CN117461258A - 滤波器及其制作方法、电子设备 - Google Patents

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CN117461258A CN202280001426.1A CN202280001426A CN117461258A CN 117461258 A CN117461258 A CN 117461258A CN 202280001426 A CN202280001426 A CN 202280001426A CN 117461258 A CN117461258 A CN 117461258A
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闫浩
安齐昌
李月
车春城
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Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network

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Abstract

本公开提供一种滤波器及其制作方法、电子设备。该滤波器包括电感L和电容C，电容C的第一电极连接电感L的第一端，滤波器还包括：衬底基板(1)，散热柱(10)，第一导电层(2)和第二导电层(3)，衬底基板(1)具有阵列分布的多个功能孔；多个散热柱(10)与功能孔对应设置，散热柱(10)填充于与其对应的功能孔内；第一导电层(2)位于衬底基板(1)的一侧，第一导电层(2)包括：第一导电线(21)和第一转接线(22)，第一导电线(21)的部分结构用于形成电容C的第一电极；第一转接线(22)连接于第一导电线(21)的一侧；第二导电层(3)位于第一导电层(2)背离衬底基板(1)的一侧，第二导电层(3)包括：第二导电线(32)和第三导电线(33)，第二导电线(32)与第一导电线(21)对应设置，第二导电线(32)在衬底基板(1)的正投影位于第一导电线(21)在衬底基板(1)的正投影上，第二导电线(32)用于形成电容C的第二电极；第三导电线(33)位于第二导电线(32)的一侧且与第一转接线(22)对应设置，第三导电线(33)通过过孔连接第一转接线(22)，第三导电线(33)用于形成电感L线圈的部分结构；其中，至少部分散热柱(10)与第一导电层(2)绝缘设置，且散热柱(10)的热传导率大于衬底基板(1)的热传导率。

Description

滤波器及其制作方法、电子设备 技术领域
本公开涉及电子技术领域，具体而言，涉及一种滤波器及其制作方法、电子设备。
背景技术
随着器件尺寸的不断缩小，集成度越来越高，器件的功耗可能会大幅提高，而散热却因集成度的提高而无法有效的降低，如果不能有效地快速地将热量从器件中散出，将直接导致器件因高温而失效，从而严重影响器件的性能和可靠性。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种滤波器及其制作方法、电子设备。
根据本公开的一个方面，提供一种滤波器，包括电感和电容，所述电容的第一电极连接所述电感的第一端，所述滤波器还包括：衬底基板，所述衬底基板具有至少一个功能孔；至少一个散热柱，所述散热柱与所述功能孔对应设置，所述散热柱填充于与其对应的所述功能孔内；第一导电层，位于所述衬底基板的一侧，所述第一导电层包括：第一导电线，所述第一导电线的部分结构用于形成所述电容的第一电极；第一转接线，所述第一转接线连接于所述第一导电线的一侧；第二导电层，位于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第二导电层包括：第二导电线，与所述第一导电线对应设置，所述第二导电线在所述衬底基板的正投影位于所述第一导电线在所述衬底基板的正投影上，所述第二导电线用于形成所述电容的第二电极；第三导电线，位于所述第二导电线的一侧且与所述第一转接线对应设置，所述第三导电线通过过孔连接所述第 一转接线，所述第三导电线用于形成所述电感线圈的部分结构；其中，至少部分散热柱与所述第一导电层绝缘设置，且所述散热柱的热传导率大于所述衬底基板的热传导率。
在本公开的示例性实施例中，所述功能孔各个位置的开孔面积相同；或者，所述功能孔的开孔面积自所述衬底基板的一侧向所述衬底基板的另一侧逐渐减小；或者，所述功能孔的开孔面积自所述衬底基板两侧向中间一位置逐渐减小。
在本公开的示例性实施例中，所述功能孔沿所述衬底基板的厚度方向的长度与所述功能孔的孔径之比大于等于5且小于等于7。
在本公开的示例性实施例中，所述散热柱为空心散热柱，所述散热柱的空腔的延伸方向和所述散热柱的延伸方向相同。
在本公开的示例性实施例中，所述散热柱为实心散热柱。
在本公开的示例性实施例中，所述散热柱为导电柱。
在本公开的示例性实施例中，所述滤波器还包括：第一介质层，位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述第一介质层与所述第二导电线对应设置，且所述第一介质层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二导电线在所述衬底基板的正投影；第一种子层，位于所述第一介质层和所述第二导电层之间，所述第一种子层用于作为生成所述第二导电层的种子层。
在本公开的示例性实施例中，所述滤波器还包括：第三导电层，位于所述第二导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第三导电层包括：第四导电线，所述第四导电线与所述第三导电线对应设置，所述第四导电线用于形成所述电感线圈的部分结构；其中，所述第三导电线、所述第四导电线弯折设置，所述第三导电线在所述衬底基板的正投影与所述第四导电线在所述衬底基板的正投影围成绕线区；且所述第三导电线的第一端通过过孔连接所述第四导电线的第一端，所述第三导电线的第二端通过过孔连接所述第一转接线，所述第三导电线的第一端至第二端的延伸方向与所述第四导电线的第一端至第二端的延伸方向相同。在本公开的示例性实施例中，所述第二导电层的厚度、所述第三导电层的厚度均大于所述第一导电层的厚度。
在本公开的示例性实施例中，所述第二导电层的厚度与所述第一导电层的厚度之比、所述第三导电层的厚度与所述第一导电层的厚度之比大于等于1.5且小于等于3。
在本公开的示例性实施例中，所述第二导电层还包括：第一连接部，位于所述第二导电线和所述第三导电线之间且与所述第一导电线对应设置，所述第一连接部通过过孔连接所述第一导电线；所述第三导电层还包括：第二连接部，所述第二连接部与所述第二导电线对应设置，所述第二连接部在所述衬底基板的正投影与所述第二导电线在所述衬底基板的正投影至少部分交叠，且所述第二连接部通过过孔连接所述第二导电线；第三连接部，所述第三连接部与所述第一连接部对应设置，所述第三连接部在所述衬底基板的正投影与所述第一连接部在所述衬底基板的正投影至少部分交叠，且所述第三连接部通过过孔连接所述第一连接部；所述滤波器还包括：锡球层，位于所述第三导电层背离所述衬底基板的一侧，所述锡球层包括：第一锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第四导电线在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第一锡球通过过孔连接所述第四导电线的一个端部；第二锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第三连接部在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第二锡球通过过孔连接所述第三连接部；第三锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第二连接部在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第三锡球通过过孔连接所述第二连接部。
在本公开的示例性实施例中，所述功能孔为盲孔，且所述盲孔的孔口位于所述衬底基板远离所述第一导电层的一侧。
在本公开的示例性实施例中，所述功能孔为通孔，或所述功能孔为盲孔且所述盲孔的孔口位于所述衬底基板靠近所述第一导电层的一侧；所述滤波器还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层在朝向所述第一导电层的一侧覆盖所述衬底基板。
在本公开的示例性实施例中，所述衬底基板包括第一功能区和第二功能区，所述第一转接线在所述衬底基板的正投影位于所述第一功能区，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影位于所述第二功能区，所述第一功能区和所述第二功能区均包括所述功能孔，且所述第一功能区中的 功能孔为通孔；位于所述第一功能区的所述多个散热柱包括多个第一导电柱和多个第二导电柱，多个所述第一导电柱和多个所述第二导电柱分别沿同一方向间隔排布，且所述第一导电柱和所述第二导电柱并排设置，所述第一导电柱、所述第二导电柱用于形成所述电感线圈的部分结构；所述滤波器还包括：第五导电层，位于所述衬底基板背离所述第一导电层的一侧，所述通孔位于所述第五导电层在所述衬底基板的正投影对应的区域内，所述第五导电层包括：多条第五导电线，所述第五导电线连接于同一排的所述第一导电柱和所述第二导电柱之间；其中，所述第一转接线包括多个第一子转接线，所述第一子转接线用于形成所述电感线圈的部分结构，所述第一子转接线连接于相邻排的第一导电柱和第二导电柱之间，且每一散热柱连接一条所述第一子转接线。
在本公开的示例性实施例中，所述第三导电线包括多个第三子导电部，所述第三子导电部与所述第一子转接线对应设置，所述第三子导电部通过过孔连接与其对应的所述第一子转接线；所述第二导电层还包括：所述第一导电线包括依次连接的第一子导电线、第二子导电线和第三子导电线，所述第二子导电线用于形成所述电容的第一电极，所述第一子导电线与所述第一子转接线对应设置，所述第一子导电线连接于所述第一子导电线和与所述第二子导电线对应的第一子转接线之间；所述滤波器还包括：锡球层，位于所述第三导电层背离所述衬底基板的一侧，所述锡球层包括：第一锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第三子导电部在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第一锡球通过过孔连接所述第三子导电部的一个端部；第二锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第三子导电线在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第二锡球通过过孔连接所述第三子导电线；第三锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第二导电线在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第三锡球通过过孔连接所述第二导电线。
在本公开的示例性实施例中，所述第一功能区中功能孔的孔径大于所述第二功能区中功能孔的孔径。
在本公开的示例性实施例中，位于第一功能区的通孔的孔径与位于第二功能区的功能孔的孔径之比大于等于1.5小于等于2.5。
在本公开的示例性实施例中，所述第一子转接线在所述衬底基板的正投影覆盖与其连接的第一导电柱、第二导电线在所述衬底基板的正投影；所述第五导电线在所述衬底基板的正投影覆盖与其连接的第一导电柱、第二导电线在所述衬底基板的正投影。
在本公开的示例性实施例中，所述第二功能区中的功能孔为盲孔，且所述盲孔的孔口位于所述衬底基板远离所述第一导电层的一侧。
在本公开的示例性实施例中，所述第二功能区的功能孔为通孔，或所述第二功能区的功能孔为盲孔且所述盲孔的孔口位于所述衬底基板靠近所述第一导电层的一侧；所述滤波器还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层在朝向所述第一导电层的一侧覆盖所述衬底基板的第二功能区。
在本公开的示例性实施例中，所述第五导电层的厚度、所述第二导电层的厚度均大于所述第一导电层的厚度。
在本公开的示例性实施例中，所述第五导电层的厚度与所述第一导电层的厚度之比、所述第二导电层与所述第一导电层的厚度之比大于等于1.5且小于等于3。
在本公开的示例性实施例中，所述第二导电层的厚度大于等于5μm，所述第一导电层的厚度大于等于3μm；所述第三导电层或所述第五导电层的厚度大于等于5μm。
在本公开的示例性实施例中，所述散热柱的材料为铜。
在本公开的示例性实施例中，所述衬底基板为玻璃基板或硅基板。
根据本公开的第二方面，还提供一种滤波器制作方法，所述滤波器包括电感和电容，所述电容的第一电极连接所述电感的第一端，所述制作方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成多个功能孔；在所述功能孔内形成散热柱；在所述衬底基板的一侧面形成第一导电层，所述第一导电层至少与部分所述散热柱绝缘设置，所述第一导电层包括第一导电线和第一转接线，所述第一导电线的部分结构用于形成所述电容的第一电极，所述第一转接线连接于所述第一导电线的一侧；在所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧形成第二导电层，所述第二导电层包括第二导电线和第三导电线，所述第二导电线与所述第一导电线对应设置，所述第二导电线在所述衬底基板的正投影位于所述第一导电线在 所述衬底基板的正投影上，所述第二导电线用于形成所述电容的第二电极；所述第三导电线位于所述第二导电线的一侧且与所述第一转接线对应设置，所述第三导电线通过过孔连接所述第一转接线，所述第三导电线用于形成所述电感线圈的部分结构。
在本公开的示例性实施例中，所述在所述衬底基板上形成多个功能孔，包括：利用激光照射所述衬底基板上的预设位置，以对所述预设位置的分子键进行改性；利用刻蚀液对所述衬底基板的预设位置进行刻蚀以形成通孔，和/或，利用刻蚀工艺根据预设深宽比对所述衬底基板的预设位置进行刻蚀以形成盲孔，且所述盲孔的孔底距离所述衬底基板的另一表面具有预设厚度，其中，刻蚀液对所述预设位置的刻蚀速度大于对所述衬底基板其他位置的刻蚀速度。
在本公开的示例性实施例中，所述在所述功能孔内形成散热柱，包括：在所述功能孔的侧壁内溅射第一材料形成粘附层；在所述粘附层上溅射第一种子材料形成第二种子层；在所述第二种子层上溅射预设厚度的散热材料，形成散热柱。
在本公开的示例性实施例中，所述功能孔为通孔，或者，所述功能孔为盲孔且所述盲孔的孔口位于所述衬底基板靠近所述第一导电层的一侧；所述在所述衬底基板的一侧面形成第一导电层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上整面沉积第一绝缘材料形成第一绝缘层。
在本公开的示例性实施例中，所述在所述衬底基板的一侧面形成第一导电层，包括：利用加成法在所述第一绝缘层上沉积预设厚度的第一导电材料，形成第一导电材料层；利用构图工艺将所述第一导电材料层形成第一导电层；对所述第一导电层进行平坦化处理。
在本公开的示例性实施例中，所述在第一导电层背离所述衬底基板的一侧形成第二导电层之前，所述方法包括：利用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一导电层上沉积预设厚度的第一绝缘材料，形成第一介质层；利用磁控溅射工艺在所述第一介质层上沉积预设厚度的第一种子材料，形成第一种子层；所述在第一导电层背离所述衬底基板的一侧形成第二导电层，包括：利用沉积工艺在所述第一导电层和所述第一种子层上沉积第二绝缘材料，形成第三绝缘层；利用构图工艺将对所述 第三绝缘层进行处理形成开孔，以露出所述第一导电层的部分结构以及露出所述第一种子层的部分结构；利用溅射工艺在所述开孔处沉积第一种子材料，形成第三种子层；利用电镀工艺在所述第三种子层上电镀预设厚度的第一导电材料形成第二导电层。
在本公开的示例性实施例中，所述滤波器还包括第三导电层，在所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧形成第二导电层之后，所述方法还包括：在所述第二导电层上沉积第二绝缘材料形成第四绝缘层；利用构图工艺对所述第四绝缘层进行处理形成开孔，以露出位于所述第一导电线上的部分所述第二导电层；利用溅射工艺在位于所述第三导电线上的第四绝缘层处以及所述开孔处溅射第一种子材料，形成第四种子层；利用电镀工艺在所述第四种子层上电镀预设厚度的第一导电材料，形成第三导电层，所述第三导电层包括第四导电线，所述第四导电线与所述第三导电线对应设置，所述第四导电线在所述衬底基板的正投影与所述第三导电线在所述衬底基板的正投影至少部分交叠，所述第四导电线用于形成所述电感线圈的部分结构，所述第三导电线、所述第四导电线弯折设置，所述第三导电线在所述衬底基板的正投影与所述第四导电线在所述衬底基板的正投影围成绕线区，所述第三导电线的第一端通过过孔连接所述第四导电线，所述第三导电线的第二端通过过孔连接所述第一转接线，所述第三导电线的第一端至第二端的延伸方向与所述第四导电线的第一端至第二端的延伸方向相同。
在本公开的示例性实施例中，在形成所述第三导电层之后，所述方法还包括：在所述第三导电层上沉积第二绝缘材料形成第五绝缘层；利用构图工艺在所述第五绝缘层上对应所述第四导电线的位置形成三个开孔，以分别露出部分所述第四导电线的部分结构；在三个所述开孔处分别植入锡球，形成所述滤波器的信号输入端、信号输出端和接地端。
在本公开的示例性实施例中，所述衬底基板包括第一功能区和第二功能区，所述第一转接线在所述衬底基板的正投影位于所述第一功能区，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影位于所述第二功能区，所述第一功能区、所述第二功能区的功能孔均为通孔；所述多个散热柱包括多个第一导电柱和多个第二导电柱，多个所述第一导电柱和多个所述第二 导电柱分别沿同一方向间隔排布，且所述第一导电柱和所述第二导电柱并排设置，所述第一导电柱、所述第二导电柱用于形成所述电感线圈的部分结构；在所述衬底基板的一侧面形成第一导电层之前，所述方法还包括：利用沉积工艺在所述衬底基板的第二功能区沉积第一绝缘材料形成第一绝缘层；所述在所述衬底基板的一侧面形成第一导电层，包括：利用加成法在所述第一绝缘层上以及所述衬底基板的第一功能区沉积预设厚度的第一导电材料，形成第一导电材料层；利用构图工艺将所述第一导电材料层形成第一导电层；对所述第一导电层进行平坦化处理。
在本公开的示例性实施例中，所述滤波器还包括第五导电层，所述方法还包括：利用溅射工艺在所述衬底基板背离所述第一导电层一侧的第一功能区溅射第一种子材料，形成第五种子层；利用电镀工艺在所述第五种子层上电镀预设厚度的第一导电材料，形成第五导电层；利用构图工艺对所述第五导电层进行处理，形成多个第一子转接线，所述第一子转接线用于形成所述电感线圈的部分结构，所述第一子转接线连接于相邻排的第一导电柱和第二导电柱之间，且每一散热柱连接一条所述第一子转接线。
根据本公开的第三方面，还提供一种电子设备，包括本公开任意实施例所述的滤波器。
本公开提供的滤波器，通过在衬底基板上形成功能孔，并在功能孔内填充热传导率较高的散热柱，通过将至少部分的散热柱设置为与第一导电层绝缘，从而可以通过这些散热柱来提高衬底基板的散热性能，进而提高滤波器的整体散热性。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他 的附图。
图1为根据本公开一种实施方式的滤波器的等效电路图；
图2为根据本公开一种实施方式的滤波器的结构版图；
图3为图2中衬底基板的版图结构；
图4为图2中第一导电层的版图结构；
图5为图2中第二导电层的版图结构；
图6为图2中第三导电层的版图结构；
图7为图2中锡球层的版图结构；
图8为图2中第一导电层和第二导电层的叠层版图结构；
图9为图2中第二导电层和第三导电层的叠层版图结构；
图10为图2中第一导电层、第一介质层和第一种子层的叠层版图结构；
图11为图2中沿虚线MM的部分剖视图；
图12a为根据本公开一种实施方式的衬底基板的剖视图；
图12b为根据本公开另一种实施方式的衬底基板的剖视图；
图13a为根据本公开一种实施方式的第一转接线、第三导电线和第四导电线的弯折示意图；
图13b为根据本公开另一种实施方式的第一转接线、第三导电线和第四导电线的弯折示意图；
图14为根据本公开另一种实施方式的滤波器的结构版图；
图15为图14中衬底基板的版图结构；
图16为图14中第一导电层的版图结构；
图17为图14中第二导电层的版图结构；
图18为图14中锡球层的版图结构；
图19为图14中第五导电层的版图结构；
图20为图14中沿虚线NN的剖视图；
图21a为根据本公开一种实施方式的衬底基板的剖视图；
图21b为根据本公开另一种实施方式的衬底基板的剖视图；
图22～图27f为根据本公开另一种实施方式的滤波器制作方法的工艺流程图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
本示例性实施例提供一种滤波器，图1为根据本公开一种实施方式的滤波器的等效电路图，如图1所示，该滤波器可以包括电容C、电感L和电阻R。电感L的第一端连接电容C的第一电极，第二端通过电阻R连接信号输入端IN；电容C的第二电极连接接地端GND，电感L的第二端和电容C的第一电极连接信号输出端OUT。
本公开提供的滤波器可以包括衬底基板、散热柱、第一导电层和第二导电层，衬底基板具有至少一个功能孔；散热柱与功能孔对应设置，散热柱填充于与其对应的功能孔内；第一导电层位于衬底基板的一侧，第一导电层可以包括第一导电线、第一转接线，第一导电线的部分结构用于形成电容C的第一电极；第一转接线连接于第一导电线的一侧，第一转接线的部分结构用于形成电感L的部分线圈结构；第二导电层位于第一导电层背离衬底基板的一侧，第二导电层可以包括第二导电线和第三导电线，第二导电线与第一导电线对应设置，第二导电线在衬底基板的正投影位于第一导电线在衬底基板的正投影上，第二导电线用于形成电容C的第二电极；第三导电线位于第二导电线的一侧且与第一转接线对应设置，第三导电线通过过孔连接第一转接线，第三导电线用于形成电感L的部分线圈结构；其中，至少部分散热柱与第一导电层绝缘设置，且散热柱的热传导率大于衬底基板的热传导率。
本公开提供的滤波器，通过在衬底基板上形成功能孔，并在功能孔内填充热传导率较高的散热柱，通过将至少部分的散热柱设置为与第一导电层绝缘，从而可以通过这些散热柱来提高衬底基板的散热性能，进而提高滤波器的整体散热性。
本公开提供的滤波器中，电感L可以为三维电感L或者可以为二维电 感L。三维电感L是利用散热柱的导电性，散热柱形成电感L线圈的部分结构。二维电感L则是完全利用导电层的走线形成电感L的线圈结构，散热柱仅形成滤波器的散热结构。考虑到三维电感L和二维电感L的结构版图具有一定的差异，下面结合附图分别对具有三维电感L的滤波器结构和具有二维电感L的滤波器结构进行分别说明。
在示例性实施例中，具有二维电感L的滤波器可以包括衬底基板以及在衬底基板一侧依次层叠设置的第一导电层、第二导电层、第三导电层、锡球层。
如图2-12所示，图2为根据本公开一种实施方式的滤波器的结构版图，图3为图2中衬底基板的版图结构，图4为图2中第一导电层的版图结构，图5为图2中第二导电层的版图结构，图6为图2中第三导电层的版图结构，图7为图2中锡球层的版图结构，图8为图2中第一导电层和第二导电层的叠层版图结构，图9为图2中第二导电层和第三导电层的叠层版图结构，图10为图2中第一导电层、第一介质层和第一种子层的叠层版图结构，图11为图2中沿虚线MM的部分剖视图。
在示例性实施例中，第一方向X可以为图中所示的行方向X，第二方向Y可以为图中所示的列方向Y，第一方向X与第二方向Y相交。
在示例性实施例中，如图2、图3所示，衬底基板1可以为玻璃基板或者硅基板。衬底基板1包括多个阵列分布的功能孔，每个功能孔内填充有散热柱10，散热柱10的热传导率大于衬底基板1的热传导率，并且将至少部分散热柱10与第一导电层2绝缘设置，从而与第一导电层2绝缘设置的散热柱10可以形成滤波器的散热结构，提高滤波器的散热效果。通常，金属导电材料具有较高的热传导率，因此，本示例性实施例中的散热柱10可以由金属导电材料形成，例如可以由铜材料形成的铜导电柱作为散热柱10。应该理解的是，此处仅为示例性说明，不应理解为对本公开散热柱10材料的限定。任何其他具有比衬底基板1的热传导率高的材料均可以形成本公开所述的散热柱10。本公开所述的散热柱10可以为空心散热柱10，并且散热柱10的空腔的延伸方向和散热柱10的延伸方向相同。散热柱10还可以为实心散热柱10，实心散热柱10可以具有更好的散热效果。
功能孔可以为通孔TGV或盲孔BGV，通孔TGV即为贯穿衬底基板1的相对的两个面的孔，在由二维电感L组成的滤波器结构中，散热柱10仅作为散热结构，因此需要将填充于通孔TGV内的散热柱10与第一导电层2进行电气隔离，相应地，滤波器还可以包括第一绝缘层100，该第一绝缘层100可以通过整面沉积的工艺得到，即通过在衬底基板1朝向第一导电层2的一侧整面沉积第一绝缘材料得到第一绝缘层100，第一绝缘材料例如可以为SiNx等。
图12a为根据本公开一种实施方式的衬底基板的剖视图，图12b为根据本公开另一种实施方式的衬底基板的剖视图，如图12a、图12b所示，盲孔BGV即为仅贯穿衬底基板1的一个面，而不贯穿另一个面的孔。换言之，盲孔BGV具有孔口和孔底，孔口位于衬底基板1的一个面上，自孔口所在的面沿衬底基板的厚度方向向衬底基板的另一个面延伸，并距离衬底基板的另一个面一定距离形成盲孔BGV的孔底。当功能孔为盲孔BGV时，可以如图12a所示将功能孔的孔底朝向第一导电层2，即孔口位于衬底基板远离第一导电层的一侧，以通过衬底基板1保留的厚度来实现散热柱10与第一导电层2之间的电气隔离。当然，也可以如图12b所示将盲孔BGV的孔底背离第一导电层2设置，即盲孔BGV的孔口位于衬底基板靠近第一导电层的一侧，此时可以在衬底基板1朝向第一导电层2的一侧整面沉积第一绝缘材料形成第一绝缘层100，通过第一绝缘层100来实现第一导电层2与散热柱10的电气隔离。
可以理解的是，当盲孔BGV的孔口位于衬底基板远离第一导电层的一侧时，盲孔BGV的孔底孔底与该结构之间具有一定的厚度距离，该厚度距离即为盲孔BGV位置的衬底基板1的所剩余厚度。
此外，可以理解的是，衬底基板1中功能孔的分布密度不同会影响滤波器的散热性，当功能孔的分布密度较高时，相当于单位面积内具有的散热柱10更多，因此通过提高功能孔的分布密度可以提升对滤波器的散热性能。
在示例性实施例中，如图2、图4所示，第一导电层2可以包括第一转接线22和第一导电线21，第一导电线21在衬底基板1的正投影可以沿第一方向X延伸，第一导电线21的部分结构可以用于形成电容C 的第一电极。第一转接线22连接于第一导电线21的一端，第一转接线22可通过过孔连接第二导电层3中的第三导电线33(用于形成电感L线圈的部分结构)，从而通过第一转接线22与第一导电线21的连接，实现了电感L的第一端连接电容C的第一电极。
在示例性实施例中，如图2、图5所示，第二导电层3可以包括第二导电线32和第三导电线33，第二导电线32在衬底基板1的正投影可以位于第一导电线21在衬底基板1的正投影上，例如，第二导电线32在衬底基板1的正投影位于第一导电线21在衬底基板1的正投影内，第二导电线32与第一导电线21正对设置，形成电容C的两个电极。第三导电线33可以进行弯折设置，形成电感L线圈的部分结构，如上所述，第三导电线33可以通过过孔(图5、图8中的加黑位置D2)连接第一导电层2中的第一转接线22。第二导电层3还可以包括第一连接部31，第一连接部31位于第二导电线32和第三导电线33之间且与第一导电线21对应设置，例如第一连接部31在衬底基板1的正投影可以位于第一导电线21在衬底基板1的正投影上。如图11所示，第一连接部31可通过过孔连接第一导电线21，以使得第一连接部31与电感L的第一端和电容C的第一电极相连接，第一连接部31再通过过孔连接位于第三导电层4的第三连接部43、锡球层5的第二锡球2，形成图1中的信号输出端OUT。
在示例性实施例中，如图2、图6所示，第三导电层4可以包括第四导电线44，第四导电线44与第三导电线33对应设置，第四导电线44在衬底基板1的正投影与第三导电线33在衬底基板1的正投影可以部分交叠，第四导电线44可用于形成电感L线圈的部分结构。第四导电线44可以通过过孔(图6、图9中的加黑位置D1)连接第三导电线33。第三导电层4还可以包括第二连接部42和第三连接部43，第二连接部42与第二导电层3中的第二导电线32对应设置，第二连接部42在衬底基板1的正投影可以与第二导电线32在衬底基板1的正投影部分交叠。如图11所示，第二连接部42可通过过孔连接第二导电线32，以将电容C的第二电极引出后通过锡球层5的第三锡球3连接接地端GND。第三连接部43与第一连接部31对应设置，第三连接部43在衬底基板1的正 投影可以与第一连接部31在衬底基板1的正投影部分交叠。如图11所示，第三连接部43可通过过孔连接第一连接部31，如上所述，由第三连接部43与对应位置的第二锡球2连接后形成图1中的信号输出端OUT。
在示例性实施例中，如图2、图7所示，锡球层5可以包括第一锡球1、第二锡球2和第三锡球3，第一锡球1在衬底基板1的正投影可以与第四导电线44在衬底基板1的正投影部分交叠，第一锡球1可以通过过孔连接第四导电线44的一个端部，以形成图1中的信号输入端IN。第二锡球2在衬底基板1的正投影可以与第三连接部43在衬底基板1的正投影相交叠，第二锡球2可以通过过孔连接第三连接部43，形成图1中的信号输出端OUT。第三锡球3在衬底基板1的正投影可以与第二连接部42在衬底基板1的正投影部分交叠，第三锡球3可通过过孔连接第二连接部42，使得电容C的第二电极连接接地端GND。
如图2、图5、图6所示，第三导电线33、第四导电线44分别弯折设置，第三导电线33在衬底基板1的正投影与第四导电线44在衬底基板1的正投影围成一绕线区，第三导电线33的第一端可通过过孔连接第四导电线44的第一端，第三导电线33的第二端可通过过孔连接第一转接线22，第三导电线33的第一端至第二端的延伸方向与第四导电线44的第一端至第二端的延伸方向相同，由此第三导电线33和第四导电线44整体上形成螺旋绕线结构。
可以理解的是，本公开所述的某一导电线由第一端至第二端的延伸方向可以理解为，该导电线上的任意一点从第一端向第二端移动时的移动方向。其可以为顺时针方向或逆时针方向。
在示例性实施例中，通过将第一导电层2的第一转接线22弯折设置，可使得第一转接线22也可以形成电感L的部分线圈结构。在第一转接线22、第三导电线33和第四导电线44共同形成电感L的线圈结构时，如图9所示，第一转接线22、第三导电线33和第四导电线44整体上形成螺旋结构，该螺旋结构的一端由第一转接线22与第一导电线21连接，使得电感L的第一端连接电容C的第一电极，该螺旋结构的另一端由第四导电线44的末端与锡球层5的第二锡球2连接，使得电感L的第二端通过电阻连接信号输入端IN。
示例性的，如图4～图6、图8、图9所示，第一转接线22、第三导电线33和第四导电线44分别弯折设置，第一转接线22由与第一导电线21连接的起始端开始沿逆时针方向进行弯折，其末端通过过孔连接第三导电线33的起始端，第三导电线33同样沿逆时针方向进行弯折后，其末端通过过孔连接第四导电线44的起始端，第四导电线44进行弯折后，其末端连接锡球层5对应位置的锡球，此时，第一转接线22、第三导电线33和第四导电线44在衬底基板1的正投影形成绕线区，第一转接线22、第三导电线33和第四导电线44整体上形成螺旋延伸的绕线，构成电感L的线圈结构。
图13a为根据本公开一种实施方式的第一转接线、第三导电线和第四导电线的弯折示意图，图13b为根据本公开另一种实施方式的第一转接线、第三导电线和第四导电线的弯折示意图，可以理解的是，第一转接线22、第三导电线33和第四导电线44可以进行规则形状的弯折，例如进行U型弯折，圆形弯折等，或者也可以为不规则弯折，例如可以按照图13a、图13b所示的方式进行弯折，本公开不以此为限。通过将第三导电线33和第四导电线44设置为规则的弯折形状，可以简化布线难度，有利于调节电感L参数。
在示例性实施例中，衬底基板1还可以包括粘附层和第二种子层，可通过溅射工艺在功能孔的侧壁溅射第一材料形成粘附层，第一材料例如可以为Ti，即通过溅射Ti材料在功能孔的内壁形成Ti粘附层，粘附层的厚度可以大于5nm。再通过在Ti粘附层上溅射第一种子材料形成第二种子层，第二种子层的厚度可以大于30nm，第一种子材料例如可以为铜，然后可以以蝶形的方式对通孔TGV进行双面Cu电镀填充，形成具有预设厚度的散热柱10。应该理解的是，第一种子材料还可以为其他材料。
在示例性实施例中，衬底基板11的厚度可以为0.25mm～0.35mm，例如，衬底基板1的厚度可以为0.25mm、0.27mm、0.3mm、0.35mm等。功能孔在与衬底基板1平行平面上的横截面可以为圆形，功能孔沿衬底基板1的厚度方向的长度与功能孔的孔径之比可以大于等于5且小于等 于7。例如可以为5，5.5，6，6.5，7等。功能孔的孔径可以为50μm～80μm，例如，功能孔的孔径可以为50μm、60μm、70μm、80μm。位于第二种子层和功能孔侧壁之间粘附层的厚度可以为5nm～30nm，例如，粘附层的厚度可以为5nm、10nm、15nm、25nm、30nm等。第二种子层的厚度可以为30nm～80nm，例如，第二种子层的厚度可以为30nm、50nm、70nm、80nm等。应该理解的是，在其他示例性实施例中，功能孔在与衬底基板1平行平面上的横截面还可以为其他形状，例如，矩形、菱形等。
在上述实施例的基础上，衬底基板1上的功能孔可以具有不同的形状。示例性的，衬底基板1上的功能孔可以通过激光打孔形成，相应的，功能孔在衬底基板1的厚度方向上各个位置的开孔面积可以相同。此外，衬底基板1还可以通过湿刻工艺形成，例如，可以利用激光照射衬底基板1上的预设位置，以对衬底基板1预设位置的分子键进行改性，以使衬底基板1预设位置的刻蚀速度会大于衬底基板1其他位置的刻蚀速度，然后利用刻蚀液对衬底基板1的预设位置进行刻蚀以形成功能孔。在一示例性实施例中，可以利用刻蚀液从玻璃基板的一侧面向另一侧面刻蚀功能孔，相应的，功能孔的开孔面积自一个开口向另一开口逐渐减小。在另一示例性实施例中，还可以利用刻蚀液从衬底基板1的两侧面向中间刻蚀功能孔，相应的，功能孔的开孔面积可以自两个开口向中间一位置逐渐减小。其中，湿刻工艺可以使得功能孔侧壁更加光滑，从而有助于粘附层、第二种子层和功能孔侧壁粘结。
应该理解的是，不管功能孔是通孔TGV还是盲孔BGV，其均可以具有上文所描述的功能孔结构及其效果。
此外，位于功能孔中的散热柱10的性状可以与功能孔的性状相匹配，即散热柱10各个位置的径向尺寸相同，或者散热柱10的径向尺寸可以自衬底基板1的一侧向衬底基板1的另一侧逐渐减小，或者散热柱10的径向尺寸可以自衬底基板1两侧向中间一位置逐渐减小。
在示例性实施例中，第二导电层3的厚度、第三导电层4的厚度可以大于第一导电层2的厚度。第二导电层3的厚度、第三导电层4的厚度可以为第一导电层2的厚度的1.5倍～3倍，例如可以为1.5倍，2倍， 2.5倍，3倍等。第一导电层2的厚度例如可以大于等于3μm，第二导电层3的厚度、第三导电层4的厚度例如可以大于等于5μm。第二导电层3和第三导电层4因为要形成电感L的线圈结构，通过增加第二导电层3和第三导电层4的厚度，可以提高所形成的电感L的电感L值，减小电感L的损耗，从而提升滤波器的滤波效果。
在示例性实施例中，如图10、图11所示，滤波器还可以包括依次层叠于第一导电层2上的第一介质层210和第一种子层220，第一介质层210与第二导电线32对应设置，且第一介质层210在衬底基板1的正投影覆盖第二导电线32在衬底基板1的正投影，第一介质层210用于形成电容C的介质层，可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积120nm的高平整度的SiNx薄膜，作为电容C的介质层，以保障电容C的均一性。可利用磁控溅射的方法在第一介质层210上沉积100nm的Cu薄膜作为电容C的第二电极底垫及生成电容C的第二电极的种子层。
在示例性实施例中，具有三维电感L的滤波器可以包括衬底基板1、在衬底基板1一侧依次层叠设置的第一导电层2、第二导电层3、锡球层5以及位于衬底基板1另一侧的第五导电层6。
如图14～23所示，图14为根据本公开另一种实施方式的滤波器的结构版图，图15为图14中衬底基板的版图结构，图16为图14中第一导电层的版图结构，图17为图14中第二导电层的版图结构，图18为图14中锡球层的版图结构，图19为图14中第五导电层的版图结构，图20为图14中沿虚线NN的剖视图。
在示例性实施例中，如图14、图15所示，衬底基板1可以为玻璃基板或者硅基板。衬底基板1可以包括第一功能区A和第二功能区B，第一功能区A分布有多个第一导电柱101和第二导电柱102，多个第一导电柱101和多个第二导电柱102分别沿同一方向间隔排布，例如可以沿图中的第二方向Y间隔排列，且第一导电柱101和第二导电柱102并排设置，第一功能区A中的功能孔为通孔TGV，这样位于通孔TGV中的导电柱能够和与其连接的导电线和转接线形成电连接，使得导电柱形成电 感L的线圈的部分结构。
位于第二功能区B的散热柱10则仅用于形成滤波器的散热结构，第二功能区B的功能孔可以为通孔TGV或盲孔BGV。
图21a为根据本公开一种实施方式的衬底基板的剖视图，图21b为根据本公开另一种实施方式的衬底基板的剖视图。如图20所示，第二功能区B的功能孔为通孔TGV时，或者如图21a所示，第二功能区B的功能孔为盲孔BGV且盲孔BGV的孔口位于衬底基板1靠近第一导电层2的一侧时，则与上述二维电感L的滤波器结构类似，可通过在衬底基板1的第二功能区B朝向第一导电层2的一侧形成第一绝缘层100，由第一绝缘层100将第二功能区B通孔TGV中的散热柱10与第一导电层2进行电气隔离。或者，如图21b所示，当第二功能区B的功能孔为盲孔BGV且盲孔BGV的孔口位于衬底基板1远离第一导电层2的一侧时，则可以利用盲孔BGV位置的孔底衬底基板1的剩余厚度对散热柱10和第一导电层2形成电气隔离。有关第一绝缘层100、通孔TGV、盲孔BGV的特征可参见上述实施例的介绍，此处不再详述。
此外，如图20所示，在示例性实施例中，第一功能区A中通孔的孔径可以大于第二功能区B中功能孔的孔径，有利于提高电感值，提高滤波器的性能。第一功能区A中功能孔的孔径大，其可以适配第一功能区A中的第一子转接线221的线宽。例如，第一子转接线221的线宽可以为60μm，第一功能区A中通孔的孔径例如可以为50μm等，第二功能区B中的功能孔的孔径可以为40μm，30μm等。
在示例性实施例中，如图14、图16所示，第一导电层2中同样可以包括第一导电线21和第一转接线22，第一转接线22可以包括多条第一子转接线221，第一子转接线221可用于形成电感L的部分线圈结构，第一子转接线221连接于相邻排的第一导电柱101和第二导电柱102之间，且每一导电柱连接一条第一子转接线221。第一导电线21可以沿第一方向X延伸，第一导电线21可以包括依次连接的第一子导电线211、第二子导电线212和第三子导电线213，第二子导电线212形成电容C的第一电极，第一子导电线211与第一子转接线221对应设置，第一子导电线211连接于第二子导电线212和与第一子导电线211对应的第一 子转接线221之间，从而将电容C的第一电极连接电感L的第一端。第三子导电线213可以通过过孔连接锡球层的第二锡球2，以将电感L的第一端和电容C的第一电极连接至第二锡球2，形成图1中的信号输出端OUT。
在示例性实施例中，如图14、图17所示，在第二导电层3中，第三导电线33可以包括多个第三子导电部331，第三子导电部331与第一子转接线221一一对应设置，并且第三子导电部331在衬底基板1的正投影可以位于第一子转接线221在衬底基板1的正投影上，第三子导电部331可以通过过孔连接与其对应的第一子转接线221，相当于第三导电线33与第二子导电线212形成并联结构。第二导电线32可以与第二子导电线212一一对应设置，第二导电线32在衬底基板1的正投影可以位于第二子导电线212在衬底基板1的正投影内，使得第二导电线32与第二子导电线212一一正对设置，形成电容C的两个正对的电极。第二导电层3还可以包括转接部34，转接部34位于第二导电线32远离第三子导电部331的一侧，且与第三子导电线213对应设置，例如，转接部34在衬底基板的正投影可以位于第三子导电线213在衬底基板的正投影内，如图20所示，转接部34可通过分别过孔连接第三子导电线213和锡球层的第二锡球2，形成图1中的信号输出端OUT。
在示例性实施例中，如图18、图20所示，锡球层5可以包括第一锡球1、第二锡球2和第三锡球3，第一锡球1在衬底基板1的正投影可以与第三子导电部331在衬底基板1的正投影交叠，第一锡球1可以通过过孔连接第三导电层4的第三子导电部331，以形成图1中的信号输入端IN。第二锡球2在衬底基板1的正投影可以与第三子导电线213在衬底基板1的正投影交叠，第二锡球2可通过过孔连接第三子导电线213，形成图1中的信号输出端OUT。第三锡球3在衬底基板1的正投影可以与第二导电线32在衬底基板1的正投影交叠，第三锡球3可通过过孔连接第二导电线32，使得电容C的第二电极连接接地端GND。
在示例性实施例中，如图14、图19所示，第五导电层6位于衬底基板1的另一侧，第五导电层6可以包括多条第五导电线71，第五导电线71在衬底基板1的正投影可以沿第一方向X延伸，第五导电线71可 以连接同一排的第一导电柱101和第二导电柱102，从而第一功能A中的第五导电线71、导电柱、第一子转接线221、第二导电线32整体上形成螺旋绕线，该螺旋绕线形成电感L的线圈。此外，第五导电线71的线宽可以大于与其连接的第一导电柱101的宽度以及大于与其连接的第二导电柱102的宽度。
在示例性实施例中，如图20所示，滤波器还可以包括依次层叠于第一导电层2上的第一介质层210和第一种子层220，第一介质层210与第二导电线32对应设置，且第一介质层210在衬底基板1的正投影覆盖第二导电线32在衬底基板1的正投影。第一介质层210用于形成电容C的介质层，第一介质层210的材料例如可以为SiNx，可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在第一导电层2上对应第二导电线32的位置沉积一定厚度的SiNx薄膜得到电容C的介质层。SiNx薄膜的厚度根据所制备的电容C的容值进行调节。SiNx薄膜需要保证高平整度，以保障电容C的均一性。示例性的，可使用磁控溅射的方法在SiNx介质层上沉积设定厚度的Cu薄膜得到第一种子层220，该第一种子层220作为电容C的第二电极底垫以及形成电容C的第二电极的种子层。Cu薄膜的厚度可以大于等于100nm，以使得电容C的容值达到要求，满足滤波器的性能要求。
与二维电感L形成的滤波器的不同之处在于，在三维电感L中，通孔TGV中具有导电性的散热柱10作为电感L线圈结构的一部分，而在电容C所对应的区域中，功能孔的作用则与二维电感L的滤波器中功能孔的作用相同，均作为滤波器的散热结构，用以提升滤波器的散热性能。应该理解的是，在具有三维电感L的滤波器中，功能孔可以与二维电感L滤波器中的功能孔具有相同的结构特征，有关功能孔的特征此处不再赘述。
在示例性实施例中，第五导电层6的厚度可以大于第一导电层2的厚度，第五导电层6的厚度可以为第一导电层2的厚度的1.5倍～3倍，例如可以为1.5倍，2倍，2.5倍，3倍等。第一导电层2的厚度例如可以大于等于3μm，第五导电层6的厚度例如可以大于等于5μm。第五导电层6因为要形成电感L的线圈结构，通过增加第五导电层6的厚度， 可以提高所形成的电感L的电感L值，减小电感L的损耗，从而提升所形成的滤波器的整体滤波效果。
本公开还提供一种滤波器制作方法，该制作方法可用于形成图2和图14所示的滤波器。如图22～28所示，为本公开滤波器制作方法一种示例性实施例的工艺流程图，所述制作方法包括：
S10：提供一衬底基板1。
如图22所示，衬底基板1可以是玻璃衬底基板1或者硅基衬底基板1。0.25mm～0.3mm，例如，玻璃基板的厚度可以为0.25mm、0.27mm、0.3mm等。
S20、在衬底基板1上形成至少一个功能孔。
如图23a所示，功能孔的孔直径可以为50μm～80μm，例如，功能孔的孔径可以为50μm、60μm、70μm、80μm。在示例性实施例中，可以使用激光打孔或激光诱导刻蚀的方法制作功能孔，由于激光打孔的热效应使得功能孔内壁粗糙度较大，这会影响功能孔内膜层的溅射及削弱孔内膜层与孔壁的结合力，不利于孔内高致密的粘附层和第二种子层的制备。激光诱导刻蚀的方法可以包括：利用激光照射衬底基板1上的预设位置，以对预设位置的分子键进行改性，然后利用刻蚀液对衬底基板1的预设位置进行刻蚀以形成通孔TGV，和/或，利用刻蚀工艺根据预设深宽比对衬底基板1的预设位置进行刻蚀以形成如图23b所示的盲孔BGV，且盲孔BGV的孔底距离衬底基板1的另一表面具有预设厚度，其中，刻蚀液对预设位置的刻蚀速度大于对衬底基板1其他位置的刻蚀速度。刻蚀液可以为氢氟酸和硝酸混合溶液、氢氧化钠和柠檬酸混合溶液等。其中，可以利用刻蚀液从玻璃基板的两侧面向中间刻蚀功能孔，相应的，功能孔的开孔面积可以自两个开口向中间一位置逐渐减小。湿刻工艺可以使得功能孔侧壁更加光滑，从而有助于后续粘附层、第二种子层和功能孔侧壁粘结。功能孔的深宽比可以为1.5～3，例如深宽比可以为1.5，2.0，2.5，3.0等。例如，可以以5:1的深宽比对厚度为0.3㎜的衬底基板1进行刻蚀以形成盲孔BGV，盲孔BGV的孔底距离衬底基板1的另一面50μm，即盲孔BGV的孔底留厚50μm。
在示例性实施例中，如图23a所示，功能孔在衬底基板1的厚度方向上各个位置的开孔面积可以相同。此外，衬底基板1还可以通过湿刻工艺形成，例如，可以利用激光照射衬底基板1上的预设位置，以对衬底基板1预设位置的分子键进行改性，以使衬底基板1预设位置的刻蚀速度会大于衬底基板1其他位置的刻蚀速度，然后利用刻蚀液对衬底基板1的预设位置进行刻蚀以形成功能孔。在一示例性实施例中，可以利用刻蚀液从玻璃基板的一侧面向另一侧面刻蚀功能孔，相应的，如图23b所示，功能孔的开孔面积自一个开口向另一开口逐渐减小。在另一示例性实施例中，还可以利用刻蚀液从衬底基板1的两侧面向中间刻蚀功能孔，如图23c所示，功能孔的开孔面积可以自两个开口向中间一位置逐渐减小。应该理解的是，盲孔BGV可以如图23d～图23f所示，具有与图23a～图23c所示的截面结构特征。
在示例性实施例中，当需要形成三维电感L时，衬底基板1包括第一功能区A和第二功能区B，第一功能区A形成电感L，第二功能区B形成电容C，第一功能区A中的散热柱10因为要形成电感L线圈的部分结构，因此在第一功能区A，需要将功能孔设置为通孔TGV，而在第二功能区B，功能孔则可以为盲孔BGV或通孔TGV。例如，所形成的功能孔可以如图23g所示，第一功能区A和第二功能区B均为通孔TGV，或者可以如图23h所示，第一功能区A为通孔TGV，第二功能区B为盲孔BGV，且盲孔BGV的孔口朝下(即孔口位于衬底基板1远离所要形成的第一导电层2的一侧)，或者如图23i所示，第一功能孔为通孔TGV，第二功能孔为盲孔BGV，且盲孔BGV的孔口朝上，即孔口位于衬底基板1靠近所要形成的第一导电层2的一侧。并且可以理解的是，第一功能区A和第二功能区B中的功能孔均可以具有图23b和/或图23c所示的结构。
S30、在功能孔内形成散热柱10。
其中，散热柱10的热传导率大于衬底基板1的热传导率。通常金属导电材料的热传导率较高，因此，本公开可以采用金属导电材料形成散热柱10，即为导电柱。当然，也可以采用其他热传导率高的材料形成散热柱10，本公开不限于此。
如图24a～24i所示，可以在功能孔的侧壁内溅射第一材料形成粘附层；在粘附层上溅射第一种子材料形成第二种子层；在第二种子层上溅射预设厚度的散热材料，形成散热柱10。示例性的，第一材料可以为Ti，第一种子材料可以为铜。例如，首先通过溅射工艺在功能孔的内壁形成Ti粘附层，然后在Ti粘附层上形成一定厚度的铜种子层，再以蝶形的方式对功能孔进行双面Cu电镀填充，形成铜散热柱10。粘附层的厚度可以为5nm～30nm，例如，粘附层的厚度可以为5nm、10nm、15nm、25nm、30nm等。第二种子层的厚度可以为30nm-80nm，例如，第二种子层的厚度可以为30nm、50nm、70nm、80nm等。在其他实施例中，还可以对散热柱1011进行打孔，以使散热柱10形成空心散热柱10。空心散热柱10的空腔内还可以填充树脂等材料，填充于空腔的材料的热膨胀系数可以位于散热柱10的热膨胀系数和衬底基板1的热膨胀系数之间。应该理解的是，在功能孔中形成散热柱10还可以有其他方式，例如，可以通过填充导电材料、铜芯焊锡球等方式在功能孔中形成散热柱10。
可以理解的是，所形成的散热柱10可以与功能孔具有相同的截面形状，此处不在详述。
可以理解是，图24a～24f所示为二维电感L的散热柱的结构示意图，图24g～24i所示为三维电感L的散热柱的结构示意图，此处不再详述。
S40、在衬底基板1的一侧面形成第一导电层2。可利用加成法在第一导电层2的一侧沉积预设厚度的第一导电材料，形成第一导电材料层；然后利用构图工艺将所述第一导电材料层形成第一导电层2；再对所述第一导电层2进行平坦化处理。如图25a所示，第一导电材料的厚度可以大于等于3μm。通过构图工艺在第一导电层2形成第一导电线21，第一导电线21的部分结构用于形成电容C的第一电极(下表面电极)，部分结构形成第一转接线22，由第一转接线22连接电感L的第一端和电容C的第一电极。通过对第一导电材料层进行平坦化，可以提高第一导电线21的平整度，提高电容C的均一性。可以理解的是，当形成三维电感L时，可在第一功能区A形成多条第一子转接线221，第一子转接线221形成三维电感L线圈的部分结构。
第一导电层2至少与部分散热柱10绝缘设置，以使得散热柱10作 为滤波器的散热结构。在示例性实施例中，在形成第一导电层2之前，还可以根据功能孔的类型，对散热柱10和第一导电层2进行电气隔离处理。例如，当散热柱10具有如图24a～24c所示的结构时，可以在衬底基板1上整面沉积第一绝缘材料形成第一绝缘层100，以通过该第一绝缘层100对散热柱10和第一导电层2进行电气隔离，使得所引入的散热柱10在提高滤波器的散热性能的同时不会影响滤波器的性能。或者，当功能孔如图25d～25f所示的盲孔结构时，则无需额外形成绝缘层，可利用衬底基板1的另一面与盲孔BGV的孔底101之间留有的绝缘材料对散热柱10和第一导电层2进行电气隔离。
可以理解的是，当电感L为三维电感L时，第一功能区A的功能孔为通孔TGV，第二功能区B的功能孔可以具有如图25d～23f所示的结构，具体而言，当第二功能区B的功能孔如图25d所示为通孔TGV，或者如图24i所示的盲孔结构时，可以在衬底基板1朝向第一导电层2的一侧沉积第一绝缘材料形成覆盖第二功能区B第一绝缘层100，以通过该第一绝缘层100对第一导电层2和散热柱10形成电气隔离。或者当第二功能区B的功能孔具有如图24h所示的结构时，可通过该盲孔BGV的孔底与衬底基板1的另一面留有的绝缘材料对散热柱10和第一导电层2进行电气隔离。
可以理解的是，在通过第一绝缘层100对散热柱10和第一导电层2进行电气隔离时，可以是在第一绝缘层100上沉积预设厚度的第一导电材料而形成第一导电材料层，再对第一导电层2材料层进行构图工艺得到第一导电层2。
可以理解是，图25a～25c所示为二维电感L的具有第一导电层的结构示意图，图25d～25f所示为三维电感L的具有第一导电层的结构示意图，并且功能孔可以具有上述实施例的结构特征，此处仅以图23a所示的功能结构为例进行示例性说明，此处不再详述。
S50、在第一导电层2背离衬底基板1的一侧形成第二导电层3。可以利用沉积工艺在第一导电层2背离衬底基板1的一侧沉积第二绝缘材料形成第三绝缘层PI1，再利用构图工艺将对第三绝缘层PI1进行处理形成开孔，以露出第一导电层2的部分结构，再利用溅射工艺在开孔处沉 积第一种子材料，形成第三种子层，最后利用电镀工艺在第三种子层上电镀预设厚度的第一导电材料形成第二导电层3。其中，第二绝缘材料可以材料可以为BL-301等。第三绝缘层PI1整体覆盖第一导电层2，然后可以使用光刻工艺对电容C、电感L区域进行曝光、显影、后烘烤，在第三绝缘层PI1上形成开孔，分别露出第一导电层2的部分结构。第一种子材料例如可以为铜，通过先溅射Cu种子层，再电镀厚Cu的方法制作第二导电层3。第二导电层3的一部分为形成电感L的走线，一部分为电容C的第二电极(上电极)，为了减小电感L损耗，第二导电层3的厚度可以大于等于5μm。
如图26a～图26c所示，通过构图工艺可以在第二导电层3上形成第二导电线32和第三导电线33，第二导电线32与第一导电线21对应，例如，第二导电线32在衬底基板1的正投影位于第一导电线21在衬底基板1的正投影上，第二导电线32用于形成电容C的第二电极。第三导电线33位于第二导电线32的一侧且与第一转接线22对应，第三导电线33用于形成电感L线圈的部分结构。
如图26d～图26f所示，当形成三维电感L时，位于第一功能区A的第三导线33包括多个第三子导电部331，第三子导电部331与第一子转接线221一一对应设置，并且第三子导电部331在衬底基板1的正投影可以位于第一子转接线221在衬底基板1的正投影上，第三子导电部331可以通过过孔连接与其对应的第一子转接线221，相当于第三导电线33与第二子导电线212形成并联结构。第二导电线32可以在衬底基板1的正投影可以位于第二子导电线212在衬底基板1的正投影内，使得第二导电线32与第二子导电线212一一正对设置，形成电容C的两个正对的电极。还可以在第二导电层3形成转接部34，转接部34位于第二导电线32远离第三子导电部331的一侧，且与第三子导电线213对应设置。
如图26a～24f所示，在示例性实施例中，在形成第二导电层3之前，还可以利用等离子体增强化学气相沉积工艺在第一导电层2上沉积预设厚度的第一绝缘材料，形成电容C的第一介质层210；利用磁控溅射工艺在第一介质层210上沉积预设厚度的第一种子材料，形成第一种子层 220。示例性的，第一绝缘材料例如可以为SiNx，第一介质层210的厚度可以根据电容C的相对介电常数和电容C值进行确定。例如可以沉积120nm厚的高平整度的SiNx薄膜，充当电容C结构的介质层，以保障电容C的均一性。第一种子材料例如可以为铜，可用磁控溅射的方法在SiNx介质层上沉积100nm厚的Cu薄膜作为电容C的上电极底垫及生成电容C的第二电极的第一种子层220。在得到第一种子层220后，可以利用沉积工艺在第一导电层2和第一种子层220上沉积第二绝缘材料，形成第三绝缘层PI1；利用构图工艺对第三绝缘层PI1进行处理形成开孔，以露出部分第一导电层2以及露出部分第一种子层220；利用溅射工艺在开孔处沉积第一种子材料，形成第三种子层；利用电镀工艺在第三种子层上电镀预设厚度的第一导电材料形成第二导电层3。示例性的，第二绝缘材料例如可以为BL-301等，第三绝缘层PI1整体覆盖第二导电层3，使用光刻工艺对电容C、电感L区域进行曝光、显影、后烘烤，在第三绝缘层PI1上形成开孔，露出第二导电线32和第三导电线33的部分结构，以及露出第一连接部的部分结构。
同样地，第二导电层3因为部分结构要形成电感L的线圈结构，第二导电层3的厚度可以大于等于5μm，以提高电感L值，降低电感L的损耗。
应该理解的是，图26a～图26c所示的结构仅是功能孔的结构存在差异，在形成功能孔之后的制备工艺可以相同。
如图26d～图26f所示，在三维电感L的滤波器结构中，在形成电容C的第二电极底垫作为生成电容C的第二电极的种子层后，可以沉积第一绝缘材料形成第三绝缘层PI1，该第三绝缘层PI1部分覆盖第一种子层220，使得第一种子层220内缩于第三绝缘层PI1内，以通过该第三绝缘层PI1隔绝电容C的第二电极与第一电极的电气连接。
当电感L为三维电感L时，所形成的第二导电层3的结构可以如图26d～26f所示，可以理解的是，图26d～24f所示的结构仅是形成的功能孔的结构存在差异，在形成功能孔后的制备工艺可以相同。
在示例性实施例中，如图27a～27c所示，在形成第二导电层3后，还可以在第二导电层3背离衬底基板1的一侧形成第三导电层4、锡球 层5。示例性的，可以在第二导电层3上沉积第二绝缘材料形成第四绝缘层PI2；然后利用构图工艺对第四绝缘层PI2进行处理形成开孔，以露出位于第一导电线21上的部分第二导电层3；再利用溅射工艺在位于第三导电线33上的第四绝缘层PI2处以及开孔处溅射第一种子材料，形成第四种子层；最后利用电镀工艺在第四种子层上电镀预设厚度的第一导电材料，形成第三导电层4。其中，在二维电感L结构中，可通过构图工艺可在第三导电层4形成第四导电线44，第四导电线44与第三导电线33对应设置，第四导电线44用于形成电感L线圈的部分结构，第三导电线33、第四导电线44的结构特征可参见上述实施例的介绍，此处不再赘述。
在示例性实施例中，如图27a～27c所示，在形成第三导电层4后，可在第三导电层4上沉积第二绝缘材料形成第五绝缘层PI3；然后利用构图工艺在第五绝缘层PI3上对应第四导电线44的位置形成三个开孔，以分别露出部分第四导电线44的部分结构、第二连接部42的部分结构以及第三连接部43的部分结构；再在三个开孔处分别植入锡球，形成滤波器的信号输入端IN、信号输出端OUT和接地端。
在示例性实施例中，如图27d～27f所示，在三维电感L的结构中，在形成第二导电层3后，可以利用溅射工艺在衬底基板1背离第一导电层2一侧的第一功能区A溅射第一种子材料，形成第五种子层；然后利用电镀工艺在第五种子层上电镀预设厚度的第一导电材料，形成第五导电层6；再利用构图工艺对第五导电层6进行处理，形成多多条第五导电线71，第五导电线71用于形成电感L线圈的部分结构，第五导电线连接于同一排的第一导电柱和第二导电柱之间。再在第五导电层6背离衬底基板1的一侧沉积第三绝缘材料形成下表面绝缘层80，第三绝缘材料例如可以为聚酰亚胺或亚克力等。在形成第五导电层6和下表面绝缘层80后，可在衬底基板1上表面的对应开孔处植入锡球，形成滤波器的信号输入端IN、信号输出端OUT和接地端。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或 者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (36)

  1. 一种滤波器，其中，包括电感和电容，所述电容的第一电极连接所述电感的第一端，所述滤波器还包括：
    衬底基板，所述衬底基板具有至少一个功能孔；
    至少一个散热柱，所述散热柱与所述功能孔对应设置，所述散热柱填充于与其对应的所述功能孔内；
    第一导电层，位于所述衬底基板的一侧，所述第一导电层包括：
    第一导电线，所述第一导电线的部分结构用于形成所述电容的第一电极；
    第一转接线，所述第一转接线连接于所述第一导电线的一侧；
    第二导电层，位于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第二导电层包括：
    第二导电线，与所述第一导电线对应设置，所述第二导电线在所述衬底基板的正投影位于所述第一导电线在所述衬底基板的正投影上，所述第二导电线用于形成所述电容的第二电极；
    第三导电线，位于所述第二导电线的一侧且与所述第一转接线对应设置，所述第三导电线通过过孔连接所述第一转接线，所述第三导电线用于形成所述电感线圈的部分结构；
    其中，至少部分散热柱与所述第一导电层绝缘设置，且所述散热柱的热传导率大于所述衬底基板的热传导率。
  2. 根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述功能孔各个位置的开孔面积相同；或者，
    所述功能孔的开孔面积自所述衬底基板的一侧向所述衬底基板的另一侧逐渐减小；或者，
    所述功能孔的开孔面积自所述衬底基板两侧向中间一位置逐渐减小。
  3. 根据权利要求2所述的滤波器，其中，所述功能孔沿所述衬底基板的厚度方向的长度与所述功能孔的孔径之比大于等于5且小于等于7。
  4. 根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述散热柱为空心散热柱，所述散热柱的空腔的延伸方向和所述散热柱的延伸方向相同。
  5. 根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述散热柱为实心散热柱。
  6. 根据权利要求4或5所述的滤波器，其中，所述散热柱为导电柱。
  7. 根据权利要求6所述的滤波器，其中，所述滤波器还包括：
    第一介质层，位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述第一介质层与所述第二导电线对应设置，且所述第一介质层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第二导电线在所述衬底基板的正投影；
    第一种子层，位于所述第一介质层和所述第二导电层之间，所述第一种子层用于作为生成所述第二导电层的种子层。
  8. 根据权利要求7所述的滤波器，其中，所述滤波器还包括：
    第三导电层，位于所述第二导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第三导电层包括：
    第四导电线，所述第四导电线与所述第三导电线对应设置，所述第四导电线用于形成所述电感线圈的部分结构；
    其中，所述第三导电线、所述第四导电线弯折设置，所述第三导电线在所述衬底基板的正投影与所述第四导电线在所述衬底基板的正投影围成绕线区；
    且所述第三导电线的第一端通过过孔连接所述第四导电线的第一端，所述第三导电线的第二端通过过孔连接所述第一转接线，所述第三导电线的第一端至第二端的延伸方向与所述第四导电线的第一端至第二端的延伸方向相同。
  9. 根据权利要求7所述的滤波器，其中，所述第二导电层的厚度、所述第三导电层的厚度均大于所述第一导电层的厚度。
  10. 根据权利要求9所述的滤波器，其中，所述第二导电层的厚度与所述第一导电层的厚度之比、所述第三导电层的厚度与所述第一导电层的厚度之比大于等于1.5且小于等于3。
  11. 根据权利要求8所述的滤波器，其中，
    所述第二导电层还包括：
    第一连接部，位于所述第二导电线和所述第三导电线之间且与所述第一导电线对应设置，所述第一连接部通过过孔连接所述第一导电线；
    所述第三导电层还包括：
    第二连接部，所述第二连接部与所述第二导电线对应设置，所述第 二连接部在所述衬底基板的正投影与所述第二导电线在所述衬底基板的正投影至少部分交叠，且所述第二连接部通过过孔连接所述第二导电线；
    第三连接部，所述第三连接部与所述第一连接部对应设置，所述第三连接部在所述衬底基板的正投影与所述第一连接部在所述衬底基板的正投影至少部分交叠，且所述第三连接部通过过孔连接所述第一连接部；
    所述滤波器还包括：
    锡球层，位于所述第三导电层背离所述衬底基板的一侧，所述锡球层包括：
    第一锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第四导电线在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第一锡球通过过孔连接所述第四导电线的一个端部；
    第二锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第三连接部在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第二锡球通过过孔连接所述第三连接部；
    第三锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第二连接部在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第三锡球通过过孔连接所述第二连接部。
  12. 根据权利要求11所述的滤波器，其中，所述功能孔为盲孔，且所述盲孔的孔口位于所述衬底基板远离所述第一导电层的一侧。
  13. 根据权利要求11所述的滤波器，其中，所述功能孔为通孔，或所述功能孔为盲孔且所述盲孔的孔口位于所述衬底基板靠近所述第一导电层的一侧；
    所述滤波器还包括：
    第一绝缘层，所述第一绝缘层在朝向所述第一导电层的一侧覆盖所述衬底基板。
  14. 根据权利要求7所述的滤波器，其中，所述衬底基板包括第一功能区和第二功能区，所述第一转接线在所述衬底基板的正投影位于所述第一功能区，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影位于所述第二功能区，所述第一功能区和所述第二功能区均包括所述功能孔，且所述第一功能区中的功能孔为通孔；
    位于所述第一功能区的所述多个散热柱包括多个第一导电柱和多个第二导电柱，多个所述第一导电柱和多个所述第二导电柱分别沿同一方 向间隔排布，且所述第一导电柱和所述第二导电柱并排设置，所述第一导电柱、所述第二导电柱用于形成所述电感线圈的部分结构；
    所述滤波器还包括：
    第五导电层，位于所述衬底基板背离所述第一导电层的一侧，所述通孔位于所述第五导电层在所述衬底基板的正投影对应的区域内，所述第五导电层包括：
    多条第五导电线，所述第五导电线连接于同一排的所述第一导电柱和所述第二导电柱之间；
    其中，所述第一转接线包括多个第一子转接线，所述第一子转接线用于形成所述电感线圈的部分结构，所述第一子转接线连接于相邻排的第一导电柱和第二导电柱之间，且每一散热柱连接一条所述第一子转接线。
  15. 根据权利要求14所述的滤波器，其中，
    所述第三导电线包括多个第三子导电部，所述第三子导电部与所述第一子转接线对应设置，所述第三子导电部通过过孔连接与其对应的所述第一子转接线；
    所述第二导电层还包括：
    所述第一导电线包括依次连接的第一子导电线、第二子导电线和第三子导电线，所述第二子导电线用于形成所述电容的第一电极，所述第一子导电线与所述第一子转接线对应设置，所述第一子导电线连接于所述第一子导电线和与所述第二子导电线对应的第一子转接线之间；
    所述滤波器还包括：
    锡球层，位于所述第三导电层背离所述衬底基板的一侧，所述锡球层包括：
    第一锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第三子导电部在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第一锡球通过过孔连接所述第三子导电部的一个端部；
    第二锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第三子导电线在所述衬底基板的正投影相交叠，所述第二锡球通过过孔连接所述第三子导电线；
    第三锡球，在所述衬底基板的正投影与所述第二导电线在所述衬底 基板的正投影相交叠，所述第三锡球通过过孔连接所述第二导电线。
  16. 根据权利要求14所述的滤波器，其中，所述第一功能区中功能孔的孔径大于所述第二功能区中功能孔的孔径。
  17. 根据权利要求16所述的滤波器，其中，位于第一功能区的通孔的孔径与位于第二功能区的功能孔的孔径之比大于等于1.5小于等于2.5。
  18. 根据权利要求14所述的滤波器，其中，所述第一子转接线在所述衬底基板的正投影覆盖与其连接的第一导电柱、第二导电线在所述衬底基板的正投影；
    所述第五导电线在所述衬底基板的正投影覆盖与其连接的第一导电柱、第二导电线在所述衬底基板的正投影。
  19. 根据权利要求14所述的滤波器，其中，所述第二功能区中的功能孔为盲孔，且所述盲孔的孔口位于所述衬底基板远离所述第一导电层的一侧。
  20. 根据权利要求14所述的滤波器，其中，所述第二功能区的功能孔为通孔，或所述第二功能区的功能孔为盲孔且所述盲孔的孔口位于所述衬底基板靠近所述第一导电层的一侧；
    所述滤波器还包括：
    第一绝缘层，所述第一绝缘层在朝向所述第一导电层的一侧覆盖所述衬底基板的第二功能区。
  21. 根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述第五导电层的厚度、所述第二导电层的厚度均大于所述第一导电层的厚度。
  22. 根据权利要求21所述的滤波器，其中，所述第五导电层的厚度与所述第一导电层的厚度之比、所述第二导电层与所述第一导电层的厚度之比大于等于1.5且小于等于3。
  23. 根据权利要求10或20所述的滤波器，其中，所述第二导电层的厚度大于等于5μm，所述第一导电层的厚度大于等于3μm；
    所述第三导电层或所述第五导电层的厚度大于等于5μm。
  24. 根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述散热柱的材料为铜。
  25. 根据权利要求1所述的滤波器，其中，所述衬底基板为玻璃基板或硅基板。
  26. 一种滤波器制作方法，其中，所述滤波器包括电感和电容，所述电容的第一电极连接所述电感的第一端，所述制作方法包括：
    提供一衬底基板；
    在所述衬底基板上形成至少一个功能孔；
    在所述功能孔内形成散热柱；
    在所述衬底基板的一侧面形成第一导电层，所述第一导电层至少与部分所述散热柱绝缘设置，所述第一导电层包括第一导电线和第一转接线，所述第一导电线的部分结构用于形成所述电容的第一电极，所述第一转接线连接于所述第一导电线的一侧；
    在所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧形成第二导电层，所述第二导电层包括第二导电线和第三导电线，所述第二导电线与所述第一导电线对应设置，所述第二导电线在所述衬底基板的正投影位于所述第一导电线在所述衬底基板的正投影上，所述第二导电线用于形成所述电容的第二电极；所述第三导电线位于所述第二导电线的一侧且与所述第一转接线对应设置，所述第三导电线通过过孔连接所述第一转接线，所述第三导电线用于形成所述电感线圈的部分结构。
  27. 根据权利要求26所述的方法，其中，所述在所述衬底基板上形成至少一个功能孔，包括：
    利用激光照射所述衬底基板上的预设位置，以对所述预设位置的分子键进行改性；
    利用刻蚀液对所述衬底基板的预设位置进行刻蚀以形成通孔，和/或，利用刻蚀工艺根据预设深宽比对所述衬底基板的预设位置进行刻蚀以形成盲孔，且所述盲孔的孔底距离所述衬底基板的另一表面具有预设厚度，其中，刻蚀液对所述预设位置的刻蚀速度大于对所述衬底基板其他位置的刻蚀速度。
  28. 根据权利要求26所述的方法，其中，所述在所述功能孔内形成散热柱，包括：
    在所述功能孔的侧壁内溅射第一材料形成粘附层；
    在所述粘附层上溅射第一种子材料形成第二种子层；
    在所述第二种子层上溅射预设厚度的散热材料，形成散热柱。
  29. 根据权利要求28所述的方法，其中，所述功能孔为通孔，或者，所述功能孔为盲孔且所述盲孔的孔口位于所述衬底基板靠近所述第一导电层的一侧；所述在所述衬底基板的一侧面形成第一导电层之前，所述方法还包括：
    在所述衬底基板上整面沉积第一绝缘材料形成第一绝缘层。
  30. 根据权利要求29所述的方法，其中，所述在所述衬底基板的一侧面形成第一导电层，包括：
    利用加成法在所述第一绝缘层上沉积预设厚度的第一导电材料，形成第一导电材料层；
    利用构图工艺将所述第一导电材料层形成第一导电层；
    对所述第一导电层进行平坦化处理。
  31. 根据权利要求26所述的方法，其中，所述在所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧形成第二导电层之前，所述方法包括：
    利用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一导电层上沉积预设厚度的第一绝缘材料，形成第一介质层；
    利用磁控溅射工艺在所述第一介质层上沉积预设厚度的第一种子材料，形成第一种子层；
    所述在所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧形成第二导电层，包括：
    利用沉积工艺在所述第一导电层和所述第一种子层上沉积第二绝缘材料，形成第三绝缘层；
    利用构图工艺将对所述第三绝缘层进行处理形成开孔，以露出所述第一导电层的部分结构以及露出所述第一种子层的部分结构；
    利用溅射工艺在所述开孔处沉积第一种子材料，形成第三种子层；
    利用电镀工艺在所述第三种子层上电镀预设厚度的第一导电材料形成第二导电层。
  32. 根据权利要求26所述的方法，其中，所述滤波器还包括第三导电层，在所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧形成第二导电层之后，所述方法还包括：
    在所述第二导电层上沉积第二绝缘材料形成第四绝缘层；
    利用构图工艺对所述第四绝缘层进行处理形成开孔，以露出位于所述第一导电线上的部分所述第二导电层；
    利用溅射工艺在位于所述第三导电线上的第四绝缘层处以及所述开孔处溅射第一种子材料，形成第四种子层；
    利用电镀工艺在所述第四种子层上电镀预设厚度的第一导电材料，形成第三导电层，所述第三导电层包括第四导电线，所述第四导电线与所述第三导电线对应设置，所述第四导电线在所述衬底基板的正投影与所述第三导电线在所述衬底基板的正投影至少部分交叠，所述第四导电线用于形成所述电感线圈的部分结构，所述第三导电线、所述第四导电线弯折设置，所述第三导电线在所述衬底基板的正投影与所述第四导电线在所述衬底基板的正投影围成绕线区，所述第三导电线的第一端通过过孔连接所述第四导电线，所述第三导电线的第二端通过过孔连接所述第一转接线，所述第三导电线的第一端至第二端的延伸方向与所述第四导电线的第一端至第二端的延伸方向相同。
  33. 根据权利要求32所述的方法，其中，在形成所述第三导电层之后，所述方法还包括：
    在所述第三导电层上沉积第二绝缘材料形成第五绝缘层；
    利用构图工艺在所述第五绝缘层上对应所述第四导电线的位置形成三个开孔，以分别露出部分所述第四导电线的部分结构；
    在三个所述开孔处分别植入锡球，形成所述滤波器的信号输入端、信号输出端和接地端。
  34. 根据权利要求26所述的方法，其中，所述衬底基板包括第一功能区和第二功能区，所述第一转接线在所述衬底基板的正投影位于所述第一功能区，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影位于所述第二功能区，所述第一功能区、所述第二功能区的功能孔均为通孔；
    所述多个散热柱包括多个第一导电柱和多个第二导电柱，多个所述第一导电柱和多个所述第二导电柱分别沿同一方向间隔排布，且所述第一导电柱和所述第二导电柱并排设置，所述第一导电柱、所述第二导电柱用于形成所述电感线圈的部分结构；
    在所述衬底基板的一侧面形成第一导电层之前，所述方法还包括：
    利用沉积工艺在所述衬底基板的第二功能区沉积第一绝缘材料形成第一绝缘层；
    所述在所述衬底基板的一侧面形成第一导电层，包括：
    利用加成法在所述第一绝缘层上以及所述衬底基板的第一功能区沉积预设厚度的第一导电材料，形成第一导电材料层；
    利用构图工艺将所述第一导电材料层形成第一导电层；
    对所述第一导电层进行平坦化处理。
  35. 根据权利要求34所述的方法，其中，所述滤波器还包括第五导电层，所述方法还包括：
    利用溅射工艺在所述衬底基板背离所述第一导电层一侧的第一功能区溅射第一种子材料，形成第五种子层；
    利用电镀工艺在所述第五种子层上电镀预设厚度的第一导电材料，形成第五导电层；
    利用构图工艺对所述第五导电层进行处理，形成多个第一子转接线，所述第一子转接线用于形成所述电感线圈的部分结构，所述第一子转接线连接于相邻排的第一导电柱和第二导电柱之间，且每一散热柱连接一条所述第一子转接线。
  36. 一种电子设备，其中，包括权利要求1-25任一项所述的滤波器。
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