CN117364240A - 降低单晶硅棒不合格率的装置及方法 - Google Patents
降低单晶硅棒不合格率的装置及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117364240A CN117364240A CN202311547974.7A CN202311547974A CN117364240A CN 117364240 A CN117364240 A CN 117364240A CN 202311547974 A CN202311547974 A CN 202311547974A CN 117364240 A CN117364240 A CN 117364240A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon rod
- minority carrier
- carrier lifetime
- rod
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 265
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 265
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 265
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 31
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种降低单晶硅棒不合格率的装置及方法。该装置包括：测量模块，用于测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值；判断模块，用于判断目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值与少子寿命合格值下限的大小关系；确定模块，用于确定目标硅棒的实际拉制棒长。本发明的装置及方法可以根据目标硅棒前一根尾部少子寿命实测值调整目标硅棒的实际拉制长度，从而减少不合格长度的硅棒的产出，进而降低单晶硅棒的不合格率。
Description
技术领域
本发明涉及一种降低单晶硅棒不合格率的装置及方法。
背景技术
近年来，市场上硅系列太阳能电池中属单晶硅太阳能电池转换效率最高。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅片基础上的。因此，如何降低单晶硅棒不合格率从而保证硅片质量，是相关企业和单位长期研究关注的方向。
主流的单晶硅棒生产工艺主要为连续直拉法工艺，生长过程包括原生多晶硅料的熔料、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等一系列工序。
目前，相关企业和单位一般依靠原料品质的优化以提高少子寿命来实现降低单晶硅棒不合格率。但是，由于原料本身品质的不稳定性及试验周期长，当出现少子寿命不满足合格品要求的情况时，不能及时进行干预解决，而造成不合格品的产生。
因此，亟需提供一种在生产过程中可以降低单晶硅棒不合格率的装置及方法。
发明内容
有鉴于此，本发明的一个目的在于提供一种降低单晶硅棒不合格率的装置。其可以根据目标硅棒前一根尾部少子寿命实测值调整目标硅棒的实际拉制长度，从而减少不合格长度的硅棒的产出，进而降低单晶硅棒的不合格率，其可以用于生产过程中。本发明的另一个目的在于提供一种降低单晶硅棒不合格率的方法。
本发明采用如下技术方案实现上述目的。
一方面，本发明提供一种降低单晶硅棒不合格率的装置，包括：
测量模块，用于测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值；
判断模块，用于判断目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值与少子寿命合格值下限的大小关系；
确定模块，用于确定目标硅棒的实际拉制棒长；其中，
当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值大于等于少子寿命合格值下限时，确定目标硅棒的实际拉制棒长为标准棒长；
当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，确定目标硅棒的实际拉制棒长＝标准棒长-不合格长度的预测值。这样可以根据目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值调整目标硅棒的实际拉制长度，从而可以减少不合格长度的硅棒的产出。
在本发明中，少子寿命合格值下限可以采用本领域已知的。
在本发明中，标准棒长为正常满埚料炉台按正常生产工艺参数设定的留埚率所拉制单晶硅棒的长度。
根据本发明所述的装置，优选地，还包括预测模块；
当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，所述预测模块预测目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命值和尾部少子寿命值，得到目标硅棒头部少子寿命预测值和目标硅棒尾部少子寿命预测值，以及得到目标硅棒的不合格长度的预测值。
根据本发明所述的装置，优选地，所述测量模块还用于测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值；以及所述测量模块还用于测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命，分别得到它们的实测值。这样，即可以得到：与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值，并计算出这些处于同根数的单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值，该均值记为A1；以及可以得到：与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数的硅棒的前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值，并计算出这些处于前一根的单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值，该均值记为A2。一般地，A1<A2，所以，A1和A2之间会有一个降幅，即这两个均值的降幅＝(A2-A1)/A2*100％。
还可以得到：与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值，并计算出这些处于同根数的单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值，该均值记为A3；以及可以得到：与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数的硅棒的前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值，并计算出这些处于前一根的单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值，该均值记为A4。一般地，A3<A4，所以，A3和A4之间会有一个降幅，即这两个均值的降幅＝(A4-A3)/A4*100％。
根据本发明所述的装置，优选地，目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命预测值由包括与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅计算确定；目标硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命预测值由包括与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅计算确定。
另一方面，本发明还提供一种采用如上所述的装置降低单晶硅棒不合格率的方法，包括如下步骤：
S101，所述测量模块测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值；
S102，所述判断模块判断目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值与少子寿命合格值下限的大小关系；
S103，当判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值大于等于少子寿命合格值下限时，所述确定模块确定目标硅棒的实际拉制棒长为标准棒长；
或，当判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，所述确定模块确定目标硅棒的实际拉制棒长＝标准棒长-不合格长度的预测值。
根据本发明所述的方法，优选地，当所述判断模块判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，还包括如下步骤：
S102’，所述预测模块预测目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命值和尾部少子寿命值，得到目标硅棒头部少子寿命预测值和目标硅棒尾部少子寿命预测值，以及得到目标硅棒的不合格长度的预测值。
根据本发明所述的方法，优选地，S101中，还包括：所述测量模块测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值。
根据本发明所述的方法，优选地，S101中，还包括：所述测量模块测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命，分别得到它们的实测值。
根据本发明所述的方法，优选地，S102’中，目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命预测值由与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值计算确定。
其中，将目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值记为Ts，将与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅记为a％，则目标硅棒头部少子寿命预测值为Ts*(1-a％)。
根据本发明所述的方法，优选地，S102’中，目标硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命预测值由与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值计算确定。
其中，将目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值记为Ws，将与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅记为b％，则目标硅棒头部少子寿命预测值为Ws*(1-b％)。
在本发明中，目标硅棒的不合格长度的预测值＝[目标硅棒的标准棒长/(目标硅棒头部少子寿命预测值-目标硅棒尾部少子寿命预测值)]*(少子寿命合格值下限-目标硅棒尾部少子寿命预测值)。
本发明的降低单晶硅棒不合格率的装置及方法可以根据目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值调整目标硅棒的实际拉制长度，从而减少不合格长度的硅棒的产出，进而降低单晶硅棒的不合格率。从而可以降低生产成本。本发明的装置及方法可以用于硅棒的生产过程中，从而避免由于原料本身品质的不稳定性及试验周期长所导致的不合格品的产生。
附图说明
图1为本发明的一种降低单晶硅棒不合格率的方法的流程示意图。
图2为本发明的一种降低单晶硅棒不合格率的装置结构示意图。
附图标记说明如下：
201-测量模块，202-判断模块，203-预测模块，204-确定模块。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明，但本发明的保护范围并不限于此。
相关术语解释：
单晶硅棒：硅原料在单晶炉内熔化后经过熔接、引晶、放肩、等径、收尾一系列生长工序后产出的硅棒。
少子寿命：用来判定单晶硅污染的重要指标，指载流子从被激发到复合的时间，少子寿命越高越好，单位：μs。
合格品：电性能(少子寿命、电阻率、氧含量、碳含量)合格的硅棒加工出的产品，本申请主要考虑电性能中的少子寿命，对应单晶硅棒少子寿命合格值(内控)可根据工艺和生产需要进行变更。
合格率：目标硅棒合格品的长度与实际长度的比值。
实施例1
图1为本发明的一种降低单晶硅棒不合格率的方法的流程示意图。图2为本发明的一种降低单晶硅棒不合格率的装置结构示意图。
如图2所示，本发明的降低单晶硅棒不合格率的装置包括测量模块201、判断模块202、预测模块203和确定模块204。
测量模块201用于测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值。测量模块201还用于测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值。测量模块201还用于测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命，分别得到它们的实测值。这样有利于计算均值以及相邻根数的均值的降幅。
判断模块202用于判断目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值与少子寿命合格值下限的大小关系。少子寿命合格值下限为已知。
预测模块203用于预测目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命值和尾部少子寿命值，得到目标硅棒头部少子寿命预测值和目标硅棒尾部少子寿命预测值，以及得到目标硅棒的不合格长度的预测值。具体地，当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，预测模块203预测目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命值和尾部少子寿命值，得到目标硅棒头部少子寿命预测值和目标硅棒尾部少子寿命预测值，以及得到目标硅棒的不合格长度的预测值。
具体地，目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命预测值由与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值计算确定；
其中，将目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值记为Ts，将与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅记为a％，则目标硅棒头部少子寿命预测值为Ts*(1-a％)。
目标硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命预测值由与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值计算确定；
其中，将目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值记为Ws，将与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅记为b％，则目标硅棒尾部少子寿命预测值为Ws*(1-b％)。
则，目标硅棒的不合格长度的预测值＝[目标硅棒的标准棒长/(目标硅棒头部少子寿命预测值-目标硅棒尾部少子寿命预测值)]*(少子寿命合格值下限-目标硅棒尾部少子寿命预测值)。
确定模块204用于确定目标硅棒的实际拉制棒长。其中，当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值大于等于少子寿命合格值下限时，确定目标硅棒的实际拉制棒长为标准棒长。当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，确定目标硅棒的实际拉制棒长＝标准棒长-不合格长度的预测值。
如图1和图2所示，本实施例采用如上装置进行降低单晶硅棒不合格率的方法包括如下步骤：
S101，采用测量模块201测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值。本实施例中，目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值为60μs(即Ws为60μs)。
在该步骤中，还采用测量模块201测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值。本实施例中，目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值为200μs(即Ts为200μs)。
在该步骤中，还采用测量模块201测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命，分别得到它们的实测值。
S102，采用判断模块202判断目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值与少子寿命合格值下限的大小关系。在本实施例中，少子寿命合格值下限为80μs，标准棒长为2000mm。
S102’，当判断模块202判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，采用所述预测模块203预测目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命值和尾部少子寿命值，得到目标硅棒头部少子寿命预测值和目标硅棒尾部少子寿命预测值，以及得到目标硅棒的不合格长度的预测值。
目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命预测值由与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值计算确定。本实施例中，与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅a％为8％，则目标硅棒头部少子寿命预测值为200μs*(1-8％)＝182μs。
目标硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命预测值由与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值计算确定。本实施例中，与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅b％为5％，则目标硅棒头部少子寿命预测值为60μs*(1-5％)＝57μs。
进一步计算得到目标硅棒的不合格长度的预测值＝[2000/(182-57)]*(80-57)mm＝368mm。
S103，采用确定模块204确定目标硅棒的实际拉制棒长。本实施例中，由于目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限，因此，确定目标硅棒的实际拉制棒长＝标准棒长-不合格长度的预测值＝2000mm-368mm＝1632mm。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于：如图1所示，本实施例中，测量模块201测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值为82μs。判断模块202判断，目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值82μs大于等于少子寿命合格值下限80μs，那么，则由确定模块204确定目标硅棒的实际拉制棒长为标准棒长，即为2000mm。
本发明并不限于上述实施方式，在不背离本发明的实质内容的情况下，本领域技术人员可以想到的任何变形、改进、替换均落入本发明的范围。
Claims (10)
1.一种降低单晶硅棒不合格率的装置，其特征在于，包括：
测量模块，用于测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值；
判断模块，用于判断目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值与少子寿命合格值下限的大小关系；
确定模块，用于确定目标硅棒的实际拉制棒长；其中，
当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值大于等于少子寿命合格值下限时，确定目标硅棒的实际拉制棒长为标准棒长；
当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，确定目标硅棒的实际拉制棒长＝标准棒长-不合格长度的预测值。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括预测模块；
当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，所述预测模块预测目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命值和尾部少子寿命值，得到目标硅棒头部少子寿命预测值和目标硅棒尾部少子寿命预测值，以及得到目标硅棒的不合格长度的预测值。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述测量模块还用于测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值；以及所述测量模块还用于测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命，分别得到它们的实测值。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于：
目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命预测值由包括与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅计算确定；
目标硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命预测值由包括与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅计算确定。
5.采用如权利要求2～4任一项所述的装置降低单晶硅棒不合格率的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S101，所述测量模块测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值；
S102，所述判断模块判断目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值与少子寿命合格值下限的大小关系；
S103，当判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值大于等于少子寿命合格值下限时，所述确定模块确定目标硅棒的实际拉制棒长为标准棒长；
或，当判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，所述确定模块确定目标硅棒的实际拉制棒长＝标准棒长-不合格长度的预测值。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，当所述判断模块判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时，还包括如下步骤：
S102’，所述预测模块预测目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命值和尾部少子寿命值，得到目标硅棒头部少子寿命预测值和目标硅棒尾部少子寿命预测值，以及得到目标硅棒的不合格长度的预测值。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，S101中，还包括：所述测量模块测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命，得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，S101中，还包括：所述测量模块测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命，分别得到它们的实测值。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，S102’中，目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命预测值由与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值计算确定。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，S102’中，目标硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命预测值由包括与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值计算确定。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311547974.7A CN117364240A (zh) | 2023-11-20 | 2023-11-20 | 降低单晶硅棒不合格率的装置及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311547974.7A CN117364240A (zh) | 2023-11-20 | 2023-11-20 | 降低单晶硅棒不合格率的装置及方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117364240A true CN117364240A (zh) | 2024-01-09 |
Family
ID=89389385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311547974.7A Pending CN117364240A (zh) | 2023-11-20 | 2023-11-20 | 降低单晶硅棒不合格率的装置及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117364240A (zh) |
-
2023
- 2023-11-20 CN CN202311547974.7A patent/CN117364240A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101131371B (zh) | 一种精炼冶金硅的杂质含量检测分析方法 | |
| Wang et al. | Analytical prediction of subsurface microcrack damage depth in diamond wire sawing silicon crystal | |
| EP2352174A1 (en) | Silicon thin film solar cell and method for manufacturing same | |
| CN103668441B (zh) | 单晶硅棒直拉方法及其制备的单晶硅棒 | |
| AU2006235828A1 (en) | Method of controlling aluminum reduction cell with prebaked anodes | |
| WO2008112598A2 (en) | Method for utilizing heavily doped silicon feedstock to produce substrates for photovoltaic applications by dopant compensation during crystal growth | |
| TWI820867B (zh) | 改善氮摻雜晶圓翹曲度的加工方法和系統 | |
| EP2594933A1 (en) | Polycrystalline silicon rod and production method for polycrystalline silicon rod | |
| JP2009057236A (ja) | 単結晶直径の検出方法および単結晶引上げ装置 | |
| CN101358358B (zh) | 多阳极电解槽电解的单阳极分流调控装置及方法 | |
| CN102041550A (zh) | 一种提高单晶炉热场坩埚使用寿命的方法及直拉单晶炉 | |
| CN117364240A (zh) | 降低单晶硅棒不合格率的装置及方法 | |
| CN109301844A (zh) | 一种基于电网系统的水电机组调速器pid参数优化方法与装置 | |
| CN111737829A (zh) | 一种获得最优已加工表面状态的切削参数优化方法 | |
| CN108225955B (zh) | 一种硅棒的硬度评估方法 | |
| CN117604613A (zh) | 单晶炉热场及单晶炉及改善轻掺硼硅单晶oisf的方法 | |
| JP4737105B2 (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | |
| CN201634792U (zh) | 一种直拉单晶炉 | |
| CN112624121B (zh) | 多晶硅生产控制系统及控制方法 | |
| CN103237928A (zh) | 用于太阳能电池的富含锗的硅 | |
| US10066313B2 (en) | Method of producing single crystal | |
| CN107255572B (zh) | 半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法 | |
| CN105220227A (zh) | 一种高效多晶硅铸锭工艺 | |
| JP5720426B2 (ja) | 半導体単結晶の引上げ方法及びその引上げ装置 | |
| CN110243331A (zh) | 非晶碳膜的膜厚监测方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |