CN117238906B - 一种提升芯片散热性能的芯片封装方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提升芯片散热性能的芯片封装方法及装置，该方法通过绝缘层分隔开Micro‑LED封装单元的LED芯片和用于转移焊接的电极盘，再通过扩展盘连接LED芯片和对应的电极盘。一方面可以将原本间距紧凑的LED芯片电极扩展为间距宽松的电极盘，更加便于后续的转移焊接；另一方面，于每个电极盘组的中央位置设置散热扇，该散热扇受到电极盘组所产生信号的控制，能够精准地针对单个点亮的Micro‑LED封装单元进行散热。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种提升芯片散热性能的芯片封装方法及装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)生产技术的进步，显示器呈现出了高集成度和低成本的发展趋势。Micro LED作为新一代显示技术，比现有的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低，具有极大的应用前景。
由于Micro-LED芯片的尺寸太小，难以进行转移焊接，因此，目前有很多封装方式将单个彩色像素点包含的多个Micro-LED芯片封装为一体，以便于转移焊接。但是目前的Micro-LED封装单元都没有考虑散热设计，Micro-LED封装单元的温度过高不仅可能导致LED焊脚脱落，还可能影响LED的性能和寿命。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提升芯片散热性能的芯片封装方法及装置，其能够改善上述问题。
本发明的实施例是这样实现的：
第一方面，本发明提供一种提升芯片散热性能的芯片封装方法，其包括：
S1：于载板上阵列排布电极盘组后，于所述载板表面涂布有机材料以形成平坦层，所述电极盘组包括至少四个电极盘；
S2：于所述平坦层表面开设圆槽，每个所述圆槽开设于所述电极盘组的中央位置，使得所述电极盘包围所述圆槽；
S3：于每个所述圆槽内设置散热扇和驱动器，所述驱动器与所述电极盘组电连接，在所述电极盘组所产生的信号的控制下驱动所述散热扇运行；
S4：于所述平坦层表面制作绝缘层以覆盖所述圆槽，所述绝缘层上设置有通孔，于所述通孔内填充导电材料；
S5：于所述绝缘层背离所述电极盘组的表面上，制作通过所述导电材料与所述电极盘组对应连接的扩展盘组，所述扩展盘组包括与所述电极盘数量相等的扩展盘，所述扩展盘向所述圆槽在所述绝缘层的正投影区域延伸；
S6：向每个所述扩展盘组上焊接LED芯片，且所述LED芯片电极位于所述圆槽在所述绝缘层的正投影区域内；
S7：向所述扩展盘组上填充胶材后，剥离所述载板，得到封装叠层组件；
S8：切割所述封装叠层组件，以分离每个所述电极盘组，得到Micro-LED封装装置。
其中,S1、S2等仅为步骤标识，方法的执行顺序并不一定按照数字由小到大的顺序进行，比如可以包括先执行步骤S2再执行步骤S1，本发明不做限制。
可以理解，本发明公开了一种提升芯片散热性能的芯片封装方法，该方法通过绝缘层分隔开Micro-LED封装单元的LED芯片和用于转移焊接的电极盘，再通过扩展盘连接LED芯片和对应的电极盘。一方面可以将原本间距紧凑的LED芯片电极扩展为间距宽松的电极盘，更加便于后续的转移焊接；另一方面，于每个电极盘组的中央位置设置散热扇，该散热扇受到电极盘组所产生信号的控制，能够精准地针对单个点亮的Micro-LED封装单元进行散热。
在本发明可选的实施例中，所述电极盘组包括接地盘、第一控制盘、第二控制盘和第三控制盘；所述扩展盘组包括接地扩展盘、第一扩展盘、第二扩展盘和第三扩展盘；所述接地扩展盘通过所述通孔内填充的所述导电材料与对应的所述接地盘连接；所述第一扩展盘通过所述通孔内填充的所述导电材料与对应的所述第一控制盘连接；所述第二扩展盘通过所述通孔内填充的所述导电材料与对应的所述第二控制盘连接；所述第三扩展盘通过所述通孔内填充的所述导电材料与对应的所述第三控制盘连接。
在本发明可选的实施例中，所述S6包括：向每个所述扩展盘组上焊接红光LED芯片、蓝光LED芯片和绿光LED芯片，将所述红光LED芯片、所述蓝光LED芯片和所述绿光LED芯片的负电极与同一所述扩展盘组的所述接地扩展盘焊接，将所述红光LED芯片、所述绿光LED芯片和所述蓝光LED芯片的正电极分别与同一所述扩展盘组的所述第一扩展盘、所述第二扩展盘焊接和所述第三扩展盘焊接，且所述红光LED芯片、所述蓝光LED芯片和所述绿光LED芯片的正电极和负电极均位于所述圆槽在所述绝缘层的正投影区域内。
单个Micro-LED封装单元对应显示面板上的单个彩色像素点，因此单个Micro-LED封装单元包括红光LED芯片、蓝光LED芯片和绿光LED芯片。
可以理解，本方法将三个LED芯片的负电极通过同一接地扩展盘连接至接地盘，相当于减少了封装单元的焊接点数量，因此电极盘可以充分享受扩展空间。
还可以理解，本方法一方面通过扩展盘，将间距紧凑的LED芯片电极向四周扩散至四个电极盘上，间距更加宽松，更利于后续的转移焊接；另一方面，本方法通过扩展盘，将间距宽松的四个电极盘收拢至正投影区域内，使得LED芯片的安装位置位于上述散热扇的有效工作区域。
在本发明可选的实施例中，所述S3包括：
S31：于每个所述圆槽的内侧壁上设置有驱动线圈作为驱动器，所述驱动线圈的首端与所述第一控制盘、所述第二控制盘和所述第三控制盘中的至少一个电连接，所述驱动线圈的尾端与所述接地盘电连接；
S32：将散热扇设置于所述圆槽内，所述散热扇在所述驱动线圈的驱动下运行。
在本发明可选的实施例中，所述散热扇包括呈圆柱体状的柱体转子、转轴以及呈发散状态固定于所述转轴上的至少三片扇叶；所述转轴垂直固定于所述柱体转子的正表面上，且所述转轴穿过所述正表面的圆心；所述柱体转子的外侧壁上嵌入有至少一个磁体，所述磁体正对通电的所述驱动线圈时，受到安培力带动所述柱体转子绕中轴线旋转，所述中轴线为垂直于所述正表面且穿过所述正表面的圆心的直线。
在本发明可选的实施例中，所述磁体包括沿所述柱体转子转动方向排布的S极和N极，且同一所述柱体转子上的所述磁体的磁极排布顺序一致。
可以理解，单个磁体受到的安培力有限，可能无法驱动柱体转子匀速旋转一周，因此可以在柱体转子加设多个同规格的磁体，在转动的过程中依次面对驱动线圈，从而依次带动柱体转子转动一定角度。可选地，柱体转子上相邻两个磁体的间距保持一致，即每个可以磁体带动柱体转子转动相同的角度。
在本发明可选的实施例中，绝缘层可以包括硬性的塑料材料，如：聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)或丙酸纤维素酯(CAP)等有机材料。此时，所述S4包括：将绝缘层贴附于所述平坦层上以覆盖所述圆槽，于所述绝缘层上开设通孔，以露出各个所述电极盘，于所述通孔内填充导电材料；
在本发明可选的实施例中，绝缘层可以包括柔性的有机材料，如：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)，具有酚基基团的聚合物衍生物，丙烯基聚合物，酰亚胺基聚合物，芳醚基聚合物，酰胺基聚合物，氟基聚合物，对二甲苯基聚合物，乙烯醇基聚合物等。此时，所述S4包括：
S41：向所述圆槽内填充光刻胶，直到所述光刻胶的顶面与所述平坦层齐平；
S42：于所述平坦层和光刻胶的表面制作绝缘层；
S43：于所述绝缘层上开设通孔，以露出各个所述电极盘和部分所述光刻胶；
S44：向所述通孔内注入显影液，洗去所述光刻胶；
S45：于连通所述电极盘的所述通孔内填充导电材料。
在本发明可选的实施例中，所述S7包括：
S71：向所述扩展盘组上填充挡光胶材直到所述挡光胶材顶面与所述LED芯片的出光面齐平；
S72：于所述挡光胶材表面制备透明封装层；
S73：剥离所述载板，得到封装叠层组件。
第二方面，本发明还公开了一种提升芯片散热性能的芯片封装装置，包括由第一方面任一项所述方法制得的Micro-LED封装装置。
有益效果：
本发明公开了一种提升芯片散热性能的芯片封装方法和装置，该方法通过绝缘层分隔开Micro-LED封装单元的LED芯片和用于转移焊接的电极盘，再通过扩展盘连接LED芯片和对应的电极盘。一方面可以将原本间距紧凑的LED芯片电极扩展为间距宽松的电极盘，更加便于后续的转移焊接；另一方面，于每个电极盘组的中央位置设置散热扇，该散热扇受到电极盘组所产生信号的控制，能够精准地针对单个点亮的Micro-LED封装单元进行散热。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举可选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本发明提供的电极盘排布步骤的示意图；
图2是图1中AA’虚线的剖面图；
图3是本发明提供的开设圆槽30步骤的示意图；
图4是图3中BB’虚线的剖面图；
图5是于圆槽30内设置散热扇40步骤的示意图；
图6是单个圆槽30结构的俯视图；
图7是单个散热扇40的驱动原理示意图；
图8是绝缘层制备步骤的示意图
图9是一种于图8所示绝缘层上开孔步骤的示意图；
图10是另一种于图8所示绝缘层上开孔步骤的示意图；
图11是扩展电极制作步骤中单个电极盘组的俯视图；
图12是焊接LED芯片步骤中单个电极盘组的俯视图；
图13是图12所示结构中的DD’虚线剖面图；
图14是图13所示结构中的CC’虚线剖面图；
图15是封装步骤的示意图；
图16是剥离载板和切割封装装置步骤的示意图；
图17是本发明提供的一种提升芯片散热性能的芯片封装装置的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在Micro-LED显示面板的制作过程中，需要逐一将LED芯片焊接至电路板上的对应焊接点。由于Micro-LED芯片的尺寸太小，难以进行转移焊接，目前有很多封装方式将单个彩色像素点包含的多个Micro-LED芯片封装为一体，以便于转移焊接。但是目前的Micro-LED封装单元都没有考虑散热设计。
针对上述问题，本发明提供了一种提升芯片散热性能的芯片封装方法和装置。
第一方面，本发明提供一种提升芯片散热性能的芯片封装方法，其包括：
S1：于载板上阵列排布电极盘组后，于载板表面涂布有机材料以形成平坦层103，电极盘组包括至少四个电极盘。
如图1所示，于载板上阵列排布多个电极盘组，如图中虚线框所示，每个电极盘组包括四个电极盘，即接地盘20、第一控制盘21、第二控制盘22和第三控制盘23。
图2是图1中AA’虚线的剖面图，如图2所示，上述载板包括基板101和基板101上制作的牺牲层102。可选地，该基板101可以是蓝宝石、玻璃等透明基板。可选地，该牺牲层102可以是采用金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)技术生长的一层GaN薄层，有利于进行激光剥离后无残留；牺牲层102也可以是一层光敏胶材，光敏胶材可以被激光照射后分解无残留。牺牲层102上通过蒸镀、化学镀或电镀等方式制作多个电极盘组。
于载板上阵列排布电极盘组后，继续在载板表面涂布有机材料直到有机材料的顶面与电极盘表面齐平，待有机材料凝固后构成平坦层103，实现平坦化。上述有机材料可以包括：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)，具有酚基基团的聚合物衍生物，丙烯基聚合物，酰亚胺基聚合物，芳醚基聚合物，酰胺基聚合物，氟基聚合物，对二甲苯基聚合物，乙烯醇基聚合物等。
S2：于平坦层表面开设圆槽，每个圆槽开设于电极盘组的中央位置，使得电极盘包围圆槽。
如图3和图4所示，通过激光刻蚀等技术，在平坦层103表面开设圆槽30，以备后续安装散热扇40；该圆槽30被接地盘20、第一控制盘21、第二控制盘22和第三控制盘23包围。
S3：于每个圆槽内设置散热扇和驱动器，驱动器与电极盘组电连接，在电极盘组所产生的信号的控制下驱动散热扇运行。
在本发明可选的实施例中，步骤S3包括：
S31：于每个圆槽30的内侧壁上设置有驱动线圈作为驱动器，驱动线圈的首端与第一控制盘21、第二控制盘22和第三控制盘23中的至少一个电连接，驱动线圈的尾端与接地盘20电连接。
S32：如图5所示，将散热扇40设置于圆槽30内，散热扇40在驱动线圈的驱动下运行。
如图5所示，驱动线圈的首端可以与第一控制盘21、第二控制盘22和第三控制盘23中分别电连接，如此，只要第一控制盘21、第二控制盘22和第三控制盘23中任意一个产生电信号，都会驱动散热扇40运行。
如图5和图6所示，散热扇40包括呈圆柱体状的柱体转子41、转轴42以及呈发散状态固定于转轴42上的至少三片扇叶43；转轴42垂直固定于柱体转子41的正表面上，且转轴42穿过正表面的圆心；柱体转子41的外侧壁上嵌入有至少一个磁体44，如图7所示，磁体44正对通电的驱动线圈31时，受到安培力带动柱体转子41绕中轴线X旋转，中轴线X为垂直于正表面且穿过正表面的圆心的直线。
如图7所示，磁体44包括沿柱体转子41转动方向排布的S极和N极，且同一柱体转子41上的磁体44的磁极排布顺序一致。
可以理解，单个磁体44受到的安培力有限，可能无法驱动柱体转子41匀速旋转一周，因此可以在柱体转子41加设多个同规格的磁体44，在转动的过程中依次面对驱动线圈，从而依次带动柱体转子41转动一定角度。可选地，柱体转子41上相邻两个磁体44的间距保持一致，即每个可以磁体44带动柱体转子41转动相同的角度。
S4：于平坦层表面制作绝缘层以覆盖圆槽，绝缘层上设置有通孔，于通孔内填充导电材料。
在本发明可选的实施例中，绝缘层可以包括硬性的塑料材料，如：聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)或丙酸纤维素酯(CAP)等有机材料。此时，步骤S4包括：如图8所示，将绝缘层104贴附于平坦层103上以覆盖圆槽30；如图9所示，再于绝缘层104上开设通孔50，以露出各个电极盘，于通孔内填充导电材料。
在本发明可选的实施例中，绝缘层可以包括柔性的有机材料，如：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)，具有酚基基团的聚合物衍生物，丙烯基聚合物，酰亚胺基聚合物，芳醚基聚合物，酰胺基聚合物，氟基聚合物，对二甲苯基聚合物，乙烯醇基聚合物等。此时，如图10所示，步骤S4包括：
S41：向圆槽30内填充光刻胶105，直到光刻胶105的顶面与平坦层103齐平；
S42：于平坦层103和光刻胶105的表面制作绝缘层104；
S43：于绝缘层104上开设通孔50，以露出各个电极盘和部分光刻胶105；
S44：向通孔内注入显影液106，洗去光刻胶105；
S45：于连通电极盘的通孔内填充导电材料。
S5：于绝缘层背离电极盘组的表面上，制作通过导电材料与电极盘组对应连接的扩展盘组，扩展盘组包括与电极盘数量相等的扩展盘，扩展盘向圆槽在绝缘层的正投影区域延伸。
在本发明可选的实施例中，如图11所示，扩展盘组包括接地扩展盘60、第一扩展盘61、第二扩展盘62和第三扩展盘63。接地扩展盘60通过通孔内填充的导电材料与对应的接地盘20连接；第一扩展盘61通过通孔内填充的导电材料与对应的第一控制盘21连接；第二扩展盘62通过通孔内填充的导电材料与对应的第二控制盘22连接；第三扩展盘63通过通孔内填充的导电材料与对应的第三控制盘23连接。
S6：向每个扩展盘组上焊接LED芯片，且LED芯片电极位于圆槽在绝缘层的正投影区域内。
S7：向扩展盘组上填充胶材后，剥离载板，得到封装叠层组件。
在本发明可选的实施例中，如图15和图16所示，步骤S7包括：
S71：向扩展盘组上填充挡光胶材107直到挡光胶材107顶面与LED芯片的出光面齐平；
S72：于挡光胶材107表面制备透明封装层108；
S73：剥离载板，得到封装叠层组件。
利用激光将牺牲层102剥离掉，使得基板101与封装叠层组件分离。
S8：切割封装叠层组件，以分离每个电极盘组，得到Micro-LED封装装置。
如图16和图17所示，沿切割线100切割上述封装叠层组件，以分离每个电极盘组，得到如图17所示的Micro-LED封装装置，即Micro-LED封装单元。
其中,S1、S2等仅为步骤标识，方法的执行顺序并不一定按照数字由小到大的顺序进行，比如可以是先执行步骤S2再执行步骤S1，本发明不做限制。
可以理解，本发明公开了一种提升芯片散热性能的芯片封装方法，该方法通过绝缘层分隔开Micro-LED封装单元的LED芯片和用于转移焊接的电极盘，再通过扩展盘连接LED芯片和对应的电极盘。一方面可以将原本间距紧凑的LED芯片电极扩展为间距宽松的电极盘，更加便于后续的转移焊接；另一方面，于每个电极盘组的中央位置设置散热扇，该散热扇受到电极盘组所产生信号的控制，能够精准地针对单个点亮的Micro-LED封装单元进行散热。
图12是焊接LED芯片步骤中单个电极盘组的俯视图，图13是图12所示结构中的DD’虚线剖面图。如图12和图13所示，步骤S6包括：向每个扩展盘组上焊接红光LED芯片71、蓝光LED芯片72和绿光LED芯片73。图14是图13所示结构中的CC’虚线剖面图，如图14所示，将红光LED芯片71的负电极711、蓝光LED芯片72的负电极721和绿光LED芯片73的负电极723与同一扩展盘组的接地扩展盘60焊接，将红光LED芯片71的正电极712、蓝光LED芯片72的正电极722和绿光LED芯片73的正电极732分别与同一扩展盘组的第一扩展盘61、第二扩展盘62焊接和第三扩展盘63焊接，且红光LED芯片71、蓝光LED芯片72和绿光LED芯片73的正电极和负电极均位于圆槽30在绝缘层的正投影区域200内。
单个Micro-LED封装单元对应显示面板上的单个彩色像素点，因此单个Micro-LED封装单元包括红光LED芯片71、蓝光LED芯片72和绿光LED芯片73。
可以理解，本方法将三个LED芯片的负电极通过同一接地扩展盘60连接至接地盘20，相当于减少了封装单元的焊接点数量，因此电极盘可以充分享受扩展空间。
还可以理解，本方法一方面通过扩展盘，将间距紧凑的LED芯片电极向四周扩散至四个电极盘上，间距更加宽松，更利于后续的转移焊接；另一方面，本方法通过扩展盘，将间距宽松的四个电极盘收拢至正投影区域内，使得LED芯片的安装位置位于上述散热扇的有效工作区域。
在本公开的各种实施方式中所使用的表述“第一”、“第二”、“所述第一”或“所述第二”可修饰各种部件而与顺序和/或重要性无关，但是这些表述不限制相应部件。以上表述仅配置为将元件与其它元件区分开的目的。例如，第一用户设备和第二用户设备表示不同的用户设备，虽然两者均是用户设备。例如，在不背离本公开的范围的前提下，第一元件可称作第二元件，类似地，第二元件可称作第一元件。
当一个元件(例如，第一元件)称为与另一元件(例如，第二元件)“(可操作地或可通信地)联接”或“(可操作地或可通信地)联接至”另一元件(例如，第二元件)或“连接至”另一元件(例如，第二元件)时，应理解为该一个元件直接连接至该另一元件或者该一个元件经由又一个元件(例如，第三元件)间接连接至该另一个元件。相反，可理解，当元件(例如，第一元件)称为“直接连接”或“直接联接”至另一元件(第二元件)时，则没有元件(例如，第三元件)插入在这两者之间。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本发明不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
以上描述仅为本发明的可选实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本发明中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本发明中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
取决于语境，如在此所使用的词语“如果”、“若”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于检测”。类似地，取决于语境，短语“如果确定”或“如果检测(陈述的条件或事件)”可以被解释成为“当确定时”或“响应于确定”或“当检测(陈述的条件或事件)时”或“响应于检测(陈述的条件或事件)”。
以上描述仅为本发明的可选实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本发明中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本发明中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
以上所述仅为本发明的可选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种提升芯片散热性能的芯片封装方法，其特征在于，包括：
S1：于载板上阵列排布电极盘组后，于所述载板表面涂布有机材料以形成平坦层，所述电极盘组包括至少四个电极盘；
S2：于所述平坦层表面开设圆槽，每个所述圆槽开设于所述电极盘组的中央位置，使得所述电极盘包围所述圆槽；
S3：于每个所述圆槽内设置散热扇和驱动器，所述驱动器与所述电极盘组电连接，在所述电极盘组所产生的信号的控制下驱动所述散热扇运行；
S4：于所述平坦层表面制作绝缘层以覆盖所述圆槽，所述绝缘层上设置有通孔，于所述通孔内填充导电材料；
S5：于所述绝缘层背离所述电极盘组的表面上，制作通过所述导电材料与所述电极盘组对应连接的扩展盘组，所述扩展盘组包括与所述电极盘数量相等的扩展盘，所述扩展盘向所述圆槽在所述绝缘层的正投影区域延伸；
S6：向每个所述扩展盘组上焊接LED芯片，且所述LED芯片电极位于所述圆槽在所述绝缘层的正投影区域内；
S7：向所述扩展盘组上填充胶材后，剥离所述载板，得到封装叠层组件；
S8：切割所述封装叠层组件，以分离每个所述电极盘组，得到Micro-LED封装装置；
所述电极盘组包括接地盘、第一控制盘、第二控制盘和第三控制盘；
所述扩展盘组包括接地扩展盘、第一扩展盘、第二扩展盘和第三扩展盘；
所述接地扩展盘通过所述通孔内填充的所述导电材料与对应的所述接地盘连接；所述第一扩展盘通过所述通孔内填充的所述导电材料与对应的所述第一控制盘连接；所述第二扩展盘通过所述通孔内填充的所述导电材料与对应的所述第二控制盘连接；所述第三扩展盘通过所述通孔内填充的所述导电材料与对应的所述第三控制盘连接；
所述S3包括：
S31：于每个所述圆槽的内侧壁上设置有驱动线圈作为驱动器，所述驱动线圈的首端与所述第一控制盘、所述第二控制盘和所述第三控制盘中的至少一个电连接，所述驱动线圈的尾端与所述接地盘电连接；
S32：将散热扇设置于所述圆槽内，所述散热扇在所述驱动线圈的驱动下运行；
所述散热扇包括呈圆柱体状的柱体转子、转轴以及呈发散状态固定于所述转轴上的至少三片扇叶；
所述转轴垂直固定于所述柱体转子的正表面上，且所述转轴穿过所述正表面的圆心；
所述柱体转子的外侧壁上嵌入有至少一个磁体，所述磁体正对通电的所述驱动线圈时，受到安培力带动所述柱体转子绕中轴线旋转，所述中轴线为垂直于所述正表面且穿过所述正表面的圆心的直线。
2.根据权利要求1所述的提升芯片散热性能的芯片封装方法，其特征在于，
所述S6包括：
向每个所述扩展盘组上焊接红光LED芯片、蓝光LED芯片和绿光LED芯片，将所述红光LED芯片、所述蓝光LED芯片和所述绿光LED芯片的负电极与同一所述扩展盘组的所述接地扩展盘焊接，将所述红光LED芯片、所述绿光LED芯片和所述蓝光LED芯片的正电极分别与同一所述扩展盘组的所述第一扩展盘、所述第二扩展盘焊接和所述第三扩展盘焊接，且所述红光LED芯片、所述蓝光LED芯片和所述绿光LED芯片的正电极和负电极均位于所述圆槽在所述绝缘层的正投影区域内。
3.根据权利要求1所述的提升芯片散热性能的芯片封装方法，其特征在于，
所述磁体包括沿所述柱体转子转动方向排布的S极和N极，且同一所述柱体转子上的所述磁体的磁极排布顺序一致。
4.根据权利要求1所述的提升芯片散热性能的芯片封装方法，其特征在于，
所述S4包括：
将绝缘层贴附于所述平坦层上以覆盖所述圆槽，于所述绝缘层上开设通孔，以露出各个所述电极盘，于所述通孔内填充导电材料。
5.根据权利要求1所述的提升芯片散热性能的芯片封装方法，其特征在于，
所述S4包括：
向所述圆槽内填充光刻胶，直到所述光刻胶的顶面与所述平坦层齐平；
于所述平坦层和光刻胶的表面制作绝缘层；
于所述绝缘层上开设通孔，以露出各个所述电极盘和部分所述光刻胶；
向所述通孔内注入显影液，洗去所述光刻胶；
于连通所述电极盘的所述通孔内填充导电材料。
6.根据权利要求1所述的提升芯片散热性能的芯片封装方法，其特征在于，
所述S7包括：
S71：向所述扩展盘组上填充挡光胶材直到所述挡光胶材顶面与所述LED芯片的出光面齐平；
S72：于所述挡光胶材表面制备透明封装层；
S73：剥离所述载板，得到封装叠层组件。
7.一种提升芯片散热性能的芯片封装装置，其特征在于，包括由如权利要求1至6任一项所述方法制得的Micro-LED封装装置。
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