CN117374169A - 背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池 - Google Patents

背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池 Download PDF

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Abstract

本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池，方法包括：提供基底，基底第一表面包括沿预设方向交替排布的第一区域和第二区域；在第一区域形成第一掺杂层，在第二区域形成与第一掺杂层导电类型不同的初始第二掺杂层，在第一掺杂层表面形成掩膜层，初始第二掺杂层包括：沿预设方向排布的第一部与第二部，第一部与第一掺杂层邻接；对第二部进行激光改性处理，以形成第二掺杂层；对第一部和第二掺杂层进行刻蚀工艺，去除第一部，刻蚀工艺对第二掺杂层的刻蚀速率小于对第一部的刻蚀速率；去除掩膜层。本申请实施例有利于在简化背接触太阳能电池的制备工艺的同时，保持其较好的光电转换性能。

Description

背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池
技术领域
本申请实施例涉及太阳能电池领域，特别涉及一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池。
背景技术
太阳能电池具有较好的光电转换能力，其中，背接触电池是一种正面无电极遮挡，将P型区域与N型区域交替设置在电池背面的一种新型结构电池。
为了防止电池背面的P型区域与N型区域之间产生电干扰，需要将P型区域与N型区域隔开。在实际制备过程中，通常需要采用图形化工艺，刻蚀形成P型区域与N型区域之间的隔离区。
然而，目前所采用的图形化工艺步骤繁琐，且容易对P型区域或者N型区域造成损伤，进而造成制备得到的太阳能电池的光电转换性能不佳的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池，至少有利于在简化背接触太阳能电池的制备工艺的同时，保持背接触太阳能电池较好的光电转换性能。
本申请实施例提供一种背接触太阳能电池的制备方法，包括：提供基底，基底具有第一表面，第一表面包括沿预设方向交替排布的第一区域以及第二区域；在第一区域形成第一掺杂层，在第二区域形成初始第二掺杂层，以及在第一掺杂层表面形成掩膜层，第一掺杂层与初始第二掺杂层的导电类型不同，初始第二掺杂层包括：沿预设方向排布的第一部与第二部，第一部位于第二部的相对两侧，第一部与第一掺杂层邻接；对第二部进行激光改性处理，将第二部转化为第二掺杂层；对第一部以及第二掺杂层进行刻蚀工艺，去除第一部，刻蚀工艺对第二掺杂层的刻蚀速率小于对第一部的刻蚀速率；去除掩膜层。
另外，刻蚀工艺中，去除第一部以及与第一部正对的部分厚度的基底。
另外，在沿预设方向上，第一部的宽度与第二部的宽度之比为0.09~2。
另外，对第二部进行激光改性处理，形成第二掺杂层包括：自第二部表面对第二部进行激光改性处理，以将至少部分厚度的初始第二掺杂层转化为改性层，改性层与剩余初始第二掺杂层构成第二掺杂层，其中，刻蚀工艺对改性层的刻蚀速率小于对第一部的刻蚀速率。
另外，激光改性处理将部分厚度的初始第二掺杂层转化为改性层，在刻蚀工艺中，去除第一部以及改性层。
另外，初始第二掺杂层的材料包括多晶硅。
另外，改性层的材料包括非晶硅。
另外，激光改性处理所采用的激光的激光功率为5W~40W。
另外，改性层包括：沿背离基底方向依次堆叠的非晶硅层以及氧化硅层，刻蚀工艺对氧化硅层的刻蚀速率小于对第一部的刻蚀速率，刻蚀工艺对非晶硅层的刻蚀速率小于对第一部的刻蚀速率，在刻蚀工艺中，去除氧化硅层。
另外，刻蚀工艺为碱刻蚀工艺。
另外，碱刻蚀工艺包括：采用质量浓度为0.5%~5%的NaOH溶液作为刻蚀液体，刻蚀液体的温度为60℃~80℃，工艺时长为240s~500s。
另外，在形成第一掺杂层之后，形成初始第二掺杂层，其中，第一掺杂层掺杂有第一掺杂元素，形成初始第二掺杂层的方法包括：在第二区域形成多晶硅层；对多晶硅层进行扩散工艺，以向多晶硅层中注入与第一掺杂元素的导电类型不同的第二掺杂元素，将多晶硅层转化为初始第二掺杂层。
另外，初始第二掺杂层还形成于第一掺杂层表面，位于第一掺杂层表面的初始第二掺杂层构成掩膜层，在刻蚀工艺中，还去除位于第一掺杂层表面的初始第二掺杂层。
另外，还包括：形成第一钝化层，第一钝化层覆盖第一掺杂层表面以及第二掺杂层表面，且第一钝化层还填充于第一掺杂层与第二掺杂层之间的间隙。
相应地，本申请实施例还提供一种背接触太阳能电池，采用上述任一项的背接触太阳能电池的制备方法制备而成，包括：基底，基底具有第一表面；位于第一表面的沿预设方向交替排布的第一掺杂层以及第二掺杂层，第一掺杂层与第二掺杂层的导电类型不同，且相邻的第一掺杂层与第二掺杂层彼此间隔开。
另外，第二掺杂层至少包括非晶硅层。
本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
本申请实施例提供的背接触太阳能电池的制备方法的技术方案中，对初始第二掺杂层的第二部进行激光改性处理，以形成第二掺杂层，并使得未经激光改性处理的第一部介于第二掺杂层与第一掺杂层之间。刻蚀工艺对第二掺杂层的刻蚀速率小于对未经激光改性处理的第一部的刻蚀速率。利用刻蚀选择比，在去除介于第二掺杂层与第一掺杂层之间的第一部的同时，保留经激光改性处理的第二掺杂层。第一掺杂层表面由于具有掩膜层，不会在刻蚀工艺中被去除，进而能够在去除第一部之后，将第一掺杂层与第二掺杂层隔开。上述步骤中，仅依靠一步激光改性处理步骤，使得第二掺杂层为改性的膜层，能够在刻蚀工艺中，以自身为掩膜，防止在刻蚀工艺中被去除。也就是说，无需经过多步掩膜或者印刷的步骤来实现图形化，大大简化工艺流程。
由于无需经过多步掩膜或者印刷的步骤，能够减小对第二掺杂层表面的损伤，防止由于复杂的图形化工艺对第二掺杂层造成工艺损伤而使背接触太阳能电池自身的光电转换性能受损的问题。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中提供初始基底对应的剖面结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成初始第一掺杂层的步骤对应的剖面结构示意图；
图3为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第一掺杂层的步骤对应的剖面结构示意图；
图4为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成初始第二掺杂层的步骤对应的剖面结构示意图；
图5为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成初始第二掺杂层的步骤对应的俯视结构示意图；
图6为本申请一实施例提供的另一种背接触太阳能电池的制备方法中形成初始第二掺杂的步骤对应的剖面结构示意图；
图7为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第二掺杂层的步骤对应的剖面结构示意图；
图8为本申请一实施例提供的另一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第二掺杂层的步骤对应的剖面结构示意图；
图9为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第二玻璃层的步骤对应的剖面结构示意图；
图10为图7中虚线框处的一种放大结构示意图；
图11为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中去除第一部的步骤对应的剖面结构示意图；
图12为本申请一实施例提供的另一种背接触太阳能电池的制备方法中去除第一部的步骤对应的剖面结构示意图；
图13为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第一钝化层的步骤对应的剖面结构示意图；
图14为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第二钝化层的步骤对应的剖面结构示意图；
图15为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成前表面场的步骤对应的剖面结构示意图；
图16为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第一电极和第二电极的步骤对应的剖面结构示意图；
图17为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的剖面结构示意图。
具体实施方式
如本文中所使用，描述为彼此“相邻”的特征(例如，区、结构、装置)意指并包含彼此最接近(例如，最靠近)定位的具有一或多个所公开标识的特征。不匹配“相邻”特征的一或多个所公开标识的额外特征(例如，额外区、额外结构、额外装置)可安置于“相邻”特征之间。换句话说，“相邻”特征可定位成直接彼此邻近，使得无其它特征介入于“相邻”特征之间；或“相邻”特征可定位成彼此间接邻近，使得具有除与至少一个“相邻”特征相关联的标识以外的标识的至少一个特征定位在“相邻”特征之间。因此，描述为彼此“竖直相邻”的特征意指并包含位于彼此竖直最接近(例如，竖直最靠近)处的一或多个标识所公开的特征。此外，描述为彼此“水平相邻”的特征意指并包含位于彼此最水平接近(例如，最水平靠近)处的一或多个所公开标识的特征。
以下描述中，在第一部件上方或者上形成或设置有第二部件，或者，在第一部件表面上形成或设置有第二部件，或者，在第一部件一侧形成或设置有第二部件，可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。为了简单和清楚起见，可以以不同比例任意绘制各种部件。在附图中，为了简化，可以省略一些层/部件。如无特别说明，在第一部件表面形成或设置有第二部件，指的是第一部件与第二部件直接相接触。
其中，上述的“部件”可以指，层、膜、区域、部分、结构等。
而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等间隔相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，间隔相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。器件可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的间隔相对描述符可以同样地作出相应的解释。另外，术语“由…制成”可以表示“包含”或“由…组成”。此外，在随后的制造工艺中，在所描述的操作期间/之间可能存在一个或多个附加操作，并且操作顺序可以改变。在以下实施例中，术语“上部”，“在…上方”和/或“上方”是沿着与前表面和后表面的距离增加的方向定义的。如在实施例中说明的材料、配置、尺寸、工艺和/或操作可以在其它实施例中采用，并且可以省略其详细描述。
如本文中所使用，例如“下面”、“下方”、“下部”、“底部”、“上方”、“上部”、“顶部”、“前”、“后”、“左”、“右”等空间相对术语可为了易于描述而用于描述如图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除非另外规定，否则除图示中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖材料的不同定向。举例来说，如果图示中的材料倒置，那么被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”或“下”或“底部”的元件将定向于其它元件或特征的“上方”或“顶部”。因此，术语“下方”可取决于使用术语的上下文涵盖上方及下方两种定向，这对于所属领域的一般技术人员将是显而易见的。材料可以其它方式定向(例如，旋转90度、倒置、翻转)，且本文中所使用的空间相对描述词可相应地进行解释。
由背景技术可知，目前制备背接触太阳能电池所采用的图形化工艺步骤繁琐，且容易造成制备得到的太阳能电池的光电转换性能不佳的问题。
分析发现，导致上述问题的原因之一在于，目前，背接触太阳能电池基底表面具有交替排布的第一掺杂层与第二掺杂层，第一掺杂层与第二掺杂层的导电类型不同，第一掺杂层与第二掺杂层为相互隔离的结构。为了隔开第一掺杂层与第二掺杂层，需要对第一掺杂层与第二掺杂层进行图形化工艺，以隔开第一掺杂层与第二掺杂层。目前进行图形化的方法主要包括3种：1、光刻技术，通过多次掩膜和光刻分别形成第一掺杂层与第二掺杂层的图形化；2、离子注入技术，通过掩膜和激光开槽，再离子注入一定区域形成第一掺杂层与第二掺杂层的图形化设计；3、掺杂浆料印刷，通过掩膜激光开槽形成扩散区域，再印刷硼/磷浆料形成第一掺杂层与第二掺杂层图形化。其中光刻技术价格昂贵，离子注入技术掺杂不稳定，掺杂浆料印刷清洗步骤较多。且由于需经过多步掩膜或者印刷的步骤来实现图形化，会对第一掺杂层或者第二掺杂层造成一定的工艺损伤，不利于保持第一掺杂层以及第二掺杂层的正常性能，进而有损背接触太阳能电池的光电转换性能。
本申请实施例提供一种背接触太阳能电池的制备方法，对初始第二掺杂层的第二部进行激光改性处理，以形成第二掺杂层。刻蚀工艺对第二掺杂层的刻蚀速率小于对未经激光改性处理的第一部的刻蚀速率。利用刻蚀选择比，在去除介于第二掺杂层与第一掺杂层之间的第一部的同时，保留经激光改性处理的第二掺杂层。上述步骤中，无需经过多步掩膜或者印刷的步骤来实现图形化，大大简化工艺流程。同时能够防止由于复杂的图形化工艺对第二掺杂层造成工艺损伤而使背接触太阳能电池自身的光电转换性能受损的问题。
下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中提供初始基底对应的剖面结构示意图；图2为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成初始第一掺杂层的步骤对应的剖面结构示意图；图3为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第一掺杂层的步骤对应的剖面结构示意图；图4为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成初始第二掺杂层的步骤对应的剖面结构示意图；图5为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成初始第二掺杂层的步骤对应的俯视结构示意图。其中，图4为图5中AA’方向的剖面图。
参考图2至图5，提供基底100，基底100具有第一表面1，第一表面1包括沿预设方向X交替排布的第一区域10以及第二区域11；在第一区域10形成第一掺杂层101，在第二区域11形成初始第二掺杂层22，以及在第一掺杂层101表面形成掩膜层，第一掺杂层101与初始第二掺杂层22的导电类型不同，初始第二掺杂层22包括：沿预设方向X排布的第一部13与第二部14，第一部13位于第二部14的相对两侧，第一部13与第一掺杂层101邻接。
在一些实施例中，第一表面1具有相对的两个边缘，预设方向X可以是一个边缘指向另一个边缘的方向。
在一些实施例中，第一区域10与第二区域11可以均为多个。
基底100用于接收入射光线并产生光生载流子，在一些实施例中，基底100可以为半导体基底。
在一些实施例中，基底100的材料可以为元素半导体材料。具体地，元素半导体材料由单一元素组成，例如可以是硅或者锗。其中，元素半导体材料可以为单晶态、多晶态、非晶态或者微晶态（同时具有单晶态和非晶态的状态，称为微晶态），例如，硅可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一种。
在一些实施例中，基底100的材料也可以是化合物半导体材料。常见的化合物半导体材料包括但不限于锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟、钙钛矿、碲化镉、铜铟硒等材料。
基底100可以为N型半导体基底或者P型半导体基底。N型半导体基底内掺杂有N型掺杂元素，N型掺杂元素可以为磷（P）元素、铋（Bi）元素、锑（Sb）元素或砷（As）元素等五族元素中的任意一者。P型半导体基底内掺杂有P型元素，P型掺杂元素可以为硼（B）元素、铝（Al）元素、镓（Ga）元素或铟（In）元素等三族元素中的任意一者。
基底100具有第一表面1以及与第一表面1相对的第二表面2。在一些实施例中，背接触太阳能电池为单面电池，基底100的第二表面2可以作为受光面，用于接收入射光线，第一表面1作为背光面。
在一些实施例中，背接触太阳能电池为双面电池，则基底100的第二表面2和第一表面1均可以作为受光面，均可用于接收入射光线。可以理解的是，本申请实施例中所指的背光面也能够接收入射光线，只是对入射光线的接收程度弱于受光面对入射光线的接收程度，因而被定义为背光面。
在一些实施例中，可以在基底100的第二表面2或者第一表面1的至少一者表面进行制绒工艺，以在基底100第二表面2或者第一表面1中的至少一者表面形成绒面，如此，可以增强基底100的第二表面2以及第一表面1对入射光线的吸收利用率。在一些实施例中，绒面可以为金字塔绒面，金字塔绒面作一种常见的绒面，不仅会使基底100表面的反射率减小，还可形成光陷阱，增加强基底100对入射光线的吸收效果，增大太阳电池的转换效率。
具体地，若背接触太阳能电池为单面电池，则可以在基底100的受光面形成绒面，例如可以为金字塔绒面，基底100的背光面可以为抛光面，即基底100的背光面相较于受光面更平坦。需要说明的是，对于单面电池，也可以在基底100的受光面以及背光面均形成绒面。
若背接触太阳能电池为双面电池，则可以在基底100的受光面以及背光面均形成绒面。
初始第二掺杂层22用于后续形成第二掺杂层。由于第一区域10与第二区域11均为多个，且交替排布，而初始第二掺杂层22形成于第二区域11，第一掺杂层101形成于第一区域10，因此，初始第二掺杂层22与第一掺杂层101的数量均为多个，且初始第二掺杂层22与第一掺杂层101交替排布。
初始第二掺杂层22在预设方向X上的相对两侧分别排布有第一掺杂层101。初始第二掺杂层22包括第二部14以及位于第二部14相对两侧的第一部13，第一部13与第一掺杂层101邻接。也就是说,第一部13介于第一掺杂层101与第二部14之间，第二部14后续用于形成第二掺杂层，第一部13在后续被去除，进而能够隔离第一掺杂层101与第二掺杂层。
掩膜层位于第一掺杂层101表面，在后续刻蚀第一部13的工艺中，能够避免对第一掺杂层101造成工艺损伤。
可以理解的是，本申请实施例中，根据后续处理工艺的不同，而将初始第二掺杂层22划分为第一部13与第二部14，并不代表第一部13与第二部14为两个单独的膜层，事实上，初始第二掺杂层22为连续膜层。
在一些实施例中，在沿预设方向X上，第一部13的宽度与第二部14的宽度之比为0.09~2，例如可以为0.09~0.1、0.1~0.2、0.2~0.5、0.5~0.8、0.8~0.9、0.9~1、1~1.2、1.2~1.5、1.5~1.9或者1.9~2。第二部14后续用于形成第二掺杂层，第一部13在后续被去除，进而能够隔离第一掺杂层101与第二掺杂层。第一部13的宽度与第二部14的宽度之比为0.09~2，即后续形成的第一掺杂层101与第二掺杂层之间的间隙宽度与第二掺杂层的宽度之比为0.09~2。
当第一部13的宽度与第二部14的宽度之比为0.09~1时，例如为0.09~0.1、0.1~0.2、0.2~0.5、0.5~0.8、0.8~0.9或者0.9~1时，第一掺杂层101与第二掺杂层之间的间隙宽度小于第二掺杂层的宽度。如此，能够减小第一掺杂层101与第二掺杂层之间的间隙宽度，为形成较宽的第二掺杂层提供较多的空间，进而使得第二掺杂层能够为更多的载流子提供传输通道，增强载流子的传输，提升背接触太阳能电池对载流子的收集能力，进而保证背接触太阳能电池具有较高的光电转换效率。
当第一部13的宽度与第二部14的宽度之比为1~2时，例如为1~1.2、1.2~1.5、1.5~1.9或者1.9~2时，第一掺杂层101与第二掺杂层之间的间隙宽度大于第二掺杂层的宽度，但又不至于过大，能够在保证第一掺杂层101与第二掺杂层之间的隔绝效果较好的同时，使形成的第二掺杂层的宽度不至于过小，进而保证载流子在第二掺杂层内的传输能力不至于减弱。
在一些实施例中，第一掺杂层101与基底100的导电类型不同，与基底100构成P-N结。当入射光线照射P-N结时，P-N结产生相应的电子-空穴对，在P-N结的势垒电场作用下，将电子-空穴对分离，电子驱向N区（P型掺杂区），空穴驱向P区（N型掺杂区），产生光生电场，进而在N区和P区之间产生电动势，输出光电流。
初始第二掺杂层22与基底100的导电类型相同，且初始第二掺杂层22的掺杂元素浓度大于基底100的掺杂元素浓度，使得后续形成的第二掺杂层构成高低结。高低结中形成有第二掺杂层指向基底100内部的内建电场，在内建电场的作用下，少数载流子作漂移运动，使少数载流子逃离界面，减小基底100界面处的载流子的复合速率，从而增强背接触太阳能电池的开路电压、短路电流以及填充因子，提升背接触太阳能电池的光电转换效率。
在一些实施例中，基底100可以为N型基底100，则第一掺杂层101可以掺杂有P型掺杂元素，P型掺杂元素可以为硼（B）元素、铝（Al）元素、镓（Ga）元素或铟（In）元素等三族元素中的任意一者。初始第二掺杂层22可以掺杂有N型掺杂元素，N型掺杂元素可以为磷（P）元素、铋（Bi）元素、锑（Sb）元素或砷（As）元素等五族元素中的任意一者。
在一些实施例中，基底100也可以为P型基底100，则第一掺杂层101可以掺杂有N型掺杂元素，初始第二掺杂层22可以掺杂有P型掺杂元素。
在一些实施例中，形成第一掺杂层101的方法可以包括：参考图1，提供初始基底20。
参考图2，对初始基底20进行扩散工艺，以将第一掺杂元素自初始基底20的一个表面扩散至部分厚度的基底100中，形成初始第一掺杂层21。剩余部分未掺杂第一掺杂元素的初始基底构成基底100，基底100与初始第一掺杂层21的交界面可以作为第一表面1。
在一些实施例中，初始基底20为硅基底，在扩散工艺中，还在初始第一掺杂层21表面形成第一玻璃层31。第一玻璃层31由第一掺杂元素、硅和氧元素构成。
第一掺杂元素的导电类型与初始基底20内的掺杂元素的导电类型不同。
在一个具体的例子中，初始基底20为N型硅基底，第一掺杂元素可以为硼元素。可以将初始基底20置于扩散炉中，在温度800℃~1200℃下进行硼扩散工艺，工艺时长2h~5h，形成初始第一掺杂层21。在扩散过程中，初始基底20中的硅元素与硼元素以及扩散炉中的氧气发生反应，在初始第一掺杂层21表面形成第一玻璃层31，具体为硼硅玻璃层，硼硅玻璃层由三氧化二硼和二氧化硅组成。
在一些实施例中，初始第一掺杂层21的厚度可以为0.7μm~1.3μm，第一玻璃层31的厚度可以为100nm~200nm。
初始第一掺杂层21和第一玻璃层31形成于第一表面1的第一区域10以及第二区域11。参考图3，在形成初始第一掺杂层21之后，可以采用刻蚀工艺去除第二区域11的初始第一掺杂层21（参考图2）以及第一玻璃层31，剩余初始第一掺杂层位于第一区域10，形成第一掺杂层101。
在一些实施例中，可以采用激光工艺去除第二区域11的初始第一掺杂层21以及第一玻璃层31。激光工艺所采用的激光功率可以为10W~40W，例如可以为10W、15W、20W、25W、30W、35W或者40W。在这个功率范围内，能够保证激光工艺采用的激光足以去掉第二区域11的初始第一掺杂层21以及第一玻璃层31，同时又不会对基底100造成过大的工艺损伤。
激光工艺所采用的激光可以为红外激光、绿光激光、紫外激光中的任一种，激光处理所采用的激光器可以为CO2激光器、准分子激光器、钛宝石激光器、半导体激光器中的任一种，本申请实施例不对具体的激光器类型做具体限定。
在一些实施例中，在采用激光工艺去除第二区域11的初始第一掺杂层21以及第一玻璃层31后，为了去除第二区域11的激光损伤，可以采用质量浓度为1%-5%的NaOH溶液对第二区域11进行浸泡处理，时长400s~800s。
参考图4至图5，在一些实施例中，在形成第一掺杂层101之后，形成初始第二掺杂层22，图5中采用虚线来分割初始第二掺杂层22，以此示出初始第二掺杂层22中相邻的第一部13和第二部14。第一掺杂层101掺杂有第一掺杂元素，形成初始第二掺杂层22的方法包括：首先，在第二区域11形成原始第二掺杂层，原始第二掺杂层中没有掺杂任何掺杂元素。
在形成原始第二掺杂层之后，对原始第二掺杂层进行扩散工艺，以向原始第二掺杂层中注入与第一掺杂元素的导电类型不同的第二掺杂元素，将原始第二掺杂层转化为初始第二掺杂层22。
在一个具体的例子中，第一掺杂元素为P型元素，则第二掺杂元素可以为磷元素。对原始第二掺杂层进行扩散工艺可以为对原始第二掺杂层进行磷扩散工艺。磷扩散工艺可以包括：在扩散炉中，对原始第二掺杂层进行磷扩散。
图6为本申请一实施例提供的另一种背接触太阳能电池的制备方法中形成初始第二掺杂的步骤对应的剖面结构示意图。
参考图6，在一些实施例中，初始第二掺杂层22还形成于第一掺杂层101表面上，位于第一掺杂层101表面的初始第二掺杂层22构成掩膜层。具体地，初始第二掺杂层22与位于第一掺杂层101表面的第一玻璃层31接触，可以与第一玻璃层31共同作为掩膜层。
由于第一掺杂层101表面具有第一玻璃层31，第一玻璃层31能够作为掩膜，防止在形成原始第二掺杂层的工艺中，原始第二掺杂层直接与第一掺杂层101接触，因此，在第二区域11形成原始第二掺杂层的工艺中，原始第二掺杂层还形成于第一区域10的第一玻璃层31表面。
后续在对原始第二掺杂层进行扩散工艺的过程中，对第一区域10以及第二区域11的原始第二掺杂层均进行扩散工艺，使得初始第二掺杂层22形成还形成于第一掺杂层101表面上，用作保护第一掺杂层101的掩膜层，进一步保护第一掺杂层101在后续刻蚀工艺中不受工艺损伤。并且，能够节省额外形成掩膜层的工序，简化工艺流程。
值得注意的是，本申请实施例中，第二区域11的初始第二掺杂层22划分为第一部13和第二部14，将第一区域10的初始第二层作为掩膜层。
图7为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第二掺杂层的步骤对应的剖面结构示意图；图8为本申请一实施例提供的另一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第二掺杂层的步骤对应的剖面结构示意图。
参考图7至图8，在形成初始第二掺杂层22之后，对初始第二掺杂层22的第二部14进行激光改性处理，将第二部14转化为第二掺杂层102；参考图11至图12，对第一部13以及第二掺杂层102进行刻蚀工艺，去除第一部13，刻蚀工艺对第二掺杂层102的刻蚀速率小于对第一部13的刻蚀速率；去除掩膜层。
刻蚀工艺对第二掺杂层102的刻蚀速率小于对未经激光改性处理的第一部13的刻蚀速率，如此，能够利用刻蚀选择比，在去除介于第二掺杂层102与第一掺杂层101之间的第一部13的同时，保留经激光改性处理的第二掺杂层102。仅依靠一步激光改性处理步骤，无需经过多步掩膜或者印刷的步骤来实现图形化，大大简化工艺流程。同时能够防止由于复杂的图形化工艺对第二掺杂层102造成工艺损伤而使背接触太阳能电池自身的光电转换性能受损的问题。
参考图7至图8，在一些实施例中，对第二部14进行激光改性处理，形成第二掺杂层102包括：自第二部14表面对第二部14进行激光改性处理，以将至少部分厚度的初始第二掺杂层22转化为改性层23，改性层23与剩余初始第二掺杂层22构成第二掺杂层102，其中，刻蚀工艺对改性层23的刻蚀速率小于对第一部13的刻蚀速率。
在刻蚀工艺中，利用刻蚀工艺对改性层23与第一部13的刻蚀选择比，使得经激光改性处理后的改性层23能够起到掩膜的效果，在刻蚀工艺刻蚀去除第一部13的同时，对改性层23的刻蚀较少或者不刻蚀改性层23。如此，能够使第二掺杂层102自身起到掩膜的效果，在刻蚀工艺之前，无需在第二掺杂层102表面形成额外的掩膜，在刻蚀工艺之后，也无需对第二掺杂层102表面进行清洗工艺，大大简化工艺流程。
参考图7，在一个例子中，激光改性处理将部分厚度的初始第二掺杂层22转化为改性层23，剩余部分第二部14对应的初始第二掺杂层22与改性层23构成第二掺杂层102，如此，使得剩余部分第二部14能够保留初始第二掺杂层22较好的性能，保证载流子的传输能力，同时，改性层23也能在起到为载流子提供传输通道的同时，起到较好的掩膜效果。
在一些实施例中，激光改性处理将部分厚度的初始第二掺杂层22转化为改性层23，在刻蚀工艺中，去除第一部13以及改性层23。即在刻蚀工艺中，去除全部的改性层23。
在一些实施例中，激光改性处理将部分厚度的初始第二掺杂层22转化为改性层23，在刻蚀工艺中，去除第一部13以及至多部分改性层23。即，在刻蚀工艺中，部分改性层23被去除或者没有改性层23被去除。
也就是说，部分厚度的初始第二掺杂层22被转化为改性层23，在刻蚀工艺中，可以去除整个改性层23，也可以去除部分改性层23，还可以不对改性层23刻蚀。如此，能够扩宽刻蚀工艺的参数调整的范围，提高刻蚀工艺的灵活度。
参考图8，在另一个例子中，激光改性处理也可以将第二部14全部转化为改性层23，如此，能够使整个第二掺杂层难以在刻蚀工艺中被刻蚀，保证在去除第一部13之后，保留第二掺杂层。
在一些实施例中，初始第二掺杂层22的材料包括多晶硅。即第一部13与第二部14的材料包括多晶硅，若激光改性工艺仅将部分第二部14转化为改性层23，则后续形成的第二掺杂层102中，除改性层23之外的剩余部分的材料为掺杂的多晶硅。
在多晶硅中，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，这些晶粒结合起来就结晶成多晶硅。也就是说，多晶硅由多个晶粒结合而成，而结构相同，取向不同的晶粒之间的接触界面，成为晶界。
多晶硅中的晶粒数量较多，因而具有较多的晶界。晶界可以作为掺杂元素的扩散通道，晶界的数量越多，则掺杂元素的扩散越多。由于第二掺杂层102中多晶硅的存在，使得第二掺杂层102中的掺杂元素浓度较高，进而使第二掺杂层102的掺杂元素浓度大于基底100的掺杂元素浓度，构成高低结，提升载流子的传输能力。
在一些实施例中，初始第二掺杂层22的材料包括多晶硅，形成初始第二掺杂层22的方法可以包括：首先，在第二区域11形成多晶硅层，多晶硅层可以为本征多晶硅层。在一些实施例中，多晶硅层还形成于第一区域10的第一玻璃层31表面，后续形成的初始第二掺杂层22也能够形成于第一区域10的第一玻璃层31表面，作为掩膜层。
在形成多晶硅层之后，对多晶硅层进行扩散工艺，以向多晶硅层中注入与第一掺杂元素的导电类型不同的第二掺杂元素，将多晶硅层转化为初始第二掺杂层22。
在一些实施例中，扩散工艺可以包括：在多晶硅层顶面沉积掺杂源，掺杂源包括第二掺杂元素，在沉积掺杂源的同时，向扩散炉中通入氧气，在温度700℃~1000℃下扩散1h~3h，形成初始第二掺杂层22。
图9为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第二玻璃层的步骤对应的剖面结构示意图。
参考图9，在沉积掺杂源的过程中，氧气与第二掺杂元素以及硅元素发生反应，在初始第二掺杂层22表面形成第二玻璃层32，若第二掺杂元素为磷元素，则第二玻璃层32可以为磷硅玻璃层。
在一些实施例中，初始第二掺杂层22的厚度可以为100nm~300nm。
在一些实施例中，第二玻璃层32的厚度可以为20nm~100nm。
参考图9，在一些实施例中，多晶硅层还形成于第一区域10的第一玻璃层31表面，则在对多晶硅层的扩散工艺中，同时对第一区域10以及第二区域11的多晶硅层进行扩散，在第一区域10以及第二区域11形成初始第二掺杂层22，且第二玻璃层32形成于第一区域10以及第二区域11的初始第二掺杂层22表面。
在一些实施例中，在对第二部14进行激光改性处理之前，需要去除初始第二掺杂层22表面的第二玻璃层32。防止由于第二玻璃层32的存在，使得激光改性处理对第二部14的改性程度较弱的问题。
在一些实施例中，可以采用酸洗工艺去除第二玻璃层32，例如可以采用质量浓度为1%~20%的氢氟酸溶液对第二玻璃层32清洗5s~60s。
在一些实施例中，初始第二掺杂层22的材料包括多晶硅，改性层23的材料包括非晶硅。也就是说，激光改性处理将至少部分第二部14由多晶硅转化为非晶硅。
由于第一部13的材料为多晶硅，改性层23的材料为非晶硅，则可以利用多晶硅与非晶硅的差异，使刻蚀工艺对第一部13与改性层23的刻蚀速率不同。可以选择对多晶硅的刻蚀速率较大，对非晶硅的刻蚀速率较小的刻蚀工艺来对第一部13和第二掺杂层102进行刻蚀，进而能够在去除第一部13的同时，第二掺杂层102不被完全去除。
激光改性处理可以为自第二部14表面对第二部14进行激光照射，激光穿透至少部分厚度的第二部14，使多晶硅发生熔化再结晶。在激光的作用下，多晶硅中原本有序的晶面转变成交杂的晶面，硅原子的分布发生变形，产生许多的缺陷，并出现大量的悬挂键和空洞，致使多晶硅转化为非晶硅。
在一些实施例中，激光改性处理所采用的激光的激光功率为5W~40W，例如可以为5W~10W、10W~15W、15W~20W、20W~25W、25W~30W、30W~35W或者35W~40W。在上述范围内，使得激光改性处理的激光功率足够大，发出的激光的能量足以使多晶硅转变为非晶硅，且在上述激光功率范围内调整激光工艺的功率大小，能够控制形成的改性层23的厚度，例如，将激光工艺的功率调整得较高，能够使第二部14全部转化为改性层23，将激光工艺得功率调整得较低，能够仅将部分厚度的第二部14转化为改性层23。
另外，在上述范围内，激光改性处理的激光功率也不至于过大，防止发生由于激光功率过大导致第二部14被激光去除的问题。
在一些实施例中，激光改性处理所采用的激光可以为红外激光、绿光激光、紫外激光中的任一种，激光处理所采用的激光器可以为CO2激光器、准分子激光器、钛宝石激光器、半导体激光器中的任一种，本申请实施例不对具体的激光器类型做具体限定。
参考图10，图10为图7中标记为40的虚线框处的放大结构示意图，在一些实施例中，改性层23可以包括：沿背离基底100方向依次堆叠的非晶硅层231以及氧化硅层232，刻蚀工艺对氧化硅层232的刻蚀速率小于对第一部13的刻蚀速率，刻蚀工艺对非晶硅层231的刻蚀速率小于对第一部13的刻蚀速率，在刻蚀工艺中，去除氧化硅层232。
激光改性处理将至少部分第二部14由多晶硅转化成非晶硅，进而形成非晶硅层231。在激光工艺所产生的热效应下，非晶硅层231的硅元素与空气中的氧元素发生反应，并在非晶硅层231表面生成氧化硅层232。
在刻蚀工艺中，可以仅去除氧化硅层232以及第一部13，保留非晶硅层231。由于非晶硅层231的晶界数量小于多晶硅的晶界数量，且致密度高，使得后续进行烧结工艺形成电极的步骤中，浆料在非晶硅层231中的穿透难度较大，进而能够避免发生电极烧穿第二掺杂层102，与基底100接触的问题。
图11为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中去除第一部的步骤对应的剖面结构示意图；图12为本申请一实施例提供的另一种背接触太阳能电池的制备方法中去除第一部的步骤对应的剖面结构示意图。
参考图11至图12，在形成第二掺杂层之后，进行刻蚀工艺，去除第一部。
在一些实施例中，刻蚀工艺为碱刻蚀工艺。碱溶液对非晶硅的腐蚀速率小于对多晶硅的腐蚀速率，因此，在碱刻蚀工艺中，由多晶硅构成的第一部13更容易被去除。
在另一些实施例中，刻蚀工艺可以为任何其它能够实现对非晶硅的刻蚀速率小于对多晶硅的刻蚀速率的工艺。
在一些实施例中，碱刻蚀工艺包括：采用质量浓度为0.5%~5%的NaOH溶液作为刻蚀液体，质量浓度优选为：0.5%~1%、1%~1.5%、1.5%~2%、2%~3%、3%~4.5%、4.5%~4.9%、或者4.9%~5%；刻蚀液体的温度为60℃~80℃，例如为60℃~65℃、65℃~68℃、68℃~70℃、70℃~75℃、75℃~79℃或者79℃~80℃；工艺时长为240s~500s，例如为240s~250s、250s~300s、300s~320s、320s~350s、350s~380s、380s~410s、410s~450s、450s~480s或者480s~500s。在上述工艺参数范围内，使得碱刻蚀工艺在去除第一部13的同时，保留第二掺杂层102，使第二掺杂层102与第一掺杂层101间隔开。
在一些实施例中，参考图11，刻蚀工艺对第一部13以及第二掺杂层102进行刻蚀，直至去除第一部13，即去除第一部13，不对第一部13正对的基底100进行刻蚀。
参考图12，在一些实施例中，刻蚀工艺中，去除第一部13以及与第一部13正对的部分厚度的基底100。也就是说，刻蚀工艺中，在去除第一部13之后，露出第一表面1，对第一表面1继续刻蚀，以去除部分厚度的基底100，使得第一掺杂层101与第二掺杂层102之间形成隔离间隙。刻蚀工艺还去除与第一部13正对的部分厚度的基底100，能够确保第一部13被完全去除，提高形成的隔离间隙的可靠性。
在一些实施例中，刻蚀工艺去除的基底100的厚度可以为1μm~6μm，例如可以为1μm~2μm、2μm~3μm、3μm~4μm、4μm~5μm、5μm~5.5μm或者5.5μm~6μm。
在刻蚀工艺中，第一掺杂层101有掩膜层保护，因此，刻蚀工艺不会对第一掺杂层101造成损伤。
在一些实施例中，形成于第一区域10的第一玻璃层31表面的初始第二掺杂层作为掩膜层，则在刻蚀工艺中，还去除位于第一玻璃层31表面的初始第二掺杂层22。
可以理解的是，由于激光改性处理仅对第二部14进行了处理，因此，位于第一玻璃层31表面的初始第二掺杂层22的材料与第一部13的材料相同，例如均为多晶硅。在刻蚀工艺中，位于第一玻璃层31表面的初始第二掺杂层22与第一玻璃层31共同作为第一掺杂层101的掩膜层，来为第一掺杂层101提供保护。并且在刻蚀工艺中，位于第一玻璃层31表面的初始第二掺杂层22会被逐渐刻蚀掉，既能省去后续单独去除掩膜层的工艺，又能避免第一掺杂层101在刻蚀工艺中暴露。直至刻蚀工艺结束，初始第二掺杂层22被刻蚀完全，此时，即使第一玻璃层31也在刻蚀工艺中被刻蚀掉而暴露出第一掺杂层101，由于刻蚀工艺已经结束，第一掺杂层101也不会被刻蚀。值得注意的是，由于位于第一玻璃层31表面的初始第二掺杂层22与第一部13在同一步骤中形成，因此厚度相同，在同一刻蚀工艺中，第一部13被去除时，位于第一玻璃层31表面的初始第二掺杂层22也必然会被去除，保证初始第二掺杂层22去除干净。
在一些实施例中，刻蚀工艺结束后，第一玻璃层31未被刻蚀，则可以采用酸洗工艺对第一玻璃层31进行处理，去除第一玻璃层31。例如采用氢氟酸溶液清洗第一玻璃层31，以去除第一玻璃层31。
图13为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第一钝化层的步骤对应的剖面结构示意图。
参考图13，在一些实施例中，还包括：形成第一钝化层103，第一钝化层103覆盖第一掺杂层101表面以及第二掺杂层102表面，且第一钝化层103还填充于第一掺杂层101与第二掺杂层102之间的间隙。
具体地，第一钝化层103可以填充于第一掺杂层101与第二掺杂层102之间的间隙，并覆盖第一掺杂层101与第二掺杂层102之间的基底100表面。第一钝化层103一方面可以对基底100表面起到良好的钝化效果，降低基底100表面的缺陷态密度，较好地抑制基底100表面的载流子复合，并具有减反射效果。另一方面，还能起到隔离第一掺杂层101与第二掺杂层102的作用。
在一些实施例中，第一钝化层103可以为单层结构，在另一些实施中，第一钝化层103也可以为多层结构。在一些实施例中，第一钝化层103的材料可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
在一些实施例中，形成第一钝化层103的方法可以包括：采用PECVD（PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积方法）方法在第一掺杂层101、第二掺杂层102远离基底100的表面以及第一掺杂层101与第二掺杂层102之间的间隙形成第一钝化层103。
在一些实施例中，也可以在第一掺杂层101与第二掺杂层102之间的间隙处填充隔离材料，形成隔离结构。第一钝化层可以覆盖第一掺杂层101表面、第二掺杂层102表面以及隔离结构表面。隔离结构的材料可以为氧化硅等绝缘材料。
图14为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第二钝化层的步骤对应的剖面结构示意图。
参考图14，在一些实施例中，背接触太阳能电池的制备方法还可以包括：在第二表面2形成第二钝化层104。
第二钝化层104一方面可以对第二表面2起到良好的钝化效果，降低第二表面2的缺陷态密度，较好地抑制第二表面2的载流子复合，另一方面能够起到减反射的作用。
在一些实施例中，第二钝化层104可以为单层结构，在另一些实施中，第二钝化层104也可以为多层结构。在一些实施例中，第二钝化层104的材料可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
在一些实施例中，可以采用PECVD方法形成第二钝化层104。
在一些实施例中，形成第二钝化层104的步骤可以在形成初始第一掺杂层21之前进行。在一些实施例中，形成第二钝化层104的步骤也可以在形成第一掺杂层101以及第二掺杂层102之后进行。
图15为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成前表面场的步骤对应的剖面结构示意图。
参考图15，在一些实施例中，在形成第二钝化层104之前，还可以对第二表面2进行掺杂工艺，以向部分基底100内掺杂与基底100具有相同导电类型的掺杂元素，形成前表面场105。前表面场105的掺杂元素浓度大于基底100的掺杂元素浓度，能够有效阻挡少数载流子向较高缺陷密度的第二表面2附近移动，降低少数载流子复合机率。
图16为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的制备方法中形成第一电极和第二电极的步骤对应的剖面结构示意图。
参考图16，在一些实施例中，在形成第一钝化层103与第二钝化层104之后，还包括：形成第一电极106以及第二电极107。
第一电极106与第二电极107沿预设方向X交替排布，第一电极106穿透第一钝化层103与第一掺杂层101电接触，第二电极107穿透第一钝化层103与第二掺杂层102电接触。
在一些实施例中，可以采用印刷工艺以及烧结工艺形成第一电极106以及第二电极107。
例如，采用丝网印刷工艺，将导电浆料涂覆在与第一掺杂层101以及第二掺杂层102正对的第一钝化层103表面，经过烧结，使导电浆料穿透第一钝化层103，分别与第一掺杂层101以及第二掺杂层102电接触。
上述实施例提供的背接触太阳能电池的制备方法中，对初始第二掺杂层22的第二部14进行激光改性处理，以形成第二掺杂层102。刻蚀工艺对第二掺杂层102的刻蚀速率小于对未经激光改性处理的第一部13的刻蚀速率。利用刻蚀选择比，在去除介于第二掺杂层102与第一掺杂层101之间的第一部13的同时，保留经激光改性处理的第二掺杂层102。上述步骤中，无需经过多步掩膜或者印刷的步骤来实现图形化，大大简化工艺流程。同时能够防止由于复杂的图形化工艺对第二掺杂层102造成工艺损伤而使背接触太阳能电池自身的光电转换性能受损的问题。
相应地，本申请实施例还提供一种背接触太阳能电池，采用上述实施例提供的背接触太阳能电池的制备方法制备而成。
图17为本申请一实施例提供的一种背接触太阳能电池的剖面结构示意图。
参考图17，背接触太阳能电池包括：基底100，基底100具有第一表面1；位于第一表面1的沿预设方向交替排布的第一掺杂层101以及第二掺杂层102，第一掺杂层101与第二掺杂层102的导电类型不同，且相邻的第一掺杂层101与第二掺杂层102彼此间隔开。
在一些实施例中，第一掺杂层101的导电类型与基底100相反，形成P-N结。第二掺杂层102的导电类型与基底100相同，且第二掺杂层102的掺杂浓度大于基底100的掺杂浓度，构成高低结。
在一些实施例中，第二掺杂层至少包括非晶硅层。具体地，第一掺杂层的材料可以为多晶硅。第二掺杂层可以包括沿远离第一表面方向依次堆叠的多晶硅层以及非晶硅层。
非晶硅层的晶界数量小于多晶硅的晶界数量，且致密度高，比较难以刻蚀。在实际将第一掺杂层与第二掺杂层间隔开的工艺过程中，可以利用非晶硅难以刻蚀的特点，以第二掺杂层自身的非晶硅层为掩膜，形成隔离第一掺杂层与第二掺杂层的隔离间隙。
参考图14，在一些实施例中，还包括：第一钝化层103，第一钝化层103覆盖第一掺杂层101表面以及第二掺杂层102表面，且第一钝化层103还填充于第一掺杂层101与第二掺杂层102之间的间隙。
在一些实施例中，第一钝化层103可以为单层结构，在另一些实施中，第一钝化层103也可以为多层结构。在一些实施例中，第一钝化层103的材料可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
在一些实施例中，背接触太阳能电池还可以包括：第二钝化层104，第二钝化层104位于基底100远离第一钝化层103的表面。
在一些实施例中，第二钝化层104可以为单层结构，在另一些实施中，第二钝化层104也可以为多层结构。在一些实施例中，第二钝化层104的材料可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
参考图16，在一些实施例中，背接触太阳能电池还包括：第一电极106以及第二电极107。第一电极106与第二电极107沿预设方向交替排布，第一电极106穿透第一钝化层103与第一掺杂层101电接触，第二电极107穿透第一钝化层103与第二掺杂层102电接触。
本申请虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本申请构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种改动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (16)

1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底具有第一表面，所述第一表面包括沿预设方向交替排布的第一区域以及第二区域；
在所述第一区域形成第一掺杂层，在所述第二区域形成初始第二掺杂层，以及在所述第一掺杂层表面形成掩膜层，所述第一掺杂层与所述初始第二掺杂层的导电类型不同，所述初始第二掺杂层包括：沿所述预设方向排布的第一部与第二部，所述第一部位于所述第二部的相对两侧，所述第一部与所述第一掺杂层邻接；
对所述第二部进行激光改性处理，将所述第二部转化为第二掺杂层；
对所述第一部以及所述第二掺杂层进行刻蚀工艺，去除所述第一部，所述刻蚀工艺对所述第二掺杂层的刻蚀速率小于对所述第一部的刻蚀速率；
去除所述掩膜层。
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述刻蚀工艺中，去除所述第一部以及与所述第一部正对的部分厚度的基底。
3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沿所述预设方向上，所述第一部的宽度与所述第二部的宽度之比为0.09~2。
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对所述第二部进行激光改性处理，形成第二掺杂层包括：自所述第二部表面对所述第二部进行激光改性处理，以将至少部分厚度的所述初始第二掺杂层转化为改性层，所述改性层与剩余所述初始第二掺杂层构成所述第二掺杂层，其中，所述刻蚀工艺对所述改性层的刻蚀速率小于对所述第一部的刻蚀速率。
5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光改性处理将部分厚度的所述初始第二掺杂层转化为改性层，在所述刻蚀工艺中，去除所述第一部以及所述改性层。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述初始第二掺杂层的材料包括多晶硅。
7.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述改性层的材料包括非晶硅。
8.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光改性处理所采用的激光的激光功率为5W~40W。
9.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述改性层包括：沿背离所述基底方向依次堆叠的非晶硅层以及氧化硅层，所述刻蚀工艺对所述氧化硅层的刻蚀速率小于对所述第一部的刻蚀速率，所述刻蚀工艺对所述非晶硅层的刻蚀速率小于对所述第一部的刻蚀速率，在所述刻蚀工艺中，去除所述氧化硅层。
10.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为碱刻蚀工艺。
11.根据权利要求10所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述碱刻蚀工艺包括：采用质量浓度为0.5%~5%的NaOH溶液作为刻蚀液体，刻蚀液体的温度为60℃~80℃，工艺时长为240s~500s。
12.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在形成所述第一掺杂层之后，形成所述初始第二掺杂层，其中，所述第一掺杂层掺杂有第一掺杂元素，形成所述初始第二掺杂层的方法包括：
在所述第二区域形成多晶硅层；
对所述多晶硅层进行扩散工艺，以向所述多晶硅层中注入与所述第一掺杂元素的导电类型不同的第二掺杂元素，将所述多晶硅层转化为所述初始第二掺杂层。
13.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述初始第二掺杂层还形成于所述第一掺杂层表面，位于所述第一掺杂层表面的所述初始第二掺杂层构成所述掩膜层，在所述刻蚀工艺中，还去除位于所述第一掺杂层表面的所述初始第二掺杂层。
14.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述第一掺杂层表面以及所述第二掺杂层表面，且所述第一钝化层还填充于所述第一掺杂层与所述第二掺杂层之间的间隙。
15.一种背接触太阳能电池，采用上述权利要求1-14中任一项所述的背接触太阳能电池的制备方法制备而成，其特征在于，包括：
基底，所述基底具有第一表面；
位于所述第一表面的沿预设方向交替排布的第一掺杂层以及第二掺杂层，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层的导电类型不同，且相邻的所述第一掺杂层与所述第二掺杂层彼此间隔开。
16.根据权利要求15所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层至少包括非晶硅层。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117810310A (zh) * 2024-02-29 2024-04-02 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件
CN117976775A (zh) * 2024-04-01 2024-05-03 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池的制造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102160192A (zh) * 2008-09-19 2011-08-17 太阳能公司 使用直接图案化的无针孔掩膜层制作太阳能电池的方法
WO2012166749A2 (en) * 2011-05-27 2012-12-06 Solexel, Inc. Ion implantation and annealing for high efficiency back-contact back-junction solar cells
US20140295613A1 (en) * 2013-03-19 2014-10-02 Imec Vzw Method for fabricating heterojunction interdigitated back contact photovoltaic cells
CN112736163A (zh) * 2021-02-10 2021-04-30 普乐（合肥）光技术有限公司 一种多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备方法
CN113871494A (zh) * 2020-06-30 2021-12-31 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制作方法
CN115188857A (zh) * 2022-06-17 2022-10-14 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池的制造方法及激光刻蚀设备
WO2023041177A1 (de) * 2021-09-17 2023-03-23 Universität Konstanz Dotieren eines siliziumsubstrats durch laserdotierung mit anschliessendem hochtemperaturschritt
CN116111006A (zh) * 2023-03-07 2023-05-12 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池的制备方法和太阳能电池
CN116632093A (zh) * 2023-04-21 2023-08-22 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102160192A (zh) * 2008-09-19 2011-08-17 太阳能公司 使用直接图案化的无针孔掩膜层制作太阳能电池的方法
WO2012166749A2 (en) * 2011-05-27 2012-12-06 Solexel, Inc. Ion implantation and annealing for high efficiency back-contact back-junction solar cells
US20140295613A1 (en) * 2013-03-19 2014-10-02 Imec Vzw Method for fabricating heterojunction interdigitated back contact photovoltaic cells
CN113871494A (zh) * 2020-06-30 2021-12-31 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制作方法
CN112736163A (zh) * 2021-02-10 2021-04-30 普乐（合肥）光技术有限公司 一种多晶硅薄膜钝化背极插指型太阳能电池的制备方法
WO2023041177A1 (de) * 2021-09-17 2023-03-23 Universität Konstanz Dotieren eines siliziumsubstrats durch laserdotierung mit anschliessendem hochtemperaturschritt
CN115188857A (zh) * 2022-06-17 2022-10-14 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池的制造方法及激光刻蚀设备
CN116111006A (zh) * 2023-03-07 2023-05-12 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池的制备方法和太阳能电池
CN116632093A (zh) * 2023-04-21 2023-08-22 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117810310A (zh) * 2024-02-29 2024-04-02 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件
CN117810310B (zh) * 2024-02-29 2024-06-07 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件
CN117976775A (zh) * 2024-04-01 2024-05-03 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池的制造方法

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