阵在所述基底上的正投影位于所述第二取光结构在所述基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，所述第二覆盖层具有第二折射率，所述第二取光结构具有第二取光折射率，所述第二取光折射率小于所述第二折射率。
在示例性实施方式中，所述第二取光结构具有第二高度，所述第二覆盖层具有覆盖厚度，第二高度与覆盖厚度之比为1/3至1/1.2。
在示例性实施方式中，所述第二取光结构的侧壁具有坡度角，所述坡度角大于60°，且小于90°。
在示例性实施方式中，在平行于基底的平面上，所述显示基板包括多个子像素，至少一个子像素在所述基底上的正投影与两个第二取光结构在所述基底上的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中，所述多个子像素至少包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，位于所述红色子像素所在区域内的所述第二取光结构的侧壁具有第一坡度角，位于所述蓝色子像素所在区域内的所述第二取光结构的侧壁具有第二坡度角，位于所述绿色子像素所在区域内的所述第二取光结构的侧壁具有第三坡度角，所述第一坡度角小于所述第二坡度角，所述第一坡度角小于所述第三坡度角。
在示例性实施方式中，所述光处理层至少包括彩膜结构层和复合取光结构层，所述彩膜结构层至少包括多个滤光层和设置在所述滤光层之间的黑矩阵，所述复合取光结构层至少包括第一覆盖层、设置在所述第一覆盖层远离所述基底一侧的多个第一取光结构和多个第二取光结构、以及设置在所述多个第一取光结构和多个第二取光结构远离所述基底一侧的第二覆盖层，至少一个第一取光结构包括平凸型凸透镜，至少一个第二取光结构包括梯形剖面的棱镜。
在示例性实施方式中，所述彩膜结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述复合取光结构层设置在所述彩膜结构层远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，所述复合取光结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述彩膜结构层设置在所述复合取光结构层远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，所述第一取光结构在所述基底上的正投影位于所述滤光层在所述基底上的正投影的范围之内，所述黑矩阵在所述基底上的正投影位于所述第二取光结构在所述基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，所述第一覆盖层具有第一折射率，所述第二覆盖层具有第二折射率，所述第一取光结构具有第一取光折射率，所述第二取光结构具有第二取光折射率，所述第一取光折射率大于或等于所述第一折射率，所述第一取光折射率大于所述第二折射率，所述第二取光折射率小于所述第二折射率。
在示例性实施方式中，所述光处理层至少包括彩膜透镜结构层，所述彩膜透镜结构层为集滤光结构和取光结构一体的的过滤取光复用结构。
在示例性实施方式中，所述彩膜透镜结构层至少包括黑矩阵、第一彩膜层、第二彩膜层和滤光透镜层；所述黑矩阵间隔设置在所述显示结构层远离基底的一侧，相邻的黑矩阵之间形成透光开口；所述第一彩膜层分别设置在多个透光开口内，所述第一彩膜层远离所述基底一侧的表面设置有弧形凹陷；所述滤光透镜层分别设置在多个透光开口内的第一彩膜层上，所述滤光透镜层中弧形凸起的下表面与所述第一彩膜层中弧形凹陷的上表面贴合；所述第二彩膜层设置在多个黑矩阵和多个滤光透镜层远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，所述第一彩膜层具有第一彩膜折射率，所述第二彩膜层具有第二彩膜折射率，所述滤光透镜层具有滤光透镜折射率，所述滤光透镜折射率大于所述第一彩膜折射率，所述滤光透镜折射率小于所述第二彩膜折射率。
在示例性实施方式中，所述显示结构层至少包括设置在所述基底上的驱动电路层、设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的发光结构层、设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装结构层和设置在所述封装结构层远离所述基底的一侧的触控结构层，所述触控结构层至少包括金属网格层，所述金属网格层包括相互交织的多条金属线，所述金属线在所述基底上的正投 影位于所述光处理层中黑矩阵在所述基底上的正投影至少的范围之内。
在示例性实施方式中，所述第一显示区包括多个像素岛和多个空白岛，在第一方向上，所述像素岛和所述空白岛交替设置，在第二方向上，所述像素岛和所述空白岛交替设置，所述第一方向和所述第二方向交叉。
在示例性实施方式中，至少一个像素岛包括两个像素单元，所述像素单元包括一个出射红色光线的红色子像素、一个出射蓝色光线的蓝色子像素和两个出射绿色光线的绿色子像素，两个红色子像素分别位于所述像素岛的一个对角位置，两个蓝色子像素分别位于所述像素岛的另一个对角位置，四个绿色子像素分别位于所述像素岛所述第二方向的中部。
在示例性实施方式中，所述空白岛设置有至少一个散光结构，所述散光结构包括多个依次设置的微型凸起，在平行于基底的平面内，所述微型凸起的形状包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形，在垂直于基底的平面内，所述微型凸起的截面形状包括三角形或者梯形。
在示例性实施方式中，所述散光结构包括分别设置在所述像素岛所述第二方向两侧的第一散光条和分别设置在所述像素岛所述第一方向两侧的第二散光条，所述第一散光条的形状为沿着所述第一方向延伸的条形状，所述第二散光条的形状为沿着所述第二方向延伸的条形状。
在示例性实施方式中，所述散光结构还包括分别与所述第一散光条和第二散光条连接的第三散光条，所述第一散光条、第二散光条和第三散光条顺序连接，形成环绕所述像素岛的环形状的散光结构。
在示例性实施方式中，所述散光结构还包括第一连接条和第二连接条，所述第一连接条设置在所述第二方向上相邻的第一散光条之间，且与所述第一散光条连接，在所述第二方向相邻的散光结构之间形成连接通道，所述第二连接条设置在所述第一方向上相邻的第二散光条之间，且与所述第二散光条连接，形成环绕所述像素岛且相互连通的散光结构，在所述第一方向相邻的散光结构之间形成连接通道。
另一方面，本公开还提供了一种电子装置，包括摄像装置和前述的显示 基板，所述摄像装置在所述显示基板上的正投影与所述第一显示区在所述显示基板上的正投影至少部分交叠，所述摄像装置在所述显示基板上的正投影与所述第二显示区在所述显示基板上的正投影没有交叠。
又一方面，本公开还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；所述制备方法包括：
在所述第一显示区的基底上形成显示结构层；
在所述显示结构层上形成光处理层，所述光处理层至少包括提高出光效率的取光结构。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为一种电子装置的结构示意图；
图2为一种显示基板的结构示意图；
图3为一种第二显示区的平面结构示意图；
图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
图5为本公开示例性实施例一种第一显示区的平面结构示意图；
图6为本公开示例性实施例一种第一显示区的剖面结构示意图；
图7为本公开示例性实施例另一种第一显示区的剖面结构示意图；
图8为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图；
图9为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图；
图10为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图；
图11为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图；
图12为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图；
图13为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图；
图14为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图；
图15为本公开示例性实施例另一种第一显示区的平面结构示意图；
图16为本公开示例性实施例又一种第一显示区的平面结构示意图；
图17为本公开示例性实施例又一种第一显示区的平面结构示意图；
图18为本公开示例性实施例形成驱动电路层图案后的示意图；
图19为本公开示例性实施例形成发光结构层图案后的示意图；
图20为本公开示例性实施例形成封装结构层图案后的示意图。
附图标记说明:
10—基底； 20—驱动电路层； 21—阳极；
22—像素定义层； 23—有机发光层； 24—阴极；
30—发光结构层； 31—第一封装层； 32—第二封装层；
33—第三封装层； 40—封装结构层； 50—光处理层；
60—彩膜结构层； 61—黑矩阵； 62—滤光层；
70—第一取光结构层； 71—第一覆盖层； 72—第二覆盖层；
73—第一取光结构； 74—第二取光结构； 75—复合取光结构层；
80—第二取光结构层； 90—第三取光结构层； 91—第三取光结构；
92—第三覆盖层； 100—第一显示区； 110—触控结构层；
111—金属线； 120—彩膜透镜结构层； 121—第一彩膜层；
122—第二彩膜层； 123—滤光透镜层； 200—第二显示区；
300—散光结构； 310—第一散光条； 320—第二散光条；
330—第三散光条； 340—第一连接条； 350—第二连接条。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计
本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个 端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换，“源端”和“漏端”可以互相调换。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为一种电子装置的结构示意图。如图1所示，电子装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器连接，数据驱动器分别与多个 数据信号线(D1到Dn)连接，扫描驱动器分别与多个扫描信号线(S1到Sm)连接，发光驱动器分别与多个发光信号线(E1到Eo)连接。像素阵列可以包括多个子像素Pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素Pxij可以包括电路单元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括像素驱动电路，像素驱动电路与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。
随着显示技术的发展，全面屏或窄边框等产品以其较大的屏占比和超窄边框，已逐步成为显示产品的发展趋势。对于智能终端等电子产品，通常需要设置前置摄像头、指纹传感器或光线传感器等硬件，为提高屏占比，全面屏或窄边框产品通常采用屏下摄像头技术(Full display with camera，简称FDC)或者屏下指纹技术，将摄像头等传感器放置于显示基板的屏下摄像区域(Under Display Camera，简称UDC)，屏下摄像区域不仅具有一定的透 过率，而且具有显示功能，实现摄像头区全显示(Full Display in Camera，简称FDC)。
图2为一种显示基板的结构示意图。如图2所示，在平行于显示基板的平面上，显示基板可以包括第一显示区100和第二显示区200，第二显示区200可以至少部分围绕第一显示区100。在示例性实施方式中，第一显示区100的位置可以与光学装置的位置相对应，第一显示区100被配置为进行图像显示和透过光线，透过的光线被光学装置接收，第一显示区100可以称为屏下摄像显示区。第二显示区200被配置为进行图像显示，第二显示区200可以称为正常显示区。
在示例性实施方式中，第一显示区100在第二显示区200中的位置可以不限，可以位于第二显示区200的上部或者下部，或者可以位于第二显示区200的边缘位置。在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面内，第一显示区100的形状可以是如下任意一种或多种：正方形、矩形、多边形、圆形和椭圆形等，光学装置可以是指纹识别装置、摄像装置或3D成像等光学传感器。第一显示区100的形状为圆形时，圆形的直径可以约为3mm至5mm，第一显示区100的形状为矩形时，矩形的边长可以约为3mm至5mm，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，第一显示区100和第二显示区200的分辨率可以相同，或者第一显示区100的分辨率可以小于第二显示区200的分辨率。例如，第一显示区100的分辨率可以约为第二显示区200的分辨率的50％至70％左右。分辨率(Pixels Per Inch，简称PPI)是指单位面积所拥有像素的数量，可以称为像素密度，PPI数值越高，代表显示基板能够以越高的密度显示画面，画面的细节就越丰富。
图3为一种第二显示区的平面结构示意图。如图3所示，第二显示区可以包括规则排布的多个像素单元P，至少一个像素单元P可以包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3和第四子像素P4。每个子像素均可以包括电路单元和发光器件，电路单元可以包括像素驱动电路以及与像素驱动电路连接的扫描信号线、数据信号线和发光信号线等，像素驱动电路被配置为在扫描信 号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向发光器件输出相应的电流。每个子像素中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
在示例性实施方式中，第一子像素P1可以是出射红色光线的红色子像素(R)，第二子像素P2可以是出射蓝色光线的蓝色子像素(B)，第三子像素P3和第四子像素P4可以是出射绿色光线的绿色子像素(G)。在示例性实施方式中，子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形，像素单元P中的四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形等方式排列，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，像素单元可以包括三个子像素，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，本公开在此不做限定。
图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图。在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。如图4所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管(晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C，像素驱动电路与7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)连接。
在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。其中，第一节点N1分别与第三晶体管T3的第一极、第四晶体管T4的第二极和第五晶体管T5的第二极连接，第二节点N2分别与晶体管的第二极、第二晶体管T2的第一极、第三晶体管T3的控制极和存储电容C的第二端连接，第三节点N3分别与第二晶体管T2的第二极、第三晶体管T3的第二极和第六晶体管T6的第一极连接。
在示例性实施方式中，存储电容C的第一端与第一电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接，即存储电容C的第二端与第三晶体管T3的控制极连接。
晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，晶体管T1的第一极与 初始信号线INIT连接，晶体管的第二极与第二节点N2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，晶体管T1将初始化电压传输到第三晶体管T3的控制极，以使第三晶体管T3的控制极的电荷量初始化。
第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第二晶体管T2使第三晶体管T3的控制极与第二极连接。
第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，即第三晶体管T3的控制极与存储电容C的第二端连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3可以称为驱动晶体管，第三晶体管T3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间流动的驱动电流的量。
第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线D连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第四晶体管T4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第四晶体管T4使数据信号线D的数据电压输入到像素驱动电路。
第五晶体管T5的控制极与发光信号线E连接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线E连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线E时，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。
第七晶体管T7的控制极与第二扫描信号线S2连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线INIT连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，第七晶体管T7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。
在示例性实施方式中，发光器件可以是OLED，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)，或者可以是QLED，包括叠设的第一极(阳极)、量子点发光层和第二极(阴极)。
在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线VSS连接，第二电源线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。
在示例性实施方式中，晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在示例性实施方式中，晶体管T1到第七晶体管T7可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，或者可以采用氧化物薄膜晶体管，或者可以采用低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)，氧化物薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体(Oxide)。低温多晶硅薄膜晶体管具有迁移率高、充电快等优点，氧化物薄膜晶体管具有漏电流低等优点，将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管集成在一个显示基板上，形成低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，简称LTPO)显示基板，可以利用两者的优势，可以实现低频驱动，可以降低功耗，可以提高显示品质。
在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。
在示例性实施方式中，以图4所示像素驱动电路中的7个晶体管均为P型晶体管为例，像素驱动电路的工作过程可以包括：
第一阶段A1，称为复位阶段，第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号。第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，使第一晶体管T1和第七晶体管T7导通。第一晶体管T1导通使得初始信号线INIT的初始电压提供至第二节点N2，对存储电容C进行初始化(复位)，清除存储电容中原有数据电压。第七晶体管 T7导通使得初始信号线INIT的初始电压提供至OLED的第一极，对OLED的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保OLED不发光。第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号，使第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6断开。
第二阶段A2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线S1的信号为低电平信号，第二扫描信号线S2和发光信号线E的信号为高电平信号，数据信号线D输出数据电压。此阶段由于存储电容C的第二端为低电平，因此第三晶体管T3导通。第一扫描信号线S1的信号为低电平信号使第二晶体管T2、第四晶体管T4和第七晶体管T7导通。第二晶体管T2和第四晶体管T4导通使得数据信号线D输出的数据电压经过第一节点N1、导通的第三晶体管T3、第三节点N3、导通的第二晶体管T2提供至第二节点N2，并将数据信号线D输出的数据电压与第三晶体管T3的阈值电压之差充入存储电容C，存储电容C的第二端(第二节点N2)的电压为Vd-|Vth|，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。第二扫描信号线S2的信号为高电平信号，使第一晶体管T1和第七晶体管T7断开。发光信号线E的信号为高电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6断开。
第三阶段A3、称为发光阶段，发光信号线E的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和第二扫描信号线S2的信号为高电平信号。发光信号线E的信号为低电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第一电源线VDD输出的电源电压通过导通的第五晶体管T5、第三晶体管T3和第六晶体管T6向OLED的第一极提供驱动电压，驱动OLED发光。
在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管T3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点N2的电压为Vdata-|Vth|，因而第三晶体管T3的驱动电流为：
I＝K*(Vgs-Vth) 2＝K*[(Vdd-Vd+|Vth|)-Vth] 2＝K*[(Vdd-Vd] 2
其中，I为流过第三晶体管T3的驱动电流，也就是驱动OLED的驱动电流，K为常数，Vgs为第三晶体管T3的栅电极和第一极之间的电压差，Vth为第三晶体管T3的阈值电压，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vdd为第一电源线VDD输出的电源电压。
本公开示例性实施例提供了一种显示基板，包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；在垂直于显示基板的平面内，所述第一显示区至少包括设置在基底上的显示结构层和设置在所述显示结构层远离所述基底一侧的光处理层，所述光处理层至少包括提高出光效率的取光结构。
在一种示例性实施方式中，所述光处理层至少包括彩膜结构层和第一取光结构层，所述彩膜结构层至少包括多个滤光层和设置在所述滤光层之间的黑矩阵，所述第一取光结构层至少包括第一覆盖层、设置在所述第一覆盖层远离所述基底一侧的多个第一取光结构和设置在所述多个第一取光结构远离所述基底一侧的第二覆盖层，至少一个第一取光结构包括平凸型凸透镜。
在示例性实施方式中，所述彩膜结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述第一取光结构层设置在所述彩膜结构层远离基底的一侧，或者，所述第一取光结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述彩膜结构层设置在所述第一取光结构层远离基底的一侧。
在另一种示例性实施方式中，所述光处理层至少包括彩膜结构层和第二取光结构层，所述彩膜结构层至少包括多个滤光层和设置在所述滤光层之间的黑矩阵，所述第二取光结构层至少包括第一覆盖层、设置在所述第一覆盖层远离所述基底一侧的多个第二取光结构和设置在所述多个第二取光结构远离所述基底一侧的第二覆盖层，至少一个第二取光结构包括梯形剖面的棱镜。
在示例性实施方式中，所述彩膜结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述第二取光结构层设置在所述彩膜结构层远离基底的一侧，或者，所述第二取光结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述彩膜结构层设置在所述第二取光结构层远离基底的一侧。
在又一种示例性实施方式中，所述光处理层至少包括彩膜结构层和复合取光结构层，所述彩膜结构层至少包括多个滤光层和设置在所述滤光层之间的黑矩阵，所述复合取光结构层至少包括第一覆盖层、设置在所述第一覆盖层远离所述基底一侧的多个第一取光结构和多个第二取光结构、以及设置在所述多个第一取光结构和多个第二取光结构远离所述基底一侧的第二覆盖 层，至少一个第一取光结构包括平凸型凸透镜，至少一个第二取光结构包括梯形剖面的棱镜。
在示例性实施方式中，所述彩膜结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述复合取光结构层设置在所述彩膜结构层远离基底的一侧，或者，所述复合取光结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述彩膜结构层设置在所述复合取光结构层远离基底的一侧。
在又一种示例性实施方式中，所述光处理层至少包括彩膜透镜结构层，所述彩膜透镜结构层为集滤光结构和取光结构一体的的过滤取光复用结构。
在示例性实施方式中，所述彩膜透镜结构层至少包括黑矩阵、第一彩膜层、第二彩膜层和滤光透镜层；所述黑矩阵间隔设置在所述显示结构层远离基底的一侧，相邻的黑矩阵之间形成透光开口；所述第一彩膜层分别设置在多个透光开口内，所述第一彩膜层远离所述基底一侧的表面设置有弧形凹陷；所述滤光透镜层分别设置在多个透光开口内的第一彩膜层上，所述滤光透镜层中弧形凸起的下表面与所述第一彩膜层中弧形凹陷的上表面贴合；所述第二彩膜层设置在多个黑矩阵和多个滤光透镜层远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，所述显示结构层至少包括设置在所述基底上的驱动电路层、设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的发光结构层、设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装结构层和设置在所述封装结构层远离所述基底的一侧的触控结构层，所述触控结构层至少包括金属网格层，所述金属网格层包括相互交织的多条金属线，所述金属线在基底上的正投影位于所述光处理层中黑矩阵在基底上的正投影至少的范围之内。
在示例性实施方式中，所述第一显示区包括多个像素岛和多个空白岛，在第一方向上，所述像素岛和所述空白岛交替设置，在第二方向上，所述像素岛和所述空白岛交替设置，所述第一方向和所述第二方向交叉。
在示例性实施方式中，至少一个像素岛包括两个像素单元，所述像素单元包括一个出射红色光线的红色子像素、一个出射蓝色光线的蓝色子像素和两个出射绿色光线的绿色子像素，两个红色子像素分别位于所述像素岛的一个对角位置，两个蓝色子像素分别位于所述像素岛的另一个对角位置，四个 绿色子像素分别位于所述像素岛所述第二方向的中部。
在示例性实施方式中，所述空白岛设置有至少一个散光结构，所述散光结构包括多个依次设置的微型凸起，在平行于基底的平面内，所述微型凸起的形状包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形，在垂直于基底的平面内，所述微型凸起的截面形状包括三角形、矩形或者梯形。
图5为本公开示例性实施例一种第一显示区的平面结构示意图。如图5所示，第一显示区可以包括多个像素岛PD和多个空白岛PB，在第一方向X上，像素岛PD和空白岛PB交替设置，在第二方向Y上，像素岛PD和空白岛PB交替设置，使得在第一方向X上相邻的像素岛PD之间以及在第二方向Y上上相邻的像素岛PD之间均设置有空白岛PB，空白岛PB形成像素岛PD之间的间隔，第一方向X和第二方向Y交叉。
在示例性实施方式中，至少一个像素岛PD可以包括两个像素单元P，每个像素单元P均包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2、出射第三颜色光线的第三子像素P3和第四子像素P4。因而一个像素岛PD可以包括两个第一子像素P1、两个第二子像素P2、两个第三子像素P3和两个第四子像素P4。
在示例性实施方式中，在至少一个像素岛PD中，两个第一子像素P1可以位于像素岛PD的一个对角位置，两个第二子像素P2可以位于像素岛PD的另一个对角位置，两个第三子像素P3和两个第四子像素P4均位于像素岛PD第二方向Y的中部。例如，两个第一子像素P1可以分别位于像素岛PD的左上角和右下角，两个第二子像素P2可以分别位于像素岛PD的右上角和左下角，两个第三子像素P3和两个第四子像素P4均位于像素岛PD第二方向Y的中部，两个第三子像素P3分别位于像素岛PD第一方向X的的左侧和右侧，两个第四子像素P4分别位于两个第三子像素P3之间。
在示例性实施方式中，在平行于显示基板的平面上，第一子像素P1、第二子像素P2、第三子像素P3和第四子像素P4的形状可以是矩形、菱形、五边形或六边形等，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，第一子像素P1、第二子像素P2、第三子像素P3和第四子像素P4的面积可以相同，或者可以不同，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，第一子像素P1可以是出射红色(R)光线的红色子像素，第二子像素P2可以是出射蓝色(B)光线的蓝色子像素，第三子像素P3和第四子像素P4可以是出射绿色(G)光线的绿色子像素。
在示例性实施方式中，由于四个绿色子像素位于像素岛PD第二方向Y的中部，且沿着第一方向X依次设置，因而在蒸镀有机发光层的工艺中，可以采用共蒸镀方式同时蒸镀四个绿色子像素的有机发光层，四个绿色子像素的有机发光层是连接在一起的共通层，可以有效减少蒸镀工艺的时间，降低蒸镀工艺成本。
图6为本公开示例性实施例一种第一显示区的剖面结构示意图，为图5所示A-A向的剖视图，示意了四个子像素的结构。如图6所示，在垂直于显示基板的平面上，第一显示区的显示基板可以包括设置在基底10上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20远离基底一侧的发光结构层30、设置在发光结构层30远离基底一侧的封装结构层40和设置在封装结构层40远离基底一侧的光处理层50，光处理层50可以包括设置在封装结构层40远离基底一侧的彩膜结构层60和设置在彩膜结构层60远离基底一侧的第一取光结构层70，形成彩膜位于封装层上(Color filter On Encapsulation，简称COE)结构。
在示例性实施方式中，驱动电路层20可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容。发光结构层30可以包括像素定义层和发光器件，发光器件可以包括阳极、有机发光层和阴极。封装结构层40可以包括叠设的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层和第三子层可以采用无机材料，第二子层可以采用有机材料。
在示例性实施方式中，彩膜结构层60被配置为减少外界光线的反射，代替偏光片，以有效提升显示基板的透过率、色彩饱和度，有效提升显示基板的抗弯折性提高。第一取光结构层70被配置为进行光线调制，以有效提升子像素的出光效率。
在示例性实施方式中，彩膜结构层60可以至少包括多个黑矩阵61和多 个滤光层62。多个黑矩阵61和多个滤光层62可以设置在封装结构层40远离基底的一侧，多个黑矩阵61可以间隔设置，在相邻的黑矩阵61之间形成透光开口，多个滤光层62可以间隔设置，并分别设置在多个透光开口内，形成由黑矩阵61隔开的滤光层阵列，黑矩阵61位于相邻的滤光层62之间。
在示例性实施方式中，多个滤光层62可以包括透过红色光线的红色滤光层、透过蓝色光线的蓝色滤光层以及透过绿色光线的绿色滤光层，红色滤光层可以位于红色子像素(第一子像素P1)所在区域，蓝色滤光层可以位于蓝色子像素(第二子像素P2)所在区域，绿色滤光层可以位于绿色子像素(第三子像素P3和第四子像素P4)所在区域。
在示例性实施方式中，第一取光结构层70可以至少包括第一覆盖层71、第二覆盖层72和多个第一取光结构73。第一覆盖层71可以设置在彩膜结构层60远离基底的一侧，第一覆盖层71可以覆盖黑矩阵61和多个滤光层62。多个第一取光结构73可以设置在第一覆盖层71远离基底的一侧，多个第一取光结构73的位置与多个滤光层62的位置可以一一对应。第二覆盖层72可以设置在多个第一取光结构73远离基底的一侧，第二覆盖层72可以覆盖多个第一取光结构73。
在示例性实施方式中，第一覆盖层71和第二覆盖层72远离基底一侧的表面可以为平坦化表面。
在示例性实施方式中，第一取光结构73在基底上的正投影与滤光层62在基底上的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中，第一取光结构73在基底上的正投影可以位于滤光层62在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第一取光结构73在基底上的正投影与滤光层62在基底上的正投影可以基本上重合。
在示例性实施方式中，第一取光结构73在基底上的正投影与黑矩阵61在基底上的正投影没有交叠。
在示例性实施方式中，第一取光结构73可以为球冠体，在垂直于基底的平面内，第一取光结构73的剖面形状可以为圆冠形，形成下平上凸(即下表 面平上表面凸)的平凸型凸透镜，被配置为作为汇聚光线的凸透镜，使子像素的出射光线向子像素中心的方向偏转，以提高子像素的出光效率。在示例性实施方式中，子像素中心可以是子像素的几何中心。
在示例性实施方式中，发光结构层30中发光器件发出的光线经过封装结构层40、滤光层62和第一覆盖层71后，以第一入射角θi1入射到第一覆盖层71与第一取光结构73的交界面，并以第一折射角θo1进入第一取光结构73，该光线在第一取光结构73内传输后，以第二入射角θi2入射到第一取光结构73与第二覆盖层72的交界面，并以第二折射角θo2进入第二覆盖层72。
在示例性实施方式中，第一覆盖层71具有第一折射率n1，第二覆盖层72具有第二折射率n2，第一取光结构73具有第一取光折射率nc1，第一取光折射率nc1≥第一折射率n1，第一取光折射率nc1>第二折射率n2。
在示例性实施方式中，根据折射定律n1*Sinθi1＝nc1*Sinθo1可以看出，由于第一取光折射率nc1≥第一折射率n1，因而光线入射到第一取光结构73的第一入射角θi1大于或等于光线进入第一取光结构73的第一折射角θo1，即相对于入射光线，进入第一取光结构73的光线向子像素中心的方向偏转。第一折射率n1和第一取光折射率nc1的差值越大，进入第一取光结构73的光线向子像素中心的偏转程度越大。
在示例性实施方式中，根据折射定律nc1*Sinθi2＝n2*Sinθo2可以看出，由于第一取光折射率nc1>第二折射率n2，因而光线入射到第二覆盖层72的第二入射角θi2小于进入第二覆盖层72的第二折射角θo2，即相对于入射光线，进入第二覆盖层72的光线向子像素中心的方向偏转。第一取光折射率nc1和第二折射率n2的差值越大，进入第二覆盖层72的光线向子像素中心的偏转程度越大。
在示例性实施方式中，1/3<h1/H<1/1.1。
其中，H为第二覆盖层72的覆盖厚度，h1为第一取光结构73的第一高度。
在示例性实施方式中，第二覆盖层72的覆盖厚度H可以为第二覆盖层72的最大厚度，覆盖厚度H可以为第二覆盖层72远离基底一侧表面与第二 覆盖层72靠近基底一侧表面之间的距离。
在示例性实施方式中，第一取光结构73的第一高度h1可以为第一取光结构73的最大高度，第一高度h1可以为第一取光结构73远离基底一侧的表面与第一取光结构73靠近基底一侧的表面之间的距离。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过设置包括第一覆盖层、第一取光结构和第二覆盖层的第一取光结构层，第一取光结构的折射率分别大于第一覆盖层和第二覆盖层的折射率，利用折射使得出射光线向子像素中心的方向偏转，可以有效提高子像素的出光效率，提高出光色域，提高显示品质。
图7为本公开示例性实施例另一种第一显示区的剖面结构示意图，为图5所示A-A向的剖视图，示意了四个子像素的结构。如图7所示，在垂直于显示基板的平面上，第一显示区的显示基板可以包括设置在基底10上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20远离基底一侧的发光结构层30、设置在发光结构层30远离基底一侧的封装结构层40和设置在封装结构层40远离基底一侧的光处理层50，光处理层50可以包括设置在封装结构层40远离基底一侧的彩膜结构层60和设置在彩膜结构层60远离基底一侧的第二取光结构层80，形成彩膜位于封装层上(Color filter On Encapsulation，简称COE)结构。
在示例性实施方式中，本示例性实施例中驱动电路层20、发光结构层30、封装结构层40和彩膜结构层60的结构与图6所示实施例的结构基本上相同，第二取光结构层80被配置为进行光线调制，以有效提升子像素的出光效率。
在示例性实施方式中，第二取光结构层80可以至少包括第一覆盖层71、第二覆盖层72和多个第二取光结构74。第一覆盖层71可以设置在彩膜结构层60远离基底的一侧，第一覆盖层71可以覆盖黑矩阵61和多个滤光层62。多个第二取光结构74可以设置在第一覆盖层71远离基底的一侧，多个第二取光结构74的位置与多个黑矩阵61的位置可以一一对应。第二覆盖层72可以设置在多个第二取光结构74远离基底的一侧，第二覆盖层72可以覆盖多个第二取光结构74。
在示例性实施方式中，第一覆盖层71和第二覆盖层72远离基底一侧的表面可以为平坦化表面。
在示例性实施方式中，第二取光结构74在基底上的正投影与黑矩阵61在基底上的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中，黑矩阵61在基底上的正投影可以位于第二取光结构74在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，第二取光结构74在基底上的正投影与滤光层62在基底上的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中，第二取光结构74可以为棱台体，在垂直于基底的平面内，第二取光结构74的剖面形状可以为梯形，被配置为作为汇聚光线的棱镜，形成梯形剖面的棱镜，使子像素的出射光线向子像素中心的方向偏转，以提高子像素的出光效率。
在示例性实施方式中，第二取光结构74的梯形剖面可以包括上底、下底和两个侧壁，侧壁具有坡度角α，60°<α<90°。
在示例性实施方式中，1/3<h2/H<1/1.2。
其中，H为第二覆盖层72的覆盖厚度，h2为第二取光结构74的第二高度，第二取光结构74的第二高度h2可以为第二取光结构74的最大高度，即第二取光结构74远离基底一侧的表面与第二取光结构74靠近基底一侧的表面之间的距离。
在示例性实施方式中，第二覆盖层72具有第二折射率n2，第二取光结构74具有第二取光折射率nc2，第二取光折射率nc2<第二折射率n2，且
第三入射角θi3>全反射临界角β，全反射临界角β＝arcsin(nc2/n2)。
在示例性实施方式中，发光结构层30中发光器件发出的光线经过封装结构层40、滤光层62、第一覆盖层71和第二覆盖层72后，以第三入射角θi3入射到第二覆盖层72与第二取光结构74的交界面，由于第三入射角θi3大于全反射临界角β，因而入射光发生全反射，以第三反射角θo3重新进入第二覆盖层72，使重新进入第二覆盖层72的光线向子像素中心的方向偏转， 第三入射角θi3＝第三反射角θo3。
在示例性实施方式中，至少一个子像素在基底上的正投影与两个第二取光结构74在基底上的正投影至少部分交叠，位于该子像素所在区域内的两个第二取光结构74的侧壁的坡度角可以相同，或者可以不同。
在示例性实施方式中，位于红色子像素所在区域内的两个第二取光结构74的侧壁具有第一坡度角α1，位于蓝色子像素所在区域内的两个第二取光结构74的侧壁具有第二坡度角α2，位于绿色子像素所在区域内的两个第二取光结构74的侧壁具有第三坡度角α3，第一坡度角α1小于第二坡度角α2，第一坡度角α1小于第三坡度角α3。
在示例性实施方式中，第二取光结构侧壁的坡度角与光线发生全反射的几率有关，坡度角越大，光线发生全反射的几率越小，坡度角越小，光线发生全反射的几率越大。光线发生全反射的几率与波长相关，波长越小，全反射临界角β越小，因而当红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素所在区域内第二取光结构侧壁的坡度角相同时，蓝色子像素内光线发生全反射的几率大于绿色子像素，绿色子像素内光线发生全反射的几率大于红色子像素，因而会导致大视角发青的问题。本公开通过设置红色子像素的坡度角小于其它子像素的坡度角，使得红色子像素内光线发生全反射的几率大于其它子像素内光线发生全反射的几率，可以有效增加红光，减少绿光和蓝光，可以有效避免大视角发青。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过设置包括第一覆盖层、第二取光结构和第二覆盖层的第二取光结构层，第二取光结构的折射率小于第二覆盖层的折射率，利用全反射使得出射光线向子像素中心的方向偏转，可以有效提高子像素的出光效率，提高出光色域，提高显示品质。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过设置子像素中第二取光结构的坡度角，将红色子像素所在区域内第二取光结构侧壁的坡度角小于其它子像素所在区域内第二取光结构侧壁的坡度角，可以有效增加红光，减少绿光和蓝光，可以有效避免大视角发青。
图8为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图，为图 5所示A-A向的剖视图，示意了四个子像素的结构。如图8所示，在垂直于显示基板的平面上，第一显示区的显示基板可以包括设置在基底10上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20远离基底一侧的发光结构层30、设置在发光结构层30远离基底一侧的封装结构层40和设置在封装结构层40远离基底一侧的光处理层50，光处理层50可以包括设置在封装结构层40远离基底一侧的彩膜结构层60和设置在彩膜结构层60远离基底一侧的复合取光结构层75，形成彩膜位于封装层上(Color filter On Encapsulation，简称COE)结构。
在示例性实施方式中，本示例性实施例中驱动电路层20、发光结构层30、封装结构层40和彩膜结构层60的结构与图6所示实施例的结构基本上相同，复合取光结构层75被配置为进行光线调制，以有效提升子像素的出光效率。
在示例性实施方式中，复合取光结构层75可以至少包括第一覆盖层71、第二覆盖层72、多个第一取光结构73和多个第二取光结构74。第一覆盖层71可以设置在彩膜结构层60远离基底的一侧，第一覆盖层71可以覆盖黑矩阵61和多个滤光层62。多个第一取光结构73和多个第二取光结构74可以设置在第一覆盖层71远离基底的一侧，第一取光结构73和第二取光结构74可以交替设置，多个第一取光结构73的位置与多个滤光层62的位置可以一一对应，多个第二取光结构74的位置与多个黑矩阵61的位置可以一一对应。第二覆盖层72可以设置在多个第一取光结构73和多个第二取光结构74远离基底的一侧，第二覆盖层72可以覆盖多个第一取光结构73和多个第二取光结构74。
在示例性实施方式中，第一覆盖层71和第二覆盖层72远离基底一侧的表面可以为平坦化表面。
在示例性实施方式中，第一取光结构73在基底上的正投影可以位于滤光层62在基底上的正投影的范围之内，第一取光结构73在基底上的正投影与黑矩阵61在基底上的正投影没有交叠。
在示例性实施方式中，黑矩阵61在基底上的正投影可以位于第二取光结构74在基底上的正投影的范围之内，第二取光结构74在基底上的正投影与两个滤光层62在基底上的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中，第一取光结构73可以为球冠体，被配置为作为汇聚光线的凸透镜，第二取光结构74可以为棱台体，被配置为作为汇聚光线的棱镜，本示例性实施例的第一取光结构73和第二取光结构74可以与前述实施例的取光结构基本上相同，这里不再赘述。
在示例性实施方式中，第一取光折射率nc1≥第一折射率n1，第一取光折射率nc1>第二折射率n2，第二取光折射率nc2<第二折射率n2。
在示例性实施方式中，1/3<h1/H<1/1.1，1/3<h2/H<1/1.2。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过设置包括第一覆盖层、第一取光结构、第二取光结构和第二覆盖层的复合取光结构层，利用折射和全反射使得出射光线向子像素中心的方向偏转，可以最大限度地提高子像素的出光效率，提高出光色域，可以有效避免大视角发青，提高显示品质。
图9为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图，为图5所示A-A向的剖视图，示意了四个子像素的结构。如图9所示，本示例性实施例显示基板的主体结构与图6所示显示基板的主体结构基本上相同，所不同的是，光处理层50中的第一取光结构层70设置在封装结构层40远离基底的一侧，彩膜结构层60设置在第一取光结构层70远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，第一取光结构73可以为球冠体，被配置为作为汇聚光线的凸透镜，本示例性实施例的第一取光结构73的结构和参数与图6所示第一取光结构73的结构和参数可以基本上相同，这里不再赘述。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，不仅可以实现有效提高子像素的出光效率，提高出光色域，提高显示品质，而且通过设置第一取光结构层靠近基底，显示结构层出射的光线先经过调制后才进入彩膜结构层，可以提高调制光线的效率，进一步提高子像素的出光效率。
图10为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图，为图5所示A-A向的剖视图，示意了四个子像素的结构。如图10所示，本示例性实施例显示基板的主体结构与图7所示显示基板的主体结构基本上相同，所不同的是，光处理层50中的第二取光结构层80设置在封装结构层40远离基底的一侧，彩膜结构层60设置在第二取光结构层80远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，第二取光结构74可以为棱台体，被配置为作为汇聚光线的棱镜，本示例性实施例的第二取光结构74的结构和参数与图7所示第二取光结构74的结构和参数可以基本上相同，这里不再赘述。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，不仅可以实现有效提高子像素的出光效率，提高出光色域，提高显示品质，而且通过设置第二取光结构层靠近基底，显示结构层出射的光线先经过调制后才进入彩膜结构层，可以提高调制光线的效率，进一步提高子像素的出光效率。
图11为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图，为图5所示A-A向的剖视图，示意了四个子像素的结构。如图11所示，本示例性实施例显示基板的主体结构与图8所示显示基板的主体结构基本上相同，所不同的是，光处理层50中的复合取光结构层75设置在封装结构层40远离基底的一侧，彩膜结构层60设置在复合取光结构层75远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，第一取光结构73可以为球冠体，被配置为作为汇聚光线的凸透镜，第二取光结构74可以为棱台体，被配置为作为汇聚光线的棱镜，本示例性实施例的第一取光结构73和第二取光结构74的结构和参数与前述实施例中第一取光结构73和第二取光结构74的结构和参数可以基本上相同，这里不再赘述。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，不仅可以实现有效提高子像素的出光效率，提高出光色域，提高显示品质，而且通过设置复合取光结构层靠近基底，显示结构层出射的光线先经过调制后才进入彩膜结构层，可以提高调制光线的效率，进一步提高子像素的出光效率。
图12为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图，为图5所示A-A向的剖视图，示意了四个子像素的结构。如图12所示，本示例性实施例显示基板的主体结构与图6所示显示基板的主体结构基本上相同，所不同的是，本示例性实施例光处理层50还可以包括第三取光结构层90，彩膜结构层60设置在封装结构层40远离基底的一侧，第一取光结构层70设置在彩膜结构层60远离基底的一侧，第三取光结构层90设置在第一取光结构层70远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，第三取光结构层90可以至少包括多个第三取光结构91和第三覆盖层92，多个第三取光结构91可以设置在第二覆盖层72远离基底的一侧，第三覆盖层92可以设置在多个第三取光结构91远离基底的一侧，第三覆盖层92可以覆盖多个第三取光结构91。
在示例性实施方式中，第三覆盖层92远离基底一侧的表面可以为平坦化表面。
在示例性实施方式中，第三取光结构91可以为微型透镜组，微型透镜组可以包括多个依次设置的微型透镜，微型透镜被配置为进行光线调制，以有效提升子像素的出光效率。
在示例性实施方式中，第三取光结构91在基底上的正投影与第一取光结构73在基底上的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中，第三取光结构91在基底上的正投影可以位于滤光层62在基底上的正投影的范围之内。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，不仅可以实现有效提高子像素的出光效率，提高出光色域，提高显示品质，而且通过设置第三取光结构，可以进一步提高子像素的出光效率，进一步提高出光色域，进一步提高显示品质。
在一种可能的示例性实施方式中，图8所示结构中可以设置第三取光结构层，第三取光结构层设置在复合取光结构层远离基底的一侧。
在一种可能的示例性实施方式中，图9和图11所示结构中可以设置第三取光结构层，第三取光结构层设置在彩膜结构层远离基底的一侧。
图13为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图，为图5所示A-A向的剖视图，示意了四个子像素的结构。如图13所示，本示例性实施例显示基板的主体结构与图6所示显示基板的主体结构基本上相同，所不同的是，本示例性实施例显示基板还可以包括触控结构层110。
在示例性实施方式中，触控结构层110可以设置在封装结构层40远离基底的一侧，彩膜结构层60可以设置在触控结构层110远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，在垂直于基底的平面上，触控结构层110可以至少包括金属网格层，金属网格层为金属网格形式，包括相互交织的多条金属线111，多条金属线111围成网格图案。在平行于基底的平面上，网格图案的形状可以包括如下任意一种或多种：三角形、正方形、矩形、菱形、梯形、五边形和六边形。
在示例性实施方式中，金属线111在基底上的正投影与黑矩阵61在基底上的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中，金属线111在基底上的正投影可以位于黑矩阵61在基底上的正投影至少的范围之内，可以利用黑矩阵61遮挡金属线111，避免金属线111的反光。
在示例性实施方式中，触控结构层110可以是柔性单层覆盖表面式(Flexible Single Layer On Cell，简称FSLOC)结构，触控结构层110可以包括第一触控绝缘层、金属网格层和第二触控绝缘层，第一触控绝缘层可以位于金属网格层靠近基底的一侧，第二触控绝缘层可以位于金属网格层远离基底的一侧。
在示例性实施方式中，触控结构层110可以是柔性多层覆盖表面式(Flexible Multi Layer On Cell，简称FMLOC)结构，触控结构层110可以包括第一触控绝缘层、第一金属网格层、第二触控绝缘层、第二金属网格层和第三触控绝缘层，第一触控绝缘层可以位于第一金属网格层靠近基底的一侧，第二触控绝缘层可以位于第一金属网格层远离基底的一侧，第二金属网格层可以位于第二触控绝缘层远离基底的一侧，第三触控绝缘层可以位于第二金属网格层远离基底的一侧。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，不仅可以实现有效提高子像素的出光效率，提高出光色域，提高显示品质，而且利用黑矩阵遮挡触控结构层中的金属线，可以有效避免金属线的反光，提高显示品质。
在示例性实施方式中，图7至图11所示结构中可以设置触控结构层，触控结构层设置在彩膜结构层靠近基底的一侧，均可以实现避免金属线的反光、提高显示品质的技术效果，这里不再赘述。
图14为本公开示例性实施例又一种第一显示区的剖面结构示意图，为图5所示A-A向的剖视图，示意了四个子像素的结构。如图14所示，在垂直于显示基板的平面上，第一显示区的显示基板可以包括设置在基底10上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20远离基底一侧的发光结构层30、设置在发光结构层30远离基底一侧的封装结构层40、设置在封装结构层40远离基底一侧的触控结构层110和设置在触控结构层110远离基底一侧的光处理层50，光处理层50可以包括设置在封装结构层40远离基底一侧的彩膜透镜结构层120，形成彩膜位于封装层上(Color filter On Encapsulation，简称COE)结构。
在示例性实施方式中，本示例性实施例中驱动电路层20、发光结构层30和封装结构层40的结构与图6所示实施例的结构基本上相同，彩膜透镜结构层120一方面被配置为减少外界光线的反射，代替偏光片，以有效提升显示基板的透过率、色彩饱和度，有效提升显示基板的抗弯折性提高，另一方面被配置为进行光线调制，以有效提升子像素的出光效率。
在示例性实施方式中，触控结构层110可以包括第一触控绝缘层、金属网格层和第二触控绝缘层，第一触控绝缘层可以设置在封装结构层40远离基底的一侧，金属网格层可以设置在第一触控绝缘层远离基底的一侧，第二触控绝缘层可以设置在金属网格层远离基底的一侧，金属网格层中金属线在基底上的正投影可以位于黑矩阵在基底上的正投影至少的范围之内。
在示例性实施方式中，彩膜透镜结构层120可以至少包括黑矩阵61、第一彩膜层121、第二彩膜层122和多个滤光透镜层123。
在示例性实施方式中，多个黑矩阵61可以设置在触控结构层110远离基底的一侧，多个黑矩阵61可以间隔设置，在相邻的黑矩阵61之间形成透光开口。
在示例性实施方式中，多个第一彩膜层121可以间隔设置，并分别设置在多个透光开口内的触控结构层110上。第一彩膜层121的形状可以为柱体结构，第一彩膜层121的上表面(远离基底一侧的表面)设置有弧形凹陷。
在示例性实施方式中，多个滤光透镜层123可以间隔设置，并分别设置 在多个透光开口内的第一彩膜层121上。滤光透镜层123可以为球冠体，形成上平下凸(即上表面平下表面凸)的平凸型透镜，滤光透镜层123中弧形凸起的下表面(靠近基底一侧的表面)与第一彩膜层121中弧形凹陷的上表面(远离基底一侧的表面)紧密贴合，形成集滤光结构和取光结构一体的过滤取光复用结构，滤光透镜层123被配置为作为汇聚光线的透镜。
在示例性实施方式中，第二彩膜层122可以设置在多个黑矩阵61和多个滤光透镜层123远离基底的一侧，第二彩膜层122可以覆盖多个黑矩阵61和多个滤光透镜层123。
在示例性实施方式中，第二彩膜层122远离基底一侧的表面可以为平坦化表面。
在示例性实施方式中，发光结构层30中发光器件发出的光线经过封装结构层40、触控结构层110和第一彩膜层121后，以第一入射角θi1入射到第一彩膜层121与滤光透镜层123的交界面，并以第一折射角θo1进入滤光透镜层123，该光线在滤光透镜层123内传输后，以第二入射角θi2入射到滤光透镜层123与第二彩膜层122的交界面，并以第二折射角θo2进入第二彩膜层122。
在示例性实施方式中，第一彩膜层121具有第一彩膜折射率nf1，第二彩膜层122具有第二彩膜折射率nf2，滤光透镜层123具有滤光透镜折射率ncf，滤光透镜折射率ncf>第一彩膜折射率nf1，滤光透镜折射率ncf<第二彩膜折射率nf2。
在示例性实施方式中，根据折射定律nf1*Sinθi1＝ncf*Sinθo1可以看出，由于滤光透镜折射率ncf>第一彩膜折射率nf1，因而光线入射到滤光透镜层123的第一入射角θi1大于光线进入滤光透镜层123的第一折射角θo1，即相对于入射光线，进入滤光透镜层123的光线向子像素中心的方向偏转。
在示例性实施方式中，根据折射定律ncf*Sinθi2＝nf2*Sinθo2可以看出，由于滤光透镜折射率ncf<第二彩膜折射率nf2，因而光线入射到第二彩膜层122的第二入射角θi2大于进入第二彩膜层122的第二折射角θo2，即相对于入射光线，进入第二彩膜层122的光线向子像素中心的方向偏转。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，通过设置滤光结构和取光结构复用的过滤取光复用结构不仅可以实现有效提高子像素的出光效率，提高出光色域，提高显示品质，而且可以有效降低显示基板的厚度，有利于实现超薄的显示装置。
图15为本公开示例性实施例另一种第一显示区的平面结构示意图。本示例性实施例显示基板的主体结构与图5所示显示基板的主体结构基本上相同，所不同的是，本示例性实施例显示基板的第一显示区还设置有散光结构。如图15所示，第一显示区可以包括多个像素岛PD和空白岛PB，在第一方向X上，像素岛PD和空白岛PB交替设置，在第二方向Y上，像素岛PD和空白岛PB交替设置，使得在第一方向X上相邻的像素岛PD之间以及在第二方向Y上上相邻的像素岛PD之间均设置有空白岛PB，空白岛PB形成像素岛PD之间的间隔，至少一个空白岛PB设置有散光结构300。
在示例性实施方式中，至少一个散光结构300可以设置在空白岛PB内，且位于像素岛PD的至少一侧，散光结构300被配置为增加像素岛PD边缘的散射，以降低第一显示区和第二显示区的显示差异。
在示例性实施方式中，至少一个散光结构300可以包括两个第一散光条310和两个第二散光条320。第一散光条310的形状可以为沿着第一方向X延伸的条形状，可以分别设置在像素岛PD第二方向Y的两侧，两个第一散光条310相对设置。第二散光条320的形状可以为沿着第二方向Y延伸的条形状，可以分别设置在像素岛PD第一方向X的两侧，两个第二散光条320相对设置。
在示例性实施方式中，第一散光条310和第二散光条320可以包括多个依次设置的微型凸起。在平行于基底的平面内，微型凸起的形状可以包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形。在垂直于基底的平面内，微型凸起的截面形状可以包括三角形或者梯形等。
在示例性实施方式中，微型凸起可以采用金属材料，可以设置在驱动电路层中相应的导电层中，与相应的导电层通过同一次图案化工艺同步形成。
图16为本公开示例性实施例又一种第一显示区的平面结构示意图。本示 例性实施例显示基板的主体结构与图15所示显示基板的主体结构基本上相同，所不同的是，本示例性实施例的散光结构300为环绕像素岛PD的环形状。
如图16所示，在示例性实施方式中，至少一个散光结构300还包括分别与第一散光条310和第二散光条320连接的第三散光条320，第一散光条310、第二散光条320和第三散光条320顺序连接，形成环绕像素岛PD的环形状的散光结构300。
在示例性实施方式中，第一散光条310、第二散光条320和第三散光条320可以包括多个依次设置的微型凸起。
图17为本公开示例性实施例又一种第一显示区的平面结构示意图。本示例性实施例显示基板的主体结构与图16所示显示基板的主体结构基本上相同，所不同的是，本示例性实施例中相邻的散光结构300之间设置有连接条。
如图17所示，在示例性实施方式中，本示例性实施例的散光结构300可以包括第一散光条310、第二散光条320、第三散光条320、第一连接条340和第二连接条350。第一散光条310、第二散光条320和第三散光条320顺序连接，形成环绕一个像素岛PD的子散光结构。在第二方向Y相邻的子散光结构之间设置有第一连接条340，第一连接条340分别与第二方向Y相邻的子散光结构的第一散光条310和第二方向Y的反方向相邻的子散光结构的第一散光条310连接，在第二方向Y相邻的子散光结构之间形成连接通道，使第二方向Y相邻的子散光结构相互连通。在第一方向X相邻的子散光结构之间设置有第二连接条350，第二连接条350分别与第一方向X相邻的子散光结构的第二散光条320和第一方向X的反方向相邻的子散光结构的第二散光条320连接，在第一方向X相邻的子散光结构之间形成连接通道，使第一方向X相邻的子散光结构相互连通。这样，形成环绕像素岛PD且相互连通的散光结构300。
在示例性实施方式中，在第一方向X相邻的像素岛PD之间设置有沿着第一方向X延伸的第一信号连接线，第一信号连接线被配置为分别连接两个像素岛PD中的像素驱动电路，实现多个像素驱动电路的相互连接。第二连接条350在基底上的正投影与第一信号连接线在基底上的正投影至少部分交 叠。
在示例性实施方式中，第一信号连接线在基底上的正投影可以位于第二连接条350在基底上的正投影的范围之内。
在示例性实施方式中，在第二方向Y相邻的像素岛PD之间设置有沿着第二方向Y延伸的第二信号连接线，第二信号连接线被配置为分别连接两个像素岛PD中的像素驱动电路，实现多个像素驱动电路的相互连接。第一连接条340在基底上的正投影与第二信号连接线在基底上的正投影至少部分交叠。
在示例性实施方式中，第二信号连接线在基底上的正投影可以位于第一连接条340在基底上的正投影的范围之内。
本公开示例性实施例所提供的显示基板，不仅可以实现前述实施例的技术效果，而且通过设置散光结构，可以有效增加像素岛边缘和信号连接线所在区域的散射，可以有效降低第一显示区和第二显示区的显示差异。
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。
在示例性实施方式中，以第一显示区中三个子像素为例，显示基板的制备过程可以包括如下步骤。
(1)形成驱动电路层图案。在示例性实施方式中，形成驱动电路层图案可以包括：
在基底10上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖基底的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的半导体层图案，每个子像素的半导体层图案可以至少包括多个有源层。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一导电层图案，每个子像素的第一导电层图案可以至少包括多个栅电极和第一极板。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成覆盖第一导电层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二导电层图案，每个子像素的第二导电层图案可以至少包括第二极板，第二极板在基底上的正投影与第一极板在基底上的正投影至少部分交叠。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二导电层图案第四绝缘层图案，每个子像素的第四绝缘层上形成两个有源过孔，两个有源过孔分别暴露出有源层的两端。
随后，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，在第四绝缘层上形成第三导电层图案，第三导电层图案至少包括：位于每个子像素的源电极和漏电极，以及位于像素单元外侧的散光结构300，源电极和漏电极分别通过有源过孔与有源层连接。
在示例性实施方式中，散光结构300可以包括多个依次设置的微型凸起，在平行于基底的平面内，微型凸起的形状包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形，在垂直于基底的平面内，微型凸起300A的截面形状包括三角形、矩形或者梯形。
随后，在形成前述图案的基底上涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第三导电层图案平坦层图案，每个子像素的平坦层上形成有至少一个连接过孔，连接过孔暴露出漏电极的表面。
至此，制备完成驱动电路层20图案，如图18所示，图18为图17中B-B向的剖视图。在示例性实施方式中，每个子像素的驱动电路层20可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图18中仅以像素驱动电路包括一个晶体管101A和存储电容101B作为示例。
在示例性实施方式中，晶体管101A可以包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，存储电容101B可以包括第一极板和第二极板。在示例性实施方式中，晶体管101A可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。
在示例性实施方式中，散光结构可以设置在第一导电层中，或者，散光结构可以设置在第二导电层中，或者，散光结构可以设置在第一导电层、第二导电层和第三导电层中的任意一层或多层中，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，基底可以是刚性基底，或者可以是柔性基底。刚性基底可以采用玻璃或石英等材料，柔性基底可以采用聚酰亚胺(PI)等材料，柔性基底可以是单层结构，或者可以是无机材料层和柔性材料层构成的叠层结构，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可以称为缓冲(Buffer)层，第二绝缘层和第三绝缘层可以称为(GI)层，第四绝缘层可以称为层间绝缘(ILD)层。第一导电层、第二导电层和第三导电层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。平坦层可以采用有机材料，如树脂等。半导体层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物 Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管，本公开在此不做限定。
(2)形成发光结构层图案。在示例性实施方式中，形成发光结构层图案可以包括：
在形成前述图案的基底上沉积第四导电薄膜，通过图案化工艺对第四导电薄膜进行图案化，形成阳极电极层图案，每个子像素的阳极电极层图案至少可以包括阳极21，阳极21通过连接过孔与晶体管101A的漏电极连接。
随后，在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层22，每个子像素的像素定义层设置有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被去掉，暴露阳极21的表面。
随后，在形成前述图案的基底上，通过蒸镀方式或喷墨打印方式形成位于每个子像素的有机发光层23，有机发光层23通过像素开口与阳极21连接。
随后，在形成前述图案的基底上，通过开放式掩膜版的蒸镀方式形成阴极24图案，整面结构的阴极24与有机发光层23连接，实现了有机发光层23同时与阳极21和阴极24连接。
至此，制备完成发光结构层30图案，如图19所示，图19为图17中B-B向的剖视图。
在示例性实施方式中，第四导电薄膜可以采用金属材料、透明导电材料或者金属材料和透明导电材料的多层复合结构，金属材料可以包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，多层复合结构可以是ITO/Al/ITO等。
在示例性实施方式中，像素定义薄膜的材料可以包括聚酰亚胺或亚克力等。在示例性实施方式中，可以采用半色调(Half Tone Mask)掩膜板的图案化工艺，在形成像素定义层图案时形成隔垫柱图案，隔垫柱可以设置在像素开口的外侧，隔垫柱被配置为在后续蒸镀工艺中支撑精细金属掩模版，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，有机发光层可以包括发光层(EML)，以及如下任意一种或多种：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
在示例性实施方式中，制备有机发光层可以采用如下方式：首先采用开放式掩膜版(Open Mask，简称OPM)的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺依次形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，在显示基板上形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的共通层。随后采用精细金属掩模版(Fine Metal Mask，简称FMM)的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺，在不同的子像素形成不同的发光层，相邻子像素的发光层可以有少量的交叠(例如，交叠部分占各自发光层图案的面积小于10％)，或者可以是隔离的。随后采用开放式掩膜版的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺依次形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在显示基板上形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的共通层。
在示例性实施方式中，有机发光层中可以包括微腔调节层，使得阴极和阳极之间有机发光层的厚度满足微腔长度的设计。在一些示例性实施方式中，可以采用空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层作为微腔调节层，本公开在此不做限定。
在示例性实施方式中，发光层可以包括主体(Host)材料和掺杂在主体材料中的客体(Dopant)材料，发光层客体材料的掺杂比例为1％至20％。在该掺杂比例范围内，一方面发光层主体材料可将激子能量有效转移给发光层客体材料来激发发光层客体材料发光，另一方面发光层主体材料对发光层客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。在示例性实施方式中，掺杂比例是指客体材料的质量与发光层的质量之比，即质量百分比。在示例性实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。在示例性实施方式中，发光层的厚度可以约为10nm至50nm。
在示例性实施方式中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。
在示例性实施方式中，在示例性实施方式中，空穴传输层可以采用空穴迁移率较高的材料，如芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑、甲基芴、螺芴、二苯并噻吩或呋喃等，空穴传输层的厚度可以约为40nm至150nm。
在示例性实施方式中，空穴阻挡层和电子传输层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。在示例性实施方式中，空穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。
在示例性实施方式中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)或钙(Ca)等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。
在示例性实施方式中，阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。
在一些可能的示例性实施方式中，可以在形成阴极图案后形成光学耦合层图案，光学耦合层设置在阴极上，光学耦合层的折射率可以大于阴极的折射率，有利于光取出并增加出光效率，光学耦合层的材料可以采用有机材料，或者采用无机材料，或者采用有机材料和无机材料，可以是单层、多层或复合层，本公开在此不做限定。
(3)形成封装结构层图案。在示例性实施方式中，形成封装结构层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，先利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第一封装薄膜，形成第一封装层31。随后利用开放式掩膜板采用喷墨打 印工艺打印第二封装材料，形成第二封装层32。随后利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第三封装薄膜，形成第三封装层33。
至此，制备完成封装结构层图案，如图20所示，图20为图17中B-B向的剖视图。
在示例性实施例中，第一封装薄膜和第三封装薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，可以保证外界水氧无法进入发光结构层，沉积方式可以采用化学气相沉积(CVD)或者原子层沉积(ALD)等方式。第二封装薄膜可以采用有机材料，如树脂等，起到包覆显示基板各个膜层的作用，以提高结构稳定性和平坦性。
(4)依次形成触控结构层、彩膜结构层和取光结构层图案。
在示例性实施方式中，形成触控结构层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，先形成第一触控绝缘层，然后通过图案化工艺形成金属网格层，随后形成覆盖金属网格层的第二触控绝缘层。
在示例性实施方式中，形成彩膜结构层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，先涂覆黑矩阵薄膜，通过图案化工艺对黑矩阵薄膜进行图案化，形成黑矩阵图案，黑矩阵图案至少可以包括多个黑矩阵，多个黑矩阵可以间隔设置，在相邻的黑矩阵之间形成透光开口。随后，依次涂覆红色滤光薄膜、蓝色滤光薄膜和绿色滤光薄膜，分别通过图案化工艺对红色滤光薄膜、蓝色滤光薄膜和绿色滤光薄膜进行图案化，在黑矩阵形成的透光开口内分别形成多个滤光层。
在示例性实施方式中，形成取光结构层图案可以包括：在形成前述图案的基底上，先沉积或涂覆第一覆盖薄膜，形成覆盖彩膜结构层的第一覆盖层。随后，通过图案化工艺在第一覆盖层上形成多个第一取光结构，或者，通过图案化工艺在第一覆盖层上形成多个第二取光结构，或者，通过图案化工艺在第一覆盖层上形成多个第一取光结构和多个第二取光结构。随后，沉积或涂覆第二覆盖薄膜，形成覆盖多个取光结构的第二覆盖层72。
在示例性实施方式中，形成第二覆盖层72后还可以包括：通过图案化 工艺形成多个第三取光结构，第三取光结构可以为微型透镜组，微型透镜组可以包括多个依次设置的微型透镜，随后形成覆盖多个第三取光结构的第三覆盖层。
本公开示例性实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺，本公开在此不做限定。
研究发现，现有电子装置存在屏下摄像区域出光效率较低等问题。通过本公开示例性实施例显示基板的结构以及制备过程可以看出，本公开通过在第一显示区设置取光结构层，使得出射光线向子像素中心的方向偏转，有效提高了子像素的出光效率，提高了出光色域，提高了显示品质。在一种方案中，取光结构层包括第一取光结构，利用折射使得出射光线向子像素中心的方向偏转。在另一种方案中，取光结构层包括第二取光结构，利用全反射使得出射光线向子像素中心的方向偏转。在又一种方案中，取光结构层包括第一取光结构和第二取光结构，利用折射和全反射使得出射光线向子像素中心的方向偏转。
本公开通过设置取光结构层靠近基底，显示结构层出射的光线先经过调制后才进入彩膜结构层，可以提高调制光线的效率，进一步提高子像素的出光效率。本公开通过设置微型透镜组，可以进一步提高子像素的出光效率，进一步提高出光色域，进一步提高显示品质。
本公开通过设置设置滤光结构和取光结构复用的过滤取光复用结构不仅可以实现有效提高子像素的出光效率，而且可以有效降低显示基板的厚度，有利于实现超薄的显示装置。
本公开通过设置不同子像素中发生全反射的几率，可以有效避免大视角发青。本公开通过利用黑矩阵遮挡触控结构层中的金属线，可以有效避免金属线的反光，提高显示品质。
本公开通过设置设置散光结构，可以有效增加像素岛边缘和信号连接线所在区域的散射，可以有效降低第一显示区和第二显示区的显示差异，最大限度地进一步提高显示品质。
本公开制备方法不需要改变现有工艺流程，不需改变现有工艺设备，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，工艺可实现性高，实用性强。
在示例性实施方式中，本公开显示基板可以应用于具有像素驱动电路的电子装置中，如OLED、量子点显示(QLED)、发光二极管显示(Micro LED或Mini LED)或量子点发光二极管显示(QDLED)等，本公开在此不做限定。
本公开示例性实施例还提供了一种显示基板的制备方法，以制备出前述示例性实施例的显示基板。在示例性实施方式中，所述显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；所述制备方法可以包括：
在所述第一显示区的基底上形成显示结构层；
在所述显示结构层上形成光处理层，所述光处理层至少包括提高出光效率的取光结构。
本公开还提供一种显示装置，显示装置包括摄像装置和前述的显示基板，所述摄像装置在所述显示基板上的正投影与所述第一显示区在所述显示基板上的正投影至少部分交叠，所述摄像装置在所述显示基板上的正投影与所述第二显示区在所述显示基板上的正投影没有交叠。
在示例性实施方式中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本发明实施例并不以此为限。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (35)

  1. 一种显示基板，其特征在于，包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；在垂直于显示基板的平面内，所述第一显示区至少包括设置在基底上的显示结构层和设置在所述显示结构层远离所述基底一侧的光处理层，所述光处理层至少包括提高出光效率的取光结构。
  2. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光处理层至少包括彩膜结构层和第一取光结构层，所述彩膜结构层至少包括多个滤光层和设置在所述滤光层之间的黑矩阵，所述第一取光结构层至少包括第一覆盖层、设置在所述第一覆盖层远离所述基底一侧的多个第一取光结构和设置在所述多个第一取光结构远离所述基底一侧的第二覆盖层，至少一个第一取光结构包括平凸型凸透镜。
  3. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述彩膜结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述第一取光结构层设置在所述彩膜结构层远离基底的一侧。
  4. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一取光结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述彩膜结构层设置在所述第一取光结构层远离基底的一侧。
  5. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一取光结构在基底上的正投影位于所述滤光层的范围之内。
  6. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一覆盖层具有第一折射率，所述第二覆盖层具有第二折射率，所述第一取光结构具有第一取光折射率，所述第一取光折射率大于或等于所述第一折射率，所述第一取光折射率大于所述第二折射率。
  7. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一取光结构具有第一高度，所述第二覆盖层具有覆盖厚度，第一高度与覆盖厚度之比为1/3至1/1.1。
  8. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述光处理层还包括第三取光结构层，所述第三取光结构层包括设置在所述第一取光结构层远离所述基底一侧的多个第三取光结构和设置在多个第三取光结构远离所述基底一侧的第三覆盖层，至少一个第三取光结构包括微型透镜组，至少一个微型透镜组包括多个依次设置的微型透镜。
  9. 根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第三取光结构在基底上的正投影位于所述滤光层的范围之内。
  10. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光处理层至少包括彩膜结构层和第二取光结构层，所述彩膜结构层至少包括多个滤光层和设置在所述滤光层之间的黑矩阵，所述第二取光结构层至少包括第一覆盖层、设置在所述第一覆盖层远离所述基底一侧的多个第二取光结构和设置在所述多个第二取光结构远离所述基底一侧的第二覆盖层，至少一个第二取光结构包括梯形剖面的棱镜。
  11. 根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述彩膜结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述第二取光结构层设置在所述彩膜结构层远离基底的一侧。
  12. 根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第二取光结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述彩膜结构层设置在所述第二取光结构层远离基底的一侧。
  13. 根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵在所述基底上的正投影位于所述第二取光结构在所述基底上的正投影的范围之内。
  14. 根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第二覆盖层具有第二折射率，所述第二取光结构具有第二取光折射率，所述第二取光折射率小于所述第二折射率。
  15. 根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第二取光结构具有第二高度，所述第二覆盖层具有覆盖厚度，第二高度与覆盖厚度之比为1/3至1/1.2。
  16. 根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述第二取光结构 的侧壁具有坡度角，所述坡度角大于60°，且小于90°。
  17. 根据权利要求16所述的显示基板，其特征在于，在平行于基底的平面上，所述显示基板包括多个子像素，至少一个子像素在所述基底上的正投影与两个第二取光结构在所述基底上的正投影至少部分交叠。
  18. 根据权利要求17所述的显示基板，其特征在于，所述多个子像素至少包括红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，位于所述红色子像素所在区域内的所述第二取光结构的侧壁具有第一坡度角，位于所述蓝色子像素所在区域内的所述第二取光结构的侧壁具有第二坡度角，位于所述绿色子像素所在区域内的所述第二取光结构的侧壁具有第三坡度角，所述第一坡度角小于所述第二坡度角，所述第一坡度角小于所述第三坡度角。
  19. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光处理层至少包括彩膜结构层和复合取光结构层，所述彩膜结构层至少包括多个滤光层和设置在所述滤光层之间的黑矩阵，所述复合取光结构层至少包括第一覆盖层、设置在所述第一覆盖层远离所述基底一侧的多个第一取光结构和多个第二取光结构、以及设置在所述多个第一取光结构和多个第二取光结构远离所述基底一侧的第二覆盖层，至少一个第一取光结构包括平凸型凸透镜，至少一个第二取光结构包括梯形剖面的棱镜。
  20. 根据权利要求19所述的显示基板，其特征在于，所述彩膜结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述复合取光结构层设置在所述彩膜结构层远离基底的一侧。
  21. 根据权利要求19所述的显示基板，其特征在于，所述复合取光结构层设置在所述显示结构层远离基底的一侧，所述彩膜结构层设置在所述复合取光结构层远离基底的一侧。
  22. 根据权利要求19所述的显示基板，其特征在于，所述第一取光结构在所述基底上的正投影位于所述滤光层在所述基底上的正投影的范围之内，所述黑矩阵在所述基底上的正投影位于所述第二取光结构在所述基底上的正投影的范围之内。
  23. 根据权利要求19所述的显示基板，其特征在于，所述第一覆盖层具 有第一折射率，所述第二覆盖层具有第二折射率，所述第一取光结构具有第一取光折射率，所述第二取光结构具有第二取光折射率，所述第一取光折射率大于或等于所述第一折射率，所述第一取光折射率大于所述第二折射率，所述第二取光折射率小于所述第二折射率。
  24. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光处理层至少包括彩膜透镜结构层，所述彩膜透镜结构层为集滤光结构和取光结构一体的的过滤取光复用结构。
  25. 根据权利要求24所述的显示基板，其特征在于，所述彩膜透镜结构层至少包括黑矩阵、第一彩膜层、第二彩膜层和滤光透镜层；所述黑矩阵间隔设置在所述显示结构层远离基底的一侧，相邻的黑矩阵之间形成透光开口；所述第一彩膜层分别设置在多个透光开口内，所述第一彩膜层远离所述基底一侧的表面设置有弧形凹陷；所述滤光透镜层分别设置在多个透光开口内的第一彩膜层上，所述滤光透镜层中弧形凸起的下表面与所述第一彩膜层中弧形凹陷的上表面贴合；所述第二彩膜层设置在多个黑矩阵和多个滤光透镜层远离基底的一侧。
  26. 根据权利要求25所述的显示基板，其特征在于，所述第一彩膜层具有第一彩膜折射率，所述第二彩膜层具有第二彩膜折射率，所述滤光透镜层具有滤光透镜折射率，所述滤光透镜折射率大于所述第一彩膜折射率，所述滤光透镜折射率小于所述第二彩膜折射率。
  27. 根据权利要求1至26任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示结构层至少包括设置在所述基底上的驱动电路层、设置在所述驱动电路层远离所述基底一侧的发光结构层、设置在所述发光结构层远离所述基底一侧的封装结构层和设置在所述封装结构层远离所述基底的一侧的触控结构层，所述触控结构层至少包括金属网格层，所述金属网格层包括相互交织的多条金属线，所述金属线在所述基底上的正投影位于所述光处理层中黑矩阵在所述基底上的正投影至少的范围之内。
  28. 根据权利要求1至26任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一显示区包括多个像素岛和多个空白岛，在第一方向上，所述像素岛和所述空白岛交替设置，在第二方向上，所述像素岛和所述空白岛交替设置，所述 第一方向和所述第二方向交叉。
  29. 根据权利要求28所述的显示基板，其特征在于，至少一个像素岛包括两个像素单元，所述像素单元包括一个出射红色光线的红色子像素、一个出射蓝色光线的蓝色子像素和两个出射绿色光线的绿色子像素，两个红色子像素分别位于所述像素岛的一个对角位置，两个蓝色子像素分别位于所述像素岛的另一个对角位置，四个绿色子像素分别位于所述像素岛所述第二方向的中部。
  30. 根据权利要求28所述的显示基板，其特征在于，所述空白岛设置有至少一个散光结构，所述散光结构包括多个依次设置的微型凸起，在平行于基底的平面内，所述微型凸起的形状包括如下任意一种或多种：三角形、矩形、五边形、六边形、圆形和椭圆形，在垂直于基底的平面内，所述微型凸起的截面形状包括三角形或者梯形。
  31. 根据权利要求30所述的显示基板，其特征在于，所述散光结构包括分别设置在所述像素岛所述第二方向两侧的第一散光条和分别设置在所述像素岛所述第一方向两侧的第二散光条，所述第一散光条的形状为沿着所述第一方向延伸的条形状，所述第二散光条的形状为沿着所述第二方向延伸的条形状。
  32. 根据权利要求31所述的显示基板，其特征在于，所述散光结构还包括分别与所述第一散光条和第二散光条连接的第三散光条，所述第一散光条、第二散光条和第三散光条顺序连接，形成环绕所述像素岛的环形状的散光结构。
  33. 根据权利要求32所述的显示基板，其特征在于，所述散光结构还包括第一连接条和第二连接条，所述第一连接条设置在所述第二方向上相邻的第一散光条之间，且与所述第一散光条连接，在所述第二方向相邻的散光结构之间形成连接通道，所述第二连接条设置在所述第一方向上相邻的第二散光条之间，且与所述第二散光条连接，形成环绕所述像素岛且相互连通的散光结构，在所述第一方向相邻的散光结构之间形成连接通道。
  34. 一种电子装置，其特征在于，包括摄像装置和如权利要求1至33 任一项所述的显示基板，所述摄像装置在所述显示基板上的正投影与所述第一显示区在所述显示基板上的正投影至少部分交叠，所述摄像装置在所述显示基板上的正投影与所述第二显示区在所述显示基板上的正投影没有交叠。
  35. 一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第二显示区至少部分围绕所述第一显示区，所述第一显示区被配置为进行图像显示和透过光线，所述第二显示区被配置为进行图像显示；所述制备方法包括：
    在所述第一显示区的基底上形成显示结构层；
    在所述显示结构层上形成光处理层，所述光处理层至少包括提高出光效率的取光结构。
CN202280001441.6A 2022-05-25 2022-05-25 显示基板及其制备方法、电子装置 Pending CN117480882A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2022/094867 WO2023225887A1 (zh) 2022-05-25 2022-05-25 显示基板及其制备方法、电子装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117480882A true CN117480882A (zh) 2024-01-30

Family

ID=88918286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280001441.6A Pending CN117480882A (zh) 2022-05-25 2022-05-25 显示基板及其制备方法、电子装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240276848A1 (zh)
EP (1) EP4460168A1 (zh)
CN (1) CN117480882A (zh)
WO (1) WO2023225887A1 (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101827399B1 (ko) * 2015-07-01 2018-02-09 엘지디스플레이 주식회사 산란층을 포함하는 유기발광표시장치
CN114267702A (zh) * 2020-09-16 2022-04-01 华为技术有限公司 一种显示面板及其制作方法和电子设备
CN112234082B (zh) * 2020-10-10 2022-11-15 Oppo广东移动通信有限公司 显示屏和电子装置
CN113363305B (zh) * 2021-06-08 2024-05-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、电子装置及制作方法
CN113270562A (zh) * 2021-06-25 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN216145641U (zh) * 2021-06-29 2022-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113644219B (zh) * 2021-08-10 2024-07-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN114005865B (zh) * 2021-12-30 2022-03-22 北京京东方技术开发有限公司 显示基板及其制备方法、电子装置
CN114823807A (zh) * 2022-02-07 2022-07-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023225887A1 (zh) 2023-11-30
US20240276848A1 (en) 2024-08-15
EP4460168A1 (en) 2024-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113725272B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US11737329B2 (en) Display apparatus having column spacer between emission panel and color panel
US20230012412A1 (en) Display substrate and method of manufacturing the same, and display device
US20240188391A1 (en) Display Substrate and Preparation Method thereof, and Display Apparatus
CN114005865B (zh) 显示基板及其制备方法、电子装置
WO2023246379A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113345947A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN115295741A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2022226737A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN115497998A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN115207050A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US20230363203A1 (en) Display Substrate, Preparation Method Thereof, and Display Apparatus
CN114093920A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
EP4460168A1 (en) Display substrate and preparation method therefor, and electronic apparatus
CN113345946A (zh) 一种显示基板及其制作方法、控制方法、显示装置
CN113690288B (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN221488230U (zh) 显示基板和显示装置
CN220326166U (zh) 显示基板及显示装置
EP4333592A1 (en) Display substrate and manufacturing method therefor, and display device
US20230247866A1 (en) Display substrate and preparation method therefor, and display apparatus
US20240306444A1 (en) Display Substrate and Display Apparatus
US20240292687A1 (en) Display Substrate and Display Apparatus
EP4415503A1 (en) Display panel and display apparatus
US20240206228A1 (en) Display apparatus
CN116033783A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination