CN117337362A - 真空泵 - Google Patents

Abstract

得到适当地进行气体流路的温度管理并减轻起因于温度管理的气体流量的限制的真空泵。冷却管(305)进行气体流路的温度调整。温度传感器(401)被配置在与冷却管(305)相比靠近气体流路的位置；温度传感器(402)被配置在与气体流路相比靠近冷却管(305)的位置；控制装置(200)基于温度传感器(401)的传感器信号及温度传感器(402)的传感器信号，对冷却管(305)(的开闭阀)进行控制，以使气体流路的温度接近于规定的气体流路目标温度。

Description

真空泵

技术领域

本发明涉及真空泵。

背景技术

一般，在真空泵，为了转子部的温度上升的抑制、气体流路的温度调整等而设置有冷却机构、加热机构。某个真空泵具备多个温度传感器，基于从多个温度传感器输出的传感器信号，对冷却机构及加热机构的至少一方进行控制(例如参照专利文献1)。在该真空泵中，在基座部和马达部分别设置有温度传感器，基于传感器信号进行冷却水的电磁阀的开及加热器的开启关闭。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/021428号

发明内容

发明要解决的课题

在真空泵中，通常温度传感器被设置在成为温度控制对象的气体流路的近旁、或者冷却机构或加热机构的近旁，按照该温度传感器的传感器信号对冷却机构或加热机构进行控制。

一般，真空泵的气体流路内的气体流量根据真空泵的上游处的工艺而变动，如果由真空泵排出的气体流量增加，则真空泵内的气体流路温度上升，如果由真空泵排出的气体流量减少，则真空泵内的气体流路温度下降。因此，即使气体流量变化，也需要将真空泵的运转中的气体流路温度调整以成为从不发生气体析出物的下限值到对于转子部的热膨胀等的上限值的容许范围内。

在上述的温度传感器被设置在成为温度控制对象的气体流路的近旁的情况下，从冷却机构或加热机构到温度传感器的距离(沿着热流路的距离)变长，到当气体流量变化而温度传感器的测量温度变化时进行的冷却机构或加热机构的温度变化被传递给温度传感器为止花费时间，所以在温度传感器的设置场所、进而气体流路的温度容易发生过冲或下冲。因而，在此情况下，气体流路温度难以收敛于目标温度，所以为了使气体流路温度成为容许范围内，能够由真空泵稳定地排出的气体流量被限制。

此外，在上述的温度传感器被设置在冷却机构或加热机构的近旁的情况下，从气体流路到温度传感器的距离(沿着热流路的距离)变长，虽然难以发生温度传感器的设置场所处的过冲或下冲，但由温度控制带来的温度误差(即，实际的气体流路温度与温度传感器的测量温度的差量)变大，气体流量越变大，该温度误差越变大。因而，在此情况下，气体流路温度相对于目标温度的测量误差根据气体流量而变化，所以为了使气体流路温度成为容许范围内，能够由真空泵稳定地排出的气体流量同样被限制。

这样，因温度测量系统的特性，能够由真空泵稳定地排出的气体流量被限制。

本发明的目的是得到适当地进行气体流路的温度管理并减轻起因于温度管理的气体流量的限制的真空泵。

用来解决课题的手段

本发明所涉及的真空泵是借助转子的旋转将吸入的气体排出的真空泵，具备：温度调整机构，进行气体流路的温度调整；第1温度传感器，被配置在与温度调整机构相比靠近气体流路的位置；第2温度传感器，被配置在与气体流路相比靠近温度调整机构的位置；以及控制装置，基于第1温度传感器的传感器信号及第2温度传感器的传感器信号，对温度调整机构进行控制，以使气体流路的温度接近于规定的气体流路目标温度。

发明效果

根据本发明，得到适当地进行气体流路的温度管理并减轻起因于温度管理的气体流量的限制的真空泵。

本发明的上述或其他目的、特征及优越性，结合附图根据以下的详细的说明会变得更清楚。

附图说明

图1是表示作为本发明的实施方式1所涉及的真空泵的涡轮分子泵的纵剖视图。

图2是表示进行图1所示的涡轮分子泵的电磁铁的励磁控制的放大电路的电路图。

图3是表示电流指令值比检测值大的情况的控制的时间图。

图4是表示电流指令值比检测值小的情况的控制的时间图。

图5是对图1所示的真空泵的温度控制进行说明的图。

图6是表示作为实施方式2所涉及的真空泵的涡轮分子泵的纵剖视图。

具体实施方式

以下，基于图说明本发明的实施方式。

实施方式1.

在图1中表示该涡轮分子泵100的纵剖视图。在图1中，涡轮分子泵100在圆筒状的外筒127的上端形成有吸气口101。而且，在外筒127的内方具备旋转体103，所述旋转体103在周部以放射状且多层地形成有用来将气体抽吸排出的作为涡轮机叶片的多个旋转叶片102(102a、102b、102c……)。在该旋转体103的中心安装有转子轴113，该转子轴113例如由5轴控制的磁轴承悬浮支承在空中并被进行位置控制。旋转体103一般由铝或铝合金等金属构成。

上侧径向电磁铁104在X轴和Y轴上成对地配置有4个电磁铁。与该上侧径向电磁铁104接近且与上侧径向电磁铁104的各自对应而具备4个上侧径向传感器107。上侧径向传感器107使用例如具有传导绕组的电感传感器、涡电流传感器等，基于根据转子轴113的位置而变化的该传导绕组的电感的变化来检测转子轴113的位置。该上侧径向传感器107构成为，检测转子轴113即固定于其上的旋转体103的径向变位，发送到控制装置200。

在该控制装置200中，例如具有PID调节功能的补偿电路基于由上侧径向传感器107检测到的位置信号，生成上侧径向电磁铁104的励磁控制指令信号，图2所示的放大电路150(后述)基于该励磁控制指令信号，对上侧径向电磁铁104进行励磁控制，由此调整转子轴113的上侧的径向位置。

而且，该转子轴113由高导磁率材料(铁、不锈钢等)等形成，被上侧径向电磁铁104的磁力吸引。这样的调整在X轴方向和Y轴方向上分别独立地进行。此外，下侧径向电磁铁105及下侧径向传感器108与上侧径向电磁铁104及上侧径向传感器107同样地配置，将转子轴113的下侧的径向位置与上侧的径向位置同样地调整。

进而，轴向电磁铁106A、106B上下夹着装备在转子轴113的下部的圆板状的金属盘111而配置。金属盘111由铁等高导磁率材料构成。为了检测转子轴113的轴向变位而具备轴向传感器109，构成为，将其轴向位置信号发送到控制装置200。

而且，在控制装置200中，例如具有PID调节功能的补偿电路基于由轴向传感器109检测到的轴向位置信号，生成轴向电磁铁106A和轴向电磁铁106B的各自的励磁控制指令信号，放大电路150基于这些励磁控制指令信号对轴向电磁铁106A和轴向电磁铁106B分别进行励磁控制，由此，轴向电磁铁106A借助磁力将金属盘111向上方吸引，轴向电磁铁106B将金属盘111向下方吸引，转子轴113的轴向位置被调整。

这样，控制装置200适当地调节该轴向电磁铁106A、106B施加给金属盘111的磁力，使转子轴113在轴向上磁悬浮，将其在空间上非接触地保持。另外，关于对这些上侧径向电磁铁104、下侧径向电磁铁105及轴向电磁铁106A、106B进行励磁控制的放大电路150在后面叙述。

另一方面，马达121具备以将转子轴113包围的方式周状地配置的多个磁极。各磁极被控制装置200控制，以经由作用在与转子轴113之间的电磁力将转子轴113旋转驱动。此外，在马达121装入有未图示的例如霍尔元件、旋转变压器(resolver)、编码器等旋转速度传感器，根据该旋转速度传感器的检测信号来检测转子轴113的旋转速度。

进而，例如在下侧径向传感器108近旁安装有未图示的相位传感器，检测转子轴113的旋转的相位。在控制装置200中，将该相位传感器和旋转速度传感器的检测信号一起使用来检测磁极的位置。

与旋转叶片102(102a、102b、102c……)隔开稍稍的空隙而配设有多片固定叶片123(123a、123b、123c……)。旋转叶片102(102a、102b、102c……)为了分别借助碰撞将排出气体的分子向下方移送，从与转子轴113的轴线垂直的平面以规定的角度倾斜而形成。固定叶片123(123a、123b、123c……)例如由铝、铁、不锈钢、铜等金属或包含这些金属作为成分的合金等金属构成。

此外，固定叶片123也同样从与转子轴113的轴线垂直的平面以规定的角度倾斜而形成，且朝向外筒127的内方、与旋转叶片102的层相互错开而配设。而且，固定叶片123的外周端以嵌插在多个层积的固定叶片间隔件125(125a、125b、125c……)之间的状态被支承。

固定叶片间隔件125是环状的部件，例如由铝、铁、不锈钢、铜等金属或包含这些金属作为成分的合金等金属构成。在固定叶片间隔件125的外周，隔开空隙固定有外筒127、环状部件301及外筒部件302。在外筒部件302的底部配设有基座部129。此外，在基座部129的上方配置有排气口133，与外部连通。从腔室(真空腔室)侧进入到吸气口101并被移送的排出气体被向排气口133输送。

进而，根据涡轮分子泵100的用途，在固定叶片间隔件125的下部与基座部129之间，配设有带螺纹的间隔件131。带螺纹的间隔件131是由铝、铜、不锈钢、铁或以这些金属为成分的合金等金属构成的圆筒状的部件，在其内周面刻设有多条螺旋状的螺纹槽131a。螺纹槽131a的螺旋的方向是当排出气体的分子在旋转体103的旋转方向上移动时该分子被向排气口133侧移送的方向。在旋转体103的与旋转叶片102(102a、102b、102c……)接着的最下部，垂下有圆筒部102d。该圆筒部102d的外周面是圆筒状，且朝向带螺纹的间隔件131的内周面伸出，与该带螺纹的间隔件131的内周面隔开规定的间隙而接近。由旋转叶片102及固定叶片123移送到螺纹槽131a的排出气体一边被螺纹槽131a引导一边被向基座部129输送。

基座部129是构成涡轮分子泵100的基底部的圆盘状的部件，一般由铁、铝、不锈钢等金属构成。基座部129将涡轮分子泵100物理地保持，并且还兼具备热的传导路的功能，所以优选的是使用铁、铝、铜等有刚性且热传导率也较高的金属。

在这样的结构中，如果用马达121将旋转叶片102与转子轴113一起旋转驱动，则借助旋转叶片102和固定叶片123的作用，从腔室经由吸气口101将排出气体吸入。旋转叶片102的旋转速度通常为20000rpm～90000rpm，旋转叶片102的前端处的圆周速度达到200m/s～400m/s。被从吸气口101吸入的排出气体经过旋转叶片102与固定叶片123之间被向基座部129移送。此时，因在排出气体与旋转叶片102接触时产生的摩擦热、由马达121产生的热的传导等，旋转叶片102的温度上升，但该热通过辐射或由排出气体的气体分子等进行的传导被传递到固定叶片123侧。

固定叶片间隔件125在外周部相互接合，将固定叶片123从旋转叶片102接受到的热、排出气体与固定叶片123接触时产生的摩擦热等向外部传递。

另外，在上述中，假设带螺纹的间隔件131配设在旋转体103的圆筒部102d的外周、在带螺纹的间隔件131的内周面刻设有螺纹槽131a而进行了说明。但是，也有与此相反而在圆筒部102d的外周面刻设螺纹槽、在其周围配置具有圆筒状的内周面的间隔件的情况。

此外，根据涡轮分子泵100的用途，也有将电装部周围用定子柱122覆盖、并将该定子柱122内用吹扫气体(purge gas)保持为规定压力、以使被从吸气口101抽吸的气体不侵入到电装部的情况，所述电装部由上侧径向电磁铁104、上侧径向传感器107、马达121、下侧径向电磁铁105、下侧径向传感器108、轴向电磁铁106A、106B、轴向传感器109等构成。

在此情况下，在基座部129配设有未图示的配管，经由该配管将吹扫气体导入。被导入的吹扫气体经过保护轴承120与转子轴113间、马达121的转子与定子间、定子柱122与旋转叶片102的内周侧圆筒部之间的间隙被向排气口133送出。

这里，涡轮分子泵100需要机种的确定和基于被分别调整后的固有的参数(例如，与机种对应的各特性)的控制。为了将该控制参数保存，上述涡轮分子泵100在其主体内具备电子电路部141。电子电路部141由EEP－ROM等半导体存储器及用于其访问的半导体元件等电子零件、它们的安装用的基板143等构成。该电子电路部141被收容在构成涡轮分子泵100的下部的基座部129的例如中央附近的未图示的旋转速度传感器的下部，被气密性的底盖145封闭。

可是，在半导体的制造工序中，在被导入到腔室的工艺气体之中，有具有如果其压力变得比规定值高或其温度变得比规定值低则成为固体的性质的工艺气体。在涡轮分子泵100内部，排出气体的压力在吸气口101处最低，在排气口133处最高。在工艺气体被从吸气口101向排气口133移送的途中，如果其压力变得比规定值高，或其温度变得比规定值低，则工艺气体成为固体状，附着堆积在涡轮分子泵100内部。

例如，在Al蚀刻装置中作为工艺气体而使用SiCl₄的情况下，根据蒸气压曲线可知，在低真空(760[torr]～10^－2[torr])且低温(约20[℃])时，固体生成物(例如AlCl₃)析出，附着堆积在涡轮分子泵100内部。由此，如果工艺气体的析出物堆积在涡轮分子泵100内部，则该堆积物使泵流路变窄，成为使涡轮分子泵100的性能下降的原因。而且，前述的生成物处于在排气口133附近、带螺纹的间隔件131附近的压力较高的部分容易凝固、附着的状况。

因此，为了解决该问题，以往使未图示的加热器、环状的水冷管149卷装在基座部129等的外周，且例如在基座部129将未图示的温度传感器(例如热敏电阻)埋入，基于该温度传感器的信号，进行加热器的加热、由水冷管149进行的冷却的控制(以下称作TMS。TMS；Temperature Management System；温度管理系统)，以将基座部129的温度保持为一定的较高的温度(设定温度)。

接着，关于这样构成的涡轮分子泵100，对将其上侧径向电磁铁104、下侧径向电磁铁105及轴向电磁铁106A、106B进行励磁控制的放大电路150进行说明。在图2中表示该放大电路150的电路图。

在图2中，构成上侧径向电磁铁104等的电磁铁绕组151其一端经由晶体管161而与电源171的正极171a连接，此外，其另一端经由电流检测电路181及晶体管162而与电源171的负极171b连接。而且，晶体管161、162成为所谓的功率MOSFET，具有在其源极－漏极间连接有二极管的构造。

此时，晶体管161其二极管的阴极端子161a与正极171a连接，并且阳极端子161b与电磁铁绕组151的一端连接。此外，晶体管162其二极管的阴极端子162a与电流检测电路181连接，并且阳极端子162b与负极171b连接。

另一方面，电流再生用的二极管165其阴极端子165a与电磁铁绕组151的一端连接，并且其阳极端子165b与负极171b连接。此外，与此同样，电流再生用的二极管166其阴极端子166a与正极171a连接，并且其阳极端子166b经由电流检测电路181而与电磁铁绕组151的另一端连接。而且，电流检测电路181例如由霍尔传感器式电流传感器、电阻元件构成。

如以上那样构成的放大电路150对应于一个电磁铁。因此，在磁轴承是5轴控制，电磁铁104、105、106A、106B合计有10个的情况下，关于电磁铁的各自构成同样的放大电路150，对于电源171并联地连接10个放大电路150。

进而，放大器控制电路191例如由控制装置200的未图示的数字信号处理器部(以下称作DSP部)构成，该放大器控制电路191切换晶体管161、162的导通(on)/截止(off)。

放大器控制电路191将电流检测电路181检测到的电流值(将反映了该电流值的信号称作电流检测信号191c)与规定的电流指令值比较。然后，基于该比较结果，决定在作为PWM控制的1周期的控制周期Ts内产生的脉冲宽度的大小(脉冲宽度时间Tp1、Tp2)。结果，将具有该脉冲宽度的栅极驱动信号191a、191b从放大器控制电路191输出到晶体管161、162的栅极端子。

另外，在旋转体103的旋转速度的加速运转中经过共振点时、在定速运转中产生了干扰时等，需要进行高速且强力下的旋转体103的位置控制。因此，作为电源171而使用例如50V左右的高电压，以便能够实现流动于电磁铁绕组151的电流的急剧的增加(或减少)。此外，在电源171的正极171a与负极171b之间，为了电源171的稳定化而通常连接着电容器(图示略)。

在这样的结构中，如果将晶体管161、162的两者设为导通，则流动于电磁铁绕组151的电流(以下称作电磁铁电流iL)增加，如果将两者设为截止，则电磁铁电流iL减少。

此外，如果将晶体管161、162的一方设为导通、将另一方设为截止，则保持所谓的续流(fly wheel)电流。而且，通过这样使续流电流流动于放大电路150，能够使放大电路150中的磁滞损耗减少，将作为电路整体的消耗电力抑制为较低。此外，通过这样对晶体管161、162进行控制，能够降低在涡轮分子泵100产生的高次谐波等高频噪声。进而，通过由电流检测电路181测量该续流电流，能够检测流动于电磁铁绕组151的电磁铁电流iL。

即，在检测到的电流值比电流指令值小的情况下，如图3所示，在控制周期Ts(例如100μs)中仅1次以相当于脉冲宽度时间Tp1的时间量将晶体管161、162的两者设为导通。因此，该期间中的电磁铁电流iL朝向能够从正极171a向负极171b经由晶体管161、162流动的电流值iLmax(未图示)增加。

另一方面，在检测到的电流值比电流指令值大的情况下，如图4所示，在控制周期Ts中仅1次以相当于脉冲宽度时间Tp2的时间量将晶体管161、162的两者设为截止。因此，该期间中的电磁铁电流iL朝向能够从负极171b向正极171a经由二极管165、166再生的电流值iLmin(未图示)减少。

而且，在哪种情况下，都在脉冲宽度时间Tp1、Tp2的经过后，将晶体管161、162中的某1个设为导通。因此，在该期间中，在放大电路150中保持续流电流。

如以上这样构成涡轮分子泵100的主要部分。该涡轮分子泵100是真空泵的一例。此外，在图1中，旋转叶片102及旋转体103是该涡轮分子泵100的转子，固定叶片123及固定叶片间隔件125是涡轮分子泵部分的定子部，带螺纹的间隔件131是涡轮分子泵部分的后段的螺纹槽泵部分的定子部。此外，吸气口101、排气口133、外筒127、环状部件301及外筒部件302是该涡轮分子泵100的壳体，收容着上述的转子及上述的多个定子部。即，上述的转子旋转自如地被保持在上述的壳体内，上述的多个定子部与转子对置而配设，具有气体压缩功能。而且，借助转子的旋转，吸入的气体沿着气体流路被移送，被从排气口133排出。

进而，环状部件301是作为被从基座部129朝向吸气口101侧层叠的部件中的1个的环状的部件。由固定叶片123及固定叶片间隔件125形成的定子部沿着轴向与环状部件301接触。此外，环状部件303的一端与环状部件301接触，环状部件303的另一端与带螺纹的间隔件131接触。进而，带螺纹的间隔件131的另一端不与基座部129接触。

而且，作为进行气体流路的温度调整的温度调整机构，在与构成气体流路的内壁的带螺纹的间隔件131接触的环状部件132设置有加热器304，在构成气体流路的内壁的环状部件301设置有冷却管305。

因而，热从加热器304经由环状部件132向带螺纹的间隔件131流入，由此，带螺纹的间隔件131的温度即气体流路的温度变化。此外，热从环状部件301向冷却管305流入，由此，环状部件301的温度即气体流路的温度变化。

进而，在实施方式1中，与冷却管305对应而在环状部件301设置有两个温度传感器401、402，与加热器304对应而在带螺纹的间隔件131设置有1个温度传感器501。即，对于作为温度调整机构的加热器304及冷却管305分别设置有温度传感器。

温度传感器401被配置在气体流路的近旁且与作为温度调整机构的冷却管305相比靠近气体流路的位置。

温度传感器402被配置在作为温度调整机构的冷却管305的近旁且与气体流路相比靠近冷却管305的位置。具体而言，温度传感器402被配置在冷却管305的开闭阀(电磁阀)的近旁。

而且，控制装置200基于从温度传感器401输出的传感器信号及从温度传感器402输出的传感器信号，对冷却管305的开闭阀(电磁阀)进行开启关闭控制，以使气体流路(具体而言是涡轮分子泵部分的气体流路)的温度接近于规定的气体流路目标温度。

此外，控制装置200基于从温度传感器501输出的传感器信号，对加热器304进行开启关闭控制，以使气体流路(具体而言是螺纹槽泵部分的气体流路)的温度接近于规定的气体流路目标温度。

具体而言，控制装置200通过对冷却管305的开闭阀(电磁阀)进行控制以使基于温度传感器402的传感器信号得到的测量温度接近于控制温度设定值，使气体流路的温度接近于规定的气体流路目标温度。而且，控制装置200根据基于温度传感器401的传感器信号得到的温度传感器401的设置位置的测量温度，将冷却管305的控制方法变更。

例如，控制装置200确定基于温度传感器401的传感器信号得到的温度传感器401的设置位置的测量温度，基于该测量温度调整上述的控制温度设定值，由此将冷却管305的控制方法变更。

具体而言，在基于温度传感器401的传感器信号得到的温度传感器401的设置位置的测量温度上升了的情况下，上述的控制温度设定值被设为(与现时点的值相比)较小，在基于温度传感器401的传感器信号得到的温度传感器401的设置位置的测量温度下降了的情况下，上述的控制温度设定值被设为(与现时点的值相比)较大。

或者，例如控制装置200也可以基于该测量温度，将冷却管305的温度控制系统的传递函数与上述的控制温度设定值一起调整。

接着，对实施方式1所涉及的真空泵的动作进行说明。

在该真空泵的运转时，基于由控制装置200进行的控制，马达121动作，转子旋转。由此，经由吸气口101流入的气体沿着转子与定子部之间的气体流路被移送，被从排气口133向外部配管排出。

在该真空泵的运转时，控制装置200不直接监视气体流量，而取得温度传感器401、402、501的传感器信号，监视温度传感器401、402、501的设置位置的测量温度。然后，控制装置200基于该测量温度，对加热器304及冷却管305的开闭阀(即制冷剂流量)进行控制，进行气体流路的温度控制。

图5是对图1所示的真空泵的温度控制进行说明的图。具体而言，例如如图5所示，当气体负荷(气体流量)较小时，实际的气体流路温度变得比较低，温度传感器401的测量温度(气体流路测量温度)也变得比较低。

这里，如果气体负荷(气体流量)增加，则实际的气体流路温度上升，温度传感器401的测量温度(气体流路测量温度)也上升。因而，控制装置200以与该测量温度的上升幅度对应的下降幅度将冷却管305的控制温度设定值(即冷却目标温度)降低。

由此，冷却管305的近旁的温度下降被传递到气体流路，气体流路温度接近于气体流路目标温度。

另一方面，如果气体负荷(气体流量)减少，则实际的气体流路温度下降，温度传感器401的测量温度(气体流路测量温度)也下降。因而，控制装置200以与该测量温度的下降幅度对应的上升幅度将冷却管305的控制温度设定值(即冷却目标温度)提高。

由此，冷却管305的近旁的温度上升被传递到气体流路，气体流路温度接近于气体流路目标温度。

通过这样使用两个温度传感器401、402，追随于气体负荷(气体流量)的变动，以较少的温度误差对气体流路温度进行调整。

如以上这样，根据上述实施方式1，冷却管305进行气体流路的温度调整。温度传感器401被配置在与冷却管305相比靠近气体流路的位置，温度传感器402被配置在与气体流路相比靠近冷却管305的位置，控制装置200基于温度传感器401的传感器信号及温度传感器402的传感器信号，对冷却管305(的开闭阀)进行控制，以使气体流路的温度接近于规定的气体流路目标温度。

由此，即使气体流量变动，也在抑制过冲及下冲的同时适当地对气体流路温度进行控制，所以气体流路温度难以从上述的容许范围偏离，起因于温度管理的气体流量的限制被减轻。

实施方式2.

图6是表示作为实施方式2所涉及的真空泵的涡轮分子泵的纵剖视图。

在实施方式2中，在带螺纹的间隔件131中，设置有加热器304并且设置有温度传感器501、502。

温度传感器501被设置在与想要进行温度调整的气体流路位置相比靠近加热器304的位置，温度传感器502被设置在与加热器304相比靠近气体流路的位置。

而且，如果气体负荷(气体流量)增加，则实际的气体流路温度上升，温度传感器401的测量温度(气体流路测量温度)也上升。因而，控制装置200以与该测量温度的上升幅度对应的下降幅度将加热器304的控制温度设定值(即加热目标温度)降低。

另一方面，如果气体负荷(气体流量)减少，则实际的气体流路温度下降，温度传感器401的测量温度(气体流路测量温度)也下降。因而，控制装置200以与该测量温度的下降幅度对应的上升幅度将加热器304的控制温度设定值(即加热目标温度)提高。

通过这样使用两个温度传感器501、502，追随于气体负荷(气体流量)的变动，以较少的温度误差对气体流路温度进行调整。

关于实施方式2所涉及的真空泵的其他的结构及动作与实施方式1是同样的，所以省略其说明。

如以上这样，根据上述实施方式2，通过使用与作为温度调整机构的加热器304对应的两个温度传感器501、502，与实施方式1同样，即使气体流量变动，也在抑制过冲及下冲的同时适当地对气体流路温度进行控制，所以气体流路温度难以从上述的容许范围偏离，起因于温度管理的气体流量的限制被减轻。

另外，关于对于上述的实施方式的各种各样的变更及修正，对本领域技术人员而言是显而易见的。那样的变更及修正也可以不从其主题主旨及范围脱离且不减弱想要的优点而进行。即，意图将那样的变更及修正包含在权利要求书中。

例如，在实施方式1中，也可以与实施方式2同样，对于加热器304设置两个温度传感器501、502，基于温度传感器501、502的传感器信号对加热器304进行控制。

产业上的可利用性

本发明例如能够应用于真空泵。

附图标记说明

304加热器(温度调整机构的一例)

305冷却管(温度调整机构的一例)

401、501温度传感器(第1温度传感器的一例)

402、502温度传感器(第2温度传感器的一例)

Claims (3)

1.一种真空泵，借助转子的旋转将吸入的气体排出，其特征在于，

具备：

温度调整机构，进行气体流路的温度调整；

第1温度传感器，被配置在与前述温度调整机构相比靠近前述气体流路的位置；

第2温度传感器，被配置在与前述气体流路相比靠近前述温度调整机构的位置；以及

控制装置，基于前述第1温度传感器的传感器信号及前述第2温度传感器的传感器信号，对前述温度调整机构进行控制，以使前述气体流路的温度接近于规定的气体流路目标温度。

2.如权利要求1所述的真空泵，其特征在于，

前述控制装置

(a)对前述温度调整机构进行控制，以使基于前述第2温度传感器的传感器信号得到的测量温度接近于控制温度设定值，由此使前述气体流路的温度接近于规定的气体流路目标温度；

(b)根据基于前述第1温度传感器的传感器信号得到的测量温度，将前述温度调整机构的控制方法变更。

3.如权利要求2所述的真空泵，其特征在于，

前述控制装置根据基于前述第1温度传感器的传感器信号得到的测量温度，对前述控制温度设定值进行调整，将前述温度调整机构的控制方法变更。