CN117210291A - 一种清洗不良硅片的混合溶液 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种清洗不良硅片的混合溶液，所述混合溶液由氢氟酸、硝酸和醋酸组成。通过本发明提供的混合溶液清洗后可重新得到良品的硅片，将该硅片再进行POLY的工艺，达到规格的需求，重新使用。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种清洗不良硅片的混合溶液。
背景技术
目前，在半导体硅片工艺中，对硅片的进行表面处理的方式，采用多晶膜薄膜使用气相沉积的方式(POLY)，对硅片的表面进行均匀的覆盖。由于工艺环境条件发生变化，或工艺操作过程中，硅片表面被“损伤”或“污染”，都会使淀积的多晶硅颗粒变粗，导致产品报废的情况。但现有对于出现问题的硅片，一般使用单独的腐蚀剂进行清洗，清洗效果达不到合格的要求
因此，针对以上不足，需要提供一种新的清洗方法来腐蚀清洗硅片，达到硅片再利用的目的。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于现有的溶液清洗不良硅片的效果不佳，针对现有技术中的缺陷，提供一种清洗不良硅片的混合溶液。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种清洗不良硅片的混合溶液，所述混合溶液由氢氟酸、硝酸和醋酸组成。
优选地，所述氢氟酸、硝酸、醋酸的摩尔比为7％～11％：31％～35％：15％～20％。
在本发明中，氢离子和氧化物的还原反应，单独使用一种酸的效果不佳，通过醋酸的添加，能够稳定反应速率，对于清洗效果有较大的提升。
本领域中目前常用的清洗剂还有氨水，可以用于去除硅片表面的有机和无机杂质，同时具有去离子化的作用；纯水也用于清洗硅片，去除清洗剂残留物和其他杂质。但是，在现有的方法中，一般仅使用单一的清洗剂，未有使用混合溶液组成的清洗剂。
HF具有良好的硅酸化作用，可以与硅片表面的氧化物反应，去除表面的氧化层。HNO3是强氧化剂，可以去除硅片表面的有机杂质和一些金属污染物。醋酸则用于中和和稀释混合溶液，使其适用于特定的清洗工艺。去除氧化层：HF与硅片表面的氧化层反应生成可溶性的硅酸，从而去除硅片表面的氧化物。这个反应可以恢复硅片的表面质量，并减少界面上的缺陷。去除杂质和金属污染物：HNO3具有强氧化性质，可以氧化有机杂质和金属污染物，将其转化为易溶于溶液中的物质。这样可以有效清除硅片表面的污染物，提高其纯净度。
混合溶液中的醋酸用于中和HF和HNO3的酸性，使溶液的酸碱性达到适当的范围。醋酸还用于稀释混合溶液，以适应特定的清洗要求和工艺。
通过使用HF、HNO3和醋酸的混合溶液，可以综合利用它们的化学性质，去除硅片表面的氧化层、有机杂质和金属污染物。这种清洗方法有助于提高硅片的质量和纯净度，为后续的半导体制造工艺提供良好的基础。
实施本发明，具有以下有益效果：
本发明通过使用HF、HNO3和醋酸的混合溶液，可以综合利用它们的化学性质，去除硅片表面的氧化层、有机杂质和金属污染物。这种清洗方法有助于提高硅片的质量和纯净度，为后续的半导体制造工艺提供良好的基础。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种清洗不良硅片的混合溶液
氢氟酸、硝酸、醋酸的摩尔比为10％：33％：18％
实施例2
一种清洗不良硅片的混合溶液
氢氟酸、硝酸、醋酸的摩尔比为7％：31％：15％
实施例3
一种清洗不良硅片的混合溶液
氢氟酸、硝酸、醋酸的摩尔比为11％：35％：20％
实施例4
一种清洗不良硅片的混合溶液
氢氟酸、硝酸、醋酸的摩尔比为9％：32％：16％
实施例5
一种清洗不良硅片的混合溶液
氢氟酸、硝酸、醋酸的摩尔比为10％：33％：17％
实施例6
一种清洗不良硅片的混合溶液
氢氟酸、硝酸、醋酸的摩尔比为15％：40％：23％
实施例7
一种清洗不良硅片的混合溶液
氢氟酸、硝酸、醋酸的摩尔比为6％：29％：13％
对比例1
一种清洗不良硅片的混合溶液
氢氟酸、硝酸的摩尔比为10％：30％
对比例2
一种清洗不良硅片的混合溶液
氢氟酸、醋酸的摩尔比为10％：20％
对比例3
一种清洗不良硅片的混合溶液
硝酸、醋酸的摩尔比为30％：20％
将以上实施例和对比例清洗后的不良硅片进行实验测试，测试清洗效果，效果评价具体如下表1所示：
表1
通过以上实验数据可以看出，本发明创造性的提出将氢氟酸、硝酸和醋酸混合应用，控制三者比例使得能够较好地去除硅片表面的氧化层、有机杂质和金属污染物。这种清洗方法有助于提高硅片的质量和纯净度，为后续的半导体制造工艺提供良好的基础。
本发明，尤其优选以下几组摩尔比例下的组分：氢氟酸10％，硝酸33％，醋酸18％；氢氟酸11％，硝酸35％，醋酸20％；氢氟酸10％，硝酸33％，醋酸17％。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (2)
1.一种清洗不良硅片的混合溶液，其特征在于：所述混合溶液由氢氟酸、硝酸和醋酸组成。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述氢氟酸、硝酸、醋酸的摩尔比为7％～11％：31％～35％：15％～20％。
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