CN113871136A - 耦合器及射频前端模组 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种耦合器及射频前端模组，该耦合器包括信号传输线圈和耦合线圈，信号传输线圈包括自上而下设置在第一金属层、第二金属层和第三金属层的第一信号线圈段、第二信号线圈段和第三信号线圈段；耦合线圈包括自上而下设置在第一金属层、第二金属层和第三金属层的第一耦合线圈段、第二耦合线圈段和第三耦合线圈段；第一信号线圈段与第一耦合线圈段耦合，形成第一线圈；第二信号线圈段与第二耦合线圈段耦合，形成第二线圈；第三信号线圈段与第三耦合线圈段耦合，形成第三线圈。本技术方案的耦合器的特性阻抗减小了，便于耦合器进行阻抗匹配。

Description

耦合器及射频前端模组

技术领域

本发明涉及射频放大技术领域，尤其涉及一种耦合器及射频前端模组。

背景技术

耦合器作为射频前端系统中的重要器件，能够将射频功率放大器的输出功率耦合一部分出来，并经过检波器将这部分功率转换为直流电压信号，以实现射频功率放大器的输出功率的检测。然而，由于现有的耦合器一般只有固定的阻抗特性，从而使得耦合器在射频前端系统中的推广使用存在较大的局限性。

发明内容

本发明实施例提供一种耦合器及射频前端模组，以解决现有的耦合器无法实现较好的阻抗匹配的问题。

一种耦合器，包括信号传输线圈和耦合线圈，所述信号传输线圈包括自上而下设置在第一金属层、第二金属层和第三金属层的第一信号线圈段、第二信号线圈段和第三信号线圈段；所述耦合线圈包括自上而下设置在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的第一耦合线圈段、第二耦合线圈段和第三耦合线圈段；

所述第一信号线圈段与所述第一耦合线圈段耦合，形成第一线圈；所述第二信号线圈段与所述第二耦合线圈段耦合，形成第二线圈；所述第三信号线圈段与所述第三耦合线圈段耦合，形成第三线圈；

所述第二信号线圈段的第二端与所述第三信号线圈段的第二端和所述第一信号线圈段的第二端相连；所述第二耦合线圈段的第二端与所述第三耦合线圈段的第二端与所述第一耦合线圈段的第二端相连；

其中，所述第三信号线圈段的第一端与所述第一信号线圈段的第一端相连，所述第三信号线圈段的第二端与所述第一信号线圈段的第二端相连，所述第三耦合线圈段的第一端与所述第一耦合线圈段的第一端相连，所述第三耦合线圈段的第二端与所述第一耦合线圈段的第二端相连。

进一步地，所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈在垂直方向上的投影部分重叠。

进一步地，所述第二信号线圈段与所述第一耦合线圈段和所述第三耦合线圈段耦合，所述第二耦合线圈与所述第一信号线圈段和所述第三信号线圈段耦合。

进一步地，以所述第一信号线圈段的第一端为起点，所述第一信号线圈段的布线方向为第一方向，以所述第一耦合线圈段的第一端为起点，所述第一耦合线圈段的布线方向为第一方向；

以所述第二信号线圈段的第一端为起点，所述第二信号线圈段的布线方向为第二方向，以所述第二耦合线圈段的第一端为起点，所述第二耦合线圈段段的布线方向为第二方向；

以所述第三信号线圈段的第一端为起点，所述第三信号线圈段的布线方向为第一方向，以所述第三耦合线圈段的第一端为起点，所述第一耦合线圈段的布线方向为第一方向；

所述第一方向与所述第二方向相反。

进一步地，所述第二信号线圈段的第一端为信号传输线圈的输入端口，所述第一信号线圈段的第一端为信号传输线圈的输出端口；所述第二耦合线圈段的第一端为耦合线圈的耦合端口，所述第一耦合线圈段的第一端为耦合线圈的隔离端口。

进一步地，所述信号传输线圈还包括自上而下设置在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的第四信号线圈段、第五信号线圈段和第六信号线圈段；所述耦合线圈还包括自上而下设置在所述第一金属层和所述第三金属层的第四耦合线圈段和第六耦合线圈段；

所述第四信号线圈段与所述第四耦合线圈段耦合；所述第二耦合线圈段一部分与所述第二信号线圈段耦合，另一部分所述第五信号线圈段耦合；所述第六信号线圈段与所述第六耦合线圈段耦合；

所述第二信号线圈段的第一端与所述第五信号线圈段的第一端相连，所述五信号线圈段的第二端与所述第四信号线圈段的第二端和所述第六信号线圈段的第二端相连；所述第二耦合线圈段的第一端与所述第四耦合线圈段的第二端与所述第六耦合线圈段的第二端相连；

其中，所述第六信号线圈段的第一端与所述第四信号线圈段的第一端相连，所述第六信号线圈段的第二端与所述第四信号线圈段的第二端相连，所述第六耦合线圈段的第一端与所述第四耦合线圈段的第一端相连，所述第六耦合线圈段的第二端与所述第四耦合线圈段的第二端相连。

进一步地，所述第五信号线圈段与所述第四耦合线圈段和所述第六耦合线圈段耦合，所述第二耦合线圈段与所述第四信号线圈段和所述第六信号线圈段耦合。

进一步地，以所述第一信号线圈段的第一端为起点，所述第一信号线圈段的布线方向为第一方向，以所述第一耦合线圈段的第一端为起点，所述第一耦合线圈段的布线方向为第一方向；

以所述第四信号线圈段的第一端为起点，所述第四信号线圈段的布线方向为第二方向，以所述第四耦合线圈段的第一端为起点，所述第四耦合线圈段的布线方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向相反；

以所述第三耦合线圈段第一端为起点，所述第三耦合线圈段的一部分布线方向为所述第一方向，以所述第三耦合线圈段第二端为起点，所述第三耦合线圈段的另一部分布线方向为所述第二方向；以所述第二信号线圈段的第二端为起点，所述第二信号线圈段的布线方向为所述第一方向，以所述第五信号线圈段的第二端为起点，所述第五信号线圈段的布线方向为所述第二方向；

以所述第三信号线圈段的第一端为起点，所述第三信号线圈段的布线方向为所述第一方向，以所述第三耦合线圈段的第一端为起点，所述第三耦合线圈段的布线方向为所述第一方向；以所述第六信号线圈段的第一端为起点，所述第六信号线圈段的布线方向为所述第二方向，以所述第六耦合线圈段的第一端为起点，所述第六耦合线圈段的布线方向为所述第二方向。

进一步地，所述第一方向为顺时针方向，所述第二方向为逆时针方向，或者，所述第一方向为逆时针方向，所述第二方向为顺时针方向。

进一步地，所述第四信号线圈段的第一端为信号传输线圈的输入端口，所述第一信号线圈段为所述信号传输线圈的输出端口；所述第四耦合线圈段的第一端为耦合线圈的耦合端口，所述第一耦合线圈段的第一端为所述耦合线圈的隔离端口。

进一步地，所述第二信号线圈段的第一端与所述第五信号线圈段的第一端通过桥接线连接。

一种射频前端模组，包括上述的耦合器。

进一步地，射频前端模组还包括第一级功率放大器和第二级功率放大器，所述耦合器的输入端与所述第一级功率放大器的输出端连接，所述耦合器的输出端与所述第二级功率放大器的输入端连接。

上述耦合器及射频前端模组，耦合器包括信号传输线圈和耦合线圈，信号传输线圈包括自上而下设置在第一金属层、第二金属层和第三金属层的第一信号线圈段、第二信号线圈段和第三信号线圈段；耦合线圈包括自上而下设置在第一金属层、第二金属层和第三金属层的第一耦合线圈段、第二耦合线圈段和第三耦合线圈段；第一信号线圈段与第一耦合线圈段耦合，形成第一线圈；第二信号线圈段与第二耦合线圈段耦合，形成第二线圈；第三信号线圈段与第三耦合线圈段耦合，形成第三线圈；第二信号线圈段的第二端与第三信号线圈段的第二端和第一信号线圈段的第二端相连；第二耦合线圈段的第二端与第三耦合线圈段的第二端与第一耦合线圈段的第二端相连；其中，第三信号线圈段的第一端与第一信号线圈段的第一端相连，第三信号线圈段的第二端与第一信号线圈段的第二端相连，第三耦合线圈段的第一端与第一耦合线圈段的第一端相连，第三耦合线圈段的第二端与第一耦合线圈段的第二端相连。本申请通过将信号传输线圈中的第一信号线圈段、第二信号线圈段和第三信号线圈段自上而下设置在第一金属层、第二金属层和第三金属层，并将耦合线圈中的第一耦合线圈段、第二耦合线圈段和第三耦合线圈段自上而下设置在第一金属层、第二金属层和第三金属层，且将第三信号线圈段和第一信号线圈段并联连接后与第二信号线圈段连接，以及将第三耦合线圈段和第一耦合线圈段并联连后与第二耦合线圈段连接，从而增大了耦合器的信号传输线圈和耦合线圈之间的寄生电容，在信号传输线圈和耦合线圈所在的金属层的间距不变的前提下，进而减小了耦合器的特性阻抗，便于耦合器参与所在电路的阻抗匹配，以进一步改善耦合器的带宽性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例中耦合器的一电路示意图；

图2是本发明一实施例中耦合器的另一电路示意图；

图3是本发明一实施例中耦合器的另一电路示意图；

图4是本发明一实施例中耦合器的另一电路示意图。

图中：10、信号传输线圈；11、第一信号线圈段；12、第二信号线圈段；13、第三信号线圈段；14、第四信号线圈段；15、第五信号线圈段；16、第六信号线圈段；20、耦合线圈；21、第一耦合线圈段；22、第二耦合线圈段；23、第三耦合线圈段；24、第四耦合线圈段；25、第六耦合线圈段；30、桥接线；41、第一金属层；42、第二金属层；43、第三金属层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

本实施例提供一种耦合器，如图1所示，包括信号传输线圈10和耦合线圈20，信号传输线圈10包括自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43的第一信号线圈段11、第二信号线圈段12和第三信号线圈段13；耦合线圈20包括自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43的第一耦合线圈段21、第二耦合线圈段22和第三耦合线圈段23；第一信号线圈段11与第一耦合线圈段21耦合，形成第一线圈；第二信号线圈段12与第二耦合线圈段22耦合，形成第二线圈；第三信号线圈段13与第三耦合线圈段23耦合，形成第三线圈；第二信号线圈段12的第二端与第三信号线圈段13的第二端和第一信号线圈段11的第二端相连；第二耦合线圈段22的第二端与第三耦合线圈段23的第二端与第一耦合线圈段21的第二端相连；其中，第三信号线圈段13的第一端与第一信号线圈段11的第一端相连，第三信号线圈段13的第二端与第一信号线圈段11的第二端相连，第三耦合线圈段23的第一端与第一耦合线圈段21的第一端相连，第三耦合线圈段23的第二端与第一耦合线圈段21的第二端相连。

在一具体实施例中，耦合器包括信号传输线圈10和耦合线圈20。该信号传输线圈10包括输入端口和输出端口。该耦合线圈20包括耦合端口和隔离端口。在一具体实施例中，耦合器中的信号传输线圈10和耦合线圈20可以设置在不同的金属层中。可选地，该不同的金属层可以是基板上的金属层或芯片上的金属层。作为优选地，该耦合器应用于射频前端模组中，具体地，耦合器设置在第一级功率放大器(图中未示出)和第二级功率放大器(图中未示出)之间，由于耦合器的特性阻抗减小了，从而可缓解第一级功率放大器和第二级功率放大器之间的阻抗转换压力。作为一示例，耦合器的输入端与第一级功率放大器的输出端连接，耦合器的输出端与第二级功率放大器的输入端连接，由于耦合器的特性阻抗减小了，因此，该耦合器便能够缓解第一级功率放大器输出端的较大阻抗转换成第二级功率放大器输入端的较小阻抗的阻抗转换压力。

在一具体实施例中，以将耦合器设置在芯片上的不同金属层为例进行示例性说明。在一应用场景中，耦合器设置在芯片上，该芯片包括自上而下设置的第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43，该第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43相邻设置。第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43之间的间距可以相同或者不同。在实际应用过程中，第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43之间的间距是预先固定设置好的。

作为优选地，第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43之间的间距相等。该耦合器中的信号传输线圈10包括第一信号线圈段11、第二信号线圈段12和第三信号线圈段13。第一信号线圈段11设置在第一金属层41，第二信号线圈段12设置在第二金属层42，第三信号线圈段13设置在第三金属层43。该耦合器中的耦合线圈20包括第一耦合线圈段21、第二耦合线圈段22和第三耦合线圈段23。第一耦合线圈段21设置在第一金属层41，第二耦合线圈段22设置在第二金属层42，第三耦合线圈段23设置在第三金属层43。需要说明的是，可根据实际需求选择信号传输线圈10中的第一信号线圈段11、第二信号线圈段12和第三信号线圈段13，以及耦合线圈20中第一耦合线圈段21、第二耦合线圈段22和第三耦合线圈段23的长度，在此不做限制。

作为优选地，第一信号线圈段11与第一耦合线圈段21的长度相同，第二信号线圈段12与第二耦合线圈段22的长度相同，第三信号线圈段13与第三耦合线圈段23的长度相同，以使耦合器的信号传输线圈10和耦合线圈20具有较高的耦合度。

在一具体实施例中，第一金属层41中的第一信号线圈段11与第一耦合线圈段21耦合，形成第一线圈；第二金属层42中的第二信号线圈段12与第二耦合线圈段22耦合，形成第二线圈；第三金属层43中的第三信号线圈段13与第三耦合线圈段23耦合，形成第三线圈。需要说明的是，本实施例不对第一信号线圈段11第一耦合线圈段21耦合形成第一线圈、第二信号线圈段12与第二耦合线圈段22耦合形成第二线圈、第三信号线圈段13与第三耦合线圈段23耦合形成第三线圈的具体布线方式做任何限定，可根据实际情况自定义设置。

其中，第二信号线圈段12的第二端与第三信号线圈段13的第二端和第一信号线圈段11的第二端相连；第二耦合线圈段22的第二端与第三耦合线圈段23的第二端与第一耦合线圈段21的第二端相连；第三信号线圈段13的第一端与第一信号线圈段11的第一端相连，第三信号线圈段13的第二端与第一信号线圈段11的第二端相连，第三耦合线圈段23的第一端与第一耦合线圈段21的第一端相连，第三耦合线圈段23的第二端与第一耦合线圈段21的第二端相连。如图2所示为耦合器的俯视图。

需要说明的是，在相关技术中，耦合器的信号传输线圈10和耦合线圈20仅设置在两层相邻的金属层中，该设置方式使得耦合器的特性阻抗较大，从而不利于耦合器进行阻抗转换，以实现阻抗匹配。为了解决上述问题，本实施例通过将信号传输线圈10中的第一信号线圈段11、第二信号线圈段12和第三信号线圈段13自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43，并将耦合线圈20中的第一耦合线圈段21、第二耦合线圈段22和第三耦合线圈段23自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43，且将第三信号线圈段13和第一信号线圈段11并联连接后与第二信号线圈段12连接，以及将第三耦合线圈段23和第一耦合线圈段21并联连后与第二耦合线圈段22连接，从而增大了耦合器的信号传输线圈10和耦合线圈20之间的寄生电容，同时，由于第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43之间的间距不变，即信号传输线圈10和耦合线圈20所在的金属层的间距L不变，如此，根据特性阻抗公式

可知，其中Z为特性阻抗，L为信号传输线圈10和耦合线圈20所在的金属层的间距，C为信号传输线圈10和耦合线圈20所在的金属层形成的寄生电容，在信号传输线圈10和耦合线圈20所在的金属层的间距L不变的前提下，信号传输线圈10和耦合线圈20所在的金属层形成的寄生电容C增大，则耦合器的特性阻抗Z减小，从而达到减小耦合器特性阻抗的目的，便于耦合器参与所在电路的阻抗匹配，以进一步改善耦合器的带宽性能。

在本实施例中，耦合器包括信号传输线圈10和耦合线圈20，信号传输线圈10包括自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43的第一信号线圈段11、第二信号线圈段12和第三信号线圈段13；耦合线圈20包括自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43的第一耦合线圈段21、第二耦合线圈段22和第三耦合线圈段23；第一信号线圈段11与第一耦合线圈段21耦合，形成第一线圈；第二信号线圈段12与第二耦合线圈段22耦合，形成第二线圈；第三信号线圈段13与第三耦合线圈段23耦合，形成第三线圈；第二信号线圈段12的第二端与第三信号线圈段13的第二端和第一信号线圈段11的第二端相连；第二耦合线圈段22的第二端与第三耦合线圈段23的第二端与第一耦合线圈段21的第二端相连；其中，第三信号线圈段13的第一端与第一信号线圈段11的第一端相连，第三信号线圈段13的第二端与第一信号线圈段11的第二端相连，第三耦合线圈段23的第一端与第一耦合线圈段21的第一端相连，第三耦合线圈段23的第二端与第一耦合线圈段21的第二端相连。本实施例通过将信号传输线圈10中的第一信号线圈段11、第二信号线圈段12和第三信号线圈段13自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43，并将耦合线圈20中的第一耦合线圈段21、第二耦合线圈段22和第三耦合线圈段23自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43，且将第三信号线圈段13和第一信号线圈段11并联连接后与第二信号线圈段12连接，以及将第三耦合线圈段23和第一耦合线圈段21并联连后与第二耦合线圈段22连接，从而增大了耦合器的信号传输线圈10和耦合线圈20之间的寄生电容，在信号传输线圈10和耦合线圈20所在的金属层的间距不变的前提下，进而减小了耦合器的特性阻抗，便于耦合器参与所在电路的阻抗匹配，以进一步改善耦合器的带宽性能。

在一实施例中，第一线圈、第二线圈和第三线圈在垂直方向上的投影部分重叠。

在本实施例中，第一线圈、第二线圈和第三线圈在垂直方向上的投影可以是部分重叠，即保证第一线圈、第二线圈和第三线圈在垂直方向上的投影部分重叠，便可以使第二线圈与第一线圈之间进行上下耦合，使第二线圈与第三线圈之间进行上下耦合，从而提高耦合器的传输线圈和耦合线圈20之间的耦合度。

在一实施例中，如图2所示，第二信号线圈段12与第一耦合线圈段21和第三耦合线圈段23耦合，第二耦合线圈20与第一信号线圈段11和第三信号线圈段13耦合。

在本实施例中，第一线圈、第二线圈和第三线圈在垂直方向上的投影部分重叠，使得第二线圈中的第二信号线圈段12能够与第一线圈中的第一耦合线圈段21和第三线圈中的第三耦合线圈段23进行上下耦合，使得第二线圈中的第二耦合线圈段22能够与第一线圈中的第一信号线圈段11和第三线圈中的第三信号线圈段13进行上下耦合，从而提高耦合器的传输线圈和耦合线圈20之间耦合度。

在一实施例中，如图2所示，以第一信号线圈段11的第一端为起点，第一信号线圈段11的布线方向为第一方向，以第一耦合线圈段21的第一端为起点，第一耦合线圈段21的布线方向为第一方向；以第二信号线圈段12的第一端为起点，第二信号线圈段12的布线方向为第二方向，以第二耦合线圈段22的第一端为起点，第二耦合线圈段22段的布线方向为第二方向；以第三信号线圈段13的第一端为起点，第三信号线圈段13的布线方向为第一方向，以第三耦合线圈段23的第一端为起点，第一耦合线圈段21的布线方向为第一方向；第一方向与第二方向相反。

其中，布线方向为用于描述线圈的外部结构所呈现出的线圈走向的方向，并不限定为在设计或者制作时线圈的绕制方向。作为一示例，第一方向为顺时针方向，第二方向为逆时针方向，或者，第一方向为逆时针方向，第二方向为顺时针方向。

作为一示例，以第一信号线圈段11的第一端为起点，第一信号线圈段11的布线方向为顺时针方向，以第一耦合线圈段21的第一端为起点，第一耦合线圈段21的布线方向为顺时针方向；以第二信号线圈段12的第一端为起点，第二信号线圈段12的布线方向为顺时针方向，以第二耦合线圈段22的第一端为起点，第二耦合线圈段22段的布线方向为顺时针方向；以第三信号线圈段13的第一端为起点，第三信号线圈段13的布线方向为顺时针方向，以第三耦合线圈段23的第一端为起点，第一耦合线圈段21的布线方向为顺时针方向。

在本实施例中，通过以第一信号线圈段11的第一端为起点，第一信号线圈段11的布线方向为第一方向，以第一耦合线圈段21的第一端为起点，第一耦合线圈段21的布线方向为第一方向；以第二信号线圈段12的第一端为起点，第二信号线圈段12的布线方向为第二方向，以第二耦合线圈段22的第一端为起点，第二耦合线圈段22段的布线方向为第二方向；以第三信号线圈段13的第一端为起点，第三信号线圈段13的布线方向为第一方向，以第三耦合线圈段23的第一端为起点，第一耦合线圈段21的布线方向为第一方向；第一方向与第二方向相反，便能够使第一信号线圈段11与第一耦合线圈段21耦合，第二信号线圈段12与第二耦合线圈段22耦合，第三信号线圈段13与第三耦合线圈段23耦合，同时还能使第二信号线圈段12与第一耦合线圈段21和第三耦合线圈段23耦合，第二耦合线圈20与第一信号线圈段11和第三信号线圈段13耦合，提高耦合器的耦合度。

在一实施例中，如图2所示，第二信号线圈段12的第一端为信号传输线圈10的输入端口，第一信号线圈段11的第一端为信号传输线圈10的输出端口；第二耦合线圈段22的第一端为耦合线圈20的耦合端口，第一耦合线圈段21的第一端为耦合线圈20的隔离端口。

在本实施例中，第二信号线圈段12的第一端为信号传输线圈10的输入端口，第一信号线圈段11的第一端为信号传输线圈10的输出端口；第二耦合线圈段22的第一端为耦合线圈20的耦合端口，第一耦合线圈段21的第一端为耦合线圈20的隔离端口。该输入端口和耦合端口被配置为接收射频输入信号，该输出端口和隔离端口被配置为输出射频输出信号。

在一实施例中，如图3所示，信号传输线圈10还包括自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43的第四信号线圈段14、第五信号线圈段15和第六信号线圈段16；耦合线圈20还包括自上而下设置在第一金属层41和第三金属层43的第四耦合线圈段24和第六耦合线圈段25；第四信号线圈段14与第四耦合线圈段24耦合；第二耦合线圈段22一部分与第二信号线圈段12耦合，另一部分第五信号线圈段15耦合；第六信号线圈段16与第六耦合线圈段25耦合；第二信号线圈段12的第一端与第五信号线圈段15的第一端相连，五信号线圈段的第二端与第四信号线圈段14的第二端和第六信号线圈段16的第二端相连；第二耦合线圈段22的第一端与第四耦合线圈段24的第二端与第六耦合线圈段25的第二端相连；其中，第六信号线圈段16的第一端与第四信号线圈段14的第一端相连，第六信号线圈段16的第二端与第四信号线圈段14的第二端相连，第六耦合线圈段25的第一端与第四耦合线圈段24的第一端相连，第六耦合线圈段25的第二端与第四耦合线圈段24的第二端相连。如图4所示为该耦合器的俯视图。

在本实施例中，信号传输线圈10还包括自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43的第四信号线圈段14、第五信号线圈段15和第六信号线圈段16；耦合线圈20还包括自上而下设置在第一金属层41和第三金属层43的第四耦合线圈段24和第六耦合线圈段25，本实施例通过将第四信号线圈段14与第四耦合线圈段24耦合，将第二耦合线圈段22一部分与第二信号线圈段12耦合，另一部分第五信号线圈段15耦合，将第六信号线圈段16与第六耦合线圈段25耦合，并使第二信号线圈段12的第一端与第五信号线圈段15的第一端相连，并将五信号线圈段的第二端与第四信号线圈段14的第二端和第六信号线圈段16的第二端相连，将第二耦合线圈段22的第一端与第四耦合线圈段24的第二端与第六耦合线圈段25的第二端相连，将第六信号线圈段16的第一端与第四信号线圈段14的第一端相连，将第六信号线圈段16的第二端与第四信号线圈段14的第二端相连，将第六耦合线圈段25的第一端与第四耦合线圈段24的第一端相连，将第六耦合线圈段25的第二端与第四耦合线圈段24的第二端相连，增大耦合器的信号传输线圈10和耦合线圈20之间的寄生电容，在信号传输线圈10和耦合线圈20所在的金属层的间距不变的前提下，进而减小了耦合器的特性阻抗，便于耦合器参与所在电路的阻抗匹配，以进一步改善耦合器的带宽性能。

在一实施例中，如图3所示，第五信号线圈段15与第四耦合线圈段24和第六耦合线圈段25耦合，第二耦合线圈段22与第四信号线圈段14和第六信号线圈段16耦合。

在一具体实施例中，第五信号线圈段15还与第四耦合线圈段24和第六耦合线圈段25上下耦合，第二耦合线圈段22还与与第四信号线圈段14和第六信号线圈段16上下耦合，提高耦合器的耦合度。

在一实施例中，如图3所示，以第一信号线圈段11的第一端为起点，第一信号线圈段11的布线方向为第一方向，以第一耦合线圈段21的第一端为起点，第一耦合线圈段21的布线方向为第一方向；以第四信号线圈段14的第一端为起点，第四信号线圈段14的布线方向为第二方向，以第四耦合线圈段24的第一端为起点，第四耦合线圈段24的布线方向为第二方向；第一方向与第二方向相反；以第三耦合线圈段23第一端为起点，第三耦合线圈段23的一部分布线方向为第一方向，以第三耦合线圈段23第二端为起点，第三耦合线圈段23的另一部分布线方向为第二方向；以第二信号线圈段12的第二端为起点，第二信号线圈段12的布线方向为第一方向，以第五信号线圈段15的第二端为起点，第五信号线圈段15的布线方向为第二方向；以第三信号线圈段13的第一端为起点，第三信号线圈段13的布线方向为第一方向，以第三耦合线圈段23的第一端为起点，第三耦合线圈段23的布线方向为第一方向；以第六信号线圈段16的第一端为起点，第六信号线圈段16的布线方向为第二方向，以第六耦合线圈段25的第一端为起点，第六耦合线圈段25的布线方向为第二方向。

在一实施例中，如图3所示，第四信号线圈段14的第一端为信号传输线圈10的输入端口，第一信号线圈段11为信号传输线圈10的输出端口；第四耦合线圈段24的第一端为耦合线圈20的耦合端口，第一耦合线圈段21的第一端为耦合线圈20的隔离端口。

在本实施例中，第四信号线圈段14的第一端为信号传输线圈10的输入端口，第一信号线圈段11为信号传输线圈10的输出端口；第四耦合线圈段24的第一端为耦合线圈20的耦合端口，第一耦合线圈段21的第一端为耦合线圈20的隔离端口。

在一实施例中，如图3所示，第二信号线圈段12的第一端与第五信号线圈段15的第一端通过桥接线30连接。

在本实施例中，为了实现均为设置在第二金属层42中的第二信号线圈段12和第五信号线圈段15的连接，可将第二信号线圈段12的第一端与第五信号线圈段15的第一端通过桥接线30连接。可选地，该桥接线30可以是绑线或跳线。

本实施例提供一种射频前端模组，包括上述实施例中的耦合器，该耦合器包括信号传输线圈10和耦合线圈20，信号传输线圈10包括自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43的第一信号线圈段11、第二信号线圈段12和第三信号线圈段13；耦合线圈20包括自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43的第一耦合线圈段21、第二耦合线圈段22和第三耦合线圈段23；第一信号线圈段11与第一耦合线圈段21耦合，形成第一线圈；第二信号线圈段12与第二耦合线圈段22耦合，形成第二线圈；第三信号线圈段13与第三耦合线圈段23耦合，形成第三线圈；第二信号线圈段12的第二端与第三信号线圈段13的第二端和第一信号线圈段11的第二端相连；第二耦合线圈段22的第二端与第三耦合线圈段23的第二端与第一耦合线圈段21的第二端相连；其中，第三信号线圈段13的第一端与第一信号线圈段11的第一端相连，第三信号线圈段13的第二端与第一信号线圈段11的第二端相连，第三耦合线圈段23的第一端与第一耦合线圈段21的第一端相连，第三耦合线圈段23的第二端与第一耦合线圈段21的第二端相连。本实施例通过将信号传输线圈10中的第一信号线圈段11、第二信号线圈段12和第三信号线圈段13自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43，并将耦合线圈20中的第一耦合线圈段21、第二耦合线圈段22和第三耦合线圈段23自上而下设置在第一金属层41、第二金属层42和第三金属层43，使得第一信号线圈段11与第一耦合线圈段21在第一金属层41耦合形成第一线圈，第二信号线圈段12与第二耦合线圈段22耦合在第二金属层42形成第二线圈，第三信号线圈段13与第三耦合线圈段23在第三金属层43耦合形成第三线圈，增大了信号传输线圈10和耦合线圈20所在的金属层形成的寄生电容，在信号传输线圈10和耦合线圈20所在的金属层的间距不变的前提下，若信号传输线圈10和耦合线圈20所在的金属层形成的寄生电容增大，则耦合器的特性阻抗减小，从而达到减小耦合器特性阻抗的目的，便于耦合器参与所在电路的阻抗匹配，优化耦合器的带宽。

进一步地，所述射频前端模组还包括还包括第一级功率放大器和第二级功率放大器，所述耦合器的输入端与所述第一级功率放大器的输出端连接，所述耦合器的输出端与所述第二级功率放大器的输入端连接。

在本实施例中，耦合器应用于射频前端模组中。具体地，耦合器设置在第一级功率放大器(图中未示出)和第二级功率放大器(图中未示出)之间，由于耦合器的特性阻抗减小了，从而可缓解第一级功率放大器和第二级功率放大器之间的的阻抗转换压力。作为一示例，耦合器的输入端与第一级功率放大器的输出端连接，耦合器的输出端与第二级功率放大器的输入端连接，由于耦合器的特性阻抗减小了，因此，该耦合器便能够缓解第一级功率放大器输出端的较大阻抗转换成第二级功率放大器输入端的较小阻抗的阻抗转换压力，以实现射频前端模组的阻抗匹配，进而优化射频前端模组的带宽性能。

以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种耦合器，其特征在于，包括信号传输线圈和耦合线圈，所述信号传输线圈包括自上而下设置在第一金属层、第二金属层和第三金属层的第一信号线圈段、第二信号线圈段和第三信号线圈段；所述耦合线圈包括自上而下设置在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的第一耦合线圈段、第二耦合线圈段和第三耦合线圈段；

所述第一信号线圈段与所述第一耦合线圈段耦合，形成第一线圈；所述第二信号线圈段与所述第二耦合线圈段耦合，形成第二线圈；所述第三信号线圈段与所述第三耦合线圈段耦合，形成第三线圈；

所述第二信号线圈段的第二端与所述第三信号线圈段的第二端和所述第一信号线圈段的第二端相连；所述第二耦合线圈段的第二端与所述第三耦合线圈段的第二端和所述第一耦合线圈段的第二端相连；

其中，所述第三信号线圈段的第一端与所述第一信号线圈段的第一端相连，所述第三信号线圈段的第二端与所述第一信号线圈段的第二端相连，所述第三耦合线圈段的第一端与所述第一耦合线圈段的第一端相连，所述第三耦合线圈段的第二端与所述第一耦合线圈段的第二端相连。

2.如权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈在垂直方向上的投影部分重叠。

3.如权利要求2所述的耦合器，其特征在于，所述第二信号线圈段与所述第一耦合线圈段和所述第三耦合线圈段耦合，所述第二耦合线圈与所述第一信号线圈段和所述第三信号线圈段耦合。

4.如权利要求2所述的耦合器，其特征在于，以所述第一信号线圈段的第一端为起点，所述第一信号线圈段的布线方向为第一方向，以所述第一耦合线圈段的第一端为起点，所述第一耦合线圈段的布线方向为第一方向；

以所述第二信号线圈段的第一端为起点，所述第二信号线圈段的布线方向为第二方向，以所述第二耦合线圈段的第一端为起点，所述第二耦合线圈段段的布线方向为第二方向；

以所述第三信号线圈段的第一端为起点，所述第三信号线圈段的布线方向为第一方向，以所述第三耦合线圈段的第一端为起点，所述第一耦合线圈段的布线方向为第一方向；

所述第一方向与所述第二方向相反。

5.如权利要求3所述的耦合器，其特征在于，所述第二信号线圈段的第一端为信号传输线圈的输入端口，所述第一信号线圈段的第一端为信号传输线圈的输出端口；所述第二耦合线圈段的第一端为耦合线圈的耦合端口，所述第一耦合线圈段的第一端为耦合线圈的隔离端口。

6.如权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述信号传输线圈还包括自上而下设置在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的第四信号线圈段、第五信号线圈段和第六信号线圈段；所述耦合线圈还包括自上而下设置在所述第一金属层和所述第三金属层的第四耦合线圈段和第六耦合线圈段；

所述第四信号线圈段与所述第四耦合线圈段耦合；所述第二耦合线圈段一部分与所述第二信号线圈段耦合，另一部分所述第五信号线圈段耦合；所述第六信号线圈段与所述第六耦合线圈段耦合；

所述第二信号线圈段的第一端与所述第五信号线圈段的第一端相连，所述五信号线圈段的第二端与所述第四信号线圈段的第二端和所述第六信号线圈段的第二端相连；所述第二耦合线圈段的第一端与所述第四耦合线圈段的第二端与所述第六耦合线圈段的第二端相连；

其中，所述第六信号线圈段的第一端与所述第四信号线圈段的第一端相连，所述第六信号线圈段的第二端与所述第四信号线圈段的第二端相连，所述第六耦合线圈段的第一端与所述第四耦合线圈段的第一端相连，所述第六耦合线圈段的第二端与所述第四耦合线圈段的第二端相连。

7.如权利要求6所述的耦合器，其特征在于，所述第五信号线圈段与所述第四耦合线圈段和所述第六耦合线圈段耦合，所述第二耦合线圈段与所述第四信号线圈段和所述第六信号线圈段耦合。

8.如权利要求6所述的耦合器，其特征在于，以所述第一信号线圈段的第一端为起点，所述第一信号线圈段的布线方向为第一方向，以所述第一耦合线圈段的第一端为起点，所述第一耦合线圈段的布线方向为第一方向；

以所述第四信号线圈段的第一端为起点，所述第四信号线圈段的布线方向为第二方向，以所述第四耦合线圈段的第一端为起点，所述第四耦合线圈段的布线方向为第二方向；所述第一方向与所述第二方向相反；

以所述第三耦合线圈段第一端为起点，所述第三耦合线圈段的一部分布线方向为所述第一方向，以所述第三耦合线圈段第二端为起点，所述第三耦合线圈段的另一部分布线方向为所述第二方向；以所述第二信号线圈段的第二端为起点，所述第二信号线圈段的布线方向为所述第一方向，以所述第五信号线圈段的第二端为起点，所述第五信号线圈段的布线方向为所述第二方向；

以所述第三信号线圈段的第一端为起点，所述第三信号线圈段的布线方向为所述第一方向，以所述第三耦合线圈段的第一端为起点，所述第三耦合线圈段的布线方向为所述第一方向；以所述第六信号线圈段的第一端为起点，所述第六信号线圈段的布线方向为所述第二方向，以所述第六耦合线圈段的第一端为起点，所述第六耦合线圈段的布线方向为所述第二方向。

9.如权利要求4或8所述的耦合器，其特征在于，所述第一方向为顺时针方向，所述第二方向为逆时针方向，或者，所述第一方向为逆时针方向，所述第二方向为顺时针方向。

10.如权利要求6所述的耦合器，其特征在于，所述第四信号线圈段的第一端为信号传输线圈的输入端口，所述第一信号线圈段为所述信号传输线圈的输出端口；所述第四耦合线圈段的第一端为耦合线圈的耦合端口，所述第一耦合线圈段的第一端为所述耦合线圈的隔离端口。

11.如权利要求6所述的耦合器，其特征在于，所述第二信号线圈段的第一端与所述第五信号线圈段的第一端通过桥接线连接。

12.一种射频前端模组，其特征在于，包括如权利要求1至11任一项所述的耦合器。

13.如权利要求12所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组还包括还包括第一级功率放大器和第二级功率放大器，所述耦合器的输入端与所述第一级功率放大器的输出端连接，所述耦合器的输出端与所述第二级功率放大器的输入端连接。

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