CN116722092A - 一种Micro-LED封装单元以及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种Micro‑LED封装单元以及制作方法，本Micro‑LED封装单元，将至少三个LED芯片封装于一个单元内，减少了巨量转移中焊接安装的操作量。更重要的，本申请对LED芯片的电极进行引出并扩大，采用尺寸更大的公共电极盘和控制电极盘进行测试或焊接安装，不仅更加便于操作、保障焊接质量而且有利于芯片散热。此外，本申请通过公共电极盘连接各个LED芯片的第一电极，相当于减少了封装单元的焊接点数量，以便于公共电极盘和控制电极盘尽可能地享受扩展空间，一方面可以提高单个电极盘的尺寸，避免因电极尺寸太小引起键合力不足的问题；另一方面可以保障一定的电极盘间距，减小焊接对准的难度。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种Micro-LED封装单元以及制作方法。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，发光二极管(LightEmittingDiode，LED)生产技术的进步，显示器呈现出了高集成度和低成本的发展趋势。MicroLED作为新一代显示技术，比现有的有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低，具有极大的应用前景。
Micro-LED芯片的常规尺寸小于100um，很难进行大规模电学光学参数测试，同时目前将Micro-LED芯片转移至显示载板的巨量转移技术仍处于不成熟的阶段。因此如何完成尺寸如此之小的Micro-LED芯片的测试和转移焊接是本领域技术人员共同面对的技术难题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种Micro-LED封装单元以及制作方法，其能够改善上述问题。
本申请的实施例是这样实现的：
第一方面，本申请提供一种Micro-LED封装单元，其包括：
绝缘层，所述绝缘层包括相对设置的正面和背面，所述绝缘层上设置有连通所述正面和所述背面的连通孔；
公共电极盘和公共扩展电极，所述公共电极盘和所述公共扩展电极设置于所述连通孔的两端，且通过所述连通孔内填充的导电材料连接；
控制电极盘和控制扩展电极，每个所述控制电极盘和对应的单个所述控制扩展电极设置于所述连通孔的两端，且通过所述连通孔内填充的导电材料连接；所述公共电极盘和所述控制电极盘设置于所述绝缘层的所述背面，所述公共扩展电极和所述控制扩展电极设置于所述绝缘层的所述正面；
至少三个LED芯片，所述LED芯片的第一电极均焊接于所述公共扩展电极上，所述LED芯片的第二电极焊接于对应的单个所述控制扩展电极上，所述第一电极的尺寸小于所述公共电极盘的尺寸，所述第二电极的尺寸小于所述控制电极盘的尺寸。
可以理解，本申请公开了一种Micro-LED封装单元，将至少三个LED芯片封装于一个单元内，减少了巨量转移中焊接安装的操作量。更重要的，本申请对LED芯片的电极进行引出并扩大，采用尺寸更大的公共电极盘和控制电极盘进行测试或焊接安装，不仅更加便于操作、保障焊接质量而且有利于芯片散热。此外，本申请通过公共电极盘连接各个LED芯片的第一电极，相当于减少了封装单元的焊接点数量，以便于公共电极盘和控制电极盘尽可能地享受扩展空间，一方面可以提高单个电极盘的尺寸，避免因电极尺寸太小引起键合力不足的问题；另一方面可以保障一定的电极盘间距，减小焊接对准的难度。
在本申请可选的实施例中，所述公共电极盘和所述公共扩展电极在所述绝缘层上的正投影区域存在至少部分重叠，所述控制电极盘与对应的所述控制扩展电极在所述绝缘层上的正投影区域也存在至少部分重叠；和/或，所述公共电极盘和所述第一电极在所述绝缘层上的正投影区域存在至少部分重叠，所述控制电极盘与对应的所述第二电极在所述绝缘层上的正投影区域也存在至少部分重叠。
可以理解，扩展电极的设计是为了将LED芯片的电极引出至尺寸更大的电极盘，但是如果任由扩展电极和电极盘延展，可能会造成Micro-LED封装单元体积过大的问题，降低显示面板的像素密度单位(PixelsPerInch，PPI)。因此，本申请限定电极盘和对应的扩展电极存在重叠，即限定了电极盘不可偏离扩展电极太远，在保证电极盘尺寸的同时，也尽可能地减小Micro-LED封装单元体积。
可选地，所述至少三个LED芯片沿第一方向排布，所述第一方向垂直于同一所述LED芯片的所述第一电极和所述第二电极的连线；在所述第一方向上相隔最远的两个所述LED芯片的间距为第一间距；相邻两个电极盘在所述第一方向上的间距小于所述第一间距。
可以理解，由于公共电极盘连接各个LED芯片的第一电极，相当于减少了封装单元的焊接点数量，因此电极盘可以充分享受扩展空间，提高单个电极盘的尺寸，避免因同层电极相互干涉，缩小封装体电极尺寸，从而引起封装体键合力不足的可靠性风险。
可选地，相邻两个所述LED芯片在所述第一方向上的间距为第二间距，相邻两个电极盘在所述第一方向上的间距大于所述第二间距。
可以理解，本封装体的电极盘数量小于封装体内LED芯片的电极数量，因此每个电极盘可以享受到更大的扩展空间，但是如果一味地扩大电极盘可能会降低电极盘的间距，提高焊接对准的难度。因此，本申请限定相邻两个电极盘的间距要达到一定程度，以便于进行焊接对准。
在本申请可选的实施例中，所述至少三个LED芯片包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片；所述LED芯片之间填充有挡光胶材，所述挡光胶材的顶面与所述LED芯片的出光面处于同一水平线上。
在本申请可选的实施例中，所述至少三个LED芯片均为蓝光LED芯片；在部分所述蓝光LED芯片的出光方向上设置有波长转换单元，所述波长转换单元用于将所述蓝光LED芯片所出射的蓝光转换为其他波长光束。
可选地，所述蓝光LED芯片之间填充有挡光胶材，所述挡光胶材的顶面高于所述蓝光LED芯片且与所述波长转换单元的出光面处于同一水平线上。
可选地，所述挡光胶材上设置有透明封装层。
在本申请可选的实施例中，所述绝缘层的所述背面上涂布有封装胶，填充于所述公共电极盘和/或所述控制电极盘之间。
第二方面，本申请提供一种Micro-LED封装单元的制作方法，其包括：
S1：于载板上阵列排布电极盘组合，所述电极盘组合包括公共电极盘和控制电极盘；
S2：制作绝缘层覆盖所述电极盘组合，于所述绝缘层制作连通孔以露出每个电极盘；
S3：于所述绝缘层背离所述电极盘组合的一侧制作与每个所述电极盘组合对应的扩展电极组合，所述扩展电极组合包括公共扩展电极和控制扩展电极，所述公共扩展电极通过所述连接孔内的填充导电材料与对应的所述公共电极盘连接，所述控制扩展电极通过所述连接孔内的填充导电材料与对应的单个所述控制电极盘连接；
S4：向每个所述电极盘组合上焊接至少三个LED芯片，将所述LED芯片的第一电极均焊接于所述公共扩展电极上，所述LED芯片的第二电极焊接于对应的单个所述控制扩展电极上，所述第一电极的尺寸小于所述公共电极盘的尺寸，所述第二电极的尺寸小于所述控制电极盘的尺寸；
S5：向所述扩展电极上填充胶材后，再剥离所述载板，得到显示封装叠层组件；
S6：切割所述显示封装叠层组件，以分离每个所述电极盘组合，得到Micro-LED封装单元。
其中，S1、S2等仅为步骤标识，方法的执行顺序并不一定按照数字由小到大的顺序进行，比如可以是先执行步骤S2再执行步骤S1，本申请不做限制。
可以理解，上述Micro-LED封装单元的制作方法可以制备出第一方面任一项所述的Micro-LED封装单元，其优势在这里不再赘述。
有益效果：
1、本申请通过将多个Micro-LED芯片进行组合封装形成单个较大体积的封装体，便于进行测试分选，以达成Micro-LED显示模组优异的亮度色度均一性，也能够减少了巨量转移中焊接安装的操作量。
2、本申请对LED芯片的电极进行引出并扩大，采用尺寸更大的公共电极盘和控制电极盘进行测试或焊接安装，不仅更加便于操作、保障焊接质量而且有利于芯片散热。
3、本申请通过公共电极盘连接各个LED芯片的第一电极，相当于减少了封装单元的焊接点数量，以便于公共电极盘和控制电极盘尽可能地享受扩展空间，一方面可以提高单个电极盘的尺寸，避免因电极尺寸太小引起键合力不足的问题；另一方面可以保障一定的电极盘间距，减小焊接对准的难度。
4、本申请公开的Micro-LED封装单元的尺寸可以小于常规同层RDL制作的封装体尺寸，有利于提高显示基板的PPI，提升显示质量。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举可选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本申请第一实施例提供的一种Micro-LED封装单元的结构示意图；
图2是图1所示的Micro-LED封装单元的电极盘和LED芯片电极排布对比图；
图3是制作图1所示的Micro-LED封装单元过程中的电极盘排布步骤示意图；
图4是图3所示步骤的俯视图；
图5是制作图1所示的Micro-LED封装单元过程中的绝缘层制作步骤示意图；
图6是制作图1所示的Micro-LED封装单元过程中的绝缘层开孔步骤示意图；
图7是制作图1所示的Micro-LED封装单元过程中的扩展电极制作步骤示意图；
图8-10是图7所示步骤的三种俯视图；
图11是制作图1所示的Micro-LED封装单元过程中的焊接LED芯片步骤示意图；
图12是图11所示步骤所得到的产品中虚线剖面图；
图13是制作图1所示的Micro-LED封装单元过程中的封装步骤示意图；
图14是制作图1所示的Micro-LED封装单元过程中的剥离载板和切割封装单元步骤的示意图；
图15是本申请第二实施例提供的一种Micro-LED封装单元的结构示意图；
图16是制作图15所示的Micro-LED封装单元过程中的制作挡光胶材层步骤的示意图；
图17是制作图15所示的Micro-LED封装单元过程中的制作波长转换单元步骤的示意图；
图18是制作图15所示的Micro-LED封装单元过程中的封装步骤示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
如图1所示为本申请第一实施例提供一种Micro-LED封装单元100。
Micro-LED封装单元100包括绝缘层110，该绝缘层110包括相对设置的正面和背面，绝缘层110上设置有连通正面和背面的连通孔。
Micro-LED封装单元100还包括公共电极盘121和公共扩展电极122，公共电极盘121和公共扩展电极122设置于连通孔的两端，且通过连通孔内填充的导电材料连接。其中，连通孔内填充的导电材料可以与公共电极盘121和/或公共扩展电极122一体成型，如图1所示，公共扩展电极122与连通孔内填充的导电材料一体成型。
Micro-LED封装单元100还包括控制电极盘和控制扩展电极，每个控制电极盘和对应的单个控制扩展电极设置于连通孔的两端，且通过连通孔内填充的导电材料连接。其中，连通孔内填充的导电材料可以与控制电极盘和/或控制扩展电极一体成型。公共电极盘和控制电极盘设置于绝缘层110的背面，公共扩展电极122和控制扩展电极132设置于绝缘层110的正面。
如图8所示，单个Micro-LED封装单元100包括1个公共扩展电极122和3个控制扩展电极，即第一控制扩展电极131、第二控制扩展电极132、第三控制扩展电极133。公共电极盘121通过第一连接孔1与公共扩展电极122连接。第一控制扩展电极131通过第二连接孔2与第一控制电极盘141连接，第二控制扩展电极132通过第三连接孔3与第二控制电极盘142连接，第三控制扩展电极133通过第四连接孔4与第三控制电极盘143连接。
Micro-LED封装单元100还包括至少三个LED芯片，如图12所示，单个Micro-LED封装单元100包括3个Micro-LED芯片，第一LED芯片包括第一正电极11和第一负电极12，第二LED芯片包括第二正电极21和第二负电极22，第三LED芯片包括第三正电极31和第三负电极32。三个LED芯片的正电极均焊接于公共扩展电极122上，第一LED芯片的第一负电极12焊接于对应的第一控制扩展电极131上，第二LED芯片的第二负电极22焊接于对应的第二控制扩展电极132上，第三LED芯片的第三负电极32焊接于对应的第三控制扩展电极133上。相应的，三个LED芯片的正电极可以焊接于对应的控制扩展电极上，将三个LED芯片的负电极可以焊接于公共扩展电极上。
如图2所示，LED芯片的正电极的尺寸小于公共电极盘的尺寸，LED芯片的负电极的尺寸小于对应的控制电极盘的尺寸。
可以理解，本申请公开了一种Micro-LED封装单元，将至少三个LED芯片封装于一个单元内，减少了巨量转移中焊接安装的操作量。更重要的，本申请对LED芯片的电极进行引出并扩大，采用尺寸更大的公共电极盘121和控制电极盘131进行测试或焊接安装，不仅更加便于操作、保障焊接质量而且有利于芯片散热。此外，本申请通过公共电极盘121连接各个LED芯片的第一电极，相当于减少了封装单元的焊接点数量，以便于公共电极盘121和控制电极盘131尽可能地享受扩展空间，一方面可以提高单个电极盘的尺寸，避免因电极尺寸太小引起键合力不足的问题；另一方面可以保障一定的电极盘间距，减小焊接对准的难度。
在本申请可选的实施例中，公共电极盘和公共扩展电极在绝缘层上的正投影区域存在至少部分重叠，控制电极盘与对应的控制扩展电极在绝缘层上的正投影区域也存在至少部分重叠；和/或，公共电极盘和LED芯片的正电极/负电极在绝缘层上的正投影区域存在至少部分重叠，控制电极盘与对应的LED芯片的负电极/正电极在绝缘层上的正投影区域也存在至少部分重叠。
可以理解，扩展电极的设计是为了将LED芯片的电极引出至尺寸更大的电极盘，但是如果任由扩展电极和电极盘延展，可能会造成Micro-LED封装单元体积过大的问题，降低显示面板的像素密度单位(PixelsPerInch，PPI)。因此，本申请限定电极盘和对应的扩展电极存在重叠，即限定了电极盘不可偏离扩展电极太远，在保证电极盘尺寸的同时，也尽可能地减小Micro-LED封装单元体积。
可选地，至少三个LED芯片沿第一方向排布，在第一方向上相隔最远的两个LED芯片的间距为第一间距；相邻两个电极盘在第一方向上的间距小于第一间距。
如图2所示，三个LED芯片沿着Y方向排布，在Y方向上第一正电极11和第三正电极31的间距D1最大，电极之间的间距可以等同于两个LED芯片之间的间距，即间距D1为上述第一间距。第一控制电极盘141与第三控制电极盘143相邻，第一控制电极盘141与第三控制电极盘143的间距D2小于上述间距D1。
可以理解，由于公共电极盘连接各个LED芯片的第一电极，相当于减少了封装单元的焊接点数量，因此电极盘可以充分享受扩展空间，提高单个电极盘的尺寸，避免因同层电极相互干涉，缩小封装体电极尺寸，从而引起封装体键合力不足的可靠性风险。
可选地，相邻两个LED芯片在第一方向上的间距为第二间距，相邻两个电极盘在第一方向上的间距大于第二间距。
如图2所示，电极之间的间距可以等同于两个LED芯片之间的间距，在Y方向相邻的第一正电极11和第二正电极21的间距D3为上述第二间距。第一控制电极盘141与第三控制电极盘143相邻，第一控制电极盘141与第三控制电极盘143的间距D2大于上述间距D3。
可以理解，本封装体的电极盘数量小于封装体内LED芯片的电极数量，因此每个电极盘可以享受到更大的扩展空间，但是如果一味地扩大电极盘可能会降低电极盘的间距，提高焊接对准的难度。因此，本申请限定相邻两个电极盘的间距要达到一定程度，以便于进行焊接对准。
在本申请可选的实施例中，至少三个LED芯片包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片。如图1所示，LED芯片之间填充有挡光胶材150，挡光胶材150的顶面与LED芯片的出光面处于同一水平线上。
可选地，如图1所示，挡光胶材150上设置有透明封装层160。
如图3至图14所示为制作图1所示的Micro-LED封装单元步骤。本申请提供一种Micro-LED封装单元的制作方法，其包括：
S1：于载板上阵列排布电极盘组合，电极盘组合包括公共电极盘和控制电极盘。
在本申请实施例中，如图3所示，上述载板的制作过程包括：
S11：提供一基板101。
该基板101可以是蓝宝石、玻璃等透明基板。
S12：于该基板101上制作牺牲层102。
该牺牲层102可以是采用金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organicChemicalVaporDeposition，MOCVD)技术生长的一层GaN薄层，厚度约50～200nm，有利于进行激光剥离后无残留；牺牲层102也可以是一层光敏胶材，光敏胶材可以被激光照射后分解无残留，厚度约1-3um。
S13：于上述牺牲层102上阵列排布电极盘组合，每个电极盘组合包括一个公共电极盘和多个控制电极盘。
如图4所示，牺牲层102上通过蒸镀、化学镀或电镀等方式制作多个电极盘组合，这些电极盘组合呈阵列形式排布，每个电极盘组合包括一个公共电极盘121和3个控制电极盘，即第一控制电极盘141、第二控制电极盘142、第三控制电极盘143。
S2：制作绝缘层110覆盖电极盘组合，于绝缘层110制作连通孔以露出每个电极盘。
如图5所示，在制作绝缘层110之前，可以在牺牲层102上填充封装胶直到封装胶高度与金属电极保持一致，封装胶可以将表面平坦化，构成平坦化层103；然后将绝缘层110制作于平坦化层103之上覆盖上述电极盘。如图6所示，在制作绝缘层110后，于绝缘层110制作连通孔以露出每个电极盘。
S3：于绝缘层背离电极盘组合的一侧制作与每个电极盘组合对应的扩展电极组合，扩展电极组合包括公共扩展电极和控制扩展电极，公共扩展电极通过连接孔内的填充导电材料与对应的公共电极盘连接，控制扩展电极通过连接孔内的填充导电材料与对应的单个控制电极盘连接。
其中，连接孔内的填充导电材料可以是制作扩展电极时填充连接孔产生的，即孔内的填充导电材料与对应的扩展电极一体成型。
如图7所示，于绝缘层背离电极盘组合的一侧制作与每个电极盘组合对应的扩展电极组。图8至图10示出了3种单个扩展电极组内的扩展电极排布情况，单个扩展电极组包括一个公共扩展电极122和3个控制扩展电极，即第一控制扩展电极131、第二控制扩展电极132、第三控制扩展电极133。
如图8所示，公共电极盘121通过第一连接孔1与公共扩展电极122连接。第一控制扩展电极131通过第二连接孔2与第一控制电极盘141连接，第二控制扩展电极132通过第三连接孔3与第二控制电极盘142连接，第三控制扩展电极133通过第四连接孔4与第三控制电极盘143连接。
如图9所示，公共电极盘121通过第一连接孔1与公共扩展电极122连接。第一控制扩展电极131通过第二连接孔2与第一控制电极盘141连接，第二控制扩展电极132通过第四连接孔4与第三控制电极盘143连接，第三控制扩展电极133通过第三连接孔3与第二控制电极盘142连接。
如图10所示，公共电极盘121通过第一连接孔1与公共扩展电极122连接。第一控制扩展电极131通过第三连接孔3与第二控制电极盘142连接，第二控制扩展电极132通过第二连接孔2与第一控制电极盘141连接，第三控制扩展电极133通过第四连接孔4与第三控制电极盘143连接。
S4：向每个电极盘组合上焊接至少三个LED芯片，将LED芯片的第一电极均焊接于公共扩展电极上，LED芯片的第二电极焊接于对应的单个控制扩展电极上，第一电极的尺寸小于公共电极盘的尺寸，第二电极的尺寸小于控制电极盘的尺寸。
如图11所示，LED芯片焊接于对应的扩展电极上。如图12所示，单个Micro-LED封装单元100包括3个Micro-LED芯片，第一LED芯片包括第一正电极11和第一负电极12，第二LED芯片包括第二正电极21和第二负电极22，第三LED芯片包括第三正电极31和第三负电极32。三个LED芯片的正电极均焊接于公共扩展电极122上，第一LED芯片的第一负电极12焊接于对应的第一控制扩展电极131上，第二LED芯片的第二负电极22焊接于对应的第二控制扩展电极132上，第三LED芯片的第三负电极32焊接于对应的第三控制扩展电极133上。相应的，三个LED芯片的正电极可以焊接于对应的控制扩展电极上，将三个LED芯片的负电极可以焊接于公共扩展电极上。
S5：向扩展电极上填充胶材后，再剥离载板，得到显示封装叠层组件。
其中，同一个电极盘组合上焊接LED芯片包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片，为了防止LED芯片之间出现串光的问题需要在LED芯片之间填充有挡光胶材150，如图13所示，挡光胶材150的顶面与LED芯片的出光面处于同一水平线上，然后于挡光胶材150上设置有透明封装层160。最后，利用激光将牺牲层102剥离掉，使得基板101与显示封装叠层组件分离。
S6：切割显示封装叠层组件，以分离每个电极盘组合，得到Micro-LED封装单元。
如图14所示，沿切割线1000切割上述显示封装叠层组件，以分离每个电极盘组合，得到如图1所示的Micro-LED封装单元。
其中，S1、S2等仅为步骤标识，方法的执行顺序并不一定按照数字由小到大的顺序进行，比如可以是先执行步骤S2再执行步骤S1，本申请不做限制。
如图15所示为本申请第二实施例提供一种Micro-LED封装单元200。与图1所示的Micro-LED封装单元100的区别之处在于：上述至少三个LED芯片均为蓝光LED芯片30；在部分蓝光LED芯片的出光方向上设置有波长转换单元170，波长转换单元170用于将蓝光LED芯片所出射的蓝光转换为其他波长光束。
在本申请实施例中，Micro-LED封装单元200中可以包括三个蓝光LED芯片，即第一蓝光LED芯片、第二蓝光LED芯片和第三蓝光LED芯片；在第一蓝光LED芯片的出光方向上设置第一波长转换单元，用于将第一蓝光LED芯片出射的蓝光光束转换为红光光束；在第二蓝光LED芯片的出光方向上设置第二波长转换单元，用于将第二蓝光LED芯片出射的蓝光光束转换为绿光光束；在第三蓝光LED芯片的出光方向上不设置任何波长转换单元，保持蓝光光束输出。
可选地，如图15所示，蓝光LED芯片30之间填充有挡光胶材150，挡光胶材150的顶面高于蓝光LED芯片30且与波长转换单元170的出光面处于同一水平线上。可选地，挡光胶材150上设置有透明封装层160。
制作如图15所示的Micro-LED封装单元200的步骤与上述制作Micro-LED封装单元100的步骤类似，区别之处在于，上述步骤S5具体的执行顺序为：
S5：向扩展电极上填充胶材后，再剥离载板，得到显示封装叠层组件。
S51：在蓝光LED芯片30之间填充有挡光胶材150，直到挡光胶材150高度高于蓝光LED芯片30。
S52：于挡光胶材150顶面开设多处凹槽以露出每个蓝光LED芯片30。
S53：向上述凹槽内填充透明胶材或喷涂量子点。
在本申请实施例中，单个Micro-LED封装单元200中，在第一蓝光LED芯片对应的凹槽内喷涂第一量子点，构成上述第一波长转换单元，将第一蓝光LED芯片出射的蓝光光束转换为红光光束；在第二蓝光LED芯片对应的凹槽内喷涂第二量子点，构成上述第二波长转换单元，将第二蓝光LED芯片出射的蓝光光束转换为绿光光束；在第三蓝光LED芯片对应的凹槽内填充透明胶材，构成透明单元180，如图17所示，保持蓝光输出。
S54：于挡光胶材150上设置有透明封装层160。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的终端设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，上述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口、装置或单元的间接耦合或通信连接，也可以是电的，机械的或其它的形式连接。
上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本发明实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以是两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
在本公开的各种实施方式中所使用的表述“第一”、“第二”、“所述第一”或“所述第二”可修饰各种部件而与顺序和/或重要性无关，但是这些表述不限制相应部件。以上表述仅配置为将元件与其它元件区分开的目的。例如，第一用户设备和第二用户设备表示不同的用户设备，虽然两者均是用户设备。例如，在不背离本公开的范围的前提下，第一元件可称作第二元件，类似地，第二元件可称作第一元件。
当一个元件(例如，第一元件)称为与另一元件(例如，第二元件)“(可操作地或可通信地)联接”或“(可操作地或可通信地)联接至”另一元件(例如，第二元件)或“连接至”另一元件(例如，第二元件)时，应理解为该一个元件直接连接至该另一元件或者该一个元件经由又一个元件(例如，第三元件)间接连接至该另一个元件。相反，可理解，当元件(例如，第一元件)称为“直接连接”或“直接联接”至另一元件(第二元件)时，则没有元件(例如，第三元件)插入在这两者之间。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
以上描述仅为本申请的可选实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
取决于语境，如在此所使用的词语“如果”、“若”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于检测”。类似地，取决于语境，短语“如果确定”或“如果检测(陈述的条件或事件)”可以被解释成为“当确定时”或“响应于确定”或“当检测(陈述的条件或事件)时”或“响应于检测(陈述的条件或事件)”。
以上描述仅为本申请的可选实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
以上所述仅为本申请的可选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种Micro-LED封装单元，其特征在于，包括：
绝缘层，所述绝缘层包括相对设置的正面和背面，所述绝缘层上设置有连通所述正面和所述背面的连通孔；
公共电极盘和公共扩展电极，所述公共电极盘和所述公共扩展电极设置于所述连通孔的两端，且通过所述连通孔内填充的导电材料连接；
控制电极盘和控制扩展电极，每个所述控制电极盘和对应的单个所述控制扩展电极设置于所述连通孔的两端，且通过所述连通孔内填充的导电材料连接；所述公共电极盘和所述控制电极盘设置于所述绝缘层的所述背面，所述公共扩展电极和所述控制扩展电极设置于所述绝缘层的所述正面；
至少三个LED芯片，所述LED芯片的第一电极均焊接于所述公共扩展电极上，所述LED芯片的第二电极焊接于对应的单个所述控制扩展电极上，所述第一电极的尺寸小于所述公共电极盘的尺寸，所述第二电极的尺寸小于所述控制电极盘的尺寸。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED封装单元，其特征在于，
所述公共电极盘和所述公共扩展电极在所述绝缘层上的正投影区域存在至少部分重叠，所述控制电极盘与对应的所述控制扩展电极在所述绝缘层上的正投影区域也存在至少部分重叠；
和/或，
所述公共电极盘和所述第一电极在所述绝缘层上的正投影区域存在至少部分重叠，所述控制电极盘与对应的所述第二电极在所述绝缘层上的正投影区域也存在至少部分重叠。
3.根据权利要求2所述的Micro-LED封装单元，其特征在于，
所述至少三个LED芯片沿第一方向排布，所述第一方向垂直于同一所述LED芯片的所述第一电极和所述第二电极的连线；
在所述第一方向上相隔最远的两个所述LED芯片的间距为第一间距；相邻两个电极盘在所述第一方向上的间距小于所述第一间距。
4.根据权利要求3所述的Micro-LED封装单元，其特征在于，
相邻两个所述LED芯片在所述第一方向上的间距为第二间距，相邻两个电极盘在所述第一方向上的间距大于所述第二间距。
5.根据权利要求1所述的Micro-LED封装单元，其特征在于，
所述至少三个LED芯片包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片；所述LED芯片之间填充有挡光胶材，所述挡光胶材的顶面与所述LED芯片的出光面处于同一水平线上。
6.根据权利要求1所述的Micro-LED封装单元，其特征在于，
所述至少三个LED芯片均为蓝光LED芯片；
在部分所述蓝光LED芯片的出光方向上设置有波长转换单元，所述波长转换单元用于将所述蓝光LED芯片所出射的蓝光转换为其他波长光束。
7.根据权利要求6所述的Micro-LED封装单元，其特征在于，
所述蓝光LED芯片之间填充有挡光胶材，所述挡光胶材的顶面高于所述蓝光LED芯片且与所述波长转换单元的出光面处于同一水平线上。
8.根据权利要求5或7所述的Micro-LED封装单元，其特征在于，
所述挡光胶材上设置有透明封装层。
9.根据权利要求1至4任一项所述的Micro-LED封装单元，其特征在于，
所述绝缘层的所述背面上涂布有封装胶，填充于所述公共电极盘和/或所述控制电极盘之间。
10.一种Micro-LED封装单元的制作方法，其特征在于，
S1：于载板上阵列排布电极盘组合，所述电极盘组合包括公共电极盘和控制电极盘；
S2：制作绝缘层覆盖所述电极盘组合，于所述绝缘层制作连通孔以露出每个电极盘；
S3：于所述绝缘层背离所述电极盘组合的一侧制作与每个所述电极盘组合对应的扩展电极组合，所述扩展电极组合包括公共扩展电极和控制扩展电极，所述公共扩展电极通过所述连接孔内的填充导电材料与对应的所述公共电极盘连接，所述控制扩展电极通过所述连接孔内的填充导电材料与对应的单个所述控制电极盘连接；
S4：向每个所述电极盘组合上焊接至少三个LED芯片，将所述LED芯片的第一电极均焊接于所述公共扩展电极上，所述LED芯片的第二电极焊接于对应的单个所述控制扩展电极上，所述第一电极的尺寸小于所述公共电极盘的尺寸，所述第二电极的尺寸小于所述控制电极盘的尺寸；
S5：向所述扩展电极上填充胶材后，再剥离所述载板，得到显示封装叠层组件；
S6：切割所述显示封装叠层组件，以分离每个所述电极盘组合，得到Micro-LED封装单元。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310879009.3A CN116722092A (zh) | 2023-07-18 | 2023-07-18 | 一种Micro-LED封装单元以及制作方法 |
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| CN202310879009.3A CN116722092A (zh) | 2023-07-18 | 2023-07-18 | 一种Micro-LED封装单元以及制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116722092A true CN116722092A (zh) | 2023-09-08 |
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ID=87871667
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| CN202310879009.3A Pending CN116722092A (zh) | 2023-07-18 | 2023-07-18 | 一种Micro-LED封装单元以及制作方法 |
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|---|---|
| CN (1) | CN116722092A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117238906A (zh) * | 2023-10-07 | 2023-12-15 | 日月新半导体(威海)有限公司 | 一种提升芯片散热性能的芯片封装方法及装置 |
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2023
- 2023-07-18 CN CN202310879009.3A patent/CN116722092A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN117238906A (zh) * | 2023-10-07 | 2023-12-15 | 日月新半导体(威海)有限公司 | 一种提升芯片散热性能的芯片封装方法及装置 |
| CN117238906B (zh) * | 2023-10-07 | 2024-03-15 | 日月新半导体(威海)有限公司 | 一种提升芯片散热性能的芯片封装方法及装置 |
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