CN110050512B - 使用半导体发光元件的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置，具体地，涉及一种使用半导体发光元件的显示装置。根据本发明的显示装置包括安装在基板上的多个半导体发光元件，其中，半导体发光元件中的至少一个包括：第一导电电极和第二导电电极；第一导电半导体层，其中设置有第一导电电极；第二导电半导体层，其与第一导电半导体层交叠并且其中设置有第二导电电极；第一钝化层，其形成为覆盖第一导电半导体层和第二导电半导体层的外表面；以及第二钝化层，其形成为覆盖第一钝化层并且形成为使得其至少一部分的厚度变化。

Description

使用半导体发光元件的显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置及其制造方法，更具体地，涉及一种使用半导体发光元件的显示装置。
背景技术
近年来，在显示技术领域中已开发出具有诸如低轮廓、柔性等的优异特性的显示装置。相反，目前商业化的主要显示器的代表是液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。然而，在LCD的情况下存在诸如响应时间不那么快、难以实现柔性的问题，并且在AMOLED的情况下存在诸如寿命短、产量不那么好以及柔性低的缺点。
另一方面，发光二极管(LED)是用于将电流转换为光的熟知发光器件，并且自从使用GaAsP化合物半导体的红色LED在1962年与基于GaP:N的绿色LED一起市售，已用作在包括信息通信装置的电子装置中显示图像的光源。因此，半导体发光元件可用于实现柔性显示器，从而提出解决问题的方案。
然而，由于半导体发光元件的形状，p电极和n电极的尺寸和比率受到限制，这可能导致对图像质量的改进的限制。此外，半导体发光元件的缺点在于：由于与其面积相比厚度低，所以抗外部冲击能力弱。因此，在使用半导体发光元件的柔性显示器中，可能需要通过克服该限制和缺点来增强半导体发光元件的图像质量和耐久性。因此，本公开提出了一种能够增强半导体发光元件的发光效率和耐久性的新的机制。
发明内容
技术问题
本公开的目的在于提供一种具有能够允许电极的面积变化并增加发光效率的半导体发光元件的显示装置。
本公开的另一目的在于提供一种显示装置中用于增强耐久性的结构。
技术方案
根据本公开的显示装置可使用双钝化层来增加显示装置的发光效率和耐久性。
对于特定示例，该显示装置可包括安装在基板上的多个半导体发光元件，其中，半导体发光元件中的至少一个包括：第一导电电极和第二导电电极；第一导电半导体层，其设置有第一导电电极；第二导电半导体层，其被配置为与第一导电半导体层交叠，并且设置有第二导电电极；第一钝化层，其形成为覆盖第一导电半导体层和第二导电半导体层的外表面；以及第二钝化层，其形成为覆盖第一钝化层，并且形成为所述第二钝化层的至少部分在厚度上发生变化。
根据实施方式，第一钝化层可包括覆盖第一导电半导体层的下表面的第一部分以及覆盖第二导电半导体层的下表面的第二部分，并且第一部分和第二部分可相对于第二导电半导体层具有高度差。
第二钝化层上覆盖第一部分和第二部分的部分的外表面可以是第二钝化层的下表面，并且由于第二钝化层的厚度变化，第二钝化层的下表面可形成为没有高度差的平面。
通孔可形成在第一钝化层和第二钝化层中，并且第一导电电极和第二导电电极可分别通过所述通孔延伸至第二钝化层上没有高度差的平面。
根据实施方式，第二钝化层的下表面可具有不同于第一钝化层的面积。第二钝化层的下表面的面积可大于第一钝化层的下表面的面积。
根据实施方式，第一钝化层和第二钝化层可以不同的图案或形状形成。由于厚度变化，第二钝化层可被配置为具有与第一钝化层不同的横截面形状。第一钝化层可以均匀厚度形成，并且第二钝化层可以非均匀厚度形成。
根据实施方式，第二钝化层可包括沿着半导体发光元件的厚度方向不与第二导电半导体层交叠的部分，并且第一导电电极和第二导电电极中的至少一个可形成为覆盖不交叠部分。第二导电电极的至少部分可沿着半导体发光元件的厚度方向与第一导电半导体层交叠。第一导电电极和第二导电电极的投影面积之比可形成为比第一导电半导体层和第二导电半导体层的投影面积之比更接近1:1。
根据实施方式，第一钝化层可由硅化合物或氧化物形成，并且第二钝化层可由聚合物制成。
另外，本公开公开了一种半导体发光元件，包括：第一导电电极和第二导电电极；第一导电半导体层，其设置有第一导电电极；第二导电半导体层，其被配置为与第一导电半导体层交叠并且设置有第二导电电极；第一钝化层，其形成为覆盖第一导电半导体层和第二导电半导体层的外表面；以及第二钝化层，其形成为覆盖第一钝化层，并且形成为所述第二钝化层的至少部分在厚度上发生变化。
有益效果
在根据本公开的显示装置中，可通过形成有非均匀厚度的外钝化层来防止由于具有均匀厚度的内钝化层上的物理冲击而导致的损坏。此外，与面积相比，半导体发光元件的厚度可增加，从而减轻从外部施加的物理冲击。
另外，外钝化层可利用厚度的改变来形成更大面积的平面，从而增加n电极和p 电极的面积变化的设计自由度。因此，n电极与p电极之比可被实现为接近一比一，因此可使电流的供给路径更均匀，从而增加显示器的图像质量。
此外，根据本公开，n电极和p电极的面积可进一步增加，因此电极的后反射表面可变宽，从而增加发光效率。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施方式的使用半导体发光元件的显示装置的概念图。
图2是图1中的部分“A”的局部放大图，图3a和图3b是沿图2中的线B-B和 C-C截取的横截面图。
图4是示出图3a和图3b中的倒装芯片型半导体发光元件的概念图。
图5a至图5c是示出结合倒装芯片型半导体发光元件实现颜色的各种形式的概念图。
图6是示出根据本公开的使用半导体发光元件的显示装置的制造方法的横截面图。
图7是示出根据本公开的另一实施方式的使用半导体发光元件的显示装置的立体图。
图8是沿图7中的线D-D截取的横截面图。
图9是示出图8中的垂直型半导体发光元件的概念图。
图10是图1中的部分“A”的放大图，用于说明应用具有新结构的半导体发光元件的本公开的另一实施方式。
图11是沿图10中的线E-E截取的横截面图。
图12是沿图10中的线F-F截取的横截面图。
图13是示出图11中的倒装芯片型半导体发光元件的概念图。
图14a是用于说明本公开的另一实施方式的半导体发光元件的平面图，图14b是沿图14a中的线G-G截取的横截面图。
图15a是用于说明本公开的另一实施方式的半导体发光元件的平面图，图15b是沿图15a中的线H-H截取的横截面图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细描述本文所公开的实施方式，相同或相似的元件由相同的标号指代，而不管附图中的编号，并且将省略其冗余描述。用于以下描述中所公开的构成元件的后缀“模块”和“单元”仅旨在易于描述说明书，后缀本身没有给出任何特殊含义或功能。此外，在描述本文所公开的实施方式时，当对本发明所涉及的公知技术的具体描述被判断为模糊本公开的主旨时，将省略详细描述。另外，应该注意的是，仅示出附图以容易地说明本发明的概念，因此，其不应被解释为通过附图限制本文所公开的技术概念。
此外，将理解，当诸如层、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”时，其可直接在另一元件上，或者它们之间也可插入中间元件。
本文所公开的显示装置可包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、板型PC、平板 PC、超极本、数字TV、台式计算机等。然而，本领域技术人员将容易理解，本文所公开的配置可适用于任何可显示装置，即使其是将稍后开发的新产品类型。
图1是示出根据本公开的实施方式的使用半导体发光元件的显示装置的概念图。
根据附图，可使用柔性显示器显示在显示装置100的控制器中处理的信息。
柔性显示器可包括柔性、可弯曲、可扭曲、可折叠和可卷曲显示器。例如，柔性显示器可以是在薄且柔性的基板上制造的显示器，其可像纸张一样翘曲、弯曲、折叠或卷起，同时维持现有技术中的平板显示器的显示特性。
在柔性显示器没有翘曲的配置(例如，具有无限曲率半径的配置，以下称为“第一配置”)下，柔性显示器的显示区域变为平面。在第一配置下柔性显示器由于外力而翘曲的配置(例如，具有有限曲率半径的配置，以下称为“第二配置”)下，其显示区域变为曲面。如附图所示，在第二配置下显示的信息可以是显示在曲面上的视觉信息。可按照独立地控制以矩阵配置布置的各个单元像素(子像素)的光发射的方式来实现视觉信息。单元像素表示用于表示一种颜色的基本单元。
柔性显示器的子像素可由半导体发光元件实现。根据本公开，发光二极管(LED)被示出为一种半导体发光元件。由此，即使在第二配置下，发光二极管也可形成为小尺寸以起到子像素的作用。
以下，将参照附图更详细地描述使用发光二极管实现的柔性显示器。
图2是图1中的部分“A”的局部放大图，图3a和图3b是沿图2中的线B-B和 C-C截取的横截面图，图4是示出图3a中的倒装芯片型半导体发光元件的概念图，图5a至图5c是示出结合倒装芯片型半导体发光元件实现颜色的各种形式的概念图。
根据图2、图3a和图3b中的附图，示出了使用无源矩阵(PM)型半导体发光元件的显示装置100作为使用半导体发光元件的显示装置100。然而，下面所描述的示例也可适用于有源矩阵(AM)型半导体发光元件。
显示装置100可包括基板110、第一电极120、导电粘合层130、第二电极140 和多个半导体发光元件150。
基板110可以是柔性基板。基板110可包含玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，如果是柔性材料，则可使用诸如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的任一种。此外，基板110可以是透明和不透明材料中的任一种。
基板110可以是设置有第一电极120的布线基板，因此第一电极120可放置在基板110上。
根据附图，绝缘层160可设置在放置有第一电极120的基板110上，并且辅助电极170可设置在绝缘层160上。在这种情况下，在基板110上沉积绝缘层160的配置可以是单个布线基板。更具体地，绝缘层160可利用诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN 等的绝缘和柔性材料被并入基板110中以形成单个布线基板。
作为用于将第一电极120电连接到半导体发光元件150的电极的辅助电极170 被放置在绝缘层160上，并且与第一电极120的位置对应设置。例如，辅助电极170 具有点形状，并且可通过穿过绝缘层160的电极孔171电连接到第一电极120。可通过在通孔中填充导电材料来形成电极孔171。
参照附图，导电粘合层130可形成在绝缘层160的一个表面上，但是本公开可未必限于此。例如，还可具有导电粘合层130被设置在基板110上而没有绝缘层160的结构。在导电粘合层130被设置在基板110上的结构中，导电粘合层130可起到绝缘层的作用。
导电粘合层130可以是具有粘合性和导电性的层，为此，导电材料和粘合材料可在导电粘合层130上混合。此外，导电粘合层130可具有柔性，从而允许显示装置中的柔性功能。
对于这样的示例，导电粘合层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、包含导电颗粒的溶液等。导电粘合层130可允许穿过其厚度的z方向上的电互连，但是可被配置成在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合层130 可被称为z轴导电层(然而，以下成为“导电粘合层”)。
各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基础构件混合的形式的膜，因此当对其施加热和压力时，仅其特定部分可通过各向异性导电介质而具有导电性。以下，对各向异性导电膜施加热和压力，但是其它方法也可用于使各向异性导电膜部分地具有导电性。这些方法可包括仅对其施加热和压力中的任一个、UV固化等。
此外，各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。根据附图，在此示例中，各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基础构件混合的形式的膜，因此当对其施加热和压力时，仅其特定部分可通过导电球而具有导电性。各向异性导电膜可处于具有导电材料的芯包含由具有聚合物材料的绝缘层涂覆的多个颗粒的状态，并且在这种情况下，在断开施加有热和压力的部分上的绝缘层的同时可通过芯而具有导电性。这里，芯可变形以实现物体在膜的厚度方向上接触两个表面的层。对于更具体的示例，热和压力被整体施加到各向异性导电膜，并且部分地通过相对于使用各向异性导电膜附着的配合物体的高度差来形成z轴方向上的电连接。
又如，各向异性导电膜可处于包含多个颗粒的状态，其中导电材料涂覆在绝缘芯上。在这种情况下，施加有热和压力的部分可转变(被挤压和附着)为导电材料以在膜的厚度方向上具有导电性。又如，可形成为在膜的厚度方向上具有导电性，其中导电材料在z方向上穿过绝缘基础构件。在这种情况下，导电材料可具有尖端部分。
根据附图，各向异性导电膜可以是以导电球被插入到绝缘基础构件的一个表面中的形式配置的固定阵列各向异性导电膜(ACF)。更具体地，绝缘基础构件由粘合材料形成，并且导电球集中设置在绝缘基础构件的底部，并且当对其施加热和压力时，基础构件连同导电球一起改性，从而在其垂直方向上具有导电性。
然而，本公开可未必限于此，各向异性导电膜可全部允许具有导电球与绝缘基础构件随机地混合的形式，或者以多个层配置，其中在任一个层处设置导电球(双ACF) 的形式，等等。
作为耦合到糊剂和导电球的形式的各向异性导电糊剂可以是导电球与绝缘粘合基材混合的糊剂。此外，包含导电颗粒的溶液可以是包含导电颗粒或纳米颗粒的形式的溶液。
再参照附图，第二电极140位于绝缘层160处以与辅助电极170分离。换言之，导电粘合层130设置在辅助电极170和第二电极140所在的绝缘层160上。
当在辅助电极170和第二电极140所在的状态下形成导电粘合层130，然后在施加热和压力的情况下以倒装芯片的形式连接半导体发光元件150时，半导体发光元件 150电连接到第一电极120和第二电极140。
参照图4，半导体发光元件可以是倒装芯片型半导体发光元件。
例如，半导体发光元件可包括p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153以及设置在n型半导体层153上在水平方向上与p型电极156分离的n型电极152。在这种情况下，p型电极156可通过导电粘合层130电连接到焊接部分，并且n型电极152可电连接到第二电极140。
再参照图2、图3a和图3b，辅助电极170可在一个方向上以细长方式形成以电连接到多个半导体发光元件150。例如，辅助电极周围的半导体发光元件的左右p型电极可电连接到一个辅助电极。
更具体地，半导体发光元件150被压到导电粘合层130中，并且由此，仅半导体发光元件150的介于p型电极156和辅助电极170之间的部分以及半导体发光元件 150的介于n型电极152和第二电极140之间的部分具有导电性，剩余部分不具有导电性，因为不存在半导体发光元件的下推(push-down)。如上所述，导电粘合层130 可形成电连接并且允许半导体发光元件150与辅助电极170之间以及半导体发光元件 150与第二电极140之间的相互耦合。
此外，多个半导体发光元件150构成发光阵列，并且荧光体层180形成在发光阵列上。
发光器件阵列可包括具有不同的自亮度值的多个半导体发光元件。各个半导体发光元件150构成子像素，并且电连接到第一电极120。例如，可存在多个第一电极120，并且半导体发光元件例如布置成多行，并且每一行的半导体发光元件可电连接到多个第一电极中的任一个。
此外，半导体发光元件可按照倒装芯片形式连接，因此半导体发光元件生长在透明介电基板上。此外，例如，半导体发光元件可以是氮化物半导体发光元件。半导体发光元件150具有优异的亮度特性，因此即使以其小尺寸也可配置各个子像素。
根据附图，间壁190可形成在半导体发光元件150之间。在这种情况下，间壁 190可起到将各个子像素彼此分割的作用，并且与导电粘合层130形成为一体。例如，当半导体发光元件150被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基础构件可形成间壁。
此外，当各向异性导电膜的基础构件为黑色时，间壁190可具有反射特性，同时增加对比度而无需附加黑色绝缘体。
又如，可与间壁190分开设置反射间壁。在这种情况下，根据显示装置的目的，间壁190可包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的间壁时可具有增强反射率的效果，并且增加对比度，同时具体反射特性。
荧光体层180可位于半导体发光元件150的外表面处。例如，半导体发光元件 150是发射蓝(B)光的蓝色半导体发光元件，并且荧光体层180起到将蓝(B)光转换为子像素的颜色的作用。荧光体层180可以是构成各个像素的红色荧光体层181 或绿色荧光体层182。
换言之，可在实现红色子像素的位置处在蓝色半导体发光元件上沉积能够将蓝光转换为红(R)光的红色荧光体181，并且可在实现绿色子像素的位置处在蓝色半导体发光元件上沉积能够将蓝光转换为绿(G)光的绿色荧光体182。此外，在实现蓝色子像素的位置处可仅仅使用蓝色半导体发光元件。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。更具体地，可沿着第一电极120的每一条线沉积一种颜色的荧光体。因此，第一电极120上的一条线可以是控制一种颜色的电极。换言之，可沿着第二电极140顺序地设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，从而实现子像素。
然而，本公开可未必限于此，代替荧光体，半导体发光元件150可与量子点(QD) 组合以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。
此外，黑色基底191可设置在各个荧光体层之间以增强对比度。换言之，黑色基底191可增强亮度的对比度。
然而，本公开可未必限于此，用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构也可适用。
参照图5a，各个半导体发光元件150可利用发射包括蓝色的各种光的高功率发光器件来实现，其中主要使用氮化镓(GaN)，并且添加有铟(In)和/或铝(Al)。
在这种情况下，半导体发光元件150可分别是红色、绿色和蓝色半导体发光元件，以实现各个子像素。例如，红色、绿色和蓝色半导体发光元件(R、G、B)交替地设置，并且红色、绿色和蓝色子像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光元件实现一个像素，从而实现全彩色显示器。
参照图5b，半导体发光元件可具有针对各个元件设置有黄色荧光体层的白色发光器件(W)。在这种情况下，红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可设置在白色发光器件(W)上以实现子像素。此外，白色发光器件(W)上随红色、绿色和蓝色重复的滤色器可用于实现子像素。
参照图5c，还可具有红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183 可设置在紫外发光器件(UV)上的结构。以这种方式，半导体发光元件可在直至紫外(UV)以及可见光的整个区域上使用，并且可扩展至紫外(UV)可用作激发源的半导体发光元件的形式。
再考虑本示例，半导体发光元件150被放置在导电粘合层130上以配置显示装置中的子像素。半导体发光元件150可具有优异的亮度特性，因此即使以其小尺寸也可配置各个子像素。各个半导体发光元件150的尺寸在其一边的长度可小于80μm，并且形成为矩形或正方形元件。在矩形元件的情况下，其尺寸可小于20×80μm。
此外，即使当边长为10μm的正方形半导体发光元件150用于子像素时，其也将表现出足够的亮度以用于实现显示装置。因此，例如，在子像素的一边尺寸为600μm 并且其剩余一边为300μm的矩形像素的情况下，半导体发光元件之间的相对距离变得足够大。因此，在这种情况下，可实现具有HD图像质量的柔性显示装置。
使用上述半导体发光元件的显示装置将通过一种新的制造方法来制造。以下，将参照图6描述该制造方法。
图6是示出根据本公开的使用半导体发光元件的显示装置的制造方法的横截面图。
参照附图，首先，在辅助电极170和第二电极140所在的绝缘层160上形成导电粘合层130。绝缘层160沉积在第一基板110上以形成一个基板(或布线基板)，并且第一电极120、辅助电极170和第二电极140设置在该布线基板处。在这种情况下，第一电极120和第二电极140可设置在彼此垂直的方向上。此外，第一基板110和绝缘层160可分别包含玻璃或聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示装置。
例如，导电粘合层130可由各向异性导电膜实现，为此，可在绝缘层160所在的基板上涂覆各向异性导电膜。
接下来，设置与辅助电极170和第二电极140的位置对应并构成各个像素的多个半导体发光元件150所在的第二基板112，使得半导体发光元件150面向辅助电极170 和第二电极140。
在这种情况下，作为用于生长半导体发光元件150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。
当以晶圆为单位形成时，半导体发光元件可具有能够实现显示装置的间隙和尺寸，因此有效地用于显示装置。
接下来，将布线基板热压缩到第二基板112。例如，可通过应用ACF压头来将布线基板和第二基板112热压缩到彼此。布线基板和第二基板112利用热压缩彼此结合。通过热压缩，由于具有导电性的各向异性导电膜特性，仅半导体发光元件150 与辅助电极170和第二电极140之间的部分可具有导电性，从而允许电极和半导体发光元件150彼此电连接。此时，可将半导体发光元件150插入到各向异性导电膜中，从而在半导体发光元件150之间形成间壁。
接下来，去除第二基板112。例如，可使用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO) 方法来去除第二基板112。
最后，去除第二基板112以将半导体发光元件150暴露于外。可在耦合到半导体发光元件150的布线基板上涂覆氧化硅(SiOx)等以形成透明绝缘层(未示出)。
此外，还可包括在半导体发光元件150的一个表面上形成荧光体层的工艺。例如，半导体发光元件150可以是用于发射蓝(B)光的蓝色半导体发光元件，并且用于将蓝(B)光转换为子像素的颜色的红色或绿色荧光体可在蓝色半导体发光元件的一个表面上形成层。
使用上述半导体发光元件的显示装置的制造方法或结构可按照各种形式修改。对于这样的示例，上述显示装置可适用于垂直半导体发光元件。以下，将参照图5a、图5b和图6描述垂直结构。
此外，根据以下修改示例或实施方式，相同或相似的标号被指定给与上述示例相同或相似的配置，并且其描述将由早前的描述替代。
图7是示出根据本公开的另一实施方式的使用半导体发光元件的显示装置的立体图。图8是沿图7中的线D-D截取的横截面图，图9是示出图8中的垂直型半导体发光元件的概念图。
根据附图，显示装置可以是使用无源矩阵(PM)型垂直半导体发光元件的显示装置。
显示装置可包括基板210、第一电极220、导电粘合层230、第二电极240和多个半导体发光元件250。
作为设置有第一电极220的布线基板的基板210可包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。另外，如果是绝缘柔性材料，则可使用任一种。
第一电极220可位于基板210上，并且形成为在一个方向上伸长的条形电极。第一电极220可形成为起到数据电极的作用。
导电粘合层230形成在第一电极220所在的基板210上。类似于应用倒装芯片型发光器件的显示装置，导电粘合层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电糊剂、包含导电颗粒的溶液等。然而，本实施方式示出导电粘合层230由各向异性导电膜实现的情况。
当各向异性导电膜处于第一电极220位于基板210上的状态，然后施加热和压力以将半导体发光元件250与之连接时，半导体发光元件250电连接到第一电极220。此时，半导体发光元件250可优选设置在第一电极220上。
如上所述当施加热和压力时，由于各向异性导电膜在厚度方向上部分地具有导电性，所以生成电连接。因此，各向异性导电膜在其厚度方向上被分割成具有导电性的部分以及不具有导电性的部分。
此外，各向异性导电膜包含粘合组分，因此导电粘合层230在半导体发光元件250和第一电极220之间实现机械耦合以及电耦合。
以这种方式，半导体发光元件250被放置在导电粘合层230上，从而在显示装置中配置单独的子像素。半导体发光元件250可具有优异的亮度特性，因此即使以其小尺寸也可配置各个子像素。各个半导体发光元件250的尺寸在其一边的长度可小于 80μm，并且形成为矩形或正方形元件。在矩形元件的情况下，其尺寸可小于20×80 μm。
半导体发光元件250可以是垂直结构。
设置在与第一电极220的长度方向交叉的方向上并电连接到垂直半导体发光元件250的多个第二电极240可位于垂直半导体发光元件之间。
参照图9，垂直半导体发光元件可包括p型电极256、形成有p型电极256的p 型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的 n型半导体层253以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情况下，位于其底部的p型电极256可通过导电粘合层230电连接到第一电极220，并且位于其顶部的n型电极252可电连接到第二电极240(将稍后描述)。电极可在垂直半导体发光元件250中在向上/向下方向上设置，从而提供能够减小芯片尺寸的极大优点。
再参照图8，荧光体层280可形成在半导体发光元件250的一个表面上。例如，半导体发光元件250是发射蓝(B)光的蓝色半导体发光元件，并且用于将蓝(B) 光转换为子像素的颜色的荧光体层280可设置在其上。在这种情况下，荧光体层280 可以是构成各个像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。
换言之，可在实现红色子像素的位置处在蓝色半导体发光元件上沉积能够将蓝光转换为红(R)光红色荧光体281，并且可在实现绿色子像素的位置处在蓝色半导体发光元件上沉积能够将蓝光转换为绿(G)光的绿色荧光体282。此外，可在实现蓝色子像素的位置处仅仅使用蓝色半导体发光元件。在这种情况下，红色(R)、绿色 (G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。
然而，本公开可未必限于此，如上所述在应用倒装芯片型发光器件的显示装置中，用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构也可适用。
再考虑本实施方式，第二电极240位于半导体发光元件250之间，并且电连接到半导体发光元件250。例如，半导体发光元件250可设置成多行，并且第二电极240 可位于半导体发光元件250的行之间。
由于构成各个像素的半导体发光元件250之间的距离足够大，所以第二电极240可位于半导体发光元件250之间。
第二电极240可形成为在一个方向上伸长的条形电极，并且设置在垂直于第一电极的方向上。
此外，第二电极240可通过从第二电极240突出的连接电极电连接到半导体发光元件250。更具体地，连接电极可以是半导体发光元件250的n型电极。例如，n型电极形成为用于欧姆接触的欧姆电极，并且第二电极通过印刷或沉积覆盖欧姆电极的至少部分。由此，第二电极240可电连接到半导体发光元件250的n型电极。
根据附图，第二电极240可位于导电粘合层230上。根据情况，包含氧化硅(SiOx)的透明绝缘层(未示出)可形成在形成有半导体发光元件250的基板210上。当形成透明绝缘层，然后在其上放置第二电极240时，第二电极240可位于透明绝缘层上。此外，第二电极240可形成为与导电粘合层230或透明绝缘层分离。
如果使用诸如铟锡氧化物(ITO)的透明电极来将第二电极240定位在半导体发光元件250上，则ITO材料具有与n型半导体的粘附性差的问题。因此，第二电极 240可被放置在半导体发光元件250之间，从而获得不需要透明电极的优点。因此， n型半导体层和具有良好粘附性的导电材料可用作水平电极，而不受透明材料的选择的限制，从而增强光提取效率。
根据附图，间壁290可形成在半导体发光元件250之间。换言之，间壁290可设置在垂直半导体发光元件250之间以将构成各个像素的半导体发光元件250隔离。在这种情况下，间壁290可起到将各个子像素彼此分开的作用，并且与导电粘合层230 形成为一体。例如，当半导体发光元件250被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基础构件可形成间壁。
此外，当各向异性导电膜的基础构件为黑色时，间壁290可具有反射特性，同时增强对比度，而无需附加红色绝缘体。
又如，可与间壁290分开设置反射间壁。在这种情况下，根据显示装置的目的，间壁290可包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240精确地位于半导体发光元件250之间的导电粘合层230上，则间壁290可位于半导体发光元件250和第二电极240之间。因此，各个子像素可使用半导体发光元件250甚至以小尺寸配置，并且半导体发光元件250之间的距离可相对足够大，以将第二电极240放置在半导体发光元件250之间，从而具有实现具有HD 图像质量的柔性显示装置的效果。
此外，根据附图，黑色基底291可设置在各个荧光体层之间以增强对比度。换言之，黑色基底291可增强亮度的对比度。
如上所述，半导体发光元件250位于导电粘合层230上，从而构成显示装置上的各个像素。半导体发光元件250可具有优异的亮度特性，因此即使以其小尺寸也可配置各个子像素。结果，可实现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素通过半导体发光元件实现一个像素的全彩色显示器。
当倒装芯片型被应用于使用本公开的上述半导体发光元件的显示装置时，由于n电极形成在n型半导体层上，并且p电极形成在p型半导体层上，所以其具有有限面积的尺寸。此外，由于从半导体发光元件发射光的上表面的面积较小，所以对亮度的增加有限制。此外，半导体发光元件的缺点在于，由于其低厚度，其抗冲击的能力弱。具体地，在数字标牌的情况下，可能不需要柔性性质，因此对于使用半导体发光元件的显示器可能需要不同的方法。
在本公开中，将提出一种具有能够解决这种问题的新结构的半导体发光元件。以下，将描述一种显示装置，其应用了根据本公开的另一实施方式的能够解决这种问题的倒装芯片型发光器件。
图10是图1中的部分“A”的放大图，用于说明应用具有新结构的半导体发光元件的本公开的另一实施方式，图11是沿图10中的线E-E截取的横截面图，图12是沿图10中的线F-F截取的横截面图，图13是示出图11中的倒装芯片型半导体发光元件的概念图。
根据图10、图11和图12中的附图，示出了使用无源矩阵(PM)型半导体发光元件的显示装置1000作为使用半导体发光元件的显示装置1000。然而，下面所描述的示例也可适用于有源矩阵(AM)型半导体发光元件。
显示装置1000可包括基板1010、第一电极1020、导电粘合层1030、第二电极 1040和多个半导体发光元件1050。这里，第一电极1020和第二电极1040可分别包括多条电极线。
作为设置有第一电极1020的布线基板的基板1010可包括聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。在这种情况下，根据情况，基板1010可由绝缘但非柔性材料形成。此外，基板1010可以是透明和非透明材料中的任一个。
根据附图，绝缘层1060可设置在放置有第一电极1020的基板1010上，并且辅助电极1070可被放置在绝缘层1060上。在这种情况下，绝缘层1060沉积在基板1010 上的配置可以是单个布线基板。更具体地，绝缘层1060可利用诸如聚酰亚胺(PI)、 PET、PEN等的绝缘材料被并入基板1010中以形成单个布线基板。
第一电极1020可位于基板1010上，并形成为在一个方向上伸长的条形电极。第一电极1020可形成为起到数据电极的作用。
作为用于将第一电极1020电连接到半导体发光元件1050的电极的辅助电极 1070被放置在绝缘层1060上，并与第一电极1020的位置对应设置。例如，辅助电极1070具有点形状，并且可通过穿过绝缘层1060的电极孔1071电连接到第一电极 1020。可通过在通孔中填充导电材料来形成电极孔1071。
参照附图，导电粘合层1030可形成在绝缘层1060的一个表面上，但是本公开可未必限于此。例如，半导体发光元件的电极也可通过焊接等耦合到布线电极。在这种情况下，本示例中的导电粘合层可被排除。
在本示例中，导电粘合层1030形成在第一电极1020所在的基板1010上。类似于应用上述倒装芯片型发光器件的显示装置，导电粘合层1030可以是各向异性导电膜(ACF)。
再参照附图，第二电极1040位于绝缘层1060处以与辅助电极1070分离。具体地，设置在与第一电极1020的长度方向交叉的方向上并电连接到半导体发光元件 1050的多个第二电极1040可位于绝缘层1060上。换言之，导电粘合层1030设置在辅助电极1070和第二电极1040所在的绝缘层1060上。
当在辅助电极1070和第二电极1040位于绝缘层1060上的状态下形成导电粘合层1030，然后在施加热和压力的情况下将半导体发光元件1050以倒装芯片形式与之连接时，半导体发光元件1050电连接到第一电极1020和第二电极1040。
此外，显示装置1000还可包括形成在多个半导体发光元件1050的一个表面上的荧光体层1080。例如，半导体发光元件1050是发射蓝(B)光的蓝色半导体发光元件，并且荧光体层1080起到将蓝(B)光转换为子像素的颜色的作用。荧光体层1080 可以是构成各个像素的红色荧光体层1081或绿色荧光体层1082。换言之，可在实现红色子像素的位置处在蓝色半导体发光元件1051a上沉积能够将蓝光转换为红(R) 光的红色荧光体1081，并且可在实现绿色子像素的位置处在蓝色半导体发光元件 1051b上沉积能够将蓝光转换为绿(G)光的绿色荧光体1082。此外，可在实现蓝色子像素的位置处仅仅使用蓝色半导体发光元件1051c。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可实现一个像素。更具体地，可沿着第一电极1020的每一条线沉积一种颜色的荧光体。因此，第一电极1020上的一条线可以是控制一种颜色的电极。换言之，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)可沿着第二电极1040顺序地设置，从而实现子像素。然而，本公开可未必限于此，代替荧光体，半导体发光元件 1050可与量子点(QD)组合以实现发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。
另一方面，为了改进荧光体层1080的对比度，显示装置还可包括设置在各个荧光体之间的黑色基底1091。黑色基底1091可形成为使得在荧光体点之间形成间隙并且黑色材料填充该间隙。由此，黑色基底1091可在吸收外部光反射的同时改进明暗之间的对比度。黑色基底1091在荧光体层1080沉积的方向上沿着第一电极1020位于各个荧光体层之间。在这种情况下，在与蓝色半导体发光元件1051对应的位置处可不形成荧光体层，但是可通过在其间插入不具有蓝色发光器件1051c的空间来在其两侧分别形成黑色基底1091。
如图中所示，多个半导体发光元件1050可在与设置在第一电极1020中的多条电极线平行的方向上形成多列。然而，本公开未必限于此。例如，多个半导体发光元件 1050可沿着第二电极1040形成多列。
根据本示例中的半导体发光元件1050，可使用双钝化层来增加显示装置的发光效率和耐久性。
参照图13，半导体发光元件1050包括第一导电电极1156、形成有第一导电电极1156的第一导电半导体层1155、形成在第一导电半导体层1155上的有源层1154、形成在有源层1154上的第二导电半导体层1153以及形成在第二导电半导体层1153上的第二导电电极1152。
更具体地，第一导电电极1156和第一导电半导体层1155可分别为p型电极和p 型半导体层，并且第二导电电极1152和第二导电半导体层1153可分别为n型电极和 n型半导体层。然而，本公开不限于此，第一导电类型可以是n型并且第二导电类型可以是p型。
第一导电电极1156形成在第一导电半导体层1155的一个表面上，并且有源层1154形成在第一导电半导体层1155的另一表面与第二导电半导体层1153的一个表面之间，并且第二导电电极1152形成在第二导电半导体层1153的一个表面上。
在这种情况下，第二导电电极1152设置在第二导电半导体层1153的未被第一导电半导体层1155覆盖的一个表面上，并且未掺杂半导体层1153a形成在第二导电半导体层1153的另一表面上。
第一导电电极1156和第二导电电极1152可包括Ti、Cr、Pt、Au、Cu、Sn、Ni、 Mo、Ag、Al和In中的至少一种，并且形成为包括粘合层、屏障层、低电阻层、抗氧化层等的多层。
参照图13以及图10至图12，第二导电半导体层1153的设置有第二导电电极1152的一个表面可以是最靠近布线基板的下表面，并且第二导电半导体层1153的另一表面可以是最远离布线基板的上表面。
此外，在沿着半导体发光元件的宽度方向间隔开的位置处，第一导电电极1156 和第二导电电极1152可在垂直方向(或厚度方向)上彼此具有高度差。在这种情况下，通过导电粘合层1030，第一导电电极1156可电连接到辅助电极1070并且第二导电电极1152电连接到第二电极1040。
这里，半导体发光元件包括第一钝化层1161，其形成为覆盖第一导电半导体层1155和第二导电半导体层1153的外表面。例如，第一钝化层1161可形成为围绕第一导电半导体层1155和第二导电半导体层1153的外侧面和底表面。
第一钝化层1161覆盖半导体发光元件的外侧面以使半导体发光元件的特性稳定，并且由绝缘材料形成。例如，第一钝化层1161可以是由硅化合物或氧化物制成的绝缘薄膜。更具体地，第一钝化层1161可由AlxOy、SixOy、SixNy、SnxOy、TixOy、 CrOx和ZrOx中的一种或更多种材料形成。
如上所述，第一导电半导体层1155和第二导电半导体层1153通过第一钝化层1161断开电连接，因此半导体发光元件的p型GaN和n型GaN可彼此绝缘。
在这种情况下，第一钝化层1161可包括具有不同折射率的多个层1161a、1161b，以反射向第一导电半导体层1155和第二导电半导体层1153的外侧面发射的光。然而，本公开不限于此，第一钝化层1161可形成为单层。
多个层可利用具有相对高折射率的材料和具有相对低折射率的材料重复地沉积。其中，具有高折射率的材料包括SiN、TiO2、Al2O3和ZrO2中的至少一种，具有低折射率的材料包括SiO2，并且具有高折射率的材料与具有低折射率的材料之间的折射率差异可为0.3或更大。例如，具有高折射率的材料与具有低折射率的材料之间的折射率差异可为0.3至0.9。在微单元半导体发光元件中，由于各个器件被隔离，所以当从器件的侧表面向外出射的光被收集到器件中时可预期光提取效率增加。在本公开中，在半导体发光元件的第一钝化层1161上重复地沉积具有折射率差异的介电层，从而调节光的出射角以将光收集到器件中。
另一方面，根据例示，第二钝化层1166形成为覆盖第一钝化层1161。第二钝化层1166由聚合物材料形成，从而改进半导体发光元件的绝缘特性并允许p电极延伸到多层量子阱区域的外部。此外，可允许p电极和n电极的形状和位置变化，并且p 电极和n电极可延伸到没有GaN的区域。
聚合物材料可由具有高透射率的材料形成，并且可具有不存在LED光的变色的特性。对于这样的示例，聚合物材料可包括PI、PAI、丙烯酸混合物、环氧混合物、苯酚甲醛混合物、酚醛树脂和Si基树脂中的至少一种。此时，第二钝化层1166可通过留下在形成绝缘层图案时使用的蚀刻掩模作为附加绝缘层而不去除蚀刻掩模来形成。
第二钝化层1166形成为厚度至少部分地变化。换言之，第一钝化层1161以均匀厚度形成，但是第二钝化层1166以非均匀厚度形成以具有不同于第一钝化层1161的图案。
第一钝化层1161包括覆盖第一导电半导体层1155的下表面的第一部分1162以及覆盖第二导电半导体层1153的下表面的第二部分1163。由于仅第二导电半导体层 1153的下表面的部分与第一导电半导体层1155交叠，并且第一钝化层1161以均匀厚度覆盖第一导电半导体层和第二导电半导体层1153，所以可形成第一部分1162和第二部分1163。
根据例示，第一部分1162和第二部分1163可相对于第二导电半导体层1153具有高度差。在不具有第二钝化层1166的结构中，由于高度差，第一导电电极1156和第二导电电极1152必须分别设置在第一部分1162和第二部分1163的投影平面内。在本示例中，第二钝化层1166克服了这样的缺点。通常，随着多层量子阱层的面积增加，电流密度降低并且半导体发光元件的发光特性改进，但是n电极的区域减小，这导致电极连接的劣化。
对于克服该缺点的结构，第二钝化层1166中覆盖第一部分1162和第二部分1163的部分的外表面可以是第二钝化层1166的下表面，并且由于第二钝化层1166的厚度变化，第二钝化层1166的下表面可形成为没有高度差的平面。例如，第二钝化层可形成为具有覆盖第一部分1162和第二部分1163的不同厚度。换言之，第二钝化层 1166形成为以比第一部分1162更大的厚度来覆盖第二部分1163。由于厚度变化，第二钝化层1166可形成为具有不同于第一钝化层1161的横截面形状。第一钝化层1161 的多个层可形成有相同的横截面，并且第二钝化层1166可具有不同的横截面。这里，如图中所示，要比较的横截面可以是垂直于显示器的前表面的横截面。
另一方面，通孔形成在第一钝化层1161和第二钝化层1166中，并且第一导电电极1156和第二导电电极1152分别通过通孔延伸至第二钝化层1166上没有高度差的平面。
在这种情况下，第二钝化层1166的下表面具有与第一钝化层1161不同的面积。由于第二钝化层1166的下表面形成没有高度差的平面，所以第二钝化层1166的下表面的面积可大于第一钝化层1161的下表面的面积。因此，延伸到第二钝化层1166的下表面的第一导电电极1156和第二导电电极1152的面积和形状的设计自由度增加。即，如本示例中所示，与未设置第一钝化层1161的情况相比，第一导电电极1156和第二导电电极1152的面积可增加。
例如，分别与第一导电电极1156和第二导电电极1152对应的第一通孔1164a和第二通孔1164b形成在第一钝化层1161中，并且分别与第一导电电极1156和第二导电电极1152对应的第三通孔1167a和第四通孔1167b也形成在第二钝化层1166中。第一钝化层1161的第一通孔1164a和第二钝化层1166的第三通孔1167a可在彼此对应的位置处彼此连通，并且第一钝化层1161的第二通孔1164b和第二钝化层1166的第四通孔1167b可在彼此对应的位置处彼此连通。
如上所述，第一导电电极1156和第二导电电极1152分别通过通孔从第一导电半导体层1155和第二导电半导体层1153延伸至第二钝化层1166的平面，并且与未设置第一钝化层1161的情况相比，可形成在具有更大面积的平面上。
根据例示，第二钝化层1166包括沿着半导体发光元件的厚度方向不与第二导电半导体层1153交叠的部分，并且第一导电电极1156和第二导电电极1152中的至少一个形成为覆盖不交叠部分。由于第二钝化层1166形成在第一钝化层的外表面上，所以第二钝化层1166的下表面可从第二导电半导体层1153的侧表面横向突出。由此，第二钝化层1166的下表面的面积可进一步扩大，并且第一导电电极1156或第二导电电极1152延伸至扩大的面积。
更具体地，第一钝化层1161可包括从第二导电半导体层1153的侧表面突出的突出部分1165，并且第二钝化层1166的端部可形成为在半导体发光元件的厚度方向上覆盖突出部分1165。
第一钝化层1161可具有覆盖第一导电半导体层1155和第二导电半导体层1153 的侧表面的侧体，并且突出部分1165可在与侧体交叉的方向上从侧体的一端突出。突出部分1165可形成为与设置为覆盖多个半导体发光元件的荧光体层1080交叠。当从第二导电半导体层1153的上表面发射的光在荧光体层1080内部被反射，并引导向半导体发光元件时，光可被突出部分1165向上反射。根据这种结构，显示装置的亮度可进一步增加。
第二钝化层1166的端部在半导体发光元件的厚度方向上覆盖突出部分1165。此时，第二钝化层1166的覆盖第一导电半导体层1155和第二导电半导体层1153的侧表面的对应部分的厚度可等于突出部分的突出长度。通过这种结构，在第二钝化层1166的下表面上，其边缘面积可扩大至少突出部分的长度。
如图中所示，当第一导电电极1156或第二导电电极1152延伸至第二钝化层1166的扩大的表面时，第一导电电极1156或第二导电电极1152的面积进一步增加。
根据上述结构，可通过以非均匀厚度形成的外钝化层来防止由于具有均匀厚度的内钝化层上的物理冲击而导致的损坏。另外，n电极和p电极的面积可进一步增加，因此可使电连接路径更均匀并且电极的后反射表面可变宽，从而增加发光效率。
此外，应用于上述显示装置的半导体发光元件可被修改为各种形式。以下，将描述这些修改示例。
图14a是用于说明本公开的另一实施方式的半导体发光元件的平面图，图14b是沿图14a中的线G-G截取的横截面图。此外，图15a是用于说明本公开的另一实施方式的半导体发光元件的平面图，图15b是沿图15a中的线H-H截取的横截面图。
半导体发光元件的形状可为具有对称性的圆形、三角形、正方形或多边形形状，例如，半导体发光元件可以是距重心最远的边缘与距重心最近的边缘之比为2:1或更小的圆形，或者具有四个或更多个角的多边形结构。在此实施方式中，呈现圆形半导体发光元件。
根据例示，圆形半导体发光元件2050是类似于上面参照图13所描述的半导体发光元件的水平半导体发光元件，并且包括第一导电电极2156、形成有第一导电电极 2156的第一导电半导体层2155、形成在第一导电半导体层2155上的有源层2154、形成在有源层2154上的第二导电半导体层2153以及形成在第二导电半导体层2153 上的第二导电电极2152。
更具体地，第一导电电极2156和第一导电半导体层2155可分别为p型电极和p 型半导体层，并且第二导电电极2152和第二导电半导体层2153可分别为n型电极和 n型半导体层。然而，本公开不限于此，第一导电类型可为n型并且第二导电类型可为p型。
第一导电电极2156形成在第一导电半导体层2155的一个表面上，并且第二导电电极2152设置在第二导电半导体层2153的未被第一导电半导体层2155覆盖的一个表面上，未掺杂半导体层2153a形成在第二导电半导体层2153的另一表面上。
在这种情况下，第二导电半导体层2153具有圆柱形形状，并且有源层2154和第一导电半导体层2155可以是圆柱，其各自具有在一侧截断的圆形作为其横截面。因此，第二导电半导体层2153的下表面的未被第一导电半导体层2155覆盖的部分可为截断圆形形状。在这种情况下，如图14a和图14b所示的示例，与第一导电电极2156 对应的第一通孔2164a和第三通孔2167a以及与第二导电电极2152对应的第二通孔 2164b和第四通孔2167b可分别为在一侧截断的圆形形状。
又如，如图15a和图15b所示，有源层3154和第一导电半导体层3155可分别形成为圆形形状的一侧呈凹形凹陷的形状。在这种情况下，与第一导电电极3156对应的第一通孔3164a和第三通孔3167a可形成为在一侧截断的圆形，但是与第二导电电极3152对应的第二通孔3164b和第四通孔3167b可为圆形形状。
图15a和图15b所示的示例中的半导体发光元件3050包括第一导电电极3156、形成有第一导电电极3156的第一导电半导体层3155、形成在第一导电半导体层3155 上的有源层3154、形成在有源层3154上的第二半导体层3153、形成在第二导电半导体层3153上的第二导电电极3152、第一钝化层3161和第二钝化层3166，并且其详细描述将由参照图10至图14b描述的以上和以下描述替代。并且在第二导电半导体层3153的另一表面上形成未掺杂半导体层3153a。第一钝化层3161包括覆盖第二导电半导体层3153的下表面的第一部分3162和覆盖第一导电半导体层3155的下表面的第二部分3163。并且第一钝化层3161可以包括从第二导电半导体层3153的侧表面突出的突出部分3165。
再参照图14a和图14b，第一导电电极2156和第二导电电极2152可分别为截断圆形导电电极。更具体地，第一导电电极2156和第二导电电极2152可分别具有在一侧截断的圆形形状的平面形状。
在这种情况下，第一导电电极2156和第二导电电极2152的形状以外的其它结构(例如，材料或层)与上面参照图13描述的半导体发光元件相同，因此其描述将由早前的描述替代。
此外，第一导电电极2156和第二导电电极2152可在沿着半导体发光元件的宽度方向间隔开的位置处在垂直方向(或厚度方向)上相对于彼此具有高度差。
这里，半导体发光元件包括第一钝化层2161，其形成为覆盖第一导电半导体层2155和第二导电半导体层2153的外表面。例如，第一钝化层2161可形成为围绕第一导电半导体层2155和第二导电半导体层2153的外侧面和底表面。并且第一钝化层 2161可以包括从第二导电半导体层2153的侧表面突出的突出部分2165。在这种情况下，第二钝化层2166形成为覆盖第一钝化层2161。第一钝化层2161和第二钝化层 2166的材料、层等与上面参照图13描述的半导体发光元件相同，因此其描述将由早前的描述替代。
第二钝化层2166形成为厚度至少部分地变化。换言之，第一钝化层2161以均匀厚度形成，但是第二钝化层2166以非均匀厚度形成以具有与第一钝化层2161不同的图案。利用第二钝化层2166的厚度变化，具体地，第二钝化层2166的下表面可为圆形形状。第一钝化层2161的第一部分2162和第二部分2163可相对于第二导电半导体层2153具有高度差。在本示例中，通过第二钝化层2166来消除高度差以形成圆形平面。
与第一导电半导体层2155和第二导电半导体层2153的投影面积之比相比，第一导电电极2156和第二导电电极2152的投影面积之比可形成为更接近1:1。为此，可在第二钝化层2166中进一步扩大第二导电电极2152的面积，并且第二导电电极2152 的至少部分可沿着半导体发光元件的厚度方向与第一导电半导体层2155交叠。换言之，存在n电极或p电极的金属层交叠的区域。
对于这样的示例，第一导电电极2156和第二导电电极2152可关于第二钝化层2166的圆形形状的中心对称地形成。对于更具体的示例，第一导电电极2156和第二导电电极2152可分别具有在一侧截断并且另一侧为圆形的形状。
根据上述结构，可使多层量子阱层的面积尽可能宽，并且可形成聚合物绝缘层，然后可按照1:1的比率控制n和p电极的尺寸。
根据上述实施方式的配置和方法不能以限制的方式应用于上述使用半导体发光元件的显示装置，各个实施方式的全部或部分可被选择性地组合和配置以进行各种修改。

Claims (17)

1.一种具有安装在基板上的多个半导体发光元件的显示装置，
其中，所述半导体发光元件中的至少一个包括：
第一导电电极和第二导电电极；
第一导电半导体层，该第一导电半导体层设置有所述第一导电电极；
第二导电半导体层，该第二导电半导体层被配置为与所述第一导电半导体层交叠，并且设置有所述第二导电电极；
第一钝化层，该第一钝化层形成为覆盖所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层的外表面；以及
第二钝化层，该第二钝化层形成为覆盖所述第一钝化层，并且形成为所述第二钝化层的至少部分在厚度上发生变化，
其中，所述第二钝化层包括沿着所述半导体发光元件的厚度方向不与所述第二导电半导体层交叠的部分，并且
所述第一导电电极和所述第二导电电极中的至少一个形成为覆盖不交叠部分，
其中，所述第一钝化层包括所述第一导电半导体层上的第一通孔，
其中，所述第二钝化层包括所述第一钝化层上的第三通孔，
其中，所述第一导电电极包括所述第一通孔中的第一电极部分和所述第三通孔中的第二电极部分，
其中，所述第一电极部分在所述第一通孔中具有第一宽度并且所述第二电极部分在所述第三通孔中具有小于所述第一宽度的第二宽度，
其中，所述第一电极部分具有在所述第一钝化层之上延伸的突出第一电极部分，
其中，所述第二电极部分具有在所述第二钝化层之上延伸的突出第二电极部分，并且
其中，所述突出第二电极部分沿着所述半导体发光元件的所述厚度方向与所述突出第一电极部分交叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一钝化层包括覆盖所述第一导电半导体层的下表面的第一部分以及覆盖所述第二导电半导体层的下表面的第二部分，并且
所述第一部分和所述第二部分相对于所述第二导电半导体层具有高度差。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二钝化层上覆盖所述第一部分和所述第二部分的部分的外表面是所述第二钝化层的下表面，并且
由于所述第二钝化层的厚度变化，所述第二钝化层的下表面形成为没有高度差的平面。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，通孔形成在所述第一钝化层和所述第二钝化层中，并且
所述第一导电电极和所述第二导电电极分别通过所述通孔延伸至所述第二钝化层上没有高度差的平面，
其中，所述第一导电电极包括连接到所述第二钝化层上的所述第二电极部分的第三电极部分，并且
其中，所述第三电极部分具有小于所述第一通孔中的所述第一宽度的第三宽度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二钝化层的下表面具有不同于所述第一钝化层的面积。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二钝化层的下表面的面积大于所述第一钝化层的下表面的面积。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，由于所述厚度变化，所述第二钝化层被配置为具有与所述第一钝化层的横截面形状不同的横截面形状。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一钝化层以均匀厚度形成，并且所述第二钝化层以非均匀厚度形成。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二导电电极的至少部分沿着所述半导体发光元件的厚度方向与所述第一导电半导体层交叠。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电电极和所述第二导电电极的投影面积之比形成为比所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层的投影面积之比更接近1:1，
其中，所述第一导电电极和所述第二导电电极分别具有截断的圆形形状。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一钝化层由硅化合物或氧化物形成，并且所述第二钝化层由聚合物制成。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一钝化层包括多个层，并且所述多个层利用具有相对高折射率的材料和具有相对低折射率的材料重复地沉积。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一钝化层包括从所述第二导电半导体层的侧表面突出的突出部分。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二钝化层的端部形成为在所述半导体发光元件的厚度方向上覆盖所述突出部分。
15.一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：
第一导电电极和第二导电电极；
第一导电半导体层，该第一导电半导体层设置有所述第一导电电极；
第二导电半导体层，该第二导电半导体层被配置为与所述第一导电半导体层交叠并且设置有所述第二导电电极；
第一钝化层，该第一钝化层形成为覆盖所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层的外表面；以及
第二钝化层，该第二钝化层形成为覆盖所述第一钝化层，并且形成为所述第二钝化层的至少部分在厚度上发生变化，
其中，所述第二钝化层包括沿着所述半导体发光元件的厚度方向不与所述第二导电半导体层交叠的部分，并且
所述第一导电电极和所述第二导电电极中的至少一个形成为覆盖不交叠部分，
其中，所述第一钝化层包括所述第一导电半导体层上的第一通孔，并且所述第二钝化层包括所述第一钝化层上的第三通孔，
其中，所述第一导电电极包括所述第一通孔中的第一电极部分和所述第三通孔中的第二电极部分，
其中，所述第一电极部分在所述第一通孔中具有第一宽度并且所述第二电极部分在所述第三通孔中具有小于所述第一宽度的第二宽度，
其中，所述第一电极部分具有在所述第一钝化层之上延伸的突出第一电极部分，
其中，所述第二电极部分具有在所述第二钝化层之上延伸的突出第二电极部分，并且
其中，所述突出第二电极部分沿着所述半导体发光元件的所述厚度方向与所述突出第一电极部分交叠。
16.根据权利要求15所述的半导体发光元件，其中，所述第一钝化层包括覆盖所述第一导电半导体层的下表面的第一部分以及覆盖所述第二导电半导体层的下表面的第二部分，
所述第一部分和所述第二部分相对于所述第二导电半导体层具有高度差，
其中，所述第一导电电极包括连接到所述第二钝化层上的所述第二电极部分的第三电极部分，并且
其中，所述第三电极部分具有小于所述第一通孔中的所述第一宽度的第三宽度。
17.根据权利要求16所述的半导体发光元件，其中，所述第二钝化层上覆盖所述第一部分和所述第二部分的部分的外表面是所述第二钝化层的下表面，
由于所述第二钝化层的厚度变化，所述第二钝化层的所述下表面形成为没有高度差的平面，并且
其中，所述第一导电电极和所述第二导电电极分别具有截断的圆形形状。
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