CN117280888A - 有机发光元件及其制造方法 - Google Patents

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CN117280888A CN202280030800.0A CN202280030800A CN117280888A CN 117280888 A CN117280888 A CN 117280888A CN 202280030800 A CN202280030800 A CN 202280030800A CN 117280888 A CN117280888 A CN 117280888A
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Kyushu University NUC
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Abstract

一种有机发光元件，其发光寿命长且稳定，并且满足下述式。该有机发光元件具有：发光层，包含第1有机化合物(1)和作为延迟荧光材料的第2有机化合物(2)；及阻挡层，与该发光层相邻且包含三重态调整化合物(Q)。ES1表示最低激发单重态能量，ET1表示最低激发三重态能量。ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)，ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(Q)。

Description

有机发光元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种使用了延迟荧光材料的有机发光元件。
背景技术
在积极地进行提高有机电致发光元件(有机EL元件)等有机发光元件的发光效率的研究。尤其，已经进行了各种通过新开发构成有机电致发光元件的电子传输材料、空穴传输材料、主体材料、发光材料等并进行组合来提高发光效率的研究。其中，还可以见到与利用了延迟荧光材料的有机发光元件相关的研究。
延迟荧光材料为如下化合物：在激发状态下产生从激发三重态向激发单重态的反向系间窜越之后，从该激发单重态返回至基底状态时发射荧光。由这种途径产生的荧光比来自从基态直接产生的激发单重态的荧光(通常的荧光)更迟被观测到，因此被称为延迟荧光。在此，例如在通过载体的注入而激发发光性化合物的情况下，激发单重态与激发三重态的产生概率统计为25％:75％，因此若仅通过来自直接产生的激发单重态的荧光，则发光效率的提高存在极限。另一方面，在延迟荧光材料中，除了激发单重态以外，激发三重态也能够通过经由上述反向系间窜越的路径而利用于荧光发光中，因此与通常的延迟荧光材料相比，可以获得更高的发光效率。
作为这种延迟荧光材料，提出有具有咔唑基等杂芳基或二苯基氨基和至少两个氰基的苯衍生物，并且确认到通过将该苯衍生物用于发光层中的有机EL元件而获得了高的发光效率(参考专利文献1)。
并且，在非专利文献1中，报告有咔唑基二氰基苯衍生物(4CzTPN)为热活性型延迟荧光材料的内容，并且报告有通过使用了该咔唑基二氰基苯衍生物的有机电致发光元件而实现了高的内部EL量子效率的内容。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-43541号公报
非专利文献
非专利文献1：H.Uoyama,et al.,Nature 492,234(2012)
发明内容
发明要解决的技术课题
如上所述，在专利文献1及非专利文献1中，报告有在使用了延迟荧光材料的有机电致发光元件中，获得了高的发光效率。另一方面，为了提供实用性高的有机电致发光元件，延长寿命是必不可少的。但是，确保充分的寿命并不容易。
在这种情况下，本发明人等为了改善使用了延迟荧光材料的有机发光元件的寿命而进行了苦心探讨。
用于解决技术课题的手段
为了实现上述目的而进行了苦心探讨的结果，本发明人发现了通过在发光层和其相邻层中使用满足特定条件的主体材料、延迟荧光材料及三重态调整化合物，能够实现发光寿命长且稳定的有机发光元件。本发明根据这种见解而提出，具体而言，具有以下结构。
[1]一种有机发光元件，其具有：发光层，包含第1有机化合物和第2有机化合物；及阻挡层，与该发光层相邻且包含三重态调整化合物，其中，
前述第2有机化合物为延迟荧光材料，
前述第1有机化合物、第2有机化合物及前述三重态调整化合物满足下述条件(a)及(b)，
条件(a) ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)
条件(b) ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(Q)
(在上式中，
ES1(1)表示所述第1有机化合物的最低激发单重态能量。
ES1(2)表示所述第2有机化合物的最低激发单重态能量。
ES1(Q)表示前述三重态调整化合物的最低激发单重态能量。
ET1(1)表示前述第1有机化合物的77K的最低激发三重态能量。
ET1(2)表示前述第2有机化合物的77K的最低激发三重态能量。
ET1(Q)表示前述三重态调整化合物的77K的最低激发三重态能量。)
[2]根据[1]所述的有机发光元件，其中，
前述发光层还包含第3有机化合物，并且满足下述条件(a1)及(b1)。
条件(a1) ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)＞ES1(3)
条件(b1) ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(3)＞ET1(Q)
(在上式中，
ES1(3)表示前述第3有机化合物的最低激发单重态能量。
ET1(3)表示前述第3有机化合物的77K的最低激发三重态能量。)
[3]根据[1]或[2]所述的有机发光元件，其中，
前述阻挡层中的前述三重态调整化合物的浓度大于50％。
[4]根据[1]至[3]的任一项所述的有机发光元件，其中，
前述三重态调整化合物具有下述通式(15)所表示的结构。
[化学式1]
通式(15)
(在通式(15)中，Ra及Rb分别独立地表示经取代或未经取代的芳基。Rc及Rd分别独立地表示氢原子、氘原子、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的氨基、卤原子、氰基或者经取代或未经取代的甲硅烷基。)
[5]根据[1]至[4]的任一项所述的有机发光元件，其中，
在阳极与阴极之间具有前述发光层，前述阻挡层为形成于前述阳极与前述发光层之间的电子阻挡层。
[6]根据[1]至[5]的任一项所述的有机发光元件，其中，
在阳极与阴极之间具有前述发光层，前述阻挡层为形成于前述阴极与前述发光层之间的空穴阻挡层。
[7]根据[1]至[6]的任一项所述的有机发光元件，其中，
前述第2有机化合物的最低激发单重态与77K的最低激发三重态的能量之差ΔEst为0.3eV以下。
[8]根据[2]至[7]的任一项所述的有机发光元件，其中，
前述发光层包含最低激发单重态与77K的最低激发三重态的能量之差ΔEst为0.3eV以下的第3有机化合物。
[9]根据[1]至[8]的任一项所述的有机发光元件，其中，
前述发光层仅由化合物构成，该化合物由选自包括碳原子、氢原子、氘原子、氮原子、硼原子、氧原子及硫原子的组中的原子组成。
[10]根据[1]至[9]的任一项所述的有机发光元件，其中，
前述第1有机化合物、前述第2有机化合物及前述三重态调整化合物分别独立地为由选自包括碳原子、氢原子、氘原子及氮原子的组中的原子组成的化合物。
[11]根据[1]至[10]的任一项所述的有机发光元件，其中，
前述三重态调整化合物为仅由碳原子及氢原子构成的化合物。
[12]根据[1]至[11]的任一项所述的有机发光元件，其中，
前述第2有机化合物包含氰基苯结构。
[13]一种有机发光元件的制造方法，其包括：形成包含第1有机化合物和作为延迟荧光材料的第2有机化合物的发光层，并且以与该发光层相邻的方式形成包含三重态调整化合物的阻挡层的工序，或者形成包含三重态调整化合物的阻挡层，并且以与该阻挡层相邻的方式形成包含第1有机化合物和作为延迟荧光材料的第2有机化合物的发光层的工序，
前述第1有机化合物、第2有机化合物及前述三重态调整化合物满足下述条件(a)及(b)。
条件(a) ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)
条件(b) ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(Q)
(在上式中，
ES1(1)表示所述第1有机化合物的最低激发单重态能量。
ES1(2)表示所述第2有机化合物的最低激发单重态能量。
ES1(Q)表示前述三重态调整化合物的最低激发单重态能量。
ET1(1)表示前述第1有机化合物的77K的最低激发三重态能量。
ET1(2)表示前述第2有机化合物的77K的最低激发三重态能量。
ET1(Q)表示前述三重态调整化合物的77K的最低激发三重态能量。)
[14]根据[13]所述的有机发光元件的制造方法，其中，
前述发光层还包含第3有机化合物，并且满足下述条件(a1)及(b1)。
条件(a1) ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)＞ES1(3)
条件(b1) ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(3)＞ET1(Q)
(在上式中，
ES1(1)表示所述第1有机化合物的最低激发单重态能量。
ES1(2)表示所述第2有机化合物的最低激发单重态能量。
ES1(3)表示前述第3有机化合物的最低激发单重态能量。
ES1(Q)表示前述三重态调整化合物的最低激发单重态能量。
ET1(1)表示前述第1有机化合物的77K的最低激发三重态能量。
ET1(2)表示前述第2有机化合物的77K的最低激发三重态能量。
ET1(3)表示前述第3有机化合物的77K的最低激发三重态能量。
ET1(Q)表示前述三重态调整化合物的77K的最低激发三重态能量。)
[15]一种发光组合物的设计方法，其包括如下各工序：[工序1]对组合物的发光效率和寿命进行评价，该组合物包含第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物及三重态调整化合物，并且满足上述条件(a)及(b)，
[工序2]进行至少1次对组合物的发光效率和寿命进行评价的工序，该组合物在满足上述条件(a)及(b)的范围内代替第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物及三重态调整化合物中的至少一个，
[工序3]显示评价结果。
[16]一种发光组合物的设计方法，其包括如下各工序：[工序1]对组合物的发光效率和寿命进行评价，该组合物包含第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物，并且满足上述条件(a1)及(b1)，
[工序2]进行至少1次对组合物的发光效率和寿命进行评价的工序，该组合物在满足上述条件(a1)及(b1)的范围内代替第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物中的至少一个，
[工序3]显示评价结果。
[17]一种程序，其实施[15]或[16]中所记载的方法。
发明效果
根据本发明的有机发光元件，能够实现长寿命的发光。并且，若使用本发明的设计方法或程序，则能够设计能够实现长寿命的发光的有机发光元件用的发光组合物。
附图说明
图1是表示有机电致发光元件的层结构例的概略剖视图。
图2是表示用于实施有机发光元件的制造方法的工序的流程图。
图3是表示程序的处理工序的例的流程图。
具体实施方式
以下对本发明的内容进行详细说明。关于以下所记载的构成要件的说明有时是基于本发明的代表性的实施方式或具体例来进行，但是本发明并不限定于这种实施方式或具体例。另外，在本文中，使用“～”所表示的数值范围意味着包含“～”的前后所描述的数值作为下限值及上限值的范围。并且，在本发明中，“由～组成”表示仅由“组成”的前面所记载的那些组成，并且不包含其他组成。并且，存在于本发明中所使用的化合物的分子内的氢原子的同位素种类并无特别限定，例如，分子内的氢原子可以全部为1H，也可以一部分或全部为2H(氘D)。
(有机发光元件的特征)
本发明的有机发光元件具有包含第1有机化合物、第2有机化合物及三重态调整化合物。其中，第2有机化合物为延迟荧光材料。而且，这些有机化合物满足下述条件(a)及(b)。
条件(a) ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)
条件(b) ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(Q)
并且，在本发明的优选方式中，本发明的有机发光元件具有包含第1有机化合物、第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物。其中，第2有机化合物为延迟荧光材料。而且，这些有机化合物满足下述条件(a1)及(b1)。
条件(a1) ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)＞ES1(3)
条件(b2) ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(3)＞ET1(Q)
在本发明中，ES1(1)表示前述第1有机化合物的最低激发单重态能量，ES1(2)表示前述第2有机化合物的最低激发单重态能量，ES1(3)表示前述第3有机化合物的最低激发单重态能量，ES1(Q)表示前述三重态调整化合物的最低激发单重态能量。在本发明中，采用eV作为单位。
ET1(1)表示前述第1有机化合物的77K(绝对温标)的最低激发三重态能量，ET1(2)表示前述第2有机化合物的77K的最低激发三重态能量，ET1(3)表示前述第3有机化合物的77K的最低激发三重态能量，ET1(Q)表示前述三重态调整化合物的77K的最低激发三重态能量。在本发明中，采用eV作为单位。
在同时满足条件(a)和条件(b)时，第2有机化合物的最低激发单重态能量ES1(2)和最低激发三重态能量ET1(2)均在三重态调整化合物的最低激发单重态能量ES1(Q)与最低激发三重态能量ET1(Q)之间。并且，在同时满足条件(a1)和条件(b1)时，第2有机化合物的最低激发单重态能量ES1(2)和最低激发三重态能量ET1(2)及第3有机化合物的最低激发单重态能量ES1(3)和最低激发三重态能量ET1(3)均在三重态调整化合物的最低激发单重态能量ES1(Q)与最低激发三重态能量ET1(Q)之间。因此，三重态调整化合物的最低激发单重态能量与77K的最低激发三重态能量之差ΔEST(Q)大于第2有机化合物或第3有机化合物。三重态调整化合物的ΔEST(Q)优选为0.5eV以上，更优选为0.6eV以上，更优选为0.7eV以上。三重态调整化合物的ΔEST(Q)例如能够设在1.5eV以下的范围内，设在1.2eV以下的范围内或者设在0.9eV以下的范围内。
三重态调整化合物与第2有机化合物的最低激发单重态能量之差ES1(Q)-ES1(2)优选为0.05eV以上，更优选为0.10eV以上，或者能够设为0.15eV以上。ES1(Q)-ES1(2)例如能够设在0.7eV以下的范围内，设在0.5eV以下的范围内或者设在0.3eV以下的范围内。
第3有机化合物与三重态调整化合物的最低激发三重态能量之差ET1(3)-ET1(Q)优选为0.10eV以上，更优选为0.30eV以上，或者能够设为0.45eV以上。ET1(3)-ET1(Q)例如能够设在0.9eV以下的范围内，设在0.7eV以下的范围内或者设在0.5eV以下的范围内。
第1有机化合物与第2有机化合物的最低激发单重态能量之差ES1(1)-ES1(2)能够设在0.3eV以上的范围内，设在0.5eV以上的范围内或者设在0.7eV以上的范围内，并且能够设在1.6eV以下的范围内，设在1.3eV以下的范围内或者设在0.9eV以下的范围内。
第1有机化合物与三重态调整化合物的最低激发单重态能量之差ES1(1)-ES1(Q)能够设在0.2eV以上的范围内，设在0.4eV以上的范围内或者设在0.6eV以上的范围内，并且能够设在1.5eV以下的范围内，设在1.2eV以下的范围内或者设在0.8eV以下的范围内。
第1有机化合物的最低激发三重态能量ET1(1)可以大于三重态调整化合物的最低激发单重态能量ES1(Q)。例如，ET1(1)-ES1(Q)能够设在0.05eV以上的范围内，设在0.10eV以上的范围内或者设在0.15eV以上的范围内。并且，能够设在0.7eV以下的范围内，设在0.5eV以下的范围内或者设在0.3eV以下的范围内。
在本发明的有机发光元件的发光层包含第1有机化合物、第2有机化合物及第3有机化合物时，优选为各化合物的含量满足下述条件(c)的关系。
条件(c) Conc(1)＞Conc(2)＞Conc(3)
Conc(1)表示发光层中的第1有机化合物的浓度，Conc(2)表示发光层中的第2有机化合物的浓度，Conc(3)表示发光层中的第3有机化合物的浓度。在本发明中，采用重量％作为单位。
在本发明的有机发光元件中，优选Conc(1)为30重量％以上，能够设在50重量％以上的范围内或者设在65重量％以上的范围内，并且能够设在99重量％以下的范围内，设在85重量％以下的范围内或者设在75重量％以下的范围内。
在本发明的有机发光元件中，优选Conc(2)为10重量％以上，能够设在20重量％以上的范围内或者设在30重量％以上的范围内，并且能够设在45重量％以下的范围内，设在40重量％以下的范围内或者设在35重量％以下的范围内。
当本发明的有机发光元件的发光层包含第3有机化合物时，Conc(3)优选为5重量％以下，更优选为3重量％以下。Conc(3)能够设在1重量％以下的范围内或者设在0.5重量％以下的范围内，并且能够设在0.01重量％以上的范围内，设在0.1重量％以上的范围内或者设在0.3重量％以上的范围内。优选为还满足下述条件(d)。
条件(d) Conc(2)/Conc(3)＞5
Conc(2)/Conc(3)能够设在10以上的范围内，设在30以上的范围内或者设在50以上的范围内，并且能够设在500以下的范围内，设在300以下的范围内或者设在100以下的范围内。
本发明的有机发光元件在与发光层相邻的阻挡层中包含三重态调整化合物。包含三重态调整化合物的阻挡层可以层叠于发光层上，也可以在包含三重态调整化合物的阻挡层上层叠发光层。并且，也可以为在发光层的两面上形成有包含三重态调整化合物的阻挡层的结构、即具有按阻挡层、发光层、阻挡层的顺序层叠而成的结构。此时，在发光层的两面上形成的各阻挡层的厚度和构成材料可以相同。并且，在发光层的两面上形成的各阻挡层的厚度或构成材料中的至少一者可以彼此不同。
在本发明的有机发光元件设为在阳极与阴极之间具有包括发光层的有机层的结构的情况下，包含三重态调整化合物的阻挡层可以为以与发光层的阳极侧接触的方式形成的电子阻挡层，也可以为以与发光层的阴极侧接触的方式形成的空穴阻挡层。并且，可以同时形成包含三重态调整化合物的电子阻挡层和包含三重态调整化合物的空穴阻挡层。
阻挡层可以仅由三重态调整化合物构成，也可以同时包含三重态调整化合物和除了三重态调整化合物以外的化合物。在后者的情况下，三重态调整化合物的浓度优选为50重量％以上，更优选为80重量％以上，例如也可以为95重量％以上或99重量％以上。
阻挡层的厚度优选为1nm以上，更优选为3nm以上，例如能够设为5nm以上。阻挡层的厚度优选为20nm以下，更优选为10nm以下，例如能够设为7nm以下。
(第1有机化合物)
第1有机化合物为最低激发单重态能量和最低激发三重态能量大于第2有机化合物及三重态调整化合物的有机化合物。当发光层包含第3有机化合物时，第1有机化合物为最低激发单重态能量和最低激发三重态能量大于第3有机化合物的有机化合物。第1有机化合物具有作为负责输送载子的主体材料的功能或将第2有机化合物或第3有机化合物的能量限制在该化合物中的功能。由此，能够将通过在分子内空穴与电子再键合而产生的能量效率良好地转换为发光。
作为第1有机化合物，优选为具有空穴传输能力和电子传输能力，并且防止发光的长波长化，而且具有高的玻璃转移温度的有机化合物。并且，在本发明的优选方式中，第1有机化合物从不发射延迟荧光的化合物进行选择。
以下包括能够用作第1有机化合物的优选的化合物。
[化学式2-1]
[化学式2-2]
[化学式2-3]
(第2有机化合物)
用于本发明的有机发光元件中的第2有机化合物为延迟荧光材料。本发明中的“延迟荧光材料”为有机化合物，该有机化合物在激发状态下产生从激发三重态向激发单重态的反向系间窜越，并在从该激发单重态返回至基底状态时发射荧光(延迟荧光)。在本发明中，在通过荧光寿命测定系统(Hamamatsu Photonics K.K.制条纹照相系统等)测定了发光寿命时，将观测到发光寿命为100ns(奈秒)以上的荧光的材料称为延迟荧光材料。
第2有机化合物的最低激发单重态能量与77K的最低激发三重态能量之差ΔEST(2)优选为0.3eV以下，更优选为0.25eV以下，更优选为0.2eV以下，更优选为0.15eV以下，进一步优选为0.1eV以下，更进一步优选为0.07eV以下，又进一步优选为0.05eV以下，再进一步优选为0.03eV以下，尤其优选为0.01eV以下。
如果ΔEST(2)小，那么因为热能量的吸收而容易从激发单重态反向系间窜越至激发三重态，所以第2有机化合物作为热活化型延迟荧光材料而发挥作用。热活化型延迟荧光材料能够吸收装置所发出的热而相对容易地从激发三重态反向系间窜越至激发单重态，将该激发三重态能量效率良好地贡献于发光。
本发明中的化合物的最低激发单重态能量(ES1)和最低激发三重态能量(ET1)为通过下述工序而求出的值。ΔEST为通过计算ES1-ET1而求出的值。
(1)最低激发单重态能量(ES1)
制备测定对象化合物的薄膜或甲苯溶液(浓度10-5mol/L)作为试样。在常温(300K)下测定该试样的荧光光谱。在荧光光谱中，将纵轴设为发光，将横轴设为波长。相对于该发光光谱的短波侧的上升绘制切线，并求出该切线与横轴的交点的波长值λedge[nm]。将通过以下所示的换算式将该波长值换算成能量值而获得的值设为ES1。
换算式：ES1[eV]＝1239.85/λedge
关于后述实施例中的发光光谱的测定，使用LED光源(Thorlabs,Inc.制、M300L4)作为激发光源，并通过检测器(Hamamatsu Photonics K.K.制、PMA-12多通道光谱仪C10027-01)来进行。
(2)最低激发三重态能量(ET1)
通过液态氮将与在最低激发单重态能量(ES1)的测定中所使用的相同的试样冷却至77[K]，将激发光(300nm)照射到磷光测定用试样上，并使用检测器来测定磷光。将照射激发光之后100毫秒以后的发光设为磷光光谱。相对于该磷光光谱的短波长侧的上升绘制切线，并求出该切线与横轴的交点的波长值λedge[nm]。将通过以下所示的换算式将该波长值换算成能量值而获得的值设为ET1。
换算式：ET1[eV]＝1239.85/λedge
相对于磷光光谱的短波长侧的上升的切线以如下方式绘制。在光谱曲线上从磷光光谱的短波长侧移动至光谱的极大值中最短波长侧的极大值时，考虑朝向长波长侧在曲线上的各点上的切线。该切线随着曲线上升(即，随着纵轴增加)而斜率增加。将在该斜率的值取极大值的点上绘制的切线设为相对于该磷光光谱的短波长侧的上升的切线。
另外，具有光谱的最大峰值强度的10％以下的峰值强度的极大点不包含于上述最短波长侧的极大值中而最接近最短波长侧的极大值，将在斜率的值取极大值的点上绘制的切线设为相对于该磷光光谱的短波长侧的上升的切线。
第2有机化合物为最低激发单重态能量小于第1有机化合物及三重态调整化合物的延迟荧光材料。并且，第2有机化合物为最低激发三重态能量小于第1有机化合物且最低激发三重态能量大于三重态调整化合物的延迟荧光材料。在发光层包含第3有机化合物时，第2有机化合物为最低激发单重态能量和最低激发三重态能量大于第3有机化合物的延迟荧光材料。第2有机化合物只要为在某些条件下能够发射延迟荧光的化合物即可。在本发明的有机发光元件的发光层不包含第3有机化合物的情况下，本发明的有机发光元件发射源自第2有机化合物的延迟荧光。在本发明的有机发光元件的发光层包含第3有机化合物的情况下，在本发明的有机发光元件中，发射源自第2有机化合物的延迟荧光不是必需的，来自第3有机化合物的发光成为主要的发光。在本发明的有机发光元件中，第2有机化合物从激发单重态的第1有机化合物接收能量并过度到激发单重态。并且，第2有机化合物可以从激发三重态的第1有机化合物接收能量并过度到激发三重态。由于第2有机化合物的ΔEST小，因此激发三重态的第2有机化合物容易反向系间窜越至激发单重态的第2有机化合物。在不存在第3有机化合物的情况下，由这些路径产生的激发单重态的第2有机化合物在返回至基底状态时发射荧光(延迟荧光)。在存在第3有机化合物的情况下，激发单重态的第2有机化合物向第3有机化合物提供能量以使第3有机化合物过度到激发单重态。
在发光层不包含第3有机化合物时，本发明的有机发光元件主要从第2有机化合物发光。此时，第2有机化合物的最大发光波长并无特别限制。因此，能够适当选择使用在可见区域(380～780nm)具有最大发光波长的发光材料或在红外区域(780nm～1mm)具有最大发光波长的发光材料等。优选为在可见区域中具有最大发光波长的荧光材料。例如，可以选择使用380～780nm的区域内的最大发光波长在380～570nm的范围内的发光材料，选择使用最大发光波长在380～500nm的范围内的发光材料，选择使用最大发光波长在380～480nm的范围内的发光材料或者选择使用最大发光波长在420～480nm的范围内的发光材料。
在本发明的优选方式中，选择并组合各化合物以在第1有机化合物的发光波长区域与第2有机化合物的吸收波长区域之间存在重叠。尤其，优选为第1有机化合物的发光光谱的短波长侧的边缘与第2有机化合物的吸收光谱的长波侧的边缘重叠(交叉)。
以下包括能够用作第2有机化合物的优选的化合物。在以下的示例性化合物的结构式中，t-Bu表示叔丁基。
[化学式3-1]
[化学式3-2]
[化学式3-3]
[化学式3-4]
[化学式3-5]
在第2有机化合物中，除了上述以外，也能够适当组合使用公知的延迟荧光材料。并且，即使为未知的延迟荧光材料，也能够使用。
优选的延迟荧光材料，可以包括WO2013/154064号公报的0008～0048段及0095～0133段、WO2013/011954号公报的0007～0047段及0073～0085段、WO2013/011955号公报的0007～0033段及0059～0066段、WO2013/081088号公报的0008～0071段及0118～0133段、日本特开2013-256490号公报的0009～0046段及0093～0134段、日本特开2013-116975号公报的0008～0020段及0038～0040段、WO2013/133359号公报的0007～0032段及0079～0084段、WO2013/161437号公报的0008～0054段及0101～0121段、日本特开2014-9352号公报的0007～0041段及0060～0069段、日本特开2014-9224号公报的0008～0048段及0067～0076段、日本特开2017-119663号公报的0013～0025段、日本特开2017-119664号公报的0013～0026段、日本特开2017-222623号公报的0012～0025段、日本特开2017-226838号公报的0010～0050段、日本特开2018-100411号公报的0012～0043段、WO2018/047853号公报的0016～0044段中所记载的通式中所包含的化合物、尤其为例示化合物且发射延迟荧光的化合物。并且，可以优选采用日本特开2013-253121号公报、WO2013/133359号公报、WO2014/034535号公报、WO2014/115743号公报、WO2014/122895号公报、WO2014/126200号公报、WO2014/136758号公报、WO2014/133121号公报、WO2014/136860号公报、WO2014/196585号公报、WO2014/189122号公报、WO2014/168101号公报、WO2015/008580号公报、WO2014/203840号公报、WO2015/002213号公报、WO2015/016200号公报、WO2015/019725号公报、WO2015/072470号公报、WO2015/108049号公报、WO2015/080182号公报、WO2015/072537号公报、WO2015/080183号公报、日本特开2015-129240号公报、WO2015/129714号公报、WO2015/129715号公报、WO2015/133501号公报、WO2015/136880号公报、WO2015/137244号公报、WO2015/137202号公报、WO2015/137136号公报、WO2015/146541号公报、WO2015/159541号公报中所记载的发光材料且发射延迟荧光的材料。另外，在该段中所描述的上述公报作为本说明书的一部分而引用于此。
能够优选地使用由下述通式(1)表示且发射延迟荧光的化合物作为本发明的延迟荧光材料。在本发明的优选实施方式中，作为第2有机化合物，可以采用通式(1)所表示的化合物。
[化学式4]
通式(1)
在通式(1)中，X1～X5表示N或C-R。R表示氢原子、氘原子或取代基。在X1～X5中的两个以上表示C-R时，这些C-R可以彼此相同也可以不同。其中，X1～X5中的至少一个为C-D(在此所述的D表示供体基团)。在X1～X5的全部为C-R时，Z表示受体基团，在X1～X5中的至少一个为N时，Z表示氢原子、氘原子或取代基。
在通式(1)所表示的化合物中尤其优选的化合物为下述通式(2)所表示的化合物。
[化学式5]
通式(2)
在通式(2)中，X1～X5表示N或C-R。R表示氢原子、氘原子或取代基。在X1～X5中的两个以上表示C-R时，这些C-R可以彼此相同也可以不同。其中，X1～X5中的至少一个为C-D(在此所述的D表示供体基团)。
关于通式(1)的Z所表示的取代基的说明和优选范围，能够参考后述通式(7)的取代基的说明和优选范围。通式(1)的Z所表示的受体基团为具有相对于与Z键合的环供给电子的性质的基团，例如能够从哈米特的σp值为正的基团进行选择。通式(1)及通式(2)的D所表示的供体基团为具有相对于与D键合的环吸引电子的性质的基团，例如能够从哈米特的σp值为负的基团进行选择。在以下中，有时将受体基团称为A。
在此，“哈米特的σp值”为由L.P.Hammett所提出，使取代基对对位取代苯衍生物的反应速度或平衡带来的影响定量化。具体而言，为对位取代苯衍生物中的取代基与反应速度常数或平衡常数之间成立的下述式：
log(k/k0)＝ρσp或
log(K/K0)＝ρσp
中的取代基所特有的常数(σp)。在上式中，k表示不具有取代基的苯衍生物的速度常数，k0表示经取代基取代的苯衍生物的速度常数，K表示不具有取代基的苯衍生物的平衡常数，K0表示经取代基取代的苯衍生物的平衡常数，ρ表示由反应的种类及条件所决定的反应常数。关于与本发明中的“哈米特的σp值”相关的说明及各取代基的数值，能够参考与Hansch,C.et.al.,Chem.Rev.,91,165–195(1991)的σp值相关的记载。
在通式(1)及通式(2)中，X1～X5表示N或C-R，但是至少一个为C-D。X1～X5中的N的数量为0～4个，例如可以例示出X1和X3和X5、X1和X3、X1和X4、X2和X3、X1和X5、X2和X4、仅X1、仅X2、仅X3为N的情况。X1～X5中的C-D的数量为1～5个，优选为2～5个。例如，可以例示出X1和X2和X3和X4和X5、X1和X2和X4和X5、X1和X2和X3和X4、X1和X3和X4和X5、X1和X3和X5、X1和X2和X5、X1和X2和X4、X1和X3和X4、X1和X3、X1和X4、X2和X3、X1和X5、X2和X4、仅X1、仅X2、仅X3为C-D的情况。X1～X5中的至少一个可以为C-A。在此所述的A表示受体基团。X1～X5中的C-A的数量优选为0～2，更优选为0或1。作为C-A的A，可以优选地举出具有氰基及不饱和的氮原子的杂环式芳香族基。并且，X1～X5可以分别独立地为C-D或C-A。
在X1～X5中的相邻的两个表示C-R时，两个R可以彼此键合而形成环状结构。彼此键合而形成的环状结构可以为芳香环，也可以为脂肪环，并且也可以包含杂原子，环状结构还可以为2环以上的稠环。作为在此所述的杂原子，优选为选自由氮原子、氧原子及硫原子组成的组中的原子。作为所形成的环状结构的例，可以举出苯环、萘环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、吡嗪环、吡咯环、咪唑环、吡唑环、咪唑啉环、噁唑环、异噁唑环、噻唑环、异噻唑环、环己二烯环、环己烯环、环戊二烯环、环庚三烯环、环庚二烯环、环庚烯环、呋喃环、噻吩环、萘啶环、喹喔啉环、喹啉环等。例如，可以形成如菲环或联三亚苯环那样多个环稠合而成的环。
通式(1)及通式(2)中的供体基团D优选例如为下述通式(3)所表示的基团。
[化学式6]
通式(3)
在通式(3)中，R11和R12分别独立地表示经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烯基、经取代或未经取代的芳基或者经取代或未经取代的杂芳基。R11和R12可以彼此键合而形成环状结构。L表示单键、经取代或未经取代的亚芳基或者经取代或未经取代的杂亚芳基。能够导入到L的亚芳基或杂亚芳基的取代基可以为通式(1)或通式(2)所表示的基团，也可以为后述通式(3)～(6)所表示的基团。这些(1)～(6)所表示的基团可以导入至能够导入到L的取代基的最大数。并且，在导入有多个通式(1)～(6)所表示的基团的情况下，这些取代基可以彼此相同也可以不同。*表示通式(1)或通式(2)中的与构成环的环骨架的碳原子(C)的键合位置。
在此所述的“烷基”可以为直链状、支链状、环状中的任一个。并且，可以混合直链部分、环状部分及支链部分中的2种以上。烷基的碳原子数例如能够设为1个以上、2个以上、4个以上。并且，碳原子数能够设为30个以下、20个以下、10个以下、6个以下、4个以下。作为烷基的具体例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、正己基、异己基、2-乙基己基、正庚基、异庚基、正辛基、异辛基、正壬基、异壬基、正癸基、异癸基、环戊基、环己基、环庚基。取代基的烷基可以进一步经芳基取代。
“烯基”可以为直链状、支链状、环状中的任一个。并且，可以混合直链部分、环状部分及支链部分中的2种以上。烯基的碳原子数例如能够设为2个以上、4个以上。并且，碳原子数能够设为30个以下、20个以下、10个以下、6个以下、4个以下。作为烯基的具体例，可以举出乙烯基、正丙烯基、异丙烯基、正丁烯基、异丁烯基、正戊烯基、异戊烯基、正己烯基、异己烯基、2-乙基己烯基。取代基的烯基可以进一步经取代基取代。
“芳基”及“杂芳基”可以为单环，也可以为2个以上的环稠合而成的稠环。在为稠环的情况下，所稠合的环的数量优选为2～6个，例如能够选自2～4个中。作为环的具体例，可以举出苯环、吡啶环、嘧啶环、三嗪环、萘环、蒽环、菲环、三亚苯环、喹啉环、吡嗪环、喹喔啉环、萘啶环。作为芳基或杂芳基的具体例，可以举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基。“亚芳基”及“杂芳基”能够设为将芳基及杂芳基的说明中的价数从1替换为2的基团。
取代基表示能够取代氢原子或氘原子的1价的基团，而不是包含稠合的基团的概念。关于取代基的说明和优选范围，能够参考后述通式(7)的取代基的说明和优选范围。
通式(3)所表示的化合物优选为下述通式(4)～(6)中的任一个所表示的化合物。
[化学式7]
通式(4)
通式(5)
通式(6)
在通式(4)～(6)中，R51～R60、R61～R68、R71～R78分别独立地表示氢原子、氘原子或取代基。关于在此所述的取代基的说明和优选范围，能够参考后述通式(7)中的取代基的说明和优选范围。R51～R60、R61～R68、R71～R78也优选分别独立地为上述通式(4)～(6)中的任一个所表示的基团。通式(4)～(6)中的取代基的数量并无特别限制。也优选全部为未经取代(即，氢原子或氘原子)的情况。并且，在通式(4)～(6)的各自中取代基有两个以上的情况下，这些取代基可以相同也可以不同。在通式(4)～(6)中存在取代基的情况下，若为通式(4)，则该取代基优选为R52～R59中的任一个，若为通式(5)，则该取代基优选为R62～R67中的任一个，若为通式(6)，则该取代基优选为R72～R77中的任一个。
在通式(4)～(6)中，R51和R52、R52和R53、R53和R54、R54和R55、R55和R56、R56和R57、R57和R58、R58和R59、R59和R60、R61和R62、R62和R63、R63和R64、R65和R66、R66和R67、R67和R68、R71和R72、R72和R73、R73和R74、R75和R76、R76和R77、R77和R78可以彼此键合而形成环状结构。关于环状结构的说明和优选例，能够参考上述通式(1)及通式(2)的X1～X5中的环状结构的说明和优选例。
在通式(6)中，X表示连接链长为1原子的2价的氧原子、硫原子、经取代或未经取代的氮原子、经取代或未经取代的碳原子、经取代或未经取代的硅原子、羰基或键合链长为2原子的2价的经取代或未经取代的亚乙基、经取代或未经取代的亚乙烯基、经取代或未经取代的邻亚芳基或者经取代或未经取代的邻杂亚芳基。关于取代基的具体例和优选范围，能够参考上述通式(1)及通式(2)中的取代基的记载。
在通式(4)～(6)中，L12～L14表示单键、经取代或未经取代的亚芳基或者经取代或未经取代的杂亚芳基。关于L12～L14所表示的亚芳基或杂亚芳基的说明和优选范围，能够参考L所表示的亚芳基或杂亚芳基的说明和优选范围。L12～L14优选为单键、经取代或未经取代的亚芳基。在此所述的亚芳基或杂亚芳基的取代基可以为通式(1)～(6)所表示的基团。通式(1)～(6)所表示的基团可以导入至能够导入到L11～L14的取代基的最大数。并且，在导入有多个通式(1)～(6)所表示的基团的情况下，这些取代基可以彼此相同也可以不同。*表示通式(1)或通式(2)中的与构成环的环骨架的碳原子(C)的键合位置。
在本发明中，能够尤其优选地使用由下述通式(7)表示且发射延迟荧光的化合物作为延迟荧光材料。在本发明的优选实施方式中，作为第2有机化合物，可以采用通式(7)所表示的化合物。
[化学式8]
通式(7)
在通式(7)中，R1～R5中的0～4个表示氰基，R1～R5中的至少一个表示取代氨基，剩余的R1～R5表示氢原子、氘原子或除了氰基和取代氨基以外的取代基。
在此所述的取代氨基优选为经取代或未经取代的二芳氨基，构成经取代或未经取代的二芳氨基的两个芳基可以彼此连接。连接可以通过单键进行(此时，形成咔唑环)，也可以通过-O-、-S-、-N(R6)-、-C(R7)(R8)-、-Si(R9)(R10)-等连接基进行。其中，R6～R10表示氢原子、氘原子或取代基，R7和R8、R9和R10可以分别彼此连接而形成环状结构。
取代氨基可以为R1～R5中的任一个，例如能够将R1和R2、R1和R3、R1和R4、R1和R5、R2和R3、R2和R4、R1和R2和R3、R1和R2和R4、R1和R2和R5、R1和R3和R4、R1和R3和R5、R2和R3和R4、R1和R2和R3和R4、R1和R2和R3和R5、R1和R2和R4和R5、R1和R2和R3和R4和R5设为取代氨基等。氰基也可以为R1～R5中的任一个，例如能够将R1、R2、R3、R1和R2、R1和R3、R1和R4、R1和R5、R2和R3、R2和R4、R1和R2和R3、R1和R2和R4、R1和R2和R5、R1和R3和R4、R1和R3和R5、R2和R3和R4设为氰基等。
既不是氰基也不是取代氨基的R1～R5表示氢原子、氘原子或取代基。作为在此所述的取代基的例，可以举出由羟基、卤原子(例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、烷基(例如，碳原子数1～40)、烷氧基(例如，碳原子数1～40)、烷硫基(例如，碳原子数1～40)、芳基(例如，碳原子数6～30)、芳氧基(例如，碳原子数6～30)、芳硫基(例如，碳原子数6～30)、杂芳基(例如，环骨架构成原子数5～30)、杂芳氧基(例如，环骨架构成原子数5～30)、杂芳硫基(例如，环骨架构成原子数5～30)、酰基(例如，碳原子数1～40)、烯基(例如，碳原子数1～40)、炔基(例如，碳原子数1～40)、烷氧羰基(例如，碳原子数1～40)、芳氧羰基(例如，碳原子数1～40)、杂芳氧羰基(例如，碳原子数1～40)、甲硅烷基(例如，碳原子数1～40的三烷基甲硅烷基)、硝基、在此所举出的基团进一步经在此所举出的一个以上的基团取代的基团组成的取代基组A。作为上述二芳氨基的芳基经取代时的取代基的优选例，也可以举出上述取代基组A的取代基，可以进一步举出氰基和取代氨基。
关于通式(7)中所包含的化合物组和化合物的具体例，能够参考作为本说明书的一部分而引用于此的WO2013/154064号公报的0008～0048段、WO2015/080183号公报的0009～0030段、WO2015/129715号公报的0006～0019段、日本特开2017-119663号公报的0013～0025段、日本特开2017-119664号公报的0013～0026段。
并且，也能够尤其优选地使用由下述通式(8)表示且发射延迟荧光的化合物作为本发明的延迟荧光材料。在本发明的优选实施方式中，作为第2有机化合物，可以采用通式(8)所表示的化合物。
[化学式9]
通式(8)
在通式(8)中，Y1、Y2及Y3中的任意两个表示氮原子而剩余的一个表示次甲基或者Y1、Y2及Y3的全部表示氮原子。Z1及Z2分别独立地表示氢原子、氘原子或取代基。R11～R18优选为分别独立地表示氢原子、氘原子或取代基，R11～R18中的至少一个为经取代或未经取代的芳氨基或者经取代或未经取代的咔唑基。构成前述芳氨基的苯环、构成前述咔唑基的苯环可以分别与R11～R18一起形成单键或连接基。并且，通式(8)所表示的化合物在分子中包含至少两个咔唑结构。作为Z1、Z2可以采用的取代基的例，可以举出上述取代基组A的取代基。并且，关于R11～R18、上述芳氨基、咔唑基可以采用的取代基的具体例，可以举出上述取代基组A的取代基、氰基、取代芳氨基、取代烷氨基。另外，R11和R12、R12和R13、R13和R14、R15和R16、R16和R17、R17和R18可以彼此键合而形成环状结构。
在通式(8)所表示的化合物中，通式(9)所表示的化合物尤其有用。
[化学式10]
通式(9)
在通式(9)中，Y1、Y2及Y3中的任意两个表示氮原子而剩余的一个表示次甲基或者Y1、Y2及Y3的全部表示氮原子。Z2表示氢原子、氘原子或取代基。R11～R18及R21～R28分别独立地表示氢原子、氘原子或取代基。R11～R18中的至少一个和/或R21～R28中的至少一个表示经取代或未经取代的芳氨基或者经取代或未经取代的咔唑基优选为。构成前述芳氨基的苯环、构成前述咔唑基的苯环可以分别与R11～R18或R21～R28一起形成单键或连接基。作为Z2可以采用的取代基的例，可以举出上述取代基组A的取代基。并且，关于R11～R18、R21～R28、上述芳氨基、咔唑基可以采用的取代基的具体例，可以举出上述取代基组A的取代基、氰基、取代芳氨基、取代烷氨基。另外，R11和R12、R12和R13、R13和R14、R15和R16、R16和R17、R17和R18、R21和R22、R22和R23、R23和R24、R25和R26、R26和R27、R27和R28可以彼此键合而形成环状结构。
关于通式(9)中所包含的化合物组和化合物的具体例，能够参考作为本说明书的一部分而引用于此的WO2013/081088号公报的0020～0062段或Appl.Phys.Let，98，083302(2011)中所记载的化合物。
并且，也能够尤其优选地使用由下述通式(10)表示且发射延迟荧光的化合物作为本发明的延迟荧光材料。
[化学式11]
通式(10)
在通式(10)中，R91～R96分别独立地表示氢原子、氘原子、供体基团或受体基团，其中的至少一个为所述供体基团，至少两个为所述受体基团。至少两个受体基团的取代位置并无特别限制，但是优选为包含彼此具有间位的关系的两个受体基团。举例来说，当R91为供体基团时，可以优选地例示至少R92和R94为受体基团的结构和至少R92和R96为受体基团的结构。存在于分子内的受体基团可以全部相同也可以彼此不同，但是例如能够选择全部相同的结构。受体基团的数量优选为2～3，例如能够选择2。并且，供体基团可以存在两个以上，此时的供体基团也可以全部相同也可以彼此不同。供体基团的数量优选为1～3个，例如可以仅为一个，也可以为两个。另外，关于供体基团和受体基团的说明和优选范围，能够参考通式(1)的D和Z的说明和优选范围。尤其，在通式(10)中，供体基团优选由通式(3)表示，受体基团优选由氰基或下述通式(11)表示。
[化学式12]
通式(11)
在通式(11)中，Y4～Y6表示氮原子或者表示次甲基，但至少一个为氮原子，优选均表示氮原子。R101～R110分别独立地表示氢原子、氘原子或取代基，但至少一个优选为烷基。关于在此所述的取代基的说明和优选范围，能够参考前述通式(7)中的取代基的说明和优选范围。L15表示单键或连接基团，能够参考前述通式(3)中的L的说明和优选范围。在本发明的优选的一方面中，通式(11)中的L15为单键。*表示通式(10)中的与构成环的环骨架的碳原子(C)的键合位置。
在本发明的另一优选实施方式中，作为第2有机化合物，可以采用通式(12)所表示的化合物。
[化学式13]
通式(12)
在通式(12)所表示的化合物中尤其优选的化合物为下述通式(13)所表示的化合物或通式(14)所表示的化合物。
[化学式14]
在通式(12)～(14)中，D表示供体基团，A表示受体基团，R表示氢原子、氘原子或取代基。关于供体基团及受体基团的说明和优选范围，能够参考前述通式(1)的对应的说明和优选范围。作为R的取代基，可以例示出烷基或者可以经选自包括烷基及芳基的组中的一个基团或两个以上组合而获得的基团取代的芳基。
以下举出作为通式(12)～(14)中的D优选的供体基团的具体例。在以下具体例中，*表示键合位置，“D”表示氘。
[化学式15-1]
[化学式15-2]
以下举出作为通式(12)～(14)中的A优选的受体基团的具体例。在以下具体例中，*表示键合位置，“D”表示氘。
[化学式16-1]
/>
[化学式16-2]
以下举出作为通式(12)～(14)中的R优选的例。在以下具体例中，*表示键合位置，“D”表示氘。
[化学式17]
(第3有机化合物)
第3有机化合物为最低激发单重态能量小于第1有机化合物、第2有机化合物及三重态调整化合物的化合物。第3有机化合物为最低激发三重态能量小于第1有机化合物及第2有机化合物且最低激发三重态能量大于三重态调整化合物的化合物。在本发明的有机发光元件中，发射源自第3有机化合物的荧光。来自第3有机化合物的发光通常包含延迟荧光。来自本发明的有机发光元件的发光的最大成分为来自第3有机化合物的发光。即，来自本发明的有机发光元件的发光中来自第3有机化合物的发光量最大。第3有机化合物从激发单重态的第1有机化合物、激发单重态的第2有机化合物和从激发三重态进行反向系间窜越而成为激发单重态的第2有机化合物接收能量并过度到激发单重态。并且，在本发明的优选方式中，第3有机化合物从激发单重态的第2有机化合物和从激发三重态进行反向系间窜越而成为激发单重态的第2有机化合物接收能量并过度到激发单重态。所产生的第3有机化合物的激发单重态在之后返回至基底状态时发射荧光。
作为用作第3有机化合物的荧光材料，若为如此从第1有机化合物、第2有机化合物接收能量而能够发光即可，则并无特别限定，发光可以包含荧光、延迟荧光、磷光中的任一个。优选为，发光包含荧光或延迟荧光的情况，更优选为来自第3有机化合物的发光的最大成分为荧光的情况。
如果满足本发明的条件，那么可以使用两种以上的第3有机化合物。举例来说，能够通过同时使用发光颜色不同的两种以上的第3有机化合物来使所需的颜色发光。并且，可以使用一种第3有机化合物从第3有机化合物进行单色发光。
在本发明中，能够用作第3有机化合物的化合物的最大发光波长并无特别限制。因此，能够适当选择使用在可见区域(380～780nm)具有最大发光波长的发光材料或在红外区域(780nm～1mm)具有最大发光波长的发光材料等。优选为在可见区域中具有最大发光波长的荧光材料。例如，可以选择使用380～780nm的区域内的最大发光波长在380～570nm的范围内的发光材料，选择使用最大发光波长在380～500nm的范围内的发光材料，选择使用最大发光波长在380～480nm的范围内的发光材料或者选择使用最大发光波长在420～480nm的范围内的发光材料。
在本发明的优选方式中，选择并组合各化合物以在第2有机化合物的发光波长区域与第3有机化合物的吸收波长区域之间存在重叠。尤其优选为，第2有机化合物的发光光谱的短波长侧的边缘与第3有机化合物的吸收光谱的长波侧的边缘重叠(交叉)。
在以下，举出能够用作第3有机化合物的优选化合物。另外，在以下的示例性化合物的结构式中，Et表示乙基。
[化学式18]
作优选为化合物组，可以举出化合物E1～E5及具有它们的骨架的衍生物。作为衍生物，可以举出经烷基、芳基、杂芳基、二芳氨基取代的化合物。
并且，也可以尤其优选使用WO2015/022974号公报的0220～0239段中所描述的化合物作为本发明的第3有机化合物。
(三重态调整化合物)
三重态调整化合物为最低激发单重态能量小于第1有机化合物且最低激发单重态能量大于第2有机化合物的化合物。并且，三重态调整化合物为最低激发三重态能量小于第1有机化合物、第2有机化合物的化合物。在本发明的有机发光元件的发光层包含第3有机化合物时，三重态调整化合物为最低激发单重态能量大于第3有机化合物且最低激发三重态能量小于第3有机化合物的化合物。
在本发明的有机发光元件中，三重态调整化合物从激发三重态的第1有机化合物、第2有机化合物及作为任意成分的第3有机化合物接收能量并过度到激发三重态。尤其，能够从激发三重态的第2有机化合物及作为任意成分的第3有机化合物接收能量以使这些三重态激子去活化，因此能够抑制这些有机化合物中的三重态-三重态相互作用或三重态-电荷相互作用的影响以提高元件耐久性。
在不包含第3有机化合物的情况下，三重态调整化合物只要满足条件(a)和条件(b)即可。在包含第3有机化合物的情况下，三重态调整化合物只要满足条件(a1)和条件(b1)即可。在本发明的优选的一方面中，三重态调整化合物为下述通式(15)所表示的化合物。
[化学式19]
通式(15)
在通式(15)中，Ra及Rb分别独立地表示经取代或未经取代的芳基。Rc及Rd分别独立地表示氢原子、氘原子、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的氨基、卤原子、氰基或者经取代或未经取代的甲硅烷基。Rc及Rd优选为氢原子、氘原子或者经取代或未经取代的芳基。
作为通式(15)中的烷基、烷氧基、芳基、芳氧基及甲硅烷基可以采用的取代基，可以举出烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、卤原子、氰基及甲硅烷基。优选取代基为烷基及芳基。
关于在此所述的芳基、烷基、芳氧基的芳基部分、烷氧基的烷基部分，能够参考通式(3)中的芳基和烷基的说明和具体例。作为卤原子，可以例示出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。甲硅烷基优选为经取代或未经取代的三烷基甲硅烷基，关于构成三烷基甲硅烷基的烷基部分，能够参考通式(3)中的烷基的说明和具体例。可以使包含杂原子的环与芳基稠合。作为杂原子，可以例示出氮原子、氧原子及硫原子。
在本发明的优选的一方面中，Ra及Rb相同，Rc及Rd为氢原子或氘原子(优选为氢原子)。在本发明的另一优选的一方面中，Ra及Rb不同，Rc及Rd为氢原子或氘原子(优选为氢原子)。
在本发明的优选的一方面中，Rc及Rd中的至少一者为氢原子或氘原子(优选为氢原子)。
在本发明的优选的一方面中，Ra、Rb及Rc分别独立地为经取代或未经取代的芳基。此时，Rd能够设为氢原子。或者，Rd也能够设为经取代或未经取代的芳基。
并且，在本发明的优选的一方面中，三重态调整化合物为下述通式(16)所表示的化合物。
[化学式20]
通式(16)
在通式(16)中，Re、Rf、Rg及Rh分别独立地表示氢原子、氘原子、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的氨基、卤原子、氰基或者经取代或未经取代的甲硅烷基。关于这些取代基的说明和优选范围，能够参考通式(15)中的对应的取代基的说明和优选范围。在本发明的优选的一方面中，Re及Rg分别独立地表示经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的氨基、卤原子、氰基或者经取代或未经取代的甲硅烷基，并且Rf及Rh表示氢原子或氘原子(优选为氢原子)。在本发明的另一优选的一方面中，Re及Rg分别独立地表示经取代或未经取代的氨基，Rf及Rh表示氢原子或氘原子(优选为氢原子)。Re、Rf、Rg及Rh可以全部为氢原子或氘原子(优选为全部为氢原子)。
并且，在本发明的另一优选的一方面中，三重态调整化合物为下述通式(17)所表示的化合物。
通式(17)
HetAr1-L21-HetAr2
在通式(17)中，HetAr1及HetAr2分别独立地表示通式(18)所表示的基团，其中的至少一个为被通式(19)取代的通式(18)所表示的基团。L21表示连接基团，能够参考前述通式(3)中的L的说明和优选范围。在本发明的优选的一方面中，通式(17)中的L21为未被取代的亚芳基(碳原子数6～16个)。
[化学式21]
通式(18)
在通式(18)中，X’表示氧原子、硫原子或N-R89。R81～R89中的一个与L键合，剩余部分的R81～R89分别独立地表示氢原子、氘原子或取代基。关于在此所述的取代基的说明和优选范围，能够参考前述通式(7)中的取代基的说明和优选范围。并且，关于在此所述的取代基的说明和优选范围，也能够参考前述通式(15)中的Rc及Rd的说明和优选范围(其中，氢原子的情况除外)。另外，R81和R82、R82和R83、R83和R84、R85和R86、R86和R87、R87和R88可以彼此键合而形成环状结构。
[化学式22]
通式(19)
在通式(19)中，n表示0以上的整数，R91～R96分别独立地表示氢原子、氘原子或取代基。关于在此所述的取代基的说明和优选范围，能够参考前述通式(7)中的取代基的说明和优选范围。并且，关于在此所述的取代基的说明和优选范围，也能够参考前述通式(15)中的Rc及Rd的说明和优选范围(其中，氢原子的情况除外)。n优选为0～3，例如能够设为0或者设为1。*表示通式(18)中的与构成环的环骨架的碳原子的键合位置。
在通式(17)所表示的化合物中，能够尤其优选地采用下述通式(20)所表示的化合物。
[化学式23]
通式(20)
在通式(20)中，X表示氧原子、硫原子或N-Rp。Ri、Rj、Rk、Rm、Rn及Rp分别独立地表示取代基。关于在此所述的取代基的说明和优选范围，能够参考前述通式(18)中的取代基的说明和优选范围。通式(20)中的i、k、m及n分别独立地表示0～4中的任一个整数。j表示0～3中的任一个整数。i、j、k、m及n可以分别独立地例如在0～2的范围内进行选择，也可以在0～1的范围内进行选择，也可以全部为0。在本发明的优选的一方面中，X表示氧原子。在本发明的另一优选的一方面中，X表示氧原子或硫原子，在包含X的二苯并呋喃环或二苯并噻吩环的2位上与通式(20)的中央的苯环键合。在本发明的另一优选的一方面中，包含X的3环结构在9-咔唑基的间位上与中央的苯环键合。
在本发明的优选的一方面中，三重态调整化合物为对称化合物。
若满足条件(a)及条件(b)，则可以使用两种以上的三重态调整化合物。
在以下，举出能够用作三重态调整化合物的优选化合物。
[化学式24-1]
[化学式24-2]
[化学式24-3]
(发光层)
本发明的有机发光元件的发光层包含满足条件(a)及条件(b)的第1有机化合物和第2有机化合物。或者，本发明的有机发光元件的发光层包含满足条件(a1)及条件(b2)的第1有机化合物、第2有机化合物及第3有机化合物。发光层能够设为如下结构：除了第1有机化合物、第2有机化合物及第3有机化合物以外，不包含进行电荷或能量的授受的化合物或金属元素。并且，发光层也能够仅由第1有机化合物和第2有机化合物构成或者仅由第1有机化合物、第2有机化合物及第3有机化合物构成。进而，发光层也能够仅由化合物构成，该化合物由选自包括碳原子、氢原子、氘原子、氮原子、硼原子、氧原子及硫原子的组中的原子组成。例如，发光层能够仅由化合物构成，该化合物由选自包括碳原子、氢原子、氘原子、氮原子、硼原子及氧原子的组中的原子组成。例如，发光层能够仅由化合物构成，该化合物由选自包括碳原子、氢原子、氘原子、氮原子、硼原子及硫原子的组中的原子组成。例如，发光层能够仅由化合物构成，该化合物由选自包括碳原子、氢原子、氘原子、氮原子及硼原子的组中的原子组成。例如，发光层能够仅由化合物构成，该化合物由选自包括碳原子、氢原子、氘原子、氮原子、氧原子及硫原子的组中的原子组成。例如，发光层能够仅由化合物构成，该化合物由选自包括碳原子、氢原子、氘原子及氮原子的组中的原子组成。或者，发光层中所包含的第1有机化合物、第2有机化合物及作为任意成分的第3有机化合物也能够分别独立地设为由选自包括碳原子、氢原子、氮原子、氧原子及硫原子的组中的原子组成的化合物。例如，第1有机化合物、第2有机化合物及作为任意成分的第3有机化合物能够分别独立地设为由选自包括碳原子、氢原子、氮原子及氧原子的组中的原子组成的化合物。例如，第1有机化合物、第2有机化合物及作为任意成分的第3有机化合物能够分别独立地设为由选自包括碳原子、氢原子、氮原子及硫原子的组中的原子组成的化合物。例如，第1有机化合物、第2有机化合物及作为任意成分的第3有机化合物能够分别独立地设为由选自包括碳原子、氢原子、氘原子及氮原子的组中的原子组成的化合物。
发光层可以通过将第1有机化合物、第2有机化合物及作为任意成分的第3有机化合物进行共蒸镀而形成，也可以使用使第1有机化合物、第2有机化合物及作为任意成分的第3有机化合物溶解而获得的溶液并通过涂布法而形成。在通过共蒸镀来形成发光层时，可以预先混合第1有机化合物、第2有机化合物及作为任意成分的第3有机化合物中的两个以上并加入到坩埚等中以作为蒸镀源，使用该蒸镀源进行共蒸镀，从而形成发光层。例如，可以预先混合第1有机化合物及第2有机化合物以制作一个蒸镀源，使用该蒸镀源和第3有机化合物的蒸镀源进行共蒸镀，从而形成发光层。
(有机发光元件的层结构)
通过形成包含满足条件(a)及条件(b)的第1有机化合物及第2有机化合物的发光层和与其相邻且包含三重态调整化合物的阻挡层，能够提供有机光致发光元件(有机PL元件)或有机电致发光元件(有机EL元件)等优异的有机发光元件。
发光层的厚度例如能够设为1～15nm，设为2～10nm或者设为3～7nm。
有机光致发光元件具有在基材上至少形成发光层和与其相邻的阻挡层的结构。并且，有机电致发光元件至少具有阳极、阴极及阳极与阴极之间形成有机层的结构。有机层至少包括发光层和与其相邻的阻挡层，可以仅由发光层和与其相邻的阻挡层构成，也可以除了发光层和与其相邻的阻挡层以外还具有1层以上的有机层。作为除了发光层以外的有机层，可以举出空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层、激子阻挡层等。空穴传输层可以为具有空穴注入功能的空穴注入传输层，电子传输层可以为具有电子注入功能的电子注入传输层。将具体的有机电致发光元件的结构例示于图1中。在图1中，1表示玻璃基板，2表示阳极，3表示空穴注入层，4表示空穴传输层，5表示电子阻挡层，6表示发光层，7表示空穴阻挡层，8表示空穴传输层，9表示阴极。
在本发明的有机发光元件为多波长发光型有机发光元件时，能够设为最短波长的发光包含延迟荧光。并且，也能够设为最短波长的发光不包含延迟荧光。
(有机发光元件的制造方法)
本发明的有机发光元件的制造方法并无特别限制。
作为优选的制造方法，可以举出包括如下工序的制造方法：形成包含三重态调整化合物的阻挡层，并且以与该阻挡层相邻的方式形成包含第1有机化合物和作为延迟荧光材料的第2有机化合物的发光层。例如，在通过在阳极上层叠有机层来制造有机电致发光元件的情况下，能够形成包含三重态调整化合物的电子阻挡层，并且以层叠于该电子阻挡层上的方式形成包含第1有机化合物和第2有机化合物的发光层。
作为另一优选的制造方法，可以举出包括如下工序的制造方法：形成包含第1有机化合物和作为延迟荧光材料的第2有机化合物的发光层，并且以与该发光层相邻的方式形成包含三重态调整化合物的阻挡层。例如，在通过在阳极上层叠有机层来制造有机电致发光元件的情况下，能够形成包含第1有机化合物和第2有机化合物的发光层，并且以层叠于该发光层上的方式形成包含三重态调整化合物的空穴阻挡层。
也能够组合这些优选的制造方法。即，形成包含三重态调整化合物的第1阻挡层，并且以与该第1阻挡层相邻的方式形成包含第1有机化合物和第2有机化合物的发光层，进而可以以与该发光层相邻的方式形成包含三重态调整化合物的第2阻挡层。此时，构成第1阻挡层和第2阻挡层的三重态调整化合物可以相同也可以不同。并且，第1阻挡层和第2阻挡层的厚度可以相同也可以不同。在通过在阳极上层叠有机层来制造有机电致发光元件的情况下，能够将第1阻挡层形成为电子阻挡层，并且将第2阻挡层形成为空穴阻挡层。
在本发明的制造方法中，以满足上述条件(a)及(b)的方式选择彼此相邻的发光层和阻挡层中所使用的第1有机化合物、第2有机化合物及三重态调整化合物。并且，发光层能够包含第3有机化合物，此时，以满足上述条件(a1)及(b1)的方式选择彼此相邻的发光层和阻挡层中所使用的第1有机化合物、第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物。
发光层和阻挡层的形成方法并无特别限制。作为优选的形成方法，可以举出蒸镀法。并且，可以通过涂布法来形成。彼此相邻的发光层和阻挡层可以连续地形成，也可以间歇地形成。优选为连续地形成的情况。
关于本发明的制造方法，能够利用通常的有机发光元件的生产线(制造设备)来容易地实施。即，在通常的生产线中，只要将用于形成发光层和阻挡层的材料变更为满足上述条件(a)及(b)，则能够容易实施本发明的制造方法。因此，本发明的制造方法具有无需进行生产线的变更或重新设置便能够实施等优点。并且，在实施本发明的制造方法之后，也能够通过变更所使用的材料而再度返回至本发明以外的有机发光元件的生产线上。因此，在经济上能够在短时间内实施或转用的观点而言，本发明的制造方法的实用性高。
在本发明的制造方法中，只要使用满足上述条件(a)及(b)的材料，以使彼此相邻的方式形成发光层和阻挡层，则其他层或结构的形成方法并无特别限制。例如，可以进一步包括形成阳极或阴极等电极的工序，也可以进一步包括形成除了发光层或阻挡层以外的层的工序。在将本发明的制造方法例如用于有机电致发光元件的制造中的情况下，能够实施如下各工序：在阳极上依序形成1层以上的有机层，在其上形成阻挡层，在其上形成发光层，在其上形成1层以上的有机层，在其上形成阴极。或者，能够实施如下各工序：在阳极上依序形成1层以上的有机层，在其上形成发光层，在其上形成阻挡层，在其上形成1层以上的有机层，在其上形成阴极。进而，可以实施如下各工序：在阳极上依序形成1层以上的有机层，在其上形成第1阻挡层，在其上形成发光层，在其上形成第2阻挡层，在其上形成1层以上的有机层，在其上形成阴极。也可以将这些制造方法中的阴极和阳极互换，在阴极上形成各层，最后形成阳极。进而，也可以由本领域技术人员进行自明的改变或添加。
图2是表示用于实施有机发光元件的制造方法的工序的流程图。在制造有机电致发光元件的情况下，准备电极(S1)，在电极上形成有机层(S2)。接着，在所形成的有机层上形成屏蔽层(S3)，进一步在其上形成发光层(S4)。在所形成的发光层上形成另一个屏蔽层(S5)，进一步在其上形成与在S2中形成的有机层不同的有机层(S6)。最后在有机层上形成电极(S7)，从而能够制造有机电致发光元件。在制造时，可以不进行作为有机层形成工序的S2和S6中的一者或两者。并且，可以不进行作为屏蔽层形成工序的S3和S5中的一者。并且，在制造有机光致发光元件的情况下，可以不进行电极准备工序S1和电极形成工序S7。在本发明的制造方法中，需要以使屏蔽层形成工序S3中所使用的材料和发光层形成工序S4中所使用的材料满足上述条件(a)及(b)的方式，或者以使发光层形成工序S4中所使用的材料和屏蔽层形成工序S5中所使用的材料满足上述条件(a)及(b)的方式选择材料而形成层。
以下对有机电致发光元件的各部件及除了发光层以外的各层进行说明。
衬底：
在一些实施例中，本发明的有机电致发光元件由衬底支撑，其中该衬底不受特别限制并且可以为已经常用于有机电致发光元件中的那些衬底中的任一种，例如由玻璃、透明塑料、石英和硅形成的那些衬底。
阳极：
在一些实施例中，有机电致发光装置的阳极由金属、合金、导电化合物或其组合制成。在一些实施例中，所述金属、合金或导电化合物具有较大功函数(4eV以上)。在一些实施例中，所述金属为Au。在一些实施方式中，导电性的透明材料可以从CuI、氧化铟锡(ITO)、SnO2及ZnO进行选择。在一些实施例中，使用能够形成透明导电膜的非晶形材料如IDIXO(In2O3-ZnO)等。在一些实施例中，所述阳极为薄膜。在一些实施例中，所述薄膜通过蒸镀或溅镀来制作。在一些实施例中，所述膜通过光刻法进行图案化。在一些实施例中，当图案可能不需要高精确度(例如，约100μm以上)时，所述图案可以用具有所需形状的掩模在电极材料的蒸镀或溅镀时形成。在一些实施例中，当可以涂层涂布材料(如有机导电化合物)时，使用湿膜形成法，如印刷法和涂布法。在一些实施例中，当所发射的光经过阳极时，所述阳极的透射率大于10％，并且所述阳极的薄层电阻为每平方数百欧姆以下。在一些实施例中，阳极的厚度为10～1,000nm。在一些实施例中，阳极的厚度为10～200nm。在一些实施例中，阳极的厚度根据所用材料而变化。
阴极：
在一些实施例中，所述阴极由电极材料具有较小功函数的金属(4eV以下)(称为电子注入金属)、合金、导电化合物或其组合制作。在一些实施例中，所述电极材料从钠、钠-钾合金、镁、锂、镁-铜混合物、镁-银混合物、镁-铝混合物、镁-铟混合物、铝-氧化铝(Al2O3)混合物、铟、锂-铝混合物和稀土金属中进行选择。在一些实施例中，使用电子注入金属与第2金属的混合物，所述第2金属为功函数比所述电子注入金属更大的稳定金属。在一些实施例中，所述混合物从镁-银混合物、镁-铝混合物、镁-铟混合物、铝-氧化铝(Al2O3)混合物、锂-铝混合物和铝中进行选择。在一些实施例中，所述混合物增加电子注入特性和针对氧化的耐久性。在一些实施例中，阴极通过用蒸镀或溅镀使电极材料形成为薄膜来制造。在一些实施例中，所述阴极的薄层电阻为每平方数百欧姆以下。在一些实施例中，所述阴极的厚度在10nm～5μm范围内。在一些实施例中，所述阴极的厚度在50～200nm范围内。在一些实施例中，为了透射所发射的光，有机电致发光元件的阳极和阴极中的任一个为透明或半透明。在一些实施例中，透明或半透明的电致发光元件增强发光亮度。
在一些实施例中，用如对于所述阳极所描述的导电透明材料形成所述阴极以形成透明或半透明的阴极。在一些实施例中，元件包含均透明或半透明的阳极和阴极。
注入层：
注入层为处于电极与有机层之间的层。在一些实施例中，所述注入层降低驱动电压并且增强发光亮度。在一些实施例中，所述注入层包括空穴注入层和电子注入层。所述注入层可以配置于阳极与发光层或空穴传输层之间，以及配置于阴极与发光层或电子传输层之间。在一些实施例中，存在注入层。在一些实施例中，不存在注入层。
以下包括能够用作空穴注入材料的优选的化合物例。
[化学式25]
接着，举出能够用作电子注入材料的优选的化合物例。
[化学式26]
阻挡层：
阻挡层为能够抑制处于发光层中的电荷(电子或空穴)和/或激子扩散到发光层外侧的层。在一些实施例中，电子阻挡层处于发光层与空穴传输层之间，并且抑制电子朝向空穴传输层穿过发光层。在一些实施例中，空穴阻挡层处于发光层与电子传输层之间，并且抑制空穴朝向电子传输层穿过发光层。在一些实施例中，阻挡层抑制激子扩散到发光层外侧。在一些实施例中，电子阻挡层和空穴阻挡层构成激子阻挡层。在本文中所使用的术语“电子阻挡层”或“激子阻挡层”包括具有电子阻挡层和激子阻挡层两者的功能的层。
空穴阻挡层：
空穴阻挡层作为电子传输层而发挥功能。在一些实施例中，空穴阻挡层在传输电子的同时抑制空穴到达电子传输层。在一些实施例中，空穴阻挡层增强发光层中电子和空穴的再键合的概率。用于空穴阻挡层的材料可以为与对电子传输层所描述的材料相同的材料。
优选为在空穴阻挡层与发光层相邻时，空穴阻挡层包含三重态调整化合物。
以下包括能够用于空穴阻挡层的优选的化合物例。
[化学式27]
[化学式28]
电子阻挡层：
由电子阻挡层传输空穴。在一些实施例中，电子阻挡层在传输空穴的同时抑制电子到达空穴传输层。在一些实施例中，电子阻挡层增强发光层中电子和空穴的再键合的概率。用于电子阻挡层的材料可以为与对空穴传输层所描述的材料相同的材料。
优选为在电子阻挡层与发光层相邻时，电子阻挡层包含三重态调整化合物。
在以下，举出能够用作电子障壁材料的除了三重态调整化合物以外的优选化合物的具体例。
[化学式29]
激子阻挡层：
激子阻挡层抑制经由发光层中空穴和电子的再键合而产生的激子扩散到电荷传输层。在一些实施例中，激子阻挡层使得能够将激子有效约束在发光层中。在一些实施例中，增强装置的发光效率。在一些实施例中，激子阻挡层在阳极侧面和阴极侧面中的任一个上和在两个侧面上与发光层相邻。在一些实施例中，当激子阻挡层处于阳极侧面上时，所述层可以处于空穴传输层与发光层之间并且与所述发光层相邻。在一些实施例中，当激子阻挡层处于阴极侧面上时，所述层可以处于发光层与阴极之间并且与所述发光层相邻。在一些实施例中，空穴注入层、电子阻挡层或相同的层处于阳极与激子阻挡层之间，所述激子阻挡层在阳极侧面上与发光层相邻。在一些实施例中，空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层或相同的层处于阴极与激子阻挡层之间，所述激子阻挡层在阴极侧面上与发光层相邻。在一些实施例中，激子阻挡层包含激发单重态能量和激发三重态能量，其中的至少一个分别高于发光材料的激发单重态能量和激发三重态能量。
优选为在激子阻挡层与发光层相邻时，激子阻挡层包含三重态调整化合物。
空穴传输层：
空穴传输层包含空穴传输材料。在一些实施例中，空穴传输层为单层。在一些实施例中，空穴传输层具有多个层。
在一些实施例中，空穴传输材料具有空穴的注入或传输特性和电子的阻挡特性中的一种。在一些实施例中，空穴传输材料为有机材料。在一些实施例中，空穴传输材料为无机材料。可以用于本发明中的已知空穴传输材料的实例包括(但不限于)三唑衍生物、噁二唑衍生剂、咪唑衍生物、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、聚芳基烷衍生剂、吡唑啉衍生物、二氢吡唑酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、被氨基取代的查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生剂、芴酮衍生物、腙衍生物、芪(stilbene)衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺共聚物和导电聚合物低聚物(尤其噻吩低聚物)或其组合。在一些实施例中，空穴传输材料从卟啉化合物、芳香族叔胺和苯乙烯胺化合物中进行选择。在一些实施例中，空穴传输材料为芳香族叔胺化合物。以下包括能够用作空穴传输材料的优选化合物的具体例。
[化学式30]
[化学式31]
[化学式32]
电子传输层：
电子传输层包含电子传输材料。在一些实施例中，电子传输层为单层。在一些实施例中，电子传输层具有多个层。
在一些实施例中，电子传输材料仅需要具有传输电子的功能，其从阴极注入到发光层中。在一些实施例中，电子传输材料也作为空穴阻挡材料而发挥功能。可以用于本发明中的电子传输层的实例包括(但不限于)被硝基取代的芴衍生物、二苯醌衍生物、硫代哌喃二氧化物衍生物、碳化二亚胺、亚芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷、蒽酮衍生物、噁二唑衍生物、唑衍生物、嗪衍生物或其组合或其聚合物。在一些实施例中，电子传输材料为噻二唑衍生剂或喹喔啉衍生物。在一些实施例中，电子传输材料为聚合物材料。以下包括能够用作电子传输材料的优选化合物的具体例。
[化学式33]
[化学式34]
[化学式35]
[化学式36]
/>
此外，包括作为能够添加到各有机层中的材料较为优选的化合物例。例如，可以考虑作为稳定化材料进行添加等。
[化学式37]
具体地例示能够用于有机电致发光元件的优选材料，但在本发明中可以使用的材料并不被以下例示化合物做限定性地解释。并且，即使是作为具有特定功能的材料而例示的化合物，也能够转用作具有其他功能的材料。
装置：
在一些实施例中，将发光层并入到装置中。举例来说，装置包括OLED灯泡、OLED灯、电视机屏幕、计算机监视器、移动电话和平板计算机，但并不限定于这些。
在一些实施例中，电子装置包含OLED，所述OLED具有阳极、阴极和处于所述阳极与所述阴极之间的至少一个包含发光层的有机层。
在一些实施例中，本文中所描述的组合物可以并入到各种光敏感或光活化装置，如OLED或光伏打装置中。在一些实施例中，所述组合物可以适用于促进装置内的电荷转移或能量转移和/或适用作空穴传输材料。所述装置例如包括有机发光二极管(OLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池(O-SC)、有机光检测器、有机感光器、有机场淬灭装置(organicfield-quench device；O-FQD)、发光电化学电池(LEC)或有机激光二极管(O-激光)。
灯泡或灯：
在一些实施例中，电子装置包含OLED，所述OLED包含阳极、阴极和处于所述阳极与所述阴极之间的至少一个包含发光层的有机层。
在一些实施例中，装置包含颜色不同的OLED。在一些实施例中，装置包括包含OLED组合的阵列。在一些实施例中，OLED的所述组合为3种颜色的组合(例如RGB)。在一些实施例中，OLED的所述组合为并非红色、绿色或蓝色的颜色的组合(例如，橙色和黄绿色)。在一些实施例中，OLED的所述组合为2种、4种或4种以上的颜色的组合。
在一些实施例中，装置为OLED灯，所述OLED灯具备：
电路基板，具备具有安装面的第1面和与此相反的第2面，并且划定至少一个开口部；
至少一个OLED，配置于所述安装面上，并且具有所述至少一个OLED包含阳极、阴极和处于所述阳极与所述阴极之间的至少一个包含发光层的有机层并发光的结构；
壳体，用于电路基板；及
至少一个连接器，配置于所述壳体的端部，并且所述壳体及所述连接器划定适于安装到照明设备上的封装。
在一些实施例中，OLED灯包含安装在电路板上以使得光沿多个方向发出的多个OLED。在一些实施例中，使沿第1方向发出的光的一部分偏转以沿第2方向发射。在一些实施例中，反射器用于使沿第1方向发出的光偏转。
显示器或屏幕：
在一些实施例中，本发明的发光层可以用于屏幕或显示器中。在一些实施例中，使用包括(但不限于)真空蒸发、沉积、蒸镀或化学气相沉积(CVD)的方法来将本发明所涉及的化合物沉积到衬底上。在一些实施例中，衬底为适用于双侧蚀刻的照相底片(photoplate)结构，提供独特纵横比像素。屏幕(其也可以被称作掩模)用于制造OLED显示器中的方法中。相对应的艺术品图案设计在竖直方向上在像素之间促进极陡峭并狭窄的拉杆(tie-bar)，并且在水平方向上促进较大的拂掠斜角开口部。由此，允许对于高清显示器所需的像素紧密图案化，同时优化向TFT底板上的化学气相沉积。
像素的内部图案化允许构筑在水平和竖直方向上纵横比变化的3维像素开口部。此外，在像素区域内使用成像的“条带”或半色调圆形抑制特定区域中的蚀刻，直到这些特定图案被底切并离开衬底为止。此时，使所有像素区域以相同的蚀刻速率进行处理，但深度取决于半色调图案而变化。改变半色调图案的尺寸和间距允许蚀刻在像素内以不同速率得到抑制，允许进行形成陡峭竖直斜角所需的局部更深蚀刻。
用于蒸镀掩模的优选材料为恒范钢(invar)。恒范钢为在钢厂中冷轧成长薄片的金属合金。恒范钢无法作为镍掩模电沉积到自旋芯轴上。用于在蒸镀用掩模内形成开口区域的适当且低成本的方法为基于湿式化学蚀刻的方法。
在一些实施例中，屏幕或显示器图案为衬底上的像素矩阵。在一些实施例中，屏幕或显示器图案使用光刻(lithography)(例如光刻法(photolithography)和e束光刻)来制造。在一些实施例中，屏幕或显示器图案使用湿式化学蚀刻来制造。在另外的实施例中，屏幕或显示器图案使用等离子蚀刻来制造。
装置的制造方法：
OLED显示器一般通过形成较大母板并且接着将所述母板切割成单元板单位来制造。一般来说，母板上的每一个单元板均通过以下来形成：在基底衬底上形成包括作用层和源电极/漏电极的薄膜晶体管，将平坦化膜涂布到所述TFT上，并且依序形成像素电极、发光层、相对电极和包封层，并且从所述母板切割。
OLED显示器一般通过形成较大母板并且接着将所述母板切割成单元板单位来制造。一般来说，母板上的每一个单元板均通过以下来形成：在基底衬底上形成包括作用层和源电极/漏电极的薄膜晶体管，将平坦化膜涂布到所述TFT上，并且依序形成像素电极、发光层、相对电极和包封层，并且从所述母板切割。
在本发明的另一方式中，提供一种有机发光二极管(OLED)显示器的制造方法，所述方法包括：
在母板的基底衬底上形成阻挡层的工序；
在所述阻挡层上由单元板单位形成多个显示单位的工序；
在所述单元板的显示单位的各自上形成包封层的工序；及
在所述单元板之间的介面部分上涂布有机膜的工序。
在一些实施例中，阻挡层为由例如SiNx形成的无机膜，并且阻挡层的边缘部分覆盖有由聚酰亚胺或丙烯酰基形成的有机膜。在一些实施例中，有机膜有助于将母板轻轻地切割成单元板单位。
在一些实施例中，薄膜晶体管(TFT)层具有发光层、闸电极、和源电极/漏电极。所述多个显示单位中的每一个均可以包括薄膜晶体管(TFT)、在所述TFT层上形成的平坦化膜和在平坦化膜上形成的发光单位，其中涂布于所述介面部分的有机膜由与所述平坦化膜的材料相同的材料形成并且在与形成所述平坦化膜相同的时间形成。在一些实施例中，所述发光单位连接到TFT层，其间具有钝化层、平坦化膜和包封层，并且包封层覆盖和保护所述发光单位。在所述制造方法的一些实施例中，所述有机膜既不接触显示单位也不接触包封层。
所述有机膜和平坦化膜中的每一个均可以包括聚酰亚胺和丙烯酰基中的任一种。在一些实施例中，所述阻挡层可以为无机膜。在一些实施例中，所述基底衬底可以由聚酰亚胺形成。所述方法可以进一步包括，在于由聚酰亚胺形成的基底衬底的一个表面形成阻挡层之前，将由玻璃材料形成的载体衬底安装到所述基底衬底的另一个表面上，并且在沿着介面部分切割之前，使所述载体衬底与所述基底衬底分离。在一些实施例中，所述OLED显示器为柔性显示器。
在一些实施例中，所述钝化层为配置于TFT层上以覆盖所述TFT层的有机膜。在一些实施例中，所述平坦化膜为在钝化层上形成的有机膜。在一些实施例中，所述平坦化膜由聚酰亚胺或丙烯酰基形成，如在阻挡层边缘部分上形成的有机膜一样。在一些实施例中，当制造OLED显示器时，同时形成所述平坦化膜和有机膜。在一些实施例中，所述有机膜可以在阻挡层的边缘部分上形成，以使得该有机膜的一部分直接接触基底衬底，并且该有机膜的剩余部分在环绕阻挡层的边缘部分的同时接触阻挡层。
在一些实施例中，所述发光层具有像素电极、相对电极和配置于该像素电极与该相对电极之间的有机发光层。在一些实施例中，所述像素电极连接到TFT层的源电极/漏电极。
在一些实施例中，当经由TFT层向像素电极施加电压时，在像素电极与相对电极之间形成适当的电压，由此有机发光层发光，由此形成图像。以下，将具有TFT层和发光单位的图像形成单位称为显示单位。
在一些实施例中，覆盖显示单位并且防止外部水分渗透的包封层可以形成为具有其中有机膜和无机膜交替层叠的薄膜包封结构。在一些实施例中，所述包封层具有其中多个薄膜层叠的薄膜包封结构。在一些实施例中，涂布于介面部分的有机膜与多个显示单位中的每一个均间隔开。在一些实施例中，形成所述有机膜以使得所述有机膜的一部分直接接触基底衬底，并且所述有机膜的剩余部分在环绕阻挡层边缘部分的同时接触所述阻挡层。
在一个实施例中，OLED显示器为柔性，并且使用由聚酰亚胺形成的软基底衬底。在一些实施例中，在由玻璃材料形成的载体衬底上形成所述基底衬底，并且接着分离所述载体衬底。
在一些实施例中，在基底衬底中与载体衬底相反的一侧的表面上形成阻挡层。在一个实施例中，根据每一个单元板的尺寸使所述阻挡层图案化。举例来说，在母板整个表面上方形成基底衬底的同时，根据每一个单元板的尺寸形成阻挡层，由此在单元板阻挡层之间的介面部分处形成凹槽。可以沿着所述凹槽切割每一个单元板。
在一些实施例中，所述制造方法还包含沿着介面部分切割的工序，其中在阻挡层中形成凹槽，在凹槽中形成有机膜的至少一部分，并且该凹槽不穿透到基底衬底中。在一些实施例中，形成每一个单元板的TFT层，并且将钝化层(即，无机膜)和平坦化膜(即，有机膜)配置于TFT层上以覆盖TFT层。在形成由例如聚酰亚胺或丙烯酰基形成的平坦化膜的同时，用由例如聚酰亚胺或丙烯酰基形成的有机膜覆盖介面部分处的凹槽。这是当通过允许有机膜吸收冲击来防止开裂出现时，所述冲击是在沿着介面部分处的凹槽切割每一个单元板时所产生。也就是说，如果整个阻挡层在无有机膜的情况下完全暴露，那么当沿着介面部分处的凹槽切割每一个单元板时所产生的冲击转移到所述阻挡层，由此增加开裂风险。然而，在一个实施例中，因为阻挡层之间的介面部分处的凹槽覆盖有有机膜，并且所述有机膜吸收否则将转移到所述阻挡层的冲击，所以可以轻轻地切割每一个单元板，并且可以防止开裂在阻挡层中出现。在一个实施例中，覆盖介面部分处凹槽的有机膜与平坦化膜彼此间隔开。举例来说，如果有机膜和平坦化膜彼此连接作为单层，那么因为外部水分可能经由所述平坦化膜和残留有有机膜的一部分穿透到显示单位中，所以将所述有机膜与所述平坦化膜彼此间隔开以使得所述有机膜与所述显示单位间隔开。
在一些实施例中，通过形成发光单位来形成显示单位，并且将包封层配置于所述显示单位上以覆盖所述显示单位。由此，在完全制造母板之后，使支撑基底衬底的载体衬底与所述基底衬底分离。在一些实施例中，当朝向载体衬底发射激光束时，载体衬底因所述载体衬底与基底衬底之间的热膨胀系数差而与所述基底衬底分离。
在一些实施例中，将母板切割成单元板单位。在一些实施例中，通过使用切割机来沿着单元板之间的介面部分切割母板。在一些实施例中，因为切割母板所沿的介面部分处的凹槽覆盖有有机膜，所以所述有机膜在切割期间吸收冲击。在一些实施例中，可以在切割期间防止开裂在阻挡层中出现。
在一些实施例中，所述方法降低产品的缺陷率，并且使其品质稳定。
另一方式为一种OLED显示器，其具有：在基底衬底上形成的阻挡层；在所述阻挡层上形成的显示单位；在所述显示单位上形成的包封层；和涂布于所述阻挡层的边缘部分上的有机膜。
(发光组合物的设计方法)
在本发明中，还提供一种设计发光寿命长且稳定性优异的发光组合物的方法。
本发明的发光组合物的设计方法包括下述工序1～3。
[工序1]对组合物的发光效率和寿命进行评价，该组合物包含第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物及三重态调整化合物，并且满足下述条件(a)及(b)，
[工序2]进行至少1次对组合物的发光效率和寿命进行评价的工序，该组合物在满足下述条件(a)及(b)的范围内代替第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物及三重态调整化合物中的至少一个，
[工序3]显示评价结果。
条件(a) ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)
条件(b) ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(Q)
并且，本发明还提供一种包括下述工序1～3的设计方法作为包含第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物的发光组合物的设计方法。
[工序1]对组合物的发光效率和寿命进行评价，该组合物包含第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物，并且满足下述条件(a1)及(b1)，
[工序2]进行至少1次对组合物的发光效率和寿命进行评价的工序，该组合物在满足下述条件(a1)及(b1)的范围内代替第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物中的至少一个，
[工序3]显示评价结果。
发光组合物的设计方法包括各工序。
条件(a1) ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)＞ES1(3)
条件(b1) ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(3)＞ET1(Q)
关于发光效率和寿命的评价，可以实际上使发光组合物发光来进行评价，也可以通过计算来进行评价。并且，也可以实际上使发光组合物发光，并且使用计算法来进行评价。优选为以实用性高为指标从综合观点进行评价。在本发明的发光组合物的设计方法中，需要在满足条件(a)和条件(b)的范围内或满足条件(a1)和条件(b1)的范围内选择第1有机化合物、第2有机化合物、作为任意成分的第3有机化合物及三重态调整化合物并取代。并且，第2有机化合物需要从延迟荧光材料进行选择并取代。关于工序2中的化合物的取代，优选取代为获得更优异的评价的可能性高的化合物。关于工序2，例如可以进行10次以上、100次以上、1000次以上、10000次以上。在工序2中，也可以评价除了发光效率和寿命以外的性能等。在工序3中，可以直接显示评价结果，也可以在按评价结果高的顺序排列或者根据评价结果进行还考虑了另一个观点的再评价的基础上，显示其结果。此时，可以显示改变在工序2中评价的每个性能的比重之后进行再评价的结果。例如，在最重视寿命的情况下，可以显示增加寿命的比重之后进行再评价的结果。另外，在工序3中所述的显示为还包括显示器上的画面显示或印刷的概念，并且表示以由人或机械能够识别的状态显示。因此，为了输入至另一个程序中，将本发明的设计方法的结果作为电子信息进行发送也包括在显示中。
(程序)
本发明的程序为用于实施本发明的组合物的设计方法的程序。程序能够储存于记录介质中，并且也能够通过电子机构进行收发。
本发明的程序例如具有如下步骤：从蓄积了多个化合物的最低激发单重态能量和最低激发三重态能量的数据库中，以满足条件(a)及条件(b)的方式选择第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物及三重态调整化合物。该步骤可以为如下步骤：从蓄积了多个化合物的最低激发单重态能量和最低激发三重态能量的数据库中，以满足条件(a1)及条件(b1)的方式选择第1有机化合物、作为延迟荧光材料的第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物。
本发明的程序可以具有通过计算来评价包含所选择的化合物的组合物的发光效率和寿命的步骤。或者，本发明的程序可以具有输入实际测量包含所选择的化合物的组合物的发光效率和寿命的结果并进行评价的步骤。或者，本发明的程序可以具有利用蓄积了实际测量组合各种化合物而获得的组合物的发光效率和寿命的结果的数据库来评价包含所选择的化合物的组合物的发光效率和寿命的步骤。
本发明的程序可以具有根据所评价的发光效率和寿命的结果，并根据特定的判定式来选择优异的化合物的组合的步骤。并且，本发明的程序可以具备直至获得某个期待值以上的结果为止反复进行化合物的选择和包含所选择的化合物的组合物的评价的功能。或者，本发明的程序可以具有显示所评价的发光效率和寿命的结果的步骤或按优异的顺序显示的步骤。
参考图3对本发明的程序的处理步骤的例进行说明。在优选程序的一方面中，首先假设一个以上的以满足条件(a)及条件(b)的方式包含第1有机化合物、第2有机化合物及三重态调整化合物的组合物(S1)，并对其各组合物评价发光效率和寿命(S2)。之后，在还想进一步对其他组合物进行判定的情况下，假设一个以上的将第1有机化合物、第2有机化合物及三重态调整化合物中的至少一个以上的化合物取代为其他化合物以满足条件(a)及条件(b)的组合物(S4)，对各组合物评价发光效率和寿命(S2)。在没有进一步对其他组合物进行判定的情况下，显示评价结果(S5)，并结束。
在对包含第1有机化合物、第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物的组合物进行评价的情况下，在S1中，假设一个以上的以满足条件(a1)及条件(b1)的方式包含第1有机化合物、第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物的组合物。并且，在S4中，假设一个以上的将第1有机化合物、第2有机化合物、第3有机化合物及三重态调整化合物中的至少一个以上的化合物取代为其他化合物以满足条件(a1)及条件(b1)的组合物。其他与图3相同。
关于这些程序，能够由本领域技术人员适当进行自明的改变。
实施例
在以下，举出实施例对本发明的特征进一步进行具体说明。以下所示的材料、处理内容、处理步骤等只要不脱离本发明的主旨，则能够适当变更。因此，本发明的范围不应被以下所示的具体例做限定性地解释。另外，关于发光特性的评价，使用源表(Keithley公司制：2400系列)、半导体参数分析仪(Agilent Technologies Japan,Ltd.制：E5273A)、光功率计测定装置(Newport Corporation制：1930C)、光谱仪(Ocean Optics公司制：USB2000)、分光发射计(TOPCON CORPORATION制：SR-3)及条纹照相机(Hamamatsu Photonics K.K.制C4334型)来进行。并且，以下的实施例和比较例中所使用的化合物的最低激发单重态能量ES1和最低激发三重态能量ET1如以下表所示。
[表1]
(实施例1)
通过真空蒸镀法，以真空度1×10-6Pa将各薄膜层叠于形成有由膜厚100nm的铟/氧化锡(ITO)构成的阳极的玻璃衬底上。首先，在ITO上形成10nm厚度的HATCN，在其上形成30nm厚度的NPD，进而在其上形成10nm厚度的TrisPCz。接着，将化合物H1形成为5nm厚度，从而形成了电子阻挡层。进而，将化合物H1(70重量％)及化合物T13(30重量％)从不同的蒸镀源进行共蒸镀，从而形成了30nm厚度的发光层。接着，将Z1形成为10nm厚度的空穴阻挡层。接着，将SF3TRZ和Liq从不同的蒸镀源进行共蒸镀，从而形成为30nm厚度的电子传输层。此时，SF3TRZ:Liq(重量比)设为7:3。此外，将Liq形成为2nm的厚度，接着将铝(Al)蒸镀至100nm的厚度，由此形成了阴极。由此，制作了实施例1的有机电致发光元件。
(比较例1)
仅变更在空穴阻挡层中使用SF3TRZ来代替化合物Z1的这一点，并实施实施例1的制造方法，从而制作了比较例1的有机电致发光元件。
(实施例2)
仅变更在电子阻挡层中使用化合物Z1来代替化合物H1的这一点，并实施比较例1的制造方法，从而制作了实施例2的有机电致发光元件。
(评价)
在与所制造的各有机电致发光元件通电时，观察到源自第2有机化合物T13的延迟荧光的发射(均为极大发光波长485nm)。3个有机电致发光元件的外部量子效率为同等水准。测定以2mA/cm2持续通电直至发光强度成为通电开始时的95％为止的时间(LT95)，并将比较例1的元件的LT95设为1时的相对值示于表2中。如表2所示，确认到在空穴阻挡层中使用三重态调整化合物(化合物Z1)的实施例1的元件和在电子阻挡层中使用三重态调整化合物(化合物Z1)的实施例2的元件与在这些阻挡层中没有使用满足本发明的条件的三重态调整化合物的比较例1的元件相比，寿命变长46％。
[表2]
(实施例3)
仅变更由化合物H1(第1有机化合物：69.5重量％)、化合物T13(第2有机化合物：30.0重量％)、化合物E1(第3有机化合物：0.5重量％)形成发光层的这一点，并实施实施例1的制造方法，从而制作了实施例3的有机电致发光元件。
(比较例2)
仅变更在空穴阻挡层中使用SF3TRZ来代替化合物Z1的这一点，并实施实施例3的制造方法，从而制作了比较例2的有机电致发光元件。
(评价)
在与所制造的实施例3和比较例2的各有机电致发光元件通电时，观察到源自第3有机化合物E1的延迟荧光的发射(均为极大发光波长472nm)。在测定外部量子效率时，如表3所示，实施例3的元件实现了超过20％的高外部量子效率。并且，测定以2mA/cm2持续通电直至发光强度成为通电开始时的95％为止的时间(LT95)，并将比较例2的元件的LT95设为1时的相对值示于表3中。如表3所示，确认到在空穴阻挡层中使用三重态调整化合物(化合物Z1)的实施例3的元件与在空穴阻挡层中没有使用满足本发明的条件的三重态调整化合物的比较例2的元件相比，寿命变长4倍。
[表3]
[化学式38]
产业上的可利用性
根据本发明，能够提供寿命长且稳定的有机发光元件。因此，本发明的产业上的可利用性高。
符号说明
1-玻璃基板，2-阳极，3-空穴注入层，4-空穴传输层，5-电子阻挡层，6-发光层，7-空穴阻挡层，8-空穴传输层，9-阴极。

Claims (14)

1.一种有机发光元件，其具有：发光层，包含第1有机化合物和第2有机化合物；及阻挡层，与该发光层相邻且包含三重态调整化合物，其中，
所述第2有机化合物为延迟荧光材料，
所述第1有机化合物、第2有机化合物及所述三重态调整化合物满足下述条件(a)及(b)，
条件(a)ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)，
条件(b)ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(Q)，
在上式中，
ES1(1)表示所述第1有机化合物的最低激发单重态能量，
ES1(2)表示所述第2有机化合物的最低激发单重态能量，
ES1(Q)表示所述三重态调整化合物的最低激发单重态能量，
ET1(1)表示所述第1有机化合物的77K的最低激发三重态能量，
ET1(2)表示所述第2有机化合物的77K的最低激发三重态能量，
ET1(Q)表示所述三重态调整化合物的77K的最低激发三重态能量。
2.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中，
所述发光层还包含第3有机化合物，并且满足下述条件(a1)及(b1)，
条件(a1)ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)＞ES1(3)，
条件(b1)ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(3)＞ET1(Q)，
在上式中，
ES1(1)表示所述第1有机化合物的最低激发单重态能量，
ES1(2)表示所述第2有机化合物的最低激发单重态能量，
ES1(3)表示所述第3有机化合物的最低激发单重态能量，
ES1(Q)表示所述三重态调整化合物的最低激发单重态能量，
ET1(1)表示所述第1有机化合物的77K的最低激发三重态能量，
ET1(2)表示所述第2有机化合物的77K的最低激发三重态能量，
ET1(3)表示所述第3有机化合物的77K的最低激发三重态能量，
ET1(Q)表示所述三重态调整化合物的77K的最低激发三重态能量。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光元件，其中，
所述阻挡层中的所述三重态调整化合物的浓度大于50％。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机发光元件，其中，
所述三重态调整化合物具有下述通式(15)所表示的结构。
[化学式1]
通式(15)
在通式(15)中，Ra及Rb分别独立地表示经取代或未经取代的芳基，Rc及Rd分别独立地表示氢原子、氘原子、经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烷氧基、经取代或未经取代的芳基、经取代或未经取代的芳氧基、经取代或未经取代的氨基、卤原子、氰基或者经取代或未经取代的甲硅烷基。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机发光元件，其中，
在阳极与阴极之间具有所述发光层，所述阻挡层为形成于所述阳极与所述发光层之间的电子阻挡层。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机发光元件，其中，
在阳极与阴极之间具有所述发光层，所述阻挡层为形成于所述阴极与所述发光层之间的空穴阻挡层。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光元件，其中，
所述第2有机化合物的最低激发单重态与77K的最低激发三重态的能量之差ΔEst为0.3eV以下。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的有机发光元件，其中，
所述发光层包含最低激发单重态与77K的最低激发三重态的能量之差ΔEst为0.3eV以下的第3有机化合物。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的有机发光元件，其中，
所述发光层仅由化合物构成，该化合物由选自包括碳原子、氢原子、氘原子、氮原子、硼原子、氧原子及硫原子的组中的原子组成。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的有机发光元件，其中，
所述第1有机化合物、所述第2有机化合物及所述三重态调整化合物分别独立地为由选自包括碳原子、氢原子、氘原子及氮原子的组中的原子组成的化合物。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的有机发光元件，其中，
所述三重态调整化合物为仅由碳原子及氢原子构成的化合物。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的有机发光元件，其中，
所述第2有机化合物包含苯甲腈结构。
13.一种有机发光元件的制造方法，其包括：
形成包含第1有机化合物和作为延迟荧光材料的第2有机化合物的发光层，并且以与该发光层相邻的方式形成包含三重态调整化合物的阻挡层的工序，或者，
形成包含三重态调整化合物的阻挡层，并且以与该阻挡层相邻的方式形成包含第1有机化合物和作为延迟荧光材料的第2有机化合物的发光层的工序，
所述第1有机化合物、第2有机化合物及所述三重态调整化合物满足下述条件(a)及(b)，
条件(a)ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)，
条件(b)ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(Q)，
在上式中，
ES1(1)表示所述第1有机化合物的最低激发单重态能量，
ES1(2)表示所述第2有机化合物的最低激发单重态能量，
ES1(Q)表示所述三重态调整化合物的最低激发单重态能量，
ET1(1)表示所述第1有机化合物的77K的最低激发三重态能量，
ET1(2)表示所述第2有机化合物的77K的最低激发三重态能量，
ET1(Q)表示所述三重态调整化合物的77K的最低激发三重态能量。
14.根据权利要求13所述的有机发光元件的制造方法，其中，
所述发光层还包含第3有机化合物，并且满足下述条件(a1)及(b1)，
条件(a1)ES1(1)＞ES1(Q)＞ES1(2)＞ES1(3)，
条件(b1)ET1(1)＞ET1(2)＞ET1(3)＞ET1(Q)，
在上式中，
ES1(1)表示所述第1有机化合物的最低激发单重态能量，
ES1(2)表示所述第2有机化合物的最低激发单重态能量，
ES1(3)表示所述第3有机化合物的最低激发单重态能量，
ES1(Q)表示所述三重态调整化合物的最低激发单重态能量，
ET1(1)表示所述第1有机化合物的77K的最低激发三重态能量，ET1(2)表示所述第2有机化合物的77K的最低激发三重态能量，ET1(3)表示所述第3有机化合物的77K的最低激发三重态能量，ET1(Q)表示所述三重态调整化合物的77K的最低激发三重态能量。
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