CN117353683A - 射频前端模组和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种射频前端模组和电子设备。该射频前端模组，包括第一巴伦、与第一巴伦相连的差分放大电路、与差分放大电路的输入端相连的偏置电路，偏置电路设置在第一巴伦的线圈缠绕形成的磁芯区域。偏置电路设置在第一巴伦的线圈缠绕形成的磁芯区域内，以使偏置电路和第一巴伦的整体占用面积较小，可满足集成化和小型化需求。

Description

射频前端模组和电子设备

技术领域

本发明涉及射频前端模组技术领域，尤其涉及一种射频前端模组和电子设备。

背景技术

随着移动通信技术的发展，对电子设备收发射频信号的频段需求也越来越高，使得电子设备对收发射频信号的带宽增加，对电子设备上配置的射频前端模组的性能要求也越来越严格。例如，需保证射频前端模组中的射频前端模组有较好的线性度和放大效率。现有射频前端模组中设有第一巴伦、偏置电路和放大晶体管，采用偏置电路给放大晶体管提供偏置电流，以保证放大晶体管的正常工作。

现有射频前端模组中，偏置电路中的元器件较多，导致偏置电路的占用面积较大，且第一巴伦的占用面积也大，使得射频前端模组的整体面积较大，无法满足集成化和小型化的需求。

发明内容

本发明实施例提供一种射频前端模组和电子设备，以解决现有射频前端模组整体占用面积较大，无法满足集成化和小型化需求的问题。

本发明实施例提供一种射频前端模组，包括第一巴伦、与所述第一巴伦相连的差分放大电路、与所述差分放大电路的输入端相连的偏置电路，所述偏置电路设置在所述第一巴伦的线圈缠绕形成的磁芯区域。

优选地，所述差分放大电路，被配置为对输入射频信号进行处理，输出第一差分放大信号和第二差分放大信号；

所述偏置电路包括第一偏置支路和第二偏置支路；

所述第一偏置支路和所述第二偏置支路，被配置为使所述第一差分放大信号和所述第二差分放大信号之间的相位差为[170°，190°]。

优选地，所述偏置电路包括第一偏置支路和第二偏置支路；

所述第一偏置支路和所述第二偏置支路，分别设置所述第一巴伦的线圈中间位置的轴线的两侧。

优选地，所述第一偏置支路和所述第二偏置支路，对称设置所述第一巴伦的线圈中间位置的轴线的两侧。

优选地，所述偏置电路包括第一偏置支路和第二偏置支路；

所述差分放大电路包括第一放大晶体管和第二放大晶体管，所述第一放大晶体管的输入端与所述第一偏置支路的输出端相连，所述第二放大晶体管的输入端与所述第二偏置支路的输出端相连。

优选地，所述偏置电路、所述第一巴伦、所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管设置在第一芯片上，所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管分别设置所述第一巴伦的线圈中间位置的轴线的两侧。

优选地，所述第一放大晶体管的输入端与所述第一偏置支路的输出端之间的传输线长度，与所述第二放大晶体管的输入端与所述第二偏置支路的输出端之间的传输线长度之间的差值，被配置为小于预设差值。

优选地，所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管，对称设置所述第一巴伦的线圈中间位置的轴线的两侧。

优选地，所述第一偏置支路包括第一偏置开关管，所述第一偏置开关管的第一端与供电电源端相连，所述第一偏置开关管的第二端与所述第一放大晶体管的输入端相连；

所述第二偏置支路包括第二偏置开关管，所述第二偏置开关管的第一端与所述供电电源端相连，所述第二偏置开关管的第二端与所述第二放大晶体管的输入端相连。

优选地，所述偏置电路还包括第一电感；

所述第一偏置开关管的第一端通过所述第一电感与所述供电电源端相连；

所述第二偏置开关管的第一端通过所述第一电感与所述供电电源端相连。

优选地，所述偏置电路还包括信号源端和分压电路；

所述分压电路的一端与所述信号源端相连，另一端接地；

所述第一偏置开关管的第三端耦合至所述信号源端；

所述第二偏置开关管的第三端耦合至所述信号源端。

优选地，所述差分放大电路的第一输出端与所述第一巴伦的第一输入端连接，所述差分放大电路的第二输出端与所述第一巴伦的第二输入端连接，

或者，所述差分放大电路的第一输入端与所述第一巴伦的第一输出端连接，所述差分放大电路的第二输入端与所述第一巴伦的第二输出端连接。

本发明实施例提供一种电子设备，包括上述射频前端模组。

上述射频前端模组和电子设备，包括第一巴伦、与所述第一巴伦相连的差分放大电路、与所述差分放大电路的输入端相连的偏置电路，所述偏置电路设置在所述第一巴伦的线圈缠绕形成的磁芯区域，通过利用第一巴伦形成的磁芯区域，将偏置电路设置在第一巴伦的线圈缠绕形成的磁芯区域内，偏置电路不需要占用额外的面积，以使偏置电路和第一巴伦的整体占用面积较小，可满足集成化和小型化需求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例中射频前端模组的一电路示意图；

图2是本发明一实施例中射频前端模组的另一电路示意图；

图3是本发明一实施例中射频前端模组的另一电路示意图；

图4是本发明一实施例中偏置电路的一电路示意图；

图5是本发明一实施例中偏置电路的另一电路示意图；

图6是本发明一实施例中偏置电路的另一电路示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

本发明实施例提供一种射频前端模组，如图1所示，射频前端模组包括第一巴伦1、与第一巴伦1相连的差分放大电路2、与差分放大电路2的输入端相连的偏置电路3，偏置电路3设置在第一巴伦1的线圈11缠绕形成的磁芯区域12。

其中，第一巴伦1是设置在射频前端模组的巴伦。差分放大电路2耦合到第一巴伦1的输入端或者输出端，用于实现差分放大功能。偏置电路3的输出端与差分放大电路2的输入端相连，用于给差分放大电路2提供偏置电流，以确定差分放大电路2的各级静态工作点，保证差分放大电路2的正常工作。第一巴伦1包括初级线圈和次级线圈，初级线圈和次级线圈相互缠绕才可实现耦合，而初级线圈和次级线圈缠绕过程中，会在其中间形成一个区域，这个区域即为第一巴伦1的磁芯区域12。

本实施例中，利用第一巴伦1形成的磁芯区域12，将偏置电路3设置在第一巴伦1的线圈11缠绕形成的磁芯区域12内，偏置电路3不需要占用额外的面积，以使偏置电路3和第一巴伦1的整体占用面积较小，可满足集成化和小型化需求。

在一实施例中，如图2所示，差分放大电路2，被配置为对输入射频信号进行处理，输出第一差分放大信号和第二差分放大信号；偏置电路3包括第一偏置支路31和第二偏置支路32；第一偏置支路31和第二偏置支路32，被配置为使第一差分放大信号和第二差分放大信号之间的相位差为[170°，190°]。

作为一示例，差分放大电路2是用于实现差分放大的电路，可对输入射频信号进行差分放大处理，输出第一差分放大信号和第二差分放大信号。第一偏置支路31和第二偏置支路32是偏置电路3中的两个支路，这两个支路均与差分放大电路2的输入端相连，给差分放大电路2提供两个偏置电流。本示例中，通过优化偏置电路的布局来改善差分放大电路2的相位差，使得差分放大电路2输出的第一差分放大信号和第二差分放大信号的相位差为[170°，190°]，以达到保证电路的平衡性和稳定性的目的。本示例中，由于第一偏置支路31和第二偏置支路32为分别为差分放大电路2中两个放大晶体管提供偏置信号的电路，因此，第一偏置支路31和第二偏置支路32在基板或者芯片上的位置和布局会影响差分放大电路2的平衡性。针对于此，本实施例通过调整第一偏置支路31和第二偏置支路32在基板或者芯片上的位置和布局，具体地，使得第一偏置支路和第二偏置支路设置在第一巴伦的线圈缠绕形成的磁芯区域，进而使得第一差分放大信号和第二差分放大信号之间的相位差为[170°，190°]，从而保证射频前端模组的平衡性和稳定性。一般来说，通过调整第一偏置支路31和第二偏置支路32的位置，即可调整第一差分放大信号和第二差分放大信号之间的相位差。优选地，在两者的相位差为180°时，可使射频前端模组达到最理想的平衡性和稳定性。

在一实施例中，如图2所示，偏置电路3包括第一偏置支路31和第二偏置支路32；第一偏置支路31和第二偏置支路32，分别设置第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧。

其中，第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线是指垂直于第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线。

作为一示例，第一偏置支路31和第二偏置支路32是偏置电路3中的两个支路，这两个支路均与差分放大电路2的输入端相连，给差分放大电路2提供两个偏置电流。本示例中，将第一偏置支路31和第二偏置支路32，分别设置在第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧，有助于调整差分放大电路2输出的第一差分放大信号和第二差分放大信号的相位差，进一步保证电路的平衡性和稳定性。

在一实施例中，如图2所示，第一偏置支路31和第二偏置支路32，对称设置第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧。

作为一示例，第一偏置支路31和第二偏置支路32，对称设置第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧，一方面，可使第一偏置支路31到差分放大电路的输入端的传输线长度，与第二偏置支路32到差分放大电路的输入端的传输线长度相同或接近相同，有助于保证电路的平衡性和稳定性；另一方面，具体使第一偏置支路31和第二偏置支路32对称设置，可使差分放大电路2输出的第一差分放大信号和第二差分放大信号的相位差为180°或者接近180°，可进一步使射频前端模组达到最理想的平衡性和稳定性。

在一实施例中，如图3所示，偏置电路3包括第一偏置支路31和第二偏置支路32；差分放大电路2包括第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22，第一放大晶体管M21的输入端与第一偏置支路31的输出端相连，第二放大晶体管M22的输入端与第二偏置支路32的输出端相连。

其中，第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22是差分放大电路2中用于实现信号放大的晶体管。本示例中，第一放大晶体管M21的输入端与第一偏置支路31的输出端相连，以接收第一偏置支路31输出的偏置电流。第二放大晶体管M22的输入端与第二偏置支路32的输出端相连，以接收第二偏置支路32输出的偏置电流。本示例中，通过优化偏置电路的布局来改善差分放大电路2的相位差，在差分放大电路2输出的第一差分放大信号和第二差分放大信号的相位差满足预设条件，也就是说，在两者的相位差在[170°，190°]时，以达到保证电路的平衡性和稳定性的目的。

在一实施例中，偏置电路3、第一巴伦1、第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22设置在第一芯片上，第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22分别设置第一巴伦1的线圈中间位置的轴线的两侧。

其中，第一芯片是集成布置有偏置电路3的第一巴伦1的芯片。作为一示例，将偏置电路3和第一巴伦1设置在第一芯片上，具体将偏置电路3设置在第一巴伦1的线圈11缠绕形成的磁芯区域12内，使得第一偏置支路31和第二偏置支路32，分别设置第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧，可满足集成化和小型化的需求。

本申请通过偏置电路3、第一巴伦1、第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22设置在第一芯片上，第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22分别设置第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧，从而在提高集成度的同时，还能达到保证电路的平衡性和稳定性的目的。本示例中，由于第一偏置支路31通过第一放大晶体管M21与第一巴伦1相连，第二偏置支路32通过第二放大晶体管M22与第一巴伦1相连，第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22，分别设置在第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧，以方便调整第一差分放大信号和第二差分放大信号之间的相位差在[170°，190°]，以达到保证电路的平衡性和稳定性的目的。

在一实施例中，第一放大晶体管M21的输入端与第一偏置支路31的输出端之间的传输线长度，与第二放大晶体管M22的输入端与第二偏置支路32的输出端之间的传输线长度之间的差值，被配置为小于预设差值。

作为一示例，第一放大晶体管M21的输入端与第一偏置支路31的输出端相连，而第二放大晶体管M22的输入端与第二偏置支路32的输出端相连，使第一放大晶体管M21的输入端与第一偏置支路31的输出端之间的传输线长度，与第二放大晶体管M22的输入端与第二偏置支路32的输出端之间的传输线长度之间的差值，被配置为小于预设差值，使得两个传输线长度相差不大，传输线损耗也相差不大，有助于保证电路的平衡性和稳定性。

本示例中，在第一放大晶体管M21的输入端与第一偏置支路31的输出端之间的传输线长度，与第二放大晶体管M22的输入端与第二偏置支路32的输出端之间的传输线长度之间的差值为零时，即两个传输线长度相同时，其传输线损耗相同时，可使电路达到较理想的平衡性和稳定性。

在一实施例中，第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22，对称设置第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧。

作为一示例，第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22，对称设置第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧，有助于使射频前端模组达到最理解的平衡性和稳定性。由于第一偏置支路31通过第一放大晶体管M21与第一巴伦1相连，第二偏置支路32通过第二放大晶体管M22与第一巴伦1相连，第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22对称设置，且第一偏置支路31第二偏置支路32对称设置，可调整差分放大电路2输出的两个差分放大信号的相位差为180°或者接近180°，可使射频前端模组达到最理想的平衡性和稳定性。

在一实施例中，差分放大电路2的第一输出端与第一巴伦1的第一输入端连接，差分放大电路2的第二输出端与第一巴伦1的第二输入端连接；或者，差分放大电路2的第一输入端与第一巴伦1的第一输出端连接，差分放大电路2的第二输入端与第一巴伦1的第二输出端连接。

作为一示例，差分放大电路2可以设置在第一巴伦1的输入端，此时，差分放大电路2的第一输出端与第一巴伦1的第一输入端连接，差分放大电路2的第二输出端与第一巴伦1的第二输入端连接，以将差分放大电路2输出的第一差分放大信号和第二差分放大信号输入给第一巴伦1。

作为另一示例，差分放大电路2可以设置在第一巴伦1的输出端，此时，差分放大电路2的第一输入端与第一巴伦1的第一输出端连接，差分放大电路2的第二输入端与第一巴伦1的第二输出端连接，以使差分放大电路2可接收第一巴伦1输出的射频信号，对第一巴伦1输出的射频信号进行差分放大，输出第一差分放大信号和第二差分放大信号。

在一实施例中，如图4所示，第一偏置支路31包括第一偏置开关管M31，第一偏置开关管M31的第一端与供电电源端Vbatt相连，第一偏置开关管M31的第二端与第一放大晶体管M21的输入端相连；第二偏置支路32包括第二偏置开关管M32，第二偏置开关管M32的第一端与供电电源端Vbatt相连，第二偏置开关管M32的第二端与第二放大晶体管M22的输入端相连。

其中，供电电源端Vbatt是用于实现供电的电源端。

作为一示例，第一偏置支路31包括第一偏置开关管M31，第一偏置开关管M31的第一端与供电电源端Vbatt相连，第一偏置开关管M31的第二端与第一放大晶体管M21的输入端相连，以使供电电源端Vbatt通过第一偏置开关管M31给第一放大晶体管M21输出第一偏置电流。相应地，第二偏置支路32包括第二偏置支路32包括第二偏置开关管M32，第二偏置开关管M32的第一端与供电电源端Vbatt相连，第二偏置开关管M32的第二端与第二放大晶体管M22的输入端相连，以使供电电源端Vbatt通过第二偏置开关管M32给第二放大晶体管M22提供第二偏置电流。本示例中，第一偏置开关管M31和第二偏置开关管M32共用同一供电电源端Vbatt，分别给第一放大晶体管M21和第二放大晶体管M22给提供偏置电流，可减少电路中的元器件数量，有助于节省占用面积。

本示例中，由于第一偏置支路31和第二偏置支路32设置第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧，可有助于保证电路的平衡性和稳定性。因此，可将共用的供电电源端Vbatt设置在第一偏置开关管M31和第二偏置开关管M32的中间位置，具体可设置在述第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线上，可使供电电源端Vbatt到第一偏置开关管M31和第二偏置开关管M32的传输线长度相同或接近相同，以使其到两个偏置开关管的传输线损耗相同或接近相同，保证电路的平衡性和稳定性。

在一实施例中，如图5所示，偏置电路3还包括第一电感L31；第一偏置开关管M31的第一端通过第一电感L31与供电电源端Vbatt相连；第二偏置开关管M32的第一端通过第一电感L31与供电电源端Vbatt相连。

其中，第一电感L31是设置在供电电源端Vbatt和偏置开关管之间的电感。

作为一示例，第一偏置开关管M31的第一端通过第一电感L31与供电电源端Vbatt相连，且第二偏置开关管M32的第一端通过第一电感L31与供电电源端Vbatt相连，使得偏置电路3中，两个偏置开关管共用第一电感L31和供电电源端Vbatt，可减少电路中的元器件数量，有助于节省占用面积；第一电感L31的设置，可达到稳压效果。

本示例中，由于第一偏置支路31和第二偏置支路32设置第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线的两侧，可有助于保证电路的平衡性和稳定性。因此，可将共用的供电电源端Vbatt和第一电感L31串联，设置在第一偏置开关管M31和第二偏置开关管M32的中间位置，具体可设置在述第一巴伦1的线圈11中间位置的轴线上，有助于保证电路的平衡性和稳定性。

在一实施例中，如图6所示，偏置电路3还包括信号源端Iref和分压电路33；分压电路33的一端与信号源端Iref相连，另一端接地；第一偏置开关管M31的第三端耦合至信号源端Iref；第二偏置开关管M32的第三端耦合至信号源端Iref。

其中，信号源端Iref是用于产生和发出信号的源端。分压电路33是用于实现分压功能的电路。作为一示例，分压电路33可以为两个串联的二极管所形成的具有分压功能的电路。

作为一示例，偏置电路3还包括信号源端Iref和分压电路33；分压电路33的一端与信号源端Iref相连，另一端接地，即信号源端Iref通过分压电路33接地，以使分压电路33起到分压效果。

作为一示例，第一偏置开关管M31的第一端与供电电源端Vbatt相连，第一偏置开关管M31的第二端与第一放大晶体管M21的输入端相连，第一偏置开关管M31的第三端耦合至信号源端Iref，即第一偏置开关管M31的第三端与信号源端Iref和分压电路33之间的连接节点相连，以根据信号源端Iref输出的信号，控制第一偏置开关管M31的导通。

作为一示例，第二偏置开关管M32的第一端与供电电源端Vbatt相连，第二偏置开关管M32的第二端与第二放大晶体管M22的输入端相连，第二偏置开关管M32的第三端耦合至信号源端Iref，即第二偏置开关管M32的第三端与信号源端Iref和分压电路33之间的连接节点相连，以根据信号源端Iref输出的信号，控制第二偏置开关管M32的导通。

可理解地，第一偏置支路31和第二偏置支路32，共用同一信号源端Iref和分压电路33，可减少电路中的元器件数量，有助于节省占用面积。

进一步地，偏置电路3还包括稳压电阻R31，稳压电阻R31设置在信号源端Iref和分压电路33之间。第一偏置开关管M31的第三端与稳压电阻R31和分压电路33之间的连接节点相连，可使信号源端Iref输出的信号通过稳压电阻R31传输给第一偏置开关管M31，以控制第一偏置开关管M31的导通。第二偏置开关管M32的第三端与稳压电阻R31和稳压电阻R31之间的连接节点相连，可使信号源端Iref输出的信号通过稳压电阻R31传输给第二偏置开关管M32，以控制第二偏置开关管M32的导通。本示例中，第一偏置支路31和第二偏置支路32，共用同一信号源端Iref、稳压电阻R31和分压电路33，可减少电路中的元器件数量，有助于节省占用面积，且稳压电阻R31具有稳压功能，可保证电路的稳定性。

进一步地，偏置电路3还包括第一电容C31和第二电容C32。第一电容C31的第一端耦合至第一偏置开关管M31的第三端，另一端接地。第二电容C32的第一端耦合至第二偏置开关管M32的第三端，另一端接地。本示例中，第一电容C31和第二电容C32具有滤波和稳压效果。

本发明实施例提供一种电子设备，包括上述射频前端模组。该射频前端模组中，偏置电路3设置在第一巴伦1的线圈11缠绕形成的磁芯区域12内，以使偏置电路3和第一巴伦1的整体占用面积较小，可满足集成化和小型化需求。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种射频前端模组，其特征在于，包括第一巴伦、与所述第一巴伦相连的差分放大电路、与所述差分放大电路的输入端相连的偏置电路，所述偏置电路设置在所述第一巴伦的线圈缠绕形成的磁芯区域。

2.如权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述差分放大电路，被配置为对输入射频信号进行处理，输出第一差分放大信号和第二差分放大信号；

所述偏置电路包括第一偏置支路和第二偏置支路；

所述第一偏置支路和所述第二偏置支路，被配置为使所述第一差分放大信号和所述第二差分放大信号之间的相位差为[170°，190°]。

3.如权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述偏置电路包括第一偏置支路和第二偏置支路；

所述第一偏置支路和所述第二偏置支路，分别设置所述第一巴伦的线圈中间位置的轴线的两侧。

4.如权利要求3所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一偏置支路和所述第二偏置支路，对称设置所述第一巴伦的线圈中间位置的轴线的两侧。

5.如权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述偏置电路包括第一偏置支路和第二偏置支路；

所述差分放大电路包括第一放大晶体管和第二放大晶体管，所述第一放大晶体管的输入端与所述第一偏置支路的输出端相连，所述第二放大晶体管的输入端与所述第二偏置支路的输出端相连。

6.如权利要求5所述的射频前端模组，其特征在于，所述偏置电路、所述第一巴伦、所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管设置在第一芯片上，所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管分别设置所述第一巴伦的线圈中间位置的轴线的两侧。

7.如权利要求5所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一放大晶体管的输入端与所述第一偏置支路的输出端之间的传输线长度，与所述第二放大晶体管的输入端与所述第二偏置支路的输出端之间的传输线长度之间的差值，被配置为小于预设差值。

8.如权利要求6所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管，对称设置所述第一巴伦的线圈中间位置的轴线的两侧。

9.如权利要求5-8任一项所述的射频前端模组，其特征在于，

所述第一偏置支路包括第一偏置开关管，所述第一偏置开关管的第一端与供电电源端相连，所述第一偏置开关管的第二端与所述第一放大晶体管的输入端相连；

所述第二偏置支路包括第二偏置开关管，所述第二偏置开关管的第一端与所述供电电源端相连，所述第二偏置开关管的第二端与所述第二放大晶体管的输入端相连。

10.如权利要求9所述的射频前端模组，其特征在于，所述偏置电路还包括第一电感；

所述第一偏置开关管的第一端通过所述第一电感与所述供电电源端相连；

所述第二偏置开关管的第一端通过所述第一电感与所述供电电源端相连。

11.如权利要求9所述的射频前端模组，其特征在于，所述偏置电路还包括信号源端和分压电路；

所述分压电路的一端与所述信号源端相连，另一端接地；

所述第一偏置开关管的第三端耦合至所述信号源端；

所述第二偏置开关管的第三端耦合至所述信号源端。

12.如权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述差分放大电路的第一输出端与所述第一巴伦的第一输入端连接，所述差分放大电路的第二输出端与所述第一巴伦的第二输入端连接，

或者，所述差分放大电路的第一输入端与所述第一巴伦的第一输出端连接，所述差分放大电路的第二输入端与所述第一巴伦的第二输出端连接。

13.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的射频前端模组。