CN117411384A - 开绕组电机的驱动电路和电器设备 - Google Patents

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CN117411384A CN202210771956.6A CN202210771956A CN117411384A CN 117411384 A CN117411384 A CN 117411384A CN 202210771956 A CN202210771956 A CN 202210771956A CN 117411384 A CN117411384 A CN 117411384A
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孙金田
张杰楠
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Foshan Shunde Midea Electric Science and Technology Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种开绕组电机的驱动电路和电器设备。其中，驱动电路包括：第一逆变器和第二逆变器，第一逆变器的三相输出端与开绕组电机的第一三相端相连，第二逆变器的三相输出端与开绕组电机的第二三相端相连；第一抑制单元、第二抑制单元和第三抑制单元中的至少一个，第一抑制单元用于抑制开绕组电机与第一逆变器和/或第二逆变器之间的共模干扰，第二抑制单元用于抑制第一逆变器和/或所述第二逆变器与散热片之间的共模干扰，第三抑制单元用于抑制开绕组电机通过驱动回路形成的共模干扰。该驱动电路通过在电机驱动回路中增加抑制单元，降低了开绕组驱动电路的电磁干扰幅度，改善了整机电磁兼容性，同时电路简单、易实现，降低了整机材料成本。

Description

开绕组电机的驱动电路和电器设备
技术领域
本申请涉及电机驱动技术领域，尤其涉及一种开绕组电机的驱动电路和电器设备。
背景技术
开绕组电机驱动电路具有输出功率高、供电模式和调制方式多样、控制灵活、冗余性和容错性强的特点，在高功率、大容量和宽运行范围应用场合拥有广阔的前景。然而，由于开绕组电机驱动电路需要两个逆变器配对，开关器件数量多、开关电路复杂，EMI(电磁干扰)干扰源多。并且，常规滤波电路滤波效果不佳，不能有效改善电路中的EMI干扰，给整机硬件设计带来极大困扰。
发明内容
本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
为此，本申请的第一个目的在于提出一种开绕组电机的驱动电路。该驱动电路能够有效降低开绕组驱动电路的EMI干扰幅度，改善了整机电磁兼容性，同时电路简单且易实现。
本申请的第二个目的在于提出一种电器设备。
为达到上述目的，本申请第一方面实施例提出了一种开绕组电机的驱动电路，包括：第一逆变器和第二逆变器，所述第一逆变器的三相输出端与所述开绕组电机的第一三相端相连，所述第二逆变器的三相输出端与所述开绕组电机的第二三相端相连；第一抑制单元、第二抑制单元和第三抑制单元中的至少一个，所述第一抑制单元用于抑制所述开绕组电机与所述第一逆变器和/或所述第二逆变器之间的共模干扰，所述第二抑制单元用于抑制所述第一逆变器和/或所述第二逆变器与散热片之间的共模干扰，所述第三抑制单元用于抑制所述开绕组电机通过驱动回路形成的共模干扰。
根据本申请实施例的开绕组电机的驱动电路，通过第一抑制单元抑制开绕组电机和逆变器之间的共模干扰，通过第二抑制单元抑制逆变器和散热片之间的共模干扰，以及通过第三抑制单元抑制开绕组电机驱动回路形成的共模干扰，以较小的代价降低了开绕组驱动电路的EMI干扰幅度，改善了整机电磁兼容性性，同时电路简单、易实现，降低了整机材料成本。
为达到上述目的，本申请第二方面实施例提出了一种电器设备，包括本申请第一方面实施例所述的开绕组电机的驱动电路。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
图1是本申请一个实施例的开绕组电机的驱动电路的结构图；
图2是本申请一个具体实施例的开绕组电机的驱动电路的结构图；
图3是本申请第一个具体实施例的开绕组电机驱动电路共模干扰路径示意图；
图4为本申请第一个具体实施例的开绕组电机驱动电路共模干扰路径等效电路图；
图5是本申请第二个具体实施例的双电源半隔离直流母线结构的开绕组电机驱动电路结构图；
图6是本申请第二个具体实施例的逆变器与散热片之间EMI干扰路径图；
图7是本申请第二个具体实施例的逆变器与散热片之间EMI干扰路径等效电路图；
图8是本申请第二个具体实施例的开绕组电机驱动电路共模干扰路径示意图；
图9是本申请第二个具体实施例的开绕组电机驱动电路共模干扰路径等效电路图；
图10为本申请第三个具体实施例的双电源隔离直流母线结构的驱动电路结构图；
图11为本申请第三个具体实施例的电源与电容隔离直流母线结构的驱动电路结构图；
图12是本申请第三个具体实施例的逆变器与散热片之间EMI干扰路径图；
图13是本申请第三个具体实施例的逆变器与散热片之间EMI干扰路径等效电路图；
图14是本申请第四个具体实施例的双电源隔离直流母线结构的开绕组电机驱动电路结构图；
图15是本申请第四个具体实施例的电源与电容隔离直流母线结构的开绕组电机驱动电路结构图；
图16是本申请第四个具体实施例的开绕组电机驱动电路共模干扰示意图；
图17是本申请第四个开绕组电机驱动电路共模干扰传播路径等效电路图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
下面参考附图1-17描述本申请实施例的开绕组电机的驱动电路和电器设备。
图1是本申请一个实施例的开绕组电机的驱动电路的结构图。
需要说明的是，开绕组电机驱动电路根据单双电源供电方式和母线结构不同，可以分为单电源共直流母线结构、双电源半隔离直流母线结构、双电源隔离直流母线结构和电源与电容隔离母线共四种具体拓扑结构。
为方便表述，在本实施例中以单电源共直流母线拓扑结构的开绕组电机驱动电路为例，对本申请实施例的开绕组电机的驱动电路的进行解释说明。
如图1所示，开绕组电机的驱动电路包括第一逆变器110和第二逆变器120，第一抑制单元210、第二抑制单元220和第三抑制单元230中的至少一个。
其中，第一逆变器110的三相输出端与开绕组电机100的第一三相端相连，第二逆变器120的三相输出端与开绕组电机100的第二三相端相连；第一抑制单元210用于抑制开绕组电机100与第一逆变器110和/或第二逆变器220之间的共模干扰，第二抑制单元220用于抑制第一逆变器110和/或第二逆变器120与散热片300之间的共模干扰，第三抑制单元230用于抑制开绕组电机100通过驱动回路形成的共模干扰。
可以理解的是，开绕组电机100三相输入端由U/V/W三根驱动线组成，开绕组电机100的第一三相输入端与第一逆变器110的三相输出端连接，U/V/W三根驱动线驱动电流回路对大地PE呈高阻状态，当U/V/W三根驱动线具有一定长度时，容易对邻近电路产生辐射电磁干扰。在本实施例中，通过在开绕组电机100的驱动线和第一逆变器110之间靠近第一逆变器110的三相输出端的位置设置第一抑制单元210，改善开绕组电机100驱动线对外产生的共模干扰。同样的，还可以在开绕组电机100的第二三相驱动输入端与第二逆变器120之间靠近第二逆变器120的三相输出端的位置设置第一抑制单元210，改善开绕组电机100的驱动线对外产生的共模干扰。
进一步地，由于第一逆变器110和第二逆变器120的开关功率器件与逆变器散热片300之间因散热在结构上需要结合紧密，从而存在较大的分布电容，逆变器开关功率器件产生的EMI干扰通过分布电容传播到逆变器散热片300上。由于散热片300为具有一定尺寸的一块金属导体，因此EMI干扰信号通过散热片300的表面向周围辐射电磁形成共模干扰。本实施例中，通过在逆变器散热片300与电源E的负极端(直流母线接地端)之间设置第二抑制单元220，可以有效吸收扩散到散热片300上的EMI干扰。
进一步地，当开绕组电机100固定在具有金属外壳的整机内时，开绕组电机100对大地PE(金属外壳)存在分布电容，通过开绕组电机驱动回路形成共模干扰。在本实施例中，可以在直流母线接地端与大地PE之间设置第三抑制单元230，有效抑制开绕组电机驱动回路形成共模干扰向外传播。
示例性地，第一抑制单元210可以设置在开绕组电机100驱动线(U/V/W)与第一逆变器110和/或第二逆变器120之间，用来抑制第一逆变器110和/或第二逆变器120与开绕组电机之间的共模干扰；第二抑制单元220可以设置在第一逆变器110和/或第二逆变器120与逆变器散热片300之间，用来抑制第一逆变器110和/或第二逆变器120与逆变器散热片300之间的共模干扰；第三抑制单元230可以设置在电源E负极端与大地PE之间，用于抑制开绕组电机驱动回路对外传播的共模干扰。
需要说明的是，上述第一抑制单元210、第二抑制单元220和第三抑制单元230的设置方式仅为示例性地，可以根据实际需要选择第一抑制单元210、第二抑制单元220和第三抑制单元230中至少一个来抑制开绕组电机的驱动电路产生的EMI干扰。
根据本申请实施例的开绕组电机的驱动电路，通过第一抑制单元抑制开绕组电机和逆变器之间的共模干扰，通过第二抑制单元抑制逆变器和散热片之间的共模干扰，以及通过第三抑制单元抑制开绕组电机驱动回路形成的共模干扰，以较小的代价降低了开绕组驱动电路的EMI干扰幅度，改善了整机电磁兼容性性，同时电路简单、易实现，降低了整机材料成本。
为了实现本申请上述实施例的开绕组电机的驱动电路，下面结合图2-17描述本申请上述实施例的开绕组电机的驱动电路的具体结构。
图2是本申请一个具体实施例的开绕组电机的驱动电路的结构图。
如图2所示，第一抑制单元210包括第一共模电感211和/或第二共模电感212，第一共模电感211设置在第一逆变器212的三相输出端，第二共模电感212设置在第二逆变器120的三相输出端。
可选地，第一共模电感211设置在靠近第一逆变器110的三相输出端的位置，第二共模电感212设置在靠近第二逆变器120的三相输出端的位置。
为了进一步地解释本申请上述实施例，图3是本申请第一个具体实施例的开绕组电机驱动电路共模干扰路径示意图。如图3所示，当开绕组电机100固定在具有金属外壳的整机内时，整机接地钣金接大地PE，第一逆变器110和第二逆变器120的三相输出端分别与开绕组电机100的三根驱动线(U/V/W)一一相连，电源E输出的电流作为第一逆变器110和第二逆变器120的输入，从而在电源E、第一逆变器110、开绕组电机100第一三相端和大地PE之间形成一条开绕组电机驱动回路，在电源E、第二逆变器120、开绕组电机100第二三相端和大地之间形成另一条开绕组电机驱动回路。当开绕组电机100的三根驱动线具有一定长度时，在开绕组电机100的驱动线与大地之间会存在分布电容CP，对周围电路产生辐射电磁干扰，通过在逆变器和开绕组电机100之间靠近逆变器的三相输出端增加共模电感，可以隔离一部分共模干扰。
进一步地，在图3的基础上，图4为本申请第一个具体实施例的开绕组电机驱动电路共模干扰路径等效电路图。如图4所示，Zi为电源E输入端等效阻抗，Zt为输入端测试设备等效阻抗，ZL为共模电感阻抗，Zp为开绕组电机对地分布电容阻抗，Vm为逆变器干扰源共模电压，Vt为测试设备端口测得的EMI干扰电压，则Vt的计算公式如下：
由上式Vt的计算公式可知，共模电感阻抗ZL越大，测试设备端口测得的EMI干扰电压Vt越小，因此，选择合适参数共模电感可以有效降低开绕组电机的驱动电路产生的共模干扰。
示例性地，第一共模电感211和第二共模电感212可以为三相共模电感，三相共模电感的两端与逆变器的三相输出端和开绕组电机100的三相输入端对应连接。
作为一种可能的实现方式，第一共模电感211和第二共模电感212可以为立式板载共模电感、卧式板载共模电感或者绕线磁环。
需要说明的是，共模电感的规格参数，或者绕线磁环的绕线匝数可以根据实际需要设定，对此本申请不作限制。
图5是本申请第二个具体实施例的双电源半隔离直流母线结构的开绕组电机驱动电路结构图。
如图2和图5所示，在驱动电路采用单电源共直流母线结构或者双电源半隔离直流母线结构时，第二抑制单元220包括设置在电源负极端与散热片300之间的第一RC低阻返回通路。
其中，第一RC低阻返回通路包括串联连接的第一电阻R1和第一电容C1。
可以理解的是，当驱动电路采用单电源共直流母线结构时(参见图2)，第二抑制单元220设置在单电源E的负极端和散热片300之间，当驱动电路采用双电源半隔离直流母线结构时(参见图5)，第一电源E1和第二电源E2的负极端相连接通过第二抑制单元220连接至散热片300上。
具体地，以双电源半隔离直流母线结构的驱动电路为例，图6是本申请第二个具体实施例的逆变器与散热片300之间EMI干扰路径图。如图6所示，第一逆变器110和第二逆变器120中的开关功率器件与散热片300之间分别存在分布电容Cp1和Cp2，从而在逆变器和散热片300形成共模干扰路径，逆变器的开关信号通过分布电容Cp1和Cp2将EMI干扰传播到散热片300上，进一步通过散热片300向周围辐射产生共模干扰。在本实施例中通过在第一电源E1和第二电源E2的负极端与散热片300之间加第一RC低阻返回路径，可以有效将传播到散热片300的EMI干扰吸收，抑制散热片300向周围辐射产生的共模干扰。
为进一步更加清楚的解释上述实施例，在图6的基础上，图7是本申请第二个具体实施例的逆变器与散热片之间EMI干扰路径等效电路图。如图7所示，Zp为开关功率器件对散热片分布电容Cp1或Cp2的阻抗，ZRC为第一RC低阻返回路径的阻抗，Vm为逆变器干扰源共模电压，V1为逆变器对散热片上的EMI干扰电压，则V1的计算公式如下：
由上述V1的计算公式可知，在增加第一RC低阻返回支路(C1和R1)之前，ZRC的值无穷大，V1的值近似等于Vm，在增加了RC低阻返回支路后，V1由Zp和ZRC串联分压产生，ZRC的值小于Zp，从而V1的值变小，EMI干扰电压变小，有效降低了EMI干扰的幅度。
示例性地，第一电阻R1可以为大于1W的大功率电阻，其取值范围可以在4.7:50Ω之间；第一电容C2的容值取值范围在100pF～10nF之间的Y电容，或者是高压电容。其中第一电阻R1和第一电容C1的类型和取值可以在合理范围内根据实际需要确定。
如图2和图5所示，在驱动电路采用单电源共直流母线结构或者双电源半隔离直流母线结构时，第三抑制单元230包括设置在电源负极端与大地之间的第一RC低阻抗通路。
其中，第一RC低阻抗通路包括串联连接的第二电阻R2和第二电容C2。
为了进一步解释本申请上述实施例，以单电源共直流母线结构的开绕组电机驱动电路为例，图8是本申请第二个具体实施例的开绕组电机驱动电路共模干扰路径示意图。如图8所示，ZRC为第一RC低阻抗通路的等效阻抗。在图8的基础上，图9是本申请第二个具体实施例的开绕组电机驱动电路共模干扰路径等效电路图。如图9所示，ZRC为第一RC低阻抗通路的等效阻抗，Zi为电源输入端等效阻抗，Zt为输入端测试设备等效阻抗，ZL为共模电感阻抗，Zp为开绕组电机对地分布电容阻抗，Vm为逆变器干扰源共模电压，Vt为测试设备端口测得的EMI干扰电压，V1为逆变器对散热片上的EMI干扰电压，则测试设备端口测得的EMI干扰电压Vt的计算公式如下：
其中，Z1为ZRC、Zi和Zt等支路的复合阻抗，Z1的计算公式如下：
由上式可知，在增加了第一RC低阻抗通路后，增加了阻抗ZRC，降低了测试设备端口测得的EMI干扰电压Vt的值，从而降低了驱动电路的共模干扰。
示例性地，第二电阻R2可以为大于1W的大功率电阻，其取值范围可以在4.7:50Ω之间；第二电容C2为的容值取值范围在100pF～10nF之间的Y电容，或者是高压电容。其中，第二电阻R2和第一点电容C2的类型和取值可以在合理范围内根据实际需要确定。
图10为本申请第三个具体实施例的双电源隔离直流母线结构的驱动电路结构图。
图11为本申请第三个具体实施例的电源与电容隔离直流母线结构的驱动电路结构图。
如图10和图11所示，在驱动电路采用双电源隔离直流母线结构或者电源与电容隔离直流母线结构时，第二抑制单元220包括第二RC低阻返回通路和第三RC低阻返回通路，第二RC低阻返回通路设置在第一电源E1负极端与散热片300之间，第三RC低阻返回通路设置在第二电源E2负极端或者电容C负极端与散热片300之间。
其中，第二RC低阻返回通路包括串联连接的第三电阻R3和第三电容C3，第三RC低阻返回通路包括串联连接的第四电阻R4和第四电容C4。
具体地，以双电源隔离直流母线结构的驱动电路结构为例，图12是本申请第三个具体实施例的逆变器与散热片之间EMI干扰路径图。如图12所示，第一逆变器110和第二逆变器120中的开关功率器件与散热片之间分别存在分布电容Cp1和Cp2，从而在逆变器和散热片300形成共模干扰路径，逆变器的开关信号通过分布电容Cp1和Cp2将EMI干扰传播到散热片300上，进一步通过散热片300向周围辐射产生共模干扰。在本实施例中，通过在第一电源E1的负极端与散热片300之间设置第二RC低阻返回路径，在第二电源E2的负极端与散热片300之间设置第三RC低阻返回路径，可以有效降低逆变器产生的共模干扰。
为进一步更加清楚的解释上述实施例，在图12的基础上，图13是本申请是第三个具体实施例的逆变器与散热片之间EMI干扰路径等效电路图。如图13所示，Zp为开关功率器件对散热片分布电容Cp1或Cp2的阻抗，ZRC为第二RC低阻返回路径或者第三低阻返回路径的阻抗，Vm为逆变器干扰源共模电压，V1为逆变器对散热片上的EMI干扰电压，则V1的计算公式如下：
由上述V1的计算公式可知，在增加第二RC低阻返回路径(C3和R3)或第三RC低阻返回路径(C4和R4)之前，ZRC的值无穷大，V1的值近似等于Vm，在增加了RC低阻返回路径后，V1由Zp和ZRC串联分压产生，ZRC的值小于Zp，从而V1的值变小，EMI干扰电压变小，有效降低了EMI干扰的幅度。
图14是本申请第四个具体实施例的双电源隔离直流母线结构的开绕组电机驱动电路结构图。
图15是本申请第四个具体实施例的电源与电容隔离直流母线结构的开绕组电机驱动电路结构图。
如图14和图15所示，在驱动电路采用双电源隔离直流母线结构或者电源与电容隔离直流母线结构时，第三抑制单元230包括第二RC短路通路和第三RC短路通路，第二RC短路通路设置在第一电源E1负极端与大地之间，第三RC短路通路设置在第二电源E2负极端或者电容C负极端与大地之间。
其中，第二RC短路通路包括串联连接的第五电阻R5和第五电容C5，第三RC短路通路包括串联连接的第六电阻R6和第六电容C6。
具体地，以双电源隔离直流母线结构的开绕组电机驱动电路结构为例，图16是本申请第四个具体实施例的开绕组电机驱动电路共模干扰示意图。如图16所示，第一电源E1、第一逆变器110、开绕组电机100第一三相端和大地之间形成开绕组电机驱动回路，第二电源E2、第二逆变器120、开电机绕组100第二三相端和大地之间形成另一条开绕组电机驱动回路，在增加第二RC短路通路和，第三RC短路通路后，开绕组电机驱动电路共模干扰传播路径等效电路如图17所示。
其中，ZRC为第二RC短路通路或第三的RC短路通路等效阻抗，Zi为电源输入端等效阻抗，Zt为输入端测试设备等效阻抗，ZL为共模电感阻抗，Zp为开绕组电机对地分布电容阻抗，Vm为逆变器干扰源共模电压，Vt为测试设备端口测得的EMI干扰电压，V1为逆变器对散热片上的EMI干扰电压，则测试设备端口测得的EMI干扰电压Vt的计算公式如下：
其中，Z1为ZRC、Zi和Zt等支路的复合阻抗，Z1的计算公式如下：
由上式可知，在增加了第二RC短路通路和第三RC短路通路后，增加了电源和大地之间的阻抗ZRC，降低了测试设备端口测得的EMI干扰电压Vt的值，从而降低了驱动电路的共模干扰。
根据本申请的开绕组电机的驱动电路，通过在逆变器和开绕组电机的驱动线之间设置共模电感，在电源的负极端和逆变器散热片之间设置RC低阻返回通路，以及在电源的负极端和大地之间设置RC短路通路，有效的降低了开绕组电机驱动线、逆变器的开关器件和开电机绕组驱动回路缠上的电磁干扰，以较小的代价降低了开绕组驱动电路的EMI干扰幅度，改善了整机EMC性能，同时电路简单、易实现，降低了整机材料成本。
基于上述实施例的开绕组电机的驱动电路，本申请还提出一种电器设备，包括本申请上述实施例提出的开绕组电机的驱动电路。
另外，本申请实施例的驱动电路的其他构成及作用对本领域的技术人员来说是已知的，为减少冗余，此处不做赘述。
需要说明的是，在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本申请的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，本申请实施例中所使用的“第一”、“第二”等术语，仅用于描述目的，而不可以理解为指示或者暗示相对重要性，或者隐含指明本实施例中所指示的技术特征数量。由此，本申请实施例中限定有“第一”、“第二”等术语的特征，可以明确或者隐含地表示该实施例中包括至少一个该特征。在本申请的描述中，词语“多个”的含义是至少两个或者两个及以上，例如两个、三个、四个等，除非实施例中另有明确具体的限定。
在本申请中，除非实施例中另有明确的相关规定或者限定，否则实施例中出现的术语“安装”、“相连”、“连接”和“固定”等应做广义理解，例如，连接可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体，可以理解的，也可以是机械连接、电连接等；当然，还可以是直接相连，或者通过中间媒介进行间接连接，或者可以是两个元件内部的连通，或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，能够根据具体的实施情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (12)

1.一种开绕组电机的驱动电路，其特征在于，包括：
第一逆变器和第二逆变器，所述第一逆变器的三相输出端与所述开绕组电机的第一三相端相连，所述第二逆变器的三相输出端与所述开绕组电机的第二三相端相连；
第一抑制单元、第二抑制单元和第三抑制单元中的至少一个，所述第一抑制单元用于抑制所述开绕组电机与所述第一逆变器和/或所述第二逆变器之间的共模干扰，所述第二抑制单元用于抑制所述第一逆变器和/或所述第二逆变器与散热片之间的共模干扰，所述第三抑制单元用于抑制所述开绕组电机通过驱动回路形成的共模干扰。
2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一抑制单元包括第一共模电感和/或第二共模电感，所述第一共模电感设置在所述第一逆变器的三相输出端，所述第二共模电感设置在所述第二逆变器的三相输出端。
3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述第一共模电感和所述第二共模电感为立式板载共模电感、卧式板载共模电感或者绕线磁环。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的驱动电路，其特征在于，在所述驱动电路采用单电源共直流母线结构或者双电源半隔离直流母线结构时，所述第二抑制单元包括设置在电源负极端与所述散热片之间的第一RC低阻返回通路。
5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述第一RC低阻返回通路包括串联连接的第一电阻和第一电容。
6.根据权利要求1-3任一项所述的驱动电路，其特征在于，在所述驱动电路采用单电源共直流母线结构或者双电源半隔离直流母线结构时，所述第三抑制单元包括设置在电源负极端与大地之间的第一RC低阻抗通路。
7.根据权利要求6所述的驱动电路，其特征在于，所述第一RC低阻抗通路包括串联连接的第二电阻和第二电容。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的驱动电路，其特征在于，在所述驱动电路采用双电源隔离直流母线结构或者电源与电容隔离直流母线结构时，所述第二抑制单元包括第二RC低阻返回通路和第三RC低阻返回通路，所述第二RC低阻返回通路设置在第一电源负极端与所述散热片之间，所述第三RC低阻返回通路设置在第二电源负极端或者电容负极端与所述散热片之间。
9.根据权利要求8所述的驱动电路，其特征在于，所述第二RC低阻返回通路包括串联连接的第三电阻和第三电容，所述第三RC低阻返回通路包括串联连接的第四电阻和第四电容。
10.根据权利要求1-3中任一项所述的驱动电路，其特征在于，在所述驱动电路采用双电源隔离直流母线结构或者电源与电容隔离直流母线结构时，所述第三抑制单元包括第二RC短路通路和第三RC短路通路，所述第二RC短路通路设置在第一电源负极端与大地之间，所述第三RC短路通路设置在第二电源负极端或者电容负极端与所述大地之间。
11.根据权利要求10所述的驱动电路，其特征在于，所述第二RC短路通路包括串联连接的第五电阻和第五电容，所述第三RC短路通路包括串联连接的第六电阻和第六电容。
12.一种电器设备，其特征在于，包括根据权利要求1-11中任一项所述的开绕组电机的驱动电路。
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