CN217957047U - 巴伦结构及射频前端模组 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种巴伦结构及射频前端模组，巴伦结构包括初级绕组和次级绕组，初级绕组包括多个初级线圈段，次级绕组包括多个次级线圈段；多个初级线圈段分别设置在自上而下依次设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层上，多个次级线圈段分别设置在第一金属层和第三金属层上；位于第一金属层的初级线圈段和次级线圈段同层耦合；位于第三金属层的初级线圈段和次级线圈段同层耦合；位于第二金属层的初级线圈段，与位于第一金属层和第三金属层的次级线圈段上下层耦合。本技术方案实现同时保证巴伦结构的耦合度和巴伦结构的品质因子。

Description

巴伦结构及射频前端模组

技术领域

本实用新型涉及射频技术领域，尤其涉及一种巴伦结构及射频前端模组。

背景技术

巴伦结构可以经由在初级绕组和次级绕组中流动的交变电流产生的磁通量，以一定的耦合系数将初级电路电磁耦合至次级电路。随着无线通信技术的发展，用于无线通信的RFIC可以包括支持5G的巴伦结构。

然而，现在的巴伦结构为了保证初级绕组和次级绕组之间的耦合度，往往会导致巴伦结构的品质因子(Q)值过低，从而影响巴伦结构的整体性能。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种巴伦结构及射频前端模组，以解决无法巴伦无法兼容耦合度和品质因子的问题。

一种巴伦结构，包括初级绕组和次级绕组，所述初级绕组包括多个初级线圈段，所述次级绕组包括多个次级线圈段；

所述多个初级线圈段分别设置在自上而下依次设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层上，所述多个次级线圈段分别设置在所述第一金属层和所述第三金属层上；

位于所述第一金属层的所述初级线圈段和所述次级线圈段同层耦合；位于所述第三金属层的所述初级线圈段和所述次级线圈段同层耦合；位于所述第二金属层的所述初级线圈段，与位于所述第一金属层和所述第三金属层的所述次级线圈段上下层耦合。

进一步地，多个所述初级线圈段包括第一初级线圈段、第二初级线圈段和第三初级线圈段；多个所述次级线圈段包括第一次级线圈段和第二次级线圈段；

所述第一初级线圈段位于所述第一金属层、所述第二初级线圈段位于所述第二金属层、所述第三初级线圈段位于所述第三金属层；

所述第一次级线圈段位于所述第一金属层，所述第二次级线圈段位于所述第三金属层；

所述第一初级线圈段与所述第一次级线圈段同层耦合，所述第三初级线圈段与所述第二次级线圈段同层耦合，所述第二初级线圈段分别与所述第一次级线圈段和所述第二次级线圈段上下层耦合。

进一步地，所述第一初级线圈段与部分所述第二初级线圈段并联，所述第三初级线圈段与另一部分所述第二初级线圈段并联；所述第一次级线圈段和所述第二次级线圈段串联。

进一步地，所述第一金属层上设有第一焊盘；所述第二初级线圈段长度的二分之一处通过第一传输线与所述第一焊盘相连，所述第一初级线圈段的第一端与所述第一焊盘相连，所述第一初级线圈段的第二端与所述第二初级线圈段的第一端相连；所述第三初级线圈段的第一端与所述第一焊盘相连，所述第三初级线圈段的第二端与所述第二初级线圈段的第二端相连。

进一步地，所述第一焊盘，被配置为与第一供电电源端相连。

进一步地，所述第一初级线圈段与部分的所述第一次级线圈段同层耦合；所述第三初级线圈段，与部分的所述第二次级线圈段同层耦合。

进一步地，所述第一初级线圈段在所述第二金属层上的投影与所述第三初级线圈段在所述第二金属层上的投影对称。

进一步地，所述初级绕组与所述次级绕组的匝数比的范围为2至3.5。

进一步地，所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层为基板上的金属层。

一种射频前端模组，包括基板和设置在所述基板上的如上述的巴伦结构。

上述巴伦结构及射频前端模组，巴伦结构包括初级绕组和次级绕组，初级绕组包括多个初级线圈段，次级绕组包括多个次级线圈段。多个初级线圈段分别设置在自上而下依次设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层上，多个次级线圈段分别设置在第一金属层和第三金属层上。位于第一金属层的初级线圈段和次级线圈段同层耦合，位于第三金属层的初级线圈段和次级线圈段同层耦合。位于第二金属层的初级线圈段，与位于第一金属层和第三金属层的次级线圈段上下层耦合。在本申请中，通过使位于第一金属层的初级线圈段和次级线圈段同层耦合，使位于第三金属层的初级线圈段和次级线圈段同层耦合，并使位于第二金属层的初级线圈段与位于第一金属层和位于第三金属层的次级线圈段上下层耦合，从而保证巴伦结构的耦合度，且由于第二金属层未额外设置次级线圈段，从而能够增加巴伦结构的磁通量，并减小巴伦结构的整体损耗，以保证巴伦结构的品质因数(Q)值，从而实现在保证巴伦结构的耦合度的同时还能保证巴伦结构的品质因数(Q)值。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型一实施例中巴伦结构的一电路示意图；

图2是本实用新型一实施例中巴伦结构的另一电路示意图。

图中：1、初级绕组；11、第一初级线圈段；12、第二初级线圈段；13、第三初级线圈段；2、次级绕组；21、第一次级线圈段；22、第二次级线圈段； 30、基板；31、第一金属层；32、第二金属层；33、第三金属层；34、第一焊盘。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应当理解的是，本实用新型能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本实用新型的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本实用新型教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本实用新型的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/ 或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本实用新型，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本实用新型提出的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本实用新型还可以具有其他实施方式。

本实施例提供一种巴伦结构，该巴伦结构可应用在射频前端模组中，该射频前端模组包括但不限于基板30和设置在基板30上的第一芯片。可选地，该巴伦结构可以设置在基板30上，也可以设置在第一芯片内。该第一芯片包括射频放大电路。可选地，该射频放大电路包括但不限于差分放大电路、多尔蒂功率放大电路或其他需要进行射频信号合成或阻抗转换的放大电路。可选地，该巴伦结构可以作为输入级巴伦、中间级巴伦或输出级巴伦应用在射频放大电路中。该巴伦结构能够保证一定的耦合度，同时具有较好的品质因子，从而在应用到射频前端模组中时，提高射频前端模组的整体性能。

本实施例提供一种巴伦结构，如图1和图2所示，包括初级绕组1和次级绕组2，初级绕组1包括多个初级线圈段，次级绕组2包括多个次级线圈段；多个初级线圈段分别设置在自上而下依次设置的第一金属层31、第二金属层 32和第三金属层33上，多个次级线圈段分别设置在第一金属层31和第三金属层33上；位于第一金属层31的初级线圈段和次级线圈段同层耦合；位于第三金属层33的初级线圈段和次级线圈段同层耦合；位于第二金属层32的初级线圈段，与位于第一金属层31和第三金属层33的次级线圈段上下层耦合。

在一具体实施例中，巴伦结构包括相互耦合的初级绕组1和次级绕组2。该初级绕组1包括多个初级线圈段，多个初级线圈段设置在不同的金属层。多个初级线圈段该次级绕组2包括多个次级线圈段，多个次级线圈段设置在不同的金属层。

具体地，该不同的金属层包括自上而下依次设置的第一金属层31、第二金属层32和第三金属层33。可选地，该第一金属层31、第二金属层32和第三金属层33可以是基板30上的金属层，也可以是第一芯片上的金属层。

在一具体实施例中，多个初级线圈段分别设置在自上而下依次设置的第一金属层31、第二金属层32和第三金属层33上，多个次级线圈段分别设置在第一金属层31和第三金属层33上。其中，位于第一金属层31的初级线圈段和次级线圈段同层耦合，位于第三金属层33的初级线圈段和次级线圈段同层耦合。位于第二金属层32的初级线圈段，与位于第一金多个初级线圈段分别设置在第一金属层31、第二金属层32和第三金属层33，多个次级线圈段分别设置在第一金属层31和第三金属层33，本申请通过使位于第一金属层 31的初级线圈段和次级线圈段同层耦合，使位于第三金属层33的初级线圈段和次级线圈段同层耦合，并使位于第二金属层32的初级线圈段与位于第一金属层31和位于第三金属层33的次级线圈段上下层耦合，从而能够保证巴伦结构的耦合度，且由于第二金属层32未额外设置次级线圈段，从而能够避免巴伦结构的线圈匝数数量过多和减小巴伦结构的整体占用面积，进而增加巴伦结构的磁通量和减小巴伦结构的整体损耗，以达到保证巴伦结构的品质因子的目的，从而实现同时保证巴伦结构的耦合度和品质因子。

在本实施例中，巴伦结构包括初级绕组1和次级绕组2，初级绕组1包括多个初级线圈段，次级绕组2包括多个次级线圈段。多个初级线圈段分别设置在自上而下依次设置的第一金属层31、第二金属层32和第三金属层33上，多个次级线圈段分别设置在第一金属层31和第三金属层33上。位于第一金属层31的初级线圈段和次级线圈段同层耦合，位于第三金属层33的初级线圈段和次级线圈段同层耦合。位于第二金属层32的初级线圈段，与位于第一金属层31和第三金属层33的次级线圈段上下层耦合。在本申请中，通过使位于第一金属层31的初级线圈段和次级线圈段同层耦合，使位于第三金属层 33的初级线圈段和次级线圈段同层耦合，并使位于第二金属层32的初级线圈段与位于第一金属层31和位于第三金属层33的次级线圈段上下层耦合，从而能够保证巴伦结构的耦合度，且由于第二金属层32未额外设置次级线圈段，从而能够避免巴伦结构的线圈匝数数量过多和减小巴伦结构的整体占用面积，进而增加巴伦结构的磁通量和减小巴伦结构的整体损耗，以达到保证巴伦结构的品质因子的目的，从而实现同时保证巴伦结构的耦合度和品质因子。

在一实施例中，如图1和图2所示，多个初级线圈段包括第一初级线圈段11、第二初级线圈段12和第三初级线圈段13；多个次级线圈段包括第一次级线圈段21和第二次级线圈段22；第一初级线圈段11位于第一金属层31、第二初级线圈段12位于第二金属层32、第三初级线圈段13位于第三金属层 33；第一次级线圈段21位于第一金属层31，第二次级线圈段22位于第三金属层33；第一初级线圈段11与第一次级线圈段21同层耦合，第三初级线圈段13与第二次级线圈段22同层耦合，第二初级线圈段12分别与第一次级线圈段21和第二次级线圈段22上下层耦合。

可选地，第一初级线圈段11与第一次级线圈段21的同层耦合，以及第三初级线圈段13与第二次级线圈段22的同层耦合可以是部分耦合，也可以是全部耦合。作为一示例，若第一初级线圈段11与第一次级线圈段21的同层耦合，以及第三初级线圈段13与第二次级线圈段22的同层耦合为部分耦合，由于第一初级线圈段11与第一次级线圈段21的耦合，以及第三初级线圈段13与第二次级线圈段22的耦合仅为部分耦合，因此巴伦结构的线圈匝数数量相对较少，磁通量较大，从而可以减小巴伦结构的损耗，进而保证巴伦结构品质因子。在本实施例中，该巴伦结构优选作为输出级巴伦，设置在基板30的上，由于本实施例中的巴伦结构不但可以保证耦合度，还能保证品质因子，因此应用在射频放大电路中作为输出级巴伦可以保证射频放大电路的输出功率。

作为另一示例，若第一初级线圈段11与第一次级线圈段21的同层耦合，以及第三初级线圈段13与第二次级线圈段22的同层耦合为全部耦合，则可以将巴伦结构作为输入级巴伦或中间级巴伦，设置在第一芯片内。虽然使第一初级线圈段11与第一次级线圈段21的同层耦合，以及第三初级线圈段13 与第二次级线圈段22的同层耦合为全部耦合会使巴伦结构的线圈匝数数量相对较多，但是将由于巴伦结构设置在第一芯片，因此同样能够保证巴伦结构的品质因子。相比于在第二金属层32上设置次级线圈段，将第一初级线圈段 11与第一次级线圈段21的全部耦合，以及将第三初级线圈段13与第二次级线圈段22全部耦合的巴伦结构，本实施例中的巴伦结构依旧能够提高巴伦结构的品质因子和耦合度。需要说明的是，虽然第一初级线圈段11与第一次级线圈段21的同层耦合，以及第三初级线圈段13与第二次级线圈段22的同层耦合为全部耦合会使巴伦结构的线圈匝数数量相对较多，从而增加一定的功率损耗，但是由于巴伦结构作为输入级巴伦或中间级巴伦，因此，可以通过调整射频放大电路中的后级放大电路来弥补损失的功率。

在一具体实施例中，第二初级线圈段12分别与第一次级线圈段21和第二次级线圈段22上下层耦合。在本实施例中，通过使第二初级线圈段12分别与第一次级线圈段21和第二次级线圈段22在垂直方向上的投影至少部分充电，便能够使第二初级线圈段12分别与第一次级线圈段21和第二次级线圈段22上下层耦合。

在本实施例中，多个初级线圈段包括第一初级线圈段11、第二初级线圈段12和第三初级线圈段13；多个次级线圈段包括第一次级线圈段21和第二次级线圈段22；第一初级线圈段11位于第一金属层31、第二初级线圈段12 位于第二金属层32、第三初级线圈段13位于第三金属层33；第一次级线圈段21位于第一金属层31，第二次级线圈段22位于第三金属层33；第一初级线圈段11与第一次级线圈段21同层耦合，第三初级线圈段13与第二次级线圈段22同层耦合，第二初级线圈段12分别与第一次级线圈段21和第二次级线圈段22上下层耦合。本申请通过使第一初级线圈段11位于第一金属层31、第二初级线圈段12位于第二金属层32、第三初级线圈段13位于第三金属层 33，并使第一次级线圈段21位于第一金属层31，第二次级线圈段22位于第三金属层33，从而能够保证巴伦结构的耦合度，且由于第二金属层32未额外设置次级线圈段，从而能够避免巴伦结构的线圈匝数数量过多和减小巴伦结构的整体占用面积，进而增加巴伦结构的磁通量和减小巴伦结构的整体损耗，以达到保证巴伦结构的品质因子的目的，从而实现同时保证巴伦结构的耦合度和品质因子。

在一实施例中，第一初级线圈段11与部分第二初级线圈段12并联，第三初级线圈段13与另一部分第二初级线圈段12并联；第一次级线圈段21和第二次级线圈段22串联。

在一具体实施中，第一初级线圈段11与部分第二初级线圈段12并联，第三初级线圈段13与另一部分第二初级线圈段12并联。在本实施例中，通过将第一初级线圈段11与部分第二初级线圈段12并联，并将第三初级线圈段13与另一部分第二初级线圈段12并联，从而保证巴伦结构的平衡性。

在一具体实施例中，第一次级线圈段21的第一端为次级绕组2的第一端，第一次级线圈段21的第一端与第二次级线圈段22的第一端相连，第二次级线圈段22的第二端为次级绕组2的第二端。可选地，第一金属层31中的第一次级线圈段21的第一端与第二金属层32中的第二次级线圈段22的第一端通过金属层上的第一通孔相连。

在一实施例中，第一金属层31上设有第一焊盘34；第二初级线圈段12 长度的二分之一处通过第一传输线与第一焊盘34相连，第一初级线圈段11 的第一端与第一焊盘34相连，第一初级线圈段11的第二端与第二初级线圈段12的第一端相连；第三初级线圈段13的第一端与第一焊盘34相连，第三初级线圈段13的第二端与第二初级线圈段12的第二端相连。

在一具体实施例中，第二初级线圈段12长度的二分之一处通过第一传输线与第一焊盘34相连。可选地，该第二初级线圈段12长度的二分之一处通过第一传输线，连接金属层上的第二通孔，第一焊盘34与第二通孔电连接。第一初级线圈段11的第一端与第一焊盘34通过金属层上的第二通孔相连，第一初级线圈段11的第二端与第二初级线圈段12的第一端通过金属层上的第三通孔相连；第三初级线圈段13的第一端与第一焊盘34通过金属层上的第二通孔相连，第三初级线圈段13的第二端与第二初级线圈段12的第二端通过金属层上的第四通孔相连。可选地，第一金属层31上还设有第二焊盘和第三焊盘，第二焊盘与第三通孔相连，被配置为初级绕组1的第一端，第三焊盘与第四通孔相连，被配置为初级绕组1的第二端。

在本实施例中，将第二初级线圈段12长度的二分之一处通过第一传输线与第一焊盘34相连，并将第一初级线圈段11的第一端与第一焊盘34相连，将第一初级线圈段11的第二端与第二初级线圈段12的第一端相连，将第三初级线圈段13的第一端与第一焊盘34相连，将第三初级线圈段13的第二端与第二初级线圈段12的第二端相连，从而使巴伦结构能够具有较好的平衡性。

在一实施例中，第一焊盘34，被配置为与第一供电电源端相连。

在本实施例中，在巴伦结构应用在射频前端模组时，通过将第一焊盘34 被配置为与第一供电电源端相连，则能够通过巴伦结构，向射频放大电路中的功率放大器供电。可选地，第一焊盘34还可以用于连接射频放大电路中的谐波抑制电路，该谐波抑制电路能够抑制射频放大电路中的谐波信号。

在一实施例中，第一初级线圈段11与部分的第一次级线圈段21同层耦合；第三初级线圈段13，与部分的第二次级线圈段22同层耦合。

在一具体实施例中，第一初级线圈段11与部分的第一次级线圈段21同层耦合，第三初级线圈段13，与部分的第二次级线圈段22同层耦合。在本实施例中，通过将第一初级线圈段11与部分的第一次级线圈段21同层耦合，即使第一初级线圈段11与第一次级线圈段21的侧边耦合，并将第三初级线圈段13与部分的第二次级线圈段22同层耦合，即使第三初级线圈段13与第二次级线圈段22侧边耦合，能够减少巴伦结构的线圈匝数数量，从而进而增加巴伦结构的磁通量，并减小巴伦结构的整体损耗，以保证巴伦结构的品质因子。

在一实施例中，第一初级线圈段11在第二金属层32上的投影与第三初级线圈段13在第二金属层32上的投影对称。

可选地，以第一通孔为起点，第一次级线圈段21与第二次级线圈段22 的布线方向相反，布线方向包括顺时针方向和逆时针方向。示例性地，以第一通孔为起点，第一次级线圈段21的布线方向为顺时针方向，以第一通孔为起点，第二次级线圈段22的布线方向为逆时针方向。或者，以第一通孔为起点，第一次级线圈段21的布线方向为逆时针方向，以第一通孔为起点，第二次级线圈段22的布线方向为顺时针方向，以便于第一初级线圈段11在第二金属层32上的投影与第三初级线圈段13在第二金属层32上的投影对称。

可选地，第一次级线圈段21、第二次级线圈段22和第二初级线圈段12 的布线图形可以呈八边形，也可以呈圆形，具体可根据实际需求进行选择。

在本实施例中，通过使第一初级线圈段11在第二金属层32上的投影与第三初级线圈段13在第二金属层32上的投影对称，即使第一初级线圈段11 长度与第三初级线圈段13长度相同，从而能够使初级绕组1第一端的相位和第二端的相位差更接近理想的180度，从而提高巴伦结构的平衡性。

在一实施例中，初级绕组1与次级绕组2的匝数比的范围为2至3.5。

在本实施例中，由于初级绕组1与次级绕组2的匝数比与巴伦结构的阻抗转换能力相关，例如当巴伦结构作为输出级巴伦时，初级绕组1与次级绕组2的匝数比过大，则会导致射频放大电路的负载阻抗越小，初级绕组1与次级绕组2的匝数比过小，则导致巴伦结构无法实现阻抗匹配，因此，通过使初级绕组1与次级绕组2的匝数比的范围为2至3.5，从而实现较好的输出负载阻抗匹配。

在一实施例中，第一金属层31、第二金属层32和第三金属层33为基板 30上的金属层。

在本实施例中，通过将多个初级线圈段分别设置在基板30的第一金属层 31、第二金属层32和第三金属层33上，多个次级线圈段分别设置在基板30 的第一金属层31和第三金属层33上，可以将该巴伦结构作为输出级巴伦，设置在基板30的上，以保证射频放大电路输出功率。

本实施例提供一种射频前端模组，包括基板30和设置在基板30上的如上述的巴伦结构。

以上所述实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种巴伦结构，其特征在于，包括初级绕组和次级绕组，所述初级绕组包括多个初级线圈段，所述次级绕组包括多个次级线圈段；

所述多个初级线圈段分别设置在自上而下依次设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层上，所述多个次级线圈段分别设置在所述第一金属层和所述第三金属层上；

位于所述第一金属层的所述初级线圈段和所述次级线圈段同层耦合；位于所述第三金属层的所述初级线圈段和所述次级线圈段同层耦合；位于所述第二金属层的所述初级线圈段，与位于所述第一金属层和所述第三金属层的所述次级线圈段上下层耦合。

2.如权利要求1所述的巴伦结构，其特征在于，多个所述初级线圈段包括第一初级线圈段、第二初级线圈段和第三初级线圈段；多个所述次级线圈段包括第一次级线圈段和第二次级线圈段；

所述第一初级线圈段位于所述第一金属层、所述第二初级线圈段位于所述第二金属层、所述第三初级线圈段位于所述第三金属层；

所述第一次级线圈段位于所述第一金属层，所述第二次级线圈段位于所述第三金属层；

所述第一初级线圈段与所述第一次级线圈段同层耦合，所述第三初级线圈段与所述第二次级线圈段同层耦合，所述第二初级线圈段分别与所述第一次级线圈段和所述第二次级线圈段上下层耦合。

3.如权利要求2所述的巴伦结构，其特征在于，所述第一初级线圈段与部分所述第二初级线圈段并联，所述第三初级线圈段与另一部分所述第二初级线圈段并联；所述第一次级线圈段和所述第二次级线圈段串联。

4.如权利要求3所述的巴伦结构，其特征在于，所述第一金属层上设有第一焊盘；所述第二初级线圈段长度的二分之一处通过第一传输线与所述第一焊盘相连，所述第一初级线圈段的第一端与所述第一焊盘相连，所述第一初级线圈段的第二端与所述第二初级线圈段的第一端相连；所述第三初级线圈段的第一端与所述第一焊盘相连，所述第三初级线圈段的第二端与所述第二初级线圈段的第二端相连。

5.如权利要求4所述的巴伦结构，其特征在于，所述第一焊盘，被配置为与第一供电电源端相连。

6.如权利要求2所述的巴伦结构，其特征在于，所述第一初级线圈段与部分的所述第一次级线圈段同层耦合；所述第三初级线圈段，与部分的所述第二次级线圈段同层耦合。

7.如权利要求2所述的巴伦结构，其特征在于，所述第一初级线圈段在所述第二金属层上的投影与所述第三初级线圈段在所述第二金属层上的投影对称。

8.如权利要求1所述的巴伦结构，其特征在于，所述初级绕组与所述次级绕组的匝数比的范围为2至3.5。

9.如权利要求1所述的巴伦结构，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层和所述第三金属层为基板上的金属层。

10.一种射频前端模组，其特征在于，包括基板和设置在所述基板上的如权利要求1至9任一项所述的巴伦结构。

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