CN117373963A - 氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于负压控制技术领域，本发明公开了氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法；采集m组历史负压控制数据，历史负压控制数据包括晶片数据、吸盘数据、环境数据以及抛光液数据；计算m组历史负压控制数据对应的晶片系数、吸盘系数、环境系数以及抛光液系数；计算m组历史负压控制数据对应的负压控制系数；设置负压映射表，实时采集负压控制数据，计算负压控制系数，根据负压控制系数以及负压映射表，获取对应的负压数值；计算蚀刻抛光设备的折旧系数，根据蚀刻抛光设备的折旧系数计算工作负压数值，控制吸盘吸附晶片的负压调节为工作负压数值；确保吸盘吸附晶片的负压数值稳定，避免晶片因负压数值太大变形以及负压数值太小脱落。
Description
技术领域
本发明涉及负压控制技术领域，更具体地说，本发明涉及氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法。
背景技术
氧化镓晶片是半导体工业中的重要元件，它们在集成电路和其他电子器件中发挥着关键作用；制备氧化镓晶片的关键步骤之一是抛光，抛光是一项关键的表面处理工艺，旨在改善晶片的表面平整度、平整度和质量；为了确保电子器件的性能和可靠性，晶片必须具有高度精密的表面特性，因此需要确保晶片在抛光过程中不会发生位置变化，避免出现加工不均匀、晶片受损和生产效率下降等问题；
在现有技术中，真空吸盘替代了原有的贴蜡工艺，便于吸附晶片，为了确保吸附过程中晶片的位置不会发生变化，精密的负压控制成为至关重要的技术，现有授权公告号为CN116207009B的专利公开了一种单晶硅片刻蚀抛光设备，通过抛光装置、负压固片机构的设置，使得负压固片机构可在固片筒、密封抵片环等的作用下利用负压对单晶硅片进行固定，即使单晶硅片较薄，也可对单晶硅片进行有效固定，可大大减少单晶硅片掉落现象的发生；
但上述技术以及现有技术均未考虑到真空吸盘与负压固片装置对晶片负压数值的控制，同时未考虑到不同抛光阶段晶片所需的负压数值不同，使得蚀刻抛光设备在抛光过程中无法准确吸附晶片，并且容易由于抛光阶段的变化，导致负压数值与所需负压数值不符，从而导致晶片脱落。
鉴于此，本发明提出氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法以解决上述问题。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺陷，为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，包括：
S1:采集m组历史负压控制数据，历史负压控制数据包括晶片数据、吸盘数据、环境数据以及抛光液数据，晶片数据包括晶片面积数据、晶片质量数据以及晶片表面质量特征数据；
S2:计算m组历史负压控制数据对应的晶片系数、吸盘系数、环境系数以及抛光液系数；
S3:计算m组历史负压控制数据对应的负压控制系数；
S4:设置负压映射表，实时采集负压控制数据，计算实时负压控制数据对应的负压控制系数，根据负压控制系数以及负压映射表，获取对应的负压数值；
S5:计算蚀刻抛光设备的折旧系数，根据蚀刻抛光设备的折旧系数计算工作负压数值，控制吸盘吸附晶片的负压调节为工作负压数值，并设置目标晶片表面质量特征数据；
S6:在晶片抛光过程中实时采集晶片表面质量特征数据，计算对应的晶片系数，对计算出的晶片系数进行分析，判断是否生成负压改变指令；若生成负压改变指令，则根据当前晶片表面质量特征数据计算出新的工作负压数值，控制吸盘吸附晶片的负压数值为新的工作负压数值；
S7:根据目标晶片表面质量特征数据计算目标晶片系数，将计算出的晶片系数与目标晶片系数进行对比分析，判断晶片抛光是否结束。
进一步地，表面质量特征数据包括光洁度、平整度以及粗糙度；环境数据包括环境温度数据与环境湿度数据；抛光液数据包括抛光液粘度数据和抛光液粒度数据；吸盘数据包括吸盘材料数据和吸盘面积数据。
进一步地，m组历史负压控制数据对应晶片系数的计算方法包括：
；
式中，为晶片系数，/>为晶片面积数据，/>为晶片质量数据，/>为光洁度，/>为平整度，/>为粗糙度，/>为预设权重，且/>，
为第/>组历史负压控制数据，/>。
进一步地，m组历史负压控制数据对应吸盘系数的计算方法包括：
；
式中，为吸盘系数，/>为吸盘尺寸数据，/>为吸盘面积数据，/>为吸盘材料数据对应的数值，/>为预设权重，且/>。
进一步地，m组历史负压控制数据对应环境系数的计算方法包括：
；
式中，为环境系数，/>为环境温度数据，/>为环境湿度数据，/>为预设权重，且/>。
进一步地，m组历史负压控制数据对应抛光液系数的计算方法包括：
；
式中，为抛光液系数，/>为抛光液粘度数据，/>为抛光液粒度数据，/>、为预设权重，且/>、/>均大于0。
进一步地，m组历史负压控制数据对应的负压控制系数计算方法包括：
；
式中，为负压控制系数。
进一步地，蚀刻抛光设备折旧系数的计算方法包括：
；
式中，为折旧系数，/>为工作环境数值，/>为使用周期,/>、/>为预设权重，且/>、/>均大于0，/>为预设常数；
工作负压数值的计算方法包括：
；
式中，为工作负压数值，/>为实时负压控制数据对应的负压数值。
进一步地，判断是否生成负压改变指令的方法包括：
预设晶片系数阈值，晶片系数阈值包括第一阈值与第二阈值，且第一阈值大于第二阈值；
将晶片系数与对应的晶片系数阈值进行对比分析；
在一次抛光过程中，若晶片系数首次变化为小于或等于第一阈值或第二阈值时，则生成负压改变指令；
若晶片系数非首次变化为小于或等于第一阈值或第二阈值，则不生成负压改变指令。
进一步地，判断晶片抛光是否结束的方法包括：
若晶片系数大于目标晶片系数，则晶片抛光继续；
若晶片系数小于或等于目标晶片系数，则晶片抛光结束，控制吸盘下落，并控制吸盘不再吸附晶片。
进一步地，设置队列P，在氧化镓晶片抛光过程中，将负压改变指令对应的时间标记为改变时间点，实时采集晶片表面质量特征数据，根据实时晶片表面质量特征数据计算出工作负压数值，将工作负压数值和改变时间点与晶片对应的负压控制数据进行对应，并作为一组改变参数，将改变参数输入队列P中；
当同一批相同晶片进行抛光处理时，从队列P获取对应的工作负压数值和改变时间点，从而在改变时间点控制吸盘吸附晶片的负压数值为工作负压数值。
一种电子设备，包括存储器、中央处理器以及存储在存储器上并可在中央处理器上运行的计算机程序，所述中央处理器执行所述计算机程序时实现所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法。
一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时实现所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法。
本发明氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法的技术效果和优点：
1.通过晶片数据、吸盘数据、环境数据以及抛光液数据，多项数据共同计算出负压控制系数，并根据负压映射表获取对应的负压数值进行晶片抛光，在晶片抛光过程中实时检测晶片表面质量特征数据，判断晶片的抛光阶段是否发生变化，根据抛光阶段的改变对应智能调整负压数值，确保吸盘吸附晶片的负压数值稳定，避免晶片因负压数值太大变形以及负压数值太小脱落。
2.通过将工作负压数值和改变时间点与晶片对应的负压控制数据进行对应，并作为一组改变参数，将改变参数输入预先设置好的队列P中，使得对相同负压控制数据对应的晶片进行抛光处理时，无需对每个晶片均实时采集晶片表面质量特征数据，以判断抛光阶段是否发生改变，大大减少数据的处理量，同时提前获取需要进行负压数值改变的时间点，避免负压数值改变不及时对晶片的损害。
附图说明
图1为本发明实施例1的氧化镓晶片抛光过程中负压控制方法示意图；
图2为本发明实施例1的抛光阶段示意图；
图3为本发明实施例2的氧化镓晶片抛光过程中负压控制方法示意图；
图4为本发明实施例3的电子设备结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
请参阅图1所示，本实施例所述氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，包括：
S1:采集m组历史负压控制数据，m为大于1的整数，历史负压控制数据包括晶片数据、吸盘数据、环境数据以及抛光液数据；
晶片数据包括晶片面积数据、晶片质量数据以及晶片表面质量特征数据，表面质量特征数据包括光洁度、平整度以及粗糙度；晶片面积数据由安装在蚀刻抛光设备中抛光区域入口处的摄像头获取，通过摄像头采集晶片图像，对晶片图像进行分析，获取对应的晶片面积数据；晶片质量数据由安装在蚀刻抛光设备工作台上的质量传感器获取；晶片表面质量特征数据由安装在蚀刻抛光设备内部的表面质量在线监测仪器获取；晶片数据会影响晶片与吸盘之间负压的大小，粗糙度越大，对应的负压越小，除了粗糙度以外，晶片数据中其余数据越大，对应的负压越大；
吸盘数据为吸盘的各种参数数据，吸盘数据包括吸盘材料数据、吸盘尺寸数据以及吸盘面积数据，吸盘数据由吸盘的产品规格获取，吸盘数据会直接影响晶片与吸盘之间的负压，不同的吸盘数据所能提供的负压不同；
环境数据包括环境温度数据与环境湿度数据，环境温度数据由安装在蚀刻抛光设备内的温度传感器获取，环境湿度数据由安装在蚀刻抛光设备内部的湿度传感器获取，环境数据会影响晶片与吸盘之间负压的大小，不同的环境数据需要吸盘提供不同的负压，较高的环境温度会使得吸盘变软，吸盘的吸附性能升高，导致晶片与吸盘之间负压增大，较高的湿度会使得吸盘气密性下降，导致晶片与吸盘之间负压减小；
抛光液数据包括抛光液粘度数据和抛光液粒度数据，抛光液粘度数据由安装在抛光液通路中的粘度传感器获取，抛光液粒度由安装在抛光液通路中的颗粒计数器获取，抛光液数据会影响吸盘对晶片的吸附效果，较高的抛光液粘度数据和抛光液粒度数据需要较大的负压；
S2:计算m组历史负压控制数据对应的晶片系数、吸盘系数、环境系数以及抛光液系数；
一组历史负压控制数据包括一组晶片数据、一组吸盘数据、一组环境数据以及一组抛光液数据，一组晶片数据对应一个晶片系数，一组吸盘数据对应一个吸盘系数，一组环境数据对应一个环境系数，一组抛光液数据对应一个抛光液系数；
m组历史负压控制数据对应晶片系数的计算方法包括：
；
式中，为晶片系数，/>为晶片面积数据，/>为晶片质量数据，/>为光洁度，/>为平整度，/>为粗糙度，/>为预设权重，且/>，/>为第/>组历史负压控制数据，/>；
m组历史负压控制数据对应吸盘系数的计算方法包括：
；
式中，为吸盘系数，/>为吸盘尺寸数据，/>为吸盘面积数据，/>为吸盘材料数据对应的数值，/>为预设权重，且/>；
需要说明的是，吸盘材料数据对应的数值为预先对吸盘材料赋值，对不同的吸盘材料赋予不同的数值，对于提供较大负压对应的吸盘材料赋予较小的数值，例如聚氨酯、氟橡胶等，对于提供较小负压对应的吸盘材料赋予较大的数值；
m组历史负压控制数据对应环境系数的计算方法包括：
；
式中，为环境系数，/>为环境温度数据，/>为环境湿度数据，/>为预设权重，且/>；
m组历史负压控制数据对应抛光液系数的计算方法包括：
；
式中，为抛光液系数，/>为抛光液粘度数据，/>为抛光液粒度数据，/>、为预设权重，且/>、/>均大于0；
S3:计算m组历史负压控制数据对应的负压控制系数；
m组历史负压控制数据对应的负压控制系数计算方法包括：
；
式中，为负压控制系数；
将步骤S2中的公式均代入步骤S3的公式中，步骤S3的式中预设权重由本领域技术人员采集多组综合参数，并对每一组综合参数设定对应的权重，将预设的权重和采集的综合参数代入公式，任意五个公式构成五元一次方程组，将计算得到的权重进行筛选并取均值，得到、/>、/>、/>、/>的值；
S4:设置负压映射表，实时采集负压控制数据，计算实时负压控制数据对应的负压控制系数，根据负压控制系数以及负压映射表，获取对应的负压数值；
负压映射表存储在数据库中，可以是一种二维映射表，其中包括负压控制系数以及与负压控制系数对应的负压数值；根据计算出的负压控制系数，通过负压映射表即可获取对应的负压数值；
负压映射表的设置方法为：工作人员在实验环境下，通过上述步骤S3计算出m组历史负压控制数据对应的负压控制系数，对一个负压控制系数依次设置不同的负压数值并进行抛光处理，依次记录晶片的抛光效果，将抛光效果最好对应的负压数值，作为该组负压控制系数对应的负压数值，按照所述过程依次获取m个负压控制系数对应的m个负压数值；将m个负压控制系数以及与m个负压控制系数对应的m个负压数值设置负压映射表；
S5:计算蚀刻抛光设备的折旧系数，根据蚀刻抛光设备的折旧系数计算工作负压数值，控制吸盘吸附晶片的负压数值调节为工作负压数值，并设置目标晶片表面质量特征数据；
蚀刻抛光设备折旧系数的计算方法包括：
；
式中，为折旧系数，/>为工作环境数值，/>为使用周期,/>、/>为预设权重，且/>、/>均大于0，/>为预设常数；
式中预设权重与预设常数由本领域技术人员采集多组综合参数，并对每一组综合参数设定对应的权重与常数，将预设的权重与常数和采集的综合参数代入公式，任意三个公式构成三元一次方程组，将计算得到的权重和常数进行筛选并取均值，得到、/>、/>的值；
需要说明的是，工作环境数值为预先对蚀刻抛光设备的工作环境进行赋值，对于较差的工作环境赋予较低的数值，对于较好的工作环境赋予较高的数值，较好的工作环境例如温度适宜、通风良好、噪音低、光线充足以及干净整洁等；
应当了解的是，蚀刻抛光设备在使用过程中，由于工作环境与使用周期的影响，性能会逐步下降，导致吸盘对晶片的吸附效果下降，吸盘与晶片间的负压数值会小于设置的负压数值，即工作环境数值越大，表示蚀刻抛光设备的工作环境越好，折旧系数越小，蚀刻抛光设备的使用周期越长，折旧系数越大；
工作负压数值的计算方法包括：
；
式中，为工作负压数值，/>为实时负压控制数据对应的负压数值；
目标晶片表面质量特征数据为晶片经过抛光处理后需要达到的晶片表面质量特征数据，目标晶片表面质量特征数据由工作人员预先输入蚀刻抛光设备；
S6:设置晶片系数阈值，在晶片抛光过程中实时采集晶片表面质量特征数据，计算对应的晶片系数，对计算出的晶片系数进行分析，判断是否生成负压改变指令；若生成负压改变指令，则根据当前晶片表面质量特征数据计算出新的工作负压数值，控制吸盘吸附晶片的负压数值为新的工作负压数值；
晶片抛光过程中实时晶片表面质量特征数据的采集间隔为T秒，采集间隔由工作人员根据未抛光时的晶片表面质量特征数据和目标晶片表面质量特征数据进行设置；设置采集间隔的目的在于，减少实时晶片表面质量特征数据冗余，同时也能对晶片表面质量特征数据进行有效检测；
判断是否生成负压改变指令的方法包括：
预设晶片系数阈值，晶片系数阈值包括第一阈值与第二阈值，且第一阈值大于第二阈值；
将晶片系数与对应的晶片系数阈值进行对比分析；
在一次抛光过程中，若晶片系数首次变化为小于或等于第一阈值或第二阈值时，则生成负压改变指令，说明此时晶片表面质量特征数据已达到当前抛光阶段要求，抛光阶段发生变化，需要进行下一阶段的抛光处理，因此需要改变负压数值；
若晶片系数非首次变化为小于或等于第一阈值或第二阈值，则不生成负压改变指令，说明此时晶片表面质量特征数据未达到当前抛光阶段要求，抛光阶段未发生变化，不需要对负压数值进行改变；
需要说明的是，请参阅图2所示，根据晶片表面质量特征数据，将晶片抛光过程划分为粗抛光、半精抛光和精抛光三个抛光阶段，粗抛光阶段的目标在于快速去除加工痕迹、不规则表面或杂质并平整平面，半精抛光阶段的目标在于进一步提高平整度和光滑度，并降低粗糙度，确保表面不再存在明显划痕，精抛光阶段的目标在于获得非常高的平整度和光滑度；不同抛光阶段对应的负压数值不同，但相同抛光阶段内对应的负压数值相同；因此晶片系数阈值中包括两个阈值，用于判断抛光阶段是否改变；示例性的，粗抛光阶段对应的负压数值均为1，半精抛光阶段对应的负压数值均为2，精抛光阶段对应的负压数值均为3；
应当了解的是，晶片系数阈值由工作人员根据未抛光时的晶片表面质量特征数据和目标晶片表面质量特征数据进行设置，不同的未抛光时晶片表面质量特征数据和目标晶片表面质量特征数据对应的晶片系数阈值不同；
S7:根据目标晶片表面质量特征数据计算目标晶片系数，将计算出的晶片系数与目标晶片系数进行对比分析，判断晶片抛光是否结束，若抛光结束，则控制吸盘下落，并控制吸盘不再吸附晶片；
判断晶片抛光是否结束的方法包括：
若晶片系数大于目标晶片系数，则晶片抛光继续，说明此时晶片的晶片表面质量特征数据未达到要求，需要继续进行抛光处理；
若晶片系数小于或等于目标晶片系数，则晶片抛光结束；说明此时晶片的晶片表面质量特征数据已达到要求，无需继续进行抛光处理；
需要说明的是，目标晶片系数的计算方法与晶片系数的计算方法一致；吸盘不再吸附晶片为吸盘与晶片间不存在负压数值；
本实施例通过晶片数据、吸盘数据、环境数据以及抛光液数据，多项数据共同计算出负压控制系数，并根据负压映射表获取对应的负压数值进行晶片抛光，在晶片抛光过程中实时检测晶片表面质量特征数据，判断晶片的抛光阶段是否发生变化，根据抛光阶段的改变对应智能调整负压数值，确保吸盘吸附晶片的负压数值稳定，避免晶片因负压数值太大变形以及负压数值太小脱落。
实施例2
请参阅图3所示，本实施例在实施例1的基础上进一步改进设计，当对同一批相同氧化镓晶片进行抛光时，由于每个氧化镓晶片对应的负压控制数据均相等，因此在抛光过程中，抛光阶段变化对应的时间也均相等，无需对每个氧化镓晶片均实时采集晶片表面质量特征数据，以判断抛光阶段是否发生改变；因此本实施例提供了氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，还包括将负压改变指令对应的时间标记为改变时间点，将改变时间点和计算出的工作负压数值作为一组改变参数加入设置好的队列P中，以便后续对其余氧化镓晶片进行抛光处理时，直接获取抛光阶段改变的时间点，并控制吸盘吸附晶片的负压数值为工作负压数值；
设置队列P，在氧化镓晶片抛光过程中，将负压改变指令对应的时间标记为改变时间点，实时采集晶片表面质量特征数据，根据实时晶片表面质量特征数据计算出工作负压数值，将工作负压数值和改变时间点与晶片对应的负压控制数据进行对应，并作为一组改变参数，将改变参数输入队列P中；
当同一批相同晶片进行抛光处理时，由于晶片对应的负压控制数据相同，因此可以从队列P获取对应的工作负压数值和改变时间点，从而在改变时间点控制吸盘吸附晶片的负压数值为工作负压数值；无需对每个晶片均实时采集晶片表面质量特征数据，以判断抛光阶段是否发生改变，大大减少数据处理量；
需要说明的是，队列P中可以储存多组改变参数，以便于蚀刻抛光设备在对不同晶片进行抛光时，也能获取对应的改变参数；
应当了解的是，负压改变指令对应的时间由安装在蚀刻抛光设备内部的时间传感器获取，当蚀刻抛光设备开始工作时，时间传感器开始计时，当蚀刻抛光设备停止工作时，时间传感器停止计时，当生成负压改变指令时，时间传感器将当前采集的时间标记为改变时间点；
本实施例通过将工作负压数值和改变时间点与晶片对应的负压控制数据进行对应，并作为一组改变参数，将改变参数输入预先设置好的队列P中，使得对相同负压控制数据对应的晶片进行抛光处理时，无需对每个晶片均实时采集晶片表面质量特征数据，以判断抛光阶段是否发生改变，大大减少数据的处理量，同时提前获取需要进行负压数值改变的时间点，避免负压数值改变不及时对晶片的损害。
实施例3
请参阅图4所示，本实施例公开提供了一种电子设备，包括电源、接口、键盘、存储器、中央处理器以及存储在存储器上并可在中央处理器上运行的计算机程序，所述中央处理器执行所述计算机程序时实现上述各方法所提供的任一项所述氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法；所述接口包括网络接口与数据接口，网络接口包括有线或无线接口，数据接口包括输入或输出接口。
由于本实施例所介绍的电子设备为实施本申请实施例中氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法所采用的电子设备，故而基于本申请实施例中所介绍的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，本领域所属技术人员能够了解本实施例的电子设备的具体实施方式以及其各种变化形式，所以在此对于该电子设备如何实现本申请实施例中的方法不再详细介绍。只要本领域所属技术人员实施本申请实施例中氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法所采用的电子设备，都属于本申请所欲保护的范围。
实施例4
本实施例公开提供了一种计算机可读存储介质，包括存储器、中央处理器以及存储在存储器上并可在中央处理器上运行的计算机程序，所述中央处理器执行所述计算机程序时实现上述各方法所提供的任一项所述氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，存储介质存储有操作系统、数据与应用程序。
上述实施例，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或其他任意组合来实现。当使用软件实现时，上述实施例可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令或计算机程序。在计算机上加载或执行所述计算机指令或计算机程序时，全部或部分地产生按照本发明实施例所述的流程或功能。所述计算机可以为通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线网络或无线网络方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集合的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质（例如，软盘、硬盘、磁带）、光介质（例如，DVD）、或者半导体介质。半导体介质可以是固态硬盘。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本发明中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一 种，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
最后：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1.氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，包括：
S1:采集m组历史负压控制数据，历史负压控制数据包括晶片数据、吸盘数据、环境数据以及抛光液数据，晶片数据包括晶片面积数据、晶片质量数据以及晶片表面质量特征数据；
S2:计算m组历史负压控制数据对应的晶片系数、吸盘系数、环境系数以及抛光液系数；
S3:计算m组历史负压控制数据对应的负压控制系数；
S4:设置负压映射表，实时采集负压控制数据，计算实时负压控制数据对应的负压控制系数，根据负压控制系数以及负压映射表，获取对应的负压数值；
S5:计算蚀刻抛光设备的折旧系数，根据蚀刻抛光设备的折旧系数计算工作负压数值，控制吸盘吸附晶片的负压调节为工作负压数值，并设置目标晶片表面质量特征数据；
S6:在晶片抛光过程中实时采集晶片表面质量特征数据，计算对应的晶片系数，对计算出的晶片系数进行分析，判断是否生成负压改变指令；若生成负压改变指令，则根据当前晶片表面质量特征数据计算出新的工作负压数值，控制吸盘吸附晶片的负压数值为新的工作负压数值；
S7:根据目标晶片表面质量特征数据计算目标晶片系数，将计算出的晶片系数与目标晶片系数进行对比分析，判断晶片抛光是否结束。
2.根据权利要求1所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，所述表面质量特征数据包括光洁度、平整度以及粗糙度；环境数据包括环境温度数据与环境湿度数据；所述抛光液数据包括抛光液粘度数据和抛光液粒度数据；所述吸盘数据包括吸盘材料数据和吸盘面积数据。
3.根据权利要求2所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，所述m组历史负压控制数据对应的晶片系数的计算方法包括：
；
式中，为晶片系数，/>为晶片面积数据，/>为晶片质量数据，/>为光洁度，为平整度，/>为粗糙度，/>为预设权重，且/>，
为第/>组历史负压控制数据，/>。
4.根据权利要求3所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，m组历史负压控制数据对应的吸盘系数的计算方法包括：
;
式中，为吸盘系数，/>为吸盘尺寸数据，/>为吸盘面积数据，/>为吸盘材料数据对应的数值，/>为预设权重，且/>。
5.根据权利要求4所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，m组历史负压控制数据对应的环境系数的计算方法包括：
;
式中，为环境系数，/>为环境温度数据，/>为环境湿度数据，/>为预设权重，且/>。
6.根据权利要求5所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，m组历史负压控制数据对应的抛光液系数的计算方法包括：
;
式中，为抛光液系数，/>为抛光液粘度数据，/>为抛光液粒度数据，/>、/>为预设权重，且/>、/>均大于0。
7.根据权利要求6所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，所述m组历史负压控制数据对应的负压控制系数计算方法包括：
；
式中，为负压控制系数。
8.根据权利要求7所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，所述蚀刻抛光设备的折旧系数的计算方法包括：
;
式中，为折旧系数，/>为工作环境数值，/>为使用周期,/>、/>为预设权重，且、/>均大于0，/>为预设常数；
所述工作负压数值的计算方法包括：
；
式中，为工作负压数值，/>为实时负压控制数据对应的负压数值。
9.根据权利要求8所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，所述判断是否生成负压改变指令的方法包括：
预设晶片系数阈值，晶片系数阈值包括第一阈值与第二阈值，且第一阈值大于第二阈值；
将晶片系数与对应的晶片系数阈值进行对比分析；
在一次抛光过程中，若晶片系数首次变化为小于或等于第一阈值或第二阈值时，则生成负压改变指令；
若晶片系数非首次变化为小于或等于第一阈值或第二阈值，则不生成负压改变指令。
10.根据权利要求9所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，所述判断晶片抛光是否结束的方法包括：
若晶片系数大于目标晶片系数，则晶片抛光继续；
若晶片系数小于或等于目标晶片系数，则晶片抛光结束，控制吸盘下落，并控制吸盘不再吸附晶片。
11.根据权利要求10所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法，其特征在于，设置队列P，在氧化镓晶片抛光过程中，将负压改变指令对应的时间标记为改变时间点，实时采集晶片表面质量特征数据，根据实时晶片表面质量特征数据计算出工作负压数值，将工作负压数值和改变时间点与晶片对应的负压控制数据进行对应，并作为一组改变参数，将改变参数输入队列P中；
当同一批相同晶片进行抛光处理时，从队列P获取对应的工作负压数值和改变时间点，从而在改变时间点控制吸盘吸附晶片的负压数值为工作负压数值。
12.一种电子设备，包括存储器、中央处理器以及存储在存储器上并可在中央处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述中央处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至11中任一项所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法。
13.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时实现权利要求1至11中任一项所述的氧化镓晶片蚀刻抛光过程中负压控制的方法。
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