CN117434802A - 用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液、制备和应用 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 112
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 26
- ISAKRJDGNUQOIC-UHFFFAOYSA-N Uracil Chemical compound O=C1C=CNC(=O)N1 ISAKRJDGNUQOIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 27
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 19
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 19
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 18
- 229940035893 uracil Drugs 0.000 claims description 16
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 15
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 claims description 15
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 claims description 15
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 claims description 15
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- DDRJAANPRJIHGJ-UHFFFAOYSA-N creatinine Chemical compound CN1CC(=O)NC1=N DDRJAANPRJIHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical group OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 claims description 6
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical group OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N aminomethyl propanol Chemical compound CC(C)(N)CO CBTVGIZVANVGBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 claims description 4
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 claims description 4
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 claims description 4
- 229940109239 creatinine Drugs 0.000 claims description 4
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 claims description 4
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims 2
- ODCMOZLVFHHLMY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethoxy)hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(O)COCCO ODCMOZLVFHHLMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical group COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 18
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 4
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 3
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 67
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- MBHINSULENHCMF-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpropanamide Chemical compound CCC(=O)N(C)C MBHINSULENHCMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 Alcohol amine Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000012847 fine chemical Substances 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Natural products P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical class O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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Abstract
本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种用于TFT‑LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液、制备和应用。通过配方组分及其用量比例的改进，摒弃了传统的羟胺类和酚类缓蚀剂成分，得到的剥离液可充分保护金属不受腐蚀或氧化，并实现了各制程兼容。经过实际应用发现，用本发明的剥离液溶解光刻胶，溶解后混合液中光刻胶的质量浓度可达到5％再进行更换，且剥离液的性能稳定，因此，使用寿命得到明显延长。发明人意外地发现本发明剥离液配方很好地兼容Cu‑ITO制程，且加入表面活性剂，在清洗过程中无剥离液残留，大大降低了后端制程的不良率。本发明剥离液容易实现规模化生产制备，应用过程环境友好，可很好地推广至液晶显示器、面板等工业生产应用过程。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管技术领域，更具体地涉及一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液及其制备和应用。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)技术是采用新材料和新工艺的大规模半导体集成电路技术，它是在玻璃或塑料基板等非单晶片上，通过溅射、化学沉积等多步工艺构造各种极微细的膜，并通过蚀刻、剥离等膜加工工艺及金属连线制造集成电路。薄膜晶体管的加工工艺对金属连线尺寸变化、侧掏(Side-wall Trenching)等容忍度较高。湿法蚀刻技术以其高蚀刻速率、低成本、易操作等优点，是薄膜晶体管常用的加工技术。
随着市场需求和行业技术的不断发展，富含多道薄膜电晶体制程的薄膜晶体管研发及生产受到日益广泛的关注和重视。现有技术中用于薄膜晶体管的蚀刻液大多仍只针对单一制程，如铝制程或铜制程，已渐渐不能满足市场和技术发展的需求。因此，研制出一种制作多道薄膜电晶体的多制程兼容且寿命长、兼容性好的水性剥离液刻不容缓。
发明内容
为此，需要提供一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液及其制备和应用，以解决目前市面上缺少适用于含多道薄膜电晶体的薄膜晶体管多制程研发生产需要的多制程水系剥离液的燃眉之急，以及由于多个单一制程剥离液的工艺和交叉使用带来的负面影响和生产效率低下问题。
为实现上述目的，第一方面，本发明提供了一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，以重量百分比计，包括：
胺类5％-15％；
极性溶剂60％-80％；
缓蚀剂0.05％-0.3％；
表面活性剂0.05％-0.3％，所述表面活性剂选自三乙二醇或聚乙二醇；
螯合剂0.05％-0.3％；
余量去离子水。
作为本发明优选的实施方案，所述胺类选自N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二甲基丙酰胺、二甘醇胺、AMP-95和单乙醇胺中的至少一种。
作为本发明优选的实施方案，所述极性溶剂选自二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇乙醚和丙二醇单甲醚中的至少一种。
作为本发明优选的实施方案，所述缓蚀剂选自钼酸铵、尿嘧啶、甲基-苯丙三氮唑、己二酸、肌酸酐和山梨糖醇中的至少一种。
作为本发明优选的实施方案，所述螯合剂选自乙二胺四亚甲基膦酸或膦羧酸。
第二方面，发明人提供了一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液的制备方法，包括以下步骤：
以重量百分比计，向含有去离子水的容器内加入缓蚀剂0.05％-0.3％，混合均匀后加入螯合剂0.05％-0.3％，再次混合均匀后依次加入胺类5％-15％、极性溶剂60％-80％和表面活性剂0.05％-0.3％，其中，所述表面活性剂选自三乙二醇或聚乙二醇，将温度保持在20℃-25℃。
作为本发明优选的实施方案，所述螯合剂选自乙二胺四亚甲基膦酸或膦羧酸。
作为本发明优选的实施方案，所述胺类选自N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二甲基丙酰胺、二甘醇胺、AMP-95和单乙醇胺中的至少一种。选用醇胺而非羟胺，可高效、充分地渗透分解光刻胶，同时保护金属免受氧化和腐蚀的伤害。
作为本发明优选的实施方案，所述极性溶剂选自二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇乙醚和丙二醇单甲醚中的至少一种。
作为本发明优选的实施方案，所述缓蚀剂选自钼酸铵、尿嘧啶、甲基-苯丙三氮唑、己二酸、肌酸酐和山梨糖醇中的至少一种。
第三方面，发明人提供了一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液的应用，所述用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液为本发明第一方面所述的剥离液。
作为本发明进一步优选的实施方案，上述应用针对的是包含Cu-ITO制程的TFT-LCD多制程加工工艺中。
区别于现有技术，上述技术方案提供的长寿命多制程兼容性水系剥离液的配方组分及其用量比例，摒弃了传统的羟胺类和酚类缓蚀剂成分，得到的剥离液可充分保护金属不受腐蚀或氧化，并实现了各制程兼容。同时，经过实际应用发现，用本发明的剥离液溶解光刻胶，溶解后混合液中光刻胶的质量浓度可达到5％再进行更换，且剥离液的性能稳定，因此，使用寿命得到明显延长。进一步地，发明人意外地发现本发明剥离液配方很好地兼容Cu-ITO制程，且加入表面活性剂，在清洗过程中无剥离液残留，大大降低了后端制程的不良率。本发明剥离液的制备方法简单、所需设备常规、制备条件温和，容易实现规模化生产制备。本发明剥离液的应用过程环境友好，可很好地推广至多制程兼容的液晶显示器、面板等工业生产应用过程。
上述发明内容相关记载仅是本申请技术方案的概述，为了让本领域普通技术人员能够更清楚地了解本申请的技术方案，进而可以依据说明书的文字及附图记载的内容予以实施，并且为了让本申请的上述目的及其它目的、特征和优点能够更易于理解，以下结合本申请的具体实施方式及附图进行说明。
附图说明
图1为本发明具体实施例7中剥离液三种组分随时间推移的挥发性测试结果；
图2为采用本发明具体实施例7中剥离液进行剥离处理前的含有不同膜物质的玻璃基板SEM图；
图3为采用本发明具体实施例7中剥离液进行剥离处理后的含有不同膜物质的玻璃基板SEM图；
图4为采用本发明具体实施例7中剥离液进行腐蚀处理前的含有不同膜物质的玻璃基板SEM图；
图5为采用本发明具体实施例7中剥离液进行腐蚀处理后的含有不同膜物质的玻璃基板SEM图。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中各个位置出现的“实施例”一词并不一定指代相同的实施例，亦不特别限定其与其它实施例之间的独立性或关联性。原则上，在本申请中，只要不存在技术矛盾或冲突，各实施例中所提到的各项技术特征均可以以任意方式进行组合，以形成相应的可实施的技术方案。
除非另有定义，本文所使用的技术术语的含义与本申请所属技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中对相关术语的使用只是为了描述具体的实施例，而不是旨在限制本申请。
在本申请的描述中，用语“和/或”是一种用于描述对象之间逻辑关系的表述，表示可以存在三种关系，例如A和/或B，表示：存在A，存在B，以及同时存在A和B这三种情况。另外，本文中字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的逻辑关系。
在本申请中，诸如“第一”和“第二”之类的用语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何实际的数量、主次或顺序等关系。
在没有更多限制的情况下，在本申请中，语句中所使用的“包括”、“包含”、“具有”或者其他类似的表述，意在涵盖非排他性的包含，这些表述并不排除在包括所述要素的过程、方法或者产品中还可以存在另外的要素，从而使得包括一系列要素的过程、方法或者产品中不仅可以包括那些限定的要素，而且还可以包括没有明确列出的其他要素，或者还包括为这种过程、方法或者产品所固有的要素。
与《审查指南》中的理解相同，在本申请中，“大于”、“小于”、“超过”等表述理解为不包括本数；“以上”、“以下”、“以内”等表述理解为包括本数。此外，在本申请实施例的描述中“多个”的含义是两个以上(包括两个)，与之类似的与“多”相关的表述亦做此类理解，例如“多组”、“多次”等，除非另有明确具体的限定。
在本申请实施例的描述中，所使用的与空间相关的表述，诸如“中心”“纵向”“横向”“长度”“宽度”“厚度”“上”“下”“前”“后”“左”“右”“竖直”“水平”“垂直”“顶”“底”“内”“外”“顺时针”“逆时针”“轴向”“径向”“周向”等，所指示的方位或位置关系是基于具体实施例或附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请的具体实施例或便于读者理解，而不是指示或暗示所指的装置或部件必须具有特定的位置、特定的方位、或以特定的方位构造或操作，因此不能理解为对本申请实施例的限制。
除非另有明确的规定或限定，在本申请实施例的描述中，所使用的“安装”“相连”“连接”“固定”“设置”等用语应做广义理解。例如，所述“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体设置；其可以是机械连接，也可以是电连接，也可以是通信连接；其可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连；其可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本申请所属技术领域的技术人员而言，可以根据具体情况理解上述用语在本申请实施例中的具体含义。
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,简写为TFT-LCD)是一种微电子技术与液晶显示器技术相结合的精细加工产品，具有高响应度、高亮度、高对比度等优点，被广泛应用于各类电脑、电视、手机、监视器和台式机等主流显示设备。
随着薄膜晶体管的关键尺寸持续向逐步降低趋势发展，湿法蚀刻工艺因其各向同性的蚀刻特性，越来越不能满足需求，于是干法蚀刻工艺应运而生。干法蚀刻工艺提供各向异性蚀刻形成金属线(metal)、通孔(via)的同时，其离子束对光刻胶及铝硅铜、铝铜、氧化物等非介电材质进行轰击，使其表面形成高度交联的光刻胶残留物，同时因氩气轰击反溅作用，侧壁富含金属材质。干法灰化工艺使其残留物中含有有机、无机氧化物及其金属化合物。这就要求光刻胶剥离液需兼具有机残留物、无机残留物以及金属交联残留物去除能力。
在玻璃基板上进行薄膜晶体管(TFT)阵列的加工过程涉及多种制程，一般来说完整的薄膜晶体管需要至少五道制程，光刻胶剥离液是这些制程中关键的化学品之一。光刻胶剥离液的主要作用是去除TFT-LCD制造过程中产生的光刻胶残留物。现有技术中每一制程都需要使用对应不同的剥离液，但不同制程所需的剥离液之间常常不够兼容，甚至前道制程的剥离液会对后道制程剥离液产生负面影响，此外，多种制程使用的不同剥离液还可能会增加清洗过程中的剥离液残留。因此，研制一种对TFT面板制备过程多制程兼容性强的剥离液，以适应不同薄膜材料的蚀刻需求，以及兼顾剥离液对金属的保护使其免受腐蚀和氧化损伤势在必行。
在长期的实践中，发明人发现传统的有机溶剂类光刻胶剥离液中有机胺组分提供一定的光刻胶骨架聚合物裂解能力，有机溶剂NMP(N-甲基吡咯烷酮)、DMSO(二甲亚砜)等按照相似相溶原理溶解有机残留进行光刻胶去除，但另一方面，这些剥离液容易对金属导线造成腐蚀。因此，在寻求多制程兼容的剥离液时，如何保护金属导线不被腐蚀和氧化成为另一个重要技术目标，并且剥离液本身的质量、有效作用寿命、腐蚀性、环保和工艺兼容性也被申请人纳入了考量范围。
在本申请中，以重量百分比计，用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液包括胺类5％-15％、极性溶剂60％-80％、缓蚀剂0.05％-0.3％、表面活性剂0.05％-0.3％、螯合剂0.05％-0.3％和余量去离子水，其中，表面活性剂选自三乙二醇或聚乙二醇。一方面，胺类通过亲核作用可以很好地溶解各制程光刻胶残留物中的光刻胶骨架聚合物和部分有机、无机氧化物及金属化合物；另一方面，表面活性剂在剥离液中的应用使得后续清洗过程中无剥离液残留，大大降低后续制程的不良率，并且，表面活性剂的应用显著增强了剥离液的稳定性和使用寿命。
在本申请一些实施方式中，胺类选自N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二甲基丙酰胺、二甘醇胺、AMP-95和单乙醇胺中的至少一种。如此，通过静电作用以及氢键作用使得光刻胶骨架聚合物能够在极性溶剂中增溶。
在本申请一些实施方式中，极性溶剂选自二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇乙醚和丙二醇单甲醚中的至少一种。如此，剥离液可以溶解多种有机残留物、无机残留物以及金属交联残留物。
在本申请一些实施方式中，缓蚀剂选自钼酸铵、尿嘧啶、甲基-苯丙三氮唑、己二酸、肌酸酐和山梨糖醇中的至少一种。如此，可以通过调节剥离液的表面张力、润湿性以更好地调整剥离液的溶解速率，并在剥离液起作用时，能够有效地保护金属表面。
在本申请一些实施方式中，螯合剂选自乙二胺四亚甲基膦酸(EDTMA)或膦羧酸(Phosphonate)。上述螯合剂适用于多种金属材料，不仅与剥离液中其他成分兼容性良好，不会产生沉淀、分层等现象，还可以与金属离子形成稳定的络合物，从而有效地防止金属表面腐蚀和污染。进一步地，该螯合剂可以在金属表面形成一层保护膜，可以阻止金属离子释放到剥离液中，从而有效地防止金属材料的腐蚀。
本申请的第二方面提供了一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液的制备方法，包括以下步骤：以重量百分比计，向含有去离子水的容器内加入缓蚀剂0.05％-0.3％，混合均匀后加入螯合剂0.05％-0.3％，再次混合均匀后依次加入胺类5％-15％、极性溶剂60％-80％和表面活性剂0.05％-0.3％，其中，表面活性剂选自三乙二醇或聚乙二醇，将温度保持在20℃-25℃。
本申请的第三方面提供了一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液的应用。需要说明的是，“多制程”在本申请中指的是薄膜晶体管液晶显示器生产制造过程中的制备薄膜晶体管阵列(Array)的多道制程，一般来说，完整的薄膜晶体管需要至少五道制程，以完成SiO2、SiN等绝缘介质薄膜和Al、Cu等金属导电膜的堆叠。基于本申请剥离液的特殊组成和配比关系，本申请提供的剥离液能够很好地兼容TFT-LCD制备工艺过程中的铝制程、铜制程，尤其是可以很好地兼容Cu-ITO制程。
实施例1
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类单乙醇胺15％、极性溶剂二乙二醇丁醚60％、缓蚀剂尿嘧啶0.1％、表面活性剂聚乙二醇0.1％和螯合剂膦羧酸0.1％，余量去离子水。
上述组分的配制流程如下：
1.将溶剂水加入搅拌容器内，打开搅拌，控制温度在20-25℃；
2.缓慢沿着搅拌容器内壁加入缓蚀剂尿嘧啶，搅拌溶解完全后开始下一步骤；
3.缓慢沿着搅拌容器内壁加入螯合剂膦羧酸，搅拌溶解完全后开始下一步骤；
4.缓慢沿着搅拌容器内壁加入单乙醇胺；
5.缓慢沿着搅拌容器内壁加入极性溶剂二乙二醇丁醚；
6.缓慢沿着搅拌容器内壁加入表面活性剂聚乙二醇，充分搅拌，即得到本申请用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液。
实施例2
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类单乙醇胺15％、极性溶剂二乙二醇丁醚60％、缓蚀剂钼酸铵0.1％、表面活性剂聚乙二醇0.1％和螯合剂膦羧酸0.1％，余量去离子水。
上述组分的配制流程如下：
1.将溶剂水加入搅拌容器内，打开搅拌，控制温度在20-25℃；
2.缓慢沿着搅拌容器内壁加入缓蚀剂钼酸铵，搅拌溶解完全后开始下一步骤；
3.缓慢沿着搅拌容器内壁加入螯合剂膦羧酸，搅拌溶解完全后开始下一步骤；
4.缓慢沿着搅拌容器内壁加入单乙醇胺；
5.缓慢沿着搅拌容器内壁加入极性溶剂二乙二醇丁醚；
6.缓慢沿着搅拌容器内壁加入表面活性剂聚乙二醇，充分搅拌，即得到本申请用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液。
实施例3
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类单乙醇胺15％、极性溶剂二乙二醇丁醚60％、缓蚀剂尿嘧啶0.1％和钼酸铵0.03％、表面活性剂聚乙二醇0.1％和螯合剂膦羧酸0.1％，余量去离子水。
将上述组分的配制成用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液同实施例1-2。
实施例4
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类单乙醇胺15％、极性溶剂二乙二醇甲醚60％、缓蚀剂尿嘧啶0.1％和钼酸铵0.03％、表面活性剂聚乙二醇0.1％和螯合剂膦羧酸0.1％，余量去离子水。
将上述组分的配制成用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液同实施例1-2。
实施例5
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类N,N-二甲基丙酰胺15％、极性溶剂二乙二醇丁醚60％、缓蚀剂尿嘧啶0.1％和钼酸铵0.03％、表面活性剂聚乙二醇0.1％和螯合剂膦羧酸0.1％，余量去离子水。
将上述组分的配制成用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液同实施例1-2。
实施例6
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类N,N-二甲基丙酰胺15％、极性溶剂二乙二醇甲醚60％、缓蚀剂尿嘧啶0.1％和钼酸铵0.03％、表面活性剂聚乙二醇0.1％和螯合剂膦羧酸0.1％，余量去离子水。
将上述组分的配制成用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液同实施例1-2。
实施例7
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类N,N-二甲基丙酰胺10％、极性溶剂二乙二醇丁醚68％、缓蚀剂尿嘧啶0.1％和钼酸铵0.03％、表面活性剂聚乙二醇0.1％和螯合剂膦羧酸0.1％，余量去离子水。
将上述组分的配制成用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液同实施例1-2。
实施例8
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类N,N-二甲基丙酰胺5％、极性溶剂二乙二醇丁醚80％、缓蚀剂尿嘧啶0.2％和钼酸铵0.03％、表面活性剂聚乙二醇0.1％和螯合剂膦羧酸0.1％，余量去离子水。
将上述组分的配制成用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液同实施例1-2。
实施例9
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类AMP-9510％、极性溶剂二乙二醇丁醚68％、缓蚀剂尿嘧啶0.1％和钼酸铵0.03％、表面活性剂聚乙二醇0.1％和螯合剂膦羧酸0.1％，余量去离子水。
将上述组分的配制成用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液同实施例1-2。
实施例10
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类N,N-二甲基丙酰胺10％、极性溶剂二乙二醇丁醚68％、缓蚀剂尿嘧啶0.1％和钼酸铵0.03％、表面活性剂三乙二醇0.1％和螯合剂膦羧酸0.1％，余量去离子水。
将上述组分的配制成用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液同实施例1-2。
实施例11
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类N,N-二甲基丙酰胺10％、极性溶剂二乙二醇丁醚68％、缓蚀剂尿嘧啶0.05％、表面活性剂聚乙二醇0.05％和螯合剂膦羧酸0.05％，余量去离子水。
将上述组分的配制成用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液同实施例1-2。
实施例12
一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，按重量百分比计包括：胺类N,N-二甲基丙酰胺10％、极性溶剂二乙二醇丁醚68％、缓蚀剂尿嘧啶0.05％和钼酸铵0.25％、表面活性剂聚乙二醇0.3％和螯合剂膦羧酸0.3％，余量去离子水。
将上述组分的配制成用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液同实施例1-2。
本申请涉及到的试验设备及其相关信息包括：
滴定仪：为精细化工工业中常用的电位滴定仪，市售产品。
气相色谱：安捷伦7890B。
SEM(扫描电镜)仪：采用精细化工工业中常用的SEM仪器即可。
OM(光学显微镜)仪：采用精细化工工业中常用的OM仪器即可。
粘度计：BS/U/M小型黏度计来自Sigma-Aldrich。
若无其他特殊说明，本申请使用的试验试剂都来自市场采购。
本申请中剥离液的运动粘度测试方法参考GB/T30515-2014第9章“透明液体运动黏度的测定”的规定操作。
本申请中剥离液的剥离性能测试方法具体操作步骤如下：
将实验用带光刻胶、溅射有不同成分和不同膜厚的膜的玻璃基板，分别浸渍于50℃下的剥离液进行剥离，剥离过程中可进行轻微搅拌。玻璃基板的尺寸为(30mm*30mm)，测试时间为120s。剥离结束后将玻璃基板用超纯水(DIW)进行冲洗并用高纯氮气吹干。通过OM观察剥离后的光刻胶残留情况。
本申请中剥离液的腐蚀性测试方法具体操作步骤如下：
将实验用的带光刻胶、溅射有不同成分和不同膜厚的膜的玻璃基板，分别浸渍于50℃下剥离液进行剥离，测试时间为120s。结束剥离后将玻璃基板用超纯水(DIW)进行冲洗，然后接着用高纯氮气吹干。通过SEM观察本申请的剥离液对玻璃基板金属层的腐蚀情况。
将实施例1-12提供的剥离液分别按照上述试验方法进行运动粘度的测试，并对实施例7提供的剥离液进行挥发性(使用稳定性)、剥离性能和腐蚀性能的测试，测试结果如表1以及图1-5所示。
表1实施例1-12剥离液运动粘度的测试结果，单位：mm2/s
从图1所示的实施例7提供的剥离液中胺、水和醚随着时间延长所呈现出的质量百分比变化情况数据图可知，该剥离液中的醚和水在前12小时内有所下降，之后一直持续到第60小时的变化幅度都不大，说明本实施例剥离液的稳定性很强、寿命比较长。
从图2、3所示的采用实施例7提供的剥离液对含有不同膜的剥离处理前后对比图可知，实施例7提供的剥离液剥离效果优良，并且同样的剥离液适用于多种不同的薄膜晶体管制程，说明该剥离液在TFT-LCD的薄膜晶体管阵列的加工中兼容性很强。
从图4、5所示的采用实施例7提供的剥离液对含有不同膜的腐蚀处理前后对比图可知，实施例7提供的剥离液腐蚀效果优良，在这种组成和配比量下，N,N-二甲基丙酰胺会产生大量的OH-，OH-在水性溶剂中会产生腐蚀作用，通过添加不同添加剂，对金属连接线达到良好的防腐蚀效果。
此外，实施例7的剥离液应用至多制程TFT-LCD薄膜晶体管的阵列(Array)加工过程中时，溶解后混合液中光刻胶的质量浓度可达到5％再进行更换，
综上，可见本发明提供的剥离液能够兼容TFT-LCD薄膜晶体管的多种制程，并且稳定性强，应用条件温和，操作步骤简单，很适合在多制程TFT-LCD薄膜晶体管的阵列(Array)加工中加以广泛推广应用。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，其特征在于，以重量百分比计，包括：
胺类5％-15％；
极性溶剂60％-80％；
缓蚀剂0.05％-0.3％；
表面活性剂0.05％-0.3％，所述表面活性剂选自三乙二醇或聚乙二醇；
螯合剂0.05％-0.3％；
余量去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，其特征在于，所述胺类选自N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二甲基丙酰胺、二甘醇胺、AMP-95和单乙醇胺中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，其特征在于，所述极性溶剂选自二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇乙醚和丙二醇单甲醚中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，其特征在于，所述缓蚀剂选自钼酸铵、尿嘧啶、甲基-苯丙三氮唑、己二酸、肌酸酐和山梨糖醇中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液，其特征在于，所述螯合剂选自乙二胺四亚甲基膦酸或膦羧酸。
6.一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
以重量百分比计，向含有去离子水的容器内加入缓蚀剂0.05％-0.3％，混合均匀后加入螯合剂0.05％-0.3％，再次混合均匀后依次加入胺类5％-15％、极性溶剂60％-80％和表面活性剂0.05％-0.3％，其中，所述表面活性剂选自三乙二醇或聚乙二醇，将温度保持在20℃-25℃。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述螯合剂选自乙二胺四亚甲基膦酸或膦羧酸。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述胺类选自N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二甲基丙酰胺、二甘醇胺、AMP-95和单乙醇胺中的至少一种。
9.一种用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液的应用，其特征在于，所述用于TFT-LCD的长寿命多制程兼容性水系剥离液为权利要求1-5中任一项所述。
10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述多制程包含Cu-ITO制程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311382248.4A CN117434802A (zh) | 2023-10-24 | 2023-10-24 | 用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液、制备和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311382248.4A CN117434802A (zh) | 2023-10-24 | 2023-10-24 | 用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液、制备和应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117434802A true CN117434802A (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=89557781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311382248.4A Pending CN117434802A (zh) | 2023-10-24 | 2023-10-24 | 用于tft-lcd的长寿命多制程兼容性水系剥离液、制备和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117434802A (zh) |
-
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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