CN113424249B - 背板、显示基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种背板，包括：透明基底(1)；电极层(3)，设置在所述透明基底(1)的一侧，包括多条信号传输线；多个微显示发光器件，设置在所述电极层(3)背向所述透明基底(1)的一侧，所述微显示发光器件与所述信号传输线电连接，所述微显示发光器件能够朝向所述透明基底(1)一侧发光；保护层(6)，设置在所述微显示发光器件背向所述透明基底(1)的一侧；驱动模块，设置在所述保护层(6)背向所述透明基底(1)的一侧，与所述信号传输线电连接。本公开还提供一种显示基板和显示装置。

Description

背板、显示基板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示领域，特别涉及一种背板、显示基板和显示装置。
背景技术
微显示发光器件(例如是Micro-LED或Mini-LED)可用于制作显示基板，例如是微发光二极管显示基板。现有微发光二极管显示基板的制备工艺过于复杂，影响其进一步推广。
发明内容
本公开提出了一种背板、一种显示基板和一种显示装置。
第一方面，本公开提供一种背板，包括：透明基底；电极层，设置在所述透明基底的一侧，包括多条信号传输线；多个微显示发光器件，设置在所述电极层背向所述透明基底的一侧，所述微显示发光器件与所述信号传输线电连接，所述微显示发光器件能够朝向所述透明基底一侧发光；保护层，设置在所述微显示发光器件背向所述透明基底的一侧；驱动模块，设置在所述保护层背向所述透明基底的一侧，与所述信号传输线电连接。
在一些实施例中，在垂直于所述透明基底的方向上，所述电极层正对所述微显示发光器件的区域形成有开口。
在一些实施例中，所述背板划分为有效区域和围绕所述有效区域的边缘区域；所述保护层位于所述边缘区域的部分形成有连通至所述信号传输线的过孔，所述过孔内设置有连接电极，且所述连接电极延伸至所述保护层背向所述透明基底的一侧，所述驱动模块通过所述连接电极与所述信号传输线连接。
在一些实施例中，在所述过孔内且位于所述连接电极背向所述透明基底的一侧设置有填孔胶。
在一些实施例中，所述背板划分为有效区域和围绕所述有效区域的边缘区域；所述保护层位于所述边缘区域的部分覆盖于所述边缘区域靠近所述有效区域的一侧，所述信号传输线位于所述边缘区域且未被所述保护层覆盖部分与所述驱动模块连接。
在一些实施例中，所述保护层位于所述边缘区域的部分，其背向所述显示区域有效区域的侧面为斜坡面。
在一些实施例中，所述电极层还包括与所述信号传输线相连的绑定电极，所述绑定电极包括第一子电极和第二子电极，所述微显示发光器件包括阴极和阳极，所述第一子电极与所述阴极和阳极中的一个连接，所述第二子电极与所述阴极和阳极中的另一个连接。
在一些实施例中，所述信号传输线包括第一子信号线和第二子信号线，所述第一子信号线与所述阴极和阳极中的一个连接，所述第二子信号线与所述阴极和阳极中的另一个连接。
在一些实施例中，全部所述微显示发光器件构成多个像素，每个像素包括至少三个微显示发光器件。
在一些实施例中，所述像素包括：第一微显示发光器件，配置为发出红光；第二微显示发光器件，配置为发出绿光；第三微显示发光器件，配置为发出蓝光。
在一些实施例中，所述像素包括：第一微显示发光器件，配置为发出预设颜色光，所述第一微显示发光器件与所述透明基底之间的所述开口内形成有第一光转换材料；第二微显示发光器件，配置为发出预设颜色光，所述第二微显示发光器件与所述透明基底之间的所述开口内形成有第二光转换材料；第三微显示发光器件，配置为发出预设颜色光；所述第一光转换材料配置为将所述预设颜色光转换为第一颜色光，所述第二光转换材料配置为将所述预设颜色光转换为第二颜色光。
在一些实施例中，所述预设颜色光为蓝光，所述第一颜色光为红光，所述第二颜色光为绿光。
在一些实施例中，所述第一光转换材料包括红光荧光胶；所述第二光转换材料包括绿光荧光胶。
在一些实施例中，所述微显示发光器件包括：MinilED和microlED。
在一些实施例中，所述透明基底背向所述电极层的一侧设置有量子点膜层。
在一些实施例中，所述透明基底与所述量子点膜层之间设置有反射层，所述反射层背向所述透明基底的一侧为反光面。
在一些实施例中，所述反射膜反射层在所述透明基底上的正投影与所述微显示发光器件在所述透明基底上的正投影不交叠。
在一些实施例中，所述驱动模块包括：驱动芯片和与柔性电路板，所述柔性电路板包括若干条导电线路，所述导电线路的一端与所述驱动芯片连接，所述导电线路的另一端与所述信号传输线电连接。
第二方面，本公开提供一种显示基板，包括：本公开第一方面的背板。
第三方面，本公开提供一种显示装置，包括：本公开第一方面的显示基板。
附图说明
图1是相关技术中微发光二极管显示装置的结构示意图；
图2a为本公开的实施例的背板的正视图；
图2b为在一些实施例中图2所示背板沿AA线的剖视图；
图3为图2b所示背板在制备的第一阶段的结构示意图；
图4为图2b所示背板在制备的第二阶段的结构示意图；
图5为本公开的一些实施例的背板的正视图；
图6为图5所示背板沿BB线的剖视图；
图7为在一些实施例中图2a所述背板沿AA线的剖视图；
图8为在一些实施例中图2a所述背板沿AA线的剖视图。
附图标记为：1＇、硬质基底；1、透明基底；1A、有效区域；1B、边缘区域；2、第一绝缘层；3、电极层；31、第一子信号线；32、第二子信号线；3a、连接电极；4、第二绝缘层；5a、第一微显示发光器件；5b、第二微显示发光器件；5c、第三微显示发光器件；51、阴极；52、阳极；6、保护层；7、柔性电路板；8、硬质电路板；9、驱动芯片；10、填孔胶；11a、第一光转换材料；11b、第二光转换材料；12、反射层；13、量子点膜层；H、过孔。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供的一种背板、显示基板、显示装置进行详细描述。
在下文中将参考附图更充分地描述示例实施例，但是所述示例实施例可以以不同形式来体现且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。
本公开所使用的术语仅用于描述特定实施例，且不意欲限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一个”和“该”也意欲包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“由……制成”时，指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。
将理解的是，虽然本文可以使用术语第一、第二等来描述各种元件/部件/结构，但这些元件/部件/结构不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件/部件/结构和另一元件/部件/结构。
除非另外限定，否则本文所用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本领域普通技术人员通常理解的含义相同。还将理解，诸如那些在常用字典中限定的那些术语应当被解释为具有与其在相关技术以及本公开的背景下的含义一致的含义，且将不解释为具有理想化或过度形式上的含义，除非本文明确如此限定。
本公开所使用的“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。
本公开中提到的两个结构电连接，是指这两个结构之间能够传输电流。本公开中提到的两个结构连接，是指这两个结构接触并且二者之间能够传输电流。
参见图1，相关技术中，微发光二极管显示装置由硬质基底1＇(材料例如是玻璃)、设置在硬质基底1＇上的电极层3、绑定在电极层3背向硬质基底1＇一侧的多个微发光二极管(标注为第一微显示发光器件5a、第二微显示发光器件5b、第三微显示发光器件5c)、覆盖各个微发光二极管的保护胶6以及柔性电路板7。柔性电路板7上还可以设置驱动芯片(未示出)等结构。微发光二极管设置在硬质基底1＇所在平面的第一侧，柔性电路板7设置在硬质基底1＇所在平面的第二侧，第一侧和第二侧为相对的两侧。为实现柔性电路板7与各微发光二极管的电连接，需要在硬质基底1＇的侧面布线。侧面布线的工艺难度大，所需要的设备更加复杂和昂贵。
参见图2a-图8，本公开的实施例提供一种背板，包括：透明基底1；电极层3，设置在透明基底1的一侧，包括多条信号传输线；多个微显示发光器件，设置在电极层3背向透明基底1的一侧，微显示发光器件与信号传输线电连接，微显示发光器件能够朝向透明基底1一侧发光；保护层6，设置在微显示发光器件背向透明基底1的一侧；驱动模块，设置在保护层6背向透明基底1的一侧，与信号传输线电连接。
透明基底1例如是玻璃基底。
微显示发光器件是指小尺寸的发光器件，例如是Micro-LED(整体尺寸通常在100um以下)或Mini-LED(整体尺寸通常在100um-200um之间)。
保护层6对微显示发光器件进行电气保护和机械保护，保护层6的材料例如是硅胶、环氧胶等，可通过点胶机涂覆(Dispensing)工艺或注塑(Molding)工艺形成。
驱动模块例如由驱动芯片9、硬质电路板8、柔性电路板7构成，其中，驱动芯片9绑定在硬质电路板8上以将驱动信号传递至硬质电路板8；柔性电路板7也绑定在硬质电路板8上以将驱动信号从硬质电路板8传递至柔性电路板7；而柔性电路板7与电极层3的电连接，从而将驱动信号从柔性电路板7传递至电极层3；最终由电极层3驱动微显示发光器件发光。
在一些实施例中，驱动模块也可以是包括：驱动芯片9和与柔性电路板7，柔性电路板7包括若干条导电线路(未示出)，导电线路的一端与驱动芯片9连接，导电线路的另一端与信号传输线电连接(即与电极层3电连接)。
例如参见图2b，其中的驱动芯片9直接绑定在柔性电路板7上，而不是经由硬质电路板8实现驱动芯片9与柔性电路板7之间的电连接。即在驱动模块中上述硬质电路板8是可选的部件。
在本公开的实施例所提供的背板中，微显示发光器件和驱动模块设置在透明基底1所处平面的同一侧，为使微显示发光器件与驱动模块之间形成电连接的结构也相应地设置在透明基底1所处平面的该同一侧，如此无需在透明基底1的侧面进行布线，使得背板的制造工艺简单，成本降低。
透明基底1与电极层3之间还可以设置第一绝缘层2，例如是聚酰亚胺(PI)层或透明热塑性聚酰亚胺(TPI)层。
电极层3内可以设置单层信号传输线或者多层，参见图2b，其中，电极层3内设置了两层信号传输线，两层信号传输线之间由第二绝缘层4隔开，第二绝缘层4的材料例如是聚酰亚胺(PI)层或透明热塑性聚酰亚胺(TPI)层。
在一些实施例中，在垂直于透明基底1的方向上，电极层3正对微显示发光器件的区域形成有开口。由于微显示发光器件是朝向透明基底1发光的，电极层3中所形成的开口有利于提高背板的透过率。
参见图2b，可通过构图工艺在第一绝缘层2上形成第一层信号传输线的图案，对应于待形成开口的区域内的第一层信号传输线材料被去除。
随后通过构图工艺在第一层信号传输线上形成第二绝缘层4的图案，同时对应于待形成开口的区域内的第二绝缘层4材料被保留(后续工艺中被去除)，待去除的第二绝缘层4材料与最终成品中的第二绝缘层4之间留有缝隙。
然后沉积用于形成第二层信号传输线的导电材料，该导电材料会填充上述缝隙，采用曝光、显影、刻蚀的工艺形成第二层信号线的图案，此时，待形成开口的区域内的导电材料被去除。
最后去除待形成开口的区域内残留的第二绝缘层4材料。
参见图2a-图4，在一些实施例中，背板划分为有效区域1A和围绕有效区域1A的边缘区域1B；保护层6位于边缘区域1B的部分形成有连通至信号传输线的过孔H，过孔H内设置有连接电极3a，且连接电极3a延伸至保护层6背向透明基底1的一侧，驱动模块通过连接电极3a与信号传输线连接。
有效区域1A(Active Area，也称AA区)内设置有多个微显示发光器件，例如是呈阵列式分布；连接电极3a作为电极层3与外界联系的接口；驱动模块中的柔性电路板7在保护层6背向透明基底1的表面上实现与连接电极3a的连接。
参见图3，首先在透明基底1上(具体为第一绝缘层2上)形成导电层，例如可采用溅射、光刻、或电镀等工艺形成电极层3内的信号传输线，其中，在边缘区域1B形成有连接电极3a；然后将微显示发光器件绑定在导电层上；接下来形成保护层6，其中，保护层6覆盖连接电极3a。
可通过诸如焊接、共晶等方式将微显示发光器件绑定在导电层上。
参见图4，在形成保护层6之后，在保护层6中形成过孔H，以暴露连接电极3a；随后利用构图工艺将过孔H底部的连接电极3a延伸至过孔H外。
参见图2b，在将连接电极3a延伸至过孔H外之后，将柔性电路板7与连接电极3a绑定在一起。
参见图2b，在一些实施例中，在过孔H内且位于连接电极3a背向透明基底1的一侧设置有填孔胶10。
填孔胶10的材料例如是硅胶、环氧树脂、紫外固化胶、丙烯酸等，以实现对过孔H内线路的保护。
参见图5和图6，在一些实施例中，背板划分为有效区域1A和围绕有效区域1A的边缘区域1B；保护层6位于边缘区域1B的部分覆盖于边缘区域1B靠近有效区域1A的一侧，信号传输线位于边缘区域1B且未被保护层6覆盖部分与驱动模块连接。
如此，在制备这种类型的背板时，在形成保护层6之后，背板边缘区域1B的外侧部分将一整片区域的电极层3暴露出来，以便于在电极层3所被暴露的位置处连接(或称绑定)柔性电路板7。
参见图6，在一些实施例中，保护层6位于边缘区域1B的部分，其背向显示区域有效区域的侧面为斜坡面。
可以首先在透明基底1上形成整层的保护层6的材料，再利用诸如光刻等的构图工艺去除位于边缘区域1B靠近其外围边界处的整块的保护层6的材料，通过控制刻蚀工艺的参数实现保护层6在边缘区域1B的中部形成较为平缓的坡度。
如此，便于在绑定柔性电路板7时，柔性电路板7不会产生较大程度的弯折，便于提高产品的良率以及减少绑定时的难度。
参见图2b以及图6-图8，在一些实施例中，信号传输线包括第一子信号线31和第二子信号线32，第一子信号线31与阴极51和阳极52中的一个连接，第二子信号线32与阴极51和阳极52中的另一个连接。
即微显示发光器件可以是绑定在信号传输线上。
在一些实施例中，电极层3还包括与信号传输线相连的绑定电极(未示出)，绑定电极包括第一子电极和第二子电极，微显示发光器件包括阴极51和阳极52，第一子电极与阴极51和阳极52中的一个连接，第二子电极与阴极51和阳极52中的另一个连接。
当然，微显示发光器件也可是绑定在绑定电极上，而绑定电极由与信号传输线连接的一段导电材料形成。
以上均是为了实现微显示发光器件与电极层3之间的电连接，具体连接的方式不限于此。
参见图2b和图6-图7，在一些实施例中，全部微显示发光器件构成多个像素，每个像素包括至少三个微显示发光器件。
如此，该背板可作为显示基板的一部分。
参加图2b和图6，在一些实施例中，像素包括：第一微显示发光器件5a，配置为发出红光；第二微显示发光器件5b，配置为发出绿光；第三微显示发光器件5c，配置为发出蓝光。
即每一个微显示发光器件对应形成一种颜色的子像素。
参见图7，在一些实施例中，像素包括：第一微显示发光器件5a，配置为发出预设颜色光，第一微显示发光器件5a与透明基底1之间的开口内形成有第一光转换材料11a；第二微显示发光器件5b，配置为发出预设颜色光，第二微显示发光器件5b与透明基底1之间的开口内形成有第二光转换材料11b；第三微显示发光器件5c，配置为发出预设颜色光；第一光转换材料11a配置为将预设颜色光转换为第一颜色光，第二光转换材料11b配置为将预设颜色光转换为第二颜色光。
所述微显示发光器件均采用发出相同颜色的微显示发光器件，即不同颜色的子像素中的微显示发光器件的电气特性都是一样的，如此可以使得对微显示发光器件的驱动模块的设计更为简单。
第一光转换材料11a和第二光转换材料11b均可选用下转换材料发光材料。下转换材料发光材料是指能够在吸收一个高能光子的紫外光后，发射两个或多个低能光子的材料。选用下转换材料发光材料的发光效率较高。
在一些实施例中，预设颜色光为蓝光，第一颜色光为红光，第二颜色光为绿光。
即第一光转换材料11a将蓝光转换成红光，第二光转换材料11b将蓝光转换成绿光。
在一些实施例中，第一光转换材料11a包括红光荧光胶；第二光转换材料11b包括绿光荧光胶。
荧光胶即包含荧光粉的胶材，例如可由红光荧光胶将蓝光转换成红光，由绿色荧光胶将蓝光转换成绿光。第一光转换材料11a和第二光转换材料11b是处开口尺寸相对较小，而荧光胶能够很好地填充仅这些开口内。
参见图8，在一些实施例中，透明基底1背向电极层3的一侧设置有量子点膜13层。
量子点膜13内分布有量子点，量子点例如是由锌、镉、硒和硫原子组合而成的一种三个维度尺寸均在纳米数量级的结晶结构的半导体材料。在量子点中，能级根据量子点的尺寸而改变，因此可以通过改变量子点的尺寸来控制带隙，从而控制量子点的发射光谱。即量子点可将一种颜色的光转换成另外一种颜色的光，如量子点膜13内分布有不同尺寸的结晶结构，则可以发出复合颜色的光，例如可以将蓝光转换成白光。现有工艺中量子点膜13能够制成较大尺寸的膜层，故可用于对大面积的光进行转化。
在这些实施例中，背板作为一个面光源而应用。例如可以作为液晶显示中的背光源。
相关技术中背光源多采用硬质电路板上设置Mini-LED的结构，作为背光源应用的上述灯板相较于相关技术中的背光源，线宽可以制作得更细，分区可以制作得更多，对背光源的控制可以做得更加精细。
在一些实施例中，透明基底1与量子点膜13层之间设置有反射层12，反射层12背向透明基底1的一侧为反光面。
反射层12使得量子点膜13发出的方向各异的光均朝向远离透明基底1的方向射出，从而提高了光的利用率。
在一些实施例中，反射层12在透明基底1上的正投影与微显示发光器件在透明基底1上的正投影不交叠。
如此设置，可以使得微显示器件发出的光到达量子点膜13的路径中不因反射层而有所减损。也是为了进一步提高光的利用率。
本公开实施例还提供一种显示基板，包括：前述实施例提供的背板。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括：前述实施例提供的显示基板。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (19)

1.一种背板，其中，包括：
透明基底；
电极层，设置在所述透明基底的一侧，包括多条信号传输线；
多个微显示发光器件，设置在所述电极层背向所述透明基底的一侧，所述微显示发光器件与所述信号传输线电连接，所述微显示发光器件能够朝向所述透明基底一侧发光；
保护层，设置在所述微显示发光器件背向所述透明基底的一侧；
驱动模块，设置在所述保护层背向所述透明基底的一侧，与所述信号传输线电连接；
在垂直于所述透明基底的方向上，所述电极层正对所述微显示发光器件的区域形成有开口。
2.根据权利要求1所述的背板，其中，所述背板划分为有效区域和围绕所述有效区域的边缘区域；
所述保护层位于所述边缘区域的部分形成有连通至所述信号传输线的过孔，所述过孔内设置有连接电极，且所述连接电极延伸至所述保护层背向所述透明基底的一侧，所述驱动模块通过所述连接电极与所述信号传输线连接。
3.根据权利要求2所述的背板，其中，在所述过孔内且位于所述连接电极背向所述透明基底的一侧设置有填孔胶。
4.根据权利要求1所述的背板，其中，所述背板划分为有效区域和围绕所述有效区域的边缘区域；
所述保护层位于所述边缘区域的部分覆盖于所述边缘区域靠近所述有效区域的一侧，所述信号传输线位于所述边缘区域且未被所述保护层覆盖部分与所述驱动模块连接。
5.根据权利要求4所述的背板，其中，所述保护层位于所述边缘区域的部分，其背向显示区域有效区域的侧面为斜坡面。
6.根据权利要求1所述的背板，其中，所述电极层还包括与所述信号传输线相连的绑定电极，所述绑定电极包括第一子电极和第二子电极，所述微显示发光器件包括阴极和阳极，所述第一子电极与所述阴极和阳极中的一个连接，所述第二子电极与所述阴极和阳极中的另一个连接。
7.根据权利要求6所述的背板，其中，所述信号传输线包括第一子信号线和第二子信号线，所述第一子信号线与所述阴极和阳极中的一个连接，所述第二子信号线与所述阴极和阳极中的另一个连接。
8.根据权利要求1所述的背板，其中，全部所述微显示发光器件构成多个像素，每个像素包括至少三个微显示发光器件。
9.根据权利要求8所述的背板，其中，所述像素包括：
第一微显示发光器件，配置为发出红光；
第二微显示发光器件，配置为发出绿光；
第三微显示发光器件，配置为发出蓝光。
10.根据权利要求8所述的背板，其中，所述像素包括：
第一微显示发光器件，配置为发出预设颜色光，所述第一微显示发光器件与所述透明基底之间的所述开口内形成有第一光转换材料；
第二微显示发光器件，配置为发出预设颜色光，所述第二微显示发光器件与所述透明基底之间的所述开口内形成有第二光转换材料；
第三微显示发光器件，配置为发出预设颜色光；
所述第一光转换材料配置为将所述预设颜色光转换为第一颜色光，所述第二光转换材料配置为将所述预设颜色光转换为第二颜色光。
11.根据权利要求10所述的背板，其中，所述预设颜色光为蓝光，所述第一颜色光为红光，所述第二颜色光为绿光。
12.根据权利要求11所述的背板，其中，所述第一光转换材料包括红光荧光胶；
所述第二光转换材料包括绿光荧光胶。
13.根据权利要求1-12任一所述的背板，其中，所述微显示发光器件包括：Mini-LED和Micro-LED。
14.据权利要求13所述的背板，其中，所述透明基底背向所述电极层的一侧设置有量子点膜层。
15.据权利要求14所述的背板，其中，所述透明基底与所述量子点膜层之间设置有反射层，所述反射层背向所述透明基底的一侧为反光面。
16.根据权利要求15所述的背板，其中，所述反射层在所述透明基底上的正投影与所述微显示发光器件在所述透明基底上的正投影不交叠。
17.根据权利要求1-16任一所述的背板，其中，所述驱动模块包括：驱动芯片和与柔性电路板，所述柔性电路板包括若干条导电线路，所述导电线路的一端与所述驱动芯片连接，所述导电线路的另一端与所述信号传输线电连接。
18.一种显示基板，其中，包括：根据权利要求1-17任一所述的背板。
19.一种显示装置，其中，包括：根据权利要求18所述的显示基板。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210156112A (ko) * 2020-06-17 2021-12-24 엘지디스플레이 주식회사 전자 장치 및 이를 이용한 표시 장치
CN113658518B (zh) * 2021-08-24 2023-07-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN114488616B (zh) * 2022-02-14 2023-12-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 拼接显示面板及移动终端

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866910A (zh) * 2009-04-15 2010-10-20 宇威光电股份有限公司 发光装置
CN105742307A (zh) * 2016-04-26 2016-07-06 张希娟 一种彩色微显示器件及制备方法
CN107195654A (zh) * 2017-06-02 2017-09-22 南京迈智芯微光电科技有限公司 一种全彩半导体发光微显示器及其制造工艺
CN109920814A (zh) * 2019-03-12 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置
CN111028697A (zh) * 2018-10-09 2020-04-17 财团法人工业技术研究院 拼接显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7320899B2 (en) * 2004-10-21 2008-01-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-displays and their manufacture
US9082936B2 (en) * 2013-01-29 2015-07-14 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent LED lamp for bidirectional lighting
KR101476686B1 (ko) * 2013-04-01 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US9755110B1 (en) * 2016-07-27 2017-09-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Substrate with topological features for steering fluidic assembly LED disks
JP6995739B2 (ja) * 2015-07-23 2022-01-17 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド ディスプレイ装置及びその製造方法
KR20170051004A (ko) * 2015-11-02 2017-05-11 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
US10445048B2 (en) * 2016-12-30 2019-10-15 Shaoher Pan Larger displays formed by multiple integrated LED array micro-displays
TWI689092B (zh) * 2017-06-09 2020-03-21 美商晶典有限公司 具有透光基材之微發光二極體顯示模組及其製造方法
CN107393905B (zh) * 2017-07-28 2019-07-09 天马微电子股份有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置
CN108054286B (zh) * 2017-12-13 2020-03-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种电致发光器件、显示装置及其制作方法
CN109410775A (zh) * 2018-10-24 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种微led显示面板、其制作方法及显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101866910A (zh) * 2009-04-15 2010-10-20 宇威光电股份有限公司 发光装置
CN105742307A (zh) * 2016-04-26 2016-07-06 张希娟 一种彩色微显示器件及制备方法
CN107195654A (zh) * 2017-06-02 2017-09-22 南京迈智芯微光电科技有限公司 一种全彩半导体发光微显示器及其制造工艺
CN111028697A (zh) * 2018-10-09 2020-04-17 财团法人工业技术研究院 拼接显示装置
CN109920814A (zh) * 2019-03-12 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置

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