CN117397167A - 弹性波装置 - Google Patents

弹性波装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117397167A
CN117397167A CN202280038591.4A CN202280038591A CN117397167A CN 117397167 A CN117397167 A CN 117397167A CN 202280038591 A CN202280038591 A CN 202280038591A CN 117397167 A CN117397167 A CN 117397167A
Authority
CN
China
Prior art keywords
elastic wave
element chip
substrate
bumps
gnd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280038591.4A
Other languages
English (en)
Inventor
田部井俊树
安田润平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN117397167A publication Critical patent/CN117397167A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H03H9/0523—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for flip-chip mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

提供一种弹性波装置，能够实现衰减特性的改善和密封树脂的树脂填充性的改善。在弹性波装置(1)中，在基板(2)上搭载有第一弹性波元件芯片(11)和第二弹性波元件芯片(12)，将第一弹性波元件芯片(11)与基板(2)接合的多个第一凸起具有与接地电位连接的多个第一GND凸起(13a、13b)，将第二弹性波元件芯片(12)与基板2接合的多个第二凸起具有与接地电位连接的多个第二GND凸起(14a～14d)，在将第一GND凸起(13a、13b)的数量设为n1、将第二GND凸起(14a～14d)的数量设为n2、将第一GND凸起(13a、13b)的高度设为h1、将第二GND凸起(14a～14d)的高度设为h2时，n1＜n2且h1＜h2。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及在基板上安装有多个弹性波元件芯片(chip)的弹性波装置。
背景技术
以往，已知有在基板上搭载了多个压电元件芯片的弹性波装置。例如在下述的专利文献1中，公开了一种在基板上搭载有多个弹性波元件的弹性波装置。这里，弹性波元件芯片使用凸起接合于基板。
将多个弹性波元件与基板接合的多个凸起的高度相等。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-93791号公报
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1所记载的弹性波装置中，在提高凸起的高度时，根据弹性波元件，衰减特性有时发生恶化。另一方面，在降低凸起的高度时，在进行树脂密封的情况下，向弹性波元件芯片与基板之间的树脂的填充性有时变差。
本发明的目的在于，提供一种能够改善衰减特性和密封树脂的树脂填充性双方的弹性波装置。
用于解决问题的手段
本发明的弹性波装置具备：基板，其具有相对置的第一主面和第二主面；第一弹性波元件芯片，其搭载在所述基板的所述第一主面上；第二弹性波元件芯片，其搭载在所述基板的所述第一主面上；多个第一凸起，其将所述基板与所述第一弹性波元件芯片接合；以及多个第二凸起，其将所述基板与所述第二弹性波元件芯片接合，所述多个第一凸起具有与接地电位连接的多个第一GND凸起，所述多个第二凸起具有与接地电位连接的多个第二GND凸起，在将所述第一GND凸起的数量设为n1、将所述第二GND凸起的数量设为n2、将所述第一GND凸起的高度设为h1、将所述第二GND凸起的高度设为h2时，n1＜n2且h1＜h2。
发明效果
根据本发明，能够提供能够实现衰减特性的改善和密封树脂的树脂填充性的改善的弹性波装置。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的弹性波装置的主视剖视图。
图2是示出本发明的第一实施方式的弹性波装置的电路结构的图。
图3是本发明的第二实施方式的弹性波装置的主视剖视图。
图4是本发明的第三实施方式的弹性波装置的主视剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体实施方式进行说明，由此使本发明变得清楚。
需要说明的是，预先指出本说明书所记载的各实施方式是例示性的内容，在不同的实施方式之间能够进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第一实施方式的弹性波装置的主视剖视图，图2是示出该电路结构的图。
如图2所示，弹性波装置1具有第一弹性波滤波器F1和第二弹性波滤波器F2。第一弹性波滤波器F1的一端与第二弹性波滤波器F2的一端被共同连接。
在图1中，该第一弹性波滤波器F1和第二弹性波滤波器F2搭载在基板2上。基板2具有作为第一主面的上表面2a和作为第二主面的下表面2b。第一弹性波滤波器F1包括第一弹性波元件芯片11。第一弹性波元件芯片11具有压电基板11a。在压电基板11a的下表面设置有用于构成弹性波滤波器的电极(未图示)。另外，在该压电基板11a的下表面设置有端子电极11b、11c。端子电极11b、11c是与接地电位连接的端子电极。在端子电极11b、11c接合有第一GND凸起13a、13b。第一GND凸起13a、13b与设置在基板2的上表面2a上的电极焊盘3a、3b接合。电极焊盘3a、3b是与接地电位连接的电极焊盘。需要说明的是，将第一弹性波元件芯片11与基板2接合的多个第一凸起具有上述第一GND凸起13a、13b和未图示的第一信号侧凸起。
另一方面，第二弹性波滤波器F2包括第二弹性波元件芯片12。第二弹性波元件芯片12具有压电基板12a。在压电基板12a的未图示的部分，在下表面设置有用于构成滤波器的IDT电极等。
在压电基板12a的下表面，设置有与接地电位连接的端子电极12b、12c、12d、12e。端子电极12b、12c、12d、12e分别与第二GND凸起14a、14b、14c、14d接合。第二GND凸起14a～14d与设置在基板2的上表面2a上的电极焊盘4a～4d接合。电极焊盘4a～4d是与接地电位连接的电极焊盘。需要说明的是，将第二弹性波元件芯片12与基板2接合的多个第二凸起具有上述第二GND凸起14a～14d和未图示的第二信号侧凸起。
在图1中，仅图示出与第一弹性波元件芯片11、第二弹性波元件芯片12的部分连接的端子电极中的与接地电位连接的端子电极11b、11c、12b、12c、12d、12e，但在未图示的部分设置有与信号电位连接的端子电极。此外，与信号电位连接的端子电极也使用第一凸起或第二凸起内的第一信号侧凸起或第二信号侧凸起而与基板2上的未图示的电极焊盘接合。
密封树脂层5被设置为覆盖上述第一弹性波元件芯片11及第二弹性波元件芯片12。
弹性波装置1的特征在于，在将第一GND凸起13a、13b的高度设为h1、将第二GND凸起14a～14d的高度设为h2时，h1＜h2而不同。另一方面，在第一弹性波元件芯片11中，第一GND凸起13a、13b的数量是2。在第二弹性波元件芯片12中，第二GND凸起14a～14d的数量是4。因此，在将第一弹性波元件芯片11中的第一GND凸起的数量设为n1、将第二弹性波元件芯片12中的第二GND凸起的数量设为n2时，n1＜n2。
另外，在将第一弹性波元件芯片11的搭载于基板2的一侧的面的面积设为s1、将第二弹性波元件芯片12中的搭载于基板2的一侧的面的面积设为s2时，s1＜s2。
在弹性波装置1中，如上所述，在n1＜n2的情况下，由于是h1＜h2，因此，即便在GND凸起的数量较多的第二弹性波元件芯片12侧，也改善了构成密封树脂层5的树脂的填充性。此外，在GND凸起的数量较少的第一弹性波元件芯片11侧，由于第一GND凸起13a、13b的高度h1变低，因此，能够改善衰减特性。即，由于是n1＜n2且h1＜h2，因此，能够兼顾衰减特性的改善和密封树脂的树脂填充性的改善。尤其在弹性波装置1中，进而由于是s1＜s2，因此，能够更加有效地提高密封树脂的填充性。
图3是本发明的第二实施方式的弹性波装置的主视剖视图。需要说明的是，在图3中，仅以单点划线简略地示出密封树脂层5的位置。在弹性波装置20中，在第二弹性波元件芯片22的压电基板22a的下表面与基板2的上表面2a之间安装有第一弹性波元件芯片21。即，在第二GND凸起24b与第二GND凸起24c之间的空间安装有第一弹性波元件芯片21。因此，无需将第一弹性波元件芯片21配置于第二弹性波元件芯片22的侧方。因此，在弹性波装置20中，能够减小平面面积。关于其他结构，弹性波装置20与弹性波装置1相同，因此，针对相同的部分，标注对图1中的参照编号加上了10而得到的参照编号，由此省略其说明。
在弹性波装置20中也是n1＜n2且h1＜h2，进而是s1＜s2。因此，能够兼顾衰减特性的改善和构成密封树脂的树脂的填充性的改善。
图4是本发明的第三实施方式的弹性波装置的主视剖视图。在弹性波装置31中，与第二实施方式的弹性波装置20同样地，第一弹性波元件芯片21及第二弹性波元件芯片22搭载在基板2的上表面2a上。这里，第一弹性波元件芯片21也被安装于第二弹性波元件芯片22与基板2的上表面2a之间的空间。
此外，在弹性波装置31中，第三弹性波元件芯片32搭载在基板2的上表面2a上。第三弹性波元件芯片32具有压电基板32a。在压电基板32a的下表面设置有与接地电位连接的端子电极32b～32f。端子电极32b～32f是与接地电位连接的端子电极。第三GND凸起33a～33e与端子电极32b～32f接合。另一方面，第三GND凸起33a～33e与设置于基板2的上表面2a的电极焊盘6a～6e接合。电极焊盘6a～6e是与接地电位连接的电极焊盘。需要说明的是，将第三弹性波元件芯片32与基板2接合的多个第三凸起具有上述第三GND凸起33a～33e和未图示的第三信号侧凸起。
第三弹性波元件芯片32构成弹性波滤波器。因此，在弹性波装置31中，三个弹性波滤波器搭载于基板2。
这样，在本发明中，也可以除了第一弹性波元件芯片、第二弹性波元件芯片之外，进一步将至少一个第三弹性波元件芯片安装于基板。
在第三弹性波元件芯片32中，将第三GND凸起33a～33e的数量设为n3，将第三GND凸起33a～33e的高度设为h3，将第三弹性波元件芯片32的搭载于基板2的面的面积设为s3。在该情况下，n1＜n2＜n3，h1＜h2＜h3，s1＜s2＜s3。
因此，在弹性波装置31中，即便在凸起的数量最多的第三弹性波元件芯片32中，也能够改善构成密封树脂层5的树脂的填充性。此外，也能够实现第一弹性波元件芯片21、第二弹性波元件芯片22侧的衰减特性的改善。
附图标记说明
1…弹性波装置；
2…基板；
2a…上表面；
2b…下表面；
3a、3b、4a～4d…电极焊盘；
5…密封树脂层；
6a～6e…电极焊盘；
11、12…第一弹性波元件芯片、第二弹性波元件芯片；
11a、12a…压电基板；
11b、11c、12b、12c、12d、12e…端子电极；
13a、13b…第一GND凸起；
14a～14d…第二GND凸起；
20…弹性波装置；
21、22…第一弹性波元件芯片、第二弹性波元件芯片；
21a、22a…压电基板；
21b、21c、22b、22c、22d、22e…端子电极；
23a、23b…第一GND凸起；
24a、24b、24c、24d…第二GND凸起；
31…弹性波装置；
32…第三弹性波元件芯片；
32a…压电基板；
32b～32f…端子电极；
33a～33e…第三GND凸起；
F1、F2…第一弹性波滤波器、第二弹性波滤波器。

Claims (6)

1.一种弹性波装置，具备：
基板，其具有相对置的第一主面和第二主面；
第一弹性波元件芯片，其搭载在所述基板的所述第一主面上；
第二弹性波元件芯片，其搭载在所述基板的所述第一主面上；
多个第一凸起，其将所述基板与所述第一弹性波元件芯片接合；以及
多个第二凸起，其将所述基板与所述第二弹性波元件芯片接合，
所述多个第一凸起具有与接地电位连接的多个第一GND凸起，
所述多个第二凸起具有与接地电位连接的多个第二GND凸起，
在将所述第一GND凸起的数量设为n1、将所述第二GND凸起的数量设为n2、将所述第一GND凸起的高度设为h1、将所述第二GND凸起的高度设为h2时，n1＜n2且h1＜h2。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
在将所述第一弹性波元件芯片的搭载于所述基板的一侧的面的面积设为s1、将所述第二弹性波元件芯片的搭载于所述基板的一侧的面的面积设为s2时，s1＜s2。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
在所述基板的所述第一主面与所述第二弹性波元件芯片之间，所述第一弹性波元件芯片被安装于所述基板的所述第一主面。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备搭载于所述基板的至少一个第三弹性波元件芯片，所述第三弹性波元件芯片通过多个第三凸起而与所述基板接合，所述多个第三凸起具有与接地电位连接的多个第三GND凸起，在将所述多个第三GND凸起的数量设为n3并将高度设为h3时，n1＜n2＜n3且h1＜h2＜h3。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备密封树脂层，所述密封树脂层被设置为覆盖所述第一弹性波元件芯片、所述第二弹性波元件芯片。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置是弹性波滤波器。
CN202280038591.4A 2021-06-01 2022-05-17 弹性波装置 Pending CN117397167A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021092408 2021-06-01
JP2021-092408 2021-06-01
PCT/JP2022/020463 WO2022255082A1 (ja) 2021-06-01 2022-05-17 弾性波装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117397167A true CN117397167A (zh) 2024-01-12

Family

ID=84323216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280038591.4A Pending CN117397167A (zh) 2021-06-01 2022-05-17 弹性波装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240097647A1 (zh)
CN (1) CN117397167A (zh)
WO (1) WO2022255082A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5613813B2 (ja) * 2013-10-17 2014-10-29 太陽誘電株式会社 分波器
CN105814796B (zh) * 2013-12-25 2019-04-19 株式会社村田制作所 弹性波滤波器设备
CN108352822B (zh) * 2015-12-21 2021-12-07 株式会社村田制作所 弹性波装置
JP2019125871A (ja) * 2018-01-12 2019-07-25 株式会社村田製作所 弾性波装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022255082A1 (ja) 2022-12-08
US20240097647A1 (en) 2024-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4670872B2 (ja) 弾性表面波装置
JP6651643B2 (ja) 弾性波フィルタ、分波器および通信装置
US8319585B2 (en) Elastic wave filter device and module including the same
US10171064B2 (en) Elastic wave device and elastic wave module
JP2011130513A (ja) 弾性表面波フィルタ素子、モジュール、及び通信機器
US7944329B2 (en) Acoustic wave filter device with branched ground wiring sandwiching the IDT area
KR102444727B1 (ko) 탄성파 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치
KR101958134B1 (ko) 전자 부품
JP2021158655A (ja) フィルタ装置、複合フィルタ装置及びフィルタ回路
CN117397167A (zh) 弹性波装置
CN107547065B (zh) 弹性波装置
JP6558445B2 (ja) 弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュール
JPWO2008038498A1 (ja) バランス型弾性波フィルタ装置
JP4626652B2 (ja) 弾性波フィルタ装置
JPWO2004102799A1 (ja) 弾性表面波分波器
US8222971B2 (en) Acoustic wave filter device
CN110337783B (zh) 弹性波装置及其制造方法
US10581401B2 (en) Module device
EP3622624A1 (en) Saw device with suppressed parasitic signal
WO2023026990A1 (ja) フィルタ装置及び複合フィルタ装置
JPWO2013008494A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
WO2022202295A1 (ja) 複合フィルタ装置
CN113452344A (zh) 滤波器装置、复合滤波器装置以及滤波器电路
JP2024057347A (ja) フィルタ装置
JP6019610B2 (ja) Ｓａｗ発振器および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination