CN117395899A - 一种ptfe电路板混压工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种PTFE电路板混压工艺，包括：将第一压合板、第一板、第二板、第三板、第四板和第二压合板进行第一压合，之后依次进行第一钻孔、第一镀铜、镀锡、背钻、蚀刻退锡、塞孔、第二钻孔、铣金属包边、第二镀铜、设置外层图形、图形电镀和蚀刻，得到混压PTFE电路板。本发明提供的混压工艺，通过采用特定的压合及加工过程，控制内层图形加工时的涨缩率，实现了高性能PCB电路板的加工，解决了当前混压PCB电路板的过程中，仍存在多次压合，芯板收缩不一致，压合后易偏位及PTFE和FR‑4材料特性不一致，钻孔参数不当，孔壁粗糙度和芯吸容易达不到标准的缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及高频电源印制电路板加工技术领域，具体涉及一种PTFE电路板混压工艺。
背景技术
目前，PCB上越来越多的运用到高频板材来满足信号传输的要求，但是由于高频板材价格较为昂贵，客户从节约成本的角度考虑，在PCB的结构设计上采用混压的方式，即除了必要的信号层采用HydroCarbon/Ceramic(或PTFE/Ceramic)结构的高频覆铜板材，以满足其信号传输速度、信号完整性以及阻抗匹配等要求，其他层采用常规FR-4覆铜板材。
如CN116234190A公开了一种局部混压PCB加工方法及局部混压PCB，该局部混压PCB加工方法，包括：在至少两层PCB母板上加工阶梯子板槽；在PCB子板上加工阶梯控深部，阶梯控深部与阶梯子板槽相匹配；将PCB子板放置在至少两层PCB母板上，使阶梯控深部与阶梯子板槽相对设置，对PCB子板和至少两层PCB母板进行压合，得到局部混压PCB。
如CN108430174A公开了一种混压PCB的制作方法及混压PCB；所述制作方法包括：将第二芯板嵌入单张第一芯板或者多张第一芯板内；对于欲叠放于第二芯板顶面和/或底面的半固化片，于该半固化片的与第二芯板相邻的表面上局部位置设置导电层，所述局部位置对应于第二芯板与第一芯板的相应内层线路之间的结合位置；之后，将内嵌有第二芯板的第一芯板与其他芯板及各半固化片按照预设顺序叠放后压合.
然而当前混压PCB电路板的过程中，仍存在多次压合，芯板收缩不一致，压合后易偏位及PTFE和FR-4材料特性不一致，钻孔参数不当，孔壁粗糙度和芯吸容易达不到标准的缺陷。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种PTFE电路板混压工艺，以解决当前混压PCB电路板的过程中，仍存在多次压合，芯板收缩不一致，压合后易偏位及PTFE和FR-4材料特性不一致，钻孔参数不当，孔壁粗糙度和芯吸容易达不到标准的缺陷。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种PTFE电路板混压工艺，所述PTFE电路板混压工艺包括：
将第一压合板、第一板、第二板、第三板、第四板和第二压合板进行第一压合，之后依次进行第一钻孔、第一镀铜、镀锡、背钻、蚀刻退锡、塞孔、第二钻孔、铣金属包边、第二镀铜、设置外层图形、图形电镀和蚀刻，得到混压PTFE电路板；
所述第一压合板第二压合板的基底材质相同；所述第一压合板与第一板、第二板、第三板、第四板的基底材质均不相同；
所述第一压合板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0001-1.0003，长边涨缩率控制为1.0002-1.0004；所述第二压合板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0002-1.0004，长边涨缩率控制为1.0003-1.0005；所述第一板、第二板、第三板、第四板进行内层图形加工时控制各板宽边的涨缩率为1.0001-1.0003，各板长边的涨缩率为1.0002-1.0004。
本发明提供的混压工艺，通过采用特定的压合及加工过程，控制内层图形加工时的涨缩率，实现了高性能PCB电路板的加工，解决了当前混压PCB电路板的过程中，仍存在多次压合，芯板收缩不一致，压合后易偏位及PTFE和FR-4材料特性不一致，钻孔参数不当，孔壁粗糙度和芯吸容易达不到标准的缺陷。
作为本发明优选的技术方案，所述第一压合板为依次将第五板、第六板和第七板进行第二压合得到；
优选地，所述第一压合板制备过程中为先将第五板和第六板分别进行内层图形加工后，进行压合然后进行再次的内层图形加工，得到中间板，然后中间板和将经内层加工后的第七板进行进行压合，得到第一压合板；
优选地，所述第五板和第六板分别进行内层图形加工后，进行压合然后进行再次的内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，长边涨缩率控制为1.0004-1.0006；
优选地，所述第五板和第六板进行内层图形加工时，控制各板宽边的涨缩率为1.0005-1.0007，各板长边的涨缩率为1.0007-1.0009；
优选地，所述第七板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，长边涨缩率控制为1.0004-1.0006。
作为本发明优选的技术方案，所述第二压合板为将第八板和第九板进行第三压合得到；
优选地，所述第二压合板中第八板和第九板进行内层图形加工时，控制各板宽边的涨缩率为1.0003-1.0005，各板长边的涨缩率为1.0004-1.0006。
作为本发明优选的技术方案，所述第一钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min，
优选地，所述第一钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min；
优选地，所述第一钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm；
优选地，所述第一钻孔中所用刀具的使用次数≤100次。
作为本发明优选的技术方案，所述第一镀铜所得铜层的厚度≥25μm；
优选地，所述第一镀铜中的电流密度为1-1.2ASD；
优选地，所述第一镀铜的时间为120-150min。
作为本发明优选的技术方案，所述第二钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min，
优选地，所述第二钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min；
优选地，所述第二钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm；
优选地，所述第二钻孔中所用刀具的使用次数≤100次。
作为本发明优选的技术方案，所述第二镀铜所得铜层的厚度≥10μm；
优选地，所述第二镀铜中的电流密度为1-1.2ASD；
优选地，所述第二镀铜的时间为60-80min。
作为本发明优选的技术方案，所述图形电镀中所得铜层的厚度≥11μm；
优选地，所述图形电镀中的电流密度为1-1.2ASD；
优选地，所述图形电镀中的时间为120-140min；
优选地，所述蚀刻中的线速度为2.6-2.8m/min。
作为本发明优选的技术方案，所述第一压合板进行第二压合后依次进行第三钻孔和第三镀铜后进行第一压合；
优选地，所述第三钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min，
优选地，所述第三钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min；
优选地，所述第三钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm；
优选地，所述第三钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
优选地，所述第三镀铜所得铜层的厚度≥25μm；
优选地，所述第三镀铜中的电流密度为1-1.2ASD；
优选地，所述第三镀铜的时间为120-150min；
作为本发明优选的技术方案，所述第二压合板进行第三压合后依次进行第四钻孔和第四镀铜后进行第一压合；
优选地，所述第四钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min，
优选地，所述第四钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min；
优选地，所述第四钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm；
优选地，所述第四钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
优选地，所述第四镀铜所得铜层的厚度≥25μm；
优选地，所述第四镀铜中的电流密度为1-1.2ASD；
优选地，所述第四镀铜的时间为120-150min。
与现有技术方案相比，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明通过涨縮反馈方式加工，改善了芯板收缩不一致问题，极大的提高了层间对位精度。提高层间对位精度：根据已压合芯板涨缩来确认未压合芯板涨缩，使多次压合的芯板和其他芯板涨缩一致。加工所得PCB电路板的内层线路的线宽精度为±10μm，外层线路的线宽精度为±12μm，成品铜层的厚度为≥38μm，孔中铜层的厚度为≥25μm，翘曲度≤1.5％，尺寸公差≤±0.1mm，镍层厚度为3-5μm，金层厚度为0.05-0.1μm。
(2)本发明的加工中通过使用PTFE材料钻孔参数以及降低钻刀寿命，避免钻刀过度磨损提高孔壁质量。
具体实施方式
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，本发明的典型但非限制性的实施例如下：
本实施例提供了一种PTFE电路板混压工艺，所述PTFE电路板混压工艺包括：
将第一压合板、第一板、第二板、第三板、第四板和第二压合板进行第一压合，之后依次进行第一钻孔、第一镀铜、镀锡、背钻、蚀刻退锡、塞孔、第二钻孔、铣金属包边、第二镀铜、设置外层图形、图形电镀和蚀刻，得到混压PTFE电路板；
所述第一压合板第二压合板的基底材质相同；所述第一压合板与第一板、第二板、第三板、第四板的基底材质均不相同。
其中，所述第一压合板为依次将第五板、第六板和第七板进行第二压合得到。
其中，所述第二压合板为将第八板和第九板进行第三压合得到。
本发明中，混压工艺中所用基板的芯材包括PTFE基板，FR基板等基材。如第一板、第二板、第三板、第四板选用FR基板，剩余板材如第五板、第六板、第七板、第八板和第九板采用PTFE基板等，依据实际PCB产品的需求进行选择即可。
本发明中，基板为附铜基板，示例性如在PTFE表面设置有铜层的板材，附铜过程可选择为粘合，电镀，压合等方式实现，可以采用本领域常规制备方法进行制备得到，也可以采用市售产品。
具体地，第一压合板制备过程中为先将第五板和第六板分别进行内层图形加工后，进行压合然后进行再次的内层图形加工，得到中间板，然后中间板和将经内层加工后的第七板进行进行压合，得到第一压合板。
本发明中，加工过程中涨缩率的控制通过对基材的选择进行实现，涨缩率为尺寸实测值/尺寸设计值，指PCB板在环境作用下，如温度、湿度或外部压力等，尺寸发生变化的现象，具体尺寸如基板的长度，基板的宽度等，具体得到为提前对应样品进行检测计算得到，示例性地如压合前，板子上有2个标记点的距离是100，压合后，距离变为99.95，涨缩的变化情况就是缩小了(100－99.95)/100＝0.0005，涨缩率即为99.95/100＝0.9995。
具体地，第五板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0005-1.0007，长边涨缩率控制为1.0007-1.0009。
其中，第五板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0005-1.0007，例如可以是1.0005、1.00055、1.0006、1.00065或1.0007等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，第五板进行内层图形加工时基材的长边涨缩率控制为1.0007-1.0009例如可以是1.0007、1.00075、1.0008、1.00085或1.0009等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
具体地，第六板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0005-1.0007，长边涨缩率控制为1.0007-1.0009。
其中，第六板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0005-1.0007，例如可以是1.0005、1.00055、1.0006、1.00065或1.0007等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，第六板进行内层图形加工时基材的长边涨缩率控制为1.0007-1.0009例如可以是1.0007、1.00075、1.0008、1.00085或1.0009等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
具体地，第五板和第六板分别进行内层图形加工后，进行压合然后进行再次的内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，长边涨缩率控制为1.0004-1.0006。
其中，第五板和第六板分别进行内层图形加工后，进行压合然后进行再次的内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，例如可以是1.0003、1.00035、1.0004、1.00045或1.0005等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，第五板和第六板分别进行内层图形加工后，进行压合然后进行再次的内层图形加工时基材的长边涨缩率控制为1.0004-1.0006，例如可以是1.0004、1.00045、1.0005、1.00055或1.0006等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
具体地，第七板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，长边涨缩率控制为1.0004-1.0006。
其中，第七板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，例如可以是1.0003、1.00035、1.0004、1.00045或1.0005等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，第七板进行内层图形加工时基材的长边涨缩率控制为1.0004-1.0006，例如可以是1.0004、1.00045、1.0005、1.00055或1.0006等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
具体地，第八板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，长边涨缩率控制为1.0004-1.0006。
其中，第八板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，例如可以是1.0003、1.00035、1.0004、1.00045或1.0005等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，第八板进行内层图形加工时基材的长边涨缩率控制为1.0004-1.0006，例如可以是1.0004、1.00045、1.0005、1.00055或1.0006等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
具体地，第九板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，长边涨缩率控制为1.0004-1.0006。
其中，第九板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，例如可以是1.0003、1.00035、1.0004、1.00045或1.0005等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，第九板进行内层图形加工时基材的长边涨缩率控制为1.0004-1.0006，例如可以是1.0004、1.00045、1.0005、1.00055或1.0006等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
具体地，所述第一压合板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0001-1.0003，长边涨缩率控制为1.0002-1.0004；
其中，所述第一压合板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0001-1.0003，例如可以是1.0001、1.00015、1.0002、1.00025或1.0003等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第一压合板进行内层图形加工时基材的长边涨缩率控制为1.0002-1.0004，例如可以是1.0002、1.00025、1.0003、1.00035或1.0004等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
具体地，所述第二压合板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0002-1.0004，长边涨缩率控制为1.0003-1.0005；
其中，所述第二压合板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0002-1.0004，例如可以是1.0002、1.00025、1.0003、1.00035或1.0004等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第二压合板进行内层图形加工时基材的长边涨缩率控制为1.0003-1.0005，例如可以是1.0003、1.00035、1.0004、1.00045或1.0005等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
具体地，第一板、第二板、第三板、第四板进行内层图形加工时控制各板宽边的涨缩率为1.0001-1.0003，各板长边的涨缩率为1.0002-1.0004；
其中，第一板、第二板、第三板、第四板进行内层图形加工时控制各板宽边的涨缩率为1.0001-1.0003，例如可以是1.0001、1.00015、1.0002、1.00025或1.0003等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，第一板、第二板、第三板、第四板进行内层图形加工时控制各板长边的涨缩率为1.0002-1.0004，例如可以是1.0002、1.00025、1.0003、1.00035或1.0004等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第一钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min，例如可以是56000r/min、56500r/min、57000r/min、57500r/min或58000r/min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第一钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min，例如可以是1.5m/min、1.6m/min、1.7m/min、1.8m/min、1.9m/min或2m/min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第一钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm，例如可以是0.65mm、0.66mm或0.67mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第一钻孔中所用刀具的使用次数≤100次。
本发明中，钻孔中所用刀具的使用次数限定为采用符合要求的刀具，本发明中刀具使用100次后即不进行使用，即不选用使用次数到100次以上的刀具。
其中，所述第一镀铜所得铜层的厚度≥25μm，例如可以是25μm、26μm、27μm、28μm、29μm或30μm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第一镀铜中的电流密度为1-1.2ASD，例如可以是1ASD、1.1ASD或1.2ASD等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第一镀铜的时间为120-150min，例如可以是120min、130min、140min或150min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第二钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min，例如可以是56000r/min、56500r/min、57000r/min、57500r/min或58000r/min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第二钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min，例如可以是1.5m/min、1.6m/min、1.7m/min、1.8m/min、1.9m/min或2m/min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第二钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm，例如可以是0.65mm、0.66mm或0.67mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第二钻孔中所用刀具的使用次数≤100次。
其中，所述第二镀铜所得铜层的厚度≥10μm，例如可以是10μm、11μm、12μm、14μm、16μm、20μm或30μm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第二镀铜中的电流密度为1-1.2ASD，例如可以是1ASD、1.1ASD或1.2ASD等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第二镀铜的时间为60-80min，例如可以是60min、65min、70min、75min或80min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述图形电镀中所得铜层的厚度≥11μm，例如可以是11μm、12μm、14μm、16μm、20μm或30μm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述图形电镀中的电流密度为1-1.2ASD，例如可以是1ASD、1.1ASD或1.2ASD等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述图形电镀中的时间为120-140min，例如可以是120min、125min、130min、135min或140min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述蚀刻中的线速度为2.6-2.8m/min，例如可以是2.6m/min、2.65m/min、2.7m/min、2.75m/min或2.8m/min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第一压合板进行第二压合后依次进行第三钻孔、第三镀铜和内层图形加工后进行第一压合。
进一步地，在第一压合板进行第一压合作业前，还可以进行其他配置作业，如塞孔、棕化和棕化后烤板等本领域为了得到符合设计要求的PCB板材的处理过程。
其中，所述第三钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min，例如可以是56000r/min、56500r/min、57000r/min、57500r/min或58000r/min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第三钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min，例如可以是1.5m/min、1.6m/min、1.7m/min、1.8m/min、1.9m/min或2m/min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第三钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm，例如可以是0.65mm、0.66mm或0.67mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第三钻孔中所用刀具的使用次数≤100次。
其中，所述第三镀铜所得铜层的厚度≥25μm，例如可以是25μm、26μm、27μm、28μm、29μm或30μm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第三镀铜中的电流密度为1-1.2ASD，例如可以是1ASD、1.1ASD或1.2ASD等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第三镀铜的时间为120-150min，例如可以是120min、130min、140min或150min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第二压合板进行第三压合后依次进行第四钻孔、第四镀铜和内层图形加工后进行第一压合；
其中，所述第四钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min，例如可以是56000r/min、56500r/min、57000r/min、57500r/min或58000r/min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第四钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min，例如可以是1.5m/min、1.6m/min、1.7m/min、1.8m/min、1.9m/min或2m/min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第四钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm，例如可以是0.65mm、0.66mm或0.67mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第四钻孔中所用刀具的使用次数≤100次。
其中，所述第四镀铜所得铜层的厚度≥25μm，例如可以是25μm、26μm、27μm、28μm、29μm或30μm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第四镀铜中的电流密度为1-1.2ASD，例如可以是1ASD、1.1ASD或1.2ASD等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
其中，所述第四镀铜的时间为120-150min，例如可以是120min、130min、140min或150min等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值也符合要求。
本发明中，在对各层进行限定处理后，还可以依据具体所得PCB的用途进行其他合理的表面处理，如进行在进行内图形加工后进行内层AOI、钻孔、冲铆钉孔、棕化、棕化后烤板等处理工艺，具体采用本领域中常规方案进行即可。
进一步地，各层中在进行内层图形加工前进行内层开料处理，具体如可选择进行圆角加工，磨边处理和烘烤。
其中，圆角加工为依据设计需求对附铜层基材进行加工圆角，如采用打磨，切割等方式实现。
其中，磨边处理为依据设计需求对附铜层基材的边缘进行加工，如采用打磨等方式进行实现。
其中，烘烤的温度为180-200℃，时间为2-2.5h。
进一步地，为了阐明本发明提供PTFE电路板混压工艺所得PCB产品的优异性能，采用实施方案进行说明，具体如下：
下述实施例中，混压工艺中所用基板的芯材包括PTFE基板换热FR基板，其中，第一板、第二板、第三板、第四板均选用FR基板，第五板、第六板、第七板、第八板和第九板均采用PTFE基板。
实施例1
本实施例提供一种PTFE电路板混压工艺，具体如下：
依据设计需求提供附铜基材，并进行对应加工过程；
其中，第五板和第六板处理如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，烘烤时间为2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对基板上的铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0006，长边1.0008，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤的温度为120℃，时间为1h；
S5、压合：将第五板和第六板叠合后进行压合，得到压合后板材；
其中，压合后板材处理：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、内层图形：按照工单要求制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0004，长边1.0005，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S4、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S5、棕化后烤板：烘烤的温度为120℃，时间为1h，得到中间板；
其中，第七板处理如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间为2h；
S2、内层图形：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0004，长边1.0005，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，将中间板和第七板进行压合，得到第一压合板，对第一压合板的处理过程如下：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、树脂塞孔：制程制作，为采用刮刀的方式进行塞孔，共进行2次，第一次刮刀速度是10mm/s，第二次刮刀速度是20mm/s，塞孔完成后进行固化烘烤，分为四段，第一段固化温度为80℃，固化时间为30min；第二段固化温度为110℃，固化时间为30min；第三段固化温度为150℃，固化时间为60min；第四段固化温度为160℃，固化时间为60min，之后进行树脂研磨，要求板面平整；
S4、内层图形：按照工单要求在铜层上制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0002，长边1.0003，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S5、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S6、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，对第八板和第九板的处理过程如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间为2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0004，长边1.0005，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，将处理后的第八板和第九板进行压合，得到第二压合板；对第二压合板的处理过程如下：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、内层图形加工：按照工单要求对OPE1-L3制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0002，长边1.0003，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S4、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S5、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，对第一板、第二板、第三板、第四板的处理过程如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料S1000-2M，厚度0.1mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量4PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0002，长边1.0003，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
其中，将第一压合板、第一板、第二板、第三板、第四板、第二压合板依据设计叠合装配后进行压合，之后进行加工，加工过程如下：
依次进行第一钻孔、第一镀铜、镀锡、背钻、蚀刻退锡、塞孔、第二钻孔、铣金属包边、第二镀铜、设置外层图形、图形电镀和蚀刻，得到混压PTFE电路板；
所述第一钻孔中的主轴转速为56400r/min；所述第一钻孔中的进刀速度为1.7m/min；所述第一钻孔中的深度补偿为0.66mm；所述第一钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
所述第一镀铜所得铜层的厚度为25μm；所述第一镀铜中的电流密度为1.1ASD；所述第一镀铜的时间为130min；
所述第二钻孔中的主轴转速为57400r/min；所述第二钻孔中的进刀速度为1.8m/min；所述第二钻孔中的深度补偿为0.66mm；所述第二钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
所述第二镀铜所得铜层的厚度为16μm；所述第二镀铜中的电流密度为1.1ASD；所述第二镀铜的时间为70min；
所述图形电镀中所得铜层的厚度为21μm；所述图形电镀中的电流密度为1.1ASD；所述图形电镀中的时间为125min；
所述蚀刻中的线速度为2.7m/min。
加工所得PCB电路板的性能指标详见表1。
实施例2
本实施例提供一种PTFE电路板混压工艺，具体如下：
依据设计需求提供附铜基材，并进行对应加工过程；
其中，第五板和第六板处理如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，烘烤时间为2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对基板上的铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0005，长边1.0007，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤的温度为120℃，时间为1h；
S5、压合：将第五板和第六板叠合后进行压合，得到压合后板材；
其中，压合后板材处理：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、内层图形：按照工单要求制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0003，长边1.0006，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S4、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S5、棕化后烤板：烘烤的温度为120℃，时间为1h，得到中间板；
其中，第七板处理如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间为2h；
S2、内层图形：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0003，长边1.0004，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，将中间板和第七板进行压合，得到第一压合板，对第一压合板的处理过程如下：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、树脂塞孔：制程制作，为采用刮刀的方式进行塞孔，共进行2次，第一次刮刀速度是10mm/s，第二次刮刀速度是20mm/s，塞孔完成后进行固化烘烤，分为四段，第一段固化温度为80℃，固化时间为30min；第二段固化温度为110℃，固化时间为30min；第三段固化温度为150℃，固化时间为60min；第四段固化温度为160℃，固化时间为60min，之后进行树脂研磨，要求板面平整；
S4、内层图形：按照工单要求在铜层上制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0001，长边1.0002，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S5、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S6、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，对第八板和第九板的处理过程如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间为2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0003，长边1.0004，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，将处理后的第八板和第九板进行压合，得到第二压合板；对第二压合板的处理过程如下：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、内层图形加工：按照工单要求对OPE1-L3制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0003，长边1.0004，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S4、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S5、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，对第一板、第二板、第三板、第四板的处理过程如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料S1000-2M，厚度0.1mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量4PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0001，长边1.0002，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
其中，将第一压合板、第一板、第二板、第三板、第四板、第二压合板依据设计叠合装配后进行压合，之后进行加工，加工过程如下：
依次进行第一钻孔、第一镀铜、镀锡、背钻、蚀刻退锡、塞孔、第二钻孔、铣金属包边、第二镀铜、设置外层图形、图形电镀和蚀刻，得到混压PTFE电路板；
所述第一钻孔中的主轴转速为57200r/min；所述第一钻孔中的进刀速度为1.8m/min；所述第一钻孔中的深度补偿为0.66mm；所述第一钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
所述第一镀铜所得铜层的厚度为28μm；所述第一镀铜中的电流密度为1.15ASD；所述第一镀铜的时间为140min；
所述第二钻孔中的主轴转速为56500r/min；所述第二钻孔中的进刀速度为1.6m/min；所述第二钻孔中的深度补偿为0.66mm；所述第二钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
所述第二镀铜所得铜层的厚度为12μm；所述第二镀铜中的电流密度为1.05ASD；所述第二镀铜的时间为75min；
所述图形电镀中所得铜层的厚度为22μm；所述图形电镀中的电流密度为1.05ASD；所述图形电镀中的时间为130min；
所述蚀刻中的线速度为2.65m/min。
实施例3
本实施例提供一种PTFE电路板混压工艺，具体如下：
依据设计需求提供附铜基材，并进行对应加工过程；
其中，第五板和第六板处理如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，烘烤时间为2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对基板上的铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0007，长边1.0009，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤的温度为120℃，时间为1h；
S5、压合：将第五板和第六板叠合后进行压合，得到压合后板材；
其中，压合后板材处理：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、内层图形：按照工单要求制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0005，长边1.0006，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S4、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S5、棕化后烤板：烘烤的温度为120℃，时间为1h，得到中间板；
其中，第七板处理如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间为2h；
S2、内层图形：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0005，长边1.0006，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，将中间板和第七板进行压合，得到第一压合板，对第一压合板的处理过程如下：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、树脂塞孔：制程制作，为采用刮刀的方式进行塞孔，共进行2次，第一次刮刀速度是10mm/s，第二次刮刀速度是20mm/s，塞孔完成后进行固化烘烤，分为四段，第一段固化温度为80℃，固化时间为30min；第二段固化温度为110℃，固化时间为30min；第三段固化温度为150℃，固化时间为60min；第四段固化温度为160℃，固化时间为60min，之后进行树脂研磨，要求板面平整；
S4、内层图形：按照工单要求在铜层上制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0003，长边1.0004，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S5、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S6、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，对第八板和第九板的处理过程如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间为2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0005，长边1.0006，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，将处理后的第八板和第九板进行压合，得到第二压合板；对第二压合板的处理过程如下：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、内层图形加工：按照工单要求对OPE1-L3制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0004，长边1.0005，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S4、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S5、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，对第一板、第二板、第三板、第四板的处理过程如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料S1000-2M，厚度0.1mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量4PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0003，长边1.0004，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
其中，将第一压合板、第一板、第二板、第三板、第四板、第二压合板依据设计叠合装配后进行压合，之后进行加工，加工过程如下：
依次进行第一钻孔、第一镀铜、镀锡、背钻、蚀刻退锡、塞孔、第二钻孔、铣金属包边、第二镀铜、设置外层图形、图形电镀和蚀刻，得到混压PTFE电路板；
所述第一钻孔中的主轴转速为58000r/min；所述第一钻孔中的进刀速度为1.5m/min；所述第一钻孔中的深度补偿为0.65mm；所述第一钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
所述第一镀铜所得铜层的厚度为25μm；所述第一镀铜中的电流密度为1ASD；所述第一镀铜的时间为150min；
所述第二钻孔中的主轴转速为56000r/min；所述第二钻孔中的进刀速度为1.5m/min；所述第二钻孔中的深度补偿为0.65mm；所述第二钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
所述第二镀铜所得铜层的厚度为10μm；所述第二镀铜中的电流密度为1ASD；所述第二镀铜的时间为60min；
所述图形电镀中所得铜层的厚度为24μm；所述图形电镀中的电流密度为1.2ASD；所述图形电镀中的时间为140min；
所述蚀刻中的线速度为2.6m/min。
实施例4
本实施例提供一种PTFE电路板混压工艺，具体如下：
依据设计需求提供附铜基材，并进行对应加工过程；
其中，第五板和第六板处理如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，烘烤时间为2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对基板上的铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0005，长边1.0008，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤的温度为120℃，时间为1h；
S5、压合：将第五板和第六板叠合后进行压合，得到压合后板材；
其中，压合后板材处理：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、内层图形：按照工单要求制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0003，长边1.0006，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S4、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S5、棕化后烤板：烘烤的温度为120℃，时间为1h，得到中间板；
其中，第七板处理如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间为2h；
S2、内层图形：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0003，长边1.0005，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，将中间板和第七板进行压合，得到第一压合板，对第一压合板的处理过程如下：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、树脂塞孔：制程制作，为采用刮刀的方式进行塞孔，共进行2次，第一次刮刀速度是10mm/s，第二次刮刀速度是20mm/s，塞孔完成后进行固化烘烤，分为四段，第一段固化温度为80℃，固化时间为30min；第二段固化温度为110℃，固化时间为30min；第三段固化温度为150℃，固化时间为60min；第四段固化温度为160℃，固化时间为60min，之后进行树脂研磨，要求板面平整；
S4、内层图形：按照工单要求在铜层上制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0002，长边1.0004，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S5、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S6、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，对第八板和第九板的处理过程如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料RA300B，厚度0.254mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量2PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间为2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0003，长边1.0006，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S4、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，将处理后的第八板和第九板进行压合，得到第二压合板；对第二压合板的处理过程如下：
S1、钻孔：刀径为0.25mm时，转速为60000r/min，进刀速为1.6m/min，退刀速为10m/min，深度补偿为0.66mm，寿命为100次；
S2、电镀：孔铜要求≥25μm，面铜加厚29μm，电流密度设置为1.1ASD，电镀时间设置为140min；
S3、内层图形加工：按照工单要求对OPE1-L3制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0002，长边1.0005，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S4、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
S5、棕化后烤板：烘烤温度为120℃，时间为1h；
其中，对第一板、第二板、第三板、第四板的处理过程如下：
S1、内层开料：准备基板型号、数量如下所示：材料S1000-2M，厚度0.1mm，两面铜厚18/18μm，尺寸18×12inch，数量4PNL。然后进行圆角、磨边，再进行烘烤，烘烤温度为180℃，时间2h；
S2、内层图形加工：按照工单要求对铜层制作图形，使用的曝光资料预放涨缩为短边1.0001，长边1.0004，之后进行显影、蚀刻、退膜，蚀刻线速为6.3m/min；
S3、棕化：冲铆钉孔后过棕化线，线速为2.5m/min；
其中，将第一压合板、第一板、第二板、第三板、第四板、第二压合板依据设计叠合装配后进行压合，之后进行加工，加工过程如下：
依次进行第一钻孔、第一镀铜、镀锡、背钻、蚀刻退锡、塞孔、第二钻孔、铣金属包边、第二镀铜、设置外层图形、图形电镀和蚀刻，得到混压PTFE电路板；
所述第一钻孔中的主轴转速为56000r/min；所述第一钻孔中的进刀速度为2m/min；所述第一钻孔中的深度补偿为0.67mm；所述第一钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
所述第一镀铜所得铜层的厚度为30μm；所述第一镀铜中的电流密度为1.2ASD；所述第一镀铜的时间为120min；
所述第二钻孔中的主轴转速为58000r/min；所述第二钻孔中的进刀速度为2m/min；所述第二钻孔中的深度补偿为0.67mm；所述第二钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
所述第二镀铜所得铜层的厚度为14μm；所述第二镀铜中的电流密度为1.2ASD；所述第二镀铜的时间为80min；
所述图形电镀中所得铜层的厚度为20μm；所述图形电镀中的电流密度为1ASD；所述图形电镀中的时间为120min；
所述蚀刻中的线速度为2.8m/min。
对比例1
与实施例1的区别仅在于第一压合板进行内层加工图形时不进行涨缩率控制。加工所得PCB电路板的性能指标详见表1。
对比例2
与实施例1的区别仅在于第二压合板进行内层加工图形时不进行涨缩率控制。加工所得PCB电路板的性能指标详见表1。
对比例3
与实施例1的区别仅在于第一板进行内层加工图形时不进行涨缩率控制。加工所得PCB电路板的性能指标详见表1。
对比例4
与实施例1的区别仅在于第三板进行内层加工图形时不进行涨缩率控制。加工所得PCB电路板的性能指标详见表1。
表1
通过上述示例的说明，可知本发明提供的混压工艺，通过采用特定的压合及加工过程，控制内层图形加工时的涨缩率，实现了高性能PCB电路板的加工，解决了当前混压PCB电路板的过程中，仍存在多次压合，芯板收缩不一致，压合后易偏位及PTFE和FR-4材料特性不一致，钻孔参数不当，孔壁粗糙度和芯吸容易达不到标准的缺陷。
声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (10)
1.一种PTFE电路板混压工艺，其特征在于，所述PTFE电路板混压工艺包括：
将第一压合板、第一板、第二板、第三板、第四板和第二压合板进行第一压合，之后依次进行第一钻孔、第一镀铜、镀锡、背钻、蚀刻退锡、塞孔、第二钻孔、铣金属包边、第二镀铜、设置外层图形、图形电镀和蚀刻，得到混压PTFE电路板；
所述第一压合板第二压合板的基底材质相同；所述第一压合板与第一板、第二板、第三板、第四板的基底材质均不相同；
所述第一压合板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0001-1.0003，长边涨缩率控制为1.0002-1.0004；所述第二压合板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0002-1.0004，长边涨缩率控制为1.0003-1.0005；第一板、第二板、第三板、第四板进行内层图形加工时控制各板宽边的涨缩率为1.0001-1.0003，各板长边的涨缩率为1.0002-1.0004。
2.如权利要求1所述PTFE电路板混压工艺，其特征在于，所述第一压合板为依次将第五板、第六板和第七板进行第二压合得到；
优选地，所述第一压合板制备过程中为先将第五板和第六板分别进行内层图形加工后，进行压合然后进行再次的内层图形加工，得到中间板，然后中间板和将经内层加工后的第七板进行进行压合，得到第一压合板；
优选地，所述第五板和第六板分别进行内层图形加工后，进行压合然后进行再次的内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，长边涨缩率控制为1.0004-1.0006；
优选地，所述第五板和第六板进行内层图形加工时，控制各板宽边的涨缩率为1.0005-1.0007，各板长边的涨缩率为1.0007-1.0009；
优选地，所述第七板进行内层图形加工时基材的宽边涨缩率控制为1.0003-1.0005，长边涨缩率控制为1.0004-1.0006。
3.如权利要求1或2所述PTFE电路板混压工艺，其特征在于，所述第二压合板为将第八板和第九板进行第三压合得到；
优选地，所述第二压合板中第八板和第九板进行内层图形加工时，控制各板宽边的涨缩率为1.0003-1.0005，各板长边的涨缩率为1.0004-1.0006。
4.如权利要求1-3任一项所述PTFE电路板混压工艺，其特征在于，所述第一钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min；
优选地，所述第一钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min；
优选地，所述第一钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm；
优选地，所述第一钻孔中所用刀具的使用次数≤100次。
5.如权利要求1-4任一项所述PTFE电路板混压工艺，其特征在于，所述第一镀铜所得铜层的厚度≥25μm；
优选地，所述第一镀铜中的电流密度为1-1.2ASD；
优选地，所述第一镀铜的时间为120-150min。
6.如权利要求1-5任一项所述PTFE电路板混压工艺，其特征在于，所述第二钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min；
优选地，所述第二钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min；
优选地，所述第二钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm；
优选地，所述第二钻孔中所用刀具的使用次数≤100次。
7.如权利要求1-6任一项所述PTFE电路板混压工艺，其特征在于，所述第二镀铜所得铜层的厚度≥10μm；
优选地，所述第二镀铜中的电流密度为1-1.2ASD；
优选地，所述第二镀铜的时间为60-80min。
8.如权利要求1-7任一项所述PTFE电路板混压工艺，其特征在于，所述图形电镀中所得铜层的厚度≥11μm；
优选地，所述图形电镀中的电流密度为1-1.2ASD；
优选地，所述图形电镀中的时间为120-140min；
优选地，所述蚀刻中的线速度为2.6-2.8m/min。
9.如权利要求1-8任一项所述PTFE电路板混压工艺，其特征在于，所述第一压合板进行第二压合后依次进行第三钻孔和第三镀铜后进行第一压合；
优选地，所述第三钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min，
优选地，所述第三钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min；
优选地，所述第三钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm；
优选地，所述第三钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
优选地，所述第三镀铜所得铜层的厚度≥25μm；
优选地，所述第三镀铜中的电流密度为1-1.2ASD；
优选地，所述第三镀铜的时间为120-150min。
10.如权利要求2-9任一项所述PTFE电路板混压工艺，其特征在于，所述第二压合板进行第三压合后依次进行第四钻孔和第四镀铜后进行第一压合；
优选地，所述第四钻孔中的主轴转速为56000-58000r/min，
优选地，所述第四钻孔中的进刀速度为1.5-2m/min；
优选地，所述第四钻孔中的深度补偿为0.65-0.67mm；
优选地，所述第四钻孔中所用刀具的使用次数≤100次；
优选地，所述第四镀铜所得铜层的厚度≥25μm；
优选地，所述第四镀铜中的电流密度为1-1.2ASD；
优选地，所述第四镀铜的时间为120-150min。
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| CN202311627192.4A CN117395899A (zh) | 2023-11-30 | 2023-11-30 | 一种ptfe电路板混压工艺 |
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