CN117280083A - 硅单晶锭的评价方法、硅外延晶片的评价方法、硅外延晶片的制造方法及硅镜面晶片的评价方法 - Google Patents

硅单晶锭的评价方法、硅外延晶片的评价方法、硅外延晶片的制造方法及硅镜面晶片的评价方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种硅单晶锭的评价方法，包括：从评价对象的硅单晶锭切出三片以上的多片硅晶片；通过实施镜面加工，将上述多片硅晶片加工成硅镜面晶片；通过在镜面加工后的表面上形成外延层，将上述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；利用激光表面检查装置对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得亮点图；以及制作使对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图。在上述重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为评价对象的硅单晶锭中的切出了上述多片硅晶片的区域不是孪晶产生区域；在上述重合图中确认到上述以线状分布的亮点组的情况下，将在评价对象的硅单晶锭中切出了确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片的区域推定为孪晶产生区域。

Description

硅单晶锭的评价方法、硅外延晶片的评价方法、硅外延晶片的 制造方法及硅镜面晶片的评价方法
关联申请的相互参照
本申请主张2021年5月21日提交的日本特愿2021-085883号的优先权，将其全部记载作为特别公开在此加以引用。
技术领域
本发明涉及硅单晶锭的评价方法、硅外延晶片的评价方法、硅外延晶片的制造方法及硅镜面晶片的评价方法。
背景技术
作为半导体基板广泛使用的硅晶片是通过将从硅单晶锭切出的晶片交付研磨、成膜等各种工序而制造的。在硅晶片中包含晶体缺陷成为使半导体器件的器件特性降低的原因。作为这样的晶体缺陷已知孪晶(参照日本特开2017-105653号公报(其全部记载作为特别公开在此加以引用))。
如日本特开2017-105653号公报的第0002段记载的那样，孪晶是在硅单晶的培育中在某一定方向上施加应力，产生了相邻部分的一方成为另一方的镜像的规则的原子排列的塑性变形时产生的面缺陷。确定在硅单晶锭中推定产生了孪晶的区域，并且将上述区域从晶片切出区域中排除，这与能够提供显示优异的器件特性的半导体器件相关，因此是优选的。
发明内容
本发明的一个方式提供一种能够进行与孪晶产生区域相关的评价的硅单晶锭的新的评价方法。
本发明的一个方式涉及一种硅单晶锭的评价方法，包括：
从评价对象的硅单晶锭切出三片以上的多片硅晶片；
通过实施镜面加工，将上述多片硅晶片加工成硅镜面晶片；
通过在镜面加工后的表面上形成外延层，将上述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；
利用激光表面检查装置对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得亮点图；以及
制作使对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图，
在上述重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为评价对象的硅单晶锭中的切出了上述多片硅晶片的区域不是孪晶产生区域，
在上述重合图中确认到上述以线状分布的亮点组的情况下，将在评价对象的硅单晶锭中切出了确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片的区域推定为孪晶产生区域。
在一个方式中，在上述硅单晶锭的评价方法中，上述以线状分布的亮点组可以是长度2mm以上的以线状分布的亮点组。
在一个方式中，在上述硅单晶锭的评价方法中形成的上述外延层可以是0.5μm以上的膜厚的外延层。
在一个方式中，在上述硅单晶锭的评价方法中，可以在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片，进一步采用将亮点的位置坐标与上述硅单晶锭的轴向上的切出位置之间比例关系成立作为将切出了确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片的区域推定为孪晶产生区域的推定基准。
在一个方式中，评价对象的硅单晶锭的面方位可以是<100>，可以进一步将在该硅单晶锭中存在{111}面的两个区域推定为孪晶产生区域。
在一个方式中，评价对象的硅单晶锭的面方位可以是<100>，可以在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于上述多个亮点的至少一个，利用原子力显微镜观察存在于确认到亮点的位置的缺陷，基于观察到的缺陷的形状，进一步将在评价对象的硅单晶锭中存在{111}面的两个区域中的任一个推定为孪晶产生区域。
本发明的一个方式涉及一种硅外延晶片的评价方法，
评价对象的硅外延晶片是从同一硅单晶锭切出并在实施了镜面加工的硅镜面晶片的镜面加工后的表面上形成有外延层的三片以上的硅外延晶片，
上述硅外延晶片的评价方法包括：
利用激光表面检查装置对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得亮点图；以及
制作使对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图，
在上述重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为在评价对象的硅外延晶片中不存在孪晶引起的缺陷，
在确认到上述以线状分布的亮点组的情况下，推定为在确认到该亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中存在孪晶引起的缺陷。
在一个方式中，在上述硅外延晶片的评价方法中，上述以线状分布的亮点组可以是长度2mm以上的以线状分布的亮点组。
在一个方式中，在上述硅外延晶片的评价方法中，上述外延层可以是0.5μm以上的膜厚的外延层。
在一个方式中，在上述硅外延晶片的评价方法中，可以在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片，进一步采用将亮点的位置坐标与上述硅单晶锭的轴向上的切出位置之间比例关系成立作为推定为在确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中存在孪晶引起的缺陷的推定基准。
本发明的一个方式涉及一种硅外延晶片的制造方法，包括：
从同一硅单晶锭切出三片以上的多片硅晶片；
通过实施镜面加工，将上述多片硅晶片加工成硅镜面晶片；
通过在镜面加工后的表面上形成外延层，将上述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；
通过上述硅外延晶片的评价方法，评价上述多片硅外延晶片；以及
将上述评价的结果推定为不存在孪晶引起的缺陷的硅外延晶片交付用于作为产品硅外延晶片出厂的一个以上的工序。
本发明的一个方式涉及一种硅镜面晶片的评价方法，
评价对象的硅镜面晶片是从同一硅单晶锭切出并实施了镜面加工的硅镜面晶片，
上述硅镜面晶片的评价方法包括：
通过在实施了镜面加工的表面上形成外延层，将上述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；
利用激光表面检查装置对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得亮点图；以及
制作使对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图，
在上述重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为在评价对象的硅镜面晶片中不存在孪晶，
在确认到上述以线状分布的亮点组的情况下，推定为在确认到该亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中包含的硅镜面晶片中存在孪晶。
在一个方式中，在上述硅镜面晶片的评价方法中，上述以线状分布的亮点组可以是长度2mm以上的以线状分布的亮点组。
在一个方式中，在上述硅镜面晶片的评价方法中，上述外延层可以是0.5μm以上的膜厚的外延层。
在一个方式中，在上述硅镜面晶片的评价方法中，可以在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片，进一步采用将亮点的位置坐标与上述硅单晶锭的轴向上的切出位置之间比例关系成立作为推定为在确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中包含的硅镜面晶片中存在孪晶的推定基准。
根据本发明的一个方式，能够提供一种能够进行与孪晶产生区域相关的评价的硅单晶锭的新的评价方法。
附图说明
图1示出使对多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图的具体例。
图2是对于在图1所示的重合图中确认到以线状分布的亮点组中包含的亮点的硅晶片，相对于评价对象的硅单晶锭的轴向上的各硅晶片的切出位置描绘了各亮点的位置坐标(X坐标或Y坐标)的曲线图。
图3是面方位为<100>的硅单晶的晶格的说明图。
图4是利用原子力显微镜(AFM)观察在图1所示的重合图中以线状分布的亮点组中包含的亮点中的一个而取得的AFM图像。
具体实施方式
[硅单晶锭的评价方法]
本发明的一个方式的硅单晶锭的评价方法包括：从评价对象的硅单晶锭切出三片以上的多片硅晶片；通过实施镜面加工，将上述多片硅晶片加工成硅镜面晶片；通过在镜面加工后的表面上形成外延层，将上述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；利用激光表面检查装置对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得亮点图；以及制作使对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图。在上述硅单晶锭的评价方法中，在上述重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为评价对象的硅单晶锭中的切出了上述多片硅晶片的区域不是孪晶产生区域；在上述重合图中确认到上述以线状分布的亮点组的情况下，将在评价对象的硅单晶锭中切出了确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片的区域推定为孪晶产生区域。
本发明人在为了提供能够进行与孪晶产生区域相关的评价的硅单晶锭的新的评价方法而反复进行研究的过程中，得到以下新的见解。
(1)如果对包括孪晶的硅晶片实施镜面加工，并在镜面加工后的表面上成膜外延层，则在成膜的外延层中形成以裂缝状凹陷的表面缺陷。推测这是因为，在孪晶的正上方的部分和除此以外的部分中外延生长速率产生差异，在成膜的外延层中在孪晶的正上方的部分形成以裂缝状凹陷的表面缺陷。因此，这样形成的表面缺陷可以推定为孪晶引起的缺陷。
(2)上述表面缺陷能够利用激光表面检查装置检测为亮点(LPD；Light PointDefects，亮点缺陷)。
(3)孪晶在硅单晶锭中在一定方向上产生。因此，如果将从同一硅单晶锭切出的三片以上的多片硅晶片加工成硅镜面晶片，在镜面加工后的表面上形成外延层，并且利用激光表面检查装置对外延层表面取得亮点图，制作使这些多个亮点图重合的图，则在该重合图中，与推定为孪晶引起的缺陷的表面缺陷对应的亮点可以确认为以线状分布的亮点组。
并且，本发明人基于上述见解进一步反复进行了深入研究，结果完成了上述新的硅单晶锭的评价方法。
下面，对上述硅单晶锭的评价方法更详细地进行说明。
<评价对象的硅单晶锭>
上述硅单晶锭的评价方法中的评价对象的硅单晶锭例如可以是通过切克劳斯基(CZ)法培育的硅单晶锭。如上述记载的那样，孪晶是在硅单晶的培育中在某一定方向上施加应力，产生了相邻部分的一方成为另一方的镜像的规则的原子排列的塑性变形时产生的面缺陷。已知孪晶是通过切克劳斯基(CZ)法培育的硅单晶锭中可能产生的面缺陷。关于硅单晶锭的培育，可以应用与CZ法相关的公知技术。
<硅晶片的切出、对硅镜面晶片的加工>
在上述硅单晶锭的评价方法中，为了进行与硅单晶锭中的孪晶产生区域相关的评价，从评价对象的硅单晶锭切出三片以上的多片硅晶片。这些硅晶片的切出例如可以以如下方式进行。切割评价对象的硅单晶锭而得到块。对得到的块进行切片而制成晶片。通过CZ法培育的硅单晶锭如果将在轴向上培育时的提拉方向称为上方、将另一方称为下方，则在上方的圆锥形状部(被称为“肩部”)与下方的圆锥形状部(被称为“尾部”)之间存在被称为直体部的圆柱形状部分。上述块例如可以是切出直体部的一部分区域而得到的圆柱形状的块。此外，在一个方式中，上述三片以上的多片硅晶片可以是从评价对象的硅单晶锭中连续的区域切出的多片硅晶片、即通过所谓连续取样得到的硅晶片。此外，在另一个方式中，上述三片以上的多片硅晶片可以是从评价对象的硅单晶锭中分离的区域切出的多片硅晶片、即通过所谓抽样取样得到的硅晶片。如果进行抽样取样，则无法对位于进行抽样取样的区域之间的区域中包含的孪晶进行评价，因此从进一步提高评价对象的硅单晶锭中的孪晶产生区域的推定结果的可靠性的观点出发，优选通过连续取样得到上述三片以上的多片硅晶片。上述多片硅晶片的每一片的厚度例如可以是750μm～1mm。此外，进行连续取样的区域可以是硅单晶锭的轴向的跨80mm以上的区域，此外，上述区域的长度例如可以是440mm以下，但也可以是更长的情况。上述多片硅晶片的合计片数例如为10片以上，可以是50片以上、70片以上或100片以上，此外，例如可以是500片以下、300片以下或200片以下，也可以是超过在此例示的值的合计片数。
从评价对象的硅单晶锭切出的三片以上的多片硅晶片对两个主面中的一方或两方实施镜面加工而加工成硅镜面晶片。在本发明及本说明书中，“硅镜面晶片”是指对两个主面中的一方或两方实施了镜面加工的硅单晶晶片。镜面加工可以通过公知的方法进行。此外，对于镜面加工前的硅晶片，可以通过公知的方法实施倒角、研磨、磨削、粗研磨等为了得到硅镜面晶片而通常进行的各种加工。这样，得到三片以上的多片硅镜面晶片。
<对硅外延晶片的加工>
上述得到的三片以上的多片硅镜面晶片分别被加工成硅外延晶片。硅外延晶片是指将硅单晶晶片作为基板，在该基板上具有外延层的晶片。在本发明及本说明书中，外延层是指硅单晶的外延层。在上述得到的三片以上的多片硅镜面晶片上形成外延层可以通过如下方式进行：将各硅镜面晶片作为基板，在该基板的镜面加工后的表面上使硅单晶外延生长。关于这里的外延层的形成可以应用与硅外延晶片相关的公知技术。本发明人推测，在硅镜面晶片是对从孪晶产生区域切出的硅晶片实施了镜面加工的晶片的情况下，如上述记载的那样，如果在镜面加工后的表面上成膜外延层，则在成膜的外延层中，在孪晶的正上方的部分形成以裂缝状凹陷的表面缺陷。因此，上述表面缺陷可以推定为孪晶引起的缺陷。在上述硅单晶锭的评价方法中，基于上述表面缺陷的有无及存在状态，如以下详细叙述的那样，进行与孪晶产生区域相关的推定。从在外延层表面使孪晶引起的表面缺陷更明显化而更容易利用激光表面检查装置进行检测的观点出发，优选在各硅镜面晶片上形成膜厚0.5μm以上的外延层。所形成的外延层的膜厚例如可以为1.0μm以下，或者也可以超过1.0μm。
<利用激光表面检查装置取得亮点图>
在上述硅单晶锭的评价方法中，在上述得到的三片以上的多片硅外延晶片中，利用激光表面检查装置对各个外延层表面取得亮点图。作为激光表面检查装置，可以没有任何限制地使用作为也被称为光散射式表面检查装置、表面检查机等的用于检查半导体晶片的表面的装置而公知的结构的激光表面检查装置。激光表面检查装置通常利用激光扫描半导体晶片的评价对象的表面，并且利用放射光(散射光或反射光)将晶片的评价对象表面的微小凹部或微小凸部(例如凹状的表面缺陷或凸状的表面附着异物)检测为亮点(LPD；Light Point Defects，亮点缺陷)。此外，通过测定来自亮点的放射光，能够识别半导体晶片的评价对象的表面中的微小凹部或微小凸部的位置和/或尺寸。作为激光可以使用紫外光、可见光等，其波长没有特别限定。紫外光是指小于400nm的波长区域的光，可见光是指400～600nm的波长区域的光。激光表面检查装置的解析部通常能够对检测出的多个亮点的每一个取得评价对象的表面中的二维位置坐标(X坐标及Y坐标)的信息，并且根据所取得的二维位置坐标的信息来制作表示评价对象的表面中的面内的亮点分布状态的亮点图。作为市售的激光表面检查装置的具体例，可以举出KLA TENCOR公司制Surfscan系列SP1、SP2、SP3、SP5、SP7等。但是这些装置只是例示，也可以使用其他激光表面检查装置。
<与孪晶产生区域相关的推定>
如上述记载的那样，本发明人推测，在硅镜面晶片是对从孪晶产生区域切出的硅晶片实施了镜面加工的晶片的情况下，如果在镜面加工后的表面上成膜外延层，则在成膜的外延层中，在孪晶的正上方的部分形成以裂缝状凹陷的表面缺陷。利用激光表面检查装置，能够将评价对象的表面中的微小凹部检测为亮点，因此上述表面缺陷能够利用激光表面检查装置检测为亮点。但是，在上述多片硅外延晶片的各外延层表面中，利用激光表面检查装置检测为亮点的微小凹部或微小凸部有可能不仅是由孪晶引起的表面缺陷。因此，在上述硅单晶锭的评价方法中，利用孪晶是在硅单晶锭中在一定方向上产生的面缺陷这一点，对评价对象的硅单晶锭进行与孪晶产生区域相关的推定。详细而言，孪晶在硅单晶锭上在一定方向上产生，因此如上述记载的那样，如果利用激光表面检查装置对从同一硅单晶锭切出并以上述方式进行了加工的硅外延晶片的各外延层的表面取得亮点图，并且制作使这些多个亮点图重合的图，则在该重合图中，与推定为孪晶引起的缺陷的表面缺陷对应的亮点能够被确认为以线状分布的亮点组。因此，在上述硅单晶锭的评价方法中，如下所述，对评价对象的硅单晶锭进行与孪晶产生区域相关的评价。
制作使对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图。重合图的制作可以在激光表面检查装置的解析部中进行，或者可以通过公知的解析软件进行。然后，采用以下的推定基准A，进行与孪晶产生区域相关的推定。
(推定基准A)
在所制作的重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为在评价对象的硅单晶锭中切出了上述多片硅晶片的区域不是孪晶产生区域。另一方面，在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，将在评价对象的硅单晶锭中切出了确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片的区域推定为孪晶产生区域。
作为一例，图1示出重合图的具体例。图1所示的重合图是通过以下方法制作的重合图。
通过切克劳斯基法，培育面方位为<100>的硅单晶锭。
从所培育的硅单晶锭的直体部切割轴向的跨长度约110mm的区域而得到块。从得到的块连续地切出厚度1mm的晶片，通过连续取样得到合计78片硅晶片。
将上述得到的多片硅晶片分别通过公知的方法加工成硅镜面晶片。
对于上述得到的多片硅镜面晶片，分别在镜面加工后的表面上通过公知的方法使硅单晶外延生长，形成膜厚0.5μm的外延层，进行对硅外延晶片的加工。
对于上述得到的多片硅外延晶片(直径300mm)的各外延层表面，使用KLA TENCOR公司制Surfscan系列SP5作为激光表面检查装置，取得外延层表面的亮点图。在同一激光表面检查装置的解析部中使对上述多片硅外延晶片得到的亮点图重合而得到的重合图是图1所示的重合图。
在图1所示的重合图中，在图1中由虚线包围的部分能够确认到长度约60mm的以线状分布的亮点组。在本发明及本说明书中，“以线状分布的亮点组”是指亮点组的分布形状为直线状的亮点组。这里记载的直线状不限于完全的直线，也包括通常能够识别为大致直线的形状。此外，在以线状分布的亮点组中，相邻的亮点彼此不一定相接，相邻的亮点彼此可以相接，也可以分离。此外，以线状分布的亮点组的长度是指实际尺寸、即外延层表面中的实际的尺寸。以线状分布的亮点组的长度是在指以线状分布的亮点组中一端的亮点与另一端的亮点的距离，例如可以是2mm以上，此外，例如可以是100mm，但也可以是更长的情况。另外，图1所示的重合图是使用KLA TENCOR公司制Surfscan系列SP5作为激光表面检查装置而取得的，但确认了使用同一系列的SP1、SP2、SP3、SP5及SP7而得到同样的重合图。
在一个方式中，在推定基准A的基础上，还可以利用孪晶是在硅单晶锭中在一定方向上产生的面缺陷这一点，进一步采用以下的追加推定基准1A～3A中的一个、两个或三个。
(追加推定基准1A)
在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片，将在亮点的位置坐标与上述硅单晶锭的轴向上的切出位置之间比例关系成立推定为：切出了确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片的区域为孪晶产生区域。
图2是对于在图1所示的重合图中确认到以线状分布的亮点组中包含的亮点的硅晶片，相对于评价对象的硅单晶锭的轴向上的各硅晶片的切出位置描绘了各亮点的位置坐标(X坐标或Y坐标)的曲线图。在图2所示的曲线图中，横轴表示将硅单晶锭的肩部侧顶部的位置设为0mm的轴向位置。关于追加推定基准1A，“比例关系成立”意味着能够通过基于最小二乘法的拟合，对纵轴y和横轴x制作相关系数的平方R2为0.80以上且1.00以下的直线。在图2所示的曲线图中，对于X坐标及Y坐标的任一个，都能够通过基于最小二乘法的拟合，对纵轴y和横轴x制作R2＝0.80以上且1.00以下的直线。关于追加推定基准1所记载的比例关系对亮点的位置坐标中的X坐标及Y坐标的至少一方成立，优选对两方成立。
(追加推定基准2A)
评价对象的硅单晶锭的面方位为<100>，进一步将在该硅单晶锭中存在{111}面的两个区域推定为孪晶产生区域。
(追加推定基准3A)
评价对象的硅单晶锭的面方位为<100>，在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于上述多个亮点的至少一个，利用原子力显微镜观察存在于确认到亮点的位置的缺陷，基于观察到的缺陷的形状，进一步将在评价对象的硅单晶锭中存在{111}面的两个区域中的任一方推定为孪晶产生区域。
上述追加推定基准2A、3A基于以下的结晶学见解。
见解1：在面方位为<100>的硅单晶中，孪晶在{111}面上传播。
见解2：图3是面方位为<100>的硅单晶的晶格的说明图。关于面方位为<100>的硅单晶锭，在以上述方式制作的重合图中以线状分布的亮点组的分布线出现在{111}面与{110}面的边界线上。上述边界线是图3中的由实线表示的边界线及由虚线表示的边界线。
根据追加推定基准2A，基于见解1及见解2，根据相对于结晶生长方向(硅单晶锭的轴向)的倾斜度，在图3中的圈1、圈2、圈3及圈4的存在{111}面的区域中，能够将圈3及圈4的存在{111}面的两个区域推定为孪晶产生区域。
在追加推定基准3A中，在重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于上述多个亮点的至少一个，利用原子力显微镜观察存在于确认到亮点的位置的缺陷。图4是利用原子力显微镜(AFM)观察在图1所示的重合图中以线状分布的亮点组中包含的亮点中的一个而取得的AFM图像。在图4所示的AFM图像中，能够推定为在标注了实线的方向上产生了孪晶。此外，在图4所示的AFM图像中，能够推定为在标注了虚线的方向上产生了局部位错。图4中标注了虚线的方向与图3所示的晶格中的由虚线表示的边界线的方向一致。如上所述，在追加推定基准2A中，能够将图3中的圈3及圈4的存在{111}面的两个区域推定为孪晶产生区域。与此相对，根据追加推定基准3A，从相对于结晶生长方向(硅单晶锭的轴向)的倾斜度及AFM图像中的推定为产生了孪晶的方向(例如在图4中标注了实线的方向)，能够将图3中的圈3的存在{111}面的区域推定为孪晶产生区域。
根据上述硅单晶锭的评价方法，能够以上述方式进行硅单晶锭中的与孪晶产生区域相关的评价。
[硅外延晶片的评价方法]
在本发明的一个方式的硅外延晶片的评价方法中，评价对象的硅外延晶片是从同一硅单晶锭切出并在实施了镜面加工的硅镜面晶片的镜面加工后的表面上形成有外延层的三片以上的硅外延晶片，上述硅外延晶片的评价方法包括：利用激光表面检查装置对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得亮点图；以及制作使对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图。并且，在上述重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为在评价对象的硅外延晶片中不存在孪晶引起的缺陷；在确认到上述以线状分布的亮点组的情况下，推定为在确认到该亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中存在孪晶引起的缺陷。
关于上述硅外延晶片的评价方法，硅单晶锭、硅镜面晶片、硅外延晶片、亮点图的取得、重合图的制作，可以参照与上述硅单晶锭的评价方法相关的上述记载。并且，在上述硅外延晶片的评价方法中，采用以下的推定基准B，进行与孪晶引起的缺陷相关的评价。孪晶引起的缺陷是指在硅外延晶片中设置有外延层的基板(即硅镜面晶片)中包含的孪晶引起的、出现在硅外延晶片的表面的表面缺陷。上述表面缺陷如上述记载的那样可以是以裂缝状凹陷的表面缺陷。关于推定基准B，可以参照与推定基准A相关的上述记载。
(推定基准B)
在所制作的重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为在评价对象的硅外延晶片中不存在孪晶引起的缺陷。另一方面，在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为在确认到该亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中存在孪晶引起的缺陷。
此外，在上述硅外延晶片的评价方法中，在推定基准B的基础上，利用孪晶是在硅单晶锭中在一定方向上产生的面缺陷这一点，能够进一步采用以下的追加推定基准1B。关于追加推定基准1B，可以参照与追加推定基准1A相关的上述记载。
(追加推定基准1B)
在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于确认到该亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片，将在亮点的位置坐标与上述硅单晶锭的轴向上的切出位置之间比例关系成立推定为在确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中存在孪晶引起的缺陷。
[硅外延晶片的制造方法]
本发明的一个方式的硅外延晶片的制造方法包括：从同一硅单晶锭切出三片以上的多片硅晶片；通过实施镜面加工，将上述多片硅晶片加工成硅镜面晶片；通过在镜面加工后的表面上形成外延层，将上述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；通过上述硅外延晶片的评价方法，评价上述多片硅外延晶片；以及将上述评价的结果推定为不存在孪晶引起的缺陷的硅外延晶片交付用于作为产品硅外延晶片出厂的一个以上的工序。用于作为产品硅外延晶片出厂的工序的具体例可以举出包装工序等。
根据上述硅外延晶片的制造方法，能够将推定为不存在孪晶引起的缺陷、即硅外延晶片的基板(硅镜面晶片)中包含的孪晶引起的、出现在硅外延晶片的表面的表面缺陷的硅外延晶片作为产品硅外延晶片出厂。使用这样出厂的产品硅外延晶片制作半导体器件可以有助于提供能够表现优异的器件特性的半导体器件。
关于上述硅外延晶片的制造方法的详细情况，可以参照与上述硅单晶锭的评价方法相关的上述记载及与上述硅外延晶片的评价方法相关的上述记载。
[硅镜面晶片的评价方法]
在本发明的一个方式的硅镜面晶片的评价方法中，评价对象的硅镜面晶片是从同一硅单晶锭切出并实施了镜面加工的硅镜面晶片，上述硅镜面晶片的评价方法包括：通过在实施了镜面加工的表面上形成外延层，将上述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；利用激光表面检查装置对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得亮点图；以及制作使对上述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图。关于上述硅镜面晶片的评价方法，硅单晶锭、硅镜面晶片、硅外延晶片、亮点图的取得、重合图的制作可以参照与上述硅单晶锭的评价方法相关的上述记载。并且，在上述硅镜面晶片的评价方法中，采用以下的推定基准C，对硅镜面晶片进行与孪晶相关的评价。推定基准C可以参照与推定基准A相关的上述记载。
(推定基准C)
在上述重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为在评价对象的硅镜面晶片中不存在孪晶。另一方面，在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为在确认到该亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中包含的硅镜面晶片中存在孪晶。
此外，在上述硅镜面晶片的评价方法中，在推定基准C的基础上，利用孪晶是在硅单晶锭中在一定方向上产生的面缺陷这一点，能够进一步采用以下的追加推定基准1C。追加推定基准1C可以参照与追加推定基准1A相关的上述记载。
(追加推定基准1C)
在上述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于确认到该亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片，将在亮点的位置坐标与上述硅单晶锭的轴向上的切出位置之间比例关系成立推定为在确认到上述亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中包含的硅镜面晶片中存在孪晶。
如上述记载的那样，孪晶在硅单晶锭中在一定方向上产生。因此，例如，对于从同一硅单晶锭切出并加工成硅镜面晶片的多片硅镜面晶片的一部分，通过上述硅镜面晶片的评价方法进行评价，由此能够对上述硅单晶锭进行孪晶产生区域的有无的推定及孪晶产生区域的位置的推定。上述推定的结果对于上述硅单晶锭，能够确定推定为未产生孪晶的区域。进而，能够将对从这样确定的区域切出的晶片进行加工而得到的硅镜面晶片交付用于作为产品晶片出厂的一个以上的工序。例如如上述那样确定作为产品晶片出厂的硅镜面晶片可以有助于将不包括孪晶的硅镜面晶片作为产品晶片出厂。
本发明的一个方式在硅单晶锭的制造领域、硅外延晶片的制造领域及硅镜面晶片的制造领域中是有用的。

Claims (15)

1.一种硅单晶锭的评价方法，其特征在于，包括：
从评价对象的硅单晶锭切出三片以上的多片硅晶片；
通过实施镜面加工，将所述多片硅晶片加工成硅镜面晶片；
通过在镜面加工后的表面上形成外延层，将所述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；
利用激光表面检查装置对所述多片硅外延晶片的外延层表面取得亮点图；以及
制作使对所述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图，
在所述重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为评价对象的硅单晶锭中的切出了所述多片硅晶片的区域不是孪晶产生区域，
在所述重合图中确认到所述以线状分布的亮点组的情况下，将在评价对象的硅单晶锭中切出了确认到所述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片的区域推定为孪晶产生区域。
2.根据权利要求1所述的硅单晶锭的评价方法，其特征在于，所述以线状分布的亮点组是长度2mm以上的以线状分布的亮点组。
3.根据权利要求1或2所述的硅单晶锭的评价方法，其特征在于，所述外延层的形成是形成0.5μm以上的膜厚的外延层。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅单晶锭的评价方法，其特征在于，
在所述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于确认到所述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片，进一步采用将亮点的位置坐标与所述硅单晶锭的轴向上的切出位置之间比例关系成立作为将切出了确认到所述亮点组中包含的亮点的多片硅晶片的区域推定为孪晶产生区域的推定基准。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的硅单晶锭的评价方法，其特征在于，
评价对象的硅单晶锭的面方位为<100>，进一步将在该硅单晶锭中存在{111}面的两个区域推定为孪晶产生区域。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的硅单晶锭的评价方法，其特征在于，
评价对象的硅单晶锭的面方位为<100>，
在所述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于所述多个亮点的至少一个，利用原子力显微镜观察存在于确认到亮点的位置的缺陷，基于观察到的缺陷的形状，进一步将在评价对象的硅单晶锭中存在{111}面的两个区域中的任一个推定为孪晶产生区域。
7.一种硅外延晶片的评价方法，其特征在于，
评价对象的硅外延晶片是从同一硅单晶锭切出并在实施了镜面加工的硅镜面晶片的镜面加工后的表面上形成有外延层的三片以上的硅外延晶片，
所述硅外延晶片的评价方法包括：
利用激光表面检查装置对所述多片硅外延晶片的外延层表面取得亮点图；以及
制作使对所述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图，
在所述重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为在评价对象的硅外延晶片中不存在孪晶引起的缺陷，
在确认到所述以线状分布的亮点组的情况下，推定为在确认到该亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中存在孪晶引起的缺陷。
8.根据权利要求7所述的硅外延晶片的评价方法，其特征在于，所述以线状分布的亮点组是长度2mm以上的以线状分布的亮点组。
9.根据权利要求7或8所述的硅外延晶片的评价方法，其特征在于，所述外延层是0.5μm以上的膜厚的外延层。
10.根据权利要求7～9中任一项所述的硅外延晶片的评价方法，其特征在于，
在所述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于确认到所述亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片，进一步采用将亮点的位置坐标与所述硅单晶锭的轴向上的切出位置之间比例关系成立作为推定为在确认到所述亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中存在孪晶引起的缺陷的推定基准。
11.一种硅外延晶片的制造方法，其特征在于，包括：
从同一硅单晶锭切出三片以上的多片硅晶片；
通过实施镜面加工，将所述多片硅晶片加工成硅镜面晶片；
通过在镜面加工后的表面上形成外延层，将所述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；
通过权利要求7～10中任一项所述的评价方法，评价所述多片硅外延晶片；以及
将所述评价的结果推定为不存在孪晶引起的缺陷的硅外延晶片交付用于作为产品硅外延晶片出厂的一个以上的工序。
12.一种硅镜面晶片的评价方法，其特征在于，
评价对象的硅镜面晶片是从同一硅单晶锭切出并实施了镜面加工的硅镜面晶片，
所述硅镜面晶片的评价方法包括：
通过在实施了镜面加工的表面上形成外延层，将所述多片硅镜面晶片加工成硅外延晶片；
利用激光表面检查装置对所述多片硅外延晶片的外延层表面取得亮点图；以及
制作使对所述多片硅外延晶片的外延层表面取得的亮点图重合的重合图，
在所述重合图中未确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，推定为在评价对象的硅镜面晶片中不存在孪晶，
在确认到所述以线状分布的亮点组的情况下，推定为在确认到该亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中包含的硅镜面晶片中存在孪晶。
13.根据权利要求12所述的硅镜面晶片的评价方法，其特征在于，所述以线状分布的亮点组是长度2mm以上的以线状分布的亮点组。
14.根据权利要求12或13所述的硅镜面晶片的评价方法，其特征在于，所述外延层是0.5μm以上的膜厚的外延层。
15.根据权利要求12～14中任一项所述的硅镜面晶片的评价方法，其特征在于，
在所述重合图中确认到三点以上的多个亮点以线状分布的亮点组的情况下，对于确认到所述亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片，进一步采用将亮点的位置坐标与所述硅单晶锭的轴向上的切出位置之间比例关系成立作为推定为在确认到所述亮点组中包含的亮点的多片硅外延晶片中包含的硅镜面晶片中存在孪晶的推定基准。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE19827202A1 (de) * 1998-06-18 1999-12-23 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zur zerstörungsfreien Erkennung von Kristalldefektten
TW473894B (en) * 1999-12-24 2002-01-21 Shinetsu Handotai Kk Inspecting device for crystal defect of silicon wafer and method for detecting crystal defect of the same
DE102006055038B4 (de) * 2006-11-22 2012-12-27 Siltronic Ag Epitaxierte Halbleiterscheibe sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe
KR100983195B1 (ko) * 2007-12-28 2010-09-20 주식회사 실트론 2차원 선결함이 제어된 실리콘 잉곳, 웨이퍼, 에피택셜웨이퍼와, 그 제조방법 및 제조장치
JP6256413B2 (ja) * 2015-05-27 2018-01-10 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの評価方法
JP6500763B2 (ja) 2015-12-07 2019-04-17 株式会社Sumco 双晶欠陥発生領域の除去方法およびシリコンウェーハの製造方法
JP6508082B2 (ja) * 2016-02-12 2019-05-08 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハの評価方法
JP6673122B2 (ja) * 2016-09-29 2020-03-25 株式会社Sumco シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法
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