CN117453064A - 柔性触控显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种柔性触控显示面板,包括显示区、绑定区和位于所述显示区和绑定区之间的弯折区,柔性触控显示面板包括位于绑定区的多个绑定端子,位于显示区且呈阵列分布的多个触控电极,以及多条触控走线。每一触控走线包括相互连接的第一走线部和第二走线部,第一走线部连接对应的触控电极,第二走线部连接对应的绑定端子第一走线部自显示区经弯折区延伸至绑定区,第二走线部位于绑定区,第二走线部包括蛇形走线。通过将连接触控走线的绑定端子设置于绑定区,可使得触控走线延伸至绑定区,增加触控走线的长度,不仅可解决主动笔误触的问题,且由于绑定区有更大的空间,触控走线之间的阻抗匹配不用考虑空间的限制,触控走线的线宽不用加宽,触控走线之间的阻抗可基本趋于一致。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性触控显示面板。
背景技术
随着折叠显示产品在消费市场不断发展,人们对折叠手机的主动笔技术要求越来越高。目前的触控技术中,通过触控走线将显示区域的触控感测电极与显示区域之外的触控引脚连接,由于各个触控感测电极与触控引脚之间的距离不一,不同位置的触控走线之间可能会存在阻抗差异,会对触控信号的传输造成不良影响。因此,一般会在显示面板的边框处进行触控走线的绕线,或者增加边框处的触控走线的宽度,而主动笔的触控精度要求远远大于常规的手指触控精度,较宽的触控走线或较多的绕线均会发生误触的风险。
因此,现有的主动笔触控显示技术存在较高的误触风险。
发明内容
本发明实施例提供一种柔性触控显示面板,以解决现有的柔性触控显示面板中,在边框处的走线宽度较大或在边框处进行绕线,导致主动笔触控存在较高误触的风险的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本申请实施例提供一种柔性触控显示面板,包括:
包括显示区、绑定区和位于所述显示区和绑定区之间的弯折区,所述柔性触控显示面板包括:
多个绑定端子,位于所述绑定区;
阵列分布的多个触控电极,位于所述显示区;以及
多条触控走线,每一所述触控走线包括相互连接的第一走线部和第二走线部,所述第一走线部连接对应的所述触控电极,所述第二走线部连接对应的所述绑定端子;
其中,所述第一走线部自所述显示区经所述弯折区延伸至所述绑定区,所述第二走线部位于所述绑定区,所述第二走线部包括蛇形走线。
在本申请的一些实施例中,所述柔性触控显示面板包括依次层叠的像素驱动电路、有机发光元件以及薄膜封装层,其中,
所述触控电极设置于所述薄膜封装层上,所述绑定端子与所述像素驱动电路的部分金属层同层设置,每一所述触控走线的一部分走线设置于所述薄膜封装层上,所述触控走线的另一部分走线与所述像素驱动电路的部分金属层同层设置。
在本申请的一些实施例中,所述像素驱动电路还包括与所述有机发光元件电连接的第一电源线,其中,
所述第一走线部包括依次顺序连接的第一线段、转接线以及第二线段,所述第一线段与对应的所述触控电极连接,所述第二线段与第二走线部电连接,所述转接线位于所述弯折区,且所述转接线与所述第一电源线同层设置;
所述第一线段、所述第二线段以及所述第二走线部同层设置于所述薄膜封装层上。
在本申请的一些实施例中,所述第一线段在所述柔性触控显示面板的衬底上的正投影、所述第二线段在所述衬底上的正投影以及所述第二走线部在所述衬底上的正投影均位于所述第一电源线在所述衬底上的正投影内。
在本申请的一些实施例中,所述蛇形走线包括沿第一方向延伸的多个第一绕线部,沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的多个第二绕线部,所述第一绕线部和所述第二绕线部依次首尾连接且交替排布,
所述蛇形走线包括起始端和末端,所述起始端与所述末端之间的垂直距离小于所述第一电源线的线宽。
在本申请的一些实施例中,所述绑定区包括多个绕线区,所述绕线区的数量小于所述触控走线的数量,多个所述蛇形走线位于对应的所述绕线区内,其中,
所述绕线区在所述衬底上的正投影位于所述第一电源线在所述衬底上的正投影内。
在本申请的一些实施例中,所述柔性触控显示面板包括:
第一金属层,包括所述像素驱动电路的源极和漏极;
第一平坦层,设置于所述第一金属层上;
第二金属层,设置于第一平坦层上,;
第二平坦层,设置于所述第二金属层上;
有机发光元件,设置于所述第二平坦层上;
薄膜封装层,设置于所述有机发光元件上;
第三金属层,设置于所述薄膜封装层上;
第一绝缘层,设置于所述第三金属层上;以及
第四金属层,设置于所述第一绝缘层上;
其中,所述触控走线、所述第一电源线均为双层导电层;
所述第一金属层还包括所述转接线的底层导电层、所述第一电源线的底层导电层;
所述第二金属层包括所述转接线的顶层导电层、所述第一电源线的顶层导电层;
所述第三金属层包括所述第一线段的底层导电层、所述第二线段的底层导电层、所述第二走线部的底层导电层;
所述第四金属层包括所述第一线段的顶层导电层、所述第二线段的顶层导电层、所述第二走线部的顶层导电层,以及所述触控电极。
在本申请的一些实施例中,所述第一绝缘层中设置有多个第一连接孔,每一所述触控走线的顶层导电层通过对应的至少一个所述第一连接孔与所述触控走线的底层导电层连接;
位于所述绑定区内的所述第一连接孔沿第一方向和第二方向呈阵列分布,以所述第一方向为行方向,以所述第二方向为列方向,其中,相邻两行的所述第一连接孔呈错位分布,相邻两列的所述第一连接孔呈错位分布。
在本申请的一些实施例中,每一所述触控走线在各处的线宽的差值的绝对值小于0.05微米。
在本申请的一些实施例中,任意两条所述触控走线的阻抗的差值的绝对值小于或等于5%。
本申请的有益效果为:本申请实施例提供一种柔性触控显示面板,包括显示区、绑定区和位于所述显示区和绑定区之间的弯折区,所述柔性触控显示面板包括位于绑定区的多个绑定端子,位于所述显示区且呈阵列分布的多个触控电极,以及多条触控走线。每一所述触控走线包括相互连接的第一走线部和第二走线部,所述第一走线部连接对应的所述触控电极,所述第二走线部连接对应的所述绑定端子;其中,所述第一走线部自所述显示区经所述弯折区延伸至所述绑定区,所述第二走线部位于所述绑定区。本申请实施例通过将触控走线的绑定端子设置在绑定区,一方面使得触控走线可延伸至绑定区,增加触控走线的长度,可避免在边框处进行过多的绕线或进行线宽加宽设计,从而可以解决主动笔误触的问题,另一方面由于绑定区有更大的空间(边框较窄,绕线空间有限),因此,触控走线之间的阻抗匹配不用考虑空间的限制,触控走线的线宽也不用加宽设计,触控走线之间的阻抗可以基本趋于一致。
附图说明
图1为本申请实施例提供的柔性触控显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的触控电极的平面示意图;
图3为本申请实施例提供的柔性触控显示面板的平铺示意图;
图4为图3中的A处的触控走线的放大示意图;
图5为本申请实施例提供的柔性触控显示面板的部分膜层叠构示意图;
图6为本申请实施例提供的柔性触控显示面板的另一部分膜层叠构示意图;
图7为本申请实施例提供的触控走线和第一电源线的结构示意图;
图8为图4中的B处的触控走线的放大示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”应做广义理解,例如,可以是一体地连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“上”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1,本申请实施例提供一种柔性触控显示面板1,包括显示区AA和非显示区NA,所述显示区AA用于显示画面,所述非显示区NA不显示画面,用于容纳各种信号走线、GOA电路、绑定端子190等。
所述柔性触控显示面板1可包括阵列分布于显示区AA的多个像素PX和触控电极170,多个所述像素PX可包括红色例如红色像素、绿色像素或蓝色像素,还可以包括白色像素。本申请实施例的触控技术为互电容触控,所述触控电极170可包括发射电极171和接收电极172。如图5所示,所述柔性触控显示面板1可为OLED显示面板,像素PX可包括有机发光元件300(如有机发光二极管OLED)和用于驱动有机发光二极管OLED的像素驱动电路200,所述触控电极170可设置于有机发光二极管OLED之上。所述有机发光二极管OLED包括阳极170和阴极以及位于所述阳极170和所述阴极之间的发光层(图中未示出)。
所述像素驱动电路200可包括多个薄膜晶体管和电容器,所述像素驱动电路200可为6T1C架构、7T1C架构等。所述薄膜晶体管包括有源层110、栅极、源极140以及漏极150等。可以理解的是,所述像素驱动电路200和所述有机发光二极管涉及多层金属以及不同金属层之间的无机绝缘层、有机绝缘层,可以理解的是,这些无机绝缘层和有机绝缘层可整面延伸至非显示区NA。
在一些实施例中,所述非显示区NA围绕所述显示区AA设置,所述非显示区NA包括位于所述显示区AA周围的边框区域。为了实现柔性触控显示面板1的窄边框技术,一般会把下边框的绑定区PA弯折到显示面板的背后(pad bending),以缩窄下边框。
请参阅图1,在本申请的实施例中,所述非显示区NA包括绑定区PA和弯折区BA,所述弯折区BA位于所述显示区AA和所述绑定区PA之间,所述弯折区BA弯折以将绑定区PA绑定至所述柔性触控显示面板1的背侧(背离出光的一侧)。所述绑定区PA与驱动芯片绑定,所述驱动芯片可传输数据驱动信号(data信号),其他信号如触控信号也可集成在驱动芯片上。所述驱动芯片随所述绑定区PA一起弯折至柔性触控显示面板1的背侧。
请参阅图2,所述触控电极170阵列分布的发射电极171和阵列分布的接收电极172,所述发射电极171和所述接收电极172可同层设置,所述发射电极171和所述接收电极172交替设置且互不重叠。沿第一方向X排列的所述发射电极171之间依次顺序电连接,沿第二方向Y排列的所述接收电极172之间依次顺序电连接。
所述发射电极171和所述接收电极172分别电连接对应的触控走线180,所述触控走线180自所述显示区AA经所述非显示区NA与驱动芯片实现电连接,以传输触控信号。
每一发射电极171和所述接收电极172可为金属网格形状。所述触控走线180也可金属网状形状。显然所述触控走线180的金属网格形状整体的线宽小于所述发射电极171和所述接收电极172的金属网格形状整体的线宽。
在一些相关技术中,会在柔性触控显示面板1的边框处进行触控走线180的绕线设计或增加此处的线宽,以降低不同触控走线180之间的电阻差异。但对于主动笔形式的互电容触控,由于主动笔的触控精度要远远大于手指触控的精度,因此边框处较宽的触控走线180或较多的绕线设计均会造成较高的主动笔误触的风险。
针对上述缺陷,本申请实施例将连接所述触控走线180的绑定端子设计在绑定区PA,一方面使得触控走线可延伸至绑定区PA,增加触控走线的长度,可避免在边框处进行过多的绕线或进行线宽加宽的设计,从而可以解决主动笔误触的问题,另一方面由于绑定区有更大的空间(边框较窄,绕线空间有限),因此,触控走线之间的阻抗匹配不用考虑空间的限制,触控走线的线宽也不用加宽设计,触控走线之间的阻抗可以基本趋于一致。
具体地,如图3和图4所示,所述柔性触控显示面板1包括位于所述绑定区PA的多个绑定端子190,所述绑定端子190用以将触控走线180与驱动芯片电连接。每一所述触控走线180包括相互连接的第一走线部181和第二走线部182,所述第一走线部181连接对应的所述触控电极170,所述第二走线部182连接对应的所述绑定端子190,即所述第一走线部181相对靠近触控电极170,所述第二走线部182相对靠近绑定端子190。其中,所述第一走线部181自所述显示区AA经所述弯折区BA延伸至所述绑定区PA,所述第二走线部182位于所述绑定区PA,所述第二走线部182包括蛇形走线1821,即所述触控走线180的绕线设计位于绑定区PA。
本申请实施例通过触控走线180的绕线设计(蛇形走线1821)设置于绑定区PA,一方面可以解决主动笔误触的问题,另一方面由于绑定区PA有更大的空间(边框较窄,绕线空间有限),因此,触控走线180之间的阻抗匹配不用考虑空间的限制,触控走线180的线宽也不用加宽设计,触控走线180之间的阻抗可以基本趋于一致。
相关技术中的触控走线180的线宽为50迈~10迈,而本申请的线宽可均一设置,可控制在10微米甚至以下。在本申请的实施例中,各个所述触控走线180的宽度相等,每个所述触控走线180在各处的线宽的差值的绝对值小于0.05微米,在此范围内的线宽差异,可忽略不计,可认为线宽相等。
在本申请的实施例中,任意两条所述触控走线180的阻抗的差值的绝对值小于或等于5%。在此范围内,触控走线180之间的阻抗差异对触控信号的影响可忽略不计。
在本申请的实施例中,所述柔性触控显示面板1包括层叠的像素驱动电路200、发光层以及薄膜封装层210。其中,所述触控电极170设置于所述薄膜封装层210上,所述绑定端子190与所述像素驱动电路200的部分金属层同层设置,每一所述触控走线180的一部分走线设置于所述薄膜封装层210上,所述触控走线180的另一部分走线与所述像素驱动电路200的部分金属层同层设置。
下面以具体的面板架构为例对本申请的柔性触控显示面板1进行说明,请参阅图5和图6,本申请的柔性触控显示面板1可包括如下结构:
基底10,可由有机材料制成,该有机材料具有绝缘性能并且是柔性的从而能够以等于或大于约450℃的温度进行热处理,并且基底10可形成为例如由聚酰亚胺形成的单个层或可形成为通过涂布和固化而重复地堆叠聚酰亚胺形成的多个层。基底10可以是通过将聚合材料如聚酰亚胺涂布在支承基底10(未示出)上并使聚合材料固化而形成的柔性基底10。在这种情况下,基底10可通过重复地涂布和固化聚合材料而形成为多个层。支承基底10可由玻璃、金属、或陶瓷形成,并且聚酰亚胺可通过诸如旋涂、狭缝涂覆、喷墨涂覆等涂布工艺而涂布在支承基底10上。支撑基底10在后续工艺中可以被移除。在本申请的实施例中,所述基底10可包括依次层叠的第一聚酰胺层11、第一阻挡层12和第二聚酰亚胺层13。所述第一阻挡层12的材料包括但不限于为二氧化硅。
第二阻挡层20,形成在基底10上,阻挡层可以包括各种绝缘材料(例如,氧化硅或氮化硅),并且可以为单层或多层结构,这里不做限制。第二阻挡层20可以在基底10的上表面上提供平坦化层并可以阻止或防止杂质和湿气从基底10渗入到显示单元(即有机发光元件300/发光层)中。
其中,第二阻挡层20可为单层结构也可为多层结构。可以包括第一子阻挡层和第二子阻挡层。第二子阻挡层在第一子阻挡层上形成,例如,第一子阻挡层可以形成在第二子阻挡层之间和基底10之间。在实际应用中,第一子阻挡层可以通过沉积硅氧化物而形成,并且随后,第二子阻挡层通过由原位工艺沉积硅氮化物而形成。在这种情况下,第一子阻挡层可由SiOx或SiON形成(可以增强阻挡层和基底10之间的界面结合性能),并且第一子阻挡层可形成为具有100nm约至约600nm的厚度。第二子阻挡层可由SiNx或SiON形成(可以增强阻挡层110和后续设置的缓冲层30之间的界面结合性能),并且第二子阻挡层可形成为具有约50nm至约200nm的厚度。
缓冲层30,形成在第二阻挡层20上;缓冲层30可以包括一个或多个无机绝缘层,该无机绝缘层包括例如氧化硅或氮化硅等材料。缓冲层30可以在基底10的上表面上提供平坦化层,并可以阻止或防止杂质和湿气从基底10渗入到显示单元(即有机发光元件300)中。
其中,缓冲层30包括例如由硅氮化物形成的第一子缓冲层以及例如由硅氧化物形成的第二子缓冲层。第二阻挡层和第一子缓冲层可由具有相同膜质量(例如相同密度和相同薄膜应力)的硅氮化物形成,并且第二阻挡层与第一子缓冲层之间的界面处可定位有氧化膜。氧化膜可以是在形成第二阻挡层和形成第一子缓冲层的工艺之间形成的自然氧化膜,并且可具有几十埃或更小的厚度。在实际应用中,第一子缓冲层的厚度可约为50nm至100nm,并且第二子缓冲层的厚度可约为100nm至300nm。
有源层110,形成在缓冲层30上,其中有源层110由多晶硅形成。其中,有源层110被划分成沟道区和形成在沟道区两侧的源极140区以及漏极150区。半导体的沟道区为没有掺杂杂质的多晶硅,即,本征半导体。源极140区和漏极150区为掺杂有导电杂质的多晶硅,即,杂质半导体。掺杂在源极140区和漏极150区中的杂质可以是P型杂质和N型杂质中任一种。在其他实施例中所述有源层110的材料还可包括非晶硅、金属氧化物物半导体层中的至少一种。
第一栅极120绝缘层40,形成在有源层110上。第一栅极120绝缘层40可以是包括四乙基原硅酸盐(四乙基原硅酸酯,TEOS)、硅氮化物、以及硅氧化物等中至少之一的多个层或单层。
第一栅极120,形成在栅极绝缘层上,并且第一栅极120与沟道区重叠。第一栅极120可形成为包括低电阻材料如Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金,或具有高防腐性能的材料的多个层或单层。
第二栅极绝缘层50,形成在第一栅极120上,第二栅极绝缘层50可以是包括四乙基原硅酸盐(四乙基原硅酸酯,TEOS)、硅氮化物、以及硅氧化物等中至少之一的多个层或单层。
第二栅极130,形成在第二栅极130绝缘层50上,并且第二栅极130与第一栅极120重叠。第二栅极130可形成为包括低电阻材料如Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金,或具有高防腐性能的材料的多个层或单层。
层间绝缘层60,形成在第二栅极130上。层间绝缘层60可形成为例如由四乙基原硅酸盐(四乙基原硅酸酯,TEOS)、硅氮化物、或硅氧化物形成的多个层或单层。其中,层间绝缘层60、第二栅极130绝缘层50以及第一栅极120绝缘层40包括源极140接触孔和漏极150接触孔,源极140区和漏极150区分别通过源极140接触孔和漏极150接触孔被暴露。
第一金属层M1,包括源极140和漏极150,形成在第一层间绝缘层60上。源极140穿过源极接触孔与源极140区连接,并且漏极150电极穿过漏极接触孔与漏极区连接。其中,源极140和漏极150可形成为低电阻材料如Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金,或具有高防腐性能的材料的多个层或单层。例如,源极140和漏极150可以是Ti/Cu/Ti、Ti/Ag/Ti、Ti/Al/Ti或Mo/Al/Mo的三重层及其他。
钝化层100,形成在源极140和漏极150上。其中,钝化层100可形成为例如由四乙基原硅酸盐(四乙基原硅酸酯,TEOS)、硅氮化物、或硅氧化物形成的多个层或单层,并且可由具有低介电常数的有机材料形成(例如:聚酰亚胺)。
第一平坦层70,形成在钝化层100上。第一平坦层70为有机材料,包括但不限于为聚酰亚胺材料。第一平坦层70和钝化层100开设有第一通孔,漏极150通过第一通孔被暴露。
第二金属层M2,形成在第一平坦层70上,包括连接电极。连接电极穿过第一通孔与漏极150电连接。
第二平坦层80,形成于第二金属层M2上。第二平坦层80为有机材料,包括但不限于为聚酰亚胺材料。第二平坦层80开设有第二通孔,连接电极通过第二通孔被暴露。
阳极170,形成于第二平坦层80上。阳极170包括但不限于为ITO/Ag/ITO复合膜层。阳极170穿过第二通孔与连接电极电连接。
像素限定层90,形成在阳极170上。其中,像素限定层90具有开口,阳极170通过开口被暴露。像素限定层90可形成为包括树脂,如聚丙烯酸酯或聚酰亚胺、硅石类的有机材料等。
发光层,形成在像素限定层90的开口中。其中,发光层由包括一个或多个发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)的多个层形成。在发光层包括上述所有层的情况下,空穴注入层(HIL)可位于阳极170上,并且空穴传输层(HTL)、发射层、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)可顺序地层合在空穴注入层(HIL)上。阴极,形成在像素限定层90和发光层上。
薄膜封装层210,形成在阴极上。其中,薄膜封装层210可通过交替地层合一个或多个有机层和一个或多个无机层而形成。无机层或有机层每个都可提供有多个。
其中,有机层由聚合物形成,并且可以是例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯、以及聚丙烯酸酯中任一种形成的层合层或单层。有机层可由聚丙烯酸酯形成,具体地包括通过聚合包括基于二丙烯酸酯的单体和基于三丙烯酸酯的单体的单体组合物而获得的物质。单体组合物中还可包括基于单丙烯酸酯的单体。此外,单体组合物中还可包括公知的光引发剂如TPO,但单体组合物并不限于此。无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的层合层或单层。例如,无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2、以及TiO2中任一种。
薄膜封装层210的暴露至外部的最上侧层可由无机层形成,以防止水分传输至有机发光二极管显示器内部。薄膜封装层210可包括至少一个夹层结构,其中至少一个有机层插设在至少两个无机层之间。此外,薄膜封装层210可包括至少一个夹层结构,其中至少一个无机层插设在至少两个有机层之间。
薄膜封装层210可顺序地包括位于阴极上的第一无机层、第一有机层、以及第二无机层。此外,薄膜封装层210可顺序地包括位于阴极上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、以及第三无机层。此外,薄膜封装层210可顺序地包括位于阴极上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层、以及第四无机层。
此外,阴极与第一无机层之间另外可包括卤化金属层,其中该卤化金属层包括例如LiF。卤化金属层可防止当第一无机层由溅射法或等离子体沉积法形成时阴极被破坏。
第一有机层具有比第二无机层的面积小的面积,而第二有机层具有比第三无机层的面积小的面积。此外,第一有机层完全由第二无机层覆盖,并且第二有机层完全由第三无机层覆盖。
第三金属层M3,形成于薄膜封装层210上。第三金属层M3可形成为包括低电阻材料如Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金,或具有高防腐性能的材料的多个层或单层。
第一绝缘层220,形成于所述第三金属层M3上。所述第一绝缘层220可以是包括四乙基原硅酸盐(四乙基原硅酸酯,TEOS)、硅氮化物、以及硅氧化物等中至少之一的多个层或单层。
第四金属层M4,形成于所述第一绝缘层220上。所述第四金属层M4可形成为包括低电阻材料如Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金,或具有高防腐性能的材料的多个层或单层。
所述第四金属层M4上还可覆盖绝缘保护层,所述绝缘保护层可以是包括四乙基原硅酸盐(四乙基原硅酸酯,TEOS)、硅氮化物、以及硅氧化物等中至少之一的多个层或单层。
请参阅图5,所述弯折区BA由于需要进行弯折,为了减小无机膜层应力的影响。本申请实施例对弯折区BA的无机膜层进行挖槽形成凹槽,该凹槽被有机填充层220填充。具体地,所述源极140和漏极150以上以及以下的无机膜层均被挖空,凹槽贯穿至基底10表面。即所述弯折区BA的凹槽贯穿钝化层100、第一层间绝缘层60、第二栅极130绝缘层50、第一栅极120绝缘层40、缓冲层30以及第二阻挡层20,露出第二聚酰亚胺层13。
所述凹槽可利用第一平坦层70的有机材料填充,与第一平坦层70共同形成。也可单独填充有机填充层220。
为了避免弯折区BA的膜层过厚,可对触控走线180进行换线设计。即位于薄膜封装层210上的触控走线180在经历弯折区BA时,通过像素驱动电路200的金属层进行换线,使得触控走线180位于弯折区BA的部分更靠近弯折中性层,减少弯折应力,避免弯折区BA断线。
具体地,所述触控走线180在弯折区BA可换线至第一电源线210所在的金属层。所述第一电源线210与所述像素驱动电路200电连接,具体地,所述第一电源线210为低电位电源线Vss,与所述阴极电连接,以提供阴极电压。
请参阅图4,所述触控走线180包括相互连接的第一走线部181和第二走线部182,所述第一走线部181连接对应的所述触控电极170,所述第二走线部182连接对应的所述绑定端子190。
所述第一走线部181包括依次顺序连接的第一线段1811、转接线1812以及第二线段1813,所述第一线段1811与对应的所述触控电极170连接,所述第二线段1813与第二走线部182电连接。
在本申请的实施例中,所述第一线段1811、所述第二线段1813以及所述第二走线部182同层设置于所述薄膜封装层210上。所述转接线1812位于所述弯折区BA,且所述转接线1812与所述第一电源线210同层设置。如此,可将触控走线180位于弯折区BA的部分换线至第一电源线210所在的金属层,不仅可降低弯折区BA的膜层厚度,且使得触控走线180位于弯折区BA的部分能更靠近弯折中性层,减少弯折应力,避免弯折区BA断线。
具体地,在一些实施例中,所述触控走线180和所述第一电源线210均为双层导电层,即均采用双层走线,如此可降低走线阻抗。
请参阅图4至图6,所述触控走线180和所述第一电源线210均包括顶层导电层和底层导电层。所述第一金属层M1包括所述转接线1812的底层导电层、所述第一电源线210的底层导电层。所述第二金属层M2包括所述转接线1812的顶层导电层、所述第一电源线210的顶层导电层。所述第三金属层M3包括所述第一线段1811的底层导电层、所述第二线段1813的底层导电层、所述第二走线部182的底层导电层。所述第四金属层M4包括所述第一线段1811的顶层导电层、所述第二线段1813的顶层导电层、所述第二走线部182的顶层导电层,以及所述触控电极170。
即,所述第一电源线210的双层导电层结构利用第一金属层M1和第二金属层M2形成,所述转接线1812的双层导电层结构利用第一金属层M1和第二金属层M2形成,所述第一线段1811、所述第二线段1813以及所述第二走线部182的双层导电层结构利用第三金属层M3和第四金属层M4形成。所述接收电极172和所述发射电极171均利用第四金属层M4形成。在其他实施例中,所述接收电极172和所述发射电极171可利用第三金属层M3形成,或所述接收电极172利用第三金属层M3、第四金属层M4中的一者形成,所述发射电极171利用第三金属层M3、第四金属层M4中的另一者形成。
可以理解的是,若发射电极171和接收电极172利用同一金属层(第三金属层M3或第四金属层M4)形成,则其中的一者的电极图案之间直接通过本层金属层的图案实现电连接,另一者的电极图案之间可通过在另一层金属层形成桥接层来实现电连接。
请参阅图3、4和图7,所述第一线段1811在所述柔性触控显示面板1的衬底上的正投影、所述第二线段1813在所述衬底上的正投影以及所述第二走线部182在所述衬底上的正投影均位于所述第一电源线210在所述衬底上的正投影内。即所述触控走线180的除开换线区的部分的走线均与第一电源线210重叠。通过将触控走线180的绕线设计在绑定区PA,即第二走线部182的蛇形走线1821设置在绑定区PA,可使得线段较多的绕线部分与第一电源线210重叠,增加了触控走线180整体与第一电源线210重叠的面积,由于第一电源线210为稳定的恒定低电位信号,可起到屏蔽层的作用,降低第一电源线210下方的其他信号线对触控信号的干扰。
进一步地,所述蛇形走线1821包括沿第一方向X延伸的多个第一绕线部18211,沿与所述第一方向X相交的第二方向Y延伸的多个第二绕线部18212,所述第一绕线部18211和所述第二绕线部18212依次首尾连接且交替排布。所述蛇形走线1821呈迂回状排布。
在一些实施例中,所述第一绕线部18211的长度小于所述第二绕线部18212的长度。在其他实施例中,所述第一绕线部18211的长度大于所述第二绕线部18212的长度。
如图7和图8所示,所述蛇形走线1821包括起始端和末端,所述起始端与所述末端之间的垂直距离W1小于所述第一电源线210的线宽W3。如此,可使得触控走线180的绕线(即蛇形走线1821)完全落于所述第一电源线210所在的区域内,可起到良好的遮蔽作用。
进一步地,所述触控走线180的绕线可分多个区域进行集中设计。如图7所示,所述绑定区PA包括多个绕线区PA1,所述绕线区PA1的数量小于所述触控走线180的数量,多个所述蛇形走线1821位于对应的所述绕线区PA1内。每个绕线区PA1内对应的蛇形走线1821的数量可不相同,也可相同。每个绕线区PA1的尺寸大小可相同,也可不同。
请继续参阅图7,所述绕线区PA1在所述衬底上的正投影位于所述第一电源线210在所述衬底上的正投影内。换言之,如图8所示,所述绕线区PA1的宽度W2小于或等于所述第一电源线210对应于绕线区PA1处的宽度W3。如此,可使得大量的绕线段均能受到第一电源线210的屏蔽保护作用。
请参阅图6和图8,由于触控走线180为双层导电层设计,因此需要在第三金属层M3和第四金属层M4之间的绝缘层开设连接孔Via1,以实现电连接。可沿着触控走线180的长度延伸的方向,每隔一段距离开设一个连接孔Via1以连接上下两层的导电层。连接孔Via1之间的间距可不等,可相等。
具体地,所述第一绝缘层220中设置有多个第一连接孔Via1,每一所述触控走线180的顶层导电层通过对应的至少一个所述第一连接孔Via1与所述触控走线180的底层导电层连接。所述第一连接孔Via1可呈阵列分布。
在所述绑定区PA内,所述第一连接孔Via1可沿第一方向X和第二方向Y呈阵列分布。由于触控走线180在绑定区PA内绕线,因此,在绑定区PA的绕线区PA1内存在密度较高的迂回金属线段,会存在密集排布的第一连接孔Via1。为了避免第一连接孔Via1之间由于距离过近导致短路的发生,本申请实施例将相邻两行的第一连接孔Via1呈错位分布,相邻两列的所述第一连接孔Via1呈错位分布。其中,第一方向X为行方向,第二方向Y为列方向。
综上,本申请实施例提供一种柔性触控显示面板1,包括显示区AA、绑定区PA和位于所述显示区AA和绑定区PA之间的弯折区BA,所述柔性触控显示面板1包括位于绑定区PA的多个绑定端子190,位于所述显示区AA且呈阵列分布的多个触控电极170,以及多条触控走线180。每一所述触控走线180包括相互连接的第一走线部181和第二走线部182,所述第一走线部181连接对应的所述触控电极170,所述第二走线部182连接对应的所述绑定端子190;其中,所述第一走线部181自所述显示区AA经所述弯折区BA延伸至所述绑定区PA,所述第二走线部182位于所述绑定区PA,所述第二走线部182包括蛇形走线1821。本申请实施例通过将触控走线180的绕线设计(蛇形走线1821)设置于绑定区PA,一方面可以解决主动笔误触的问题,另一方面由于绑定区PA有更大的空间(边框较窄,绕线空间有限),因此,触控走线180之间的阻抗匹配不用考虑空间的限制,触控走线180的线宽也不用加宽设计,触控走线180之间的阻抗可以基本趋于一致。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种柔性触控显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (11)
1.一种柔性触控显示面板,其特征在于,包括显示区、绑定区和位于所述显示区和绑定区之间的弯折区,所述柔性触控显示面板包括:
多个绑定端子,位于所述绑定区;阵列分布的多个触控电极,位于所述显示区;以及
多条触控走线,每一所述触控走线包括相互连接的第一走线部和第二走线部,所述第一走线部连接对应的所述触控电极,所述第二走线部连接对应的所述绑定端子;
其中,所述第一走线部自所述显示区经所述弯折区延伸至所述绑定区,所述第二走线部位于所述绑定区。
2.根据权利要求1所述的柔性触控显示面板,其特征在于,所述第二走线部包括蛇形走线。
3.根据权利要求2所述的柔性触控显示面板,其特征在于,所述柔性触控显示面板包括依次层叠的像素驱动电路、有机发光元件以及薄膜封装层,其中,
所述触控电极设置于所述薄膜封装层上,所述绑定端子与所述像素驱动电路的部分金属层同层设置,每一所述触控走线的一部分走线设置于所述薄膜封装层上,所述触控走线的另一部分走线与所述像素驱动电路的部分金属层同层设置。
4.根据权利要求3所述的柔性触控显示面板,其特征在于,所述像素驱动电路还包括与所述有机发光元件电连接的第一电源线,其中,
所述第一走线部包括依次顺序连接的第一线段、转接线以及第二线段,所述第一线段与对应的所述触控电极连接,所述第二线段与第二走线部电连接,所述转接线位于所述弯折区,且所述转接线与所述第一电源线同层设置;
所述第一线段、所述第二线段以及所述第二走线部同层设置于所述薄膜封装层上。
5.根据权利要求4所述的柔性触控显示面板,其特征在于,其中,所述第一线段在所述柔性触控显示面板的衬底上的正投影、所述第二线段在所述衬底上的正投影以及所述第二走线部在所述衬底上的正投影均位于所述第一电源线在所述衬底上的正投影内。
6.根据权利要求5所述的柔性触控显示面板,其特征在于,所述蛇形走线包括沿第一方向延伸的多个第一绕线部,沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的多个第二绕线部,所述第一绕线部和所述第二绕线部依次首尾连接且交替排布,
所述蛇形走线包括起始端和末端,所述起始端与所述末端之间的垂直距离小于所述第一电源线的线宽。
7.根据权利要求5所述的柔性触控显示面板,其特征在于,所述绑定区包括多个绕线区,所述绕线区的数量小于所述触控走线的数量,多个所述蛇形走线位于对应的所述绕线区内,其中,
所述绕线区在所述衬底上的正投影位于所述第一电源线在所述衬底上的正投影内。
8.根据权利要求4所述的柔性触控显示面板,其特征在于,所述柔性触控显示面板包括:
第一金属层,包括所述像素驱动电路的源极和漏极;
第一平坦层,设置于所述第一金属层上;
第二金属层,设置于第一平坦层上,;
第二平坦层,设置于所述第二金属层上;
有机发光元件,设置于所述第二平坦层上;
薄膜封装层,设置于所述有机发光元件上;
第三金属层,设置于所述薄膜封装层上;
第一绝缘层,设置于所述第三金属层上;以及
第四金属层,设置于所述第一绝缘层上;
其中,所述触控走线、所述第一电源线均为双层导电层;
所述第一金属层还包括所述转接线的底层导电层、所述第一电源线的底层导电层;
所述第二金属层包括所述转接线的顶层导电层、所述第一电源线的顶层导电层;
所述第三金属层包括所述第一线段的底层导电层、所述第二线段的底层导电层、所述第二走线部的底层导电层;
所述第四金属层包括所述第一线段的顶层导电层、所述第二线段的顶层导电层、所述第二走线部的顶层导电层,以及所述触控电极。
9.根据权利要求8所述的柔性触控显示面板,其特征在于,所述第一绝缘层中设置有多个第一连接孔,每一所述触控走线的顶层导电层通过对应的至少一个所述第一连接孔与所述触控走线的底层导电层连接;
位于所述绑定区内的所述第一连接孔沿第一方向和第二方向呈阵列分布,以所述第一方向为行方向,以所述第二方向为列方向,其中,相邻两行的所述第一连接孔呈错位分布,相邻两列的所述第一连接孔呈错位分布。
10.根据权利要求2所述的柔性触控显示面板,其特征在于,每一所述触控走线在各处的线宽的差值的绝对值小于0.05微米。
11.根据权利要求2所述的柔性触控显示面板,其特征在于,任意两条所述触控走线的阻抗的差值的绝对值小于或等于5%。
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